JP2000354954A - Semiconductor substrate polishing device - Google Patents
Semiconductor substrate polishing deviceInfo
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- Grinding-Machine Dressing And Accessory Apparatuses (AREA)
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
Abstract
Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体製造装置に
係り、特に半導体基板の平坦化に用いられている化学機
械研磨装置に関する。The present invention relates to a semiconductor manufacturing apparatus, and more particularly to a chemical mechanical polishing apparatus used for flattening a semiconductor substrate.
【0002】[0002]
【従来の技術】従来、半導体基板の平坦化、即ち半導体
基板表面の研磨に用いられている化学機械研磨装置は、
図7に示すように、筐体1内部において、半導体基板2
がキャリア3により保持され、その表面4が、プラテン
5上に保持された研磨布6の上面に接触するように配置
され、この研磨布6の上部に砥液供給ノズル7が設置さ
れている。そして、砥液供給ノズル7から、研磨粒子を
含む砥液8が研磨布6上に滴下供給され、この研磨布6
と、キャリア3により保持された半導体基板2が相互に
接触した状態で回転することにより、半導体基板2の表
面4が研磨される。2. Description of the Related Art Conventionally, a chemical mechanical polishing apparatus used for flattening a semiconductor substrate, that is, polishing a surface of the semiconductor substrate, comprises:
As shown in FIG.
Is held by the carrier 3, and its surface 4 is arranged so as to be in contact with the upper surface of the polishing cloth 6 held on the platen 5, and an abrasive liquid supply nozzle 7 is provided on the upper part of the polishing cloth 6. Then, an abrasive liquid 8 containing abrasive particles is dripped and supplied from the abrasive liquid supply nozzle 7 onto the polishing cloth 6.
Then, the surface 4 of the semiconductor substrate 2 is polished by rotating while the semiconductor substrate 2 held by the carrier 3 is in contact with each other.
【0003】[0003]
【発明が解決しようとする課題】このような化学機械研
磨装置においては、砥液が飛散したり、砥液が霧状に分
散した分散体が、筐体の内壁や、キャリア、砥液供給ノ
ズル等に付着し、装置や作業環境汚染を引き起こしてい
た。さらにこれが乾燥し、凝集した二酸化珪素、酸化セ
リウム等の研磨粒子が脱落することにより、半導体基板
表面に傷が形成され、この傷に起因する基板の割れ破損
などの重大な生産トラブルや製品品質の低下といった不
具合を生じていた。In such a chemical mechanical polishing apparatus, a dispersion in which the abrasive liquid is scattered or the abrasive liquid is dispersed in the form of a mist is applied to the inner wall of the housing, the carrier, and the abrasive liquid supply nozzle. Etc., causing contamination of equipment and work environment. In addition, the abrasive particles such as silicon dioxide, cerium oxide, etc., which are dried and fall off, cause scratches to be formed on the surface of the semiconductor substrate. There was a problem such as a drop.
【0004】本発明は、上述した欠点を解決するもの
で、半導体基板研磨装置内の汚染及びそれに起因する生
産上、品質上の不具合を防止し、安定して高品質の製品
を生産することができる半導体基板研磨装置を提供する
ことを目的とする。SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above-mentioned disadvantages, and it is possible to prevent contamination in a semiconductor substrate polishing apparatus and defects in production and quality caused by the contamination and to stably produce high quality products. It is an object of the present invention to provide a semiconductor substrate polishing apparatus that can be used.
【0005】[0005]
【課題を解決するための手段】本発明の半導体基板研磨
装置は、プラテンと、このプラテン上に保持された研磨
布と、この研磨布上で半導体基板を保持し、回転するキ
ャリアと、前記研磨布上に砥液を供給する砥液供給ノズ
ルと、前記半導体基板近傍に配置され、前記砥液或いは
その分散体を吸着する吸着板とを備えたことを特徴とす
るものである。According to the present invention, there is provided a semiconductor substrate polishing apparatus comprising: a platen; a polishing cloth held on the platen; a carrier which holds the semiconductor substrate on the polishing cloth and rotates; A polishing liquid supply nozzle for supplying a polishing liquid onto a cloth, and an adsorbing plate disposed near the semiconductor substrate and adsorbing the polishing liquid or a dispersion thereof are provided.
