JP2000326170A - Elastically deformable electrostatic chuck and its manufacture - Google Patents

Elastically deformable electrostatic chuck and its manufacture

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JP2000326170A
JP2000326170A JP13983599A JP13983599A JP2000326170A JP 2000326170 A JP2000326170 A JP 2000326170A JP 13983599 A JP13983599 A JP 13983599A JP 13983599 A JP13983599 A JP 13983599A JP 2000326170 A JP2000326170 A JP 2000326170A
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conductive silicone
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一彦 都丸
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勉 米山
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an electrostatic chuck having good following ability during elastic deformation and heat radiation ability by embedding a electrically conductive silicone rubber having thermal conductivity higher than a specific value and volume specific resistivity lower than a specific value in a highly-thermal- conductive silicone rubber cured material with thermal conductivity higher than a specific value. SOLUTION: This electrostatic chuck 3 supports the rear surface of a wafer 4 by combination with support projections 2 on a stage 1, and is elastically deformable in the vertical direction. This electrostatic chuck 3 is constructed by embedding an electrically conductive silicone rubber in a high-thermal- conductive silicone rubber cured material. Thermal conductivity of the highly- thermal-conductive silicone rubber cured material is set higher than 0.5 W/m. deg.C, thermal conductivity of the electrically conductive silicone rubber cured material is set higher than 0.5 W/m. deg.C, and volume specific resistivity is lower than 1,000 Ω.cm. The electrostatic chuck 3 is manufactured by thermal compression integral simultaneous molding of an uncured sheet-like pre-form.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、ウエハを変形させるこ
となく保持することができる静電チャック及びその製造
方法に関し、特に、移動ステージに適用できると共に、
ウエハを効率よく冷却することのできるウエハ保持機構
に使用される、弾性変形可能な静電チャック及びその製
造方法に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an electrostatic chuck capable of holding a wafer without being deformed, and a method of manufacturing the same.
The present invention relates to an elastically deformable electrostatic chuck used for a wafer holding mechanism capable of efficiently cooling a wafer and a method of manufacturing the same.

【0002】[0002]

【従来の技術】現在の半導体製造プロセスの大部分にお
いては、真空チャックを用いることができないのでメカ
ニカルクランプや静電チャックが使用されている。静電
チャックの場合には吸着力によりウエハが静電チャック
表面に鉛直方向に拘束される。また、ウエハが静電チャ
ック表面に押しつけられることによって発生する摩擦力
によって、ウエハがその平面内で拘束される。
2. Description of the Related Art In most current semiconductor manufacturing processes, a mechanical chuck or an electrostatic chuck is used because a vacuum chuck cannot be used. In the case of an electrostatic chuck, the wafer is vertically restrained on the surface of the electrostatic chuck by the attraction force. Also, the wafer is restrained in its plane by the frictional force generated when the wafer is pressed against the surface of the electrostatic chuck.

【0003】一般の半導体プロセスにおいては、静電チ
ャックのように、自由状態で反りがあるウエハが矯正さ
れるように変形保持すること(以下、平坦化保持とい
う)が望ましい。これに対し、X線露光用マスク製作な
どのプロセスにおいては、ウエハを変形保持するのでは
なく、自由状態のままで保持すること(以下、無変形保
持という)が、重ね合わせ誤差や膜内応力を低減するた
めに必要である。
In a general semiconductor process, it is desirable to deform and hold a wafer that is free and warped, such as an electrostatic chuck (hereinafter, referred to as flattening). On the other hand, in a process such as manufacturing a mask for X-ray exposure, holding a wafer in a free state instead of holding it in a deformed state (hereinafter referred to as “non-deformed holding”) is a problem of overlay error and in-film stress. Is required to reduce

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】このような無変形保持
機構として、特開平6−132388には、ウエハ裏面を支え
る支持突起と、該支持突起を設置しかつ前記ウエハ面の
垂直方向に弾性変形する薄型静電チャックとを備えたウ
エハ保持機構が提案されている。そして、具体例とし
て、薄膜状の金属箔と有機絶縁体とを接着した構造の静
電チャック、前記金属箔に絶縁物質を溶着した構造の静
電チャック、薄膜状の絶縁体に金属を蒸着またはメッキ
した構造の静電チャック等が例示されている。
As such a non-deformation holding mechanism, Japanese Unexamined Patent Publication No. Hei 6-132388 discloses a support projection for supporting the back surface of a wafer, an installation of the support projection, and an elastic deformation in the vertical direction of the wafer surface. There has been proposed a wafer holding mechanism including a thin electrostatic chuck. As specific examples, an electrostatic chuck having a structure in which a thin metal foil and an organic insulator are bonded to each other, an electrostatic chuck having a structure in which an insulating substance is welded to the metal foil, and a metal deposited or deposited on the thin insulator. An electrostatic chuck having a plated structure is exemplified.

【0005】しかしながら、これらの何れの場合にも、
静電チャックの電極における弾性変形時の変形の追従性
が十分でないという問題があった。さらにX線露光用の
マスクを製作するプロセスにおいて使用される電子ビー
ム描画装置おいても、プロセス時にマスク基盤となるシ
リコンウエハに発生する熱によるマスク基盤の変形が問
題となってきており、放熱性能に優れた静電チャックを
使用する必要のあることが明らかとなった。
However, in any of these cases,
There has been a problem that the ability of the electrodes of the electrostatic chuck to follow deformation during elastic deformation is not sufficient. Further, even in an electron beam lithography apparatus used in a process of manufacturing a mask for X-ray exposure, deformation of the mask substrate due to heat generated on a silicon wafer serving as the mask substrate during the process has become a problem, and heat dissipation performance has been increasing. It became clear that it was necessary to use an electrostatic chuck excellent in the above.

