JP2000284024A - Semiconductor device and integrated circuit - Google Patents

Semiconductor device and integrated circuit

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JP2000284024A
JP2000284024A JP11089600A JP8960099A JP2000284024A JP 2000284024 A JP2000284024 A JP 2000284024A JP 11089600 A JP11089600 A JP 11089600A JP 8960099 A JP8960099 A JP 8960099A JP 2000284024 A JP2000284024 A JP 2000284024A
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analog
boundary scan
test
scan cell
signal
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Kaoru Hatta
薫 八田
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Sony Corp
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To add a boundary scan function to an integrated circuit, to suppress a boundary scan circuit becoming useless after its shipment to a minimum, to reduce the cost of the boundary scan circuit itself and to perform an inspection quickly. SOLUTION: A test control block circuit is removed from an integrated circuit having an analog boundary scan function, Instead, terminals for test are installed. A control signal for test is input directly. As the terminals for test, a TCK terminal 8, a TDI terminal 13, a TDO terminal 16, a Shift-DR terminal 9, a Capture-DR terminal 10, an Update-DR terminal 11, an Enable terminal 12, a Mode 1 terminal 47a, a Mode 2 terminal 47b, an analog test bus terminal 35a, and an analog test bus terminal 35b are provided. In addition, the respective terminals for test are installed at the interposer of a semiconductor device, respective control signals are input from an inspection apparatus, and a boundary scan test is performed.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、バウンダリスキャ
ンセルを有する集積回路を搭載した半導体装置に関す
る。
The present invention relates to a semiconductor device having an integrated circuit having a boundary scan cell.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来より、LSI等の半導体装置(IC
デバイス)の回路試験(動作試験)、及びこれら半導体
装置を搭載した基板の回路試験は、各素子が実装された
状態で行う必要がある。一方、近年における基板の高密
度化及び高密度実装化、BGA(ボールグリッドアレ
イ)等の接続部を下面にもつデバイスの登場等により、
実装状態の視覚試験は困難になっている。一方、視覚に
頼らない試験としては、部品実装基板上にテストパッド
を配置して行うインサーキット試験があるが、近年の高
密度実装化や基板の高密度化の要求に対して、部品実装
基板上に検査装置のプローブピンを当接するためのテス
トパッド(テスト用端子)を配線パターン上に配置する
ことが困難となってきている。
2. Description of the Related Art Conventionally, semiconductor devices such as LSIs (ICs)
The circuit test (operation test) of the device) and the circuit test of the substrate on which these semiconductor devices are mounted need to be performed with each element mounted. On the other hand, with the recent increase in the density and mounting density of substrates and the emergence of devices having connection parts such as BGA (ball grid array) on the lower surface,
Visual testing of the mounted state has become difficult. On the other hand, as a test that does not rely on vision, there is an in-circuit test in which test pads are arranged on a component mounting board. It is becoming difficult to dispose a test pad (test terminal) for contacting a probe pin of an inspection device on a wiring pattern.

【0003】そこで、このような事情に対応すべく、半
導体装置自体(例えばインタポーザ上)にテストパッド
を形成した半導体装置が提案されている(例えば特開平
10−199941号公報参照)。すなわち、この半導
体装置では、集積回路を封入したパッケージをインタポ
ーザ(パッケージキャリア)上に設け、パッケージから
インタポーザ上に放射状にリード線を設け、各リード線
にテスト用端子を設けたものである。しかし、このよう
な半導体装置では、インタポーザ上に多数のリード線と
テスト用端子を設けることから、半導体装置自体が大型
化してしまう。
In order to cope with such circumstances, a semiconductor device in which a test pad is formed on the semiconductor device itself (for example, on an interposer) has been proposed (for example, see Japanese Patent Application Laid-Open No. 10-199941). That is, in this semiconductor device, a package enclosing an integrated circuit is provided on an interposer (package carrier), leads are radially provided from the package onto the interposer, and test terminals are provided on each lead. However, in such a semiconductor device, since many lead wires and test terminals are provided on the interposer, the semiconductor device itself becomes large.

【0004】一方、部品実装基板上に多数のテストパッ
ドを必要としないデジタル回路試験としては、IEEE
規格1149.1によるデジタルバウンダリスキャンテ
ストがある。これはテストパッドによる外部テスト信号
に相当する信号の生成手段をデジタルバウンダリスキャ
ンセルとして集積回路内部に設けたもので、テスト動作
を実行するデジタルバウンダリスキャンセルの他に、命
令を受け取るインストラクションレジスタ、デジタルバ
ウンダリスキャンセルを制御するTAP(テストアクセ
スポート)回路を内蔵し、集積回路にTDI(テストデ
ータイン)、TDO(テストデータアウト)、TMS
(テストモードセレクト)、TCK(テストクロック)
等の少ない種類の信号を送ることで、その半導体装置の
もつ接続部の多くの試験を行うものである。
On the other hand, a digital circuit test that does not require a large number of test pads on a component mounting board is an IEEE test.
There is a digital boundary scan test according to the standard 1149.1. In this, a means for generating a signal corresponding to an external test signal by a test pad is provided inside an integrated circuit as a digital boundary scan cell.In addition to a digital boundary scan cell for performing a test operation, an instruction register for receiving an instruction, a digital Built-in TAP (Test Access Port) circuit for controlling boundary scan cells, and TDI (Test Data In), TDO (Test Data Out), TMS
(Test mode select), TCK (test clock)
By sending a few types of signals, such as those described above, many tests are performed on the connection portions of the semiconductor device.

