JP2000331921A - Aligner, aligner system, and manufacture of device - Google Patents

Aligner, aligner system, and manufacture of device

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JP2000331921A
JP2000331921A JP11143282A JP14328299A JP2000331921A JP 2000331921 A JP2000331921 A JP 2000331921A JP 11143282 A JP11143282 A JP 11143282A JP 14328299 A JP14328299 A JP 14328299A JP 2000331921 A JP2000331921 A JP 2000331921A
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JP
Japan
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exposure apparatus
measurement
exposure
abnormal
measurement result
Prior art date
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JP11143282A
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Japanese (ja)
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Tomohiko Hirano
朝彦 平野
Osamu Ogawa
修 小川
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Canon Inc
Original Assignee
Canon Inc
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Publication date
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  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To discriminate abnormal values due to the faults of the measurement means of an aligner from the those caused by external factors, when its measurement means for atmospheric pressure, etc., indicate abnormal values, by referring the abnormal- operation preventing means of the exposure apparatus to the measured results of a measurement object in other exposure apparatuses too, and by preventing the expo sure apparatus from operating in an abnormal state. SOLUTION: By checking the fluctuating amounts of atmospheric pressures measured in a short term, barometers 19A, 19B are so set as to deem them as being abnormal, when they exceed a fixed value. That is, when deciding this abnormality, by using the difference between the measured values by the two barometers 19A, 19B in a projective exposure apparatus and using the difference between the atmospheric pressure values measured in the present time and in the last time, whether the fluctuations of the measured values of the atmospheric pressure are caused by the faults of the barometers 19A, 19B themselves or by external factors is decided. Then, when the faults of the barometers 19A, 19B themselves, by substituting the atmospheric pressure value of another exposure apparatus for the one of this exposure apparatus in a fixed term or temporarily, the corrections of its focal position and its magnification are performed to enable continuing of its processing.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、装置における所定
の測定対象について測定を行ない、この測定結果に基づ
いて装置が異常な状態の下で動作するのを防止するよう
にした露光装置、これを有する露光装置システムおよび
これらを用いることができるデバイス製造方法に関す
る。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an exposure apparatus that measures a predetermined object to be measured in an apparatus and prevents the apparatus from operating under abnormal conditions based on the measurement result. The present invention relates to an exposure apparatus system having the same and a device manufacturing method capable of using the same.

【0002】[0002]

【従来の技術】近年、IC、LSI等の半導体デバイス
の高集積化に対する要求に応じて、その高集積化がます
ます加速度を増している。マスク(レチクル)の回路パ
ターン像を投影光学系により感光基板上に形成し、感光
基板をステップアンドリピート方式で露光する縮小型の
投影露光装置(ステッパ)においても解像度の向上のた
めに様々な改良がなされている。
2. Description of the Related Art In recent years, in response to demands for high integration of semiconductor devices such as ICs and LSIs, the high integration has been increasingly accelerated. Various improvements have been made to improve the resolution of a reduction type projection exposure apparatus (stepper) that forms a circuit pattern image of a mask (reticle) on a photosensitive substrate using a projection optical system and exposes the photosensitive substrate in a step-and-repeat manner. Has been made.

【0003】レチクル面上のパターンをウエハ面上に縮
小投影する投影光学系の光学性能(結像倍率や結像性
能)は環境変化、例えば気圧変化により種々に変化す
る。最近の高解像力が要望されている投影露光装置で
は、気圧の変化により発生する光学性能の誤差は大きな
問題点となっており、この光学性能の誤差を補正して投
影することが重要になっている。
[0003] The optical performance (imaging magnification and imaging performance) of a projection optical system for reducing and projecting a pattern on a reticle surface onto a wafer surface varies variously due to environmental changes, for example, changes in atmospheric pressure. In a recent projection exposure apparatus requiring a high resolution, an error in optical performance caused by a change in atmospheric pressure is a serious problem, and it is important to correct the error in optical performance for projection. I have.

【0004】これを解決するため、特開平06−342
755号公報においては、半導体ウエハが載置されるテ
ーブルと、照明光学系と、所望の転写パターンを有する
レチクルと、複数のレンズを含むレンズ群からなり、前
記転写パターンを前記半導体ウエハの一主面に投影する
投影光学系と、前記レチクルまたは前記投影光学系にお
ける前記レチクル側の前記レンズを移動させることで前
記半導体ウエハに対する前記転写パターンの投影倍率を
調整する倍率調整機構と、前記投影光学系の前記半導体
ウエハに対する焦点位置を調整する焦点位置調整機構と
を有する縮小投影露光装置を用いた縮小投影露光方法で
あって、大気圧または前記縮小投影露光装置の環境気圧
の変動を検出する第1の段階と、前記大気圧または環境
気圧の変動に応じて前記投影光学系と前記テーブルとの
距離を相対的に変化させる焦点位置調整機構により、前
記倍率調整機構による前記投影倍率の調整操作とは独立
に前記投影光学系の前記半導体ウエハに対する焦点位置
を調整する操作を行なう第2の段階と、前記レチクルの
前記転写パターンを前記半導体ウエハに転写する第3の
段階とからなることを特徴とする投影露光方法が提案さ
れている。
To solve this problem, Japanese Patent Laid-Open Publication No. 06-342 discloses
No. 755 discloses a table on which a semiconductor wafer is placed, an illumination optical system, a reticle having a desired transfer pattern, and a lens group including a plurality of lenses. A projection optical system that projects onto a surface, a magnification adjusting mechanism that adjusts the projection magnification of the transfer pattern onto the semiconductor wafer by moving the reticle or the lens on the reticle side of the projection optical system, and the projection optical system And a focus position adjusting mechanism for adjusting a focus position with respect to the semiconductor wafer, wherein the method includes the steps of: detecting a change in atmospheric pressure or an atmospheric pressure of the reduced projection exposure apparatus; And the distance between the projection optical system and the table is relatively changed in accordance with the change in the atmospheric pressure or the environmental pressure. A second step of performing an operation of adjusting a focal position of the projection optical system with respect to the semiconductor wafer by the focal position adjusting mechanism to be adjusted independently of the operation of adjusting the projection magnification by the magnification adjusting mechanism; and the transfer of the reticle. And a third step of transferring a pattern onto the semiconductor wafer. A projection exposure method has been proposed.

【0005】また、特開平08−305034号公報に
おいては、第1物体のパターンを投影光学系により第2
物体上に投影する装置において、前記投影光学系に関連
する気圧の変化を検出する気圧検出手段と、前記第1物
体のパターンの投影に用いる光の波長を変える波長変更
手段と、前記気圧検出手段の出力を受け、前記気圧の変
化による前記投影光学系の硝材の相対屈折率の変化を補
正するように前記第1物体のパターンの投影に用いる光
の波長を変える波長変更手段とを有することを特徴とす
る投影露光方法が提案されている。これらの方法によ
り、レチクル面上のパターンを投影光学系によってウエ
ハ面上に投影する際、日常の気圧変動や設置場所の大気
圧に対応する光学性能の変動を、適切に設定した気圧測
定手段や調整機構を用いることにより良好に補正し、高
い光学性能が容易に得られる投影露光装置およびそれを
用いたデバイスの製造方法を達成することができる。
In Japanese Patent Application Laid-Open No. 08-305034, a pattern of a first object is projected on a second object by a projection optical system.
An apparatus for projecting onto an object, an air pressure detecting means for detecting a change in air pressure related to the projection optical system, a wavelength changing means for changing a wavelength of light used for projecting a pattern of the first object, and the air pressure detecting means And a wavelength changing means for changing a wavelength of light used for projecting the pattern of the first object so as to correct a change in the relative refractive index of the glass material of the projection optical system due to the change in the atmospheric pressure. A characteristic projection exposure method has been proposed. With these methods, when projecting the pattern on the reticle surface onto the wafer surface by the projection optical system, the atmospheric pressure fluctuation in daily life and the fluctuation of the optical performance corresponding to the atmospheric pressure of the installation location can be appropriately set by a pressure measurement means or the like. By using the adjustment mechanism, it is possible to achieve a projection exposure apparatus capable of easily obtaining a high optical performance by making a good correction and a method of manufacturing a device using the same.

【0006】[0006]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、補正量
を決める上で基となる情報を提供する気圧測定手段が、
電気的なノイズなどの要因で、誤動作し、異常値を計測
してしまうことが希にある。それに気づかず、投影露光
装置が、気圧測定手段が計測した異常値に基づいて、焦
点調整機構や倍率調整機構を用いて、焦点位置や投影倍
率を補正してしまうと、半導体ウエハに転写したパター
ンが不良となってしまうという問題が発生する。また、
半導体露光装置は、非常に複雑かつ精密な装置であるた
め、半導体を露光する場合、気圧以外にも、装置内の温
度、湿度等の環境を一定範囲内に保つ必要がある。そこ
で、従来、それらの環境値が一定範囲外になった場合
は、装置に何らかの異常が発生したと判断しているが、
気圧、温度等の環境値は、天候やクリーンルーム環境
等、装置外の環境の影響を受ける場合があり、異常値に
なったとしても必ずしも当該装置の故障だとは限らな
い。かかる場合、現状では、装置外の環境の変化による
異常かどうかの判断を下すことは困難である。
However, the barometric pressure measuring means for providing information which is the basis for determining the correction amount,
It is rare that a malfunction occurs and an abnormal value is measured due to factors such as electrical noise. Noticing that, if the projection exposure apparatus corrects the focal position and the projection magnification using the focus adjustment mechanism and the magnification adjustment mechanism based on the abnormal value measured by the atmospheric pressure measurement means, the pattern transferred to the semiconductor wafer However, there arises a problem that the device becomes defective. Also,
Since a semiconductor exposure apparatus is a very complicated and precise apparatus, when exposing a semiconductor, it is necessary to keep an environment such as temperature and humidity in the apparatus within a certain range in addition to the atmospheric pressure. Therefore, conventionally, when those environmental values are out of a certain range, it is determined that some abnormality has occurred in the device,
Environmental values such as atmospheric pressure and temperature may be affected by an environment outside the apparatus such as weather or a clean room environment, and even if an abnormal value is obtained, it is not necessarily a failure of the apparatus. In such a case, at present, it is difficult to determine whether the abnormality is caused by a change in the environment outside the apparatus.

【0007】本発明の目的は、上述従来技術の問題点に
鑑み、露光装置、露光装置システムおよびデバイス製造
方法において、第1に、異常な状態における装置の稼動
を防止するために、気圧等の測定手段が異常値を示した
場合に、その異常値が測定手段の故障によるものである
場合を区別し、さらには装置の他の部分の故障である場
合を区別できるようにすることにある。第2に、異常値
が測定手段の故障によるものである場合でも、装置の動
作を停止させることなく、デバイス製造を続行できるよ
うにすることにある。
In view of the above-mentioned problems of the prior art, an object of the present invention is to provide an exposure apparatus, an exposure apparatus system, and a device manufacturing method. When the measuring means indicates an abnormal value, it is possible to distinguish a case where the abnormal value is due to a failure of the measuring means, and further to distinguish a case where the other part of the apparatus is out of order. Second, even if the abnormal value is due to a failure of the measuring means, the device manufacturing can be continued without stopping the operation of the device.

