JP2001015455A - Method and apparatus for producing semiconductor device - Google Patents

Method and apparatus for producing semiconductor device

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JP2001015455A
JP2001015455A JP11186636A JP18663699A JP2001015455A JP 2001015455 A JP2001015455 A JP 2001015455A JP 11186636 A JP11186636 A JP 11186636A JP 18663699 A JP18663699 A JP 18663699A JP 2001015455 A JP2001015455 A JP 2001015455A
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JP
Japan
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effective
chips
wafer
area
chip
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JP11186636A
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Japanese (ja)
Inventor
Hirobumi Yamagishi
博文 山岸
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Seiko Epson Corp
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Publication date
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method and an apparatus for producing a semiconductor device in which generation of defective chips can be suppressed even if the position of the claw of a fabricating apparatus enters the effective area border line on a wafer. SOLUTION: In the method for producing a semiconductor device, an imaginary effective area border line 11 is set on the surface of a waver 7 after it is placed in a production apparatus and a plurality of imaginary danger areas 12-15 having a predetermined width are set on the inside of the border line 11. The danger areas are weighted, an effective chip forming region 20 is set on the surface of the wafer 7, the number of effective chips 22 is calculated, danger areas superposed on the effective chips 22 are detected, the sum of the weight of danger areas is calculated and then the position of the wafer 7 is altered such that the sum of the weight is minimized for each chip and the number of effective chips is maximized.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、不良チップの発生
を抑制したウエハの面付けを行うことが可能な半導体装
置の製造方法及び製造装置に関する。
[0001] 1. Field of the Invention [0002] The present invention relates to a method and an apparatus for manufacturing a semiconductor device capable of imposing a wafer while suppressing generation of defective chips.

【0002】[0002]

【従来の技術】図4及び図5は、従来の半導体装置の製
造方法を説明するための平面図である。
2. Description of the Related Art FIGS. 4 and 5 are plan views for explaining a conventional method of manufacturing a semiconductor device.

【0003】以下、ウエハの面付けの具体的方法につい
て図面を参照しつつ説明する。
Hereinafter, a specific method of imposing a wafer will be described with reference to the drawings.

【0004】面付けとは、ウエハ上のチップ配置を決め
ることであり、これはフォトリソ技術によって行われ
る。
[0004] Imposition refers to determining the chip arrangement on a wafer, which is performed by photolithography.

【0005】まず、図4に示すように、ウエハ7の表面
において有効チップを形成可能な仮想の有効エリア境界
線11を想定する。この有効エリア境界線11は、通
常、ウエハ7がツメ1〜4によって固定されている部分
より内側に位置し、ウエハ7の外周から2mm程度内側
に配置される。ウエハ7表面における有効エリア境界線
11の内側がチップの形成可能な領域の境界である。
First, as shown in FIG. 4, a virtual effective area boundary line 11 where an effective chip can be formed on the surface of the wafer 7 is assumed. The effective area boundary line 11 is usually located inside the portion where the wafer 7 is fixed by the claws 1 to 4 and is arranged about 2 mm inside the outer periphery of the wafer 7. The inside of the effective area boundary line 11 on the surface of the wafer 7 is the boundary of the area where chips can be formed.

【0006】次に、このウエハ7表面に、平面上に複数
のチップ21を配列したチップ形成領域マップ16を重
ね合わせる。この後、このマップ16において有効エリ
ア境界線11内に配列されているチップを有効チップと
し、有効チップ形成領域20を決定する。次に、この有
効チップ形成領域20内の有効チップ22の数を算出す
る。
Next, a chip forming area map 16 in which a plurality of chips 21 are arranged on a plane is superimposed on the surface of the wafer 7. Thereafter, the chips arranged within the effective area boundary line 11 in the map 16 are regarded as valid chips, and the valid chip formation region 20 is determined. Next, the number of valid chips 22 in the valid chip formation region 20 is calculated.