【0006】そこで本発明者らは上記問題を解決するた
めに鋭意検討した結果、電極として導電性シリコーンゴ
ムを使用した場合には、弾性変形時の追従性と放熱性能
に優れる静電チャックとなることを見出し、本発明に到
達した。従って本発明の第1の目的は、効率良くウエハ
を冷却できるウエハ保持機構に使用される、弾性変形時
の追従性と放熱性能に優れた静電チャックを提供するこ
とにある。本発明の第2の目的は、変形時の追従性と放
熱性能に優れた静電チャックの製造方法を提供すること
にある。
The inventors of the present invention have conducted intensive studies to solve the above-mentioned problems. As a result, when conductive silicone rubber is used as an electrode, the electrostatic chuck has excellent followability during elastic deformation and excellent heat dissipation performance. The inventors have found that the present invention has been achieved. Accordingly, a first object of the present invention is to provide an electrostatic chuck which is used in a wafer holding mechanism capable of efficiently cooling a wafer and has excellent followability during elastic deformation and excellent heat dissipation performance. A second object of the present invention is to provide a method for manufacturing an electrostatic chuck having excellent followability during deformation and excellent heat dissipation performance.

【0007】[0007]

【課題を解決するための手段】本発明の第1の目的は、
高熱伝導性シリコーンゴム硬化物内部に導電性シリコー
ンゴムが埋設されてなる、ウエハの裏面を支える支持突
起と組み合わされて使用されウエハ裏面垂直方向に弾性
変形が可能な静電チャックであって、前記高熱伝導性シ
リコーンゴム硬化物の熱伝導率が0.5W/m・℃以上
であると共に、前記導電性シリコーンゴム硬化物が、熱
伝導率が0.5W/m・℃以上であって体積固有抵抗率
が1,000Ω・cm以下であることを特徴とする弾性
変形可能な静電チャックにより、また第2の目的は、硬
化後の熱伝導率が、0.5W/m・℃以上となる高熱伝
導性シリコーンゴムコンパウンドの未硬化シート状プレ
フォーム上に、熱伝導率が0.5W/m・℃以上である
と共に体積固有抵抗率が1,000Ω・cm以下である
電極として機能するシリコーンゴムパウンドの未硬化シ
ート状プレフォーム又はシート状硬化物を設置した後熱
加圧して一体同時成型し、次いで、硬化した、又は、予
め硬化していた前記電極上に未硬化シート状プレフォー
ムを設置した後、熱加圧して一体同時成型することを特
徴とする、請求項1に記載された弾性変形可能な静電チ
ャックの製造方法によって達成された。
SUMMARY OF THE INVENTION A first object of the present invention is to:
An electrostatic chuck in which a conductive silicone rubber is embedded inside a cured product of a high thermal conductive silicone rubber, which is used in combination with a support projection for supporting a back surface of a wafer and is elastically deformable in a vertical direction of the back surface of the wafer. The cured product of the high thermal conductive silicone rubber has a thermal conductivity of 0.5 W / m · ° C. or more, and the cured product of the conductive silicone rubber has a thermal conductivity of 0.5 W / m · ° C. or more and has a specific volume. A second object is to provide an elastically deformable electrostatic chuck having a resistivity of 1,000 Ω · cm or less and a thermal conductivity after curing of 0.5 W / m · ° C. or more. It functions as an electrode having a thermal conductivity of 0.5 W / m · ° C. or more and a volume resistivity of 1,000 Ω · cm or less on an uncured sheet preform of a high thermal conductive silicone rubber compound. After placing an uncured sheet preform or sheet-like cured product of silicone rubber compound, it is heated and pressurized and integrally molded together, then cured or uncured sheet-shaped preform on the previously cured electrode The method for manufacturing an elastically deformable electrostatic chuck according to claim 1 is characterized in that, after being installed, it is heated and pressed to be integrally molded simultaneously.

【0008】[0008]

【発明の実施の形態】以下、本発明を図に従って詳述す
る。図1は、本発明の静電チャック3とウエハ4の裏面
を支える支持突起2とを組み合わせたウエハ支持機構の
概念図であり、(1−1)図はその平面図、(1−2)
図はそのA−A断面図である。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS The present invention will be described below in detail with reference to the drawings. FIG. 1 is a conceptual diagram of a wafer support mechanism in which an electrostatic chuck 3 of the present invention and a support projection 2 supporting the back surface of a wafer 4 are combined. FIG. 1A is a plan view of FIG.
The figure is a sectional view taken along line AA.

【0009】本発明においては、高熱伝導性シリコーン
ゴムの熱伝導率は0.5W/m・℃以上であることが、熱
によるウエハの温度上昇をおさえてウエハの温度を均一
かつ一定にし高精度の描画を可能とするために必要であ
る。またウエハとの密着性を良くして接触熱抵抗を低下
させることが重要であるので、ウエハに働く吸着力によ
り、静電チャックである弾性体の表面形状が、容易にウ
エハ裏面形状に追従して変形することが必要である。
In the present invention, the thermal conductivity of the high thermal conductive silicone rubber is preferably 0.5 W / m · ° C. or more, so that the temperature of the wafer is prevented from rising due to heat, and the temperature of the wafer is made uniform and constant to achieve high precision. It is necessary to enable drawing of. Since it is important to improve the adhesion to the wafer and reduce the contact thermal resistance, the surface shape of the elastic body, which is the electrostatic chuck, easily follows the back surface shape of the wafer due to the suction force acting on the wafer. It is necessary to deform.

【0010】従って静電チャック表面の弾性体(即ち、
高熱伝導性シリコーンゴム硬化物である)の硬度は20〜
90(JIS−A)であることが好ましい。20未満では、高熱
伝導性シリコーンゴムの硬化物表面とウエハ裏面との密
着性が高くなり、ウエハを静電チャックから剥離する場
合に、ウエハが密着力により強く静電チャックに密着す
るので剥離が困難となるという問題がある。また、90を
越えると吸着力によるシリコーンゴム組成物の硬化物の
変形が少なくなり、ウエハ裏面への追従性が低下し、接
触熱抵抗が大きくなるので好ましくない。
Accordingly, the elastic body on the surface of the electrostatic chuck (ie,
Hardness of high thermal conductive silicone rubber) is 20 ~
It is preferably 90 (JIS-A). If it is less than 20, the adhesiveness between the surface of the cured product of the high thermal conductive silicone rubber and the back surface of the wafer becomes high, and when the wafer is peeled off from the electrostatic chuck, the wafer is strongly adhered to the electrostatic chuck due to the adhesive force, so the peeling is not performed. There is a problem that it becomes difficult. On the other hand, when it exceeds 90, the deformation of the cured product of the silicone rubber composition due to the adsorption force decreases, the followability to the back surface of the wafer decreases, and the contact thermal resistance increases, which is not preferable.