【0008】[0008]

【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
本発明の露光装置は、装置における所定の測定対象につ
いて測定を行なう測定手段と、この測定結果に基づいて
装置が異常な状態の下で動作するのを防止する異常動作
防止手段とを備えた露光装置において、前記異常動作防
止手段は、前記測定対象についての他の装置における測
定結果をも参照して前記装置の異常な状態での動作を防
止するものであることを特徴とする。この構成におい
て、測定手段が異常な測定値を示した場合、その原因
は、他の装置における測定結果をも参照して判断され、
この結果に基づいて、異常な状態下での動作の続行が防
止される。したがって、異常値が装置自身に起因するも
のか、装置外の原因によるものか等が適切に判断され、
異常値が装置の計測手段の異常による場合は他の装置に
おける測定結果を代替値として使用して動作を続行する
等の、適切な対応がなされる。
In order to achieve the above object, an exposure apparatus according to the present invention comprises a measuring means for measuring a predetermined object to be measured in the apparatus, and an apparatus which operates under abnormal conditions based on the measurement result. An exposure apparatus comprising: an abnormal operation preventing unit configured to prevent the apparatus from operating; wherein the abnormal operation preventing unit operates in an abnormal state of the apparatus with reference to a measurement result of another apparatus on the measurement target. It is characterized in that it prevents. In this configuration, when the measurement unit indicates an abnormal measurement value, the cause is determined by also referring to the measurement result in another device,
Based on this result, the continuation of the operation under the abnormal condition is prevented. Therefore, it is appropriately determined whether the abnormal value is caused by the device itself or a cause outside the device.
When the abnormal value is caused by an abnormality of the measuring means of the device, appropriate measures are taken, such as continuing the operation by using the measurement result of another device as a substitute value.

【0009】また、本発明の露光装置システムは、コン
ピュータネットワークを構成している、露光装置および
これを管理する管理装置を備えた露光装置システムにお
いて、前記管理装置は、各露光装置に対して所定の計測
対象についての計測を指示する指示手段と、これに応じ
て計測された各露光装置における計測値を受信して登録
する登録手段とを具備することを特徴とする。この構成
において、管理装置が各露光装置から取得し、登録した
計測値は、種種の形態で利用される。例えば、ある露光
装置における所定の計測対象についての計測値が異常で
ある場合は、その代替値として、登録してある最新の計
測値がその露光装置に供給される。あるいは、登録して
ある測定値に基づき、ある露光装置における所定の計測
対象についての異常な計測値がその装置に起因するもの
かどうかが的確に判断される。
An exposure apparatus system according to the present invention comprises an exposure apparatus and a management apparatus for managing the exposure apparatus, which constitute a computer network. And a registering means for receiving and registering a measurement value of each exposure apparatus measured in response thereto. In this configuration, the measurement values acquired and registered by the management apparatus from each exposure apparatus are used in various forms. For example, when a measurement value of a predetermined measurement target in an exposure apparatus is abnormal, the latest registered measurement value is supplied to the exposure apparatus as a substitute value. Alternatively, based on the registered measurement values, it is accurately determined whether an abnormal measurement value of a predetermined measurement target in an exposure apparatus is caused by the apparatus.

【0010】また、本発明の別の露光装置システムは、
コンピュータネットワークを構成している、露光装置お
よびこれを管理する管理装置を備えた露光装置システム
において、前記管理装置は、所定の測定対象について測
定を行なう測定手段を備え、この測定手段による測定結
果を、前記ネットワークを介して、各露光装置に送信す
るものであることを特徴とする。この構成において、例
えば、ある露光装置における所定の計測対象についての
計測値が異常である場合は、その代替値として、管理装
置において測定した最新の計測値がその露光装置に供給
され、これにより、その露光装置は、動作を続行する。
[0010] Further, another exposure apparatus system of the present invention comprises:
An exposure apparatus system including an exposure apparatus and a management apparatus that manages the exposure apparatus, which configures a computer network, wherein the management apparatus includes a measurement unit that performs measurement on a predetermined measurement target, and measures a measurement result obtained by the measurement unit. , Transmitted to each of the exposure apparatuses via the network. In this configuration, for example, when a measurement value of a predetermined measurement target in an exposure apparatus is abnormal, the latest measurement value measured by the management apparatus is supplied to the exposure apparatus as a substitute value, whereby The exposure apparatus continues its operation.

【0011】また、本発明のデバイス製造方法は、露光
装置における所定の測定対象について測定を行ない、こ
の測定結果に基づいて前記露光装置が異常な状態の下で
動作するのを防止しながら前記露光装置により露光を行
なうことによりデバイスを製造するデバイス製造方法に
おいて、前記測定対象についての他の露光装置または他
の装置における測定結果をも参照して前記露光装置の異
常な状態での動作を防止することを特徴とする。この構
成においても、本発明の露光装置と同様に、異常値が装
置自身に起因するものか、装置外の原因によるものか等
が適切に判断され、異常値が装置の計測手段の異常によ
る場合は他の装置における測定結果を代替値として使用
して動作を続行する等の、適切な対応がなされる。
Further, in the device manufacturing method of the present invention, a predetermined object to be measured in the exposure apparatus is measured, and the exposure apparatus is operated based on the measurement result while preventing the exposure apparatus from operating under abnormal conditions. In a device manufacturing method for manufacturing a device by performing exposure with an apparatus, an operation of the exposure apparatus in an abnormal state is prevented by also referring to a measurement result of another exposure apparatus or another apparatus for the measurement target. It is characterized by the following. Also in this configuration, similarly to the exposure apparatus of the present invention, it is appropriately determined whether the abnormal value is caused by the apparatus itself or a cause outside the apparatus, and when the abnormal value is caused by an abnormality of the measuring unit of the apparatus. In this case, appropriate measures are taken, such as continuing the operation using the measurement result of another device as a substitute value.

【0012】[0012]

【発明の実施の形態】本発明の露光装置における好まし
い実施形態においては、前記他の装置は、ともにコンピ
ュータネットワークを構成している他の露光装置または
そのネットワークに含まれる露光装置を管理する管理装
置であり、異常動作防止手段は、管理装置が、前記ネッ
トワークに含まれる露光装置からあるいは自身の測定手
段により取得して保持している前記測定対象についての
最新の測定結果を参照する。測定対象には気圧が含ま
れ、異常動作防止手段は、管理装置から最新の気圧につ
いての測定結果の供給を受け、それに基づき、露光に際
しての投影倍率および焦点位置の補正を行なう。その際
に供給を受ける測定結果は、ネットワークに含まれる露
光装置間の機差が考慮されている。異常動作防止手段
は、測定手段が気圧を測定するものであり、その気圧の
測定結果が異常であり、かつその異常が測定手段による
ものであるときは、その異常な測定結果の代替値とし
て、前記測定結果の供給を受ける。また、測定対象につ
いての測定結果を管理装置に送信する送信手段を有し、
この送信手段は、測定結果の送信に際しては、装置の番
号および計測日時を含めて送信を行なう。測定対象に
は、前記気圧のほか、温度もしくは湿度、または被露光
基板を露光時に吸着し、保持するためのバキューム圧が
含まれる。
In a preferred embodiment of the exposure apparatus according to the present invention, the other apparatus is a management apparatus which manages another exposure apparatus which forms a computer network or an exposure apparatus included in the network. The abnormal operation prevention unit refers to the latest measurement result of the measurement target acquired and held by the management device from the exposure device included in the network or by its own measurement unit. The measurement target includes the atmospheric pressure, and the abnormal operation preventing unit receives the latest measurement result of the atmospheric pressure from the management device, and corrects the projection magnification and the focal position at the time of exposure based on the supply. The measurement results supplied at that time take into account the machine differences between the exposure apparatuses included in the network. Abnormal operation prevention means, the measurement means is to measure the atmospheric pressure, when the measurement result of the atmospheric pressure is abnormal, and when the abnormality is due to the measurement means, as an alternative value of the abnormal measurement result, The measurement result is supplied. Also, a transmission unit for transmitting the measurement result of the measurement target to the management device,
This transmission means transmits the measurement result including the device number and the measurement date and time. The measurement target includes, besides the atmospheric pressure, temperature or humidity, or a vacuum pressure for adsorbing and holding the substrate to be exposed during exposure.

【0013】さらに、異常動作防止手段は、測定手段に
よる測定結果に基づいて異常を検出する異常検出手段を
備える。この異常検出手段は、同種の測定対象について
測定を行なう2つの測定手段による測定値の差が所定の
範囲を超えた場合にその測定手段のうちのいずれかが異
常であると判断する。さらに、これら測定手段による今
回の測定結果と所定の期間前に行なった前回の測定結果
との差が所定の範囲を超えている場合にそれらの測定手
段が異常であると判断する。異常動作防止手段は、異常
検出手段が異常を検出した場合は、その旨の警告もしく
はエラーの出力または表示を行なう。
Further, the abnormal operation preventing means includes an abnormality detecting means for detecting an abnormality based on a measurement result by the measuring means. The abnormality detecting means determines that one of the measuring means is abnormal when the difference between the measured values of the two measuring means for measuring the same type of measurement object exceeds a predetermined range. Further, when the difference between the current measurement result by these measurement means and the previous measurement result performed a predetermined time before exceeds a predetermined range, it is determined that those measurement means are abnormal. When the abnormality detecting means detects the abnormality, the abnormal operation preventing means outputs or displays a warning or error to that effect.

【0014】あるいは、異常検出手段は、測定手段によ
るその測定対象についての測定結果および装置が属する
コンピュータネットワーク上の他の同種の露光装置にお
ける同種の測定対象についての測定結果に基づいて前記
異常の検出を行なう。これら同種の露光装置は同一のク
リーンルーム内に設置されており、異常検出手段は、装
置内の測定手段による測定結果および他の同種の露光装
置における同種の測定対象、あるいはさらに前記クリー
ンルームの環境を制御する環境制御装置における同種の
測定対象についての測定結果が同様に異常な変化を示し
ているときは装置外の異常であり、装置内の測定手段に
よる測定結果のみが異常な変化を示しているときは装置
内部における異常であると判断する。異常検出手段は、
装置内部における異常であると判断する場合において、
装置内の相互に関連する異なる測定対象についての複数
の測定手段による測定結果が同様に異常な変化を示して
いるときは、それらの測定手段が関係する装置内の部分
が異常であり、1つの測定手段による測定結果のみが異
常な変化を示しているときは、その測定手段が異常であ
ると判断する。
Alternatively, the abnormality detecting means detects the abnormality based on a measurement result of the measuring object by the measuring means and a measurement result of the same measuring object in another same type of exposure apparatus on a computer network to which the apparatus belongs. Perform The same type of exposure apparatus is installed in the same clean room, and the abnormality detection unit controls the measurement result by the measurement unit in the apparatus and the same type of measurement target in another same type of exposure apparatus, or further controls the environment of the clean room. When the measurement result of the same type of measurement object in the environmental control device that indicates the same type of abnormal change also indicates an abnormal change outside the device, and only the measurement result by the measurement means in the device indicates an abnormal change. Is determined to be abnormal inside the apparatus. The abnormality detection means is
When it is determined that there is an abnormality inside the device,
If the results of measurements by a plurality of measuring means on different measuring objects which are related to each other in the apparatus also show abnormal changes, the part in the apparatus to which the measuring means relates is abnormal and one When only the measurement result by the measuring means indicates an abnormal change, it is determined that the measuring means is abnormal.

【0015】本発明の露光装置システムにおける好まし
い実施形態においては、管理装置は、登録した各露光装
置の計測値に基づいて各投影露光装置間の計測値の機差
を求める手段を有する。また、管理装置は、各露光装置
から、計測対象についての最新の計測値の問い合せがあ
ったときは、これに応じて、登録手段により登録してあ
る計測値のうちの最新のものをその露光装置に送信す
る。その際、計測値に付随させて登録してある計測日時
の情報に基づいて最新の計測値を抽出する。そして、登
録してある計測値から得た各露光装置間での機差を考慮
した計測値を送信する。また、本発明の別の露光装置シ
ステムにおける好ましい実施形態においては、管理装置
は、各露光装置から測定対象についての測定結果の問い
合せがあった場合にその露光装置に対して、または常に
各露光装置に対して、測定結果の送信を行なうものであ
り、これらのうちのいずれの方法で送信を行なうかが設
定可能となっている。
In a preferred embodiment of the exposure apparatus system according to the present invention, the management apparatus has means for calculating a machine difference of a measured value between the projection exposure apparatuses based on a registered measured value of each exposure apparatus. When the management apparatus receives an inquiry about the latest measurement value for the measurement target from each exposure apparatus, the management apparatus responds to the inquiry by exposing the latest measurement value registered by the registration unit to the exposure value. Send to device. At this time, the latest measurement value is extracted based on the information on the measurement date and time registered in association with the measurement value. Then, a measured value obtained by taking into account the machine difference between the respective exposure apparatuses obtained from the registered measured value is transmitted. In a preferred embodiment of another exposure apparatus system according to the present invention, the management apparatus is configured to control the exposure apparatus when each of the exposure apparatuses inquires about the measurement result of the measurement target, or to always perform the , The measurement result is transmitted, and it is possible to set which of these methods is to be used for transmission.

