JP2001002780A - Diamine compound having silphenylene residue and polyamide, polyamic acid, polyimide, liquid crystal orienting agent and liquid crystal display element produced by using the compound - Google Patents

Diamine compound having silphenylene residue and polyamide, polyamic acid, polyimide, liquid crystal orienting agent and liquid crystal display element produced by using the compound

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JP2001002780A
JP2001002780A JP11176876A JP17687699A JP2001002780A JP 2001002780 A JP2001002780 A JP 2001002780A JP 11176876 A JP11176876 A JP 11176876A JP 17687699 A JP17687699 A JP 17687699A JP 2001002780 A JP2001002780 A JP 2001002780A
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幸広 見山
Hideyuki Endo
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Takayasu Nihei
貴康 仁平
Hiroyoshi Tai
裕善 袋
Yutaka Nagase
裕 長瀬
Eiichi Akiyama
映一 秋山
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To obtain a new diamine compound containing a specific silphenylene residue, having excellent solubility in solvents and orientation uniformity of a polymer chain by rubbing, and useful as a liquid crystal orienting agent. SOLUTION: A diamine compound containing a silphenylene group expressed by formula I (R1 to R4 are each a 1-6C alkyl or phenyl; X1 and X2 are each an ether bond, or the like; (m) is 2-20), e.g. a compound of formula II. The compound of formula I can be produced by reacting a silphenylene compound of formula III with an alkenyl compound of formula IV in the presence of a hydrosilylation catalyst (e.g. platinum) preferably in a solvent (e.g. hexane) at 40-100 deg.C in an inert gas atmosphere (e.g. argon) and reducing the nitro group of the produced dinitro compound at -100 to +150 deg.C preferably in a solvent (e.g. an alcohol).

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、シルフェニレン残
基を有する新規なジアミン化合物および該化合物から誘
導されるポリアミド、ポリアミド酸、該ポリアミド酸を
イミド化して得られるポリイミド、それらを用いた液晶
配向処理剤および液晶表示素子に関するものである。
The present invention relates to a novel diamine compound having a silphenylene residue, a polyamide derived from the compound, a polyamic acid, a polyimide obtained by imidizing the polyamic acid, and a liquid crystal alignment using the same. The present invention relates to a processing agent and a liquid crystal display device.

【0002】本発明のポリアミドは、溶媒への溶解性に
優れ、製膜時に低温焼成可能であり、さらにはラビング
による高分子鎖の配向性に優れており、均一な液晶配向
性を示す液晶表示素子用配向処理剤として有用であり、
また本発明のポリアミド酸およびポリイミドは、ラビン
グによる高分子鎖の配向性に優れており、均一な液晶配
向性を示す液晶表示素子用配向処理剤として有用であ
る。
The polyamide of the present invention has excellent solubility in a solvent, can be fired at a low temperature during film formation, and has excellent alignment of polymer chains by rubbing, and exhibits a uniform liquid crystal alignment. Useful as an alignment treatment agent for devices,
Further, the polyamic acid and polyimide of the present invention are excellent in the alignment of the polymer chains by rubbing, and are useful as an alignment treatment agent for a liquid crystal display device exhibiting uniform liquid crystal alignment.

【0003】[0003]

【従来の技術】液晶表示素子は、液晶の電気光学的変化
を利用した表示素子であり、装置的に小型軽量であり、
消費電力が小さい等の特性が注目され、近年、各種ディ
スプレイ用の表示装置として目覚ましい発展を遂げてい
る。中でも正の誘電異方性を有するネマティック液晶を
用い、相対向する一対の電極基板のそれぞれの界面で液
晶分子を基板に対し平行に配列させ、かつ、液晶分子の
配向方向が互いに直交するように両基板を組み合わせ
た、ツイステッドネマティック型(TN型)の電界効果
型液晶表示素子は、その代表的なものである。
2. Description of the Related Art A liquid crystal display element is a display element utilizing electro-optical change of liquid crystal, and is small and light in terms of a device.
Attention has been paid to characteristics such as low power consumption, and in recent years, display devices for various displays have been remarkably developed. Above all, using nematic liquid crystal having positive dielectric anisotropy, liquid crystal molecules are arranged parallel to the substrate at each interface of a pair of electrode substrates facing each other, and the orientation directions of the liquid crystal molecules are orthogonal to each other. A twisted nematic (TN type) field effect type liquid crystal display element combining both substrates is a typical example thereof.

【0004】このようなTN型の液晶表示素子において
は、液晶分子の長軸方向を基板表面に均一に平行配向さ
せること、液晶分子を基板に対して一定の傾斜配向角を
もって配向させることが、また、強誘電性液晶や反強誘
電性液晶などを用いた液晶素子では、層方向を揃えて、
液晶分子の長軸方向を基板表面に均一に配向させること
が重要である。この様に液晶分子を配向させる代表的な
方法としては、基板表面に有機被膜をもうけ、その表面
を綿、ナイロン、ポリエステル等の布で一定方向に擦
り、擦った方向に液晶分子を配向させるラビング法が用
いられている。有機膜としては、ポリビニルアルコー
ル、ポリオキシエチレン、ポリアミドおよびポリイミド
等が挙げられるが、化学的安定性、熱的安定性等の点か
らポリイミドが最も一般的に使用されている。この様な
液晶配向膜に使用されているポリイミドの代表的な例と
しては、特開昭61−47932号公報に開示されるも
のがある。
In such a TN type liquid crystal display device, it is necessary to uniformly align the major axis direction of the liquid crystal molecules parallel to the substrate surface, and to align the liquid crystal molecules at a constant tilt alignment angle with respect to the substrate. In the case of a liquid crystal device using a ferroelectric liquid crystal or an antiferroelectric liquid crystal, the layer directions are aligned,
It is important that the long axis direction of the liquid crystal molecules be uniformly aligned on the substrate surface. A typical method of aligning liquid crystal molecules in this way is to apply an organic coating on the substrate surface, rub the surface with a cloth such as cotton, nylon, polyester, etc. in a certain direction, and to align the liquid crystal molecules in the rubbing direction. Method is used. Examples of the organic film include polyvinyl alcohol, polyoxyethylene, polyamide, and polyimide. Among them, polyimide is most commonly used in terms of chemical stability, thermal stability, and the like. A typical example of polyimide used for such a liquid crystal alignment film is disclosed in JP-A-61-47932.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】液晶配向膜は、高分子
を溶剤に溶解させた液晶配向処理剤を、スピンコート法
や印刷法により基板上に塗布して形成されるのが一般的
である。そのとき用いられる溶媒としては、非プロトン
性極性溶媒とともに、基板への塗れ性改善のために貧溶
媒が添加される。しかしながら、可溶性ポリイミドやポ
リアミドなどの高分子は、溶剤への溶解性が必ずしも十
分ではなく、高分子溶液の粘度が不安定になったり、あ
るいは貧溶媒の添加により高分子が析出したりする問題
点があった。
The liquid crystal alignment film is generally formed by applying a liquid crystal alignment treatment agent obtained by dissolving a polymer in a solvent onto a substrate by spin coating or printing. . As the solvent used at that time, a poor solvent is added together with the aprotic polar solvent to improve the coatability on the substrate. However, polymers such as soluble polyimides and polyamides do not always have sufficient solubility in a solvent, and the viscosity of the polymer solution becomes unstable, or the polymer is precipitated by the addition of a poor solvent. was there.

【0006】また、基板上に塗布された液晶配向処理剤
は、乾燥、焼成された後、ラビング処理が行われるが、
このとき用いられる焼成温度は、カラーフィルターなど
の部材の耐熱性の観点からより低温での焼成が好まし
い。また、軽量化の観点から、プラスチック基板などの
耐熱性の低い基板を用いた液晶表示素子が検討されてい
る。
The liquid crystal alignment treatment agent applied on the substrate is dried and baked, and then subjected to a rubbing treatment.
The firing temperature used at this time is preferably firing at a lower temperature from the viewpoint of heat resistance of members such as color filters. Further, from the viewpoint of weight reduction, a liquid crystal display element using a substrate having low heat resistance such as a plastic substrate has been studied.

【0007】可溶性ポリイミドやポリアミドは、例えば
100℃〜200℃程度の比較的低い温度で加熱乾燥す
ることで基板上にポリイミド膜やポリアミド膜を形成す
ることが可能である。しかしながら、ポリイミド前駆体
溶液を基板上に塗布し、その後加熱焼成により脱水閉環
させてポリイミド膜を形成させる場合、一般には200
℃以上、好ましくは250℃〜300℃程度の高温焼成
が必要とされ、特により安定した液晶配向を得る上で
は、より高温での焼成が重要である。そのため、プラス
チック基板などの耐熱性の低い基板への適用は困難であ
った。
[0007] Soluble polyimide or polyamide can be heated and dried at a relatively low temperature of, for example, about 100 ° C to 200 ° C to form a polyimide film or polyamide film on a substrate. However, when a polyimide precursor solution is applied on a substrate and then dehydrated and closed by heating and baking to form a polyimide film, generally, 200
High-temperature baking at a temperature of at least 250C, preferably about 250C to 300C is required, and baking at a higher temperature is particularly important for obtaining more stable liquid crystal alignment. Therefore, application to a substrate having low heat resistance such as a plastic substrate has been difficult.

【0008】さらに、ラビング法による液晶配向機構は
必ずしも明らかではないが、ラビングにより配向膜表面
に形成された溝と、ラビング方向に異方性が誘起された
配向膜の高分子鎖と液晶分子との異方的な相互作用によ
り液晶分子が配向するものと考えられている。ラビング
により生じる溝は、液晶分子を溝方向に配向させるもの
の、溝が大きすぎたり不均一であった場合にラビング傷
となって液晶配向の均一性を低下させる場合もあり、コ
ントラストの高い液晶表示素子を作製する上では好まし
くない。一方、ラビングによって高分子鎖の異方性を誘
起させる場合、従来の液晶配向膜をラビングする方法で
はラビング方向へ均一に高分子鎖を配向させることは容
易ではなく、特にラビング傷を回避するために弱いラビ
ング処理を行った場合には顕著に高分子鎖の配向均一性
が低いため、液晶配向の均一性を低下させる問題点があ
った。
Further, although the mechanism of the liquid crystal alignment by the rubbing method is not always clear, the grooves formed on the alignment film surface by the rubbing, the polymer chains of the alignment film in which anisotropy is induced in the rubbing direction, and the liquid crystal molecules. It is considered that the liquid crystal molecules are aligned by the anisotropic interaction of. Grooves generated by rubbing align liquid crystal molecules in the direction of the grooves, but if the grooves are too large or uneven, they may become rubbing scratches and reduce the uniformity of liquid crystal alignment, resulting in a liquid crystal display with high contrast. This is not preferable in manufacturing an element. On the other hand, when inducing the anisotropy of the polymer chains by rubbing, it is not easy to uniformly align the polymer chains in the rubbing direction by the conventional method of rubbing a liquid crystal alignment film, and in particular, to avoid rubbing scratches. When the rubbing treatment is weak, the uniformity of the alignment of the polymer chains is remarkably low, so that there is a problem that the uniformity of the liquid crystal alignment is reduced.

【0009】すなわち、これまでの液晶配向膜ではラビ
ング処理による高分子鎖の配向均一性は必ずしも十分で
はなく、高い液晶配向の均一性、高コントラストを有す
る液晶表示素子を達成する観点からは、ラビングによる
高分子鎖の配向均一性をより向上させることが重要な課
題である。高分子鎖の配向均一性が高いポリマーとして
は特開平11−65854号公報、特開平11−658
55号公報などに記載されているが、これらのポリマー
は溶媒への溶解性が必ずしも十分ではなかった。
That is, in the conventional liquid crystal alignment film, the alignment uniformity of the polymer chains by the rubbing treatment is not always sufficient. From the viewpoint of achieving a liquid crystal display element having high uniformity of liquid crystal alignment and high contrast, rubbing is not preferable. It is an important issue to further improve the uniformity of the orientation of the polymer chains by the method. Japanese Patent Application Laid-Open Nos. 11-65854 and 11-658 disclose polymers having a high orientation uniformity of polymer chains.
As described in Japanese Patent No. 55-55, these polymers did not always have sufficient solubility in a solvent.

【0010】本発明は、新規なジアミン、それを用いた
ポリアミド、ポリアミド酸およびポリイミドに関するも
のであり、このポリアミドを用いる場合、溶剤への溶解
性に優れ、低温焼成可能で、かつラビングによる高分子
鎖の配向均一性に優れ、高い液晶配向均一性が得られる
液晶配向膜を形成しうる液晶配向処理剤を提供するもの
であって、さらにはポリアミド酸および/またはポリイ
ミドを用いる場合、ラビングによる高分子鎖の配向均一
性に優れ、高い液晶配向均一性が得られる液晶配向膜を
形成しうる液晶配向処理剤を提供するものである。
The present invention relates to a novel diamine, and a polyamide, a polyamic acid and a polyimide using the same. When this polyamide is used, the polymer is excellent in solubility in a solvent, can be fired at a low temperature, and can be rubbed. It is intended to provide a liquid crystal alignment treatment agent capable of forming a liquid crystal alignment film having excellent chain alignment uniformity and high liquid crystal alignment uniformity. Further, when polyamic acid and / or polyimide is used, high rubbing due to rubbing occurs. It is an object of the present invention to provide a liquid crystal alignment treatment agent which is capable of forming a liquid crystal alignment film having excellent molecular chain alignment uniformity and high liquid crystal alignment uniformity.

【0011】[0011]

【課題を解決するための手段】本発明は、液晶配向処理
剤として有用なポリアミド、ポリアミド酸またはポリイ
ミド、およびそれらの原料化合物に関するものであり、
溶媒に対する溶解性、ラビングによる高分子鎖の配向均
一性に対して鋭意検討した結果、新規なポリアミド、ポ
リアミドサンおよびポリイミド樹脂を見出し本発明を完
成するに至った。すなわち、本発明は、下記一般式
(I)
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention relates to a polyamide, a polyamic acid or a polyimide useful as a liquid crystal alignment treatment agent, and a raw material compound thereof.
As a result of intensive studies on the solubility in a solvent and the uniformity of orientation of the polymer chains by rubbing, novel polyamides, polyamide sans and polyimide resins were found, and the present invention was completed. That is, the present invention provides the following general formula (I)

【0012】[0012]

【化4】 Embedded image

【0013】(式中、R1〜R4は炭素数1〜6のアルキ
ル基またはフェニル基、X1およびX2はエーテル結合、
エステル結合またはアミド結合、mは2〜20の整数で
ある。)で表されるシルフェニレン残基を有するジアミ
ン化合物、下記一般式(II)
(Wherein, R 1 to R 4 are an alkyl group or phenyl group having 1 to 6 carbon atoms, X 1 and X 2 are ether bonds,
An ester bond or an amide bond, m is an integer of 2 to 20. A diamine compound having a silphenylene residue represented by the following general formula (II):

【0014】[0014]

【化5】 Embedded image

【0015】(式中、R1〜R4は炭素数1〜6のアルキ
ル基またはフェニル基、X1およびX2はエーテル結合、
エステル結合またはアミド結合、A1はジカルボン酸を
構成する2価の有機基、mは2〜20の整数である。)
で表される繰り返し単位を少なくとも5モル%含有し、
重量平均分子量が少なくとも2,000であるポリアミ
ド、もしくは下記一般式(III)
(Wherein, R 1 to R 4 are an alkyl group or phenyl group having 1 to 6 carbon atoms, X 1 and X 2 are ether bonds,
An ester bond or an amide bond, A 1 is a divalent organic group constituting a dicarboxylic acid, and m is an integer of 2 to 20. )
Containing at least 5 mol% of a repeating unit represented by
Polyamide having a weight average molecular weight of at least 2,000, or the following general formula (III)

【0016】[0016]

【化6】 Embedded image

【0017】(式中、R1〜R4は炭素数1〜6のアルキ
ル基またはフェニル基、A2はテトラカルボン酸を構成
する4価の有機基、mは2〜20の整数である。)で表
される繰り返し単位を少なくとも5モル%含有し、重量
平均分子量が少なくとも2,000であるポリアミド酸
および該ポリアミド酸から誘導されるポリイミドに関す
るものである。
(Wherein, R 1 to R 4 are an alkyl group or phenyl group having 1 to 6 carbon atoms, A 2 is a tetravalent organic group constituting tetracarboxylic acid, and m is an integer of 2 to 20). The present invention relates to a polyamic acid containing at least 5 mol% of the repeating unit represented by the formula (1) and having a weight average molecular weight of at least 2,000, and a polyimide derived from the polyamic acid.

