JP2000306877A - 半導体製造装置および半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体製造装置および半導体装置の製造方法Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ウエハを回転させた状態で、ウエハ処理を行
う際に、ウエハ処理の時間を低減化することができて、
スループットの向上ができる半導体製造装置およびそれ
を用いた半導体装置の製造方法を提供する。 【解決手段】 ウエハ１１を回転させた状態で、ウエハ
処理を行う半導体製造装置であって、ウエハ１１をセッ
トするステージ５に複数個のピン１０が設置されてお
り、ピン１０が、ウエハ１１を支持する機能を有し、し
かもピン１０が支持するウエハ１１の位置を変える機能
を有するものである。
う際に、ウエハ処理の時間を低減化することができて、
スループットの向上ができる半導体製造装置およびそれ
を用いた半導体装置の製造方法を提供する。 【解決手段】 ウエハ１１を回転させた状態で、ウエハ
処理を行う半導体製造装置であって、ウエハ１１をセッ
トするステージ５に複数個のピン１０が設置されてお
り、ピン１０が、ウエハ１１を支持する機能を有し、し
かもピン１０が支持するウエハ１１の位置を変える機能
を有するものである。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体製造装置お
よび半導体装置の製造方法に関し、特に、ウエハを回転
させた状態で、ウエハ処理を行う際に、ウエハ処理の時
間を低減化することができて、スループットの向上がで
きる半導体製造装置およびそれを用いた半導体装置の製
造方法に関するものである。
よび半導体装置の製造方法に関し、特に、ウエハを回転
させた状態で、ウエハ処理を行う際に、ウエハ処理の時
間を低減化することができて、スループットの向上がで
きる半導体製造装置およびそれを用いた半導体装置の製
造方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】本発明者は、半導体装置の製造工程に使
用されている配線層などが形成されているウエハを洗浄
処理（ウエハ処理）する洗浄装置について検討した。以
下は、本発明者によって検討された技術であり、その概
要は次のとおりである。
用されている配線層などが形成されているウエハを洗浄
処理（ウエハ処理）する洗浄装置について検討した。以
下は、本発明者によって検討された技術であり、その概
要は次のとおりである。
【０００３】すなわち、半導体装置の製造工程におい
て、メタル配線処理後のウエハは、メタルコンタミネー
ション防止のために、洗浄装置を使用して、ウエハの裏
面と周辺部の洗浄が行われている。
て、メタル配線処理後のウエハは、メタルコンタミネー
ション防止のために、洗浄装置を使用して、ウエハの裏
面と周辺部の洗浄が行われている。
【０００４】洗浄装置には、ベルヌーイチャック式スピ
ンエッチング装置が用いられている。このベルヌーイチ
ャック式スピンエッチング装置は、ステージから噴き出
す窒素ガスによりウエハを浮遊させ、ステージより突き
出たピンでウエハをチャックすることにより、ウエハを
支持し、ステージを回転させることにより、ウエハを回
転させている。
ンエッチング装置が用いられている。このベルヌーイチ
ャック式スピンエッチング装置は、ステージから噴き出
す窒素ガスによりウエハを浮遊させ、ステージより突き
出たピンでウエハをチャックすることにより、ウエハを
支持し、ステージを回転させることにより、ウエハを回
転させている。
【０００５】このため、ウエハのピン支持部では、洗浄
ができないため、ウエハのピン支持部を別の箇所に持ち
変え、再度洗浄する必要がある状態となっている。
ができないため、ウエハのピン支持部を別の箇所に持ち
変え、再度洗浄する必要がある状態となっている。
【０００６】この場合、持ち変え方式として、ウエハの
回転を停止し、ウエハを持ち変えるためのアームを用い
てウエハを持ち上げ、ステージの回転によりピンを元の
位置からずらし、再度ウエハをチャックする方式が用い
られている。
回転を停止し、ウエハを持ち変えるためのアームを用い
てウエハを持ち上げ、ステージの回転によりピンを元の
位置からずらし、再度ウエハをチャックする方式が用い
られている。
【０００７】なお、洗浄装置について記載されている文
献としては、例えば１９９７年１１月２０日、日刊工業
新聞社発行の「半導体製造装置用語辞典」ｐ２５２〜ｐ
２６３に記載されているものがある。
献としては、例えば１９９７年１１月２０日、日刊工業
新聞社発行の「半導体製造装置用語辞典」ｐ２５２〜ｐ
２６３に記載されているものがある。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】ところが、前述した洗
浄装置について、以下に記載するような問題点があるこ
とを本発明者が見い出した。
浄装置について、以下に記載するような問題点があるこ
とを本発明者が見い出した。
【０００９】すなわち、前述した洗浄装置において、ウ
エハのピン支持部では、洗浄ができないため、ウエハの
ピン支持部を別の箇所に持ち変え、再度洗浄する場合の
持ち変え方式として、ウエハの回転を停止し、ウエハを
持ち変えるためのアームを用いてウエハを持ち上げ、ス
テージの回転によりピンを元の位置からずらし、ピンが
ウエハを支持していた箇所と別の箇所に持ち変え、再度
ウエハをチャックする方式が用いられていることによ
り、持ち変え時間が約３分となっているので、スループ
ット（through put ）が悪くなるという問題点が発生し
ている。
エハのピン支持部では、洗浄ができないため、ウエハの
ピン支持部を別の箇所に持ち変え、再度洗浄する場合の
持ち変え方式として、ウエハの回転を停止し、ウエハを
持ち変えるためのアームを用いてウエハを持ち上げ、ス
テージの回転によりピンを元の位置からずらし、ピンが
ウエハを支持していた箇所と別の箇所に持ち変え、再度
ウエハをチャックする方式が用いられていることによ
り、持ち変え時間が約３分となっているので、スループ
ット（through put ）が悪くなるという問題点が発生し
ている。
【００１０】本発明の目的は、ウエハを回転させた状態
で、ウエハ処理を行う際に、ウエハ処理の時間を低減化
することができて、スループットの向上ができる半導体
製造装置およびそれを用いた半導体装置の製造方法を提
供することにある。
で、ウエハ処理を行う際に、ウエハ処理の時間を低減化
することができて、スループットの向上ができる半導体
製造装置およびそれを用いた半導体装置の製造方法を提
供することにある。
【００１１】本発明の前記ならびにその他の目的と新規
な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかに
