JP2000328247A - レーザｃｖｄ装置 - Google Patents
レーザｃｖｄ装置Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 基板をセットする際に損傷せず、ＣＶＤガス
がガスウィンドウの周囲に漏れない安全かつ安定したレ
ーザＣＶＤ装置を提供する。 【解決手段】 レーザ光源１１と、レーザ光源１１によ
り基板２上の所定の位置にレーザ光を照射して基板２を
観察する機能を備えた顕微レーザ光学系８と、基板２上
のレーザ光照射位置に局所的なＣＶＤガス供給排気を行
うガスウインドウ１とを備え、顕微レーザ光学系８が、
対物レンズ３，４の焦点位置を調整する自動焦点調節機
構を備え、自動焦点調整機構に前記ガスウインドウ１が
連動して動作する。顕微レーザ光学系８は、ガスウィン
ドウ１を介して基板２上に照射させるための倍率の異な
る対物レンズ３，４と、対物レンズ３，４のうちから一
つを選択するレボルバ５を備える。
がガスウィンドウの周囲に漏れない安全かつ安定したレ
ーザＣＶＤ装置を提供する。 【解決手段】 レーザ光源１１と、レーザ光源１１によ
り基板２上の所定の位置にレーザ光を照射して基板２を
観察する機能を備えた顕微レーザ光学系８と、基板２上
のレーザ光照射位置に局所的なＣＶＤガス供給排気を行
うガスウインドウ１とを備え、顕微レーザ光学系８が、
対物レンズ３，４の焦点位置を調整する自動焦点調節機
構を備え、自動焦点調整機構に前記ガスウインドウ１が
連動して動作する。顕微レーザ光学系８は、ガスウィン
ドウ１を介して基板２上に照射させるための倍率の異な
る対物レンズ３，４と、対物レンズ３，４のうちから一
つを選択するレボルバ５を備える。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、レーザＣＶＤ装置
に関し、特に、安全かつ安定したレーザＣＶＤ装置に関
する。
に関し、特に、安全かつ安定したレーザＣＶＤ装置に関
する。
【０００２】
【従来の技術】近年、レーザＣＶＤによる局所的な成膜
手法を用いる欠陥修正装置が、半導体用や液晶ディスプ
レイ用のフォトマスクの修正装置に用いられている。従
来の欠陥修正装置では、レーザ光を照射する対物レンズ
の下に局所的にＣＶＤガスを供給排気するガスウインド
ウを設けるレーザ修正装置において、基板とガスウイン
ドウとの間隙高さの制御は、固定された間隙を持たせた
方法や特に間隙高さの制御動作を規定しないものが知ら
れてる。
手法を用いる欠陥修正装置が、半導体用や液晶ディスプ
レイ用のフォトマスクの修正装置に用いられている。従
来の欠陥修正装置では、レーザ光を照射する対物レンズ
の下に局所的にＣＶＤガスを供給排気するガスウインド
ウを設けるレーザ修正装置において、基板とガスウイン
ドウとの間隙高さの制御は、固定された間隙を持たせた
方法や特に間隙高さの制御動作を規定しないものが知ら
れてる。
【０００３】上述した従来のレーザＣＶＤ装置として、
特許公報第２７７６２１８号公報に記載されたレーザＣ
ＶＤ装置がある。この装置は、収納容器の上部に配置さ
れ、レーザ光を通過する加工窓と、加工窓の下方にほぼ
平行に配置され、加工窓を通過したレーザ光をさらに通
過すると共に、レーザ光の光軸近傍に少なくとも一つの
穴が形成された平板状のノズル付き窓と、加工窓および
ノズル付き窓により形成される空間を介して導入される
金属化合物気体を、ノズル付き窓に形成された穴から収
納容器内に載置された試料表面に直接吹き付ける手段を
備えたレーザＣＶＤ装置である。
特許公報第２７７６２１８号公報に記載されたレーザＣ
ＶＤ装置がある。この装置は、収納容器の上部に配置さ
れ、レーザ光を通過する加工窓と、加工窓の下方にほぼ
平行に配置され、加工窓を通過したレーザ光をさらに通
過すると共に、レーザ光の光軸近傍に少なくとも一つの
穴が形成された平板状のノズル付き窓と、加工窓および
ノズル付き窓により形成される空間を介して導入される
金属化合物気体を、ノズル付き窓に形成された穴から収
納容器内に載置された試料表面に直接吹き付ける手段を
