JP2000306543A - Ion implanter - Google Patents
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、イオン注入装置及
びイオン注入方法に関するものである。特には、イオン
発生源からイオンを引き出す経路に汚れが付着するのを
抑制することにより装置稼働率を向上させたイオン注入
装置及びイオン注入方法に関するものである。The present invention relates to an ion implantation apparatus and an ion implantation method. In particular, the present invention relates to an ion implantation apparatus and an ion implantation method that improve the operation rate of an apparatus by suppressing the attachment of dirt to a path for extracting ions from an ion source.
【０００２】[0002]
【従来の技術】図５は、従来のイオン注入装置を示す模
式図である。このイオン注入装置は、イオン化が行われ
るイオンソース３１及びボンベボックス３５等から構成
されている。イオンソース３１の内側にはアークチャン
バー３２とベーパーライザー３３が設けられており、イ
オンソース３１外側のボンベボックス３５の内側にはＡ
ｒ等の不活性ガスボンベ８２及び原料ガスボンベ８１が
設置されている。2. Description of the Related Art FIG. 5 is a schematic view showing a conventional ion implantation apparatus. This ion implantation apparatus includes an ion source 31 for ionization, a cylinder box 35, and the like. An arc chamber 32 and a vapor riser 33 are provided inside the ion source 31, and A inside the cylinder box 35 outside the ion source 31.
An inert gas cylinder 82 such as r and a source gas cylinder 81 are provided.
【０００３】次に動作について説明する。Next, the operation will be described.
【０００４】アークチャンバー３２内へのガスの供給方
法としては、２つの方法が主に用いられている。１つ
は、イオンソース３１内に設置したベーパーライザー３
３の内部に充填した固体原料をヒーター（図示せず）に
よって気化させてアークチャンバー３２に供給する方法
である。他の１つは、外部のボンベボックス３５内に設
置した原料ガスボンベ８１をガス導入管３４に接続され
た電磁弁６３、６４、マスフローコントローラー（流量
調節器）７２を介してアークチャンバー３２内に供給す
る方法である。[0004] As a method of supplying gas into the arc chamber 32, two methods are mainly used. One is a vapor riser 3 installed in the ion source 31.
3 is a method in which the solid raw material filled in the inside 3 is vaporized by a heater (not shown) and supplied to the arc chamber 32. The other is to supply a raw material gas cylinder 81 installed in an external cylinder box 35 into the arc chamber 32 via solenoid valves 63 and 64 connected to the gas introduction pipe 34 and a mass flow controller (flow rate controller) 72. How to
【０００５】このようにしてアークチャンバー３２内に
供給されたイオンソースガスは、アークチャンバー３２
内のフィラメント（図示せず）から発生した電子の衝突
によりイオン化される。このイオンは引き出し電極（図
示せず）により引出され、加速電極（図示せず）にてイ
オンが加速され、次いで質量分析器（図示せず）で所望
のイオンが選択され、そのイオンがウェーハに注入され
る。[0005] The ion source gas supplied into the arc chamber 32 in this manner is supplied to the arc chamber 32.
It is ionized by collision of electrons generated from a filament (not shown) in the inside. These ions are extracted by an extraction electrode (not shown), ions are accelerated by an acceleration electrode (not shown), and then desired ions are selected by a mass analyzer (not shown). Injected.
【０００６】ところで、上記イオン注入装置では、定期
的にアークチャンバー３２をはじめとしてイオン注入装
置内部のイオンビーム軌道の真空チャンバー内壁をクリ
ーニングして装置内部の導電性の固体（汚れ）を取り除
く必要がある。この具体的な方法としては、イオン注入
の生産作業を一旦中止し、専用に設けたアルゴンガス導
入系統（不活性ガスボンベ８２、電磁弁６１，６２、マ
スフローコントローラー７１）からイオン発生源にアル
ゴンガスを導入し、それをイオン化して付着物をスパッ
タリングにより除去する方法がある。また、別の方法に
は、イオン注入装置の真空を破り長時間かけて分解クリ
ーニングをして除去する方法がある。In the above ion implantation apparatus, it is necessary to periodically clean the inner wall of the vacuum chamber of the ion beam orbit inside the ion implantation apparatus including the arc chamber 32 to remove conductive solids (dirt) inside the apparatus. is there. As a specific method, the ion implantation production operation is temporarily stopped, and argon gas is supplied to an ion source from an argon gas introduction system (inert gas cylinder 82, solenoid valves 61 and 62, and mass flow controller 71) provided exclusively. There is a method in which the deposit is introduced, ionized, and attached matter is removed by sputtering. As another method, there is a method in which the vacuum of the ion implantation apparatus is broken to perform decomposition cleaning over a long period of time to remove.
【０００７】このようにクリーニングをしなければなら
ない理由は以下の通りである。The reason why such cleaning is required is as follows.
【０００８】イオン注入装置における高電圧印加部位で
の放電を防ぎ、装置故障を事前に防ぐためである。ま
た、ベーパーライザー３３で固体原料を気化させて使用
する場合にアークチャンバー３２内にアークを発生し易
くするためである。また、アークチャンバー３２、アー
クチャンバー内のフィラメント、引き出し電極を中空に
浮かせるための絶縁碍子に導電性の被膜が付着してしま
う。すると、フィラメントが絶縁破壊を起し不安定にな
り更に異常放電に至り、希望するイオンの加速ができな
くなる。その結果、イオン注入が中断したり、適切なイ
オン注入が行われないことによって半導体装置の特性を
変化させることとなる。したがって、イオン注入装置内
部におけるイオンビーム軌道の真空チャンバー内壁を定
期的にクリーニングする必要がある。This is to prevent a discharge at a high voltage application site in the ion implantation apparatus and to prevent a failure of the apparatus in advance. Further, when the solid raw material is vaporized by the vapor riser 33 and used, an arc is easily generated in the arc chamber 32. In addition, a conductive coating adheres to the arc chamber 32, the filament in the arc chamber, and the insulator for floating the extraction electrode in the air. Then, the filament causes dielectric breakdown, becomes unstable, further leads to abnormal discharge, and cannot accelerate desired ions. As a result, the characteristics of the semiconductor device are changed due to the interruption of the ion implantation or the failure of appropriate ion implantation. Therefore, it is necessary to periodically clean the inner wall of the vacuum chamber of the ion beam trajectory inside the ion implantation apparatus.
【０００９】[0009]
【発明が解決しようとする課題】上記従来のイオン注入
装置では、上述したようにイオン注入の生産作業の合間
に一旦作業を中止し、メンテナンス作業として不活性ガ
スイオンによるクリーニングを行う必要がある。このた
め、クリーニング作業時間により装置稼働率が低下し、
生産効率が著しく低下するという問題がある。As described above, in the above-described conventional ion implantation apparatus, it is necessary to temporarily stop the operation during the production operation of the ion implantation and to perform cleaning with inert gas ions as a maintenance operation. For this reason, the device operation rate decreases due to the cleaning operation time,
There is a problem that production efficiency is significantly reduced.
