JP2000340131A - 室温駆動半導体レーザーｃｒｔ - Google Patents
室温駆動半導体レーザーｃｒｔInfo
- Publication number
- JP2000340131A JP2000340131A JP2000074042A JP2000074042A JP2000340131A JP 2000340131 A JP2000340131 A JP 2000340131A JP 2000074042 A JP2000074042 A JP 2000074042A JP 2000074042 A JP2000074042 A JP 2000074042A JP 2000340131 A JP2000340131 A JP 2000340131A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- support plate
- transparent support
- glass
- glass bulb
- semiconductor laser
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S5/00—Semiconductor lasers
- H01S5/30—Structure or shape of the active region; Materials used for the active region
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01S—DEVICES USING THE PROCESS OF LIGHT AMPLIFICATION BY STIMULATED EMISSION OF RADIATION [LASER] TO AMPLIFY OR GENERATE LIGHT; DEVICES USING STIMULATED EMISSION OF ELECTROMAGNETIC RADIATION IN WAVE RANGES OTHER THAN OPTICAL
- H01S3/00—Lasers, i.e. devices using stimulated emission of electromagnetic radiation in the infrared, visible or ultraviolet wave range
- H01S3/09—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping
- H01S3/0955—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping using pumping by high energy particles
- H01S3/0959—Processes or apparatus for excitation, e.g. pumping using pumping by high energy particles by an electron beam
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J31/00—Cathode ray tubes; Electron beam tubes
- H01J31/08—Cathode ray tubes; Electron beam tubes having a screen on or from which an image or pattern is formed, picked up, converted, or stored
- H01J31/10—Image or pattern display tubes, i.e. having electrical input and optical output; Flying-spot tubes for scanning purposes
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- High Energy & Nuclear Physics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Semiconductor Lasers (AREA)
- Cathode-Ray Tubes And Fluorescent Screens For Display (AREA)
- Transforming Electric Information Into Light Information (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 金属のコバールリングを代える同じ熱膨張係
数を有する接着材料を使用して、ガラスバルブ内の気密
維持が保障される室温駆動半導体レーザーCRTを提供す
る。 【解決手段】 ビーカー状のガラスよりなる透明支持板
１００にレーザーターゲット１０１が固定され、このガ
ラス支持板１００をガラスバルブ１０３とフリットガラ