【0005】図4は、デジタルバウンダリスキャンテス
ト機能をもつパッケージの例を示すブロック図であり、
図5は、図4に示すパッケージに搭載されるデジタルバ
ウンダリスキャンテスト回路の構成例を示すブロック図
である。図4において、コアロジック1は、集積回路の
メインの機能をもつ回路であり、デジタルバウンダリス
キャン機能をもたない回路を有するパッケージにおいて
は、図4に示すコアロジック1と信号ピン17a、17
bが直接つながっており、パッケージ18はコアロジッ
ク1と信号ピン17a、17bをもち、デジタルバウン
ダリスキャンセル2a、2bやインストラクションレジ
スタ26をもたないものとなる。デジタルバウンダリス
キャンセル2a、2bは、インサーキットテストにおけ
る実装基板上のテストパッドに当たる部分である。
FIG. 4 is a block diagram showing an example of a package having a digital boundary scan test function.
FIG. 5 is a block diagram showing a configuration example of a digital boundary scan test circuit mounted on the package shown in FIG. In FIG. 4, a core logic 1 is a circuit having a main function of the integrated circuit. In a package having a circuit without a digital boundary scan function, the core logic 1 and signal pins 17a and 17 shown in FIG.
b is directly connected, and the package 18 has the core logic 1 and the signal pins 17a and 17b, and does not have the digital boundary scan cells 2a and 2b and the instruction register 26. The digital boundary scan cells 2a and 2b correspond to test pads on a mounting board in an in-circuit test.

【0006】図4において、パッケージ18に対して、
入力セル2aは入力ピン17aとコアロジック1の間に
配置されるものである。入力ピン17aは、入力端子6
に信号的に接続されている。出力セル2bは、コアロジ
ック1と出力ピン17bの間に配置されるものである。
出力ピン17bは、出力端子7に信号的に接続されてい
る。図5は、入力セル2a、出力セル2bがそれぞれ1
つずつのときを表している。また、隣り合うデジタルバ
ウンダリスキャンセルのそれぞれのTDIとTDOはつ
ながっており、TDI端子13からTDO端子16ま
で、デジタルバウンダリスキャンセルが数珠つなぎの構
造になっている。
In FIG. 4, for a package 18,
The input cell 2a is arranged between the input pin 17a and the core logic 1. The input pin 17a is connected to the input terminal 6
Is connected in a signal manner. The output cell 2b is arranged between the core logic 1 and the output pin 17b.
The output pin 17b is connected to the output terminal 7 in a signal manner. FIG. 5 shows that the input cell 2a and the output cell 2b each have 1
One time at a time. The TDI and TDO of the adjacent digital boundary scan cells are connected, and the digital boundary scan cells from the TDI terminal 13 to the TDO terminal 16 are connected in a daisy chain.

【0007】TDI端子13からTDO端子16につな
がっている一連のデジタルバウンダリスキャンセルを総
じてデータレジスタと呼ぶ。TDI端子13を通じて入
力されたデータは、データレジスタあるいはインストラ
クションレジスタ26あるいはバイパスレジスタ25を
通過し、テスト信号マルチプレクサを通してTDO端子
16に出力される。インストラクションレジスタ26
は、外部からの命令を格納するレジスタであり、オープ
ン/ショート試験を実行するEXTEST命令や、この
半導体装置について検査を行わないBYPASS命令、
コアロジック1の検査を行うINTEST命令等を格納
する。格納された命令は、インストラクションデコーダ
29を通して回路に反映される。
[0007] A series of digital boundary scan cells connected from the TDI terminal 13 to the TDO terminal 16 are collectively called a data register. The data input through the TDI terminal 13 passes through a data register, an instruction register 26, or a bypass register 25, and is output to the TDO terminal 16 through a test signal multiplexer. Instruction register 26
Is a register for storing an external instruction, an EXTEST instruction for executing an open / short test, a BYPASS instruction for not performing inspection on this semiconductor device,
An INTEST instruction for checking the core logic 1 is stored. The stored instruction is reflected on the circuit through the instruction decoder 29.