【００１０】一方、特開平３−１６３７３５号公報のよ
うに、Ｏ，Ｃ，ＣＯのイオンソースガスによってイオン
導入経路の内壁が酸化されることや炭素で汚染されるこ
とを防止するため、このイオンソースガスに２０〜８０
vol％の不活性なアルゴンを混合することによりイオン
注入を行いながら装置内部をクリーニングする方法があ
る。しかし、上記従来のイオン注入方法には、この特開
平３−１６３７３５号公報に記載されているアルゴンを
混合する方法が以下の理由により適用できない。On the other hand, as disclosed in JP-A-3-163735, in order to prevent the inner wall of the ion introduction path from being oxidized or contaminated with carbon by the ion source gas of O, C, and CO, 20-80 for source gas
There is a method of cleaning the inside of the apparatus while performing ion implantation by mixing vol% of inert argon. However, the method of mixing argon described in JP-A-3-163735 cannot be applied to the conventional ion implantation method for the following reasons.
【００１１】上記従来のイオン注入方法では、不純物の
イオンソースガスとして三弗化ホウ素ＢＦ3、ホスフィ
ンＰＨ3、アルシンＡｓＨ3などを水素などの活性なガス
で希釈したガスを使用している。このガスを用いるイオ
ン注入の場合に、該ガスに２０〜８０vol％のアルゴン
を混合するのは、アルゴンの混合割合が大きすぎる。こ
のため、三弗化ホウ素、ホスフィン、アルシンなどのイ
オン注入では、目的のイオンの集率が減少しイオン注入
の処理能力を著しく低下させてしまうからである。In the above-mentioned conventional ion implantation method, a gas obtained by diluting boron trifluoride BF 3 , phosphine PH 3 , arsine AsH 3 or the like with an active gas such as hydrogen is used as an ion source gas for impurities. In the case of ion implantation using this gas, if the gas is mixed with 20 to 80 vol% of argon, the mixing ratio of argon is too large. For this reason, in ion implantation of boron trifluoride, phosphine, arsine, or the like, the concentration of target ions is reduced, and the processing capability of ion implantation is significantly reduced.
【００１２】このような事情から、ホウ素、ホスフィ
ン、アルシンなどの所望する不純物のイオン注入を行う
と同時に、イオン注入経路の内壁に導電性被膜が付着す
るのを防止、除去することができ、更に目的のイオン電
流の集率を向上させることができるイオン注入方法が求
められている。また、高電圧印可部位での放電要因を減
少させることで半導体装置の特性を安定させること、イ
オン注入を停止させて行なう導電性の付着物除去作業の
頻度を減少させることにより、半導体装置の品質の安定
と生産性の向上を実現することが求められている。[0012] Under these circumstances, while ion implantation of desired impurities such as boron, phosphine, and arsine is performed, it is possible to prevent and remove the conductive coating from adhering to the inner wall of the ion implantation path. There is a need for an ion implantation method that can improve the concentration of the target ion current. In addition, the characteristics of the semiconductor device are stabilized by reducing the discharge factor at the high voltage application site, and by reducing the frequency of the conductive deposit removal work performed by stopping the ion implantation. There is a need to achieve stability and productivity improvement.
【００１３】本発明は上記のような事情を考慮してなさ
れたものであり、その目的は、イオン発生源からイオン
を引き出す経路に汚れが付着するのを抑制することによ
り装置稼働率を向上させたイオン注入装置及びイオン注
入方法を提供することにある。The present invention has been made in view of the above circumstances, and an object of the present invention is to improve the operation rate of an apparatus by suppressing the attachment of dirt to a path for extracting ions from an ion source. To provide an ion implantation apparatus and an ion implantation method.
【００１４】[0014]
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、本発明に係るイオン注入方法は、半導体装置の基板
へ不純物導入を行うためのイオン注入工程において、イ
オン注入装置のイオン発生源に使用されるイオンソース
ガスにアルゴン等の不活性ガスをあらかじめ所定量混合
させることを特徴とする。In order to solve the above-mentioned problems, an ion implantation method according to the present invention is used for an ion source of an ion implantation apparatus in an ion implantation step for introducing impurities into a substrate of a semiconductor device. It is characterized in that a predetermined amount of an inert gas such as argon is mixed in advance with the ion source gas to be used.
【００１５】また、本発明に係るイオン注入装置は、半
導体装置の基板へ不純物導入を行うためのイオン注入装
置において、イオン発生源に供給されるイオンソースガ
スにはアルゴン等の不活性ガスがあらかじめ所定量混合
されていることを特徴とする。The ion implantation apparatus according to the present invention is an ion implantation apparatus for introducing impurities into a substrate of a semiconductor device, wherein an inert gas such as argon is previously supplied to an ion source gas supplied to an ion source. It is characterized in that a predetermined amount is mixed.
【００１６】また、本発明に係るイオン注入方法は、基
板にイオンを注入するイオン注入方法であって、注入す
るイオンを発生させるイオン発生源に、イオンソースガ
スに２０Vo1％以下のアルゴンガスを混合した混合ガス
を供給することを特徴とする。また、アルゴンガスの混
合割合は１０Vo1％以下がより好ましい。The ion implantation method according to the present invention is an ion implantation method for implanting ions into a substrate, wherein an ion source for generating ions to be implanted is mixed with an argon gas of 20 Vo1% or less as an ion source gas. The mixed gas is supplied. The mixing ratio of the argon gas is more preferably 10 Vo1% or less.
【００１７】上記イオン注入方法では、イオンソースガ
スに２０Vo1％以下のアルゴンガスを混合した混合ガス
を用いることにより、イオン発生源においてアルゴンも
熱電子の衝撃によりプラズマ状態となり、イオンソース
ガスと共にイオン化される。その結果、イオン発生源で
発生したイオンを基板に注入するためのイオンの経路に
付着した付着物（導電性の固体）を、アルゴンのスパッ
タリングによるクリーニング効果によって除去し、抑制
することができる。In the above-described ion implantation method, by using a mixed gas in which an argon gas of 20 Vo1% or less is mixed into the ion source gas, the argon in the ion generating source is also brought into a plasma state by the impact of thermionic electrons and ionized together with the ion source gas. You. As a result, deposits (conductive solids) adhering to the path of ions for implanting ions generated by the ion generation source into the substrate can be removed and suppressed by the cleaning effect of argon sputtering.
【００１８】また、本発明に係るイオン注入装置は、基
板に不純物を導入するためのイオン注入装置であって、
注入するイオンを発生させるイオン発生源と、該イオン
発生源に接続されたガス導入管と、該ガス導入管にイオ
ンソースガスを供給するイオンソースガス供給手段と、
該ガス導入管に、該イオンソースガスに対して２０Vo1
％以下のアルゴンガスを供給するアルゴンガス供給手段
と、を具備することを特徴とする。Further, an ion implantation apparatus according to the present invention is an ion implantation apparatus for introducing impurities into a substrate,
An ion generation source for generating ions to be implanted, a gas introduction pipe connected to the ion generation source, an ion source gas supply unit for supplying an ion source gas to the gas introduction pipe,
20Vo1 with respect to the ion source gas in the gas introduction pipe.
% Argon gas supply means for supplying an argon gas of at most%.
【００１９】上記イオン注入装置では、該装置を頻繁に
停止して個別に実施していたアルゴンガスによるクリー
ニングとイオン発生源および引き出し電極周辺の分解ク
リーニング頻度を軽減することができる。このため、半
導体装置の生産能力を容易に飛躍的に向上させることが
できる。In the above-described ion implantation apparatus, it is possible to reduce the frequency of cleaning with the argon gas and the frequency of disassembly cleaning around the ion source and the extraction electrode, which have been individually performed by frequently stopping the apparatus. Therefore, the production capacity of the semiconductor device can be easily and dramatically improved.
