JP2000322780A - Stamper for information recording disk, its production, information recording disk and production of information recording disk - Google Patents
Stamper for information recording disk, its production, information recording disk and production of information recording diskInfo
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、ＣＤ−ＲＯＭやＤ
ＶＤ−ＲＯＭなどのように複数のピットを形成して情報
を記憶する情報記録ディスクおよび情報記録ディスク製
造方法、さらに、情報記録ディスクをプレス方式で製作
する際に用いる情報記録ディスク用スタンパーおよびス
タンパーの製造方法に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a CD-ROM
An information recording disk, such as a VD-ROM, for forming information and storing information by forming a plurality of pits, a stamper for an information recording disk, and a stamper for an information recording disk used when the information recording disk is manufactured by a press method. It relates to a manufacturing method.
【０００２】[0002]
【従来の技術】ＣＤ−ＲＯＭやＤＶＤ−ＲＯＭはピット
パターンをディスク上に形成して情報を記録するもので
あるが、これらの情報記録ディスクを製作する方法とし
ては、ピットパターンに対応する凹凸が形成された型を
用いて射出成形により製作する方法や、凹凸が形成され
たスタンパーを用いたプレス方式のものがある。プレス
方式の場合、スタンパーは以下のようにして作られてい
る。2. Description of the Related Art CD-ROMs and DVD-ROMs record information by forming a pit pattern on a disk, and the method of manufacturing such an information recording disk involves forming irregularities corresponding to the pit pattern. There are a method of manufacturing by injection molding using the formed mold, and a press method using a stamper with unevenness. In the case of the press method, the stamper is made as follows.
【０００３】まず、ガラス基板上に塗布されたフォトレ
ジストにレーザービームを照射してピットパターンを描
画する。このフォトレジストを現像するとフォトレジス
トにピットになる窪みが形成されるので、この凹凸面に
銀メッキを施し、その上にニッケル電鋳と呼ばれるニッ
ケルメッキを施す。その後、フォトレジスト、ガラス基
板を除去することによりメタルマスターと呼ばれる型を
製作する。通常、このメタルマスターを型にして、複数
のメタルマザーをニッケル電鋳により作成する。そし
て、複数のメタルマザーの内の１つを型に用いてニッケ
ル電鋳によりスタンパーを製作し、他のメタルマザーは
予備とする。ＣＤ−ＲＯＭをプレス製作するときには、
このスタンパーを加熱した透明プラスチックに押圧し
て、ピットパターンを透明プラスチックに成形転写す
る。First, a pit pattern is drawn by irradiating a laser beam onto a photoresist applied on a glass substrate. When the photoresist is developed, pits that become pits are formed in the photoresist. Therefore, the uneven surface is subjected to silver plating, and nickel plating called nickel electroforming is applied thereon. Then, a mold called a metal master is manufactured by removing the photoresist and the glass substrate. Usually, a plurality of metal mothers are formed by nickel electroforming using the metal master as a mold. A stamper is manufactured by nickel electroforming using one of the plurality of metal mothers as a mold, and the other metal mothers are used as spares. When making a CD-ROM by pressing,
The stamper is pressed against the heated transparent plastic to form and transfer the pit pattern to the transparent plastic.
【０００４】[0004]
【発明が解決しようとする課題】ところで、従来のＣＤ
−ＲＯＭのピットサイズは幅０．５μｍ、長さ０．９〜
３．３μｍであるが、ＣＤ−ＲＯＭの記憶容量の増大を
図るためには、より微細なピットパターンを形成する必
要があり、このような微細パターンに対応できるスタン
パーが必要となる。The conventional CD
-The pit size of the ROM is 0.5 μm in width and 0.9 in length.
Although it is 3.3 μm, it is necessary to form a finer pit pattern in order to increase the storage capacity of the CD-ROM, and a stamper that can cope with such a fine pattern is required.
【０００５】本発明の目的は、より微細なピットパター
ンを有する情報記録ディスク、および情報記録ディスク
製造方法、さらに情報記録ディスク用スタンパーおよび
スタンパーの製造方法を提供することにある。An object of the present invention is to provide an information recording disk having a finer pit pattern, a method of manufacturing the information recording disk, a stamper for the information recording disk, and a method of manufacturing the stamper.