【0016】[0016]

【実施例】[実施例1]図1は、本発明の第1の実施例
に係る投影露光装置の要部概略図である。同図におい
て、1は回路パターンが描かれたレチクル、2はレチク
ル1を吸着保持するレチクルチャック、3はレチクルチ
ャック2に取り付けたレチクル駆動装置、4はレチクル
駆動装置3を支持するレチクルステージ、5は縮小型の
投影レンズ系(投影光学系)、6Aおよび6Bは各々投
影レンズ系5を構成する部分レンズ系のフィールドレン
ズ、7は投影レンズ系5の一部を構成している単一の硝
材より成るレンズ系、8はフィールドレンズ6Aを投影
レンズ系5の光軸AX方向に移動させるレンズ駆動装
置、9はレジスト等の感光剤が塗布されたウエハ、10
はウエハ9を吸着保持するウエハチャック、11はウエ
ハチャック10に取り付けたウエハ駆動装置、12はウ
エハ駆動装置11を支持し、投影レンズ系5の光軸AX
に直交する面内で移動可能なウエハステージである。
[Embodiment 1] FIG. 1 is a schematic view of a main part of a projection exposure apparatus according to a first embodiment of the present invention. In the figure, 1 is a reticle on which a circuit pattern is drawn, 2 is a reticle chuck that sucks and holds the reticle 1, 3 is a reticle driving device attached to the reticle chuck 2, 4 is a reticle stage that supports the reticle driving device 3, 5 Is a reduction type projection lens system (projection optical system), 6A and 6B are field lenses of a partial lens system constituting the projection lens system 5, and 7 is a single glass material constituting a part of the projection lens system 5. 8, a lens driving device for moving the field lens 6A in the direction of the optical axis AX of the projection lens system 5, 9 a wafer coated with a photosensitive agent such as a resist, 10
Denotes a wafer chuck that holds the wafer 9 by suction, 11 denotes a wafer driving device attached to the wafer chuck 10, 12 supports the wafer driving device 11, and the optical axis AX of the projection lens system 5.
Is a wafer stage that is movable in a plane orthogonal to.

【0017】レチクル駆動装置3およびウエハ駆動装置
11はそれぞれ、圧電素子等から成り、レチクル駆動装
置3によりレチクルチャック2を投影レンズ系5の光軸
AX方向に変位させてレチクル1を光軸AX方向に移動
させ、ウエハ駆動装置11によりウエハチャック10を
投影レンズ系5の光軸AX方向に変位させてウエハ9を
光軸AX方向に移動させる。レンズ駆動装置8は空気圧
や圧電素子等を利用してフィールドレンズ6Aを投影レ
ンズ系5の光軸AX方向に移動させる。レンズ駆動装置
8の具体的な構造としては、特開昭62−32613号
公報等に開示されているもの等を適用することができ
る。
The reticle driving device 3 and the wafer driving device 11 each comprise a piezoelectric element or the like, and the reticle chuck 2 is displaced in the optical axis AX direction of the projection lens system 5 by the reticle driving device 3 to move the reticle 1 in the optical axis AX direction. Then, the wafer chuck 10 is displaced in the optical axis AX direction of the projection lens system 5 by the wafer driving device 11 to move the wafer 9 in the optical axis AX direction. The lens driving device 8 moves the field lens 6A in the optical axis AX direction of the projection lens system 5 using air pressure, a piezoelectric element, or the like. As a specific structure of the lens driving device 8, the one disclosed in JP-A-62-32613 or the like can be applied.

【0018】レチクル駆動装置3によるレチクルチャッ
ク2の駆動はレチクル駆動制御系13からの信号に基づ
いて行なわれ、このときレチクル1の光軸AX方向の位
置がレチクル位置検出器15により検出される。また、
同様にレンズ駆動装置8によるフィールドレンズ6Aの
駆動はレンズ駆動制御系16からの信号に基づいて行な
われ、このときフィールドレンズ6Aの光軸AX方向の
位置がレンズ位置検出器17により検出される。レチク
ル位置検出器15とレンズ位置検出器17は光学式エン
コーダ等の各種の位置検出器で構成することができる。
The driving of the reticle chuck 2 by the reticle driving device 3 is performed based on a signal from a reticle driving control system 13. At this time, the position of the reticle 1 in the optical axis AX direction is detected by a reticle position detector 15. Also,
Similarly, the driving of the field lens 6A by the lens driving device 8 is performed based on a signal from the lens driving control system 16, and at this time, the position of the field lens 6A in the optical axis AX direction is detected by the lens position detector 17. The reticle position detector 15 and the lens position detector 17 can be composed of various position detectors such as an optical encoder.

【0019】ウエハ駆動装置11によるウエハチャック
10の駆動はウエハ駆動制御系14からの信号に基づい
て行なわれ、このときウエハ9(の表面)の光軸AX方
向の位置はフォーカス検出器18により検出される。フ
ォーカス検出器18は、この種の投影露光装置で従来か
ら使用されてきた、例えばエアセンサや光学式センサで
構成されている。レチクル位置検出器15、レンズ位置
検出器17およびフォーカス位置検出器18からの各信
号はマイクロプロセッサ23へ入力される。
The driving of the wafer chuck 10 by the wafer driving device 11 is performed based on a signal from the wafer driving control system 14. At this time, the position of the (surface of) the wafer 9 in the optical axis AX direction is detected by the focus detector 18. Is done. The focus detector 18 is composed of, for example, an air sensor or an optical sensor conventionally used in this type of projection exposure apparatus. Each signal from the reticle position detector 15, lens position detector 17, and focus position detector 18 is input to the microprocessor 23.

【0020】投影レンズ系5の周囲の気圧、気温および
温度の変化を検出するために気圧センサ(気圧測定手
段)19Aおよび19B、温度センサ20ならびに湿度
センサ21が設けられ、また、投影レンズ系5の光吸収
による温度変化を検出するためにレンズ温度センサ22
が設けられており、これら各種センサ19A、19B、
20〜22からの信号もマイクロプロセッサ23へ入力
される。レチクル駆動制御系13、レンズ駆動制御系1
6およびウエハ駆動制御系14はマイクロプロセッサ2
3により制御される。以上のうち各要素13〜17は駆
動手段の一部を構成している。
Pressure sensors (pressure measuring means) 19A and 19B, a temperature sensor 20 and a humidity sensor 21 are provided for detecting changes in atmospheric pressure, air temperature and temperature around the projection lens system 5. Lens temperature sensor 22 for detecting temperature changes due to light absorption of
Are provided, and these various sensors 19A, 19B,
Signals from 20 to 22 are also input to the microprocessor 23. Reticle drive control system 13, lens drive control system 1
6 and the wafer drive control system 14
3 is controlled. The components 13 to 17 constitute a part of the driving means.

【0021】24はレチクル1の回路パターンを均一な
照度で照明する照明系である。照明系24は発振波長λ
=248.4nmのレーザ光を放射するKrFエキシマ
レーザを露光用の光源として具備している。照明系24
からのレーザ光はレチクル1と投影レンズ系5を介して
ウエハ9上に向けられ、ウエハ9上にレチクル1の回路
パターン像が縮小投影されることになる。
An illumination system 24 illuminates the circuit pattern of the reticle 1 with uniform illuminance. The illumination system 24 has an oscillation wavelength λ
A KrF excimer laser that emits a laser beam of = 248.4 nm is provided as a light source for exposure. Lighting system 24
Is directed onto the wafer 9 through the reticle 1 and the projection lens system 5, and the circuit pattern image of the reticle 1 is reduced and projected on the wafer 9.

【0022】照明系24は、後述する波長選択素子駆動
制御系32により発振波長が制御された光束を放射する
レーザ光源27を備え、レーザ光源27からの光束によ
り、コンデンサレンズ25を介し、ミラー26で反射さ
せてレチクル1面上を均一に照明する。レーザ光源27
はレーザ共振器28と波長選択素子29を有する。30
は波長選択素子29を駆動する波長選択素子駆動装置、
31は波長選択素子29の角度を検出する波長選択素子
角度検出器、32は波長選択素子29の駆動を制御する
波長選択素子駆動制御系であり、これらの各要素は波長
可変手段の一要素を構成している。
The illumination system 24 includes a laser light source 27 that emits a light beam whose oscillation wavelength is controlled by a wavelength selection element drive control system 32 to be described later. The light beam from the laser light source 27 is transmitted through a condenser lens 25 to a mirror 26. To uniformly illuminate the reticle 1 surface. Laser light source 27
Has a laser resonator 28 and a wavelength selection element 29. 30
Is a wavelength selection element driving device for driving the wavelength selection element 29,
31 is a wavelength selection element angle detector for detecting the angle of the wavelength selection element 29, 32 is a wavelength selection element drive control system for controlling the drive of the wavelength selection element 29, and each of these elements is one element of the wavelength variable means. Make up.

【0023】マイクロプロセッサ23はそのメモリ40
内に、2基の気圧センサ19Aおよび19Bの平均の気
圧計測値に基づいて、投影レンズ系5のレンズ系間にお
ける空気の相対屈折率変化量を求めるための計算式がプ
ログラムされており、各々の計算式では気圧の予め決め
た基準値からの変動量が変数となっている。そして、気
圧変動に対応するために、処理すべきウエハが投影露光
装置に搬入される度に気圧を測定し、この測定結果に基
づいて投影露光波長を変化させて投影露光を行なうよう
にすることによって、気圧変動に対して投影光学系の像
性能が常に良好に保たれるようにしている。
The microprocessor 23 has its memory 40
A calculation formula for calculating the relative refractive index change of air between the lens systems of the projection lens system 5 based on the average pressure measurement values of the two pressure sensors 19A and 19B is programmed therein. In the formula, the amount of change in the atmospheric pressure from a predetermined reference value is a variable. Then, in order to cope with fluctuations in atmospheric pressure, the atmospheric pressure is measured each time a wafer to be processed is carried into the projection exposure apparatus, and the projection exposure is performed by changing the projection exposure wavelength based on the measurement result. Thereby, the image performance of the projection optical system is always kept good against the atmospheric pressure fluctuation.

【0024】メモリ40には、2基の気圧センサ19A
および19Bによって計測された気圧値が記録され、ま
た、これらの気圧センサから得られた値に基づいて異常
か否かを判断するための閾値Aの設定情報、任意の時間
間隔をおいてこれらの気圧センサによって計測された新
旧の気圧値に基づいて異常か否かを判断するための閾値
Bの設定情報、および気圧センサ19Aおよび19Bの
機差が登録される。マイクロプロセッサ23は、これら
のメモリ40の情報と気圧センサ19Aおよび19Bで
計測された気圧値に基づいて気圧の異常を検知する。そ
して、異常の場合は、アラーム装置41により警告を行
なう。
The memory 40 has two pressure sensors 19A.
And 19B are recorded, and the setting information of the threshold A for judging whether or not there is an abnormality based on the values obtained from these barometric pressure sensors, and at any time intervals, The setting information of the threshold value B for determining whether or not there is an abnormality based on the new and old pressure values measured by the pressure sensors, and the difference between the pressure sensors 19A and 19B are registered. The microprocessor 23 detects a pressure abnormality based on the information in the memory 40 and the pressure values measured by the pressure sensors 19A and 19B. In the case of an abnormality, a warning is issued by the alarm device 41.