なるであろう。
な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかに
なるであろう。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
以下のとおりである。
発明のうち、代表的なものの概要を簡単に説明すれば、
以下のとおりである。
【００１３】すなわち、（１）．本発明の半導体製造装
置は、ウエハを回転させた状態で、ウエハ処理を行う半
導体製造装置であって、ウエハをセットするステージに
複数個のピンが設置されており、前記ピンが、ウエハを
支持する機能を有し、しかも前記ピンが支持するウエハ
の位置を変える機能を有するものである。
置は、ウエハを回転させた状態で、ウエハ処理を行う半
導体製造装置であって、ウエハをセットするステージに
複数個のピンが設置されており、前記ピンが、ウエハを
支持する機能を有し、しかも前記ピンが支持するウエハ
の位置を変える機能を有するものである。
【００１４】（２）．本発明の半導体装置の製造方法
は、前記（１）に記載の半導体製造装置を使用して、半
導体装置を製造するためのウエハのウエハ処理を行う製
造工程を有するものである。
は、前記（１）に記載の半導体製造装置を使用して、半
導体装置を製造するためのウエハのウエハ処理を行う製
造工程を有するものである。
【００１５】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
に基づいて詳細に説明する。なお、実施の形態を説明す
るための全図において同一機能を有するものは同一の符
号を付し、重複説明は省略する。
に基づいて詳細に説明する。なお、実施の形態を説明す
るための全図において同一機能を有するものは同一の符
号を付し、重複説明は省略する。
【００１６】（実施の形態１）図１は、本発明の実施の
形態１である洗浄装置を一部断面化して示す概略構成図
である。図２は、本発明の実施の形態１である洗浄装置
におけるウエハがセットされているステージを示す概略
平面図である。図３は、図２におけるＡ−Ａ矢視断面を
拡大して示す概略断面図である。
形態１である洗浄装置を一部断面化して示す概略構成図
である。図２は、本発明の実施の形態１である洗浄装置
におけるウエハがセットされているステージを示す概略
平面図である。図３は、図２におけるＡ−Ａ矢視断面を
拡大して示す概略断面図である。
【００１７】図１に示すように、本実施の形態の洗浄装
置（半導体製造装置）は、ウエハ１１を回転させた状態
で、ウエハ１１の洗浄処理（ウエハ処理）を行う洗浄装
置であり、容器１の上に薬液供給体２が設置されてお
り、薬液供給体２に取り付けられている薬液ノズル３か
ら薬液４が放出される態様となっている。
置（半導体製造装置）は、ウエハ１１を回転させた状態
で、ウエハ１１の洗浄処理（ウエハ処理）を行う洗浄装
置であり、容器１の上に薬液供給体２が設置されてお
り、薬液供給体２に取り付けられている薬液ノズル３か
ら薬液４が放出される態様となっている。
【００１８】図１〜図３に示すように、本実施の形態の
洗浄装置（半導体製造装置）は、容器１の内の下部に、
ウエハ１１をセットするステージ５が設置されている。
この場合、ステージ５には、ステージ５を回転させるな
どの機能を発生するステージ制御部６が設置されてい
る。
洗浄装置（半導体製造装置）は、容器１の内の下部に、
ウエハ１１をセットするステージ５が設置されている。
この場合、ステージ５には、ステージ５を回転させるな
どの機能を発生するステージ制御部６が設置されてい
る。
【００１９】ステージ５には、窒素ガス供給体７に取り
付けられているガス管８が設置されており、ガス管８が
設置されているステージ５から放出される窒素ガス９に
より、ステージ５よりウエハ１１を浮遊することができ
るようになっている。
付けられているガス管８が設置されており、ガス管８が
設置されているステージ５から放出される窒素ガス９に
より、ステージ５よりウエハ１１を浮遊することができ
るようになっている。
【００２０】また、ステージ５には、本実施の形態の洗
浄装置（半導体製造装置）の特徴である構成要素である
ピン１０が例えば４個設置されている。
浄装置（半導体製造装置）の特徴である構成要素である
ピン１０が例えば４個設置されている。
【００２１】この場合、ピン１０は、ステージ５から浮
遊した状態のウエハ１１を支持したり（図３）、ウエハ
１１から離間できる位置に移行できる（図４）機能を有
するものである。すなわち、ピン１０は、ステージ５か
ら浮遊した状態のウエハ１１に対して開閉できる機能を
有するものであり、ピン１０がウエハ１１に対して閉で
きる機能を行った場合、ウエハ１１を支持し（図３）、
ピン１０がウエハ１１に対して開できる機能を行った場
合、ピン１０をウエハ１１から離間できる位置に移行で
きる（図４）ものである。なお、図３および図４におい
て、１０ａは、ピン１０の開閉方向を示すものである。
遊した状態のウエハ１１を支持したり（図３）、ウエハ
１１から離間できる位置に移行できる（図４）機能を有
するものである。すなわち、ピン１０は、ステージ５か
ら浮遊した状態のウエハ１１に対して開閉できる機能を
有するものであり、ピン１０がウエハ１１に対して閉で
きる機能を行った場合、ウエハ１１を支持し（図３）、
ピン１０がウエハ１１に対して開できる機能を行った場
合、ピン１０をウエハ１１から離間できる位置に移行で
きる（図４）ものである。なお、図３および図４におい
て、１０ａは、ピン１０の開閉方向を示すものである。
【００２２】また、ステージ５に設置されるピン１０の
個数は、設計仕様に応じて、３個以上の複数個が適用で
きる。
個数は、設計仕様に応じて、３個以上の複数個が適用で
きる。
【００２３】次に、本実施の形態の洗浄装置（半導体製
造装置）のウエハの洗浄処理（ウエハ処理）を行う作業
を説明する。
造装置）のウエハの洗浄処理（ウエハ処理）を行う作業
を説明する。
【００２４】まず、本実施の形態の洗浄装置（半導体製
造装置）のステージ５の上にウエハ１１を配置し、ガス
管８が設置されているステージ５から放出される窒素ガ
ス９により、ステージ５よりウエハ１１を浮遊した状態
で、ピン１０がウエハ１１に対して閉できる機能を行
い、ピン１０によりウエハ１１を支持する。
造装置）のステージ５の上にウエハ１１を配置し、ガス
管８が設置されているステージ５から放出される窒素ガ
ス９により、ステージ５よりウエハ１１を浮遊した状態
で、ピン１０がウエハ１１に対して閉できる機能を行
い、ピン１０によりウエハ１１を支持する。
【００２５】次に、この状態で、ステージ５を回転さ
せ、ピン１０に支持されたウエハ１１を同時に回転させ
る作業を行う。
せ、ピン１０に支持されたウエハ１１を同時に回転させ
る作業を行う。
【００２６】その後、薬液ノズル３より流される（放出