【０００６】[0006]
【課題を解決するための手段】発明の実施の形態を示す
図１〜４に対応付けて説明する。 （１）図１に対応付けて説明すると、請求項１の発明
は、表面にピットを複数形成して情報を記録する情報記
録ディスクをプレス方式で製作する際に用いる情報記録
ディスク用スタンパーＳに適用され、ディスクのピット
パターンに対応する成形転写面Ｓ１を、過冷却液体温度
域を有するアモルファス合金としたことにより上述の目
的を達成する。 （２）請求項２の発明は、請求項１に記載の情報記録デ
ィスク用スタンパーの製造方法に適用され、ディスクの
ピットパターンに対応する凹凸面を、フォトリソグラフ
ィ法を用いてシリコン基板１に形成し、アモルファス合
金４を過冷却液体温度域に保ちつつシリコン基板１の凹
凸面に押圧して、アモルファス合金４に成型転写面Ｓ１
を形成することにより上述の目的を達成する。 （３）図２〜４に対応付けて説明すると、請求項３の発
明は、請求項１に記載の情報記録ディスク用スタンパー
Ｓを用いた情報記録ディスク製造方法であって、情報記
録ディスクの記録層を過冷却液体温度域を有する第１の
アモルファス合金１４ａで構成するとともに、スタンパ
ーＳの成形転写面Ｓ１を第１のアモルファス合金１４ａ
より高いガラス遷移温度Ｔｇ（Ｓ）を有する第２のアモ
ルファス合金で構成し、記録層を第１のアモルファス合
金１４ａの過冷却液体温度域であって第２のアモルファ
ス合金のガラス遷移温度Ｔｇ（Ｓ）より低い温度（図４
の符号ΔＴａで示す温度域の温度）に保ちつつ成形転写
面Ｓ１に押圧して、記録層にピットパターンを形成する
ことにより上述の目的を達成する。 （４）図３に対応付けて説明すると、請求項４の発明
は、表面にピットを複数形成して情報を記録する情報記
録ディスクに適用され、ピットが形成される記録層を過
冷却液体温度域を有するアモルファス合金１４としたこ
とにより上述の目的を達成する。An embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. (1) According to FIG. 1, the invention of claim 1 is directed to an information recording disk stamper S used when an information recording disk for recording information by forming a plurality of pits on the surface is manufactured by a press method. The above-mentioned object is achieved by applying the forming transfer surface S1 corresponding to the pit pattern of the disc to an amorphous alloy having a supercooled liquid temperature range. (2) The invention according to claim 2 is applied to the method of manufacturing a stamper for an information recording disk according to claim 1, wherein an uneven surface corresponding to a pit pattern of the disk is formed on the silicon substrate 1 using a photolithography method. Then, while maintaining the amorphous alloy 4 in the supercooled liquid temperature range, the amorphous alloy 4 is pressed against the concave and convex surface of the silicon substrate 1 so that
The above-mentioned object is achieved by forming. (3) The invention according to claim 3 is an information recording disk manufacturing method using the information recording disk stamper S according to claim 1, wherein the information recording disk recording method comprises: The layer is made of a first amorphous alloy 14a having a supercooled liquid temperature range, and the molding transfer surface S1 of the stamper S is formed on the first amorphous alloy 14a.
The recording layer is made of a second amorphous alloy having a higher glass transition temperature Tg (S), and the recording layer is in a supercooled liquid temperature range of the first amorphous alloy 14a and has a glass transition temperature Tg (S) of the second amorphous alloy. ) Lower temperature (Figure 4)
The above object is achieved by forming a pit pattern on the recording layer by pressing against the molding transfer surface S1 while maintaining the temperature in the temperature range indicated by the symbol ΔTa). (4) Explained in connection with FIG. 3, the invention of claim 4 is applied to an information recording disk in which a plurality of pits are formed on the surface to record information, and the recording layer where the pits are formed is supercooled liquid temperature The above object is achieved by using the amorphous alloy 14 having a region.
【０００７】なお、本発明の構成を説明する上記課題を
解決するための手段の項では、本発明を分かり易くする
ために発明の実施の形態の図を用いたが、これにより本
発明が発明の実施の形態に限定されるものではない。[0007] In the section of the means for solving the above-mentioned problems, which explains the configuration of the present invention, the drawings of the embodiments of the present invention are used to make the present invention easy to understand. However, the present invention is not limited to the embodiment.