【0018】また、本発明は、透明電極付き基板上に塗
布、焼成した後、ラビング処理してなる液晶配向膜の形
成に使用される液晶配向処理剤において、該液晶配向処
理剤が前記一般式(II)で表される繰り返し単位を少な
くとも5モル%含有し、重量平均分子量が少なくとも
2,000であるシルフェニレン残基を有するポリアミ
ド溶液であることを特徴とする液晶配向処理剤、および
該液晶配向処理剤を用いて形成される液晶配向膜を用い
ることを特徴とする液晶素子、さらには、該液晶配向処
理剤が前記一般式(III)で表される繰り返し単位を少
なくとも5モル%含有し、重量平均分子量が少なくとも
2,000であるポリアミド酸溶液および/または該ポ
リアミド酸から誘導されるポリイミド溶液であることを
特徴とする液晶配向処理剤、および該液晶配向処理剤を
用いて形成される液晶配向膜を用いることを特徴とする
液晶素子に関するものである。
Further, the present invention relates to a liquid crystal alignment treatment agent used for forming a liquid crystal alignment film formed by rubbing after coating and firing on a substrate with a transparent electrode, wherein the liquid crystal alignment treatment agent has the general formula A liquid crystal alignment treatment agent comprising a polyamide solution having a silphenylene residue having a weight average molecular weight of at least 2,000, containing at least 5 mol% of the repeating unit represented by (II), and the liquid crystal A liquid crystal element characterized by using a liquid crystal alignment film formed using an alignment treatment agent, and the liquid crystal alignment treatment agent contains at least 5 mol% of a repeating unit represented by the general formula (III). A polyamic acid solution having a weight average molecular weight of at least 2,000 and / or a polyimide solution derived from the polyamic acid. Agents, and to a liquid crystal element characterized by using a liquid crystal alignment film formed by using the liquid crystal aligning agent.

【0019】[0019]

【発明の実施の形態】前記一般式(I)および(II)中
1〜R4で表される炭素数1〜6のアルキル基として
は、メチル基、エチル基、プロピル基、iso−プロピル
基、ブチル基、sec−ブチル基、t-ブチル基、ペンチル
基およびヘキシル基等を例示することができるが、原料
化合物の入手し易さおよび合成の容易さからメチル基が
最も好ましい。また、前記一般式(I)および(II)中
1およびX2で表される結合において、エーテル結合と
はX1およびX2が酸素原子または硫黄原子である場合で
あり、エステル結合とはX1が−OC(=O)-で表され
る基でありかつX2が−C(=O)O−で表される基で
ある場合、あるいはX1が−C(=O)O−で表される
基でありかつX2が−OC(=O)−で表される基であ
る場合であり、アミド結合とはX1が−N(−H)C
(=O)−で表される基でありかつX2が−C(=O)
N(−H)−で表される基である場合、あるいはX1
−C(=O)N(−H)−で表される基でありかつX2
が−N(−H)C(=O)−で表される基である場合で
ある。
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION In the above general formulas (I) and (II), the alkyl group having 1 to 6 carbon atoms represented by R 1 to R 4 is a methyl group, an ethyl group, a propyl group, an iso-propyl group. Groups, a butyl group, a sec-butyl group, a t-butyl group, a pentyl group, a hexyl group and the like can be exemplified, and a methyl group is most preferred in view of availability of raw material compounds and ease of synthesis. In the bonds represented by X 1 and X 2 in the general formulas (I) and (II), an ether bond is a case where X 1 and X 2 are an oxygen atom or a sulfur atom. X 1 is a group represented by —OC (= O) — and X 2 is a group represented by —C (= O) O—, or X 1 is —C (= O) O—. And X 2 is a group represented by —OC (= O) —, and the amide bond means that X 1 is —N (—H) C
(= O) - in a group represented and X 2 is -C (= O)
N (-H) - it is a group represented by or X 1 is -C (= O) N (-H ) - a group represented by and X 2
Is a group represented by -N (-H) C (= O)-.

【0020】前記一般式(I)で表される本発明のジア
ミン化合物は、例えば以下に示すような方法により製造
することができる。すなわち、下記一般式(IV)
The diamine compound of the present invention represented by the general formula (I) can be produced, for example, by the following method. That is, the following general formula (IV)

【0021】[0021]

【化7】 Embedded image

【0022】(式中、R1〜R4は炭素数1〜6のアルキ
ル基またはフェニル基である。)で表されるシルフェニ
レン化合物と、下記一般式(V)
(Wherein, R 1 to R 4 are an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms or a phenyl group); and a general formula (V):

【0023】[0023]

【化8】 Embedded image

【0024】(式中、Xはエーテル結合、エステル結合
またはアミド結合、mは2〜20の整数である。)で表
されるアルケニル化合物とをヒドロシリル化触媒存在下
反応させ、下記一般式(VI)
(Wherein X is an ether bond, an ester bond or an amide bond, and m is an integer of 2 to 20) in the presence of a hydrosilylation catalyst. )

【0025】[0025]

【化9】 Embedded image

【0026】(式中、R1〜R4は炭素数1〜6のアルキ
ル基またはフェニル基、X1およびX2はエーテル結合、
エステル結合またはアミド結合、mは2〜20の整数で
ある。)で表されるジニトロ化合物を得た後、該化合物
のニトロ基を通常用いられる反応により還元することに
より前記一般式(I)で表されるジアミン化合物を製造
できる。
(Wherein, R 1 to R 4 are alkyl or phenyl groups having 1 to 6 carbon atoms, X 1 and X 2 are ether bonds,
An ester bond or an amide bond, m is an integer of 2 to 20. After obtaining the dinitro compound represented by the formula (1), the diamine compound represented by the formula (I) can be produced by reducing the nitro group of the compound by a commonly used reaction.

【0027】ここで用いられるヒドロシリル化触媒とし
ては、白金、白金−炭素、塩化白金酸、白金−1,3-ジビ
ニルテトラメチルジシロキサン錯体、ジ(シアノフェニ
ル)プラチナムジクロリドおよびジシクロペンタジエニ
ルプラチナムジクロリドなどの白金系触媒を用いるのが
最も一般的であるが、その他にもパラジウムやロジウム
を含む金属錯体が使用可能である。例えば、(Ph3P)4
Pd、(Ph3P)2PdCl2、(PhCN)2PdCl2
(Ph3P)3RhCl、(Ph2PH)2RhCl、(Ph
3P)2(CO)RhClおよび[(C25)3P]2(CO)R
hClなどを触媒として用いることができる。用いる触
媒の量は、前記一般式(V)で表されるアルケニル化合
物に対して通常1/100〜1/5000当量程度で充
分である。
The hydrosilylation catalyst used herein includes platinum, platinum-carbon, chloroplatinic acid, platinum-1,3-divinyltetramethyldisiloxane complex, di (cyanophenyl) platinum dichloride and dicyclopentadienyl platinum. Most commonly, a platinum-based catalyst such as dichloride is used, but other metal complexes containing palladium and rhodium can also be used. For example, (Ph 3 P) 4
Pd, (Ph 3 P) 2 PdCl 2 , (PhCN) 2 PdCl 2 ,
(Ph 3 P) 3 RhCl, (Ph 2 PH) 2 RhCl, (Ph
3 P) 2 (CO) RhCl and [(C 2 H 5) 3 P] 2 (CO) R
hCl or the like can be used as a catalyst. The amount of the catalyst used is usually about 1/100 to 1/5000 equivalents to the alkenyl compound represented by the general formula (V).

【0028】また、この反応は溶媒中で行うのが好まし
く、溶媒としては、ヘキサン、ベンゼン、トルエン、ア
セトン、クロロホルム、ジクロロメタン、トリクロロエ
チレンおよびテトラヒドロフラン等を用いることができ
る。反応温度は通常40℃〜100℃の温度範囲で行
い、またアルゴンや窒素等の不活性気体雰囲気下で行う
のが好ましい。
This reaction is preferably carried out in a solvent. As the solvent, hexane, benzene, toluene, acetone, chloroform, dichloromethane, trichloroethylene, tetrahydrofuran and the like can be used. The reaction is usually carried out in a temperature range of 40 ° C. to 100 ° C., and preferably in an atmosphere of an inert gas such as argon or nitrogen.

【0029】また、上記のニトロ基の還元反応は通常用
いられる公知の還元剤と反応させることにより容易に進
行するが、水素ガス雰囲気下ニッケル、白金、パラジウ
ム、ロジウムなどの金属を触媒とした接触還元を行なう
ことにより、前記一般式(VI)で表されるジニトロ化合
物から本発明の前記一般式(I)で表されるジアミン化
合物を収率良く合成することができる。いずれの反応も
溶媒中で行なうことが望ましく、溶媒としては反応に関
与しないものであればいずれでもよく、アルコール、テ
トラヒドロフラン、ジメトキシエタン、ジオキサン、ベ
ンゼン、トルエン等を例示することができる。反応温度
は−100℃〜150℃、好ましくは−50℃〜100
℃の範囲で行なうことができる。
The above-mentioned reduction reaction of the nitro group can easily proceed by reacting with a generally used known reducing agent. However, in a hydrogen gas atmosphere, a catalytic reaction using a metal such as nickel, platinum, palladium or rhodium as a catalyst is carried out. By performing the reduction, the dinitro compound represented by the general formula (I) of the present invention can be synthesized with a high yield from the dinitro compound represented by the general formula (VI). It is desirable to carry out each reaction in a solvent, and any solvent may be used as long as it does not participate in the reaction, and examples thereof include alcohol, tetrahydrofuran, dimethoxyethane, dioxane, benzene, and toluene. The reaction temperature is -100 ° C to 150 ° C, preferably -50 ° C to 100 ° C.
It can be performed in the range of ° C.

【0030】前記一般式(IV)で表されるシルフェニレ
ン化合物の一部は市販されており、市販されていないも
のについても公知の方法により容易に合成できる。ま
た、前記一般式(V)で表されるアルケニル化合物は、
例えば、下記一般式(VII)
Some of the silphenylene compounds represented by the general formula (IV) are commercially available, and those not commercially available can be easily synthesized by known methods. The alkenyl compound represented by the general formula (V) is
For example, the following general formula (VII)

【0031】[0031]

【化10】 Embedded image

【0032】(式中、Y1はフッ素以外のハロゲン原
子、トシルオキシ基、水酸基、カルボキシル基またはア
ミノ基、mは2〜20の整数である。)で表される化合
物群と、下記一般式(VIII)
(Wherein Y 1 is a halogen atom other than fluorine, a tosyloxy group, a hydroxyl group, a carboxyl group or an amino group, and m is an integer of 2 to 20), and a compound represented by the following general formula ( VIII)

【0033】[0033]

【化11】 Embedded image

【0034】(式中、Y2は水酸基、チオール基、カル
ボキシル基またはアミノ基である。)で表される化合物
群とを適当な組合せで混合し反応させることにより製造
できる。すなわち、前記一般式(V)で表されるアルケ
ニル化合物のうちXがエーテル結合であるものについて
は、前記一般式(VII)で表される化合物のうちY1がフ
ッ素以外のハロゲン原子またはトシルオキシ基であるも
のと前記一般式(VIII)で表される化合物のうちY2
水酸基またはチオール基であるものとを混合し通常の方
法によりエーテル化反応を行うことにより容易に製造で
きる。また、前記一般式(V)で表されるアルケニル化
合物のうちXがエステル結合であるものについては、前
記一般式(VII)で表される化合物のうちY1が水酸基で
あるものと前記一般式(VIII)で表される化合物のうち
2がカルボキシル基であるものとを混合するか、ある
いは前記一般式(VII)で表される化合物のうちY1がカ
ルボキシル基であるものと前記一般式(VIII)で表され
る化合物のうちY2が水酸基であるものとを混合し通常
の方法により縮合反応を行うことにより容易に製造でき
る。
(Wherein, Y 2 is a hydroxyl group, a thiol group, a carboxyl group or an amino group) in a suitable combination and reacted. That is, for those X of alkenyl compound represented by the general formula (V) is an ether bond, a halogen atom or a tosyloxy group Y 1 is other than fluorine of the above formula (VII) Compound And a compound represented by formula (VIII) wherein Y 2 is a hydroxyl group or a thiol group, and the mixture is subjected to an etherification reaction by a usual method to easily produce the compound. Further, among the alkenyl compounds represented by the general formula (V), those in which X is an ester bond include those in which Y 1 is a hydroxyl group in the compounds represented by the general formula (VII) and A compound represented by the formula (VIII) wherein Y 2 is a carboxyl group is mixed, or a compound represented by the formula (VII) wherein Y 1 is a carboxyl group and It can be easily produced by mixing the compound represented by (VIII) with a compound in which Y 2 is a hydroxyl group and performing a condensation reaction by a usual method.

【0035】さらに、前記一般式(V)で表されるアル
ケニル化合物のうちXがアミド結合であるものについて
は、前記一般式(VII)で表される化合物のうちY1がア
ミノ基であるものと前記一般式(VIII)で表される化合
物のうちY2がカルボキシル基であるものとを混合する
か、あるいは前記一般式(VII)で表される化合物のう
ちY1がカルボキシル基であるものと前記一般式(VII
I)で表される化合物のうちY2がアミノ基であるものと
を混合し通常の方法により縮合反応を行うことにより容
易に製造できる。
Further, among the alkenyl compounds represented by the general formula (V), those in which X is an amide bond, those in which Y 1 is an amino group among the compounds represented by the general formula (VII) And a compound of the formula (VIII) wherein Y 2 is a carboxyl group, or a compound of the formula (VII) wherein Y 1 is a carboxyl group And the general formula (VII
It can be easily produced by mixing a compound represented by I) wherein Y 2 is an amino group and conducting a condensation reaction by an ordinary method.

【0036】また、前記一般式(VI)で表されるジニト
ロ化合物のうちX1およびX2がエステル結合またはアミ
ド結合であるものの一部は、以下に示す原料化合物から
別途合成することも可能である。すなわち、下記一般式
(IX)
Some of the dinitro compounds represented by the general formula (VI) wherein X 1 and X 2 are ester bonds or amide bonds can be separately synthesized from the following starting compounds. is there. That is, the following general formula (IX)

【0037】[0037]

【化12】 Embedded image

【0038】(式中、R1〜R4は炭素数1〜6のアルキ
ル基またはフェニル基、mは2〜20の整数である。)
で表される化合物と前記一般式(VIII)で表される化合
物のうちY2が水酸基またはアミノ基であるものとを混
合し通常の方法により縮合反応を行うことにより、前記
一般式(VI)で表されるジニトロ化合物のうちX1およ
びX2がエステル結合またはアミド結合であるものの一
部を合成できる。
(Wherein, R 1 to R 4 are an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms or a phenyl group, and m is an integer of 2 to 20).
And a compound represented by the general formula (VIII), wherein Y 2 is a hydroxyl group or an amino group, and subjected to a condensation reaction by a conventional method to obtain a compound represented by the general formula (VI) A part of the dinitro compounds represented by the formulas in which X 1 and X 2 are ester bonds or amide bonds can be synthesized.

【0039】ここで用いられる前記一般式(IX)で表さ
れる化合物は、例えば、前記一般式(IV)で表されるシ
ルフェニレン化合物と、下記一般式(X)
The compound represented by the general formula (IX) used herein is, for example, a silphenylene compound represented by the general formula (IV) and a compound represented by the following general formula (X)

【0040】[0040]

【化13】 Embedded image

【0041】(式中、Rは低級アルキル基、mは2〜2
0の整数である。)で表されるアルケニル化合物とをヒ
ドロシリル化触媒存在下反応させ、下記一般式(XI)
Wherein R is a lower alkyl group and m is 2 to 2
It is an integer of 0. With an alkenyl compound represented by the formula (XI):

【0042】[0042]

【化14】 Embedded image

【0043】(式中、R1〜R4は炭素数1〜6のアルキ
ル基またはフェニル基、Rは低級アルキル基、mは2〜
20の整数である。)で表されるエステル化合物を得た
後、該化合物のエステル部位を通常用いられる反応によ
り加水分解することにより製造できる。
Wherein R 1 to R 4 are an alkyl group or phenyl group having 1 to 6 carbon atoms, R is a lower alkyl group, and m is 2 to
It is an integer of 20. )), And then can be produced by hydrolyzing the ester site of the compound by a commonly used reaction.

