JP2001014944A - Conductive paste - Google Patents
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- JP2001014944A JP2001014944A JP11185832A JP18583299A JP2001014944A JP 2001014944 A JP2001014944 A JP 2001014944A JP 11185832 A JP11185832 A JP 11185832A JP 18583299 A JP18583299 A JP 18583299A JP 2001014944 A JP2001014944 A JP 2001014944A
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Abstract
Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、導電性ペーストに
関し、特に、回路基板のシールド壁を形成するために用
いられる導電性ペーストに関するものである。The present invention relates to a conductive paste, and more particularly, to a conductive paste used for forming a shield wall of a circuit board.
【0002】[0002]
【従来技術】近年、電子機器は小型軽量化、携帯化が進
んでおり、それに用いられる回路ブロックもその動向に
呼応する形で、小型軽量薄型化、表面実装化、複合化が
押し進められている。2. Description of the Related Art In recent years, electronic devices have become smaller, lighter and more portable, and the circuit blocks used therein have been reduced in size, weight, and thickness, surface-mounted, and composited in accordance with the trend. .
【0003】特に携帯通信等の高周波数を利用した通信
機器においては、セラミックスの優れた誘電特性等と多
層化技術からセラミック回路ブロックが従来より多用さ
れており、それら回路ブロックを単一機能のものから複
合化することが求められてきている。例えば、電圧制御
発振器はセラミック基板内部にストリップラインを設け
てブロック化しているが、更にセラミック基板の集積度
をあげる目的で、ミキサ部を取り込んで1ブロック化し
ようとする動向がある。In particular, in communication equipment utilizing high frequency such as portable communication, ceramic circuit blocks have been used more frequently than ever because of their excellent dielectric properties and multilayer technology, and these circuit blocks have a single function. Has been required to be compounded. For example, a voltage-controlled oscillator is formed into a block by providing a strip line inside a ceramic substrate, but there is a trend to incorporate a mixer unit into one block for the purpose of further increasing the degree of integration of the ceramic substrate.
【0004】ところが、電圧制御発振器のような高周波
領域での発信回路は外からのノイズの影響を受け易く、
その対策としてはミキサ部を発振回路から離すしかな
く、この構造は小型化のための複合化の利点を損なうも
のでしかなかった。あえて回路の分離を図ろうとするな
らば、ミキサ部と発振回路との間にビアホールを多数並
べる方法もあったが、これでは十分な分離が困難であ
り、発振回路がミキサ部から放出されたノイズの影響を
受けやすいという問題があった。However, a transmitting circuit in a high frequency region such as a voltage controlled oscillator is easily affected by external noise,
The only countermeasure was to separate the mixer section from the oscillation circuit, and this structure only impaired the advantage of compounding for miniaturization. In order to separate the circuit, there is a method of arranging a large number of via holes between the mixer and the oscillation circuit.However, it is difficult to sufficiently separate the circuit, and the oscillation circuit emits noise generated by the mixer. There was a problem that it was easily affected by
【0005】従来、複数の回路素子を1ブロック化する
にあたって問題となる回路干渉を防ぐ構造として、基板
の平面方向に加えて厚み方向にも回路干渉を防ぐ為のシ
ールド壁を形成した高周波複合回路ブロックが開示され
ている(特開平9−130045号公報参照)。Conventionally, as a structure for preventing circuit interference, which is a problem when a plurality of circuit elements are formed into one block, a high-frequency composite circuit having a shield wall for preventing circuit interference in the thickness direction in addition to the plane direction of the substrate. A block is disclosed (see Japanese Patent Application Laid-Open No. 9-130045).
【0006】図1及び図2は高周波複合回路ブロックを
示すもので、これらの図では、電圧制御発振器Xとミキ
サ部Yの2つの回路機能を有するブロックが複合化され
ている。図において、符号1は絶縁基体を示している。
この絶縁基体1には、端面電極2が形成されている。絶
縁基体1の表面には表面電極3が形成されており、この
表面電極3には厚膜抵抗体4、コンデンサ等のチップ部
品6が接続されている。さらに、絶縁基体1にはキャビ
ティ部が形成され、このキャビティ部には半導体ベアチ
ップ7が配置され、この半導体ベアチップ7はワイヤを
介して表面電極3に接続されている。FIGS. 1 and 2 show high-frequency composite circuit blocks. In these figures, a block having two circuit functions of a voltage controlled oscillator X and a mixer unit Y is combined. In the drawing, reference numeral 1 indicates an insulating base.
An end face electrode 2 is formed on the insulating base 1. A surface electrode 3 is formed on the surface of the insulating substrate 1, and a chip component 6 such as a thick film resistor 4 and a capacitor is connected to the surface electrode 3. Further, a cavity portion is formed in the insulating base 1, and a semiconductor bare chip 7 is arranged in the cavity portion, and the semiconductor bare chip 7 is connected to the surface electrode 3 via a wire.
【0007】絶縁基体1は、図2に示すように、絶縁層
10a〜10hを複数積層して構成され、また、内部配
線11やビアホール導体13、チップ部品6、半導体ベ
アチップ7等により2つの回路機能X、Yが形成されて
いる。ここで、回路機能とは、一つの回路機能が他方の
回路機能に影響を及ぼす虞があるもので、図2において
は、電圧制御発振器Xとミキサ部Yを図示した。As shown in FIG. 2, the insulating substrate 1 is formed by laminating a plurality of insulating layers 10a to 10h, and includes two circuits formed by an internal wiring 11, a via hole conductor 13, a chip component 6, a semiconductor bare chip 7, and the like. Functions X and Y are formed. Here, the circuit function means that one circuit function may affect the other circuit function, and FIG. 2 illustrates the voltage controlled oscillator X and the mixer unit Y.
【0008】また、絶縁層10a〜10h間の内部配線
11は、絶縁層10a〜10hの厚み方向に形成された
ビアホール導体13によって接続されているものもあれ
ば、容量結合等で分布定数的に接続されるものもある。The internal wiring 11 between the insulating layers 10a to 10h may be connected by a via-hole conductor 13 formed in the thickness direction of the insulating layers 10a to 10h, or may be connected in a distributed manner by capacitive coupling or the like. Some are connected.
【0009】そして、絶縁基体1には、電圧制御発振器
Xとミキサ部Yの二つの回路機能の間に、絶縁層10a
〜10hの積層方向にシールド壁17が形成されてい
る。The insulating substrate 1 has an insulating layer 10a between the two circuit functions of the voltage controlled oscillator X and the mixer Y.