【０００８】[0008]
【発明の実施の形態】以下、図１〜４を参照して本発明
の実施の形態を説明する。本発明者はアモルファス合金
の研究を行った結果、ある種のアモルファス合金では特
定の温度領域（過冷却液体温度域と呼ばれる）において
超塑性的な挙動を示し、優れた微細成形（微細形状転
写）特性を有するということを見出した。このようなア
モルファス合金の例としては、Ｚｒ基（ジルコニア系）
アモルファス合金、Ｌａ基（ランタン系）アモルファス
合金やＰｄ基（パラジウム系）アモルファス合金などが
ある。これらのアモルファス合金は、ガラス遷移温度
（Ｔｇ点）が結晶化点（Ｔｘ点）より低温側に存在し、
明確な過冷却液体温度域ΔＴｘ（＝Ｔｘ−Ｔｇ）が存在
する。この過冷却液体温度域ΔＴｘはＺｒ基やＰｄ基で
約１００Ｋ、Ｌａ基アモルファス合金で約８０Ｋにもお
よぶ。これらのアモルファス合金は、過冷却液体温度域
では粘性が１０11Ｐａ・ｓ以下に低下し、その状態から
再び冷却すると元のアモルファス状態に戻ることが確認
されており、過冷却液体状態下で優れた微細成形特性を
有している。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS An embodiment of the present invention will be described below with reference to FIGS. The present inventor has conducted studies on amorphous alloys. As a result, certain types of amorphous alloys exhibit superplastic behavior in a specific temperature range (called a supercooled liquid temperature range), and have excellent fine forming (fine shape transfer). It has been found that it has characteristics. Examples of such an amorphous alloy include a Zr-based (zirconia-based) alloy.
There are amorphous alloys, La-based (lanthanum-based) amorphous alloys, Pd-based (palladium-based) amorphous alloys, and the like. These amorphous alloys have a glass transition temperature (Tg point) lower than a crystallization point (Tx point),
There is a clear supercooled liquid temperature range ΔTx (= Tx−Tg). The supercooled liquid temperature range ΔTx is about 100K for Zr-based or Pd-based and about 80K for La-based amorphous alloy. It has been confirmed that the viscosity of these amorphous alloys drops to 10 11 Pa · s or less in the supercooled liquid temperature range and returns to the original amorphous state when cooled again from that state. It has fine molding characteristics.
【０００９】本実施の形態では、このようなアモルファ
ス合金の成形特性を利用して、上述した情報記録ディス
ク用スタンパーの成型転写面（ピットパターンに対応す
る凹凸形状を有する面）をアモルファス合金で形成する
ようにした。なお、以下では、耐食性および流動特性に
優れる４元系Ｐｄ基アモルファス合金（４元系Ｐｄ40Ｃ
ｕ30Ｎｉ10Ｐ20アモルファス合金）を用いたスタンパー
を例に説明する。In the present embodiment, the molding transfer surface (the surface having an irregular shape corresponding to the pit pattern) of the stamper for an information recording disk is formed of an amorphous alloy by utilizing such molding characteristics of the amorphous alloy. I did it. Hereinafter, a quaternary Pd-based amorphous alloy (quaternary Pd 40 C) having excellent corrosion resistance and flow characteristics will be described.
The stamper with u 30 Ni 10 P 20 amorphous alloy) will be described as an example.
【００１０】４元系Ｐｄ40Ｃｕ30Ｎｉ10Ｐ20アモルファ
ス合金はガラス遷移温度Ｔｇ＝５７７Ｋ、結晶化温度Ｔ
ｘ＝６７３Ｋであり、過冷却液体温度域ΔＴｘ＝９６Ｋ
という広い過冷却液体温度域を有している。液体急冷法
で作成したアモルファス試験片（直径２mm、高さ４mm）
を用いて、このＰｄ基アモルファス合金の巨視的変形特
性を応力急変法による高温圧縮試験により調べた。ここ
で、超塑性現象の示性式（１）を用いて試験結果を調べ
ると、Ｐｄ基アモルファス合金は過冷却液体温度域にお
いて歪速度感受性指数ｍがｍ＝１．０となり、ニュート
ン粘性流動特性を示すことが明らかとなった。A quaternary Pd 40 Cu 30 Ni 10 P 20 amorphous alloy has a glass transition temperature Tg = 577 K and a crystallization temperature T
x = 673K, supercooled liquid temperature range ΔTx = 96K
A wide supercooled liquid temperature range. Amorphous test specimen prepared by liquid quenching method (diameter 2mm, height 4mm)
, The macroscopic deformation characteristics of this Pd-based amorphous alloy were examined by a high-temperature compression test by a sudden stress change method. Here, when the test results are examined using the superplasticity phenomena (1), the strain rate sensitivity index m of the Pd-based amorphous alloy is m = 1.0 in the supercooled liquid temperature range, and the Newtonian viscous flow characteristic is obtained. It became clear that it showed.