【0011】シリコーンゴムコンパウンドの硬化前の性
状は、ミラブルタイプ、液状タイプの何れであってもよ
く、硬化形態としては過酸化物硬化型、付加反応硬化
型、縮合硬化型、紫外線硬化型などの各種硬化型のもの
を使用することができる。本発明においては、特に、ミ
ラブルタイプの過酸化物硬化型、又は、付加反応硬化型
のコンパウンドが好適である。
The properties of the silicone rubber compound before curing may be either a millable type or a liquid type, and the curing form may be a peroxide curing type, an addition reaction curing type, a condensation curing type, an ultraviolet curing type, or the like. Various curing types can be used. In the present invention, a millable peroxide-curable or addition-reaction-curable compound is particularly suitable.

【0012】また、上記シリコーンゴムコンパウンドに
高熱伝導性を付与するためのフィラーとしては、アルミ
ナ粉、窒化アルミ粉、窒化ホウ素粉、窒化珪素粉、酸化
マグネシウム粉、シリカ粉などの高熱伝導性セラミック
ス粉が好適である。上記フイラーの配合量は0.5W/m
・℃以上の熱伝導性を付与するのに必要な量である。厚
みは、放熱性の観点からは極力薄い方が有利であるが、
静電チャックとしての性能の観点から50〜500μmの範
囲のものが好適である。50μm未満では絶縁耐圧性が低
下し、静電チャックが絶縁破壊を起こす確率が高くなる
ので不利である。また、500μmを越えると放熱性が低
下し、ウエハの冷却効率が悪くなるので不利である。
The filler for imparting high thermal conductivity to the silicone rubber compound may be a high thermal conductive ceramic powder such as alumina powder, aluminum nitride powder, boron nitride powder, silicon nitride powder, magnesium oxide powder or silica powder. Is preferred. The content of the above filler is 0.5W / m
-It is an amount necessary to provide thermal conductivity of at least ° C. The thickness is preferably as thin as possible from the viewpoint of heat dissipation,
From the viewpoint of the performance as an electrostatic chuck, those having a range of 50 to 500 μm are preferable. When the thickness is less than 50 μm, the withstand voltage decreases, and the probability that the electrostatic chuck causes dielectric breakdown increases, which is disadvantageous. On the other hand, if it exceeds 500 μm, the heat radiation property is reduced, and the cooling efficiency of the wafer is deteriorated, which is disadvantageous.

【0013】さらに、熱伝導性シリコーンゴム表面の表
面粗さはウエハとの密着性に影響し、ウエハと熱伝導性
シリコーンゴム表面の接触熱抵抗に影響を与えるが、最
大表面粗さ(Ry)を20μm未満とすることが、静電チャ
ックとウエハとの密着性を良くする上で好適である。20
μmを越えると放熱性が低下し、ウエハの冷却効率が悪
くなるので不利である。また、高熱伝導性シリコーンゴ
ム硬化物の強度及び硬度を調整する目的で、着色剤、難
燃性付与剤等の各種充填材を配合しても良い。
Further, the surface roughness of the thermally conductive silicone rubber surface affects the adhesion to the wafer and the contact thermal resistance between the wafer and the thermally conductive silicone rubber surface, but the maximum surface roughness (Ry) Is preferably less than 20 μm in order to improve the adhesion between the electrostatic chuck and the wafer. 20
If it exceeds μm, the heat radiation property is reduced, and the cooling efficiency of the wafer is deteriorated, which is disadvantageous. For the purpose of adjusting the strength and hardness of the cured product of the high thermal conductive silicone rubber, various fillers such as a coloring agent and a flame retardant may be added.

【0014】静電チャックの電極となる導電性シリコー
ンゴムコンパウンドの硬化前の性状は、ミラブルタイ
プ、液状タイプの何れであっても良い。硬化形態として
は、過酸化物硬化型、付加反応硬化型、縮合硬化型、紫
外線硬化型などの各種硬化型のものが使用できる。本発
明においては、特に、ミラブルタイプの過酸化物硬化型
及び付加反応硬化型のコンパウンドが好適である。
The properties of the conductive silicone rubber compound as an electrode of the electrostatic chuck before curing may be either a millable type or a liquid type. As the curing mode, various curing types such as a peroxide curing type, an addition reaction curing type, a condensation curing type, and an ultraviolet ray curing type can be used. In the present invention, millable peroxide-curable and addition-reaction-curable compounds are particularly preferred.

【0015】導電性フィラーとしてはカーボンブラッ
ク、アセチレンブラック、コンダクティブファーネスブ
ラック、スーパーコンダクティブファーネスブラック、
エクストラコンダクティブファーネスブラック、コンダ
クテイブチャンネルブラック及び1500℃程度の高温で熱
処理されたファーネスブラックまたはチャンネルブラッ
ク等の導電性カーボン粉末や、金、銀、鋼、ニッケルな
どの金属粉末またはそれらの金属をカラスビーズに被覆
したものなどを挙げることができる。
Examples of the conductive filler include carbon black, acetylene black, conductive furnace black, superconductive furnace black,
Conductive carbon powder such as extra-conductive furnace black, conductive channel black, furnace black or channel black heat-treated at a high temperature of about 1500 ° C, or metal powder such as gold, silver, steel, nickel, or their metals Examples thereof include beads and the like.