【0044】尚、前記一般式(X)および(XI)中でR
で表される低級アルキル基としては、メチル基、エチル
基、プロピル基、iso−プロピル基、ブチル基、sec−ブ
チル基、t-ブチル基、ペンチル基およびヘキシル基等を
例示することができる。
In the general formulas (X) and (XI), R
Examples of the lower alkyl group represented by are a methyl group, an ethyl group, a propyl group, an isopropyl group, a butyl group, a sec-butyl group, a t-butyl group, a pentyl group and a hexyl group.

【0045】このようにして得られる前記一般式(I)
で表される本発明のシルフェニレン残基を有するジアミ
ン化合物(以下、本発明のジアミン化合物という。)を
モノマーとして、前記一般式(II)で表わされる繰り返
し単位を少なくとも5モル%含有する本発明のポリアミ
ド(以下、本発明のポリアミドという。)、もしくは前
記一般式(III)で表わされる繰り返し単位を少なくと
も5モル%含有する本発明のポリアミド酸(以下、本発
明のポリアミド酸という。)および該ポリアミド酸から
誘導されるポリイミド(以下、本発明のポリイミドとい
う。)を製造することができる。本発明のポリアミド
は、本発明のジアミン化合物と下記一般式(XII)
The thus obtained general formula (I)
The present invention comprising a diamine compound having a silphenylene residue of the present invention represented by the following formula (hereinafter, referred to as the diamine compound of the present invention) as a monomer and containing at least 5 mol% of the repeating unit represented by the general formula (II). (Hereinafter, referred to as the polyamide of the present invention), or the polyamic acid of the present invention containing at least 5 mol% of the repeating unit represented by the general formula (III) (hereinafter, referred to as the polyamic acid of the present invention), and Polyimide derived from polyamic acid (hereinafter, referred to as polyimide of the present invention) can be produced. The polyamide of the present invention comprises a diamine compound of the present invention and the following general formula (XII)

【0046】[0046]

【化15】 Embedded image

【0047】(式中、A3はジアミンを構成する2価の
有機基である。)で表されるジアミン化合物とを、本発
明のジアミン化合物が少なくとも5モル%となるように
混合した上、さらに下記一般式(XIII)
(Wherein, A 3 is a divalent organic group constituting a diamine) and a diamine compound of the present invention are mixed at least 5 mol%. Further, the following general formula (XIII)

【0048】[0048]

【化16】 Embedded image

【0049】(式中、A1はジカルボン酸を構成する2
価の有機基である。)で表されるジカルボン酸化合物を
上記のジアミン化合物の総モル量に対して等モル量とな
るように混合し、通常の方法により重縮合反応を行なう
ことにより合成することができる。また、上記の反応に
おいて前記一般式(XII)で表されるジアミン化合物を
用いずに、本発明のジアミン化合物と前記一般式(XII
I)で表されるジカルボン酸化合物とを等モル量混合し
重縮合反応を行っても良い。
Wherein A 1 is a dicarboxylic acid
Is a valence organic group. Can be synthesized by mixing the dicarboxylic acid compound represented by the formula (1) in an equimolar amount with respect to the total molar amount of the above diamine compound, and performing a polycondensation reaction by an ordinary method. Further, in the above reaction, the diamine compound of the present invention and the diamine compound of the general formula (XII) were used without using the diamine compound represented by the general formula (XII).
The polycondensation reaction may be performed by mixing equimolar amounts of the dicarboxylic acid compound represented by I).

【0050】上記のモノマーを用いる場合、重縮合反応
は縮合剤の存在下行うことが望ましく、亜リン酸トリフ
ェニル、亜リン酸トリトルイル、亜リン酸トリ(クロロ
フェニル)、ジクロロ亜リン酸フェニル、ジクロロリン
酸ジフェニル、トリフェニルホスフィン/ヘキサクロロ
エタン、ジフェニル(2,3-ヒドロ-2-チオキソ-3-ベンゾ
チアゾリル)ホスホナート、(C3H7)3P(O)O、POCl3、SOCl
2、SiCl4、(CH3)2SiCl2等の縮合剤に必要に応じてピリ
ジン、4-(ジメチルアミノ)ピリジン、トリエチルアミ
ン、N,N−ジメチルアニリン、イミダゾールなどの有
機塩基を添加して用いることにより反応が好適に進行す
る。また、この反応は有機溶媒中で行うことが好まし
く、ヘキサン、テトラヒドロフラン、ジオキサン、ジメ
トキシエタン、ベンゼン、トルエン、ピリジン、クロロ
ホルム、ジクロロエタン、ジメチルホルムアミド、N,
N−ジメチルアセトアミド、N,N−ジメチルスルホキ
シド、N-メチルピロリドン、ヘキサメチルホスホルア
ミド等が好適に用いられる。さらに、この縮合反応で得
られるポリアミドの溶解性が低い場合には、塩化カルシ
ウム、塩化リチウム、臭化リチウム等の無機塩基を添加
して行うことにより好適に反応が進行する。この縮合反
応における反応温度は、通常室温から200℃程度の温
度範囲が好ましい。
When the above monomers are used, the polycondensation reaction is desirably carried out in the presence of a condensing agent. Triphenyl phosphite, tritoluyl phosphite, tri (chlorophenyl) phosphite, phenyl dichlorophosphite, dichlorophosphite Diphenyl phosphate, triphenylphosphine / hexachloroethane, diphenyl (2,3-hydro-2-thioxo-3-benzothiazolyl) phosphonate, (C 3 H 7 ) 3 P (O) O, POCl 3 , SOCl
2 , an organic base such as pyridine, 4- (dimethylamino) pyridine, triethylamine, N, N-dimethylaniline, or imidazole is added to a condensing agent such as 2 , SiCl 4 , (CH 3 ) 2 SiCl 2 as necessary. Thereby, the reaction proceeds suitably. This reaction is preferably performed in an organic solvent, and hexane, tetrahydrofuran, dioxane, dimethoxyethane, benzene, toluene, pyridine, chloroform, dichloroethane, dimethylformamide, N,
N-dimethylacetamide, N, N-dimethylsulfoxide, N-methylpyrrolidone, hexamethylphosphoramide and the like are preferably used. Further, when the solubility of the polyamide obtained by this condensation reaction is low, the reaction suitably proceeds by adding an inorganic base such as calcium chloride, lithium chloride or lithium bromide. The reaction temperature in the condensation reaction is preferably in the range of usually room temperature to about 200 ° C.

【0051】前記一般式(XII)で表されるジアミン化
合物としては、1,4-フェニレンジアミン、1,3-フェニレ
ンジアミン、2,5-ジアミノトルエン、2,6-ジアミノトル
エン、4,4'-ジアミノビフェニル、3,3'-ジメチル-4,4'-
ジアミノビフェニル、3,3'-ジメトキシ-4,4'-ジアミノ
ビフェニル、4,4'-ジアミノジフェニルメタン、4,4'-ジ
アミノジフェニルエーテル、2,2-ビス(4-アミノフェニ
ル)プロパン、4,4'-ジアミノジフェニルスルホン、4,
4'-ジアミノベンゾフェノン、1,4-ビス(4-アミノフェ
ニル)ベンゼン、1,4-ビス(4-アミノフェノキシ)ベン
ゼン、4,4'-ビス(4-アミノフェノキシ)ジフェニルス
ルホン、2,2-ビス[4-(4-アミノフェノキシ)フェニル]プ
ロパン、ビス(4-アミノシクロヘキシル)メタン、ビス
(4-アミノフェニル)アジペート、ビス(3-アミノフェ
ニル)アジペート、ビス(4-アミノフェニル)ピメレー
ト、ビス(4-アミノフェニル)スベレート、ビス(4-ア
ミノフェニル)アゼレエート、ビス(4-アミノフェニ
ル)セバセート、エチレンジアミン、1,3-ジアミノプロ
パン、テトラメチレンジアミン、ペンタメチレンジアミ
ン、ヘキサメチレンジアミン、ヘプタメチレンジアミ
ン、オクタメチレンジアミン、ノナメチレンジアミン、
デカメチレンジアミンおよびドデカメチレンジアミン等
を例示できる。
The diamine compound represented by the general formula (XII) includes 1,4-phenylenediamine, 1,3-phenylenediamine, 2,5-diaminotoluene, 2,6-diaminotoluene, and 4,4 ′ -Diaminobiphenyl, 3,3'-dimethyl-4,4'-
Diaminobiphenyl, 3,3'-dimethoxy-4,4'-diaminobiphenyl, 4,4'-diaminodiphenylmethane, 4,4'-diaminodiphenyl ether, 2,2-bis (4-aminophenyl) propane, 4,4 '-Diaminodiphenyl sulfone, 4,
4'-diaminobenzophenone, 1,4-bis (4-aminophenyl) benzene, 1,4-bis (4-aminophenoxy) benzene, 4,4'-bis (4-aminophenoxy) diphenylsulfone, 2,2 -Bis [4- (4-aminophenoxy) phenyl] propane, bis (4-aminocyclohexyl) methane, bis (4-aminophenyl) adipate, bis (3-aminophenyl) adipate, bis (4-aminophenyl) pimelate , Bis (4-aminophenyl) suberate, bis (4-aminophenyl) azelate, bis (4-aminophenyl) sebacate, ethylenediamine, 1,3-diaminopropane, tetramethylenediamine, pentamethylenediamine, hexamethylenediamine, hepta Methylene diamine, octamethylene diamine, nonamethylene diamine,
Decamethylenediamine and dodecamethylenediamine can be exemplified.

【0052】前記一般式(XIII)で表されるジカルボン
酸化合物の具体例としては、テレフタル酸、イソフタル
酸、2,6-ナフタレンジカルボン酸、1,6-ナフタレンジカ
ルボン酸、2,6ーアントラセンジカルボン酸、1,6ーアント
ラセンジカルボン酸、4,4'-ビフェニルジカルボン酸、
シュウ酸、フマル酸、マレイン酸、マロン酸、コハク
酸、グルタル酸、アジピン酸、ピメリン酸、スベリン
酸、アゼライン酸、セバシン酸、1,9-ノナンジカルボン
酸および1,10-デカンジカルボン酸等を挙げることがで
きる。
Specific examples of the dicarboxylic acid compound represented by the general formula (XIII) include terephthalic acid, isophthalic acid, 2,6-naphthalenedicarboxylic acid, 1,6-naphthalenedicarboxylic acid, and 2,6-anthracene dicarboxylic acid. Acid, 1,6-anthracenedicarboxylic acid, 4,4′-biphenyldicarboxylic acid,
Oxalic acid, fumaric acid, maleic acid, malonic acid, succinic acid, glutaric acid, adipic acid, pimelic acid, suberic acid, azelaic acid, sebacic acid, 1,9-nonanedicarboxylic acid and 1,10-decanedicarboxylic acid Can be mentioned.

【0053】さらに、本発明のポリアミドは、前記一般
式(XIII)で表されるジカルボン酸化合物を塩化チオニ
ルや臭化チオニルなどと反応させて酸ハロゲン化物とし
た後、本発明のジアミン化合物、または本発明のジアミ
ン化合物と前記一般式(XII)で表されるジアミン化合
物との混合物と重縮合反応することによっても製造でき
る。なお、この場合にはハロゲン化水素が発生するの
で、その捕捉剤としてトリエチルアミン、N,N-ジメ
チルアニリンおよびピリジン等の有機塩基存在下で行な
うことにより好適に反応が進行する。
Further, the polyamide of the present invention is obtained by reacting the dicarboxylic acid compound represented by the general formula (XIII) with thionyl chloride, thionyl bromide or the like to form an acid halide, and then diamine compound of the present invention or It can also be produced by a polycondensation reaction with a mixture of the diamine compound of the present invention and the diamine compound represented by the general formula (XII). Since hydrogen halide is generated in this case, the reaction suitably proceeds when the reaction is carried out in the presence of an organic base such as triethylamine, N, N-dimethylaniline or pyridine as a scavenger.

【0054】また、この場合には0℃〜室温前後の比較
的低い温度で行なうことが、副反応を押さえる点で好ま
しい。これらの反応はいずれも有機溶媒中で行うことが
好ましく、ヘキサン、テトラヒドロフラン、ジオキサ
ン、ジメトキシエタン、ベンゼン、トルエン、ピリジ
ン、クロロホルム、ジクロロエタン、N,N−ジメチル
ホルムアミド、ジメチルスルホキシド、N-メチルピロ
リドン、ヘキサメチルホスホルアミド等が好適に用いら
れる。また、得られるアミドの溶解性が低い場合には、
前記と同様な無機塩基を添加して行うことにより好適に
反応が進行する。
In this case, it is preferable to carry out the reaction at a relatively low temperature of 0 ° C. to about room temperature in order to suppress a side reaction. These reactions are preferably performed in an organic solvent, and include hexane, tetrahydrofuran, dioxane, dimethoxyethane, benzene, toluene, pyridine, chloroform, dichloroethane, N, N-dimethylformamide, dimethylsulfoxide, N-methylpyrrolidone, Methyl phosphoramide and the like are preferably used. When the solubility of the obtained amide is low,
The reaction suitably proceeds by adding the same inorganic base as described above.

【0055】また、本発明のジアミン化合物および前記
一般式(XII)で表されるジアミン化合物からそれぞれ
誘導される以下のモノマー類、すなわち、下記一般式
(XIV)
Further, the following monomers derived from the diamine compound of the present invention and the diamine compound represented by the above general formula (XII), that is, the following monomers represented by the following general formula (XIV)

【0056】[0056]

【化17】 Embedded image

【0057】(式中、R1〜R4は炭素数1〜6のアルキ
ル基またはフェニル基、X1およびX2はエーテル結合、
エステル結合またはアミド結合、Y3はトリオルガノシ
リル基、アセチル基または置換アセチル基、mは2〜2
0の整数である。)で表される化合物および下記一般式
(XV)
(Wherein R 1 to R 4 are alkyl or phenyl groups having 1 to 6 carbon atoms, X 1 and X 2 are ether bonds,
An ester bond or an amide bond, Y 3 is a triorganosilyl group, an acetyl group or a substituted acetyl group, and m is 2 to 2
It is an integer of 0. ) And the following general formula (XV)

【0058】[0058]

【化18】 Embedded image

【0059】(式中、A3はジアミンを構成する2価の
有機基、Y3はトリオルガノシリル基、アセチル基また
は置換アセチル基である。)で表される化合物と、前記
一般式(XIII)で表されるジカルボン酸化合物とを上記
と同様に混合し重縮合反応を行なうか、あるいは、本発
明のジアミン化合物および前記一般式(XII)で表され
るジアミン化合物と、前記一般式(XIII)で表されるジ
カルボン酸化合物から誘導される下記一般式(XVI)
Wherein A 3 is a divalent organic group constituting a diamine, Y 3 is a triorganosilyl group, an acetyl group or a substituted acetyl group, and a compound represented by the above general formula (XIII) Or a polycondensation reaction by mixing the dicarboxylic acid compound represented by the general formula (XII) with the dicarboxylic acid compound represented by the general formula (XIII). The following general formula (XVI) derived from the dicarboxylic acid compound represented by the formula:

【0060】[0060]

【化19】 Embedded image

【0061】(式中、A1はジカルボン酸を構成する2
価の有機基、Y4は低級アルキル基、フェニル基または
置換フェニル基である。)で表される化合物とを上記と
同様に混合し重縮合反応を行なうことによっても、目的
とする本発明のポリアミドを製造することができる。
(In the formula, A 1 is a dicarboxylic acid 2
A valent organic group, Y 4, is a lower alkyl group, a phenyl group or a substituted phenyl group. In the same manner as described above, the desired polyamide of the present invention can also be produced by mixing the compound represented by the formula (1) with the above and conducting a polycondensation reaction.