The shield wall 17 is formed in the stacking direction of 10 to 10 h.
【0010】このシールド壁は17は、図2に示すよう
に電圧制御発振器Xとミキサ部Yとの間を遮断して形成
されている。回路機能Xのシールドをシールド壁17と
端面電極2aにより行っている。即ち、シールド壁17
により電圧制御発振器Yとのシールドを、端面電極2a
により外部とのシールドを行っている。The shield wall 17 is formed so as to cut off between the voltage controlled oscillator X and the mixer Y as shown in FIG. The circuit function X is shielded by the shield wall 17 and the end face electrode 2a. That is, the shield wall 17
Shields with the voltage controlled oscillator Y by the end face electrode 2a.
Shields the outside.
【0011】このような高周波複合回路ブロックは、セ
ラミック又はガラスセラミックからなる絶縁層材料、光
硬化可能なモノマー、有機バインダを含有するスリップ
材を薄層化し乾燥して絶縁層成形体を形成する工程と、
シールド壁の形成位置を除いた前記絶縁層成形体の表面
に露光処理を施す工程と、前記絶縁層成形体を現像処理
してシールド壁を形成する位置にシールド用貫通溝を形
成する工程と、該シールド用貫通溝内に導電性ペースト
を充填する工程と、露光処理した前記絶縁層成形体に露
光処理前の絶縁層成形体を積層する工程と、露光処理か
ら積層までの工程を繰り返して形成された積層成形体を
焼成する工程とにより製造される。[0011] Such a high-frequency composite circuit block is formed by thinning and drying an insulating layer material made of ceramic or glass ceramic, a photocurable monomer, and a slip material containing an organic binder to form an insulating layer molded body. When,
Exposing the surface of the insulating layer molded body excluding the position where the shield wall is formed, and developing the insulating layer molded body to form a shield through groove at a position where the shield wall is formed by developing the insulating layer molded body; Forming a conductive paste in the shield through-groove; laminating the insulating layer molded body before the exposure processing on the exposed insulating layer molded body; and repeating the steps from exposure processing to lamination. And firing the laminated molded body.
【0012】例えば、セラミック粉末、光硬化可能なモ
ノマー、有機バインダ、及び溶剤よりなるセラミックス
リップ材を塗布、乾燥、露光して、図3(a)に示すよ
うに支持基板31に絶縁膜32aを形成し、この絶縁膜
32a上に同様にして絶縁膜32bを形成し、この絶縁
膜32bを露光、現像して、図3(b)に示すようなビ
アホール用貫通孔33b及びシールド用貫通溝34bを
形成する。For example, a ceramic slip material composed of a ceramic powder, a photocurable monomer, an organic binder, and a solvent is applied, dried, and exposed to form an insulating film 32a on the support substrate 31 as shown in FIG. Then, an insulating film 32b is formed on the insulating film 32a in the same manner, and the insulating film 32b is exposed and developed to form a through hole 33b for a via hole and a through groove 34b for a shield as shown in FIG. To form
【0013】こうして形成された貫通孔33b及び貫通
溝34bに、図3(c)に示すように、導電性ペースト
をスクリーン印刷法等により充填し乾燥した後、紫外線
を照射して露光し導電性ペーストを硬化させることによ
りビアホール導体35b及びシールド導体36bを形成
する。その後、所望により絶縁膜32bの上面に光硬化
性樹脂を含有する導電性ペーストを塗布、乾燥後、フォ
トリソプロセスにより所望形状の内部配線導体膜を形成
し、この後、図3(d)に示すように、次の絶縁層とな
る絶縁膜32cを上述したセラミックスリップ材を塗
布、乾燥、露光、現像し、ビアホール用貫通孔33c及
びシールド用貫通溝34cを形成する。上記のような工
程を繰り返して、図3(e)に示すような積層成形体を
作製し、これを焼成することにより、高周波複合回路ブ
ロックが得られる。As shown in FIG. 3C, a conductive paste is filled in the through-holes 33b and the through-grooves 34b thus formed by a screen printing method or the like, and dried. The via-hole conductor 35b and the shield conductor 36b are formed by curing the paste. Thereafter, a conductive paste containing a photocurable resin is applied to the upper surface of the insulating film 32b if necessary, dried, and then an internal wiring conductor film having a desired shape is formed by a photolithography process, and thereafter, as shown in FIG. As described above, the above-described ceramic slip material is applied to the insulating film 32c to be the next insulating layer, dried, exposed, and developed to form the through hole 33c for the via hole and the through groove 34c for the shield. By repeating the above steps, a laminated molded body as shown in FIG. 3 (e) is produced and fired to obtain a high-frequency composite circuit block.
【0014】そして、絶縁膜32b〜32dにフォトリ
ソプロセスにより一括で形成したビアホール用貫通孔3
3及びシールド用貫通溝34内に充填される導電性ペー
ストは、例えば、本発明者等が先に提案した導電性ペー
ストが使用される(特願平10−242337号参
照)。The via holes 3 are formed in the insulating films 32b to 32d by a photolithography process.
For example, as the conductive paste filled in the through-hole 3 and the shielding through groove 34, the conductive paste proposed by the present inventors has been used (see Japanese Patent Application No. 10-242337).
【0015】この導電性ペーストは、導電性金属と、絶
縁性無機材料と、光重合開始剤及び光硬化性樹脂を含む
有機バインダと、有機溶剤とを含有するとともに、導電
性金属、絶縁性無機材料及び有機バインダの合量を10
0重量%とした時、導電性金属と絶縁性無機材料の合量
が70〜95重量%、有機バインダの重量が5〜30重
量%であり、貫通孔33及び貫通溝34内に充填、乾燥
された後に紫外線照射して露光し硬化される。The conductive paste contains a conductive metal, an insulating inorganic material, an organic binder containing a photopolymerization initiator and a photocurable resin, and an organic solvent. The total amount of materials and organic binder is 10
When the weight is 0% by weight, the total amount of the conductive metal and the insulating inorganic material is 70 to 95% by weight, and the weight of the organic binder is 5 to 30% by weight. After that, it is exposed and cured by ultraviolet irradiation.
【0016】これにより、形成されたビアホール導体3
5及びシールド導体36の耐溶剤性が強化され、導体3
5、36上にスリップ材を塗布した際、導体35、36
中にスリップ材中の有機溶剤が浸透して導体35、36
の膨潤、変形による導通不良等の不具合を防ぐことがで
きる。As a result, the formed via hole conductor 3
5 and the shield conductor 36 have enhanced solvent resistance, and the conductor 3
When the slip material is applied on the conductors 5, 36, the conductors 35, 36
The organic solvent in the slip material permeates into the conductors 35 and 36.