ス１０２で封着した構造を有する。これによって、熱膨
張差によるガラスバルブの破裂や真空気密維持が損われ
るおそれがない。
数を有する接着材料を使用して、ガラスバルブ内の気密
維持が保障される室温駆動半導体レーザーCRTを提供す
る。 【解決手段】 ビーカー状のガラスよりなる透明支持板
１００にレーザーターゲット１０１が固定され、このガ
ラス支持板１００をガラスバルブ１０３とフリットガラ
ス１０２で封着した構造を有する。これによって、熱膨
張差によるガラスバルブの破裂や真空気密維持が損われ
るおそれがない。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は電子ビームによりポ
ンピングされる室温駆動半導体レーザーCRTに関する。
ンピングされる室温駆動半導体レーザーCRTに関する。
【０００２】
【従来の技術】図３は従来の半導体レーザーCRTの概略
的な構成を示す断面図である。図示したように、レーザ
ーCRTは基本的に一側端に搭載されたレーザーターゲッ
ト２と、他側端の近くに位置した電子銃４を有する真空
ガラスバルブ３とを具備する。電子ビーム集束及び偏向
手段、即ち、磁気配列は電子ビームが集束されてレーザ
ーターゲット２を渡ってスキャニングされるように電子
銃近くのガラスバルブを取囲む。
的な構成を示す断面図である。図示したように、レーザ
ーCRTは基本的に一側端に搭載されたレーザーターゲッ
ト２と、他側端の近くに位置した電子銃４を有する真空
ガラスバルブ３とを具備する。電子ビーム集束及び偏向
手段、即ち、磁気配列は電子ビームが集束されてレーザ
ーターゲット２を渡ってスキャニングされるように電子
銃近くのガラスバルブを取囲む。
【０００３】高電圧源(図示せず)によって高い正のポテ
ンシャルで維持されるレーザーターゲット２は、ガラス
バルブ３の端部に封じられた透明支持板５の内部表面に
搭載される。レーザーターゲット２は半導体構造体より
なり、発光の刺激放出を維持するための既存のファブリ
ーぺロー(Fabry-Perot)状の共振器を形成する手段を含
む。即ち、共振器は一対のミラー(図示せず)により形成
される。これについては後述する。
ンシャルで維持されるレーザーターゲット２は、ガラス
バルブ３の端部に封じられた透明支持板５の内部表面に
搭載される。レーザーターゲット２は半導体構造体より
なり、発光の刺激放出を維持するための既存のファブリ
ーぺロー(Fabry-Perot)状の共振器を形成する手段を含
む。即ち、共振器は一対のミラー(図示せず)により形成
される。これについては後述する。
【０００４】以上の構成において、レーザーターゲット
２に印加された高い正のポテンシャルは、電子ビームが
レーザーターゲット２の半導体構造体側に引っ張られて
吸収されるようにする。この半導体構造体内で電子ビー
ムは電子-正孔対を発生する。電子及び正孔が再結合す
る時、それらは光放射を発生させるが、この光放射は共
振器の純粋利得だけ刺激放出により光増幅されて基本的
にレーザーターゲット２面に垂直に放出される光ビーム
を生成する。電子ビームはターゲットの内側面に約９０
゜の角度をなすため、光ビーム及び電子ビームは根本的
に直線と考えられる。光ビームは電子ビームをターゲッ
ト面にスキャニングすることによってスキャニングされ
る。
２に印加された高い正のポテンシャルは、電子ビームが
レーザーターゲット２の半導体構造体側に引っ張られて
吸収されるようにする。この半導体構造体内で電子ビー
ムは電子-正孔対を発生する。電子及び正孔が再結合す
る時、それらは光放射を発生させるが、この光放射は共
振器の純粋利得だけ刺激放出により光増幅されて基本的
にレーザーターゲット２面に垂直に放出される光ビーム
を生成する。電子ビームはターゲットの内側面に約９０
゜の角度をなすため、光ビーム及び電子ビームは根本的
に直線と考えられる。光ビームは電子ビームをターゲッ
ト面にスキャニングすることによってスキャニングされ
る。
【０００５】特に、図３に示したレーザーCRTはガラス
バルブ３にレーザーターゲット２を搭載する透明支持板
５が金属リング８により接合される。この金属リング８
は、ガラスバルブ３と熱膨張係数が類似でガラスバルブ
３に接合されたコバールリング(covar-ring)８ａ及び、
サファイアよりなる透明支持板５と熱膨張係数が類似で
透明支持板５に接合されたコバールリング８ｂが接合さ
れた構造よりなっている。また、レーザーターゲット２
を冷やすための低温維持装置１、即ちクライオスタット
(cryostat)が補助透明支持板６と共に備わり、低温維持
装置１と外気との熱伝逹を防止するために真空密封され
たガラスチューブ７が備わっている。
バルブ３にレーザーターゲット２を搭載する透明支持板
５が金属リング８により接合される。この金属リング８
は、ガラスバルブ３と熱膨張係数が類似でガラスバルブ
３に接合されたコバールリング(covar-ring)８ａ及び、
サファイアよりなる透明支持板５と熱膨張係数が類似で
透明支持板５に接合されたコバールリング８ｂが接合さ
