JP2001006437A - Low dielectric resin composition and circuit laminated board - Google Patents

Low dielectric resin composition and circuit laminated board

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JP2001006437A
JP2001006437A JP11171688A JP17168899A JP2001006437A JP 2001006437 A JP2001006437 A JP 2001006437A JP 11171688 A JP11171688 A JP 11171688A JP 17168899 A JP17168899 A JP 17168899A JP 2001006437 A JP2001006437 A JP 2001006437A
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Takeshi Hashimoto
武司 橋本
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a composition having a low dielectric constant and a low dielectric contact characteristic adapted to be used for printed wiring, excellent in its bonding characteristic to a metal material, and has extremely less scattering of resin upon work by containing bisimide compound or bismaletmide compound in at least one polyimide compound having a specified gradient ratio. SOLUTION: This composition contains 100 parts by weight of at least one polyimide composed of 100-40 mol.% of at least one kind of structural units of Formula I and 0-60 mol.% of at least one kind of structural units of Formula II, and 1-100 parts by weight of at least one kind of compounds of Formula III or IV. In Formulae I, III, IV, Ar is a divalent group selected from the structure of Formula V or the like having an aromatic ring. In Formula II, R is -CH2OC6H4- where an alkylene group or methylene group of C is bonded to Si. In formulae III, IV, R5-7 is H, Cl, Br, carboxyl, C1-4 alkyl or alkoxy.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、プリント配線に使
用するための低誘電率、低誘電正接で金属への接着性に
優れ、打ち抜きや切断等の作業時に樹脂の飛散がきわめ
て少ない低誘電樹脂組成物及び積層板、金属張積層板等
に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a low-dielectric resin having a low dielectric constant and a low dielectric loss tangent for use in printed wiring, excellent in adhesion to metal, and having very little resin scattering during punching and cutting operations. The present invention relates to a composition, a laminate, a metal-clad laminate, and the like.

【0002】[0002]

【従来の技術】近年、電子システムの信号スピード及び
作動周波数が飛躍的に増加してきているので、高周波領
域で用いられる電子システムには、耐熱性に優れ、低誘
電率、低誘電正接の積層板用樹脂及びプリプレグ等積層
板、金属張積層板等が望まれている。低誘電材料を使用
した積層板、金属張積層板等は電気信号の伝搬速度を速
くすることができるため、より速いスピードで信号の処
理を行うことができるようになる。
2. Description of the Related Art In recent years, signal speeds and operating frequencies of electronic systems have been dramatically increased, so that electronic systems used in a high-frequency region have excellent heat resistance, a low dielectric constant, and a low dielectric loss tangent. Laminates such as resin and prepreg, metal-clad laminates and the like are desired. A laminate using a low dielectric material, a metal-clad laminate, or the like can increase the propagation speed of an electric signal, and thus can process a signal at a higher speed.

【0003】[0003]

【発明が解決しようとする課題】誘電率の小さい樹脂と
して、フッ素樹脂やポリフェニレンエーテル樹脂などが
提案されているが、作業性、接着性が悪く信頼性に欠け
る等の問題があった。そこで、作業性、接着性を改善す
る目的でエポキシ変性ポリフェニレンエーテルあるいは
ポリフェニレンエーテル変性エポキシが提案されてい
る。しかし、エポキシ樹脂の誘電率が高く満足な特性が
得られていない。ポリフェニレンエーテル樹脂と多官能
シアン酸エステル樹脂類、さらにこれにその他の樹脂を
配合し、ラジカル重合開始剤を添加し、予備反応させて
なる硬化可能な樹脂組成物(特開昭57−185350
号公報)が知られているが、誘電率の低下は不十分であ
った。また、熱硬化性の1,2−ポリブタジエンを主成
分とするポリブタジエン樹脂は低誘電率であるが、接着
剤に劣り耐熱性が不十分であった。ポリフェニレンエー
テル樹脂100重量部に対し1,2−ポリブタジエン樹
脂5〜20重量部、架橋性モノマー5〜10重量部およ
びラジカル架橋剤を配合した組成物(特開昭61−83
224号公報)が知られているが、分子量数千の1,2
−ポリブタジエン樹脂を用いた場合には組成物から溶剤
を除いた場合にベタツキが残り、ガラス基材等に塗布、
含浸して得られるプリプレグがタックフリーの状態を維
持できないので実用上問題があった。一方ベタツキをな
くすために高分子量の1,2−ポリブタジエンを用いる
方法があるが、溶媒への溶解性が低下し、溶液が高粘度
になり流動性が低下し実用上問題であった。フルオロカ
ーボン繊維からなる布に熱硬化性樹脂を含浸した低誘電
積層板、銅張積層板(特許2578097号)が提案さ
れているが、フルオロカーボン繊維と熱硬化性樹脂との
密着性を向上させるためにフルオロカーボン繊維の表面
を処理しなくてはならないこと、及びフルオロカーボン
繊維の価格が高いため、最終的な積層板、銅張積層板が
非常に高価になってしまい実用化されずにいる。
Fluororesins and polyphenylene ether resins have been proposed as resins having a low dielectric constant. However, there have been problems such as poor workability and poor adhesion and lack of reliability. Therefore, epoxy-modified polyphenylene ether or polyphenylene ether-modified epoxy has been proposed for the purpose of improving workability and adhesiveness. However, the epoxy resin has a high dielectric constant, and satisfactory characteristics have not been obtained. A curable resin composition prepared by blending a polyphenylene ether resin and a polyfunctional cyanate ester resin, and other resins, adding a radical polymerization initiator, and performing a preliminary reaction (Japanese Patent Laid-Open No. 57-185350).
However, the decrease in the dielectric constant was insufficient. Further, a polybutadiene resin containing thermosetting 1,2-polybutadiene as a main component has a low dielectric constant, but is inferior to an adhesive and has insufficient heat resistance. Composition containing 5 to 20 parts by weight of 1,2-polybutadiene resin, 5 to 10 parts by weight of a crosslinkable monomer and a radical crosslinking agent per 100 parts by weight of polyphenylene ether resin (JP-A-61-8361)
No. 224) is known, but the molecular weight of several thousand
-When polybutadiene resin is used, stickiness remains when the solvent is removed from the composition, and is applied to a glass substrate or the like,
Since the prepreg obtained by impregnation cannot maintain a tack-free state, there is a practical problem. On the other hand, there is a method using 1,2-polybutadiene having a high molecular weight in order to eliminate stickiness, but the solubility in a solvent is reduced, the solution becomes high in viscosity and the fluidity is reduced, which is a practical problem. A low dielectric laminate and a copper-clad laminate (Japanese Patent No. 2578097) in which a cloth made of a fluorocarbon fiber is impregnated with a thermosetting resin have been proposed. However, in order to improve the adhesion between the fluorocarbon fiber and the thermosetting resin. Due to the necessity of treating the surface of the fluorocarbon fiber and the high price of the fluorocarbon fiber, the final laminate and the copper-clad laminate are very expensive and have not been put to practical use.

【0004】本発明は前記課題を解決するためになされ
たもので、プリント配線に使用するための低誘電率、低
誘電正接で金属への接着性に優れ、作業時の樹脂の飛び
散りがきわめて少ない低誘電樹脂組成物及びそれを用い
た積層板、金属張積層板等を提供することにある。
The present invention has been made to solve the above problems, and has a low dielectric constant and a low dielectric loss tangent for use in printed wiring, has excellent adhesion to metal, and has very little scattering of resin during operation. An object of the present invention is to provide a low dielectric resin composition, a laminate using the same, a metal-clad laminate, and the like.

【0005】[0005]

【課題を解決するための手段】本発明に係る低誘電樹脂
組成物は、成分(a)と成分(b)とを有するものであ
る。 成分(a):下記式(1a)で表される構造単位の少な
くとも1種を100〜40モル%と、下記式(1b)で
表される構造単位の少なくとも1種を0〜60モル%か
らなる少なくとも1つ以上のポリイミド。 成分(b):下記式(2)ないし(3)で表される化合
物から選ばれる少なくとも1種類。
Means for Solving the Problems The low dielectric resin composition according to the present invention comprises a component (a) and a component (b). Component (a): 100 to 40 mol% of at least one structural unit represented by the following formula (1a) and 0 to 60 mol% of at least one structural unit represented by the following formula (1b) At least one or more polyimides. Component (b): at least one selected from compounds represented by the following formulas (2) and (3).

【化4】 (式(1a)中、Arは芳香環を有する下記の構造から
選ばれる二価の基を示す。式(1b)中、Rは炭素数1
〜10のアルキレン基またはメチレン基がSiに結合し
ている−CH2OC64−を示し、nは1〜20の整数
を意味する。)
Embedded image (In the formula (1a), Ar represents a divalent group selected from the following structures having an aromatic ring. In the formula (1b), R represents 1 carbon atom.)
-CH 2 OC 6 H 4 — in which an alkylene group or methylene group of 10 to 10 is bonded to Si, and n means an integer of 1 to 20. )

【化5】 (式中、R1、R2、R3及びR4はそれぞれ同じでも異な
っていてもよく、水素原子、炭素数1〜4のアルキル基
又はアルコキシ基を示すが、これら全ての基が同時に水
素原子であることはない。)
Embedded image (In the formula, R 1 , R 2 , R 3 and R 4 may be the same or different and each represent a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms or an alkoxy group. It cannot be an atom.)

【化6】 (式中、Arは芳香環を有する前記の構造から選ばれる
二価の基を示し、R5 、R6及びR7はそれぞれ同じでも
異なっていてもよく、水素原子、塩素原子、臭素原子、
カルボキシル基、炭素数1〜4のアルキル基又はアルコ
キシ基を示す。)
Embedded image(Wherein, Ar is selected from the above structures having an aromatic ring
Represents a divalent group;Five , R6And R7Are the same
May be different, hydrogen, chlorine, bromine,
Carboxyl group, alkyl group having 1 to 4 carbon atoms or alcohol
Shows a xy group. )

【0006】ここで、粒径1μm以下のフィラーが、全
固形分の5〜70重量%含まれていることが望ましい。
また、成分(a)100重量部に対して、成分(b)が
1〜100重量部配合されていることが望ましい。ま
た、硬化状態での誘電率が3.0以下であることが望ま
しい。
Here, it is desirable that a filler having a particle size of 1 μm or less is contained in an amount of 5 to 70% by weight of the total solid.
Further, it is desirable that the component (b) is blended in an amount of 1 to 100 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the component (a). It is desirable that the dielectric constant in a cured state is 3.0 or less.

【0007】本発明に係るプリプレグは、上述した低誘
電樹脂組成物と繊維強化材を有するものである。本発明
の積層板は、そのプリプレグが複数枚積層しているもの
をいう。本発明の金属張積層板は、上述したプリプレグ
または積層板の片面または両面に金属層が形成されてい
るものである。繊維強化材としては、アラミド繊維、芳
香族ポリエステル繊維、テトラフルオロカーボン繊維か
ら選択される繊維からなる織物または不織布が望まし
い。金属層としては、銅、白銅、銀、鉄、42合金、ス
テンレスより選ばれた少なくとも1つからなるものが望
ましい。
A prepreg according to the present invention comprises the above-described low dielectric resin composition and a fiber reinforcing material. The laminate of the present invention refers to a laminate in which a plurality of prepregs are laminated. The metal-clad laminate of the present invention has a metal layer formed on one or both sides of the above-described prepreg or laminate. As the fiber reinforcing material, a woven or non-woven fabric made of fibers selected from aramid fibers, aromatic polyester fibers, and tetrafluorocarbon fibers is desirable. The metal layer is preferably made of at least one selected from copper, white copper, silver, iron, 42 alloy, and stainless steel.