【0016】導電性フィラーの添加量は、硬化後の熱伝
導率が0.5W/m・℃以上でありかつ体積固有抵抗率が
1,000Ω・cm以下となる量を配合すればよい。また、
放熱性の点から厚みは極力薄い方が有利であり、1〜500
μmの範囲のものが好適である。1μm未満では膜強度
が低下するので不利である。また、500μmを越えると
放熱性及び柔軟性が低下しウエハの冷却効率が悪くなる
ので不利である。
The amount of the conductive filler added is such that the thermal conductivity after curing is 0.5 W / m · ° C. or more and the volume specific resistivity is
What is necessary is just to mix | blend the quantity used as 1,000 ohm * cm or less. Also,
From the point of heat dissipation, it is advantageous that the thickness is as thin as possible.
Those having a range of μm are preferred. If it is less than 1 μm, the film strength is disadvantageously reduced. On the other hand, when the thickness exceeds 500 μm, heat dissipation and flexibility are reduced, and the cooling efficiency of the wafer is deteriorated, which is disadvantageous.

【0017】次に、本発明の弾性変形可能な静電チャッ
クの製造方法について説明する。 工程(1):図2に示すように、硬化後の熱伝導率が
0.5W/m・℃以上に調整された付加硬化型あるいは過
酸化物硬化型の高熱伝導性シリコーンゴムコンパウンド
を、カレンダー成型あるいはコーティングにより、工程
紙であるプラスチックス樹脂フィルム上に0.05〜0.
5mmの範囲で均一な厚みにシート状プレフォームとして
形成する。
Next, a method of manufacturing the elastically deformable electrostatic chuck of the present invention will be described. Step (1): As shown in FIG. 2, the thermal conductivity after curing is
An addition-curable or peroxide-curable high-thermal-conductivity silicone rubber compound adjusted to 0.5 W / m · ° C. or more is calender-molded or coated on a plastics resin film as a process paper to a thickness of 0.05 to 5 mm. 0.
It is formed as a sheet-like preform with a uniform thickness in the range of 5 mm.

【0018】本発明に使用される工程紙はプラスチック
製のものであるが、その材質としては、ポリエチレンテ
レフタレート、ポリエチレンナフタレート、ナイロン、
ポリエチレン、ポリプロピレン、PTFE、FEP、PFA、ETF
E、ポリイミド等が挙げられる。厚みは25〜150μmであ
ることが好ましい。25μm未満では強度が不足するので
工程中で破損する場合がある。また150μmを越えると
柔軟性が損なわれるのでカレンダー成型で不具合が発生
する場合がある。
The process paper used in the present invention is made of plastic, and the material thereof is polyethylene terephthalate, polyethylene naphthalate, nylon,
Polyethylene, polypropylene, PTFE, FEP, PFA, ETF
E, polyimide and the like. The thickness is preferably from 25 to 150 μm. If the thickness is less than 25 μm, the strength may be insufficient, and it may be damaged during the process. On the other hand, if it exceeds 150 μm, the flexibility is impaired, so that problems may occur in calender molding.

【0019】工程(2):図3に示すように、電極とな
る硬化後の熱伝導率が0.5W/m・℃以上でありかつ体
積固有抵抗率が1000Ω・cm以下に調整された付加硬化
型あるいは過酸化物硬化型の導電性シリコーンゴムコン
パウンドを、カレンダー成型あるいはコーティングによ
り、工程紙であるプラスチック樹脂フィルム上に0.05
〜0.5mmの範囲で均一な厚みにシート状プレフォーム
として形成する。本発明では、上記導電性シリコーンゴ
ムを予め硬化させた硬化シートを使用してもよい。硬化
シートとするには金型を使用し、100℃〜200℃、1〜80
kgf/mの条件で1〜30分間熱プレスするか、150℃の熱
風下で1〜30分間加熱すればよい。
Step (2): As shown in FIG. 3, an addition in which the thermal conductivity after curing to be an electrode is 0.5 W / m · ° C. or more and the volume resistivity is adjusted to 1000 Ω · cm or less. A curable or peroxide-curable conductive silicone rubber compound is calendered or coated on a plastic resin film, which is process paper, to a thickness of 0.05.
It is formed as a sheet-shaped preform with a uniform thickness in the range of 0.5 mm. In the present invention, a cured sheet obtained by previously curing the conductive silicone rubber may be used. Use a mold to make a cured sheet, 100-200 ° C, 1-80
It may be hot-pressed for 1 to 30 minutes under the condition of kgf / m 2 or heated for 1 to 30 minutes under hot air at 150 ° C.

【0020】工程(3):図4に示すように、工程
(1)、工程(2)で得られた工程紙で裏打ちされたシー
ト状プレフォームを貼り合わせて金型に入れ(4−
2)、100℃〜200℃、圧力1〜80kgf/mの条件で1〜30
分間熱プレスし(4−3)、高熱伝導性シリコーンゴム
と導電性シリコーンゴムの積層シート(4−4)を作製
する。この時、それぞれのシート状プレフォームは、図
5に示す様に所定の平面輪郭形状で、工程紙であるプラ
スチック樹脂フィルム上に型抜き加工しておくことが好
ましい。また、導電性シリコーンのシート状プレフォー
ムの輪郭寸法は、高熱伝導性シリコーンのシート状プレ
フォームの輪郭寸法未満とすることが好ましい。
Step (3): As shown in FIG. 4, the sheet-like preform lined with the process paper obtained in the steps (1) and (2) is laminated and put into a mold.
2), 100 ℃ ~200 ℃, 1~30 under a pressure 1~80kgf / m 2
(4-3) to produce a laminated sheet (4-4) of high thermal conductive silicone rubber and conductive silicone rubber. At this time, each sheet-shaped preform is
As shown in 5, it is preferable to perform a die cutting process on a plastic resin film as a process paper with a predetermined planar contour shape. Further, it is preferable that the contour dimension of the sheet-shaped preform of the conductive silicone be smaller than the contour dimension of the sheet-shaped preform of the highly heat-conductive silicone.