【００２０】また、イオンソースガスとアルゴンガスを
別系統から流入させてガス導入管で混合させることによ
り、イオンソースガス又はアルゴンガスを供給する量を
調整することにより混合濃度を２０Vo1％以下の範囲で
任意に変化させることが可能となる。Further, the ion source gas and the argon gas are introduced from different systems and mixed by a gas introduction pipe, so that the supply amount of the ion source gas or the argon gas is adjusted so that the mixed concentration is within a range of 20 Vo1% or less. Can be changed arbitrarily.
【００２１】また、本発明に係るイオン注入装置は、基
板に不純物を導入するためのイオン注入装置であって、
注入するイオンを発生させるイオン発生源と、該イオン
発生源に接続されたガス導入管と、該ガス導入管に接続
された、イオンソースガスに２０Vo1％以下のアルゴン
ガスを混合した混合ガスが入れられたガスボンベと、を
具備することを特徴とする。このようにあらかじめガス
ボンベの中でイオンソースガスとアルゴンガスとを混合
しておくことにより、イオン発生源にガスを導入するガ
ス導入経路を簡略化することができる。Further, an ion implantation apparatus according to the present invention is an ion implantation apparatus for introducing impurities into a substrate,
An ion source for generating ions to be implanted, a gas inlet tube connected to the ion source, and a mixed gas of an ion source gas and an argon gas of 20 Vo1% or less mixed with the ion source gas are connected to the gas inlet tube. And a gas cylinder provided. As described above, by previously mixing the ion source gas and the argon gas in the gas cylinder, the gas introduction path for introducing the gas to the ion source can be simplified.
【００２２】また、上記イオンソースガスが、ＢＦ3、
ＰＨ3、ＡｓＨ3、ＧｅＦ4、及びＳｉＦ4のうちのいずれ
かを有するガスであることが好ましい。The ion source gas is BF 3 ,
It is preferable that the gas be any of PH 3 , AsH 3 , GeF 4 , and SiF 4 .
【００２３】また、本発明に係るイオン注入方法は、ガ
スボンベからの原料ガスをアークチャンバー内に供給し
てイオン化し、電界で加速したのち所望するイオンを選
択して半導体基板に注入するイオン注入方法において、
所定の不活性ガスを所定量添加した原料ガスを供給して
イオン化することを特徴とする。The ion implantation method according to the present invention is directed to an ion implantation method in which a source gas from a gas cylinder is supplied into an arc chamber to be ionized, accelerated by an electric field, and then desired ions are selected and implanted into a semiconductor substrate. At
It is characterized in that a source gas to which a predetermined amount of a predetermined inert gas is added is supplied and ionized.
【００２４】また、本発明に係るイオン注入方法は、ベ
ーパーライザーに充填した固体原料を気化させ、このガ
スをアークチャンバー内に供給してイオン化し、電界で
加速したのち所望するイオンを選択して半導体基板に注
入するイオン注入方法において、上記アークチャンバー
内に固体原料からのガスと同時に所定の不活性ガスを所
定量供給してイオン化することを特徴とする。Further, in the ion implantation method according to the present invention, the solid material filled in the vaporizer is vaporized, and this gas is supplied into an arc chamber to be ionized, accelerated by an electric field, and then desired ions are selected. In the ion implantation method for injecting into a semiconductor substrate, a predetermined amount of a predetermined inert gas is supplied into the arc chamber at the same time as the gas from the solid raw material to be ionized.
【００２５】上記イオン注入方法では、クリーニング効
果をもつ不活性ガスを所定量添加した原料ガスボトルを
使用することにより、イオン注入の生産作業時にイオン
注入装置内部では所望のイオン注入作業と同時にＡｒ等
の不活性ガスイオンが発生し装置内部のクリーニングが
同時に行われる。このため、生産作業とは別にメンテナ
ンス作業時間を取る必要がなくなる。In the above-described ion implantation method, a source gas bottle to which a predetermined amount of an inert gas having a cleaning effect is added is used, so that a desired ion implantation operation is performed simultaneously with Ar or the like inside the ion implantation apparatus during the ion implantation production operation. The inert gas ions are generated to clean the inside of the apparatus at the same time. Therefore, it is not necessary to take maintenance work time separately from the production work.
【００２６】また、固体原料を気化させて使用する場合
においても同様の効果を得るため、アークチャンバー内
に固体原料からの気化ガスとともに所定量の不活性ガス
を導入するようにしたものである。In order to obtain the same effect even when the solid raw material is used after being vaporized, a predetermined amount of inert gas is introduced into the arc chamber together with the vaporized gas from the solid raw material.
【００２７】[0027]
【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施の形態を説明する。Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.
【００２８】図１は、本発明の第１の実施の形態による
イオン注入装置を示す模式図である。FIG. 1 is a schematic diagram showing an ion implantation apparatus according to a first embodiment of the present invention.
【００２９】図１に示すように、このイオン注入装置
は、アークチャンバー５内に電界及び磁界をかけ、フィ
ラメント７より発生する熱電子とガス導入管４より導入
するイオンソースガスにより、プラズマを生成してい
る。As shown in FIG. 1, the ion implantation apparatus applies an electric field and a magnetic field to the arc chamber 5, and generates plasma by thermionic electrons generated from the filament 7 and the ion source gas introduced from the gas introduction pipe 4. are doing.
【００３０】アルゴン等の不活性ガスボンベ２は電磁弁
１６、マスフローコントローラー３を介してガス導入管
４に接続されている。三弗化ホウ素（ＢＦ3）のイオン
ソースガスボンベ１ａは電磁弁１６、マスフローコント
ローラー３を介してガス導入管４に接続されている。水
素ベースのホスフィンのイオンソースガスボンベ（ＰＨ
3／Ｈ2）１ｂは電磁弁１６、マスフローコントローラー
３を介してガス導入管４に接続されている。このときの
イオンソースガスボンベ１ｂにおけるＰＨ3の混合比は
１５〜５０％である。アルシンのイオンソースガスボン
ベ（ＡｓＨ3／Ｈ2）１ｃは電磁弁１６、マスフローコン
トローラー３を介してガス導入管４に接続されている。
このときのイオンソースガスボンベ１ｃにおけるＡｓＨ
3の混合比は約１５％である。ガス導入管４はアークチ
ャンバー５に接続されている。つまり、三弗化ホウ素に
２０Vo1％以下のアルゴンを混合した混合ガス、ホスフ
ィンに２０Vo1％以下のアルゴンを混合した混合ガス、
又は、アルシンに２０Vo1％以下のアルゴンを混合した
混合ガスそれぞれが、ガス導入管４を通してアークチャ
ンバー５に導入される構成になっている。また、ガス導
入管４内において三弗化ホウ素、ホスフィン又はアルシ
ンにアルゴンを混合する際は、マスフローコントローラ
ー１６によりアルゴンの流量が２０Vo1％以下となるよ
うに調節される。An inert gas cylinder 2 such as argon is connected to a gas introduction pipe 4 via a solenoid valve 16 and a mass flow controller 3. An ion source gas cylinder 1a of boron trifluoride (BF 3 ) is connected to a gas introduction pipe 4 via a solenoid valve 16 and a mass flow controller 3. Hydrogen-based phosphine ion source gas cylinder (PH
3 / H 2 ) 1 b is connected to the gas inlet pipe 4 via the solenoid valve 16 and the mass flow controller 3. At this time, the mixing ratio of PH 3 in the ion source gas cylinder 1b is 15 to 50%. The arsine ion source gas cylinder (AsH 3 / H 2 ) 1 c is connected to the gas introduction pipe 4 via the solenoid valve 16 and the mass flow controller 3.
