JP2000321424A - 偏波解消素子及びその作製方法 - Google Patents
偏波解消素子及びその作製方法Info
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- JP2000321424A JP2000321424A JP12763299A JP12763299A JP2000321424A JP 2000321424 A JP2000321424 A JP 2000321424A JP 12763299 A JP12763299 A JP 12763299A JP 12763299 A JP12763299 A JP 12763299A JP 2000321424 A JP2000321424 A JP 2000321424A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 光ファイバや光導波路に数ミクロンから数1
0ミクロンの溝を設けてその溝に挿入可能な偏波解消素
子を得る。ロスが低く、かつアライメントを再調整する
ことない偏波解消素子を得る。 【解決手段】 板面内の光路長がランダムに分布する液
晶板で少なくとも構成されてなる偏波解消素子である。
また、板面内の光路長がランダムに分布する液晶板の2
個を、当該液晶板の液晶配向が直交するように配置した
偏波解消素子である。また、前記偏波解消素子におい
て、液晶板はフィルム状である。また、前記液晶板は液
晶骨格とアクリロイルオキシ基の間にメチレンスペーサ
を持たない液晶性モノアクリレートを少なくとも有する
液晶を備えている。
0ミクロンの溝を設けてその溝に挿入可能な偏波解消素
子を得る。ロスが低く、かつアライメントを再調整する
ことない偏波解消素子を得る。 【解決手段】 板面内の光路長がランダムに分布する液
晶板で少なくとも構成されてなる偏波解消素子である。
また、板面内の光路長がランダムに分布する液晶板の2
個を、当該液晶板の液晶配向が直交するように配置した
偏波解消素子である。また、前記偏波解消素子におい
て、液晶板はフィルム状である。また、前記液晶板は液
晶骨格とアクリロイルオキシ基の間にメチレンスペーサ
を持たない液晶性モノアクリレートを少なくとも有する
液晶を備えている。
Description
【0001】
【発明が属する技術分野】本発明は、光ファイバ、光導
波路、自由空間の光偏波の方向を自然光に近いランダム
な状態に変換して、偏波依存性を解消する素子及びその
作製方法に関するものである。
波路、自由空間の光偏波の方向を自然光に近いランダム
な状態に変換して、偏波依存性を解消する素子及びその
作製方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】従来の光デバイスには程度の差はあるも
のの、偏波依存性がある。例えば、光デバイスの代表で
ある石英及び高分子導波路は、基板と導波路層の応力の
差によりロスの偏波依存性がある。また、可変波長フィ
ルタには偏波依存性の物が多い。例えば、液晶をファブ
リーペローエタロン内に充填した液晶可変波長フィルタ
は、液晶の平行な偏波に対してのみ、可変波長フィルタ
として動作する。また、誘電体フィルタを回転させるタ
イプの可変波長フィルタは回転とともに偏波による透過
波長が変化してくる。また、光変調器の代表であるLN
(LiNbO3)変調器は、LN結晶の光学異方性を利用
するため、基本的に偏波依存である。その他多くの光デ
バイスが偏波依存性を持つため、各種の偏波無依存化の
方策がある。
のの、偏波依存性がある。例えば、光デバイスの代表で
ある石英及び高分子導波路は、基板と導波路層の応力の
差によりロスの偏波依存性がある。また、可変波長フィ
ルタには偏波依存性の物が多い。例えば、液晶をファブ
リーペローエタロン内に充填した液晶可変波長フィルタ
は、液晶の平行な偏波に対してのみ、可変波長フィルタ
として動作する。また、誘電体フィルタを回転させるタ
イプの可変波長フィルタは回転とともに偏波による透過
波長が変化してくる。また、光変調器の代表であるLN
(LiNbO3)変調器は、LN結晶の光学異方性を利用
するため、基本的に偏波依存である。その他多くの光デ
バイスが偏波依存性を持つため、各種の偏波無依存化の
方策がある。
【0003】空間光ビームあるいはマルチモード光ファ
イバ、マルチモード導波路内で、偏波を解消するには、
偏波解消素子(デポラライザ)が有効である。光学異方
性結晶接合型デポラライザと呼ばれるものが代表的で、
基本原理は光が通過する断面において、その断面の場所
によって光路長を変えて、この断面を通る光の位相が0
から2π変化するように調整したものである。このデポ
ラライザはすでに各所から特許出願されている。以下に
列挙する。
イバ、マルチモード導波路内で、偏波を解消するには、
偏波解消素子(デポラライザ)が有効である。光学異方
性結晶接合型デポラライザと呼ばれるものが代表的で、
基本原理は光が通過する断面において、その断面の場所
によって光路長を変えて、この断面を通る光の位相が0
から2π変化するように調整したものである。このデポ
ラライザはすでに各所から特許出願されている。以下に
列挙する。
【0004】特願昭51−20625、特願昭51−3
1410(異方性結晶粒を使用したデポラライザ)、特
願昭55−84295(偏光解消素子)、特願昭55−
150057(消偏器)、特願昭57−104010
(自然光生成素子)、特願昭59−98846(偏光解
消板)、特願平1−3301(偏光解消装置)、特願平
1−3979(偏光解消素子)特願平3−29250
(偏波スクランブラ)、特願平4−42323(偏光解
消板)。
1410(異方性結晶粒を使用したデポラライザ)、特
願昭55−84295(偏光解消素子)、特願昭55−
150057(消偏器)、特願昭57−104010
(自然光生成素子)、特願昭59−98846(偏光解
消板)、特願平1−3301(偏光解消装置)、特願平
1−3979(偏光解消素子)特願平3−29250
(偏波スクランブラ)、特願平4−42323(偏光解
消板)。
【0005】この代表的偏光解消素子の構造を図11
(a)に示す。図11(a)において、30は入力光フ
ァイバ、31は入力光コリメートレンズ、32はコリメ
ートして広げられた光ビーム、33は偏光解消部分で、
33A,33Bは光学異方性を持つ透明結晶プリズム、
34は出力光コリメートレンズ、35は出力光ファイバ
である。入力光ファイバ30は、シングルモードファイ
バでもマルチモードファイバでもよいが、ロスを少なく
する場合には、シングルモードファイバが望ましい。ま
た、透明結晶プリズム33A,33Bのそれぞれは、例
えば、方解石、水晶、ルチル等を光学軸を90度回転し
て張り合わせたものであり、2つの透明結晶プリズム3
3A,33Bは、それぞれで対応する光学軸が互いに4
5度回転した状態で配置される。入力コリメートレンズ
31により広げられた光ビーム32は、入力時にはその
断面内で同じ位相であったのに対し、偏光解消部分33
の透明結晶プリズム33A,33Bを通過した後には、
その断面内の位置によって位相差が生じることになり、
偏波が拡散されたことになる。
(a)に示す。図11(a)において、30は入力光フ
ァイバ、31は入力光コリメートレンズ、32はコリメ
ートして広げられた光ビーム、33は偏光解消部分で、
33A,33Bは光学異方性を持つ透明結晶プリズム、
34は出力光コリメートレンズ、35は出力光ファイバ
である。入力光ファイバ30は、シングルモードファイ
バでもマルチモードファイバでもよいが、ロスを少なく
する場合には、シングルモードファイバが望ましい。ま
た、透明結晶プリズム33A,33Bのそれぞれは、例
えば、方解石、水晶、ルチル等を光学軸を90度回転し
