JP2000321413A

JP2000321413A - 多光源形成反射鏡の製造方法及び該反射鏡を用いた光学装置

Info

Publication number: JP2000321413A
Application number: JP11131840A
Authority: JP
Inventors: Kuninori Shinada; 邦典品田; Norio Shibata; 規夫柴田; Hideo Takino; 日出雄瀧野
Original assignee: Nikon Corp
Current assignee: Nikon Corp
Priority date: 1999-05-12
Filing date: 1999-05-12
Publication date: 2000-11-24

Abstract

(57)【要約】【課題】ひとつ、又は複数の小さな反射鏡を所定の
位置に調整配置して多光源形成反射鏡を製作するとき、
膨大な時間が掛かり、その上に出来上がりの精度が要求
される精度を満足しなかった。【解決手段】ひとつひとつの小さな反射鏡を調整する際
に、調整中の反射鏡のみに調整光が照射されるようにし
た。このために所定の開口を有する開口板を調整中の小
さな反射鏡の直前に置いて調整中の反射鏡のみに光が照
射される用にした。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、反射鏡の製造方
法、半導体製造装置及び半導体デバイスの製造方法に関
するものであり、特には、微小な基本反射面の繰り返し
配列により構成される多光源形成反射鏡の製造方法、そ
れにより製造された多光源形成反射鏡を用いた反射型照
明装置、半導体露光装置及び半導体デバイスの製造方法
に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】現在、ＤＲＡＭやＭＣＰ等の半導体デバ
イスの製造においては、最小線幅をより狭くする開発研
究が盛んに行われており、デザインルール０．１３μm
（４Ｇ・ＤＲＡＭ相当）、０．１μm（１６Ｇ・ＤＲＡ
Ｍ相当）、更には０．０７μm（３２Ｇ・ＤＲＡＭ相
当）の実現に向けて種々の技術が開発されている。この
最小線幅の問題と切っても切れない関係を有するのが、
露光時に生じる光の回折現象であり、これに起因する像
や集光点のボケが必要な最小線幅を実現する時の最大の
問題点である。この回折現象の影響を押さえるためには
投影光学系の開口数（N.A.： Numerical aperture)を大
きくする必要があり、光学系の大口径化と波長の短波長
化が開発のポイントになっている。ところが、光の波長
が短くなると、特に 200 nm 以下になると、加工が容易
で、光吸収の少ない光学材料が見当たらなくなってく
る。そこで、透過光学系に代えて、反射光学系による投
影光学系の開発がなされており、相当な成果を上げてい
る。その中に、複数の反射鏡の組み合わせによって、軟
Ｘ線に対して円弧状の光学視野（露光領域として使用出
来る領域）を実現し、マスクとウェハを投影縮小率比の
相対速度で、互いに同期して移動させることによってチ
ップ全体を露光しようとする方法がある。(例えば、Koi
chiro Hoh and Hiroshi Tanino ;“Feasibility Study
on the Extreme UV/Soft X-ray Projection-type Lith
ography”, Bulletin of the Electrontechnical Labor
atory Vol. 49, No.12, P.983-990, 1985、を参照
：以後、参考文献１と記す）。ところで、最小線幅
と並んで上記の様な半導体デバイス製造にとって重要な
要素にいわゆるスループットがある。このスループット
に寄与する要因としては、光源の発光強度、照明系の効
率、反射系に使用する反射鏡の反射率、ウェハ上の感光
材料・レジストの感度等がある。現在、光源としては、
ＡｒＦレーザー、Ｆ₂レーザー、更に短波長光の光源と
してシンクロトロン放射光やレーザープラズマ光が開発
されており、反射鏡に関しても、反射率を上げる多層膜
からなる反射鏡の開発も急ピッチで行われ、実用化のレ
ベルに近い（詳細は前述の参考文献１、及び、Andrew
M. Hawryluk et al ;“Soft x-ray beamsplittersand h
ighly dispersive multilayer mirrors for use as sof
