JP2000306935A - Semiconductor device and manufacture thereof - Google Patents

Semiconductor device and manufacture thereof

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JP2000306935A
JP2000306935A JP11116715A JP11671599A JP2000306935A JP 2000306935 A JP2000306935 A JP 2000306935A JP 11116715 A JP11116715 A JP 11116715A JP 11671599 A JP11671599 A JP 11671599A JP 2000306935 A JP2000306935 A JP 2000306935A
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JP
Japan
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semiconductor device
lead terminal
semiconductor element
resin
lead
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JP11116715A
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Japanese (ja)
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Yuichi Sukegawa
裕一 助川
Isamu Yoshida
勇 吉田
Yasuo Amano
泰雄 天野
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Hitachi Ltd
Maxell Holdings Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
Hitachi Maxell Ltd
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    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To obtain an inexpensive resin-sealed semiconductor device by omitting a cutting step after resin sealing. SOLUTION: Bumps 4 are formed at pad parts 3, which are input/output terminals of a semiconductor element 2. The bumps 4 are made of a metallic material, such as gold or solder. Then, a lead terminal 5 formed in a slender plate-like form is electrically connected to each pad part 3 via the corresponding bump 4. The terminal 5 is formed of a highly conductive metallic material with some degree of rigidity, such as steel and Fe-Ni alloys, for example. Then, the semiconductor element 2 and the base end of each lead terminal 5 are molded with a sealing resin 6 to obtain a prescribed semiconductor device 1. A thermosetting resin material is used as the sealing resin 6. As a last step, the terminals 5 are molded and a prescribed mark is given to the surface of the sealed resin 6, as necessary, to thereby obtain the semiconductor device 1 as a finished product.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体素子と当該
半導体素子のパッド部に接続されたリード端子とを一体
に樹脂封止してなる半導体装置の構成と当該半導体装置
の製造方法とに係り、特に、前記リード端子の構成及び
半導体装置との接続方法に関する。
The present invention relates to a structure of a semiconductor device in which a semiconductor element and a lead terminal connected to a pad portion of the semiconductor element are integrally resin-sealed, and to a method of manufacturing the semiconductor device. In particular, the present invention relates to a configuration of the lead terminal and a method for connecting to a semiconductor device.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来より、半導体素子と当該半導体素子
のパッド部に接続されたリード端子とを一体に樹脂封止
し、外部環境からの半導体素子の保護とプリント基板へ
の半導体素子の接続又は実装の容易化を図った半導体装
置が広く知られている。この種の半導体装置の製造方法
としては、例えば「ASICパッケージング技術ハンド
ブック」第296頁〜第320頁に記載されているよう
に、リードフレームに半導体素子をボンディングした
後、当該半導体素子がボンディングされたリードフレー
ムを加熱金型内に導入して半導体素子の周囲を熱硬化性
樹脂にて封止し、しかる後にリードフレームの不要部分
を切断して所望の形状の半導体装置を得るという方式が
主流になっている。
2. Description of the Related Art Conventionally, a semiconductor element and a lead terminal connected to a pad portion of the semiconductor element are integrally resin-sealed to protect the semiconductor element from an external environment and to connect or connect the semiconductor element to a printed circuit board. 2. Description of the Related Art Semiconductor devices that facilitate mounting are widely known. As a method for manufacturing this type of semiconductor device, for example, as described in “ASIC Packaging Technology Handbook”, pp. 296 to 320, after bonding a semiconductor element to a lead frame, the semiconductor element is bonded. The mainstream method is to introduce a lead frame into a heating mold, seal the periphery of the semiconductor element with a thermosetting resin, and then cut unnecessary parts of the lead frame to obtain a semiconductor device of the desired shape. It has become.

【0003】図5及び図6に、従来より知られている一
般的なリードフレームの構成と、当該リードフレームを
用いた半導体装置の製造プロセスとを示す。
FIGS. 5 and 6 show a structure of a general lead frame which has been conventionally known, and a manufacturing process of a semiconductor device using the lead frame.