【0007】この後、ウエハ7表面においてチップ形成
マップ16の位置を複数回オフセットさせ、任意のオフ
セットごとに有効チップ形成領域を決定し、有効チップ
数を算出する。そして、この有効チップ数が最大となる
マップオフセット値のうち任意の一つを採用する。図5
に示すマップオフセットは、有効チップ数が最大となる
ものの一例であり、図4に示すマップオフセットより有
効チップ数が5個増えている。このようにしてウエハ7
に面付けを行う。
Then, the position of the chip formation map 16 is offset a plurality of times on the surface of the wafer 7, an effective chip formation area is determined for each arbitrary offset, and the number of effective chips is calculated. Then, any one of the map offset values that maximizes the number of effective chips is adopted. FIG.
Is an example in which the number of effective chips is the largest, and the number of effective chips is five more than the map offset shown in FIG. Thus, the wafer 7
Perform imposition.

【0008】[0008]

【発明が解決しようとする課題】上述したように従来の
半導体装置の製造方法では、有効チップ数が最大となる
マップオフセット値のうち任意の一つを採用する。この
ため、有効チップ形成領域20における有効チップ22
のうち、有効エリア境界線11に最も近いチップの有効
エリア境界線11までの距離については、何ら考慮され
ずに有効チップ形成領域20を配置している。従って、
例えば、図5に示す有効チップ形成領域20中の隅に位
置する有効チップ22それぞれと有効エリア境界線11
との距離は一定とはならず、隅のチップ22のいずれか
が有効エリア境界線11に特に接近しており、その他の
チップが該境界線11から比較的離れているという配置
となることも多いと考えられる。
As described above, in the conventional method for manufacturing a semiconductor device, any one of the map offset values that maximizes the number of effective chips is adopted. For this reason, the effective chip 22 in the effective chip formation region 20
Among them, the effective chip formation region 20 is arranged without considering the distance to the effective area boundary line 11 of the chip closest to the effective area boundary line 11. Therefore,
For example, each effective chip 22 located at a corner in the effective chip formation region 20 shown in FIG.
May not be constant, and one of the corner chips 22 may be particularly close to the effective area boundary 11 and the other chips may be relatively far from the boundary 11. It is thought that there are many.

【0009】一方、従来のウエハの面付けでは、ウエハ
7をツメ1〜4によって製造装置内に固定した際、ツメ
が有効エリア境界線11にかかることがある。このよう
なウエハ固定に対する異常が発生した場合、有効エリア
境界線11の内側であっても該境界線11により近い領
域に形成されるチップは、該境界線11より遠い領域に
形成されるチップより不良品となる確率が高い。つま
り、数10μmの面付け位置の違いによりチップが良品
となったり不良品となったりすることがある。このた
め、四隅の有効チップ21〜24それぞれと有効エリア
境界線11との距離はある程度一定となるように有効チ
ップ形成領域20をウエハ7上に配置するのが望まし
い。
On the other hand, in the conventional wafer imposition, when the wafer 7 is fixed in the manufacturing apparatus by the claws 1 to 4, the claws may hit the effective area boundary line 11. When such an abnormality in fixing the wafer occurs, even if the chip is formed in a region closer to the boundary 11 even inside the boundary 11 of the effective area, a chip formed in a region farther than the boundary 11 is formed. The probability of defective products is high. In other words, a chip may become a non-defective product or a defective product due to a difference in imposition position of several tens of μm. For this reason, it is desirable to arrange the effective chip forming region 20 on the wafer 7 so that the distance between each of the effective chips 21 to 24 at the four corners and the effective area boundary line 11 is constant to some extent.

【0010】本発明は上記のような事情を考慮してなさ
れたものであり、その目的は、製造装置においてウエハ
をツメにより固定した際、そのツメの位置がウエハ上の
有効エリア境界線内に入っても不良チップの発生を抑制
できる半導体装置の製造方法及び製造装置を提供するこ
とにある。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above circumstances, and has as its object to fix the position of a claw within an effective area boundary on a wafer when the wafer is fixed by a claw in a manufacturing apparatus. It is an object of the present invention to provide a method and an apparatus for manufacturing a semiconductor device which can suppress the generation of a defective chip even if it enters.

