JP2000357912A - マイクロストリップアンテナ - Google Patents
マイクロストリップアンテナInfo
- Publication number
- JP2000357912A JP2000357912A JP11168676A JP16867699A JP2000357912A JP 2000357912 A JP2000357912 A JP 2000357912A JP 11168676 A JP11168676 A JP 11168676A JP 16867699 A JP16867699 A JP 16867699A JP 2000357912 A JP2000357912 A JP 2000357912A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- liquid
- microstrip antenna
- resonance frequency
- dielectric substrate
- liquid storage
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Landscapes
- Waveguide Aerials (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 共振周波数を高低方向のいずれにも容易に変
化させることができ、共振周波数の調整を容易に行なえ
るマイクロストリップアンテナを提供する。 【解決手段】 誘電体基板11を中空に形成して該中空部
によって貯液槽部14を形成し、液体供給排出手段17によ
って該貯液槽部14に絶縁性を有する、シリコン油などの
液体を供給し、排出することができるようにする。液体
供給排出手段17と貯液槽部14との間に弁15b、16bを介在
させ、該弁15b、16bを閉成することにより、貯液槽部14
を、液体を貯留させた状態で密封できるようにする。貯
液槽部14の液体が充填されている場合と、されていない
場合とで誘電体基板11の誘電率が異なるから、共振周波
数が変化する。
化させることができ、共振周波数の調整を容易に行なえ
るマイクロストリップアンテナを提供する。 【解決手段】 誘電体基板11を中空に形成して該中空部
によって貯液槽部14を形成し、液体供給排出手段17によ
って該貯液槽部14に絶縁性を有する、シリコン油などの
液体を供給し、排出することができるようにする。液体
供給排出手段17と貯液槽部14との間に弁15b、16bを介在
させ、該弁15b、16bを閉成することにより、貯液槽部14
を、液体を貯留させた状態で密封できるようにする。貯
液槽部14の液体が充填されている場合と、されていない
場合とで誘電体基板11の誘電率が異なるから、共振周波
数が変化する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、共振周波数を高
低いずれにも容易に調整することができるマイクロスト
リップアンテナに関する。
低いずれにも容易に調整することができるマイクロスト
リップアンテナに関する。
【０００２】
【従来の技術】図７及び図８は、従来のマイクロストリ
ップアンテナ１の概略構造を説明する図で、図７は正面
図であり、図８は平面図である。この構造では、誘電体
基板２の一方の面に密着させて薄肉の放射導体板である
アンテナパッチ３が設けられ、他方の面に密着させて接
地導体板４が設けられている。アンテナパッチ３の一辺
には誘電体基板２の一方の側面に向って給電線路５が接
続されている。
ップアンテナ１の概略構造を説明する図で、図７は正面
図であり、図８は平面図である。この構造では、誘電体
基板２の一方の面に密着させて薄肉の放射導体板である
アンテナパッチ３が設けられ、他方の面に密着させて接
地導体板４が設けられている。アンテナパッチ３の一辺
には誘電体基板２の一方の側面に向って給電線路５が接
続されている。
【０００３】この種の方形のアンテナパッチ３を有する
マイクロストリップアンテナ１の共振周波数ｆは、図６
に示す式で表される。なお、同式中のＣ0 は光速を、Ｌ
はアンテナパッチ３の前記給電線路５の方向の辺の長さ
を、εｒはアンテナパッチと接地導体板との間の誘電率
を示す。
マイクロストリップアンテナ１の共振周波数ｆは、図６
に示す式で表される。なお、同式中のＣ0 は光速を、Ｌ
はアンテナパッチ３の前記給電線路５の方向の辺の長さ
を、εｒはアンテナパッチと接地導体板との間の誘電率
を示す。
【０００４】図６に示す式で表されるように、この種の
マイクロストリップアンテナ１の製造後にその共振周波
数ｆを変化させるには、図８に示すように、アンテナパ
ッチ３の寸法Ｌを変更することによる。すなわち、アン
テナパッチ３の一辺をΔＬの長さ削り取れば、共振周波
数ｆを高くすることができる。
マイクロストリップアンテナ１の製造後にその共振周波
数ｆを変化させるには、図８に示すように、アンテナパ
ッチ３の寸法Ｌを変更することによる。すなわち、アン
テナパッチ３の一辺をΔＬの長さ削り取れば、共振周波
数ｆを高くすることができる。
【０００５】しかし、このアンテナパッチ３の一辺を削
り取るという調整方法であると、共振周波数ｆを高くす