【0062】ここで、前記一般式(XIV)および(XV)
中Y3で表される置換基のうち、トリオルガノシリル基
としては、トリメチルシリル基、トリエチルシリル基、
フェニルジメチルシリル基およびt-ブチルジメチルシリ
ル基等を、また置換アセチル基としては、トリフルオロ
アセチル基、ブロモアセチル基、ジブロモアセチル基お
よびフェニルアセチル基等をそれぞれ例示できる。
Here, the general formulas (XIV) and (XV)
Among the substituents represented by Y 3 , triorganosilyl groups include trimethylsilyl, triethylsilyl,
Examples of the phenyldimethylsilyl group and t-butyldimethylsilyl group include trifluoroacetyl group, bromoacetyl group, dibromoacetyl group, and phenylacetyl group.

【0063】一方、前記一般式(XVI)中Y4で表される
置換基のうち、低級アルキル基としては、メチル基、エ
チル基、プロピル基、iso−プロピル基、ブチル基、sec
−ブチル基、t-ブチル基、ペンチル基およびヘキシル基
等を、また置換フェニル基としては、クロロフェニル
基、ニトロフェニル基等をそれぞれ例示できる。
On the other hand, among the substituents represented by Y 4 in the above general formula (XVI), lower alkyl groups include methyl, ethyl, propyl, iso-propyl, butyl, sec
A -butyl group, a t-butyl group, a pentyl group and a hexyl group; and the substituted phenyl group include a chlorophenyl group and a nitrophenyl group.

【0064】前記一般式(XIV)、(XV)および(XVI)
で表されるモノマー化合物をそれぞれ用いて重縮合反応
を行う場合には、有機溶媒中で必要に応じて前述の縮合
剤存在下反応させることで目的とするポリアミドが得ら
れるが、その他にも、それぞれのモノマーを所定量混合
した後必要に応じて触媒を添加し、常圧下もしくは減圧
下においてモノマーが溶融する温度まで昇温する事によ
り目的とする本発明のポリアミドを製造することができ
る。ここで用いられる触媒としては、硫酸、硝酸、トシ
ル酸、水酸化リチウム、水酸化カリウム、水酸化ナトリ
ウム、水酸化カルシウム、塩化アルミニウム、トリブチ
ルアルミニウム、塩化チタン、トリブチルチタンおよび
酢酸鉛等を例示できる。
Formulas (XIV), (XV) and (XVI)
In the case of performing a polycondensation reaction using each of the monomer compounds represented by the above, the desired polyamide can be obtained by reacting in the presence of the above-described condensing agent in an organic solvent, if necessary. The desired polyamide of the present invention can be produced by mixing predetermined amounts of the respective monomers, adding a catalyst as needed, and raising the temperature to a temperature at which the monomers melt under normal pressure or reduced pressure. Examples of the catalyst used here include sulfuric acid, nitric acid, tosylic acid, lithium hydroxide, potassium hydroxide, sodium hydroxide, calcium hydroxide, aluminum chloride, tributylaluminum, titanium chloride, tributyltitanium, and lead acetate.

【0065】一方、本発明のポリアミド酸は前記一般式
(XII)で表される本発明のジアミン化合物を少なくて
も5モル%含有することが必須であるが、その製造方法
は特に限定されるものではない。一般には、下記一般式
(XVII)
On the other hand, it is essential that the polyamic acid of the present invention contains at least 5 mol% of the diamine compound of the present invention represented by the general formula (XII), but its production method is particularly limited. Not something. In general, the following general formula (XVII)

【0066】[0066]

【化20】 Embedded image

【0067】(式中、A2はテトラカルボン酸を構成す
る4価の有機基である。)で表されるテトラカルボン酸
二無水物またはその誘導体とジアミンをモル比0.50
〜2.0、好ましくは0.9〜1.10の範囲で有機溶
媒中で反応重合させてポリアミド酸を得ることができ
る。テトラカルボン酸二無水物またはその誘導体とジア
ミンの重合反応温度は−20〜150℃の任意の温度を
採用することができるが、特に−5〜100℃の範囲が
好ましい。
(Wherein A 2 is a tetravalent organic group constituting a tetracarboxylic acid). The molar ratio of tetracarboxylic dianhydride or its derivative represented by the following formula and diamine is 0.50.
The polyamic acid can be obtained by reaction polymerization in an organic solvent in the range of from 2.0 to 2.0, preferably from 0.9 to 1.10. The polymerization reaction temperature of the tetracarboxylic dianhydride or a derivative thereof and the diamine can be any temperature of -20 to 150C, but is particularly preferably in the range of -5 to 100C.

【0068】また、重合反応に際して用いられる有機溶
媒の具体例としては、N,N−ジメチルホルムアミド、
N,N−ジメチルアセトアミド、N−メチル−2−ピロ
リドン、N−メチルカプロラクタム、ジメチルスルホキ
シド、テトラメチル尿素、ピリジン、ジメチルスルホ
ン、ヘキサメチルホスホルアミドおよびブチルラクトン
等を挙げることができる。これらは単独でも、また混合
して使用しても良い。更に、ポリアミド酸を溶解しない
溶剤であっても、その溶剤を均一溶液が得られる範囲内
で上記溶剤に加えて使用しても良い。
Specific examples of the organic solvent used in the polymerization reaction include N, N-dimethylformamide,
Examples thereof include N, N-dimethylacetamide, N-methyl-2-pyrrolidone, N-methylcaprolactam, dimethylsulfoxide, tetramethylurea, pyridine, dimethylsulfone, hexamethylphosphoramide, butyllactone, and the like. These may be used alone or as a mixture. Further, even if the solvent does not dissolve the polyamic acid, the solvent may be used in addition to the above solvent within a range where a homogeneous solution can be obtained.

【0069】前記一般式(XVII)で表されるテトラカル
ボン酸二無水物の具体例としては、ピロメリット酸二無
水物、2,3,6,7−ナフタレンテトラカルボン酸二
無水物、1,2,5,6−ナフタレンテトラカルボン酸
二無水物、1,4,5,8−ナフタレンテトラカルボン
酸二無水物、2,3,6,7−アントラセンテトラカル
ボン酸二無水物、1,2,5,6−アントラセンテトラ
カルボン酸二無水物、3,3’,4,4’−ジフェニル
テトラカルボン酸二無水物、ビス(3,4−ジカルボキ
シフェニル)エーテル二無水物、3,3’,4,4’−
ベンゾフェノンテトラカルボン酸二無水物、ビス(3,
4−ジカルボキシフェニル)スルホン二無水物、ビス
(3,4−ジカルボキシフェニル)メタン二無水物、
2,2−ビス(3,4−ジカルボキシフェニル)プロパ
ン二無水物、1,1,1,3,3,3−ヘキサフルオロ
ー2,2−ビス(3,4−ジカルボキシフェニル)プロ
パン二無水物、ビス(3,4−ジカルボキシフェニル)
ジメチルシラン二無水物、ビス(3,4−ジカルボキシ
フェニル)ジフェニルシラン二無水物、2,3,5,6
−ピリジンテトラカルボン酸二無水物、2,6−ビス
(3,4−ジカルボキシフェノキシ)ピリジン二無水
物、シクロブタンテトラカルボン酸二無水物、シクロペ
ンタンテトラカルボン酸二無水物、シクロヘキサンテト
ラカルボン酸二無水物および3,4−ジカルボキシ1,
2,3,4−テトラヒドロー1−ナフタレンコハク酸テ
トラカルボン酸二無水物等を挙げることができる。
Specific examples of the tetracarboxylic dianhydride represented by the general formula (XVII) include pyromellitic dianhydride, 2,3,6,7-naphthalenetetracarboxylic dianhydride, 2,5,6-naphthalenetetracarboxylic dianhydride, 1,4,5,8-naphthalenetetracarboxylic dianhydride, 2,3,6,7-anthracenetetracarboxylic dianhydride, 1,2,2 5,6-anthracenetetracarboxylic dianhydride, 3,3 ′, 4,4′-diphenyltetracarboxylic dianhydride, bis (3,4-dicarboxyphenyl) ether dianhydride, 3,3 ′, 4,4'-
Benzophenonetetracarboxylic dianhydride, bis (3,
4-dicarboxyphenyl) sulfone dianhydride, bis (3,4-dicarboxyphenyl) methane dianhydride,
2,2-bis (3,4-dicarboxyphenyl) propane dianhydride, 1,1,1,3,3,3-hexafluoro-2,2-bis (3,4-dicarboxyphenyl) propane dianhydride Anhydride, bis (3,4-dicarboxyphenyl)
Dimethylsilane dianhydride, bis (3,4-dicarboxyphenyl) diphenylsilane dianhydride, 2,3,5,6
-Pyridinetetracarboxylic dianhydride, 2,6-bis (3,4-dicarboxyphenoxy) pyridine dianhydride, cyclobutanetetracarboxylic dianhydride, cyclopentanetetracarboxylic dianhydride, cyclohexanetetracarboxylic dianhydride Anhydride and 3,4-dicarboxy 1,
2,3,4-tetrahydro-1-naphthalene succinic acid tetracarboxylic dianhydride and the like can be mentioned.

【0070】また、前記一般式(XVII)で表されるテト
ラカルボン酸二無水物の誘導体としては、テトラカルボ
ン酸、テトラカルボン酸塩化物およびテトラカルボン酸
エステルが挙げられる。
The derivatives of the tetracarboxylic dianhydride represented by the general formula (XVII) include tetracarboxylic acids, tetracarboxylic acid chlorides and tetracarboxylic acid esters.

【0071】また、本発明のポリアミド酸は本発明のジ
アミン化合物を少なくても5モル%含有することが必須
であり、その他のジアミン成分は特に限定されない。そ
の具体例としては、1,4−フェニレンジアミン、1,
3−フェニレンジアミン、2,5−ジアミノトルエン、
2,6−ジアミノトルエン、4,4’−ジアミノビフェ
ニル、3,3’−ジメチル−4,4’−ジアミノビフェ
ニル、3,3’−ジメトキシ−4,4’−ジアミノビフ
ェニル、4,4’−ジアミノジフェニルメタン、4,
4’−ジアミノジフェニルエーテル、2,2−ビス(4
−アミノフェニル)プロパン、4,4’−ジアミノジフ
ェニルスルホン、4,4’−ジアミノベンゾフェノン、
1,4−ビス(4−アミノフェニル)ベンゼン、1,4
−ビス(4−アミノフェノキシ)ベンゼン、4,4’−
ビス(4−アミノフェノキシ)ジフェニルスルホン、
2,2−ビス[4−(4−アミノフェノキシ)フェニ
ル]プロパン、ビス(4−アミノシクロヘキシル)メタ
ン、ビス(4−アミノフェニル)アジペート、ビス(3
−アミノフェニル)アジペート、ビス(4−アミノフェ
ニル)ピメレート、ビス(4−アミノフェニル)スベレ
ート、ビス(4−アミノフェニル)アゼレエート、ビス
(4−アミノフェニル)セバセート、エチレンジアミ
ン、1,3−ジアミノプロパン、テトラメチレンジアミ
ン、ペンタメチレンジアミン、ヘキサメチレンジアミ
ン、ヘプタメチレンジアミン、オクタメチレンジアミ
ン、ノナメチレンジアミン、デカメチレンジアミンおよ
びドデカメチレンジアミン等を例示できる。
It is essential that the polyamic acid of the present invention contains at least 5 mol% of the diamine compound of the present invention, and other diamine components are not particularly limited. Specific examples thereof include 1,4-phenylenediamine, 1,
3-phenylenediamine, 2,5-diaminotoluene,
2,6-diaminotoluene, 4,4'-diaminobiphenyl, 3,3'-dimethyl-4,4'-diaminobiphenyl, 3,3'-dimethoxy-4,4'-diaminobiphenyl, 4,4'- Diaminodiphenylmethane, 4,
4'-diaminodiphenyl ether, 2,2-bis (4
-Aminophenyl) propane, 4,4'-diaminodiphenylsulfone, 4,4'-diaminobenzophenone,
1,4-bis (4-aminophenyl) benzene, 1,4
-Bis (4-aminophenoxy) benzene, 4,4'-
Bis (4-aminophenoxy) diphenyl sulfone,
2,2-bis [4- (4-aminophenoxy) phenyl] propane, bis (4-aminocyclohexyl) methane, bis (4-aminophenyl) adipate, bis (3
-Aminophenyl) adipate, bis (4-aminophenyl) pimelate, bis (4-aminophenyl) suberate, bis (4-aminophenyl) azeleate, bis (4-aminophenyl) sebacate, ethylenediamine, 1,3-diaminopropane , Tetramethylenediamine, pentamethylenediamine, hexamethylenediamine, heptamethylenediamine, octamethylenediamine, nonamethylenediamine, decamethylenediamine, dodecamethylenediamine, and the like.

【0072】さらにポリアミド酸をポリイミドに転化す
るには、加熱による脱水閉環する方法、もしくは触媒に
よって化学的に脱水閉環する方法を用いることができ
る。加熱脱水閉環温度は、150〜450℃、好ましく
は170〜350℃の任意の温度を選択することがで
き、その時間は反応温度にもよるが、30秒〜10時
間、好ましくは5分〜5時間が適当である。また、化学
的に脱水閉環する場合には、公知の方法を採用すること
ができる。
Further, in order to convert the polyamic acid into a polyimide, a method of dehydration and ring closure by heating or a method of chemically dehydration and ring closure with a catalyst can be used. The heat dehydration ring closure temperature can be selected from any temperature of 150 to 450 ° C., preferably 170 to 350 ° C., and the time depends on the reaction temperature, but is 30 seconds to 10 hours, preferably 5 minutes to 5 hours. Time is appropriate. In the case of chemically dehydrating ring closure, a known method can be employed.

【0073】以上述べたような製造方法により得られる
本発明のポリアミド、ポリアミド酸およびポリイミドに
おいて、前記一般式(II)および(III)で表される繰
り返し単位のモル比がそれぞれ10モル%〜100モル
%の範囲にあることが、溶解性およびラビングによる高
分子鎖の配向性の点で好ましい。また、本発明のポリア
ミドおよびポリアミド酸の重量平均分子量は少なくとも
2,000であるが、好ましくは2,000〜300,
000、より好ましくは5,000〜100,000で
あることが、液晶配向の安定性、作業性等の点で好まし
い。分子量は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィ
ー、浸透圧法、光散乱法、粘度法等の公知の方法により
測定される。
In the polyamide, polyamic acid and polyimide of the present invention obtained by the above-described production method, the molar ratio of the repeating units represented by the general formulas (II) and (III) is 10 mol% to 100 mol, respectively. It is preferable that it is in the range of mol% in terms of solubility and orientation of the polymer chain by rubbing. The polyamide and the polyamic acid of the present invention have a weight average molecular weight of at least 2,000, preferably 2,000 to 300,
000, more preferably 5,000 to 100,000, in terms of stability of liquid crystal alignment, workability, and the like. The molecular weight is measured by a known method such as gel permeation chromatography, osmotic pressure method, light scattering method, and viscosity method.

【0074】本発明のポリアミドまたはポリアミド酸を
液晶配向処理剤として使用するに際しては、上記縮合反
応で得られたポリアミド溶液、ポリアミド酸溶液または
ポリイミド溶液をそのまま使用する事もできる。また、
得られたポリアミド溶液、ポリアミド酸溶液またはポリ
イミド溶液から一旦ポリアミド、ポリアミド酸またはポ
リイミドを単離したのち、適当な溶媒に再溶解させて使
用することもできる。再溶解させる溶媒は、得られたポ
リアミド、ポリアミド酸またはポリイミドを溶解させる
ものであれば特に限定されないが、その例としては、
N,N−ジメチルホルムアミド、N,N−ジメチルアセ
トアミド、N−メチルピロリドン、ジメチルスルホキシ
ド、ヘキサメチルホスホルアミド、γ−ブチロラクト
ン、テトラヒドロフラン、ピリジン、クロロホルム、ジ
クロロメタン、クロロベンゼン、ジクロロベンゼン、フ
ェノール、p−クロロフェノール、アニソールおよびク
レゾール等が挙げられる。さらにこの場合、ポリアミド
酸の一部をポリイミドに転化することによりポリアミド
酸とポリイミドとの混合溶液を調整して液晶配向処理剤
として用いることもできる。
When the polyamide or polyamic acid of the present invention is used as a liquid crystal aligning agent, the polyamide solution, polyamic acid solution or polyimide solution obtained by the above condensation reaction can be used as it is. Also,
Once the polyamide, polyamic acid or polyimide is isolated from the obtained polyamide solution, polyamic acid solution or polyimide solution, it can be used by redissolving it in an appropriate solvent. The solvent to be re-dissolved is not particularly limited as long as it dissolves the obtained polyamide, polyamic acid or polyimide.
N, N-dimethylformamide, N, N-dimethylacetamide, N-methylpyrrolidone, dimethylsulfoxide, hexamethylphosphoramide, γ-butyrolactone, tetrahydrofuran, pyridine, chloroform, dichloromethane, chlorobenzene, dichlorobenzene, phenol, p-chloro Phenol, anisole, cresol and the like. Further, in this case, a part of the polyamic acid is converted to a polyimide to prepare a mixed solution of the polyamic acid and the polyimide, which can be used as a liquid crystal alignment treatment agent.