【0011】[0011]

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、本発明に係る半導体装置の製造方法は、ウエハ上の
チップの配置を決めるウエハの面付けを行い、半導体装
置を製造する方法であって、ウエハを製造装置内に設置
した後、このウエハの表面において有効チップを形成可
能な仮想の有効エリア境界線を想定し、前記有効エリア
境界線の内側に一定幅を有する複数の危険エリアを想定
し、前記危険エリアに重みをつけ、その重みが前記有効
エリア境界線に近いほど大きくし、現実に複数のチップ
を形成することとなる有効チップ形成領域を前記ウエハ
の表面に配置し、前記有効チップ形成領域に形成される
複数の有効チップの数を算出し、前記複数の有効チップ
のうち、少なくとも一部が前記危険エリアに重なって形
成されることとなるチップを選択し、この選択された各
々のチップについて、重なって形成される危険エリアを
検出し、その危険エリアの重みの和を算出し、この各々
のチップについての重みの和が最小となり且つ有効チッ
プの数が最大となるように、前記ウエハの位置を変更す
ることにより該ウエハに面付けを行うことを特徴とす
る。
In order to solve the above-mentioned problems, a method of manufacturing a semiconductor device according to the present invention is a method of manufacturing a semiconductor device by imposing a wafer which determines the arrangement of chips on the wafer. After placing the wafer in the manufacturing apparatus, assuming a virtual effective area boundary line that can form an effective chip on the surface of the wafer, a plurality of dangerous areas having a certain width inside the effective area boundary line are defined. Assuming, weighting the dangerous area, increasing the weight closer to the effective area boundary line, and disposing an effective chip forming area that actually forms a plurality of chips on the surface of the wafer, The number of valid chips formed in the valid chip forming region is calculated, and at least a part of the valid chips is formed so as to overlap the dangerous area. And for each of the selected chips, detecting a dangerous area formed by overlapping, calculating the sum of the weights of the dangerous areas, the sum of the weights for each of the chips is minimized, and Imposition is performed on the wafer by changing the position of the wafer so that the number of effective chips is maximized.

【0012】上記半導体装置の製造方法では、各々のチ
ップについての危険エリアの重みの和が最小となり且つ
有効チップの数が最大となるようにウエハの面付けを行
うことにより、危険エリアに重なっているチップそれぞ
れと有効エリア境界線との距離がある程度一定となるよ
うに有効チップ形成領域をウエハ上に配置することがで
きる。このため、製造装置においてウエハをツメにより
固定した際、そのツメの位置がウエハ上の有効エリア境
界線内に入るといった異常が発生しても、不良チップの
発生を抑制することができる。
In the above-described method of manufacturing a semiconductor device, the wafers are imposed so that the sum of the weights of the dangerous areas for each chip is minimized and the number of effective chips is maximized. The effective chip formation region can be arranged on the wafer such that the distance between each of the chips and the boundary of the effective area becomes constant to some extent. For this reason, when the wafer is fixed with the claw in the manufacturing apparatus, even if an abnormality such as the position of the claw enters the boundary of the effective area on the wafer, the occurrence of defective chips can be suppressed.