備えたレーザＣＶＤ装置である。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た従来の方法および装置では、基板をセットする際に基
板とガスウインドウとが接触して、基板を損傷するおそ
れがあるという問題があった。
た従来の方法および装置では、基板をセットする際に基
板とガスウインドウとが接触して、基板を損傷するおそ
れがあるという問題があった。
【０００５】また、間隙高さが、基板の面内で変動する
ために、レーザ照射部のＣＶＤガス濃度が変動し、膜厚
が変動したり、間隙高さが広くなりすぎて、ＣＶＤガス
がガスウインドウの周囲に漏れ出す危険性があるという
問題があった。
ために、レーザ照射部のＣＶＤガス濃度が変動し、膜厚
が変動したり、間隙高さが広くなりすぎて、ＣＶＤガス
がガスウインドウの周囲に漏れ出す危険性があるという
問題があった。
【０００６】そこで、本発明の目的は、上記問題を解決
するために、基板をセットする際に損傷せず、ＣＶＤガ
スがガスウィンドウの周囲に漏れない安全かつ安定した
レーザＣＶＤ装置を提供することにある。
するために、基板をセットする際に損傷せず、ＣＶＤガ
スがガスウィンドウの周囲に漏れない安全かつ安定した
レーザＣＶＤ装置を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明のレーザＣＶＤ装置は、レーザ光源と、レー
ザ光源により基板上の所定の位置にレーザ光を照射して
基板を観察する機能を備えた顕微レーザ光学系と、所定
の位置に局所的なＣＶＤガスの供給排気を行うガスウイ
ンドウとを備えたレーザＣＶＤ装置において、顕微レー
ザ光学系が、対物レンズの焦点位置を調整する自動焦点
調節機構を備え、自動焦点調整機構にガスウインドウが
連動して動作することを特徴とする。
に、本発明のレーザＣＶＤ装置は、レーザ光源と、レー
ザ光源により基板上の所定の位置にレーザ光を照射して
基板を観察する機能を備えた顕微レーザ光学系と、所定
の位置に局所的なＣＶＤガスの供給排気を行うガスウイ
ンドウとを備えたレーザＣＶＤ装置において、顕微レー
ザ光学系が、対物レンズの焦点位置を調整する自動焦点
調節機構を備え、自動焦点調整機構にガスウインドウが
連動して動作することを特徴とする。
【０００８】また、顕微レーザ光学系は、レーザ光源か
らのレーザ光と、スリット照明の照明光とを合成する第
１のミラーと、レーザ光と、スリット照明の照明光とを
整形するスリットと、スリットを通過した光と、照明か
らの反射照明光とを合成する第２のミラーと、第２のミ
ラーにより合成された光を反射する第３のミラーと、第
３のミラーにより反射された光を通過させるリレーレン
ズと、リレーレンズを通過した光をガスウィンドウを介
して基板上に照射させるための対物レンズとを備えるの
が好ましい。
らのレーザ光と、スリット照明の照明光とを合成する第
１のミラーと、レーザ光と、スリット照明の照明光とを
整形するスリットと、スリットを通過した光と、照明か
らの反射照明光とを合成する第２のミラーと、第２のミ
ラーにより合成された光を反射する第３のミラーと、第
３のミラーにより反射された光を通過させるリレーレン
ズと、リレーレンズを通過した光をガスウィンドウを介
して基板上に照射させるための対物レンズとを備えるの
が好ましい。
【０００９】さらに、対物レンズが倍率の異なる複数の
対物レンズであり、顕微レーザ光学系は、複数の対物レ
ンズのうちから一つを選択するレボルバを備えるのが好
ましい。
対物レンズであり、顕微レーザ光学系は、複数の対物レ
ンズのうちから一つを選択するレボルバを備えるのが好
ましい。
【００１０】またさらに、自動焦点調節機構は、基板上
のパターンを撮影するカメラと、カメラの基板側に配置
されたＡＦ光学系と、ＡＦ光学系より信号を受け取り基
板を観察する際のピントを調整するＡＦコントローラ
と、ＡＦコントローラの出力により調整可能に稼働する
モータと、モータにつながるネジを介して基板との間隔
を調整し、かつ、レボルバ，対物レンズ，ガスウインド