る方向に調整することはできるが、低くする方向に調整
することができない。
り取るという調整方法であると、共振周波数ｆを高くす
る方向に調整することはできるが、低くする方向に調整
することができない。
【０００６】この問題を解決すべく、共振周波数ｆを高
低いずれの方向へも調整できるようにしたものとして、
例えば特開平５−１５２８３１号公報に記載されたマイ
クロストリップアンテナの共振周波数調整方法がある。
この調整方法は、図９に示すように、接地電極６の側か
ら誘電体基板７の底面に孔８を形成し、この孔８に誘電
体を充填し、あるいは充填せずに、また充填する場合に
はその充填量を制御して共振周波数ｆを調整しようとす
るものである。なお、接地電極６の反対側の誘電体基板
７の面には、放射電極９が設けられている。
低いずれの方向へも調整できるようにしたものとして、
例えば特開平５−１５２８３１号公報に記載されたマイ
クロストリップアンテナの共振周波数調整方法がある。
この調整方法は、図９に示すように、接地電極６の側か
ら誘電体基板７の底面に孔８を形成し、この孔８に誘電
体を充填し、あるいは充填せずに、また充填する場合に
はその充填量を制御して共振周波数ｆを調整しようとす
るものである。なお、接地電極６の反対側の誘電体基板
７の面には、放射電極９が設けられている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た特開平５−１５２８３１号公報に記載されたマイクロ
ストリップアンテナの共振周波数調整方法では、孔８に
誘電体を充填するものであるから、孔８の深さや径を所
望の大きさにしなければならず、その加工に高い精度が
要求されて、加工が煩雑となるおそれがある。また、誘
電体を充填する場合にはその充填量の制御に高い精度が
要求されることになり、充填作業が煩雑となるおそれが
ある。
た特開平５−１５２８３１号公報に記載されたマイクロ
ストリップアンテナの共振周波数調整方法では、孔８に
誘電体を充填するものであるから、孔８の深さや径を所
望の大きさにしなければならず、その加工に高い精度が
要求されて、加工が煩雑となるおそれがある。また、誘
電体を充填する場合にはその充填量の制御に高い精度が
要求されることになり、充填作業が煩雑となるおそれが
ある。
【０００８】そこで、この発明は、共振周波数の調整を
高低いずれの方向にも行なえると共に、その調整作業を
容易に行なえることができるようにしたマイクロストリ
ップアンテナを提供することを目的としている。
高低いずれの方向にも行なえると共に、その調整作業を
容易に行なえることができるようにしたマイクロストリ
ップアンテナを提供することを目的としている。
【０００９】
【課題を解決するための手段】前記の目的を達成するた
めの技術的手段として、この発明に係るマイクロストリ
ップアンテナは、誘電体基板の一方の面にアンテナパッ
チが設けられ、他方の面に接地導体板が設けられたマイ
クロストリップアンテナにおいて、前記誘電体基板を中
空状にして該中空部によって貯液槽部を形成し、前記貯
液槽部に絶縁性を備えた液体を供給し、該貯液槽部から
液体を排出する液体供給排出手段を備えたことを特徴と
している。
めの技術的手段として、この発明に係るマイクロストリ
ップアンテナは、誘電体基板の一方の面にアンテナパッ
チが設けられ、他方の面に接地導体板が設けられたマイ
クロストリップアンテナにおいて、前記誘電体基板を中
空状にして該中空部によって貯液槽部を形成し、前記貯
液槽部に絶縁性を備えた液体を供給し、該貯液槽部から
液体を排出する液体供給排出手段を備えたことを特徴と
している。
【００１０】前記貯液槽部に前記液体を充填した場合
と、充填しない場合とでは、誘電率εｒが変化するか
ら、液体の充填時と空洞時とで共振周波数ｆを変化させ
ることができる。また、供給する液体の種類を異ならせ
ることによって誘電率εｒが変化するから、貯液槽部に
貯留される液体の種類を異ならせて共振周波数ｆを変化
させることもできる。さらに、貯留する液体の量を変化
させることによっても共振周波数ｆを変化させることが
できる。なお、液体の供給と排出は前記供給排出手段に
よって行なわれる。
と、充填しない場合とでは、誘電率εｒが変化するか
ら、液体の充填時と空洞時とで共振周波数ｆを変化させ
ることができる。また、供給する液体の種類を異ならせ
ることによって誘電率εｒが変化するから、貯液槽部に
貯留される液体の種類を異ならせて共振周波数ｆを変化
させることもできる。さらに、貯留する液体の量を変化
させることによっても共振周波数ｆを変化させることが
できる。なお、液体の供給と排出は前記供給排出手段に
よって行なわれる。
【００１１】また、請求項２の発明に係るマイクロスト
リップアンテナは、前記貯液槽部に液供給口と液排出口
とを設け、これら液供給口と液排出口のいずれか一方又
は双方に弁を設けたことを特徴としている。
リップアンテナは、前記貯液槽部に液供給口と液排出口
とを設け、これら液供給口と液排出口のいずれか一方又
は双方に弁を設けたことを特徴としている。
【００１２】前記供給排出手段の動作を停止させた場合
には、この供給排出手段と前記貯液槽部との間で前記液
体の流動がないものであれば貯液槽部に常時一定の液体
が貯留されて、共振周波数ｆを一定に保つことができ