【0008】テスト信号ピン17cは、デジタルバウン
ダリスキャン機能のために追加されたものであり、図5
に示すTCK端子8、TDI端子13、TDO端子1
6、TMS端子30が信号的に接続されている。なお、
TRSTはデジタルバウンダリスキャン回路のリセット
信号であるが、必須なものではなく、オプションである
ため、図5には記載していない。TDIは、テストパッ
ドや回路に対する命令セットを回路に入力する端子であ
る。TDOは、テスト結果等を出力する端子である。T
CKは、クロック信号であり、TMSは、デジタルバウ
ンダリスキャン回路の状態を遷移させる信号である。
A test signal pin 17c is added for a digital boundary scan function.
TCK terminal 8, TDI terminal 13, TDO terminal 1
6. The TMS terminal 30 is connected in a signal manner. In addition,
TRST is a reset signal of the digital boundary scan circuit, but is not essential and is not shown in FIG. 5 because it is optional. TDI is a terminal for inputting an instruction set for a test pad or a circuit to the circuit. TDO is a terminal for outputting a test result and the like. T
CK is a clock signal, and TMS is a signal for changing the state of the digital boundary scan circuit.

【0009】デジタルバウンダリスキャン回路は、TA
Pコントローラ27に入力されるクロック信号TCKの
立ち上がりにおけるTMS信号の値により状態が変化す
るものであり、16種類の状態を有する。図6は、その
状態遷移を示す説明図である。デジタルバウンダリスキ
ャン回路の各状態に応じた信号がステートデコーダ28
からデータレジスタあるいはインストラクションレジス
タ26に送られることによって、デジタルバウンダリス
キャンテストを行うことができる。デジタルバウンダリ
スキャンセルの動作を出力セル2bを例にして説明す
る。なお、入力セル2aも基本的な動作は同じである。
The digital boundary scan circuit has a TA
The state changes according to the value of the TMS signal at the rise of the clock signal TCK input to the P controller 27, and has 16 types of states. FIG. 6 is an explanatory diagram showing the state transition. A signal corresponding to each state of the digital boundary scan circuit is supplied to the state decoder 28.
Is sent to the data register or the instruction register 26 to perform a digital boundary scan test. The operation of the digital boundary scan cell will be described using the output cell 2b as an example. The basic operation of the input cell 2a is the same.

【0010】デジタルバウンダリスキャンセルは、上述
した16種類の状態によって決定されるステーとデコー
ダ28やインストラクションデコーダ29からの信号に
よって動作が異なる。図6におけるTest Logi
c Reset状態の時には、デジタルバウンダリスキ
ャンセルがテスト回路として動作せず、コアロジック1
からの信号はマルチプレクサ5を通して出力端子7へ出
力される。また、Run Test/Idle状態の時
には、デジタルバウンダリスキャンセルは待機状態であ
る。
The operation of the digital boundary scan cell differs depending on the stays determined by the above-described 16 states and the signals from the decoder 28 and the instruction decoder 29. Test Logi in FIG.
c In the reset state, the digital boundary scan cell does not operate as a test circuit, and the core logic 1
Is output to the output terminal 7 through the multiplexer 5. Also, in the Run Test / Idle state, the digital boundary scan cell is in a standby state.

【0011】また、Capture−DR状態の時に
は、インストラクションデコーダ29からイネーブル信
号とステートデコーダ28からのCapture−DR
信号が送られる。コアロジック1からの信号は、バウン
ダリスキャンシフトレジスタ3に格納される。また、S
hift−DR状態の時には、インストラクションデコ
ーダ29からイネーブル信号とステートデコーダ28か
らのShift−DR信号が送られる。バウンダリスキ
ャンシフトレジスタ3に格納されているデータがTDO
に排出され、TDIからの信号が新たにバウンダリスキ
ャンシフトレジスタ3に格納される。また、Updat
e−DR状態の時には、インストラクションデコーダ2
9からイネーブル信号とステートデコーダ28からのU
pdate−DR信号が送られる。バウンダリスキャン
シフトレジスタ3に格納されているデータがパラレルラ
ッチ4に送られる。パラレルラッチ4に格納されたデー
タは、マルチプレクサ5を通して出力端子7に送られ
る。
In the Capture-DR state, the enable signal from the instruction decoder 29 and the Capture-DR from the state decoder 28 are output.
A signal is sent. A signal from the core logic 1 is stored in the boundary scan shift register 3. Also, S
In the shift-DR state, an instruction decoder 29 sends an enable signal and a state decoder 28 sends a Shift-DR signal. The data stored in the boundary scan shift register 3 is TDO
And the signal from the TDI is newly stored in the boundary scan shift register 3. Also, Updat
In the e-DR state, the instruction decoder 2
9 and the enable signal from the state decoder 28
A pdate-DR signal is sent. Data stored in the boundary scan shift register 3 is sent to the parallel latch 4. The data stored in the parallel latch 4 is sent to the output terminal 7 through the multiplexer 5.