ウを保持する支持体とを備えるのが好ましい。
のパターンを撮影するカメラと、カメラの基板側に配置
されたＡＦ光学系と、ＡＦ光学系より信号を受け取り基
板を観察する際のピントを調整するＡＦコントローラ
と、ＡＦコントローラの出力により調整可能に稼働する
モータと、モータにつながるネジを介して基板との間隔
を調整し、かつ、レボルバ，対物レンズ，ガスウインド
ウを保持する支持体とを備えるのが好ましい。
【００１１】また、自動焦点調節機構は、対物レンズの
観察ピントが合った状態でのみＣＶＤガスを供給するイ
ンターロック回路を備えるのが好ましい。
観察ピントが合った状態でのみＣＶＤガスを供給するイ
ンターロック回路を備えるのが好ましい。
【００１２】さらに、ＡＦ光学系およびＡＦコントロー
ラは、基板上にパターンがない状態でも焦点検出ができ
るのが好ましい。
ラは、基板上にパターンがない状態でも焦点検出ができ
るのが好ましい。
【００１３】またさらに、第３のミラーを通過する光路
は、カメラにつながる光路であるのが好ましい。
は、カメラにつながる光路であるのが好ましい。
【００１４】
【発明の実施の形態】次に、図面を参照して、本発明の
実施の形態について詳細に説明する。
実施の形態について詳細に説明する。
【００１５】図１は、本発明のレーザＣＶＤ装置の実施
の形態の構成を示す概略図である。本実施の形態は、液
晶基板用の８５０ｍｍ×８５０ｍｍの大型フォトマスク
の欠陥修正装置に、本発明のレーザＣＶＤ装置を適用し
た例である。この装置は、ＸＹステージ１７上に、フォ
トマスクからなる基板２を載せた状態で、顕微レーザ光
学系８により、レーザ光源１１からのレーザ光を所定の
位置に照射できる構成となっている。顕微レーザ光学系
８は、レーザ光源１１からのレーザ光とスリット照明１
０の照明光とを第１のミラー１３により合成し、スリッ
ト１４によりレーザ光およびスリット照明光を整形し、
次に、スリット１４を通過した光と照明１８からの反射
照明光とを第２のミラー１５により合成し、合成された
光を第３のミラー１６で反射して、リレーレンズ２１，
対物レンズ選択用のレボルバ５につながっている観察光
路上の第１の対物レンズ３、ガスウインドウ１を通して
基板２に照射する構成となっている。また、第３のミラ
ー１６を通過する光路は、基板２上のパターンを撮影す
るカメラ１２につながる光路となっている。カメラ１２
の出力信号は、基板２のパターンを観察するＴＶモニタ
１９につながっている。さらに基板２の観察ピントを調
整するＡＦコントローラ９は、カメラ１２の手前のＡＦ
光学系２０より信号を受け取り、出力はモータ７に接続
され、モータ７につながるネジ６を介して、レボルバ
５，第１の対物レンズ３，第２の対物レンズ４とガスウ
インドウ１とを保持する支持体２２を上下させる構造と
なっている。ＡＦ光学系２０およびＡＦコントローラ９
は、基板上にパターンがない状態でも焦点検出ができる
レーザ式自動焦点検出方式を用いている。自動焦点調節
機構は、ＡＦ光学系２０，ＡＦコントローラ９，モータ
７，ネジ６，支持体２２から構成されている。
の形態の構成を示す概略図である。本実施の形態は、液
晶基板用の８５０ｍｍ×８５０ｍｍの大型フォトマスク
の欠陥修正装置に、本発明のレーザＣＶＤ装置を適用し
た例である。この装置は、ＸＹステージ１７上に、フォ
トマスクからなる基板２を載せた状態で、顕微レーザ光
学系８により、レーザ光源１１からのレーザ光を所定の
位置に照射できる構成となっている。顕微レーザ光学系
８は、レーザ光源１１からのレーザ光とスリット照明１
０の照明光とを第１のミラー１３により合成し、スリッ
ト１４によりレーザ光およびスリット照明光を整形し、
次に、スリット１４を通過した光と照明１８からの反射
照明光とを第２のミラー１５により合成し、合成された
光を第３のミラー１６で反射して、リレーレンズ２１，
対物レンズ選択用のレボルバ５につながっている観察光
路上の第１の対物レンズ３、ガスウインドウ１を通して
基板２に照射する構成となっている。また、第３のミラ
ー１６を通過する光路は、基板２上のパターンを撮影す