Problems such as poor conduction due to swelling and deformation.
【0017】[0017]
【発明が解決しようとする課題】上記導電性ペーストを
ビアホール導体用として用いた場合には、ビアホール用
貫通孔33bに充填、乾燥、露光し、さらにその上にス
リップ材を塗布、乾燥、露光、現像処理を行って、次層
の絶縁膜32cにビアホール用貫通孔33cを形成する
工程を繰り返しても問題は生じないが、シールド用貫通
溝34内に充填される導電性ペーストとして用いる場合
には、以下のような問題があった。When the above-mentioned conductive paste is used for a via-hole conductor, the via-hole is filled in the through-hole 33b, dried and exposed, and then a slip material is applied, dried, exposed and processed. A problem does not occur even if the process of performing the development process and forming the via hole through hole 33c in the insulating film 32c of the next layer is repeated, but when the conductive paste is used as the conductive paste filled in the shield through groove 34, However, there were the following problems.
【0018】即ち、図4(a)に示すように、支持基板
41上にスリップ材を塗布、乾燥、露光して絶縁膜42
aが形成され、この絶縁膜42a上に、スリップ材を塗
布、乾燥、露光、現像して絶縁膜42bを形成し、この
絶縁膜42bにシールド用貫通溝44bを形成し、シー
ルド用貫通溝44bに上記導電性ペーストが充填され、
1層分のシールド導体46bが形成された絶縁膜42b
上に、スリップ材を塗布、乾燥して絶縁膜42cを形成
する。That is, as shown in FIG. 4A, a slip material is applied on a support substrate 41, dried and exposed to light to form an insulating film 42.
is formed on the insulating film 42a, a slip material is applied, dried, exposed, and developed to form an insulating film 42b, and a shielding through groove 44b is formed in the insulating film 42b. Is filled with the conductive paste,
Insulating film 42b on which one layer of shield conductor 46b is formed
A slip material is applied thereon and dried to form an insulating film 42c.
【0019】この後、図4(b)に示すように、絶縁膜
42cにシールド導体を形成するためのシールド用貫通
溝44cを露光、現像処理により形成すると、図4
(c)に示すように現像処理後の現像液乾燥時に絶縁膜
42cが、図中の矢印の方向に収縮する。この収縮する
力はシールド用貫通溝44cに対して垂直に溝を外側に
引き裂くように発生するため、この力に引っ張られて固
くて脆い状態となっている絶縁膜42bのシールド導体
46bの表面に、図4(d)に示すようにクラックxが
発生し、シールド導体を繰り返し積層しても、複数のシ
ールド導体46が厚み方向に連続した垂直なシールド壁
を精度良く形成できなくなるという問題があった。After that, as shown in FIG. 4B, when a shield through groove 44c for forming a shield conductor is formed in the insulating film 42c by exposure and development processing,
As shown in (c), when the developing solution is dried after the developing process, the insulating film 42c contracts in the direction of the arrow in the figure. Since this contracting force is generated so as to tear the groove outwardly perpendicular to the shielding through groove 44c, the force is applied to the surface of the shield conductor 46b of the insulating film 42b which is pulled hard and becomes brittle. As shown in FIG. 4D, a crack x occurs, and even if the shield conductors are repeatedly laminated, there is a problem that a plurality of shield conductors 46 cannot accurately form a vertical shield wall continuous in the thickness direction. Was.
【0020】[0020]
【課題を解決するための手段】本発明における導電性ペ
ーストは、導電性金属と、絶縁性無機材料と、光重合開
始剤、光硬化性樹脂及び可塑剤を含む有機バインダと、
有機溶剤とを含有するとともに、前記導電性金属、前記
絶縁性無機材料及び前記有機バインダの合量を100重
量%とした時、前記導電性金属と前記絶縁性無機材料の
合量が70〜95重量%、前記有機バインダが5〜30
重量%である。According to the present invention, there is provided a conductive paste comprising a conductive metal, an insulating inorganic material, an organic binder containing a photopolymerization initiator, a photocurable resin and a plasticizer;
An organic solvent is contained, and when the total amount of the conductive metal, the insulating inorganic material, and the organic binder is 100% by weight, the total amount of the conductive metal and the insulating inorganic material is 70 to 95%. % By weight, and the organic binder is 5 to 30%.
% By weight.
【0021】ここで、有機バインダ全量中に可塑剤を5
〜25重量%含有することが望ましい。また、可塑剤が
ジブチルフタレート及び/又はジオクチルフタレートで
あることが望ましい。本発明の導電性ペーストは、特に
回路基板のシールド壁形成用として用いられることが望
ましい。Here, 5 parts of a plasticizer are contained in the total amount of the organic binder.
It is desirable to contain 〜25% by weight. Further, it is desirable that the plasticizer is dibutyl phthalate and / or dioctyl phthalate. The conductive paste of the present invention is desirably used particularly for forming a shield wall of a circuit board.
【0022】[0022]
【作用】本発明では、光硬化性樹脂を含有する絶縁膜を
露光現像してビアホール用貫通孔及びシールド用貫通溝
を形成し、このような貫通孔及び貫通溝に、本発明の導
電性ペーストをスクリーン印刷法等により充填し、加熱
して溶剤を飛散させて乾燥し、光硬化させることによ
り、絶縁膜の上面に塗布されるスリップ材に含有される
有機溶剤がビアホール導体及びシールド導体に浸透しに
くくなり、これら導体の導通不良や変形、クラックを防
止でき、かつビアホール導体及びシールド導体が形成さ
れた絶縁膜上に塗布されるスリップ材乾燥工程において
も、これら導体の絶縁膜表面からの突出や下層の絶縁膜
の剥離あるいは支持基板からの積層成形体の剥離を防止
できる。さらにこれに伴うビアホール導体およびシール
ド導体上方の積層絶縁膜表面の平滑性を向上し、導体同
士の接続を確実に行うことができる。According to the present invention, a through hole for a via hole and a through groove for a shield are formed by exposing and developing an insulating film containing a photocurable resin, and the conductive paste of the present invention is formed in such a through hole and a through groove. Is filled by screen printing, etc., heated to disperse the solvent, dried, and photo-cured so that the organic solvent contained in the slip material applied to the upper surface of the insulating film penetrates the via-hole conductor and the shield conductor. These conductors can prevent conduction failure, deformation, and cracks of these conductors, and can protrude from the surface of the insulating film even in the slip material drying process applied on the insulating film on which the via hole conductor and the shield conductor are formed. Or the lower insulating film or the laminated molded body from the supporting substrate can be prevented. Furthermore, the smoothness of the surface of the laminated insulating film above the via-hole conductor and the shield conductor can be improved, and the connection between the conductors can be reliably performed.