【0021】工程(4):図6に示すように、工程
(4)で得られた積層シートの工程紙を剥がし(4−
5)、導電性シリコーンゴム面と工程(1)と同様にし
て得られた高熱伝導性シリコーンのシート状プレフォー
ム(5−4)を貼りあわせた状態で金型に入れ(6−
2)、100℃〜200℃、圧力1〜80kgf/mの条件で1〜30
分間熱プレスし(6−3)、高熱伝導性シリコーンゴム
層間に導電性シリコーンゴムが挟まれた構造の積層シー
トを作製する(6−4)。最後に工程紙を剥がすことに
より静電チャック22が得られる。このとき、高熱伝導
性シリコーンのシート状プレフォームの輪郭寸法は工程
3の高熱伝導性シリコーンのシート状プレフォームの輪
郭寸法と同一とすることが好ましい。
Step (4): As shown in FIG. 6, the process paper of the laminated sheet obtained in step (4) is peeled off (4-
5) The conductive silicone rubber surface and the preform (5-4) of the high heat conductive silicone obtained in the same manner as in the step (1) are put in a mold in a state where they are attached to each other.
2), 100 ℃ ~200 ℃, 1~30 under a pressure 1~80kgf / m 2
(6-3) to produce a laminated sheet having a structure in which conductive silicone rubber is sandwiched between highly thermally conductive silicone rubber layers (6-4). Finally, the electrostatic chuck 22 is obtained by peeling the process paper. At this time, the contour dimension of the sheet-like preform of high thermal conductive silicone is determined by the process.
It is preferable that the contour dimensions are the same as those of the sheet-shaped preform of the highly heat-conductive silicone of No. 3.

【0022】[0022]

【発明の効果】本発明の静電チャックは、電極及び絶縁
層の全てがシリコーンゴム弾性体となっているので、支
持突起を配した無変形保持機構に好適な、弾性変形時の
追従性放熱特性に優れた静電チャックである。また、本
発明の静電チャックの製造方法は、工程で、工程紙であ
るプラスチックフィルムを使用することにより、シリコ
ーンコンパウンドのシート状プレフォームの取り扱い作
業性を改善することができる上、工程紙を裏打ちした状
態で金型にプレフォームを仕込むことにより、金型のシ
リコーンによる汚れを防止することがでさる。
According to the electrostatic chuck of the present invention, since all of the electrodes and the insulating layer are made of silicone rubber elastic material, it is suitable for a non-deformable holding mechanism having support projections, and is capable of following heat radiation during elastic deformation. An electrostatic chuck with excellent characteristics. Further, the method for manufacturing an electrostatic chuck of the present invention can improve the handling workability of a sheet-shaped preform of a silicone compound by using a plastic film as a process paper in the process, and furthermore, the process paper can be used. By charging the preform in the mold with the backing, it is possible to prevent the mold from being stained with silicone.

【0023】[0023]

【実施例】以下、実施例によって本発明を更に詳述する
が、本発明はこれによって限定されるものではない。
EXAMPLES The present invention will be described in more detail with reference to the following Examples, but it should not be construed that the present invention is limited thereto.

【0024】組成例1〜4. A:ジメチルシロキサン単位99.85モル%及びメチルビ
ニルシロキサン単位0.15モル%から成る、平均重合度
8,000のメチルビニルポリシロキサン B:ジ−t−ブチルパーオキサイド C:アルミナ粉(AS23:昭和電工(株)製商品名) D:窒化アルミ粉(XUS−35548:ダウケミカル(株)製
商品名) E:窒化ホウ素粉(KBN−(h)10:信越化学工業(株)
製商品名) F:シリカ粉(クリスタライト:(株)龍森製商品名) 上記のA〜Fから選ばれる原材料を使用して、表1に示す
組成例1〜4の高熱伝導性シリコーンゴムコンパウンドを
調製した。次にカレンダーロールを用い、工程紙であ
る、厚さが100μmのポリエチレンテレフタレートフ
ィルム上にシート成型した。
Composition Examples 1-4. A: average degree of polymerization composed of 99.85 mol% of dimethylsiloxane units and 0.15 mol% of methylvinylsiloxane units
8,000 methyl vinyl polysiloxane B: di-t-butyl peroxide C: alumina powder (AS23: trade name, manufactured by Showa Denko KK) D: aluminum nitride powder (XUS-35548: trade name, manufactured by Dow Chemical Co., Ltd.) E: Boron nitride powder (KBN- (h) 10: Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.)
Product name) F: Silica powder (Crystalite: product name, manufactured by Tatsumori Co., Ltd.) Using the raw materials selected from A to F above, high thermal conductive silicone rubbers of composition examples 1 to 4 shown in Table 1 A compound was prepared. Next, using a calender roll, a sheet was formed on a 100 μm-thick polyethylene terephthalate film, which is a process paper.

【0025】[0025]

【表1】 [Table 1]

【0026】組成例5及び6. G:ジメチルシロキサン単位99.85モル%及びメチルビ
ニルシロキサン単位0.15モル%から成る、平均重合度
8,000のメチルビニルポリシロキサン H:ジ−t−ブチルパーオキサイド I:オルトメチルベンゾイルパーオキサイド J:アセチレンブラック(電気化学工業(株)製) K:銀粉AgC−BO(福田金属箔粉工業(株)製) L:ヘキサメチルジシラザンで表面処理されたフューム
ドシリカ(比表面積200m/g)
Composition Examples 5 and 6 G: average degree of polymerization composed of 99.85 mol% of dimethylsiloxane units and 0.15 mol% of methylvinylsiloxane units
8,000 methylvinylpolysiloxane H: di-t-butyl peroxide I: orthomethylbenzoyl peroxide J: acetylene black (manufactured by Denki Kagaku Kogyo KK) K: silver powder AgC-BO (Fukuda Metal Foil Powder Co., Ltd.) L) Fumed silica surface-treated with hexamethyldisilazane (specific surface area: 200 m 2 / g)

【0027】G〜Lから選ばれる原材料を使用して表2に
示す導電性シリコーンゴムコンパウンドを調製した。
Using the raw materials selected from G to L, conductive silicone rubber compounds shown in Table 2 were prepared.