るカメラ１２につながる光路となっている。カメラ１２
の出力信号は、基板２のパターンを観察するＴＶモニタ
１９につながっている。さらに基板２の観察ピントを調
整するＡＦコントローラ９は、カメラ１２の手前のＡＦ
光学系２０より信号を受け取り、出力はモータ７に接続
され、モータ７につながるネジ６を介して、レボルバ
５，第１の対物レンズ３，第２の対物レンズ４とガスウ
インドウ１とを保持する支持体２２を上下させる構造と
なっている。ＡＦ光学系２０およびＡＦコントローラ９
は、基板上にパターンがない状態でも焦点検出ができる
レーザ式自動焦点検出方式を用いている。自動焦点調節
機構は、ＡＦ光学系２０，ＡＦコントローラ９，モータ
７，ネジ６，支持体２２から構成されている。
【００１６】
【実施例】次に、図１を参照して、本発明のレーザＣＶ
Ｄ装置の実施例の動作について説明する。
Ｄ装置の実施例の動作について説明する。
【００１７】本実施例では、基板２をＸＹステージ１７
にセットする前に、低倍観察用の対物レンズである第２
の対物レンズ４を観察光路上にセットした上で、ＡＦコ
ントローラ９により、支持体２２を最上点に移動させ
る。このとき、ガスウインドウ１と基板２との間隙高さ
は３ｍｍとなり、基板２をＸＹステージ１７にセッティ
ングする際のガスウインドウ１と基板２との接触の危険
を回避している。その後、基板２をＸＹステージ１７上
にセットし、ＡＦコントローラ９の指令により、支持体
２２の高さを、基板パターンの自動焦点補足範囲に降ろ
す。次に、ＡＦコントローラ９の自動焦点機能を動作さ
せ、基板２の焦点位置に支持体２２の高さを合わせる。
このとき、第１の対物レンズ３及び第２の対物レンズ４
に対して、ガスウインドウ１も同時に動くので、基板２
のパターンが観察できる焦点位置では、基板２の加工面
の高さとガスウインドウ１の高さとは常に一定の値とな
る。ＡＦコントローラ９の焦点位置設定精度は、第２の
対物レンズ４に対してプラスマイナス１０μｍであり、
一方、ガスウインドウ１と基板２との間隙高さは、基準
値が１ｍｍであり、ＣＶＤ安定性を維持し、かつガスリ
ークを防止するための間隙高さの許容範囲は、０．８ｍ
ｍ〜１．２ｍｍの範囲であり、自動焦点精度に比べ十分
な余裕がある構成となっている。観察ピントが合った状
態で、ＣＶＤガスをガスウインドウ１に流し始める。第
２の対物レンズ４により、基板２上の欠陥位置におおま
かにレーザ照射位置を合わせ、次に、対物レンズを第１
の対物レンズ３に切り替え、スリット１４の大きさ及び
形を欠陥の大きさに合わせた上でレーザ照射位置を正確
に欠陥位置に合わせる。次に、レーザ光を所定時間照射
して、欠陥を修正する。
にセットする前に、低倍観察用の対物レンズである第２
の対物レンズ４を観察光路上にセットした上で、ＡＦコ
ントローラ９により、支持体２２を最上点に移動させ
る。このとき、ガスウインドウ１と基板２との間隙高さ
は３ｍｍとなり、基板２をＸＹステージ１７にセッティ
ングする際のガスウインドウ１と基板２との接触の危険
を回避している。その後、基板２をＸＹステージ１７上
にセットし、ＡＦコントローラ９の指令により、支持体
２２の高さを、基板パターンの自動焦点補足範囲に降ろ
す。次に、ＡＦコントローラ９の自動焦点機能を動作さ
せ、基板２の焦点位置に支持体２２の高さを合わせる。
このとき、第１の対物レンズ３及び第２の対物レンズ４
に対して、ガスウインドウ１も同時に動くので、基板２
のパターンが観察できる焦点位置では、基板２の加工面
の高さとガスウインドウ１の高さとは常に一定の値とな
る。ＡＦコントローラ９の焦点位置設定精度は、第２の
対物レンズ４に対してプラスマイナス１０μｍであり、
一方、ガスウインドウ１と基板２との間隙高さは、基準
値が１ｍｍであり、ＣＶＤ安定性を維持し、かつガスリ
ークを防止するための間隙高さの許容範囲は、０．８ｍ
ｍ〜１．２ｍｍの範囲であり、自動焦点精度に比べ十分
な余裕がある構成となっている。観察ピントが合った状
態で、ＣＶＤガスをガスウインドウ１に流し始める。第
２の対物レンズ４により、基板２上の欠陥位置におおま
