JP2000307415A - Logic circuit and image display device - Google Patents

Logic circuit and image display device

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To make low power consumption compatible with realization of a low voltage interface without causing any defect on the standpoint of display by adopting a smaller level for amplitude of part of input signals than a voltage of a drive power supply of a CMOS logic circuit and incorporating a voltage booster function to the logic circuit. SOLUTION: The power supply voltage is 15 V and amplitude of an input signal IN2 and the input signal /IN2 are also 15 V, while the amplitude of an input signal IN1 and the input signal /IN1 are 5 V. Furthermore, since a gate electrode of a P-channel transistor(TR) M1 is connected to a drain electrode of a P-channel TR M2 and the gate electrode of the P-channel TR M2 is connected to the drain electrode of the P-channel TR M1, the TRs M1, M2 configure a latch circuit. On the other hand, the input signal IN1 and /IN1, and IN2 and /IN2 are respectively given to circuit parts CIR1, CIR2 consisting of n-channel TR. The configuration of the CIR1, CIR2 is similar to the configuration of a conventional CMOS logic circuit. Thus, no current flows every time the level of the input signal is switched but the current flows only when the output signal is inverted, resulting in reducing the current consumption.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は入力信号の論理演算
を行う論理回路に関するものであり、特に、回路の電源
電圧よりも振幅の小さい入力信号においても、正常な論
理演算を行うことが可能な論理回路に関するものであ
る。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a logic circuit for performing a logical operation on an input signal, and in particular, can perform a normal logical operation even on an input signal whose amplitude is smaller than a power supply voltage of the circuit. It relates to a logic circuit.

【0002】[0002]

【従来の技術】画像表示装置の一つとしてアクティブマ
トリクス駆動方式の液晶表示装置が知られている。従
来、この液晶表示装置は図23に示すように、画素アレ
イ、走査信号線駆動回路GD、データ信号線駆動回路S
Dとからなっている。画素アレイには互いに交差する多
数の走査信号線GLと多数のデータ信号線SLとを備え
ており、隣接する2走査信号線GLと隣接する2データ
信号線SLとによって包囲された部分に画素PIXがマ
トリクス状に設けられている。
2. Description of the Related Art An active matrix drive type liquid crystal display device is known as one of image display devices. Conventionally, this liquid crystal display device has a pixel array, a scanning signal line driving circuit GD, and a data signal line driving circuit S as shown in FIG.
D. The pixel array includes a large number of scanning signal lines GL and a large number of data signal lines SL that intersect with each other, and a pixel PIX is provided in a portion surrounded by two adjacent scanning signal lines GL and two adjacent data signal lines SL. Are provided in a matrix.

【0003】データ信号線駆動回路SDはクロック信号
CKS等のタイミング信号に同期して入力された映像信
号DATをサンプリングし、必要に応じて増幅して各デ
ータ信号線SLに書き込む働きをする。走査信号線駆動
回路GDはクロック信号CKG等のタイミング信号に同
期して走査信号線GLを順次選択し、画素PIX内にあ
るスイッチング素子の開閉を制御することにより各デー
タ信号線SLに書き込まれた映像信号を各画素PIXに
書き込むと共に、各画素PIXに書き込まれたデータを
保持させる働きをする。
[0003] The data signal line drive circuit SD functions to sample the input video signal DAT in synchronization with a timing signal such as a clock signal CKS, amplify it if necessary, and write it to each data signal line SL. The scanning signal line driving circuit GD sequentially selects the scanning signal lines GL in synchronization with a timing signal such as a clock signal CKG, and controls the opening and closing of the switching element in the pixel PIX to write the data to each data signal line SL. The video signal is written to each pixel PIX, and also functions to hold the data written to each pixel PIX.

【0004】図23における各画素PIXは図24に示
すように、スイッチング素子である電界効果トランジス
タSW、画素容量(液晶容量CL及び必要によって付加
される補助容量CSよりなる)とによって構成される。
図24においてスイッチング素子であるトランジスタS
Wのドレイン及びソースを介してデータ信号線SLと画
素容量の一方の電極とが接続され、トランジスタSWの
ゲートは走査信号線GLに接続され、画素容量の他方の
電極は全画素に共通の共通電極線に接続されている。そ
して各液晶容量CLに印加される電圧により、液晶の透
過率または反射率が変調され表示に供する。
As shown in FIG. 24, each pixel PIX in FIG. 23 is composed of a field effect transistor SW as a switching element and a pixel capacitor (consisting of a liquid crystal capacitor CL and an auxiliary capacitor CS added as necessary).
In FIG. 24, a transistor S which is a switching element
The data signal line SL and one electrode of the pixel capacitance are connected via the drain and source of W, the gate of the transistor SW is connected to the scanning signal line GL, and the other electrode of the pixel capacitance is shared by all the pixels. It is connected to the electrode wire. Then, the transmittance or reflectance of the liquid crystal is modulated by the voltage applied to each liquid crystal capacitor CL, and the modulated liquid crystal is used for display.

【0005】次に映像信号をデータ信号線に書き込む方
式について述べる。データ信号線の駆動方式としては点
順次駆動方式と線順次駆動方式とがある。ここでは、点
順次駆動方式についてのみ述べる。
Next, a method of writing a video signal to a data signal line will be described. As a driving method of the data signal line, there are a dot sequential driving method and a line sequential driving method. Here, only the dot sequential driving method will be described.

【0006】図39はデータ信号線駆動回路の例であ
る。点順次駆動方式では図39に示すように、映像信号
線DATに入力された映像信号をシフトレジスタの各段
の出力パルスに同期させてサンプリング回路ASを開閉
することによりデータ信号線SLに書き込む。
FIG. 39 shows an example of a data signal line driving circuit. In the point-sequential driving method, as shown in FIG. 39, the video signal input to the video signal line DAT is written to the data signal line SL by opening and closing the sampling circuit AS in synchronization with the output pulse of each stage of the shift register.

【0007】このことをより具体的に述べると、隣接す
る2個のラッチ回路SRの出力信号Nの重なり信号を複
数のインバータ回路からなるバッファ回路で増幅すると
共に、必要に応じて反転信号を生成してサンプリング信
号S及び/Sとする。このサンプリング信号を用いてサ
ンプリング回路(アナログスイッチ)AWを開閉して映
像信号線DATから映像データをデータ信号線SLに供
給するものである。
More specifically, an overlap signal of the output signals N of two adjacent latch circuits SR is amplified by a buffer circuit including a plurality of inverter circuits, and an inverted signal is generated as necessary. To be sampling signals S and / S. The sampling circuit (analog switch) AW is opened and closed using the sampling signal to supply video data from the video signal line DAT to the data signal line SL.

【0008】図40は走査信号線駆動回路の例である。
図40に示すように、NAND回路によって隣接するラ
ッチ回路SRの出力信号の重なりをとり、更にこれと外
部からのパルス幅制御信号GPSとの重なりをとること
によって所望のパルス幅を得ている。
FIG. 40 shows an example of a scanning signal line driving circuit.
As shown in FIG. 40, an output signal of an adjacent latch circuit SR is overlapped by a NAND circuit, and a desired pulse width is obtained by overlapping this with an external pulse width control signal GPS.

【0009】ところで、近年、液晶表示装置の小型化や
高解像度化、実装コストの低減などのために、表示を司
る画素アレイとそれらを駆動するための駆動回路とを同
一基板上に一体形成する技術が注目を集めている。この
ような駆動回路一体型の液晶表示装置では、現在、最も
広く用いられている透過型液晶表示装置を構成する場
合、その基板に透明基板を用いる必要があり、そのた
め、画素アレイ及び駆動回路を構成する能動素子として
石英基板やガラス基板上に構成することができる多結晶
シリコン薄膜トランジスタを用いる場合が多い。
In recent years, in order to reduce the size, increase the resolution, and reduce the mounting cost of a liquid crystal display device, a pixel array for controlling display and a drive circuit for driving the pixel array are integrally formed on the same substrate. Technology is attracting attention. In such a liquid crystal display device integrated with a driving circuit, a transparent substrate needs to be used as a substrate when a transmission type liquid crystal display device that is currently most widely used is configured. Therefore, a pixel array and a driving circuit are required. In many cases, a polycrystalline silicon thin film transistor that can be formed on a quartz substrate or a glass substrate is used as an active element to be formed.

【0010】[0010]

【発明が解決しようとする課題】上述した従来の画像表
示装置においては、図39及び図40に示すように、シ
フトレジスタ回路へクロック信号CKS及びCKG、ス
タート信号SPS及びSPG等の駆動回路の電源電圧と
同振幅の信号を外部から直接入力していた。
In the above-described conventional image display device, as shown in FIGS. 39 and 40, a power supply of a driving circuit such as clock signals CKS and CKG, start signals SPS and SPG is supplied to a shift register circuit. A signal having the same amplitude as the voltage was directly input from the outside.

【0011】ところで、上述の駆動回路一体型の液晶表
示装置に用いられる多結晶シリコン薄膜トランジスタお
いては、そのトランジスタ特性が単結晶シリコントラン
ジスタに比べて劣っている。特に、閾値電圧の絶対値が
1〜6Vと高く、従って駆動電源電圧も10〜20Vま
で高くせざるを得ないのが現状である。
By the way, the polycrystalline silicon thin film transistor used in the above-mentioned liquid crystal display device integrated with a driving circuit has inferior transistor characteristics as compared with a single crystal silicon transistor. In particular, at present, the absolute value of the threshold voltage is as high as 1 to 6 V, and therefore the driving power supply voltage has to be increased to 10 to 20 V at present.

【0012】また、この際、同時に外部から入力される
クロック信号等の振幅も大きくする必要があるが、その
場合、外部回路(クロック信号などを生成するコントロ
ール回路等)の消費電力が大幅に増加することになると
共に、信号線による不要輻射による影響も大きなものと
なる。
At this time, it is necessary to simultaneously increase the amplitude of a clock signal or the like input from the outside. In this case, the power consumption of an external circuit (a control circuit for generating a clock signal or the like) is greatly increased. In addition to the above, the influence of the unnecessary radiation from the signal line becomes large.

【0013】この問題に対して、従来は液晶表示装置の
駆動回路側に信号昇圧回路(レベルシフタ)を搭載する
ことにより、入出力インターフェースの低電圧化を図る
ことが提案されている。図41は低電圧インターフェー
スを実現するための走査信号線駆動回路の構成例であ
る。図41において、外部から入力されるクロック信号
CLKやスタート信号SPS及びSPG、パルス信号G
PSは駆動回路よりも小振幅である。これらの信号は、
先ずレベルシフタ回路(昇圧回路)LSに入力され駆動
回路の電源電圧まで昇圧された後、駆動回路に供給され
ている。尚、データ信号線駆動回路側においても、同様
な構成が可能である。図42及び図43は従来のレベル
シフタ回路LSの構成例であり、LSIで一般に用いら
れているものである。実際の液晶表示装置では、外部か
らの信号線(GPS等)は、駆動回路領域の長手方向に
わたって伸延しているので、それによる負荷は極めて大
きい。従って負荷の大きな信号線を高周波数で駆動する
ために、レベルシフタ回路後に大きなバッファ回路を設
ける必要あり、そのことにより消費電力が大幅に増加す
ると共に、駆動回路の信頼性の低下が懸念されている。
To solve this problem, it has been conventionally proposed to mount a signal booster circuit (level shifter) on the drive circuit side of the liquid crystal display device to reduce the voltage of the input / output interface. FIG. 41 shows a configuration example of a scanning signal line driving circuit for realizing a low-voltage interface. 41, a clock signal CLK, start signals SPS and SPG, and a pulse signal G input from outside
PS has a smaller amplitude than the drive circuit. These signals are
First, the voltage is input to a level shifter circuit (boost circuit) LS and boosted to the power supply voltage of the drive circuit, and then supplied to the drive circuit. Note that a similar configuration is also possible on the data signal line drive circuit side. 42 and 43 show configuration examples of a conventional level shifter circuit LS, which are generally used in LSI. In an actual liquid crystal display device, an external signal line (GPS or the like) extends in the longitudinal direction of the drive circuit region, so that the load due to the signal line is extremely large. Therefore, in order to drive a signal line with a large load at a high frequency, it is necessary to provide a large buffer circuit after the level shifter circuit, thereby significantly increasing power consumption and reducing the reliability of the drive circuit. .

【0014】本発明は、このような従来技術の課題を解
決すべくなされたものであり、昇圧機能を内蔵させるこ
とにより、表示上の不具合を来すことなく、低電圧イン
ターフェースと低消費電力を両立させた論理演算回路、
及びこれを用いることにより低消費電力性と高表示品位
を兼ね備えた画像表示装置を提供することである。
The present invention has been made to solve such a problem of the prior art. By incorporating a boosting function, a low-voltage interface and low power consumption can be achieved without causing display problems. Logical operation circuit,
Another object of the present invention is to provide an image display device having low power consumption and high display quality by using the same.

【0015】[0015]

【課題を解決するための手段】上述の課題を解決するた
めに本発明の請求項1に記載の論理回路は、複数の入力
信号に基づいて論理演算を行うCMOS論理回路におい
て、入力信号のうちの少なくとも一部は、その振幅がC
MOS論理回路の駆動電源よりも小さいことを特徴とし
ている。
According to a first aspect of the present invention, there is provided a CMOS circuit for performing a logical operation based on a plurality of input signals. At least partially has an amplitude C
It is characterized in that it is smaller than the driving power supply of the MOS logic circuit.

【0016】また、本発明の請求項2に記載の論理回路
は、請求項1に記載の論理回路において、2つの電流経
路のそれぞれにnチャネル型トランジスタからなる回路
部分及びpチャネル型トランジスタからなる回路部分が
設けられ、その何れか一方のチャネル型トランジスタか
らなる回路部分において、一方の電流経路には、論理回
路と同様の論理演算結果を出力するCMOSロジック回
路のnチャネル型トランジスタからなる回路部分と同一
構成の回路が設けられ、他方の電流経路には、論理回路
と同様の論理演算結果を出力するCMOSロジック回路
のpチャネル型トランジスタからなる回路部分と同一構
成の回路が設けられ、論理回路の他方のチャネル型トラ
ンジスタからなる回路部分では、2つの電流経路にそれ
ぞれ設けられたトランジスタのゲート電極が、互いのド
レイン電極に相互に接続されることを特徴としている。
A logic circuit according to a second aspect of the present invention is the logic circuit according to the first aspect, wherein each of the two current paths includes a circuit portion formed of an n-channel transistor and a p-channel transistor. A circuit portion is provided, and in one of the channel portions composed of channel type transistors, a circuit portion composed of an n-channel type transistor of a CMOS logic circuit that outputs a logical operation result similar to that of the logic circuit is provided in one current path. A circuit having the same configuration as that of the circuit portion including the p-channel transistor of the CMOS logic circuit that outputs the same logical operation result as the logic circuit is provided on the other current path. In the circuit portion composed of the other channel-type transistor, the transistors provided in the two current paths are respectively provided. The gate electrode of Njisuta has been characterized by being connected to each other with the drain electrode of one another.

【0017】また、本発明の請求項3に記載の論理回路
は、請求項1に記載の論理回路において、 論理回路
は、2つの電流経路のそれぞれにnチャネル型トランジ
スタからなる回路部分及びpチャネル型トランジスタか
らなる回路部分が設けられ、その何れか一方のチャネル
型トランジスタからなる回路部分において、一方の電流
経路には、論理回路と同様の論理演算結果を出力するC
MOSロジック回路のnチャネル型トランジスタからな
る回路部分と同一構成の回路が設けられ、他方の電流経
路には、論理回路と同様の論理演算結果を出力するCM
OSロジック回路のpチャネル型トランジスタからなる
回路部分と同一構成の回路が設けられ、論理回路の他方
のチャネル型トランジスタからなる回路部分では、2つ
の電流経路のそれぞれにおいて、入力信号のうち、少な
くとも一部がゲート電極に入力されるトランジスタが設
けられ、かつ、2つの電流経路のそれぞれの電源側に、
ゲート電極が互いに他方の電流経路の出力部に接続され
るトランジスタが設けらていることを特徴としている。
According to a third aspect of the present invention, there is provided the logic circuit according to the first aspect, wherein the logic circuit includes a circuit portion including an n-channel transistor and a p-channel transistor in each of two current paths. A circuit portion composed of a transistor is provided. In one of the circuit portions composed of the channel-type transistors, one of the current paths has a C that outputs a logical operation result similar to that of the logic circuit.
A circuit having the same configuration as that of the circuit portion including the n-channel transistor of the MOS logic circuit is provided, and the other current path is a CM that outputs the same logical operation result as the logic circuit.
A circuit having the same configuration as the circuit portion including the p-channel transistor of the OS logic circuit is provided. In the circuit portion including the other channel type transistor of the logic circuit, at least one of the input signals is provided in each of the two current paths. A transistor whose section is input to the gate electrode is provided, and on each power supply side of the two current paths,
A transistor is provided in which gate electrodes are connected to the output portions of the other current paths.

【0018】また、本発明の請求項4に記載の論理回路
は、請求項1に記載の論理回路において、 論理回路
は、2つの電流経路のそれぞれにnチャネル型トランジ
スタからなる回路部分及びpチャネル型トランジスタか
らなる回路部分が設けられ、その何れか一方のチャネル
型トランジスタからなる回路部分において、一方の電流
経路には、論理回路と同様の論理演算結果を出力するC
MOSロジック回路のnチャネル型トランジスタからな
る回路部分と同一構成の回路が設けられ、他方の電流経
路には、論理回路と同様の論理演算結果を出力するCM
OSロジック回路のpチャネル型トランジスタからなる
回路部分と同一構成の回路が設けられ、論理回路の他方
のチャネル型トランジスタからなる回路部分では、一方
の電流経路に、論理回路と同様の論理演算結果を出力す
るCMOSロジック回路のpチャネル型トランジスタか
らなる回路部分と同一構成の回路が設けられ、他方の電
流経路に、入力信号のうち、少なくとも一部がゲート電
極に入力されるトランジスタが設けられ、論理回路と同
様の論理演算結果を出力するCMOSロジック回路のn
チャネル型トランジスタからなる回路部分と同一構成の
回路が設けられ、かつ、2つの電流経路のそれぞれの電
源側に、ゲート電極が互いに他方の電流経路の出力部に
接続されるトランジスタが設けらていることを特徴とし
ている。
According to a fourth aspect of the present invention, there is provided the logic circuit according to the first aspect, wherein each of the two current paths includes a circuit portion including an n-channel transistor and a p-channel transistor. A circuit portion composed of a transistor is provided. In one of the circuit portions composed of the channel-type transistors, one of the current paths has a C that outputs a logical operation result similar to that of the logic circuit.
A circuit having the same configuration as that of the circuit portion including the n-channel transistor of the MOS logic circuit is provided, and the other current path is a CM that outputs the same logical operation result as the logic circuit.
A circuit having the same configuration as the circuit portion including the p-channel transistor of the OS logic circuit is provided. In the circuit portion including the other channel type transistor of the logic circuit, the same logical operation result as that of the logic circuit is supplied to one current path. A circuit having the same configuration as a circuit portion including a p-channel transistor of a CMOS logic circuit for outputting is provided, and a transistor on which at least a part of an input signal is input to a gate electrode is provided on the other current path. N of a CMOS logic circuit that outputs the same logical operation result as the circuit
A circuit having the same configuration as the circuit portion including the channel-type transistor is provided, and a transistor whose gate electrode is connected to the output of the other current path is provided on each power supply side of the two current paths. It is characterized by:

【0019】また、本発明の請求項5に記載の論理回路
は、請求項1乃至4に記載の論理回路 において、複
数の入力信号のうち、振幅が小さい方の信号は、一方の
チャンネル型の回路部分において、直列に接続されたト
ランジスタのうちの電源側に入力されていることを特徴
としている。
According to a fifth aspect of the present invention, there is provided a logic circuit according to the first to fourth aspects, wherein a signal having a smaller amplitude among the plurality of input signals is one channel type. In the circuit portion, the signal is input to the power supply side of the transistors connected in series.

【0020】また、本発明の請求項6に記載の論理回路
は、請求項1乃至5の何れかに記載の論理回路におい
て、互いのソース電極が第1の電極電位に接続され、互
いのゲート電極が相手のドレイン電極に接続されると共
に、それぞれ第1の出力端子及び第2の出力端子に接続
される第1のトランジスタ及び第2のトランジスタと、
ゲート電極が第1の入力端子に接続され、ドレイン電極
が第2の出力端子に接続される第3のトランジスタと、
ゲート電極が第2の入力端子に接続され、ドレイン電極
が第3のトランジスタのソース電極に接続され、ソース
電極が第2の電源電位に接続される第4のトランジスタ
と、ゲート電極が第3の入力端子に接続され、ドレイン
電極が第1の出力端子に接続され、ソース電極が第2の
電源電位に接続される第5のトランジスタと、ゲート電
極が第4の入力端子に接続され、ドレイン電極が第1の
出力端子に接続され、ソース電極が第2の電源電位に接
続される第6のトランジスタと、を備え、第1の入力端
子及び第3の入力端子に入力される信号は、互いに逆位
相であり、第2の入力端子及び第4の入力端子に入力さ
れる信号は、互いに逆位相であり、第1のトランジスタ
及び第2のトランジスタは、その他のトランジスタとは
異なるチャネル型のトランジスタであることを特徴とし
ている。
A logic circuit according to a sixth aspect of the present invention is the logic circuit according to any one of the first to fifth aspects, wherein each of the source electrodes is connected to the first electrode potential, and the other is a gate. A first transistor and a second transistor each having an electrode connected to a corresponding drain electrode and connected to a first output terminal and a second output terminal, respectively;
A third transistor having a gate electrode connected to the first input terminal and a drain electrode connected to the second output terminal;
A fourth transistor having a gate electrode connected to the second input terminal, a drain electrode connected to the source electrode of the third transistor, and a source electrode connected to the second power supply potential; A fifth transistor connected to the input terminal, a drain electrode connected to the first output terminal, a source electrode connected to the second power supply potential, a gate electrode connected to the fourth input terminal, and a drain electrode Is connected to the first output terminal, and a sixth transistor whose source electrode is connected to the second power supply potential. The signals input to the first input terminal and the third input terminal are The signals input to the second input terminal and the fourth input terminal have opposite phases, and the first transistor and the second transistor have different channel types from the other transistors. It is characterized by a transistor.