【0008】[0008]

【発明の実施の形態】以下、本発明について詳細に説明
する。まず、第1の低誘電樹脂組成物について説明す
る。第1の低誘電樹脂組成物は、成分(a)ポリイミド
と、成分(b)ビスイミド系化合物とを有して構成され
る。本発明に使用されるポリイミドとしては、式(1
a)で表される構造単位の少なくとも1種を100〜4
0モル%と、式(1b)で表される構造単位の少なくと
も1種を0〜60モル%含有してなるものである。即
ち、成分(a)としては、式(1a)で表される構造単
位からなるポリイミドのみであってもよいし、また、式
(1b)で表される構造単位からなるポリイミドを60
モル%以下の量で含むものでも良い。但し、式(1a)
で表される構造単位からなるポリイミドが40モル%未
満になると、耐熱性が低下したり、湿熱時にポリイミド
の耐久性が低下するので望ましくない。成分(a)のポ
リイミドは重量平均分子量が5,000〜500,000
のものが好ましい。重量平均分子量が5,000より小
さくなると熱安定性が不良になり、耐熱性が低下し、5
00,000より大きくなると溶融粘度の増大により、
樹脂組成物として使用した場合、作業性、接着性が不良
となる。
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Hereinafter, the present invention will be described in detail. First, the first low dielectric resin composition will be described. The first low dielectric resin composition is composed of a component (a) polyimide and a component (b) bisimide-based compound. The polyimide used in the present invention has the formula (1)
a) at least one of the structural units represented by a)
0 mol%, and 0 to 60 mol% of at least one structural unit represented by the formula (1b). That is, as the component (a), only a polyimide composed of the structural unit represented by the formula (1a) may be used, or a polyimide composed of the structural unit represented by the formula (1b) may be used as a component.
It may be contained in an amount of not more than mol%. However, equation (1a)
When the amount of the polyimide composed of the structural unit represented by the formula is less than 40 mol%, heat resistance is lowered and durability of the polyimide when wet is lowered, which is not desirable. The polyimide of the component (a) has a weight average molecular weight of 5,000 to 500,000.
Are preferred. When the weight average molecular weight is less than 5,000, thermal stability becomes poor, heat resistance decreases, and
When it is larger than 00000, the melt viscosity increases,
When used as a resin composition, workability and adhesiveness are poor.

【0009】本発明に使用するポリイミドは、一般的な
ポリイミドの製造方法を用いることにより得ることがで
きる。即ち例えば、各繰り返し構造単位に対応するテト
ラカルボン酸二無水物と、各繰り返し構造単位に対応す
るジアミン又はジイソシアナートとから製造ができる。
具体的には、テトラカルボン酸二無水物として3,3'、
4,4'−ジフェニルスルホンテトラカルボン酸二無水物
を式(4)で表される化合物及び又は下記式(5)で表
されるシロキサン系化合物とを反応させることにより製
造することができる。 Q−Ar−Q ・・・ (4) (式中Arは芳香環を有する前記の構造から選ばれた二
価の基、Qはアミノ基またはイソシアナート基を示
す。)
The polyimide used in the present invention can be obtained by using a general polyimide production method. That is, for example, it can be produced from a tetracarboxylic dianhydride corresponding to each repeating structural unit and a diamine or diisocyanate corresponding to each repeating structural unit.
Specifically, 3,3 ′ as tetracarboxylic dianhydride,
It can be produced by reacting 4,4′-diphenylsulfonetetracarboxylic dianhydride with a compound represented by the formula (4) and / or a siloxane-based compound represented by the following formula (5). Q-Ar-Q (4) (wherein, Ar represents a divalent group selected from the above-mentioned structures having an aromatic ring, and Q represents an amino group or an isocyanate group.)

【化7】 (式中、Rは炭素数1〜10のアルキレン基またはメチ
レン基がSiに結合している−CH2OC64−を示
し、nは1〜20の整数を意味する。Qはアミノ基また
はイソシアナート基を示す。)
Embedded image (In the formula, R represents —CH 2 OC 6 H 4 — in which an alkylene group having 1 to 10 carbon atoms or a methylene group is bonded to Si, and n represents an integer of 1 to 20. Q represents an amino group Or an isocyanate group.)

【0010】上記式(4)で表される化合物において、
官能基Qがアミノ基であるジアミン類としては、具体的
には次のものが挙げられる。3,3'−ジアミノジフェニ
ルメタン、3,4'−ジアミノジフェニルメタン、4,4'
−ジアミノジフェニルメタン、1,3−ビス[1−(3
−アミノフェニル)−1−メチルエチル]ベンゼン、
1,3−ビス[1−(4−アミノフェニル)−1−メチ
ルエチル]ベンゼン、1,4−ビス[1−(3−アミノ
フェニル)−1−メチルエチル]ベンゼン、1,4−ビ
ス[1−(4−アミノフェニル)−1−メチルエチル]
ベンゼン、1,3−ビス(3−アミノフェノキシ)ベン
ゼン、1,3−ビス(4−アミノフェノキシ)ベンゼ
ン、1,4−ビス(3−アミノフェノキシ)ベンゼン、
1,4−ビス(4−アミノフェノキシ)ベンゼン、3,
3'−ビス(3−アミノフェノキシ)ジフェニルエーテ
ル、3,3'−ビス(4−アミノフェノキシ)ジフェニル
エーテル、3,4'−ビス(3−アミノフェノキシ)ジフ
ェニルエーテル、3,4'−ビス(4−アミノフェノキ
シ)ジフェニルエーテル、4,4'−ビス(3−アミノフ
ェノキシ)ジフェニルエーテル、4,4'−ビス(4−ア
ミノフェノキシ)ジフェニルエーテル、3,3'−ビス
(3−アミノフェノキシ)ビフェニル、3,3'−ビス
(4−アミノフェノキシ)ビフェニル、3,4'−ビス
(3−アミノフェノキシ)ビフェニル、3,4'−ビス
(4−アミノフェノキシ)ビフェニル、4,4'−ビス
(3−アミノフェノキシ)ビフェニル、4,4'−ビス
(4−アミノフェノキシ)ビフェニル、ビス[4−(3
−アミノフェノキシ)フェニル]スルホン、ビス[4−
(4−アミノフェノキシ)フェニル]スルホン、2,2
−ビス[3−(3−アミノフェノキシ)フェニル]プロ
パン、2,2−ビス[3−(4−アミノフェノキシ)フ
ェニル]プロパン、2,2−ビス[4−(3−アミノフ
ェノキシ)フェニル]プロパン、2,2−ビス[4−
(4−アミノフェノキシ)フェニル]プロパン、2,2
−ビス[3−(3−アミノフェノキシ)フェニル]ヘキ
サフルオロプロパン、2,2−ビス[3−(4−アミノ
フェノキシ)フェニル]ヘキサフルオロプロパン、2,
2−ビス[4−(3−アミノフェノキシ)フェニル]ヘ
キサフルオロプロパン、2,2−ビス[4−(4−アミ
ノフェノキシ)フェニル]ヘキサフルオロプロパン、
9,9−ビス(3−アミノフェニル)フルオレン、9,9
−ビス(4−アミノフェニル)フルオレン、3,3'−ジ
アミノ−2,2',4,4'−テトラメチルジフェニルメタ
ン、3,3'−ジアミノ−2,2',4,4'−テトラエチル
ジフェニルメタン、3,3'−ジアミノ−2,2',4,4'
−テトラプロピルジフェニルメタン、3,3'−ジアミノ
−2,2',4,4'−テトライソプロピルジフェニルメタ
ン、3,3'−ジアミノ−2,2',4,4'−テトラブチル
ジフェニルメタン、3,4'−ジアミノ−2,3',4,5'
−テトラメチルジフェニルメタン、3,4'−ジアミノ−
2,3',4,5'−テトラエチルジフェニルメタン、3,
4'−ジアミノ−2,3',4,5'−テトラプロピルジフェ
ニルメタン、3,4'−ジアミノ−2,3',4,5'−テト
ライソプロピルジフェニルメタン、3,4'−ジアミノ−
2,3',4,5'−テトラブチルジフェニルメタン、4,
4'−ジアミノ−3,3',5,5'−テトラメチルジフェニ
ルメタン、4,4'−ジアミノ−3,3',5,5'−テトラ
エチルジフェニルメタン、4,4'−ジアミノ−3,3',
5,5'−テトラプロピルジフェニルメタン、4,4'−ジ
アミノ−3,3',5,5'−テトライソプロピルジフェニ
ルメタン、4,4'−ジアミノ−3,3',5,5'−テトラ
ブチルジフェニルメタン、4,4'−ジアミノ−3,3'−
ジエチル−5,5'−ジメチルジフェニルメタン、4,4'
−ジアミノ−3,3'−ジメチルジフェニルメタン、4,
4'−ジアミノ−3,3'−ジエチルジフェニルメタン、
4,4'−ジアミノ−3,3',5,5'−テトラメトキシジ
フェニルメタン、4,4'−ジアミノ−3,3',5,5'−
テトラエトキシジフェニルメタン、4,4'−ジアミノ−
3,3',5,5'−テトラプロポキシジフェニルメタン、
4,4'−ジアミノ−3,3',5,5'−テトライソプロポ
キシジフェニルメタン、4,4'−ジアミノ−3,3',5,
5'−テトラブトキシジフェニルメタン、4,4'−ジア
ミノ−3,3'−ジメトキシジフェニルメタン、4,4'−
ジアミノ−3,3'−ジエトキシジフェニルメタン等であ
る。
In the compound represented by the above formula (4),
Specific examples of the diamines in which the functional group Q is an amino group include the following. 3,3′-diaminodiphenylmethane, 3,4′-diaminodiphenylmethane, 4,4 ′
-Diaminodiphenylmethane, 1,3-bis [1- (3
-Aminophenyl) -1-methylethyl] benzene,
1,3-bis [1- (4-aminophenyl) -1-methylethyl] benzene, 1,4-bis [1- (3-aminophenyl) -1-methylethyl] benzene, 1,4-bis [ 1- (4-aminophenyl) -1-methylethyl]
Benzene, 1,3-bis (3-aminophenoxy) benzene, 1,3-bis (4-aminophenoxy) benzene, 1,4-bis (3-aminophenoxy) benzene,
1,4-bis (4-aminophenoxy) benzene, 3,
3′-bis (3-aminophenoxy) diphenyl ether, 3,3′-bis (4-aminophenoxy) diphenyl ether, 3,4′-bis (3-aminophenoxy) diphenyl ether, 3,4′-bis (4-amino Phenoxy) diphenyl ether, 4,4′-bis (3-aminophenoxy) diphenyl ether, 4,4′-bis (4-aminophenoxy) diphenyl ether, 3,3′-bis (3-aminophenoxy) biphenyl, 3,3 ′ -Bis (4-aminophenoxy) biphenyl, 3,4'-bis (3-aminophenoxy) biphenyl, 3,4'-bis (4-aminophenoxy) biphenyl, 4,4'-bis (3-aminophenoxy) Biphenyl, 4,4′-bis (4-aminophenoxy) biphenyl, bis [4- (3
-Aminophenoxy) phenyl] sulfone, bis [4-
(4-aminophenoxy) phenyl] sulfone, 2,2
-Bis [3- (3-aminophenoxy) phenyl] propane, 2,2-bis [3- (4-aminophenoxy) phenyl] propane, 2,2-bis [4- (3-aminophenoxy) phenyl] propane 2,2-bis [4-
(4-aminophenoxy) phenyl] propane, 2,2
-Bis [3- (3-aminophenoxy) phenyl] hexafluoropropane, 2,2-bis [3- (4-aminophenoxy) phenyl] hexafluoropropane,
2-bis [4- (3-aminophenoxy) phenyl] hexafluoropropane, 2,2-bis [4- (4-aminophenoxy) phenyl] hexafluoropropane,
9,9-bis (3-aminophenyl) fluorene, 9,9
-Bis (4-aminophenyl) fluorene, 3,3'-diamino-2,2 ', 4,4'-tetramethyldiphenylmethane, 3,3'-diamino-2,2', 4,4'-tetraethyldiphenylmethane 3,3'-diamino-2,2 ', 4,4'
-Tetrapropyldiphenylmethane, 3,3'-diamino-2,2 ', 4,4'-tetraisopropyldiphenylmethane, 3,3'-diamino-2,2', 4,4'-tetrabutyldiphenylmethane, 3,4 '-Diamino-2,3', 4,5 '
-Tetramethyldiphenylmethane, 3,4'-diamino-
2,3 ', 4,5'-tetraethyldiphenylmethane, 3,
4'-diamino-2,3 ', 4,5'-tetrapropyldiphenylmethane, 3,4'-diamino-2,3', 4,5'-tetraisopropyldiphenylmethane, 3,4'-diamino-
2,3 ', 4,5'-tetrabutyldiphenylmethane, 4,
4'-diamino-3,3 ', 5,5'-tetramethyldiphenylmethane, 4,4'-diamino-3,3', 5,5'-tetraethyldiphenylmethane, 4,4'-diamino-3,3 ' ,
5,5'-tetrapropyldiphenylmethane, 4,4'-diamino-3,3 ', 5,5'-tetraisopropyldiphenylmethane, 4,4'-diamino-3,3', 5,5'-tetrabutyldiphenylmethane 4,4'-diamino-3,3'-
Diethyl-5,5'-dimethyldiphenylmethane, 4,4 '
-Diamino-3,3'-dimethyldiphenylmethane, 4,
4'-diamino-3,3'-diethyldiphenylmethane,
4,4'-diamino-3,3 ', 5,5'-tetramethoxydiphenylmethane, 4,4'-diamino-3,3', 5,5'-
Tetraethoxydiphenylmethane, 4,4'-diamino-
3,3 ′, 5,5′-tetrapropoxydiphenylmethane,
4,4'-diamino-3,3 ', 5,5'-tetraisopropoxydiphenylmethane 4,4'-diamino-3,3', 5,
5'-tetrabutoxydiphenylmethane, 4,4'-diamino-3,3'-dimethoxydiphenylmethane, 4,4'-
And diamino-3,3'-diethoxydiphenylmethane.