【数１】 (Equation 1)
【００１１】次いで、Ｐｄ基アモルファス合金を用いた
ＣＤ−ＲＯＭ用スタンパーの製造方法について説明す
る。なお、この製造法はＤＶＤ−ＲＯＭ用のスタンパー
についても全く同様である。図１はスタンパーの製作手
順を示す図であり、（ａ）〜（ｄ）の工程はスタンパー
作成用のマザーダイ（上述したメタルマザーに対応す
る）の製造手順を示し、（ｅ），（ｆ）の工程はスタン
パーの製造手順を示す。Next, a method of manufacturing a stamper for CD-ROM using a Pd-based amorphous alloy will be described. This manufacturing method is exactly the same for a DVD-ROM stamper. FIG. 1 is a view showing a procedure for manufacturing a stamper. Steps (a) to (d) show a procedure for manufacturing a mother die (corresponding to the above-described metal mother) for producing a stamper, and (e) and (f). The step (1) shows a stamper manufacturing procedure.
【００１２】まず、図１（ａ）に示すように、熱酸化
法、ＣＶＤ法等によりシリコン（Ｓｉ）基板１に酸化膜
（ＳｉＯ2）２を形成する。次に、ＳｉＯ2膜２上にフォ
トレジスト３を塗布した後に、電子ビームリソグラフィ
によりＣＤ−ＲＯＭのピットパターンを描画する。従来
のＣＤ−ＲＯＭのピットは幅寸法が０．５μｍである
が、本実施の形態の製造方法によれば、ピットの幅寸法
を０．１μｍ程度にすることができる。ピットパターン
が描画されたフォトレジスト３の現像処理を行うと、図
１（ｂ）のようなレジストパターンが形成される。な
お、ナノメートルオーダーのパターンを形成するために
はレジスト３の膜厚は薄い方が良く、例えば、０．１μ
ｍのレジスト３を形成する。なお、リソグラフィに電子
ビームを用いたが、イオンビームなどの荷電粒子ビーム
を用いても良く、また、ピット寸法によってはレーザビ
ームでも良い。First, as shown in FIG. 1A, an oxide film (SiO 2 ) 2 is formed on a silicon (Si) substrate 1 by a thermal oxidation method, a CVD method, or the like. Next, after a photoresist 3 is applied on the SiO 2 film 2, a pit pattern of a CD-ROM is drawn by electron beam lithography. Conventional CD-ROM pits have a width of 0.5 μm, but according to the manufacturing method of the present embodiment, the pit width can be reduced to about 0.1 μm. When the photoresist 3 on which the pit pattern is drawn is developed, a resist pattern as shown in FIG. 1B is formed. In order to form a pattern on the order of nanometers, the thickness of the resist 3 is preferably thin, for example, 0.1 μm.
An m resist 3 is formed. Although an electron beam is used for lithography, a charged particle beam such as an ion beam may be used, and a laser beam may be used depending on the pit size.
【００１３】次に、レジスト３をマスクとして、緩衝Ｈ
Ｆを用いた等方性エッチングによりＳｉＯ2膜２をエッ
チングする（図１（ｃ））。ＳｉＯ2膜２のエッチング
方法については、上述したようなウェットエッチングの
他にＲＩＥ（リアクティブイオンエッチング）などのド
ライエッチング法を用いても良く、より微細なパターン
をエッチングすることができる。その後、レジスト３を
除去すると、図１（ｄ）に示すようにピットパターンが
ＳｉＯ2膜２に形成される。このようにしてＳｉ基板を
用いたマザーダイが出来上がる。Next, using the resist 3 as a mask, the buffer H
The SiO 2 film 2 is etched by isotropic etching using F (FIG. 1C). As an etching method of the SiO 2 film 2, a dry etching method such as RIE (reactive ion etching) may be used in addition to the above-described wet etching, and a finer pattern can be etched. Thereafter, when the resist 3 is removed, a pit pattern is formed on the SiO 2 film 2 as shown in FIG. Thus, a mother die using the Si substrate is completed.
【００１４】次いで、真空高温チャンバ（図示せず）内
において、図１（ｅ）に示すように、マザーダイの凹凸
面にＰｄ基アモルファス合金製の薄膜または板（以下で
は、単にアモルファス合金と呼ぶことにする）４を被
せ、所定の荷重で押圧してインプリント成形する。薄膜
を用いる場合、膜厚はピットを形成するに充分な厚さが
あれば良く、例えば５０μｍ程度にすれば良い。また、
押圧方法としては、例えば、図１（ｅ）に示すものを図
示上下から２枚の圧板で挟みプレスする方法がある。こ
れにより、マザーダイの凹凸形状をアモルファス合金４
の表面に転写する。このときの成形条件は、Ｐｄ基アモ
ルファス合金の場合には成形時間１０００sec、応力１
０ＭＰａ、成形温度６４０Ｋであり、アモルファス合金
４の粘性が低くなる過冷却液体温度域において成形を行
う。ただし、この条件は一例であって、ピット寸法や凹
凸形状等に応じて最適な成形性が得られるように、時
間、応力、温度が設定される。Next, in a vacuum high-temperature chamber (not shown), as shown in FIG. 1E, a thin film or plate made of a Pd-based amorphous alloy (hereinafter simply referred to as an amorphous alloy) is formed on the uneven surface of the mother die. 4) and press with a predetermined load to perform imprint molding. When a thin film is used, it is sufficient that the film has a thickness enough to form pits, for example, about 50 μm. Also,
As a pressing method, for example, there is a method in which the one shown in FIG. 1E is sandwiched between two pressing plates from above and below and pressed. As a result, the uneven shape of the mother die can be changed to amorphous alloy 4
Transfer to the surface. The molding conditions at this time are as follows: a Pd-based amorphous alloy has a molding time of 1000 sec,
Molding is performed in a supercooled liquid temperature region where the pressure of the amorphous alloy 4 is low, at 0 MPa and a molding temperature of 640K. However, this condition is merely an example, and time, stress, and temperature are set so that optimum formability can be obtained according to the pit size, uneven shape, and the like.