【0013】本発明に係る半導体装置の製造装置は、ウ
エハ上のチップの配置を決めるウエハの面付けを行い、
半導体装置を製造する製造装置であって、ウエハを製造
装置内に設置した後、このウエハの表面において有効チ
ップを形成可能な仮想の有効エリア境界線を想定する境
界線想定手段と、前記有効エリア境界線の内側に一定幅
を有する複数の危険エリアを想定する危険エリア想定手
段と、前記危険エリアに重みをつけ、その重みが前記有
効エリア境界線に近いほど大きくする重みつけ手段と、
現実に複数のチップを形成することとなる有効チップ形
成領域を前記ウエハの表面に配置する配置手段と、前記
有効チップ形成領域に形成される複数の有効チップの数
を算出する第1の算出手段と、前記複数の有効チップの
うち、少なくとも一部が前記危険エリアに重なって形成
されることとなるチップを選択する選択手段と、前記選
択手段により選択された各々のチップについて、重なっ
て形成される危険エリアを検出する検出手段と、前記検
出手段により検出された危険エリアの重みの和を前記各
々のチップについて算出する第2の算出手段と、前記第
2の算出手段により算出した各々のチップについての重
みの和が最小となり、且つ、前記第1の算出手段により
算出した有効チップの数が最大となるように、前記ウエ
ハの位置を変更する手段と、を具備することを特徴とす
る。
A semiconductor device manufacturing apparatus according to the present invention performs wafer imposition for determining the arrangement of chips on a wafer,
A manufacturing apparatus for manufacturing a semiconductor device, wherein after setting a wafer in the manufacturing apparatus, a boundary estimating means for estimating a virtual effective area boundary capable of forming an effective chip on a surface of the wafer; Dangerous area assumption means for assuming a plurality of dangerous areas having a certain width inside the boundary line, weighting means for weighting the dangerous area, weighting means for increasing the weight closer to the effective area boundary line,
An arranging means for arranging an effective chip forming area for actually forming a plurality of chips on the surface of the wafer, and a first calculating means for calculating the number of the plurality of effective chips formed in the effective chip forming area Selecting means for selecting a chip at least a part of which is to be formed so as to overlap with the dangerous area, among the plurality of valid chips, and for each chip selected by the selecting means, Detecting means for detecting a dangerous area to be detected, second calculating means for calculating the sum of the weights of the dangerous areas detected by the detecting means for each of the chips, and each chip calculated by the second calculating means. The position of the wafer is changed such that the sum of the weights of the first and the second means is minimized and the number of effective chips calculated by the first calculation means is maximized. Characterized by comprising a means.

【0014】[0014]

【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の一
実施の形態について説明する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS An embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings.

【0015】図1及び図2は、本発明の実施の形態によ
る半導体装置の製造方法を説明するための平面図であ
る。図3は、本発明の実施の形態による半導体装置の製
造手順を示す図である。
FIGS. 1 and 2 are plan views for explaining a method of manufacturing a semiconductor device according to an embodiment of the present invention. FIG. 3 is a diagram showing a procedure for manufacturing the semiconductor device according to the embodiment of the present invention.

【0016】ウエハの面付けの具体的方法について図面
を参照しつつ説明する。
A specific method of imposing a wafer will be described with reference to the drawings.

【0017】面付けとは、ウエハ上のチップ配置を決め
ることであり、これはフォトリソ技術によって行われ
る。
[0017] Imposition refers to determining the chip arrangement on a wafer, which is performed by photolithography.

【0018】まず、ウエハ7の表面を図示せぬ撮影手段
により撮影し、ウエハ7表面の画像データを得る。次
に、このウエハ7表面の画像データにおいて、図2に示
すように、有効チップを形成可能な仮想の有効エリア境
界線11を想定する(図3に示すST1)。この有効エ
リア境界線の想定は、境界線想定手段(図示せず)によ
り行われる。なお、この有効エリア境界線11は、通
常、ウエハ7がツメ1〜4によって固定されている部分
より内側に位置し、ウエハ7の外周から例えば2mm程
度内側に配置される。ウエハ7表面における有効エリア
境界線11の内側がチップの形成可能な領域の境界であ
る。
First, the surface of the wafer 7 is photographed by photographing means (not shown) to obtain image data of the surface of the wafer 7. Next, as shown in FIG. 2, a virtual effective area boundary line 11 where an effective chip can be formed is assumed in the image data of the surface of the wafer 7 (ST1 shown in FIG. 3). This estimation of the effective area boundary is performed by boundary estimation means (not shown). Note that the effective area boundary line 11 is usually located inside a portion where the wafer 7 is fixed by the claws 1 to 4, and is arranged, for example, about 2 mm inside from the outer periphery of the wafer 7. The inside of the effective area boundary line 11 on the surface of the wafer 7 is the boundary of the area where chips can be formed.