【0021】また、本発明の請求項7に記載の論理回路
は、請求項1乃至5の何れかに記載の論理回路におい
て、互いのソース電極が第1の電極電位に接続され、互
いのゲート電極が相手のドレイン電極に接続されると共
に、それぞれ第1の出力端子及び第2の出力端子に接続
される第1のトランジスタ及び第2のトランジスタと、
ゲート電極が第1の入力端子に接続され、ドレイン電極
が第2の出力端子に接続される第3のトランジスタと、
ゲート電極が第2の入力端子に接続され、ドレイン電極
が第3のトランジスタのソース電極に接続され、ソース
電極が第2の電源電位に接続される第4のトランジスタ
と、ゲート電極が第3の入力端子に接続され、ドレイン
電極が第2の出力端子に接続され、ソース電極が第2の
電源電位に接続される第5のトランジスタと、ゲート電
極が第4の入力端子に接続され、ソース電極が第2の電
源電位に接続される第6のトランジスタと、ゲート電極
が第5の入力端子に接続され、ソース電極が第2の電源
電位に接続される第7のトランジスタと、ゲート電極が
第6の入力端子に接続され、ドレイン電極が第1の出力
端子に接続され、ソース電極が第6のトランジスタ及び
第7のトランジスタのドレイン電極に接続される第8の
トランジスタと、を備え、第1の入力端子及び第4の入
力端子に入力される信号は、互いに逆位相であり、第2
の入力端子及び第5の入力端子に入力される信号は、互
いに逆位相であり、第3の入力端子及び第6の入力端子
に入力される信号は、互いに逆位相であり、第1のトラ
ンジスタ及び第2のトランジスタは、その他のトランジ
スタとは異なるチャネル型のトランジスタであることを
特徴としている。
According to a seventh aspect of the present invention, in the logic circuit according to any one of the first to fifth aspects, the respective source electrodes are connected to the first electrode potential, and the respective gates are connected. A first transistor and a second transistor each having an electrode connected to a corresponding drain electrode and connected to a first output terminal and a second output terminal, respectively;
A third transistor having a gate electrode connected to the first input terminal and a drain electrode connected to the second output terminal;
A fourth transistor having a gate electrode connected to the second input terminal, a drain electrode connected to the source electrode of the third transistor, and a source electrode connected to the second power supply potential; A fifth transistor connected to the input terminal, the drain electrode connected to the second output terminal, the source electrode connected to the second power supply potential, the gate electrode connected to the fourth input terminal, and the source electrode Are connected to a second power supply potential, a seventh transistor whose gate electrode is connected to a fifth input terminal, the source electrode is connected to the second power supply potential, and the gate electrode is An eighth transistor connected to an input terminal of the sixth transistor, a drain electrode connected to the first output terminal, and a source electrode connected to drain electrodes of the sixth transistor and the seventh transistor; Comprising, a signal input to the first input terminal and a fourth input terminal is the inverse phase to each other, the second
The signals input to the third input terminal and the fifth input terminal are opposite in phase to each other, and the signals input to the third input terminal and the sixth input terminal are opposite in phase to each other. And the second transistor is a channel-type transistor which is different from the other transistors.

【0022】また、本発明の請求項8に記載の論理回路
は、請求項1乃至5の何れかに記載の論理回路におい
て、互いのソース電極が第1の電極電位に接続され、互
いのゲート電極が相手のドレイン電極に接続されると共
に、それぞれ第1の出力端子及び第2の出力端子に接続
される第1のトランジスタ及び第2のトランジスタと、
ゲート電極が第1の入力端子に接続され、ドレイン電極
が第2の出力端子に接続される第3のトランジスタと、
ゲート電極が第2の入力端子に接続され、ドレイン電極
が第3のトランジスタのソース電極に接続され、ソース
電極が第2の電源電位に接続される第4のトランジスタ
と、ゲート電極が第3の入力端子に接続され、ドレイン
電極が第2の出力端子に接続され、ソース電極が第2の
電源電位に接続される第5のトランジスタと、ゲート電
極が第4の入力端子に接続され、ドレイン電極が第1の
出力端子に接続される第6のトランジスタと、ゲート電
極が第5の入力端子に接続され、ドレイン電極が第1の
出力端子に接続される第7のトランジスタと、ゲート電
極が第6の入力端子に接続され、ドレイン電極が第6の
トランジスタ及び第7のトランジスタのソース電極に接
続され、ソース電極が第2の電源電位に接続される第8
のトランジスタと、を備え、第1の入力端子及び第4の
入力端子に入力される信号は、互いに逆位相であり、第
2の入力端子及び第5の入力端子に入力される信号は、
互いに逆位相であり、第3の入力端子及び第6の入力端
子に入力される信号は、互いに逆位相であり、第1のト
ランジスタ及び第2のトランジスタは、その他のトラン
ジスタとは異なるチャネル型のトランジスタであること
を特徴としている。
The logic circuit according to claim 8 of the present invention is the logic circuit according to any one of claims 1 to 5, wherein each of the source electrodes is connected to the first electrode potential and each of the gates is connected to each other. A first transistor and a second transistor each having an electrode connected to a corresponding drain electrode and connected to a first output terminal and a second output terminal, respectively;
A third transistor having a gate electrode connected to the first input terminal and a drain electrode connected to the second output terminal;
A fourth transistor having a gate electrode connected to the second input terminal, a drain electrode connected to the source electrode of the third transistor, and a source electrode connected to the second power supply potential; A fifth transistor connected to the input terminal, the drain electrode connected to the second output terminal, the source electrode connected to the second power supply potential, and the gate electrode connected to the fourth input terminal; Are connected to the first output terminal, a seventh transistor whose gate electrode is connected to the fifth input terminal, the drain electrode is connected to the first output terminal, and the gate electrode is The sixth input terminal is connected to the input terminal of the sixth transistor, the drain electrode is connected to the source electrodes of the sixth transistor and the seventh transistor, and the source electrode is connected to the second power supply potential.
Wherein the signals input to the first input terminal and the fourth input terminal have opposite phases, and the signals input to the second input terminal and the fifth input terminal are:
The signals input to the third input terminal and the sixth input terminal have opposite phases to each other, and the first transistor and the second transistor have different channel types from the other transistors. It is a transistor.

【0023】また、本発明の請求項9に記載の論理回路
は、請求項1乃至5の何れかに記載の論理回路におい
て、互いのソース電極が第1の電極電位に接続され、ゲ
ート電極がそれぞれ第1の出力端子及び第2の出力端子
に接続される第1のトランジスタ及び第2のトランジス
タと、ゲート電極が第1の入力端子に接続され、ソース
電極が第1のトランジスタのドレイン電極に接続され、
ドレイン電極が第2の出力端子に接続される第3のトラ
ンジスタと、ゲート電極が第2の入力端子に接続され、
ソース電極が第2のトランジスタのドレイン電極に接続
され、ドレイン電極が第1の出力端子に接続される第4
のトランジスタと、ゲート電極が第3の入力端子に接続
され、ドレイン電極が第2の出力端子に接続される第5
のトランジスタと、ゲート電極が第1の入力端子に接続
され、ソース電極が第2の電源電位に接続され、ドレイ
ン電極が第5のトランジスタのソース電極に接続される
第6のトランジスタと、ゲート電極が第4の入力端子に
接続され、ソース電極が第2の電源電位に接続され、ド
レイン電極が第1の出力端子に接続される第7のトラン
ジスタと、ゲート電極が第2の入力端子第5の入力端子
に接続され、ドレイン電極が第1の出力端子に接続され
る第7のトランジスタと、ゲート電極が第2の入力端子
に接続され、ソース電極が第2の電源電位に接続され、
ドレイン電極が第1の出力端子に接続される第8のトラ
ンジスタと、を備え、第1の入力端子及び第2の入力端
子に入力される信号は、互いに逆位相であり、第3の入
力端子及び第4の入力端子に入力される信号は、互いに
逆位相であり、第1乃至第4のトランジスタは、その他
のトランジスタとは異なるチャネル型のトランジスタで
あることを特徴としている。
A logic circuit according to a ninth aspect of the present invention is the logic circuit according to any one of the first to fifth aspects, wherein the source electrodes are connected to the first electrode potential, and the gate electrodes are connected to the first electrode potential. A first transistor and a second transistor connected to the first output terminal and the second output terminal, respectively, a gate electrode is connected to the first input terminal, and a source electrode is connected to a drain electrode of the first transistor. Connected
A third transistor having a drain electrode connected to the second output terminal, a gate electrode connected to the second input terminal,
A fourth electrode having a source electrode connected to the drain electrode of the second transistor and a drain electrode connected to the first output terminal;
And a fifth transistor having a gate electrode connected to the third input terminal and a drain electrode connected to the second output terminal.
A sixth transistor whose gate electrode is connected to the first input terminal, whose source electrode is connected to the second power supply potential, and whose drain electrode is connected to the source electrode of the fifth transistor; Is connected to the fourth input terminal, a seventh transistor whose source electrode is connected to the second power supply potential, and whose drain electrode is connected to the first output terminal, and whose gate electrode is connected to the second input terminal A seventh transistor having a drain electrode connected to the first output terminal, a gate electrode connected to the second input terminal, a source electrode connected to the second power supply potential,
An eighth transistor having a drain electrode connected to the first output terminal, wherein signals input to the first input terminal and the second input terminal are in opposite phases to each other, and the third input terminal And the signals input to the fourth input terminal are opposite in phase to each other, and the first to fourth transistors are channel-type transistors different from the other transistors.

【0024】また、本発明の請求項10に記載の論理回
路は、請求項1乃至5の何れかに記載の論理回路におい
て、互いのソース電極が第1の電極電位に接続され、ゲ
ート電極がそれぞれ第1の出力端子及び第2の出力端子
に接続される第1のトランジスタ及び第2のトランジス
タと、ゲート電極が第1の入力端子に接続され、ソース
電極が第1のトランジスタのドレイン電極に接続され、
ドレイン電極が第2の出力端子に接続される第3のトラ
ンジスタと、ゲート電極が第2の入力端子に接続され、
ソース電極が第1のトランジスタのドレイン電極に接続
され、ドレイン電極が第2の出力端子に接続される第4
のトランジスタと、ゲート電極が第3の入力端子に接続
され、ソース電極が第2のトランジスタのドレイン電極
に接続される第5のトランジスタと、ゲート電極が第4
の入力端子に接続され、ソース電極が第5のトランジス
タのドレイン電極に接続され、ドレイン電極が第1の出
力端子に接続される第6のトランジスタと、ゲート電極
が第5の入力端子に接続され、ドレイン電極が第2の出
力端子に接続される第7のトランジスタと、ゲート電極
が第2の入力端子に接続され、ソース電極が第2の電源
電位に接続され、ドレイン電極が第7のトランジスタの
ソース電極に接続される第8のトランジスタと、ゲート
電極が第6の入力端子に接続され、ソース電極が第2の
電源電位に接続され、ドレイン電極が第1の出力端子に
接続される第9のトランジスタと、ゲート電極が第4の
入力端子に接続され、ソース電極が第2の電源電位に接
続され、ドレイン電極が第1の出力端子に接続される第
10のトランジスタと、を備え、 第1の入力端子及び
第3の入力端子に入力される信号は、互いに逆位相であ
り、第2の入力端子及び第4の入力端子に入力される信
号は、互いに逆位相であり、第1乃至第6のトランジス
タは、その他のトランジスタとは異なるチャネル型のト
ランジスタであることを特徴としている。
A logic circuit according to a tenth aspect of the present invention is the logic circuit according to any one of the first to fifth aspects, wherein the respective source electrodes are connected to the first electrode potential, and the gate electrode is connected to the first electrode potential. A first transistor and a second transistor connected to the first output terminal and the second output terminal, respectively, a gate electrode is connected to the first input terminal, and a source electrode is connected to a drain electrode of the first transistor. Connected
A third transistor having a drain electrode connected to the second output terminal, a gate electrode connected to the second input terminal,
A fourth transistor having a source electrode connected to the drain electrode of the first transistor and a drain electrode connected to the second output terminal;
And a fifth transistor having a gate electrode connected to the third input terminal and a source electrode connected to the drain electrode of the second transistor, and a fourth transistor having a gate electrode connected to the fourth input terminal.
A sixth transistor whose source electrode is connected to the drain electrode of the fifth transistor, whose drain electrode is connected to the first output terminal, and whose gate electrode is connected to the fifth input terminal. A seventh transistor having a drain electrode connected to the second output terminal, a gate electrode connected to the second input terminal, a source electrode connected to the second power supply potential, and a drain electrode connected to the seventh transistor. An eighth transistor connected to the source electrode of the first transistor, a gate electrode connected to the sixth input terminal, a source electrode connected to the second power supply potential, and a drain electrode connected to the first output terminal. And a tenth transistor having a gate electrode connected to the fourth input terminal, a source electrode connected to the second power supply potential, and a drain electrode connected to the first output terminal. And the signals input to the first input terminal and the third input terminal have opposite phases, and the signals input to the second input terminal and the fourth input terminal have opposite phases. And the first to sixth transistors are channel-type transistors different from the other transistors.

【0025】また、本発明の請求項11に記載の論理回
路は、請求項1乃至5の何れかに記載の論理回路におい
て、互いのソース電極が第1の電極電位に接続され、ゲ
ート電極がそれぞれ第1の出力端子及び第2の出力端子
に接続される第1のトランジスタ及び第2のトランジス
タと、ゲート電極が第1の入力端子に接続され、ソース
電極が第1のトランジスタのドレイン電極に接続され、
ドレイン電極が第2の出力端子に接続される第3のトラ
ンジスタと、ゲート電極が第2の入力端子に接続され、
ソース電極が第2のトランジスタのドレイン電極に接続
され、ドレイン電極が第1の出力端子に接続される第4
のトランジスタと、ゲート電極が第3の入力端子に接続
され、ドレイン電極が第2の出力端子に接続される第5
のトランジスタと、ゲート電極が第1の入力端子に接続
され、ソース電極が第2の電源電位に接続され、ドレイ
ン電極が第5のトランジスタのソース電極に接続される
第6のトランジスタと、ゲート電極が第4の入力端子に
接続され、ソース電極が第2の電源電位に接続され、ド
レイン電極が第2の出力端子に接続される第7のトラン
ジスタと、ゲート電極が第5の入力端子に接続され、ド
レイン電極が第1の出力端子に接続される第8のトラン
ジスタと、ゲート電極が第2の入力端子に接続され、ソ
ース電極が第2の電源電位に接続され、ドレイン電極が
第8のトランジスタのソース電極に接続される第9のト
ランジスタと、ゲート電極が第6の入力端子に接続さ
れ、ソース電極が第2の電源電位に接続され、ドレイン
電極が第8のトランジスタのソース電極に接続される第
10のトランジスタと、を備え、第1の入力端子及び第
2の入力端子に入力される信号は、互いに逆位相であ
り、第3の入力端子及び第6の入力端子に入力される信
号は、互いに逆位相であり、第4の入力端子及び第5の
入力端子に入力される信号は、互いに逆位相であり、第
1乃至第4のトランジスタは、その他のトランジスタと
は異なるチャネル型のトランジスタであることを特徴と
している。
In the logic circuit according to claim 11 of the present invention, in the logic circuit according to any one of claims 1 to 5, each of the source electrodes is connected to the first electrode potential, and the gate electrode is connected to the other. A first transistor and a second transistor connected to the first output terminal and the second output terminal, respectively, a gate electrode is connected to the first input terminal, and a source electrode is connected to a drain electrode of the first transistor. Connected
A third transistor having a drain electrode connected to the second output terminal, a gate electrode connected to the second input terminal,
A fourth electrode having a source electrode connected to the drain electrode of the second transistor and a drain electrode connected to the first output terminal;
And a fifth transistor having a gate electrode connected to the third input terminal and a drain electrode connected to the second output terminal.
A sixth transistor whose gate electrode is connected to the first input terminal, whose source electrode is connected to the second power supply potential, and whose drain electrode is connected to the source electrode of the fifth transistor; Is connected to the fourth input terminal, a seventh transistor whose source electrode is connected to the second power supply potential, and whose drain electrode is connected to the second output terminal, and whose gate electrode is connected to the fifth input terminal. An eighth transistor having a drain electrode connected to the first output terminal, a gate electrode connected to the second input terminal, a source electrode connected to the second power supply potential, and a drain electrode connected to the eighth output terminal. A ninth transistor connected to the source electrode of the transistor, a gate electrode connected to the sixth input terminal, a source electrode connected to the second power supply potential, and a drain electrode connected to the eighth transistor; And a tenth transistor connected to the source electrode of the star, the signals input to the first input terminal and the second input terminal are in opposite phases to each other, and the third input terminal and the sixth input terminal The signals input to the input terminals have opposite phases, the signals input to the fourth input terminal and the fifth input terminal have opposite phases, and the first to fourth transistors have other phases. It is a channel-type transistor which is different from a transistor.

【0026】また、本発明の請求項12に記載の論理回
路は、請求項1乃至5の何れかに記載の論理回路におい
て、互いのソース電極が第1の電極電位に接続され、ゲ
ート電極がそれぞれ第1の出力端子及び第2の出力端子
に接続される第1のトランジスタ及び第2のトランジス
タと、ゲート電極が第1の入力端子に接続され、ソース
電極が第1のトランジスタのドレイン電極に接続される
第3のトランジスタと、ゲート電極が第2の入力端子に
接続され、ソース電極が第3のトランジスタのドレイン
電極に接続され、ドレイン電極が第2の出力端子に接続
される第4のトランジスタと、ゲート電極が第3の入力
端子に接続され、ソース電極が第3のトランジスタのド
レイン電極に接続され、ドレイン電極が第2の出力端子
に接続される第5のトランジスタと、ゲート電極が第4
の入力端子に接続され、ソース電極が第2のトランジス
タのドレイン電極に接続され、ドレイン電極が第1の出
力端子に接続される第6のトランジスタと、ゲート電極
が第5の入力端子に接続され、ソース電極が第2のトラ
ンジスタのドレイン電極に接続される第7のトランジス
タと、ゲート電極が第6の入力端子に接続され、ソース
電極が第7のトランジスタのドレイン電極に接続され、
ドレイン電極が第1の出力端子に接続される第8のトラ
ンジスタと、ゲート電極が第7の入力端子に接続され、
ドレイン電極が第2の出力端子に接続される第9のトラ
ンジスタと、ゲート電極が第8の入力端子に接続され、
ソース電極が第2の電源電位に接続され、ドレイン電極
が第9のトランジスタのソース電極に接続される第10
のトランジスタと、ゲート電極が第9の入力端子に接続
され、ソース電極が第2の電源電位に接続され、ドレイ
ン電極が第2の出力端子に接続される第11のトランジ
スタと、ゲート電極が第10の入力端子に接続され、ド
レイン電極が第1の出力端子に接続される第12のトラ
ンジスタと、ゲート電極が第11の入力端子に接続さ
れ、ソース電極が第2の電源電位に接続され、ドレイン
電極が第12のトランジスタのソース電極に接続される
第13のトランジスタと、ゲート電極が第12の入力端
子に接続され、ソース電極が第2の電源電位に接続さ
れ、ドレイン電極が第12のトランジスタのソース電極
に接続される第14のトランジスタと、を備え、第1の
入力端子及び第4の入力端子に入力される信号は、互い
に逆位相であり、第2の入力端子及び第6の入力端子に
入力される信号は、互いに逆位相であり、第3の入力端
子及び第5の入力端子に入力される信号は、互いに逆位
相であり、第1乃至第8のトランジスタは、その他のト
ランジスタとは異なるチャネル型のトランジスタである
ことを特徴としている。
According to a twelfth aspect of the present invention, in the logic circuit according to any one of the first to fifth aspects, each of the source electrodes is connected to the first electrode potential, and the other is connected to the gate electrode. A first transistor and a second transistor connected to the first output terminal and the second output terminal, respectively, a gate electrode is connected to the first input terminal, and a source electrode is connected to a drain electrode of the first transistor. A third transistor connected, a fourth electrode having a gate electrode connected to the second input terminal, a source electrode connected to the drain electrode of the third transistor, and a drain electrode connected to the second output terminal; A fifth transistor in which the transistor and the gate electrode are connected to the third input terminal, the source electrode is connected to the drain electrode of the third transistor, and the drain electrode is connected to the second output terminal And a transistor, a gate electrode 4
A sixth transistor having a source electrode connected to the drain electrode of the second transistor, a drain electrode connected to the first output terminal, and a gate electrode connected to the fifth input terminal. A seventh transistor having a source electrode connected to the drain electrode of the second transistor, a gate electrode connected to the sixth input terminal, a source electrode connected to the drain electrode of the seventh transistor,
An eighth transistor having a drain electrode connected to the first output terminal, a gate electrode connected to the seventh input terminal,
A ninth transistor having a drain electrode connected to the second output terminal, a gate electrode connected to the eighth input terminal,
The source electrode is connected to the second power supply potential, and the drain electrode is connected to the source electrode of the ninth transistor.
And an eleventh transistor having a gate electrode connected to the ninth input terminal, a source electrode connected to the second power supply potential, a drain electrode connected to the second output terminal, and a gate electrode connected to the ninth input terminal. A twelfth transistor having a drain electrode connected to the first output terminal, a gate electrode connected to the eleventh input terminal, a source electrode connected to the second power supply potential, A thirteenth transistor having a drain electrode connected to the source electrode of the twelfth transistor, a gate electrode connected to the twelfth input terminal, a source electrode connected to the second power supply potential, and a drain electrode connected to the twelfth transistor; And a fourteenth transistor connected to the source electrode of the transistor, wherein the signals input to the first input terminal and the fourth input terminal have opposite phases to each other, and The signals input to the input terminal and the sixth input terminal have phases opposite to each other, and the signals input to the third input terminal and the fifth input terminal have phases opposite to each other. Is characterized by being a channel transistor different from other transistors.

【0027】また、本発明の請求項13に記載の論理回
路は、請求項1乃至12の何れかに記載の論理回路にお
いて、入力信号の少なくとも一部は、信号の入力を制御
するための転送用トランジスタを介して入力されること
を特徴としている。
A logic circuit according to a thirteenth aspect of the present invention is the logic circuit according to any one of the first to twelfth aspects, wherein at least a part of the input signal is transferred for controlling the input of the signal. It is characterized in that it is inputted through a transistor for use.

【0028】また、本発明の請求項14に記載の論理回
路は、請求項1乃至13の何れかに記載の論理回路にお
いて、転送用トランジスタにより信号入力が制御される
トランジスタのゲート電極と一方の電源電位との間に、
誤動作防止用トランジスタが接続され、誤動作防止用ト
ランジスタのゲート電極は、電源電位とは異なる電源電
位に接続されることを特徴としている。
A logic circuit according to a fourteenth aspect of the present invention is the logic circuit according to any one of the first to thirteenth aspects, wherein the gate electrode of the transistor whose signal input is controlled by the transfer transistor is connected to one of the gate electrodes. Between the power supply potential
A malfunction preventing transistor is connected, and a gate electrode of the malfunction preventing transistor is connected to a power supply potential different from a power supply potential.