る。また、液供給口または液排出口に弁を設けて液体の
逆流を防止したり、双方の口に弁を設けて貯留液を密封
するようにすれば、より確実に共振周波数ｆを一定に保
つことができる。
には、この供給排出手段と前記貯液槽部との間で前記液
体の流動がないものであれば貯液槽部に常時一定の液体
が貯留されて、共振周波数ｆを一定に保つことができ
る。また、液供給口または液排出口に弁を設けて液体の
逆流を防止したり、双方の口に弁を設けて貯留液を密封
するようにすれば、より確実に共振周波数ｆを一定に保
つことができる。
【００１３】また、請求項３の発明に係るマイクロスト
リップアンテナは、前記貯液槽部に供給する液体は、シ
リコン油またはパラフィン油であることを特徴としてい
る。
リップアンテナは、前記貯液槽部に供給する液体は、シ
リコン油またはパラフィン油であることを特徴としてい
る。
【００１４】すなわち、絶縁性を備えた液体としてシリ
コン油またはパラフィン油を使用するようにしてある。
コン油またはパラフィン油を使用するようにしてある。
【００１５】また、請求項４の発明に係るマイクロスト
リップアンテナは、このマイクロストリップアンテナ
が、共表面給電型であることを特徴としており、請求項
５の発明に係るマイクロストリップアンテナは、このマ
イクロストリップアンテナが、スロット給電型であるこ
とを特徴としている。
リップアンテナは、このマイクロストリップアンテナ
が、共表面給電型であることを特徴としており、請求項
５の発明に係るマイクロストリップアンテナは、このマ
イクロストリップアンテナが、スロット給電型であるこ
とを特徴としている。
【００１６】すなわち、前記貯液槽部は、共表面給電型
マイクロストリップアンテナの誘電体基板に、またはス
ロット給電型マイクロストリップアンテナの誘電体基板
に形成することができ、この貯液槽部に絶縁性の液体を
貯留させる。
マイクロストリップアンテナの誘電体基板に、またはス
ロット給電型マイクロストリップアンテナの誘電体基板
に形成することができ、この貯液槽部に絶縁性の液体を
貯留させる。
【００１７】また、請求項６の発明に係るマイクロスト
リップアンテナは、前記アンテナパッチがほぼ矩形であ
ることを特徴とし、請求項７の発明に係るマイクロスト
リップアンテナは、前記アンテナパッチがほぼ円形であ
ることを特徴としている。
リップアンテナは、前記アンテナパッチがほぼ矩形であ
ることを特徴とし、請求項７の発明に係るマイクロスト
リップアンテナは、前記アンテナパッチがほぼ円形であ
ることを特徴としている。
【００１８】なお、アンテナパッチの形状は任意のもの
とすることができる。
とすることができる。
【００１９】また、請求項８の発明はマイクロストリッ
プアンテナの共振周波数の調整方法に係り、この調整方
法は、誘電体基板の一方の面にアンテナパッチが設けら
れ、他方の面に接地導体板が設けられたマイクロストリ
ップアンテナの共振周波数の調整方法において、前記誘
電体基板を中空状にして該中空部により形成された貯液
槽部に貯留させる絶縁性を備えた液体の量を変更するこ
とを特徴としている。
プアンテナの共振周波数の調整方法に係り、この調整方
法は、誘電体基板の一方の面にアンテナパッチが設けら
れ、他方の面に接地導体板が設けられたマイクロストリ
ップアンテナの共振周波数の調整方法において、前記誘
電体基板を中空状にして該中空部により形成された貯液
槽部に貯留させる絶縁性を備えた液体の量を変更するこ
とを特徴としている。
【００２０】前記貯液槽部に液体を貯留させない状態と
貯留させた状態とで共振周波数を変化させることができ
る。また、貯留量の変化させることによっても共振周波
数を変化させることができる。さらに、貯留させる液体
の種類を変更することによっても共振周波数を変化させ
ることができる。
貯留させた状態とで共振周波数を変化させることができ
る。また、貯留量の変化させることによっても共振周波
数を変化させることができる。さらに、貯留させる液体
の種類を変更することによっても共振周波数を変化させ
ることができる。
【００２１】
【発明の実施の形態】以下、図示した好ましい実施の形
態に基づいて、この発明に係るマイクロストリップアン
テナを具体的に説明する。
態に基づいて、この発明に係るマイクロストリップアン
テナを具体的に説明する。
【００２２】図１及び図２はこの発明を共表面給電型矩
形マイクロストリップアンテナ10に実施した場合の概略
の構造を示す図で、図１は正面図を、図２は平面図をそ
れぞれ示している。このマイクロストリップアンテナ10
は、中空状に形成された誘電体基板11の一方の面に薄肉
の放射導電板であるアンテナパッチ12が設けられ、他方
の面に接地導体板13が設けられて構成されている。誘電
体基板11の中空状に形成された部分は、液体を貯留する
ことができる貯液槽部14とされている。この貯液槽部14
には、前記接地導体板13の側に液供給口15と液排出口16
とが形成されて、これら液供給口15と液排出口16とを介
して、該貯液槽部14が外部と連通することができるよう
にしてある。
形マイクロストリップアンテナ10に実施した場合の概略
の構造を示す図で、図１は正面図を、図２は平面図をそ
れぞれ示している。このマイクロストリップアンテナ10