【００１５】その後、アモルファス合金４をマザーダイ
から剥離する。アモルファス合金４に薄膜を用いる場合
には、アモルファス合金４をスタンパー用支持材６に接
合して図１（ｆ）に示すようなスタンパーＳが完成す
る。Ｓ１はスタンパーＳの成形転写面であり、ピットパ
ターンが形成されている。なお、上述した説明では、ア
モルファス合金４に成形転写面Ｓ１を形成した後に支持
材６に接合したが、支持材６にアモルファス合金４を接
合した後に成形転写面Ｓ１を形成するようにしても良
い。Thereafter, the amorphous alloy 4 is peeled off from the mother die. When a thin film is used as the amorphous alloy 4, the amorphous alloy 4 is bonded to the stamper support member 6 to complete the stamper S as shown in FIG. S1 is a molding transfer surface of the stamper S, on which a pit pattern is formed. In the above description, the transfer surface S1 is formed on the amorphous alloy 4 and then joined to the support member 6. However, the transfer surface S1 may be formed after the amorphous alloy 4 is joined to the support member 6. .
【００１６】図２は、スタンパーＳを用いたＣＤ−ＲＯ
Ｍの製造手順を示す図である。まず、ＣＤ−ＲＯＭの基
板材である透明プラスチック（例えば、ポリカーボネー
ト）ＰＣを加熱して、図２（ａ）のようにスタンパーＳ
でプレスする。その結果、透明プラスチック基板にピッ
トパターンが成形転写される。次に、成形面ＰＣ１にア
ルミ蒸着膜などの反射膜Ｒを形成し（図２（ｂ））、さ
らにその上にプラスチックの保護膜５を形成してＣＤ−
ＲＯＭが出来上がる（図２（ｃ））。FIG. 2 shows a CD-RO using a stamper S.
It is a figure showing the manufacturing procedure of M. First, a transparent plastic (for example, polycarbonate) PC which is a substrate material of a CD-ROM is heated, and a stamper S is formed as shown in FIG.
Press with As a result, the pit pattern is formed and transferred to the transparent plastic substrate. Next, a reflective film R such as an aluminum vapor-deposited film is formed on the molding surface PC1 (FIG. 2B), and a plastic protective film 5 is further formed thereon to form a CD-ROM.
The ROM is completed (FIG. 2C).
【００１７】上述したように、本実施の形態によるスタ
ンパーの製造方法では、電子ビームリソグラフィ法を用
いてＳｉ基板上にピットパターンを形成してマザーダイ
を作成し、そのマザーダイのピットパターンを、過冷却
液体温度域において粘性の低いアモルファス合金に成形
転写してスタンパーとしているため、微細なピットパタ
ーンをスタンパーの成形転写面に精度良く形成すること
ができる。そして、このスタンパーを用いることによ
り、より微細なピット（ナノオーダーのピットパター
ン）から成る高容量のＣＤ−ＲＯＭを製作することが可
能となる。また、上述したアモルファス合金は優れた微
細成形特性を有するとともに、比較的低荷重下で成形を
行えるという特徴を有している。As described above, in the stamper manufacturing method according to the present embodiment, a mother die is formed by forming a pit pattern on a Si substrate using electron beam lithography, and the pit pattern of the mother die is supercooled. Since the stamper is formed by transferring to a low-viscosity amorphous alloy in a liquid temperature range, a fine pit pattern can be accurately formed on the transfer surface of the stamper. By using this stamper, a high-capacity CD-ROM comprising finer pits (pit patterns on the order of nanometers) can be manufactured. In addition, the above-mentioned amorphous alloy has excellent fine forming characteristics and has a feature that it can be formed under a relatively low load.