される）薬液４にて、ウエハ１１の上面および端部など
を洗浄する作業を行う。この場合、この時点でピン１０
がウエハ１１を支持しているウエハ１１における支持領
域（ピン１０によるウエハ１１の支持部）は、洗浄され
ていない。
される）薬液４にて、ウエハ１１の上面および端部など
を洗浄する作業を行う。この場合、この時点でピン１０
がウエハ１１を支持しているウエハ１１における支持領
域（ピン１０によるウエハ１１の支持部）は、洗浄され
ていない。
【００２７】そこで、ある洗浄時間が過ぎた後、ステー
ジ５が回転を続けている状態において、ウエハ１１を支
持しているピン１０を開く作業を行う。その時、ウエハ
１１は慣性により、回転を続けている。しかし、ウエハ
回転ステージに比べ、減速するため、ピン１０がウエハ
１１に対して閉できる機能を行い、ピン１０によりウエ
ハ１１を支持する作業（ウエハ１１の持ち変え作業）を
行う。したがって、ウエハ１１の端部がピン１０により
支持されていた箇所（前の箇所）と別の箇所（今回の箇
所）に移動することができることにより、ウエハ１１の
持ち変えを行うことができる。
ジ５が回転を続けている状態において、ウエハ１１を支
持しているピン１０を開く作業を行う。その時、ウエハ
１１は慣性により、回転を続けている。しかし、ウエハ
回転ステージに比べ、減速するため、ピン１０がウエハ
１１に対して閉できる機能を行い、ピン１０によりウエ
ハ１１を支持する作業（ウエハ１１の持ち変え作業）を
行う。したがって、ウエハ１１の端部がピン１０により
支持されていた箇所（前の箇所）と別の箇所（今回の箇
所）に移動することができることにより、ウエハ１１の
持ち変えを行うことができる。
【００２８】その結果、最初ピン１０に支持されていた
箇所（前の箇所）がウエハ１１およびその箇所（前の箇
所）の回転を停止させることなく洗浄させることができ
ることにより、ウエハ１１およびその箇所（ピン１０に
よる支持部）を洗浄処理することができる。
箇所（前の箇所）がウエハ１１およびその箇所（前の箇
所）の回転を停止させることなく洗浄させることができ
ることにより、ウエハ１１およびその箇所（ピン１０に
よる支持部）を洗浄処理することができる。
【００２９】前述した本実施の形態の洗浄装置（半導体
製造装置）によれば、ウエハ１１を回転させた状態で、
洗浄処理（ウエハ処理）を行う洗浄装置（半導体製造装
置）であって、ウエハ１１をセットするステージ５に複
数個のピン１０が設置されており、ピン１０は、ステー
ジ５から浮遊した状態のウエハ１１に対して開閉できる
機能を有するものであり、ピン１０がウエハ１１に対し
て閉できる機能を行った場合、ウエハ１１を支持し、ピ
ン１０がウエハ１１に対して開できる機能を行った場
合、ピン１０をウエハ１１から離間できる位置に移行で
きるものであることにより、ピン１０が、ウエハ１１を
支持する機能を有し、しかもピン１０が支持するウエハ
１１の位置を変える機能を有する洗浄装置（半導体製造
装置）とされている。
製造装置）によれば、ウエハ１１を回転させた状態で、
洗浄処理（ウエハ処理）を行う洗浄装置（半導体製造装
置）であって、ウエハ１１をセットするステージ５に複
数個のピン１０が設置されており、ピン１０は、ステー
ジ５から浮遊した状態のウエハ１１に対して開閉できる
機能を有するものであり、ピン１０がウエハ１１に対し
て閉できる機能を行った場合、ウエハ１１を支持し、ピ
ン１０がウエハ１１に対して開できる機能を行った場
合、ピン１０をウエハ１１から離間できる位置に移行で
きるものであることにより、ピン１０が、ウエハ１１を
支持する機能を有し、しかもピン１０が支持するウエハ
１１の位置を変える機能を有する洗浄装置（半導体製造
装置）とされている。
【００３０】したがって、本実施の形態の洗浄装置（半
導体製造装置）によれば、ウエハ１１の端部がピン１０
により支持されていた箇所（前の箇所）と別の箇所（今
回の箇所）に移動することができることにより、ウエハ
１１の持ち変えを行うことができる。その結果、最初ピ
ン１０に支持されていた箇所（前の箇所）がウエハ１１
およびその箇所（前の箇所）の回転を停止させることな
く洗浄させることができることにより、ウエハ１１およ
びその箇所（ピン１０による支持部）を洗浄処理するこ
とができる。
導体製造装置）によれば、ウエハ１１の端部がピン１０
により支持されていた箇所（前の箇所）と別の箇所（今
回の箇所）に移動することができることにより、ウエハ
１１の持ち変えを行うことができる。その結果、最初ピ
ン１０に支持されていた箇所（前の箇所）がウエハ１１
およびその箇所（前の箇所）の回転を停止させることな
く洗浄させることができることにより、ウエハ１１およ
びその箇所（ピン１０による支持部）を洗浄処理するこ
とができる。
【００３１】その結果、本実施の形態の洗浄装置（半導
体製造装置）によれば、回転中のウエハ１１の洗浄処理
（ウエハ処理）が行われている状態で、ウエハ１１に対
してピン１０を開閉することができることにより、ウエ
ハ１１の回転および洗浄処理（ウエハ処理）を停止する
ことなくウエハ１１の持ち変えを行うことができるの
で、ウエハ１１の持ち変え時間を３０秒以下とすること
ができる。したがって、洗浄処理（ウエハ処理）の時間
を低減化することができることにより、スループットの
向上ができる洗浄装置（半導体製造装置）とすることが
できる。
体製造装置）によれば、回転中のウエハ１１の洗浄処理
（ウエハ処理）が行われている状態で、ウエハ１１に対
してピン１０を開閉することができることにより、ウエ
ハ１１の回転および洗浄処理（ウエハ処理）を停止する
ことなくウエハ１１の持ち変えを行うことができるの
で、ウエハ１１の持ち変え時間を３０秒以下とすること
ができる。したがって、洗浄処理（ウエハ処理）の時間
を低減化することができることにより、スループットの
向上ができる洗浄装置（半導体製造装置）とすることが
できる。
【００３２】（実施の形態２）図５は、本発明の実施の
形態２である洗浄装置におけるウエハがセットされてい
るステージを拡大して示す概略断面図である。
形態２である洗浄装置におけるウエハがセットされてい
るステージを拡大して示す概略断面図である。
【００３３】図５に示すように、本実施の形態の洗浄装
置（半導体製造装置）におけるステージ５には、本実施
の形態の洗浄装置（半導体製造装置）の特徴である構成
要素であるピン１０が例えば４個設置されている。
置（半導体製造装置）におけるステージ５には、本実施
の形態の洗浄装置（半導体製造装置）の特徴である構成
要素であるピン１０が例えば４個設置されている。
【００３４】この場合、本実施の形態のピン１０が、回
転できる機能を有し、ピン１０がウエハ１１に対して回
転できる機能を行なわない場合、ウエハ１１を支持し、
ピン１０が回転できる機能を行った場合、ピン１０が支