【0075】また、基板への塗布性を改善する目的か
ら、単独ではこのポリアミドまたはポリアミド酸を溶解
させない溶媒であっても溶解性を損なわない範囲であれ
ば上記溶媒に加えてもよい。その例としてはブチルセロ
ソルブ、エチルセロソルブ、エチルカルビトール、ブチ
ルカルビトール、エチルカルビトールアセテート、エチ
レングリコール、トルエンおよびキシレン等が挙げられ
る。また更に、基板への密着性を上げる目的から、シラ
ンカップリング剤等の添加剤を適宜使用する事もでき
る。
For the purpose of improving the coating property on the substrate, a solvent which does not dissolve the polyamide or the polyamic acid alone may be added to the above solvent as long as the solubility is not impaired. Examples thereof include butyl cellosolve, ethyl cellosolve, ethyl carbitol, butyl carbitol, ethyl carbitol acetate, ethylene glycol, toluene and xylene. Further, additives such as a silane coupling agent can be used as appropriate for the purpose of increasing the adhesion to the substrate.

【0076】上記のようにして得られた本発明の液晶配
向処理剤から液晶配向膜を作製するに際しては、上記の
ようにして得られたポリアミド溶液、ポリアミド酸溶液
またはポリイミド酸溶液を、スピンコート、転写印刷法
などの方法を用いてガラス、ウェハーまたはプラスチッ
ク等の基板上に塗布し、これを加熱処理してポリアミド
膜、ポリアミド酸膜およびポリイミド膜を形成するのが
一般的である。この加熱処理温度としては、50℃〜4
50℃、好ましくは80℃〜350℃の任意の温度を選
択することができるが、本発明の効果を得るための液晶
配向膜の形成に際しては、ポリアミドの場合、一般には
80℃〜200℃の比較的低い加熱温度を採用すること
ができる。この塗膜の厚みとしては、特に限定されるも
のではないが、通常の液晶配向膜として使用される上
で、100Å〜3000Åが適当である。次いでこの塗
膜にラビング処理等の配向処理を施し、液晶配向膜とし
て使用することができる。
In preparing a liquid crystal alignment film from the liquid crystal alignment treatment agent of the present invention obtained as described above, the polyamide solution, polyamic acid solution or polyimide acid solution obtained as described above is spin-coated. In general, a polyamide film, a polyamic acid film, and a polyimide film are formed by applying the film onto a substrate such as a glass, a wafer, or a plastic using a method such as a transfer printing method, and subjecting the resultant to a heat treatment. The heat treatment temperature is 50 ° C to 4 ° C.
Any temperature of 50 ° C., preferably 80 ° C. to 350 ° C. can be selected. In the case of forming a liquid crystal alignment film for obtaining the effect of the present invention, in the case of polyamide, generally 80 ° C. to 200 ° C. Relatively low heating temperatures can be employed. Although the thickness of the coating film is not particularly limited, it is suitably set in the range of 100 to 3000 ° for use as a normal liquid crystal alignment film. Next, this coating film is subjected to an alignment treatment such as a rubbing treatment, and can be used as a liquid crystal alignment film.

【0077】ラビング処理は、綿、ナイロン、ポリエス
テルなどの布を巻いたローラーを一定の押し込み圧で基
板に接触させ、さらにローラーまたは基板を一定速度で
移動させることにより行うことができる。このときロー
ラーは回転させておくのが一般的であるが、回転してい
なくてもよい。ラビングの強さは、次の式で定義される
ラビング度(mm)で表すことが報告されている。
The rubbing treatment can be performed by bringing a roller wrapped with a cloth of cotton, nylon, polyester or the like into contact with the substrate at a constant pressing pressure, and further moving the roller or the substrate at a constant speed. At this time, the rollers are generally rotated, but need not be rotated. It has been reported that the rubbing strength is represented by a rubbing degree (mm) defined by the following equation.

【0078】[0078]

【数1】 L=N・M{(2πrn/60V)−1} (1)L = N · M {(2πrn / 60V) −1} (1)

【0079】式(1)においてNはラビング回数、Mは
押し込み量(mm)、rはラビングローラーの半径(m
m)、nはローラー回転数(rpm)、Vはステージの
移動速度(mm/秒)である。本発明に用いることがで
きるラビング度は特に限定されるものではないが、塗膜
の密着性の観点から、500mm以下が好ましい。
In the equation (1), N is the number of rubbings, M is the pushing amount (mm), and r is the radius of the rubbing roller (m).
m) and n are roller rotation speeds (rpm), and V is a stage moving speed (mm / sec). The rubbing degree that can be used in the present invention is not particularly limited, but is preferably 500 mm or less from the viewpoint of the adhesion of the coating film.

【0080】このようなラビング処理によって高分子鎖
がラビング方向に配向することが知られており、この高
分子鎖の配向の効果は、一般的に、ラビング処理後に誘
起される塗膜の複屈折位相差及びラビング方向と遅相軸
のずれ角を測定することによって評価できる。
It is known that the rubbing treatment causes the polymer chains to be oriented in the rubbing direction. The effect of the orientation of the polymer chains is generally due to the birefringence of the coating film induced after the rubbing treatment. It can be evaluated by measuring the phase difference and the deviation angle between the rubbing direction and the slow axis.

【0081】複屈折位相差は、高分子の単位構造が有す
る屈折率異方性や、ラビング度、異方的な配向が誘起さ
れた膜厚などに依存するが、複屈折位相差が大きいほど
高分子鎖が配向している傾向を示すと考えられ、さら
に、遅相軸とラビング方向とのずれ角は、その大きさが
小さいほど高分子鎖のラビング方向への配向均一性が高
いものと考えられる。本発明の効果を得るためには、複
屈折位相差の大きさが、ラビング度が10〜100mm
の時0.5nm以上、ラビング度が100mm以上では
1.0nm以上が好ましく、ラビング方向と遅相軸のず
れ角は1.0°以下、さらに好ましくは0.5°以下で
あることが好適である。
The birefringence retardation depends on the refractive index anisotropy of the polymer unit structure, the rubbing degree, the film thickness in which anisotropic orientation is induced, and the like. It is considered that the polymer chains tend to be oriented, and furthermore, the deviation angle between the slow axis and the rubbing direction is such that the smaller the size, the higher the uniformity of orientation of the polymer chains in the rubbing direction. Conceivable. In order to obtain the effect of the present invention, the magnitude of the birefringence phase difference, the rubbing degree is 10 to 100 mm
When the rubbing degree is 100 mm or more, it is preferably 1.0 nm or more, and the misalignment angle between the rubbing direction and the slow axis is 1.0 ° or less, more preferably 0.5 ° or less. is there.

【0082】このようにラビングによって均一にかつ一
方向に高分子鎖が配向した液晶配向膜を用いることによ
って、液晶分子を均一に配向させ、本発明の液晶素子を
調整することができる。液晶としては、通常用いられて
いるネマチック液晶に加え、強誘電性液晶や反強誘電性
液晶も用いることができる。以下、参考例、実施例およ
び比較例により本発明をさらに詳しく説明する。ただ
し、本発明がこれらに限定されるものではないことはも
ちろんである。
As described above, by using the liquid crystal alignment film in which the polymer chains are uniformly aligned in one direction by rubbing, the liquid crystal molecules can be uniformly aligned and the liquid crystal element of the present invention can be adjusted. As the liquid crystal, a ferroelectric liquid crystal or an antiferroelectric liquid crystal can be used in addition to a commonly used nematic liquid crystal. Hereinafter, the present invention will be described in more detail by reference examples, examples, and comparative examples. However, it goes without saying that the present invention is not limited to these.

【0083】[0083]

【実施例】参考例1[Example] Reference Example 1

【0084】[0084]

【化21】 Embedded image

【0085】アルゴン雰囲気下、ジ(シアノフェニル)
プラチナムジクロリド5mgを乾燥テトラヒドロフラン
(以下、THFと略す)20mlに分散させ、さらに1,
4−ビス(ジメチルシリル)ベンゼン2.00ml
(8.97mmol)および10−ウンデカン酸メチル
4.00ml(18.0mmol)を加えて、60℃で
12時間撹拌した。溶媒を留去した後、シリカゲルカラ
ムクロマトグラフィー(展開溶媒:ジエチルエーテル/
ヘキサン=1/10vol.)にて精製したところ、上記構
造式(1)で表される化合物3.19gを白色固体とし
て得た(収率:60.2%)。なお、その構造は1H−
NMRおよびIRスペクトルにより確認した。
Under an argon atmosphere, di (cyanophenyl)
5 mg of platinum dichloride was dispersed in 20 ml of dry tetrahydrofuran (hereinafter abbreviated as THF),
2.00 ml of 4-bis (dimethylsilyl) benzene
(8.97 mmol) and 4.00 ml (18.0 mmol) of methyl 10-undecanoate were added, and the mixture was stirred at 60 ° C. for 12 hours. After distilling off the solvent, silica gel column chromatography (developing solvent: diethyl ether /
After purification by hexane = 1/10 vol.), 3.19 g of the compound represented by the above structural formula (1) was obtained as a white solid (yield: 60.2%). The structure is 1 H-
Confirmed by NMR and IR spectra.

【0086】1H-NMRδ(CDCl3,ppm):0.24(s,12H),1.1-1.
4(m,32H),2.30(t,4H),3.66(s,6H),7.47(s,4H). IRν(KBr disk,cm-1):3059(w),2919(s),2851(m),1740
(s,C=O),1470(m),1431(m),1381(w),1312(w),1252(m,Si-
C),1186(m),1171(m),1136(m),876(m),841(m),829(m),80
2(m),781(m),766(m),710(w),671(w),503(w),467(w). 化合物(1)3.11g(5.26mmol)をメタノ
ール10mlに加温しながら溶解し、そこへ水酸化ナト
リウム0.5g(12.5mmol)および水1mlを
加え還流温度で撹拌した。約1時間後、析出物が生じ溶
液が固化したため水5mlを加え、さらに還流温度にて
3時間撹拌した後、溶液を水100mlに投入した。次
に、1N塩酸水溶液を加え室温にて2時間撹拌し、生じ
た白色沈殿を濾取して、充分に水洗した後乾燥した。得
られた粗生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー
(展開溶媒:クロロホルム/メタノール=100/1vo
l.)にて精製したところ、上記構造式(2)で表される
化合物2.26gを白色粉末として得た(収率:76.
3%)。なお、その構造は1H−NMRおよびIRスペ
クトルにより確認した。
1 H-NMR δ (CDCl 3 , ppm): 0.24 (s, 12H), 1.1-1.
4 (m, 32H), 2.30 (t, 4H), 3.66 (s, 6H), 7.47 (s, 4H) .IRν (KBr disk, cm -1 ): 3059 (w), 2919 (s), 2851 ( m), 1740
(s, C = O), 1470 (m), 1431 (m), 1381 (w), 1312 (w), 1252 (m, Si-
C), 1186 (m), 1171 (m), 1136 (m), 876 (m), 841 (m), 829 (m), 80
2 (m), 781 (m), 766 (m), 710 (w), 671 (w), 503 (w), 467 (w). 3.11 g (5.26 mmol) of compound (1) in 10 ml of methanol Then, 0.5 g (12.5 mmol) of sodium hydroxide and 1 ml of water were added thereto, and the mixture was stirred at reflux temperature. After about 1 hour, a precipitate was formed and the solution was solidified, and 5 ml of water was added. After stirring at reflux temperature for 3 hours, the solution was poured into 100 ml of water. Next, a 1N aqueous hydrochloric acid solution was added, and the mixture was stirred at room temperature for 2 hours. The resulting white precipitate was collected by filtration, washed sufficiently with water, and dried. The obtained crude product is subjected to silica gel column chromatography (developing solvent: chloroform / methanol = 100 / 1vo).
l.), 2.26 g of the compound represented by the above structural formula (2) was obtained as a white powder (yield: 76.
3%). The structure was confirmed by 1 H-NMR and IR spectra.

【0087】1H-NMRδ(CDCl3,ppm):0.21(s,12H),0.70
(m,4H),1.16-1.30(m,28H),1.47(m,4H),2.17(t,4H,J=7.4
Hz),7.46(s,4H),11.93(bs,2H). IRν(KBr disk,cm-1):3046(w),2920(s),2853(m),2683
(b,acid OH),1715(s,C=O),1470(w),1427(w),1408(w),13
14(w),1287(w),1252(m,Si-C),1225(w),1198(w),1134
(w),939(w),878(w),837(m),797(w),666(w),502(w). 実施例1
1 H-NMR δ (CDCl 3 , ppm): 0.21 (s, 12H), 0.70
(m, 4H), 1.16-1.30 (m, 28H), 1.47 (m, 4H), 2.17 (t, 4H, J = 7.4
Hz), 7.46 (s, 4H), 11.93 (bs, 2H) .IRν (KBr disk, cm -1 ): 3046 (w), 2920 (s), 2853 (m), 2683
(b, acid OH), 1715 (s, C = O), 1470 (w), 1427 (w), 1408 (w), 13
14 (w), 1287 (w), 1252 (m, Si-C), 1225 (w), 1198 (w), 1134
(w), 939 (w), 878 (w), 837 (m), 797 (w), 666 (w), 502 (w).

【0088】[0088]

【化22】 Embedded image

【0089】アルゴン雰囲気下、参考例1で得られた化
合物(2)0.300g(0.533mmol)、p-ニ
トロフェノール0.148g(1.066mmol)、
トリフェニルホスフィン0.280g(1.066mm
ol)を乾燥THF10mlに溶解し、0℃に冷却し
た。この溶液に、ジエチルアゾジカルボキシレート0.
168ml(1.066mmol)を滴下し、室温に戻
して3時間撹拌した。溶媒を留去した後、シリカゲルカ
ラムクロマトグラフィー(展開溶媒:ジエチルエーテル
/ヘキサン=1/10vol.)にて精製したところ、上記
構造式(3)で表される化合物0.260gを白色固体
として得た(収率:60.6%)。なお、その構造は1
H−NMRおよびIRスペクトルにより確認した。
Under an argon atmosphere, 0.300 g (0.533 mmol) of the compound (2) obtained in Reference Example 1, 0.148 g (1.066 mmol) of p-nitrophenol,
0.280 g of triphenylphosphine (1.066 mm
ol) was dissolved in 10 ml of dry THF and cooled to 0 ° C. To this solution is added diethyl azodicarboxylate 0.1.
168 ml (1.066 mmol) was added dropwise, and the mixture was returned to room temperature and stirred for 3 hours. After evaporating the solvent, the residue was purified by silica gel column chromatography (developing solvent: diethyl ether / hexane = 1/10 vol.) To obtain 0.260 g of a compound represented by the above structural formula (3) as a white solid. (Yield: 60.6%). The structure is 1
Confirmed by 1 H-NMR and IR spectrum.

【0090】1H-NMRδ(CDCl3,ppm):0.24(s,12H),0.74
(m,4H),1.20-1.40(m,28H),1.75(m,4H),2.59(t,4H,J=7.5
Hz),7.27(d,4H,J=9.0Hz),7.48(s,4H),8.26(d,4H,J=9.0H
z). IRν(KBr disk,cm-1):2924(s),2854(s),1768(s,C=O),16
14(w),1593(m),1525(m),1491(m),1346(m),1248(m,Si-
C),1209(s),1134(s),1111(s),837(m).
1 H-NMR δ (CDCl 3 , ppm): 0.24 (s, 12H), 0.74
(m, 4H), 1.20-1.40 (m, 28H), 1.75 (m, 4H), 2.59 (t, 4H, J = 7.5
Hz), 7.27 (d, 4H, J = 9.0Hz), 7.48 (s, 4H), 8.26 (d, 4H, J = 9.0H
z) .IRν (KBr disk, cm -1 ): 2924 (s), 2854 (s), 1768 (s, C = O), 16
14 (w), 1593 (m), 1525 (m), 1491 (m), 1346 (m), 1248 (m, Si-
C), 1209 (s), 1134 (s), 1111 (s), 837 (m).