【0011】また、式(4)で表される化合物におい
て、官能基Qがイソシアナート基であるジイソシアナー
ト類としては、上記に示したジアミン類において、「ア
ミノ」を「イソシアナート」に置き換えたものを挙げる
ことができる。上記式(4)で表される化合物におい
て、官能基Qがイソシアナート基であるジイソシアナー
ト類は、上記に例示した対応するジアミンを常法に従い
ホスゲンと反応させることにより容易に製造することが
できる。
In the compound represented by the formula (4), as the diisocyanates in which the functional group Q is an isocyanate group, “amino” is replaced with “isocyanate” in the diamines described above. Can be mentioned. In the compound represented by the above formula (4), diisocyanates in which the functional group Q is an isocyanate group can be easily produced by reacting the corresponding diamine exemplified above with phosgene according to a conventional method. it can.

【0012】ポリイミドの製造原料として使用する式
(5)で表されるシロキサン系化合物において、官能基
Qがアミノ基であるジアミン類としては、ビス(3−ア
ミノプロピル)テトラメチルジシロキサン、ビス(10
−アミノデカメチレン)テトラメチルジシロキサン、ア
ミノプロピル末端のジメチルシロキサン4量体、8量
体、ビス(3−アミノフェノキシメチレン)テトラメチ
ルジシロキサン等が挙げられ、これらを併用することも
可能である。原料として、テトラカルボン酸二無水物と
ジアミンとを使用する場合、これらを有機溶媒中、必要
に応じてトリブチルアミン、トリエチルアミン、亜リン
酸トリフェニル等の触媒存在下(反応物の20重量部以
下)で、100℃以上、好ましくは180℃以上に加熱
し、直接ポリイミドを得る方法、テトラカルボン酸二無
水物とジアミンとを有機溶媒中、100℃以下で反応さ
せポリイミドの前駆体であるポリアミド酸を得た後、必
要に応じてp−トルエンスルホン酸等の脱水触媒(テト
ラカルボン酸二無水物の1〜5倍モル)を加え、加熱に
よりイミド化を行うことでポリイミドを得る方法、或い
はこのポリアミド酸を、無水酢酸、無水プロピオン酸、
無水安息香酸等の酸無水物、ジシクロヘキシルカルボジ
イミド等のカルボジイミド化合物等の脱水閉環剤と、必
要に応じてピリジン、イソキノリン、イミダゾール、ト
リエチルアミン等の閉環触媒(脱水閉環剤及び閉環触媒
はテトラカルボン酸二無水物の2〜10倍モル)を添加
して、比較的低温(室温〜100℃程度)で化学閉環さ
せる方法等がある。
In the siloxane compound represented by the formula (5) used as a raw material for producing polyimide, the diamines in which the functional group Q is an amino group include bis (3-aminopropyl) tetramethyldisiloxane and bis (3-aminopropyl) tetramethyldisiloxane. 10
-Aminodecamethylene) tetramethyldisiloxane, aminopropyl-terminated dimethylsiloxane tetramer, octamer, bis (3-aminophenoxymethylene) tetramethyldisiloxane, and the like, and these can be used in combination. . When tetracarboxylic dianhydride and diamine are used as raw materials, they may be used in an organic solvent in the presence of a catalyst such as tributylamine, triethylamine, or triphenyl phosphite as needed (20 parts by weight or less of the reactant). ), Heating to 100 ° C. or higher, preferably 180 ° C. or higher to directly obtain a polyimide; a polyamic acid which is a precursor of polyimide by reacting tetracarboxylic dianhydride and diamine in an organic solvent at 100 ° C. or lower Is obtained, if necessary, a dehydration catalyst such as p-toluenesulfonic acid (1 to 5 times the molar amount of tetracarboxylic dianhydride) is added, and a polyimide is obtained by imidation by heating, or Polyamic acid, acetic anhydride, propionic anhydride,
Dehydration ring closure agents such as acid anhydrides such as benzoic anhydride and carbodiimide compounds such as dicyclohexylcarbodiimide and, if necessary, ring closure catalysts such as pyridine, isoquinoline, imidazole and triethylamine (dehydration ring closure agents and ring closure catalysts are tetracarboxylic dianhydrides). (2 to 10 times the molar amount of the product) and then chemically closing the ring at a relatively low temperature (from room temperature to about 100 ° C.).

【0013】上記の反応に用いる有機溶媒としては、N
−メチル−2−ピロリドン、N,N−ジメチルアセトア
ミド、N,N−ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホ
キシド、スルホラン、ヘキサメチルリン酸トリアミド、
1,3−ジメチル−2−イミダゾリドン等の非プロトン
性極性溶媒、フェノール、クレゾール、キシレノール、
p−クロロフェノール等のフェノール系溶媒等が挙げら
れる。また、必要に応じて、ベンゼン、トルエン、キシ
レン、メチルエチルケトン、アセトン、テトラヒドロフ
ラン、ジオキサン、モノグライム、ジグライム、メチル
セロソルブ、セロソルブアセテート、メタノール、エタ
ノール、イソプロパノール、塩化メチレン、クロロホル
ム、トリクレン、ニトロベンゼン等を先の溶媒に混合し
て用いることも可能である。また、原料として、テトラ
カルボン酸二無水物とジイソシアナートとを使用する場
合には、上記したポリイミドを直接得る方法に準じて製
造することが可能であり、このときの反応温度は室温以
上、特に60℃以上であることが好ましい。テトラカル
ボン酸二無水物とジアミン或いはジイソシアナートとの
反応は等モル量で反応させることにより、高重合度のポ
リイミドを得ることが可能であるが、必要に応じて何れ
か一方が10モル%以下の範囲で過剰量用いてポリイミ
ドを製造することも可能である。
As the organic solvent used in the above reaction, N
-Methyl-2-pyrrolidone, N, N-dimethylacetamide, N, N-dimethylformamide, dimethylsulfoxide, sulfolane, hexamethylphosphoric triamide,
Aprotic polar solvents such as 1,3-dimethyl-2-imidazolidone, phenol, cresol, xylenol,
Phenol solvents such as p-chlorophenol are exemplified. If necessary, benzene, toluene, xylene, methyl ethyl ketone, acetone, tetrahydrofuran, dioxane, monoglyme, diglyme, methyl cellosolve, cellosolve acetate, methanol, ethanol, isopropanol, methylene chloride, chloroform, trichlene, nitrobenzene, etc. Can also be used as a mixture. Further, when using tetracarboxylic dianhydride and diisocyanate as raw materials, it is possible to produce according to the method of directly obtaining the above polyimide, the reaction temperature at this time is room temperature or higher, In particular, the temperature is preferably 60 ° C. or higher. The reaction between tetracarboxylic dianhydride and diamine or diisocyanate can be carried out in an equimolar amount to obtain a polyimide having a high degree of polymerization. It is also possible to produce polyimide using an excess amount in the following range.

【0014】本発明に使用される前記の式(2)のビス
イミド化合物は、無水フタル酸または4−メチルフタル
酸無水物、4−エチルフタル酸無水物、4−メトキシフ
タル酸無水物、4−クロロフタル酸無水物、4−ブロモ
フタル酸無水物、ピロメリト酸無水物等の無水フタル酸
誘導体と、前記の式(4)で表される化合物とを反応さ
せることにより製造することができる。一方、前記の式
(3)のビスマレイミド化合物は、無水マレイン酸また
はメチルマレイン酸無水物、エチルマレイン酸無水物、
2,3−ジメチルマレイン酸無水物、クロロマレイン酸
無水物、ブロモマレイン酸無水物、2,3−ジクロロマ
レイン酸無水物等の無水マレイン酸誘導体と、前記の式
(4)で表される化合物とを反応させることにより製造
することができる。
The bisimide compound of the above formula (2) used in the present invention may be phthalic anhydride, 4-methylphthalic anhydride, 4-ethylphthalic anhydride, 4-methoxyphthalic anhydride, 4-chlorophthalic acid. It can be produced by reacting a phthalic anhydride derivative such as anhydride, 4-bromophthalic anhydride, pyromellitic anhydride and the compound represented by the formula (4). On the other hand, the bismaleimide compound of the above formula (3) is a compound of maleic anhydride or methyl maleic anhydride, ethyl maleic anhydride,
Maleic anhydride derivatives such as 2,3-dimethylmaleic anhydride, chloromaleic anhydride, bromomaleic anhydride, 2,3-dichloromaleic anhydride and the compound represented by the above formula (4) Can be produced by reacting

【0015】本発明で使用される前記式(2)で表され
るビスイミド化合物はより具体的には例えば、次のよう
にして製造することができる。ジアミンに対し2倍モル
以上の無水フタル酸または無水フタル酸誘導体を有機溶
媒中、必要に応じてトリブチルアミン、トリエチルアミ
ン、亜リン酸トリフェニル等の触媒存在下(反応物の2
0重量部以下)で、100℃以上、好ましくは180℃
以上に加熱し、直接ビスイミドを得る方法、テトラカル
ボン酸二無水物とジアミンとを有機溶媒中、100℃以
下で反応させポリイミドの前駆体であるポリアミド酸を
得た後、必要に応じてp−トルエンスルホン酸等の脱水
触媒(無水フタル酸または無水フタル酸誘導体の1〜5
倍モル)を加え、加熱によりイミド化を行うことでポリ
イミドを得る方法、或いはこのポリアミド酸を、無水酢
酸、無水プロピオン酸、無水安息香酸等の酸無水物、ジ
シクロヘキシルカルボジイミド等のカルボジイミド化合
物等の脱水閉環剤と、必要に応じてピリジン、イソキノ
リン、イミダゾール、トリエチルアミン等の閉環触媒
(脱水閉環剤及び閉環触媒は無水フタル酸または無水フ
タル酸誘導体の2〜10倍モル)を添加して、比較的低
温(室温〜100℃程度)で化学閉環させる方法等があ
る。いずれの場合も閉環反応終了後、反応液をその10
倍量程度のメタノールに注ぎ込んで生成物を析出させ、
メタノールで洗浄・乾燥してビスイミド化合物を得るこ
とが可能である。上記の反応に用いる有機溶媒として
は、N−メチル−2−ピロリドン、N,N−ジメチルア
セトアミド、N,N−ジメチルホルムアミド、ジメチル
スルホキシド、スルホラン、ヘキサメチルリン酸トリア
ミド、1,3−ジメチル−2−イミダゾリドン等の非プ
ロトン性極性溶媒、フェノール、クレゾール、キシレノ
ール、p−クロロフェノール等のフェノール系溶媒等が
挙げられる。また、必要に応じて、ベンゼン、トルエ
ン、キシレン、メチルエチルケトン、アセトン、テトラ
ヒドロフラン、ジオキサン、モノグライム、ジグライ
ム、メチルセロソルブ、セロソルブアセテート、メタノ
ール、エタノール、イソプロパノール、塩化メチレン、
クロロホルム、トリクレン、ニトロベンゼン等を先の溶
媒に混合して用いることも可能である。また、原料とし
て、無水フタル酸または無水フタル酸誘導体とジイソシ
アナートとを使用する場合には、上記したビスイミドを
直接得る方法に準じて製造することが可能であり、この
ときの反応温度は室温以上、特に60℃以上であること
が好ましい。
The bisimide compound represented by the formula (2) used in the present invention can be more specifically produced, for example, as follows. Phthalic anhydride or a phthalic anhydride derivative in an amount of at least twice as much as the diamine in an organic solvent, if necessary, in the presence of a catalyst such as tributylamine, triethylamine, and triphenyl phosphite (2
0 parts by weight or less) and 100 ° C. or higher, preferably 180 ° C.
Heating as described above, a method for directly obtaining a bisimide, a tetracarboxylic dianhydride and a diamine are reacted at a temperature of 100 ° C. or less in an organic solvent to obtain a polyamic acid as a polyimide precursor, and if necessary, p- Dehydration catalysts such as toluenesulfonic acid (1 to 5 of phthalic anhydride or phthalic anhydride derivative)
), And imidization by heating to obtain a polyimide, or dehydration of this polyamic acid with an acid anhydride such as acetic anhydride, propionic anhydride, benzoic anhydride, or a carbodiimide compound such as dicyclohexylcarbodiimide. A ring-closing agent and, if necessary, a ring-closing catalyst such as pyridine, isoquinoline, imidazole, triethylamine, etc. (the dehydration ring-closing agent and the ring-closing catalyst are 2 to 10 moles of phthalic anhydride or a phthalic anhydride derivative), and are added at a relatively low temperature. (Room temperature to about 100 ° C.). In each case, after the completion of the ring closure reaction, the reaction solution
Pour the product into about twice as much methanol to precipitate the product,
It is possible to obtain a bisimide compound by washing and drying with methanol. Examples of the organic solvent used in the above reaction include N-methyl-2-pyrrolidone, N, N-dimethylacetamide, N, N-dimethylformamide, dimethyl sulfoxide, sulfolane, hexamethylphosphoric triamide, and 1,3-dimethyl-2. -Aprotic polar solvents such as imidazolidone; phenol solvents such as phenol, cresol, xylenol, and p-chlorophenol; Also, if necessary, benzene, toluene, xylene, methyl ethyl ketone, acetone, tetrahydrofuran, dioxane, monoglyme, diglyme, methyl cellosolve, cellosolve acetate, methanol, ethanol, isopropanol, methylene chloride,
It is also possible to use chloroform, trichlene, nitrobenzene, etc. in a mixture with the above solvent. Further, when phthalic anhydride or a phthalic anhydride derivative and diisocyanate are used as raw materials, it can be produced according to the above-mentioned method for directly obtaining a bisimide, and the reaction temperature at this time is room temperature. The temperature is preferably 60 ° C. or higher.