【0019】この後、前記画像データにおいて、有効エ
リア境界線11の内側に一定幅(例えば0.5mm)を
有する第1〜第4の危険エリア12〜15を仮想的に配
置する(図3に示すST2)。この危険エリアの配置
は、危険エリア想定手段(図示せず)により行われる。
第1の危険エリア12は有効エリア境界線11に内接し
ており、第2の危険エリア13は第1の危険エリア12
に内接している。第3の危険エリア14は第2の危険エ
リア13に内接しており、第4の危険エリア15は第3
の危険エリア14に内接している。
Thereafter, in the image data, first to fourth dangerous areas 12 to 15 having a fixed width (for example, 0.5 mm) are virtually arranged inside the effective area boundary line 11 (see FIG. 3). ST2). The arrangement of the dangerous area is performed by a dangerous area estimating means (not shown).
The first dangerous area 12 is inscribed in the effective area boundary 11, and the second dangerous area 13 is the first dangerous area 12.
Inscribed in The third dangerous area 14 is inscribed in the second dangerous area 13, and the fourth dangerous area 15 is the third dangerous area 15.
In danger area 14.

【0020】次に、前記危険エリア12〜15それぞれ
に重みをつける(図3に示すST3)。その重みは、有
効エリア境界線11に近いほど大きくする。この重みつ
けは、重み付け手段(図示せず)により行われる。した
がって、例えば、第1の危険エリア12の重みを4と
し、第2の危険エリア13の重みを3とし、第3の危険
エリア14の重みを2とし、第4の危険エリア15の重
みを1とする。
Next, a weight is assigned to each of the dangerous areas 12 to 15 (ST3 shown in FIG. 3). The weight increases as it approaches the effective area boundary line 11. This weighting is performed by weighting means (not shown). Therefore, for example, the weight of the first dangerous area 12 is 4, the weight of the second dangerous area 13 is 3, the weight of the third dangerous area 14 is 2, and the weight of the fourth dangerous area 15 is 1 And

【0021】この後、ウエハ7表面に、平面上に複数の
チップ21を配列したチップ形成領域マップ16を重ね
合わせる。次に、このマップ16において有効エリア境
界線11内に配列されているチップを有効チップとし、
有効チップ形成領域20を決定する(図3に示すST
4)。この有効チップ形成領域の配置は、配置手段(図
示せず)により行われる。次に、この有効チップ形成領
域20内の有効チップ22の数を算出する。この有効チ
ップ数の算出は、第1の算出手段(図示せず)により行
われる。
Thereafter, a chip forming area map 16 in which a plurality of chips 21 are arranged on a plane is superimposed on the surface of the wafer 7. Next, the chips arranged within the effective area boundary line 11 in this map 16 are regarded as effective chips,
Determine the effective chip formation region 20 (ST shown in FIG. 3)
4). The arrangement of the effective chip formation region is performed by an arrangement means (not shown). Next, the number of valid chips 22 in the valid chip formation region 20 is calculated. The calculation of the number of effective chips is performed by first calculating means (not shown).

【0022】この後、ウエハ7表面においてチップ形成
マップ16の位置を複数回オフセットさせ、任意のオフ
セットごとに有効チップ形成領域を決定し、有効チップ
数を算出する。そして、この有効チップ数が最大となる
マップオフセットを採用する。図1に示すマップオフセ
ットは、有効チップ数が最大となるもののうち一つであ
り、図2に示すマップオフセットより有効チップ数が5
個増えている。
Thereafter, the position of the chip formation map 16 is offset a plurality of times on the surface of the wafer 7, an effective chip formation area is determined for each arbitrary offset, and the number of effective chips is calculated. Then, a map offset that maximizes the number of effective chips is adopted. The map offset shown in FIG. 1 is one of the ones in which the number of effective chips is the largest, and the map offset shown in FIG.
The number is increasing.