【0004】図5に示すように、本例のリードフレーム
7は帯状に形成されており、リードフレーム枠8の長手
方向に沿って半導体素子の設定部115が等間隔に形成
されている。各設定部115の中央部には、半導体素子
を搭載するためのタブ10がタブ吊りリード11を介し
て形成され、その周囲には、所要数のインナーリード1
2とこれに続くアウターリード13とがタイバー14を
介して所定の配列で形成されている。また、リードフレ
ーム枠8には、リードフレーム7を長手方向に移送する
際に図示しない移送用ピンを係合するための移送用丸孔
116と、各工程において所要の設定部115を治具や
金型等に固定するための位置決め用長孔9とが開設され
ている。
[0005] As shown in FIG. 5, the lead frame 7 of the present embodiment is formed in a strip shape, and the setting portions 115 of the semiconductor elements are formed at equal intervals along the longitudinal direction of the lead frame 8. A tab 10 for mounting a semiconductor element is formed at the center of each setting section 115 via a tab suspension lead 11, and a required number of inner leads 1 are formed around the tab.
2 and an outer lead 13 subsequent thereto are formed in a predetermined arrangement via a tie bar 14. Further, the lead frame 8 has a transfer round hole 116 for engaging a transfer pin (not shown) when the lead frame 7 is transferred in the longitudinal direction, and a setting part 115 required for each process. A positioning slot 9 for fixing to a mold or the like is provided.

【0005】半導体装置の製造は、図6の各手順を経て
行われる。即ち、常法にしたがって作製されたウエハを
ダイシングして所要の半導体素子を得る(手順S1)。
この半導体素子をリードフレーム7の半導体素子設定部
115に接着剤を介してダイボンディングする(手順S
2)。ダイボンディングされた半導体素子のパッド部と
インナーリード12とを金線でワイヤボンディングする
(手順S3)。半導体素子がワイヤボンディングされた
リードフレーム7を順次金型内に導入して、半導体素子
とインナーリード12を樹脂封止し、半導体素子を外気
から遮断する(手順S4)。次いで、アウターリード1
3のはんだめっき(手順S5)と封止樹脂表面への所要
のマーキング(手順S6)とを施した後、不要なリード
部の切断と所要のアウターリード13の成形とを行う
(手順S7)。最後に、生産品中から良品を選別して、
所要の半導体装置を得る(手順S8)。
The manufacture of a semiconductor device is performed through the steps shown in FIG. That is, a required semiconductor element is obtained by dicing a wafer manufactured according to a conventional method (procedure S1).
This semiconductor element is die-bonded to the semiconductor element setting section 115 of the lead frame 7 via an adhesive (procedure S
2). The pad portion of the die-bonded semiconductor element and the inner lead 12 are wire-bonded with a gold wire (step S3). The lead frame 7 to which the semiconductor element is wire-bonded is sequentially introduced into the mold, the semiconductor element and the inner lead 12 are sealed with resin, and the semiconductor element is shut off from the outside air (step S4). Next, outer lead 1
After performing the solder plating (procedure S5) and the required marking on the sealing resin surface (procedure S6), unnecessary lead portions are cut and the required outer leads 13 are formed (procedure S7). Finally, select good products from among the products,
A required semiconductor device is obtained (procedure S8).

【0006】[0006]

【発明が解決しようとする課題】前記したように、従来
の半導体装置の製造方法によると、半導体装置の完成後
には不要となるリードフレーム枠8やタブ吊りリード1
1それにタイバー14等をリードフレーム7に形成して
おかなくてはならないため、リードフレーム7の部材コ
ストが高価になる。また、リードフレーム7の不要部分
を切断するための設備及び工程を必要とするため、製造
設備の大型化と製造工程の複雑化を避けることができな
い。その結果、半導体装置の製造コストが高価になると
いう問題がある。
As described above, according to the conventional method of manufacturing a semiconductor device, the lead frame 8 or the tab suspension lead 1 which becomes unnecessary after the completion of the semiconductor device.
(1) Since the tie bars 14 and the like must be formed on the lead frame 7, the member cost of the lead frame 7 becomes high. Further, since equipment and steps for cutting unnecessary portions of the lead frame 7 are required, it is unavoidable to enlarge the manufacturing equipment and complicate the manufacturing process. As a result, there is a problem that the manufacturing cost of the semiconductor device becomes expensive.

【0007】本発明は、かかる従来技術の不備を解決す
るためになされたものであって、その目的は、樹脂封止
後の切断工程を省略し、安価な樹脂封止型の半導体装置
を提供することにある。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above deficiencies of the prior art, and has as its object to provide an inexpensive resin-sealed semiconductor device in which a cutting step after resin sealing is omitted. Is to do.