【0091】上記方法により得られたジニトロ化合物
(3)1.78g(2.21mmol)をTHF40m
lおよびエタノール10mlの混合溶媒に溶解した。こ
こへ5%Pd−カーボン粉末0.25gを加えた。溶液
を−78℃に冷却して減圧脱気し、水素ガスで置換した
後、水素ガス雰囲気内で室温にて12時間撹拌した。次
に、反応溶液をセライトを通して濾過し、濾液を濃縮し
た後、シリカゲルカラムクロマトグラフィー(展開溶
媒:クロロホルム/酢酸エチル=40/1vol.)にて精
製したところ、上記構造式(4)で表される化合物1.
60gを薄茶色固体として得た(収率:96.6%)。
なお、その構造は1H−NMRおよびIRスペクトル、
および元素分析により確認した。
1.78 g (2.21 mmol) of the dinitro compound (3) obtained by the above method was added to 40 m of THF.
and ethanol in a mixed solvent of 10 ml. To this, 0.25 g of 5% Pd-carbon powder was added. The solution was cooled to −78 ° C., degassed under reduced pressure, replaced with hydrogen gas, and then stirred in a hydrogen gas atmosphere at room temperature for 12 hours. Next, the reaction solution was filtered through celite, the filtrate was concentrated, and then purified by silica gel column chromatography (developing solvent: chloroform / ethyl acetate = 40/1 vol.), Which was represented by the above structural formula (4). Compound 1.
60 g was obtained as a light brown solid (yield: 96.6%).
In addition, the structure is 1 H-NMR and IR spectrum,
And elemental analysis.

【0092】1H-NMRδ(CDCl3,ppm):0.24(s,12H),0.73
(m,4H),1.20-1.40(m,28H),1.72(m,4H),2.50(t,4H,J=7.0
Hz),3.40(bs,4H),6.65(d,4H,J=8.8Hz),6.85(d,4H,J=8.8
Hz),7.48(s, 4H). IRν(KBr disk,cm-1):3400(w,N-H),3320(w,N-H),2935
(w),2895(w),1768(s,C=O),1630(w),1614(w),1595(m),15
10(m),1470(m),1340(m),1248(m,Si-C),1200(s),1134
(s),1112(s),835(m),790(m),775(w). 元素分析結果(分子式:C44H68N2O4Si2、分子量:745.2
0): 元素分析結果:計算値;C:70.91%,H:9.22%,N:3.76%. 実測値;C:70.63%,H:8.96%,N:3.66%.実施例2
1 H-NMR δ (CDCl 3 , ppm): 0.24 (s, 12H), 0.73
(m, 4H), 1.20-1.40 (m, 28H), 1.72 (m, 4H), 2.50 (t, 4H, J = 7.0
Hz), 3.40 (bs, 4H), 6.65 (d, 4H, J = 8.8 Hz), 6.85 (d, 4H, J = 8.8
Hz), 7.48 (s, 4H) .IRν (KBr disk, cm -1 ): 3400 (w, NH), 3320 (w, NH), 2935
(w), 2895 (w), 1768 (s, C = O), 1630 (w), 1614 (w), 1595 (m), 15
10 (m), 1470 (m), 1340 (m), 1248 (m, Si-C), 1200 (s), 1134
. (s), 1112 (s ), 835 (m), 790 (m), 775 (w) Elemental analysis (molecular formula: C 44 H 68 N 2 O 4 Si 2, molecular weight: 745.2
0): Elemental analysis result: Calculated value; C: 70.91%, H: 9.22%, N: 3.76%. Observed value: C: 70.63%, H: 8.96%, N: 3.66%.

【0093】[0093]

【化23】 Embedded image

【0094】アルゴン雰囲気下、実施例1で得られたジ
アミン化合物(4)1.00g(1.34mmol)を
N−メチルピロリドン(以下、NMPと略す)1.34
mlに溶解し、−78℃に冷却した。この溶液に、同濃
度に調整したアジピン酸クロリド(0.20ml、1.
34mmol)のNMP溶液を加えて反応温度を室温ま
で徐々に上げ、さらに室温にて18時間撹拌した。次
に、反応溶液にNMPを加えて2倍に希釈した後、メタ
ノール500mlに撹拌しながら投入した。生じた沈殿
を濾取し、減圧下60℃で一晩乾燥させ、上記構造式P
A−1で表されるポリアミド0.84gを得た。ゲルパ
ーミエーションクロマトグラフィーで求めたPA−1の
数平均分子量および重量平均分子量はそれぞれ、3.5
1×103および6.13×103であった。PA−1の
IRスペクトルを図1に示す。 実施例3
Under an argon atmosphere, 1.00 g (1.34 mmol) of the diamine compound (4) obtained in Example 1 was treated with N-methylpyrrolidone (hereinafter abbreviated as NMP) 1.34.
and cooled to -78 ° C. To this solution was added adipic acid chloride (0.20 ml, 1.
The reaction temperature was gradually raised to room temperature by adding an NMP solution of 34 mmol), and the mixture was further stirred at room temperature for 18 hours. Next, NMP was added to the reaction solution to dilute it twice, and then the solution was poured into 500 ml of methanol with stirring. The resulting precipitate was collected by filtration, dried under reduced pressure at 60 ° C. overnight,
0.84 g of the polyamide represented by A-1 was obtained. The number-average molecular weight and weight-average molecular weight of PA-1 determined by gel permeation chromatography were 3.5, respectively.
They were 1 × 10 3 and 6.13 × 10 3 . FIG. 1 shows the IR spectrum of PA-1. Example 3

【0095】[0095]

【化24】 Embedded image

【0096】実施例1で得られたジアミン化合物(4)
10.0g(13.4mmol)と1,2,3,4−シ
クロブタンテトラカルボン酸二無水物2.57g(1
3.1mmol)をNMP71.2g中で、室温で10
時間反応させてポリアミド酸PAA−1を得た。ゲルパ
ーミエーションクロマトグラフィーで求めたPAA−1
の数平均分子量および重量平均分子量はそれぞれ2.5
0×104および5.34×104であった。PAA−1
のIRスペクトルを図2に示す。 実施例4
The diamine compound (4) obtained in Example 1
10.0 g (13.4 mmol) and 2.57 g of 1,2,3,4-cyclobutanetetracarboxylic dianhydride (1
3.1 mmol) in 71.2 g of NMP at room temperature
The reaction was carried out for a time to obtain a polyamic acid PAA-1. PAA-1 determined by gel permeation chromatography
Has a number average molecular weight and a weight average molecular weight of 2.5
They were 0 × 10 4 and 5.34 × 10 4 . PAA-1
Is shown in FIG. Example 4

【0097】[0097]

【化25】 Embedded image

【0098】実施例1で得られたジアミン化合物(4)
10.0g(13.4mmol)とピロメリット酸二無
水物2.86g(13.1mmol)をNMP72.9
g中で、室温で10時間反応させてポリアミド酸PAA
−2を得た。ゲルパーミエーションクロマトグラフィー
で求めたPAA−2の数平均分子量および重量平均分子
量はそれぞれ2.44×104および4.22×104
あった。PAA−2のIRスペクトルを図3に示す。 参考例2
The diamine compound (4) obtained in Example 1
10.0 g (13.4 mmol) and 2.86 g (13.1 mmol) of pyromellitic dianhydride were added to NMP 72.9.
g for 10 hours at room temperature.
-2 was obtained. The number average molecular weight and weight average molecular weight of PAA-2 determined by gel permeation chromatography were 2.44 × 10 4 and 4.22 × 10 4 , respectively. FIG. 3 shows the IR spectrum of PAA-2. Reference example 2

【0099】[0099]

【化26】 Embedded image

【0100】4−ニトロフェノール8.00g(57.
5mmol)、3−ブロモプロペン5.0ml(59m
mol)および炭酸カリウム7.95g(57.5mm
ol)をアセトン50mlに分散させ、還流温度で14
時間撹拌した。生成した塩を濾別した後、エタノール/
ヘキサン混合溶媒を用い−20℃にて再結晶精製を行
い、さらにトルエン150mlを加えて減圧下溜去し過
剰の3−ブロモプロペンを除いた。その結果、上記構造
式(5)で表される4−アリロキシニトロベンゼン5.
86gを薄茶色液体として得た(収率:56.9%)。
なお、その構造は 1H−NMRスペクトルにより確認し
た。1 H-NMRδ(CDCl3,ppm):4.64(d,2H),5.40(m,2H),6.10(m,1
H),6.97(d,2H),8.20(d,2H). 実施例5
8.00 g of 4-nitrophenol (57.
5 mmol), 5.0 ml of 3-bromopropene (59 m
mol) and potassium carbonate 7.95 g (57.5 mm
ol) were dispersed in 50 ml of acetone, and 14
Stirred for hours. After filtering the generated salt, ethanol /
Recrystallization purification was performed at -20 ° C using hexane mixed solvent.
Then, 150 ml of toluene was further added and distilled off under reduced pressure.
Excess 3-bromopropene was removed. As a result, the above structure
4. 4-allyloxynitrobenzene represented by the formula (5)
86 g was obtained as a light brown liquid (yield: 56.9%).
The structure is 1Confirmed by H-NMR spectrum
Was.1 H-NMRδ (CDClThree, ppm): 4.64 (d, 2H), 5.40 (m, 2H), 6.10 (m, 1
H), 6.97 (d, 2H), 8.20 (d, 2H).

【0101】[0101]

【化27】 Embedded image

【0102】アルゴン雰囲気下、1,4-ビス(ジメチルシ
リル)ベンゼン3.181g(16.36mmol)お
よび参考例2で得られた化合物(5)5.864g(3
2.73mmol)をTHF10mlに溶解し、この溶
液に白金-1,3-ジビニルテトラメチルジシロキサン錯体
の30重量%キシレン溶液0.2mlを加えて、60℃
で4時間撹拌した。溶媒を留去した後、シリカゲルカラ
ムクロマトグラフィー(展開溶媒:ジエチルエーテル/
ヘキサン=1/4vol.)にて精製したところ、上記構造
式(6)で表される化合物7.138gを淡黄色固体と
して得た(収率:78.9%)。なお、その構造は1
−NMRおよびIRスペクトルにより確認した。
Under an argon atmosphere, 3.181 g (16.36 mmol) of 1,4-bis (dimethylsilyl) benzene and 5.864 g of the compound (5) obtained in Reference Example 2 (3
2.73 mmol) was dissolved in 10 ml of THF, and 0.2 ml of a 30% by weight xylene solution of a platinum-1,3-divinyltetramethyldisiloxane complex was added to this solution.
For 4 hours. After distilling off the solvent, silica gel column chromatography (developing solvent: diethyl ether /
After purification by hexane = 1/4 vol.), 7.138 g of the compound represented by the above structural formula (6) was obtained as a pale yellow solid (yield: 78.9%). The structure is 1 H
-Confirmed by NMR and IR spectra.

【0103】1H-NMRδ(CDCl3,ppm):0.31(s,12H),0.90
(m,4H),1.90(m,4H),3.97(t,4H),6.88(d,4H),7.50(s,4
H),8.17(d,4H). IRν(KBr disk,cm-1):3086(w),3044(w),2938(m),2880
(w),1607(m),1591(s),1507(s),1331(s),1265(s),1250
(s),1177(m),1111(m),891(m),847(m),802(m),772(m),75
4(m),656(m),505(m).
1 H-NMRδ (CDCl3, ppm): 0.31 (s, 12H), 0.90
(m, 4H), 1.90 (m, 4H), 3.97 (t, 4H), 6.88 (d, 4H), 7.50 (s, 4
H), 8.17 (d, 4H) .IRν (KBr disk, cm -1 ): 3086 (w), 3044 (w), 2938 (m), 2880
(w), 1607 (m), 1591 (s), 1507 (s), 1331 (s), 1265 (s), 1250
(s), 1177 (m), 1111 (m), 891 (m), 847 (m), 802 (m), 772 (m), 75
4 (m), 656 (m), 505 (m).

【0104】上記方法により得られたジニトロ化合物
(6)6.542g(11.83mmol)をTHF6
0mlおよびエタノール60mlの混合溶媒に溶解し
た。ここへ5%Pd−カーボン粉末0.25gを加え
た。溶液を−78℃に冷却して減圧脱気し、水素ガスで
置換した後、水素ガス雰囲気内で室温にて12時間撹拌
した。次に、反応溶液をセライトを通して濾過し、濾液
を濃縮した後、シリカゲルカラムクロマトグラフィー
(展開溶媒:ジエチルエーテル)にて精製したところ、
上記構造式(7)で表される化合物5.82gを橙色固
体として得た(収率:99.9%)。なお、その構造は
1H−NMRおよびIRスペクトル、および元素分析に
より確認した。
6.542 g (11.83 mmol) of the dinitro compound (6) obtained by the above method was added to THF 6
It was dissolved in a mixed solvent of 0 ml and ethanol 60 ml. To this, 0.25 g of 5% Pd-carbon powder was added. The solution was cooled to −78 ° C., degassed under reduced pressure, replaced with hydrogen gas, and then stirred in a hydrogen gas atmosphere at room temperature for 12 hours. Next, the reaction solution was filtered through Celite, the filtrate was concentrated, and then purified by silica gel column chromatography (developing solvent: diethyl ether).
5.82 g of the compound represented by the above structural formula (7) was obtained as an orange solid (yield: 99.9%). The structure is
It was confirmed by 1 H-NMR and IR spectra, and elemental analysis.

【0105】1H-NMRδ(CDCl3,ppm):0.29(s,12H),0.85
(m,4H),1.77(m,4H),3.82(t,4H,J=6.8Hz),6.62(t,4H,J=
8.8Hz),6.70(d,4H,J=8.8Hz),7.50(s,4H). IRν(KBr disk,cm-1):3399(w,N-H),3322(w,N-H),2944
(w),2897(w),1626(w),1512(s),1472(m),1331(s),1236
(s),1177(w),1134(m),1019(m),841(m),791(m),774(m),5
01(w). 元素分析結果(分子式:C28H40N2O2Si2、分子量:492.8
1): 計算値;C:68.24%,H:8.18%,N:5.68%. 実測値;C:68.28%,H:8.51%,N:5.28%. 実施例6
1 H-NMR δ (CDCl 3 , ppm): 0.29 (s, 12H), 0.85
(m, 4H), 1.77 (m, 4H), 3.82 (t, 4H, J = 6.8Hz), 6.62 (t, 4H, J =
8.8Hz), 6.70 (d, 4H, J = 8.8Hz), 7.50 (s, 4H) .IRν (KBr disk, cm -1 ): 3399 (w, NH), 3322 (w, NH), 2944
(w), 2897 (w), 1626 (w), 1512 (s), 1472 (m), 1331 (s), 1236
(s), 1177 (w), 1134 (m), 1019 (m), 841 (m), 791 (m), 774 (m), 5
01 (w). Elemental analysis result (molecular formula: C 28 H 40 N 2 O 2 Si 2 , molecular weight: 492.8)
1): Calculated value; C: 68.24%, H: 8.18%, N: 5.68%. Actual value: C: 68.28%, H: 8.51%, N: 5.28%.