て張り合わせたものであり、2つの透明結晶プリズム3
3A,33Bは、それぞれで対応する光学軸が互いに4
5度回転した状態で配置される。入力コリメートレンズ
31により広げられた光ビーム32は、入力時にはその
断面内で同じ位相であったのに対し、偏光解消部分33
の透明結晶プリズム33A,33Bを通過した後には、
その断面内の位置によって位相差が生じることになり、
偏波が拡散されたことになる。
【0006】この光ビームを出力光コリメートレンズ3
4で集光すると、1点には集光できない。この様子を図
11(b)に示す。図11(b)は、出力光ファイバ3
5の断面図であり、36は出力光ファイバ35のコア、
37は出力光ファイバ35のクラッド、38は出力光コ
リメートレンズ34で集光されたビームスポット、39
はビームスポット38の重なった部分である。出力光コ
リメートレンズ34で集光されたビームスポット38
は、1つのスポットに集光されず、図11(b)に示す
ように、3つのビームスポットとなり出力光ファイバ3
5から出力される。これは、光学異方性結晶33A,3
3Bのプリズム面での屈折率方向が異なるために1点に
集光できないのである。したがって、このビームスポッ
ト38を、出力光ファイバ35にできる限りロスが少な
く、カップリングさせるためには、出力光ファイバ35
にマルチモードファイバを用いるのが望ましい。シング
ルモードファイバでもよいが、その場合にはロスが大き
くなる。本構造をとる偏光解消素子のロスは0.5dB
以下であり、どのような偏波が入射しても、偏光度は±
1dB以内に納めることができる。
4で集光すると、1点には集光できない。この様子を図
11(b)に示す。図11(b)は、出力光ファイバ3
5の断面図であり、36は出力光ファイバ35のコア、
37は出力光ファイバ35のクラッド、38は出力光コ
リメートレンズ34で集光されたビームスポット、39
はビームスポット38の重なった部分である。出力光コ
リメートレンズ34で集光されたビームスポット38
は、1つのスポットに集光されず、図11(b)に示す
ように、3つのビームスポットとなり出力光ファイバ3
5から出力される。これは、光学異方性結晶33A,3
3Bのプリズム面での屈折率方向が異なるために1点に
集光できないのである。したがって、このビームスポッ
ト38を、出力光ファイバ35にできる限りロスが少な
く、カップリングさせるためには、出力光ファイバ35
にマルチモードファイバを用いるのが望ましい。シング
ルモードファイバでもよいが、その場合にはロスが大き
くなる。本構造をとる偏光解消素子のロスは0.5dB
以下であり、どのような偏波が入射しても、偏光度は±
1dB以内に納めることができる。
【0007】図12は、第2の偏光解消素子の構造を示
したものであり、30は入力光ファイバ、31は入力光
コリメートレンズ、32はコリメートして広げられた
光、34は出力光コリメートレンズ、35は出力光ファ
イバ、40は偏波解消部分であり、40A及び40B
は、光学異方性結晶(例えば方解石、水晶、ルチル等)
で表面を凹凸にしてある。光学異方性結晶40Aと40
Bは光学軸が90度回転している。40Cはこれらを接
着する接着剤であり、該光学結晶とほぼ同じ屈折率を持
つ。図12に示した第2の偏波解消素子も、前記第1の
偏光解消素子と同様の原理で偏光が解消される。
したものであり、30は入力光ファイバ、31は入力光
コリメートレンズ、32はコリメートして広げられた
光、34は出力光コリメートレンズ、35は出力光ファ
イバ、40は偏波解消部分であり、40A及び40B
は、光学異方性結晶(例えば方解石、水晶、ルチル等)
で表面を凹凸にしてある。光学異方性結晶40Aと40
Bは光学軸が90度回転している。40Cはこれらを接
着する接着剤であり、該光学結晶とほぼ同じ屈折率を持
つ。図12に示した第2の偏波解消素子も、前記第1の
偏光解消素子と同様の原理で偏光が解消される。
【0008】図13は、第3の偏光解消素子を示したも
ので、30は入力光ファイバ、31は入力光コリメート
レンズ、32はコリメートして広げられた光、34は出
力光コリメートレンズ、35は出力光ファイバ、42は
偏光解消部分で、42Aは光学異方性結晶(例えば方解
石、水晶、ルチル等)の粒、42Bは透明光学接着剤、
42Cは光学異方性結晶の粒42A、透明光学接着剤4
2Bを挟み屈折率がこれらと同じである透明板である。
図13に示した第3の偏光解消素子も前記第1の偏光解
消素子、第2の偏波解消素子と同様の原理により、偏光
を解消することが可能である。
ので、30は入力光ファイバ、31は入力光コリメート
レンズ、32はコリメートして広げられた光、34は出
力光コリメートレンズ、35は出力光ファイバ、42は
偏光解消部分で、42Aは光学異方性結晶(例えば方解
石、水晶、ルチル等)の粒、42Bは透明光学接着剤、
42Cは光学異方性結晶の粒42A、透明光学接着剤4
2Bを挟み屈折率がこれらと同じである透明板である。
図13に示した第3の偏光解消素子も前記第1の偏光解
消素子、第2の偏波解消素子と同様の原理により、偏光
を解消することが可能である。
【0009】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前記従
来の技術では、偏波解消部分に入力した光に位相差を持
たせるために入力光を広げ、偏波解消後再び光を集光す
るファイバコリメータが必要である。そのため、偏波解
消後に集光した際、広げられたビームが1点に集光でき
ずロスが大きいという問題があった。また、前記従来の
偏光解消素子(偏波解消素子)は、偏波(偏光)の解消
に光学異方性結晶を用いたバルク状のものであり、その
厚さは1mmから数cm以上で、フィルム化ができない
という問題があった。また、光導波路に偏波解消素子を
挿入するためには、光導波路に100ミクロン以下の細
い溝を設け、その溝の中に挿入する必要があるため、前
記従来の偏波解消素子を光導波路内に適用できないとい
う問題があった。また、高価な光学結晶を用いること、
装置が大型になること等の問題があった。
来の技術では、偏波解消部分に入力した光に位相差を持
たせるために入力光を広げ、偏波解消後再び光を集光す
るファイバコリメータが必要である。そのため、偏波解
消後に集光した際、広げられたビームが1点に集光でき
ずロスが大きいという問題があった。また、前記従来の
偏光解消素子(偏波解消素子)は、偏波(偏光)の解消
に光学異方性結晶を用いたバルク状のものであり、その
厚さは1mmから数cm以上で、フィルム化ができない
という問題があった。また、光導波路に偏波解消素子を
挿入するためには、光導波路に100ミクロン以下の細
い溝を設け、その溝の中に挿入する必要があるため、前
記従来の偏波解消素子を光導波路内に適用できないとい
う問題があった。また、高価な光学結晶を用いること、
装置が大型になること等の問題があった。
【0010】本発明の目的は、偏波解消素子を光ファイ
バ、光導波路、可変波長フィルタ等に用いる場合に、非
常に面積の小さなものから大きなものまで対応が可能な
偏波解消素子を提供することにある。本発明の他の目的
は、光ファイバや光導波路に数ミクロンから数10ミク
ロンの溝を設け、その溝に挿入することが可能な偏波解
消素子を提供することにある。本発明の他の目的は、光
ファイバや光導波路に数ミクロンから数10ミクロンの
溝を設け、その溝にロスが低く、かつアライメントを再
調整することなく挿入することが可能な偏波解消素子を
提供することにある。本発明の前記ならびにその他の目
的と新規な特徴は、本明細書の記述及び添付図面によっ
て明らかにする。
バ、光導波路、可変波長フィルタ等に用いる場合に、非
常に面積の小さなものから大きなものまで対応が可能な