【0008】[0008]

【課題を解決するための手段】前記の課題を解決するた
め、本発明は、半導体装置の製造方法に関しては、半導
体素子の各パッド部に線状又は板状のリード端子を個々
に接続する工程と、前記リード端子が接続された半導体
素子をモールド金型のキャビティ内に収納し、前記リー
ド端子の一部を含む前記半導体素子の周囲を樹脂封止す
る工程とを含み、樹脂封止後に前記リード端子の切断を
行うことなく所定の半導体装置を得るという構成にし
た。
In order to solve the above-mentioned problems, the present invention relates to a method of manufacturing a semiconductor device, in which a step of individually connecting a linear or plate-like lead terminal to each pad portion of a semiconductor element. And enclosing the semiconductor element to which the lead terminal is connected in a cavity of a mold, and sealing the periphery of the semiconductor element including a part of the lead terminal with a resin. The configuration is such that a predetermined semiconductor device is obtained without cutting the lead terminals.

【0009】前記半導体素子の各パッド部には、前記リ
ード端子の接続を容易にするため、前記リード端子の接
続に先立ってバンプを設置しておくことが好ましい。
In order to facilitate connection of the lead terminals, it is preferable that bumps are provided on each pad portion of the semiconductor element prior to connection of the lead terminals.

【0010】また、前記半導体素子の樹脂封止に際して
は、前記リード端子の先端部に封止樹脂が付着するのを
防止するため、前記モールド金型として、固定金型と可
動金型とから成り、これら両金型の合わせ面に前記リー
ド端子の収納凹部が設けられたものを用い、前記モール
ド金型のキャビティ内に前記半導体素子と前記リード端
子の基端部とを収納すると共に、前記収納凹部内に前記
リード端子の先端部を収納して前記半導体素子の樹脂封
止を行うことが特に好ましい。
When the semiconductor element is sealed with a resin, the mold includes a fixed mold and a movable mold in order to prevent the sealing resin from adhering to the tip of the lead terminal. Using a mold provided with a recess for accommodating the lead terminal on the mating surface of the two molds, accommodating the semiconductor element and the base end of the lead terminal in the cavity of the mold, and It is particularly preferable that the tip of the lead terminal is housed in the recess and the semiconductor element is sealed with resin.

【0011】一方、半導体装置の構成に関しては、半導
体素子のパッド部にバンプを設置する工程と、前記バン
プごとに線状又は板状のリード端子を個々に接続する工
程と、前記リード端子が接続された半導体素子をモール
ド金型のキャビティ内に収納し、前記リード端子の一部
を含む前記半導体素子の周囲を樹脂封止する工程とを経
て製造され、樹脂封止後に前記リード端子の切断を行う
ことなく得られたものという構成にした。
On the other hand, with respect to the configuration of the semiconductor device, a step of setting a bump on a pad portion of a semiconductor element, a step of individually connecting a linear or plate-shaped lead terminal for each bump, and a step of connecting the lead terminal The obtained semiconductor element is housed in a cavity of a mold, and a step of sealing the periphery of the semiconductor element including a part of the lead terminal with resin is performed. The structure was obtained without performing.

【0012】半導体素子に形成された各パッド部に線状
又は板状のリード端子を個々に接続すると、半導体装置
の完成後に不要となるリードフレーム枠やタブ吊りリー
ド、それにタイバー等を備えた高価なリードフレームを
用いる必要がなく、しかも半導体素子の周囲を樹脂封止
した後にリードフレームを切断加工する必要もないの
で、所要の半導体装置を安価に製造することができる。
When a linear or plate-like lead terminal is individually connected to each pad portion formed on the semiconductor element, an expensive lead frame frame, tab suspension lead, tie bar, etc., which become unnecessary after completion of the semiconductor device, are provided. It is not necessary to use a suitable lead frame, and it is not necessary to cut the lead frame after sealing the periphery of the semiconductor element with resin, so that a required semiconductor device can be manufactured at low cost.

【0013】[0013]

