JP2000336482A - 成膜方法及び成膜装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 反応室内のプラズマによるクリーニング工程
に左右されずに、安定した形成膜厚で複数回の成膜処理
を連続して行うことができる成膜装置及び成膜方法を提
供することを目的とする。 【解決手段】 複数回の成膜処理Ｓ１ａを行う成膜工程
Ｓ１と、反応室内をプラズマクリーニングするクリーニ
ング工程Ｓ２とを繰り返し行う成膜方法において、クリ
ーニング工程Ｓ２と、その後に行われる成膜工程Ｓ１と
の間に、反応室内を冷却する冷却工程Ｓ３を行う。これ
によって、クリーニング工程Ｓ２における反応室内の温
度上昇に関わりなく、成膜工程Ｓ１を行い、成膜工程Ｓ
１における各成膜処理Ｓ１ａの成膜温度の条件を均一化
する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、成膜方法及び成膜
装置に関し、特には成膜工程と反応室内のプラズマによ
るクリーニング工程とを繰り返し行う成膜方法及び、プ
ラズマ生成機能を有する成膜装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】半導体装置やその他の電子部品の製造に
用いられる成膜装置は、処理基板（例えば半導体ウエ
ハ）の大口径化にともない、枚葉式のものが主流になり
つつある。図５には、このような成膜装置の一例とし
て、枚葉式の平行平板型プラズマＣＶＤ（Chemical Vap
or Deposition)装置の概略構成図を示した。この成膜装
置は、反応室１０１、反応室１０１に接続されたガス供
給管１０２、反応室１０１内に配置された基板Ｗ載置用
のサセプタ１０３、サセプタ１０３と対向して設けられ
たフェースプレート１０４を備えている。サセプタ１０
３は、例えばランプ１０５のような温調機能を備えると
共にチャック機能を備えたものであり、下部電極として
も機能する。フェースプレート１０４は、反応室１０１
に対するガス供給管１０２の接続部分を覆う状態で設け
られると共に、成膜ガスやキャリアガス等のガスをサセ
プタ１０３側に供給するための複数の供給孔を有し、上
部電極として機能する。

【０００３】このような構成の成膜装置を用いて成膜処
理を行う場合、先ず、サセプタ１０３上に基板Ｗを載置
し、反応室１０１内を所定の真空状態にまで排気した
後、ガス供給管１０２から反応ガスを供給した状態でフ
ェースプレート１０４に高周波電圧を印加する。これに
よって、サセプタ１０３−フェースプレート１０４間で
反応ガスプラズマを発生させ、基板Ｗ表面に対してプラ
ズマＣＶＤによる成膜処理を行う。

【０００４】また、このような成膜装置を用いる場合、
成膜処理の合間に反応室１０１内をクリーニングする工
程を行うことで、成膜処理中における反応室内での発塵
を抑えている。このクリーニング工程では、反応室１０
１内をプラズマ雰囲気にする、いわゆるプラズマクリー
ニングが行われており、以下のようにする。先ず、成膜
処理が終了した基板Ｗを反応室１０１から搬出した後、
反応室１０１内にクリーニングガスを導入する。そし
て、フェースプレート１０４に高周波電圧（ＲＦ）を印
加して反応室１０１内にクリーニングガスプラズマを発
生させ、これによって反応室１０１内をプラズマクリー
ニングする。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】しかし、以上のような
成膜処理の合間にクリーニング工程を行う成膜方法にお
いては、クリーニング工程の導入が設備生産性を低下さ
せる要因になる。特に、上述のような枚葉式の成膜装置
においては、クリーニング工程の導入による設備生産性
の低下が顕著になる。このため、枚葉式の成膜装置を稼
働させる場合には、複数回（例えば５回）の成膜処理毎
にクリーニング工程を行うことで、設備生産性を確保す
るようにしている。