【0016】本発明で使用される前記式(3)で表され
るビスマレイミド化合物は次のようにして製造すること
ができる。ジアミンに対し2倍モル以上の無水マレイン
酸または無水マレイン酸誘導体とジアミンとを有機溶媒
中、100℃以下で反応させビスマレイミドの前駆体で
あるビスマレアミド酸を得た後、必要に応じてp−トル
エンスルホン酸等の脱水触媒(無水マレイン酸または無
水マレイン酸誘導体の1〜5倍モル)を加え、150℃
程度の加熱によりイミド化を行うことでビスマレイミド
を得る方法、或いはこのビスマレアミド酸を、無水酢
酸、無水プロピオン酸、無水安息香酸等の酸無水物、ジ
シクロヘキシルカルボジイミド等のカルボジイミド化合
物等の脱水閉環剤と、必要に応じてピリジン、イソキノ
リン、イミダゾール、トリエチルアミン等の閉環触媒
(脱水閉環剤及び閉環触媒は無水マレイン酸または無水
マレイン酸誘導体の2〜10倍モル)を添加して、比較
的低温(室温〜100℃程度)で化学閉環させる方法等
がある。何れの方法でも、イミド化反応(脱水閉環反
応)はマレイミド基部分の二重結合が反応性に富んでい
るので150℃以下の低温で行うことが好ましい。いず
れの場合も閉環反応終了後、反応液をその10倍量程度
のメタノールに注ぎ込んで生成物を析出させ、メタノー
ルで洗浄・乾燥してビスマレイミド化合物を得ることが
可能である。上記の反応に用いる有機溶媒としては、N
−メチル−2−ピロリドン、N,N−ジメチルアセトア
ミド、N,N−ジメチルホルムアミド、ジメチルスルホ
キシド、スルホラン、ヘキサメチルリン酸トリアミド、
1,3−ジメチル−2−イミダゾリドン等の非プロトン
性極性溶媒、フェノール、クレゾール、キシレノール、
p−クロロフェノール等のフェノール系溶媒等が挙げら
れる。また、必要に応じて、ベンゼン、トルエン、キシ
レン、メチルエチルケトン、アセトン、テトラヒドロフ
ラン、ジオキサン、モノグライム、ジグライム、メチル
セロソルブ、セロソルブアセテート、メタノール、エタ
ノール、イソプロパノール、塩化メチレン、クロロホル
ム、トリクレン、ニトロベンゼン等を先の溶媒に混合し
て用いることも可能である。
The bismaleimide compound represented by the formula (3) used in the present invention can be produced as follows. After reacting maleic anhydride or a maleic anhydride derivative and diamine in an organic solvent at a temperature of 100 ° C. or less in an organic solvent to obtain bismaleimide acid, which is a precursor of bismaleimide, twice or more moles relative to the diamine, if necessary, p- A dehydration catalyst such as toluenesulfonic acid (1 to 5 moles of maleic anhydride or a maleic anhydride derivative) was added, and the mixture was heated at 150 ° C.
A method of obtaining bismaleimide by imidization by heating to a degree, or this bismaleamide acid, acetic anhydride, propionic anhydride, acid anhydrides such as benzoic anhydride, a dehydration ring closing agent such as a carbodiimide compound such as dicyclohexylcarbodiimide and the like. If necessary, a ring-closing catalyst such as pyridine, isoquinoline, imidazole, triethylamine or the like (a dehydration ring-closing agent and a ring-closing catalyst are 2 to 10 moles of maleic anhydride or a maleic anhydride derivative) is added, and a relatively low temperature (from room temperature to room temperature). (About 100 ° C.). In any method, the imidation reaction (dehydration ring closure reaction) is preferably performed at a low temperature of 150 ° C. or less because the double bond of the maleimide group is rich in reactivity. In each case, after the completion of the ring closure reaction, the reaction solution is poured into about 10 times the amount of methanol to precipitate a product, and the product can be washed and dried with methanol to obtain a bismaleimide compound. As the organic solvent used in the above reaction, N
-Methyl-2-pyrrolidone, N, N-dimethylacetamide, N, N-dimethylformamide, dimethylsulfoxide, sulfolane, hexamethylphosphoric triamide,
Aprotic polar solvents such as 1,3-dimethyl-2-imidazolidone, phenol, cresol, xylenol,
Phenol solvents such as p-chlorophenol are exemplified. If necessary, benzene, toluene, xylene, methyl ethyl ketone, acetone, tetrahydrofuran, dioxane, monoglyme, diglyme, methyl cellosolve, cellosolve acetate, methanol, ethanol, isopropanol, methylene chloride, chloroform, trichlene, nitrobenzene, etc. Can also be used as a mixture.

【0017】低誘電樹脂組成物の配合割合は、成分
(a)100重量部に対して、成分(b)が1〜100
重量部、好ましくは10〜80、より好ましくは10〜
50である。成分(b)が1重量部より少なくなると誘
電率が高くなり、目的の用途に適さない。また、100
重量部より多くなると、樹脂組成物をBステージ(半硬
化)まで硬化した際に、樹脂組成物自体が脆くなって樹
脂の飛散の原因となる。成分(a)、成分(b)の混合
は、それらを溶解する溶媒中で行うこともできる。溶媒
としては、例えば、N−メチル−2−ピロリドン、N,
N−ジメチルアセトアミド、N,N−ジメチルホルムア
ミド、ジメチルスルホキシド、スルホラン、ヘキサメチ
ルリン酸トリアミド、1,3−ジメチル−2−イミダゾ
リドン、ヘキサン、ベンゼン、トルエン、キシレン、メ
チルエチルケトン、アセトン、ジエチルエーテル、テト
ラヒドロフラン、ジオキサン、1,2−ジメトキシメタ
ン、ジエチレングリコールジメチルエーテル、メチルセ
ロソルブ、セロソルブアセテート、メタノール、エタノ
ール、プロパノール、イソプロパノール、酢酸メチル、
酢酸エチル、アセトニトリル、塩化メチレン、クロロホ
ルム、四塩化炭素、クロロベンゼン、ジクロロベンゼ
ン、ジクロロエタン、トリクロロエタン等が挙げられ、
これらの中から、各成分が溶解するように種類と量を適
宜選択して使用する。低誘電樹脂組成物にシランカップ
リング剤を添加することもできる。
The mixing ratio of the low dielectric resin composition is such that the component (b) is 1 to 100 parts by weight based on 100 parts by weight of the component (a).
Parts by weight, preferably 10 to 80, more preferably 10 to
50. When the amount of the component (b) is less than 1 part by weight, the dielectric constant becomes high, which is not suitable for the intended use. Also, 100
If the amount is more than the weight part, when the resin composition is cured to the B stage (semi-cured), the resin composition itself becomes brittle and causes scattering of the resin. The components (a) and (b) can be mixed in a solvent in which they are dissolved. As the solvent, for example, N-methyl-2-pyrrolidone, N,
N-dimethylacetamide, N, N-dimethylformamide, dimethyl sulfoxide, sulfolane, hexamethylphosphoric triamide, 1,3-dimethyl-2-imidazolidone, hexane, benzene, toluene, xylene, methyl ethyl ketone, acetone, diethyl ether, tetrahydrofuran, Dioxane, 1,2-dimethoxymethane, diethylene glycol dimethyl ether, methyl cellosolve, cellosolve acetate, methanol, ethanol, propanol, isopropanol, methyl acetate,
Ethyl acetate, acetonitrile, methylene chloride, chloroform, carbon tetrachloride, chlorobenzene, dichlorobenzene, dichloroethane, trichloroethane, and the like,
From these, the type and amount are appropriately selected and used so that each component is dissolved. A silane coupling agent may be added to the low dielectric resin composition.

【0018】また、低誘電樹脂組成物には、積層板ある
いは金属張積層板に適用した場合、樹脂組成物の流動性
を安定させるために、粒径1μm以下のフィラーを含ま
せることができる。フィラーの含有率は、全固形分の5
〜70重量%、好ましくは10〜60重量%、より好ま
しくは20〜50重量%の範囲である。含有率が5重量
%よりも低くなると流動性の安定化効果が小さくなり、
70重量%よりも多くなると積層板の接着強度が低下
し、誘電率が上昇する。フィラーとしては、例えば、シ
リカ、石英粉、アルミナ、炭酸カルシウム、酸化マグネ
シウム、ダイヤモンド粉、マイカ、フッ素樹脂、ジルコ
ン粉等が使用される。本発明の低誘電樹脂組成物は、そ
の硬化状態での誘電率を3.0以下とすることができ、
また、好ましい。誘電率が3.0以下であることによ
り、内回路の微細化に充分に対応できるようになる。
When applied to a laminate or a metal-clad laminate, the low dielectric resin composition may contain a filler having a particle size of 1 μm or less in order to stabilize the fluidity of the resin composition. Filler content is 5% of total solids
It is in the range of -70% by weight, preferably 10-60% by weight, more preferably 20-50% by weight. When the content is lower than 5% by weight, the effect of stabilizing the fluidity decreases,
If it exceeds 70% by weight, the adhesive strength of the laminate decreases, and the dielectric constant increases. As the filler, for example, silica, quartz powder, alumina, calcium carbonate, magnesium oxide, diamond powder, mica, fluororesin, zircon powder and the like are used. The low dielectric resin composition of the present invention can have a dielectric constant in a cured state of 3.0 or less,
Also preferred. When the dielectric constant is 3.0 or less, it is possible to sufficiently cope with miniaturization of the internal circuit.

【0019】本発明のプリプレグは、上述した低誘電樹
脂組成物が繊維強化材に充填されたものであり、本発明
に係る積層板は、そのプリプレグの複数枚が積層した構
成のもので、これらは、上記の上記有機溶剤に溶解した
低誘電樹脂組成物ワニスを、繊維強化材に塗布、含浸さ
せ、乾燥することにより製造される。樹脂組成物量は、
乾燥後において布の空隙を充填できる量であることが好
ましい。繊維強化材の厚さは、0.05〜1mm、好ま
しくは、0.1〜0.5mm、より好ましくは0.1〜0.
2mmの範囲に設定する。薄すぎる場合には布の強度が
不充分になり、厚すぎる場合には、樹脂組成物ワニスの
塗布、含浸が困難となる。 繊維強化材としては、耐熱
性繊維、具体的には炭素繊維、ガラス繊維、アラミド繊
維、芳香族ポリエステル繊維、ボロン繊維、シリカ繊維
あるいはテトラフルオロカーボン繊維等を挙げることが
できる。これらの繊維は、長繊維、短繊維の何れであっ
ても良く、織布、不織布を使用しても良い。これらの強
化繊維は、単独で使用しても、2種以上を併用しても良
いが、特にアラミド繊維、芳香族ポリエステル繊維ある
いはテトラフルオロカーボン繊維が好ましい。樹脂組成
物ワニスを布に塗布、含浸させて作製したプリプレグま
たは積層板は、熱ラミネーター、カレンダー等を使用し
てそれらの表面を平滑にしたものでも良い。
The prepreg of the present invention is obtained by filling the above-described low dielectric resin composition into a fiber reinforced material. The laminate according to the present invention has a structure in which a plurality of the prepregs are laminated. Is manufactured by applying a low dielectric resin composition varnish dissolved in the above organic solvent to a fiber reinforcement, impregnating the same, and drying. The amount of the resin composition is
It is preferable that the amount is such that the voids of the cloth can be filled after drying. The thickness of the fiber reinforcement is 0.05 to 1 mm, preferably 0.1 to 0.5 mm, more preferably 0.1 to 0.1 mm.
Set within a range of 2 mm. If the thickness is too small, the strength of the cloth is insufficient, and if it is too thick, it becomes difficult to apply and impregnate the resin composition varnish. Examples of the fiber reinforcing material include heat-resistant fibers, specifically, carbon fibers, glass fibers, aramid fibers, aromatic polyester fibers, boron fibers, silica fibers, and tetrafluorocarbon fibers. These fibers may be either long fibers or short fibers, and woven or nonwoven fabrics may be used. These reinforcing fibers may be used alone or in combination of two or more, but aramid fibers, aromatic polyester fibers or tetrafluorocarbon fibers are particularly preferred. The prepreg or laminate prepared by applying a resin composition varnish to a cloth and impregnating the cloth may be one whose surface is smoothed using a heat laminator, a calendar or the like.