持するウエハ１１の位置を変える機能を有するものであ
る。なお、図５において、１０ｂは、ピン１０の回転方
向を示すものである。
転できる機能を有し、ピン１０がウエハ１１に対して回
転できる機能を行なわない場合、ウエハ１１を支持し、
ピン１０が回転できる機能を行った場合、ピン１０が支
持するウエハ１１の位置を変える機能を有するものであ
る。なお、図５において、１０ｂは、ピン１０の回転方
向を示すものである。
【００３５】また、本実施の形態の洗浄装置（半導体製
造装置）は、前述した回転できる機能を有するピン１０
を備えていることが特徴であり、それ以外の構成要素
は、図１〜図４を用いて説明した実施の形態１の洗浄装
置（半導体製造装置）の構成要素と同様であることによ
り、その説明を省略する。
造装置）は、前述した回転できる機能を有するピン１０
を備えていることが特徴であり、それ以外の構成要素
は、図１〜図４を用いて説明した実施の形態１の洗浄装
置（半導体製造装置）の構成要素と同様であることによ
り、その説明を省略する。
【００３６】次に、本実施の形態の洗浄装置（半導体製
造装置）のウエハの洗浄処理（ウエハ処理）を行う作業
を説明する。
造装置）のウエハの洗浄処理（ウエハ処理）を行う作業
を説明する。
【００３７】まず、本実施の形態の洗浄装置（半導体製
造装置）のステージ５の上にウエハ１１を配置し、ガス
管８が設置されているステージ５から放出される窒素ガ
ス９により、ステージ５よりウエハ１１を浮遊した状態
で、ピン１０がウエハ１１に対して閉できる機能を行
い、ピン１０によりウエハ１１を支持する。
造装置）のステージ５の上にウエハ１１を配置し、ガス
管８が設置されているステージ５から放出される窒素ガ
ス９により、ステージ５よりウエハ１１を浮遊した状態
で、ピン１０がウエハ１１に対して閉できる機能を行
い、ピン１０によりウエハ１１を支持する。
【００３８】次に、この状態で、ステージ５を回転さ
せ、ピン１０に支持されたウエハ１１を同時に回転させ
る作業を行う。
せ、ピン１０に支持されたウエハ１１を同時に回転させ
る作業を行う。
【００３９】その後、薬液ノズル３より流される薬液４
にて、ウエハ１１の上面および端部を洗浄する作業を行
う。この場合、この時点でピン１０がウエハ１１を支持
しているウエハ１１における支持領域（ピン１０による
ウエハ１１の支持部）は、洗浄されていない。
にて、ウエハ１１の上面および端部を洗浄する作業を行
う。この場合、この時点でピン１０がウエハ１１を支持
しているウエハ１１における支持領域（ピン１０による
ウエハ１１の支持部）は、洗浄されていない。
【００４０】そこで、ある洗浄時間が過ぎた後、ステー
ジ５が回転を続けている状態において、ウエハ１１を支
持しているピン１０を回転させる作業を行う。その時、
ウエハ１１はピン１０との摩擦力により回転する。した
がって、ウエハ１１の端部がピン１０により支持されて
いた箇所（前の箇所）と別の箇所（今回の箇所）に移動
することができることにより、ウエハ１１の持ち変えを
行うことができる。
ジ５が回転を続けている状態において、ウエハ１１を支
持しているピン１０を回転させる作業を行う。その時、
ウエハ１１はピン１０との摩擦力により回転する。した
がって、ウエハ１１の端部がピン１０により支持されて
いた箇所（前の箇所）と別の箇所（今回の箇所）に移動
することができることにより、ウエハ１１の持ち変えを
行うことができる。
【００４１】その結果、最初ピン１０に支持されていた
箇所（前の箇所）がウエハ１１およびその箇所（前の箇
所）の回転を停止させることなく洗浄させることができ
ることにより、ウエハ１１およびその箇所（ピン１０に
よる支持部）を洗浄処理することができる。
箇所（前の箇所）がウエハ１１およびその箇所（前の箇
所）の回転を停止させることなく洗浄させることができ
ることにより、ウエハ１１およびその箇所（ピン１０に
よる支持部）を洗浄処理することができる。
【００４２】前述した本実施の形態の洗浄装置（半導体
製造装置）によれば、ウエハ１１を回転させた状態で、
洗浄処理（ウエハ処理）を行う洗浄装置（半導体製造装
置）であって、ウエハ１１をセットするステージ５に複
数個のピン１０が設置されており、ピン１０が、回転で
きる機能を有し、ピン１０がウエハ１１に対して回転で
きる機能を行なわない場合、ウエハ１１を支持し、ピン
１０が回転できる機能を行った場合、ピン１０が支持す
るウエハ１１の位置を変える機能を有するものであるこ
とにより、ピン１０が、ウエハ１１を支持する機能を有
し、しかもピン１０が支持するウエハ１１の位置を変え
る機能を有する洗浄装置（半導体製造装置）とされてい
る。
製造装置）によれば、ウエハ１１を回転させた状態で、
洗浄処理（ウエハ処理）を行う洗浄装置（半導体製造装
置）であって、ウエハ１１をセットするステージ５に複
数個のピン１０が設置されており、ピン１０が、回転で
きる機能を有し、ピン１０がウエハ１１に対して回転で
きる機能を行なわない場合、ウエハ１１を支持し、ピン
１０が回転できる機能を行った場合、ピン１０が支持す
るウエハ１１の位置を変える機能を有するものであるこ
とにより、ピン１０が、ウエハ１１を支持する機能を有
し、しかもピン１０が支持するウエハ１１の位置を変え
る機能を有する洗浄装置（半導体製造装置）とされてい
る。
【００４３】したがって、本実施の形態の洗浄装置（半
導体製造装置）によれば、ウエハ１１の端部がピン１０
により支持されていた箇所（前の箇所）と別の箇所（今
回の箇所）に移動することができることにより、ウエハ
１１の持ち変えを行うことができる。その結果、最初ピ
ン１０に支持されていた箇所（前の箇所）がウエハ１１
およびその箇所（前の箇所）の回転を停止させることな
く洗浄させることができることにより、ウエハ１１およ
びその箇所（ピン１０による支持部）を洗浄処理するこ
とができる。
導体製造装置）によれば、ウエハ１１の端部がピン１０
により支持されていた箇所（前の箇所）と別の箇所（今
回の箇所）に移動することができることにより、ウエハ
１１の持ち変えを行うことができる。その結果、最初ピ
ン１０に支持されていた箇所（前の箇所）がウエハ１１
およびその箇所（前の箇所）の回転を停止させることな
く洗浄させることができることにより、ウエハ１１およ
びその箇所（ピン１０による支持部）を洗浄処理するこ
とができる。
【００４４】その結果、本実施の形態の洗浄装置（半導
体製造装置）によれば、回転中のウエハ１１の洗浄処理
（ウエハ処理）が行われている状態で、ウエハ１１に対
してピン１０を回転することができることにより、ウエ
ハ１１の回転および洗浄処理（ウエハ処理）を停止する
ことなくウエハ１１の持ち変えを行うことができるの
で、ウエハ１１の持ち変え時間を極めて低下することが
できる。したがって、洗浄処理（ウエハ処理）の時間を
低減化することができることにより、スループットの向