【0012】また、図6におけるCapture−IR
状態、Shift−IR状態、Update−IR状態
の時には、それぞれ上述したCapture−DR状
態、Shift−DR状態、Update−DR状態に
おいて、データレジスタに対して命令が送られ、データ
レジスタが動作するのと同様な動作が、インストラクシ
ョンレジスタに対して行われる。以上のようなデジタル
バウンダリスキャンセルの動作の組み合わせで基板試験
を行うことができるが、基板試験時における詳しい動作
は、IEEE規格1149.1に詳しい。
The Capture-IR shown in FIG.
In the state, Shift-IR state, and Update-IR state, an instruction is sent to the data register in the above-described Capture-DR state, Shift-DR state, and Update-DR state, and the data register operates. A similar operation is performed on the instruction register. The board test can be performed by a combination of the operations of the digital boundary scan cell as described above. The detailed operation at the time of the board test is described in detail in IEEE Standard 1149.1.

【0013】また、実装基板上に多くのテストパッドを
必要としないアナログ回路試験方法として、IEEE規
格1149.4によるアナログバウンダリスキャンテス
トがある。図7は、アナログバウンダリスキャンテスト
機能をもつパッケージの例を示すブロック図である。I
EEE規格1149.4では、デジタルバウンダリスキ
ャンセルはDBM(デジタルバウンダリモジュール)と
呼ばれ、アナログバウンダリスキャンセルは、ABM
(アナログバウンダリモジュール)と呼ばれる。図7に
おいて、ABM32は出力セル側のみ記載しているが、
入力セル側にも同様に設けることが可能である。
An analog circuit test method that does not require many test pads on a mounting board is an analog boundary scan test according to IEEE standard 1149.4. FIG. 7 is a block diagram illustrating an example of a package having an analog boundary scan test function. I
In the EEE standard 1149.4, the digital boundary scan cell is called a DBM (digital boundary module), and the analog boundary scan cell is called an ABM.
(Analog boundary module). In FIG. 7, the ABM 32 is shown only on the output cell side,
A similar arrangement can be provided on the input cell side.

【0014】図10は、アナログバウンダリスキャンテ
ストに必要な機能要素をまとめて示すブロック図であ
る。ABM32は、図10においては出力ピンにつなが
っている出力セルである。TBIC34からABM32
へアナログテストバス35a、35bがつながってお
り、また、テストコントロールブロック33から各種制
御信号(Shift−DR等)がキャプチャアンドアッ
プデートレジスタ44へ送られる。テストコントロール
ブロック33からキャプチャアンドアップデートレジス
タ44へ送られた制御信号により、キャプチャアンドア
ップデートレジスタ44が動作し、TDIからシリアル
に入力されたデータがシフトまたは出力される。キャプ
チャアンドアップデートレジスタ44から出力されたデ
ータ、及びテストコントロールブロック33からの制御
信号(Mode1等)がABMコントロールデコードロ
ジック45に入力され、この入力された信号によってA
BM32の動作が決定される。
FIG. 10 is a block diagram collectively showing the functional elements necessary for the analog boundary scan test. The ABM 32 is an output cell connected to an output pin in FIG. TBIC34 to ABM32
The analog control buses 35 a and 35 b are connected to each other, and various control signals (such as Shift-DR) are sent from the test control block 33 to the capture and update register 44. The capture and update register 44 is operated by the control signal sent from the test control block 33 to the capture and update register 44, and the data serially input from the TDI is shifted or output. The data output from the capture and update register 44 and the control signal (Mode 1 or the like) from the test control block 33 are input to the ABM control decode logic 45.
The operation of the BM 32 is determined.

【0015】図8、図9は、ABM32の構成を示すブ
ロック図である。まず、図8において、スイッチ(S
D)36は、アナログコアを電気的に切り離すものであ
る。1ビットデジタイザ37は、アナログ信号を閾値電
圧(VTH)38によってデジタル信号に変換し、デジ
タル信号出力端子(DPin)39に出力され、図9で
の入力になる。このデジタル信号はデータレジスタに入
力され、IEEE1149.1型デジタルバウンダリス
キャンテストに使用される。なお、閾値電圧(VTH)
38は、物理的に電圧端子が存在する必要はない。さら
にハイレベル電圧(VH)40aがスイッチ(SH)4
1aに、ローレベル電圧(VL)40bがスイッチ(S
L)41bに、参照電圧(VG)40cがスイッチ(S
G)41cによってアナログピンに接続される。
FIGS. 8 and 9 are block diagrams showing the structure of the ABM 32. FIG. First, in FIG. 8, the switch (S
D) 36 electrically disconnects the analog core. The 1-bit digitizer 37 converts an analog signal into a digital signal using a threshold voltage (VTH) 38, and outputs the digital signal to a digital signal output terminal (DPin) 39, which becomes an input in FIG. This digital signal is input to a data register and used for an IEEE 1149.1 type digital boundary scan test. The threshold voltage (VTH)
38 does not require a physical voltage terminal. Further, the high level voltage (VH) 40a is connected to the switch (SH) 4
1a, a low level voltage (VL) 40b is connected to a switch (S
L) 41b is connected to a reference voltage (VG) 40c by a switch (S).
G) Connected to the analog pin by 41c.