【0106】[0106]

【化28】 Embedded image

【0107】アルゴン雰囲気下、実施例5で得られたジ
アミン化合物(7)0.600g(1.218mmo
l)を乾燥NMP2.0mlに溶解し、−78℃に冷却
した。この溶液に、同濃度に調整したアジピン酸クロリ
ド(0.177ml、1.218mmol)のNMP溶
液を加えて反応温度を室温まで徐々に上げ、さらに室温
にて18時間撹拌した。次に、反応溶液にNMPを加え
て2倍に希釈した後、メタノール500mlに撹拌しな
がら投入した。生じた沈殿を濾取し、減圧下60℃で一
晩乾燥させ、上記構造式PA−2で表されるポリアミド
0.55gを得た。ゲルパーミエーションクロマトグラ
フィーで求めたPA−2の数平均分子量および重量平均
分子量はそれぞれ、6.58×103および1.41×
104であった。また、PA−2のIRスペクトルを図
4に示す。 実施例7
In an argon atmosphere, 0.600 g (1.218 mmol) of the diamine compound (7) obtained in Example 5 was obtained.
l) was dissolved in 2.0 ml of dry NMP and cooled to -78 ° C. To this solution was added an NMP solution of adipic acid chloride (0.177 ml, 1.218 mmol) adjusted to the same concentration, the reaction temperature was gradually raised to room temperature, and the mixture was further stirred at room temperature for 18 hours. Next, NMP was added to the reaction solution to dilute it twice, and then the solution was poured into 500 ml of methanol with stirring. The resulting precipitate was collected by filtration and dried under reduced pressure at 60 ° C. overnight to obtain 0.55 g of a polyamide represented by the above structural formula PA-2. The number average molecular weight and the weight average molecular weight of PA-2 determined by gel permeation chromatography were 6.58 × 10 3 and 1.41 ×, respectively.
It was 10 4 . FIG. 4 shows the IR spectrum of PA-2. Example 7

【0108】[0108]

【化29】 Embedded image

【0109】実施例5で得られたジアミン化合物(7)
10.0g(20.3mmol)とピロメリット酸二無
水物4.34g(19.9mmol)をNMP81.3
g中で、室温で10時間反応させてポリアミド酸PAA
−4を得た。ゲルパーミエーションクロマトグラフィー
で求めたPAA−3の数平均分子量および重量平均分子
量はそれぞれ3.82×104および6.34×104
あった。また、PAA−3のIRスペクトルを図5に示
す。
The diamine compound (7) obtained in Example 5
10.0 g (20.3 mmol) and 4.34 g (19.9 mmol) of pyromellitic dianhydride were added to NMP81.3.
g for 10 hours at room temperature.
-4 was obtained. The number average molecular weight and weight average molecular weight of PAA-3 determined by gel permeation chromatography were 3.82 × 10 4 and 6.34 × 10 4 , respectively. FIG. 5 shows the IR spectrum of PAA-3.

【0110】実施例8〜9 実施例2および実施例6で得られたポリアミドPA−
1、PA−2をNMP及びブチルセロソルブ(以下BC
と略す)の混合溶媒(重量比4:1)中に固形分濃度が
5wt%になるように仕込み室温で攪拌したところ無色
透明な溶液が得られた。この溶液は、23℃の条件下で
5ヶ月保存後も析出や粘度変化はみられなかった。
Examples 8 to 9 Polyamide PAs obtained in Examples 2 and 6
1. PA-2 was converted to NMP and butyl cellosolve (hereinafter referred to as BC
), And the mixture was stirred at room temperature to obtain a colorless and transparent solution. This solution did not show any precipitation or change in viscosity even after storage at 23 ° C. for 5 months.

【0111】この溶液をガラス基板上にスピンコート
し、80℃で5分間乾燥させた後、180℃で1時間加
熱処理を行ったところ、いずれのポリアミド溶液でも膜
厚1000Åの均一なポリアミド膜を得ることができ
た。
This solution was spin-coated on a glass substrate, dried at 80 ° C. for 5 minutes, and then subjected to heat treatment at 180 ° C. for 1 hour. I got it.

【0112】得られたスピンコート膜をレーヨン布を用
いて、表1の条件でラビング処理を行い、高分子鎖の配
向均一性をオーク製作所製高感度自動複屈折測定装置に
より複屈折位相差(以下Δndと略す)及び遅相軸とラ
ビング方向のずれを基板上の異なる9点で評価した。表
2にラビング度に対するΔndと遅相軸のずれ角を示
す。いずれのラビング度においても、大きなΔndが得
られ、また遅相軸のずれ角(絶対値の平均値)も極めて小
さいことから、高分子鎖のラビング方向への配向均一性
が高いことが確認された。
The obtained spin-coated film was subjected to a rubbing treatment using a rayon cloth under the conditions shown in Table 1, and the uniformity of the orientation of the polymer chains was measured by a high-sensitivity automatic birefringence measuring device manufactured by Oak Manufacturing Co., Ltd. (Hereinafter abbreviated as Δnd) and the deviation between the slow axis and the rubbing direction were evaluated at nine different points on the substrate. Table 2 shows Δnd and the shift angle of the slow axis with respect to the rubbing degree. At any rubbing degree, a large Δnd was obtained, and the deviation angle of the slow axis (average absolute value) was extremely small, so that it was confirmed that the alignment uniformity of the polymer chains in the rubbing direction was high. Was.

【0113】[0113]

【表1】 表1 ラビング条件 ─────────────────────────────── ラビング条件 ローラー ステージ移動 押し込み量 (ラビング度:mm) 回転数(rpm) 速度(mm/秒) (mm) ─────────────────────────────── 条件1(46.6) 300 20 0.5 条件2(114.6) 500 15 0.55 条件3(263.2) 700 10 0.6 ───────────────────────────────[Table 1] Table 1 Rubbing conditions ─────────────────────────────── Rubbing conditions Roller Stage movement Pressing amount (Rubbing degree: mm) Number of rotations (rpm) Speed (mm / sec) (mm) 条件 Condition 1 ( 46.6) 300 20 0.5 Condition 2 (114.6) 500 15 0.55 Condition 3 (263.2) 700 10 0.6 ───────────────────────────── ──

【0114】[0114]

【表2】 表2 複屈折位相差の大きさと遅相軸のラビング方向からのずれ角 ─────────────────────────────────── 実施例 ラビング度 Δnd(nm) 遅相軸のずれ角(°) (ホ゜リアミト゛) (mm) 最大値 最小値 平均値 最大値 最小値 平均値 ─────────────────────────────────── 実施例8 46.6 3.51 2.59 3.17 0.2 -0.2 0.1 (PA−1) 114.6 4.31 3.44 3.93 0.2 -0.2 0.1 263.2 5.25 4.41 4.98 0.3 -0.2 0.1 ─────────────────────────────────── 実施例9 46.6 1.56 1.04 1.28 1.3 -0.9 0.4 (PA−2) 114.6 1.96 1.24 1.62 0.4 -0.6 0.3 263.2 2.35 1.51 1.99 0.7 -0.5 0.2 ───────────────────────────────────[Table 2] Table 2 Size of birefringence phase difference and shift angle of slow axis from rubbing direction ─────────────────────────── ──────── Example Rubbing degree Δnd (nm) Slow axis shift angle (°) (Polyamito) (mm) Maximum value Minimum value Average value Maximum value Minimum value Average value ─────── ──────────────────────────── Example 8 46.6 3.51 2.59 3.17 0.2 -0.2 0.1 (PA-1) 114.6 4.31 3.44 3.93 0.2- 0.2 0.1 263.2 5.25 4.41 4.98 0.3 -0.2 0.1 例 Example 9 46.6 1.56 1.04 1.28 1.3 -0.9 0.4 (PA-2) 114.6 1.96 1.24 1.62 0.4 -0.6 0.3 263.2 2.35 1.51 1.99 0.7 -0.5 0.2 ─────────────────────── ────────────

【0115】さらに、ラビング処理されたポリアミド膜
塗布基板を50μmのスペーサーを挟んで、ラビング方
向が反平行になるように組み合わせ、次いで液晶(メル
ク社ZLI−2293)を注入して液晶セルを作製し
た。これらの液晶セルにおける液晶の配向状態を偏光顕
微鏡にて観察したところ、欠陥は全く観測されず、均一
な液晶の配向が得られていることが確認された。また、
結晶回転法により傾斜配向角を測定したところ、PA−
1、PA−2それぞれ0.7°、0.4°であり、どち
らのポリアミド膜でも均一な傾斜配向角が得られること
が確認された。
Further, the rubbed polyamide film-coated substrate was combined with a 50 μm spacer so that the rubbing directions were antiparallel, and then a liquid crystal (Merck ZLI-2293) was injected to prepare a liquid crystal cell. . When the alignment state of the liquid crystal in these liquid crystal cells was observed with a polarizing microscope, no defect was observed, and it was confirmed that uniform liquid crystal alignment was obtained. Also,
When the tilt orientation angle was measured by the crystal rotation method, PA-
1 and PA-2 were 0.7 ° and 0.4 °, respectively, and it was confirmed that a uniform tilt orientation angle was obtained in both polyamide films.

【0116】実施例10〜12 実施例3、4および実施例7で得られたポリアミド酸溶
液PAA1〜PAA3をNMPとBCの混合溶媒(重量
比4:1)で固形分濃度が5wt%になるように希釈し
た。これら溶液をガラス基板上にスピンコートし、12
0℃で5分間乾燥させた後、250℃で1時間加熱処理
を行いポリイミドPI−1〜PI−3に転化させ、膜厚
1000Åの均一なポリイミド膜を得た。ポリイミドP
I−1〜PI−3のIRスペクトルを図6〜8に示す。
Examples 10 to 12 The polyamic acid solutions PAA1 to PAA3 obtained in Examples 3, 4 and 7 were mixed with NMP and BC in a mixed solvent (weight ratio of 4: 1) to give a solid content of 5% by weight. Dilution. These solutions were spin-coated on a glass substrate,
After drying at 0 ° C. for 5 minutes, heat treatment was performed at 250 ° C. for 1 hour to convert to polyimides PI-1 to PI-3, thereby obtaining a uniform polyimide film having a thickness of 1000 °. Polyimide P
6 to 8 show IR spectra of I-1 to PI-3.

【0117】得られたスピンコート膜をレーヨン布を用
いて、実施例8と同様にΔnd及び遅相軸とラビング方
向のずれを基板上の異なる9点で評価した。表3にラビ
ング度に対するΔndと遅相軸のずれ角を示す。いずれ
のラビング度においても、大きなΔndが得られ、また
遅相軸のずれ角(絶対値の平均値)も極めて小さいことか
ら、高分子鎖のラビング方向への配向均一性が高いこと
が確認された。
Using the rayon cloth, Δnd and the shift between the slow axis and the rubbing direction of the obtained spin-coated film were evaluated at nine different points on the substrate in the same manner as in Example 8. Table 3 shows Δnd and the shift angle of the slow axis with respect to the rubbing degree. At any rubbing degree, a large Δnd was obtained, and the deviation angle of the slow axis (average absolute value) was extremely small, so that it was confirmed that the alignment uniformity of the polymer chains in the rubbing direction was high. Was.

【0118】[0118]

【表3】 表3 複屈折位相差の大きさと遅相軸のラビング方向からのずれ角 ─────────────────────────────────── 実施例 ラビング度 Δnd(nm) 遅相軸のずれ角(°) (ホ゜リアミト゛) (mm) 最大値 最小値 平均値 最大値 最小値 平均値 ─────────────────────────────────── 実施例10 46.6 1.39 0.82 1.17 1.5 -1.5 0.6 (PI−1) 114.6 2.18 1.48 1.90 0.7 -0.5 0.3 263.2 2.14 1.65 1.85 0.7 -0.8 0.4 ─────────────────────────────────── 実施例11 46.6 2.29 1.80 1.99 0.3 -0.3 0.1 (PI−2) 114.6 2.97 1.81 2.36 0.2 -0.3 0.1 263.2 3.40 2.15 2.63 0.1 -0.2 0.1 ─────────────────────────────────── 実施例12 46.6 2.39 1.63 1.98 0.4 -0.2 0.1 (PI−3) 114.6 2.72 2.00 2.35 0.2 -0.2 0.1 263.2 2.38 1.80 2.14 0.2 -0.2 0.1 ───────────────────────────────────[Table 3] Table 3 Size of birefringence phase difference and shift angle of slow axis from rubbing direction ─────────────────────────── ──────── Example Rubbing degree Δnd (nm) Slow axis shift angle (°) (Polyamito) (mm) Maximum value Minimum value Average value Maximum value Minimum value Average value ─────── ──────────────────────────── Example 10 46.6 1.39 0.82 1.17 1.5 -1.5 0.6 (PI-1) 114.6 2.18 1.48 1.90 0.7- 0.5 0.3 263.2 2.14 1.65 1.85 0.7 -0.8 0.4 例 Example 11 46.6 2.29 1.80 1.99 0.3 -0.3 0.1 (PI-2) 114.6 2.97 1.81 2.36 0.2 -0.3 0.1 263.2 3.40 2.15 2.63 0.1 -0.2 0.1 ─────────────────────── ──────────── Example 12 46.6 2.39 1.63 1.98 0.4 -0.2 0 .1 (PI-3) 114.6 2.72 2.00 2.35 0.2 -0.2 0.1 263.2 2.38 1.80 2.14 0.2 -0.2 0.1 ─────────────────────────── ────────

【0119】さらに、実施例8と同様に注入して液晶セ
ルを作製し、これらの液晶セルにおける液晶の配向状態
を偏光顕微鏡にて観察したところ、欠陥は全く観測され
ず、均一な液晶の配向が得られていることが確認され
た。また、結晶回転法により傾斜配向角を測定したとこ
ろ、PI−1、PI−2、PI−3それぞれ2.0°、
1.9°、3.8°であり、どちらのポリイミド膜でも
均一な傾斜配向角が得られることが確認された。
Further, injection was performed in the same manner as in Example 8 to fabricate liquid crystal cells, and the alignment state of the liquid crystal in these liquid crystal cells was observed with a polarizing microscope. Was obtained. When the tilt orientation angle was measured by the crystal rotation method, each of PI-1, PI-2, and PI-3 was 2.0 °,
It was 1.9 ° and 3.8 °, and it was confirmed that a uniform tilt orientation angle was obtained in both polyimide films.

【0120】比較例1 実施例2により得られるポリアミドPA−1のシルフェ
ニレン含有ジアミンの代わりにビス(4-アミノフェニ
ル)アジペートを用いたポリアミドPA−3を次の方法
により重合した。
Comparative Example 1 Polyamide PA-3 obtained by using bis (4-aminophenyl) adipate instead of the silphenylene-containing diamine of polyamide PA-1 obtained in Example 2 was polymerized by the following method.

【0121】すなわち、ビス(4-アミノフェニル)アジ
ペートを2.261g(6.884mmol)秤量し、
1mol/lのNMP溶液とした後これをアルゴン雰囲
気下、攪拌しながら−78℃まで冷却し、固化させた。
ここへ、ビス(4-アミノフェニル)アジペートと等モル
量のアジピン酸クロリド1.000ml(6.884m
mol)を用いて調製した1mol/lのNMP溶液を
加え、反応温度を室温までゆっくりと昇温した。昇温と
ともに攪拌が再開され、30分経過後、NMPで1/2
モル濃度まで希釈した。反応溶液を約100倍量のメタ
ノールに攪拌しながら投入し、生じた繊維状の沈殿を濾
取、減圧下60℃で一晩乾燥させ、ポリアミドPA−3
を2.881g得た。
That is, 2.261 g (6.884 mmol) of bis (4-aminophenyl) adipate was weighed,
After making a 1 mol / l NMP solution, the solution was cooled to -78 ° C with stirring under an argon atmosphere and solidified.
Here, 1.000 ml (6.884 m) of adipic acid chloride in an equimolar amount to bis (4-aminophenyl) adipate was added.
mol) was added, and the reaction temperature was slowly raised to room temperature. Stirring was resumed with the temperature rise, and after 30 minutes, halved with NMP.
Diluted to molarity. The reaction solution was poured into about 100 times the amount of methanol with stirring, and the resulting fibrous precipitate was collected by filtration, dried at 60 ° C. under reduced pressure overnight, and treated with polyamide PA-3.
2.881 g was obtained.

【0122】得られたPA−3の数平均分子量及び重量
平均分子量をゲルパーミエーションクロマトグラフィー
により測定したところ、それぞれ5.11×103
8.97×104であった。このPA−3をNMP及び
BCの混合溶媒(重量比4:1)中に固形分濃度が5w
t%になるように仕込み室温で攪拌したが、この混合溶
媒には溶解しなかった。
The number-average molecular weight and weight-average molecular weight of the obtained PA-3 were measured by gel permeation chromatography and found to be 5.11 × 10 3 , respectively.
8.97 × 10 4 . This PA-3 was mixed with a mixed solvent of NMP and BC (weight ratio 4: 1) at a solid content of 5 watts.
The mixture was stirred at room temperature so as to obtain a t%, but did not dissolve in this mixed solvent.