【0029】また、本発明の請求項15に記載の論理回
路は、請求項1乃至13の何れかに記載の論理回路にお
いて、転送用トランジスタにより信号入力が制御される
トランジスタのゲート電極と一方の電源電位との間に、
誤動作防止用トランジスタが接続され、誤動作防止用ト
ランジスタのゲート電極には、転送用トランジスタとは
逆位相の信号が入力されることを特徴としている。
A logic circuit according to a fifteenth aspect of the present invention is the logic circuit according to any one of the first to thirteenth aspects, wherein the gate electrode of the transistor whose signal input is controlled by the transfer transistor is connected to one of the gate electrodes. Between the power supply potential
A malfunction preventing transistor is connected, and a signal having a phase opposite to that of the transfer transistor is input to a gate electrode of the malfunction preventing transistor.

【0030】また、本発明の請求項16に記載の論理回
路は、請求項1乃至15の何れかに記載の論理回路にお
いて、転送用トランジスタのゲート電極には、入力信号
の何れかが入力されることを特徴としている。
A logic circuit according to a sixteenth aspect of the present invention is the logic circuit according to any one of the first to fifteenth aspects, wherein one of the input signals is input to the gate electrode of the transfer transistor. It is characterized by that.

【0031】また、本発明の請求項17に記載の画像表
示装置は、列方向に複数配列されたデータ信号線及び行
方向に複数配列された走査信号線に囲まれ、マトリクス
状に配列された複数の画素と、データ信号線に映像デー
タを供給するデータ信号線駆動回路と、走査信号線に走
査信号を供給する走査信号線駆動回路とを備えた画像表
示装置において、データ信号線駆動回路及び走査信号線
駆動回路の少なくとも一方が、請求項1乃至16の何れ
かに記載の論理回路を有することを特徴としている。
The image display device according to the seventeenth aspect of the present invention is arranged in a matrix by being surrounded by a plurality of data signal lines arranged in a column direction and a plurality of scanning signal lines arranged in a row direction. A plurality of pixels, a data signal line driving circuit for supplying video data to the data signal line, and a scanning signal line driving circuit for supplying a scanning signal to the scanning signal line; At least one of the scanning signal line driving circuits includes the logic circuit according to any one of claims 1 to 16.

【0032】また、本発明の請求項18に記載の画像表
示装置は、請求項17に記載の画像表示装置において、
データ信号線駆動回路を構成するシフトレジスタ回路の
出力パルス及び外部より入力されるパルス幅制御信号を
入力信号とし、出力パルスよりもパルス幅の小さい出力
信号を生成するための論理回路が、請求項1乃至16の
何れかに記載の論理回路であることを特徴としている。
The image display device according to claim 18 of the present invention is the image display device according to claim 17,
A logic circuit for receiving an output pulse of a shift register circuit constituting a data signal line driving circuit and a pulse width control signal input from the outside as an input signal, and generating an output signal having a pulse width smaller than the output pulse. It is a logic circuit according to any one of 1 to 16.

【0033】また、本発明の請求項19に記載の画像表
示装置は、請求項17に記載の画像表示装置において、
走査信号線駆動回路を構成するシフトレジスタ回路の出
力パルス及び外部より入力されるパルス幅制御信号を入
力信号とし、出力パルスよりもパルス幅の小さい出力信
号を生成するための論理回路が、請求項1乃至16の何
れかに記載の論理回路であることを特徴としている。
The image display device according to claim 19 of the present invention is the image display device according to claim 17,
A logic circuit for generating, as input signals, an output pulse of a shift register circuit constituting a scanning signal line driving circuit and a pulse width control signal input from the outside, and generating an output signal having a pulse width smaller than the output pulse. It is a logic circuit according to any one of 1 to 16.

【0034】また、本発明の請求項20に記載の画像表
示装置は、請求項17に記載の画像表示装置において、
走査信号線駆動回路を構成するシフトレジスタ回路の出
力パルス及び外部より入力される複数の制御信号のうち
の1つの信号を入力信号とし、異なる組み合わせのシフ
トレジスタ回路に対して、信号を同時に出力するための
論理回路の少なくとも一部が、請求項1乃至15のいず
れかに記載の論理回路であることを特徴としている。
According to a twentieth aspect of the present invention, there is provided an image display apparatus comprising:
An output pulse of a shift register circuit included in a scanning signal line driver circuit and one of a plurality of externally input control signals are used as input signals, and signals are simultaneously output to different combinations of shift register circuits. At least a part of the logic circuit for the above is a logic circuit according to any one of claims 1 to 15.

【0035】また、本発明の請求項21に記載の画像表
示装置は、請求項18乃至20の何れかに記載の画像表
示装置において、データ信号線駆動回路及び走査信号線
駆動回路を構成する論理回路が、転送用トランジスタの
ゲート電極に、前記シフトレジスタの出力信号が入力さ
れる論理回路であることを特徴としている。
According to a twenty-first aspect of the present invention, in the image display device according to any one of the eighteenth to twentieth aspects, a logic constituting a data signal line driving circuit and a scanning signal line driving circuit is provided. The circuit is a logic circuit in which an output signal of the shift register is input to a gate electrode of a transfer transistor.

【0036】また、本発明の請求項22に記載の画像表
示装置は、請求項17乃至21の何れかに記載の画像表
示装置において、データ信号線駆動回路及び走査信号線
駆動回路の少なくとも一方が、画素と同一基板上に形成
されていることを特徴としている。
The image display device according to claim 22 of the present invention is the image display device according to any one of claims 17 to 21, wherein at least one of the data signal line drive circuit and the scanning signal line drive circuit is provided. , On the same substrate as the pixels.

【0037】また、本発明の請求項23に記載の画像表
示装置は、請求項22に記載の画像表示装置において、
データ信号線駆動回路、走査信号線駆動回路及び画素を
構成する能動素子が、多結晶シリコン薄膜トランジスタ
であることを特徴としている。
The image display device according to a twenty-third aspect of the present invention is the image display device according to the twenty-second aspect,
The data signal line driving circuit, the scanning signal line driving circuit, and the active element forming the pixel are polycrystalline silicon thin film transistors.

【0038】また、本発明の請求項24に記載の画像表
示装置は、請求項23に記載の画像表示装置において、
能動素子が、概ね600℃以下のプロセスで形成される
ことを特徴としている。
The image display device according to a twenty-fourth aspect of the present invention is the image display device according to the twenty-third aspect,
The active element is formed by a process at about 600 ° C. or less.

【0039】本発明は上述した従来技術の問題点に鑑
み、駆動回路の消費電力を低減することができる論理回
路及びそれを用いた画像表示装置を提供するものであ
る。
The present invention has been made in view of the above-mentioned problems of the prior art, and provides a logic circuit capable of reducing power consumption of a driving circuit and an image display device using the same.

【0040】本発明の論理回路によれば、複数の入力信
号に基づいて論理演算を行うCMOS論理回路であっ
て、入力信号のうちの少なくとも一部は、その振幅を、
論理回路の駆動電源よりも小さくするようにした。その
ことにより、論理回路の出力振幅を大きく取る必要があ
る場合や、駆動電圧をある程度以上大きくしないと論理
回路が正常に動作しない場合にも、入力信号の振幅を小
さくすることができるので、入力信号を生成する外部回
路の負担が軽くなるとともに、消費電力の削減を図るこ
とができる。また、本発明の論理回路によれば、2つの
電流経路のそれぞれに設けられた、nチャネル型トラン
ジスタからなる回路部分及びpチャネル型トランジスタ
からなる回路部分の何れか一方のチャネル型トランジス
タからなる回路部分において、一方の電流経路には、同
様の論理演算結果を出力するCMOSロジック回路のn
チャネル型トランジスタからなる回路部分と同一構成の
回路が設けられ、他方の電流経路には、同様の論理演算
結果を出力するCMOSロジック回路のpチャネル型ト
ランジスタからなる回路部分と同一構成の回路が設けら
れ、他方のチャネル型トランジスタからなる回路部分で
は、2つの電流経路にそれぞれ設けられたトランジスタ
のゲート電極が、互いのドレイン電極に相互に接続され
るようにした。そのことにより、一方のチャネル型トラ
ンジスタからなる回路部分では、論理演算回路を構成す
ることができる。また、他方のチャネル型トランジスタ
からなる回路部分では、トランジスタのゲート電極とド
レイン電極を相互に接続させてフィードバックループを
構成しているので、貫通電流を抑制するとともに、内部
状態を安定に保つことができる。
According to the logic circuit of the present invention, there is provided a CMOS logic circuit which performs a logical operation based on a plurality of input signals, wherein at least a part of the input signals has an amplitude of
It is made smaller than the driving power supply of the logic circuit. As a result, the amplitude of the input signal can be reduced even when it is necessary to increase the output amplitude of the logic circuit or when the logic circuit does not operate properly unless the drive voltage is increased to a certain degree or more. The load on an external circuit for generating a signal is reduced, and power consumption can be reduced. Further, according to the logic circuit of the present invention, a circuit is provided in each of the two current paths, the circuit being composed of any one of a circuit part composed of an n-channel transistor and a circuit part composed of a p-channel transistor. In one part, one of the current paths includes n of a CMOS logic circuit that outputs a similar logical operation result.
A circuit having the same configuration as the circuit portion including the channel type transistor is provided, and a circuit having the same configuration as the circuit portion including the p-channel type transistor of the CMOS logic circuit that outputs a similar logical operation result is provided on the other current path. In the circuit portion composed of the other channel type transistor, the gate electrodes of the transistors provided in the two current paths are connected to each other's drain electrodes. Thus, a logic operation circuit can be configured with a circuit portion including one channel transistor. In the circuit portion composed of the other channel-type transistor, the gate electrode and the drain electrode of the transistor are connected to each other to form a feedback loop, so that the through current can be suppressed and the internal state can be kept stable. it can.

【0041】これにより、入力信号の振幅を出力される
パルス信号の振幅、即ち、論理回路の電源電圧よりも小
さくすることが可能となる。そのため本発明の論理回路
によれば、入力信号のレベルが切り替わる毎には電流は
流れず、出力信号が反転する時のみ電流が流れるので、
消費電力の増加が殆どない。
Thus, it is possible to make the amplitude of the input signal smaller than the amplitude of the output pulse signal, that is, the power supply voltage of the logic circuit. Therefore, according to the logic circuit of the present invention, the current does not flow every time the level of the input signal is switched, and the current flows only when the output signal is inverted.
There is almost no increase in power consumption.

【0042】また、本発明の論理回路によれば、従来の
CMOSロジック回路に比べ、僅かにトランジスタを2
個加えるだけでよく、極めて少ない素子数でレベルシフ
ト機能と論理演算機能とを両立させることができる。
According to the logic circuit of the present invention, the number of transistors is slightly smaller than that of the conventional CMOS logic circuit.
The level shift function and the logical operation function can be made compatible with an extremely small number of elements.

【0043】また、本発明の論理回路によれば、動作時
の何れのタイミングにおいても、電流の経路が1本であ
り、内部の遅延についても、ロジックゲート1段分の遅
延で動作するので、極めて高速に動作させることができ
る。
Further, according to the logic circuit of the present invention, at any timing during operation, there is only one current path, and the internal delay operates with a delay corresponding to one stage of the logic gate. It can be operated at extremely high speed.

【0044】また、本発明の論理回路によれば、複数の
入力信号のうち、振幅が小さい方の信号は、一方のチャ
ンネル型の回路部分において、直列に接続されたトラン
ジスタのうちの電源側に入力されるようにした。そのこ
とにより、振幅の小さい信号が電源電位側のトランジス
タに入力されるので、トランジスタが充分に動作するた
め、論理回路の安定動作と高速動作を実現することが可
能となる。直列に接続された複数のトランジスタにおい
ては、各トランジスタのソース電極と電源電位との電位
差は、電源電位側のトランジスタの方が低い。トランジ
スタの駆動力は、そのゲート電極とソース電極との電位
差で決まるため、小振幅の信号は、電源電位側のトラン
ジスタに入力する方が望ましい。
According to the logic circuit of the present invention, the signal having the smaller amplitude among the plurality of input signals is supplied to the power supply side of the serially connected transistors in one channel type circuit portion. Made to be input. Thus, a signal with a small amplitude is input to the transistor on the power supply potential side, so that the transistor operates sufficiently, so that a stable operation and a high-speed operation of the logic circuit can be realized. Among a plurality of transistors connected in series, the potential difference between the source electrode of each transistor and the power supply potential is lower in the transistor on the power supply potential side. Since the driving force of a transistor is determined by the potential difference between its gate electrode and source electrode, it is desirable to input a small-amplitude signal to the transistor on the power supply potential side.

【0045】また、本発明の論理回路によれば、上述の
論理回路の構成において、一方のチャンネル型の回路部
分における一方の電流経路側に第3及び第4のトランジ
スタを直列に配置し、他方の電流経路側に第5及び第6
のトランジスタを並列に配置するよにした。そして第3
及び第5のトランジスタに入力される信号を逆位相に
し、第4及び第6のトランジスタに入力される信号を逆
位相にした。そのことにより、上述の効果に加えて、論
理回路を構成するトランジスタ数が6個と少ないので、
極めて回路規模の小さい論理否定積回路を構成すること
ができる。この論理回路は、入力信号及び反転入力信号
を入れ替えることにより、論理否定和回路として機能さ
せることもできる。
According to the logic circuit of the present invention, in the above-described configuration of the logic circuit, the third and fourth transistors are arranged in series on one current path side in one channel type circuit portion, and 5th and 6th on the current path side of
Are arranged in parallel. And the third
And the signals input to the fifth and fifth transistors have opposite phases, and the signals input to the fourth and sixth transistors have opposite phases. As a result, in addition to the above-described effects, the number of transistors constituting the logic circuit is as small as six.
A logical NOT product circuit with a very small circuit scale can be configured. This logic circuit can also function as a logical NOR circuit by exchanging the input signal and the inverted input signal.

【0046】また、本発明の論理回路によれば、上述の
論理回路の構成において、一方の電流経路側に直列に配
置された第3及び第4のトランジスタに対して並列に第
5のトランジスタを設け、他方の電流経路側に並列に配
置された第5及び第6のトランジスタに対して直列に、
かつ第2の出力端子側に第8のトランジスタを設けた。
そして第3及び第6のトランジスタに入力される信号を
逆位相にし、第4及び第7のトランジスタに入力される
信号を逆位相にし、第5及び第8のトランジスタに入力
される信号を逆位相にした。そのことにより、上述の効
果に加えて、論理回路を構成するトランジスタ数が8個
と少ないので、極めて回路規模の小さい論理積−論理否
定和回路を構成することができる。この論理回路は、入
力信号及び反転入力信号を入れ替えることにより、論理
和−論理否定積回路として機能させることもできる。
According to the logic circuit of the present invention, in the configuration of the logic circuit described above, the fifth transistor is connected in parallel to the third and fourth transistors arranged in series on one current path side. Provided in series with the fifth and sixth transistors arranged in parallel on the other current path side,
An eighth transistor is provided on the second output terminal side.
The signals input to the third and sixth transistors have opposite phases, the signals input to the fourth and seventh transistors have opposite phases, and the signals input to the fifth and eighth transistors have opposite phases. I made it. Thus, in addition to the above-described effects, the number of transistors constituting the logic circuit is as small as eight, so that a logical product-logical NOR circuit having a very small circuit scale can be configured. This logic circuit can also function as a logical sum-logical NOT product circuit by exchanging the input signal and the inverted input signal.

【0047】また、本発明の論理回路によれば、上述の
論理回路の構成において、一方の電流経路側に直列に配
置された第3及び第4のトランジスタに対して並列に第
5のトランジスタを設け、他方の電流経路側に並列に配
置された第5及び第6のトランジスタに対して直列に、
かつ第2の電源電位側に第8のトランジスタを設けた。
そして第3及び第6のトランジスタに入力される信号を
逆位相にし、第4及び第7のトランジスタに入力される
信号を逆位相にし、第5及び第8のトランジスタに入力
される信号を逆位相にした。そのことにより、上述の効
果に加えて、論理回路を構成するトランジスタ数が8個
と少ないので、極めて回路規模の小さい論理積−論理否
定和回路を構成することができる。この論理回路は、入
力信号及び反転入力信号を入れ替えることにより、論理
和−論理否定積回路として機能させることもできる。
According to the logic circuit of the present invention, in the configuration of the logic circuit described above, the fifth transistor is connected in parallel to the third and fourth transistors arranged in series on one current path side. Provided in series with the fifth and sixth transistors arranged in parallel on the other current path side,
In addition, an eighth transistor is provided on the second power supply potential side.
The signals input to the third and sixth transistors have opposite phases, the signals input to the fourth and seventh transistors have opposite phases, and the signals input to the fifth and eighth transistors have opposite phases. I made it. Thus, in addition to the above-described effects, the number of transistors constituting the logic circuit is as small as eight, so that a logical product-logical NOR circuit having a very small circuit scale can be configured. This logic circuit can also function as a logical sum-logical NOT product circuit by exchanging the input signal and the inverted input signal.

【0048】また、本発明の論理回路によれば、第1の
電源電位が高電源側である場合において、入力信号また
は入力信号の反転信号がゲート電極に入力されるpチャ
ネル型トランジスタを付加することにより、これらのp
チャネル型トランジスタが、出力ノードまたは反転出力
ノードが低レベル(接地電位)となる動作時において、
電源電位側からの電流を制限する働きをするため、動作
マージンを大きくすることができる。
Further, according to the logic circuit of the present invention, when the first power supply potential is on the high power supply side, a p-channel transistor for inputting an input signal or an inverted signal of the input signal to the gate electrode is added. By this, these p
When the channel type transistor operates such that the output node or the inverted output node is at a low level (ground potential),
Since it functions to limit the current from the power supply potential side, the operation margin can be increased.

【0049】また、本発明の論理回路によれば、入力信
号の少なくとも一部は、信号の入力を制御するための転
送用トランジスタを介して入力するようにした。そのこ
とにより、信号が不要な場合に論理回路が入力信号線か
ら切り離されるので、入力信号線の容量性負荷が軽減さ
れるという利点を有する。従って、入力信号の減衰や波
形歪みが軽減され、論理回路の動作マージンが大きくな
ると共に、入力信号線を駆動する際の消費電力を削減す
ることができる。
According to the logic circuit of the present invention, at least a part of the input signal is input through the transfer transistor for controlling the input of the signal. This has the advantage that the capacitive load on the input signal line is reduced because the logic circuit is disconnected from the input signal line when no signal is needed. Therefore, the attenuation and waveform distortion of the input signal are reduced, the operation margin of the logic circuit is increased, and power consumption for driving the input signal line can be reduced.

【0050】また、本発明の論理回路によれば、転送用
トランジスタにより信号入力が制御されるトランジスタ
のゲート電極と一方の電源電位との間に、トランジスタ
を接続し、このトランジスタのゲート電極を異なる電源
電位に接続するようにした。そのことにより、信号入力
部には、常にこのトランジスタを介して電源電位が供給
されるので、入力信号線から電気的に切り離された時に
も、誤動作することなく安定状態を維持することが可能
となると共に、入力信号線の容量性負荷が軽減されると
いう利点を有する。但し、このときトランジスタの駆動
力は、入力信号を転送する転送用トランジスタよりも充
分小さくしておく必要がある。
According to the logic circuit of the present invention, the transistor is connected between the gate electrode of the transistor whose signal input is controlled by the transfer transistor and one power supply potential, and the gate electrode of the transistor is different. It was connected to the power supply potential. As a result, the signal input portion is always supplied with the power supply potential via this transistor, so that even when the signal input portion is electrically disconnected from the input signal line, it is possible to maintain a stable state without malfunction. In addition, there is an advantage that the capacitive load on the input signal line is reduced. However, at this time, the driving force of the transistor needs to be sufficiently smaller than that of the transfer transistor for transferring the input signal.

【0051】また、本発明の論理回路によれば、転送用
トランジスタにより信号入力が制御されるトランジスタ
のゲート電極と一方の電源電位との間に、トランジスタ
を接続し、このトランジスタのゲート電極に転送用トラ
ンジスタと逆位相の信号を入力するようにした。そのこ
とにより、信号入力部は、信号入力が必要な期間及びそ
の前後の期間のみ、入力信号線に電気的に接続され、そ
れ以外の期間は、入力信号線から電気的に切り離される
ので、誤動作することなく安定状態を維持することが可
能となると共に、入力信号線の容量性負荷が軽減される
という利点を有する。この場合には、信号入力部は、何
れか一方の経路としか電気的に接続されないので、トラ
ンジスタの駆動力は、入力信号を転送する転送用トラン
ジスタよりも充分小さくしておく必要はない。
According to the logic circuit of the present invention, the transistor is connected between the gate electrode of the transistor whose signal input is controlled by the transfer transistor and one of the power supply potentials, and transferred to the gate electrode of the transistor. A signal having a phase opposite to that of the transistor for input is input. Accordingly, the signal input portion is electrically connected to the input signal line only during a period in which signal input is required and before and after the signal input portion, and is electrically disconnected from the input signal line in other periods. This makes it possible to maintain a stable state without performing the operation and to reduce the capacitive load on the input signal line. In this case, since the signal input unit is electrically connected to only one of the paths, the driving force of the transistor does not need to be sufficiently smaller than that of the transfer transistor that transfers the input signal.

【0052】また、本発明の論理回路によれば、転送用
トランジスタのゲート電極に、入力信号の内の1つを入
力し、それを制御信号として用いるようにした。そのこ
とにより制御信号用の信号線及び端子を削減することが
できる。
Further, according to the logic circuit of the present invention, one of the input signals is input to the gate electrode of the transfer transistor and used as a control signal. Thus, the number of signal lines and terminals for control signals can be reduced.

【0053】また、本発明の画像表示装置によれば、画
像表示装置において、走査信号線及びデータ信号線に信
号を供給する走査信号線駆動回路及びデータ信号線駆動
回路の少なくとも一方に、上述の何れかの論理回路を備
えるようにした。そのことにより、画像表示装置の低消
費電力化が期待できる。即ち、入力信号の振幅を駆動電
圧よりも小さくすることができるため、信号生成用の外
部回路の消費電力を小さくすることができる。また、一
般に、論理演算回路は信号の切り替わり時に大きな貫通
電流が流れるが、本発明によれば、入力信号の切り替わ
り時ではなく、出力信号の切り替わり時にのみ貫通電流
が流れるので、消費電力を極めて小さくすることができ
る。
Further, according to the image display device of the present invention, in the image display device, at least one of the scanning signal line driving circuit and the data signal line driving circuit for supplying a signal to the scanning signal line and the data signal line is provided with the above-mentioned signal. Any one of the logic circuits is provided. Thus, low power consumption of the image display device can be expected. That is, since the amplitude of the input signal can be made smaller than the driving voltage, the power consumption of the external circuit for signal generation can be reduced. In general, a large through current flows in a logic operation circuit when a signal is switched. However, according to the present invention, a through current flows only when an output signal is switched, not when an input signal is switched, so that power consumption is extremely small. can do.