かにレーザ照射位置を合わせ、次に、対物レンズを第１
の対物レンズ３に切り替え、スリット１４の大きさ及び
形を欠陥の大きさに合わせた上でレーザ照射位置を正確
に欠陥位置に合わせる。次に、レーザ光を所定時間照射
して、欠陥を修正する。
【００１８】次に、基板上の次の欠陥位置に移動する。
このとき、ＡＦコントローラ９は、基板上に観察ピント
が合うよう連続的に自動焦点動作を継続する。欠陥位置
を見つけた後、欠陥の形に合わせて、スリット形状，照
射位置を合わせた後、レーザ光を照射して、欠陥修正を
行う。以下、基板上の欠陥修正を繰り返し、最後にＣＶ
Ｄガスの供給を停止し、支持体２２の高さを最上点に移
動し、基板２をＸＹステージ１７から取り出して、修正
作業を完了する。８５０ｍｍ角の基板上の高さは、最大
０．５ｍｍの変動が合ったが、自動焦点機構と連動した
ガスウインドウ高さ上下機構の使用によりガスウインド
ウ１と基板２との間隙高さが一定となる構成を取ってい
るために、ＣＶＤの膜質や膜厚は、基板上の位置によら
ず一定の状態とすることができた。
このとき、ＡＦコントローラ９は、基板上に観察ピント
が合うよう連続的に自動焦点動作を継続する。欠陥位置
を見つけた後、欠陥の形に合わせて、スリット形状，照
射位置を合わせた後、レーザ光を照射して、欠陥修正を
行う。以下、基板上の欠陥修正を繰り返し、最後にＣＶ
Ｄガスの供給を停止し、支持体２２の高さを最上点に移
動し、基板２をＸＹステージ１７から取り出して、修正
作業を完了する。８５０ｍｍ角の基板上の高さは、最大
０．５ｍｍの変動が合ったが、自動焦点機構と連動した
ガスウインドウ高さ上下機構の使用によりガスウインド
ウ１と基板２との間隙高さが一定となる構成を取ってい
るために、ＣＶＤの膜質や膜厚は、基板上の位置によら
ず一定の状態とすることができた。
【００１９】本発明では、ＣＶＤガス濃度などのＣＶＤ
ガスの供給は、基板パターンの観察ピントが合っている
状態でのみ行う構成としている。局所的にＣＶＤガスの
供給排気を行うガスウインドウを用いるレーザＣＶＤ装
置では、基板２とガスウインドウ１との間隙高さが異な
ると、レーザ光照射部のＣＶＤガス濃度が変化したり、
間隙高さが大きくなりすぎると、ＣＶＤガスが、ガスウ
インドウ１の周囲に漏れ出す場合がある。本発明におい
ては、ＣＶＤガスの供給は、対物レンズの観察ピントが
合っている状態でのみ、すなわち、基板２とガスウイン
ドウ２との間隙高さが一定の状態でのみ行われることか
ら、ＣＶＤガス濃度の変動や、ＣＶＤガスの周辺への漏
れのおそれがないので、安全かつ安定なレーザＣＶＤが
可能である。
ガスの供給は、基板パターンの観察ピントが合っている
状態でのみ行う構成としている。局所的にＣＶＤガスの
供給排気を行うガスウインドウを用いるレーザＣＶＤ装
置では、基板２とガスウインドウ１との間隙高さが異な
ると、レーザ光照射部のＣＶＤガス濃度が変化したり、
間隙高さが大きくなりすぎると、ＣＶＤガスが、ガスウ
インドウ１の周囲に漏れ出す場合がある。本発明におい
ては、ＣＶＤガスの供給は、対物レンズの観察ピントが
合っている状態でのみ、すなわち、基板２とガスウイン
ドウ２との間隙高さが一定の状態でのみ行われることか
ら、ＣＶＤガス濃度の変動や、ＣＶＤガスの周辺への漏
れのおそれがないので、安全かつ安定なレーザＣＶＤが
可能である。
【００２０】
【発明の効果】以上説明したように、本発明のレーザＣ
ＶＤ装置では、ＣＶＤガス濃度の変動や、ＣＶＤガスの
周辺への漏れのおそれがなく、安全かつ安定なレーザＣ
ＶＤが可能となるという効果を奏する。
ＶＤ装置では、ＣＶＤガス濃度の変動や、ＣＶＤガスの
周辺への漏れのおそれがなく、安全かつ安定なレーザＣ
ＶＤが可能となるという効果を奏する。
【００２１】また、その結果、安全で、かつ厚みや膜質
の安定したＣＶＤ膜を得ることができ、信頼性の高いレ
ーザＣＶＤ装置を提供することができるという効果を奏
する。
の安定したＣＶＤ膜を得ることができ、信頼性の高いレ
ーザＣＶＤ装置を提供することができるという効果を奏
する。
【図１】本発明の実施の形態の構成を示す概略図であ