【0025】図3は、このような投影露光装置53を複
数備えた露光装置システムの概略を示すブロック図であ
る。各投影露光装置53は、ネットワーク51を介し
て、集中管理装置52に接続されており、双方のデータ
授受ができるような構成となっている。集中管理装置5
2は、同時刻において、各投影露光装置53に対して気
圧計測を指示するリモートコマンドにより、各投影露光
装置に対して気圧計測を実行させることができる。そし
て、集中管理装置52は、同時刻において各投影露光装
置53で計測された気圧値を各投影露光装置53から受
信し、それを集中管理装置内52にあるメモリ54に登
録する。また、集中管理装置側52は、メモリ54に登
録された同時刻における各投影露光装置53の気圧値に
基づき、事前に、各投影露光装置53間における気圧計
の機差を算出し、メモリ54に登録する。各投影露光装
置53から最新の気圧値の問い合せを受けたときには、
その投影露光装置53に対し、最新の気圧値に前記各投
影露光装置53間の機差を加算した値を送信する。
FIG. 3 is a block diagram schematically showing an exposure apparatus system having a plurality of such projection exposure apparatuses 53. Each projection exposure device 53 is connected to a centralized management device 52 via a network 51, and is configured to be able to exchange data with both. Central management device 5
At the same time, the remote control 2 can cause each of the projection exposure apparatuses 53 to execute the atmospheric pressure measurement by a remote command instructing each of the projection exposure apparatuses 53 to measure the atmospheric pressure. Then, the central control device 52 receives the atmospheric pressure value measured by each projection exposure device 53 at the same time from each projection exposure device 53 and registers it in the memory 54 in the central control device 52. Further, the central management device 52 calculates in advance the difference between the barometers between the projection exposure apparatuses 53 based on the atmospheric pressure values of the respective projection exposure apparatuses 53 at the same time registered in the memory 54. Register with. When an inquiry about the latest atmospheric pressure value is received from each projection exposure apparatus 53,
A value obtained by adding the machine difference between the projection exposure devices 53 to the latest atmospheric pressure value is transmitted to the projection exposure device 53.

【0026】図2は、図1の装置の動作を示すフローチ
ャートである。この装置において、気圧変動に対する補
正は、ウエハ搬入時やフォーカス補正時などに実施され
る。また、装置未稼動状態の場合も考慮し、定期的に気
圧計測を実施し、その結果をメモリ40に登録するよう
にしている。
FIG. 2 is a flowchart showing the operation of the apparatus shown in FIG. In this apparatus, correction for atmospheric pressure fluctuation is performed at the time of loading a wafer, correcting a focus, or the like. Also, in consideration of the case where the apparatus is not in operation, the atmospheric pressure is periodically measured, and the result is registered in the memory 40.

【0027】図2に示すように、ジョブが開始されると
(ステップS101)、まず、ステップS102〜S1
04において、ウエハ搬入およびフォーカス補正を行な
うとともに、ウエハ搬入時やフォーカス補正時に、2基
の気圧計19Aおよび19Bを用いて気圧計測を行な
う。ただし、この2基の機差は、事前に測定してあり、
オフセットとしてメモリ40に格納して管理している。
As shown in FIG. 2, when a job is started (step S101), first, steps S102 to S1 are performed.
In step 04, the wafer is loaded and the focus is corrected, and the pressure is measured using the two barometers 19A and 19B when the wafer is loaded and the focus is corrected. However, the difference between the two units has been measured in advance,
It is stored in the memory 40 as an offset and managed.

【0028】次に、ステップS105において、気圧計
19Aおよび19Bによって計測した気圧値を比較し、
両者の計測値の差がメモリ40に設定された閾値A以上
か否かを判定する。計測値の差が閾値A以上であると判
定した場合は、いずれかの気圧計が異常な状態にあると
判断されるため、ステップS110へ進む。計測値の差
が閾値A以上でないと判定した場合はステップS106
へ進む。
Next, in step S105, the pressure values measured by the barometers 19A and 19B are compared,
It is determined whether or not the difference between the two measured values is equal to or greater than a threshold A set in the memory 40. If it is determined that the difference between the measured values is equal to or greater than the threshold value A, it is determined that one of the barometers is in an abnormal state, and the process proceeds to step S110. If it is determined that the difference between the measured values is not more than the threshold value A, step S106
Proceed to.

【0029】ステップS106では、メモリ40に記憶
されている前回の気圧値を読み込んで、前回の気圧値
と、ステップS104で計測した今回の気圧値との差が
装置に設定されている閾値B以上であるか否かを判定す
る。前回の気圧値とは、ウエハ搬入時やフォーカス補正
時において、もしくは、一定時間間隔、例えば10分間
隔で計測された値のうちの最新の値である。そして、前
回と今回の気圧値の差が閾値B以上であると判定した場
合は、気圧計19Aおよび19Bの双方が異常な状態で
あると判断されるため、ステップS110へ進む。前回
と今回の気圧値の差が閾値B以上でないと判定した場合
は、今回計測した気圧値は正常と判断されるため、ステ
ップS107へ進む。
In step S106, the previous pressure value stored in the memory 40 is read, and the difference between the previous pressure value and the current pressure value measured in step S104 is equal to or greater than the threshold value B set in the apparatus. Is determined. The previous air pressure value is the latest value among values measured at the time of wafer loading or focus correction, or at fixed time intervals, for example, at 10 minute intervals. When it is determined that the difference between the previous and current barometric pressure values is equal to or greater than the threshold value B, it is determined that both the barometers 19A and 19B are in an abnormal state, and the process proceeds to step S110. If it is determined that the difference between the previous and current barometric pressure values is not greater than or equal to the threshold B, the currently measured barometric pressure value is determined to be normal, and the process proceeds to step S107.

【0030】ステップS107では、今回の気圧値、装
置番号、および日時を、ネットワーク51を介して集中
管理装置52へ送信する。集中管理装置52は、これを
受信すると、メモリ54に登録する。集中管理装置52
は、このようにして、常に最新の気圧値を各投影露光装
置53から受信し、メモリ54に記録している。
In step S107, the current atmospheric pressure value, device number, and date and time are transmitted to the central management device 52 via the network 51. When the central management device 52 receives this, it registers it in the memory 54. Central management device 52
Always receives the latest atmospheric pressure value from each projection exposure apparatus 53 and records it in the memory 54.

【0031】次に、ステップS108において、ステッ
プS104で計測した気圧値に基づいて焦点位置および
投影倍率の補正を実行し、そして、ステップS109に
おいて回路パターンの露光を行ない、ジョブを終了す
る。
Next, in step S108, the focus position and the projection magnification are corrected based on the atmospheric pressure value measured in step S104, and in step S109, the circuit pattern is exposed, and the job ends.

【0032】一方、ステップS110へ進んだ場合は、
アラームを出力する。次に、ステップS111におい
て、集中管理装置52に対し、メモリ54に登録されて
いる最新の気圧値の問い合せを行ない、最新の気圧値に
各投影露光装置53間の機差を加算した値を集中管理装
置52から受信する。次に、ステップS112におい
て、受信した気圧値によって、ステップS104で計測
した気圧値を置き換え、ステップS108へ進む。した
がって、ステップS108およびS109では、置き換
えられた気圧値に基づいて焦点位置および投影倍率の補
正を行ない、回路パターンの露光を行なうことになる。
On the other hand, when the process proceeds to step S110,
Output an alarm. Next, in step S111, the central management device 52 is inquired of the latest atmospheric pressure value registered in the memory 54, and the value obtained by adding the machine difference between the projection exposure devices 53 to the latest atmospheric pressure value is concentrated. Received from the management device 52. Next, in step S112, the received pressure value replaces the pressure value measured in step S104, and the process proceeds to step S108. Therefore, in steps S108 and S109, the focus position and the projection magnification are corrected based on the replaced atmospheric pressure value, and the circuit pattern is exposed.

【0033】このような処理を採用した理由は次のとお
りである。気圧は、長期的には大きな変動はみられる
が、短期的に大きく変動することはない。また、クリー
ンルーム内で生じる気圧変動は、そのクリーンルーム内
の各投影露光装置においてもほぼ同様の気圧変動を生じ
させるものと推測することができる。ところが、投影露
光装置内において、ケーブル・コネクタの接触不良など
の何らかのトラブルによってノイズが発生したりする
と、気圧計がそのノイズを拾って誤動作し、短時間に
1.5hpaも変化することがある。このような変化は
明らかに、誤動作とみなすことが可能である。
The reason why such processing is adopted is as follows. The atmospheric pressure fluctuates greatly in the long term, but does not fluctuate significantly in the short term. In addition, it can be assumed that the pressure fluctuation occurring in the clean room causes almost the same pressure fluctuation in each projection exposure apparatus in the clean room. However, if noise occurs in the projection exposure apparatus due to some trouble such as poor contact between the cable and connector, the barometer may pick up the noise and malfunction, resulting in a change of 1.5 hpa in a short time. Such a change can obviously be considered a malfunction.

【0034】そこで、本実施例では、計測して得た短期
間における気圧の変動量をチェックし、変動量がある一
定以上となった場合は、気圧計19Aおよび19Bの異
常とみなすようにしている。すなわち、異常を判断する
際には、投影露光装置内の2基の気圧計19Aおよび1
9Bによる計測値の差、および今回と前回の計測値の差
を用いることにより、気圧の計測値の変動が計器自体の
故障によるものか、または外的要因によるものかを判断
するようにしている(ステップS105およびS10
6)。これは、その後の原因究明に役立つと共に、故障
復帰までの時間を短くする一情報としての役割を担って
いる。
Therefore, in this embodiment, the amount of fluctuation of the atmospheric pressure in a short period obtained by the measurement is checked, and when the amount of fluctuation becomes a certain value or more, the barometers 19A and 19B are regarded as abnormal. I have. That is, when judging an abnormality, two barometers 19A and 1 in the projection exposure apparatus are used.
By using the difference between the measured values by 9B and the difference between the present and previous measured values, it is determined whether the fluctuation of the measured value of the atmospheric pressure is due to a failure of the meter itself or an external factor. (Steps S105 and S10
6). This is useful for investigating the cause thereafter, and also plays a role as one information for shortening the time until recovery from the failure.

【0035】しかし、気圧計19Aおよび/または19
Bが異常であると判断された時点ですぐに装置を停止さ
せ、生産を停止させることは、生産性を低下させること
に繋がる。その結果、生産予定を達成できないことにな
りかねない。そこで、本実施例ではさらに、装置の停止
を回避させるために、一定期間、もしくは一時的に、他
の露光装置の気圧値を代用して(ステップS111およ
びS112)、焦点位置補正および投影倍率補正を行な
うことにより、処理続行を可能としている。
However, the barometers 19A and / or 19
Stopping the apparatus immediately when it is determined that B is abnormal and stopping the production leads to a decrease in productivity. As a result, production schedules may not be achieved. Therefore, in this embodiment, in order to avoid the stop of the apparatus, the pressure value of another exposure apparatus is substituted for a fixed period or temporarily (steps S111 and S112) to correct the focal position and the projection magnification. , The processing can be continued.