【0020】本発明の金属張積層板は、上述したプリプ
レグまたは積層板の片面または両面に、金属箔又は金属
板からなる金属層をさらに形成したものである。このよ
うな金属張積層板を作製するには、プレス機、真空プレ
ス機又は熱ラミネーター等を使用して樹脂組成物を充填
した上記プリプレグまたは積層板の片面ないし両面に、
金属箔又は金属板を張り合わせて積層一体化すればよ
い。金属箔又は金属板としては厚さ5μm〜200μm
の銅、白銅、銀、鉄、42合金、ステンレスが使用でき
る。
The metal-clad laminate of the present invention is obtained by further forming a metal layer made of a metal foil or a metal plate on one or both sides of the above-described prepreg or laminate. In order to produce such a metal-clad laminate, a press machine, a vacuum press machine or a heat laminator, etc., on one or both surfaces of the prepreg or laminate filled with the resin composition using a resin composition,
What is necessary is just to laminate | stack and integrate a metal foil or a metal plate. 5μm ~ 200μm thick as metal foil or metal plate
Copper, white copper, silver, iron, 42 alloy, and stainless steel can be used.

【0021】上述したプリプレグ、積層板の片面または
両面に、または、金属張積層の樹脂組成物面の上には、
剥離性の保護フィルムを設けてもよい。保護フィルムと
しては、ポリプロピレンフィルム、フッ素樹脂系フィル
ム、ポリエチレンフィルム、ポリエチレンテレフタレー
トフィルム、紙、及び場合によってはそれらにシリコー
ン樹脂で剥離性を付与したもの等が挙げられる。これら
の剥離性フィルムは、90゜ピール強度が0.01〜7.
0g/cmの範囲にあることが望ましい。剥離強度が
0.01g/cmより小さい場合には積層板等および片
面金属張積層板の搬送時に剥離性フィルムが簡単に剥離
する等の問題があり、7.0g/cmより大きい場合に
は剥離性フィルムが積層板等および片面金属張積層板か
らきれいに剥がれず、作業性が悪くなる。
On one or both surfaces of the above-mentioned prepreg or laminated plate, or on the surface of the metal-clad laminated resin composition,
A peelable protective film may be provided. Examples of the protective film include a polypropylene film, a fluororesin-based film, a polyethylene film, a polyethylene terephthalate film, paper, and, in some cases, those obtained by imparting a release property with a silicone resin. These peelable films have a 90 ° peel strength of 0.01 to 7.0.
It is desirably in the range of 0 g / cm. When the peel strength is less than 0.01 g / cm, there is a problem that the peelable film is easily peeled when the laminate or the like and the single-sided metal-clad laminate are transported. The functional film does not peel off cleanly from the laminate or the like and the one-sided metal-clad laminate, and the workability is deteriorated.

【0022】[0022]

【実施例】[ポリイミド合成例] 〔合成例1〕攪拌機を備えたフラスコに、1,4−ビス
(4−アミノフェノキシ)ベンゼン19.58g(67
ミリモル)と1,3−ビス(3−アミノプロピル)−1,
1,3,3,−テトラメチルジシロキサン8.20g(33
ミリモル)と3,3',4,4'−ジフェニルスルホンテト
ラカルボン酸二無水物35.83g(100ミリモル)
とN−メチル−2−ピロリドン(以下、「NMP」と記
す。)300mlとを氷温下に導入し、1時間攪拌を続
けた。次いで、この溶液を室温で2時間反応させポリア
ミド酸を合成した。得られたポリアミド酸に50mlの
トルエンと1.0gのp−トルエンスルホン酸を加え、
160℃に加熱し、反応の進行に伴ってトルエンと共沸
してきた水分を分離しながら、3時間イミド化反応を行
った。その後トルエンを留去し、得られたポリイミドワ
ニスをメタノール中に注いで、得られた沈殿物を分離、
粉砕、洗浄、乾燥させる工程を経ることにより、上記式
(1a)と(1b)とが各構成単位のモル比が(1
a):(1b)=67:33で示されるポリイミド5
8.0g(収率97%)を得た。得られたポリイミドの
赤外吸収スペクトルを測定したところ、1718cm-1
及び1783cm-1に典型的なイミドの吸収が認められ
た。
EXAMPLES [Synthesis Example of Polyimide] [Synthesis Example 1] 1,4-bis was added to a flask equipped with a stirrer.
19.58 g of (4-aminophenoxy) benzene (67
Mmol) and 1,3-bis (3-aminopropyl) -1,
8.20 g of 1,3,3-tetramethyldisiloxane (33
Mmol) and 3,3 ', 4,4'-diphenylsulfonate
35.83 g (100 mmol) of lacarboxylic dianhydride
And N-methyl-2-pyrrolidone (hereinafter referred to as “NMP”)
You. ) Introduce 300 ml under ice temperature and continue stirring for 1 hour
I did. Next, the solution was reacted at room temperature for 2 hours,
Mido acid was synthesized. 50 ml of the obtained polyamic acid
Toluene and 1.0 g of p-toluenesulfonic acid were added,
Heat to 160 ° C and azeotrope with toluene as the reaction progresses
The imidation reaction was performed for 3 hours while separating the
Was. Thereafter, toluene was distilled off, and the resulting polyimide resin was removed.
Pour the varnish into methanol, separate the resulting precipitate,
Through the steps of crushing, washing and drying, the above formula
(1a) and (1b) have a molar ratio of each structural unit of (1).
a): Polyimide 5 represented by (1b) = 67: 33
8.0 g (97% yield) were obtained. Of the resulting polyimide
When the infrared absorption spectrum was measured, it was 1718 cm-1
And 1783 cm-1Typical imide absorption
Was.

【0023】〔合成例2〕1,3−ビス(4−アミノフ
ェノキシ)ベンゼン19.58g(67ミリモル)と1,
3−ビス(3−アミノプロピル)−1,1,3,3,−テト
ラメチルジシロキサン8.20g(33ミリモル)と3,
3',4,4'−ジフェニルスルホンテトラカルボン酸二無
水物35.83g(100ミリモル)及びNMP300
mlを用いて、合成例1と同様の方法で、各構成単位の
モル比が(1a):(1b)=67:33で示されるポ
リイミド58.0g(収率97%)を得た。得られたポ
リイミドの赤外吸収スペクトルを測定したところ、17
18cm-1 及び1783cm-1に典型的なイミドの吸収
が認められた。 〔合成例3〕1,3−ビス[1−(4−アミノフェニ
ル)−1−メチルエチル]ベンゼン23.08g(67
ミリモル)と1,3−ビス(3−アミノプロピル)−1,
1,3,3,−テトラメチルジシロキサン8.20g(33
ミリモル)と3,3',4,4'−ジフェニルスルホンテト
ラカルボン酸二無水物35.83g(100ミリモル)
及びNMP300mlを用いて、合成例1と同様の方法
で、各構成単位のモル比が(1a):(1b)=67:
33で示されるポリイミド62.5g(収率98%)を
得た。得られたポリイミドの赤外吸収スペクトルを測定
したところ、1718cm-1 及び1783cm-1に典型
的なイミドの吸収が認められた。
[Synthesis Example 2] 1,3-bis (4-aminophen)
Enoxy) benzene 19.58 g (67 mmol) and 1,1
3-bis (3-aminopropyl) -1,1,3,3, -tetra
8.20 g (33 mmol) of lamethyldisiloxane and 3,
3 ', 4,4'-diphenylsulfonetetracarboxylic acid
35.83 g (100 mmol) of water and NMP300
ml of each structural unit in the same manner as in Synthesis Example 1
The molar ratio is (1a) :( 1b) = 67: 33.
58.0 g (97% yield) of the imide was obtained. The obtained po
When the infrared absorption spectrum of the imide was measured, 17
18cm-1 And 1783 cm-1Typical imide absorption
Was observed. [Synthesis Example 3] 1,3-bis [1- (4-aminopheni)
23) g (67)
Mmol) and 1,3-bis (3-aminopropyl) -1,
8.20 g of 1,3,3-tetramethyldisiloxane (33
Mmol) and 3,3 ', 4,4'-diphenylsulfonate
35.83 g (100 mmol) of lacarboxylic dianhydride
And the same method as in Synthesis Example 1 using 300 ml of NMP
And the molar ratio of each structural unit is (1a) :( 1b) = 67:
62.5 g (98% yield) of the polyimide represented by 33
Obtained. Measure the infrared absorption spectrum of the obtained polyimide
1718cm-1 And 1783 cm-1Typical
Typical imide absorption was observed.

【0024】〔合成例4〕4,4'−ビス(4−アミノフ
ェノキシ)ビフェニル24.68g(67ミリモル)と
1,3−ビス(3−アミノプロピル)−1,1,3,3,−
テトラメチルジシロキサン8.20g(33ミリモル)
と3,3',4,4'−ジフェニルスルホンテトラカルボン
酸二無水物35.83g(100ミリモル)及びNMP
300mlを用いて、合成例1と同様の方法で、各構成
単位のモル比が(1a):(1b)=67:33で示さ
れるポリイミド64.0g(収率98%)を得た。得ら
れたポリイミドの赤外吸収スペクトルを測定したとこ
ろ、1718cm-1 及び1783cm-1に典型的なイミ
ドの吸収が認められた。 〔合成例5〕ビス[(4−アミノフェノキシ)フェニ
ル]エーテル25.75g(67ミリモル)と1,3−ビ
ス(3−アミノプロピル)−1,1,3,3,−テトラメチ
ルジシロキサン8.20g(33ミリモル)と3,3',
4,4'−ジフェニルスルホンテトラカルボン酸二無水物
35.83g(100ミリモル)及びNMP300ml
を用いて、合成例1と同様の方法で、各構成単位のモル
比が(1a):(1b)=67:33で示されるポリイ
ミド64.0g(収率97%)を得た。得られたポリイ
ミドの赤外吸収スペクトルを測定したところ、1718
cm-1 及び1783cm-1に典型的なイミドの吸収が認
められた。
[Synthesis Example 4] 4,4'-bis (4-aminophen)
Enoxy) biphenyl 24.68 g (67 mmol)
1,3-bis (3-aminopropyl) -1,1,3,3,-
8.20 g (33 mmol) of tetramethyldisiloxane
And 3,3 ', 4,4'-diphenylsulfonetetracarboxylic
35.83 g (100 mmol) of acid dianhydride and NMP
Each composition was prepared in the same manner as in Synthesis Example 1 using 300 ml.
The molar ratio of the units is (1a) :( 1b) = 67: 33.
64.0 g (yield 98%) of the resulting polyimide was obtained. Get
Measurement of the infrared absorption spectrum of the polyimide
Ro, 1718cm-1 And 1783 cm-1Typical immi
The absorption of cadmium was observed. [Synthesis Example 5] Bis [(4-aminophenoxy) pheni
L] ether 25.75 g (67 mmol) and 1,3-bi
(3-aminopropyl) -1,1,3,3, -tetramethyl
8.20 g (33 mmol) of rudisiloxane and 3,3 ′,
4,4'-diphenylsulfonetetracarboxylic dianhydride
35.83 g (100 mmol) and 300 ml of NMP
And in the same manner as in Synthesis Example 1,
Poly (R) having a ratio of (1a) :( 1b) = 67: 33
64.0 g of the amide (97% yield) were obtained. The resulting poly
When the infrared absorption spectrum of the amide was measured, 1718
cm-1 And 1783 cm-1Typical imide absorption
Was called.