t x-ray lasercavity component”, SPIE Vol. 688 Mu
ltilayer Structure and LaboratoryX-ray Laser Resea
rch (1986) P.81-90 及び、特開昭６３−３１２６４
０を参照：以後、参考文献２と記す）。さて、照明系の
技術開発であるが、要求される一様照明性や開口数を実
現する技術に関しては、例えば特開昭６０ー２３２５５
２号公報に矩形形状の照明領域を対象とした技術が提案
されている。しかし、上記投影系の様に投影光学系の視
野が円弧上である場合、照明視野が矩形形状では光の利
用効率が悪く、どうしても露光時間を短縮出来ず、従っ
て、スループットが上がらなかった。最近、この問題を
解決する方法として、投影光学系の有する光学視野に合
わせて照明視野を設定し、これによって照明効率を上
げ、スループットの問題を解決する方法が特願平１０ー
０４７４００に提案されている。この技術を図７を基に
簡単に説明する。図７は投影露光装置の概要図であり、
光源１より出た光は提案になる多光源形成反射鏡２、コ
ンデンサー光学素子３及び反射鏡４を経てマスクステー
ジ５ｓ上に保持されたマスク５を照明する。マスク５に
は、ウェハステージ７ｓ上に保持されたウェハ７上に描
くべきパターンが反射体図形として形成されている。マ
スク上のパターンは２、３、４からなる反射型照明光学
装置によって照明され、６ａ、６ｂ、６ｃ、６ｄからな
る投影光学装置６を通じてウェハ７上に投影される。こ
の投影光学装置の光学視野は製作すべきデバイスチップ
全体をカバー出来るほどに広くはなく、従って、マスク
５とウェハ７を同期させて相対的に移動（スキャン）さ
せながら露光を行うことによってチップ全体のパターン
をウェハ上に形成する。このために、ステージの移動量
を制御する、レーザー干渉距離計を含むマスクステージ
コントローラ８とウェハステージコントローラ９が備わ
っている。（このスキャンを伴う露光方式に関しては先
の参考文献１を参照）。この際のポイントは、多光源形
成反射鏡２をひとつ又は複数の微小な基本反射面の繰り
返し配列により構成することであり、その基本反射面の
外形状を投影光学装置の光学視野形状と相似形にするこ
とである。これによって位置Ｐ２に多数の点光源像Ｉが
ほぼ円形状に形成され、これがコンデンサー光学素子の
ケーラー照明によって必要な照明視野を形成する。上記
の例では照明視野の形状は円弧状である。このような技
術を用いると、マスク上の照明すべき領域を無駄無く一
様に照明出来、露光時間の短縮が可能になって、高いス
ループットを有する半導体露光装置の実現が可能にな
る。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】上記の様な、円弧状の
照明視野を有する反射型照明光学装置用の多光源形成反
射鏡、及びその基本反射面を実際に設計した結果を図
８、９を用いて説明する。図８（ａ）に示すように、こ
の多光源形成鏡は、３種類の基本反射面（Ａ１、Ｂ１、
Ｃ１）から構成されている。すなわち、図８（ａ）の多
光源形成反射鏡の各列は、各基本反射面がＡ１、Ｂ１、
Ｃ１、…の順に配列されている。図９（ａ），（ｂ），
（ｃ）には、各基本反射面の形状を示す。これらの図に
示すように各基本反射面は、曲率半径Ｒの凹の球面４１
に、図８（ｂ）に示すようなＹＺ面に平行な円弧状帯
（平均半径がＺｈの円の円弧状帯）を投影した形状にな
っている。この時投影する円弧の円の中心を球面の中心
軸に合わせた場合の投影像がＡ１であり、円弧の中心を
球面の軸に垂直にＹｈだけずらせた場合の投影像がＢ
１、Ｃ１である。この投影像形状を切り出して基本反射
面とする。いずれも、ほぼ円弧状になる。少なくともＸ
軸方向より見れば完全な円弧状である。そしてＢ１，Ｃ
１をそれぞれＹ軸方向に平行移動してＡ１と組み合わせ
ていく。このようにして出来た反射鏡に例えばＸ軸方向
より平行光線を入射させるとＡ１による点像が球面４１
の焦点に、Ｂ１による点像が焦点よりＹｈだけ横ずれし
て、Ｃ１による点像が焦点よりーＹｈだけ横ずれして形
成される。例えば、基本反射面の好適な実用設計解とし
ては、凹球面の曲率半径Ｒは１６０〜２００ｍｍ、Ｚｈ
は４．５〜５．５ｍｍ、円弧の幅（円弧状帯の幅）は
０．３〜２ｍｍ、円弧の長さは４．５〜５．５ｍｍ、Ｙ
ｈは約２．３〜２．７mmとなり、更に表面粗さがＲｒｍ
ｓ＜０．３ｎｍである。