偏波解消素子を提供することにある。本発明の他の目的
は、光ファイバや光導波路に数ミクロンから数10ミク
ロンの溝を設け、その溝に挿入することが可能な偏波解
消素子を提供することにある。本発明の他の目的は、光
ファイバや光導波路に数ミクロンから数10ミクロンの
溝を設け、その溝にロスが低く、かつアライメントを再
調整することなく挿入することが可能な偏波解消素子を
提供することにある。本発明の前記ならびにその他の目
的と新規な特徴は、本明細書の記述及び添付図面によっ
て明らかにする。
【0011】
【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
以下のとおりである。
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
以下のとおりである。
【0012】(1)板面内の光路長がランダムに分布す
る液晶板で少なくとも構成されてなる偏波解消素子であ
る。
る液晶板で少なくとも構成されてなる偏波解消素子であ
る。
【0013】(2)板面内の光路長がランダムに分布す
る液晶板の2個を、当該液晶板の液晶配向が直交するよ
うに配置した偏波解消素子である。
る液晶板の2個を、当該液晶板の液晶配向が直交するよ
うに配置した偏波解消素子である。
【0014】(3)前記手段(1)又は(2)の偏波解
消素子において、液晶板はフィルム状である。
消素子において、液晶板はフィルム状である。
【0015】(4)前記手段(1)乃至(3)のうちい
ずれか1つの偏波解消素子において、前記液晶板は液晶
骨格とアクリロイルオキシ基の間にメチレンスペーサを
持たない液晶性モノアクリレートを少なくとも有する液
晶を備える。
ずれか1つの偏波解消素子において、前記液晶板は液晶
骨格とアクリロイルオキシ基の間にメチレンスペーサを
持たない液晶性モノアクリレートを少なくとも有する液
晶を備える。
【0016】(5)基板上に光導波路コア部及び光導波
路クラッド部が設けられた高分子光導波路に、前記光導
波路コア部が切断されるように溝が設けられ、その溝
に、前記手段(1)乃至(4)のうちいずれか1つの偏
波解消素子が挿入されてなる光導波路である。
路クラッド部が設けられた高分子光導波路に、前記光導
波路コア部が切断されるように溝が設けられ、その溝
に、前記手段(1)乃至(4)のうちいずれか1つの偏
波解消素子が挿入されてなる光導波路である。
【0017】(6)シングルモード光ファイバに入力光
ファイバコリメータが設けられ、マルチモード光ファイ
バに出力光ファイバコリメータが設けられ、前記入力光
ファイバコリメータと前記出力光ファイバコリメータと
の間に、透明電極及び誘電体ミラー層が形成された基板
を向かい合わせにしたファブリーペローエタロン内に液
晶層を充填した液晶可変波長素子、及び前記手段(1)
乃至(4)のうちいずれか1つの偏波解消素子が設けら
れてなる可変波長フィルタである。
ファイバコリメータが設けられ、マルチモード光ファイ
バに出力光ファイバコリメータが設けられ、前記入力光
ファイバコリメータと前記出力光ファイバコリメータと
の間に、透明電極及び誘電体ミラー層が形成された基板
を向かい合わせにしたファブリーペローエタロン内に液
晶層を充填した液晶可変波長素子、及び前記手段(1)
乃至(4)のうちいずれか1つの偏波解消素子が設けら
れてなる可変波長フィルタである。
【0018】(7)板面内の光路長がランダムに分布す
るように形成された液晶板の2個を、当該液晶板の液晶
配向が直交するように配置した偏波解消素子の作製方法
であって、前記2個の偏波解消素子を、当該各偏波解消
素子の液晶分子の配向の方向を直交させて張り合わせる
偏波解消素子の作製方法である。
るように形成された液晶板の2個を、当該液晶板の液晶
配向が直交するように配置した偏波解消素子の作製方法
であって、前記2個の偏波解消素子を、当該各偏波解消
素子の液晶分子の配向の方向を直交させて張り合わせる
偏波解消素子の作製方法である。
【0019】(8)前記手段(7)の作製方法におい
て、前液晶層の骨格とアクリロイルオキシ基の間にメチ
レンスペーサがない液晶性モノアクリレートからなる紫
外線硬化型液晶をホモジニアス配向させた液晶を、微細
にパターニングした電極と全面べた透明電極を持つ基板
で挟み込んだ部分内に充填し、その後各微細分割電極
に、各電極に異なる電圧を印加し、この状態で紫外線を
照射して固体化して作製する。
て、前液晶層の骨格とアクリロイルオキシ基の間にメチ
レンスペーサがない液晶性モノアクリレートからなる紫
外線硬化型液晶をホモジニアス配向させた液晶を、微細
にパターニングした電極と全面べた透明電極を持つ基板
で挟み込んだ部分内に充填し、その後各微細分割電極
に、各電極に異なる電圧を印加し、この状態で紫外線を
照射して固体化して作製する。
【0020】(9)前記手段(8)の偏波解消素子の作
製方法において、前記微細電極のパターンをスライブ状
に分割する。
製方法において、前記微細電極のパターンをスライブ状
に分割する。
【0021】(10)前記手段(8)の偏波解消素子の
作製方法において、前記微細電極のパターンを放射状に
分割する。
作製方法において、前記微細電極のパターンを放射状に
分割する。
【0022】(11)前記手段(8)乃至(10)のう
ちいずれか1つの偏波解消素子の作製方法において、前
記パターン化した各電極に直列にコンデンサを設置し、
液晶層及びコンデンサに印加する電圧をモニタし、それ
ぞれの電圧をVLC,VRとし、それぞれの電極のa×V
LC/VR+bの値(a,bは定数)が最大値から最小値
まで、分布するように、電圧を印加する。
ちいずれか1つの偏波解消素子の作製方法において、前
記パターン化した各電極に直列にコンデンサを設置し、
液晶層及びコンデンサに印加する電圧をモニタし、それ
ぞれの電圧をVLC,VRとし、それぞれの電極のa×V
LC/VR+bの値(a,bは定数)が最大値から最小値
まで、分布するように、電圧を印加する。
【0023】すなわち、本発明の特徴は、以下のとおり
である。 (1)マルチモードファイバ内の光の径に相当する50
ミクロンφから1mmφ程度までの、非常に面積の小さ
なものから大きなものまで対応が可能である。 (2)基板が非常に薄いか、あるいは基板のないフィル
ム状にすることが可能であるため、ファイバや導波路に
数ミクロンから数10ミクロンの溝を設けて挿入するこ
とが可能であり、ロスが低く、アライメントも不要であ
る。 (3)自由空間の光ビームを挿入することによって、そ
のアライメントを再調整することなく挿入が可能であ
る。 (4)低価格である。
である。 (1)マルチモードファイバ内の光の径に相当する50
ミクロンφから1mmφ程度までの、非常に面積の小さ
なものから大きなものまで対応が可能である。 (2)基板が非常に薄いか、あるいは基板のないフィル
ム状にすることが可能であるため、ファイバや導波路に
数ミクロンから数10ミクロンの溝を設けて挿入するこ
とが可能であり、ロスが低く、アライメントも不要であ
る。 (3)自由空間の光ビームを挿入することによって、そ
のアライメントを再調整することなく挿入が可能であ
る。 (4)低価格である。
【0024】以下、本発明について、図面を参照して実
施の形態(実施例)とともに詳細に説明する。なお、実
施例を説明するための全図において、同一機能を有する
ものは同一符号を付け、その繰り返しの説明は省略す
る。
施の形態(実施例)とともに詳細に説明する。なお、実
施例を説明するための全図において、同一機能を有する
ものは同一符号を付け、その繰り返しの説明は省略す
る。
【0025】
【発明の実施の形態】まず、本発明を実施するにあたり
使用した紫外線硬化型(UVキュアラブル)液晶材料に