AsH in the ion source gas cylinder 1c at this time
The mixing ratio of 3 is about 15%. The gas introduction pipe 4 is connected to the arc chamber 5. That is, a mixed gas in which boron trifluoride is mixed with 20 Vo1% or less of argon, a mixed gas in which phosphine is mixed with 20 Vo1% or less of argon,
Alternatively, each of the mixed gas obtained by mixing Arsine with argon of 20 Vo1% or less is introduced into the arc chamber 5 through the gas introduction pipe 4. Further, when mixing argon with boron trifluoride, phosphine or arsine in the gas introducing pipe 4, the flow rate of argon is adjusted by the mass flow controller 16 to be 20 Vo1% or less.
【００３１】アークチャンバー５内にはフィラメント７
が配置されており、アークチャンバー５の外側には電磁
石６が配置されている。したがって、アークチャンバー
５内に導入されたイオンソースガスは、真空中で電流を
流したフィラメント７から発生する熱電子と、電磁石６
の磁場と、アークチャンバー５とフィラメント７にかけ
られた電界によりプラズマ状態８となりイオン化する。In the arc chamber 5, a filament 7 is provided.
Are arranged, and an electromagnet 6 is arranged outside the arc chamber 5. Therefore, the ion source gas introduced into the arc chamber 5 contains thermoelectrons generated from the filament 7 to which a current has flowed in a vacuum,
, And an electric field applied to the arc chamber 5 and the filament 7 to form a plasma state 8 for ionization.
【００３２】アークチャンバー５から発生したイオンが
引き出されたイオン電流１０が通過する軌道に沿って順
に引き出し電極９、質量分析器１１、イオン加速器１
３、イオン走査部１４、半導体基板１５が配置されてい
る。An extraction electrode 9, a mass analyzer 11, and an ion accelerator 1 are sequentially arranged along a trajectory through which an ion current 10 from which ions generated from the arc chamber 5 are extracted passes.
3, an ion scanning unit 14, and a semiconductor substrate 15 are arranged.
【００３３】すなわち、発生したイオンを引き出すため
の引き出し電極９はアークチャンバー５のスリットに対
向する位置に設置されている。この引き出し電極９に負
の電位を印加することにより該スリットを介して発生し
た全てのイオン電流１０が引き出される。That is, the extraction electrode 9 for extracting the generated ions is provided at a position facing the slit of the arc chamber 5. By applying a negative potential to the extraction electrode 9, all ion currents 10 generated through the slit are extracted.
【００３４】このように引き出されたイオン電流１０か
ら所定のイオンのみを抽出するための磁場による質量分
析器１１が引き出し電極９に対向する位置に設置されて
いる。この質量分析器１１の中をイオン電流１０が通過
することにより、所定のイオンのみが注出され、アルゴ
ンイオンを含む分離されたその他のイオン１２は質量分
析器１１内で消滅する。A mass analyzer 11 using a magnetic field for extracting only predetermined ions from the extracted ion current 10 is provided at a position facing the extraction electrode 9. As the ion current 10 passes through the mass analyzer 11, only predetermined ions are ejected, and the other separated ions 12 including argon ions disappear in the mass analyzer 11.
【００３５】質量分析器１１における抽出されたイオン
の出口に対向する位置にイオン加速部１３が配置されて
おり、その隣りにはイオン走査部１４が配置されてい
る。イオン走査部１４におけるイオンの出口に対向する
位置には半導体基板１５が載置されている。したがっ
て、質量分析器１１で抽出されたイオンは、イオン加速
部１３において所定の加速エネルギーを与えられ、イオ
ン走査部１４を経て半導体基板１５へ均一に注入され
る。An ion accelerator 13 is arranged at a position facing the exit of the extracted ions in the mass analyzer 11, and an ion scanner 14 is arranged next to the ion accelerator. A semiconductor substrate 15 is placed at a position facing the ion exit in the ion scanning section 14. Therefore, the ions extracted by the mass analyzer 11 are given predetermined acceleration energy in the ion accelerator 13 and are uniformly injected into the semiconductor substrate 15 through the ion scanner 14.
【００３６】上記第１の実施の形態によれば、三弗化ホ
ウ素、ホスフィン及びアルシンのうちのいずれかにアル
ゴンの体積比が２０Vo1％以下になるようにマスフロー
コントローラーを制御し、得られた混合ガスをアークチ
ャンバー５に導入してイオン注入を行う。このため、こ
のようにイオンソースガスに混合したアルゴンは、イオ
ン発生源で所定のイオンやその他のイオンと同時にイオ
ン化され、引き出し電極９によって引き出される。その
過程で、イオンソースガス又はそれがイオン化されたイ
オンが堆積することによってアークチャンバー５や引き
出し電極９周辺のスリット、絶縁物などに付着している
導電膜を、アルゴンでスパッタリングしながら他のイオ
ンの付着防止と除去を行なう。このようにイオン注入を
行うと同時に不活性ガスイオンによるクリーニングも行
うことができるため、従来のイオン注入装置のようにイ
オン注入作業を一旦停止してクリーニング作業を行わな
くても、イオンを引き出す引き出し電極９での異常放電
の発生がなくなり、安定した電圧でイオンを供給でき
る。更にイオンの加速エネルギーが安定するため、半導
体装置の特性も安定させることができる。その結果、半
導体装置の品質も向上させることができる。したがっ
て、クリーニング作業時間による装置稼働率の低下を防
止でき、従来のイオン注入装置に比べて生産効率を向上
させることができる。なお、アークチャンバー５で発生
したアルゴンイオンは、その後質量分析器１１内で分離
されるため、半導体基板１５に導入されるのは所定のイ
オンだけとなりアルゴンは半導体装置の基板には到達し
ない。従って、従来の半導体装置の特性が変化すること
なく、同じ特性を維持できる。According to the first embodiment, the mass flow controller is controlled so that the volume ratio of argon to any one of boron trifluoride, phosphine and arsine is 20 Vo1% or less, and the obtained mixing is obtained. Gas is introduced into the arc chamber 5 to perform ion implantation. Therefore, the argon mixed in the ion source gas is ionized simultaneously with predetermined ions and other ions in the ion source, and is extracted by the extraction electrode 9. In the process, the ion source gas or the ionized ion is deposited on the conductive film adhering to the slits and insulators around the arc chamber 5 and the extraction electrode 9 while sputtering other ions while sputtering with argon. To prevent and remove adhesion. As described above, since the cleaning by inert gas ions can be performed at the same time as performing the ion implantation, it is possible to draw out the ions without stopping the ion implantation work and performing the cleaning work as in the conventional ion implantation apparatus. The occurrence of abnormal discharge at the electrode 9 is eliminated, and ions can be supplied at a stable voltage. Further, since the acceleration energy of the ions is stabilized, the characteristics of the semiconductor device can be stabilized. As a result, the quality of the semiconductor device can be improved. Therefore, it is possible to prevent a decrease in the operation rate of the apparatus due to the cleaning operation time, and it is possible to improve production efficiency as compared with the conventional ion implantation apparatus. Since the argon ions generated in the arc chamber 5 are subsequently separated in the mass analyzer 11, only predetermined ions are introduced into the semiconductor substrate 15, and the argon does not reach the substrate of the semiconductor device. Therefore, the same characteristics can be maintained without changing the characteristics of the conventional semiconductor device.