【0036】[実施例2]上記第1の実施例では、集中
管理装置52は、各投影露光装置53からの気圧値を登
録し、最新の気圧値に各投影露光装置53間の機差を加
算した値を、問い合せのあった半導体露光装置53に送
信するようにしているが、この代わりに、本実施例で
は、図3の集中管理装置52に気圧センサ55を設け、
全ての投影露光装置53に対して、同一の気圧値を送信
するようにしている。そして、集中管理装置52に接続
されている気圧センサ55により計測された気圧値を、
常に各投影露光装置53に送信するか、各投影露光装置
53の気圧値が異常時のみ集中管理装置52で管理して
いる最新の気圧値を送信するかどうかを選択できる手段
を備えており、その設定に従って各投影露光装置53に
気圧値を送信する。
[Second Embodiment] In the first embodiment, the central control device 52 registers the pressure value from each projection exposure device 53, and calculates the difference between the projection exposure devices 53 to the latest pressure value. The added value is transmitted to the inquired semiconductor exposure apparatus 53. Instead, in the present embodiment, the barometric pressure sensor 55 is provided in the central management apparatus 52 in FIG.
The same atmospheric pressure value is transmitted to all the projection exposure apparatuses 53. Then, the barometric pressure value measured by the barometric pressure sensor 55 connected to the central management device 52 is
A means for selecting whether to always transmit to each projection exposure device 53 or to transmit the latest pressure value managed by the central control device 52 only when the pressure value of each projection exposure device 53 is abnormal, is provided. The pressure value is transmitted to each projection exposure device 53 according to the setting.

【0037】[実施例3]図4は、本発明の第3の実施
例に係る半導体露光装置の外観を示す斜視図である。同
図に示すように、この半導体露光装置は、装置本体の環
境温度制御を行なう温調チャンバ101、その内部に配
置され、装置本体の制御を行なうCPUを有するEWS
本体106、ならびに、装置における所定の情報を表示
するEWS用ディスプレイ装置102、装置本体におい
て撮像手段を介して得られる画像情報を表示するモニタ
TV105、装置に対し所定の入力を行なうための操作
パネル103、EWS用キーボード104等を含むコン
ソール部を備えている。図中、107はON−OFFス
イッチ、108は非常停止スイッチ、109は各種スイ
ッチ、マウス等、110はLAN通信ケーブル、111
はコンソール機能からの発熱の排気ダクト、そして11
2はチャンバの排気装置である。半導体露光装置本体は
チャンバ101の内部に設置される。
[Embodiment 3] FIG. 4 is a perspective view showing the appearance of a semiconductor exposure apparatus according to a third embodiment of the present invention. As shown in FIG. 1, the semiconductor exposure apparatus has a temperature control chamber 101 for controlling the environmental temperature of the apparatus main body, and an EWS having a CPU disposed therein for controlling the apparatus main body.
A main body 106, an EWS display device 102 for displaying predetermined information in the device, a monitor TV 105 for displaying image information obtained through an image pickup means in the device main body, and an operation panel 103 for performing predetermined input to the device. , An EWS keyboard 104 and the like. In the figure, 107 is an ON-OFF switch, 108 is an emergency stop switch, 109 is various switches, a mouse, etc., 110 is a LAN communication cable, 111
Is the exhaust duct of the heat generated from the console function, and 11
Reference numeral 2 denotes a chamber exhaust device. The semiconductor exposure apparatus main body is installed inside the chamber 101.

【0038】EWS用ディスプレイ102は、EL、プ
ラズマ、液晶等の薄型フラットタイプのものであり、チ
ャンバ101前面に納められ、LANケーブル110に
よりEWS本体106と接続される。操作パネル10
3、キーボード104、モニタTV105等もチャンバ
101前面に設置し、チャンバ101前面から従来と同
様のコンソール操作が行なえるようにしてある。
The EWS display 102 is of a thin flat type such as EL, plasma, liquid crystal, etc., is housed in the front of the chamber 101, and is connected to the EWS main body 106 by a LAN cable 110. Operation panel 10
3. A keyboard 104, a monitor TV 105, and the like are also installed on the front surface of the chamber 101 so that a console operation similar to the conventional console operation can be performed from the front surface of the chamber 101.

【0039】図5は、図4の装置の内部構造を示す図で
ある。同図においては、半導体露光装置としてのステッ
パが示されている。図中、202はレチクル、203は
ウエハであり、光源装置204から出た光束が照明光学
系205を通ってレチクル202を照明するとき、投影
レンズ206によりレチクル202上のパターンをウエ
ハ203上の感光層に転写することができる。レチクル
202はレチクル202を保持、移動するためのレチク
ルステージ207により支持されている。ウエハ203
はウエハチャック291により真空吸着された状態で露
光される。ウエハチャック291はウエハステージ20
9により各軸方向に移動可能である。レチクル202の
上側にはレチクルの位置ずれ量を検出するためのレチク
ル光学系281が配置される。ウエハステージ209の
上方に、投影レンズ206に隣接してオフアクシス顕微
鏡282が配置されている。オフアクシス顕微鏡282
は内部の基準マークとウエハ203上のアライメントマ
ークとの相対位置検出を行なうのが主たる役割である。
また、これらステッパ本体に隣接して、周辺装置である
レチクルライブラリ220やウエハキャリアエレベータ
230が配置され、必要なレチクルやウエハはレチクル
搬送装置221およびウエハ搬送装置231によってス
テッパ本体に搬送される。
FIG. 5 is a diagram showing the internal structure of the apparatus shown in FIG. FIG. 1 shows a stepper as a semiconductor exposure apparatus. In the drawing, reference numeral 202 denotes a reticle, and 203, a wafer. When a light beam emitted from the light source device 204 illuminates the reticle 202 through the illumination optical system 205, the pattern on the reticle 202 is exposed by the Can be transferred to a layer. The reticle 202 is supported by a reticle stage 207 for holding and moving the reticle 202. Wafer 203
Is exposed while being vacuum-sucked by the wafer chuck 291. The wafer chuck 291 is mounted on the wafer stage 20.
9 allows movement in each axis direction. Above the reticle 202, a reticle optical system 281 for detecting the amount of displacement of the reticle is arranged. Above the wafer stage 209, an off-axis microscope 282 is arranged adjacent to the projection lens 206. Off-axis microscope 282
The main function is to detect the relative position between the internal reference mark and the alignment mark on the wafer 203.
A reticle library 220 and a wafer carrier elevator 230, which are peripheral devices, are arranged adjacent to the stepper body, and necessary reticles and wafers are transferred to the stepper body by the reticle transfer device 221 and the wafer transfer device 231.

【0040】チャンバ101は、主に空気の温度調節を
行なう空調機室210および微小異物を濾過し清浄空気
の均一な流れを形成するフィルタボックス213、なら
びに装置環境を外部と遮断するブース214によって構
成されている。チャンバ101内では、空調機室210
内にある冷却器215および再熱ヒータ216により温
度調節された空気が、送風機217によりエアフィルタ
gを介してブース214内に供給される。このブース2
14に供給された空気はリターン口raより再度空調機
室210に取り込まれ、チャンバ101内を循環する。
通常、このチャンバ101は厳密には完全な循環系では
なく、ブース214内を常時陽圧に保つために、循環空
気量の約1割のブース214外の空気を空調機室210
に設けられた外気導入口oaより送風機を介して導入し
ている。このようにしてチャンバ101は本装置の置か
れる環境温度を一定に保ち、かつ空気を清浄に保つこと
を可能にしている。また光源装置204には超高圧水銀
灯の冷却やレーザ異常時の有毒ガス発生に備えて吸気口
saと排気口eaが設けられ、ブース214内の空気の
一部が光源装置204を経由し、空調機室210に備え
られた専用の排気ファンを介して工場設備に強制排気さ
れている。また、空気中の化学物質を除去するための化
学吸着フィルタcfを、空調機室210の外気導入口o
aおよびリターン口raにそれぞれ接続して備えてい
る。
The chamber 101 is mainly composed of an air conditioner room 210 for controlling the temperature of air, a filter box 213 for filtering fine foreign matters to form a uniform flow of clean air, and a booth 214 for shutting off the environment of the apparatus from the outside. Have been. In the chamber 101, the air conditioner room 210
The air whose temperature has been adjusted by the cooler 215 and the reheat heater 216 therein is supplied into the booth 214 by the blower 217 through the air filter g. This booth 2
The air supplied to 14 is taken into air conditioner room 210 again from return port ra, and circulates through chamber 101.
Normally, the chamber 101 is not strictly a complete circulation system. To maintain the inside of the booth 214 at a positive pressure at all times, about 10% of the amount of circulating air outside the booth 214 is supplied to the air conditioning room 210.
Is introduced through a blower from an outside air inlet oa provided in the air conditioner. In this way, the chamber 101 enables the environment temperature where the apparatus is placed to be kept constant and the air to be kept clean. The light source device 204 is provided with an intake port sa and an exhaust port ea in preparation for cooling of the ultra-high pressure mercury lamp and generation of toxic gas at the time of laser abnormality, and a part of the air in the booth 214 passes through the light source device 204 to be air-conditioned. The air is forcibly exhausted to factory equipment via a dedicated exhaust fan provided in the machine room 210. Further, a chemical adsorption filter cf for removing a chemical substance in the air is connected to the outside air inlet o of the air conditioner room 210.
a and the return port ra.

【0041】図6は、図4の装置の電気回路構成を示す
ブロック図である。同図において、301は装置全体の
制御を司る本体CPUであり、マイクロコンピュータま
たはミニコンピュータ等の中央演算装置からなる。30
2はウエハステージ駆動装置、303はオフアクシス顕
微鏡等のアライメント検出系、304はレチクルステー
ジ駆動装置、305は光源装置等の照明系、306はシ
ャッタ駆動装置、307はフォーカス検出系、308は
Z駆動装置であり、これらは、本体CPU301により
制御されている。309はレチクル搬送装置、ウエハ搬
送装置等の搬送系、310は気圧センサ、311は温度
センサ、312は湿度センサである。
FIG. 6 is a block diagram showing an electric circuit configuration of the apparatus shown in FIG. In the figure, reference numeral 301 denotes a main body CPU that controls the entire apparatus, and is composed of a central processing unit such as a microcomputer or a minicomputer. 30
2 is a wafer stage driving device, 303 is an alignment detection system such as an off-axis microscope, 304 is a reticle stage driving device, 305 is an illumination system such as a light source device, 306 is a shutter driving device, 307 is a focus detection system, and 308 is Z drive. These devices are controlled by the main body CPU 301. Reference numeral 309 denotes a transfer system such as a reticle transfer device or a wafer transfer device; 310, an air pressure sensor; 311, a temperature sensor; and 312, a humidity sensor.

【0042】300は補助記憶装置314、ディスプレ
イ317、キーボード316、および外部記憶装置31
5を有するコンソールユニットであり、本体CPU31
3にこの露光装置の動作に関する各種のコマンドやパラ
メータを与えるためのものである。すなわち、オペレー
タとの間で情報の授受を行なうためのものである。補助
記憶装置314は、例えばハードディスクであり、内部
にデータベースが構築されており、各種パラメータおよ
びその管理データ等が記録されている。外部記憶装置3
15としてはFDD(フロッピーディスクドライブ)や
MOD(光磁気ディスクドライブ)といったものが考え
られる。318はネットワークインターフェイスであ
り、通信を行なう場合のプロトコルとしてはTCP/I
P等の標準的ネットワークプロトコルが用いられること
が多いが、NetWare等の一般的に普及しているプ
ロトコルを用いてもかまわない。プログラムおよびデー
タは、外部記憶装置315からメディアに格納したデー
タを読み出して、補助記憶装置314に保存される。
Reference numeral 300 denotes an auxiliary storage device 314, a display 317, a keyboard 316, and an external storage device 31.
5 is a console unit having
3 is for giving various commands and parameters relating to the operation of the exposure apparatus. That is, it is for exchanging information with the operator. The auxiliary storage device 314 is, for example, a hard disk, in which a database is constructed, and various parameters and management data thereof are recorded. External storage device 3
The FDD 15 may be an FDD (floppy disk drive) or a MOD (magneto-optical disk drive). Reference numeral 318 denotes a network interface which uses TCP / I as a protocol for communication.
A standard network protocol such as P is often used, but a commonly used protocol such as NetWare may be used. The programs and data are read from the external storage device 315 and stored in the medium, and are stored in the auxiliary storage device 314.