【0023】即ち、本発明の導電性ペーストは、光硬化
前においては粘度が低いため、ビアホール用貫通孔やシ
ールド用貫通溝に充分に充填でき、しかも有機溶剤を飛
散させて乾燥した後に、光硬化性樹脂を重合させて硬化
させるため、有機溶剤が侵入しにくく膨潤による変形の
起こりにくい組織とすることができる。That is, since the conductive paste of the present invention has a low viscosity before photocuring, it can be sufficiently filled in a through hole for a via hole or a through groove for a shield. Since the curable resin is polymerized and cured, it is possible to obtain a structure in which an organic solvent does not easily penetrate and deformation due to swelling does not easily occur.
【0024】また、導体が光硬化されるため、導体上面
のスリップ材を乾燥させる工程においても、その収縮に
よる導体の変形等が小さく、導体上面が絶縁膜表面から
突出したり、支持基板から剥離したり、各絶縁膜に形成
された導体の接続部が断線したりすることを防止でき、
積層体の平滑性を向上できる。In addition, since the conductor is light-cured, even in the step of drying the slip material on the upper surface of the conductor, deformation of the conductor due to the contraction is small, and the upper surface of the conductor protrudes from the insulating film surface or peels off from the supporting substrate. Or disconnection of the connection part of the conductor formed on each insulating film can be prevented,
The smoothness of the laminate can be improved.
【0025】そして、本発明の導電性ペーストでは、有
機バインダ中に可塑剤を含有するので、乾燥し光硬化し
た導体には可塑剤が含まれており、強度を保った上であ
る程度の柔軟性を有しているため、導体外部からこれを
引き裂くような力が作用しても、これにある程度追従す
ることができ、導体表面の亀裂発生を防止できる。従っ
て、現像処理後の現像液乾燥時に絶縁膜が収縮し、この
絶縁膜の下層の絶縁膜のシールド導体に、この導体の厚
み方向に引き裂くような力が作用しても、シールド導体
膜が柔軟性を有するため、シールド導体の表面における
クラックの発生を防止でき、複数のシールド導体が基板
の厚み方向に連続した垂直の寸法精度に優れたシールド
壁を形成でき、シールド性良好な複数の回路機能内蔵の
高周波モジュール用回路基板を提供できる。In the conductive paste of the present invention, since the organic binder contains a plasticizer, the dried and light-cured conductor contains a plasticizer. Therefore, even if a force to tear the conductor is applied from the outside of the conductor, the conductor can follow the force to some extent, thereby preventing the occurrence of cracks on the conductor surface. Therefore, even if the insulating film shrinks when the developing solution is dried after the developing process, and the shield conductor of the insulating film below the insulating film acts on the shield conductor in the thickness direction of the conductor, the shield conductive film is flexible. Cracks on the surface of the shield conductor can be prevented, and multiple shield conductors can form a shield wall with excellent vertical dimensional accuracy that is continuous in the thickness direction of the board, and multiple circuit functions with good shield properties A circuit board for a built-in high-frequency module can be provided.
【0026】また、例えば、ジブチルフタレート及び/
又はジオクチルフタレートからなる可塑剤を有機バイン
ダ全量中に5〜25重量%含有することにより、シール
ド導体表面のクラックの発生をさらに防止できるととも
に、より寸法精度の良好な垂直なシールド壁を形成でき
る。Further, for example, dibutyl phthalate and / or
Alternatively, by including 5 to 25% by weight of a plasticizer composed of dioctyl phthalate in the total amount of the organic binder, generation of cracks on the surface of the shield conductor can be further prevented, and a vertical shield wall having better dimensional accuracy can be formed.
【0027】[0027]
【発明の実施の形態】本発明の導電性ペーストは、導電
性金属と、絶縁性無機材料と、光重合開始剤、光硬化性
樹脂及び可塑剤を含む有機バインダと、有機溶剤とを含
有するものである。BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION The conductive paste of the present invention contains a conductive metal, an insulating inorganic material, an organic binder containing a photopolymerization initiator, a photocurable resin and a plasticizer, and an organic solvent. Things.
【0028】導電性金属としては、基板材料がガラスセ
ラミックスからなる低温焼成材料(800〜1100℃
程度の焼成)の場合は、金、銀、銅系あるいはその合金
材料が用いられ、基板材料がアルミナの場合はタングス
テンやモリブデン等の金属が用いられる。導電性金属の
平均粒径としては、ペースト作製時の分散性や焼結性と
いう点から5〜10μmが望ましい。As the conductive metal, a low-temperature firing material (800 to 1100 ° C.) in which the substrate material is glass ceramics
In the case of baking to a certain degree, gold, silver, copper or an alloy material thereof is used, and when the substrate material is alumina, a metal such as tungsten or molybdenum is used. The average particle size of the conductive metal is desirably 5 to 10 μm from the viewpoint of dispersibility and sinterability during paste production.
【0029】絶縁性無機材料としては、硼珪酸ガラス粉
末、硼珪酸アルカリ土類金属系ガラス、石英ガラス等が
あり、少量で導電性金属との分散性を向上するという点
から平均粒径0.5〜10μmであることが望ましい。
またこの絶縁性無機材料は、導電性金属の焼結収縮挙動
をコントロールする役割を有する。絶縁性無機材料は、
導電性金属の0.1〜1重量%が望ましい。Examples of the insulating inorganic material include borosilicate glass powder, borosilicate alkaline earth metal-based glass, quartz glass, and the like. A small amount improves the dispersibility of the conductive metal with the conductive metal. Desirably, the thickness is 5 to 10 μm.
Further, this insulating inorganic material has a role of controlling the sintering shrinkage behavior of the conductive metal. The insulating inorganic material is
0.1 to 1% by weight of the conductive metal is desirable.
【0030】有機バインダを構成する光重合開始剤とし
ては、2−メチル−1−〔4−(メチルチオ)フェニ
ル〕−2−モンフォリノプロパノン−1(チバガイギー
社製イルガキュア907)やジエチルチオキサントン等
がある。これは、光を吸収して、光硬化反応を引き起こ
す役割を有する。Examples of the photopolymerization initiator constituting the organic binder include 2-methyl-1- [4- (methylthio) phenyl] -2-monforinopropanone-1 (Irgacure 907 manufactured by Ciba Geigy), diethylthioxanthone and the like. There is. It has the role of absorbing light and causing a photocuring reaction.