【０００６】ところが、複数回の成膜処理毎にクリーニ
ング工程を行う場合、クリーニング工程の後には膜成処
理の回数が進むにしたがって形成膜厚が変動するという
問題があった。図６には、成膜条件（成膜ガスの流量、
反応室内圧力、サセプター温度、高周波電圧パワー等）
を同一にした各成膜処理（Run No.1〜25）で得られた形
成膜厚のグラフを示した。このグラフに示すように、同
一の成膜条件による成膜処理であっても、クリーニング
工程（ＲＦ Clean）直後の成膜処理（Run No.1,6,11,1
6,21)から成膜処理の回数（Run No.1）が進むにしたが
って形成膜厚が次第に薄くなり、クリーニング工程を境
にして形成膜厚が周期的に変化することがわかる。これ
は、この成膜処理が施された基板を用いて得られる半導
体装置の信頼性を低下させる要因になる。なお、形成膜
厚の周期的な変化は、成膜処理毎にクリーニング工程を
行った場合には発生しないことが確認されている。

【０００７】そこで本発明は、反応室内のプラズマによ
るクリーニング工程に左右されずに、この反応室内にお
いて安定した形成膜厚で複数回の成膜処理を連続して行
うことができる成膜方法及び成膜装置を提供することを
目的とする。

【０００８】

【課題を解決するための手段】このような目的を達成す
るための本発明の成膜方法は、反応室内において基板の
表面に対して成膜処理を行う成膜工程と、当該反応室内
をプラズマクリーニングするクリーニング工程とを繰り
返し行う成膜方法において、クリーニング工程とその後
の成膜工程との間に、反応室内を冷却する冷却工程を行
うことを特徴としている。

【０００９】このような成膜方法によれば、クリーニン
グ工程において反応室内がプラズマ雰囲気になること
で、サセプタ上方の温度がクリーニング工程前よりも上
昇した場合であっても、このクリーニング工程後に冷却
工程が行われることで、サセプタ上方の温度が降下す
る。このため、クリーニング工程前とクリーニング工程
の直後とにおけるサセプタ上方の反応領域の温度が均一
化される。このため、クリーニング工程の前後におい
て、サセプタ上方の反応領域の温度が均一化された条件
で成膜処理が行われる。

【００１０】また、本発明の成膜装置は、内部が真空排
気される反応室と、当該反応室内に設けられた基板載置
用のサセプタと、当該反応室内をプラズマ雰囲気にする
ためのプラズマ生成機能を有する成膜装置において、前
記反応室内におけるサセプタ上方の温度を検出する温度
検出手段と、前記温度検出手段で検出された温度に基づ
いて、前記反応室内への不活性なガスの供給を制御する
制御手段とを備えたことを特徴としている。

【００１１】このような構成の成膜装置によれば、サセ
プタ上方の温度が温度検出手段で検出され、検出された
温度に基づいて反応室内への不活性なガスの供給が制御
手段によって制御される。このため、反応室内がプラズ
マ雰囲気になることでサセプタ上方の温度が上昇したこ
とを温度検出手段で検知した場合、真空排気状態にある
反応室内に制御手段によって不活性なガスを断続的に供
給するように設定することで、サイクルパージの効果に
よって反応室内が速やかに冷却される。

【００１２】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
に基づいて詳細に説明する。ここでは先ず、一例とし
て、枚葉式の平行平板型プラズマ成膜装置に本発明の成
膜装置を適用した実施形態を説明する。なお、本発明の
成膜装置は、これに限定されることはなく、反応室内を
プラズマ雰囲気にするためのプラズマ生成機能を有する
成膜装置に広く適用可能である。

【００１３】図１は、本発明の成膜装置の概略構成図で
ある。この図に示す成膜装置は、反応室１、反応室１に
接続されたガス供給管２、反応室１内に配置された基板
載置用のサセプタ３、サセプタ３と対向して設けられた
フェースプレート４、温度検出手段としての熱電対５を
備えている。

【００１４】反応室１は、ここでは図示を省略した排気
手段をその底面側に接続させた状態で備え、この排気手
段に設けられたスロットバルブによって、内部が所定の
設定圧力の真空状態に保たれるように構成されている。

【００１５】ガス供給管２は、反応室１の上部に接続さ
れており、ここでは図示を省略した成膜ガスのボンベ、
クリーニングガスのボンベ、さらには不活性なガス（以
下、不活性ガスと記す）のボンベ等にそれぞれＭＦＣ６
を介して接続されている。

【００１６】サセプタ３は、反応室１とガス供給管２と
の接続部分に対向する状態で反応室１内に設けられてい
る。また、ここでの図示は省略したが、このサセプタ３
は、例えばサセプタ３に内設された熱電対とこれに接続
されたランプとからなる温調機能を備えると共に、チャ
ック機能を備えたものであり、下部電極としても機能す
る。