る。
る。
１ ガスウィンドウ ２ 基板 ３ 第１の対物レンズ ４ 第２の対物レンズ ５ レボルバ ６ ネジ ７ モータ ８ 照明 ９ ＡＦコントローラ １０ スリット照明 １１ レーザ光源 １２ カメラ １３ 第１のミラー １４ スリット １５ 第２のミラー １６ 第３のミラー １７ ＸＹステージ １８ 照明 １９ ＴＶモニタ ２０ ＡＦ光学系 ２１ リレーレンズ ２２ 支持体
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成１２年９月１日（２０００．９．１）
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】特許請求の範囲
【補正方法】変更
【補正内容】
【特許請求の範囲】
【請求項２】前記自動焦点調整機構は、前記基板上のパ
ターンを撮影するカメラと、前記カメラの前記基板側に
配置されたＡＦ光学系と、前記ＡＦ光学系より信号を受
け取り前記基板を観察する際のピントを調整するＡＦコ
ントローラと、前記ＡＦコントローラの出力により調整
可能に稼働するモータと、前記モータにつながるネジを
介して前記基板との間隔を調整し、かつ、前記レボル
バ，前記対物レンズ，前記ガスウインドウを保持する支
持体を備えたことを特徴とする、請求項１に記載のレー
ザＣＶＤ装置。
ターンを撮影するカメラと、前記カメラの前記基板側に
配置されたＡＦ光学系と、前記ＡＦ光学系より信号を受
け取り前記基板を観察する際のピントを調整するＡＦコ
ントローラと、前記ＡＦコントローラの出力により調整
可能に稼働するモータと、前記モータにつながるネジを
介して前記基板との間隔を調整し、かつ、前記レボル
バ，前記対物レンズ，前記ガスウインドウを保持する支
持体を備えたことを特徴とする、請求項１に記載のレー
ザＣＶＤ装置。
【請求項３】前記自動焦点調整機構は、前記対物レンズ
の観察ピントが合った状態でのみＣＶＤガスを供給する
インターロック回路を備えたことを特徴とする、請求項
２に記載のレーザＣＶＤ装置。
の観察ピントが合った状態でのみＣＶＤガスを供給する
インターロック回路を備えたことを特徴とする、請求項
２に記載のレーザＣＶＤ装置。
【請求項４】前記ＡＦ光学系および前記ＡＦコントロー
ラは、前記基板上にパターンがない状態でも焦点検出が
できることを特徴とする、請求項２または３に記載のレ
ーザＣＶＤ装置。
ラは、前記基板上にパターンがない状態でも焦点検出が
できることを特徴とする、請求項２または３に記載のレ
ーザＣＶＤ装置。
【請求項５】前記第３のミラーを通過する光路は、前記
カメラにつながる光路であることを特徴とする、請求項
２〜４のいずれかに記載のレーザＣＶＤ装置。
カメラにつながる光路であることを特徴とする、請求項
２〜４のいずれかに記載のレーザＣＶＤ装置。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００７
【補正方法】変更
【補正内容】
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明のレーザＣＶＤ装置は、レーザ光源と、レー
ザ光源により基板上の所定の位置にレーザ光を照射して
基板を観察する機能を備えた顕微レーザ光学系と、基板
上の所定の位置に局所的なＣＶＤガスの供給排気を行う
ガスウインドウとを備えたレーザＣＶＤ装置であって、
顕微レーザ光学系が、レーザ光源からのレーザ光と、ス
リット照明の照明光とを合成する第１のミラーと、レー
ザ光とスリット照明の照明光とを整形するスリットと、
スリットを通過した光と、照明からの反射照明光とを合
成する第２のミラーと、第２のミラーにより合成された
光を反射する第３のミラーと、第３のミラーにより反射
された光を通過させるリレーレンズと、リレーレンズを
通過した光をガスウインドウを介して基板上に照射させ
るための対物レンズと、対物レンズの焦点位置を調整す
る自動焦点調整機構とを備えたレーザＣＶＤ装置におい
て、対物レンズが倍率の異なる複数の対物レンズであ