【0006】また、本発明の半導体基板研磨装置におい
ては、前記吸着板は、前記プラテンに対向した位置、前
記プラテンの外周部、前記キャリアの外周部、前記砥液
供給ノズルの外周部の少なくとも一部を含む位置に配置
されることを特徴とするものである。Further, in the semiconductor substrate polishing apparatus according to the present invention, the suction plate may be at least one of a position facing the platen, an outer peripheral portion of the platen, an outer peripheral portion of the carrier, and an outer peripheral portion of the polishing liquid supply nozzle. It is arranged at a position including a part.
【0007】さらに、本発明の半導体基板研磨装置にお
いては、前記吸着板は、前記砥液或いはその分散体を電
気的或いは物理的に吸着することを特徴とするものであ
る。Further, in the semiconductor substrate polishing apparatus according to the present invention, the adsorbing plate electrically or physically adsorbs the polishing liquid or a dispersion thereof.
【0008】また、本発明の半導体基板研磨装置におい
ては、前記吸着板は、任意に制御できる磁界中或いは電
界中に設置されることを特徴とするものである。Further, in the semiconductor substrate polishing apparatus of the present invention, the suction plate is set in a magnetic field or an electric field which can be controlled arbitrarily.
【0009】[0009]
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態について
図1乃至図6を参照して説明する。尚、これらの図にお
いて、図1と同一又は対応する構成要素には同一の符号
を付している。 (実施形態1)図1は本発明の半導体基板研磨装置の一
実施形態を示す図である。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS An embodiment of the present invention will be described below with reference to FIGS. In these drawings, the same or corresponding components as those in FIG. 1 are denoted by the same reference numerals. (Embodiment 1) FIG. 1 is a view showing an embodiment of a semiconductor substrate polishing apparatus according to the present invention.
【0010】図1に示すように、筐体1内部において、
半導体基板2はキャリア3により保持され、その表面4
が、プラテン5上に保持された研磨布6の上面に接触す
るように配置され、この研磨布6の上部に砥液供給ノズ
ル7が設置されている。砥液供給ノズル7の上部には、
研磨布6の一部を覆うように、また、キャリア3、半導
体基板2に接することなく、吸着板9が配置されてい
る。[0010] As shown in FIG.
The semiconductor substrate 2 is held by a carrier 3 and its surface 4
Is arranged so as to be in contact with the upper surface of the polishing cloth 6 held on the platen 5, and an abrasive liquid supply nozzle 7 is provided above the polishing cloth 6. Above the abrasive liquid supply nozzle 7,
The suction plate 9 is arranged so as to cover a part of the polishing cloth 6 and not to contact the carrier 3 and the semiconductor substrate 2.
【0011】このような装置構成により、従来と同様
に、砥液供給ノズル7から砥液8が研磨布6上に滴下供
給され、この研磨布6と、キャリア3により保持された
半導体基板2が相互に接触した状態で回転することによ
り、半導体基板2の表面4が研磨される。With such an apparatus configuration, as in the prior art, the polishing liquid 8 is dropped and supplied from the polishing liquid supply nozzle 7 onto the polishing cloth 6, and the polishing cloth 6 and the semiconductor substrate 2 held by the carrier 3 are separated. The surface 4 of the semiconductor substrate 2 is polished by rotating while being in contact with each other.
【0012】このとき、従来砥液供給ノズル7近傍に飛
散していた砥液や、その分散体は、吸着板9によりトラ
ップすることができたので、筐体1内部のプロセス性能
や製品品質に影響する部位への付着を防止することがで
きる。そのため、安定した研磨特性を得られ、高品質の
製品生産が可能となる。 (実施形態2)図2は本発明の半導体基板研磨装置の他
の実施形態を示す図である。At this time, the abrasive fluid and the dispersion thereof which have been scattered in the vicinity of the abrasive fluid supply nozzle 7 can be trapped by the suction plate 9. Adhesion to affected areas can be prevented. Therefore, stable polishing characteristics can be obtained, and high-quality products can be produced. (Embodiment 2) FIG. 2 is a view showing another embodiment of the semiconductor substrate polishing apparatus of the present invention.
【0013】図2に示すように、装置構成において、吸
着板9が、プラテン5の外周を取り囲むように、プラテ
ン5底面から半導体基板2、砥液供給ノズル7の設置位
置より高い位置まで筒状に設置されている点でのみ実施
例1と異なっている。As shown in FIG. 2, in the apparatus configuration, the suction plate 9 is formed in a cylindrical shape from the bottom surface of the platen 5 to a position higher than the installation position of the semiconductor substrate 2 and the polishing liquid supply nozzle 7 so as to surround the outer periphery of the platen 5. Only in that it is installed in the first embodiment.