は、中空状に形成された誘電体基板11の一方の面に薄肉
の放射導電板であるアンテナパッチ12が設けられ、他方
の面に接地導体板13が設けられて構成されている。誘電
体基板11の中空状に形成された部分は、液体を貯留する
ことができる貯液槽部14とされている。この貯液槽部14
には、前記接地導体板13の側に液供給口15と液排出口16
とが形成されて、これら液供給口15と液排出口16とを介
して、該貯液槽部14が外部と連通することができるよう
にしてある。
【００２３】このマイクロストリップアンテナ10の外側
部にはポンプなどを備えた液体供給排出手段17が設けら
れており、この液体供給排出手段17の吐出口が前記液供
給口15に管路15a を介して接続され、吸込口が前記液排
出口16に管路16a を介して接続されている。このため、
この液体供給排出手段17によって前記貯液槽部14に液体
を供給し、あるいは貯液槽部14から液体を排出するよう
にしてあり、該液体供給排出手段17と貯液槽部14と間で
液体が循環できるようにしてある。また、管路15a 、16
a には、これら液供給口16、液排出口16の開口を開閉す
る弁15b 、16bがそれぞれ設けられており、外部からの
操作によってこれらの弁15b 、16b の開度を制御し調整
することできるようにしてある。そして、この貯液槽部
14に供給され貯留される液体には絶縁性を備えたものが
用いられ、特にシリコン油やパラフィン油などが好まし
い。
部にはポンプなどを備えた液体供給排出手段17が設けら
れており、この液体供給排出手段17の吐出口が前記液供
給口15に管路15a を介して接続され、吸込口が前記液排
出口16に管路16a を介して接続されている。このため、
この液体供給排出手段17によって前記貯液槽部14に液体
を供給し、あるいは貯液槽部14から液体を排出するよう
にしてあり、該液体供給排出手段17と貯液槽部14と間で
液体が循環できるようにしてある。また、管路15a 、16
a には、これら液供給口16、液排出口16の開口を開閉す
る弁15b 、16bがそれぞれ設けられており、外部からの
操作によってこれらの弁15b 、16b の開度を制御し調整
することできるようにしてある。そして、この貯液槽部
14に供給され貯留される液体には絶縁性を備えたものが
用いられ、特にシリコン油やパラフィン油などが好まし
い。
【００２４】また、前記アンテナパッチ12の一辺には給
電線路18が設けられている。
電線路18が設けられている。
【００２５】以上により構成されたこの発明に係るマイ
クロストリップアンテナ10では、給電線路18を介してア
ンテナパッチ12に給電されると、該アンテナパッチ12が
励振されることになる。このとき、前記貯液槽部14に絶
縁性を有する液体が貯留された状態と貯留されていない
状態とでは、アンテナパッチ12と接地導体板13との間の
誘電体基板11の実行誘電率が変化する。すなわち、図６
に示す共振周波数ｆの式における、εｒの値が変化す
る。このため、貯液槽部14の液体の有無によって共振周
波数を変化させることができる。
クロストリップアンテナ10では、給電線路18を介してア
ンテナパッチ12に給電されると、該アンテナパッチ12が
励振されることになる。このとき、前記貯液槽部14に絶
縁性を有する液体が貯留された状態と貯留されていない
状態とでは、アンテナパッチ12と接地導体板13との間の
誘電体基板11の実行誘電率が変化する。すなわち、図６
に示す共振周波数ｆの式における、εｒの値が変化す
る。このため、貯液槽部14の液体の有無によって共振周
波数を変化させることができる。
【００２６】貯液槽部14に液体を供給するには、前記液
体供給排出手段17の動作と、前記液供給口15と液排出口
16とのそれぞれに対応して設けられた弁15b 、16b の開
度を調整することによる。この弁15b 、16b の開度の調
整を行なうことによって貯液槽部14に貯留させる液体を
量を変更して、共振周波数ｆを変化させることもでき
る。そして、所望の共振周波数ｆが得られた状態で、前
記弁15b 、16b を閉成して貯液槽部24を密封すれば、所
望の共振周波数ｆに維持させることができる。また、貯
液槽部14に貯留させる液体の種類を変更しても、実行誘
電率εｒが変化するから、共振周波数ｆを変化させるこ
とができる。
体供給排出手段17の動作と、前記液供給口15と液排出口
16とのそれぞれに対応して設けられた弁15b 、16b の開
度を調整することによる。この弁15b 、16b の開度の調
整を行なうことによって貯液槽部14に貯留させる液体を
量を変更して、共振周波数ｆを変化させることもでき
る。そして、所望の共振周波数ｆが得られた状態で、前
記弁15b 、16b を閉成して貯液槽部24を密封すれば、所
望の共振周波数ｆに維持させることができる。また、貯
液槽部14に貯留させる液体の種類を変更しても、実行誘
電率εｒが変化するから、共振周波数ｆを変化させるこ
とができる。
【００２７】図３〜図５はこの発明をスロット給電型矩
形マイクロストリップアンテナ20に実施した場合の概略
の構造を示す図で、図３は正面図、図４は平面図、図５
は底面図である。誘電体基板21には中空状の貯液槽部24