【０００４】ところで、上記のような反射鏡は通常、ボ
ールエンドミルを備えた切削加工機を用いて切削加工に
より製作される。ボールエンドミルは図１０（ａ）に示
すような形状であり、その位置を被加工物に対して３次
元的に制御することによって、同図（ｂ）のように色々
な面形状の加工が可能である。しかし実際に金属材料と
してアルミニュウムを用いて基本反射面を１個づつ順次
加工し、出来上がった多光源形成反射鏡を用いて照明し
てみると、予期した良好な効率を有する多光源形成反射
鏡は得られず、従って、スループットの高い半導体露光
装置、半導体デバイス製造方法が得られなかった。そこ
で、その原因を追究したところ、加工された多光源反射
鏡の表面形状を図１１に示したが、各基本反射面５１が
互いに隣接する部分に加工残りが存在し、この部分の影
響が主たる原因であることが判明した。この加工残りは
ボールエンドミルの軸半径に起因するもの、図中のＣＲ
部、である。ボールエンドミルの軸半径の最小値は約
０．５ｍｍであることを考えると、このような切削加工
により製作する以上避けられない問題であることが判明
した。また、同加工法では、加工工程中において、たと
え１個の基本反射面の加工に失敗しても、新たな被加工
物を準備して、また最初から加工し直さなければならな
かった。この結果、高い加工効率が得られなかった。ま
た、この様な多光源形成反射鏡を加工する場合、その表
面粗さの観点や面形状の加工精度から考えて、まず、被
加工物を第１の所定の曲面に仕上げておき、その曲面の
所定の位置より基本反射面を切り出すこともある。例え
ば、基板用の被加工物にアルミ合金を用い、図１に示す
ように、被加工物１１３をワークホルダ１１４に保持し
て回転させ、バイトホルダ１１１によって保持されたダ
イヤモンドバイト１１２を使ったＮＣ切削加工機により
第１の所定の曲面に形状創成する。この後加工面を図２
に示すように、被加工物１１３をワークホルダ１１５に
保持して回転させ、研磨皿１１６に貼り付けられたポリ
シャ１１７の揺動軸を揺動させて研磨することによって
必要となる表面粗さＲｒｍｓ＜０．３ｎｍを満足させ
る。次に、被加工物１１３の一部を図３（ａ）に示すよ
うなワイヤ放電加工機により切り出し、これを順次張り
合わせることによって、図８のような複雑な形状を基本
反射面を有する多光源形成反射鏡を加工することができ
る。（この基本反射面を有する個々の小さな反射鏡を基
本反射鏡という。）しかしながら、この基本反射鏡を効
率良く基盤に配置調整する手段がなく、試行錯誤の繰り
返しによってなされていた。その結果、調整に膨大は時
間と手間が掛かり、従ってコスト高の大きな要因になっ
ていた。さらに人手を介して行う作業なので調整のばら
つきを避けることが出来ず、性能も一定していなかっ
た。このために、半導体デバイス製造工程中で最も重要
な露光工程において効果的な露光が行われず、半導体デ
バイス製造工程での大きな問題点となっていた。

【０００５】そこで、本発明はこのような課題を解決す
るべく考案したものであり、設計通りの反射面形状を有
する多光源形成反射鏡を歩留まり良く製造できる製造方
法を提供することを第１の目的にし、更には、よりスル
ープットの高い半導体露光装置を提供すること、半導体
デバイス製造方法を提供することを第２、第３の目的に
している。

【０００６】

【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、本発明では以下に記す手段を用いている。第１の
手段は、反射面形状が所定の曲面であり、表面粗さが所
定の値以下であり、外形状が所定の形状である基本反射
鏡を製作する加工工程と、基盤上に該基本反射鏡を所定
の配列に配置する配列調整工程と、を有する多光源形成
反射鏡の製造方法であって、該配列調整工程では、該基
盤上で個々の基本反射鏡に順次調整光を照射し、その反
射光を検出して個々の基本反射鏡の配置調整を行うこと
を特徴とする多光源形成反射鏡の製造方法である。こ
れによって、１つ、１つの基本反射鏡を順次、精度良く
配列、調整でき、従って、必要な領域を正確に照明でき
る多光源形成反射鏡が得られる。また、これにより光利
用効率が格段に上がるために高いスループットを有する
半導体露光装置の実現が可能になる。