【００３７】また、三弗化ホウ素等のイオンソースガス
に混合するアルゴンなどの不活性ガスの比率を２０Vo1
％以下としているのは、２０Vo1％以下で十分クリーニ
ング効果を有することを確認したからである。The ratio of an inert gas such as argon mixed with an ion source gas such as boron trifluoride is set to 20 Vo1
% Or less because it was confirmed that a cleaning effect was sufficiently obtained at 20 Vo1% or less.
【００３８】図２は、三弗化ホウ素ＢＦ3にアルゴンを
混合した混合ガスをイオンソースガスとして図１に示す
イオン注入装置に用いた場合、及び、ホスフィンにアル
ゴンを混合した混合ガスをイオンソースガスとして図１
に示すイオン注入装置に用いた場合それぞれにおけるア
ルゴン混合割合とイオン電流量との関係を示すグラフで
ある。この図において縦軸は、アルゴンを含まないイオ
ンソースガスにより得られるイオン電流量を１とした場
合、それと比較した混合ガスにより得られる電流量の割
合である。FIG. 2 shows a case where a mixed gas obtained by mixing boron trifluoride BF 3 with argon is used as an ion source gas in the ion implantation apparatus shown in FIG. 1 and a mixed gas obtained by mixing phosphine with argon is used as an ion source. Figure 1 as gas
7 is a graph showing the relationship between the argon mixing ratio and the amount of ion current in each case where the ion implantation apparatus shown in FIG. In this figure, the vertical axis represents the ratio of the current amount obtained by the mixed gas when the ion current amount obtained by the ion source gas containing no argon is set to 1.
【００３９】図２に示す通り、アルゴン混合割合が２０
Vo1％を超える混合ガスでは、所定のイオンの集率が混
合しない場合（混合割合０Vo1％）と比較して約半分以
下となってしまう。このため、アルゴン混合割合が２０
Vo1％を超える混合ガスを用いると、アルゴンイオンに
よるクリーニングを行うことはできるが、イオン注入時
間が増大し逆に生産効率を低下させてしまうことにな
る。したがって、アルゴン混合割合が２０Vo1％以下で
あれば、十分に所定イオンの集率を確保しながらアルゴ
ンのクリーニング効果を発揮させることができる。ま
た、より好ましくは、アルゴンの混合割合が１０Vo1％
以下である。As shown in FIG. 2, when the argon mixture ratio is 20
In the case of the mixed gas exceeding Vo1%, the predetermined ion collection rate is about half or less as compared with the case where the ions are not mixed (mixing ratio 0 Vo1%). For this reason, the argon mixing ratio is 20
If a mixed gas exceeding Vo1% is used, cleaning with argon ions can be performed, but the ion implantation time is increased and the production efficiency is reduced. Therefore, if the argon mixing ratio is 20 Vo1% or less, the argon cleaning effect can be exerted while sufficiently securing a predetermined ion collection rate. More preferably, the mixing ratio of argon is 10 Vo1%.
It is as follows.
【００４０】尚、上記第1の実施の形態では、アルゴン
などの不活性ガスを用いているが、必ずしも不活性ガス
に限らず、スパッタリング効果が期待できる元素であれ
ば他の元素を用いることも可能である。In the first embodiment, an inert gas such as argon is used. However, the present invention is not necessarily limited to the inert gas, and other elements can be used as long as a sputtering effect can be expected. It is possible.
【００４１】また、イオンソースガスとしてＢＦ3、Ｐ
Ｈ3又はＡｓＨ3を用いているが、他のイオンソースガス
を用いることも可能であり、例えばＧｅＦ4又はＳｉＦ4
を用いることも可能である。BF 3 , P
Although H 3 or AsH 3 is used, other ion source gases can be used, for example, GeF 4 or SiF 4
Can also be used.
【００４２】また、本実施の形態では、イオン注入装置
においてアルゴン等の不活性ガスボンベ２及びイオンソ
ースガスボンベ１ａ〜１ｃを別々に準備し、不活性ガス
ボンベ２から単独のアルゴンガスをマスフローコントロ
ーラー３により流量を制御しながら引き出すと共に、イ
オンソースガスボンベから単独のイオンソースガスをマ
スフローコントローラー３により流量を制御しながら引
き出し、両者をアークチャンバー５直前のガス導入管４
内で混合させているが、これに限らず他の混合方法によ
って混合することも可能である。例えば、あらかじめア
ルゴンガスを２０Vo1％以下で混合させたイオンソース
ガスを入れたガスボンベを準備し、このガスボンベをイ
オン注入装置に配置することも可能である。この場合
は、本実施の形態のように単独での不活性ガスの導入系
統を必要とせずガス経路を簡略化できるため、容易に安
定した混合比のイオンソースガスを提供することができ
る。一方、本実施の形態のように別系統からアルゴンガ
スを混合する場合は２０Vo1％以下でアルゴン濃度を任
意に変更することが容易であるため、イオン電流の集率
とクリーニング効果を適宜制御でき、イオン注入条件や
装置の状況に対応した最適なアルゴン混合比を容易に選
択できる。In this embodiment, an inert gas cylinder 2 of argon or the like and ion source gas cylinders 1a to 1c are separately prepared in the ion implantation apparatus, and a single argon gas is supplied from the inert gas cylinder 2 by the mass flow controller 3. While extracting a single ion source gas from the ion source gas cylinder while controlling the flow rate by the mass flow controller 3, and extracting both of them from the gas introduction pipe 4 immediately before the arc chamber 5.
However, the mixing is not limited to this, and it is also possible to mix by other mixing methods. For example, it is also possible to prepare a gas cylinder containing an ion source gas in which argon gas is mixed at 20 Vo1% or less in advance, and arrange this gas cylinder in the ion implantation apparatus. In this case, the gas path can be simplified without requiring a separate inert gas introduction system as in the present embodiment, so that an ion source gas having a stable mixing ratio can be easily provided. On the other hand, when argon gas is mixed from another system as in the present embodiment, it is easy to arbitrarily change the argon concentration at 20 Vo1% or less, so that the ion current concentration and the cleaning effect can be appropriately controlled, It is possible to easily select the optimum argon mixing ratio corresponding to the ion implantation conditions and the conditions of the apparatus.
【００４３】図３は、本発明の第２の実施の形態による
イオン注入装置を示す模式図であり、主にイオンソース
とボンベボックス内を示した構成図である。このイオン
注入装置は、ボンベボックス３５内には図５に示す原料
ガスボンベ８１に代り、クリーニング効果をもつ不活性
ガス（アルゴンガス）を所定量添加した原料ガスボンベ
８３を取り付けた構造になっている。FIG. 3 is a schematic view showing an ion implantation apparatus according to a second embodiment of the present invention, and is a configuration diagram mainly showing the inside of an ion source and a cylinder box. This ion implantation apparatus has a structure in which a raw material gas cylinder 83 to which a predetermined amount of an inert gas (argon gas) having a cleaning effect is added is mounted in the cylinder box 35 instead of the raw material gas cylinder 81 shown in FIG.