【発明の実施の形態】以下、本発明に係る半導体装置及
びその製造方法の第1実施形態例を、図1及び図2に基
づいて説明する。図1は本実施形態例に係る半導体装置
の製造過程を示す表図、図2は本実施形態例に係る半導
体装置の樹脂モールド方法を示す説明図である。なお、
図1(a)はバンプが形成された半導体素子の斜視図と
A−A切断面で切断された当該半導体素子の断面図、図
1(b)はリード端子が接続された半導体素子の斜視図
とA−A切断面で切断された当該半導体素子の断面図、
図1(c)は樹脂封止後の半導体装置の斜視図とA−A
切断面で切断された当該半導体装置の断面図を表示して
いる。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, a first embodiment of a semiconductor device and a method of manufacturing the same according to the present invention will be described with reference to FIGS. FIG. 1 is a table showing a manufacturing process of the semiconductor device according to the embodiment, and FIG. 2 is an explanatory diagram showing a resin molding method of the semiconductor device according to the embodiment. In addition,
FIG. 1A is a perspective view of a semiconductor element on which bumps are formed and a cross-sectional view of the semiconductor element cut along a cutting plane AA. FIG. 1B is a perspective view of a semiconductor element to which lead terminals are connected. And a cross-sectional view of the semiconductor element cut along the AA cutting plane,
FIG. 1C is a perspective view of the semiconductor device after resin sealing and AA
A cross-sectional view of the semiconductor device taken along a cut surface is displayed.

【0014】本例の半導体装置1を製造するに際して
は、図1(a)に示すように、まず、半導体素子2の入
出力端子であるパッド部3に、バンプ4を形成する。バ
ンプ4は、金又ははんだ等の金属材料を用いて形成する
ことができる。
In manufacturing the semiconductor device 1 of the present embodiment, as shown in FIG. 1A, first, bumps 4 are formed on pad portions 3 which are input / output terminals of a semiconductor element 2. The bump 4 can be formed using a metal material such as gold or solder.

【0015】次いで、図1(b)に示すように、各パッ
ド部3ごとに、前記バンプ4を介して、細長い板状に形
成されたリード端子5を電気的に接続する。リード端子
5は、例えば銅やFe−Ni合金等のある程度の剛性を
有する良導電性の金属材料をもって形成される。また、
前記バンプ4への当該リード端子5の接続は、超音波接
合や熱圧着等の手段をもって行うことができる。
Next, as shown in FIG. 1B, an elongated plate-shaped lead terminal 5 is electrically connected to each pad portion 3 via the bump 4. The lead terminal 5 is formed of a highly conductive metal material having a certain degree of rigidity, such as copper or an Fe—Ni alloy. Also,
The connection of the lead terminal 5 to the bump 4 can be performed by means such as ultrasonic bonding or thermocompression bonding.

【0016】次いで、図1(c)に示すように、半導体
素子2とリード端子5の基端部とを封止樹脂6にてモー
ルドし、完成品である半導体装置1を得る。封止樹脂6
としては、必要に応じて任意の樹脂材料を用いることが
できるが、高剛性にして電気的絶縁性に優れ、しかも耐
水性にも優れることから、例えばエポキシ樹脂のような
熱硬化性の樹脂材料を用いることが特に好ましい。な
お、従来例に係る半導体装置と同様に、樹脂封止後にお
いては、リード端子5を所要の形状に成形したり、封止
樹脂6の表面に所要のマークを表示することも勿論可能
である。
Next, as shown in FIG. 1C, the semiconductor element 2 and the base end of the lead terminal 5 are molded with a sealing resin 6 to obtain a completed semiconductor device 1. Sealing resin 6
Any resin material can be used if necessary.However, since it has high rigidity and excellent electrical insulation, and also has excellent water resistance, for example, a thermosetting resin material such as an epoxy resin It is particularly preferred to use In addition, similarly to the semiconductor device according to the conventional example, it is of course possible to form the lead terminal 5 into a required shape or to display a required mark on the surface of the sealing resin 6 after resin sealing. .

【0017】半導体素子2の樹脂封止は、図2に示すモ
ールド金型15をもって行うことができる。本例のモー
ルド金型は、図2(b),(c)に示すように、固定金
型16と可動金型17とから構成されており、これら両
金型16,17の合わせ面には、所要形状の封止樹脂6
を成形するための金型キャビティ22が形成されてい
る。また、可動金型17には、半導体素子2に接続され
たリード端子5の先端部を収納するためのリード端子収
納凹部18が形成されており、封止樹脂6の側面からリ
ード端子5の先端部が突出した半導体装置1をモールド
できるようになっている。なお、本例のモールド金型1
5には、図2(a)に示すように、8個の金型キャビテ
ィ22が形成されており、かつ各金型キャビティ22が
ポット部19,ランナ20及びゲート21を介して連通
されていて、同時に8個の半導体装置を成形できるよう
になっている。
The resin sealing of the semiconductor element 2 can be performed using a mold 15 shown in FIG. As shown in FIGS. 2 (b) and 2 (c), the molding die of the present embodiment is composed of a fixed die 16 and a movable die 17, and the mating surfaces of these two dies 16 and 17 have , Sealing resin 6 of required shape
Is formed. The movable die 17 is formed with a lead terminal housing recess 18 for housing the front end of the lead terminal 5 connected to the semiconductor element 2. The semiconductor device 1 having a protruding portion can be molded. In addition, the mold 1 of this example
5, as shown in FIG. 2A, eight mold cavities 22 are formed, and each mold cavity 22 is communicated via a pot portion 19, a runner 20 and a gate 21. , So that eight semiconductor devices can be formed at the same time.