ついて説明する。液晶骨格とアクリロイルオキシ基の間
にメチレンスペーサがない液晶性モノアクリレートはU
Vキュアラブル液晶と呼ばれている。通常メチレンスペ
ーサを持つ液晶性モノアクリレートを原料とする高分子
は、比較的低温度液晶性を示しやすく、その特性を生か
して液晶ディスプレイやメモリ素子などへの応用がはか
られている。UVキュアラブル液晶の1例である、ピリ
ジアミン骨格を有する単官能モノアクリレートを含有す
る組成物は、室温ではネマチック液晶と同様の特性を有
し、電圧を印加すると、通常のネマチック液晶のよう
に、配向処理の方向によって、ホモジニアス、ツイスト
ネマチック、スーパーツイストネマチックの動作をす
る。
使用した紫外線硬化型(UVキュアラブル)液晶材料に
ついて説明する。液晶骨格とアクリロイルオキシ基の間
にメチレンスペーサがない液晶性モノアクリレートはU
Vキュアラブル液晶と呼ばれている。通常メチレンスペ
ーサを持つ液晶性モノアクリレートを原料とする高分子
は、比較的低温度液晶性を示しやすく、その特性を生か
して液晶ディスプレイやメモリ素子などへの応用がはか
られている。UVキュアラブル液晶の1例である、ピリ
ジアミン骨格を有する単官能モノアクリレートを含有す
る組成物は、室温ではネマチック液晶と同様の特性を有
し、電圧を印加すると、通常のネマチック液晶のよう
に、配向処理の方向によって、ホモジニアス、ツイスト
ネマチック、スーパーツイストネマチックの動作をす
る。
【0026】電圧印加状態で紫外線を照射することによ
り、若干の配向の変化は見られるものの、配向状態をそ
のままの状態で固化することが可能であるという特徴を
持ち、その代表的な化学構造は、例えば、「Hiroshi Ha
sebe, Kiyohumi Takenouti and Haruyoshi Takatsu, "P
roperties of novel UV-curable liquid crystal andth
eir retardation films", Journal of the SID 3/3, 19
95, p.139-143.(参考文献1)」に示されており、実用
的には前記参考文献に1に示されるように、これらを適
当な割合で混合した液晶化合物AからDとして用いる。
以下、UVキュアラブル液晶を用いて偏光解消素子を作
製する基本的な手順を実施形態(実施例)で説明する。
り、若干の配向の変化は見られるものの、配向状態をそ
のままの状態で固化することが可能であるという特徴を
持ち、その代表的な化学構造は、例えば、「Hiroshi Ha
sebe, Kiyohumi Takenouti and Haruyoshi Takatsu, "P
roperties of novel UV-curable liquid crystal andth
eir retardation films", Journal of the SID 3/3, 19
95, p.139-143.(参考文献1)」に示されており、実用
的には前記参考文献に1に示されるように、これらを適
当な割合で混合した液晶化合物AからDとして用いる。
以下、UVキュアラブル液晶を用いて偏光解消素子を作
製する基本的な手順を実施形態(実施例)で説明する。
【0027】(実施形態1)図1は、本発明による実施
形態1の偏波解消素子を適用した光導波路の概略構成を
示す図であり、(a)は外観斜視図、(b)は偏波解消
素子の概略構成を示す図である。図1において、1はマ
ルチモード光導波路、2は光導波路コア部、3は光導波
路クラッド部、4は溝、5は偏波解消素子で、5A,5
Bは偏波解消フィルムである。本実施形態1の偏波解消
素子を適用した光導波路は、図1に示すように、基板上
に光導波路コア部2及び光導波路クラッド部3が設けら
れた高分子光導波路1に、前記光導波路コア部2が切断
されるように溝4を設け、その溝4に2枚の偏波解消フ
ィルムからなる偏波解消素子5が挿入されている。ま
た、本実施形態1の高分子光導波路1は、光導波路コア
部2が約40ミクロンの導波路径を持つ高分子マルチモ
ード導波路となっている。また、偏波解消素子5を構成
する偏波解消フィルム5A,5Bは紫外線硬化型液晶か
らなり、図1(b)に示すように、偏波解消フィルム5
A中の分子の配向と偏波解消フィルム5B中の分子の配
向が直交するように張り合わせた状態で、前記高分子マ
ルチモード光導波路1に設けられた幅約40ミクロン、
深さ約200ミクロンの溝4に挿入されている。
形態1の偏波解消素子を適用した光導波路の概略構成を
示す図であり、(a)は外観斜視図、(b)は偏波解消
素子の概略構成を示す図である。図1において、1はマ
ルチモード光導波路、2は光導波路コア部、3は光導波
路クラッド部、4は溝、5は偏波解消素子で、5A,5
Bは偏波解消フィルムである。本実施形態1の偏波解消
素子を適用した光導波路は、図1に示すように、基板上
に光導波路コア部2及び光導波路クラッド部3が設けら
れた高分子光導波路1に、前記光導波路コア部2が切断
されるように溝4を設け、その溝4に2枚の偏波解消フ
ィルムからなる偏波解消素子5が挿入されている。ま
た、本実施形態1の高分子光導波路1は、光導波路コア
部2が約40ミクロンの導波路径を持つ高分子マルチモ
ード導波路となっている。また、偏波解消素子5を構成
する偏波解消フィルム5A,5Bは紫外線硬化型液晶か
らなり、図1(b)に示すように、偏波解消フィルム5
A中の分子の配向と偏波解消フィルム5B中の分子の配
向が直交するように張り合わせた状態で、前記高分子マ
ルチモード光導波路1に設けられた幅約40ミクロン、
深さ約200ミクロンの溝4に挿入されている。
【0028】図2乃至図8は、本実施形態1の偏波解消
素子を適用した光導波路の作製工程を説明するための図
である。まず、図2乃至図7を用いて、本発明による偏
波解消素子5を構成する偏波解消フィルム5A,5Bの
作製方法について説明する。
素子を適用した光導波路の作製工程を説明するための図
である。まず、図2乃至図7を用いて、本発明による偏
波解消素子5を構成する偏波解消フィルム5A,5Bの
作製方法について説明する。
【0029】本実施形態1の偏波解消素子は、始めに、
図2に示すように、紫外線を透過する基板(石英基板)
6を2枚用意し、それぞれの基板6上に電極を形成す
る。紫外線は片側から照射するので、2枚の基板6のう
ち紫外線を照射する側の基板6は、図2(a)に示すよ
うに、基板6の全面を覆う透明電極(べた電極)7を形
成し、これをべた電極基板8とする。もう1枚の基板6
上は、図2(b)及び図2(c)に示すように、微細な
ストライプ状に分割した透明電極(ストライプ状電極)
9、あるいは金属電極を形成した分割電極基板10とす
る。また、分割電極基板10の分割した電極は、図2
(c)に示したような放射状の透明電極(放射状電極)
11であってもよい。また、図2(b)及び図2(c)
に示したストライプ状電極9及び放射状電極11の分割
数、大きさは適用するデバイスによってその値を変更す
るが、基本的には分割数が多いほど偏波解消効果を大き
くすることができる。
図2に示すように、紫外線を透過する基板(石英基板)
6を2枚用意し、それぞれの基板6上に電極を形成す
る。紫外線は片側から照射するので、2枚の基板6のう
ち紫外線を照射する側の基板6は、図2(a)に示すよ
うに、基板6の全面を覆う透明電極(べた電極)7を形
成し、これをべた電極基板8とする。もう1枚の基板6
上は、図2(b)及び図2(c)に示すように、微細な
ストライプ状に分割した透明電極(ストライプ状電極)
9、あるいは金属電極を形成した分割電極基板10とす
る。また、分割電極基板10の分割した電極は、図2
(c)に示したような放射状の透明電極(放射状電極)