【００１７】フェースプレート４は、サセプタ３と同程
度の平面積を有し、ガス供給管２の接続部を覆う状態で
サセプタ３に対向して設けられると共に、成膜ガス、キ
ャリアガス、さらには不活性なガス等をサセプタ３側に
供給するための供給孔が全面に亘って複数形成されたも
ので、上部電極としても機能する。このため、サセプタ
３とこのフェースプレート４とが、この成膜装置におけ
るプラズマ生成機能となる。

【００１８】また、熱電対５は、サセプタ３の上方、す
なわちサセプタ３とフェースプレート４に挟まれた反応
領域の温度を測定するためのものであり、サセプタ３と
フェースプレート４に挟まれた位置と、その外側との間
で移動自在に設けられている。

【００１９】この熱電対５には、不活性ガスのボンベに
接続されたＭＦＣ６の作動を制御するための制御回路７
が設けられている。この制御回路７は、熱電対５によっ
て測定された温度に基づいて、ＭＦＣ６による反応室１
内への不活性ガスの供給量を制御する。例えば、熱電対
５によって測定された温度が設定温度よりも高い場合に
は、断続的に所定流量の不活性ガスを反応室１内に供給
するように、不活性ガスのボンベに接続されたＭＦＣ６
を制御するよう設定されている。そして、この制御回路
７とＭＦＣ６とが、反応室１内への不活性ガスの供給を
制御する制御手段となる。

【００２０】このような構成の成膜装置は、例えば図２
に示すようなマルチチャンバの一部を構成する。マルチ
チャンバは、ロードロック室１０に対してゲートバルブ
１１を介して複数の反応室を接続させてなるものであ
り、このらの反応室のうちの少なくとも１つが上述の成
膜装置の反応室１になっている。なお、図面において
は、ロードロック室１０に接続された反応室の全てが、
上述の成膜装置の反応室１である場合を示した。また、
ロードロック室１０内には基板Ｗ搬送用の搬送ロボット
１３が備えられており、この搬送ロボット１３によっ
て、ロードロック室１０の外から搬入された基板Ｗは、
ロードロック室１０と各反応室１２内との間で自在に搬
入、搬出されると共に、サセプタ３上に自在に移載され
る。

【００２１】上記構成の成膜装置では、反応室１内がプ
ラズマ雰囲気になることでサセプタ３上方の反応領域の
温度が上昇した場合、熱電対５によってこれが検知され
る。そして、検出された温度が設定温度よりも高い場合
には、断続的に所定流量の不活性ガスが反応室１内に供
給されるように、制御回路７とＭＦＣ６とによって反応
室１内への不活性ガスの供給が制御される。このため、
サセプタ３上方の反応領域の温度が、速やかに設定温度
にまで降温される。また、熱電対５が移動自在であるた
め、成膜処理を行う際には熱電対５をサセプタ３の上方
からその外側に移動させることで、この熱電対５が成膜
の妨げになることが防止される。

【００２２】尚、ここでは、サセプタ３とフェースプレ
ート４との間の反応領域に、温度検出手段として熱電対
５を挟み込まれる構成の成膜装置を説明した。しかし、
本発明の成膜装置は、温度検出手段（例えば熱電対）を
フェースプレート４に内設させた構成でも良く、このよ
うな構成であっても、サセプタ３上方における反応領域
の温度の変動を、フェースプレート４の温度の変動とし
て間接的に検知することが可能である。

【００２３】図３は、このような構成の成膜装置を用い
た成膜方法を示すフローチャートであり、以下にこの図
を用いて成膜の手順を説明する。

【００２４】この成膜方法は、成膜工程Ｓ１と反応室１
内のプラズマによるクリーニング工程Ｓ２とを繰り返し
行う成膜方法であり、クリーニング工程Ｓ２の後でかつ
成膜工程Ｓ１の前に冷却工程Ｓ３を行うことを特徴とし
ている。また、成膜工程Ｓ１においては、複数回の成膜
処理Ｓ１ａを行うこととする。なお、ここでは、成膜処
理Ｓ１ａにおいて、基板（半導体ウエハ）Ｗの表面にプ
ラズマ窒化膜（すなわち、プラズマＣＶＤ法によって成
膜された窒化シリコン膜）を形成する場合を例に採って
説明する。