【0014】このような装置構成により、実施形態1と
同様に、半導体基板2の表面4が研磨される。With such an apparatus configuration, the surface 4 of the semiconductor substrate 2 is polished as in the first embodiment.
【0015】このとき、従来プラテン5の外周に飛散し
ていた砥液や、その分散体は、吸着板9によりトラップ
することができるので、実施形態1と同様の効果を得る
ことができる。 (実施形態3)図3は本発明の半導体基板研磨装置のさ
らに他の実施形態を示す図である。At this time, the polishing liquid and the dispersion thereof which have been scattered on the outer periphery of the platen 5 can be trapped by the suction plate 9, so that the same effect as in the first embodiment can be obtained. (Embodiment 3) FIG. 3 is a view showing still another embodiment of the semiconductor substrate polishing apparatus of the present invention.
【0016】図3に示すように、装置構成において、吸
着板9が、半導体基板2、キャリア3、プラテン5、研
磨布6、及び砥液供給ノズル7全体を覆うように配置さ
れている点でのみ実施形態1と異なっている。As shown in FIG. 3, in the configuration of the apparatus, the suction plate 9 is disposed so as to cover the entire semiconductor substrate 2, carrier 3, platen 5, polishing cloth 6, and polishing liquid supply nozzle 7. Only the second embodiment is different from the first embodiment.
【0017】このような装置構成により、実施形態1と
同様に、半導体基板2の表面4が研磨される。With such an apparatus configuration, the surface 4 of the semiconductor substrate 2 is polished as in the first embodiment.
【0018】このとき、従来プラテン5の上方、外周に
飛散していた砥液や、その分散体は、吸着板9によりト
ラップすることができるので、実施形態1と同様の効果
を得ることができる。 (実施形態4)図4は本発明の半導体基板研磨装置のさ
らに他の実施形態を示す図である。At this time, the abrasive fluid and its dispersion which have been scattered above and around the platen 5 in the past can be trapped by the suction plate 9, so that the same effects as in the first embodiment can be obtained. . (Embodiment 4) FIG. 4 is a view showing still another embodiment of the semiconductor substrate polishing apparatus of the present invention.
【0019】図4に示すように、装置構成において、吸
着板9が、キャリア3の下側外周に接して配置されてい
る点でのみ実施形態1と異なっている。As shown in FIG. 4, in the device configuration, the suction plate 9 is different from the first embodiment only in that it is arranged in contact with the lower outer periphery of the carrier 3.
【0020】このような装置構成により、実施形態1と
同様に、半導体基板2の表面4が研磨される。With such an apparatus configuration, the surface 4 of the semiconductor substrate 2 is polished as in the first embodiment.
【0021】このとき、従来キャリア3外周に飛散して
いた砥液や、その分散体は、吸着板9によりトラップす
ることができるので、実施形態1と同様の効果を得るこ
とができる。 (実施形態5)図5は本発明の半導体基板研磨装置のさ
らに他の実施形態を示す図である。At this time, the abrasive fluid and the dispersion thereof which have been scattered around the outer periphery of the carrier 3 can be trapped by the suction plate 9, so that the same effect as in the first embodiment can be obtained. (Embodiment 5) FIG. 5 is a view showing still another embodiment of the semiconductor substrate polishing apparatus of the present invention.
【0022】図5に示すように、装置構成において、吸
着板9が、砥液供給ノズル7の外周部のうち、研磨布6
に面した部分に配置されている点でのみ実施形態1と異
なっている。As shown in FIG. 5, in the configuration of the apparatus, the suction plate 9
Only in that it is arranged in a portion facing the.
【0023】このような装置構成により、実施形態1と
同様に、半導体基板2の表面4が研磨される。With such an apparatus configuration, the surface 4 of the semiconductor substrate 2 is polished as in the first embodiment.
【0024】このとき、従来砥液供給ノズル7外周に飛
散していた砥液や、その分散体は、吸着板9によりトラ
ップすることができるので、実施形態1と同様の効果を
得ることができる。At this time, since the abrasive fluid and the dispersion thereof which have been scattered around the outer periphery of the abrasive fluid supply nozzle 7 can be trapped by the suction plate 9, the same effect as in the first embodiment can be obtained. .