【0043】この半導体露光装置は、高精度な半導体露
光をするために、装置内の気圧、温度、湿度等の環境値
を一定に保たなければならない。しかし、これらの環境
値は天候による気圧の変化やクリーンルーム内の室温、
湿度の変化等の露光装置外の環境の影響を受けやすい。
そのため、露光装置内のこれらの環境値が異常値を示し
たとしても、露光装置内の空調機等の環境をコントロー
ル装置や、気圧センサ310等の計測センサの故障なの
か、露光装置外の環境変化によるものなのかを即座に判
断することが、従来は困難であった。
In this semiconductor exposure apparatus, environmental values such as atmospheric pressure, temperature and humidity in the apparatus must be kept constant in order to perform semiconductor exposure with high accuracy. However, these environmental values include changes in atmospheric pressure due to weather, room temperature in clean rooms,
It is easily affected by the environment outside the exposure apparatus such as a change in humidity.
Therefore, even if these environmental values in the exposure apparatus indicate abnormal values, whether the environment of the air conditioner or the like in the exposure apparatus is a failure of the control device or the measurement sensor such as the atmospheric pressure sensor 310, or the environment outside the exposure apparatus. Conventionally, it has been difficult to immediately determine whether a change has occurred.

【0044】そこで、本実施例では、図7に示すよう
に、クリーンルーム401内に設置された同一機種の複
数の半導体露光装置404をネットワークインターフェ
イス318を介して、ネットワーク通信網402で接続
し、各露光装置404間で互いの気圧、温度、湿度等の
環境値をチェックし合うようにしている。そして、全て
の露光装置404の環境値が同じように変化した場合
は、その環境値の変化は露光装置404外の環境変化に
起因するものと判断してオペレータに露光装置404外
の環境に異常が生じたことを知らせ、特定の露光装置4
04のみ環境値が変化している場合は、その露光装置4
04内に異常が発生したと判断し、オペレータにその露
光装置404内で異常が生じたことを知らせる。また、
ある露光装置404における気圧、温度、湿度等の複数
の環境値が他の露光装置404と異なる値を示した場合
は、その露光装置404のチャンバの機能に異常が発生
したと判断し、オペレータにその露光装置404内で異
常が生じたことを知らせる。なお、半導体露光装置40
4は、図4〜6を用いて説明したものである。
Therefore, in this embodiment, as shown in FIG. 7, a plurality of semiconductor exposure apparatuses 404 of the same model installed in a clean room 401 are connected by a network communication network 402 via a network interface 318. The exposure apparatuses 404 check each other's environmental values such as atmospheric pressure, temperature, and humidity. If the environment values of all the exposure apparatuses 404 change in the same manner, it is determined that the change of the environment values is caused by the environment change outside the exposure apparatus 404, and the operator is notified of the abnormal environment outside the exposure apparatus 404. That a specific exposure apparatus 4
If the environmental value changes only in the exposure apparatus 4
It is determined that an abnormality has occurred in the exposure apparatus 404, and the operator is notified that an abnormality has occurred in the exposure apparatus 404. Also,
When a plurality of environmental values, such as atmospheric pressure, temperature, and humidity, in a certain exposure apparatus 404 indicate values different from those of another exposure apparatus 404, it is determined that an abnormality has occurred in the function of the chamber of the exposure apparatus 404, and the operator is notified. It notifies that an abnormality has occurred in the exposure device 404. The semiconductor exposure apparatus 40
4 is described with reference to FIGS.

【0045】図8は、このような処理を行なうための露
光装置404の動作を示すフローチャートである。同図
に示すように、処理を開始すると、ステップ501にお
いて、ネットワーク上にある全ての同一機種の露光装置
404から一定時間毎に気圧、温度、湿度等の環境変化
の影響を受ける環境値を取得し、ステップ502におい
て、全ての露光装置の環境値が同じように変化している
かどうかを判定する。全ての露光装置404の環境値が
同じように変化していると判定した場合は、ステップ5
10へ進み、露光装置外の環境が変化しているかまた
は、露光装置外の環境制御設備に異常が生じている可能
性が高いことをオペレータに知らせ、処理を終了する。
例えば、全露光装置404の気圧が同じ割合で変化して
いる場合は、天候の変化が起こっていると判断し、温度
が同じ割合で変化している場合はクリーンルーム401
の環境制御に異常が発生している可能性があると判断す
る。
FIG. 8 is a flowchart showing the operation of exposure apparatus 404 for performing such processing. As shown in the figure, when the process is started, in step 501, environmental values affected by environmental changes such as atmospheric pressure, temperature, and humidity are acquired from all the exposure apparatuses 404 of the same model on the network at regular intervals. Then, in step 502, it is determined whether or not the environmental values of all the exposure apparatuses have changed in the same manner. If it is determined that the environmental values of all the exposure apparatuses 404 have changed in the same manner, the process proceeds to step 5
Proceeding to 10, the operator is informed that the environment outside the exposure apparatus has changed or that there is a high possibility that the environment control equipment outside the exposure apparatus is abnormal, and the process ends.
For example, when the air pressure of all the exposure apparatuses 404 changes at the same rate, it is determined that the weather has changed, and when the temperature changes at the same rate, the clean room 401 is changed.
It is determined that there is a possibility that an abnormality has occurred in the environmental control of the server.

【0046】ステップ502において、全ての露光装置
の環境値が同じように変化しているのではないと判定し
た場合は、ステップ503へ進み、他の露光装置と異な
る環境値があるか否かを判定する。ここで、他の露光装
置と異なる環境値はないと判定した場合はステップ50
1へ戻り、異なる環境値があると判定した場合は、ステ
ップ504へ進む。ステップ504では、他の環境値に
ついても他の露光装置と異なっているかどうかを判定す
る。他の環境値も異なっていれば、ステップ505にお
いて、露光装置内の環境制御装置に異常が発生したと判
断し、ステップ507へ進む。そうでなければ、ステッ
プ506において、その環境値を計測するセンサの異常
であると判断し、ステップ507へ進む。
If it is determined in step 502 that the environmental values of all the exposure apparatuses have not changed in the same manner, the process proceeds to step 503, where it is determined whether there is an environmental value different from the other exposure apparatuses. judge. If it is determined that there is no environment value different from that of the other exposure apparatuses, the process proceeds to step 50.
Returning to step 1, if it is determined that there is a different environment value, the process proceeds to step 504. In step 504, it is determined whether other environmental values are different from those of the other exposure apparatuses. If the other environment values are also different, it is determined in step 505 that an abnormality has occurred in the environment control device in the exposure apparatus, and the flow advances to step 507. Otherwise, in step 506, it is determined that the sensor for measuring the environmental value is abnormal, and the process proceeds to step 507.

【0047】例えば、ステップ503において露光装置
内の温度が異常値であると判定した場合において、ステ
ップ504において湿度も異常値であると判定したとき
は、ステップ506において空調をコントロールするチ
ャンバ装置が異常であり、ステップ504において湿度
は正常であると判定したときはステップ506において
温度センサが異常であると判断する。
For example, if it is determined in step 503 that the temperature inside the exposure apparatus is an abnormal value, and if it is determined in step 504 that the humidity is also an abnormal value, the process proceeds to step 506 in which the chamber apparatus for controlling air conditioning is abnormal. When it is determined in step 504 that the humidity is normal, it is determined in step 506 that the temperature sensor is abnormal.

【0048】ステップ507では、他の露光装置におけ
る環境値との差が一定値以内であるか否かを判定し、一
定値以内であればステップ508ヘ進んで警告メッセー
ジを表示し、一定値以内でなければステップ509にお
いてエラーメッセージを表示してから処理を終了する。
In step 507, it is determined whether or not the difference from the environmental value of another exposure apparatus is within a predetermined value. If the difference is within the predetermined value, the flow advances to step 508 to display a warning message. If not, an error message is displayed in step 509, and the process ends.

【0049】図9はウエハを吸着するバキューム圧値に
ついての処理を示すフローチャートである。同図に示す
ように、処理を開始すると、ステップ601において、
ネットワーク上にある全ての同一機種の露光装置から一
定時間毎にバキューム圧を取得し、ステップ602にお
いて、全ての露光装置のバキューム圧が同じように変化
しているかどうかを判定する。同じように変化していれ
ば、ステップ610へ進み、クリーンルーム内のバキュ
ーム圧を制御するコンプレッサに異常が生じている可能
性が高いことをオペレータに知らせ、処理を終了する。
同じように変化しているのでなければ、ステップ603
へ進み、露光装置内のバキューム圧が他の露光装置と異
なる値を示したか否かを判定する。異なる値を示さなか
った場合はステップ601へ戻り、異なる値を示した場
合は、ステップ604において、バキューム配管圧が他
の露光装置と異なるかどうかを判定する。異なっていれ
ば、ステップ605において露光装置内のバキューム機
構に異常が発生したと判断してステップ607へ進み、
異なっていなければステップ606においてバキューム
圧計測センサの異常であると判断してからステップ60
7へ進む。
FIG. 9 is a flow chart showing a process for a vacuum pressure value for sucking a wafer. As shown in the figure, when the process is started, in step 601,
Vacuum pressures are acquired at regular intervals from all exposure apparatuses of the same model on the network, and in step 602, it is determined whether the vacuum pressures of all exposure apparatuses have changed in the same manner. If it has changed in the same manner, the process proceeds to step 610, where it is notified to the operator that there is a high possibility that an abnormality has occurred in the compressor controlling the vacuum pressure in the clean room, and the process ends.
If not, step 603
Then, it is determined whether or not the vacuum pressure in the exposure apparatus has a value different from that of another exposure apparatus. If the value does not indicate a different value, the process returns to step 601. If the value indicates a different value, it is determined in step 604 whether or not the vacuum piping pressure is different from that of another exposure apparatus. If they are different, it is determined in step 605 that an abnormality has occurred in the vacuum mechanism in the exposure apparatus, and the flow advances to step 607, and
If they are not different, it is determined in step 606 that the vacuum pressure measurement sensor is abnormal, and then step 60
Proceed to 7.

【0050】ステップ607では、他の露光装置とのバ
キューム圧の差が一定値以下かどうかを判定し、一定値
以下であればステップ608において警告メッセージを
表示して処理を終了し、一定値以下でなければステップ
609でエラーメッセージを表示してから処理を終了す
る。
In step 607, it is determined whether or not the difference between the vacuum pressures of the other exposure apparatuses is equal to or less than a predetermined value. If the difference is not more than the predetermined value, a warning message is displayed in step 608 and the processing is terminated. If not, an error message is displayed in step 609, and the process ends.