【0018】半導体素子2の樹脂封止に際しては、まず
図2(a),(b)に示すように、可動金型17に形成
されたキャビティ部16a内に半導体素子2を収納して
当該半導体素子2に接続されたリード端子5の先端部を
リード端子収納凹部18内に収納する。次いで、可動金
型17を上昇して、図2(b),(c)に示すように固
定金型16と可動金型17とを結合し、これによって形
成された金型キャビティ22内にポット部19,ランナ
20及びゲート21を介して供給された樹脂を高圧で注
入し、所定形状の封止樹脂6を成形する。最後に、可動
金型17を下降して成型品を取り出し、所要の半導体装
置1を得る。
When the semiconductor element 2 is sealed with a resin, first, as shown in FIGS. 2A and 2B, the semiconductor element 2 is housed in a cavity 16a formed in a movable mold 17 and the semiconductor element 2 is sealed. The tip of the lead terminal 5 connected to the element 2 is housed in the lead terminal housing recess 18. Next, the movable mold 17 is raised to couple the fixed mold 16 and the movable mold 17 as shown in FIGS. 2B and 2C, and the pot is placed in the mold cavity 22 formed thereby. The resin supplied through the part 19, the runner 20, and the gate 21 is injected at a high pressure to form the sealing resin 6 having a predetermined shape. Finally, the movable mold 17 is lowered to take out the molded product, and the required semiconductor device 1 is obtained.

【0019】本例の製造方法によると、半導体素子2に
設けられた各パッド部3ごとに細長い板状に形成された
リード端子5を接続するようにしたので、リードフレー
ム枠やタブ吊りリードそれにタイバー等を備えた高価な
リードフレームを用いる必要がなく、しかも、半導体素
子2の樹脂封止後におけるリードフレームの切断加工も
省略できるので、半導体装置1の製造コストを低減する
ことができる。また、モールド金型15にリード端子収
納凹部18を形成し、当該凹部18内にリード端子5の
先端部を収納して封止樹脂6の成形を行うようにしたの
で、リード端子5の先端部が封止樹脂6の側面より露出
された所定形状の半導体装置を容易に成形することがで
き、この点からも半導体装置1の製造コストを低減する
ことができる。
According to the manufacturing method of the present embodiment, the lead terminals 5 formed in an elongated plate shape are connected to each of the pad portions 3 provided on the semiconductor element 2, so that the lead frame frame, the tab suspension leads and the like are connected. It is not necessary to use an expensive lead frame having a tie bar or the like, and the cutting process of the lead frame after the resin sealing of the semiconductor element 2 can be omitted, so that the manufacturing cost of the semiconductor device 1 can be reduced. In addition, since the lead terminal housing recess 18 is formed in the mold 15 and the tip of the lead terminal 5 is housed in the recess 18 to mold the sealing resin 6, the tip of the lead terminal 5 is formed. The semiconductor device having a predetermined shape exposed from the side surface of the sealing resin 6 can be easily formed, and the manufacturing cost of the semiconductor device 1 can be reduced from this point as well.

【0020】なお、本実施形態例においては、可動金型
17にのみリード端子収納凹部18を形成したが、固定
金型16と可動金型17の双方に所定形状のリード端子
収納凹部18を分割して形成することも勿論可能であ
る。
In this embodiment, the lead terminal housing recess 18 is formed only in the movable mold 17. However, the lead terminal housing recess 18 having a predetermined shape is divided into both the fixed mold 16 and the movable mold 17. Of course, it is also possible to form.

【0021】次に、本発明に係る半導体装置の第2実施
形態例を、図3に基づいて説明する。図3は本実施形態
例に係る半導体装置の斜視図及び断面図である。
Next, a second embodiment of the semiconductor device according to the present invention will be described with reference to FIG. FIG. 3 is a perspective view and a sectional view of the semiconductor device according to the present embodiment.