【0054】また、本発明の画像表示装置によれば、デ
ータ信号線駆動回路を構成するシフトレジスタ回路の出
力パルスと、外部より入力されるパルス幅制御信号とを
入力信号とし、出力パルスよりもパルス幅の小さい出力
信号を生成するために上述の何れかの論理回路を用いる
ようにした。そのことにより、画像表示装置の低消費電
力化が期待できる。即ち、入力信号の振幅を、駆動電圧
よりも小さくすることができるため、信号生成用の外部
回路の消費電力を小さくすることができる。また、一般
に、論理演算回路は信号の切り替わり時に大きな貫通電
流が流れるが、本発明によれば、入力信号の切り替わり
時ではなく、出力信号の切り替わり時にのみ貫通電流が
流れるので、消費電力を極めて小さすることができる。
また、シフトレジスタ回路の出力信号よりもパルス幅の
小さい出力信号を生成するので、この出力信号を基に映
像信号をデータ信号線にサンプリングすることにより、
隣接間でのサンプリングの時間的重なりがなくなり、表
示品位が改善すると期待できる。
According to the image display device of the present invention, the output pulse of the shift register circuit forming the data signal line drive circuit and the pulse width control signal input from the outside are used as input signals, and Any of the above-described logic circuits is used to generate an output signal with a small pulse width. Thus, low power consumption of the image display device can be expected. That is, since the amplitude of the input signal can be made smaller than the drive voltage, the power consumption of the external circuit for signal generation can be reduced. In general, a large through current flows in a logic operation circuit when a signal is switched. However, according to the present invention, a through current flows only when an output signal is switched, not when an input signal is switched, so that power consumption is extremely small. can do.
In addition, since an output signal having a pulse width smaller than that of the output signal of the shift register circuit is generated, a video signal is sampled on a data signal line based on the output signal.
It is expected that the sampling overlap between adjacent pixels is eliminated and the display quality is improved.

【0055】また、本発明の画像表示装置によれば、走
査信号線駆動回路を構成するシフトレジスタ回路の出力
パルスと、外部より入力されるパルス幅制御信号とを入
力信号とし、出力パルスよりもパルス幅の小さい出力信
号を生成するために上述の何れかの論理回路を用いるよ
うにした。そのことにより、画像表示装置の低消費電力
化が期待できる。即ち、入力信号の振幅を、駆動電圧よ
りも小さくすることができるため、信号生成用の外部回
路の消費電力を小さくすることができる。また、一般
に、論理演算回路は信号の切り替わり時に大きな貫通電
流が流れるが、本発明によれば、入力信号の切り替わり
時ではなく、出力信号の切り替わり時にのみ貫通電流が
流れるので、消費電力を極めて小さくすることができ
る。また、シフトレジスタ回路の出力信号よりもパルス
幅の小さい出力信号を生成するので、この出力信号を基
に映像信号を画素に書き込むことにより、隣接水平ライ
ン間での走査信号の時間的重なりがなくなり、表示品位
が改善すると期待できる。
Further, according to the image display device of the present invention, the output pulse of the shift register circuit constituting the scanning signal line driving circuit and the pulse width control signal input from the outside are used as input signals, and Any of the above-described logic circuits is used to generate an output signal with a small pulse width. Thus, low power consumption of the image display device can be expected. That is, since the amplitude of the input signal can be made smaller than the drive voltage, the power consumption of the external circuit for signal generation can be reduced. In general, a large through current flows in a logic operation circuit when a signal is switched. However, according to the present invention, a through current flows only when an output signal is switched, not when an input signal is switched, so that power consumption is extremely small. can do. In addition, since an output signal having a pulse width smaller than that of the output signal of the shift register circuit is generated, by writing a video signal to a pixel based on this output signal, the scanning signals between adjacent horizontal lines do not overlap in time. The display quality can be expected to improve.

【0056】また、本発明の画像表示装置によれば、走
査信号線駆動回路を構成するシフトレジスタ回路の出力
パルスと、外部より入力される複数の制御信号のうちの
1つの信号を入力信号とし、異なる組み合わせのシフト
レジスタ回路に対して、信号を同時に出力するためにに
上述の何れかの論理回路を用いるようにした。そのこと
により、画像表示装置の低消費電力化が期待できる。即
ち、入力信号の振幅を、駆動電圧よりも小さくすること
ができるため、信号生成用の外部回路の消費電力を小さ
くすることができる。また、一般に、論理演算回路は、
信号の切り替わり時に大きな貫通電流が流れるが、本発
明によれば、入力信号の切り替わり時ではなく、出力信
号の切り替わり時にのみ貫通電流が流れるので、消費電
力を極めて小さくすることができる。また、外部より入
力される複数の制御信号により、出力信号のタイミング
を変えることができるので、同時に複数の走査信号線を
活性化させることが可能となり、また、同時に活性化さ
れる走査信号線の組み合わせを変えることも可能とな
る。従って、例えばVGA仕様の画像表示装置において
NTSC画像を表示するためなどに有効な、2水平ライ
ン組違い走査を実現することができる。
According to the image display device of the present invention, the output pulse of the shift register circuit forming the scanning signal line driving circuit and one of a plurality of externally input control signals are used as input signals. Any one of the above-described logic circuits is used to simultaneously output signals to different combinations of shift register circuits. Thus, low power consumption of the image display device can be expected. That is, since the amplitude of the input signal can be made smaller than the drive voltage, the power consumption of the external circuit for signal generation can be reduced. In general, a logical operation circuit is
Although a large through current flows when the signal is switched, according to the present invention, the through current flows only when the output signal is switched, not when the input signal is switched, so that the power consumption can be extremely reduced. In addition, since the timing of the output signal can be changed by a plurality of control signals input from the outside, it is possible to activate a plurality of scanning signal lines at the same time. It is also possible to change the combination. Therefore, it is possible to realize two horizontal line misalignment scans effective for displaying an NTSC image in an image display device of the VGA specification, for example.

【0057】また、本発明の画像表示装置によれば、上
述の何れかの論理回路を備えたデータ信号線駆動回路及
び走査信号線駆動回路の少なくとも一方が、画素と同一
基板上に形成されるようにした。そのことにより、デー
タ信号線駆動回路及び走査信号線駆動回路は、画像表示
装置の辺方向に広く分散配置されているので、入力信号
線などの配線が長くなり、配線容量も大きくなるが、入
力信号の振幅を小さくすることができるので、入力信号
などを生成するための外部回路の負荷の増大を抑えるこ
とができる。また、このような構成においては、表示を
行うための画素と、画素を駆動するためのデータ信号線
駆動回路及び走査信号線駆動回路を、同一基板上に同一
工程で製造することができるので、製造コストや実装コ
ストの低減と、実装良品率のアップが期待できる。
According to the image display device of the present invention, at least one of the data signal line driving circuit and the scanning signal line driving circuit having any one of the above logic circuits is formed on the same substrate as the pixels. I did it. Accordingly, since the data signal line driving circuit and the scanning signal line driving circuit are widely distributed in the side direction of the image display device, the wiring such as the input signal line becomes longer and the wiring capacitance becomes larger. Since the signal amplitude can be reduced, an increase in the load of an external circuit for generating an input signal or the like can be suppressed. In such a structure, a pixel for performing display and a data signal line driving circuit and a scanning signal line driving circuit for driving the pixel can be manufactured over the same substrate in the same step. It can be expected that manufacturing costs and mounting costs will be reduced, and that the percentage of non-defective products will increase.

【0058】また、本発明の画像表示装置によれば、上
述の何れかの論理回路を備えたデータ信号線駆動回路、
走査信号線駆動回路及び画素とを構成する能動素子を、
多結晶シリコン薄膜トランジスタで構成するようにし
た。そのことにより、従来のアクティブマトリクス型液
晶表示装置に用いられていた非晶質シリコン薄膜トラン
ジスタに比べて、極めて駆動力の高い特性が得られる利
点を有する。
Further, according to the image display device of the present invention, a data signal line drive circuit provided with any one of the above logic circuits,
Active elements forming a scanning signal line driving circuit and a pixel,
It was constituted by a polycrystalline silicon thin film transistor. As a result, there is an advantage that characteristics with extremely high driving force can be obtained as compared with an amorphous silicon thin film transistor used in a conventional active matrix type liquid crystal display device.

【0059】また、多結晶シリコン薄膜トランジスタ
は、単結晶シリコントランジスタに比べて、駆動力が1
〜2桁程小さいため、従来のレベルシフタ回路を用いて
大きな負荷を有する配線を駆動するためには、レベルシ
フタ回路の直後に極めて大きなバッファ回路を用いる必
要があるが、本発明によれば、大きなバッファ回路は不
要であるので、低消費電力化を実現することができる。
Further, a polycrystalline silicon thin film transistor has a driving force of one unit as compared with a single crystal silicon transistor.
In order to drive a wiring having a large load using a conventional level shifter circuit, it is necessary to use an extremely large buffer circuit immediately after the level shifter circuit. Since a circuit is unnecessary, low power consumption can be achieved.

【0060】また、本発明の画像表示装置によれば、能
動素子が概ね600℃以下のプロセスで形成されように
した。そのことにより、歪み点温度が低く、安価であ
り、かつ基板サイズを大型化することが容易なガラス基
板を用いることができるようになり、上述の効果に加え
て、大型の画像表示装置を低コストで製造することが可
能となるという利点を有する。
Further, according to the image display device of the present invention, the active element is formed by a process at about 600 ° C. or less. This makes it possible to use a glass substrate that has a low strain point temperature, is inexpensive, and can easily be made large in size. In addition to the above-described effects, a large-sized image display device can be used. This has the advantage that it can be manufactured at low cost.

【0061】[0061]

【発明の実施の形態】(実施の形態1)以下、本発明の
論理回路に係る実施形態について図面を用いて説明す
る。図1は本発明に係る論理回路の構成例を示したブロ
ック図である。図1において、論理回路の駆動電圧は1
5V、入力信号IN2及び/IN2の振幅は15Vであ
るのに対し、入力信号IN1及び/IN1の振幅は5V
である。
(Embodiment 1) Embodiments of a logic circuit according to the present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 1 is a block diagram showing a configuration example of a logic circuit according to the present invention. In FIG. 1, the driving voltage of the logic circuit is 1
5V, the amplitude of the input signals IN2 and / IN2 is 15V, whereas the amplitude of the input signals IN1 and / IN1 is 5V.
It is.

【0062】このように、本発明に係る論理回路では駆
動電圧よりも低い電圧の入力信号を入力することによ
り、入力信号線に係る消費電力を抑制することが可能と
なる。
As described above, in the logic circuit according to the present invention, by inputting an input signal of a voltage lower than the drive voltage, it is possible to suppress power consumption of the input signal line.

【0063】また、図1において、入力信号IN2及び
/IN2の振幅と、入力信号IN1及び/IN1の振幅
が異なっているが、例えばこれらが共に5Vであっても
差し支えない。これは以下の実施形態においても同様で
ある。
In FIG. 1, the amplitudes of the input signals IN2 and / IN2 and the amplitudes of the input signals IN1 and / IN1 are different. For example, both may be 5V. This is the same in the following embodiments.

【0064】尚、これ以降に示す図面において、一部の
信号では、その反転信号を必要とするものもあるが、図
示を省略している場合がある。
In the drawings shown hereinafter, some of the signals require an inverted signal, but may not be shown.

【0065】図2及び図3は本発明に係る論理回路の基
本構成を示した図である。図2において、電源電圧は1
5Vであり、入力信号IN2及び/IN2の振幅も15
Vであるのに対し、入力信号IN1及び/IN1の振幅
は5Vである。
FIGS. 2 and 3 are diagrams showing the basic configuration of a logic circuit according to the present invention. In FIG. 2, the power supply voltage is 1
5V, and the amplitude of the input signals IN2 and / IN2 is also 15
While the amplitude of the input signals IN1 and / IN1 is 5V.

【0066】また、pチャネル型トランジスタM1及び
M2は、それぞれのゲート電極とドレイン電極とが交互
に接続されており、ラッチ回路を構成している。一方、
入力信号IN1及び/IN1、IN2及び/IN2は、
それぞれnチャネル型トランジスタの部分CIR1及び
CIR2に入力されている。ここで、CIR1及びCI
R2の構成は、一般的なCMOSロジック回路と同様の
構成を有するものである。即ち、CIR1は、本実施形
態の論理回路と同様の論理演算結果を出力するCMOS
ロジック回路のnチャネル型トランジスタからなる回路
部分と同一構成であり、CIR2は、本実施形態の論理
回路と同様の論理演算結果を出力するCMOSロジック
回路のpチャネル型トランジスタからなる回路部分と同
一構成である。
The gate electrodes and the drain electrodes of the p-channel transistors M1 and M2 are alternately connected to each other to form a latch circuit. on the other hand,
The input signals IN1 and / IN1, IN2 and / IN2 are
These are input to the n-channel transistors CIR1 and CIR2, respectively. Here, CIR1 and CI
The configuration of R2 has the same configuration as a general CMOS logic circuit. That is, CIR1 is a CMOS that outputs the same logical operation result as the logic circuit of the present embodiment.
CIR2 has the same configuration as the circuit portion composed of n-channel transistors of the logic circuit, and CIR2 has the same configuration as the circuit portion composed of p-channel transistors of the CMOS logic circuit that outputs the same logical operation result as the logic circuit of the present embodiment. It is.

【0067】図3は、図2におけるトランジスタのチャ
ネル型を逆転させた場合の例を示す図である。図3にお
いて、電源電圧は15Vであり、入力信号IN2及び/
IN2の振幅も15Vであるのに対し、入力信号IN1
及び/IN1の振幅は5Vである。但し、入力信号IN
1及び/IN1の絶対値は、図2に示した例とは異なっ
ている。
FIG. 3 is a diagram showing an example in which the channel type of the transistor in FIG. 2 is reversed. In FIG. 3, the power supply voltage is 15 V, and the input signals IN2 and / or
While the amplitude of IN2 is also 15V, the input signal IN1
And / IN1 has an amplitude of 5V. However, the input signal IN
The absolute values of 1 and / IN1 are different from the example shown in FIG.

【0068】また、nチャネル型トランジスタM1及び
M2は、それぞれのゲート電極とドレイン電極とが交互
に接続されており、ラッチ回路を構成している。一方、
入力信号IN1及び/IN1、IN2及び/IN2は、
それぞれnチャネル型トランジスタの部分CIR1及び
CIR2に入力されている。ここで、CIR1及びCI
R2の構成は、一般的なCMOSロジック回路と同様の
接続関係を有するものである。即ち、CIR1は、本実
施形態の論理回路と同様の論理演算結果を出力するCM
OSロジック回路のpチャネル型トランジスタからなる
回路部分と同一構成であり、CIR2は、本実施形態の
論理回路と同様の論理演算結果を出力するCMOSロジ
ック回路のnチャネル型トランジスタからなる回路部分
と同一構成である。
The gate electrodes and the drain electrodes of the n-channel transistors M1 and M2 are connected alternately to form a latch circuit. on the other hand,
The input signals IN1 and / IN1, IN2 and / IN2 are
These are input to the n-channel transistors CIR1 and CIR2, respectively. Here, CIR1 and CI
The configuration of R2 has a connection similar to that of a general CMOS logic circuit. That is, CIR1 is a CM that outputs the same logical operation result as the logic circuit of the present embodiment.
The CIR2 has the same configuration as the circuit portion including the p-channel type transistor of the OS logic circuit, and the CIR2 is the same as the circuit portion including the n-channel type transistor of the CMOS logic circuit which outputs the same logic operation result as the logic circuit of the present embodiment. Configuration.

【0069】図4及び図5は本発明に係る論理回路の他
の構成を示した図である。pチャネル型トランジスタM
1及びM2は、それぞれのドレイン電極と出力端子間に
トランジスタM3及びM4が接続されており、トランジ
スタM3及びM4のゲート電極は入力端子に接続されて
いる。
FIGS. 4 and 5 are diagrams showing another configuration of the logic circuit according to the present invention. p-channel transistor M
In transistors 1 and M2, transistors M3 and M4 are connected between their respective drain electrodes and output terminals, and the gate electrodes of transistors M3 and M4 are connected to input terminals.

【0070】一方、入力信号IN1及び/IN1、IN
2及び/IN2は、それぞれnチャネル型トランジスタ
の部分CIR1及びCIR2に入力されている。ここ
で、CIR1及びCIR2の構成は、一般的なCMOS
ロジック回路と同様の構成を有するものである。即ち、
CIR1は、本実施形態の論理回路と同様の論理演算結
果を出力するCMOSロジック回路のnチャネル型トラ
ンジスタからなる回路部分と同一構成であり、CIR2
は、本実施形態の論理回路と同様の論理演算結果を出力
するCMOSロジック回路のpチャネル型トランジスタ
からなる回路部分と同一構成である。
On the other hand, the input signals IN1 and / IN1, IN
2 and / IN2 are input to portions CIR1 and CIR2 of the n-channel transistor, respectively. Here, the configuration of CIR1 and CIR2 is a general CMOS.
It has a configuration similar to that of a logic circuit. That is,
CIR1 has the same configuration as a circuit portion composed of n-channel transistors of a CMOS logic circuit that outputs the same logical operation result as the logic circuit of the present embodiment.
Has the same configuration as a circuit portion composed of p-channel transistors of a CMOS logic circuit that outputs the same logical operation result as the logic circuit of the present embodiment.

【0071】図6及び図7は本発明に係る論理回路の他
の構成を示した図である。CIR1及びCIR2はnチ
ャネル型トランジスタで構成され、CIR3及びCIR
4はpチャネル型トランジスタで構成されている。ここ
で、CIR1、CIR2、CIR3及びCIR4の構成
は、一般的なCMOSロジック回路と同様の構成を有す
るものである。即ち、CIR1及びCIR4は、本実施
形態の論理回路と同様の論理演算結果を出力するCMO
Sロジック回路のnチャネル型トランジスタからなる回
路部分と同一構成であり、CIR2及びCIR3は、本
実施形態の論理回路と同様の論理演算結果を出力するC
MOSロジック回路のpチャネル型トランジスタからな
る回路部分と同一構成である。pチャネル型トランジス
タM1及びM2は、それぞれの電流経路の電源側に設け
られ、ゲート電極が互いに他方の電流経路の出力端子に
接続されている。
FIGS. 6 and 7 show another configuration of the logic circuit according to the present invention. CIR1 and CIR2 are constituted by n-channel transistors, and CIR3 and CIR
Reference numeral 4 denotes a p-channel transistor. Here, the configuration of CIR1, CIR2, CIR3 and CIR4 has the same configuration as a general CMOS logic circuit. That is, CIR1 and CIR4 are CMOs that output the same logical operation result as the logic circuit of the present embodiment.
It has the same configuration as the circuit portion of the S logic circuit composed of n-channel transistors, and CIR2 and CIR3 output the same logical operation result as the logic circuit of the present embodiment.
It has the same configuration as the circuit portion composed of p-channel transistors of the MOS logic circuit. The p-channel transistors M1 and M2 are provided on the power supply side of each current path, and have their gate electrodes connected to the output terminals of the other current paths.

【0072】尚、以下の実施形態の説明においては、主
に図2に示した基本構成に対応する回路図を示すが、図
3に示したような、トランジスタのチャネル型を入れ替
えた構成であってもよいことは言うまでもない。
In the following description of the embodiment, a circuit diagram corresponding to the basic configuration shown in FIG. 2 is mainly shown. However, as shown in FIG. 3, the configuration is such that the channel types of the transistors are interchanged. Needless to say, this may be done.

【0073】(実施の形態2)次に本発明の論理回路に
係る具体的な実施形態について図面を用いて説明する。
図8は、本発明に係る論理回路の具体的構成例を示した
回路図である。本回路は、論理否定積(NAND)回路
の機能を有するものであるが、入力信号と出力信号の取
り方によっては、NAND回路の他にも、論理否定和
(NOR)回路、論理積(AND)回路、論理和(O
R)回路の何れにも成りうるものである。即ち、入力信
号をIN1及びIN2とし、出力信号を/OUTとする
と論理否定積回路となり、入力信号を/IN1及び/I
N2とし、出力信号をOUTとすると論理否定和回路と
なる。また、入力信号をIN1及びIN2とし、出力信
号をOUTとすると論理積回路となり、入力信号を/I
N1及び/IN2とし、出力信号を/OUTとすると論
理和回路となる。
(Embodiment 2) Next, a specific embodiment of the logic circuit of the present invention will be described with reference to the drawings.
FIG. 8 is a circuit diagram showing a specific configuration example of the logic circuit according to the present invention. This circuit has a function of a logical NOT product (NAND) circuit. However, depending on how to take an input signal and an output signal, in addition to a NAND circuit, a logical NOR (NOR) circuit and a logical product (AND) are provided. ) Circuit, logical sum (O
R) It can be any of the circuits. That is, if the input signals are IN1 and IN2 and the output signal is / OUT, a logical NOT product circuit is provided, and the input signals are / IN1 and / I
If N2 is set and the output signal is set to OUT, a logical NOR circuit is formed. When the input signals are set to IN1 and IN2 and the output signal is set to OUT, an AND circuit is formed, and the input signal is set to / I
When N1 and / IN2 are set and the output signal is set to / OUT, an OR circuit is formed.

【0074】図8に示す構成において、pチャネル型ト
ランジスタM1及びM2は、それぞれのゲート電極とド
レイン電極とが相互に接続されており、ラッチ回路を構
成している。一方、入力信号IN1及び/IN1、IN
2及び/IN2は、nチャネル型トランジスタの部分に
入力されている。具体的に述べると、入力信号IN1及
びIN2の入力部は、図35に示す従来のNAND回路
のnチャネル型トランジスタの部分(または、図36に
示す従来のNOR回路のpチャネル型トランジスタの部
分)と同様の構成であり、入力信号/IN1及び/IN
2の入力部は、図35に示す従来のNAND回路のpチ
ャネル型トランジスタの部分(または、図36に示す従
来のNOR回路のnチャネル型トランジスタの部分)と
同様の構成である。
In the structure shown in FIG. 8, the p-channel transistors M1 and M2 have their gate electrodes and drain electrodes connected to each other to form a latch circuit. On the other hand, the input signals IN1 and / IN1, IN
2 and / IN2 are input to the portion of the n-channel transistor. More specifically, the input portions of the input signals IN1 and IN2 are the n-channel transistor portion of the conventional NAND circuit shown in FIG. 35 (or the p-channel transistor portion of the conventional NOR circuit shown in FIG. 36). And the input signals / IN1 and / IN
The input section 2 has the same configuration as the p-channel transistor portion of the conventional NAND circuit shown in FIG. 35 (or the n-channel transistor portion of the conventional NOR circuit shown in FIG. 36).