【００１８】なお、上述した実施の形態ではアモルファ
ス合金によりＣＤ−ＲＯＭ製作用スタンパーを製作した
が、Ｓｉ基板でマザーダイを形成して、そのマザーダイ
のパターンをアモルファス合金にインプリント成形する
ことにより、アモルファス合金のＣＤ−ＲＯＭやＤＶＤ
−ＲＯＭを製作するようにしても良い。また、ＣＤ−Ｒ
ＯＭやＤＶＤ−ＲＯＭなどの情報記録ディスクやそのス
タンパーだけでなく、例えばマイクロマシン用部材など
も上述したアモルファス合金を成形加工して作成するこ
とができる。In the above-described embodiment, the stamper for producing a CD-ROM is manufactured from an amorphous alloy. However, a mother die is formed on a Si substrate, and the pattern of the mother die is imprint-molded on the amorphous alloy. Alloy CD-ROM and DVD
-A ROM may be manufactured. CD-R
Not only an information recording disk such as an OM or a DVD-ROM and its stamper, but also a member for a micromachine, for example, can be formed by molding the above-mentioned amorphous alloy.
【００１９】図３はアモルファス合金を用いたＣＤ−Ｒ
ＯＭの製造手順の概略を示す図である。図３（ａ）はマ
ザーダイを示す図であり、Ｓｉ基板１０上にＳｉＯ2膜
１２が形成されており、ＳｉＯ2膜１２にはピットパタ
ーン（図１（ｄ）とは逆のパターン））が形成されてい
る。なお、図３（ａ）に示すマザーダイの製造手順は、
図１（ａ）〜図１（ｄ）に示した手順と同様なので説明
を省略する。図３（ａ）のマザーダイを形成したら、図
３（ｂ）に示すようにマザーダイの凹凸面にアモルファ
ス合金（Ｐｄ基アモルファス合金製の薄膜や板）１４を
被せ、所定の荷重で押圧してインプリント成形する。そ
の後、アモルファス合金１４をマザーダイから剥離し、
ピットが形成された面に反射膜１５を形成し、さらに透
明プラスチックの保護膜１６ａ，１６ｂを形成する。FIG. 3 shows a CD-R using an amorphous alloy.
It is a figure which shows the outline of the manufacturing procedure of OM. FIG. 3A shows a mother die in which a SiO 2 film 12 is formed on a Si substrate 10 and a pit pattern (a pattern opposite to that of FIG. 1D) is formed on the SiO 2 film 12. Is formed. The procedure for manufacturing the mother die shown in FIG.
The procedure is the same as that shown in FIGS. After the mother die shown in FIG. 3A is formed, an amorphous alloy (a thin film or plate made of a Pd-based amorphous alloy) 14 is put on the uneven surface of the mother die as shown in FIG. Print molding. After that, the amorphous alloy 14 is peeled off from the mother die,
The reflective film 15 is formed on the surface on which the pits are formed, and the protective films 16a and 16b made of transparent plastic are further formed.
【００２０】図３に示した例では、シリコン基板上にＳ
ｉＯ2膜によるピットパターンを形成したマザーダイを
用いてアモルファス合金１４を成形したが、図３（ａ）
に示すマザーダイに代えて、図１（ｆ）のアモルファス
合金製スタンパーＳを用いてアモルファス合金１４を成
形するようにしても良い。成形の手順は図３に示す手順
と同様なので説明を省略するが、スタンパーＳおよびア
モルファス合金１４には異なる種類のアモルファス合金
が用いられる。ここで、スタンパー用アモルファス合金
のガラス遷移温度および結晶化温度をそれぞれＴｇ
（Ｓ）、Ｔｘ（Ｓ）と表し、ＣＤ−ＲＯＭ用アモルファ
ス合金１４のガラス遷移温度および結晶化温度をそれぞ
れＴｇ（１４）、Ｔｘ（１４）と表すことにすると、Ｔ
ｇ（Ｓ）＞Ｔｇ（１４）を満たすようにそれぞれのアモ
ルファス合金を選択する。In the example shown in FIG. 3, S
The amorphous alloy 14 was formed using a mother die having a pit pattern formed of an iO 2 film.
The amorphous alloy 14 may be formed by using an amorphous alloy stamper S shown in FIG. 1F instead of the mother die shown in FIG. Since the forming procedure is the same as that shown in FIG. 3, the description will be omitted, but different types of amorphous alloys are used for the stamper S and the amorphous alloy 14. Here, the glass transition temperature and the crystallization temperature of the amorphous alloy for a stamper are respectively represented by Tg
(S) and Tx (S), and the glass transition temperature and the crystallization temperature of the amorphous alloy 14 for CD-ROM are represented by Tg (14) and Tx (14), respectively.