【0025】尚、吸着板を設置する部位については、こ
れら実施形態に限定されるものでなく、砥液やその分散
体の飛散する部位であれば、同様の効果を得ることがで
きる。The location where the suction plate is provided is not limited to these embodiments, and the same effect can be obtained as long as the abrasive fluid or its dispersion is scattered.
【0026】また、吸着板には、砥液、その分散体及び
これらに含まれる研磨粒子を吸着する性質のあるものを
用いることができ、例えば、電気的に吸着することがで
きる材料、即ち任意に帯電させることができるプラスチ
ックス材料、アクリル系樹脂材料、テフロン系材料によ
りコーティングされた材料や、物理的に吸着することが
できるセラミックス系材料を用いることができる。As the adsorbing plate, a polishing liquid, a dispersion thereof and a material having a property of adsorbing abrasive particles contained therein can be used. For example, a material which can be electrically adsorbed, It is possible to use a plastics material, an acrylic resin material, a material coated with a Teflon-based material, or a ceramic-based material capable of being physically adsorbed.
【0027】さらに、このような吸着板は、任意に制御
できる磁界中に配置することにより、より効果的に機能
する。 (実施形態6)図6は本発明の半導体基板研磨装置のさ
らに他の実施形態を示す図である。Further, such an attraction plate functions more effectively by being arranged in a magnetic field which can be controlled arbitrarily. (Embodiment 6) FIG. 6 is a view showing still another embodiment of the semiconductor substrate polishing apparatus of the present invention.
【0028】図6に示すように、装置構成において、吸
着板9がマグネットコイルから成る電磁石10により発
生した磁界中に配置されている点で実施形態5と異なっ
ている。電磁石10は、筐体1内部のプラテン5底面か
ら、砥液供給ノズル7及びその外周に設けられた吸着板
9の設置位置まで磁界分布が発生するように、筐体1外
部に設置されている。As shown in FIG. 6, the apparatus differs from the fifth embodiment in that the attraction plate 9 is arranged in the magnetic field generated by the electromagnet 10 composed of a magnet coil in the configuration of the apparatus. The electromagnet 10 is installed outside the housing 1 such that a magnetic field distribution is generated from the bottom surface of the platen 5 inside the housing 1 to the installation position of the abrasive liquid supply nozzle 7 and the suction plate 9 provided on the outer periphery thereof. .
【0029】このような装置構成により、実施形態1と
同様に、半導体基板2の表面4が研磨される。With such an apparatus configuration, the surface 4 of the semiconductor substrate 2 is polished as in the first embodiment.
【0030】このとき、分散体に含まれる研磨粒子即ち
静電気を帯びた微粉末は、電磁石10により発生させた
所望の磁界分布により、吸着板9まで移動させることが
でき、従来筐体1内部に飛散していた砥液や、その分散
体をより効率良くトラップすることができる。At this time, the abrasive particles contained in the dispersion, that is, the fine powder charged with static electricity, can be moved to the suction plate 9 by a desired magnetic field distribution generated by the electromagnet 10, and can be moved inside the conventional housing 1. The scattered abrasive fluid and its dispersion can be trapped more efficiently.
【0031】尚、本実施例において、吸着板9を磁界中
に設置したが、電界中においても同様な効果を得ること
ができる。即ち、電磁石10の代わりに一対の対向する
電極板を用いることにより、電界による同様な制御も可
能である。In this embodiment, the suction plate 9 is set in a magnetic field, but the same effect can be obtained in an electric field. That is, by using a pair of opposing electrode plates instead of the electromagnet 10, similar control by an electric field is also possible.
【0032】[0032]
【発明の効果】本発明によれば、安定した研磨特性が得
られ、高品質の製品生産が可能となる半導体基板研磨装
置を提供することができる。According to the present invention, it is possible to provide a semiconductor substrate polishing apparatus capable of obtaining stable polishing characteristics and producing high quality products.
【図1】本発明の一実施形態を示す半導体基板研磨装置
の上面図及び側面図である。FIG. 1 is a top view and a side view of a semiconductor substrate polishing apparatus according to an embodiment of the present invention.