【0075】また、図8に示す構成において、振幅が小
さい方の入力信号IN2は、接地電源GNDに近い側の
トランジスタM4に入力されているが、必ずしも接地電
源の近い側に入力する必要はなく、遠い側のトランジス
タM3に入力しても、論理的には正常に動作する。これ
は他の実施形態においても同様である。しかし、トラン
ジスタM3とトランジスタM4の接続点の電位が、トラ
ンジスタM4の抵抗分だけ接地電位よりも高くなる場合
があり、その場合には、トランジスタM3のゲートに実
質的に印加される電圧が低下し、駆動力も低下するの
で、入力振幅の小さい信号を接地電位に近い側に入力す
る方が動作マージンが大きくなり好ましい。
In the configuration shown in FIG. 8, the input signal IN2 having the smaller amplitude is input to the transistor M4 on the side closer to the ground power supply GND. However, it is not always necessary to input the input signal IN2 to the side closer to the ground power supply. Logically operates normally even if the signal is input to the transistor M3 on the far side. This is the same in other embodiments. However, the potential at the connection point between the transistor M3 and the transistor M4 may be higher than the ground potential by the resistance of the transistor M4. In this case, the voltage substantially applied to the gate of the transistor M3 decreases. Since the driving force also decreases, it is preferable to input a signal having a small input amplitude to the side closer to the ground potential because the operation margin is increased.

【0076】尚、上述の実施形態は、入力信号が2本
(反転信号は含まず)の場合を示したが、入力信号が3
本以上の場合であっても、同様の構成が可能である。
In the above-described embodiment, the case where the number of input signals is two (excluding the inverted signal) is shown.
A similar configuration is possible even in the case of more than one.

【0077】(実施の形態3)次に本発明の論理回路に
係る他の実施形態について図面を用いて説明する。図9
及び図10は、本発明に係る論理回路の他の具体的構成
例を示した回路図である。
(Embodiment 3) Next, another embodiment of the logic circuit of the present invention will be described with reference to the drawings. FIG.
FIG. 10 is a circuit diagram showing another specific configuration example of the logic circuit according to the present invention.

【0078】本回路は、論理積−論理否定和(AND−
NOR)回路の機能を有するものであるが、入力信号と
出力信号の取り方によっては、AND−NOR回路の他
にも、論理和−論理否定積(OR−NAND)回路、論
理積−論理和(AND−OR)回路、論理和−論理積
(OR−AND)回路の何れにも成りうるものである。
即ち、入力信号をIN1、IN2及びIN3とし、出力
信号を/OUTとすると、論理積−論理否定和回路とな
り、入力信号を/IN1、/IN2及び/IN3とし、
出力信号をOUTとすると、論理和−論理否定積回路と
なる。また、入力信号をIN1、IN2及びIN3と
し、出力信号をOUTとすると、論理積−論理和回路と
なり、入力信号を/IN1、/IN2及び/IN3と
し、出力信号を/OUTとすると、論理和−論理積回路
となる。
This circuit uses a logical product-logical negative sum (AND-
NOR) circuit, but depending on how to take the input signal and the output signal, in addition to the AND-NOR circuit, a logical sum-logical NOT product (OR-NAND) circuit, a logical product-logical sum (AND-OR) circuit and logical sum-logical product (OR-AND) circuit.
That is, if the input signals are IN1, IN2, and IN3, and the output signal is / OUT, a logical product-logical NOR circuit is provided, and the input signals are set to / IN1, / IN2, and / IN3.
Assuming that the output signal is OUT, the circuit becomes a logical sum-logical NOT product circuit. When the input signals are IN1, IN2 and IN3 and the output signal is OUT, a logical product-OR circuit is obtained. When the input signals are / IN1, / IN2 and / IN3 and the output signal is / OUT, the logical sum is obtained. -It becomes an AND circuit.

【0079】図9及び図10に示した構成において、p
チャネル型トランジスタM1及びM2は、それぞれのゲ
ート電極とドレイン電極とが交互に接続されており、ラ
ッチ回路を構成している。一方、入力信号IN1及び/
IN1、IN2及び/IN2、IN3及び/IN3は、
nチャネル型トランジスタの部分に入力されている。具
体的に述べると、入力信号IN1、IN2及びIN3の
入力部は、図37に示す従来のAND−NOR回路のn
チャネル型トランジスタの部分(または、図38に示す
従来のOR−NAND回路のpチャネル型トランジスタ
の部分)と同様の構成であり、入力信号/IN1、/I
N2及び/IN3の入力部は、図37に示す従来のAN
D−NOR回路のpチャネル型トランジスタの部分(ま
たは、図38に示す従来のOR−NAND回路のnチャ
ネル型トランジスタの部分)と同様の構成である。
In the configuration shown in FIGS. 9 and 10, p
The gate electrodes and the drain electrodes of the channel transistors M1 and M2 are alternately connected to each other to form a latch circuit. On the other hand, the input signals IN1 and / or
IN1, IN2 and / IN2, IN3 and / IN3 are
The signal is input to an n-channel transistor. More specifically, the input portions of the input signals IN1, IN2, and IN3 are connected to the n-side of the conventional AND-NOR circuit shown in FIG.
It has a configuration similar to that of a channel transistor portion (or a p-channel transistor portion of the conventional OR-NAND circuit shown in FIG. 38), and the input signals / IN1, / I
The input section of N2 and / IN3 is a conventional AN shown in FIG.
The configuration is the same as that of the p-channel transistor portion of the D-NOR circuit (or the n-channel transistor portion of the conventional OR-NAND circuit shown in FIG. 38).

【0080】また、図9は、入力信号IN1及び/IN
1が接地電位に近い側のトランジスタに入力されてお
り、これは、入力信号IN2及び/IN2の振幅が小さ
い場合に適した構成である。一方、図10は、入力信号
/IN3が接地電位に近い側のトランジスタに入力され
ており、これは、入力信号IN3及び/IN3の振幅が
小さい場合に適した構成である。
FIG. 9 shows input signals IN1 and / IN
1 is input to the transistor on the side closer to the ground potential, which is a configuration suitable for the case where the amplitudes of the input signals IN2 and / IN2 are small. On the other hand, in FIG. 10, the input signal / IN3 is input to the transistor on the side closer to the ground potential, which is a configuration suitable when the amplitude of the input signals IN3 and / IN3 is small.

【0081】(実施の形態4)次に本発明の論理回路に
係る他の実施形態について図面を用いて説明する。図1
1、図12及び図13は、本発明に係る論理回路の具体
的構成例を示した回路図である。図11に示す回路は、
論理否定積(NAND)回路の機能を有するものである
が、入力信号と出力信号の取り方によっては、NAND
回路の他にも、論理否定和(NOR)回路、論理積(A
ND)回路、論理和(OR)回路の何れにも成りうるも
のである。即ち、入力信号をIN1及びIN2とし、出
力信号を/OUTとすると論理否定積回路となり、入力
信号を/IN1及び/IN2とし、出力信号をOUTと
すると論理否定和回路となる。また、入力信号をIN1
及びIN2とし、出力信号をOUTとすると論理積回路
となり、入力信号を/IN1及び/IN2とし、出力信
号を/OUTとすると論理和回路となる。
(Embodiment 4) Next, another embodiment of the logic circuit of the present invention will be described with reference to the drawings. FIG.
FIGS. 1, 12, and 13 are circuit diagrams showing specific examples of the configuration of the logic circuit according to the present invention. The circuit shown in FIG.
Although it has the function of a logical NOT product (NAND) circuit, depending on how to take input signals and output signals, NAND
In addition to the circuit, a logical NOR (NOR) circuit and a logical product (A
ND) circuit and OR (OR) circuit. That is, when the input signals are IN1 and IN2 and the output signal is / OUT, a logical NOT circuit is obtained. When the input signals are / IN1 and / IN2 and the output signal is OUT, a logical NOR circuit is obtained. Further, the input signal is set to IN1.
If the output signal is / IN2 and the output signal is / OUT, the input signal is / IN1 and / IN2, and the output signal is / OUT.

【0082】図11に示す構成において、pチャネル型
トランジスタM1及びM2のドレイン電極と出力端子の
間には、それぞれトランジスタM3及びM4が接続され
ており、トランジスタM3及びM4のゲート電極は、そ
れぞれ入力信号IN2及び/IN2に接続されている。
一方、入力信号IN1及び/IN1、IN2及び/IN
2は、nチャネル型トランジスタの部分に入力されてい
る。具体的に述べると、入力信号IN1及びIN2の入
力部は、図35に示す従来のNAND回路のnチャネル
型トランジスタの部分(または、図36に示す従来のN
OR回路のpチャネル型トランジスタの部分)と同様の
構成であり、入力信号/IN1及び/IN2の入力部
は、図35に示す従来のNAND回路のpチャネル型ト
ランジスタの部分(または、図36に示す従来のNOR
回路のnチャネル型トランジスタの部分)と同様の構成
である。
In the configuration shown in FIG. 11, transistors M3 and M4 are connected between the drain electrodes of p-channel transistors M1 and M2 and the output terminal, respectively, and the gate electrodes of transistors M3 and M4 are connected to the input terminals, respectively. Connected to signals IN2 and / IN2.
On the other hand, the input signals IN1 and / IN1, IN2 and / IN
2 is input to the portion of the n-channel transistor. Specifically, the input portions of the input signals IN1 and IN2 are connected to the portion of the n-channel transistor of the conventional NAND circuit shown in FIG. 35 (or the conventional N-channel transistor shown in FIG. 36).
It has the same configuration as the p-channel transistor portion of the OR circuit, and the input portions of the input signals / IN1 and / IN2 are connected to the p-channel transistor portion of the conventional NAND circuit shown in FIG. 35 (or FIG. 36). Conventional NOR shown
(A part of an n-channel transistor of the circuit).

【0083】図12に示す回路は、論理積−論理否定和
(AND−NOR)回路の機能を有するものであるが、
入力信号と出力信号の取り方によっては、AND−NO
R回路の他にも、論理和−論理否定積(OR−NAN
D)回路、論理積−論理和(AND−OR)回路、論理
和−論理積(OR−AND)回路の何れにも成りうるも
のである。即ち、入力信号をIN1、IN2及びIN3
とし、出力信号を/OUTとすると、論理積−論理否定
和回路となり、入力信号を/IN1、/IN2及び/I
N3とし、出力信号をOUTとすると、論理和−論理否
定積回路となる。また、入力信号をIN1、IN2及び
IN3とし、出力信号をOUTとすると、論理積−論理
和回路となり、入力信号を/IN1、/IN2及び/I
N3とし、出力信号を/OUTとすると、論理和−論理
積回路となる。
The circuit shown in FIG. 12 has the function of an AND-NOR circuit.
Depending on how the input signal and output signal are taken, AND-NO
In addition to the R circuit, a logical OR-logical NOT product (OR-NAN)
D) circuit, AND-OR (AND-OR) circuit, OR-OR (OR-AND) circuit. That is, the input signals are IN1, IN2 and IN3.
If the output signal is / OUT, a logical product-logical NOR circuit is provided, and the input signals are / IN1, / IN2 and / I
If N3 is set and the output signal is set to OUT, a logical sum-logical NOT product circuit is obtained. If the input signals are IN1, IN2, and IN3 and the output signal is OUT, a logical product-OR circuit is provided, and the input signals are / IN1, / IN2, and / I.
If N3 is set and the output signal is set to / OUT, a logical OR-AND circuit is obtained.

【0084】図12に示した構成において、pチャネル
型トランジスタM1及びM2のドレイン電極と出力端子
の間には、それぞれトランジスタM3及びM4が接続さ
れており、トランジスタM3及びM4のゲート電極は、
それぞれ入力信号IN1及び/IN1に接続されてい
る。
In the configuration shown in FIG. 12, transistors M3 and M4 are connected between the drain electrodes and output terminals of p-channel transistors M1 and M2, respectively. The gate electrodes of transistors M3 and M4 are
They are connected to input signals IN1 and / IN1, respectively.

【0085】一方、入力信号IN1及び/IN1、IN
2及び/IN2、IN3及び/IN3は、nチャネル型
トランジスタの部分に入力されている。具体的に述べる
と、入力信号IN1、IN2及びIN3の入力部は、図
37に示す従来のAND−NOR回路のnチャネル型ト
ランジスタの部分(または、図38に示す従来のOR−
NAND回路のpチャネル型トランジスタの部分)と同
様の構成であり、入力信号/IN1、/IN2及び/I
N3の入力部は、図37に示す従来のAND−NOR回
路のpチャネル型トランジスタの部分(または、図38
に示す従来のOR−NAND回路のnチャネル型トラン
ジスタの部分)と同様の構成である。
On the other hand, the input signals IN1 and / IN1, IN
2 and / IN2, IN3 and / IN3 are input to the portion of the n-channel transistor. Specifically, the input portions of the input signals IN1, IN2, and IN3 are connected to the n-channel transistor portion of the conventional AND-NOR circuit shown in FIG. 37 (or the conventional OR-NOR circuit shown in FIG. 38).
And the input signals / IN1, / IN2 and / I
The input portion of N3 is a portion of the p-channel transistor of the conventional AND-NOR circuit shown in FIG. 37 (or FIG. 38).
Of the conventional OR-NAND circuit shown in FIG.

【0086】また、図12は、入力信号IN1及び/I
N1が接地電位に近い側のトランジスタに入力されてお
り、これは、入力信号IN2及び/IN2の振幅が小さ
い場合に適した構成である。
FIG. 12 shows input signals IN1 and / I
N1 is input to the transistor on the side closer to the ground potential, which is a configuration suitable for the case where the amplitudes of the input signals IN2 and / IN2 are small.

【0087】また、図13に示す構成において、pチャ
ネル型トランジスタM1及びM2のドレイン電極と出力
端子の間には、それぞれトランジスタM3及びM4、M
5及びM6が接続されており、トランジスタM3及びM
4のゲート電極は、それぞれ入力信号IN1及びIN2
に接続され、トランジスタM5及びM6のゲート電極
は、それぞれ入力信号/IN1及び/IN2に接続され
ている。
In the structure shown in FIG. 13, transistors M3, M4 and M4 are connected between the drain terminals of p-channel transistors M1 and M2 and the output terminal, respectively.
5 and M6 are connected, and transistors M3 and M6 are connected.
4 are provided with input signals IN1 and IN2, respectively.
, And the gate electrodes of the transistors M5 and M6 are connected to the input signals / IN1 and / IN2, respectively.

【0088】入力信号IN2、IN3及び/IN1、/
IN2の入力部は、図35に示す従来のAND−NOR
回路のnチャネル型トランジスタの部分(または、図3
6に示す従来のOR−NAND回路のpチャネル型トラ
ンジスタの部分)と同様の構成であり、入力信号IN
1、IN2及び/IN2、/IN3の入力部は、図35
に示す従来のAND−NOR回路のpチャネル型トラン
ジスタの部分(または、図36に示す従来のOR−NA
ND回路のnチャネル型トランジスタの部分)と同様の
構成である。
The input signals IN2, IN3 and / IN1, /
The input section of IN2 is a conventional AND-NOR shown in FIG.
The n-channel transistor portion of the circuit (or FIG.
6 is the same as that of the conventional OR-NAND circuit shown in FIG.
1, IN2 and / IN2, / IN3 are shown in FIG.
36 shows a portion of a p-channel transistor of a conventional AND-NOR circuit shown in FIG.
The configuration is the same as that of the n-channel transistor of the ND circuit).

【0089】(実施の形態5)次に本発明の論理回路に
係る他の実施形態について図面を用いて説明する。図1
4は、本発明に係る論理回路の具体的構成例を示した回
路図である。
(Embodiment 5) Next, another embodiment of the logic circuit of the present invention will be described with reference to the drawings. FIG.
FIG. 4 is a circuit diagram showing a specific configuration example of the logic circuit according to the present invention.

【0090】図14に示す構成において、pチャネル型
トランジスタM1及びM2のドレイン電極と出力端子の
間には、それぞれトランジスタM3、M4及びM5、M
6、M7及びM8が接続されており、トランジスタM
3、M4及びM5のゲート電極は、それぞれ入力信号I
N1、IN2及びIN3に接続され、トランジスタM
6、M7及びM8のゲート電極は、それぞれ入力信号/
IN1、/IN2及び/IN3に接続されている。
In the configuration shown in FIG. 14, transistors M3, M4 and M5, M5 are connected between the drain terminals of p-channel transistors M1 and M2 and the output terminal, respectively.
6, M7 and M8 are connected and the transistor M
3, M4 and M5 have their respective input signals I
N1, IN2 and IN3, the transistor M
6, M7 and M8 have their respective input signals /
They are connected to IN1, / IN2 and / IN3.

【0091】入力信号IN4、IN5、IN6及び/I
N1、/IN2、/IN3の入力部は、図37に示す従
来のAND−NOR回路のnチャネル型トランジスタの
部分(または、図38に示す従来のOR−NAND回路
のpチャネル型トランジスタの部分)と同様の構成であ
り、入力信号IN1、IN2、IN3及び/IN4、/
IN5、/IN6の入力部は、図37に示す従来のAN
D−NOR回路のpチャネル型トランジスタの部分(ま
たは、図38に示す従来のOR−NAND回路のnチャ
ネル型トランジスタの部分)と同様の構成である。
Input signals IN4, IN5, IN6 and / I
The input portions of N1, / IN2, and / IN3 are n-channel transistor portions of the conventional AND-NOR circuit shown in FIG. 37 (or p-channel transistor portions of the conventional OR-NAND circuit shown in FIG. 38). And input signals IN1, IN2, IN3 and / IN4, /
The input section of IN5 and / IN6 is a conventional AN shown in FIG.
The configuration is the same as that of the p-channel transistor portion of the D-NOR circuit (or the n-channel transistor portion of the conventional OR-NAND circuit shown in FIG. 38).

【0092】(実施の形態6)次に本発明の論理回路に
係る他の実施形態について図面を用いて説明する。図1
5、図16、図17及び図18は、図8に示したNAN
D回路の変形例を示した回路図であり、図19、図2
0、図21及び図22は、図11に示したNAND回路
の変形例を示した回路図である。
(Embodiment 6) Next, another embodiment of the logic circuit of the present invention will be described with reference to the drawings. FIG.
5, FIG. 16, FIG. 17, and FIG. 18 show the NAN shown in FIG.
FIG. 19 is a circuit diagram showing a modified example of the D circuit.
0, 21 and 22 are circuit diagrams showing modified examples of the NAND circuit shown in FIG.

【0093】図15においては、図8における入力信号
IN2及び/IN2が、転送用トランジスタM7及びM
8を介して、トランジスタM4及びM6に入力される構
成をとなっている。
In FIG. 15, the input signals IN2 and / IN2 in FIG.
8, and is input to transistors M4 and M6.

【0094】この転送用トランジスタM7及びM8のゲ
ート電極には、制御信号CRLが入力されており、必要
な期間(出力が切り替わる可能性がある期間)だけ転送
用トランジスタを開く(接続する)ことにより、入力信
号IN2及び/IN2の信号線の負荷を軽減することが
できる。例えば、入力信号IN2のパルス幅が、入力信
号IN1のパルス幅よりも小さい場合(入力信号IN2
のパルスが入力信号IN1のパルスに含まれる場合)に
は、上述の制御信号CRLとして入力信号IN1を用い
ればよい。これは、図16及び図17の例に関しても同
様である。
The control signal CRL is input to the gate electrodes of the transfer transistors M7 and M8, and the transfer transistors are opened (connected) for a required period (a period during which the output may be switched). , The load on the signal lines for the input signals IN2 and / IN2 can be reduced. For example, when the pulse width of the input signal IN2 is smaller than the pulse width of the input signal IN1 (input signal IN2
Is included in the pulse of the input signal IN1), the input signal IN1 may be used as the above-described control signal CRL. This is the same for the examples of FIGS.

【0095】図16においては、図15の構成に加え
て、入力信号IN2及び/IN2が入力されるトランジ
スタM4及びM6と、転送用トランジスタM7及びM8
との間に、接地トランジスタM9及びM10が配置され
ている。
In FIG. 16, in addition to the configuration of FIG. 15, transistors M4 and M6 to which input signals IN2 and / IN2 are input, and transfer transistors M7 and M8
, Ground transistors M9 and M10 are arranged.

【0096】この接地トランジスタM9及びM10は、
転送用トランジスタM7及びM8が非接続状態になった
ときに、電気的に浮遊状態になって誤動作することを防
止するための誤動作防止手段である。この接地トランジ
スタM9及びM10は常時接続状態にあるので、制御信
号CRLがアクティブのときには入力信号IN2及び/
IN2が優先されるように、駆動力を小さくしておく必
要がある。また、図16に示す構成においては、誤動作
防止手段としての接地トランジスタM9及びM10は抵
抗であっても差し支えない。
The ground transistors M9 and M10 are
This is a malfunction preventing means for preventing the transfer transistors M7 and M8 from being electrically floating and malfunctioning when the transfer transistors M7 and M8 are disconnected. Since the ground transistors M9 and M10 are always connected, when the control signal CRL is active, the input signals IN2 and //
It is necessary to reduce the driving force so that IN2 is prioritized. In the configuration shown in FIG. 16, the ground transistors M9 and M10 as malfunction preventing means may be resistors.

【0097】図17においては、図15の構成に加え
て、入力信号IN2及び/IN2が入力されるトランジ
スタM4及びM6と、転送用トランジスタM7及びM8
との間に、接地トランジスタM9及びM10が配置され
ているが、そのゲート電極は、転送用トランジスタに入
力される制御信号の反転信号/CRLが入力されてい
る。
In FIG. 17, in addition to the configuration of FIG. 15, transistors M4 and M6 to which input signals IN2 and / IN2 are input, and transfer transistors M7 and M8
The ground transistors M9 and M10 are arranged between the gates, and their gate electrodes receive an inverted signal / CRL of a control signal input to the transfer transistor.

【0098】この接地トランジスタM9及びM10は、
図16の例と同様に、転送用トランジスタM7及びM8
が非接続状態になったときに、電気的に浮遊状態になっ
て誤動作することを防止するためのものである。このと
き、接地トランジスタM9及びM10は、転送用トラン
ジスタが非接続状態になったときだけ接地電位に接続さ
れるので、トランジスタの駆動力に拘わらず信号入力部
の電位降下をもたらすことはない。
The ground transistors M9 and M10 are
As in the example of FIG. 16, the transfer transistors M7 and M8
This is to prevent the device from becoming electrically floating and malfunctioning when the device becomes disconnected. At this time, the ground transistors M9 and M10 are connected to the ground potential only when the transfer transistor is in a non-connected state, so that the potential of the signal input section does not drop regardless of the driving force of the transistors.