【0022】本例の半導体装置1は、図3(a),
(b)から明らかなように、半導体素子2のパッド部3
にバンプ4を介して細長い板状のリード端子5を接続す
る構成に代えて、パッド部3に直接金属線23を接続し
たことを特徴とする。金属線23としては、例えば金や
アルミニウム等の良導電性の金属材料をもって形成する
ことができ、パッド部3への接続方法としては、ワイヤ
ボンディング技術を応用した結線手段を用いることがで
きる。
The semiconductor device 1 of this embodiment is similar to that of FIG.
As apparent from (b), the pad portion 3 of the semiconductor element 2
Instead of connecting the elongated plate-shaped lead terminals 5 via the bumps 4, metal wires 23 are directly connected to the pad portions 3. The metal wire 23 can be formed of a highly conductive metal material such as gold or aluminum, and a connection method using a wire bonding technique can be used as a method for connecting to the pad portion 3.

【0023】本例の半導体装置1は、第1実施形態例の
半導体装置と同様の効果を有するほか、半導体素子2の
パッド部3に直接金属線23を接続したので、パッド部
3へのバンプ4の形成及び板状のリード端子5の作製並
びにバンプ4へのリード端子の接続を省略することがで
き、より一層、所要の半導体装置1の製造を容易化でき
て、その製造コストを低減することができる。
The semiconductor device 1 of this embodiment has the same effects as those of the semiconductor device of the first embodiment. In addition, since the metal wire 23 is directly connected to the pad portion 3 of the semiconductor element 2, the bump to the pad portion 3 4 and the production of the plate-like lead terminal 5 and the connection of the lead terminal to the bump 4 can be omitted, and the production of the required semiconductor device 1 can be further facilitated, and the production cost can be reduced. be able to.

【0024】本発明の半導体装置1は、通常のパッケー
ジタイプのICチップと同様にプリント基板上に搭載又
は実装できるほか、所定形状の基体でケーシングするこ
とにより、ICカード等の情報処理装置を作製すること
もできる。図4は、本発明の半導体装置1を非接触式I
Cカードに適用した場合の一部切断した平面図であっ
て、半導体装置1のリード端子5又は金属線23にアン
テナコイル27を接続して所要の通信特性を有する半導
体モジュール25を作製し、この半導体モジュール25
を所定寸法のカード状に形成された基体26内に埋設し
て、非接触ICカード24としている。アンテナコイル
27としては、巻線を用いることができ、当該アンテナ
コイル27とリード端子5又は金属線23とは、例えば
ウエッジボンディング、はんだ接続、溶接又は導電ペー
スト接続などの手段をもって接続される。
The semiconductor device 1 of the present invention can be mounted or mounted on a printed circuit board in the same manner as a normal package type IC chip. You can also. FIG. 4 shows a semiconductor device 1 according to the present invention,
FIG. 4 is a partially cut plan view showing a case where the present invention is applied to a C card, and an antenna coil 27 is connected to a lead terminal 5 or a metal wire 23 of the semiconductor device 1 to produce a semiconductor module 25 having required communication characteristics; Semiconductor module 25
Is embedded in a base 26 formed in a card shape having a predetermined size to form a non-contact IC card 24. A winding can be used as the antenna coil 27, and the antenna coil 27 is connected to the lead terminal 5 or the metal wire 23 by means such as wedge bonding, solder connection, welding, or conductive paste connection.

【0025】このように、本発明の半導体装置1を用い
て非接触ICカード24を製造すると、半導体装置1自
体が低コストであるため、所望の非接触ICカード24
を安価に製造することができる。
As described above, when the non-contact IC card 24 is manufactured using the semiconductor device 1 of the present invention, the semiconductor device 1 itself is inexpensive.
Can be manufactured at low cost.

【0026】[0026]

【発明の効果】請求項1に記載の発明は、半導体素子に
設けられた各パッド部ごとに板状又は線状に形成された
リード端子を接続するので、リードフレーム枠やタブ吊
りリードそれにタイバー等を備えた高価なリードフレー
ムを用いる必要がなく、しかも、半導体素子の樹脂封止
後におけるリードフレームの切断加工も省略できるの
で、半導体装置の製造コストを低減することができる。
According to the first aspect of the present invention, a plate-like or linear lead terminal is connected to each pad portion provided on the semiconductor element, so that a lead frame frame, a tab suspension lead and a tie bar are provided. It is not necessary to use an expensive lead frame provided with a semiconductor device and the like, and cutting of the lead frame after resin sealing of the semiconductor element can be omitted, so that the manufacturing cost of the semiconductor device can be reduced.