Each amorphous alloy is selected so as to satisfy g (S)> Tg (14).
【００２１】図４は成形加工時の成形加工温度域を説明
する図であり、ＣＤ−ＲＯＭ用アモルファス合金につい
ては２種類（それぞれ、符号１４ａ、１４ｂで表す）の
ものを示した。アモルファス合金１４ａの場合には、結
晶化温度Ｔｘ（１４ａ）がスタンパー用アモルファス合
金のガラス遷移温度Ｔｇ（Ｓ）より低温側にあり、成形
時の成形加工温度域ΔＴａはアモルファス合金１４ａの
過冷却液体温度域ΔＴｘ（１４ａ）＝Ｔｘ（１４ａ）−
Ｔｇ（１４ａ）と等しくなる。FIG. 4 is a diagram for explaining a forming temperature range during forming. Two kinds of amorphous alloys for CD-ROM (represented by reference numerals 14a and 14b) are shown. In the case of the amorphous alloy 14a, the crystallization temperature Tx (14a) is lower than the glass transition temperature Tg (S) of the amorphous alloy for a stamper, and the forming temperature range ΔTa at the time of forming is a supercooled liquid of the amorphous alloy 14a. Temperature range ΔTx (14a) = Tx (14a) −
Tg (14a).
【００２２】一方、アモルファス合金１４ｂの場合に
は、結晶化温度Ｔｘ（１４ｂ）がスタンパー用アモルフ
ァス合金のガラス遷移温度Ｔｇ（Ｓ）より高温側にある
ため、成形加工温度域ΔＴｂはΔＴｂ＝Ｔｇ（Ｓ）−Ｔ
ｇ（１４ｂ）となり、アモルファス合金１４ｂの過冷却
液体温度域ΔＴｘ（１４ｂ）＝Ｔｘ（１４ｂ）−Ｔｇ
（１４ｂ）より温度範囲が狭くなる。On the other hand, in the case of the amorphous alloy 14b, since the crystallization temperature Tx (14b) is higher than the glass transition temperature Tg (S) of the amorphous alloy for a stamper, the forming temperature range ΔTb is ΔTb = Tg ( S) -T
g (14b), and the supercooled liquid temperature range of the amorphous alloy 14b ΔTx (14b) = Tx (14b) −Tg
The temperature range becomes narrower than (14b).
【００２３】上述した実施の形態と特許請求の範囲の要
素との対応において、アモルファス合金１４ａは第１の
アモルファス合金を、ガラス遷移温度Ｔｇ（Ｓ）は第２
のアモルファス合金のガラス遷移温度をそれぞれ構成す
る。In the correspondence between the above embodiment and the elements of the claims, the amorphous alloy 14a is the first amorphous alloy, and the glass transition temperature Tg (S) is the second amorphous alloy.
Respectively constitute the glass transition temperature of the amorphous alloy.
【００２４】[0024]
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
アモルファス合金は過冷却液体温度域において粘度が低
いため微細成形性が良く、ナノメートルオーダの微細ピ
ットパターンに充分対応できる情報記録ディスク用スタ
ンパーが得られる。請求項２の発明では、リソグラフィ
法を使用してシリコン基板に微細なピットパターンを形
成し、そのシリコン基板に形成されたピットパターンを
アモルファス合金に成形転写しているので、従来より微
細なピットパターンをスタンパーに形成することができ
る。そして、このようなスタンパーを用いることによ
り、微細パターンを有する高容量の情報記録ディスクを
製作することが可能となる。請求項３および４の発明で
は、ピットが形成される記録層に過冷却液体温度域を有
するアモルファス合金を用いているので、微細なピット
パターンを形成することができ、高容量の情報記録ディ
スクを製作することができる。As described above, according to the present invention,
Since the amorphous alloy has a low viscosity in a supercooled liquid temperature range, it has good fine formability, and a stamper for an information recording disk which can sufficiently cope with a fine pit pattern on the order of nanometers is obtained. According to the second aspect of the present invention, a fine pit pattern is formed on a silicon substrate using a lithography method, and the pit pattern formed on the silicon substrate is molded and transferred to an amorphous alloy. Can be formed on the stamper. By using such a stamper, a high-capacity information recording disk having a fine pattern can be manufactured. According to the third and fourth aspects of the present invention, since a recording layer on which pits are formed is made of an amorphous alloy having a supercooled liquid temperature range, a fine pit pattern can be formed, and a high-capacity information recording disk can be obtained. Can be manufactured.