【００２５】先ず、成膜工程Ｓ１において成膜処理Ｓ１
ａを行う際には、熱電対５をサセプタ３の上方からその
外側に移動させた状態で、反応室１の内部に基板Ｗを搬
入し、３８０℃〜４００℃程度に温調された状態にある
サセプタ３上に基板Ｗを載置する。その後、反応室１内
を所定の真空状態にまで真空排気し、例えばシランガス
（ＳｉＨ₄ ）及びアンモニアガス（ＮＨ₃ ）等の成膜ガ
スとキャリアガスをガス供給管２から反応室１内に所定
流量で導入し、反応室１内を所定の圧力に保つ。そし
て、上部電極であるフェースプレート４に高周波電圧を
印加してフェースプレート４とサセプタ３上の基板Ｗの
間で成膜ガスをプラズマ励起させ、成膜ガスプラズマを
発生させる。これによって、基板Ｗの表面に窒化シリコ
ンを堆積させ、プラズマ窒化膜を形成する。その後、膜
形成が終了した基板Ｗを反応室１の内部から搬出し、成
膜処理１ａを終了する。

【００２６】次の判断工程Ｓ１ｂでは、成膜処理Ｓ１ａ
がｎ回目（例えば５回目）の処理であるか否かを判断す
る。そして、ｎ＝５回目であると判断されるまで、上述
の成膜処理Ｓ１ａを繰り返し行い、５枚の基板Ｗに対し
てプラズマ窒化膜を形成する。

【００２７】以上のようにして、５枚の基板Ｗに対する
成膜処理Ｓ１ａが終了した後、クリーニング工程Ｓ２に
進む。このクリーニング工程Ｓ２では、５回目の成膜処
理１ａが終了して５枚目の基板Ｗを反応室１から搬出し
た後、真空排気された状態にある反応室１内に、ガス供
給管２からクリーニングガスを所定流量で導入する。こ
のクリーニングガスは、成膜処理１ａによって形成する
膜種によって適宜選択されることとし、成膜処理Ｓ１ａ
において、上述のプラズマ窒化膜を形成した場合には、
四フッ化メタン（ＣＦ4 ）と一酸化二窒素（Ｎ2 Ｏ）と
を用いる。

【００２８】次に、反応室１内にクリーニングガスを導
入した状態で、上部電極であるフェースプレート４に高
周波電圧を印加してフェースプレート４とサセプタ３上
の基板Ｗの間でクリーニングガスをプラズマ励起させ、
クリーニングガスプラズマを発生させる。高周波電圧の
印加条件の一例としては、１３．５６ＭＨｚの高周波電
圧を１０００Ｗのパワーで印加する。これによって、反
応室１の内壁に堆積した窒化膜をクリーニングガスプラ
ズマで除去し、反応室１内のプラズマクリーニングを行
う。

【００２９】以上のようにしてプラズマによるクリーニ
ング工程Ｓ２が終了した後、冷却工程Ｓ３に進む。この
冷却工程Ｓ３では、クリーニング工程Ｓ２におけるプラ
ズマ励起によって上昇した反応室１内の温度をクリーニ
ング工程Ｓ２前の温度付近にまで冷却する。ここでは、
クリーニング工程Ｓ２が終了した後、直ちにサセプタ３
とフェースプレート４との間に熱電対５を差し入れ、サ
セプタ３とフェースプレート４との間の反応領域の温度
の検出を開始する。

【００３０】そして、反応室１内の排気を続けた状態
で、熱電対５によって検知される温度（すなわち反応領
域の温度）が設定温度に降下するまで、不活性ガスのボ
ンベに接続されたＭＦＣ６によって反応室１内に不活性
ガス〔例えば、一酸化二窒素（Ｎ₂ Ｏ）、窒素
（Ｎ₂ ）、アルゴン（Ａｒ）、ヘリウム（Ｈｅ）等〕を
断続的に供給し、いわゆるサイクルパージを行う。この
サイクルパージにおいては、例えば、反応室１内の圧力
を６６７Ｐａ程度に保った状態で、不活性ガスをとして
Ｎ2 Ｏを２ｓｌｍ（standard liter/minutes）の流量で
反応室１内に１５秒間供給する工程と、不活性ガスの供
給を停止した状態で反応室１内を到達圧力まで１５秒間
真空排気する工程とを繰り返し行う。また、設定温度と
しては、成膜工程Ｓ１の際の反応領域の温度、例えば、
５回目の成膜処理Ｓ１が開始される直前の反応領域の温
度を適用する。なお、この際の反応領域の温度は、５回
目の成膜処理Ｓ１が開始される直前に熱電対５を反応領
域に挿入して測定しておくこととする。