【０００７】第２の手段は、前記第１の手段を実施する
際に、所定形状の開口を有する開口板を介して調整光を
基本反射鏡に照射して配列調整することを特徴とする多
光源形成反射鏡の製造法である。これによって、容易
に個々の基本反射鏡に調整光を照射出来る。第３の手段
は、複数の反射鏡からなるリソグラフィ用反射型照明装
置であって、第１の手段又は第２の手段に記した製造方
法によって製造された多光源形成反射鏡を有することを
特徴とする反射型照明装置である。これによって、反
射型照明装置の光利用効率が良くなり、リソグラフィ工
程の時間が短縮されると同時にコストも低減される。

【０００８】第４の手段は、光源、マスクを保持して移
動するマスクステージ、該マスクを照明するマスク照明
装置、該マスク上ののパターンをウェハ上に投影する投
影光学装置、ウェハを保持して移動させるウェハステー
ジを有する半導体露光装置であって、該マスク照明装置
が第１の手段又は第２の手段に記載された多光源形成反
射鏡を有し、かつ該多光源形成反射鏡が有する基本反射
面の外形状が該投影光学装置の光学視野と相似形である
ことを特徴とする半導体露光装置である。これによっ
て、露光装置として、照明系と投影系の光学視野を合わ
せる事が出来、従って、光利用効率が各段に向上してス
ループットの高い半導体露光装置が得られる。

【０００９】第５の手段は、第４の手段の半導体露光装
置であって、該投影光学装置が複数の反射鏡からなる反
射型投影光学装置であり、かつ該反射型投影光学装置の
光学視野がほぼ円弧状であることを特徴とする半導体露
光装置である。これによって、１５７ｎｍの波長を有
するＦ２レーザーや軟Ｘ線を利用する半導体露光装置が
得られる。なお、円弧状の投影系視野の利用は、少ない
反射鏡数で、広い視野が得られることによっている。

【００１０】第６の手段は、ウェハの準備工程、マスク
準備工程、ウェハプロセッシング工程、チップ組立工
程、チップ検査工程を有する半導体デバイスの製造方法
であって、ウェハプロセッシング工程中の露光工程にに
おいて第１又は第２の手段に記載の製造方法によって製
造された多光源形成反射鏡を用いてマスクを照明し、ウ
ェハを露光することを特徴とする半導体デバイスの製造
方法である。この製造方法によって、高いスループッ
トを有する、半導体デバイスの製造方法が得られる。

【００１１】

【発明の実施の形態】本発明は、上記の様な多光源形成
反射鏡を製作する場合、ひとつの基板上に一体的に基本
反射面を順次機械的に形成し、その後で各々の基本反射
面の形状や表面粗さを修正する方法では性能に限度があ
ること、また時間と手間がかかるため製作費用に関して
もマイナスが大きいことを考慮して、先ず各々の基本反
射面を有する基本反射鏡を設計値通り製作し、しかる後
にそれらを正確に組み合わせる方がより高性能な多光源
形成反射鏡を安価に得られる、という考えに立脚してい
る。ところが、本発明のような複数の基本反射反射鏡
から形成され、ケーラー照明系を採る多光源形成反射鏡
の全面に調整光を照射して配置調整した場合、どの基本
反射鏡の調整度合いが良くないのかを判断することは出
来ない。そこで、本発明では既に調整された基本反射
鏡には調整光が照射されないようにし、即ち、調整すべ
き基本反射鏡のみに調整光を照射して基本反射鏡の配置
調整を行うようにした。