が形成されており、この誘電体基板21の一方の面にアン
テナパッチ22が、他方の面に接地導体板23がそれぞれ設
けられ、接地導体板23の反対側の面にはさらに下側誘電
体基板25が設けられてる。誘電体基板21と接地導体板2
3、下側誘電体基板25とには、中央部を貫通させてスロ
ット26が形成されており、下側誘電体基板25の表面に給
電線路27が形成されている。そして、前記アンテナパッ
チ22はスロット26を貫通した導体によって給電線路27と
接続されている。なお、前記貯液槽部24は、このスロッ
ト26を回避する状態に形成されている。
形マイクロストリップアンテナ20に実施した場合の概略
の構造を示す図で、図３は正面図、図４は平面図、図５
は底面図である。誘電体基板21には中空状の貯液槽部24
が形成されており、この誘電体基板21の一方の面にアン
テナパッチ22が、他方の面に接地導体板23がそれぞれ設
けられ、接地導体板23の反対側の面にはさらに下側誘電
体基板25が設けられてる。誘電体基板21と接地導体板2
3、下側誘電体基板25とには、中央部を貫通させてスロ
ット26が形成されており、下側誘電体基板25の表面に給
電線路27が形成されている。そして、前記アンテナパッ
チ22はスロット26を貫通した導体によって給電線路27と
接続されている。なお、前記貯液槽部24は、このスロッ
ト26を回避する状態に形成されている。
【００２８】貯液槽部24には、液供給口28と液排出口29
とが設けられている。また、このマイクロストリップア
ンテナ20の外側部にはポンプなどを備えた液体供給排出
手段30が設けられており、該液体供給排出手段30の吐出
口が管路28a を介して前記液供給口28に、吸込口が管路
29a を介して前記液排出口29にそれぞれ接続されて、液
体供給排出手段30によって絶縁性を有する液体が貯液槽
部24に供給され、排出される。すなわち、この液体供給
排出手段30と貯液槽部24との間で液体が循環できるよう
にしてある。また、管路28a と管路29a のそれぞれに
は、液供給口28と液排出口29の開口をそれぞれ開閉する
弁28b 、29b が設けられており、外部からの操作によっ
てこれら弁28b 、29b の開度を制御し調整することがで
きるようにしてある。そして、この貯液槽部24に供給さ
れ貯留される液体には絶縁性を備えたものが用いられ、
特にシリコン油やパラフィン油などが好ましい。
とが設けられている。また、このマイクロストリップア
ンテナ20の外側部にはポンプなどを備えた液体供給排出
手段30が設けられており、該液体供給排出手段30の吐出
口が管路28a を介して前記液供給口28に、吸込口が管路
29a を介して前記液排出口29にそれぞれ接続されて、液
体供給排出手段30によって絶縁性を有する液体が貯液槽
部24に供給され、排出される。すなわち、この液体供給
排出手段30と貯液槽部24との間で液体が循環できるよう
にしてある。また、管路28a と管路29a のそれぞれに
は、液供給口28と液排出口29の開口をそれぞれ開閉する
弁28b 、29b が設けられており、外部からの操作によっ
てこれら弁28b 、29b の開度を制御し調整することがで
きるようにしてある。そして、この貯液槽部24に供給さ
れ貯留される液体には絶縁性を備えたものが用いられ、
特にシリコン油やパラフィン油などが好ましい。
【００２９】このスロット給電型矩形マイクロストリッ
プアンテナ30では、給電線路27を介してアンテナパッチ
22に給電されると、該アンテナパッチ22が励振されるこ
とになる。このとき、前記貯液槽部24に絶縁性を有する
液体が貯留された状態と貯留されていない状態とでは、
誘電率εｒが変化するから、共振周波数ｆが変化するこ
とになる。また、貯液槽部24に貯液された液体の量が異
なることによっても共振周波数ｆが変化する。なお、所
望の共振周波数ｆが得られた状態で、前記弁28b 、29b
を閉成して貯液槽部24を密封すれば、所望の共振周波数
ｆに維持させることができる。また、貯液槽部24に貯留
させる液体の種類を変更しても、実行誘電率εｒが変化
するから、共振周波数ｆを変化させることができる。
プアンテナ30では、給電線路27を介してアンテナパッチ
22に給電されると、該アンテナパッチ22が励振されるこ
とになる。このとき、前記貯液槽部24に絶縁性を有する
液体が貯留された状態と貯留されていない状態とでは、
誘電率εｒが変化するから、共振周波数ｆが変化するこ
とになる。また、貯液槽部24に貯液された液体の量が異
なることによっても共振周波数ｆが変化する。なお、所
望の共振周波数ｆが得られた状態で、前記弁28b 、29b
を閉成して貯液槽部24を密封すれば、所望の共振周波数
ｆに維持させることができる。また、貯液槽部24に貯留
させる液体の種類を変更しても、実行誘電率εｒが変化
するから、共振周波数ｆを変化させることができる。
【００３０】なお、以上に説明した実施形態では、いず
れの矩形のアンテナパッチ12、22について示したが、該
アンテナパッチ12、22は円形やその他の形状とすること
もできる。
れの矩形のアンテナパッチ12、22について示したが、該
アンテナパッチ12、22は円形やその他の形状とすること
もできる。
【００３１】
【発明の効果】以上説明したように、この発明に係るマ