り、顕微レーザ光学系は、複数の対物レンズのうちから
一つを選択するレボルバを備えたことを特徴とする。
に、本発明のレーザＣＶＤ装置は、レーザ光源と、レー
ザ光源により基板上の所定の位置にレーザ光を照射して
基板を観察する機能を備えた顕微レーザ光学系と、基板
上の所定の位置に局所的なＣＶＤガスの供給排気を行う
ガスウインドウとを備えたレーザＣＶＤ装置であって、
顕微レーザ光学系が、レーザ光源からのレーザ光と、ス
リット照明の照明光とを合成する第１のミラーと、レー
ザ光とスリット照明の照明光とを整形するスリットと、
スリットを通過した光と、照明からの反射照明光とを合
成する第２のミラーと、第２のミラーにより合成された
光を反射する第３のミラーと、第３のミラーにより反射
された光を通過させるリレーレンズと、リレーレンズを
通過した光をガスウインドウを介して基板上に照射させ
るための対物レンズと、対物レンズの焦点位置を調整す
る自動焦点調整機構とを備えたレーザＣＶＤ装置におい
て、対物レンズが倍率の異なる複数の対物レンズであ
り、顕微レーザ光学系は、複数の対物レンズのうちから
一つを選択するレボルバを備えたことを特徴とする。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００８
【補正方法】削除
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００９
【補正方法】削除
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 2H052 AC04 AC16 AC34 AD09 AD33 AF01 AF14 2H096 AA28 AA30 HA05 LA30 4K030 BB14 CA12 FA07 HA17 KA37 KA39 KA41
Claims (7)
- 【請求項１】レーザ光源と、前記レーザ光源により基板
上の所定の位置にレーザ光を照射して基板を観察する機
能を備えた顕微レーザ光学系と、前記基板上の前記所定
の位置に局所的なＣＶＤガスの供給排気を行うガスウイ
ンドウとを備えたレーザＣＶＤ装置において、 前記顕微レーザ光学系が、対物レンズの焦点位置を調整
する自動焦点調節機構を備え、前記自動焦点調整機構に
前記ガスウインドウが連動して動作することを特徴とす
るレーザＣＶＤ装置。 - 【請求項２】前記顕微レーザ光学系は、 前記レーザ光源からのレーザ光と、スリット照明の照明
光とを合成する第１のミラーと、 前記レーザ光と、スリット照明の照明光とを整形するス
リットと、 前記スリットを通過した光と、照明からの反射照明光と
を合成する第２のミラーと、 前記第２のミラーにより合成された光を反射する第３の
ミラーと、 前記第３のミラーにより反射された光を通過させるリレ
ーレンズと、 前記リレーレンズを通過した光を前記ガスウィンドウを
介して前記基板上に照射させるための対物レンズと、 を備えたことを特徴とする、請求項１に記載のレーザＣ
ＶＤ装置。 - 【請求項３】前記対物レンズが倍率の異なる複数の対物
レンズであり、前記顕微レーザ光学系は、前記複数の対
物レンズのうちから一つを選択するレボルバを備えたこ
とを特徴とする、請求項２に記載のレーザＣＶＤ装置。 - 【請求項４】前記自動焦点調節機構は、前記基板上のパ
ターンを撮影するカメラと、前記カメラの前記基板側に
配置されたＡＦ光学系と、前記ＡＦ光学系より信号を受
け取り前記基板を観察する際のピントを調整するＡＦコ
ントローラと、前記ＡＦコントローラの出力により調整
可能に稼働するモータと、前記モータにつながるネジを
介して前記基板との間隔を調整し、かつ、前記レボル
バ，前記対物レンズ，前記ガスウインドウを保持する支
持体とを備えたことを特徴とする、請求項３の記載のレ
ーザＣＶＤ装置。 - 【請求項５】前記自動焦点調節機構は、前記対物レンズ
の観察ピントが合った状態でのみＣＶＤガスを供給する
インターロック回路を備えたことを特徴とする、請求項
４に記載のレーザＣＶＤ装置。 - 【請求項６】前記ＡＦ光学系および前記ＡＦコントロー