11であってもよい。また、図2(b)及び図2(c)
に示したストライプ状電極9及び放射状電極11の分割
数、大きさは適用するデバイスによってその値を変更す
るが、基本的には分割数が多いほど偏波解消効果を大き
くすることができる。
【0030】次に、図3に示すように、前記べた電極基
板8のべた電極7を形成した面上、及び微細電極基板1
0のストライプ状電極9又は放射状電極11を形成した
面上に配向膜12を形成する。この配向膜12は、後に
べた電極基板8、微細電極基板10から偏波解消フィル
ムを剥離しやすいように、剥離性配向膜を使用する(Hi
roshi Hasebe, Kiyohumi Takenouti and Haruyoshi Tak
atsu, "Properties of novel UV-curable liquid cryst
al and their retardation films", Journal of the SI
D 3/3, 1995, p.139-143.参照)。
板8のべた電極7を形成した面上、及び微細電極基板1
0のストライプ状電極9又は放射状電極11を形成した
面上に配向膜12を形成する。この配向膜12は、後に
べた電極基板8、微細電極基板10から偏波解消フィル
ムを剥離しやすいように、剥離性配向膜を使用する(Hi
roshi Hasebe, Kiyohumi Takenouti and Haruyoshi Tak
atsu, "Properties of novel UV-curable liquid cryst
al and their retardation films", Journal of the SI
D 3/3, 1995, p.139-143.参照)。
【0031】次に、図4に示すように、それぞれの基板
上に形成した配向膜12は分子がホモジニアス配向にな
るようにラビングした後、べた電極基板8の配向膜12
と微細電極基板10の配向膜12を向かい合わせ、スペ
ーサ13を介してはりあわせる。この時、べた電極基板
8のラビング方向と微細電極基板10のラビング方向と
が反平行になるように向かい合わせる。また、スペーサ
13の厚さdは、充填する液晶の光学異方性をΔnとし
た時、Δn×dが使用する波長の数倍になるように設定
する。
上に形成した配向膜12は分子がホモジニアス配向にな
るようにラビングした後、べた電極基板8の配向膜12
と微細電極基板10の配向膜12を向かい合わせ、スペ
ーサ13を介してはりあわせる。この時、べた電極基板
8のラビング方向と微細電極基板10のラビング方向と
が反平行になるように向かい合わせる。また、スペーサ
13の厚さdは、充填する液晶の光学異方性をΔnとし
た時、Δn×dが使用する波長の数倍になるように設定
する。
【0032】例えば、充填する液晶として、「Hiroshi
Hasebe, Kiyohumi Takenouti and Haruyoshi Takatsu,
"Properties of novel UV-curable liquid crystal an
d thier retardation films", Journal of the SID 3/
3, 1995, p.139-143.」の文献に記載された混合物Cを
用いる場合、混合物Cの光学異方性Δnは0.152で
あるため、偏波解消素子を使用する波長帯が1.55ミ
クロン帯であるとすると、膜厚は約10ミクロンに設定
できる。
Hasebe, Kiyohumi Takenouti and Haruyoshi Takatsu,
"Properties of novel UV-curable liquid crystal an
d thier retardation films", Journal of the SID 3/
3, 1995, p.139-143.」の文献に記載された混合物Cを
用いる場合、混合物Cの光学異方性Δnは0.152で
あるため、偏波解消素子を使用する波長帯が1.55ミ
クロン帯であるとすると、膜厚は約10ミクロンに設定
できる。
【0033】しかし、紫外線照射により光学異方性Δn
波減少する傾向にあり、「HiroshiHasebe, Kiyohumi Ta
kenouti and Haruyoshi Takatsu, "Properties of nove
l UV-curable liquid crystal and thier retardation
films", Journal of the SID 3/3, 1995, p.139-143.」
の文献の記載では、光学異方性Δnが約半分になること
が示されている。そこで、光学異方性Δnの減少分を考
慮して、スペーサの厚さdを20ミクロンに設定する。
波減少する傾向にあり、「HiroshiHasebe, Kiyohumi Ta
kenouti and Haruyoshi Takatsu, "Properties of nove
l UV-curable liquid crystal and thier retardation
films", Journal of the SID 3/3, 1995, p.139-143.」
の文献の記載では、光学異方性Δnが約半分になること
が示されている。そこで、光学異方性Δnの減少分を考
慮して、スペーサの厚さdを20ミクロンに設定する。
【0034】次に、図5に示すように、スペーサ13を
介して張り合わせたべた電極基板8と微細電極基板10
の間に紫外線硬化型液晶14を充填する。
介して張り合わせたべた電極基板8と微細電極基板10
の間に紫外線硬化型液晶14を充填する。
【0035】次に、図6(a)に示すように、微細電極
基板10上のストライプ状電極9のそれぞれにコンデン
サCRm(m=1,2,…,8)を直列に接続する。この
コンデンサCRm(m=1,2,…,8)の容量は、液晶
層でそれぞれのストライプ状電極9がべた電極7と形成
するコンデンサCLCm(m=1,2,…,8)の容量と
ほぼ等しくなるようにする。なお、図6(a)では、ス
トライプ状電極9は8分割されているが、適用するデバ
イスにあわせて分割数を変更した場合も、分割した数だ
けコンデンサCRを接続する。
基板10上のストライプ状電極9のそれぞれにコンデン
サCRm(m=1,2,…,8)を直列に接続する。この
コンデンサCRm(m=1,2,…,8)の容量は、液晶
層でそれぞれのストライプ状電極9がべた電極7と形成
するコンデンサCLCm(m=1,2,…,8)の容量と
ほぼ等しくなるようにする。なお、図6(a)では、ス
トライプ状電極9は8分割されているが、適用するデバ
イスにあわせて分割数を変更した場合も、分割した数だ
けコンデンサCRを接続する。
【0036】この後、べた電極7とストライプ状電極9
間の紫外線硬化型液晶14及び前記ストライプ状電極9
に接続されたコンデンサCRm(m=1,2,…,8)に
電圧Vを印加する。電圧Vを印加したときに、図6
(b)に示した、液晶層15のコンデンサCRm(m=
1,2,…,8)及びストライプ状電極9に接続された
コンデンサCRm(m=1,2,…,8)にかかる電圧を
それぞれVLCm(m=1,2,…,8)、VRm(m=
1,2,…,8)とすると、その部分の光路長差は下記
数1の式で表される。
間の紫外線硬化型液晶14及び前記ストライプ状電極9
に接続されたコンデンサCRm(m=1,2,…,8)に
電圧Vを印加する。電圧Vを印加したときに、図6
(b)に示した、液晶層15のコンデンサCRm(m=
1,2,…,8)及びストライプ状電極9に接続された
コンデンサCRm(m=1,2,…,8)にかかる電圧を
それぞれVLCm(m=1,2,…,8)、VRm(m=
1,2,…,8)とすると、その部分の光路長差は下記
数1の式で表される。
【0037】