【表2】 [Table 2]

【0028】組成例5の導電性シリコーンゴムコンパウ
ンドはカレンダーロールで工程紙であるポリエチレンテ
レフタレートフィルム(膜厚100μm)上にシート状
プレフォームを作製した。また、組成例6の導電性シリ
コーンゴムコンパウンドを固形物成分重量比率で50重量
%となるようキシレンで希釈し、ポリエチレンテレフタ
レートフィルム(膜厚100μm)上にコーティング
し、乾燥させてシート状プレフォームを作製し、さらに
170℃、20kgf/cmの条件で10分間熱プレス成形し
た。
The conductive silicone rubber compound of Composition Example 5 was formed into a sheet-shaped preform on a polyethylene terephthalate film (film thickness: 100 μm) as process paper using a calender roll. Further, the conductive silicone rubber compound of Composition Example 6 was diluted with xylene so as to be 50% by weight in terms of a solid component weight ratio, coated on a polyethylene terephthalate film (100 μm thick), and dried to obtain a sheet-like preform. Made and further
Hot press molding was performed at 170 ° C. and 20 kgf / cm 2 for 10 minutes.

【0029】実施例1.組成例1の高熱伝導性シリコー
ンゴムコンパウンドのシート状プレフォームと組成例5
の導電性シリコーンゴムコンパウンドのシート状プレフ
ォームを使用し、工程1〜工程4に示す製造方法により
積層した後、工程5及び6に従って導電性シリコーンゴ
ム面に組成例1の高熱伝導性シリコーンゴム層を更に積
層して静電チャックを製造した。得られた静電チャック
を使用し、図1に示すウエハ保持機構を有する電子ビー
ム描画装置でX線露光用マスクの製作を行った結果、ウ
エハの位置ズレを防止できる上、ウエハに発生する熱も
効率よく冷却できることが確認された。得られたマスク
は良好なX線露光用マスクであった。
Embodiment 1 Sheet-shaped preform of high thermal conductive silicone rubber compound of composition example 1 and composition example 5
After using the sheet-shaped preform of the conductive silicone rubber compound of Example 1 and laminating it by the production method shown in Steps 1 to 4, the high thermal conductive silicone rubber layer of Composition Example 1 was applied to the conductive silicone rubber surface in accordance with Steps 5 and 6. Were further laminated to produce an electrostatic chuck. Using the obtained electrostatic chuck, an X-ray exposure mask was manufactured by an electron beam lithography system having a wafer holding mechanism shown in FIG. 1, and as a result, the position of the wafer could be prevented from being shifted, and the heat generated on the wafer could be prevented. It was confirmed that cooling was also possible efficiently. The obtained mask was a good X-ray exposure mask.

【0030】実施例2〜4.組成例1の高熱伝導性シリ
コーンゴムコンパウンドの代わりに組成例2〜4の高熱伝
導性シリコーンゴムコンパウンドを用いた他は、実施例
1と全く同様にして静電チャックを製造した。得られた
静電チャックを使用し、図1に示すウエハ保持機構を有
する電子ビーム描画装置でX線露光用のマスク製作を行
った結果、ウエハの位置ズレを防止できる上、ウエハに
発生する熱も効率よく冷却できることが確認された。得
られたマスクは良好なX線露光用マスクであった。
Embodiments 2-4. An electrostatic chuck was manufactured in exactly the same manner as in Example 1 except that the high thermal conductive silicone rubber compound of Composition Examples 2 to 4 was used instead of the high thermal conductive silicone rubber compound of Composition Example 1. Using the obtained electrostatic chuck, a mask for X-ray exposure was manufactured by an electron beam lithography apparatus having a wafer holding mechanism shown in FIG. 1. It was confirmed that cooling was also possible efficiently. The obtained mask was a good X-ray exposure mask.

【0031】実施例5.組成例5の導電性シリコーンゴ
ムコンパウンドのシート状プレフォームの代りに組成例
6の導電性シリコーンゴム硬化物シートを使用した他
は、実施例1と全く同様にして静電チャックを製造し
た。得られた静電チャックを使用し、図1に示すウエハ
保持機構を有する電子ビーム描画装置でX線露光用のマ
スク製作を行った結果、ウエハの位置ズレを防止できる
上、ウエハに発生する熱も効率よく冷却できることが確
認された。得られたマスクは良好なX線露光用マスクで
あった。
Embodiment 5 FIG. An electrostatic chuck was manufactured in exactly the same manner as in Example 1, except that the conductive silicone rubber cured sheet of Composition Example 6 was used instead of the conductive silicone rubber compound sheet-like preform of Composition Example 5. Using the obtained electrostatic chuck, a mask for X-ray exposure was manufactured by an electron beam lithography apparatus having a wafer holding mechanism shown in FIG. 1. It was confirmed that cooling was also possible efficiently. The obtained mask was a good X-ray exposure mask.

【0032】実施例6〜8.組成例5の導電性シリコー
ンゴムコンパウンドのシート状プレフォームの代りに組
成例6の導電性シリコーンゴム硬化物シートを使用した
他は、実施例2−4と全く同様にして静電チャックを製
造した。得られた静電チャックを使用し、図1に示すウ
エハ保持機構を有する電子ビーム描画装置でX線露光用
マスクの製作を行った結果、ウエハの位置ズレを防止で
きる上ウエハに発生する熟も効率よく冷却できることが
確認された。得られたマスクは良好なX線露光用マスク
であった。
Embodiments 6-8. An electrostatic chuck was manufactured in exactly the same manner as in Example 2-4 except that the conductive silicone rubber cured product sheet of Composition Example 6 was used instead of the conductive silicone rubber compound sheet-shaped preform of Composition Example 5. . Using the obtained electrostatic chuck, an X-ray exposure mask was manufactured using an electron beam lithography system having a wafer holding mechanism shown in FIG. 1. It was confirmed that cooling was possible efficiently. The obtained mask was a good X-ray exposure mask.