【0025】〔合成例6〕ビス[4−(4−アミノフェ
ノキシ)フェニル]スルホン28.98g(67ミリモ
ル)と1,3−ビス(3−アミノプロピル)−1,1,3,
3,−テトラメチルジシロキサン8.20g(33ミリモ
ル)と3,3',4,4'−ジフェニルスルホンテトラカル
ボン酸二無水物35.83g(100ミリモル)及びN
MP300mlを用いて、合成例1と同様の方法で、各
構成単位のモル比が(1a):(1b)=67:33で
示されるポリイミド65.0g(収率94%)を得た。
得られたポリイミドの赤外吸収スペクトルを測定したと
ころ、1718cm-1 及び1783cm-1に典型的なイ
ミドの吸収が認められた。 〔合成例7〕2,2−ビス[4−(4−アミノフェノキ
シ)フェニル]プロパン27.50g(67ミリモル)
と1,3−ビス(3−アミノプロピル)−1,1,3,3,
−テトラメチルジシロキサン8.20g(33ミリモ
ル)と3,3',4,4'−ジフェニルスルホンテトラカル
ボン酸二無水物35.83g(100ミリモル)及びN
MP300mlを用いて、合成例1と同様の方法で、各
構成単位のモル比が(1a):(1b)=67:33で
示されるポリイミド65.0g(収率96%)を得た。
得られたポリイミドの赤外吸収スペクトルを測定したと
ころ、1718cm-1 及び1783cm-1に典型的なイ
ミドの吸収が認められた。
[Synthesis Example 6] Bis [4- (4-aminophen)
Noxy) phenyl] sulfone 28.98 g (67 mmol
) And 1,3-bis (3-aminopropyl) -1,1,3,
8.20 g of 3, -tetramethyldisiloxane (33 mmol
) And 3,3 ', 4,4'-diphenylsulfonetetracar
35.83 g (100 mmol) of boronic dianhydride and N
Using 300 ml of MP, in the same manner as in Synthesis Example 1,
When the molar ratio of the structural units is (1a) :( 1b) = 67: 33
65.0 g (yield 94%) of the indicated polyimide was obtained.
When the infrared absorption spectrum of the obtained polyimide was measured
Roller, 1718cm-1 And 1783 cm-1A typical
Mid absorption was observed. [Synthesis Example 7] 2,2-bis [4- (4-aminophenoxy)
Cis) phenyl] propane 27.50 g (67 mmol)
And 1,3-bis (3-aminopropyl) -1,1,3,3,
-8.20 g of tetramethyldisiloxane (33 mmol
) And 3,3 ', 4,4'-diphenylsulfonetetracar
35.83 g (100 mmol) of boric acid dianhydride and N
Using 300 ml of MP, in the same manner as in Synthesis Example 1,
When the molar ratio of the structural units is (1a) :( 1b) = 67: 33
65.0 g (yield 96%) of the indicated polyimide were obtained.
When the infrared absorption spectrum of the obtained polyimide was measured
Roller, 1718cm-1 And 1783 cm-1A typical
Mid absorption was observed.

【0026】〔合成例8〕2,2−ビス[4−(4−ア
ミノフェノキシ)フェニル]ヘキサフルオロプロパン3
4.74g(67ミリモル)と1,3−ビス(3−アミノ
プロピル)−1,1,3,3,−テトラメチルジシロキサン
8.20g(33ミリモル)と3,3',4,4'−ジフェニ
ルスルホンテトラカルボン酸二無水物35.83g(1
00ミリモル)及びNMP300mlを用いて、合成例
1と同様の方法で、各構成単位のモル比が(1a):
(1b)=67:33で示されるポリイミド74.0g
(収率98%)を得た。得られたポリイミドの赤外吸収
スペクトルを測定したところ、1718cm-1 及び17
83cm-1に典型的なイミドの吸収が認められた。 〔合成例9〕9,9−ビス(4−アミノフェノキシ)フ
ルオレン23.35g(67ミリモル)と1,3−ビス
(3−アミノプロピル)−1,1,3,3,−テトラメチル
ジシロキサン8.20g(33ミリモル)と3,3',4,
4'−ジフェニルスルホンテトラカルボン酸二無水物3
5.83g(100ミリモル)及びNMP300mlを
用いて、合成例1と同様の方法で、各構成単位のモル比
が(1a):(1b)=67:33で示されるポリイミ
ド60.5g(収率95%)を得た。得られたポリイミ
ドの赤外吸収スペクトルを測定したところ、1718c
-1 及び1783cm-1に典型的なイミドの吸収が認め
られた。
Synthesis Example 8 2,2-Bis [4- (4-A
Minophenoxy) phenyl] hexafluoropropane 3
4.74 g (67 mmol) and 1,3-bis (3-amino
Propyl) -1,1,3,3-tetramethyldisiloxane
8.20 g (33 mmol) and 3,3 ', 4,4'-diphenyi
35.83 g of sulfonetetracarboxylic dianhydride (1
(00 mmol) and 300 ml of NMP
In the same manner as in 1, the molar ratio of each structural unit is (1a):
(1b) = 74.0 g of polyimide represented by 67:33
(98% yield). Infrared absorption of the obtained polyimide
When the spectrum was measured, 1718 cm-1 And 17
83cm-1A typical imide absorption was observed. [Synthesis Example 9] 9,9-bis (4-aminophenoxy) phenyl
23.35 g (67 mmol) of fluorene and 1,3-bis
(3-aminopropyl) -1,1,3,3, -tetramethyl
8.20 g (33 mmol) of disiloxane and 3,3 ', 4,
4'-diphenylsulfonetetracarboxylic dianhydride 3
5.83 g (100 mmol) and 300 ml of NMP
And the molar ratio of each structural unit in the same manner as in Synthesis Example 1.
Is a polyimid represented by (1a) :( 1b) = 67: 33
60.5 g (95% yield) were obtained. Polyimi obtained
When the infrared absorption spectrum of
m-1 And 1783 cm-1Typical imide absorption
Was done.

【0027】〔合成例10〕2,2−ビス[4−(4−
アミノフェノキシ)フェニル]プロパン20.53g
(50ミリモル)と1,3−ビス(3−アミノプロピ
ル)−1,1,3,3,−テトラメチルジシロキサン12.
43g(50ミリモル)と3,3',4,4'−ジフェニル
スルホンテトラカルボン酸二無水物35.83g(10
0ミリモル)及びNMP300mlを用いて、合成例1
と同様の方法で、各構成単位のモル比が(1a):(1
b)=50:50で示されるポリイミド61.0g(収
率93%)を得た。 得られたポリイミドの赤外吸収ス
ペクトルを測定したところ、1718cm-1及び178
3cm-1に典型的なイミドの吸収が認められた。 〔合成例11〕2,2−ビス[4−(4−アミノフェノ
キシ)フェニル]プロパン30.79g(75ミリモ
ル)と1,3−ビス(3−アミノプロピル)−1,1,3,
3,−テトラメチルジシロキサン6.21g(25ミリモ
ル)と3,3',4,4'−ジフェニルスルホンテトラカル
ボン酸二無水物35.83g(100ミリモル)及びN
MP300mlを用いて、合成例1と同様の方法で、各
構成単位のモル比が(1a):(1b)=75:25で
示されるポリイミド65.0g(収率94%)を得た。
得られたポリイミドの赤外吸収スペクトルを測定したと
ころ、1718cm-1 及び1783cm-1に典型的なイ
ミドの吸収が認められた。
Synthesis Example 10 2,2-Bis [4- (4-
Aminophenoxy) phenyl] propane 20.53 g
(50 mmol) and 1,3-bis (3-aminopropyl
) -1,1,3,3-tetramethyldisiloxane 12.
43 g (50 mmol) and 3,3 ', 4,4'-diphenyl
35.83 g of sulfonetetracarboxylic dianhydride (10
0 mmol) and 300 ml of NMP.
In the same manner as described above, the molar ratio of each structural unit is (1a) :( 1
b) 61.0 g of polyimide represented by = 50: 50 (yield
93%). Infrared absorption spectrum of the obtained polyimide
When the spectrum was measured, 1718 cm-1And 178
3cm-1A typical imide absorption was observed. [Synthesis Example 11] 2,2-bis [4- (4-aminopheno)
Xy) phenyl] propane 30.79 g (75 mM
) And 1,3-bis (3-aminopropyl) -1,1,3,
6.21 g of 3, -tetramethyldisiloxane (25 mmol
) And 3,3 ', 4,4'-diphenylsulfonetetracar
35.83 g (100 mmol) of boric acid dianhydride and N
Using 300 ml of MP, in the same manner as in Synthesis Example 1,
When the molar ratio of the structural units is (1a) :( 1b) = 75: 25
65.0 g (yield 94%) of the indicated polyimide was obtained.
When the infrared absorption spectrum of the obtained polyimide was measured
Roller, 1718cm-1 And 1783 cm-1A typical
Mid absorption was observed.

【0028】〔合成例12〕2,2−ビス[4−(4−
アミノフェノキシ)フェニル]プロパン32.84g
(80ミリモル)と1,3−ビス(3−アミノプロピ
ル)−1,1,3,3,−テトラメチルジシロキサン4.9
7g(20ミリモル)と3,3',4,4'−ジフェニルス
ルホンテトラカルボン酸二無水物35.83g(100
ミリモル)及びNMP300mlを用いて、合成例1と
同様の方法で、各構成単位のモル比が(1a):(1
b)=80:20で示されるポリイミド68.0g(収
率97%)を得た。得られたポリイミドの赤外吸収スペ
クトルを測定したところ、1718cm-1 及び1783
cm-1に典型的なイミドの吸収が認められた。 〔合成例13〕2,2−ビス[4−(4−アミノフェノ
キシ)フェニル]プロパン30.79g(75ミリモ
ル)と1,3−ビス[(アミノフェノキシ)メチル]−
1,1,3,3,−テトラメチルジシロキサン9.42g
(25ミリモル)と3,3',4,4'−ジフェニルスルホ
ンテトラカルボン酸二無水物35.83g(100ミリ
モル)及びNMP300mlを用いて、合成例1と同様
の方法で各構成単位のモル比が(1a):(1b)=7
5:25で示されるポリイミド69.0g(収率95
%)を得た。赤外吸収スペクトルを測定したところ、1
720、1783cm-1に典型的なイミドの吸収が認め
られた。
[Synthesis Example 12] 2,2-bis [4- (4-
Aminophenoxy) phenyl] propane 32.84 g
(80 mmol) and 1,3-bis (3-aminopropyl
) -1,1,3,3-tetramethyldisiloxane 4.9
7 g (20 mmol) and 3,3 ', 4,4'-diphenyls
35.83 g of rufonetetracarboxylic dianhydride (100
Mmol) and 300 ml of NMP,
In a similar manner, the molar ratio of each structural unit is (1a) :( 1
b) 68.0 g of polyimide represented by = 80: 20 (yield
97%). Infrared absorption spectrum of the obtained polyimide
It was 1718cm-1 And 1783
cm-1A typical imide absorption was observed. [Synthesis Example 13] 2,2-bis [4- (4-aminopheno)
Xy) phenyl] propane 30.79 g (75 mM
) And 1,3-bis [(aminophenoxy) methyl]-
9.42 g of 1,1,3,3-tetramethyldisiloxane
(25 mmol) and 3,3 ', 4,4'-diphenylsulfo
35.83 g of tetracarboxylic dianhydride (100 mm
Mol) and 300 ml of NMP, as in Synthesis Example 1.
And the molar ratio of each structural unit is (1a) :( 1b) = 7
69.0 g of a polyimide represented by 5:25 (yield 95
%). When the infrared absorption spectrum was measured,
720,1783cm-1Typical imide absorption
Was done.

【0029】〔合成例14〕2,2−ビス[4−(4−
アミノフェノキシ)フェニル]プロパン30.79g
(75ミリモル)と下記一般式(5)で示されるアミノ
プロピル末端のジメチルシロキサン4量体(Q=N
2、R=プロピレン、n=3)10.72g(25ミリ
モル)と、3,3',4,4'−ジフェニルスルホンテトラ
カルボン酸二無水物35.83g(100ミリモル)及
びNMP300mlを用いて、合成例1と同様の方法で
各構成単位のモル比が(1a):(1b)=75:25
で示されるポリイミド67.0g(収率91%)を得
た。赤外吸収スペクトルを測定したところ、1712、
1783cm-1に典型的なイミドの吸収が認められた。
[Synthesis Example 14] 2,2-bis [4- (4-
Aminophenoxy) phenyl] propane 30.79 g
(75 mmol) and an aminopropyl-terminated dimethylsiloxane tetramer represented by the following general formula (5) (Q = N
Using 10.72 g (25 mmol) of H 2 , R = propylene, n = 3), 35.83 g (100 mmol) of 3,3 ′, 4,4′-diphenylsulfonetetracarboxylic dianhydride and 300 ml of NMP By the same method as in Synthesis Example 1, the molar ratio of each structural unit was (1a) :( 1b) = 75: 25.
67.0 g (yield: 91%) of a polyimide represented by the following formula: was obtained. When the infrared absorption spectrum was measured, 1712,
A typical imide absorption was observed at 1783 cm -1 .