【0016】ハイレベル電圧(VH)40aとローレベ
ル電圧(VL)40bは、IEEE1149.1型デジ
タルバウンダリスキャンテスト用のデジタル信号からア
ナログ信号を作成するために用いられる。スイッチ(S
H)41aやスイッチ(SL)41bは、ハイレベル電
圧(VH)40aとローレベル電圧(VL)40bを適
正に供給できるものであれば、物理的に存在する必要は
ない。参照電圧(VG)40cは、アナログ測定のため
の参照電圧であり、規定された範囲内で電圧に変化がな
く、電流を変化させることができる定電圧源であり、時
間的に安定していなくてはならない。この集積回路がシ
ステムのグランドに接続されていることが参照電圧(V
G)40cには望ましい。また、この条件を備えていな
い場合には、ハイレベル電圧(VH)40aやローレベ
ル電圧(VL)40bが参照電圧(VG)40cの代わ
りをしてもよい。
The high-level voltage (VH) 40a and the low-level voltage (VL) 40b are used to generate an analog signal from a digital signal for an IEEE 1149.1 type digital boundary scan test. Switch (S
The H) 41a and the switch (SL) 41b need not be physically present as long as they can appropriately supply the high-level voltage (VH) 40a and the low-level voltage (VL) 40b. The reference voltage (VG) 40c is a reference voltage for analog measurement. The reference voltage (VG) 40c is a constant voltage source that does not change in voltage within a specified range and can change current, and is not stable in time. must not. The fact that this integrated circuit is connected to the system ground indicates that the reference voltage (V
G) Desirable for 40c. If this condition is not satisfied, the high-level voltage (VH) 40a and the low-level voltage (VL) 40b may replace the reference voltage (VG) 40c.

【0017】アナログテスト信号スイッチSB(SB
1)42aは、アナログテストバス(AB1)35aを
アナログピンに接続し、アナログテスト信号スイッチS
B(SB2)42bは、アナログテストバス(AB2)
35bをアナログピンに接続するものである。テストコ
ントロールブロック33は、上述したデジタルバウンダ
リスキャンテストでいうところの、インストラクション
レジスタ、TAPコントローラ、インストラクションデ
コーダをまとめた機能を有する回路であり、図5の下半
分の構成に相当するものである。また、テストコントロ
ールブロック33の機能は、上述したデジタルバウンダ
リスキャンテストでいうところの、インストラクション
レジスタ、TAP回路、インストラクションデコーダを
まとめた機能の他に、命令状態信号Mode1及びMo
de2を後述するTBIC34及びABMに送出する機
能を有する。
The analog test signal switch SB (SB
1) 42a connects an analog test bus (AB1) 35a to an analog pin, and an analog test signal switch S
B (SB2) 42b is an analog test bus (AB2)
35b is connected to an analog pin. The test control block 33 is a circuit having a function of integrating an instruction register, a TAP controller, and an instruction decoder as referred to in the digital boundary scan test described above, and corresponds to the lower half of FIG. The function of the test control block 33 is, in addition to the function of integrating the instruction register, the TAP circuit, and the instruction decoder, referred to in the above-described digital boundary scan test, as well as the instruction state signals Mode1 and Mode.
It has a function of sending de2 to the TBIC 34 and ABM described later.

【0018】次に、図9において、キャプチャアンドア
ップデートレジスタ44は、IEEE規格1149.1
におけるデジタルバウンダリスキャンセル2a、2bの
バウンダリスキャンシフトレジスタ3とパラレルラッチ
4の機能を組み合わせたものであり、デジタルバウンダ
リスキャンセル2a、2bがコアロジック1及び入力端
子6あるいは出力端子7と接続されていないものと考え
ることができる。このキャプチャアンドアップデートレ
ジスタ44への入力は、デジタル信号出力端子(DPi
n)39の信号以外はオプションであるため破線で示し
ている。通常は、TDI側からTDO側へ向けて、各デ
ータレジスタ(デジタルバウンダリスキャンセル)を経
て送られてきた制御信号がキャプチャアンドアップデー
トレジスタ44への入力である。
Next, in FIG. 9, the capture and update register 44 stores the IEEE standard 1149.1.
Are combined with the functions of the boundary scan shift register 3 and the parallel latch 4 of the digital boundary scan cells 2a and 2b, and the digital boundary scan cells 2a and 2b are connected to the core logic 1 and the input terminal 6 or the output terminal 7. Can be considered not. The input to the capture and update register 44 is a digital signal output terminal (DPi
n) Signals other than 39 are optional and are indicated by broken lines. Normally, a control signal sent from the TDI side to the TDO side via each data register (digital boundary scan cell) is an input to the capture and update register 44.