【図2】本発明の他の実施形態を示す半導体基板研磨装
置の上面図及び側面図である。FIG. 2 is a top view and a side view of a semiconductor substrate polishing apparatus showing another embodiment of the present invention.
【図3】本発明のさらに他の実施形態を示す半導体基板
研磨装置の上面図及び側面図である。FIG. 3 is a top view and a side view of a semiconductor substrate polishing apparatus showing still another embodiment of the present invention.
【図4】本発明のさらに他の実施形態を示す半導体基板
研磨装置の上面図及び側面図である。FIG. 4 is a top view and a side view of a semiconductor substrate polishing apparatus showing still another embodiment of the present invention.
【図5】本発明のさらに他の実施形態を示す半導体基板
研磨装置の上面図及び側面図である。FIG. 5 is a top view and a side view of a semiconductor substrate polishing apparatus showing still another embodiment of the present invention.
【図6】本発明のさらに他の実施形態を示す半導体基板
研磨装置の上面図及び側面図である。FIG. 6 is a top view and a side view of a semiconductor substrate polishing apparatus showing still another embodiment of the present invention.
【図7】従来の半導体基板研磨装置を示す上面図及び側
面図である。FIG. 7 is a top view and a side view showing a conventional semiconductor substrate polishing apparatus.
1 筐体 2 半導体基板 3 キャリア 4 半導体基板表面 5 プラテン 6 研磨布 7 砥液供給ノズル 8 砥液 9 吸着板 10 電磁石 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Housing 2 Semiconductor substrate 3 Carrier 4 Semiconductor substrate surface 5 Platen 6 Polishing cloth 7 Abrasive supply nozzle 8 Abrasive 9 Adsorption plate 10 Electromagnet
Claims (4)
た研磨布と、この研磨布上で半導体基板を保持し、回転
するキャリアと、前記研磨布上に砥液を供給する砥液供
給ノズルと、前記半導体基板近傍に配置され、前記砥液
或いはその分散体を吸着する吸着板とを備えたことを特
徴とする半導体基板研磨装置。A platen, a polishing cloth held on the platen, a carrier holding and rotating a semiconductor substrate on the polishing cloth, and a polishing liquid supply nozzle for supplying a polishing liquid onto the polishing cloth. An adsorbing plate disposed near the semiconductor substrate to adsorb the polishing liquid or a dispersion thereof.
位置、前記プラテンの外周部、前記キャリアの外周部、
前記砥液供給ノズルの外周部の少なくとも一部を含む位
置に配置されることを特徴とする請求項1記載の半導体
基板研磨装置。2. The apparatus according to claim 1, wherein the suction plate is located at a position facing the platen, an outer peripheral portion of the platen, an outer peripheral portion of the carrier,
2. The semiconductor substrate polishing apparatus according to claim 1, wherein the apparatus is arranged at a position including at least a part of an outer peripheral portion of the polishing liquid supply nozzle.
体を電気的或いは物理的に吸着することを特徴とする請
求項1或いは2記載の半導体基板研磨装置。3. The semiconductor substrate polishing apparatus according to claim 1, wherein the suction plate electrically or physically adsorbs the polishing liquid or a dispersion thereof.
或いは電界中に設置されることを特徴とする請求項1乃
至3記載の半導体基板研磨装置。4. The semiconductor substrate polishing apparatus according to claim 1, wherein the suction plate is installed in a magnetic field or an electric field that can be controlled arbitrarily.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP16833399A JP2000354954A (en) | 1999-06-15 | 1999-06-15 | Semiconductor substrate polishing device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP16833399A JP2000354954A (en) | 1999-06-15 | 1999-06-15 | Semiconductor substrate polishing device |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2000354954A true JP2000354954A (en) | 2000-12-26 |
Family
ID=15866118
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP16833399A Pending JP2000354954A (en) | 1999-06-15 | 1999-06-15 | Semiconductor substrate polishing device |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2000354954A (en) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2020082204A (en) * | 2018-11-15 | 2020-06-04 | 株式会社ディスコ | Grinding device |
-
1999
- 1999-06-15 JP JP16833399A patent/JP2000354954A/en active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2020082204A (en) * | 2018-11-15 | 2020-06-04 | 株式会社ディスコ | Grinding device |
JP7202152B2 (en) | 2018-11-15 | 2023-01-11 | 株式会社ディスコ | Grinding equipment |
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Legal Events
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A521 | Written amendment |
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A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20040316 |