【0051】<デバイス製造方法の実施例>次に上記説
明した露光装置あるいは露光装置システムを利用したデ
バイス製造方法の実施例を説明する。図10は微小デバ
イス(ICやLSI等の半導体チップ、液晶パネル、C
CD、薄膜磁気ヘッド、マイクロマシン等)の製造のフ
ローを示す。ステップ1(回路設計)ではデバイスのパ
ターン設計を行なう。ステップ2(マスク製作)では設
計したパターンを形成したマスクを製作する。一方、ス
テップ3(ウエハ製造)ではシリコンやガラス等の材料
を用いてウエハを製造する。ステップ4(ウエハプロセ
ス)は前工程と呼ばれ、上記用意したマスクとウエハを
用いて、リソグラフィ技術によってウエハ上に実際の回
路を形成する。次のステップ5(組立て)は後工程と呼
ばれ、ステップ4によって作製されたウエハを用いて半
導体チップ化する工程であり、アッセンブリ工程(ダイ
シング、ボンディング)、パッケージング工程(チップ
封入)等の工程を含む。ステップ6(検査)ではステッ
プ5で作製された半導体デバイスの動作確認テスト、耐
久性テスト等の検査を行なう。こうした工程を経て、半
導体デバイスが完成し、これが出荷(ステップ7)され
る。
<Embodiment of Device Manufacturing Method> Next, an embodiment of a device manufacturing method using the above-described exposure apparatus or exposure apparatus system will be described. FIG. 10 shows a micro device (a semiconductor chip such as an IC or an LSI, a liquid crystal panel,
2 shows a flow of manufacturing a CD, a thin-film magnetic head, a micromachine, and the like. In step 1 (circuit design), a device pattern is designed. Step 2 is a process for making a mask on the basis of the designed pattern. On the other hand, in step 3 (wafer manufacture), a wafer is manufactured using a material such as silicon or glass. Step 4 (wafer process) is called a pre-process, and an actual circuit is formed on the wafer by lithography using the prepared mask and wafer. The next step 5 (assembly) is called a post-process, and is a process of forming a semiconductor chip using the wafer produced in step 4, and includes processes such as an assembly process (dicing and bonding) and a packaging process (chip encapsulation). including. In step 6 (inspection), inspections such as an operation confirmation test and a durability test of the semiconductor device manufactured in step 5 are performed. Through these steps, a semiconductor device is completed and shipped (step 7).

【0052】図11は上記ウエハプロセス(ステップ
4)の詳細なフローを示す。ステップ11(酸化)では
ウエハの表面を酸化させる。ステップ12(CVD)で
はウエハ表面に絶縁膜を形成する。ステップ13(電極
形成)ではウエハ上に電極を蒸着によって形成する。ス
テップ14(イオン打込み)ではウエハにイオンを打ち
込む。ステップ15(レジスト処理)ではウエハにレジ
ストを塗布する。ステップ16(露光)では上記説明し
た露光装置または露光方法によってマスクの回路パター
ンをウエハの複数のショット領域に並べて焼付露光す
る。ステップ17(現像)では露光したウエハを現像す
る。ステップ18(エッチング)では現像したレジスト
像以外の部分を削り取る。ステップ19(レジスト剥
離)ではエッチングが済んで不要となったレジストを取
り除く。これらのステップを繰り返し行なうことによっ
て、ウエハ上に多重に回路パターンが形成される。本実
施例の生産方法を用いれば、従来は製造が難しかった大
型のデバイスを低コストに製造することができる。
FIG. 11 shows a detailed flow of the wafer process (step 4). Step 11 (oxidation) oxidizes the wafer's surface. Step 12 (CVD) forms an insulating film on the wafer surface. Step 13 (electrode formation) forms electrodes on the wafer by vapor deposition. In step 14 (ion implantation), ions are implanted into the wafer. In step 15 (resist processing), a resist is applied to the wafer. Step 16 (exposure) uses the above-described exposure apparatus or exposure method to align and print the circuit pattern of the mask on a plurality of shot areas of the wafer. Step 17 (development) develops the exposed wafer. In step 18 (etching), portions other than the developed resist image are removed. In step 19 (resist stripping), unnecessary resist after etching is removed. By repeating these steps, multiple circuit patterns are formed on the wafer. By using the production method of this embodiment, it is possible to produce a large-sized device, which was conventionally difficult to produce, at low cost.

【0053】[0053]

【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、他
の装置における測定結果をも参照して異常な状態での動
作を防止するようにしたため、測定手段が異常な測定値
を示した場合、その原因を的確に判断し、異常な状態下
での動作の続行を的確に防止することができる。例え
ば、気圧の測定手段が異常な値を示した場合において
も、異常値が露光装置内の空調機等の環境のコントロー
ル装置や気圧センサ等の計測センサの故障なのか、露光
装置外の環境変化によるものなのか等を適切かつ即座に
判断して異常な値による誤った補正を防止するととも
に、管理装置等から得られる最新の気圧値を代替として
用いることにより、装置を停止させることなく、処理を
続行することができる。
As described above, according to the present invention, the operation in an abnormal state is prevented by also referring to the measurement results of other devices, so that the measuring means shows abnormal measurement values. In this case, the cause can be accurately determined, and the continuation of the operation under the abnormal condition can be accurately prevented. For example, even when the atmospheric pressure measurement means indicates an abnormal value, whether the abnormal value is a failure of an environmental control device such as an air conditioner in the exposure apparatus or a measurement sensor such as a pressure sensor, or an environmental change outside the exposure apparatus. In addition to appropriately and promptly determining whether or not it is due to abnormal values, preventing erroneous correction due to abnormal values, using the latest atmospheric pressure value obtained from the management device etc. as a substitute, without stopping the device, processing Can continue.

【0054】また、管理装置により、最新の測定結果を
各露光装置に供給できるようにしたため、各露光装置に
おける所定の計測対象についての計測値が異常である場
合には、その代替値として、登録してある最新の計測値
をその露光装置に供給し、その露光装置の動作を停止さ
せることなく、デバイス製造を続行させることができ
る。
Also, the latest measurement result can be supplied to each exposure apparatus by the management apparatus. If the measurement value of a predetermined measurement object in each exposure apparatus is abnormal, the value is registered as an alternative value. The latest measured value is supplied to the exposure apparatus, and device manufacturing can be continued without stopping the operation of the exposure apparatus.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】 本発明の第1の実施例に係る投影露光装置の
要部概略図である。
FIG. 1 is a schematic view of a main part of a projection exposure apparatus according to a first embodiment of the present invention.

【図2】 図1の装置の動作を示すフローチャートであ
る。
FIG. 2 is a flowchart showing the operation of the apparatus of FIG.

【図3】 図1の投影露光装置を複数備えた露光装置シ
ステムの概略を示すブロック図である。
FIG. 3 is a block diagram schematically showing an exposure apparatus system including a plurality of the projection exposure apparatuses shown in FIG.

【図4】 本発明の第3の実施例に係る半導体露光装置
の外観を示す斜視図である。
FIG. 4 is a perspective view showing an appearance of a semiconductor exposure apparatus according to a third embodiment of the present invention.

【図5】 図4の装置の内部構造を示す図である。FIG. 5 is a diagram showing the internal structure of the device of FIG.

【図6】 図4の装置の電気回路構成を示すブロック図
である
6 is a block diagram showing an electric circuit configuration of the device shown in FIG.

【図7】 図4の装置を含む露光装置システムの概略を
示すブロック図である。
FIG. 7 is a block diagram schematically showing an exposure apparatus system including the apparatus shown in FIG.

【図8】 図7のシステムにおける露光装置の動作を示
すフローチャートである。
8 is a flowchart showing an operation of the exposure apparatus in the system of FIG.

【図9】 図7のシステムにおける露光装置でのウエハ
を吸着するバキューム圧値についての処理を示すフロー
チャートである。
9 is a flowchart showing a process for a vacuum pressure value for sucking a wafer in the exposure apparatus in the system of FIG. 7;

【図10】 本発明の露光装置を利用できるデバイス製
造方法を示すフローチャートである。
FIG. 10 is a flowchart illustrating a device manufacturing method that can use the exposure apparatus of the present invention.

【図11】 図10中のウエハプロセスの詳細なフロー
チャートである。
FIG. 11 is a detailed flowchart of a wafer process in FIG. 10;

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1:レチクル、2:レチクルチャック、3:レチクル駆
動装置、4:レチクルステージ、5:投影レンズ系、6
A,6B:フィールドレンズ、7:レンズ系、8:レン
ズ駆動装置、9:ウエハ、10:ウエハチャック、1
1:ウエハ駆動装置、12:ウエハステージ、13:レ
チクル駆動制御系、14:ウエハ駆動制御系、15:レ
チクル位置検出器、16:レンズ駆動制御系、17:レ
ンズ位置検出器、18:フォーカス位置検出器、19
A,19B:気圧センサ、20:温度センサ、21:湿
度センサ、22:レンズ温度センサ、23:マイクロプ
ロセッサ、24:照明系、25:コンデンサレンズ、2
6:ミラー、27:レーザ光源、28:レーザ共振器、
29:波長選択素子、30:波長選択素子駆動装置、3
1:波長選択素子角度検出器、32:波長選択素子駆動
制御系、40:メモリ装置、41:アラーム装置、5
1:ネットワーク、52:集中管理装置、53:投影露
光装置、54:メモリ装置、55:気圧センサ、30
0:コンソールユニット、301:本体CPU、31
3:コンソールCPU、317:ディスプレイ、31
0:気圧センサ、311:温度センサ、312:湿度セ
ンサ、318:ネットワークインターフェイス、40
1:クリーンルーム、402:ネットワーク通信網、4
04:半導体露光装置。
1: reticle, 2: reticle chuck, 3: reticle driving device, 4: reticle stage, 5: projection lens system, 6
A, 6B: field lens, 7: lens system, 8: lens driving device, 9: wafer, 10: wafer chuck, 1
1: wafer drive unit, 12: wafer stage, 13: reticle drive control system, 14: wafer drive control system, 15: reticle position detector, 16: lens drive control system, 17: lens position detector, 18: focus position Detector, 19
A, 19B: barometric pressure sensor, 20: temperature sensor, 21: humidity sensor, 22: lens temperature sensor, 23: microprocessor, 24: illumination system, 25: condenser lens, 2
6: mirror, 27: laser light source, 28: laser resonator,
29: wavelength selection element, 30: wavelength selection element driving device, 3
1: wavelength selection element angle detector, 32: wavelength selection element drive control system, 40: memory device, 41: alarm device, 5
1: network, 52: central control device, 53: projection exposure device, 54: memory device, 55: barometric pressure sensor, 30
0: console unit, 301: main CPU, 31
3: Console CPU, 317: Display, 31
0: barometric pressure sensor, 311: temperature sensor, 312: humidity sensor, 318: network interface, 40
1: clean room, 402: network communication network, 4
04: semiconductor exposure apparatus.