れた構造よりなっている。また、レーザーターゲット２
を冷やすための低温維持装置１、即ちクライオスタット
(cryostat)が補助透明支持板６と共に備わり、低温維持
装置１と外気との熱伝逹を防止するために真空密封され
たガラスチューブ７が備わっている。
【０００６】ここで、ガラスバルブ３に接合されたコバ
ールリング８ａ及び透明支持板５に接合されたコバール
リング８ｂはハンダ付け(soldering)などの技法で接合
される。図４はこのようなガラスバルブ３に接合された
コバールリング８ａ及び透明支持板５に接合されたコバ
ールリング８ｂの立体的な姿を組立された順序で分解し
て示す。
ールリング８ａ及び透明支持板５に接合されたコバール
リング８ｂはハンダ付け(soldering)などの技法で接合
される。図４はこのようなガラスバルブ３に接合された
コバールリング８ａ及び透明支持板５に接合されたコバ
ールリング８ｂの立体的な姿を組立された順序で分解し
て示す。
【０００７】しかし、図３に示したように、既存のレー
ザーCRTは低温維持装置１を具備しているが、室温駆動
時にはこの低温維持装置１が要らなくなる。さらに、GaN
などのIII -V 族化合物より製作されたレーザーターゲ
ット２が用いられる場合、透明支持板に金属有機化学気
相蒸着(MOCVD)法で直接単結晶を成長させて使用するこ
とになる。従って、コバールリング８が側面に付着され
た透明サファイア板を成長支持基板５、６として使用す
る必要がある。この場合、MOCVD工程における成長温度
が最小８００℃以上であるべきなので、反応器に流入さ
れる金属有機ガス及び水素化合物ガスがコバールリング
と反応して容易に腐食されたり、表面にさらに他の化合
物を形成させてコバール対コバール接合が不可能になる
問題点が発生する。これとは違ってサファイア支持板に
III -V 族化合物を成長させてからコバールリングを付
着する場合には、溶接時発生する１０００℃以上の高温
の熱気により成長されたIII -V 族化合物単結晶の構造
及び組成の破壊が誘発される。
ザーCRTは低温維持装置１を具備しているが、室温駆動
時にはこの低温維持装置１が要らなくなる。さらに、GaN
などのIII -V 族化合物より製作されたレーザーターゲ
ット２が用いられる場合、透明支持板に金属有機化学気
相蒸着(MOCVD)法で直接単結晶を成長させて使用するこ
とになる。従って、コバールリング８が側面に付着され
た透明サファイア板を成長支持基板５、６として使用す
る必要がある。この場合、MOCVD工程における成長温度
が最小８００℃以上であるべきなので、反応器に流入さ
れる金属有機ガス及び水素化合物ガスがコバールリング
と反応して容易に腐食されたり、表面にさらに他の化合
物を形成させてコバール対コバール接合が不可能になる
問題点が発生する。これとは違ってサファイア支持板に
III -V 族化合物を成長させてからコバールリングを付
着する場合には、溶接時発生する１０００℃以上の高温
の熱気により成長されたIII -V 族化合物単結晶の構造
及び組成の破壊が誘発される。
【０００８】また、このようなコバールリング接着方法
は工程が複雑で、その材料になるコバールリング自体の
材料の値段が高いし、内部真空に対する気密維持が難し
いという問題がある。特に気密維持は、図４に示したよ
うに、ガラスバルブ３とコバールリング８ａとの間に熱
膨張係数にわずかの差さえあっても、コバールリング８
ａが矢印方向にガラスバルブ３より過度に膨脹したり、
あるいは収縮してガラスバルブ３が割れたり、ガラスバ
ルブ３との隙間ができて難しくなる。コバールリングの
過度膨脹によるガラスバルブの破損を防止するために、
図５に示したように、ガラスバルブ１３の外側にコバー
ルリング１８ａを接着するとしても隙間ができる問題は
解決できない。
は工程が複雑で、その材料になるコバールリング自体の
材料の値段が高いし、内部真空に対する気密維持が難し
いという問題がある。特に気密維持は、図４に示したよ
うに、ガラスバルブ３とコバールリング８ａとの間に熱
膨張係数にわずかの差さえあっても、コバールリング８
ａが矢印方向にガラスバルブ３より過度に膨脹したり、
あるいは収縮してガラスバルブ３が割れたり、ガラスバ
ルブ３との隙間ができて難しくなる。コバールリングの
過度膨脹によるガラスバルブの破損を防止するために、
図５に示したように、ガラスバルブ１３の外側にコバー
ルリング１８ａを接着するとしても隙間ができる問題は
解決できない。
【０００９】また、金属材料のコバールリングを使用す
る場合にガラスバルブ内部の内電圧を下げる問題点も存
在する。
る場合にガラスバルブ内部の内電圧を下げる問題点も存
在する。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】本発明は前記のような
問題点を改善するために創案されたもので、金属のコバ
ールリングを代える同じ熱膨張係数を有する接着材料を
使用して、ガラスバルブ内の気密維持が保障される室温
駆動半導体レーザーCRTを提供することにその目的があ