【００４４】このように構成されたイオン注入装置で
は、従来と同様にイオン注入作業が可能であり、不活性
ガス添加原料ガスボンベ８３からの所定量のガスは電磁
弁６３，６４、マスフローコントローラー７２を介しガ
ス導入管３４によりアークチャンバー３２内に供給され
る。このアークチャンバー３２内では、イオン注入を行
う所望の原料ガスと同時に、あらかじめ２０Vol％以下
に添加されたクリーニング用の不活性ガス（アルゴンガ
ス）の双方がフィラメント（図示せず）から発生した電
子との衝突によりイオン化される。In the ion implantation apparatus configured as described above, the ion implantation operation can be performed in the same manner as in the related art. A predetermined amount of the gas from the inert gas additive source gas cylinder 83 is supplied to the electromagnetic valves 63 and 64 and the mass flow controller 72. The gas is supplied into the arc chamber 32 through the gas introduction pipe 34. In the arc chamber 32, at the same time as the desired source gas for ion implantation, an inert gas for cleaning (argon gas) added in advance to 20% by volume or less simultaneously contains electrons generated from a filament (not shown). Is ionized by the collision of
【００４５】これらのイオンは、引出し電極（図示せ
ず）で加速され、次いで、質量分析器（図示せず）によ
り所望のイオンのみに分離選択される。このため、クリ
ーニング用に添加してあったガスによるイオンはここで
分離除去され、ウェーハ（半導体基板）へは注入されな
い。したがって、アルゴンイオンは、アークチャンバー
３２から質量分析器までのイオンビーム軌道のクリーニ
ング効果のみを発揮する。そして、質量分析器で選択さ
れた所望のイオンはウェーハに注入される。These ions are accelerated by an extraction electrode (not shown), and then separated and selected only by desired ions by a mass analyzer (not shown). Therefore, ions due to the gas added for cleaning are separated and removed here, and are not implanted into the wafer (semiconductor substrate). Therefore, the argon ions exert only the effect of cleaning the ion beam trajectory from the arc chamber 32 to the mass analyzer. Then, the desired ions selected by the mass analyzer are implanted into the wafer.
【００４６】図４は、質量分析器により分離された不活
性ガス添加原料ガスのイオンビームスペクトラムの一例
を示す図である。ここでは、原料ガスであるＰＨ3に所
定量の不活性ガスＡｒを添加した例を示しているが、こ
こでの所望イオン31Ｐ+とクリーニング用イオン40Ａｒ+
は磁界により分離されているためクリーニング用イオン
である40Ａｒ+がウェーハに注入されることは無い。FIG. 4 is a diagram showing an example of the ion beam spectrum of the inert gas-added source gas separated by the mass analyzer. Here, an example is shown in which a predetermined amount of inert gas Ar is added to PH 3 which is a source gas, but the desired ion 31 P + and the cleaning ion 40 Ar + are added here.
Are separated by a magnetic field, so that 40 Ar +, which is a cleaning ion, is not injected into the wafer.
【００４７】また、同様に固体原料からの気化ガスを使
用する場合においても、図３に示すアークチャンバー３
２内には、ベーパーライザー３３からの気化ガスととも
に所定量の不活性ガスを不活性ガスボンベ８２より電磁
弁６１、６２、およびマスフローコントローラー７１、
ガス導入管４を介して供給される。このため、この場合
にも同様の作用をする。Similarly, when a vaporized gas from a solid raw material is used, the arc chamber 3 shown in FIG.
A predetermined amount of inert gas together with the vaporized gas from the vapor riser 33 is supplied from the inert gas cylinder 82 into the solenoid valves 61 and 62, and the mass flow controller 71.
It is supplied via a gas introduction pipe 4. Therefore, the same operation is performed in this case.
【００４８】また、ガスボンベ、ベーパーライザーのい
ずれの使用においても不活性ガスＡｒを添加した例にお
いてはアークチャンバー３２内でのアーク発生を起こし
易くする効果がある。Further, in any of the use of a gas cylinder and a vapor riser, an example in which an inert gas Ar is added has an effect of easily generating an arc in the arc chamber 32.
【００４９】このように本実施の形態によれば不活性ガ
ス添加原料ガスボンベ８３を使用することにより、所望
のイオンでのイオン注入作業と同時に装置内部のクリー
ニングが行われ、これまで生産作業とは別に行っていた
不活性イオンによるクリーニング作業時間が不要となり
装置稼動率を向上させることができる。As described above, according to the present embodiment, by using the inert gas-added raw material gas cylinder 83, cleaning of the inside of the apparatus is performed simultaneously with ion implantation with desired ions. This eliminates the need for a separate cleaning operation time due to inert ions, thereby improving the operation rate of the apparatus.
【００５０】また、ベーパーライザー３３等の固体原料
を使用の場合は、不活性ガスボンベ８２から所定量のア
ルゴンガスをアークチャンバー３２内に供給することに
より、同様の作用効果が得られる。また、ガスボンベ、
固体原料のいずれの使用においても不活性ガスにＡｒを
使用した場合は、アークチャンバー内でアークを起こし
易い効果もある。When a solid raw material such as the vapor riser 33 is used, a similar effect can be obtained by supplying a predetermined amount of argon gas from the inert gas cylinder 82 into the arc chamber 32. Also, gas cylinders,
When Ar is used as the inert gas in any use of the solid raw material, there is an effect that an arc is easily generated in the arc chamber.
【００５１】[0051]
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、イ
オンソースガスに２０Vo1％以下のアルゴンガスを混合
した混合ガスをイオン発生源に供給する。したがって、
イオン発生源からイオンを引き出す経路に汚れが付着す
るのを抑制することにより装置稼働率を向上させたイオ
ン注入装置及びイオン注入方法を提供することができ
る。As described above, according to the present invention, a mixed gas obtained by mixing an ion source gas with an argon gas of 20 Vo1% or less is supplied to the ion generating source. Therefore,
It is possible to provide an ion implantation apparatus and an ion implantation method in which the operation rate of the apparatus is improved by suppressing the attachment of dirt to the path for extracting ions from the ion generation source.
【図１】本発明の第１の実施の形態によるイオン注入装
置を示す模式図である。FIG. 1 is a schematic diagram showing an ion implantation apparatus according to a first embodiment of the present invention.
【図２】図１に示すイオン注入装置に用いたイオンソー
スガスのアルゴン混合割合とイオン電流の集率を示すグ
ラフである。FIG. 2 is a graph showing a mixture ratio of argon in an ion source gas used in the ion implantation apparatus shown in FIG. 1 and a concentration of an ion current.
【図３】本発明の第２の実施の形態によるイオン注入装
置を示す模式図である。FIG. 3 is a schematic view showing an ion implantation apparatus according to a second embodiment of the present invention.
【図４】質量分析器により分離された不活性ガス添加原
料ガスのイオンビームスペクトラムの一例を示す図であ
る。FIG. 4 is a diagram illustrating an example of an ion beam spectrum of an inert gas added source gas separated by a mass analyzer.
【図５】従来のイオン注入装置を示す模式図である。FIG. 5 is a schematic view showing a conventional ion implantation apparatus.