Claims (25)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 装置における所定の測定対象について測
定を行なう測定手段と、この測定結果に基づいて装置が
異常な状態の下で動作するのを防止する異常動作防止手
段とを備えた露光装置において、前記異常動作防止手段
は、前記測定対象についての他の装置における測定結果
をも参照して前記装置の異常な状態での動作を防止する
ものであることを特徴とする露光装置。
1. An exposure apparatus comprising: a measuring unit for measuring a predetermined measurement target in an apparatus; and an abnormal operation preventing unit for preventing the apparatus from operating under an abnormal state based on the measurement result. An exposure apparatus, wherein the abnormal operation preventing means prevents operation of the apparatus in an abnormal state with reference to a measurement result of the apparatus to be measured in another apparatus.
【請求項2】 前記他の装置は、ともにコンピュータネ
ットワークを構成している他の露光装置またはそのネッ
トワークに含まれる露光装置を管理する管理装置である
ことを特徴とする請求項1に記載の露光装置。
2. The exposure apparatus according to claim 1, wherein the other apparatus is another management apparatus that manages another exposure apparatus that forms a computer network or an exposure apparatus included in the network. apparatus.
【請求項3】 前記異常動作防止手段は、前記管理装置
が、前記ネットワークに含まれる露光装置からあるいは
自身の測定手段により取得して保持している前記測定対
象についての最新の測定結果を参照するものであること
を特徴とする請求項2に記載の露光装置。
3. The abnormal operation prevention unit refers to the latest measurement result of the measurement target acquired and held by the management device from an exposure device included in the network or by its own measurement unit. The exposure apparatus according to claim 2, wherein the exposure apparatus is an apparatus.
【請求項4】 前記測定対象には気圧が含まれ、前記異
常動作防止手段は、前記管理装置から最新の気圧につい
ての測定結果の供給を受け、それに基づき、露光に際し
ての投影倍率および焦点位置の補正を行なうものである
ことを特徴とする請求項3に記載の露光装置。
4. The measurement target includes atmospheric pressure, and the abnormal operation preventing means receives supply of the latest measurement result of the atmospheric pressure from the management device, and based on the supply of a projection magnification and a focus position at the time of exposure. The exposure apparatus according to claim 3, wherein the exposure apparatus performs correction.
【請求項5】 前記供給を受ける測定結果は、前記ネッ
トワークに含まれる露光装置間の機差が考慮されている
ことを特徴とする請求項4に記載の露光装置。
5. The exposure apparatus according to claim 4, wherein the measurement result received includes a difference between exposure apparatuses included in the network.
【請求項6】 前記測定手段は気圧を測定するものであ
り、前記異常動作防止手段は、前記測定手段による気圧
の測定結果が異常であり、その異常が前記測定手段によ
るものである場合は、その代替として、前記測定結果の
供給を受けるものであることを特徴とする請求項4また
は5に記載の露光装置。
6. The measuring means is for measuring atmospheric pressure, and the abnormal operation preventing means is provided when the measurement result of the atmospheric pressure by the measuring means is abnormal and the abnormality is due to the measuring means. 6. The exposure apparatus according to claim 4, wherein the apparatus receives the measurement result as an alternative.
【請求項7】 前記測定対象についての測定結果を前記
管理装置に送信する送信手段を有することを特徴とする
請求項2〜6のいずれか1項に記載の露光装置。
7. The exposure apparatus according to claim 2, further comprising a transmission unit configured to transmit a measurement result of the measurement target to the management device.
【請求項8】 前記送信手段は、前記測定結果の送信に
際しては、装置の番号および計測日時を含めて送信を行
なうものであることを特徴とする請求項7に記載の露光
装置。
8. The exposure apparatus according to claim 7, wherein the transmission unit transmits the measurement result including a device number and a measurement date and time.
【請求項9】 前記測定対象には、気圧、温度もしくは
湿度、または被露光基板を露光時に吸着し、保持するた
めのバキューム圧が含まれることを特徴とする請求項1
〜8のいずれか1項に記載の露光装置。
9. The apparatus according to claim 1, wherein the measurement object includes an atmospheric pressure, a temperature, or a humidity, or a vacuum pressure for adsorbing and holding the substrate to be exposed at the time of exposure.
The exposure apparatus according to any one of claims 1 to 8, wherein
【請求項10】 前記異常動作防止手段は、前記測定手
段による測定結果に基づいて異常を検出する異常検出手
段を備えることを特徴とする請求項1〜9のいずれか1
項に記載の露光装置。
10. The apparatus according to claim 1, wherein said abnormal operation preventing means includes an abnormality detecting means for detecting an abnormality based on a measurement result by said measuring means.
Exposure apparatus according to Item.
【請求項11】 前記測定手段は同種の測定対象につい
て測定を行なう2つの測定手段であり、前記異常検出手
段は、これらの測定手段による測定値の差が所定の範囲
を超えた場合にその測定手段のうちのいずれかが異常で
あると判断するものであることを特徴とする請求項10
に記載の露光装置。
11. The measuring means is two measuring means for measuring the same kind of measuring object, and the abnormality detecting means measures the difference when a difference between the measured values by these measuring means exceeds a predetermined range. 11. The method according to claim 10, wherein one of the means is determined to be abnormal.
3. The exposure apparatus according to claim 1.
【請求項12】 前記異常検出手段は、前記測定手段に
よる今回の測定結果と所定の期間前に行なった前回の測
定結果との差が所定の範囲を超えている場合に前記測定
手段が異常であると判断するものであることを特徴とす
る請求項10または11に記載の露光装置。
12. The abnormality detecting means, when the difference between the current measurement result by the measurement means and the previous measurement result performed a predetermined time ago exceeds a predetermined range, determines that the measurement means is abnormal. 12. The exposure apparatus according to claim 10, wherein the exposure apparatus determines that there is an exposure.
【請求項13】 前記異常動作防止手段は、前記異常検
出手段が異常を検出した場合は、その旨の警告もしくは
エラーの出力または表示を行なうものであることを特徴
とする請求項10〜12のいずれか1項に記載の露光装
置。
13. The abnormal operation preventing means according to claim 10, wherein when the abnormality detecting means detects an abnormality, a warning or error is output or displayed to that effect. The exposure apparatus according to claim 1.
【請求項14】 前記異常検出手段は、前記測定手段に
よるその測定対象についての測定結果、および装置が属
するコンピュータネットワーク上の他の同種の露光装置
における前記測定対象と同種の測定対象についての測定
結果に基づいて前記異常の検出を行なうものであること
を特徴とする請求項10〜13のいずれか1項に記載の
露光装置。
14. The measurement result of the measurement object by the measurement means, and the measurement result of the same measurement object in another exposure apparatus of the same type on a computer network to which the apparatus belongs. The exposure apparatus according to any one of claims 10 to 13, wherein the abnormality is detected on the basis of:
【請求項15】 前記同種の露光装置は同一のクリーン
ルーム内に設置されており、前記異常検出手段は、装置
内の前記測定手段による測定結果および前記同種の露光
装置における同種の測定対象、あるいはさらに前記クリ
ーンルームの環境を制御する環境制御装置における同種
の測定対象についての測定結果が同様に異常な変化を示
しているときは装置外の異常であり、装置内の前記測定
手段による測定結果のみが異常な変化を示しているとき
は装置内部における異常であると判断するものであるこ
とを特徴とする請求項14に記載の露光装置。
15. The exposure apparatus of the same type is installed in the same clean room, and the abnormality detection unit is configured to determine a measurement result of the measurement unit in the apparatus and a measurement target of the same type in the exposure apparatus of the same type, or When the measurement result of the same type of measurement target in the environment control device that controls the environment of the clean room similarly shows an abnormal change, it is an abnormality outside the device, and only the measurement result by the measurement unit in the device is abnormal. 15. The exposure apparatus according to claim 14, wherein when an unusual change is detected, it is determined that the abnormality is inside the apparatus.
【請求項16】 前記異常検出手段は、前記装置内部に
おける異常であると判断する場合において、装置内の相
互に関連する異なる測定対象についての複数の前記測定
手段による測定結果が同様に異常な変化を示していると
きは、それらの測定手段が関係する装置内の部分が異常
であり、1つの測定手段による測定結果のみが異常な変
化を示しているときは、その測定手段が異常であると判
断するものであることを特徴とする請求項15に記載の
露光装置。
16. The abnormality detecting means, when judging that the abnormality is inside the apparatus, causes the measurement results of a plurality of the measuring means related to different measurement targets related to each other in the apparatus to be similarly abnormal. Indicates that the part in the apparatus related to those measuring means is abnormal, and when only the measurement result by one measuring means indicates an abnormal change, it is determined that the measuring means is abnormal. 16. The exposure apparatus according to claim 15, wherein the determination is performed.
【請求項17】 コンピュータネットワークを構成して
いる、露光装置およびこれを管理する管理装置を備えた
露光装置システムにおいて、前記管理装置は、各露光装
置に対して所定の計測対象についての計測を指示する指
示手段と、これに応じて計測された各露光装置における
計測値を受信して登録する登録手段とを具備することを
特徴とする露光装置システム。
17. An exposure apparatus system comprising an exposure apparatus and a management apparatus for managing the same, which constitutes a computer network, wherein the management apparatus instructs each exposure apparatus to perform measurement on a predetermined measurement target. An exposure apparatus system comprising: an instructing unit for performing the registration, and a registration unit for receiving and registering the measured value of each exposure apparatus measured in accordance with the instruction.
【請求項18】 前記管理装置は、登録した各露光装置
の計測値に基づいて各投影露光装置間の計測値の機差を
求める手段を有することを特徴とする請求項17に記載
の露光装置システム。
18. The exposure apparatus according to claim 17, wherein said management apparatus has means for calculating a machine difference of a measurement value between each projection exposure apparatus based on a registered measurement value of each exposure apparatus. system.
【請求項19】 前記管理装置は、各露光装置から、前
記計測対象についての最新の計測値の問い合せがあった
ときは、これに応じて、前記登録手段により登録してあ
る計測値のうちの最新のものをその露光装置に送信する
ものであることを特徴とする請求項17または18に記
載の露光装置システム。
19. When the management apparatus receives an inquiry about the latest measurement value for the measurement object from each of the exposure apparatuses, the management apparatus responds to the inquiry from among the measurement values registered by the registration unit. 19. The exposure apparatus system according to claim 17, wherein the latest one is transmitted to the exposure apparatus.
【請求項20】 前記管理装置は、前記計測値に付随さ
せて登録してある計測日時の情報に基づいて前記最新の
計測値を抽出するものであることを特徴とする請求項1
9に記載の露光装置システム。
20. The management device according to claim 1, wherein the management device extracts the latest measurement value based on information on a measurement date and time registered in association with the measurement value.
10. The exposure apparatus system according to 9.
【請求項21】 前記管理装置は、前記計測値の送信を
行なう際には、前記登録してある計測値から得た各露光
装置間での機差を考慮した計測値を送信するものである
ことを特徴とする請求項19または20に記載の露光装
置システム。
21. When transmitting the measured value, the management device transmits a measured value obtained from the registered measured value and taking into account machine differences between the respective exposure apparatuses. 21. The exposure apparatus system according to claim 19, wherein:
【請求項22】 コンピュータネットワークを構成して
いる、露光装置およびこれを管理する管理装置を備えた
露光装置システムにおいて、前記管理装置は、所定の測
定対象について測定を行なう測定手段を備え、この測定
手段による測定結果を、前記ネットワークを介して、各
露光装置に送信するものであることを特徴とする露光装
置システム。
22. An exposure apparatus system comprising an exposure apparatus and a management apparatus for managing the same, which constitutes a computer network, wherein the management apparatus includes a measuring unit for performing measurement on a predetermined measurement object, and An exposure apparatus system for transmitting a measurement result by the means to each exposure apparatus via the network.
【請求項23】 前記管理装置は、各露光装置から前記
測定対象についての測定結果の問い合せがあった場合に
その露光装置に対して、または常に各露光装置に対し
て、前記測定結果の送信を行なうものであり、これらの
うちのいずれの方法で前記送信を行なうかが設定可能で
あることを特徴とする請求項22に記載の露光装置シス
テム。
23. The management apparatus transmits the measurement result to each of the exposure apparatuses when each of the exposure apparatuses inquires about the measurement result of the measurement object, or always transmits the measurement results to each of the exposure apparatuses. 23. The exposure apparatus system according to claim 22, wherein the transmission is performed by using any one of these methods.
【請求項24】 前記露光装置は、請求項1〜16のい
ずれかの露光装置であることを特徴とする請求項17〜
23のいずれか1項に記載の露光装置システム。
24. The exposure apparatus according to claim 1, wherein the exposure apparatus is one of the exposure apparatuses according to claim 1.
24. The exposure apparatus system according to any one of 23.
【請求項25】 露光装置における所定の測定対象につ
いて測定を行ない、この測定結果に基づいて前記露光装
置が異常な状態の下で動作するのを防止しながら前記露
光装置により露光を行なうことによりデバイスを製造す
るデバイス製造方法において、前記測定対象についての
他の露光装置または他の装置における測定結果をも参照
して前記露光装置の異常な状態での動作を防止すること
を特徴とするデバイス製造方法。
25. A device which measures a predetermined measurement object in an exposure apparatus and performs exposure by the exposure apparatus based on the measurement result while preventing the exposure apparatus from operating under abnormal conditions. A device manufacturing method for manufacturing a device, wherein an operation of the exposure apparatus in an abnormal state is prevented by also referring to a measurement result of another exposure apparatus or another apparatus for the measurement object. .
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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WO2002054464A1 (en) * 2000-12-28 2002-07-11 Nikon Corporation Method and system for exposure
WO2006064570A1 (en) * 2004-12-17 2006-06-22 Renesas Technology Corp. Semiconductor device manufacturing method

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