【００３１】以上のようにして、熱電対５によって検出
される温度が設定温度にまで降下した後、再び成膜工程
Ｓ１に戻って５回の成膜処理Ｓ１ａを繰り返し行う。

【００３２】このような成膜方法では、クリーニング工
程Ｓ２において反応室１内がプラズマ雰囲気になること
で、サセプタ３上方の反応領域の温度がクリーニング工
程Ｓ２前よりも上昇した場合であっても、このクリーニ
ング工程Ｓ２後に冷却工程Ｓ３を行うことで、サセプタ
上方の温度がクリーニング工程Ｓ２の前の成膜処理Ｓ１
ａ開始時の温度にまで戻される。このため、クリーニン
グ工程の前後の成膜処理Ｓ１ａにおいて、サセプタ上方
の反応領域の温度が均一化される。したがって、成膜工
程Ｓ１においては、クリーニング工程Ｓ２における反応
室１内の温度上昇に影響されることなく成膜処理１ａを
行うことが可能になる。そして、クリーニング工程直後
の１回目の成膜処理１ａ〜クリーニング工程直前の５回
目の成膜処理１ａまでが、サセプタ３上方の反応領域の
温度を均一化した条件で行われることになり、各成膜処
理１ａにおける形成膜厚を均一にすることが可能にな
る。

【００３３】図４には、成膜工程Ｓ１中に５回の成膜処
理（Ｄｅｐｏ．）Ｓ１ａを行った場合の、５回目の成膜
処理Ｓ１ａで得られたプラズマ窒化膜と、クリーニング
工程Ｓ２と冷却工程Ｓ３とを挟んだ１回目の成膜処理Ｓ
１ａで得られたプラズマ窒化膜との形成膜厚差を縦軸に
し、冷却工程Ｓ３として設けた時間（冷却時間）を横軸
にしたグラフを示す。なお、このグラフには、冷却工程
Ｓ３において、上述の条件でサイクルパージを行った場
合と、反応室１内の真空排気（到達圧力まで）のみを行
った場合を示した。この際、５回目の成膜処理Ｓ１ａで
得られたプラズマ窒化膜の形成膜厚ｔ5 を測定し、さら
にクリーニング工程Ｓ２と冷却工程Ｓ３とを挟んだ１回
目の成膜処理Ｓ１ａで得られたプラズマ窒化膜の形成膜
厚ｔ6 を測定し、ｔ6 −ｔ5 の値を形成膜厚差とした。

【００３４】このグラフから明らかなように、冷却工程
Ｓ３においては、単に真空排気を続けるよりも、サイク
ルパージを行った方が、より短時間で反応室１内の反応
領域（サセプタ３の上方）が冷却され、より短時間の冷
却工程Ｓ３で形成膜厚差を均一にできることが分かる。
このため、サイクルパージを行うことで、設備生産性の
向上を図ることができる。

【００３５】また、従来のように、冷却工程Ｓ３を設け
ず成膜工程Ｓ１とクリーニング工程Ｓ２のみを繰り返し
行う場合、クリーニング工程Ｓ２が終了してから次の成
膜工程Ｓ１が開始されるまでの時間は、基板Ｗを反応室
１内に搬入してこの反応室１内を所定の真空状態にする
ための３０秒〜６０秒であった。しかし、このグラフか
らわかるように、クリーニング工程Ｓ２と次の成膜工程
Ｓ１との間が３０秒〜６０秒しかない場合には、例えこ
の間にサイクルパージを行うことで、反応室１内を速や
かに冷却したとしても、０．６ｎｍ程度の形成膜厚差が
生じることがわかる。このことからも、クリーニング工
程Ｓ２と次の成膜工程Ｓ１との間に冷却工程Ｓ３を行う
ことの効果が確認された。