イクロストリップアンテナによれば、誘電体基板に貯液
槽部を形成し、この貯液槽部に絶縁性を有する液体を充
填するようにしたから、充填した場合と充填しない場合
とで誘電体基板の誘電率を変化させることができる。こ
のため、このマイクロストリップアンテナの共振周波数
を変更することができる。しかも、液体の種類を変更す
ることにより誘電率を変更することができるから、この
場合にも共振周波数を変化させることができる。また、
貯液槽部に貯留させる液体の量を変更しても共振周波数
を変更することができる。
イクロストリップアンテナによれば、誘電体基板に貯液
槽部を形成し、この貯液槽部に絶縁性を有する液体を充
填するようにしたから、充填した場合と充填しない場合
とで誘電体基板の誘電率を変化させることができる。こ
のため、このマイクロストリップアンテナの共振周波数
を変更することができる。しかも、液体の種類を変更す
ることにより誘電率を変更することができるから、この
場合にも共振周波数を変化させることができる。また、
貯液槽部に貯留させる液体の量を変更しても共振周波数
を変更することができる。
【００３２】また、請求項２の発明に係るマイクロスト
リップアンテナによれば、弁を開閉することにより貯液
槽部に貯留させる液体の量を容易に調整することがで
き、該弁を閉成することにより貯液槽部を密封して所望
の共振周波数を容易に維持させることができる。
リップアンテナによれば、弁を開閉することにより貯液
槽部に貯留させる液体の量を容易に調整することがで
き、該弁を閉成することにより貯液槽部を密封して所望
の共振周波数を容易に維持させることができる。
【００３３】また、請求項３の発明に係るマイクロスト
リップアンテナによれば、貯液槽部に貯留させる液体
を、シリコン油またはパラフィン油を使用することがで
きる。
リップアンテナによれば、貯液槽部に貯留させる液体
を、シリコン油またはパラフィン油を使用することがで
きる。
【００３４】また、請求項４ないし請求項７のそれぞれ
の発明に係るマイクロストリップアンテナによれば、共
表面給電型マイクロストリップアンテナとスロット給電
型マイクロストリップアンテナのいずれにも実施するこ
とができ、またアンテナパッチは矩形であっても円形で
あっても実施することができる。
の発明に係るマイクロストリップアンテナによれば、共
表面給電型マイクロストリップアンテナとスロット給電
型マイクロストリップアンテナのいずれにも実施するこ
とができ、またアンテナパッチは矩形であっても円形で
あっても実施することができる。
【００３５】そして、請求項８の発明に係るマイクロス
トリップアンテナの共振周波数の調整方法によれば、貯
液槽部に貯留させる液体の量を変更して共振周波数を変
化させるから、共振周波数の調整を容易に行なうことが
できる。
トリップアンテナの共振周波数の調整方法によれば、貯
液槽部に貯留させる液体の量を変更して共振周波数を変
化させるから、共振周波数の調整を容易に行なうことが
できる。
【図１】この発明の第１実施形態に係るマイクロストリ
ップアンテナの正面図である。
ップアンテナの正面図である。
【図２】第１実施形態に係るマイクロストリップアンテ
ナの平面図である。
ナの平面図である。
【図３】第２実施形態に係るマイクロストリップアンテ
ナの正面図である。
ナの正面図である。
【図４】第２実施形態に係るマイクロストリップアンテ
ナの平面図である。
ナの平面図である。
【図５】第２実施形態に係るマイクロストリップアンテ
ナの底面図である。
ナの底面図である。
【図６】共振周波数と誘電率の関係を説明する式であ
る。
る。
【図７】従来のマイクロストリップアンテナにおける共
振周波数の調整方法を説明する図で、マイクロストリッ
プアンテナの正面図である。
振周波数の調整方法を説明する図で、マイクロストリッ
プアンテナの正面図である。
【図８】従来のマイクロストリップアンテナにおける共
振周波数の調整方法を説明する図で、マイクロストリッ
プアンテナの平面図である。
振周波数の調整方法を説明する図で、マイクロストリッ
プアンテナの平面図である。
【図９】従来のマイクロストリップアンテナの共振周波
数の調整を行なう別の方法を説明する図で、マイクロス
トリップアンテナの縦断面図である。
数の調整を行なう別の方法を説明する図で、マイクロス
トリップアンテナの縦断面図である。
10 共表面給電型矩形マイクロストリップアンテナ 11 誘電体基板 12 アンテナパッチ 13 接地導体板 14 貯液槽部 15 液供給口 15a 管路 15b 弁 16 液排出口 16a 管路 16b 弁 17 液体供給排出手段 18 給電線路 20 スロット給電型矩形マイクロストリップアンテナ 21 誘電体基板 22 アンテナパッチ 23 接地導体板 24 貯液槽部 25 下側誘電体基板 26 スロット 27 給電線路 28 液供給口 28a 管路 28b 弁 29 液排出口 29a 管路 29b 弁 30 液体供給排出手段
Claims (8)
- 【請求項１】 誘電体基板の一方の面にアンテナパッチ
が設けられ、他方の面に接地導体板が設けられたマイク
ロストリップアンテナにおいて、 前記誘電体基板を中空状にして該中空部によって貯液槽
部を形成し、 前記貯液槽部に絶縁性を備えた液体を供給し、該貯液槽