る。
問題点を改善するために創案されたもので、金属のコバ
ールリングを代える同じ熱膨張係数を有する接着材料を
使用して、ガラスバルブ内の気密維持が保障される室温
駆動半導体レーザーCRTを提供することにその目的があ
る。
【００１１】
【課題を解決するための手段】前記のような目的を達成
するために、本発明に係る室温駆動半導体レーザーCRT
は、半導体化合物よりなる半導体基板、前記半導体基板
上に形成された前面ミラー層、前記前面ミラー層上に形
成された活性層及び前記活性層上に形成された背面ミラ
ー層を具備したレーザーターゲットと、前記レーザータ
ーゲットを搭載した透明支持板と、電子ビーム放出のた
めの電子銃を内蔵したガラスバルブと、前記ガラスバル
ブ及び前記透明支持板の縁部を接着した接着剤とを具備
することを特徴とする。
するために、本発明に係る室温駆動半導体レーザーCRT
は、半導体化合物よりなる半導体基板、前記半導体基板
上に形成された前面ミラー層、前記前面ミラー層上に形
成された活性層及び前記活性層上に形成された背面ミラ
ー層を具備したレーザーターゲットと、前記レーザータ
ーゲットを搭載した透明支持板と、電子ビーム放出のた
めの電子銃を内蔵したガラスバルブと、前記ガラスバル
ブ及び前記透明支持板の縁部を接着した接着剤とを具備
することを特徴とする。
【００１２】本発明において、前記透明支持板はガラス
よりなり、前記接着剤はフリットガラスであることを特
徴とする。
よりなり、前記接着剤はフリットガラスであることを特
徴とする。
【００１３】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照しながら本発明
に係る室温駆動半導体レーザーCRTを詳細に説明する。
に係る室温駆動半導体レーザーCRTを詳細に説明する。
【００１４】図１は本発明に係る室温駆動半導体レーザ
ーCRTの概略的な構成を示す断面図である。図示したよ
うに、本発明に係る室温駆動半導体レーザーCRTは、レ
ーザーターゲット１０１が搭載された透明支持板１００
が電子銃１０４を内蔵したガラスバルブ１０３と接着剤
で接合された構造を有する。特に、透明支持板１００と
してはガラスバルブ１０３と同じ材質のガラス基板を使
用し、接着剤１０２としてはフリットガラスを使用して
ガラス基板とガラスバルブを封着した点に特徴がある。
このように、透明支持板１００及び接着剤１０２とし
て、全てガラスバルブと類似した熱膨張特性を有するガ
ラス材質を使用することによって熱膨張による亀裂や真
空気密の破損を防止する。
ーCRTの概略的な構成を示す断面図である。図示したよ
うに、本発明に係る室温駆動半導体レーザーCRTは、レ
ーザーターゲット１０１が搭載された透明支持板１００
が電子銃１０４を内蔵したガラスバルブ１０３と接着剤
で接合された構造を有する。特に、透明支持板１００と
してはガラスバルブ１０３と同じ材質のガラス基板を使
用し、接着剤１０２としてはフリットガラスを使用して
ガラス基板とガラスバルブを封着した点に特徴がある。
このように、透明支持板１００及び接着剤１０２とし
て、全てガラスバルブと類似した熱膨張特性を有するガ
ラス材質を使用することによって熱膨張による亀裂や真
空気密の破損を防止する。
【００１５】また、透明支持板１００に搭載されたレー
ザーターゲット１０１は図２に示したような構造を有す
る。即ち、レーザーターゲット１０１はII-VI族あるい
はIII-V 族半導体化合物よりなる半導体基板１２０上に
前面ミラー１３０、多重層量子ウェル(MQW; Multi-Qua
ntum Well)構造あるいは超格子構造よりなる活性層１
４０及び背面ミラー１５０が順に積層された半導体構造
体である。このレーザーターゲット１０１は接着層１１
０により透明支持板１００に付着される。
ザーターゲット１０１は図２に示したような構造を有す
る。即ち、レーザーターゲット１０１はII-VI族あるい
はIII-V 族半導体化合物よりなる半導体基板１２０上に
前面ミラー１３０、多重層量子ウェル(MQW; Multi-Qua
ntum Well)構造あるいは超格子構造よりなる活性層１
４０及び背面ミラー１５０が順に積層された半導体構造
体である。このレーザーターゲット１０１は接着層１１
０により透明支持板１００に付着される。
【００１６】ここで、半導体基板１２０は光透過性の良
いものが有利であり、これ自体で十分に前記積層が支持
できる場合、前記透明支持板１００を敢えて採用する必
要はないが、レーザーCRTの大型化につれ前記積層を支
持するための透明支持板１００の必要性は高まる。そし
て、背面ミラー１５０の上部には金属膜１６０を蒸着し
て、背面ミラー１５０を透過する光を完全に反射させる
と同時に電極の役割をさせる。この金属膜１６０は背面
ミラー１５０の少なくとも一部が金属よりなる場合、な
くすことができる。
いものが有利であり、これ自体で十分に前記積層が支持
できる場合、前記透明支持板１００を敢えて採用する必
要はないが、レーザーCRTの大型化につれ前記積層を支
持するための透明支持板１００の必要性は高まる。そし