【数1】Δnm×d=a×VLCm/VRm+b(m=1、
2、…、8) ここで、a,bは定数であり、予めaとbの値を測定し
ておけば、それぞれのストライプ状電極9とべた電極8
の間の紫外線硬化型液晶14の光路長差Δnm×dを、
VLCm,VRmをモニタすることによって、容易に決定す
ることができる。また、aとbの値が正確に測定できな
くても、電圧無印加時には光路長差Δn×dは0ミクロ
ンであり、電圧を十分に印加した状態ではΔn×dは
1.55ミクロンに相当するはずであるから、aとbを
簡単に求めることができる。
2、…、8) ここで、a,bは定数であり、予めaとbの値を測定し
ておけば、それぞれのストライプ状電極9とべた電極8
の間の紫外線硬化型液晶14の光路長差Δnm×dを、
VLCm,VRmをモニタすることによって、容易に決定す
ることができる。また、aとbの値が正確に測定できな
くても、電圧無印加時には光路長差Δn×dは0ミクロ
ンであり、電圧を十分に印加した状態ではΔn×dは
1.55ミクロンに相当するはずであるから、aとbを
簡単に求めることができる。
【0038】以上のように、各ストライプ状電極9とべ
た電極7の間の紫外線硬化型液晶14の光路長差Δnm
×dが0ミクロンから1.55ミクロンに均一に分布す
るようにそれぞれのストライプ状電極9に電圧を印加す
る。この際、ストライプ状電極9が並んでいる順番に、
光路長差を増加あるいは減少させると、一種のプリズム
が形成され、光の進行方向が非常に微小ではあるが一様
に曲げられる。これを防ぐには、ストライプ状電極9の
順番に対してランダムに印加電圧を制御することが望ま
しい。この際、個々に電源を設ける必要はなく、1台の
電源から可変抵抗で電圧を分割して印加すればよい。
た電極7の間の紫外線硬化型液晶14の光路長差Δnm
×dが0ミクロンから1.55ミクロンに均一に分布す
るようにそれぞれのストライプ状電極9に電圧を印加す
る。この際、ストライプ状電極9が並んでいる順番に、
光路長差を増加あるいは減少させると、一種のプリズム
が形成され、光の進行方向が非常に微小ではあるが一様
に曲げられる。これを防ぐには、ストライプ状電極9の
順番に対してランダムに印加電圧を制御することが望ま
しい。この際、個々に電源を設ける必要はなく、1台の
電源から可変抵抗で電圧を分割して印加すればよい。
【0039】それぞれのストライプ状電極9とべた電極
8の間の紫外線硬化型液晶14及びそれぞれのストライ
プ状電極9に接続されたコンデンサCRm(m=1,2,
…,8)に電圧を印加した状態で、べた電極基板8側か
ら紫外線16を照射し、充填した紫外線硬化型液晶14
を固体化する。その際の紫外線16の照射条件は数mW
/cm2で1分から20分程度が望ましい。
8の間の紫外線硬化型液晶14及びそれぞれのストライ
プ状電極9に接続されたコンデンサCRm(m=1,2,
…,8)に電圧を印加した状態で、べた電極基板8側か
ら紫外線16を照射し、充填した紫外線硬化型液晶14
を固体化する。その際の紫外線16の照射条件は数mW
/cm2で1分から20分程度が望ましい。
【0040】以上の工程で種々の光路長差が均一に分布
した液晶版は完成であるが、この液晶板をフィルム化す
る場合には、図7に示すように、両基板から偏波解消フ
ィルム17を剥離する。この時、べた電極基板8及び微
細電極基板10に応力をかけて剥してもよいが、全体を
150℃程度に加熱後、水中に浸すことにより、べた電
極基板8及び微細電極基板10から偏波解消フィルム1
7を剥してもよい。
した液晶版は完成であるが、この液晶板をフィルム化す
る場合には、図7に示すように、両基板から偏波解消フ
ィルム17を剥離する。この時、べた電極基板8及び微
細電極基板10に応力をかけて剥してもよいが、全体を
150℃程度に加熱後、水中に浸すことにより、べた電
極基板8及び微細電極基板10から偏波解消フィルム1
7を剥してもよい。
【0041】次に、上記手順で作製した偏波解消フィル
ムを高分子光導波路に取り付ける。まず、図8に示すよ
うに、高分子マルチモード光導波路1の光導波路コア部
2及び光導波路クラッド部3をダイシングソーのブレー
ド18で切断し、幅40ミクロン、深さ200ミクロン
の溝4を形成する。この溝4に、前記手順により作製し
た偏波解消フィルム(ストライプ幅5ミクロンで作製)
17を挿入する。この時、1枚の偏波解消フィルム17
では、1方向の偏波に対してのみの偏波解消効果しか得
られないので、前記図1(b)に示したように、2枚の
偏波解消フィルム17(5A,5B)を分子の配向方向
が直交するように張り合わせて挿入し、全偏波に対して
偏波解消効果が得られるようにする。偏波解消フィルム
17(5A,5B)を挿入することにより、光導波路コ
ア部2を通過する光の偏波をランダムな状態にすること
ができ、ロスは1dB以下で、偏波依存性を0.5dB
以下に抑えることができる。
ムを高分子光導波路に取り付ける。まず、図8に示すよ
うに、高分子マルチモード光導波路1の光導波路コア部
2及び光導波路クラッド部3をダイシングソーのブレー
ド18で切断し、幅40ミクロン、深さ200ミクロン
の溝4を形成する。この溝4に、前記手順により作製し
た偏波解消フィルム(ストライプ幅5ミクロンで作製)
17を挿入する。この時、1枚の偏波解消フィルム17
では、1方向の偏波に対してのみの偏波解消効果しか得
られないので、前記図1(b)に示したように、2枚の
偏波解消フィルム17(5A,5B)を分子の配向方向
が直交するように張り合わせて挿入し、全偏波に対して
偏波解消効果が得られるようにする。偏波解消フィルム
17(5A,5B)を挿入することにより、光導波路コ
ア部2を通過する光の偏波をランダムな状態にすること
ができ、ロスは1dB以下で、偏波依存性を0.5dB
以下に抑えることができる。
【0042】以上説明したように、本実施形態1によれ
ば、紫外線硬化型液晶を用いて、フィルム状の偏波解消
素子を作製することにより、このフィルム状偏波解消素
子を光導波路に適用することができる。
ば、紫外線硬化型液晶を用いて、フィルム状の偏波解消
素子を作製することにより、このフィルム状偏波解消素
子を光導波路に適用することができる。
【0043】(実施形態2)図9は、本発明による実施
形態2の偏波解消素子を適用した液晶可変波長フィルタ
の概略構成を示す図である。図9において、5は前記実
施形態1で説明した偏波解消素子、20は液晶可変波長
素子、21は液晶可変波長素子20の誘電体ミラー層、
22は液晶可変波長素子20の透明電極、23は液晶可
変波長素子20の液晶層、24は入力光ファイバコリメ
ータ、25は出力光ファイバコリメータ、26は光ビー
ムである。本実施形態2の液晶可変波長フィルタは、図
9に示すように、シングルモード光ファイバにコリメー
ト用のレンズがついた入力光ファイバコリメータ24と
マルチモード光ファイバにコリメート用のレンズがつい
た出力光ファイバコリメータ25の間に、透明電極22
及び誘電体ミラー層21が形成された基板を向かい合わ
せにしたファブリーペローエタロン内に液晶層23を充
填した液晶可変波長素子20及び前記実施形態1で説明
した偏波解消素子5が設けられている。すなわち、本実
施形態2は、偏波依存性を持つ液晶可変波長フィルタに
本発明の偏波解消素子を適用した例である。この液晶可
変波長フィルタでは、入力光ファイバコリメータ24か
ら、直径約200μmの光ビーム26が液晶可変波長素
子20に入力される。
形態2の偏波解消素子を適用した液晶可変波長フィルタ
の概略構成を示す図である。図9において、5は前記実
施形態1で説明した偏波解消素子、20は液晶可変波長
素子、21は液晶可変波長素子20の誘電体ミラー層、
22は液晶可変波長素子20の透明電極、23は液晶可