【0099】図18においては、図17の構成におい
て、転送用トランジスタM7のゲート電極には、トラン
ジスタM3に入力される信号IN1が入力されている。
In FIG. 18, in the configuration of FIG. 17, the signal IN1 input to the transistor M3 is input to the gate electrode of the transfer transistor M7.

【0100】このように入力信号の内の1つを転送用ト
ランジスタの制御信号として用いることにより、端子数
を削減することができる。
By using one of the input signals as a control signal for the transfer transistor, the number of terminals can be reduced.

【0101】尚、説明を省略したが図19、図20、図
21及び図22に示した構成においては、転送用トラン
ジスタはM9及びM10で示され、接地トランジスタは
M11及びM12で示されている。また、これらの構成
は、上述の図15、図16、図17及び図18と同様の
作用、効果を奏するものである。
Although not described, in the configurations shown in FIGS. 19, 20, 21 and 22, transfer transistors are indicated by M9 and M10, and ground transistors are indicated by M11 and M12. . These configurations have the same functions and effects as those of FIGS. 15, 16, 17, and 18.

【0102】(実施の形態7)次に本発明の画像表示装
置に係る実施形態について図面を用いて説明する。図2
3及び図24は、本発明に係る画像表示装置の構成例を
示した図である。
(Embodiment 7) Next, an embodiment of the image display device of the present invention will be described with reference to the drawings. FIG.
3 and FIG. 24 are views showing a configuration example of the image display device according to the present invention.

【0103】図23における構成は、従来の画像表示装
置と同一のものであり、マトリクス状に配置された画素
PIXからなる画素アレイARYと、走査信号線駆動回
路(ゲートドライバ)GDと、データ信号線駆動回路
(データドライバ)SDとからなるアクティブマトリク
ス型液晶表示装置であるが、そのデータ信号線駆動回路
SD及び走査信号線駆動回路の少なくともいずれか一方
が、上述の論理回路を有している。尚、画素PIX部分
の構成例は図24に示したとおりである。
The configuration in FIG. 23 is the same as that of the conventional image display device, and includes a pixel array ARY including pixels PIX arranged in a matrix, a scanning signal line driving circuit (gate driver) GD, and a data signal An active matrix type liquid crystal display device including a line drive circuit (data driver) SD, at least one of the data signal line drive circuit SD and the scanning signal line drive circuit has the above-described logic circuit. . The configuration example of the pixel PIX portion is as shown in FIG.

【0104】画像表示装置としての液晶表示装置におい
ては、液晶素子を駆動するために、10〜20Vの比較
的高い駆動電圧を必要とするので、駆動回路もこれに近
い電圧で駆動されることが一般的である。これに対し
て、画像表示装置に入力される信号は、ICで生成され
るので、通常3.3〜5Vである。したがって、この間
に何らかの電圧変換回路(レベルシフト回路)を介する
ことになるが、本発明によれば、上述したように、駆動
回路内の論理回路がレベルシフト機能を有しているの
で、別途レベルシフタ回路を付加することなく、良好な
画像表示を実現することができる。
In a liquid crystal display device as an image display device, a relatively high driving voltage of 10 to 20 V is required to drive a liquid crystal element. Therefore, a driving circuit may be driven at a voltage close to this. General. On the other hand, since the signal input to the image display device is generated by an IC, it is usually 3.3 to 5 V. Therefore, during this time, some kind of voltage conversion circuit (level shift circuit) is used. However, according to the present invention, as described above, since the logic circuit in the drive circuit has the level shift function, the level shifter is separately provided. Good image display can be realized without adding a circuit.

【0105】図25は本発明に係る画像表示装置に用い
られるデータ信号線駆動回路の構成例を示した図であ
り、図26及び図28は本発明に係る画像表示装置に用
いられる走査信号線駆動回路の構成例を示した図であ
る。
FIG. 25 is a diagram showing a configuration example of a data signal line driving circuit used in the image display device according to the present invention. FIGS. 26 and 28 are scanning signal lines used in the image display device according to the present invention. FIG. 3 is a diagram illustrating a configuration example of a drive circuit.

【0106】図25に示すデータ信号線駆動回路の構成
例において、データ信号線駆動回路は、15Vの電源電
圧で駆動されているが、入力信号PCSの振幅は5Vで
ある。これは、入力信号PCSが入力される論理否定積
回路LS_NANDに、上述の論理回路を採用すること
で実現することができる。
In the configuration example of the data signal line drive circuit shown in FIG. 25, the data signal line drive circuit is driven by a power supply voltage of 15 V, but the amplitude of the input signal PCS is 5 V. This can be realized by employing the above-described logic circuit in the logical NOT product circuit LS_NAND to which the input signal PCS is input.

【0107】このときの信号波形を図29に示す。これ
により、シフトレジスタ回路の出力信号Nよりもパルス
幅の小さい信号Oを生成することができる。
FIG. 29 shows the signal waveform at this time. Thus, a signal O having a smaller pulse width than the output signal N of the shift register circuit can be generated.

【0108】また、クロック信号CKSの振幅も5Vで
あるが、これは、図27に示すようなラッチ回路により
構成したシフトレジスタ回路を用いることにより実現す
ることができる。 また、開始信号SPSの振幅は15
Vとしているが、これは、図42乃至図43に示す従来
のレベルシフタ回路を用いて5Vから昇圧することがで
きる。これらを組み合わせることにより、電圧15Vで
駆動されるデータ信号線駆動回路のすべての入力信号を
5V振幅とすることができる。
The amplitude of the clock signal CKS is also 5 V. This can be realized by using a shift register circuit constituted by a latch circuit as shown in FIG. The amplitude of the start signal SPS is 15
Although it is set to V, this can be boosted from 5 V using the conventional level shifter circuit shown in FIGS. By combining these, all the input signals of the data signal line driving circuit driven at a voltage of 15 V can have a 5 V amplitude.

【0109】図26に示す走査信号線駆動回路の構成例
において、走査信号線駆動回路は、15Vの電源電圧で
駆動されているが、入力信号PCGの振幅は5Vであ
る。これは、入力信号PCGが入力される論理否定和回
路LS_NORに、上述の論理回路を採用することで実
現することができる。
In the configuration example of the scanning signal line driving circuit shown in FIG. 26, the scanning signal line driving circuit is driven by a power supply voltage of 15 V, but the amplitude of the input signal PCG is 5 V. This can be realized by employing the above-described logic circuit for the logical NOR circuit LS_NOR to which the input signal PCG is input.

【0110】このときの信号波形を図30に示す。これ
により、シフトレジスタ回路の出力信号Nよりもパルス
幅の小さい信号Oを生成することができる。
FIG. 30 shows the signal waveform at this time. Thus, a signal O having a smaller pulse width than the output signal N of the shift register circuit can be generated.

【0111】また、クロック信号CKGの振幅も5Vで
あるが、これは、図27に示すようなラッチ回路により
構成したシフトレジスタ回路を用いることにより実現す
ることができる。 また、開始信号SPGの振幅は15
Vとしているが、これは、図42乃至図43に示す従来
のレベルシフタ回路を用いて5Vから昇圧することがで
きる。これらを組み合わせることにより、電圧15Vで
駆動される走査信号線駆動回路のすべての入力信号を5
V振幅とすることができる。
The amplitude of the clock signal CKG is also 5 V. This can be realized by using a shift register circuit constituted by a latch circuit as shown in FIG. The amplitude of the start signal SPG is 15
Although it is set to V, this can be boosted from 5 V using the conventional level shifter circuit shown in FIGS. By combining these, all the input signals of the scanning signal line driving circuit driven at a voltage of 15 V
V amplitude.

【0112】図28に示す走査信号線駆動回路の構成例
において、走査信号線駆動回路は、15Vの電源電圧で
駆動されているが、入力信号FR1及びFR2の振幅は
5Vである。これは、入力信号FR1及びFR2が入力
される論理否定和回路LS_NORに、上述の論理回路
を採用することで実現することができる。
In the configuration example of the scanning signal line driving circuit shown in FIG. 28, the scanning signal line driving circuit is driven by a power supply voltage of 15 V, but the amplitude of the input signals FR1 and FR2 is 5V. This can be realized by employing the above-described logic circuit for the logical NOR circuit LS_NOR to which the input signals FR1 and FR2 are input.

【0113】このときの信号波形を図31に示す。入力
信号FR1及びFR2の信号レベルによって、図31に
示すように、信号出力の組み合わせを変えることが可能
となるので、2水平ライン組み違い走査を実現すること
ができる。また、クロック信号CKGの振幅も5Vであ
るが、これは、図27に示すようなラッチ回路により構
成したシフトレジスタ回路を用いることにより実現する
ことができる。また、開始信号SPGの振幅は15Vと
しているが、これは、図42ないし図43に示す従来の
レベルシフタ回路を用いて5Vから昇圧することができ
る。これらを組み合わせることにより、電圧15Vで駆
動される走査信号線駆動回路のすべての入力信号を5V
振幅とすることができる。本発明の対象技術である論理
回路及び画像表示装置の例として、ここでは、液晶表示
装置と、そのデータ信号線駆動回路及び走査信号線駆動
回路を構成する論理演算回路について述べる。ただし、
本発明はこれに限定されることなく、他の画像表示装置
や他の論理演算回路についても有効なものである。
FIG. 31 shows the signal waveform at this time. As shown in FIG. 31, it is possible to change the combination of signal outputs according to the signal levels of the input signals FR1 and FR2, so that two horizontal line misalignment scanning can be realized. Further, the amplitude of the clock signal CKG is also 5 V, which can be realized by using a shift register circuit constituted by a latch circuit as shown in FIG. Although the amplitude of the start signal SPG is set to 15 V, it can be boosted from 5 V using the conventional level shifter circuit shown in FIGS. By combining these, all the input signals of the scanning signal line driving circuit driven at a voltage of 15 V
It can be amplitude. Here, as an example of a logic circuit and an image display device which are target technologies of the present invention, a liquid crystal display device and a logic operation circuit forming a data signal line driving circuit and a scanning signal line driving circuit thereof will be described. However,
The present invention is not limited to this, and is effective for other image display devices and other logical operation circuits.

【0114】(実施の形態8)次に本発明に係る画像表
示装置の他の実施形態について図面を用いて説明する。
図32は、本発明に係る画像表示装置の他の構成例を示
した図である。
Embodiment 8 Next, another embodiment of the image display device according to the present invention will be described with reference to the drawings.
FIG. 32 is a diagram showing another configuration example of the image display device according to the present invention.

【0115】図32示した画像表示装置においては、画
素PIXと、データ信号線駆動回路SDと、走査信号線
駆動回路GDとは、同一基板SUB上に構成されており
(ドライバモノリシック構造)、外部コントロール回路
CTLからの信号と、外部電源回路VGENからの駆動
電源とによって駆動している。
In the image display device shown in FIG. 32, the pixel PIX, the data signal line driving circuit SD, and the scanning signal line driving circuit GD are formed on the same substrate SUB (driver monolithic structure), and It is driven by a signal from the control circuit CTL and a drive power supply from the external power supply circuit VGEN.

【0116】このような構成においては、データ信号線
駆動回路及び走査信号線駆動回路は、画面(表示領域)
とほぼ同じ長さの領域に広く分散して配置されているの
で、入力信号などの配線長は極めて長くなっている。し
たがって、入力信号配線などの負荷容量も極めて大きく
なるので、信号振幅を小さくすることによる低消費電力
化の効果が大きい。
In such a configuration, the data signal line driving circuit and the scanning signal line driving circuit are provided on the screen (display area).
The wirings for input signals and the like are extremely long because they are widely distributed in the same length of area. Therefore, the load capacitance of the input signal wiring and the like becomes extremely large, and the effect of reducing the power consumption by reducing the signal amplitude is great.

【0117】また、データ信号線駆動回路及び走査信号
線駆動回路を画素と同一基板上に(モノリシックに)形
成することにより、別々に構成して実装するよりも、駆
動回路の製造コストや実装コストの低減を図ることがで
きるとともに、信頼性の向上にも効果がある。
Further, by forming the data signal line driving circuit and the scanning signal line driving circuit (monolithically) on the same substrate as the pixels, the manufacturing cost and the mounting cost of the driving circuit are reduced as compared with the case of separately configuring and mounting. Can be reduced, and the reliability can be improved.

【0118】図33は、本発明に係る画像表示装置を構
成する多結晶シリコン薄膜トランジスタの構造例を示し
た図である。
FIG. 33 is a view showing a structural example of a polycrystalline silicon thin film transistor constituting an image display device according to the present invention.

【0119】図33に示す多結晶シリコン薄膜トランジ
スタは、絶縁性基板上の多結晶シリコン薄膜を活性層と
する順スタガー(トップゲート)構造のものであるが、
本発明はこれに限るものではなく、逆スタガー構造等の
他の構造のものであってよい。
The polycrystalline silicon thin film transistor shown in FIG. 33 has a forward stagger (top gate) structure using a polycrystalline silicon thin film on an insulating substrate as an active layer.
The present invention is not limited to this, and may have another structure such as an inverted stagger structure.

【0120】上記のような多結晶シリコン薄膜トランジ
スタを用いることによって、実用的な駆動能力を有する
走査信号線駆動回路及びデータ信号線駆動回路を、画素
アレイと同一基板上にほぼ同一の製造工程で構成するこ
とができる。
By using the polycrystalline silicon thin film transistor as described above, a scanning signal line driving circuit and a data signal line driving circuit having practical driving capabilities are formed on the same substrate as the pixel array in almost the same manufacturing steps. can do.

【0121】図34は、本発明に係る画像表示装置を構
成する多結晶シリコン薄膜トランジスタの製造工程を示
す構造断面図の例である。
FIG. 34 is an example of a structural sectional view showing a manufacturing process of a polycrystalline silicon thin film transistor constituting an image display device according to the present invention.

【0122】以下に、概ね摂氏600℃以下で多結晶シ
リコン薄膜トランジスタを形成するときの製造プロセス
について、簡単に説明する。図34は、本発明に係る画
像表示装置を構成する薄膜トランジスタの製造工程の例
を示した図である。図34(a)〜(k)は、各工程で
の断面図である。
Hereinafter, a manufacturing process for forming a polycrystalline silicon thin film transistor at a temperature of about 600 ° C. or less will be briefly described. FIG. 34 is a diagram illustrating an example of a manufacturing process of a thin film transistor included in the image display device according to the present invention. FIGS. 34A to 34K are cross-sectional views in each step.

【0123】図34においては、まず、ガラス基板
(a)上に堆積した非晶質シリコン薄膜(b)に、エキ
シマレーザを照射して、多結晶シリコン薄膜を形成する
(c)。次に、この多結晶シリコン薄膜を所望の形状に
パターニングし(d)、二酸化シリコンからなるゲート
絶縁膜を形成する(e)。更に、薄膜トランジスタのゲ
ート電極をアルミニウム等で形成(f)した後、薄膜ト
ランジスタのソース・ドレイン領域に不純物(n型領域
には燐、p型領域には硼素)を注入する(g,h)。そ
の後、二酸化シリコンまたは窒化シリコン等からなる層
間絶縁膜を堆積し(i)、コンタクトホールを開口
(j)した後、アルミニウム等の金属配線を形成する。
この工程において、プロセスの最高温度は、ゲート絶縁
膜形成時の600℃であるので、米国コーニング社の1
737ガラス等の高耐熱性ガラスが使用できる。
In FIG. 34, first, an amorphous silicon thin film (b) deposited on a glass substrate (a) is irradiated with an excimer laser to form a polycrystalline silicon thin film (c). Next, the polycrystalline silicon thin film is patterned into a desired shape (d), and a gate insulating film made of silicon dioxide is formed (e). Further, after the gate electrode of the thin film transistor is formed of aluminum or the like (f), impurities (phosphorus in the n-type region and boron in the p-type region) are implanted into the source / drain regions of the thin film transistor (g, h). Thereafter, an interlayer insulating film made of silicon dioxide or silicon nitride is deposited (i), a contact hole is opened (j), and a metal wiring such as aluminum is formed.
In this step, the maximum temperature of the process is 600 ° C. during the formation of the gate insulating film.
High heat-resistant glass such as 737 glass can be used.

【0124】尚、液晶表示装置においては、この後に、
更に、別の層間絶縁膜を介して、透明電極(透過型液晶
表示装置の場合)や反射電極(反射型液晶表示装置の場
合)を形成することになる。
In the liquid crystal display device,
Further, a transparent electrode (in the case of a transmissive liquid crystal display device) and a reflective electrode (in the case of a reflective liquid crystal display device) are formed via another interlayer insulating film.

【0125】ここで、図34に示すような製造工程で、
多結晶シリコン薄膜トランジスタを、概ね摂氏600℃
以下で形成することにより、安価で大面積のガラス基板
を用いることができるようになるので、画像表示装置の
低価格化と大面積化が実現される。
Here, in the manufacturing process as shown in FIG.
Polycrystalline silicon thin film transistor is approximately 600 ° C
By forming the glass substrate in the following manner, an inexpensive and large-sized glass substrate can be used, so that the cost and the area of the image display device can be reduced.

【0126】以上のように、本発明の論理回路及びこの
論理回路を画像表示装置に適用した場合について各種の
実施形態によって具体的に説明したが、本発明は全ての
実施形態において、論理回路を構成するトランジスタの
極性、電源及び信号の極性等を逆にしても論理回路とし
て成立し、実施形態に示す同様の効果が期待できる。ま
た、論理回路への入力信号数に関しても特に制限はな
い。また、本発明はこの上述の実施形態に限定されるも
のではなく、その要旨を逸脱せず、当初の作用効果を損
なわない範囲において種々の変更が可能であることは言
うまでもない。
As described above, the logic circuit of the present invention and the case where this logic circuit is applied to an image display device have been described in detail with reference to various embodiments. Even if the polarity of the constituent transistors, the polarity of the power supply and the signal, and the like are reversed, the logic circuit is established and the same effects as described in the embodiment can be expected. There is no particular limitation on the number of input signals to the logic circuit. Further, it is needless to say that the present invention is not limited to the above-described embodiment, and various changes can be made without departing from the gist of the present invention and without impairing the initial operation and effect.

【0127】[0127]

【発明の効果】上述したように、本発明は駆動回路の消
費電力を低減することができる論理回路及びそれを用い
た画像表示装置を提供するものである。
As described above, the present invention provides a logic circuit capable of reducing the power consumption of a driving circuit and an image display device using the same.

【0128】本発明の論理回路によれば、外部からの入
力信号の振幅を、駆動電圧よりも小さくすることができ
るので、外部回路の負荷を小さくすることができる。
According to the logic circuit of the present invention, since the amplitude of an external input signal can be made smaller than the drive voltage, the load on the external circuit can be reduced.

【0129】また、本発明の論理回路を信号線駆動回路
に採用した画像表示装置においては、入力されるロジッ
ク信号の振幅を小さくすることができるので、画像の表
示品位の低下を招くことなしに、外部コントローラIC
などの負担を軽くすることができる。
Further, in the image display device employing the logic circuit of the present invention in the signal line driving circuit, the amplitude of the input logic signal can be reduced, so that the display quality of the image is not reduced. , External controller IC
Can be lightened.

【0130】特に、多結晶シリコン薄膜トランジスタを
用いて、走査信号線駆動回路及びデータ信号線駆動回路
を画素と同一基板上に形成する場合には、多結晶シリコ
ン薄膜トランジスタ駆動力が単結晶シリコントランジス
タに比べて小さいにもかかわらず、走査信号線駆動回路
及びデータ信号線駆動回路は、画像表示装置の辺方向に
広く分散配置されているので、入力信号線の負荷が大き
い。従って、それらによる表示不良や消費電力の増大が
懸念されるので、本発明の論理回路を採用する利点は極
めて大きくなる。
In particular, when a scanning signal line driving circuit and a data signal line driving circuit are formed on the same substrate as a pixel by using a polycrystalline silicon thin film transistor, the driving power of the polycrystalline silicon thin film transistor is higher than that of a single crystal silicon transistor. Despite the small size, the scanning signal line driving circuit and the data signal line driving circuit are widely distributed in the side direction of the image display device, so that the load on the input signal lines is large. Therefore, there is a concern about display failure and increase in power consumption due to them, so that the advantage of employing the logic circuit of the present invention becomes extremely large.

【0131】以上のように本発明は画像表示装置の低消
費電力化を実現するものであり、今後の情報化社会に欠
かすことのできない画像表示装置、とりわけ駆動回路一
体型液晶表示装置あるいはそれを搭載した携帯機器等の
性能や付加価値の向上に大きな効果を奏するものであ
る。
As described above, the present invention realizes low power consumption of an image display device, and an image display device which is indispensable to the information society in the future, especially, a liquid crystal display device integrated with a driving circuit or the like. This has a significant effect on improving the performance and added value of the mounted portable device and the like.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明に係る論理回路の構成を示すブロック図
である。
FIG. 1 is a block diagram showing a configuration of a logic circuit according to the present invention.

【図2】本発明に係る論理回路の構成例を示すブロック
図である。
FIG. 2 is a block diagram illustrating a configuration example of a logic circuit according to the present invention.

【図3】本発明に係る論理回路の他の構成例を示すブロ
ック図である。
FIG. 3 is a block diagram showing another configuration example of the logic circuit according to the present invention.

【図4】本発明に係る論理回路の他の構成例を示すブロ
ック図である。
FIG. 4 is a block diagram showing another configuration example of the logic circuit according to the present invention.

【図5】本発明に係る論理回路の他の構成例を示すブロ
ック図である。
FIG. 5 is a block diagram showing another configuration example of the logic circuit according to the present invention.

【図6】本発明に係る論理回路の他の構成例を示すブロ
ック図である。
FIG. 6 is a block diagram showing another configuration example of the logic circuit according to the present invention.

【図7】本発明に係る論理回路の他の構成例を示すブロ
ック図である。
FIG. 7 is a block diagram showing another configuration example of the logic circuit according to the present invention.

【図8】本発明に係る論理回路の具体例を示す回路図で
ある。
FIG. 8 is a circuit diagram showing a specific example of a logic circuit according to the present invention.

【図9】本発明に係る論理回路の他の具体例を示す回路
図である。
FIG. 9 is a circuit diagram showing another specific example of the logic circuit according to the present invention.

【図10】本発明に係る論理回路の他の具体例を示す回
路図である。
FIG. 10 is a circuit diagram showing another specific example of the logic circuit according to the present invention.

【図11】本発明に係る論理回路の他の具体例を示す回
路図である。
FIG. 11 is a circuit diagram showing another specific example of the logic circuit according to the present invention.