【0031】光硬化性樹脂は、モノマー又はポリマーど
ちらでも良い。光硬化性樹脂としては、500℃以下の
温度で熱分解可能なアルキルアクリレート又はアルキル
メタクリレート、及びその高分子化合物がある。The photocurable resin may be either a monomer or a polymer. Examples of the photocurable resin include an alkyl acrylate or an alkyl methacrylate that can be thermally decomposed at a temperature of 500 ° C. or less, and a polymer compound thereof.
【0032】光硬化性のモノマーとしては、低温短時間
で焼失させることが可能で、紫外線照射により重合が起
こるエチレン性不飽和結合を有する化合物が挙げられ、
具体的にはテトラエチレングリコールジアクリレート等
のポリエチレングリコールジアクリレートやトリメチロ
ールプロパントリアクリレート及びそれらに対応するメ
タクリレート等が挙げられる。また光硬化性のポリマー
としては、上記モノマーの高分子量化合物(分子量:5
000〜50000)が挙げられる。Examples of the photocurable monomer include compounds having an ethylenically unsaturated bond, which can be burned out at a low temperature and in a short time and are polymerized by irradiation with ultraviolet rays.
Specific examples include polyethylene glycol diacrylate such as tetraethylene glycol diacrylate, trimethylolpropane triacrylate, and methacrylate corresponding thereto. Examples of the photocurable polymer include high molecular weight compounds of the above monomers (molecular weight: 5
000 to 50,000).
【0033】また、有機バインダ中には、光硬化性を有
しないポリアルキルアクリレートやメタクリレート、例
えばポリメチルメタクリレートやポリ(イソ)ブチルメ
タクリレート等を含有しても良い。The organic binder may contain a non-photocurable polyalkyl acrylate or methacrylate such as polymethyl methacrylate or poly (iso) butyl methacrylate.
【0034】本発明では、さらに有機バインダ中には可
塑剤が含有されている。可塑剤は、光硬化性樹脂を構成
する高分子間に入り込むことにより樹脂の強固な結合を
弱め、乾燥し硬化した、固くて脆い導体に適度な柔軟性
を付与するためのもので、導電性ペーストを乾燥させる
温度である80〜100℃程度の温度では飛散すること
はなく、かつ焼成時に低温短時間で飛散するものであ
り、また樹脂を構成するアルキルアクリレートやアルキ
ルメタクリレートと親和性のよい物質が挙げられ、具体
的には、ジブチルフタレート(DBP)やジオクチルフ
タレート(DOP)等のフタル酸エステル化合物が最適
である。In the present invention, the organic binder further contains a plasticizer. The plasticizer is used to weaken the strong bond of the resin by penetrating into the macromolecules that make up the photocurable resin, and to give the dried, cured, hard and brittle conductor a suitable flexibility. A substance that does not scatter at a temperature of about 80 to 100 ° C., which is the temperature at which the paste is dried, and that scatters at a low temperature and in a short time during firing, and has a good affinity for alkyl acrylate and alkyl methacrylate constituting the resin. Specifically, phthalic acid ester compounds such as dibutyl phthalate (DBP) and dioctyl phthalate (DOP) are optimal.
【0035】有機溶剤としては、ブチルカルビトールア
セテート、α−ターピネオール等があり、導電性ペース
トの粘度をスクリーン印刷に適した粘度に調整する役割
を有する。Examples of the organic solvent include butyl carbitol acetate, α-terpineol and the like, and have a role of adjusting the viscosity of the conductive paste to a viscosity suitable for screen printing.
【0036】そして、本発明の導電性ペーストでは、導
電性金属、絶縁性無機材料及び有機バインダの合量を1
00重量%とした時、導電性金属と絶縁性無機材料の合
量が70〜95重量%、有機バインダが5〜30重量%
であることが重要である。In the conductive paste of the present invention, the total amount of the conductive metal, the insulating inorganic material and the organic binder is 1
When the content is 00% by weight, the total amount of the conductive metal and the insulating inorganic material is 70 to 95% by weight, and the organic binder is 5 to 30% by weight.
It is important that
【0037】これは、有機バインダの重量が5重量%よ
り少ない場合、即ち導電性金属及び絶縁性無機材料の合
計重量が95重量%より多い場合には充分な光硬化性が
得られず、有機溶剤の浸透や導体の変形が生じる虞があ
るからであり、有機バインダの重量が30重量%を越え
る場合、即ち導電性金属及び絶縁性無機材料の合計重量
が70重量%より少ない場合には、有機バインダが焼成
時に充分に分解せず、導電性金属の焼結性に悪影響を与
え、導体の断線が生じるからである。When the weight of the organic binder is less than 5% by weight, that is, when the total weight of the conductive metal and the insulating inorganic material is more than 95% by weight, sufficient photocurability cannot be obtained, and This is because solvent penetration or deformation of the conductor may occur. When the weight of the organic binder exceeds 30% by weight, that is, when the total weight of the conductive metal and the insulating inorganic material is less than 70% by weight, This is because the organic binder does not sufficiently decompose during firing, adversely affects the sinterability of the conductive metal, and breaks the conductor.
【0038】上記のような理由から、導電性金属及び絶
縁性無機材料の合計重量は70〜95重量%、有機バイ
ンダの重量が5〜30重量%が望ましく、特に導電性金
属及び絶縁性無機材料の合計重量が80〜90重量%、
有機バインダの重量が10〜20重量%が望ましい。For the reasons described above, the total weight of the conductive metal and the insulating inorganic material is preferably 70 to 95% by weight, and the weight of the organic binder is preferably 5 to 30% by weight. Is 80-90% by weight,
It is desirable that the weight of the organic binder is 10 to 20% by weight.
【0039】また、本発明の導電性ペーストでは、可塑
剤を有機バインダ全量中に5〜25重量%含有すること
が望ましい。有機バインダ中に含まれる可塑剤の重量が
5重量%よりも少ない場合には、導体膜に充分な柔軟性
が付与されず、導体を引き裂く力が加わった際に導体表
面に亀裂が生じ易くなり、25重量%を越えると有機バ
インダを構成しバインダの骨格となる高分子化合物の強
度が弱められ過ぎてしまうため、耐溶剤性の劣化や上層
現像時の導体の溶解を引き起こす虞があるからである。
有機バインダ中の可塑剤の量は、特に10〜20重量%
が望ましい。In the conductive paste of the present invention, it is preferable that the plasticizer contains 5 to 25% by weight based on the total amount of the organic binder. When the weight of the plasticizer contained in the organic binder is less than 5% by weight, sufficient flexibility is not provided to the conductor film, and a crack is easily generated on the conductor surface when a force for tearing the conductor is applied. If the content exceeds 25% by weight, the strength of the polymer compound constituting the organic binder and serving as the skeleton of the binder is excessively weakened, which may cause deterioration of the solvent resistance and dissolution of the conductor during the upper layer development. is there.