変波長素子20の液晶層、24は入力光ファイバコリメ
ータ、25は出力光ファイバコリメータ、26は光ビー
ムである。本実施形態2の液晶可変波長フィルタは、図
9に示すように、シングルモード光ファイバにコリメー
ト用のレンズがついた入力光ファイバコリメータ24と
マルチモード光ファイバにコリメート用のレンズがつい
た出力光ファイバコリメータ25の間に、透明電極22
及び誘電体ミラー層21が形成された基板を向かい合わ
せにしたファブリーペローエタロン内に液晶層23を充
填した液晶可変波長素子20及び前記実施形態1で説明
した偏波解消素子5が設けられている。すなわち、本実
施形態2は、偏波依存性を持つ液晶可変波長フィルタに
本発明の偏波解消素子を適用した例である。この液晶可
変波長フィルタでは、入力光ファイバコリメータ24か
ら、直径約200μmの光ビーム26が液晶可変波長素
子20に入力される。
【0044】図10は本実施形態2の液晶可変波長フィ
ルタの偏波依存性を示す図であり、図10(a)は偏波
解消素子を使用しない場合の偏波依存性を示し、図10
(b)は偏波解消素子を使用した場合の偏波依存性であ
る。偏波解消素子5を使用しない場合は、図10(a)
に示すように、液晶可変波長素子20の液晶層23中の
液晶分子の配向方向に垂直な偏波と平行な偏波では、透
過ピーク波長の強度が異なる。また、入力される光ビー
ム26の偏波が変化することにより、この2つの透過ピ
ーク波長の強度が増減する。しかし、本実施形態2のよ
うに、液晶可変波長素子20の入力側に、前記実施形態
1で説明した偏波解消素子5を設けることにより、図1
0(b)に示すように、液晶可変波長素子20の液晶層
23中の液晶分子の配向方向に垂直な偏波と平行な偏波
の成分の透過ピーク波長の強度比が1対1となる。入力
される光の偏波が変化しても、この強度比は変化しない
ので、液晶可変波長素子20の透過ピーク強度が一定と
なり、偏波依存性を0.5dB以下にできた。
ルタの偏波依存性を示す図であり、図10(a)は偏波
解消素子を使用しない場合の偏波依存性を示し、図10
(b)は偏波解消素子を使用した場合の偏波依存性であ
る。偏波解消素子5を使用しない場合は、図10(a)
に示すように、液晶可変波長素子20の液晶層23中の
液晶分子の配向方向に垂直な偏波と平行な偏波では、透
過ピーク波長の強度が異なる。また、入力される光ビー
ム26の偏波が変化することにより、この2つの透過ピ
ーク波長の強度が増減する。しかし、本実施形態2のよ
うに、液晶可変波長素子20の入力側に、前記実施形態
1で説明した偏波解消素子5を設けることにより、図1
0(b)に示すように、液晶可変波長素子20の液晶層
23中の液晶分子の配向方向に垂直な偏波と平行な偏波
の成分の透過ピーク波長の強度比が1対1となる。入力
される光の偏波が変化しても、この強度比は変化しない
ので、液晶可変波長素子20の透過ピーク強度が一定と
なり、偏波依存性を0.5dB以下にできた。
【0045】以上、本発明を、前記実施形態に基づき具
体的に説明したが、本発明は、前記実施形態に限定され
るものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において種
々変更可能であることは勿論である。
体的に説明したが、本発明は、前記実施形態に限定され
るものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において種
々変更可能であることは勿論である。
【0046】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
以下の効果を得ることができる。 (1)光路差が異なる液晶フィルムを用いた偏波解消素
子の構造であるので、非常に面積の小さなものから大き
なものまで対応することができる。 (2)光路差が異なる液晶フィルムを用いた偏波解消素
子の構造であるので、ファイバや導波路に数ミクロンか
ら数10ミクロンの溝を設けて挿入することができる。 (3)自由空間の光ビームを挿入するので、そのアライ
メントを再調整することなく挿入することができる。 (4)光路差が異なる液晶フィルムを用いるので、偏波
解消素子の作製が容易である。
以下の効果を得ることができる。 (1)光路差が異なる液晶フィルムを用いた偏波解消素
子の構造であるので、非常に面積の小さなものから大き
なものまで対応することができる。 (2)光路差が異なる液晶フィルムを用いた偏波解消素
子の構造であるので、ファイバや導波路に数ミクロンか
ら数10ミクロンの溝を設けて挿入することができる。 (3)自由空間の光ビームを挿入するので、そのアライ
メントを再調整することなく挿入することができる。 (4)光路差が異なる液晶フィルムを用いるので、偏波
解消素子の作製が容易である。
【図1】本発明による実施形態1の偏波解消素子を適用
した光導波路の概略構成を示す斜視図である
した光導波路の概略構成を示す斜視図である
【図2】本実施形態1の偏波解消素子の作製工程を示す
図である。
図である。
【図3】本実施形態1の偏波解消素子の作製工程を示す
図である。
図である。
【図4】本実施形態1の偏波解消素子の作製工程を示す
図である。
図である。
【図5】本実施形態1の偏波解消素子の作製工程を示す
図である。
図である。
【図6】本実施形態1の偏波解消素子の作製工程を示す
図である。
図である。
【図7】本実施形態1の偏波解消素子の作製工程を示す
図である。
図である。
【図8】本実施形態1の偏波解消素子を適用した光導波
路の作製工程を示す図である。
路の作製工程を示す図である。
【図9】本発明による実施形態2の偏波解消素子を適用
した液晶可変波長フィルタの概略構成を示す模式図であ
る。
した液晶可変波長フィルタの概略構成を示す模式図であ
る。
【図10】本実施形態2の偏波依存性を示す図である。
【図11】従来の偏波解消素子の概略構成を示す模式的
構成図である。
構成図である。
【図12】従来の偏波解消素子の概略構成を示す模式的
構成図である。
構成図である。
【図13】従来の偏波解消素子の概略構成を示す模式的
構成図である。
構成図である。
1…光導波路、2…光導波路コア部、3…光導波路クラ
ッド部、4…溝、5…偏波解消素子、5A,5B…偏波
解消フィルム、6…基板(石英基板)、7…透明電極
(べた電極)、8…べた電極基板、9…ストライプ状電
極、10…放射状電極、12…配向膜、13…スペー
サ、14…紫外線硬化型液晶、15…液晶層、16…紫
外線、17…液晶フィルム(偏波解消フィルム)、18
…ダイシングソーのブレード、20…液晶可変波長素
子、21…透明電極、22…誘電体ミラー層、23…液
晶層、24…入力光ファイバコリメータ、25…出力光
ファイバコリメータ、26…光ビーム、30…入力光フ
ァイバ、31…入力光コリメートレンズ、32…光ビー
ム、33…偏光解消素子、33A,33B…光学異方性
結晶、34…出力コリメートレンズ、35…出力光ファ
イバ、36…光ファイバコア部、37…光ファイバクラ
ッド部、38…集光ビーム、39…集光ビームの重なる
部分、40…偏波解消素子、40A,40B…光学異方
性結晶、41…透明光学接着剤、42…偏光解消素子、
42A…光学異方性結晶粒、42B…透明光学接着剤、
42C…ガラス基板、CR1,CR2,CR3,CR4,CR5,
CR6,CR7,CR8…コンデンサ、CLC1,CLC2,
CLC3,CLC4,CLC5,CLC6,CLC7,CLC8…ストライ
プ状電極とべた電極間のコンデンサ。
ッド部、4…溝、5…偏波解消素子、5A,5B…偏波
解消フィルム、6…基板(石英基板)、7…透明電極
(べた電極)、8…べた電極基板、9…ストライプ状電
極、10…放射状電極、12…配向膜、13…スペー
サ、14…紫外線硬化型液晶、15…液晶層、16…紫