【図１】スタンパーの製作手順を示す図であり、（ａ）
〜（ｄ）の工程はスタンパー作成用のマザーダイの製造
手順を示し、（ｅ），（ｆ）の工程はスタンパーの製造
手順を示す。FIG. 1 is a view showing a manufacturing procedure of a stamper, and FIG.
Steps (d) to (d) show the procedure for manufacturing a mother die for producing a stamper, and steps (e) and (f) show the procedure for manufacturing a stamper.
【図２】スタンパーＳを用いたＣＤ−ＲＯＭの製造手順
を示す図であり、（ａ）〜（ｃ）は各工程を示す。FIGS. 2A to 2C are diagrams showing a manufacturing procedure of a CD-ROM using a stamper S, wherein FIGS.
【図３】アモルファス合金を用いたＣＤ−ＲＯＭの製造
手順を示す図であり、（ａ）〜（ｃ）は各工程を示す。FIG. 3 is a diagram showing a manufacturing procedure of a CD-ROM using an amorphous alloy, wherein (a) to (c) show respective steps.
【図４】成形加工時の成形加工温度域を説明する図。FIG. 4 is a diagram illustrating a forming temperature range during forming.
１，１０ シリコン基板 ２，１２ ＳｉＯ2膜 ３ フォトレジスト ４，１４，１４ａ，１４ｂ アモルファス合金 Ｓ スタンパー Ｓ１ 成形転写面1,10 silicon substrate 2,12 SiO 2 film 3 photoresist 4,14,14a, 14b amorphous alloy S stamper S1 molding transfer surface
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 5D029 JA01 JB26 5D121 AA01 CA05 CB03 EE26 ──────────────────────────────────────────────────続 き The continuation of the front page F term (reference) 5D029 JA01 JB26 5D121 AA01 CA05 CB03 EE26
Claims (4)
する情報記録ディスクをプレス方式で製作する際に用い
る情報記録ディスク用スタンパーにおいて、 前記ディスクのピットパターンに対応する成形転写面
を、過冷却液体温度域を有するアモルファス合金とした
ことを特徴とする情報記録ディスク用スタンパー。1. A stamper for an information recording disk used when manufacturing an information recording disk for recording information by forming a plurality of pits on a surface by a press method, wherein a molding transfer surface corresponding to a pit pattern of the disk is overprinted. An information recording disk stamper characterized by being made of an amorphous alloy having a cooling liquid temperature range.
タンパーの製造方法において、 前記ディスクのピットパターンに対応する凹凸面を、フ
ォトリソグラフィ法を用いてシリコン基板に形成し、 前記アモルファス合金を前記過冷却液体温度域に保ちつ
つ前記シリコン基板の凹凸面に押圧して、前記アモルフ
ァス合金に前記成型転写面を形成することを特徴とする
情報記録ディスク用スタンパーの製造方法。2. The method of manufacturing an information recording disk stamper according to claim 1, wherein an uneven surface corresponding to a pit pattern of the disk is formed on a silicon substrate using a photolithography method. A method for manufacturing a stamper for an information recording disk, wherein the mold transfer surface is formed on the amorphous alloy by pressing against the uneven surface of the silicon substrate while maintaining a supercooled liquid temperature range.
タンパーを用いた情報記録ディスク製造方法であって、 情報記録ディスクの記録層を過冷却液体温度域を有する
第１のアモルファス合金で構成するとともに、前記スタ
ンパーの成形転写面を前記第１のアモルファス合金より
高いガラス遷移温度を有する第２のアモルファス合金で
構成し、 前記記録層を前記第１のアモルファス合金の過冷却液体
温度域であって前記第２のアモルファス合金のガラス遷
移温度より低い温度に保ちつつ前記成形転写面に押圧し
て、前記記録層にピットパターンを形成することを特徴
とする情報記録ディスク製造方法。3. A method for manufacturing an information recording disk using the stamper for an information recording disk according to claim 1, wherein the recording layer of the information recording disk is made of a first amorphous alloy having a supercooled liquid temperature range. And forming the transfer surface of the stamper with a second amorphous alloy having a higher glass transition temperature than that of the first amorphous alloy, wherein the recording layer is a supercooled liquid temperature range of the first amorphous alloy. A method for manufacturing an information recording disk, wherein a pit pattern is formed on the recording layer by pressing against the molding transfer surface while keeping the temperature lower than the glass transition temperature of the second amorphous alloy.
する情報記録ディスクにおいて、 前記ピットが形成される記録層を過冷却液体温度域を有
するアモルファス合金としたことを特徴とする情報記録
ディスク。4. An information recording disk for recording information by forming a plurality of pits on a surface thereof, wherein the recording layer on which the pits are formed is made of an amorphous alloy having a supercooled liquid temperature range. .
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