The amount of the plasticizer in the organic binder is preferably 10 to 20% by weight.
Is desirable.
【0040】本発明の導電性ペーストは、導電性金属
と、絶縁性無機材料と、光重合開始剤、光硬化性樹脂、
可塑剤とを含む有機バインダと、有機溶剤とを所定量添
加混合することにより得られるが、有機バインダは予め
有機溶剤に溶解して有機ビヒクルとしたものを無機成分
と混合してもよい。The conductive paste of the present invention comprises a conductive metal, an insulating inorganic material, a photopolymerization initiator, a photocurable resin,
The organic binder is obtained by adding and mixing a predetermined amount of an organic binder containing a plasticizer and an organic solvent. The organic binder may be previously dissolved in an organic solvent to form an organic vehicle and mixed with an inorganic component.
【0041】本発明の導電性ペーストは、光硬化性樹脂
を含有する絶縁膜を露光現像してビアホール用貫通孔及
びシールド用貫通溝を形成し、このような貫通孔や貫通
溝に、本発明の導電性ペーストをスクリーン印刷法等に
より充填し、加熱して溶剤を飛散させて乾燥し、光硬化
させる工程を繰り返して形成される多層セラミック回路
基板に用いられる。尚、この導電性ペーストについて
は、光源としてコンベア式のUV炉等を用いて加熱しな
がら露光を行うと、短時間で効率よく硬化させることが
できる。The conductive paste of the present invention is formed by exposing and developing an insulating film containing a photocurable resin to form a through hole for a via hole and a through groove for a shield. The conductive paste is used for a multilayer ceramic circuit board formed by repeating a process of filling the conductive paste by a screen printing method or the like, heating to disperse the solvent, drying and photo-curing. The conductive paste can be efficiently cured in a short time by performing exposure while heating using a conveyor type UV furnace or the like as a light source.
【0042】[0042]
【実施例】導電性金属として平均粒径が5μmの銀粉
末、絶縁性無機材料として平均粒径が2μmの石英ガラ
ス粉末、光重合開始剤として、2−メチル−1−〔4−
(メチルチオ)フェニル〕−2−モンフォリノプロパノ
ン−1(チバガイギー社製イルガキュア907)とジエ
チルチオキサントンからなる混合物、光硬化性樹脂とし
てトリメチロールプロパントリアクリレート及びその高
分子体、有機バインダのその他の成分としてイソブチル
メタクリレート、可塑剤としてジオクチルフタレート
(DOP)、有機溶剤としてブチルカルビトールアセテ
ートを用意し、絶縁性無機材料を導電性金属の0.5重
量%とし、絶縁性無機材料と導電性金属の合計重量を全
量中70重量%とし、光重合開始剤、光硬化性樹脂、イ
ソブチルメタクリレート、及びジオクチルフタレート
(DOP)からなる有機バインダを30重量%、ペース
ト全量中の有機溶剤を20重量%の混合物を、セラミッ
ク製3本ロールミルにより混練して本発明の導電性ペー
ストを作製した。尚、有機バインダ中のDOPの量は1
0重量%とした。EXAMPLE Silver powder having an average particle size of 5 μm as a conductive metal, quartz glass powder having an average particle size of 2 μm as an insulating inorganic material, 2-methyl-1- [4-
(Methylthio) phenyl] -2-monforinopropanone-1 (Irgacure 907 manufactured by Ciba Geigy) and a mixture of diethylthioxanthone, trimethylolpropane triacrylate and its polymer as a photocurable resin, and other organic binders Prepare isobutyl methacrylate as a component, dioctyl phthalate (DOP) as a plasticizer, and butyl carbitol acetate as an organic solvent. The insulating inorganic material is 0.5% by weight of the conductive metal, and the insulating inorganic material and the conductive metal are mixed. A total weight of 70% by weight of the total amount, a mixture of 30% by weight of an organic binder composed of a photopolymerization initiator, a photocurable resin, isobutyl methacrylate, and dioctyl phthalate (DOP), and 20% by weight of an organic solvent in the total amount of the paste. Into a ceramic three-roll mill Ri kneaded to to prepare a conductive paste of the present invention. The amount of DOP in the organic binder is 1
0% by weight.
【0043】さらに、絶縁性無機材料と導電性金属の合
計重量、有機バインダ量、可塑剤量、有機溶剤量を、表
1に示すように変化させて、導電性ペーストを作製し
た。尚、上記実施例は試料No.2として記載した。上記
導電性ペーストを用いて、以下のようにして回路基板を
作製した。Further, a conductive paste was prepared by changing the total weight of the insulating inorganic material and the conductive metal, the amount of the organic binder, the amount of the plasticizer, and the amount of the organic solvent as shown in Table 1. The above example is described as Sample No. 2. Using the conductive paste, a circuit board was manufactured as follows.
【0044】絶縁層を形成するためのセラミックスリッ
プ材を、絶縁材料として平均粒径が3μmであるアルミ
ナ粉末50重量%と、平均粒径が3μmの硼珪酸鉛ガラ
ス粉末50重量%とを混合したものを用い、光硬化性モ
ノマとしてエチレン性不飽和結合を有するポリエチレン
グリコールジメタクリレート、有機バインダとしてビア
ホール用貫通孔及びシールド用貫通溝形成のための現像
処理においてアルカリ水溶液に可溶な一定量のカルボキ
シル基を含むポリ(イソ)ブチルメタクリレートを用
い、光重合開始剤としてイルガキュア907とジエチル
チオキサントン、有機溶剤としてジエチレングリコール
モノブチルエーテルアセテートを用い、これらを混合し
ボールミルで混練して作製した。A ceramic slip material for forming an insulating layer was prepared by mixing 50% by weight of alumina powder having an average particle size of 3 μm with 50% by weight of lead borosilicate glass powder having an average particle size of 3 μm as an insulating material. Using a photocurable monomer, polyethylene glycol dimethacrylate having an ethylenically unsaturated bond, a certain amount of carboxyl that is soluble in an alkaline aqueous solution in the development process for forming a through hole for a via hole and a through groove for a shield as an organic binder A poly (iso) butyl methacrylate containing a group was used, Irgacure 907 and diethylthioxanthone were used as a photopolymerization initiator, and diethylene glycol monobutyl ether acetate was used as an organic solvent. These were mixed and kneaded with a ball mill.