【0027】請求項2に記載の発明は、リード端子の接
続に先立って、半導体素子の各パッド部にバンプを設置
するので、各パッド部に対するリード端子の接続を容易
化することができ、半導体装置の製造コストをより一層
低減することができる。
According to the second aspect of the present invention, since bumps are provided on each pad portion of the semiconductor element prior to connection of the lead terminal, connection of the lead terminal to each pad portion can be facilitated. The manufacturing cost of the device can be further reduced.

【0028】請求項3に記載の発明は、モールド金型に
リード端子収納凹部を形成し、当該凹部内にリード端子
の先端部を収納して封止樹脂の成形を行うので、リード
端子の先端部が封止樹脂の側面より露出された所定形状
の半導体装置を容易に成形することができ、半導体装置
の製造コストを低減することができる。
According to the third aspect of the present invention, the lead terminal receiving recess is formed in the mold, and the leading end of the lead terminal is received in the recess to mold the sealing resin. A semiconductor device having a predetermined shape whose portion is exposed from the side surface of the sealing resin can be easily formed, and the manufacturing cost of the semiconductor device can be reduced.

【0029】請求項4に記載の発明は、半導体素子のパ
ッド部にバンプを設置する工程と、前記バンプごとに線
状又は板状のリード端子を個々に接続する工程と、前記
リード端子が接続された半導体装置をモールド金型のキ
ャビティ内に収納し、前記リード端子の一部を含む前記
半導体素子の周囲を樹脂封止する工程とを経て製造され
るので、リードフレーム枠やタブ吊りリードそれにタイ
バー等を備えた高価なリードフレームを用いる必要がな
く、しかも、半導体素子の樹脂封止後におけるリードフ
レームの切断加工も省略できるので、半導体装置の製造
コストを低減することができる。
According to a fourth aspect of the present invention, there is provided a semiconductor device comprising: a step of providing a bump on a pad portion of a semiconductor element; a step of individually connecting a linear or plate-shaped lead terminal for each of the bumps; The obtained semiconductor device is housed in a cavity of a mold, and is manufactured through a step of sealing the periphery of the semiconductor element including a part of the lead terminal with a resin. It is not necessary to use an expensive lead frame provided with a tie bar or the like, and the cutting process of the lead frame after resin sealing of the semiconductor element can be omitted, so that the manufacturing cost of the semiconductor device can be reduced.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】第1実施形態例に係る半導体装置の製造過程を
示す表図である。
FIG. 1 is a table showing a manufacturing process of a semiconductor device according to a first embodiment.

【図2】第1実施形態例に係る半導体装置の樹脂モール
ド方法を示す説明図である。
FIG. 2 is an explanatory diagram illustrating a resin molding method of the semiconductor device according to the first embodiment.

【図3】第2実施形態例に係る半導体装置の斜視図及び
断面図である。
FIG. 3 is a perspective view and a cross-sectional view of a semiconductor device according to a second embodiment.

【図4】本発明に係る半導体装置を搭載した非接触IC
カードの一部切断した平面図である。
FIG. 4 is a non-contact IC mounted with a semiconductor device according to the present invention.
It is the top view which cut a part of card.

【図5】従来より知られている一般的なリードフレーム
の構成図である。
FIG. 5 is a configuration diagram of a conventionally known general lead frame.

【図6】従来より知られている一般的なリードフレーム
を用いた半導体装置の製造プロセスを示すフローチャー
トである。
FIG. 6 is a flowchart showing a manufacturing process of a semiconductor device using a conventionally known general lead frame.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 半導体装置 2 半導体素子 3 パッド部 4 バンプ 5 リード端子 6 封止樹脂 15 モールド金型 16 固定金型 17 可動金型 18 リード端子収納凹部 22 金型キャビティ 23 金属線 24 非接触ICカード 25 半導体モジュール 26 基体 27 アンテナコイル DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Semiconductor device 2 Semiconductor element 3 Pad part 4 Bump 5 Lead terminal 6 Sealing resin 15 Mold die 16 Fixed die 17 Movable die 18 Lead terminal storage concave part 22 Mold cavity 23 Metal wire 24 Non-contact IC card 25 Semiconductor module 26 Base 27 Antenna coil