１ａ〜１ｃイオンソースガスボンベ ２ アルゴン等の不活性ガスボンベ ３ マスフローコントローラー ４ ガス導入管 ５ アークチャンバー ６ 電磁石 ７ フィラメント ８ プラズマ領域 ９ 引き出し電極 １０ 引き出されたイオン電流 １１ 質量分析器 １２ アルゴンイオンを含む分離されたその他のイオン １３ イオン加速器 １４ イオン走査部 １５ 半導体基板 １６ 電磁弁 ３１ イオンソース ３２ アークチャンバー ３３ ベーパーライザー ３４ ガス導入管 ３５ ボンベボックス ６１〜６４ 電磁弁 ７１，７２ マスフローコントローラー ８１ 原料ガスボンベ ８２ 不活性ガスボンベ ８３ 不活性ガス添加原料ガスボンベ 1a-1c Ion source gas cylinder 2 Inert gas cylinder such as argon 3 Mass flow controller 4 Gas introduction tube 5 Arc chamber 6 Electromagnet 7 Filament 8 Plasma region 9 Extraction electrode 10 Extracted ion current 11 Mass analyzer 12 Separated including argon ions Other ions 13 Ion accelerator 14 Ion scanning unit 15 Semiconductor substrate 16 Electromagnetic valve 31 Ion source 32 Arc chamber 33 Vapor riser 34 Gas introduction pipe 35 Bomb box 61-64 Electromagnetic valve 71, 72 Mass flow controller 81 Raw material gas cylinder 82 Inactive gas cylinder 83 Inert gas additive source gas cylinder
─────────────────────────────────────────────────────
────────────────────────────────────────────────── ───
【手続補正書】[Procedure amendment]
【提出日】平成１２年４月２４日（２０００．４．２
４）[Submission date] April 24, 2000 (200.4.2
4)
【手続補正１】[Procedure amendment 1]
【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement
【補正対象項目名】発明の名称[Correction target item name] Name of invention
【補正方法】変更[Correction method] Change
【補正内容】[Correction contents]
【発明の名称】 イオン注入装置[Title of the Invention] Ion implanter
【手続補正２】[Procedure amendment 2]
【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement
【補正対象項目名】特許請求の範囲[Correction target item name] Claims
【補正方法】変更[Correction method] Change
【補正内容】[Correction contents]
【特許請求の範囲】[Claims]
【手続補正３】[Procedure amendment 3]
【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement
【補正対象項目名】００１４[Correction target item name] 0014
【補正方法】変更[Correction method] Change
【補正内容】[Correction contents]
【００１４】[0014]
【課題を解決するための手段】本発明に係るイオン注入
装置は、半導体装置の基板に注入するイオンを発生させ
るイオン発生源と、前記イオン発生源に原料ガスを供給
する原料ガス供給手段と、を備えたイオン注入装置であ
って、前記原料ガスは、２０Vol％以下の不活性ガスが
あらかじめ添加されている混合ガスであることを特徴と
する。An ion implantation apparatus according to the present invention comprises: an ion source for generating ions to be implanted into a substrate of a semiconductor device; source gas supply means for supplying a source gas to the ion source; Wherein the source gas is a mixed gas to which an inert gas of 20 Vol% or less is added in advance.
【手続補正４】[Procedure amendment 4]
【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement
【補正対象項目名】００１５[Correction target item name] 0015
【補正方法】変更[Correction method] Change
【補正内容】[Correction contents]
【００１５】上記イオン注入装置では、原料ガスに、２
０Vol％以下の不活性ガスがあらかじめ添加されている
混合ガスを用いることにより、イオン発生源において不
活性ガスも熱電子の衝突によりプラズマ状態となり、原
料ガスとともにイオン化される。その結果、イオン発生
源で発生したイオンを基板に注入するためのイオンの経
路に付着した付着物（導電性の固体）を、スパッタリン
グによるクリーニング効果によって除去し、抑制するこ
とができる。[0015] In the above ion implantation apparatus, 2 g
By using a mixed gas to which 0% by volume or less of an inert gas is added in advance, the inert gas in the ion generating source also becomes a plasma state due to the collision of thermionic electrons and is ionized together with the raw material gas. As a result, deposits (conductive solids) adhering to the path of ions for injecting ions generated by the ion generation source into the substrate can be removed and suppressed by the cleaning effect of sputtering.
【手続補正５】[Procedure amendment 5]
【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement
【補正対象項目名】００１６[Correction target item name] 0016
【補正方法】変更[Correction method] Change
【補正内容】[Correction contents]
【００１６】また、原料ガスに、２０Vol％以下の不活
性ガスがあらかじめ添加されている混合ガスを用いるこ
とにより、イオン発生源にガスを導入するガス導入経路
を簡略化することができる。By using a mixed gas in which an inert gas of 20 Vol% or less is added to the source gas in advance, the gas introduction path for introducing the gas to the ion generating source can be simplified.
【手続補正６】[Procedure amendment 6]
【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement
【補正対象項目名】００１７[Correction target item name] 0017
【補正方法】変更[Correction method] Change
【補正内容】[Correction contents]
【００１７】また、本発明に係るイオン注入装置は、半
導体装置の基板に注入するイオンを発生させるイオン発
生源と、前記イオン発生源に原料ガスを供給する原料ガ
ス供給手段と、を備えたイオン注入装置であって、前記
イオン発生源に、前記原料ガスに対して２０Vol％以下
の不活性ガスを供給する不活性ガス供給手段を備えたこ
とを特徴とする。According to another aspect of the present invention, there is provided an ion implantation apparatus comprising: an ion source for generating ions to be implanted into a substrate of a semiconductor device; and source gas supply means for supplying a source gas to the ion source. An injection apparatus, characterized in that the ion generating source is provided with inert gas supply means for supplying an inert gas of 20 Vol% or less with respect to the source gas.
【手続補正７】[Procedure amendment 7]
【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement
【補正対象項目名】００１８[Correction target item name] 0018
【補正方法】変更[Correction method] Change
【補正内容】[Correction contents]
【００１８】上記イオン注入装置では、該装置を頻繁に
停止して個別に実施していたアルゴンガスによるクリー
ニングとイオン発生源および引き出し電極周辺の分解ク
リーニング頻度を軽減することができる。このため、半
導体装置の生産能力を容易に飛躍的に向上させることが
できる。In the above-described ion implantation apparatus, the frequency of cleaning with the argon gas and the frequency of disassembly cleaning around the ion generating source and the extraction electrode can be reduced, which is frequently performed by stopping the apparatus frequently. Therefore, the production capacity of the semiconductor device can be easily and dramatically improved.
【手続補正８】[Procedure amendment 8]
【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement
【補正対象項目名】００１９[Correction target item name] 0019
【補正方法】変更[Correction method] Change
【補正内容】[Correction contents]
【００１９】また、原料ガスと不活性ガスを別系統から
流入させて混合させることにり、原料ガスまたは不活性
ガスを供給する量を調整することにより混合濃度を２０
Vol％以下の範囲で任意に変化させることが可能とな
る。Also, by mixing the raw material gas and the inert gas by flowing them from different systems, and adjusting the amount of the raw material gas or the inert gas to be supplied, the mixing concentration becomes 20%.
It can be arbitrarily changed within the range of Vol% or less.