部から液体を排出する液体供給排出手段を備えたことを
特徴とするマイクロストリップアンテナ。 - 【請求項２】 前記貯液槽部に液供給口と液排出口とを
設け、これら液供給口と液排出口のいずれか一方又は双
方に弁を設けたことを特徴とする請求項１に記載のマイ
クロストリップアンテナ。 - 【請求項３】 前記貯液槽部に供給する液体は、シリコ
ン油またはパラフィン油であることを特徴とする請求項
１または請求項２に記載のマイクロストリップアンテ
ナ。 - 【請求項４】 マイクロストリップアンテナは、共表面
給電型であることを特徴とする請求項１ないし請求項３
のいずれかに記載のマイクロストリップアンテナ。 - 【請求項５】 マイクロストリップアンテナは、スロッ
ト給電型であることを特徴とする請求項１ないし請求項
３のいずれかに記載のマイクロストリップアンテナ。 - 【請求項６】 前記アンテナパッチがほぼ矩形であるこ
とを特徴とする請求項１ないし請求項５のいずれかに記
載のマイクロストリップアンテナ。 - 【請求項７】 前記アンテナパッチがほぼ円形であるこ
とを特徴とする請求項１ないし請求項５のいずれかに記
載のマイクロストリップアンテナ。 - 【請求項８】 誘電体基板の一方の面にアンテナパッチ
が設けられ、他方の面に接地導体板が設けられたマイク
ロストリップアンテナの共振周波数の調整方法におい
て、 前記誘電体基板を中空状にして該中空部により形成され
た貯液槽部に貯留させる絶縁性を備えた液体の量を変更
するマイクロストリップアンテナの共振周波数の調整方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11168676A JP2000357912A (ja) | 1999-06-15 | 1999-06-15 | マイクロストリップアンテナ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11168676A JP2000357912A (ja) | 1999-06-15 | 1999-06-15 | マイクロストリップアンテナ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000357912A true JP2000357912A (ja) | 2000-12-26 |
Family
ID=15872428
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11168676A Withdrawn JP2000357912A (ja) | 1999-06-15 | 1999-06-15 | マイクロストリップアンテナ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000357912A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP2169764A1 (fr) * | 2008-09-26 | 2010-03-31 | Commissariat A L'energie Atomique | Antenne radiofréquence d'émission-réception à paramètres d'émission-réception modifiables |
| WO2011125523A1 (ja) * | 2010-04-01 | 2011-10-13 | パナソニック電工株式会社 | 静電霧化装置 |
| CN115084834A (zh) * | 2022-06-24 | 2022-09-20 | 湖南迈克森伟电子科技有限公司 | 天线单元、天线阵列及电子设备 |
-
1999
- 1999-06-15 JP JP11168676A patent/JP2000357912A/ja not_active Withdrawn
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP2169764A1 (fr) * | 2008-09-26 | 2010-03-31 | Commissariat A L'energie Atomique | Antenne radiofréquence d'émission-réception à paramètres d'émission-réception modifiables |
| FR2936654A1 (fr) * | 2008-09-26 | 2010-04-02 | Commissariat Energie Atomique | Antenne radiofrequence d'emission-reception a parametres d'emission-reception modifiables |
| US8730109B2 (en) | 2008-09-26 | 2014-05-20 | Commissariat A L'energie Atomique | Radio frequency transmitting/receiving antenna with modifiable transmitting-receiving parameters |