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) H01L 23/50 H01L 23/50 U // B29L 31:34 (72)発明者 吉田 勇 神奈川県横浜市戸塚区吉田町292番地 株 式会社日立製作所生産技術研究所内 (72)発明者 天野 泰雄 神奈川県横浜市戸塚区吉田町292番地 株 式会社日立製作所生産技術研究所内 Fターム(参考) 4F202 AA39 AD19 AH33 CA12 CB01 CB12 4F206 AA39 AD19 AH37 JA02 JB17 4M109 AA01 BA01 CA21 FA01 5F061 AA01 BA01 CA21 5F067 AA00 BA01 BA06 BB19 BE10 DE01 ──────────────────────────────────────────────────の Continued on the front page (51) Int.Cl. 7 Identification symbol FI Theme coat ゛ (Reference) H01L 23/50 H01L 23/50 U // B29L 31:34 (72) Inventor Isamu Yoshida Totsuka, Yokohama-shi, Kanagawa 292, Yoshida-cho, Ward, Tokyo Hitachi, Ltd. Production Technology Research Laboratories (72) Inventor Yasuo Amano 292, Yoshida-cho, Totsuka-ku, Yokohama-shi, Kanagawa Prefecture F-term in Hitachi, Ltd. Production Technology Research Lab. CB01 CB12 4F206 AA39 AD19 AH37 JA02 JB17 4M109 AA01 BA01 CA21 FA01 5F061 AA01 BA01 CA21 5F067 AA00 BA01 BA06 BB19 BE10 DE01

Claims (4)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 半導体素子の各パッド部に線状又は板状
のリード端子を個々に接続する工程と、前記リード端子
が接続された半導体素子をモールド金型のキャビティ内
に収納し、前記リード端子の一部を含む前記半導体素子
の周囲を樹脂封止する工程とを含み、樹脂封止後に前記
リード端子の切断を行うことなく所定の半導体装置を得
ることを特徴とする半導体装置の製造方法。
1. A step of individually connecting a linear or plate-like lead terminal to each pad portion of a semiconductor element, storing the semiconductor element to which the lead terminal is connected in a cavity of a molding die, and Sealing the periphery of the semiconductor element including a part of the terminal with a resin, and obtaining a predetermined semiconductor device without cutting the lead terminal after the resin sealing. .
【請求項2】 請求項1に記載の半導体装置の製造方法
において、前記リード端子の接続に先立って、前記半導
体素子の各パッド部にバンプを設置することを特徴とす
る半導体装置の製造方法。
2. The method for manufacturing a semiconductor device according to claim 1, wherein prior to connection of said lead terminals, bumps are provided on each pad portion of said semiconductor element.
【請求項3】 請求項1に記載の半導体装置の製造方法
において、前記モールド金型として、固定金型と可動金
型とから成り、これら両金型の合わせ面に前記リード端
子の収納凹部が設けられたものを用い、前記モールド金
型のキャビティ内に前記半導体素子と前記リード端子の
基端部とを収納すると共に、前記収納凹部内に前記リー
ド端子の先端部を収納して、前記半導体素子の樹脂封止
を行うことを特徴とする半導体装置の製造方法。
3. The method of manufacturing a semiconductor device according to claim 1, wherein the mold comprises a fixed mold and a movable mold, and a recess for accommodating the lead terminal is formed on a mating surface of the two molds. Using the provided one, the semiconductor element and the base end of the lead terminal are housed in the cavity of the molding die, and the tip end of the lead terminal is housed in the housing recess. A method for manufacturing a semiconductor device, comprising sealing an element with a resin.
【請求項4】 半導体素子のパッド部にバンプを設置す
る工程と、前記バンプごとに線状又は板状のリード端子
を個々に接続する工程と、前記リード端子が接続された
半導体素子をモールド金型のキャビティ内に収納し、前
記リード端子の一部を含む前記半導体素子の周囲を樹脂
封止する工程とを経て製造され、樹脂封止後に前記リー
ド端子の切断を行うことなく得られたことを特徴とする
半導体装置。
4. A step of placing a bump on a pad portion of a semiconductor element, a step of individually connecting a linear or plate-like lead terminal for each of the bumps, and a step of forming a semiconductor element to which the lead terminal is connected by molding metal. A step of sealing the periphery of the semiconductor element including a part of the lead terminal with a resin and enclosing the lead terminal in a mold cavity, and obtaining the lead terminal without cutting the lead terminal after the resin sealing. A semiconductor device characterized by the above-mentioned.
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JP7042738B2 (en) 2015-08-07 2022-03-28 ヴィシェイ デール エレクトロニクス エルエルシー Molds and electrical equipment with moldings for high voltage applications

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