【0023】次に、採用した有効チップ数が最大となる
マップオフセットの各々について次の処理を行う。有効
チップ形成領域20に配列される複数の有効チップ22
のうち、少なくとも一部が第1〜第4の危険エリア12
〜15に重なって形成されることとなるチップを選択す
る(図3に示すST5)。このチップの選択は、選択手
段(図示せず)により行われる。
Next, the following processing is performed for each of the map offsets in which the number of adopted effective chips is maximized. A plurality of effective chips 22 arranged in the effective chip forming area 20
At least a part of the first to fourth dangerous areas 12
A chip to be formed so as to overlap with 1515 is selected (ST5 shown in FIG. 3). The selection of the chip is performed by selection means (not shown).

【0024】この選択された各々の有効チップについ
て、重なって形成される危険エリア12〜15を検出す
る(ST6)。この危険エリアの検出は、検出手段(図
示せず)により行われる。この場合、例えば図1に示す
チップ22aについては第1〜第4の危険エリア12〜
15が検出され、チップ22bについては第3及び第4
の危険エリア14,15が検出される。
For each of the selected valid chips, overlapping dangerous areas 12 to 15 are detected (ST6). The detection of the dangerous area is performed by detection means (not shown). In this case, for example, for the chip 22a shown in FIG.
15 is detected, and the third and fourth chips 22b are detected.
Dangerous areas 14 and 15 are detected.

【0025】次に、その危険エリアの重みの和を各々の
チップについて算出する(ST7)。この重みの和の算
出は、第2の算出手段(図示せず)により行われる。こ
の場合、チップ22aについては重みの和が10とな
り、チップ22bについては重みの和が3となる。
Next, the sum of the weights of the dangerous areas is calculated for each chip (ST7). The calculation of the sum of the weights is performed by a second calculating unit (not shown). In this case, the sum of the weights is 10 for the chip 22a, and 3 for the chip 22b.

【0026】この後、この各々のチップについて算出さ
れた重みの和を各々のマップオフセットについて比較す
る(ST8)。この重みの和の比較は、比較手段(図示
せず)により行われる。そして、各々のチップについて
の重みの和が最小となるマップオフセットを採用し、前
記ウエハ7の位置を変更する(ST9)。このウエハ位
置の変更は、位置変更手段(図示せず)により行われ
る。
Thereafter, the sum of the weights calculated for each chip is compared for each map offset (ST8). The comparison of the sum of the weights is performed by comparing means (not shown). Then, the position of the wafer 7 is changed by using a map offset that minimizes the sum of the weights for each chip (ST9). This change of the wafer position is performed by a position changing means (not shown).

【0027】すなわち、ウエハ7表面において有効チッ
プ形成領域20の位置を複数回オフセットさせ、有効チ
ップ数が最大となるマップオフセットを採用し、その採
用した任意のオフセットごとに危険エリアにかかるチッ
プそれぞれの重みの和を算出する。そして、各々のチッ
プの重みの和が最小となるマップオフセット値を採用す
る。このようにしてウエハ7に面付けを行う。
That is, the position of the effective chip formation region 20 is offset a plurality of times on the surface of the wafer 7 and a map offset that maximizes the number of effective chips is adopted. Calculate the sum of the weights. Then, a map offset value that minimizes the sum of the weights of the chips is adopted. The imposition on the wafer 7 is performed in this manner.

【0028】上記実施の形態によれば、危険エリアにか
かる各々のチップについての重みの和が最小となり、且
つ、有効チップ数が最大となるように、ウエハ7の面付
けを行う。これにより、最外有効チップの有効エリア境
界線11までの距離を均等化でき、有効チップ形成領域
20と有効エリア境界線11との間の距離を均等化でき
る。このため、製造装置のツメ1〜4の位置が有効エリ
ア境界線11の内側に入るといった異常が発生しても、
欠陥チップの発生を抑制することができる。従って、歩
留まりの安定化が可能となる。
According to the above embodiment, the wafer 7 is imposed so that the sum of the weights of the respective chips in the dangerous area is minimized and the number of effective chips is maximized. Thereby, the distance of the outermost effective chip to the effective area boundary line 11 can be equalized, and the distance between the effective chip formation region 20 and the effective area boundary line 11 can be equalized. For this reason, even if an abnormality such that the positions of the claws 1 to 4 of the manufacturing apparatus enter the inside of the effective area boundary line 11 occurs,
The occurrence of defective chips can be suppressed. Therefore, the yield can be stabilized.