て、背面ミラー１５０の上部には金属膜１６０を蒸着し
て、背面ミラー１５０を透過する光を完全に反射させる
と同時に電極の役割をさせる。この金属膜１６０は背面
ミラー１５０の少なくとも一部が金属よりなる場合、な
くすことができる。
【００１７】ここで、III -V 族半導体化合物の半導体
基板１２０は、前面ミラー１３０及び活性層１４０の積
層のための基板として用いられる層であって、厚さ５μ
ｍ以上の単結晶層である。前面ミラー１３０は部分反射
ミラーであって、反射率９５％の分散ブラッグ反射器(D
BR; Distributed Brag Reflector)よりなる。背面ミ
ラー１５０は反射ミラーであって、反射率１００％のダ
イクロイックミラーよりなる。このように、背面ミラー
１５０は分散ブラッグ反射器の代りにダイクロイックミ
ラーで共振器を形成することによって、複雑な製造方法
上の問題点が多少解消される。場合によっては、前面ミ
ラー１３０も反射率９５％のダイクロイックミラーより
なる場合もある。
基板１２０は、前面ミラー１３０及び活性層１４０の積
層のための基板として用いられる層であって、厚さ５μ
ｍ以上の単結晶層である。前面ミラー１３０は部分反射
ミラーであって、反射率９５％の分散ブラッグ反射器(D
BR; Distributed Brag Reflector)よりなる。背面ミ
ラー１５０は反射ミラーであって、反射率１００％のダ
イクロイックミラーよりなる。このように、背面ミラー
１５０は分散ブラッグ反射器の代りにダイクロイックミ
ラーで共振器を形成することによって、複雑な製造方法
上の問題点が多少解消される。場合によっては、前面ミ
ラー１３０も反射率９５％のダイクロイックミラーより
なる場合もある。
【００１８】
【発明の効果】以上、説明したように、本発明に係る室
温駆動半導体レーザーCRTは室温で駆動されるので低温
維持装置がなく、ビーカー状のガラスよりなる透明支持
板にレーザーターゲットが固定され、このガラス支持板
をガラスバルブとフリットガラスで封着した構造を有す
ることによって、熱膨張差によるガラスバルブの破裂や
真空気密維持が損われるおそれがない。また、レーザー
ターゲットとしてII-VI族あるいはIII -V 族半導体化合
物などを区分なしに使用でき、成長技法も公知の全ての
方法が使用できる。特に、III -V 族半導体化合物を使
用する場合には、レーザーダイオード(LD)、発光ダイオ
ード(LED)などの光素子の製作に用いられる厚さ約３４
０μｍのサファイア、TiCなどの基板を使用するとこ
ろ、直接成長したIII -V 族半導体化合物/半導体基板構
造体を透明支持板で接着することによって、真空気密維
持のための密封及び排気圧力に従う維持力を確保し、コ
バールリングを付着すべき工程上の不便が解消できる。
従って、コバールリング及び厚いサファイアを使用せず
にガラス支持板を使用することによって、製造工程が単
純化及びコストダウンに寄与する。
温駆動半導体レーザーCRTは室温で駆動されるので低温
維持装置がなく、ビーカー状のガラスよりなる透明支持
板にレーザーターゲットが固定され、このガラス支持板
をガラスバルブとフリットガラスで封着した構造を有す
ることによって、熱膨張差によるガラスバルブの破裂や
真空気密維持が損われるおそれがない。また、レーザー
ターゲットとしてII-VI族あるいはIII -V 族半導体化合
物などを区分なしに使用でき、成長技法も公知の全ての
方法が使用できる。特に、III -V 族半導体化合物を使
用する場合には、レーザーダイオード(LD)、発光ダイオ
ード(LED)などの光素子の製作に用いられる厚さ約３４
０μｍのサファイア、TiCなどの基板を使用するとこ
ろ、直接成長したIII -V 族半導体化合物/半導体基板構
造体を透明支持板で接着することによって、真空気密維
持のための密封及び排気圧力に従う維持力を確保し、コ
バールリングを付着すべき工程上の不便が解消できる。
従って、コバールリング及び厚いサファイアを使用せず
にガラス支持板を使用することによって、製造工程が単
純化及びコストダウンに寄与する。
【図１】本発明に係る室温駆動半導体レーザーCRTの概
略的な構成を示す断面図である。
略的な構成を示す断面図である。
【図２】図１のレーザーCRTで半導体ターゲット及びガ
ラス基板部分を拡大した断面図である。
ラス基板部分を拡大した断面図である。
【図３】従来の半導体レーザーCRTの概略的な構成を示
す断面図である。
す断面図である。
【図４】図３の半導体レーザーCRTの一部部品を組立さ
れた順序で分解して展開した斜視図である。
れた順序で分解して展開した斜視図である。
【図５】従来の他の半導体レーザーCRTの概略的な構成
を示す断面図である。
を示す断面図である。
１００ 透明支持板 １０１ レーザーターゲット １０２ 接着剤 １０３ ガラスバルブ １０４ 電子銃