【0019】1つのABM32に対して4つのキャプチ
ャアンドアップデートレジスタ44への入力によるD、
C、B1、B2、及びテストコントロールブロック33
からのMode1、Mode2の各信号がM1信号、M
2信号としてABMコントロールデコードロジックに入
力され、これらの制御信号D、C、B1、B2、M1、
M2の組み合わせにより、上述したスイッチ(SD)3
6、スイッチ(SH)41a、スイッチ(SL)41
b、スイッチ(SG)41c、スイッチ(SB1)42
a、スイッチ(SB2)42bの各スイッチの開閉が決
定する。
D for one ABM 32 by input to four capture and update registers 44
C, B1, B2, and test control block 33
The signals of Mode 1 and Mode 2 are M1 signal and M
Two signals are input to the ABM control decode logic, and these control signals D, C, B1, B2, M1,.
By the combination of M2, the above-mentioned switch (SD) 3
6, switch (SH) 41a, switch (SL) 41
b, switch (SG) 41c, switch (SB1) 42
a, Open / close of each switch of the switch (SB2) 42b is determined.

【0020】また、アナログバウンダリスキャンテスト
固有のものとして、TBIC(Test Bus In
terface Circuit)34を有する。この
TBIC34は、それぞれABM32にアナログテスト
バス(AB1)35a、(AB2)35bで電気的に接
続されている。TBIC34の機能は、アナログテスト
用端子(AT1)及び(AT2)と、アナログテストバ
ス(AB1)35a及び(AB2)35bとの接続、切
り離しを行うものであり、接続、切り離しの設定は、テ
ストコントロールブロック33からの信号、及びTDI
からのテストデータによって切り換えられる。
[0020] Further, a TBIC (Test Bus In) is unique to the analog boundary scan test.
(Interface Circuit) 34. The TBIC 34 is electrically connected to the ABM 32 via analog test buses (AB1) 35a and (AB2) 35b, respectively. The function of the TBIC 34 is to connect and disconnect the analog test terminals (AT1) and (AT2) to and from the analog test buses (AB1) 35a and (AB2) 35b. Signal from block 33 and TDI
Is switched by the test data from.

【0021】この集積回路にテスト信号ピン17cから
TDI、TDO、TMS、TCK、さらに2つのアナロ
グテスト用端子AT1、AT2等の少ない種類の信号を
送ることで、その半導体装置のもつ接続部の多くの試験
を行うものである。以上のようなABMとTBIC、テ
ストコントロールブロックの動作の組み合わせで、アナ
ログ基板試験を行うことができる。なお、基板試験にお
ける詳しい動作は、IEEE規格1149.4に詳し
い。
By sending a small number of signals such as TDI, TDO, TMS, TCK, and two analog test terminals AT1 and AT2 from the test signal pin 17c to the integrated circuit, many connection portions of the semiconductor device are provided. Test. An analog board test can be performed by a combination of the operations of the ABM, the TBIC, and the test control block as described above. The detailed operation in the board test is described in IEEE Standard 1149.4.

【0022】[0022]

【発明が解決しようとする課題】ところで、上述した特
開平10−199941号公報に開示される外部テスト
用端子を有する半導体装置では、以下のような問題があ
る。まず第1に、接続ピン程度の数の外部テスト用端子
を有し、また、それぞれの外部テスト用端子はある程度
間隔が必要であるため、集積回路から半導体装置周辺部
に向かって放射状にリード線を有しており、半導体装置
自体が大きくなる。これは実装基板上にテストパッドを
もたないという基板自体の高密度化の要求には適合する
が、部品自体を小型化したいという要求に反する。ま
た、部品が大きいほど実装の困難さが増し、実装信頼性
が低下する。
By the way, the semiconductor device having an external test terminal disclosed in Japanese Patent Laid-Open Publication No. Hei 10-199941 has the following problems. First, since external test terminals are provided in the same number as the number of connection pins, and the external test terminals are required to have a certain interval, the lead wires are radiated from the integrated circuit toward the periphery of the semiconductor device. And the semiconductor device itself becomes large. This meets the demand for higher density of the board itself, which does not have test pads on the mounting board, but contradicts the demand for miniaturization of the parts themselves. Also, the larger the components, the more difficult the mounting becomes, and the lower the mounting reliability becomes.