【0030】[0030]

【化8】 Embedded image

【0031】〔合成例15〕4,4'−ジアミノ−3,
3',5,5'−テトラエチルジフェニルメタン7.76g
(25ミリモル)とビス(3−アミノプロピル)テトラ
メチルジシロキサン6.21g(25ミリモル)と3,
3',4,4'−ジフェニルスルホンテトラカルボン酸二無
水物17.91g(50ミリモル)及びNMP150m
lを用いて、合成例1と同様の方法で各構成単位のモル
比が(1a):(1b)=50:50で示されるポリイ
ミド27.4g(収率91%)を得た。赤外吸収スペク
トルを測定したところ、1720、1780cm-1に典
型的なイミドの吸収が認められた。 〔合成例16〕4,4'−ジアミノ−3,3',5,5'−テ
トラエチルジフェニルメタン11.64g(37.5ミリ
モル)とビス(3−アミノプロピル)テトラメチルジシ
ロキサン3.11g(12.5ミリモル)と3,3',4,
4'−ジフェニルスルホンテトラカルボン酸二無水物1
7.91g(50ミリモル)及びNMP150mlを用
いて、合成例1と同様の方法で各構成単位のモル比が
(1a):(1b)=75:25で示されるポリイミド
29.6g(収率92%)を得た。赤外吸収スペクトル
を測定したところ、1720、1780cm-1に典型的
なイミドの吸収が認められた。
Synthesis Example 15 4,4′-Diamino-3,
7.76 g of 3 ', 5,5'-tetraethyldiphenylmethane
(25 mmol), 6.21 g (25 mmol) of bis (3-aminopropyl) tetramethyldisiloxane and 3,3
17.91 g (50 mmol) of 3 ', 4,4'-diphenylsulfonetetracarboxylic dianhydride and 150 m of NMP
Using 1 in the same manner as in Synthesis Example 1, 27.4 g (yield: 91%) of a polyimide having a molar ratio of each structural unit of (1a) :( 1b) = 50: 50 was obtained. When the infrared absorption spectrum was measured, typical imide absorptions were observed at 1720 and 1780 cm -1 . Synthesis Example 16 11.4 g (37.5 mmol) of 4,4'-diamino-3,3 ', 5,5'-tetraethyldiphenylmethane and 3.11 g of bis (3-aminopropyl) tetramethyldisiloxane (12 0.5 mmol) and 3,3 ', 4,
4'-diphenylsulfonetetracarboxylic dianhydride 1
Using 7.91 g (50 mmol) and 150 ml of NMP, 29.6 g (yield: 92) of a polyimide having a molar ratio of each structural unit represented by (1a) :( 1b) = 75: 25 in the same manner as in Synthesis Example 1. %). When the infrared absorption spectrum was measured, typical imide absorptions were observed at 1720 and 1780 cm -1 .

【0032】〔合成例17〕2,2−ビス[4−(4−ア
ミノフェノキシ)フェニル]プロパン29.42g(72
ミリモル)と前記式(5)においてQ=NH2、R=プ
ロピル、n=7で表されるジメチルシロキサン21.7
5g(28ミリモル)と3,3',4,4'−ジフェニルス
ルホンテトラカルボン酸二無水物35.83g(100
ミリモル)及びNMP300mlを用いて、合成例1と
同様の方法で、各構成単位のモル比が(1a):(1
b)=72:28で示されるポリイミド78.4g(収
率94%)を得た。得られたポリイミドの赤外吸収スペ
クトルを測定したところ、1718cm-1 及び1783
cm-1に典型的なイミドの吸収が認められた。
[Synthesis Example 17] 2,2-bis [4- (4-A
Minophenoxy) phenyl] propane 29.42 g (72
Mmol) and in the above formula (5), Q = NHTwo, R = P
Ropyr, dimethylsiloxane 21.7 represented by n = 7
5 g (28 mmol) and 3,3 ', 4,4'-diphenyls
35.83 g of rufonetetracarboxylic dianhydride (100
Mmol) and 300 ml of NMP,
In a similar manner, the molar ratio of each structural unit is (1a) :( 1
b) = 78.4 g of polyimide represented by 72:28 (yield
94%). Infrared absorption spectrum of the obtained polyimide
It was 1718cm-1 And 1783
cm-1A typical imide absorption was observed.

【0033】[ビスイミド系化合物合成例] 〔合成例18〕攪拌機を備えたフラスコに、4、4'−
ビス(3−アミノフェノキシ)ビフェニル36.8g
(100ミリモル)と無水フタル酸31.1g(210
ミリモル)とNMP500mlとを氷温下に導入し、1
時間攪拌を続けた。次いで、この溶液を室温で2時間反
応させアミド酸を合成した。得られたアミド酸にトリエ
チルアミン40.4g(400ミリモル)と無水酢酸3
0.6g(300ミリモル)をゆっくりと滴下し、室温
で2時間撹拌を続けた。得られた溶液を、メタノールに
注ぎ、沈殿物を濾過する。この沈殿物をメタノールで洗
浄し、150℃で2時間乾燥し、47.5g(ジアミン
に対する収率76%)の上記式(2)で表されるビスイ
ミド系化合物を得た。赤外吸収スペクトルを測定したと
ころ、1720、1780cm-1に典型的なイミドの吸
収が、1240cm-1にエーテルの吸収が認められた。 〔合成例19〕2,2−ビス(4−(3−アミノフェノ
キシ)フェニル)プロパン41.1g(100ミリモ
ル)と無水フタル酸31.1g(210ミリモル)とN
MP500mlを用いて、合成例18と同様の方法で5
3.5g(ジアミンに対する収率80%)の上記式
(2)で表されるビスイミド系化合物を得た。赤外吸収
スペクトルを測定したところ、1720、1780cm
-1に典型的なイミドの吸収が、1240cm-1にエーテ
ルの吸収が認められた。
[Synthesis Example of Bisimide Compound] [Synthesis Example 18] 4,4′-
Bis (3-aminophenoxy) biphenyl 36.8 g
(100 mmol) and 31.1 g of phthalic anhydride (210
Mmol) and 500 ml of NMP at an ice temperature.
Stirring was continued for hours. Next, this solution was reacted at room temperature for 2 hours to synthesize amic acid. 40.4 g (400 mmol) of triethylamine and acetic anhydride 3 were added to the obtained amic acid.
0.6 g (300 mmol) was slowly added dropwise and stirring was continued at room temperature for 2 hours. The solution obtained is poured into methanol and the precipitate is filtered. This precipitate was washed with methanol and dried at 150 ° C. for 2 hours to obtain 47.5 g (yield based on diamine: 76%) of the bisimide compound represented by the above formula (2). It was measured infrared absorption spectrum, the absorption of typical imides 1720,1780Cm -1 is absorption of ether was observed at 1240 cm -1. [Synthesis Example 19] 41.1 g (100 mmol) of 2,2-bis (4- (3-aminophenoxy) phenyl) propane, 31.1 g (210 mmol) of phthalic anhydride and N
Using 500 ml of MP and 5 in the same manner as in Synthesis Example 18
3.5 g (80% yield based on diamine) of the bisimide compound represented by the above formula (2) was obtained. When the infrared absorption spectrum was measured, it was 1720, 1780 cm
-1 and typical ether absorption at 1240 cm -1 .

【0034】〔合成例20〕1,3−ビス(4−アミノ
−α,α−ジメチルベンジル)ベンゼン34.4g(10
0ミリモル)と無水フタル酸31.1g(210ミリモ
ル)とNMP500mlを用いて、合成例18と同様の
方法で58.0g(ジアミンに対する収率96%)の上
記式(2)で表されるビスイミド系化合物を得た。赤外
吸収スペクトルを測定したところ、1720、1780
cm-1に典型的なイミドの吸収が認められた。 〔合成例21〕4、4'−ビス(4−アミノフェノキ
シ)ビフェニル36.8g(100ミリモル)と無水フ
タル酸31.1g(210ミリモル)とNMP500m
lを用いて、合成例18と同様の方法で56.5g(ジ
アミンに対する収率90%)の上記式(2)で表される
ビスイミド系化合物を得た。赤外吸収スペクトルを測定
したところ、1720、1780cm-1に典型的なイミ
ドの吸収が、1240cm-1にエーテルの吸収が認めら
れた。
Synthesis Example 20 34.4 g of 1,3-bis (4-amino-α, α-dimethylbenzyl) benzene (10
0 mmol), 31.1 g (210 mmol) of phthalic anhydride and 500 ml of NMP in the same manner as in Synthesis Example 18 to obtain 58.0 g (96% yield based on diamine) of the bisimide represented by the above formula (2). A system compound was obtained. When the infrared absorption spectrum was measured, 1720, 1780
Typical imide absorption was observed at cm -1 . [Synthesis Example 21] 36.8 g (100 mmol) of 4,4'-bis (4-aminophenoxy) biphenyl, 31.1 g (210 mmol) of phthalic anhydride, and 500 m of NMP
Using l, 56.5 g (90% yield based on diamine) of the bisimide compound represented by the above formula (2) was obtained in the same manner as in Synthesis Example 18. It was measured infrared absorption spectrum, the absorption of typical imides 1720,1780Cm -1 is absorption of ether was observed at 1240 cm -1.

【0035】〔合成例22〕2,2−ビス(4−(4−
アミノフェノキシ)フェニル)プロパン41.1g(1
00ミリモル)と無水フタル酸31.1g(210ミリ
モル)とNMP500mlを用いて、合成例18と同様
の方法で62.3g(ジアミンに対する収率93%)の
上記式(2)で表されるビスイミド系化合物を得た。赤
外吸収スペクトルを測定したところ、1720、178
0cm-1に典型的なイミドの吸収が、1240cm-1
エーテルの吸収が認められた。 〔合成例23〕4,4'−ジアミノ−3,3',5,5'−テ
トラエチルジフェニルメタン31.0g(100ミリモ
ル)と無水フタル酸31.1g(210ミリモル)とN
MP500mlを用いて、合成例18と同様の方法で4
7.4g(ジアミンに対する収率83%)の上記式
(2)で表されるビスイミド系化合物を得た。赤外吸収
スペクトルを測定したところ、1720、1780cm
-1に典型的なイミドの吸収が認められた。
[Synthesis Example 22] 2,2-bis (4- (4-
Aminophenoxy) phenyl) propane 41.1 g (1
(00 mmol), 31.1 g (210 mmol) of phthalic anhydride and 500 ml of NMP, in the same manner as in Synthesis Example 18, 62.3 g (93% yield based on diamine) of the bisimide represented by the above formula (2) A system compound was obtained. When the infrared absorption spectrum was measured, 1720, 178
Typical absorption of imide to 0 cm -1 is absorption of ether was observed at 1240 cm -1. Synthesis Example 23 31.0 g (100 mmol) of 4,4′-diamino-3,3 ′, 5,5′-tetraethyldiphenylmethane, 31.1 g (210 mmol) of phthalic anhydride and N
Using 500 ml of MP and 4 in the same manner as in Synthesis Example 18
7.4 g (83% yield based on diamine) of the bisimide compound represented by the above formula (2) was obtained. When the infrared absorption spectrum was measured, it was 1720, 1780 cm
At -1 , typical imide absorption was observed.

【0036】〔合成例24〕ビス(4−(3−アミノフ
ェノキシ)フェニル)スルホン43.2g(100ミリ
モル)と無水フタル酸31.1g(210ミリモル)と
NMP500mlを用いて、合成例18と同様の方法で
59.6g(ジアミンに対する収率86%)の上記式
(2)で表されるビスイミド系化合物を得た。赤外吸収
スペクトルを測定したところ、1720、1780cm
-1に典型的なイミドの吸収が、1240cm-1にエーテ
ルの吸収が認められた。
[Synthesis Example 24] As in Synthesis Example 18, using 43.2 g (100 mmol) of bis (4- (3-aminophenoxy) phenyl) sulfone, 31.1 g (210 mmol) of phthalic anhydride and 500 ml of NMP. By the method described above, 59.6 g (yield based on diamine: 86%) of the bisimide compound represented by the above formula (2) was obtained. When the infrared absorption spectrum was measured, it was 1720, 1780 cm
-1 and typical ether absorption at 1240 cm -1 .

【0037】〔合成例25〕上記式(3)を満たす下記
化学式のビスイミド系化合物(「BMI−80」ケイ・
アイ化成社製)。
Synthesis Example 25 A bisimide compound satisfying the above formula (3) and having the following chemical formula ("BMI-80"
I Kasei Co., Ltd.).