【図12】本発明に係る論理回路の他の具体例を示す回
路図である。
FIG. 12 is a circuit diagram showing another specific example of the logic circuit according to the present invention.

【図13】本発明に係る論理回路の他の具体例を示す回
路図である。
FIG. 13 is a circuit diagram showing another specific example of the logic circuit according to the present invention.

【図14】本発明に係る論理回路の他の具体例を示す回
路図である。
FIG. 14 is a circuit diagram showing another specific example of the logic circuit according to the present invention.

【図15】本発明に係る論理回路の変形例を示す回路図
である。
FIG. 15 is a circuit diagram showing a modification of the logic circuit according to the present invention.

【図16】本発明に係る論理回路の他の変形例を示す回
路図である。
FIG. 16 is a circuit diagram showing another modified example of the logic circuit according to the present invention.

【図17】本発明に係る論理回路の他の変形例を示す回
路図である。
FIG. 17 is a circuit diagram showing another modification of the logic circuit according to the present invention.

【図18】本発明に係る論理回路の他の変形例を示す回
路図である。
FIG. 18 is a circuit diagram showing another modification of the logic circuit according to the present invention.

【図19】本発明に係る論理回路の他の変形例を示す回
路図である。
FIG. 19 is a circuit diagram showing another modification of the logic circuit according to the present invention.

【図20】本発明に係る論理回路の他の変形例を示す回
路図である。
FIG. 20 is a circuit diagram showing another modified example of the logic circuit according to the present invention.

【図21】本発明に係る論理回路の他の変形例を示す回
路図である。
FIG. 21 is a circuit diagram showing another modification of the logic circuit according to the present invention.

【図22】本発明に係る論理回路の他の変形例を示す回
路図である。
FIG. 22 is a circuit diagram showing another modified example of the logic circuit according to the present invention.

【図23】本発明に係る画像表示装置の構成例を示すブ
ロック図である。
FIG. 23 is a block diagram illustrating a configuration example of an image display device according to the present invention.

【図24】本発明に係る画像表示装置における画素の内
部構造の例を示す図である。
FIG. 24 is a diagram showing an example of the internal structure of a pixel in the image display device according to the present invention.

【図25】本発明に係る画像表示装置におけるデータ信
号線駆動回路の構成例を示す図である。
FIG. 25 is a diagram illustrating a configuration example of a data signal line driving circuit in the image display device according to the present invention.

【図26】本発明に係る画像表示装置における走査信号
線駆動回路の構成例を示す図である。
FIG. 26 is a diagram illustrating a configuration example of a scanning signal line driving circuit in the image display device according to the present invention.

【図27】本発明に係る画像表示装置の駆動回路に用い
られるラッチ回路の構成例を示す図である。
FIG. 27 is a diagram illustrating a configuration example of a latch circuit used in a drive circuit of an image display device according to the present invention.

【図28】本発明に係る画像表示装置における走査信号
線駆動回路の他の構成例を示す図である。
FIG. 28 is a diagram showing another configuration example of the scanning signal line driving circuit in the image display device according to the present invention.

【図29】本発明に係る画像表示装置におけるデータ信
号線駆動回路の信号波形の例を示す図である。
FIG. 29 is a diagram illustrating an example of a signal waveform of a data signal line driving circuit in the image display device according to the present invention.

【図30】本発明に係る画像表示装置における走査信号
線駆動回路の信号波形の例を示す図である。
FIG. 30 is a diagram illustrating an example of a signal waveform of a scanning signal line driving circuit in the image display device according to the present invention.

【図31】本発明に係る画像表示装置における走査信号
線駆動回路の信号波形の例を示す図である。
FIG. 31 is a diagram illustrating an example of a signal waveform of a scanning signal line driving circuit in the image display device according to the present invention.

【図32】本発明に係る画像表示装置の他の構成例を示
すブロック図である。
FIG. 32 is a block diagram showing another configuration example of the image display device according to the present invention.

【図33】本発明に係る画像表示装置を構成する多結晶
シリコン薄膜トランジスタの断面構造の例を示す図であ
る。
FIG. 33 is a diagram showing an example of a cross-sectional structure of a polycrystalline silicon thin film transistor constituting an image display device according to the present invention.

【図34】本発明に係る画像表示装置を構成する多結晶
シリコン薄膜トランジスタの製造工程の例を示す図であ
る。
FIG. 34 is a diagram illustrating an example of a manufacturing process of a polycrystalline silicon thin film transistor constituting the image display device according to the present invention.

【図35】従来のCMOS回路における論理否定積回路
の構成を示す回路図である。
FIG. 35 is a circuit diagram showing a configuration of a logical NOT product circuit in a conventional CMOS circuit.

【図36】従来のCMOS回路における論理否定和回路
の構成を示す回路図である。
FIG. 36 is a circuit diagram showing a configuration of a logical NOR circuit in a conventional CMOS circuit.

【図37】従来のCMOS回路における論理積−論理否
定和回路の構成を示す回路図である。
FIG. 37 is a circuit diagram showing a configuration of a logical product-logical NOR circuit in a conventional CMOS circuit.

【図38】従来のCMOS回路における論理和−論理否
定積回路の構成を示す回路図である。
FIG. 38 is a circuit diagram showing a configuration of a logical sum-logical NOT product circuit in a conventional CMOS circuit.

【図39】従来のデータ信号線駆動回路の構成例を示す
回路図である。
FIG. 39 is a circuit diagram showing a configuration example of a conventional data signal line drive circuit.

【図40】従来の走査信号線駆動回路の構成例を示す回
路図である。
FIG. 40 is a circuit diagram showing a configuration example of a conventional scanning signal line driving circuit.

【図41】従来の走査信号線駆動回路の他の構成例を示
す回路図である。
FIG. 41 is a circuit diagram showing another configuration example of a conventional scanning signal line driving circuit.

【図42】従来のレベルシフト回路の構成例を示す回路
図である。
FIG. 42 is a circuit diagram showing a configuration example of a conventional level shift circuit.

【図43】従来のレベルシフト回路の他の構成例を示す
回路図である。
FIG. 43 is a circuit diagram showing another configuration example of a conventional level shift circuit.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

IN1、/IN1 入力信号 OUT、/OUT 出力信号 CK、/CK、CKS、CKG クロック信号 SPS、SPG スタート信号 PCS、PCG パルス幅制御信号 FR1、FR2 フレーム切り替え信号 DAT 映像信号 LS_NAND レベルシフタ・NAND LS_NOR レベルシフタ・NOR LS_SR レベルシフタ・ラッチ SR ラッチ回路 AS アナログスイッチ SL データ信号線 GL 走査信号線 SD データ信号線駆動回路(データドライバ) GD 走査信号線駆動回路(ゲートドライバ) PIX 画素 ARY 画素アレイ GPS パルス信号 CL 液晶容量 CS 補助容量 SW 画素スイッチ(トランジスタ) VSH、VGH 電源端子 VSL、VGL 接地端子 LS レベルシフタ回路 VGEN 電源回路 CTL タイミング回路,コントロール回路 SUB 基板 COM コモン端子 IN1, / IN1 input signal OUT, / OUT output signal CK, / CK, CKS, CKG clock signal SPS, SPG start signal PCS, PCG pulse width control signal FR1, FR2 frame switching signal DAT video signal LS_NAND level shifter NAND LS_NOR level shifter NOR LS_SR Level shifter / latch SR Latch circuit AS Analog switch SL Data signal line GL Scan signal line SD Data signal line drive circuit (data driver) GD Scan signal line drive circuit (gate driver) PIX Pixel ARY Pixel array GPS Pulse signal CL Liquid crystal capacity CS Auxiliary capacitance SW Pixel switch (transistor) VSH, VGH Power supply terminal VSL, VGL Ground terminal LS Level shifter circuit VGEN Power supply circuit CTL Timing Road, the control circuit SUB board COM common terminal

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 海瀬 泰佳 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 シ ャープ株式会社内 Fターム(参考) 2H093 NC09 NC11 NC34 ND38 ND39 5C058 AA08 BA01 BA26 5J056 AA03 BB17 CC21 DD13 DD29 EE03 EE11 FF09 FF10 KK01 ────────────────────────────────────────────────── ─── Continuing on the front page (72) Inventor Yasuka Kaise 22-22, Nagaike-cho, Abeno-ku, Osaka-shi, Osaka F-term (reference) 2H093 NC09 NC11 NC34 ND38 ND39 5C058 AA08 BA01 BA26 5J056 AA03 BB17 CC21 DD13 DD29 EE03 EE11 FF09 FF10 KK01