【0045】セラミックスリップ材を、図3(a)に示
すように、支持基板31上にドクターブレード法により
塗布、乾燥して80μmの厚みをもつ絶縁膜32aを形
成し、露光処理を施し、図3(b)に示すように、この
絶縁膜32aにセラミックスリップ材を塗布、乾燥して
80μmの厚みをもつ絶縁膜32bを形成した。この絶
縁膜32bに露光処理、現像処理を施して所定の位置に
ビアホール用貫通孔33b及びシールド用貫通溝34b
を形成した。As shown in FIG. 3 (a), a ceramic slip material is applied on a supporting substrate 31 by a doctor blade method and dried to form an insulating film 32a having a thickness of 80 μm. As shown in FIG. 3B, a ceramic slip material was applied to the insulating film 32a and dried to form an insulating film 32b having a thickness of 80 μm. The insulating film 32b is subjected to an exposure process and a development process, and a through hole 33b for a via hole and a through groove 34b for a shield are formed at predetermined positions.
Was formed.
【0046】具体的には、貫通孔33b及び貫通溝34
bを形成する領域が遮光されるフォトターゲットを用い
て、貫通孔33b及び貫通溝34bを形成する以外の領
域に超高圧水銀灯にて100mJ/cm2 の露光を行っ
てその領域を硬化させ、露光されなかった未硬化領域を
トリエタノールアミン水溶液の弱アルカリ水溶液を用い
たスプレー現像にて溶解除去し、80℃、10分間で現
像液を乾燥させて貫通孔33b及び貫通溝34bを形成
した。Specifically, the through hole 33b and the through groove 34
Using a photo target in which the area where b is to be formed is shielded from light, the area other than the area where the through hole 33b and the through groove 34b are formed is exposed to 100 mJ / cm 2 using an ultra-high pressure mercury lamp, and the area is cured. The uncured area which was not removed was dissolved and removed by spray development using a weak alkaline aqueous solution of a triethanolamine aqueous solution, and the developing solution was dried at 80 ° C. for 10 minutes to form a through hole 33b and a through groove 34b.
【0047】この貫通孔33b及び貫通溝34bに、図
3(c)に示すように、上記導電性ペーストをそれぞれ
スクリーン印刷法により充填し、100℃で加熱し、乾
燥してビアホール導体35b及びシールド導体36bを
形成した。このビアホール導体35b及びシールド導体
36bにメタルハライドランプ等のUV光源を用いて露
光量1〜5J/cm2 の紫外線を照射し、ビアホール導
体35b及びシールド導体36bを硬化させた。As shown in FIG. 3C, the through-holes 33b and the through-grooves 34b are filled with the conductive paste by a screen printing method, heated at 100 ° C., and dried to form a via-hole conductor 35b and a shield. The conductor 36b was formed. The via-hole conductor 35b and the shield conductor 36b were irradiated with ultraviolet rays having an exposure amount of 1 to 5 J / cm 2 using a UV light source such as a metal halide lamp to cure the via-hole conductor 35b and the shield conductor 36b.
【0048】次に、図3(d)に示すように、上記した
セラミックスリップ材を塗布、乾燥して絶縁膜32cを
形成した後、絶縁膜32c表面を観察し、ビアホール導
体35b及びシールド導体36b上方の絶縁膜32cの
突出の有無について判断した。突出の有無については、
肉眼で突出が確認できるか否かで判断し、その結果を表
1に示した。Next, as shown in FIG. 3D, after the above-mentioned ceramic slip material is applied and dried to form an insulating film 32c, the surface of the insulating film 32c is observed, and the via-hole conductor 35b and the shield conductor 36b are observed. It was determined whether or not the upper insulating film 32c protruded. Regarding the presence or absence of protrusion,
Judgment was made based on whether or not protrusion could be confirmed with the naked eye. The results are shown in Table 1.
【0049】この後、絶縁膜32cの露光、現像処理に
よりビアホール用貫通孔33c及びシールド用貫通溝3
4cを形成し、80℃10分間の乾燥を行った後、貫通
孔33c及び貫通溝34c下部にあるビアホール導体3
5b及びシールド導体36bの表面状態を観察し、クラ
ックの有無について肉眼で判断し、その結果も表1に示
した。この後、図3(e)に示すように、導電性ペース
トの貫通孔33c及び貫通溝34cへの充填、乾燥、紫
外線硬化処理を行い、ビアホール導体35c及びシール
ド導体36cを作製した。さらに、上記と同様にして絶
縁膜32d、ビアホール導体35d及びシールド導体3
6dを作製し、積層成形体を作製し、これを支持基板3
1から外した。After that, by exposing and developing the insulating film 32c, the through hole 33c for the via hole and the through groove 3 for the shield are formed.
4c is formed and dried at 80 ° C. for 10 minutes, and then the via-hole conductor 3 below the through-hole 33c and the through-groove 34c is formed.
5b and the surface condition of the shield conductor 36b were observed, and the presence or absence of cracks was visually judged. The results are also shown in Table 1. Thereafter, as shown in FIG. 3E, filling of the conductive paste into the through-holes 33c and the through-grooves 34c, drying, and ultraviolet curing were performed to produce via-hole conductors 35c and shield conductors 36c. Further, the insulating film 32d, the via-hole conductor 35d and the shield conductor 3
6d, and a laminated molded body is produced.
Removed from 1.
【0050】次に、積層成形体の断面におけるビアホー
ル導体35b〜35d及びシールド導体36b〜36d
の状態について観察した。この結果を表1に示した。Next, the via-hole conductors 35b to 35d and the shield conductors 36b to 36d in the cross section of the laminated molded product are shown.
Was observed. The results are shown in Table 1.
【0051】[0051]
【表1】 [Table 1]
【0052】表1より、本発明の試料では、絶縁膜32
c表面に凹凸がなく、シールド導体36bの表面にもク
ラックの発生がなく、さらに、焼成後のビアホール導体
及びシールド壁についても不良はなかった。As shown in Table 1, in the sample of the present invention, the insulating film 32
There was no unevenness on the surface c, no cracks occurred on the surface of the shield conductor 36b, and no defect was found in the via hole conductor and the shield wall after firing.