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｓ 5/347 Ｈ０１Ｓ 5/347 Ｈ０４Ｎ 5/68 Ｈ０４Ｎ 5/68 Ｚ (72)発明者 金 湘默 大韓民国京畿道水原市八達区牛満１洞492 −８番地 (72)発明者 宋 英宇 大韓民国ソウル特別市広津区九宜１洞242 −28番地 (72)発明者 金 文權 大韓民国京畿道水原市八達区南水洞11− 458番地 (72)発明者 朴 徳成 大韓民国京畿道水原市長安区華西洞650番 地 華西住公アパート402棟1102号 (72)発明者 崔 鐘植 大韓民国京畿道水原市長安区亭子洞395− ３番地 東信アパート203棟401号
Claims (7)
- 【請求項１】 半導体化合物よりなる半導体基板、前記
半導体基板上に形成された前面ミラー層、前記前面ミラ
ー層上に形成された活性層及び前記活性層上に形成され
た背面ミラー層を具備したレーザーターゲットと、 前記レーザーターゲットを搭載した透明支持板と、 電子ビーム放出のための電子銃を内蔵したガラスバルブ
と、 前記ガラスバルブ及び前記透明支持板の縁部を接着した
接着剤と、 を具備することを特徴とする室温駆動半導体レーザーCR
T。 - 【請求項２】 前記半導体基板は厚さ５μｍ以上の単結
晶よりなることを特徴とする請求項１に記載の室温駆動
半導体レーザーCRT。 - 【請求項３】 前記透明支持板はガラスよりなり、前記
接着剤はフリットガラスであることを特徴とする請求項
１に記載の室温駆動半導体レーザーCRT。 - 【請求項４】 前記前面ミラー層は分散ブラッグ反射器
形態に製作されたことを特徴とする請求項１に記載の室
温駆動半導体レーザーCRT。 - 【請求項５】 前記活性層は多重量子ウェル構造を有す
るように形成されたことを特徴とする請求項１に記載の
室温駆動半導体レーザーCRT。 - 【請求項６】 前記背面ミラー層はダイクロイックミラ
ー形態に製作されたことを特徴とする請求項１に記載の
室温駆動半導体レーザーCRT。 - 【請求項７】 前記半導体基板、前面ミラー層及び活性
層はII-VIあるいはIII -V 族半導体化合物よりなること
を特徴とする請求項１に記載の室温駆動半導体レーザー
CRT。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1999-18448 | 1999-05-21 | ||
| KR1019990018448A KR100346377B1 (ko) | 1999-05-21 | 1999-05-21 | 상온 구동 반도체 레이저 ｃｒｔ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000340131A true JP2000340131A (ja) | 2000-12-08 |
Family
ID=19587051
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000074042A Withdrawn JP2000340131A (ja) | 1999-05-21 | 2000-03-16 | 室温駆動半導体レーザーｃｒｔ |
Country Status (3)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6518698B1 (ja) |
| JP (1) | JP2000340131A (ja) |
| KR (1) | KR100346377B1 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8192128B2 (en) * | 2009-05-20 | 2012-06-05 | T&T Engineering Services, Inc. | Alignment apparatus and method for a boom of a pipe handling system |
Family Cites Families (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4695332A (en) * | 1982-12-27 | 1987-09-22 | American Telephone And Telegraph Company, At&T Bell Laboratories | Method of making a semiconductor laser CRT |
| US5374870A (en) * | 1992-06-22 | 1994-12-20 | Principia Optics, Inc. | Laser screen cathode-ray tube with increased life span |
| RU2056665C1 (ru) * | 1992-12-28 | 1996-03-20 | Научно-производственное объединение "Принсипиа оптикс" | Лазерная электронно-лучевая трубка |