Claims (24)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 複数の入力信号に基づいて論理演算を行
うCMOS論理回路において、 前記入力信号のうちの少なくとも一部は、その振幅が前
記CMOS論理回路の駆動電源よりも小さいことを特徴
とする論理回路。
1. A CMOS logic circuit that performs a logical operation based on a plurality of input signals, wherein at least a part of the input signals has an amplitude smaller than a driving power supply of the CMOS logic circuit. Logic circuit.
【請求項2】 前記論理回路は、2つの電流経路のそれ
ぞれにnチャネル型トランジスタからなる回路部分及び
pチャネル型トランジスタからなる回路部分が設けら
れ、その何れか一方のチャネル型トランジスタからなる
回路部分において、 一方の電流経路には、前記論理回路と同様の論理演算結
果を出力するCMOSロジック回路のnチャネル型トラ
ンジスタからなる回路部分と同一構成の回路が設けら
れ、 他方の電流経路には、前記論理回路と同様の論理演算結
果を出力するCMOSロジック回路のpチャネル型トラ
ンジスタからなる回路部分と同一構成の回路が設けら
れ、前記論理回路の他方のチャネル型トランジスタから
なる回路部分では、前記2つの電流経路にそれぞれ設け
られたトランジスタのゲート電極が、互いのドレイン電
極に相互に接続されることを特徴とする請求項1に記載
の論理回路。
2. The logic circuit according to claim 1, wherein a circuit portion including an n-channel transistor and a circuit portion including a p-channel transistor are provided in each of two current paths, and a circuit portion including one of the channel transistors is provided. In one of the current paths, a circuit having the same configuration as a circuit portion including an n-channel transistor of a CMOS logic circuit that outputs a logical operation result similar to that of the logic circuit is provided. A circuit having the same configuration as a circuit portion including a p-channel transistor of a CMOS logic circuit that outputs a logical operation result similar to that of the logic circuit is provided. The gate electrodes of the transistors provided in the current paths respectively Logic circuit according to claim 1, characterized in that connected to each other.
【請求項3】 前記論理回路は、2つの電流経路のそれ
ぞれにnチャネル型トランジスタからなる回路部分及び
pチャネル型トランジスタからなる回路部分が設けら
れ、その何れか一方のチャネル型トランジスタからなる
回路部分において、 一方の電流経路には、前記論理回路と同様の論理演算結
果を出力するCMOSロジック回路のnチャネル型トラ
ンジスタからなる回路部分と同一構成の回路が設けら
れ、 他方の電流経路には、前記論理回路と同様の論理演算結
果を出力するCMOSロジック回路のpチャネル型トラ
ンジスタからなる回路部分と同一構成の回路が設けら
れ、 前記論理回路の他方のチャネル型トランジスタからなる
回路部分では、前記2つの電流経路のそれぞれにおい
て、前記入力信号のうち、少なくとも一部がゲート電極
に入力されるトランジスタが設けられ、 かつ、前記2つの電流経路のそれぞれの電源側に、ゲー
ト電極が互いに他方の電流経路の出力部に接続されるト
ランジスタが設けらていることを特徴とする請求項1に
記載の論理回路。
3. The logic circuit according to claim 1, wherein a circuit portion including an n-channel transistor and a circuit portion including a p-channel transistor are provided in each of two current paths, and a circuit portion including one of the channel transistors is provided. In one of the current paths, a circuit having the same configuration as a circuit portion including an n-channel transistor of a CMOS logic circuit that outputs a logical operation result similar to that of the logic circuit is provided. A circuit having the same configuration as a circuit portion including a p-channel transistor of a CMOS logic circuit that outputs a logical operation result similar to that of the logic circuit is provided. In each of the current paths, at least a portion of the input signal is gated. A transistor for inputting to a pole is provided, and a transistor whose gate electrode is connected to an output of the other current path is provided on each power supply side of the two current paths. The logic circuit according to claim 1.
【請求項4】 前記論理回路は、2つの電流経路のそれ
ぞれにnチャネル型トランジスタからなる回路部分及び
pチャネル型トランジスタからなる回路部分が設けら
れ、その何れか一方のチャネル型トランジスタからなる
回路部分において、 一方の電流経路には、前記論理回路と同様の論理演算結
果を出力するCMOSロジック回路のnチャネル型トラ
ンジスタからなる回路部分と同一構成の回路が設けら
れ、 他方の電流経路には、前記論理回路と同様の論理演算結
果を出力するCMOSロジック回路のpチャネル型トラ
ンジスタからなる回路部分と同一構成の回路が設けら
れ、 前記論理回路の他方のチャネル型トランジスタからなる
回路部分では、前記一方の電流経路に、前記論理回路と
同様の論理演算結果を出力するCMOSロジック回路の
pチャネル型トランジスタからなる回路部分と同一構成
の回路が設けられ、 前記他方の電流経路に、入力信号のうち、少なくとも一
部がゲート電極に入力されるトランジスタが設けられ、
前記論理回路と同様の論理演算結果を出力するCMOS
ロジック回路のnチャネル型トランジスタからなる回路
部分と同一構成の回路が設けられ、 かつ、前記2つの電流経路のそれぞれの電源側に、ゲー
ト電極が互いに他方の電流経路の出力部に接続されるト
ランジスタが設けらていることを特徴とする請求項1に
記載の論理回路。
4. The logic circuit according to claim 1, wherein each of the two current paths includes a circuit portion including an n-channel transistor and a circuit portion including a p-channel transistor, and the circuit portion includes one of the channel transistors. In one of the current paths, a circuit having the same configuration as a circuit portion including an n-channel transistor of a CMOS logic circuit that outputs a logical operation result similar to that of the logic circuit is provided. A circuit having the same configuration as a circuit portion including a p-channel transistor of a CMOS logic circuit that outputs a logical operation result similar to that of the logic circuit is provided. A CMOS logic circuit that outputs a logical operation result similar to that of the logic circuit to the current path. A circuit having the same configuration as a circuit portion including a p-channel transistor of the path is provided; a transistor in which at least a part of an input signal is input to a gate electrode is provided in the other current path;
CMOS that outputs the same logical operation result as the above logic circuit
A circuit provided with a circuit having the same configuration as a circuit portion composed of an n-channel transistor of a logic circuit, and having a gate electrode connected to the output of the other current path on each power supply side of the two current paths; The logic circuit according to claim 1, further comprising:
【請求項5】 前記複数の入力信号のうち、振幅が小さ
い方の信号は、前記一方のチャンネル型の回路部分にお
いて、直列に接続されたトランジスタのうちの電源側に
入力されていることを特徴とする請求項1乃至4の何れ
かに記載の論理回路。
5. A signal having a smaller amplitude among the plurality of input signals is inputted to a power supply side of transistors connected in series in the one channel type circuit portion. The logic circuit according to claim 1, wherein
【請求項6】 互いのソース電極が第1の電極電位に接
続され、互いのゲート電極が相手のドレイン電極に接続
されると共に、それぞれ第1の出力端子及び第2の出力
端子に接続される第1のトランジスタ及び第2のトラン
ジスタと、ゲート電極が第1の入力端子に接続され、ド
レイン電極が第2の出力端子に接続される第3のトラン
ジスタと、 ゲート電極が第2の入力端子に接続され、ドレイン電極
が前記第3のトランジスタのソース電極に接続され、ソ
ース電極が第2の電源電位に接続される第4のトランジ
スタと、 ゲート電極が第3の入力端子に接続され、ドレイン電極
が前記第1の出力端子に接続され、ソース電極が前記第
2の電源電位に接続される第5のトランジスタと、 ゲート電極が第4の入力端子に接続され、ドレイン電極
が前記第1の出力端子に接続され、ソース電極が前記第
2の電源電位に接続される第6のトランジスタと、を備
え、 前記第1の入力端子及び前記第3の入力端子に入力され
る信号は、互いに逆位相であり、前記第2の入力端子及
び前記第4の入力端子に入力される信号は、互いに逆位
相であり、 前記第1のトランジスタ及び前記第2のトランジスタ
は、その他のトランジスタとは異なるチャネル型のトラ
ンジスタであることを特徴とする請求項1乃至5の何れ
かに記載の論理回路。
6. A mutual source electrode is connected to a first electrode potential, a mutual gate electrode is connected to a counterpart drain electrode, and connected to a first output terminal and a second output terminal, respectively. A first transistor and a second transistor, a third transistor having a gate electrode connected to the first input terminal and a drain electrode connected to the second output terminal, and a gate electrode connected to the second input terminal. A fourth transistor having a drain electrode connected to a source electrode of the third transistor, a source electrode connected to a second power supply potential, a gate electrode connected to a third input terminal, and a drain electrode Is connected to the first output terminal, a fifth transistor having a source electrode connected to the second power supply potential, a gate electrode connected to the fourth input terminal, and a drain electrode A sixth transistor connected to the first output terminal and having a source electrode connected to the second power supply potential; a signal input to the first input terminal and the third input terminal Have opposite phases, the signals input to the second input terminal and the fourth input terminal have opposite phases, and the first transistor and the second transistor are other transistors The logic circuit according to claim 1, wherein the logic circuit is a transistor of a channel type different from the transistor.
【請求項7】 互いのソース電極が第1の電極電位に接
続され、互いのゲート電極が相手のドレイン電極に接続
されると共に、それぞれ第1の出力端子及び第2の出力
端子に接続される第1のトランジスタ及び第2のトラン
ジスタと、 ゲート電極が第1の入力端子に接続され、ドレイン電極
が前記第2の出力端子に接続される第3のトランジスタ
と、 ゲート電極が第2の入力端子に接続され、ドレイン電極
が前記第3のトランジスタのソース電極に接続され、ソ
ース電極が第2の電源電位に接続される第4のトランジ
スタと、 ゲート電極が第3の入力端子に接続され、ドレイン電極
が前記第2の出力端子に接続され、ソース電極が前記第
2の電源電位に接続される第5のトランジスタと、 ゲート電極が第4の入力端子に接続され、ソース電極が
前記第2の電源電位に接続される第6のトランジスタ
と、 ゲート電極が第5の入力端子に接続され、ソース電極が
前記第2の電源電位に接続される第7のトランジスタ
と、 ゲート電極が第6の入力端子に接続され、ドレイン電極
が前記第1の出力端子に接続され、ソース電極が前記第
6のトランジスタ及び前記第7のトランジスタのドレイ
ン電極に接続される第8のトランジスタと、を備え、 前記第1の入力端子及び前記第4の入力端子に入力され
る信号は、互いに逆位相であり、前記第2の入力端子及
び前記第5の入力端子に入力される信号は、互いに逆位
相であり、前記第3の入力端子及び前記第6の入力端子
に入力される信号は、互いに逆位相であり、 前記第1のトランジスタ及び前記第2のトランジスタ
は、その他のトランジスタとは異なるチャネル型のトラ
ンジスタであることを特徴とする請求項1乃至5の何れ
かに記載の論理回路。
7. A mutual source electrode is connected to a first electrode potential, a mutual gate electrode is connected to a counterpart drain electrode, and connected to a first output terminal and a second output terminal, respectively. A first transistor, a second transistor, a third transistor having a gate electrode connected to the first input terminal and a drain electrode connected to the second output terminal, and a gate electrode connected to the second input terminal. A fourth transistor having a drain electrode connected to the source electrode of the third transistor, a source electrode connected to the second power supply potential, a gate electrode connected to the third input terminal, and a drain connected to the third input terminal. A fifth transistor having an electrode connected to the second output terminal and a source electrode connected to the second power supply potential; a gate electrode connected to the fourth input terminal; A sixth transistor having a gate electrode connected to a fifth input terminal, a seventh transistor having a source electrode connected to the second power supply potential, and a gate electrode having a gate electrode connected to the fifth input terminal. Is connected to a sixth input terminal, a drain electrode is connected to the first output terminal, a source electrode is connected to the drain electrode of the sixth transistor and the seventh transistor, an eighth transistor, Wherein the signals input to the first input terminal and the fourth input terminal have opposite phases, and the signals input to the second input terminal and the fifth input terminal The signals input to the third input terminal and the sixth input terminal are out of phase with each other, and the first transistor and the second transistor are connected to other transistors. Logic circuit according to any one of claims 1 to 5, characterized in that the motor is a transistor of a different channel type.
【請求項8】 互いのソース電極が第1の電極電位に接
続され、互いのゲート電極が相手のドレイン電極に接続
されると共に、それぞれ第1の出力端子及び第2の出力
端子に接続される第1のトランジスタ及び第2のトラン
ジスタと、 ゲート電極が第1の入力端子に接続され、ドレイン電極
が前記第2の出力端子に接続される第3のトランジスタ
と、 ゲート電極が第2の入力端子に接続され、ドレイン電極
が前記第3のトランジスタのソース電極に接続され、ソ
ース電極が第2の電源電位に接続される第4のトランジ
スタと、 ゲート電極が第3の入力端子に接続され、ドレイン電極
が前記第2の出力端子に接続され、ソース電極が前記第
2の電源電位に接続される第5のトランジスタと、 ゲート電極が第4の入力端子に接続され、ドレイン電極
が前記第1の出力端子に接続される第6のトランジスタ
と、 ゲート電極が第5の入力端子に接続され、ドレイン電極
が前記第1の出力端子に接続される第7のトランジスタ
と、 ゲート電極が第6の入力端子に接続され、ドレイン電極
が前記第6のトランジスタ及び前記第7のトランジスタ
のソース電極に接続され、ソース電極が前記第2の電源
電位に接続される第8のトランジスタと、を備え、 前記第1の入力端子及び前記第4の入力端子に入力され
る信号は、互いに逆位相であり、前記第2の入力端子及
び前記第5の入力端子に入力される信号は、互いに逆位
相であり、前記第3の入力端子及び前記第6の入力端子
に入力される信号は、互いに逆位相であり、 前記第1のトランジスタ及び前記第2のトランジスタ
は、その他のトランジスタとは異なるチャネル型のトラ
ンジスタであることを特徴とする請求項1乃至5の何れ
かに記載の論理回路。
8. A mutual source electrode is connected to a first electrode potential, a mutual gate electrode is connected to a counterpart drain electrode, and connected to a first output terminal and a second output terminal, respectively. A first transistor, a second transistor, a third transistor having a gate electrode connected to the first input terminal and a drain electrode connected to the second output terminal, and a gate electrode connected to the second input terminal. A fourth transistor having a drain electrode connected to the source electrode of the third transistor, a source electrode connected to the second power supply potential, a gate electrode connected to the third input terminal, and a drain connected to the third input terminal. A fifth transistor having an electrode connected to the second output terminal and a source electrode connected to the second power supply potential; a gate electrode connected to the fourth input terminal; A sixth transistor having a pole connected to the first output terminal; a seventh transistor having a gate electrode connected to the fifth input terminal and a drain electrode connected to the first output terminal; An eighth transistor having an electrode connected to the sixth input terminal, a drain electrode connected to the source electrodes of the sixth transistor and the seventh transistor, and a source electrode connected to the second power supply potential; The signals input to the first input terminal and the fourth input terminal are in opposite phases to each other, and the signals input to the second input terminal and the fifth input terminal are: The signals input to the third input terminal and the sixth input terminal have opposite phases to each other, and the first transistor and the second transistor are connected to the other transistors. Logic circuit according to any one of claims 1 to 5, characterized in that the static is a transistor of a different channel type.
【請求項9】 互いのソース電極が第1の電極電位に接
続され、ゲート電極がそれぞれ第1の出力端子及び第2
の出力端子に接続される第1のトランジスタ及び第2の
トランジスタと、 ゲート電極が第1の入力端子に接続され、ソース電極が
前記第1のトランジスタのドレイン電極に接続され、ド
レイン電極が前記第2の出力端子に接続される第3のト
ランジスタと、 ゲート電極が第2の入力端子に接続され、ソース電極が
前記第2のトランジスタのドレイン電極に接続され、ド
レイン電極が前記第1の出力端子に接続される第4のト
ランジスタと、 ゲート電極が第3の入力端子に接続され、ドレイン電極
が前記第2の出力端子に接続される第5のトランジスタ
と、 ゲート電極が前記第1の入力端子に接続され、ソース電
極が第2の電源電位に接続され、ドレイン電極が前記第
5のトランジスタのソース電極に接続される第6のトラ
ンジスタと、 ゲート電極が第4の入力端子に接続され、ソース電極が
前記第2の電源電位に接続され、ドレイン電極が前記第
1の出力端子に接続される第7のトランジスタと、 ゲート電極が前記第2の入力端子第5の入力端子に接続
され、ドレイン電極が前記第1の出力端子に接続される
第7のトランジスタと、 ゲート電極が前記第2の入力端子に接続され、ソース電
極が前記第2の電源電位に接続され、ドレイン電極が前
記第1の出力端子に接続される第8のトランジスタと、
を備え、 前記第1の入力端子及び前記第2の入力端子に入力され
る信号は、互いに逆位相であり、前記第3の入力端子及
び前記第4の入力端子に入力される信号は、互いに逆位
相であり、前記第1乃至前記第4のトランジスタは、そ
の他のトランジスタとは異なるチャネル型のトランジス
タであることを特徴とする請求項1乃至5の何れかに記
載の論理回路。
9. A mutual source electrode is connected to a first electrode potential, and gate electrodes are respectively connected to a first output terminal and a second output terminal.
A first transistor and a second transistor connected to an output terminal of the first transistor; a gate electrode connected to the first input terminal; a source electrode connected to a drain electrode of the first transistor; A third transistor connected to the second output terminal; a gate electrode connected to the second input terminal; a source electrode connected to the drain electrode of the second transistor; and a drain electrode connected to the first output terminal. A fifth transistor having a gate electrode connected to the third input terminal, a drain electrode connected to the second output terminal, and a gate electrode connected to the first input terminal. A sixth transistor having a source electrode connected to the second power supply potential, and a drain electrode connected to the source electrode of the fifth transistor; A seventh transistor having a gate electrode connected to the fourth input terminal, a source electrode connected to the second power supply potential, and a drain electrode connected to the first output terminal; A seventh transistor having a drain electrode connected to the first output terminal, a gate electrode connected to the second input terminal, and a source electrode connected to the second input terminal. An eighth transistor having a drain electrode connected to the first output terminal;
And the signals input to the first input terminal and the second input terminal have opposite phases, and the signals input to the third input terminal and the fourth input terminal The logic circuit according to any one of claims 1 to 5, wherein the first to fourth transistors have opposite phases and are channel-type transistors different from other transistors.
【請求項10】 互いのソース電極が第1の電極電位に
接続され、ゲート電極がそれぞれ第1の出力端子及び第
2の出力端子に接続される第1のトランジスタ及び第2
のトランジスタと、 ゲート電極が第1の入力端子に接続され、ソース電極が
前記第1のトランジスタのドレイン電極に接続され、ド
レイン電極が前記第2の出力端子に接続される第3のト
ランジスタと、 ゲート電極が第2の入力端子に接続され、ソース電極が
前記第1のトランジスタのドレイン電極に接続され、ド
レイン電極が前記第2の出力端子に接続される第4のト
ランジスタと、 ゲート電極が第3の入力端子に接続され、ソース電極が
前記第2のトランジスタのドレイン電極に接続される第
5のトランジスタと、 ゲート電極が第4の入力端子に接続され、ソース電極が
前記第5のトランジスタのドレイン電極に接続され、ド
レイン電極が前記第1の出力端子に接続される第6のト
ランジスタと、 ゲート電極が第5の入力端子に接続され、ドレイン電極
が前記第2の出力端子に接続される第7のトランジスタ
と、 ゲート電極が前記第2の入力端子に接続され、ソース電
極が第2の電源電位に接続され、ドレイン電極が前記第
7のトランジスタのソース電極に接続される第8のトラ
ンジスタと、 ゲート電極が第6の入力端子に接続され、ソース電極が
前記第2の電源電位に接続され、ドレイン電極が前記第
1の出力端子に接続される第9のトランジスタと、 ゲート電極が前記第4の入力端子に接続され、ソース電
極が前記第2の電源電位に接続され、ドレイン電極が前
記第1の出力端子に接続される第10のトランジスタ
と、を備え、 前記第1の入力端子及び前記第3の入力端子に入力され
る信号は、互いに逆位相であり、前記第2の入力端子及
び前記第4の入力端子に入力される信号は、互いに逆位
相であり、前記第1乃至前記第6のトランジスタは、そ
の他のトランジスタとは異なるチャネル型のトランジス
タであることを特徴とする請求項1乃至5の何れかに記
載の論理回路。
10. A first transistor and a second transistor each having a source electrode connected to a first electrode potential and a gate electrode connected to a first output terminal and a second output terminal, respectively.
A third transistor having a gate electrode connected to the first input terminal, a source electrode connected to the drain electrode of the first transistor, and a drain electrode connected to the second output terminal; A fourth transistor having a gate electrode connected to the second input terminal, a source electrode connected to the drain electrode of the first transistor, and a drain electrode connected to the second output terminal; A fifth transistor having a source electrode connected to the drain electrode of the second transistor, a gate electrode connected to the fourth input terminal, and a source electrode connected to the fifth transistor. A sixth transistor connected to a drain electrode, the drain electrode connected to the first output terminal, and a gate electrode connected to a fifth input terminal A seventh transistor having a drain electrode connected to the second output terminal, a gate electrode connected to the second input terminal, a source electrode connected to a second power supply potential, and a drain electrode connected to the second output terminal. An eighth transistor connected to the source electrode of the seventh transistor, a gate electrode connected to the sixth input terminal, a source electrode connected to the second power supply potential, and a drain electrode connected to the first output terminal. A ninth transistor connected to a terminal, a gate electrode connected to the fourth input terminal, a source electrode connected to the second power supply potential, and a drain electrode connected to the first output terminal. And a tenth transistor, wherein signals input to the first input terminal and the third input terminal are out of phase with each other, and input to the second input terminal and the fourth input terminal. 6. The signal according to claim 1, wherein the signals to be output have opposite phases to each other, and the first to sixth transistors are channel-type transistors different from other transistors. Logic circuit.
【請求項11】 互いのソース電極が第1の電極電位に
接続され、ゲート電極がそれぞれ第1の出力端子及び第
2の出力端子に接続される第1のトランジスタ及び第2
のトランジスタと、 ゲート電極が第1の入力端子に接続され、ソース電極が
前記第1のトランジスタのドレイン電極に接続され、ド
レイン電極が前記第2の出力端子に接続される第3のト
ランジスタと、 ゲート電極が第2の入力端子に接続され、ソース電極が
前記第2のトランジスタのドレイン電極に接続され、ド
レイン電極が前記第1の出力端子に接続される第4のト
ランジスタと、 ゲート電極が第3の入力端子に接続され、ドレイン電極
が前記第2の出力端子に接続される第5のトランジスタ
と、 ゲート電極が前記第1の入力端子に接続され、ソース電
極が第2の電源電位に接続され、ドレイン電極が前記第
5のトランジスタのソース電極に接続される第6のトラ
ンジスタと、 ゲート電極が第4の入力端子に接続され、ソース電極が
前記第2の電源電位に接続され、ドレイン電極が前記第
2の出力端子に接続される第7のトランジスタと、 ゲート電極が第5の入力端子に接続され、ドレイン電極
が前記第1の出力端子に接続される第8のトランジスタ
と、 ゲート電極が前記第2の入力端子に接続され、ソース電
極が前記第2の電源電位に接続され、ドレイン電極が前
記第8のトランジスタのソース電極に接続される第9の
トランジスタと、 ゲート電極が第6の入力端子に接続され、ソース電極が
前記第2の電源電位に接続され、ドレイン電極が前記第
8のトランジスタのソース電極に接続される第10のト
ランジスタと、を備え、 前記第1の入力端子及び前記第2の入力端子に入力され
る信号は、互いに逆位相であり、前記第3の入力端子及
び前記第6の入力端子に入力される信号は、互いに逆位
相であり、前記第4の入力端子及び前記第5の入力端子
に入力される信号は、互いに逆位相であり、前記第1乃
至前記第4のトランジスタは、その他のトランジスタと
は異なるチャネル型のトランジスタであることを特徴と
する請求項1乃至5の何れかに記載の論理回路。
11. A first transistor and a second transistor each having a source electrode connected to a first electrode potential and a gate electrode connected to a first output terminal and a second output terminal, respectively.
A third transistor having a gate electrode connected to the first input terminal, a source electrode connected to the drain electrode of the first transistor, and a drain electrode connected to the second output terminal; A fourth transistor having a gate electrode connected to the second input terminal, a source electrode connected to the drain electrode of the second transistor, and a drain electrode connected to the first output terminal; A fifth transistor having a drain electrode connected to the second output terminal, a gate electrode connected to the first input terminal, and a source electrode connected to the second power supply potential. A sixth transistor having a drain electrode connected to the source electrode of the fifth transistor; a gate electrode connected to the fourth input terminal; A seventh transistor connected to the second power supply potential and having a drain electrode connected to the second output terminal; a gate electrode connected to a fifth input terminal; and a drain electrode connected to the first output terminal. An eighth transistor connected to the second input terminal, a gate electrode connected to the second input terminal, a source electrode connected to the second power supply potential, and a drain electrode connected to a source electrode of the eighth transistor. A ninth transistor having a gate electrode connected to a sixth input terminal, a source electrode connected to the second power supply potential, and a drain electrode connected to a source electrode of the eighth transistor. And a transistor, wherein signals input to the first input terminal and the second input terminal have opposite phases to each other, and are input to the third input terminal and the sixth input terminal. The signals input to the fourth input terminal and the signal input to the fifth input terminal have opposite phases, and the first to fourth transistors are other transistors. The logic circuit according to claim 1, wherein the logic circuit is a transistor of a channel type different from the transistor.
【請求項12】 互いのソース電極が第1の電極電位に
接続され、ゲート電極がそれぞれ第1の出力端子及び第
2の出力端子に接続される第1のトランジスタ及び第2
のトランジスタと、 ゲート電極が第1の入力端子に接続され、ソース電極が
前記第1のトランジスタのドレイン電極に接続される第
3のトランジスタと、 ゲート電極が第2の入力端子に接続され、ソース電極が
前記第3のトランジスタのドレイン電極に接続され、ド
レイン電極が前記第2の出力端子に接続される第4のト
ランジスタと、 ゲート電極が第3の入力端子に接続され、ソース電極が
前記第3のトランジスタのドレイン電極に接続され、ド
レイン電極が前記第2の出力端子に接続される第5のト
ランジスタと、 ゲート電極が第4の入力端子に接続され、ソース電極が
前記第2のトランジスタのドレイン電極に接続され、ド
レイン電極が前記第1の出力端子に接続される第6のト
ランジスタと、 ゲート電極が第5の入力端子に接続され、ソース電極が
前記第2のトランジスタのドレイン電極に接続される第
7のトランジスタと、 ゲート電極が第6の入力端子に接続され、ソース電極が
前記第7のトランジスタのドレイン電極に接続され、ド
レイン電極が前記第1の出力端子に接続される第8のト
ランジスタと、 ゲート電極が第7の入力端子に接続され、ドレイン電極
が前記第2の出力端子に接続される第9のトランジスタ
と、 ゲート電極が第8の入力端子に接続され、ソース電極が
前記第2の電源電位に接続され、ドレイン電極が前記第
9のトランジスタのソース電極に接続される第10のト
ランジスタと、 ゲート電極が第9の入力端子に接続され、ソース電極が
前記第2の電源電位に接続され、ドレイン電極が前記第
2の出力端子に接続される第11のトランジスタと、 ゲート電極が第10の入力端子に接続され、ドレイン電
極が前記第1の出力端子に接続される第12のトランジ
スタと、 ゲート電極が第11の入力端子に接続され、ソース電極
が前記第2の電源電位に接続され、ドレイン電極が前記
第12のトランジスタのソース電極に接続される第13
のトランジスタと、 ゲート電極が第12の入力端子に接続され、ソース電極
が前記第2の電源電位に接続され、ドレイン電極が前記
第12のトランジスタのソース電極に接続される第14
のトランジスタと、を備え、 前記第1の入力端子及び前記第4の入力端子に入力され
る信号は、互いに逆位相であり、前記第2の入力端子及
び前記第6の入力端子に入力される信号は、互いに逆位
相であり、前記第3の入力端子及び前記第5の入力端子
に入力される信号は、互いに逆位相であり、前記第1乃
至前記第8のトランジスタは、その他のトランジスタと
は異なるチャネル型のトランジスタであることを特徴と
する請求項1乃至5の何れかに記載の論理回路。
12. A first transistor and a second transistor each having a source electrode connected to a first electrode potential and a gate electrode connected to a first output terminal and a second output terminal, respectively.
A third transistor having a gate electrode connected to the first input terminal and a source electrode connected to the drain electrode of the first transistor; a gate electrode connected to the second input terminal; A fourth transistor having an electrode connected to a drain electrode of the third transistor, a drain electrode connected to the second output terminal, a gate electrode connected to a third input terminal, and a source electrode connected to the third input terminal; A fifth transistor having a drain electrode connected to the second output terminal, a fifth electrode connected to the second output terminal, a gate electrode connected to the fourth input terminal, and a source electrode connected to the second transistor. A sixth transistor connected to a drain electrode, the drain electrode being connected to the first output terminal, and a gate electrode connected to a fifth input terminal A seventh transistor having a source electrode connected to a drain electrode of the second transistor; a gate electrode connected to a sixth input terminal; a source electrode connected to a drain electrode of the seventh transistor; An eighth transistor having a drain electrode connected to the first output terminal; a ninth transistor having a gate electrode connected to the seventh input terminal and a drain electrode connected to the second output terminal; A tenth transistor having a gate electrode connected to the eighth input terminal, a source electrode connected to the second power supply potential, and a drain electrode connected to the source electrode of the ninth transistor; An eleventh transistor connected to an input terminal of the first transistor, a source electrode connected to the second power supply potential, and a drain electrode connected to the second output terminal; A twelfth transistor having a gate electrode connected to the tenth input terminal and a drain electrode connected to the first output terminal; a gate electrode connected to the eleventh input terminal; and a source electrode connected to the second input terminal. And a drain electrode connected to the source electrode of the twelfth transistor.
A transistor having a gate electrode connected to a twelfth input terminal, a source electrode connected to the second power supply potential, and a drain electrode connected to a source electrode of the twelfth transistor.
Wherein the signals input to the first input terminal and the fourth input terminal have opposite phases to each other, and are input to the second input terminal and the sixth input terminal. The signals have opposite phases, the signals input to the third input terminal and the fifth input terminal have opposite phases, and the first to eighth transistors are different from other transistors. 6. The logic circuit according to claim 1, wherein transistors are transistors of different channel types.
【請求項13】 前記入力信号の少なくとも一部は、信
号の入力を制御するための転送用トランジスタを介して
入力されることを特徴とする請求項1乃至12の何れか
に記載の論理回路。
13. The logic circuit according to claim 1, wherein at least a part of the input signal is input via a transfer transistor for controlling input of the signal.
【請求項14】 前記転送用トランジスタにより信号入
力が制御されるトランジスタのゲート電極と一方の電源
電位との間に、誤動作防止用トランジスタが接続され、 前記誤動作防止用トランジスタのゲート電極は、前記電
源電位とは異なる電源電位に接続されることを特徴とす
る請求項1乃至13の何れかに記載の論理回路。
14. A malfunction preventing transistor is connected between a gate electrode of a transistor whose signal input is controlled by the transfer transistor and one power supply potential, and the gate electrode of the malfunction preventing transistor is connected to the power supply. 14. The logic circuit according to claim 1, wherein the logic circuit is connected to a power supply potential different from the potential.
【請求項15】 前記転送用トランジスタにより信号入
力が制御されるトランジスタのゲート電極と一方の電源
電位との間に、誤動作防止用トランジスタが接続され、 前記誤動作防止用トランジスタのゲート電極には、前記
転送用トランジスタとは逆位相の信号が入力されること
を特徴とする請求項1乃至13の何れかに記載の論理回
路。
15. A malfunction preventing transistor is connected between a gate electrode of a transistor whose signal input is controlled by the transfer transistor and one power supply potential, and the gate electrode of the malfunction preventing transistor has 14. The logic circuit according to claim 1, wherein a signal having a phase opposite to that of the transfer transistor is input.
【請求項16】 前記転送用トランジスタのゲート電極
には、前記入力信号の何れかが入力されることを特徴と
する請求項1乃至15の何れかに記載の論理回路。
16. The logic circuit according to claim 1, wherein one of the input signals is input to a gate electrode of the transfer transistor.
【請求項17】 列方向に複数配列されたデータ信号線
及び行方向に複数配列された走査信号線に囲まれ、マト
リクス状に配列された複数の画素と、 前記データ信号線に映像データを供給するデータ信号線
駆動回路と、前記走査信号線に走査信号を供給する走査
信号線駆動回路とを備えた画像表示装置において、 前記データ信号線駆動回路及び前記走査信号線駆動回路
の少なくとも一方が、請求項1乃至16の何れかに記載
の論理回路を有することを特徴とする画像表示装置。
17. A plurality of pixels arranged in a matrix surrounded by a plurality of data signal lines arranged in a column direction and a plurality of scanning signal lines arranged in a row direction, and video data supplied to the data signal lines. A data signal line driving circuit, and a scanning signal line driving circuit for supplying a scanning signal to the scanning signal line, wherein at least one of the data signal line driving circuit and the scanning signal line driving circuit includes: An image display device comprising the logic circuit according to claim 1.
【請求項18】 前記データ信号線駆動回路を構成する
シフトレジスタ回路の出力パルス及び外部より入力され
るパルス幅制御信号を入力信号とし、 前記出力パルスよりもパルス幅の小さい出力信号を生成
するための論理回路が、請求項1乃至16の何れかに記
載の論理回路であることを特徴とする請求項17に記載
の画像表示装置。
18. An output signal of a shift register circuit constituting the data signal line drive circuit and a pulse width control signal input from the outside are used as input signals, and an output signal having a pulse width smaller than the output pulse is generated. 18. The image display device according to claim 17, wherein the logic circuit is a logic circuit according to any one of claims 1 to 16.
【請求項19】 前記走査信号線駆動回路を構成するシ
フトレジスタ回路の出力パルス及び外部より入力される
パルス幅制御信号を入力信号とし、 前記出力パルスよりもパルス幅の小さい出力信号を生成
するための論理回路が、請求項1乃至16の何れかに記
載の論理回路であることを特徴とする請求項17に記載
の画像表示装置。
19. An output pulse of a shift register circuit constituting the scanning signal line driving circuit and a pulse width control signal input from the outside are used as input signals, and an output signal having a pulse width smaller than the output pulse is generated. 18. The image display device according to claim 17, wherein the logic circuit is a logic circuit according to any one of claims 1 to 16.
【請求項20】 前記走査信号線駆動回路を構成するシ
フトレジスタ回路の出力パルス及び外部より入力される
複数の制御信号のうちの1つの信号を入力信号とし、 異なる組み合わせのシフトレジスタ回路に対して、信号
を同時に出力するための論理回路の少なくとも一部が、
請求項1乃至16のいずれかに記載の論理回路であるこ
とを特徴とする請求項17に記載の画像表示装置。
20. An output pulse of a shift register circuit constituting the scanning signal line drive circuit and one of a plurality of control signals input from the outside are used as input signals, and a different combination of shift register circuits is used. , At least a part of the logic circuit for outputting the signal simultaneously,
An image display device according to claim 17, wherein the image display device is the logic circuit according to any one of claims 1 to 16.
【請求項21】 前記データ信号線駆動回路及び前記走
査信号線駆動回路を構成する論理回路が、前記転送用ト
ランジスタのゲート電極に、前記シフトレジスタの出力
信号が入力される論理回路であることを特徴とする請求
項18乃至20の何れかに記載の画像表示装置。
21. A logic circuit constituting the data signal line driving circuit and the scanning signal line driving circuit, wherein a logic circuit in which an output signal of the shift register is input to a gate electrode of the transfer transistor. The image display device according to any one of claims 18 to 20, wherein
【請求項22】 前記データ信号線駆動回路及び前記走
査信号線駆動回路の少なくとも一方が、前記画素と同一
基板上に形成されていることを特徴とする請求項17乃
至21の何れかに記載の画像表示装置。
22. The device according to claim 17, wherein at least one of the data signal line driving circuit and the scanning signal line driving circuit is formed on the same substrate as the pixels. Image display device.
【請求項23】 前記データ信号線駆動回路、前記走査
信号線駆動回路及び前記画素を構成する能動素子が、多
結晶シリコン薄膜トランジスタであることを特徴とする
請求項22に記載の画像表示装置。
23. The image display device according to claim 22, wherein the data signal line driving circuit, the scanning signal line driving circuit, and the active element forming the pixel are polycrystalline silicon thin film transistors.
【請求項24】 前記能動素子が、概ね600℃以下の
プロセスで形成されることを特徴とする請求項23に記
載の画像表示装置。
24. The image display device according to claim 23, wherein the active element is formed by a process at about 600 ° C. or lower.
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