【0053】一方、試料No.10では、絶縁膜32c
の塗布、乾燥後にビアホール導体35b、シールド導体
36b上端が絶縁膜32b表面から突出しており、絶縁
膜32c表面に突出が見られ、積層成形体としても大き
な凹凸が確認された。また、試料No.4では、シール
ド用貫通溝34c下部のシールド導体36bの中央に沿
ってクラックが確認された。On the other hand, the sample No. In 10, the insulating film 32c
After coating and drying, the upper ends of the via-hole conductor 35b and the shield conductor 36b protruded from the surface of the insulating film 32b, and protruded from the surface of the insulating film 32c. In addition, the sample No. In No. 4, a crack was confirmed along the center of the shield conductor 36b below the shield through groove 34c.
【0054】この後上記積層成形体を500℃で脱バイ
ンダを行った後、900℃で1時間焼成を行った。この
焼成体についてビアホール導体及びシールド導体の焼成
状態を観察したところ、本発明の導電性ペーストを充填
したビアホール導体及びシールド導体については緻密な
焼結状態で導通の問題はなく、シールド導体もほぼ垂直
であったが、試料No.4では垂直なシールド壁が形成
されていなかった。Thereafter, the laminate was debindered at 500 ° C., and then baked at 900 ° C. for 1 hour. Observation of the fired state of the via-hole conductor and the shield conductor of this fired body revealed that the via-hole conductor and the shield conductor filled with the conductive paste of the present invention had no problem of conduction in a dense sintered state, and the shield conductor was almost vertical. Sample No. In No. 4, no vertical shield wall was formed.
【0055】[0055]
【発明の効果】本発明の導電性ペーストでは、光硬化性
樹脂を含有する絶縁膜を露光現像してビアホール用貫通
孔及び回路間の相互干渉を防止するための基板厚み方向
へのシールド用貫通溝を形成し、このような貫通孔及び
貫通溝に、導電性ペーストをスクリーン印刷法等により
充填し、加熱して溶剤を飛散させて乾燥し、光硬化させ
ることにより、絶縁膜の上面に塗布されるスリップ材に
含有される有機溶剤がビアホール導体やシールド導体に
浸透しにくくなり、ビアホール導体やシールド導体の導
通不良や変質を防止できるとともに、ビアホール導体及
びシールド導体が形成された絶縁膜上に塗布されるスリ
ップ材乾燥工程においても、これら導体の絶縁膜面から
の突出や下層あるいは支持基板からの剥離を防止でき
る。According to the conductive paste of the present invention, an insulating film containing a photocurable resin is exposed to light and developed to prevent a through hole for a via hole and a through hole for shielding in a thickness direction of a substrate to prevent mutual interference between circuits. A groove is formed, and a conductive paste is filled in such a through-hole and a through-groove by a screen printing method or the like, heated, the solvent is scattered, dried, and light-cured, thereby coating the upper surface of the insulating film. The organic solvent contained in the slip material is less likely to penetrate into the via-hole conductor and the shield conductor, preventing poor conduction and deterioration of the via-hole conductor and the shield conductor, and also on the insulating film on which the via-hole conductor and the shield conductor are formed. Also in the slip material drying step to be applied, it is possible to prevent the conductor from protruding from the insulating film surface and peeling from the lower layer or the support substrate.
【0056】さらに、シールド導体上に絶縁膜を形成
し、これに再度露光、現像処理によりシールド用貫通溝
を形成しても、現像処理後に上層膜に発生する力により
下層のシールド導体表面にクラックが発生することがな
くなり、垂直でかつ信頼性の高いシールド壁の形成が可
能となる。これにより、シールド性良好な複数の回路機
能内蔵の高周波モジュール用回路基板を提供することが
できる。Furthermore, even if an insulating film is formed on the shield conductor, and a shield through groove is formed in the insulating film again by exposure and development, cracks are formed on the surface of the lower shield conductor by the force generated in the upper layer after the development. Does not occur, and a vertical and highly reliable shield wall can be formed. This makes it possible to provide a high-frequency module circuit board having a plurality of circuit functions with good shielding properties.
【図1】高周波複合回路ブロックの斜視図である。FIG. 1 is a perspective view of a high-frequency composite circuit block.
【図2】図1のA−A線における断面図である。FIG. 2 is a sectional view taken along line AA of FIG.
【図3】ビルドアップ多層方式による製法を説明する工
程図である。FIG. 3 is a process diagram illustrating a manufacturing method using a build-up multilayer method.
【図4】従来の導電性ペーストを用いた際のシールド導
体表面へのクラックの発生を説明するための工程図であ
る。FIG. 4 is a process diagram for explaining generation of cracks on the surface of a shield conductor when a conventional conductive paste is used.
32a〜32d・・・絶縁膜 31・・・支持基板 33b〜33d・・・ビアホール用貫通孔 34b〜34d・・・シールド用貫通溝 35b〜35d・・・ビアホール導体 36b〜36d・・・シールド導体 32a to 32d: insulating film 31: support substrate 33b to 33d: through hole for via hole 34b to 34d: through groove for shield 35b to 35d: via hole conductor 36b to 36d: shield conductor
Claims (4)
開始剤、光硬化性樹脂及び可塑剤を含む有機バインダ
と、有機溶剤とを含有するとともに、前記導電性金属、
前記絶縁性無機材料及び前記有機バインダの合量を10
0重量%とした時、前記導電性金属と前記絶縁性無機材
料の合量が70〜95重量%、前記有機バインダが5〜
30重量%であることを特徴とする導電性ペースト。An organic solvent containing a conductive metal, an insulating inorganic material, a photopolymerization initiator, a photocurable resin, and a plasticizer, and an organic solvent.
The total amount of the insulating inorganic material and the organic binder is 10
When the weight is 0% by weight, the total amount of the conductive metal and the insulating inorganic material is 70 to 95% by weight, and the organic binder is 5 to 5% by weight.
30% by weight of a conductive paste.
量%含有することを特徴とする請求項1記載の導電性ペ
ースト。2. The conductive paste according to claim 1, wherein the total amount of the organic binder contains 5 to 25% by weight of a plasticizer.
オクチルフタレートであることを特徴とする請求項1又
は2記載の導電性ペースト。3. The conductive paste according to claim 1, wherein the plasticizer is dibutyl phthalate and / or dioctyl phthalate.
れることを特徴とする請求項1乃至3のうちいずれかに
記載の導電性ペースト。4. The conductive paste according to claim 1, wherein the conductive paste is used for forming a shield wall of a circuit board.
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1999
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