外線、17…液晶フィルム(偏波解消フィルム)、18
…ダイシングソーのブレード、20…液晶可変波長素
子、21…透明電極、22…誘電体ミラー層、23…液
晶層、24…入力光ファイバコリメータ、25…出力光
ファイバコリメータ、26…光ビーム、30…入力光フ
ァイバ、31…入力光コリメートレンズ、32…光ビー
ム、33…偏光解消素子、33A,33B…光学異方性
結晶、34…出力コリメートレンズ、35…出力光ファ
イバ、36…光ファイバコア部、37…光ファイバクラ
ッド部、38…集光ビーム、39…集光ビームの重なる
部分、40…偏波解消素子、40A,40B…光学異方
性結晶、41…透明光学接着剤、42…偏光解消素子、
42A…光学異方性結晶粒、42B…透明光学接着剤、
42C…ガラス基板、CR1,CR2,CR3,CR4,CR5,
CR6,CR7,CR8…コンデンサ、CLC1,CLC2,
CLC3,CLC4,CLC5,CLC6,CLC7,CLC8…ストライ
プ状電極とべた電極間のコンデンサ。
Claims (11)
- 【請求項1】 板面内の光路長がランダムに分布するよ
うに形成された液晶板で少なくとも構成されてなること
を特徴とする偏波解消素子。 - 【請求項2】 板面内の光路長がランダムに分布するよ
うに形成された液晶板の2個を、当該液晶板の液晶配向
が直交するように配置したことを特徴とする偏波解消素
子。 - 【請求項3】 前記液晶板はフィルム状であることを特
徴とする請求項1又は2に記載の偏波解消素子。 - 【請求項4】 前記液晶板は液晶骨格とアクリロイルオ
キシ基の間にメチレンスペーサを持たない液晶性モノア
クリレートを少なくとも有する液晶を備えたことを特徴
とする請求項1乃至3のうちいずれか1項に記載の偏波
解消素子。 - 【請求項5】 基板上に光導波路コア部及び光導波路ク
ラッド部が設けられた光導波路に、前記光導波路コア部
が切断されるように溝が設けられ、その溝に、前記請求
項1乃至4のうちいずれか1項に記載の偏波解消素子が
挿入されてなることを特徴とする光導波路。 - 【請求項6】 シングルモード光ファイバに入力光ファ
イバコリメータが設けられ、マルチモード光ファイバに
出力光ファイバコリメータが設けられ、前記入力光ファ
イバコリメータと前記出力光ファイバコリメータとの間
に、透明電極及び誘電体ミラー層が形成された基板を向
かい合わせにしたファブリーペローエタロン内に液晶層
を充填した液晶可変波長素子、及び前記請求項1乃至4
のうちいずれか1項に記載の偏波解消素子が設けられて
なることを特徴とする可変波長フィルタ。 - 【請求項7】 板面内の光路長がランダムに分布するよ
うに形成された液晶板の2個を、当該液晶板の液晶配向
が直交するように配置した偏波解消素子の作製方法であ
って、前記2個の偏波解消素子を、当該各偏波解消素子
の液晶分子の配向の方向を直交させて張り合わせること
を特徴とする偏波解消素子の作製方法。 - 【請求項8】 請求項7に記載の偏波解消素子の作製方
法において、前液晶層の骨格とアクリロイルオキシ基の
間にメチレンスペーサがない液晶性モノアクリレートか
らなる紫外線硬化型液晶をホモジニアス配向させた液晶
を、微細にパターニングした電極と全面べた透明電極を
持つ基板で挟み込んだ部分内に充填し、その後各微細分
割電極に、各電極に異なる電圧を印加し、この状態で紫
外線を照射して固体化して作製することを特徴とする偏
波解消素子の作製方法。 - 【請求項9】 請求項8に記載の偏波解消素子の作製方
法において、前記微細電極のパターンがスライブ状に分
割されていることを特徴とする偏波解消素子の作製方
法。 - 【請求項10】 請求項8に記載の偏波解消素子の作製
方法において、前記微細電極のパターンが放射状に分割
されていることを特徴とする偏波解消素子の作製方法。 - 【請求項11】 請求項8乃至10のうちいずれか1項
に記載の偏波解消素子の作製方法において、前記パター
ン化した各電極に直列にコンデンサを設置し、液晶層及
びコンデンサに印加する電圧をモニタし、それぞれの電
圧をVLC,VRとし、それぞれの電極のa×VLC/VR+
bの値(a,bは定数)が最大値から最小値まで、分布
するように、電圧を印加することを特徴とする偏波解消
素子の作製方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP12763299A JP2000321424A (ja) | 1999-05-07 | 1999-05-07 | 偏波解消素子及びその作製方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP12763299A JP2000321424A (ja) | 1999-05-07 | 1999-05-07 | 偏波解消素子及びその作製方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2000321424A true JP2000321424A (ja) | 2000-11-24 |
Family
ID=14964906
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP12763299A Pending JP2000321424A (ja) | 1999-05-07 | 1999-05-07 | 偏波解消素子及びその作製方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2000321424A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004341453A (ja) * | 2003-05-19 | 2004-12-02 | Minolta Co Ltd | 偏光解消素子、その素子を用いた分光器及び光ファイバー増幅器 |
JP2006147833A (ja) * | 2004-11-19 | 2006-06-08 | Asahi Glass Co Ltd | 半導体レーザモジュール及びラマン増幅器 |
JP5935085B1 (ja) * | 2015-04-21 | 2016-06-15 | 株式会社ジェネシア | 分光機器 |
-
1999
- 1999-05-07 JP JP12763299A patent/JP2000321424A/ja active Pending
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004341453A (ja) * | 2003-05-19 | 2004-12-02 | Minolta Co Ltd | 偏光解消素子、その素子を用いた分光器及び光ファイバー増幅器 |
JP2006147833A (ja) * | 2004-11-19 | 2006-06-08 | Asahi Glass Co Ltd | 半導体レーザモジュール及びラマン増幅器 |
JP4715171B2 (ja) * | 2004-11-19 | 2011-07-06 | 旭硝子株式会社 | 半導体レーザモジュール及びラマン増幅器 |
JP5935085B1 (ja) * | 2015-04-21 | 2016-06-15 | 株式会社ジェネシア | 分光機器 |
JP2016205964A (ja) * | 2015-04-21 | 2016-12-08 | 株式会社ジェネシア | 分光機器 |
US9772225B2 (en) | 2015-04-21 | 2017-09-26 | Genesia Corporation | Spectroscopic device |
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