上ができる洗浄装置（半導体製造装置）とすることがで
きる。
体製造装置）によれば、回転中のウエハ１１の洗浄処理
（ウエハ処理）が行われている状態で、ウエハ１１に対
してピン１０を回転することができることにより、ウエ
ハ１１の回転および洗浄処理（ウエハ処理）を停止する
ことなくウエハ１１の持ち変えを行うことができるの
で、ウエハ１１の持ち変え時間を極めて低下することが
できる。したがって、洗浄処理（ウエハ処理）の時間を
低減化することができることにより、スループットの向
上ができる洗浄装置（半導体製造装置）とすることがで
きる。
【００４５】（実施の形態３）図６および図７は、本発
明の実施の形態３である半導体装置の製造工程を示す概
略断面図である。本実施の形態の半導体装置の製造方法
は、ＭＯＳＦＥＴ（Metal Oxide Semiconductor Field
Effect Transistor ）を有する半導体集積回路装置の製
造方法である。同図を用いて、本実施の形態の半導体装
置の製造方法について説明する。
明の実施の形態３である半導体装置の製造工程を示す概
略断面図である。本実施の形態の半導体装置の製造方法
は、ＭＯＳＦＥＴ（Metal Oxide Semiconductor Field
Effect Transistor ）を有する半導体集積回路装置の製
造方法である。同図を用いて、本実施の形態の半導体装
置の製造方法について説明する。
【００４６】まず、例えばｐ型のシリコン単結晶からな
る半導体基板（ウエハ）１２の素子分離領域に熱酸化処
理を用いて酸化シリコン膜からなる素子分離用絶縁膜１
３を形成する。次に、半導体基板１２の素子形成領域
に、ＭＯＳＦＥＴを形成した後、半導体基板１２の上に
酸化シリコン膜からなる絶縁膜を形成する（図６）。
る半導体基板（ウエハ）１２の素子分離領域に熱酸化処
理を用いて酸化シリコン膜からなる素子分離用絶縁膜１
３を形成する。次に、半導体基板１２の素子形成領域
に、ＭＯＳＦＥＴを形成した後、半導体基板１２の上に
酸化シリコン膜からなる絶縁膜を形成する（図６）。
【００４７】すなわち、半導体基板（ウエハ）１２の素
子分離領域に熱酸化処理を用いて酸化シリコン膜からな
る素子分離用絶縁膜１３を形成した後、半導体基板１２
の上に、例えば酸化シリコン膜からなるゲート絶縁膜１
４を形成した後、その上にゲート電極１５としての例え
ば不純物としてリンが含まれている多結晶シリコン膜を
形成した後、リソグラフィ技術と選択エッチング技術と
を使用してゲート電極１５およびゲート絶縁膜１４のパ
ターンを形成する。
子分離領域に熱酸化処理を用いて酸化シリコン膜からな
る素子分離用絶縁膜１３を形成した後、半導体基板１２
の上に、例えば酸化シリコン膜からなるゲート絶縁膜１
４を形成した後、その上にゲート電極１５としての例え
ば不純物としてリンが含まれている多結晶シリコン膜を
形成した後、リソグラフィ技術と選択エッチング技術と
を使用してゲート電極１５およびゲート絶縁膜１４のパ
ターンを形成する。
【００４８】その後、半導体基板１２の上に、ＣＶＤ
（Chemical Vapor Deposition ）法を使用して、酸化シ
リコン膜（絶縁膜）を形成した後、リソグラフィ技術と
選択エッチング技術とを使用して、ゲート電極１５の側
壁にサイドウォールスペーサ１６を形成する。次にゲー
ト電極１５などからなるゲート領域をマスクとして、イ
オン注入法を使用して、例えばリンなどのｎ型の不純物
を半導体基板１２にイオン打ち込みした後、熱拡散処理
を行って、ソースおよびドレインとなる半導体領域１７
を形成する。
（Chemical Vapor Deposition ）法を使用して、酸化シ
リコン膜（絶縁膜）を形成した後、リソグラフィ技術と
選択エッチング技術とを使用して、ゲート電極１５の側
壁にサイドウォールスペーサ１６を形成する。次にゲー
ト電極１５などからなるゲート領域をマスクとして、イ
オン注入法を使用して、例えばリンなどのｎ型の不純物
を半導体基板１２にイオン打ち込みした後、熱拡散処理
を行って、ソースおよびドレインとなる半導体領域１７
を形成する。
【００４９】次に、半導体基板１２の上に、酸化シリコ
ン膜（絶縁膜）１８をＣＶＤ法を使用して形成する。こ
の場合、半導体基板１２の上にゲート電極１５などが形
成されているので、酸化シリコン膜１８の表面には段差
部が形成されるので、ＣＭＰ（Chemical Mechanical Po
lishing 、化学機械研磨）法などの研磨法を使用して、
酸化シリコン１８を研磨することによって、その表面を
平坦化処理して平坦な表面を有する酸化シリコン膜１８
とする。
ン膜（絶縁膜）１８をＣＶＤ法を使用して形成する。こ
の場合、半導体基板１２の上にゲート電極１５などが形
成されているので、酸化シリコン膜１８の表面には段差
部が形成されるので、ＣＭＰ（Chemical Mechanical Po
lishing 、化学機械研磨）法などの研磨法を使用して、
酸化シリコン１８を研磨することによって、その表面を
平坦化処理して平坦な表面を有する酸化シリコン膜１８
とする。
【００５０】その後、前述した実施の形態１または実施
の形態２の洗浄装置（半導体製造装置）を用いて、ウエ
ハとしての酸化シリコン膜１８が形成されている半導体
基板１２の洗浄（ウエハ処理）を行う製造工程を行う。
の形態２の洗浄装置（半導体製造装置）を用いて、ウエ
ハとしての酸化シリコン膜１８が形成されている半導体
基板１２の洗浄（ウエハ処理）を行う製造工程を行う。
【００５１】この場合、実施の形態１または実施の形態
２の洗浄装置（半導体製造装置）を用いて、ウエハとし
ての酸化シリコン膜１８が形成されている半導体基板１
２の洗浄（ウエハ処理）を行う製造工程を行っているこ
とにより、洗浄処理（ウエハ処理）の時間を低減化する
ことができた状態で、ウエハに異物、及び金属汚染の影
響を極めて低減化できるので、高信頼度でしかも高性能
な半導体装置を高製造歩留りをもって製造することがで
きる。
２の洗浄装置（半導体製造装置）を用いて、ウエハとし
ての酸化シリコン膜１８が形成されている半導体基板１
２の洗浄（ウエハ処理）を行う製造工程を行っているこ
とにより、洗浄処理（ウエハ処理）の時間を低減化する
ことができた状態で、ウエハに異物、及び金属汚染の影
響を極めて低減化できるので、高信頼度でしかも高性能
な半導体装置を高製造歩留りをもって製造することがで
きる。
【００５２】次に、リソグラフィ技術と選択エッチング
技術とを使用して、酸化シリコン膜１８にスルーホール
（接続孔）を形成する。その後、スルーホールに例えば
タングステン層（金属層）を選択ＣＶＤ法を使用して埋
め込ませて、スルーホールに埋め込まれているタングス
テン層からなるプラグ１９を形成する。
技術とを使用して、酸化シリコン膜１８にスルーホール
（接続孔）を形成する。その後、スルーホールに例えば