【００３６】なお、上述の実施形態では、成膜処理Ｓ１
ａにおいて、プラズマ窒化膜を形成する場合を例に採っ
て成膜方法を説明した。しかし、本発明の成膜方法は、
プラズマ窒化膜の形成に限定されることはなく、成膜工
程Ｓ１と反応室１内のプラズマによるクリーニング工程
Ｓ２とを繰り返し行う成膜方法に広く適用可能である。

【００３７】

【発明の効果】以上説明したように本発明の成膜方法に
よれば、成膜工程とプラズマによる反応室内のクリーニ
ング工程とを繰り返し行う場合、クリーニング工程とそ
の後の成膜工程との間に冷却工程を行うことで、クリー
ニング工程の際に上昇した反応室内の温度を降下させた
状態で次の成膜工程を行うことが可能になる。このた
め、クリーニング工程における反応室内の温度上昇に影
響されることなく成膜工程を行うことが可能になり、こ
の成膜工程における複数回の成膜処理を均一な温度条件
で行い、連続した成膜処理における形成膜厚を均一にす
ることが可能になる。この結果、この成膜方法によって
成膜処理された基板を用いて半導体装置やその他の装置
を製造した場合、これらの装置の信頼性の向上を図るこ
とができる。また、本発明の成膜装置によれば、反応室
内がプラズマ雰囲気になることでサセプタ上方の反応領
域の温度が上昇した場合、温度検出手段によってこの温
度上昇を検知し、制御手段によって反応室内に不活性な
ガスを断続的に供給し、サイクルパージの効果によって
反応室内を速やかに冷却することが可能になる。この結
果、反応領域の温度を速やかに降下させること可能にな
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】実施形態の成膜装置の概略構成図である。

【図２】実施形態の成膜装置を用いて構成されるマルチ
チャンバの概略構成図である。

【図３】実施形態の成膜方法を示すフローチャートであ
る。

【図４】冷却時間に対する形成膜厚差のグラフである。

【図５】従来の成膜装置の一例を示す概略構成図であ
る。

【図６】従来の成膜方法による形成膜厚の周期的な変動
を示すグラフである。

【符号の説明】

１…反応室、Ｗ…基板、３…サセプタ（プラズマ生成機
能）、４…フェースプレート（プラズマ生成機能）、５
…熱電対（温度検出手段）、６…ＭＦＣ（制御手段）、
７…制御回路（制御手段）

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 4K030 DA03 FA01 HA11 HA17 JA10 KA26 5F004 AA01 AA15 BA04 BB13 BB18 BC08 CA09 DA00 DA01 5F045 AA08 AB33 AC01 AC12 AD07 BB02 DQ17 EB06 EB08 EE14 EH05 EH13 EJ04 EJ10 EN04 GB05 GB15 HA24

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 反応室内において基板の表面に対して成
   膜処理を行う成膜工程と、当該反応室内をプラズマクリ
   ーニングするクリーニング工程とを繰り返し行う成膜方
   法において、 前記クリーニング工程と、その後に行われる前記成膜工
   程との間に、前記反応室内を冷却する冷却工程を行うこ
   とを特徴とする成膜方法。
2. 【請求項２】 請求項１記載の成膜方法において、 前記成膜工程では、複数回の成膜処理を繰り返し行うこ
   とを特徴とする成膜方法。
3. 【請求項３】 請求項１記載の成膜方法において、 前記冷却工程は、排気状態にある前記反応室内に不活性
   なガスを断続的に流して行われることを特徴とする成膜
   方法。
4. 【請求項４】 内部が真空排気される反応室と、当該反
   応室内に設けられた基板載置用のサセプタと、当該反応
   室内をプラズマ雰囲気にするためのプラズマ生成機能を
   有する成膜装置において、 前記反応室内におけるサセプタ上方の温度を検出する温
   度検出手段と、 前記温度検出手段で検出された温度に基づいて、前記反
   応室内への不活性なガスの供給を制御する制御手段とを
   備えたことを特徴とする成膜装置。
5. 【請求項５】 請求項４記載の成膜装置において、 前記制御手段は、前記反応室内において行われる成膜工
   程の前に前記温度検出手段で検出された温度が設定温度
   に降下するまで、前記反応室内に不活性なガスを断続的
   に供給することを特徴とする成膜装置。