【0029】尚、本発明は上記実施の形態に限定され
ず、種々変更して実施することが可能である。例えば、
上記実施の形態では、第1〜第4の危険エリア12〜1
5それぞれの重みを4,3,2,1としているが、他の
重みとすることも可能である。
The present invention is not limited to the above embodiment, but can be implemented with various modifications. For example,
In the above embodiment, the first to fourth dangerous areas 12 to 1
5, the weights are set to 4, 3, 2, and 1, however, other weights can be used.

【0030】[0030]

【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、各
々のチップについての危険エリアの重みの和が最小とな
り且つ有効チップの数が最大となるようにウエハの面付
けを行う。したがって、製造装置においてウエハをツメ
により固定した際、そのツメの位置がウエハ上の有効エ
リア境界線内に入っても不良チップの発生を抑制できる
半導体装置の製造方法及び製造装置を提供することがで
きる。
As described above, according to the present invention, the wafers are imposed such that the sum of the weights of the dangerous areas for each chip is minimized and the number of effective chips is maximized. Therefore, it is possible to provide a method and an apparatus for manufacturing a semiconductor device which can suppress generation of defective chips even when the position of the claw is within the boundary of the effective area on the wafer when the wafer is fixed by the claw in the manufacturing apparatus. it can.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の実施の形態による半導体装置の製造方
法を説明するための平面図であり、最外有効チップの有
効エリア境界線までの距離を均等化したものある。
FIG. 1 is a plan view for explaining a method of manufacturing a semiconductor device according to an embodiment of the present invention, in which a distance to an effective area boundary of an outermost effective chip is equalized.

【図2】本発明の実施の形態による半導体装置の製造方
法を説明するための平面図である。
FIG. 2 is a plan view for explaining the method for manufacturing the semiconductor device according to the embodiment of the present invention.

【図3】本発明の実施の形態による半導体装置の製造手
順を示す図である。
FIG. 3 is a diagram showing a manufacturing procedure of the semiconductor device according to the embodiment of the present invention;

【図4】従来の半導体装置の製造方法を説明するための
平面図である。
FIG. 4 is a plan view for explaining a conventional method for manufacturing a semiconductor device.

【図5】従来の半導体装置の製造方法を説明するための
平面図であり、有効チップ数が最大となるマップオフセ
ットの一例を示すものである。
FIG. 5 is a plan view for explaining a conventional method for manufacturing a semiconductor device, and shows an example of a map offset at which the number of effective chips is maximized.

【符号の説明】 1〜4 ツメ 7 ウエハ 11 有効エリア境界線 12〜15 第1
〜第4の危険エリア 16 チップ形成領域マップ 20 有効チップ
形成領域 21 チップ 22 有効チップ
[Description of Signs] 1-4 claw 7 wafer 11 effective area boundary line 12-15 first
To the fourth dangerous area 16 Chip forming area map 20 Effective chip forming area 21 Chip 22 Effective chip