【化9】 Embedded image

【0038】[樹脂組成物実施例]合成例1〜17で得
られたポリイミド樹脂100重量部と合成例18〜25
で得られたビスイミド系化合物を、テトラヒドロフラン
中に添加して充分に混合、溶解し、表1に示す種々の低
誘電樹脂組成物からなるワニスを得た。尚、樹脂組成物
実施例27のシリカフィラーは、平均粒子径が0.07
μmのもの(荒川化学社製)である。
[Resin Composition Examples] 100 parts by weight of the polyimide resin obtained in Synthesis Examples 1 to 17 and Synthesis Examples 18 to 25
Was added to tetrahydrofuran, sufficiently mixed and dissolved to obtain varnishes comprising various low dielectric resin compositions shown in Table 1. The silica filler of Resin Composition Example 27 had an average particle diameter of 0.07.
μm (Arakawa Chemical).

【0039】[0039]

【表1】 [Table 1]

【0040】[実施例1〜27]樹脂組成物実施例1〜
27で得られた樹脂組成物ワニスを芳香族ポリエステル
不織布(厚さ0.1mm、クラレ社製)100重量部
に、樹脂組成物を固形分で120重量部含浸させて14
0℃の乾燥路中で5分間乾燥させ、プリプレグを作成し
た。得られたプリプレグはタックフリーで可撓性を有し
ており作業性に優れていた。このプリプレグを4枚重ね
合わせ、さらに上下の最外層に18μmの銅箔を配し
て、20kg/cm2の圧力で、200℃で1時間の加
熱条件で成形し、0.4mmの両面銅張積層板を得た。
得られた積層板について、誘電率、ピール強度、はんだ
耐熱性、PCBTを試験した。試験結果を表2に示す。 [実施例28]芳香族ポリエステル不織布をアラミド不
織布(厚さ0.1mm、デュポン社製)に代えた以外は
実施例1と同様に操作して0.4mmの両面銅張積層板
を得た。 得られた積層板の試験結果を表2に示す。 [実施例29]芳香族ポリエステル不織布をテトラフル
オロカーボン不織布(厚さ0.1mm、(株)巴川製紙
所製)に代えた以外は実施例1と同様に操作して0.4
mmの両面銅張積層板を得た。得られた積層板の試験結
果を表2に示す。 [実施例30]厚さ18μmの銅箔を厚さ18μmの4
2合金箔に代えた以外は実施例1と同様に操作して0.
4mmの両面銅張積層板を得た。得られた積層板の試験
結果を表2に示す。
Examples 1-27 Resin Composition Examples 1
The resin composition varnish obtained in 27 was impregnated with 100 parts by weight of an aromatic polyester nonwoven fabric (0.1 mm in thickness, manufactured by Kuraray Co., Ltd.) to 120 parts by weight of the resin composition at a solid content to obtain 14
The prepreg was dried in a drying path at 0 ° C. for 5 minutes. The obtained prepreg was tack-free, flexible, and excellent in workability. Four prepregs were stacked, 18 μm copper foil was further disposed on the upper and lower outermost layers, and the mixture was molded under a pressure of 20 kg / cm 2 at 200 ° C. for 1 hour to form a 0.4 mm double-sided copper clad. A laminate was obtained.
The obtained laminate was tested for dielectric constant, peel strength, solder heat resistance, and PCBT. Table 2 shows the test results. Example 28 A 0.4 mm double-sided copper-clad laminate was obtained in the same manner as in Example 1, except that the aromatic polyester nonwoven fabric was replaced with an aramid nonwoven fabric (0.1 mm in thickness, manufactured by DuPont). Table 2 shows the test results of the obtained laminate. [Example 29] The same procedure as in Example 1 was repeated, except that the aromatic polyester nonwoven fabric was replaced with a tetrafluorocarbon nonwoven fabric (0.1 mm in thickness, manufactured by Hamakawa Paper Mills).
mm double-sided copper-clad laminate was obtained. Table 2 shows the test results of the obtained laminate. [Example 30] A copper foil having a thickness of 18 µm was replaced with a copper foil having a thickness of 18 µm.
The same operation as in Example 1 was repeated except that the alloy foil was replaced with two alloy foils.
A 4-mm double-sided copper-clad laminate was obtained. Table 2 shows the test results of the obtained laminate.

【0041】[比較例1]樹脂組成物に三井東圧化学社
製「ラークTPI」を使用した以外は実施例1と同様に
操作して0.4mmの両面銅張積層板を得た。得られた
積層板の試験結果を表2に示す。
Comparative Example 1 A 0.4 mm double-sided copper-clad laminate was obtained in the same manner as in Example 1 except that "Lark TPI" manufactured by Mitsui Toatsu Chemicals was used as the resin composition. Table 2 shows the test results of the obtained laminate.

【0042】[評価方法] 〔誘電率〕JIS C6481(比誘電率及び誘電正
接)に準じて行い周波数1MHzの静電容量を測定して
求めた。 〔ピール強度〕JIS C6481(引き剥がし強さ)
に準じて測定した。 〔はんだ耐熱性〕JIS C6481(はんだ耐熱性)
に準じて測定し、260℃での外観異常の有無を調べ
た。 〔PCBT(Pressure Cooker Biasd Test)〕積層板の
表面にエッチングで線間100μmのパターンを作成
し、そのパターンの上に厚さ0.1mmのプリプレグを
積層し、圧力20kg/cm2、温度200℃で2時間
加熱加圧成形を行い試験体を作成した。試験体に5V印
加、121℃、2気圧、100%RHの条件で、パター
ン間のショートの有無を調べた。
[Evaluation Method] [Dielectric constant] The capacitance was measured at a frequency of 1 MHz in accordance with JIS C6481 (relative dielectric constant and dielectric loss tangent). [Peel strength] JIS C6481 (peeling strength)
It measured according to. [Solder heat resistance] JIS C6481 (Solder heat resistance)
The measurement was carried out according to the above-mentioned method, and the presence or absence of abnormal appearance at 260 ° C. was examined. [PCBT (Pressure Cooker Biasd Test)] A pattern having a line interval of 100 μm is formed on the surface of the laminate by etching, a prepreg having a thickness of 0.1 mm is laminated on the pattern, a pressure of 20 kg / cm 2 and a temperature of 200 ° C. For 2 hours to prepare a test body. Under the conditions of 5 V applied, 121 ° C., 2 atm, and 100% RH, the existence of a short circuit between the patterns was examined.

【0043】[0043]

【表2】 [Table 2]

【0044】[0044]

【発明の効果】本発明の樹脂組成物は低誘電率、耐熱性
に優れ、その樹脂組成物を用いたプリプレグ、積層板、
金属張積層板は、誘電率が低く、耐熱性に優れ、室温に
おいて十分なピール強度を有するため、プリント配線板
等の回路積層板として好適に使用することができる。
Industrial Applicability The resin composition of the present invention has a low dielectric constant and excellent heat resistance, and a prepreg, a laminate, and the like using the resin composition.
Since the metal-clad laminate has a low dielectric constant, excellent heat resistance, and sufficient peel strength at room temperature, it can be suitably used as a circuit laminate such as a printed wiring board.

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Fターム(参考) 4F100 AB33B AB33C AK49A AL05A BA03 BA06 BA10B BA10C DG11A DG15A DH01A GB43 JG05 4J002 BD122 BD153 CF163 CL063 CM041 CN031 CP171 DA016 DA017 DA116 DE076 DE146 DE236 DJ016 DJ017 DJ056 DK007 DL007 FA043 FA047 FD012 FD016 GF00 GQ00 HA05 5G305 AA06 AA12 AB10 AB24 AB34 AB36 BA09 BA23 BA25 BA26 CA03 CA11 CA20 CA21 CA26 CA38 CC01 CC02 CC13 CD01 CD02  ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page F term (reference) 4F100 AB33B AB33C AK49A AL05A BA03 BA06 BA10B BA10C DG11A DG15A DH01A GB43 JG05 4J002 BD122 BD153 CF163 CL063 CM041 CN031 CP171 DA016 DA017 DA116 DE076 DE146 DE236 DJ016 DJ017 DJ0400 DK FA GQ00 HA05 5G305 AA06 AA12 AB10 AB24 AB34 AB36 BA09 BA23 BA25 BA26 CA03 CA11 CA20 CA21 CA26 CA38 CC01 CC02 CC13 CD01 CD02

Claims (9)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 成分(a):下記式(1a)で表される
構造単位の少なくとも1種を100〜40モル%と、下
記式(1b)で表される構造単位の少なくとも1種を0
〜60モル%からなる少なくとも1つ以上のポリイミド
と、 成分(b):下記式(2)ないし(3)で表される化合
物から選ばれる少なくとも1種類とを有することを特徴
とする低誘電樹脂組成物。 【化1】 (式(1a)中、Arは芳香環を有する下記の構造から
選ばれる二価の基を示す。式(1b)中、Rは炭素数1
〜10のアルキレン基またはメチレン基がSiに結合し
ている−CH2OC64−を示し、nは1〜20の整数
を意味する。) 【化2】 (式中、R1、R2、R3及びR4はそれぞれ同じでも異な
っていてもよく、水素原子、炭素数1〜4のアルキル基
又はアルコキシ基を示すが、これら全ての基が同時に水
素原子であることはない。) 【化3】 (式中、Arは芳香環を有する前記の構造から選ばれる
二価の基を示し、R5 、R6及びR7はそれぞれ同じでも
異なっていてもよく、水素原子、塩素原子、臭素原子、
カルボキシル基、炭素数1〜4のアルキル基又はアルコ
キシ基を示す。)
1. Component (a): represented by the following formula (1a)
100 to 40 mol% of at least one structural unit
At least one of the structural units represented by the formula (1b) is 0
At least one polyimide consisting of at least 60 mol%
And Component (b): a compound represented by the following formula (2) or (3)
Characterized by having at least one kind selected from objects
Low dielectric resin composition. Embedded image(In the formula (1a), Ar represents the following structure having an aromatic ring:
Shows the divalent group selected. In the formula (1b), R represents 1 carbon atom
10 to 10 alkylene or methylene groups are bonded to Si
-CHTwoOC6HFourRepresents-and n is an integer of 1 to 20
Means )(Where R1, RTwo, RThreeAnd RFourAre the same but different
A hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms
Or an alkoxy group, but all these groups are
They cannot be elementary atoms. )(Wherein, Ar is selected from the above structures having an aromatic ring
Represents a divalent group;Five , R6And R7Are the same
May be different, hydrogen, chlorine, bromine,
Carboxyl group, alkyl group having 1 to 4 carbon atoms or alcohol
Shows a xy group. )
【請求項2】 粒径1μm以下のフィラーが、全固形分
の5〜70重量%含まれていることを特徴とする請求項
1に記載の低誘電樹脂組成物。
2. The low dielectric resin composition according to claim 1, wherein a filler having a particle size of 1 μm or less is contained in an amount of 5 to 70% by weight of the total solid.
【請求項3】 前記成分(a)100重量部に対して、
前記成分(b)が1〜100重量部配合されていること
を特徴とする請求項1記載の低誘電樹脂組成物。
3. Component (a) (100 parts by weight)
The low dielectric resin composition according to claim 1, wherein the component (b) is mixed in an amount of 1 to 100 parts by weight.
【請求項4】 硬化状態での誘電率が3.0以下である
ことを特徴とする請求 項1または2記載の低誘電樹脂
組成物。
4. The low dielectric resin composition according to claim 1, wherein the dielectric constant in a cured state is 3.0 or less.
【請求項5】 請求項1または2に記載の低誘電樹脂組
成物と繊維強化材を有することを特徴とするプリプレ
グ。
5. A prepreg comprising the low dielectric resin composition according to claim 1 and a fiber reinforcing material.
【請求項6】 請求項5記載のプリプレグが複数枚積層
していることを特徴とする積層板。
6. A laminate comprising a plurality of the prepregs according to claim 5 laminated.
【請求項7】 請求項5記載のプリプレグまたは請求項
6記載の積層板の片面または両面に金属層が形成されて
いることを特徴とする金属張積層板。
7. A metal-clad laminate, wherein a metal layer is formed on one or both sides of the prepreg according to claim 5 or the laminate according to claim 6.
【請求項8】 前記繊維強化材が、アラミド繊維、芳香
族ポリエステル繊維、テトラフルオロカーボン繊維から
選択される繊維からなる織物または不織布であることを
特徴とする請求項5記載のプリプレグ。
8. The prepreg according to claim 5, wherein the fiber reinforcing material is a woven or non-woven fabric made of fibers selected from aramid fibers, aromatic polyester fibers, and tetrafluorocarbon fibers.
【請求項9】 前記金属層が、銅、白銅、銀、鉄、42
合金、ステンレスより選ばれた少なくとも1つからなる
ことを特徴とする請求項7に記載の金属張積層板。
9. The method according to claim 9, wherein the metal layer is made of copper, copper, silver, iron,
The metal-clad laminate according to claim 7, comprising at least one selected from an alloy and stainless steel.
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