【0033】比較例1.膜厚25μmのポリイミドフィ
ルム間に電極として12μmの鋼箔を挟み込んで積層
し、実施例と同一輪郭寸法の静電チャックを製造した。
得られた静電チャックを使用し、図1に示すウエハ保持
機構を有する電子ビーム描画装置でX線露光用のマスク
製作を行った結果、ウエハの位置ズレを防止することが
できないだけでなく、ウエハに発生する熱を冷却するこ
とができず、X線露光用マスクを製作することができな
かった。
Comparative Example 1 A 12 μm steel foil as an electrode was sandwiched and laminated between polyimide films each having a thickness of 25 μm to manufacture an electrostatic chuck having the same contour dimensions as the example.
Using the obtained electrostatic chuck, as a result of manufacturing a mask for X-ray exposure with an electron beam drawing apparatus having a wafer holding mechanism shown in FIG. The heat generated on the wafer could not be cooled, and a mask for X-ray exposure could not be manufactured.

【0034】比較例2.組成例1で使用した熱伝導性シ
リコーンゴム層間に銅箔12μmを挟み込んで積層し、実
施例と同一輪郭寸法の静電チャックを製造した。得られ
た静電チャックを使用し、図1に示すウエハ保持機構を
有する電子ビーム描画装置でX線露光用のマスク製作を
行った結果、ウエハの位置ズレを防止できないだけでな
くウエハに発生する熱を冷却することができず、X線露
光用マスクを製作することができなかった。
Comparative Example 2 A copper foil of 12 μm was sandwiched and laminated between the thermally conductive silicone rubber layers used in Composition Example 1 to manufacture an electrostatic chuck having the same contour dimensions as the example. Using the obtained electrostatic chuck, a mask for X-ray exposure was manufactured by an electron beam lithography apparatus having a wafer holding mechanism shown in FIG. 1. The heat could not be cooled, and an X-ray exposure mask could not be manufactured.

【0035】実施例6.実施例1の工程において使用し
た工程紙を使用せずに静電チャックの製造を行った結
果、工程紙を使用した場合に比較して製造時間が約3倍
となった。また金型に汚れが発生した。得られた静電チ
ャックの寸法にはバラツキが大きかった。得られた静電
チャックを用い、図1に示すウエハ保持機構を有する電
子ビーム描画装置でX線露光用マスクの製作を行った結
果、ウエハの位置ズレ防止及びウエハに発生する熱の冷
却が不十分であり、X線露光用マスクの製作歩留りが良
くなかった。
Embodiment 6 FIG. As a result of manufacturing the electrostatic chuck without using the process paper used in the process of Example 1, the manufacturing time was about three times as long as the process paper was used. In addition, the mold was stained. The dimensions of the obtained electrostatic chuck varied greatly. Using the obtained electrostatic chuck, an X-ray exposure mask was manufactured by an electron beam lithography system having a wafer holding mechanism shown in FIG. 1, and as a result, it was impossible to prevent the displacement of the wafer and to cool the heat generated on the wafer. The production yield of the mask for X-ray exposure was not good.

【0036】実施例1〜5のように工程紙であるプラス
チックフィルムを使用することにより、シリコーンゴム
コンパウンドのシート状プレフォームの取り扱い作業性
が良くなる上、工程紙を付けた状態で金型にプレフォー
ムを仕込むことにより金型のシリコーンによる汚れを防
止することのできることが確認された。また、各シリコ
ーンゴム層の積層工程において各ゴム層が架橋反応によ
り一体化されるため、プライマー、接着剤等を使用する
ことがないので製造工程が簡略化され、これによってコ
スト低減化をはかることことができる。更に、本発明の
静電チャックは優れた柔軟性を有し、ウエハの無変形保
持が可能であるのみならず、優れた放熱性を有している
のでウエハの冷却を効率よく行うことができることが実
証された。
By using a plastic film as a process paper as in Examples 1 to 5, the workability of handling a sheet-shaped preform of a silicone rubber compound is improved, and the process paper is attached to a mold. It was confirmed that by charging the preform, it was possible to prevent the mold from being stained by silicone. Further, since each rubber layer is integrated by a cross-linking reaction in the lamination process of each silicone rubber layer, there is no need to use a primer, an adhesive or the like, so that the manufacturing process is simplified, thereby reducing costs. be able to. Furthermore, the electrostatic chuck of the present invention has excellent flexibility, not only can hold the wafer without deformation, but also has excellent heat dissipation, so that the wafer can be efficiently cooled. Has been demonstrated.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】支持突起を有するウエハ支持機構の概念図であ
る。(1−1)図は平面図、1−2)図はそのA−A断
面図である。
FIG. 1 is a conceptual diagram of a wafer support mechanism having a support protrusion. (1-1) is a plan view, and (1-2) is a sectional view taken along the line AA.

【図2】工程紙と高熱伝導性シリコーンゴムプレフォー
ムとの関係を示す図である。(2−1)図は平面図(2
−2)図はその断面図である。
FIG. 2 is a diagram showing a relationship between process paper and a high thermal conductive silicone rubber preform. (2-1) is a plan view (2)
-2) FIG.

【図3】工程紙と導電性シリコーンゴムプレフォームと
の関係を示す図である。(3−1)図は平面図、(3−
2)図はその断面図である。
FIG. 3 is a diagram showing a relationship between process paper and a conductive silicone rubber preform. (3-1) Figure is a plan view, (3-
2) FIG.

【図4】工程紙で裏打ちされたシート状プレフォームを
貼り合せて金型に入れ、熱加圧によって高熱伝導性シリ
コーンゴムと導電性シリコーンゴムの積層シートを作製
する工程の説明図である。
FIG. 4 is an explanatory view of a step of laminating a sheet-like preform lined with process paper, placing the preform in a mold, and producing a laminated sheet of a high thermal conductive silicone rubber and a conductive silicone rubber by hot pressing.