【0023】第2にテストパッドを半導体装置側にテス
ト用端子として設けた場合には、テスト用端子の間隔
が、同様のテストパッドを基板上に配置するのに比べて
小さくなるため、検査装置に精密さが要求される。これ
は、検査装置のコストアップにつながる。これを解決す
るために、上述のようなデジタルバウンダリスキャン回
路やアナログバウンダリスキャン回路を集積回路内に内
蔵する方法が考えられる。すなわち、この方法では、T
DI、TDO、TMS、TCK等の6〜7個のテスト用
端子により回路試験が可能である。
Second, when the test pads are provided as test terminals on the semiconductor device side, the intervals between the test terminals are smaller than when similar test pads are arranged on the substrate. Precision is required. This leads to an increase in the cost of the inspection device. In order to solve this, a method of incorporating the digital boundary scan circuit or the analog boundary scan circuit as described above in an integrated circuit is considered. That is, in this method, T
A circuit test can be performed with 6 to 7 test terminals such as DI, TDO, TMS, and TCK.

【0024】しかしながら、上述したバウンダリスキャ
ン回路は、製造時の試験にしか使用せず、出荷後は使用
しないものであるので、このようなバウンダリスキャン
回路を集積回路に組み込んだまま、市場に出すことのコ
ストアップが問題視されている。また、上述したバウン
ダリスキャン回路を用いた検査では、外部入力信号をデ
コードして検査用の信号を生成するとともに、図6に示
す状態遷移を行いながら検査を行うため、作業時間が長
くなり、迅速な検査が行えないという問題があった。
However, since the above-described boundary scan circuit is used only for a test at the time of manufacture and is not used after shipment, it is necessary to put such a boundary scan circuit on the integrated circuit in the market. The cost increase is a problem. In addition, in the inspection using the above-described boundary scan circuit, a signal for inspection is generated by decoding an external input signal, and the inspection is performed while performing the state transition shown in FIG. There is a problem that a complicated inspection cannot be performed.

【0025】そこで本発明の目的は、集積回路にバウン
ダリスキャン機能を付加しつつ、出荷後は無駄となるバ
ウンダリスキャン回路を最小限に抑え、バウンダリスキ
ャン回路自体のコストダウンを図り得るとともに、迅速
な検査を可能とした半導体装置及び集積回路を提供する
ことにある。また本発明の目的は、半導体装置自体にテ
スト用端子を有し、検査を簡易化する構造の半導体装置
でありながら、テスト用端子数を削減し、半導体装置自
体の小型化、コストダウンを図るとともに、集積回路の
コストアップを最小限に留めた半導体装置及び集積回路
を提供することにある。
Accordingly, an object of the present invention is to add a boundary scan function to an integrated circuit while minimizing a boundary scan circuit that is wasted after shipment, thereby reducing the cost of the boundary scan circuit itself and achieving a rapid operation. An object of the present invention is to provide a semiconductor device and an integrated circuit that enable inspection. Further, an object of the present invention is to reduce the number of test terminals, reduce the size of the semiconductor device itself, and reduce the cost, even though the semiconductor device itself has test terminals and has a structure that simplifies inspection. Another object of the present invention is to provide a semiconductor device and an integrated circuit in which an increase in cost of the integrated circuit is minimized.

【0026】[0026]

【課題を解決するための手段】本発明は前記目的を達成
するため、バウンダリスキャンセルを有する集積回路を
搭載した半導体装置において、前記集積回路は、前記バ
ウンダリスキャンセルを制御するためのテストコントロ
ールブロック回路をもたず、外部から入力される信号に
よって前記バウンダリスキャンセルが直接制御されるよ
うにしたことを特徴とする。また本発明は、半導体装置
に搭載され、バウンダリスキャンセルを有する集積回路
において、前記バウンダリスキャンセルを制御するため
のテストコントロールブロック回路をもたず、外部から
入力される信号によって前記バウンダリスキャンセルが
直接制御されるようにしたことを特徴とする。
According to the present invention, in order to achieve the above object, in a semiconductor device having an integrated circuit having a boundary scan cell, the integrated circuit includes a test control block for controlling the boundary scan cell. The boundary scan cell is directly controlled by a signal input from outside without a circuit. Further, the present invention provides an integrated circuit mounted on a semiconductor device and having a boundary scan cell, which does not have a test control block circuit for controlling the boundary scan cell, and the boundary scan cell is controlled by an externally input signal. It is characterized by being directly controlled.