タングステン層（金属層）を選択ＣＶＤ法を使用して埋
め込ませて、スルーホールに埋め込まれているタングス
テン層からなるプラグ１９を形成する。
【００５３】次に、半導体基板１２の上に、配線層２０
としての例えば銅層（金属層）をスパッタリング法を使
用して形成する。この場合、配線層２０としての金属層
は、銅層とは別の態様であるアルミニウム層などを適用
することができる。
としての例えば銅層（金属層）をスパッタリング法を使
用して形成する。この場合、配線層２０としての金属層
は、銅層とは別の態様であるアルミニウム層などを適用
することができる。
【００５４】その後、前述した実施の形態１または実施
の形態２の洗浄装置（半導体製造装置）を用いて、ウエ
ハとしての配線層２０が形成されている半導体基板１２
の洗浄（ウエハ処理）を行う製造工程を行う。
の形態２の洗浄装置（半導体製造装置）を用いて、ウエ
ハとしての配線層２０が形成されている半導体基板１２
の洗浄（ウエハ処理）を行う製造工程を行う。
【００５５】この場合、実施の形態１または実施の形態
２の洗浄装置（半導体製造装置）を用いて、ウエハとし
ての配線層２０が形成されている半導体基板１２の洗浄
（ウエハ処理）を行う製造工程を行っていることによ
り、洗浄処理（ウエハ処理）の時間を低減化することが
できた状態で、ウエハに異物、及び金属汚染の影響を極
めて低減化できるので、高信頼度でしかも高性能な半導
体装置を高製造歩留りをもって製造することができる。
２の洗浄装置（半導体製造装置）を用いて、ウエハとし
ての配線層２０が形成されている半導体基板１２の洗浄
（ウエハ処理）を行う製造工程を行っていることによ
り、洗浄処理（ウエハ処理）の時間を低減化することが
できた状態で、ウエハに異物、及び金属汚染の影響を極
めて低減化できるので、高信頼度でしかも高性能な半導
体装置を高製造歩留りをもって製造することができる。
【００５６】次に、リソグラフィ技術と選択エッチング
技術とを使用して、パターン化された配線層２０を形成
する（図７）。
技術とを使用して、パターン化された配線層２０を形成
する（図７）。
【００５７】次に、前述した絶縁膜としての酸化シリコ
ン膜１８の製造工程と配線層２０の製造工程などを使用
して、半導体基板１２の上に、必要に応じて層間絶縁膜
と配線層とを積層させた後、パシベーション膜を形成す
ることにより、半導体集積回路装置の製造工程を終了す
る。
ン膜１８の製造工程と配線層２０の製造工程などを使用
して、半導体基板１２の上に、必要に応じて層間絶縁膜
と配線層とを積層させた後、パシベーション膜を形成す
ることにより、半導体集積回路装置の製造工程を終了す
る。
【００５８】前述した本実施の形態の半導体装置の製造
方法によれば、実施の形態１または実施の形態２の洗浄
装置（半導体製造装置）を用いて、ウエハとしての酸化
シリコン膜１８が形成されている半導体基板１２の洗浄
（ウエハ処理）を行う製造工程を行っており、しかも実
施の形態１または実施の形態２の洗浄装置（半導体製造
装置）を用いて、ウエハとしての配線層２０が形成され
ている半導体基板１２の洗浄（ウエハ処理）を行う製造
工程を行っていることにより、洗浄処理（ウエハ処理）
の時間を低減化することができた状態で、ウエハに異
物、及び金属汚染の影響を極めて低減化できるので、高
信頼度でしかも高性能な半導体装置を高製造歩留りをも
って製造することができる。
方法によれば、実施の形態１または実施の形態２の洗浄
装置（半導体製造装置）を用いて、ウエハとしての酸化
シリコン膜１８が形成されている半導体基板１２の洗浄
（ウエハ処理）を行う製造工程を行っており、しかも実
施の形態１または実施の形態２の洗浄装置（半導体製造
装置）を用いて、ウエハとしての配線層２０が形成され
ている半導体基板１２の洗浄（ウエハ処理）を行う製造
工程を行っていることにより、洗浄処理（ウエハ処理）
の時間を低減化することができた状態で、ウエハに異
物、及び金属汚染の影響を極めて低減化できるので、高
信頼度でしかも高性能な半導体装置を高製造歩留りをも
って製造することができる。
【００５９】以上、本発明者によってなされた発明を発
明の実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は
前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を
逸脱しない範囲で種々変更可能であることはいうまでも
ない。
明の実施の形態に基づき具体的に説明したが、本発明は
前記実施の形態に限定されるものではなく、その要旨を
逸脱しない範囲で種々変更可能であることはいうまでも
ない。
【００６０】例えば、本発明の半導体製造装置は、前述
した実施の形態１および実施の形態２のピン１０を備え
ている洗浄装置以外に、実施の形態１および実施の形態
２のピン１０を備えているエッチング装置とすることが
できる。また、本発明の半導体製造装置は、洗浄装置ま
たはエッチング装置以外の種々の形態のウエハ処理を行
うことができる半導体製造装置に適用することができ
る。
した実施の形態１および実施の形態２のピン１０を備え
ている洗浄装置以外に、実施の形態１および実施の形態
２のピン１０を備えているエッチング装置とすることが
できる。また、本発明の半導体製造装置は、洗浄装置ま
たはエッチング装置以外の種々の形態のウエハ処理を行
うことができる半導体製造装置に適用することができ
る。
【００６１】また、本発明の半導体装置の製造方法は、
半導体素子を形成する半導体基板（ウエハ）をＳＯＩ
（Silicon on Insulator）基板などの基板に変更するこ
とができ、それらの基板に、ＭＯＳＦＥＴ、ＣＭＯＳＦ
ＥＴおよびバイポーラトランジスタなどの種々の半導体
素子を組み合わせた態様の半導体集積回路装置の製造方
法とすることができる。
半導体素子を形成する半導体基板（ウエハ）をＳＯＩ
（Silicon on Insulator）基板などの基板に変更するこ
とができ、それらの基板に、ＭＯＳＦＥＴ、ＣＭＯＳＦ
ＥＴおよびバイポーラトランジスタなどの種々の半導体
素子を組み合わせた態様の半導体集積回路装置の製造方
法とすることができる。
【００６２】さらに、本発明の半導体装置の製造方法
は、ＭＯＳＦＥＴ、ＣＭＯＳＦＥＴ、ＢｉＣＭＯＳＦＥ
Ｔなどを構成要素とするＤＲＡＭ（Dynamic Random Acc
ess Memory）、ＳＲＡＭ（Static Random Access Memor
y ）などのメモリ系、あるいはロジック系などを有する
種々の半導体集積回路装置の製造方法に適用できる。
は、ＭＯＳＦＥＴ、ＣＭＯＳＦＥＴ、ＢｉＣＭＯＳＦＥ
Ｔなどを構成要素とするＤＲＡＭ（Dynamic Random Acc
ess Memory）、ＳＲＡＭ（Static Random Access Memor
y ）などのメモリ系、あるいはロジック系などを有する