【００１２】先ず、個々の、基本反射面を表面に有する
基本反射鏡を製造する方法を説明する。ここで、例え
ば、基本反射面の、切り出すべき凹球面の曲率半径Ｒは
１８０ｍｍ、Ｚｈは５．０ｍｍ、円弧の幅（円弧状帯の
幅）は０．３ｍｍ、円弧の長さは５．０ｍｍ、Ｙｈは約
２．５mmの場合を例にとる。基板用の被加工物にはアル
ミ合金を用い、まず、曲率半径１８０ｍｍの凹形状の球
面被加工物を、図１に示すようにダイヤモンドバイトを
使ったＮＣ切削加工機により高精度に形状創成し、この
後加工面を図２に示すように研磨することによって必要
となる表面粗さＲｒｍｓ＜０．３ｎｍを満足させる。次
に、本被加工物の一部を図３（ａ）に示すようなワイヤ
放電加工機により切り出す。切り出しは、図３（ｂ）の
ようにフライス加工により切り出しても良い。

【００１３】

【実施例１】まず、この切り出された基本反射鏡Ａ１の
裏面に図４に示すように、０．５ｍｍ程度の直径の樹脂
棒４０１を取り付ける。次に、この基本反射鏡の配置調
整の方法を図５を用いて説明する。基盤５０１には個
々の基本反射鏡を取り付けるべき正確な位置に穴５０２
が設けられ、この穴に樹脂棒４０１を挿入する。ここで
は各基本反射鏡のうち、例えば、Ａ１の調整方法につい
て説明する。

【００１４】調整ユニットはＡ１から下へ延びた樹脂棒４０
１の片側に圧縮コイルバネ５０６を、対極側に圧電素子
５０３を有し、また、これらと90度方向も同様にし、こ
の状態で、圧電素子５０３に電圧を与えることで圧電素
子５０３を伸縮させることによりＡ１を図５中、θx、
θyの２方向に傾ける。さらにこのＡ１の樹脂棒４０１
の先端は自在継手５０４を介し、回転テーブル５０５に
接続され、この回転テーブル５０５を回転させることに
より基本反射鏡Ａ１をθw方向に回転させる。さて、本
発明ではこの調整を行う際に図６のような、基本反射面
の外形状をその開口形状として有する開口板を用いて調
整中の基本反射面のみに調整光が照射されるようにし
た。そして、調整中の基本反射鏡よりの反射光は図７の
ウェハ位置に配した撮像素子によってＣＲＴ上に像とし
て表示される。θx、θy、θwの３方向が調整されて所
望の位置に配置されると基本反射鏡は接着固定する。基
本反射鏡が接着固定されると、補助に使用された樹脂棒
は基盤面から出ないように切り取られ、次の基本反射鏡
の調整の邪魔にならないようにされる。この様な調整を
以下、同様に他の各基本反射鏡の位置調整を行うこと
で、所望の多光源形成反射鏡ができる。尚、第６図中、
６０３〜６０６は開口板６０２を並進移動及び回転させ
るステージを表している。

【００１５】上記の実施例では必要な開口を有する開口
板を用いたが、カーボンブラックを混入したコロジョン
を調整済の基本反射鏡に塗布していく方法でも良い。本
実施例によって製造された多光源形成反射鏡を図７に示
しような反射投影光学系を用いた半導体露光装置に使用
したところ、照明効率が良いので高いスループットを有
する露光装置が得られた。

【００１６】次に本発明の製造方法によって製造された
多光源形成反射鏡を半導体デバイス製造工程中に応用す
る例を示す。半導体デバイス製造方法は、ウェハ準備
工程、マスク準備工程、ウェハプロセッシング工程、チ
ップ組立工程、チップ検査工程からなる。この製造工程
中、ウェハプロセッシング工程は薄膜形成工程、酸化工
程、レジスト塗布工程、露光工程、エッチング工程、イ
オン注入工程、レジスト剥離工程、洗浄工程からなって
いる。この露光工程に本発明の製造方法による多光源形
成反射鏡を使用したところ、高いスループットの半導体
デバイス製造方法が得られた。

【００１７】

【発明の効果】本発明の、多光源形成藩主鏡製造方法を
用いると、精度の高い且つ安価な多光源反射鏡が得られ
る。また、それによって製造させた多光源反射鏡を半導
体露光装置、半導体デバイス製造方法に使用することに
より高いスループットの露光装置、半導体デバイス製造
方法が得られる。