| WO2011125523A1 (ja) * | 2010-04-01 | 2011-10-13 | パナソニック電工株式会社 | 静電霧化装置 |
| JP2011212627A (ja) * | 2010-04-01 | 2011-10-27 | Panasonic Electric Works Co Ltd | 静電霧化装置 |
| CN102858464A (zh) * | 2010-04-01 | 2013-01-02 | 松下电器产业株式会社 | 静电雾化装置 |
| CN115084834A (zh) * | 2022-06-24 | 2022-09-20 | 湖南迈克森伟电子科技有限公司 | 天线单元、天线阵列及电子设备 |
| CN115084834B (zh) * | 2022-06-24 | 2023-10-31 | 湖南迈克森伟电子科技有限公司 | 天线单元、天线阵列及电子设备 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US10483270B2 (en) | Integrated assemblies and methods of forming integrated assemblies | |
| US10340334B2 (en) | Semiconductor device including an LDMOS transistor and a resurf structure | |
| US20030211757A1 (en) | Substrate support with extended radio frequency electrode upper surface | |
| KR20120062896A (ko) | 성막 장치 | |
| KR20030091781A (ko) | 폴리 스페이서를 갖는 플래시 메모리 장치 | |
| JP2007214387A (ja) | 成膜方法、プラズマ成膜装置及び記憶媒体 | |
| CN101688296A (zh) | 真空处理系统及基板搬送方法 | |
| CN106328584A (zh) | 制造硅通孔的方法和包括硅通孔的芯片 | |
| JP2000357912A (ja) | マイクロストリップアンテナ | |
| US7125770B2 (en) | Gate Structure in flash memory cell and method of forming the same, and method of forming dielectric film | |
| KR102157824B1 (ko) | 저-손상 및 고-스루풋 플라즈마 프로세싱을 위한 대면적 vhf pecvd 챔버 | |
| KR20090122860A (ko) | 폴리실리콘막 및 그 형성 방법, 이를 이용한 플래쉬 메모리소자 및 그 제조 방법 | |
| JP2001064795A (ja) | カップ式めっき装置 | |
| US20220130857A1 (en) | Memory Arrays And Methods Used In Forming A Memory Array Comprising Strings Of Memory Cells | |
| CN101432459A (zh) | 成膜方法、成膜装置和存储介质 | |
| US9029248B2 (en) | Method of fabricating Ag-doped Te-based nano-material and memory device using the same | |
| CN106910993A (zh) | 一种微流体控制的频率可调微带贴片天线 | |
| US20110109828A1 (en) | Recessed channel transistor devices, display apparatuses including recessed channel transistor devices, and methods of fabricating recessed channel transistor devices | |
| CN103811262B (zh) | 电感耦合等离子体处理装置 | |
| KR20090073353A (ko) | 가스분사장치 및 이를 구비하는 박막증착장치 | |
| US7675786B2 (en) | Method of operating a semiconductor memory device having a recessed control gate electrode | |
| JP2012066386A (ja) | 充填装置 | |
| KR20070005314A (ko) | 유기 박막 증착 장치 | |
| CN1694617A (zh) | 植物给水装置 | |
| US20220037484A1 (en) | Method of manufacturing semiconductor device and associated memory device |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20060905 |