【0123】比較例2 等モル量のイソフタル酸クロリドとジアミノジフェニル
エーテルを窒素気流中−78℃のNMP中(濃度1mo
l/l)で反応させた後、室温で攪拌した。この溶液を
メタノールに攪拌しながら投入し、生じた析出物を濾別
して乾燥させた。この操作を繰り返してポリアミド粉末
PA−4を得た。得られたポリアミドの数平均分子量及
び重量平均分子量をゲルパーミエーションクロマトグラ
フィーにより測定したところ、それぞれ1.40×10
4、2.90×104であった。
Comparative Example 2 Equimolar amounts of isophthalic acid chloride and diaminodiphenyl ether were placed in a nitrogen stream at −78 ° C. in NMP (concentration: 1 mol).
(l / l) and stirred at room temperature. This solution was poured into methanol with stirring, and the resulting precipitate was separated by filtration and dried. This operation was repeated to obtain a polyamide powder PA-4. When the number average molecular weight and weight average molecular weight of the obtained polyamide were measured by gel permeation chromatography, each was 1.40 × 10
4 , 2.90 × 10 4 .

【0124】PA−4をNMPとBCの混合溶媒(重量
比4:1)に固形分濃度5wt%となるように溶解させ
た。この溶液をガラス基板上にスピンコートし、80℃
で5分間、次いで180℃で60分加熱処理を行い、膜
厚1000Åの均一なポリアミド膜を作製した。
PA-4 was dissolved in a mixed solvent of NMP and BC (weight ratio: 4: 1) so as to have a solid content of 5 wt%. This solution is spin-coated on a glass substrate,
For 5 minutes and then at 180 ° C. for 60 minutes to produce a uniform polyamide film having a thickness of 1000 °.

【0125】このポリアミド膜をラビング処理したとき
のΔnd及び遅相軸とラビング方向のずれ角について、
実施例8と同様の方法によりラビング度を変えて測定し
た結果を表4に示す。いずれのラビング度でもΔndが
小さく、また遅相軸のずれ角(絶対値の平均値)も大きい
ことから、高分子鎖のラビング方向への配向均一性が低
いことがわかった。
With respect to Δnd and the deviation angle between the slow axis and the rubbing direction when the polyamide film was subjected to the rubbing treatment,
Table 4 shows the measurement results obtained by changing the rubbing degree in the same manner as in Example 8. Since Δnd was small and the shift angle of the slow axis (average absolute value) was large at any rubbing degree, it was found that the uniformity of orientation of the polymer chains in the rubbing direction was low.

【0126】[0126]

【表4】 表4 複屈折位相差の大きさと遅相軸のラビング方向からのずれ角 ─────────────────────────────── ラビング度 Δnd(nm) 遅相軸のずれ角(°) (mm) 最大値 最小値 平均値 最大値 最小値 平均値 ─────────────────────────────── 46.6 0.45 0.38 0.42 1.8 -3.0 1.9 149.1 1.03 0.81 0.95 -0.6 -0.9 0.8 307.0 1.06 0.69 0.94 -0.5 -1.0 0.7 ───────────────────────────────[Table 4] Table 4 Size of birefringence phase difference and shift angle of slow axis from rubbing direction ─────────────────────────── ──── Degree of rubbing Δnd (nm) Deviation angle of slow axis (°) (mm) Maximum value Minimum value Average value Maximum value Minimum value Average value ──────────────── ─────────────── 46.6 0.45 0.38 0.42 1.8 -3.0 1.9 149.1 1.03 0.81 0.95 -0.6 -0.9 0.8 307.0 1.06 0.69 0.94 -0.5 -1.0 0.7 ───────── ──────────────────────

【0127】比較例3 ピロメリット酸二無水物とジアミノジフェニルエーテル
をNMP中で反応させ、ポリイミド前駆体PAA−4を
重合した。この溶液をNMPとBCの混合溶媒(重量比
4:1)で希釈し、固形分濃度5wt%溶液を調製し
た。得られたポリアミド酸の数平均分子量及び重量平均
分子量をゲルパーミエーションクロマトグラフィーによ
り測定したところ、それぞれ1.97×104、9.6
2×104であった。このPAA−4溶液をガラス基板
上にスピンコートし、120℃で5分間乾燥させた後、
250℃で1時間加熱処理を行いポリイミドPI−4に
転化させ、膜厚1000Åの均一なポリイミド膜を得
た。
Comparative Example 3 Pyromellitic dianhydride and diaminodiphenyl ether were reacted in NMP to polymerize a polyimide precursor PAA-4. This solution was diluted with a mixed solvent of NMP and BC (weight ratio: 4: 1) to prepare a solution having a solid content of 5% by weight. When the number average molecular weight and weight average molecular weight of the obtained polyamic acid were measured by gel permeation chromatography, they were 1.97 × 10 4 and 9.6, respectively.
It was 2 × 10 4 . This PAA-4 solution was spin-coated on a glass substrate and dried at 120 ° C. for 5 minutes.
Heat treatment was performed at 250 ° C. for 1 hour to convert the polyimide into PI-4, thereby obtaining a uniform polyimide film having a thickness of 1000 °.

【0128】このポリイミド膜をラビング処理したとき
のΔnd及び遅相軸とラビング方向のずれ角について、
実施例8と同様の方法によりラビング度を変えて測定し
た結果を表5に示す。いずれのラビング度でもΔndが
小さく、また遅相軸のずれ角(絶対値の平均値)も大きい
ことから、高分子鎖のラビング方向への配向均一性が低
いことがわかった。
Regarding Δnd and the deviation angle between the slow axis and the rubbing direction when the polyimide film was subjected to the rubbing treatment,
Table 5 shows the measurement results obtained by changing the rubbing degree in the same manner as in Example 8. Since Δnd was small and the shift angle of the slow axis (average absolute value) was large at any rubbing degree, it was found that the uniformity of orientation of the polymer chains in the rubbing direction was low.

【0129】[0129]

【表5】 表5 複屈折位相差の大きさと遅相軸のラビング方向からのずれ角 ─────────────────────────────── ラビング度 Δnd(nm) 遅相軸のずれ角(°) (mm) 最大値 最小値 平均値 最大値 最小値 平均値 ─────────────────────────────── 37.3 0.39 0.24 0.30 -0.2 -1.8 1.1 74.6 0.79 0.54 0.60 0.0 -2.2 1.2 307.0 0.79 0.49 0.64 -0.1 -2.0 1.0 ─────────────────────────────── [Table 5] Table 5 Size of birefringence phase difference and deviation angle of slow axis from rubbing direction ─────────────────────────── ──── Degree of rubbing Δnd (nm) Deviation angle of slow axis (°) (mm) Maximum value Minimum value Average value Maximum value Minimum value Average value ──────────────── ─────────────── 37.3 0.39 0.24 0.30 -0.2 -1.8 1.1 74.6 0.79 0.54 0.60 0.0 -2.2 1.2 307.0 0.79 0.49 0.64 -0.1 -2.0 1.0 ───────── ──────────────────────

【0130】[0130]

【発明の効果】本発明のシルフェニレン残基を有するジ
アミン化合物を用いたポリアミドは、溶媒への溶解性に
優れ、製膜時に低温焼成可能であり、該ポリアミドを用
いた液晶配向膜はラビングによる高分子鎖の配向性に優
れており、均一な液晶配向性を示す。また、本発明の前
記ジアミンを用いたポリアミド酸および/またはポリイ
ミドにおいても、ラビングによる高分子鎖の配向性に優
れており、ポリアミドと同様の液晶配向性を示す。
The polyamide using the diamine compound having a silphenylene residue of the present invention has excellent solubility in a solvent and can be fired at a low temperature during film formation. The liquid crystal alignment film using the polyamide is obtained by rubbing. It has excellent polymer chain alignment and shows uniform liquid crystal alignment. Also, the polyamic acid and / or polyimide using the diamine of the present invention is excellent in the alignment of the polymer chains by rubbing, and exhibits the same liquid crystal alignment as the polyamide.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】実施例2で得られたポリアミドPA−1のIR
スペクトル。
FIG. 1 shows IR of polyamide PA-1 obtained in Example 2.
Spectrum.

【図2】実施例3で得られたポリアミドPAA−1のI
Rスペクトル。
FIG. 2 shows I of polyamide PAA-1 obtained in Example 3.
R spectrum.

【図3】実施例4で得られたポリアミドPAA−2のI
Rスペクトル。
FIG. 3 shows I of polyamide PAA-2 obtained in Example 4.
R spectrum.

【図4】実施例6で得られたポリアミドPA−2のIR
スペクトル。
FIG. 4 shows IR of polyamide PA-2 obtained in Example 6.
Spectrum.

【図5】実施例7で得られたポリアミドPAA−3のI
Rスペクトル。
FIG. 5 shows I of polyamide PAA-3 obtained in Example 7.
R spectrum.

【図6】実施例10で得られたポリアミドPI−1のI
Rスペクトル。
FIG. 6 shows I of polyamide PI-1 obtained in Example 10.
R spectrum.

【図7】実施例11で得られたポリアミドPI−2のI
Rスペクトル。
FIG. 7 shows I of polyamide PI-2 obtained in Example 11.
R spectrum.

【図8】実施例12で得られたポリアミドPI−3のI
Rスペクトル。
FIG. 8 shows I of polyamide PI-3 obtained in Example 12.
R spectrum.

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 仁平 貴康 千葉県船橋市坪井町722番地1 日産化学 工業株式会社中央研究所内 (72)発明者 袋 裕善 千葉県船橋市坪井町722番地1 日産化学 工業株式会社中央研究所内 (72)発明者 長瀬 裕 神奈川県相模原市南台1−9−2 (72)発明者 秋山 映一 神奈川県大和市鶴間2786−4−211 Fターム(参考) 2H090 HB08Y HB09Y HC05 HC20 HD14 JB13 KA05 KA08 KA14 KA15 MB01 4H049 VN01 VP02 VP10 VQ35 VQ37 VQ77 VR24 VU24 VU25 VW02 4J001 DA01 DB01 DB04 DC03 DC05 DC06 DC10 DC14 DC15 EB02 EB03 EB04 EB05 EB06 EB07 EB08 EB09 EB36 EB37 EB46 EB55 EB65 EC02 EC04 EC05 EC07 EC08 EC09 EC16 EC44 EC54 EC65 EC66 EC67 EC68 EC70 EC75 EE27A GA13 JA17 JA20 JB01 JB50 JC08 4J043 PA02 PA04 PC145 PC146 QB26 QB31 RA34 SA05 SB02 TA14 TA22 TB01 UA022 UA032 UA042 UA122 UA132 UA141 UA252 UA262 UA362 UB011 UB022 UB121 UB122 UB152 UB161 UB221 UB321 ZA09 ZB23  ──────────────────────────────────────────────────続 き Continuing on the front page (72) Inventor Takayasu Nihira 722-1, Tsuboi-cho, Funabashi-shi, Chiba Nissan Chemical Industry Co., Ltd. (72) Inventor Hiroshi Nagase 1-9-2 Minamidai, Sagamihara City, Kanagawa Prefecture (72) Eiichi Akiyama 2786-4-211 Tsuruma, Yamato City, Kanagawa Prefecture F-term (reference) 2H090 HB08Y HB09Y HC05 HC20 HD14 JB13 KA05 KA08 KA14 KA15 MB01 4H049 VN01 VP02 VP10 VQ35 VQ37 VQ77 VR24 VU24 VU25 VW02 4J001 DA01 DB01 DB04 DC03 DC05 DC06 DC10 DC14 DC15 EC02 EB02 EB04 EB04 EB05 EB06 EB07 EB07 EB07 EB07 EB07 EB07 EB08 EC54 EC65 EC66 EC67 EC68 EC70 EC75 EE27A GA13 JA17 JA20 JB01 JB50 JC08 4J043 PA02 PA04 PC145 PC146 QB26 QB31 RA34 SA05 SB02 TA14 TA22 TB01 UA022 UA032 UA042 UA122 UA132 UA141 UA252 UA262 UA362 UB011 UB022 UB121 UB122 UB152 UB161 UB221 UB321 ZA09 ZB23

Claims (8)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 下記一般式(I) 【化1】 (式中、R1〜R4は炭素数1〜6のアルキル基またはフ
ェニル基、X1およびX2はエーテル結合、エステル結合
またはアミド結合、mは2〜20の整数である。)で表
されるシルフェニレン残基を有するジアミン化合物。
1. A compound represented by the following general formula (I) (Wherein, R 1 to R 4 are an alkyl group or a phenyl group having 1 to 6 carbon atoms, X 1 and X 2 are an ether bond, an ester bond or an amide bond, and m is an integer of 2 to 20). Diamine compound having a silphenylene residue.
【請求項2】 下記一般式(II) 【化2】 (式中、R1〜R4は炭素数1〜6のアルキル基またはフ
ェニル基、X1およびX2はエーテル結合、エステル結合
またはアミド結合、A1はジカルボン酸を構成する2価
の有機基、mは2〜20の整数である。)で表される繰
り返し単位を少なくとも5モル%含有し、重量平均分子
量が2,000以上であるポリアミド。
2. The following general formula (II): (Wherein, R 1 to R 4 are an alkyl group or phenyl group having 1 to 6 carbon atoms, X 1 and X 2 are an ether bond, an ester bond or an amide bond, and A 1 is a divalent organic group constituting a dicarboxylic acid , M is an integer of 2 to 20), and has a weight average molecular weight of 2,000 or more.
【請求項3】 下記一般式(III) 【化3】 式中、R1〜R4は炭素数1〜6のアルキル基またはフェ
ニル基、A2はテトラカルボン酸を構成する4価の有機
基、mは2〜20の整数である。)で表される繰り返し
単位を少なくとも5モル%含有し、重量平均分子量が少
なくとも2,000であるポリアミド酸。
3. The following general formula (III): In the formula, R 1 to R 4 are an alkyl group or a phenyl group having 1 to 6 carbon atoms, A 2 is a tetravalent organic group constituting a tetracarboxylic acid, and m is an integer of 2 to 20. A) a polyamic acid containing at least 5 mol% of the repeating unit represented by the formula (1) and having a weight average molecular weight of at least 2,000.
【請求項4】 前記一般式(III)で表される繰り返し
単位を少なくとも5モル%含有し、重量平均分子量が少
なくとも2,000であるポリアミド酸から誘導される
ポリイミド。
4. A polyimide derived from a polyamic acid containing at least 5 mol% of the repeating unit represented by the general formula (III) and having a weight average molecular weight of at least 2,000.
【請求項5】 透明電極付き基板上に塗布、焼成した
後、ラビング処理してなる液晶配向膜の形成に使用され
る液晶配向処理剤において、該液晶配向処理剤が請求項
2記載のポリアミド溶液であることを特徴とする液晶配
向処理剤。
5. A polyamide solution according to claim 2, wherein the liquid crystal alignment treatment agent is used for forming a liquid crystal alignment film formed by applying, baking, and rubbing a substrate with a transparent electrode. A liquid crystal alignment treatment agent, characterized in that:
【請求項6】 請求項5記載の液晶配向処理剤を用いて
形成される液晶配向膜を用いることを特徴とする液晶素
子。
6. A liquid crystal device comprising a liquid crystal alignment film formed using the liquid crystal alignment treatment agent according to claim 5.
【請求項7】 透明電極付き基板上に塗布、焼成した
後、ラビング処理してなる液晶配向膜の形成に使用され
る液晶配向処理剤において、該液晶配向処理剤が請求項
3記載のポリアミド酸溶液および/または該ポリアミド
酸から誘導される請求項4記載のポリイミド溶液である
ことを特徴とする液晶配向処理剤。
7. The polyamic acid according to claim 3, wherein the liquid crystal alignment treatment agent is used for forming a liquid crystal alignment film, which is formed by rubbing after coating and baking on a substrate with a transparent electrode. 5. A liquid crystal alignment treating agent, which is a solution and / or the polyimide solution according to claim 4, which is derived from the polyamic acid.
【請求項8】 請求項7記載の液晶配向処理剤を用いて
形成される液晶配向膜を用いることを特徴とする液晶素
子。
8. A liquid crystal device comprising a liquid crystal alignment film formed using the liquid crystal alignment treatment agent according to claim 7.
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