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 ウエハ上のチップの配置を決めるウエハ
の面付けを行い、半導体装置を製造する方法であって、 ウエハを製造装置内に設置した後、このウエハの表面に
おいて有効チップを形成可能な仮想の有効エリア境界線
を想定し、 前記有効エリア境界線の内側に一定幅を有する複数の危
険エリアを想定し、 前記危険エリアに重みをつけ、その重みが前記有効エリ
ア境界線に近いほど大きくし、 現実に複数のチップを形成することとなる有効チップ形
成領域を前記ウエハの表面に配置し、 前記有効チップ形成領域に形成される複数の有効チップ
の数を算出し、 前記複数の有効チップのうち、少なくとも一部が前記危
険エリアに重なって形成されることとなるチップを選択
し、 この選択された各々のチップについて、重なって形成さ
れる危険エリアを検出し、その危険エリアの重みの和を
算出し、 この各々のチップについての重みの和が最小となり且つ
有効チップの数が最大となるように、前記ウエハの位置
を変更することにより該ウエハに面付けを行うことを特
徴とする半導体装置の製造方法。
1. A method of manufacturing a semiconductor device by imposing a wafer which determines the arrangement of chips on the wafer, wherein an effective chip can be formed on a surface of the wafer after the wafer is installed in a manufacturing apparatus. Assuming a virtual effective area boundary line, assuming a plurality of dangerous areas having a certain width inside the effective area boundary line, weighting the dangerous area, the closer the weight is to the effective area boundary line, Increasing the effective chip forming area that actually forms a plurality of chips on the surface of the wafer; calculating the number of the plurality of effective chips formed in the effective chip forming area; Among the chips, at least a part is selected to be formed so as to overlap with the dangerous area, and each of the selected chips is formed so as to overlap. Detecting a rugged area, calculating the sum of the weights of the dangerous areas, and changing the position of the wafer so that the sum of the weights for each chip is minimized and the number of effective chips is maximized A method for manufacturing a semiconductor device, comprising imposing the wafer.
【請求項2】 ウエハ上のチップの配置を決めるウエハ
の面付けを行い、半導体装置を製造する製造装置であっ
て、 ウエハを製造装置内に設置した後、このウエハの表面に
おいて有効チップを形成可能な仮想の有効エリア境界線
を想定する境界線想定手段と、 前記有効エリア境界線の内側に一定幅を有する複数の危
険エリアを想定する危険エリア想定手段と、 前記危険エリアに重みをつけ、その重みが前記有効エリ
ア境界線に近いほど大きくする重みつけ手段と、 現実に複数のチップを形成することとなる有効チップ形
成領域を前記ウエハの表面に配置する配置手段と、 前記有効チップ形成領域に形成される複数の有効チップ
の数を算出する第1の算出手段と、 前記複数の有効チップのうち、少なくとも一部が前記危
険エリアに重なって形成されることとなるチップを選択
する選択手段と、 前記選択手段により選択された各々のチップについて、
重なって形成される危険エリアを検出する検出手段と、 前記検出手段により検出された危険エリアの重みの和を
前記各々のチップについて算出する第2の算出手段と、 前記第2の算出手段により算出した各々のチップについ
ての重みの和が最小となり、且つ、前記第1の算出手段
により算出した有効チップの数が最大となるように、前
記ウエハの位置を変更する手段と、 を具備することを特徴とする半導体装置の製造装置。
2. A manufacturing apparatus for manufacturing a semiconductor device by imposing a wafer for arranging chips on the wafer, and forming an effective chip on a surface of the wafer after installing the wafer in the manufacturing apparatus. Boundary line assumption means for assuming a possible virtual effective area boundary line, Danger area assumption means for assuming a plurality of danger areas having a certain width inside the effective area boundary line, and weighting the danger area, Weighting means for increasing the weight as the weight is closer to the effective area boundary line; arranging means for arranging an effective chip forming area where a plurality of chips are actually formed on the surface of the wafer; and the effective chip forming area. First calculating means for calculating the number of a plurality of effective chips formed in the plurality of effective chips, and at least a part of the plurality of effective chips overlaps the dangerous area. Selecting means for selecting a chip to be formed; and for each chip selected by the selecting means,
Detecting means for detecting a dangerous area formed by overlapping; second calculating means for calculating the sum of the weights of the dangerous areas detected by the detecting means for each of the chips; calculating by the second calculating means Means for changing the position of the wafer such that the sum of the weights for each of the chips thus obtained is minimized and the number of effective chips calculated by the first calculation means is maximized. Characteristic semiconductor device manufacturing equipment.
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CN115392181A (en) * 2022-10-28 2022-11-25 成都复锦功率半导体技术发展有限公司 Layout design method based on external frame design, chip and terminal

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