種々の半導体集積回路装置の製造方法に適用できる。
【００６３】
【発明の効果】本願において開示される発明のうち、代
表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、
以下のとおりである。
表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、
以下のとおりである。
【００６４】（１）．本発明の洗浄装置（半導体製造装
置）によれば、ウエハを回転させた状態で、洗浄処理
（ウエハ処理）を行う洗浄装置（半導体製造装置）であ
って、ウエハをセットするステージに複数個のピンが設
置されており、ピンは、ステージから浮遊した状態のウ
エハに対して開閉できる機能を有するものであり、ピン
がウエハに対して閉できる機能を行った場合、ウエハを
支持し、ピンがウエハに対して開できる機能を行った場
合、ピンをウエハから離間できる位置に移行できるもの
であることにより、ピンが、ウエハを支持する機能を有
し、しかもピンが支持するウエハの位置を変える機能を
有する洗浄装置（半導体製造装置）とされている。
置）によれば、ウエハを回転させた状態で、洗浄処理
（ウエハ処理）を行う洗浄装置（半導体製造装置）であ
って、ウエハをセットするステージに複数個のピンが設
置されており、ピンは、ステージから浮遊した状態のウ
エハに対して開閉できる機能を有するものであり、ピン
がウエハに対して閉できる機能を行った場合、ウエハを
支持し、ピンがウエハに対して開できる機能を行った場
合、ピンをウエハから離間できる位置に移行できるもの
であることにより、ピンが、ウエハを支持する機能を有
し、しかもピンが支持するウエハの位置を変える機能を
有する洗浄装置（半導体製造装置）とされている。
【００６５】また、本発明の洗浄装置（半導体製造装
置）によれば、ウエハを回転させた状態で、洗浄処理
（ウエハ処理）を行う洗浄装置（半導体製造装置）であ
って、ウエハをセットするステージに複数個のピンが設
置されており、ピンが、回転できる機能を有し、ピンが
ウエハに対して回転できる機能を行なわない場合、ウエ
ハを支持し、ピンが回転できる機能を行った場合、ピン
が支持するウエハの位置を変える機能を有するものであ
ることにより、ピンが、ウエハを支持する機能を有し、
しかもピンが支持するウエハの位置を変える機能を有す
る洗浄装置（半導体製造装置）とされている。
置）によれば、ウエハを回転させた状態で、洗浄処理
（ウエハ処理）を行う洗浄装置（半導体製造装置）であ
って、ウエハをセットするステージに複数個のピンが設
置されており、ピンが、回転できる機能を有し、ピンが
ウエハに対して回転できる機能を行なわない場合、ウエ
ハを支持し、ピンが回転できる機能を行った場合、ピン
が支持するウエハの位置を変える機能を有するものであ
ることにより、ピンが、ウエハを支持する機能を有し、
しかもピンが支持するウエハの位置を変える機能を有す
る洗浄装置（半導体製造装置）とされている。
【００６６】したがって、本発明の洗浄装置（半導体製
造装置）によれば、ウエハの端部がピンにより支持され
ていた箇所（前の箇所）と別の箇所（今回の箇所）に移
動することができることにより、ウエハの持ち変えを行
うことができる。その結果、最初ピンに支持されていた
箇所（前の箇所）がウエハおよびその箇所（前の箇所）
の回転を停止させることなく洗浄させることができるこ
とにより、ウエハおよびその箇所（ピンによる支持部）
を洗浄処理することができる。
造装置）によれば、ウエハの端部がピンにより支持され
ていた箇所（前の箇所）と別の箇所（今回の箇所）に移
動することができることにより、ウエハの持ち変えを行
うことができる。その結果、最初ピンに支持されていた
箇所（前の箇所）がウエハおよびその箇所（前の箇所）
の回転を停止させることなく洗浄させることができるこ
とにより、ウエハおよびその箇所（ピンによる支持部）
を洗浄処理することができる。
【００６７】その結果、本発明の洗浄装置（半導体製造
装置）によれば、回転中のウエハの洗浄処理（ウエハ処
理）が行われている状態で、ウエハに対してピンを開閉
することができることにより、ウエハの回転および洗浄
処理（ウエハ処理）を停止することなくウエハの持ち変
えを行うことができるので、ウエハの持ち変え時間を３
０秒以下とすることができる。したがって、洗浄処理
（ウエハ処理）の時間を低減化することができることに
より、スループットの向上ができる洗浄装置（半導体製
造装置）とすることができる。
装置）によれば、回転中のウエハの洗浄処理（ウエハ処
理）が行われている状態で、ウエハに対してピンを開閉
することができることにより、ウエハの回転および洗浄
処理（ウエハ処理）を停止することなくウエハの持ち変
えを行うことができるので、ウエハの持ち変え時間を３
０秒以下とすることができる。したがって、洗浄処理
（ウエハ処理）の時間を低減化することができることに
より、スループットの向上ができる洗浄装置（半導体製
造装置）とすることができる。
【００６８】（２）．本発明の半導体装置の製造方法に
よれば、前記（１）記載の洗浄装置（半導体製造装置）
を用いて、ウエハとしての酸化シリコン膜（絶縁膜）が
形成されている半導体基板の洗浄（ウエハ処理）を行う
製造工程を行っており、しかも前記（１）記載の洗浄装
置（半導体製造装置）を用いて、ウエハとしての配線層
が形成されている半導体基板の洗浄（ウエハ処理）を行
う製造工程を行っていることにより、洗浄処理（ウエハ
処理）の時間を低減化することができた状態で、ウエハ
に異物、及び金属汚染の影響を極めて低減化できるの
で、高信頼度でしかも高性能な半導体装置を高製造歩留
りをもって製造することができる。
よれば、前記（１）記載の洗浄装置（半導体製造装置）
を用いて、ウエハとしての酸化シリコン膜（絶縁膜）が
形成されている半導体基板の洗浄（ウエハ処理）を行う
製造工程を行っており、しかも前記（１）記載の洗浄装
置（半導体製造装置）を用いて、ウエハとしての配線層
が形成されている半導体基板の洗浄（ウエハ処理）を行
う製造工程を行っていることにより、洗浄処理（ウエハ
処理）の時間を低減化することができた状態で、ウエハ
に異物、及び金属汚染の影響を極めて低減化できるの
で、高信頼度でしかも高性能な半導体装置を高製造歩留
りをもって製造することができる。
【００６９】（３）．本発明の半導体製造装置によれ
ば、前記（１）記載のピンを備えている洗浄装置以外
に、前記（１）記載のピンを備えているエッチング装置
とすることができる。また、本発明の半導体製造装置
は、洗浄装置またはエッチング装置以外の種々の形態の
ウエハ処理を行うことができる半導体製造装置に適用す
ることができる。
ば、前記（１）記載のピンを備えている洗浄装置以外
に、前記（１）記載のピンを備えているエッチング装置
とすることができる。また、本発明の半導体製造装置