【手続補正９】[Procedure amendment 9]
【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement
【補正対象項目名】００２０[Correction target item name] 0020
【補正方法】変更[Correction method] Change
【補正内容】[Correction contents]
【００２０】また、本発明に係るイオン注入装置は、前
記原料ガス供給手段は、原料ガスが充填された原料ガス
ボンベを有することを特徴とする。Further, the ion implantation apparatus according to the present invention is characterized in that the source gas supply means has a source gas cylinder filled with a source gas.
【手続補正１０】[Procedure amendment 10]
【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement
【補正対象項目名】００２１[Correction target item name] 0021
【補正方法】変更[Correction method] Change
【補正内容】[Correction contents]
【００２１】また、本発明に係るイオン注入装置は、前
記原料ガス供給手段は、前記原料ガスボンベを複数種類
有することを特徴とする。Further, the ion implantation apparatus according to the present invention is characterized in that the source gas supply means has a plurality of types of source gas cylinders.
【手続補正１１】[Procedure amendment 11]
【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement
【補正対象項目名】００２２[Correction target item name] 0022
【補正方法】変更[Correction method] Change
【補正内容】[Correction contents]
【００２２】また、本発明に係るイオン注入装置は、前
記原料ガス供給手段は、原料ガス生成用の固体原料が充
填されたベーパーライザーを有することを特徴とする。Further, the ion implantation apparatus according to the present invention is characterized in that the source gas supply means has a vapor riser filled with a solid source for generating a source gas.
【手続補正１２】[Procedure amendment 12]
【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement
【補正対象項目名】００２３[Correction target item name] 0023
【補正方法】変更[Correction method] Change
【補正内容】[Correction contents]
【００２３】上記イオン注入装置は、固体原料を気化さ
せて使用する場合においても同様の効果を得るため、ア
ークチャンバー内に固体原料からの気化ガスとともに所
定量の不活性ガスを導入するようにしたものである。In the above-described ion implantation apparatus, a predetermined amount of inert gas is introduced into the arc chamber together with the vaporized gas from the solid raw material in order to obtain the same effect even when the solid raw material is vaporized and used. Things.
【手続補正１３】[Procedure amendment 13]
【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement
【補正対象項目名】００２４[Correction target item name] 0024
【補正方法】変更[Correction method] Change
【補正内容】[Correction contents]
【００２４】また、上記記載のイオン注入装置のいずれ
かにおいて、前記不活性ガスはアルゴンガスであること
を特徴とする。Further, in any of the above ion implantation apparatuses, the inert gas is an argon gas.
【手続補正１４】[Procedure amendment 14]
【補正対象書類名】明細書[Document name to be amended] Statement
【補正対象項目名】００２５[Correction target item name] 0025
【補正方法】変更[Correction method] Change
【補正内容】[Correction contents]
【００２５】さらに、上記記載のイオン注入装置のいず
れかにおいて、前記原料ガスはＢＦ 3、ＰＨ3、Ａｓ
Ｈ3、ＧｅＦ4、及びＳｉＦ4のうちのいずれかを含むガ
スであることを特徴とする。Further, any of the ion implantation apparatuses described above
In this, the source gas is BF Three, PHThree, As
HThree, GeFFour, And SiFFourContaining any of the
The feature is that it is.
Claims (8)
のイオン注入工程において、イオン注入装置のイオン発
生源に使用されるイオンソースガスにアルゴン等の不活
性ガスをあらかじめ所定量を混合させることを特徴とす
るイオン注入方法。In an ion implantation step for introducing impurities into a substrate of a semiconductor device, a predetermined amount of an inert gas such as argon is mixed in advance with an ion source gas used for an ion generation source of an ion implantation apparatus. An ion implantation method characterized in that:
のイオン注入装置において、イオン発生源に供給される
イオンソースガスにはアルゴン等の不活性ガスがあらか
じめ所定量混合されていることを特徴とするイオン注入
装置。2. An ion implantation apparatus for introducing impurities into a substrate of a semiconductor device, wherein a predetermined amount of an inert gas such as argon is previously mixed with an ion source gas supplied to an ion source. Ion implanter.
あって、注入するイオンを発生させるイオン発生源に、
イオンソースガスに２０Vo1％以下のアルゴンガスを混
合した混合ガスを供給することを特徴とするイオン注入
方法。3. An ion implantation method for implanting ions into a substrate, the method comprising:
An ion implantation method comprising supplying a mixed gas obtained by mixing an argon source of 20 Vo1% or less with an ion source gas.
装置であって、注入するイオンを発生させるイオン発生
源と、該イオン発生源に接続されたガス導入管と、該ガ
ス導入管にイオンソースガスを供給するイオンソースガ
ス供給手段と、該ガス導入管に、該イオンソースガスに
対して２０Vo1％以下のアルゴンガスを供給するアルゴ
ンガス供給手段と、を具備することを特徴とするイオン
注入装置。4. An ion implanter for introducing impurities into a substrate, comprising: an ion source for generating ions to be implanted; a gas inlet tube connected to the ion source; Ion implantation comprising ion source gas supply means for supplying a source gas, and argon gas supply means for supplying an argon gas of 20 Vo1% or less to the ion source gas to the gas introduction pipe. apparatus.
装置であって、注入するイオンを発生させるイオン発生
源と、該イオン発生源に接続されたガス導入管と、該ガ
ス導入管に接続された、イオンソースガスに２０Vo1％
以下のアルゴンガスを混合した混合ガスが入れられたガ
スボンベと、を具備することを特徴とするイオン注入装
置。5. An ion implanter for introducing impurities into a substrate, comprising: an ion source for generating ions to be implanted; a gas inlet tube connected to the ion source; and an ion source connected to the gas inlet tube. 20Vo1% in ion source gas
A gas cylinder containing a mixed gas obtained by mixing the following argon gas:
ＡｓＨ3、ＧｅＦ4、及びＳｉＦ4のうちのいずれかを有
するガスであることを特徴とする請求項４又は５記載の
イオン注入装置。6. An ion source gas comprising BF 3 , PH 3 ,
The ion implantation apparatus according to claim 4, wherein the ion implantation apparatus is a gas containing any one of AsH 3 , GeF 4 , and SiF 4 .
バー内に供給してイオン化し、電界で加速したのち所望
するイオンを選択して半導体基板に注入するイオン注入
方法において、所定の不活性ガスを所定量添加した原料
ガスを供給してイオン化することを特徴とするイオン注
入方法。7. An ion implantation method in which a source gas from a gas cylinder is supplied into an arc chamber to be ionized, accelerated by an electric field, and then desired ions are selected and implanted into a semiconductor substrate. An ion implantation method comprising supplying a fixed amount of a source gas and ionizing the same.
化させ、このガスをアークチャンバー内に供給してイオ
ン化し、電界で加速したのち所望するイオンを選択して
半導体基板に注入するイオン注入方法において、上記ア
ークチャンバー内に固体原料からのガスと同時に所定の
不活性ガスを所定量供給してイオン化することを特徴と
する半導体装置の製造方法。8. An ion implantation method in which a solid raw material charged in a vaporizer is vaporized, this gas is supplied into an arc chamber to be ionized, accelerated by an electric field, and then desired ions are selected and injected into a semiconductor substrate. A method of manufacturing a semiconductor device, comprising supplying a predetermined amount of a predetermined inert gas simultaneously with a gas from a solid raw material into the arc chamber to ionize the same.
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