【図5】シート状プレフォームと工程紙の大きさの関係
を説明する図である。(5−1)及び(5−2)図は、
シート状プレフォームと工程紙が同寸の場合、(5−
3)及び(5−4)図は、シート状プレフォームが工程
紙より小さい場合を示す。
FIG. 5 is a diagram illustrating the relationship between the sheet-shaped preform and the size of process paper. (5-1) and (5-2)
When the sheet-shaped preform and the process paper are the same size, (5-
FIGS. 3) and (5-4) show the case where the sheet-shaped preform is smaller than the process paper.

【図6】高熱伝導性シリコーンゴムと導電性シリコーン
ゴムの積層シートの前記導電性シリコーンゴム層表面
に、工程紙に形成された高熱伝導性シリコーンゴムのプ
レフォームを貼り合せ、熱加圧して本発明の静電チャッ
クを製造する工程の説明図である。
FIG. 6: A preform of high thermal conductive silicone rubber formed on process paper is attached to the surface of the conductive silicone rubber layer of the laminated sheet of high thermal conductive silicone rubber and conductive silicone rubber, and the preform is heated and pressed. It is explanatory drawing of the process of manufacturing the electrostatic chuck of this invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1.ステージ 2.支持突起 3.静電チャック 4.ウエハ 5.絶縁性スペーサ E+.プラス電源 E−.マイナス電源 G.グランド 6.金型 6A.上型 6B.下型 7.導電性シリコーンゴムシート状プレフオームまたは
導電性シリコーンゴム硬化物シート 8.工程紙 り.高熱伝導性シリコーンコやシート状プレフオーム 10.導電性シリコーンゴム硬化物 11A.高熱伝導性シリコーンゴム硬化物 11B.高熱伝導性シリコーンゴム硬化物 12.導電性シリコーンゴム硬化物+高熱伝導性シリコー
ンゴム硬化物積層シート 21.金型 21A.上型 21B.下型 22.静電チャック 整理番号 P99−818
1. Stage 2. Support projection 3. Electrostatic chuck 4. Wafer 5. Insulating spacer E +. Plus power supply E-. Negative power supply G. Ground 6. Mold 6A. Upper die 6B. Lower mold 7. 7. Conductive silicone rubber sheet preform or conductive silicone rubber cured product sheet Process paper. High thermal conductive silicone rubber or sheet preform 10. Conductive silicone rubber cured product 11A. High thermal conductive silicone rubber cured product 11B. Highly thermally conductive silicone rubber cured product 12. 21. Conductive silicone rubber cured product + high thermal conductive silicone rubber cured product laminated sheet Mold 21A. Upper model 21B. Lower mold 22. Electrostatic chuck reference number P99-818

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 半田 隆一 群馬県碓氷郡松井田町大字人見1番地10 信越化学工業株式会社シリコーン電子材料 技術研究所内 Fターム(参考) 3C016 GA10 5F031 CA02 HA02 HA08 HA16 MA27 ────────────────────────────────────────────────── ─── Continuing on the front page (72) Inventor Ryuichi Handa 1-10 Hitomi, Matsuida-cho, Usui-gun, Gunma Prefecture F-term in the Silicon Electronics Research Laboratory, Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. 3C016 GA10 5F031 CA02 HA02 HA08 HA16 MA27

Claims (3)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 高熱伝導性シリコーンゴム硬化物内部に
導電性シリコーンゴムが埋設されてなる、ウエハの裏面
を支える支持突起と組み合わされて使用されウエハ裏面
垂直方向に弾性変形することが可能な静電チャックであ
って、前記高熱伝導性シリコーンゴム硬化物の熱伝導率
が0.5W/m・℃以上であると共に、前記導電性シリ
コーンゴム硬化物が、熱伝導率が0.5W/m・℃以上
であって体積固有抵抗率が1,000Ω・cm以下であ
ることを特徴とする弾性変形可能な静電チャック。
1. A statically deformable silicone rubber which is used in combination with a support protrusion for supporting a back surface of a wafer, wherein the conductive silicone rubber is embedded in a cured product of a highly thermally conductive silicone rubber, and which can be elastically deformed in the vertical direction of the back surface of the wafer. An electric chuck, wherein the thermally conductive silicone rubber cured product has a thermal conductivity of 0.5 W / m · ° C. or more, and the conductive silicone rubber cured product has a thermal conductivity of 0.5 W / m · An elastically deformable electrostatic chuck having a volume specific resistivity of 1,000 Ω · cm or less at a temperature of at least ℃.
【請求項2】 硬化後の熱伝導率が、0.5W/m・℃
以上となる高熱伝導性シリコーンゴムコンパウンドの未
硬化シート状プレフォーム上に、熱伝導率が0.5W/
m・℃以上であると共に体積固有抵抗率が1,000Ω
・cm以下である電極として機能するシリコーンゴムパ
ウンドの未硬化シート状プレフォーム又はシート状硬化
物を設置した後熱加圧して一体同時成型し、次いで、硬
化した、又は、予め硬化していた前記電極上に未硬化シ
ート状プレフォームを設置した後、熱加圧して一体同時
成型することを特徴とする、請求項1に記載された弾性
変形可能な静電チャックの製造方法。
2. The heat conductivity after curing is 0.5 W / m · ° C.
On the uncured sheet preform of the high thermal conductive silicone rubber compound as described above, a thermal conductivity of 0.5 W /
m · ℃ or higher and volume resistivity is 1,000Ω
Cm or less, an uncured sheet-shaped preform or a sheet-shaped cured product of a silicone rubber compound functioning as an electrode that is not more than cm is placed, and then heat-pressed and integrally molded simultaneously, and then cured, or previously cured. The method for manufacturing an elastically deformable electrostatic chuck according to claim 1, wherein an uncured sheet-shaped preform is placed on the electrode, and then heat pressed and integrally molded at the same time.
【請求項3】 未硬化シート状プレフォームが工程紙に
裏打ちされた状態で使用される、請求項2に記載された
弾性変形可能な静電チャックの製造方法。
3. The method for producing an elastically deformable electrostatic chuck according to claim 2, wherein the uncured sheet-like preform is used while being backed by process paper.
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