ラは、前記基板上にパターンがない状態でも焦点検出が
できることを特徴とする、請求項４または５に記載のレ
ーザＣＶＤ装置。 - 【請求項７】前記第３のミラーを通過する光路は、前記
カメラにつながる光路であることを特徴とする、請求項
４〜６のいずれかに記載のレーザＣＶＤ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13692599A JP3175731B2 (ja) | 1999-05-18 | 1999-05-18 | レーザｃｖｄ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13692599A JP3175731B2 (ja) | 1999-05-18 | 1999-05-18 | レーザｃｖｄ装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000328247A true JP2000328247A (ja) | 2000-11-28 |
| JP3175731B2 JP3175731B2 (ja) | 2001-06-11 |
Family
ID=15186785
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13692599A Expired - Lifetime JP3175731B2 (ja) | 1999-05-18 | 1999-05-18 | レーザｃｖｄ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3175731B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006225705A (ja) * | 2005-02-16 | 2006-08-31 | Laserfront Technologies Inc | ガスウィンドウ及び化学気相成長装置 |
| US7371286B2 (en) | 2003-09-24 | 2008-05-13 | Laserfront Technologies, Inc. | Wiring repair apparatus |
| US9200369B2 (en) * | 2004-12-30 | 2015-12-01 | Lg Display Co. Ltd. | Apparatus for treating thin film and method of treating thin film |
-
1999
- 1999-05-18 JP JP13692599A patent/JP3175731B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7371286B2 (en) | 2003-09-24 | 2008-05-13 | Laserfront Technologies, Inc. | Wiring repair apparatus |
| US9200369B2 (en) * | 2004-12-30 | 2015-12-01 | Lg Display Co. Ltd. | Apparatus for treating thin film and method of treating thin film |
| JP2006225705A (ja) * | 2005-02-16 | 2006-08-31 | Laserfront Technologies Inc | ガスウィンドウ及び化学気相成長装置 |
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| Publication number | Publication date |
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| JP3175731B2 (ja) | 2001-06-11 |
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