【図面の簡単な説明】

【図１】基本反射面も基になる曲面の創成を示す。

【図２】基本反射面の表面粗さを所定の値以下にする
研磨工程を示す。

【図３】基本反射鏡を切り出す工程を示す。

【図４】切り出された基本反射面に樹脂棒が付けられ
た状態を示す。

【図５】ひとつの基本反射鏡を調整するための方法を
示す。

【図６】ひとつの基本反射鏡のみに調整光を照射する
ための開口板を示す。

【図７】多光源形成反射鏡２を組み込んだリソグラフ
ィ用の投影光学系を示す。

【図８】基本反射面Ａ１，Ｂ１，Ｃ１からなる多光源
形成反射鏡の構造を示す。同図（ｂ）は基本反射面Ａ１
の面形状及び外形状を示す。

【図９】基本反射面，Ａ１，Ｂ１，Ｃ１の面形状と外
形状を説明する図である。

【図１０】ボールエンドミルとそれによって創成される
曲面を説明する図である。

【図１１】ボールエンドミルによって加工された多光源
形成反射鏡の面の状態を示す図である。

【符号の説明】

１・・・光源２・・・多
光源形成反射鏡２、３、４・・・照明装置５・・・マ
スク６・・・投影光学系７・・・ウ
ェハ８・・・マスクステージ制御装置９・・・ウ
ェハステージ制御装置４１・・・基本反射面の基礎となる曲面１１１・・・バイトホルダ１１２・・・
ダイヤモンドバイト１１３・・・被加工物１１４、１１５
・・・ホルダ１１６・・・研磨皿１１７・・・
ポリシャ１１８・・・揺動軸３１１・・・
放電ワイヤ３１２・・・基本反射鏡３１３・・・
フライスカッタ４０１・・・樹脂棒５０１・・・
基盤５０２・・・位置決め用の穴５０３・・・
圧電素子５０４・・・自在継ぎ手５０５・・・
回転テーブル６０１・・・開口板６０２・・・
開口５１・・・基本反射面６０３〜６０４・
・・ステージＣＲ・・・隣接基本反射面間の加工残り

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号ＦＩテーマコート゛(参考）Ｈ０１Ｌ 21/30 ５１６ＡＦターム(参考） 2H042 DA02 DA10 DC08 DC09 DC10 DD04 DD08 DE04 2H043 BC01 CA02 CA09 CB01 CE00 5F046 AA28 BA03 CB03 CB05

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】反射面形状が所定の曲面であり、表面粗さ
が所定の値以下であり、外形状が所定の形状である基本
反射鏡を製作する加工工程と、基盤上に該基本反射鏡を
所定の配列に配置する配列調整工程と、を有する多光源
形成反射鏡の製造方法であって、該配列調整工程では、
該基盤上で個々の基本反射鏡に順次調整光を照射し、そ
の反射光を検出して個々の基本反射鏡の配置調整を行う
ことを特徴とする多光源形成反射鏡の製造方法。
【請求項２】請求項１記載の多光源形成反射鏡の製造方
法であって、所定形状の開口を有する開口板を介して調
整光を基本反射鏡に照射して配列調整することを特徴と
する多光源形成反射鏡の製造法。
【請求項３】複数の反射鏡からなるリソグラフィ用反射
型照明装置であって、請求項１又は２に記載の製造方法
によって製造された多光源形成反射鏡を有することを特
徴とする反射型照明装置。
【請求項４】光源、マスクを保持して移動するマスクス
テージ、該マスクを照明するマスク照明装置、該マスク
上ののパターンをウェハ上に投影する投影光学装置、ウ
ェハを保持して移動させるウェハステージを有する半導
体露光装置であって、該マスク照明装置が請求項１又は
請求項２に記載された多光源形成反射鏡を有し、かつ該
多光源形成反射鏡が有する基本反射面の外形状が該投影
光学装置の光学視野と相似形であることを特徴とする半
導体露光装置。
【請求項５】請求項４記載の半導体露光装置であって、
該投影光学装置が複数の反射鏡からなる反射型投影光学
装置であり、かつ該反射型投影光学装置の光学視野がほ
ぼ円弧状であることを特徴とする半導体露光装置。
【請求項６】ウェハ準備工程、マスク準備工程、ウェハ
プロセッシング工程、チップ組立工程、チップ検査工程
を有する半導体デバイスの製造方法であって、ウェハプ
ロセッシング工程中の露光工程において請求項１又は２
記載の製造方法によって製造された多光源形成反射鏡を
用いてマスクを照明し、ウェハを露光することを特徴と
する半導体デバイスの製造方法。