は、洗浄装置またはエッチング装置以外の種々の形態の
ウエハ処理を行うことができる半導体製造装置に適用す
ることができる。
【図１】本発明の実施の形態１である洗浄装置を一部断
面化して示す概略構成図である。
面化して示す概略構成図である。
【図２】本発明の実施の形態１である洗浄装置における
ウエハがセットされているステージを示す概略平面図で
ある。
ウエハがセットされているステージを示す概略平面図で
ある。
【図３】図２におけるＡ−Ａ矢視断面を拡大して示す概
略断面図である。
略断面図である。
【図４】図３におけるピンがウエハから離間できる位置
に移行できた状態を示す概略断面図である。
に移行できた状態を示す概略断面図である。
【図５】本発明の実施の形態２である洗浄装置における
ウエハがセットされているステージを拡大して示す概略
断面図である。
ウエハがセットされているステージを拡大して示す概略
断面図である。
【図６】本発明の実施の形態３である半導体装置の製造
工程を示す断面図である。
工程を示す断面図である。
【図７】本発明の実施の形態３である半導体装置の製造
工程を示す断面図である。
工程を示す断面図である。
１ 容器 ２ 薬液供給体 ３ 薬液ノズル ４ 薬液 ５ ステージ ６ ステージ制御部 ７ 窒素ガス供給体 ８ ガス管 ９ 窒素ガス １０ ピン １０ａ ピン１０の開閉方向 １０ｂ ピン１０の回転方向 １１ ウエハ １２ 半導体基板（ウエハ） １３ 素子分離用絶縁膜 １４ ゲート絶縁膜 １５ ゲート電極 １６ サイドウォールスペーサ １７ 半導体領域 １８ 酸化シリコン膜（絶縁膜） １９ プラグ ２０ 配線層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 伊藤 雅樹 東京都青梅市新町六丁目16番地の３ 株式 会社日立製作所デバイス開発センタ内 (72)発明者 佐伯 智則 神奈川県横浜市戸塚区吉田町292番地 株 式会社日立製作所生産技術研究所内 Ｆターム(参考） 5F031 CA02 HA24 HA27 HA34 MA23 NA04 5F045 BB08 BB14 DP28 EB13 EE14 EM02 EM03 EM10
Claims (9)
- 【請求項１】 ウエハを回転させた状態で、ウエハ処理
を行う半導体製造装置であって、前記ウエハをセットす
るステージに複数個のピンが設置されており、前記ピン
が、前記ウエハを支持する機能を有し、しかも前記ピン
が支持する前記ウエハの位置を変える機能を有すること
を特徴とする半導体製造装置。 - 【請求項２】 請求項１記載の半導体製造装置であっ
て、前記ステージには、窒素ガス供給体に取り付けられ
ているガス管が設置されており、前記ガス管が設置され
ている前記ステージから放出される窒素ガスにより、前
記ステージより前記ウエハを浮遊することができること
を特徴とする半導体製造装置。 - 【請求項３】 請求項１または２記載の半導体製造装置
であって、前記ピンが、前記ウエハに対して開閉できる
機能を有し、前記ピンが前記ウエハに対して閉できる機
能を行った場合、前記ウエハを支持し、前記ピンが前記
ウエハに対して開できる機能を行った場合、前記ピンを
前記ウエハから離間できる位置に移行できることを特徴
とする半導体製造装置。 - 【請求項４】 請求項１または２記載の半導体製造装置
であって、前記ピンが、回転できる機能を有し、前記ピ
ンが前記ウエハに対して回転できる機能を行なわない場
合、前記ウエハを支持し、前記ピンが回転できる機能を
行った場合、前記ピンが支持する前記ウエハの位置を変
える機能を有することを特徴とする半導体製造装置。 - 【請求項５】 請求項１〜４のいずれか１項に記載の半
導体製造装置であって、前記半導体製造装置は、前記ウ
エハを回転させた状態で、前記ウエハの洗浄処理を行う
洗浄装置であることを特徴とする半導体製造装置。 - 【請求項６】 請求項１〜４のいずれか１項に記載の半
導体製造装置であって、前記半導体製造装置は、前記ウ
エハを回転させた状態で、前記ウエハのエッチング処理
を行うエッチング装置であることを特徴とする半導体製
造装置。 - 【請求項７】 請求項１〜４のいずれか１項に記載の半
導体製造装置を使用して、半導体装置を製造するための
ウエハのウエハ処理を行う製造工程を有することを特徴
とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項８】 請求項７記載の半導体装置の製造方法で
あって、前記ウエハのウエハ処理を行う製造工程は、ウ
エハの洗浄処理を行う製造工程とされていることを特徴
とする半導体装置の製造方法。 - 【請求項９】 請求項８記載の半導体装置の製造方法で
あって、前記ウエハの洗浄処理を行う製造工程は、配線
層または絶縁膜が形成された後の、前記ウエハの洗浄処
理を行う製造工程とされていることを特徴とする半導体
装置の製造方法。
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| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11769099A JP2000306877A (ja) | 1999-04-26 | 1999-04-26 | 半導体製造装置および半導体装置の製造方法 |
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|---|---|
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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|---|---|---|---|---|
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| CN112735989A (zh) * | 2020-12-31 | 2021-04-30 | 至微半导体(上海)有限公司 | 一种适用于供酸系统的高洁净湿法设备 |
| CN112735985A (zh) * | 2020-12-31 | 2021-04-30 | 至微半导体(上海)有限公司 | 一种单片式湿法清洗设备 |
| CN112786493A (zh) * | 2020-12-31 | 2021-05-11 | 至微半导体(上海)有限公司 | 一种有效防止晶圆交叉污染的气流控制模组 |
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-
1999
- 1999-04-26 JP JP11769099A patent/JP2000306877A/ja active Pending
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