| US5677923A (en) * | 1996-01-11 | 1997-10-14 | Mcdonnell Douglas Corporation | Vertical cavity electron beam pumped semiconductor lasers and methods |
| KR19990071399A (ko) * | 1998-02-04 | 1999-09-27 | 손욱 | 레이저 음극선관의 여기 방법 |
| US6266357B1 (en) * | 1998-09-01 | 2001-07-24 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force | Microcavity surface emitting laser |
-
1999
- 1999-05-21 KR KR1019990018448A patent/KR100346377B1/ko not_active IP Right Cessation
-
2000
- 2000-03-16 JP JP2000074042A patent/JP2000340131A/ja not_active Withdrawn
- 2000-04-07 US US09/545,186 patent/US6518698B1/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR100346377B1 (ko) | 2002-08-01 |
| US6518698B1 (en) | 2003-02-11 |
| KR20000074475A (ko) | 2000-12-15 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US7898162B2 (en) | Electron beam pumped laser light source for projection television | |
| US7724791B2 (en) | Method of manufacturing laser diode packages and arrays | |
| US7142576B2 (en) | Semiconductor laser | |
| US5430756A (en) | Solid state laser excited by laser diode | |
| JP2002523889A (ja) | 光励起外部ミラー垂直キャビティ半導体レーザー | |
| JPH07193311A (ja) | 非線形結晶を備えた２次高調光を生成する半導体レーザ | |
| US5677923A (en) | Vertical cavity electron beam pumped semiconductor lasers and methods | |
| US10559936B2 (en) | Laser active medium and process of manufacturing the same | |
| JPH07226567A (ja) | レーザ・キャビティ内の非線形結晶によって第２高調波光を発生する半導体レーザ | |
| US20020067750A1 (en) | Electron beam pumped semiconductor laser screen and associated fabrication method | |
| JPH09194204A (ja) | 窒化アルミニウムの製造方法および半導体発光素子 | |
| JP2001085793A (ja) | 半導体レーザ装置 | |
| JPWO2005055383A1 (ja) | 半導体レーザ装置の製造方法 | |
| JP2000340131A (ja) | 室温駆動半導体レーザーｃｒｔ | |
| JPH08321660A (ja) | 窒化物半導体レーザ素子 | |
| US20070036194A1 (en) | Excimer-lamp pumped semiconductor laser | |
| US8632224B2 (en) | Light emitting device and projector | |
| JP2003347649A (ja) | 発光装置およびその製造方法 | |
| JP2000200924A (ja) | 半導体発光素子およびその製法 | |
| JP2002305348A (ja) | 半導体レーザ素子 | |
| JP4740853B2 (ja) | Ｍｂｅ成長によるアンチモン化アルカリ光電陰極 | |
| JP2576415B2 (ja) | レーザダイオード励起固体レーザ | |
| CN116598870A (zh) | 一种碟片增益介质结构的激光器组件 | |
| JP2024018682A (ja) | 光源装置、及び半導体素子 | |
| KR100496273B1 (ko) | 음극선관용 레이저 스크린 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20070605 |