【0027】本発明の半導体装置及び集積回路におい
て、集積回路内にはバウンダリスキャンセルを制御する
ためのテストコントロールブロック回路をもたず、外部
の検査装置に設けたテストコントロールブロック回路に
相当する回路により外部から入力される信号によってバ
ウンダリスキャンセルが直接制御される。例えば、デジ
タル回路用のデジタルバウンダリスキャンセルでは、デ
ジタルバウンダリスキャンテストに必要なTDI、TD
O、TCK、Capture−DR、Shift−D
R、Update−DR、Enable等の各信号を外
部より入力してテストを行う。また、アナログ回路用の
アナログバウンダリスキャンセルでは、アナログバウン
ダリスキャンテストに必要なTDI、TDO、TCK、
Capture−DR、Shift−DR、Updat
e−DR、Enable、Mode1、Mode2等の
各信号を外部より入力してテストを行う。
In the semiconductor device and the integrated circuit of the present invention, the integrated circuit does not have a test control block circuit for controlling boundary scan cells, but a circuit corresponding to a test control block circuit provided in an external inspection device. , The boundary scan cell is directly controlled by a signal input from the outside. For example, in a digital boundary scan cell for a digital circuit, TDI and TD required for a digital boundary scan test are used.
O, TCK, Capture-DR, Shift-D
A test is performed by externally inputting signals such as R, Update-DR, and Enable. In the analog boundary scan cell for an analog circuit, TDI, TDO, TCK,
Capture-DR, Shift-DR, Updat
A test is performed by inputting signals such as e-DR, Enable, Mode 1 and Mode 2 from the outside.

【0028】また、このような信号を外部より入力する
手段としては、半導体装置のインタポーザに形成された
テストパッドに検査装置の端子を接触させることにより
入力するものや、半導体装置が実装される配線基板に設
けたテストパッドに検査装置の端子を接触させることに
より入力するもの、さらには、配線基板に設けられた接
続部(コネクタ等)を介して入力する方法等がある。し
たがって、本発明の半導体装置及び集積回路では、集積
回路にバウンダリスキャン機能を付加しつつ、出荷後は
無駄となるバウンダリスキャン回路についてはテストコ
ントロールブロック回路を除くことにより最小限に抑
え、バウンダリスキャン回路自体のコストダウンを図る
ことができる。
Means for externally inputting such a signal include a signal input by bringing a terminal of an inspection device into contact with a test pad formed on an interposer of the semiconductor device, and a wiring on which the semiconductor device is mounted. There is a method of inputting by contacting a terminal of an inspection device with a test pad provided on a substrate, and a method of inputting via a connection portion (such as a connector) provided on a wiring substrate. Therefore, in the semiconductor device and the integrated circuit of the present invention, while adding the boundary scan function to the integrated circuit, the boundary scan circuit wasted after shipment is minimized by eliminating the test control block circuit, The cost of the device itself can be reduced.

【0029】また、集積回路内でテストコントロールブ
ロック回路によるデコード等の処理を行うことなく、外
部からの信号で直接制御することから、迅速な検査が可
能となる。さらに、バウンダリスキャン機能によるテス
トを行うことから、外部からの信号数は少数でよく、こ
の信号を入力するためのテストパッド(テスト用端子)
を半導体装置のインタポーザや実装配線基板上に設けた
場合でも、その配置スペースはそれほど大きくならな
い。したがって、半導体装置自体の小型化、コストダウ
ンを図ることができる。
Further, since control is directly performed by an external signal without performing processing such as decoding by the test control block circuit in the integrated circuit, quick inspection can be performed. Furthermore, since the test is performed by the boundary scan function, the number of external signals may be small, and a test pad (test terminal) for inputting the signals is required.
Is provided on an interposer of a semiconductor device or a mounting wiring board, the arrangement space is not so large. Therefore, the size and cost of the semiconductor device can be reduced.

【0030】[0030]

【発明の実施の形態】以下、本発明による半導体装置及
び集積回路の実施の形態について図面を参照して詳細に
説明する。図1は、本発明の第1の実施の形態による集
積回路のアナログバウンダリスキャンテストに必要な機
能要素を示す回路図である。なお、図10と共通の構成
については、同一符号を付して説明する。図示のよう
に、本例の集積回路では、図10に示した従来例の構成
からテストコントロールブロック33を除いたものであ
り、図10に示す従来例では、テストコントロールブロ
ック33で生成していたCapture−DR、Shi
ft−DR、Update−DR、Mode1、Mod
e2の各信号を入力端子9、10、11、12、47
a、47bより入力するようにしたものである。また、
本例においても、図10に示す従来例と同様に、TD
I、TDO、TCKの入出力端子13、16、8が設け
られている。
Embodiments of a semiconductor device and an integrated circuit according to the present invention will be described below in detail with reference to the drawings. FIG. 1 is a circuit diagram showing functional elements required for an analog boundary scan test of an integrated circuit according to a first embodiment of the present invention. Note that the same components as those in FIG. 10 are described with the same reference numerals. As shown, in the integrated circuit of this example, the test control block 33 is removed from the configuration of the conventional example shown in FIG. 10, and in the conventional example shown in FIG. Capture-DR, Shi
ft-DR, Update-DR, Mode1, Mod
Each signal of e2 is input to input terminals 9, 10, 11, 12, 47.
a and 47b. Also,
In this example, as in the conventional example shown in FIG.
Input / output terminals 13, 16, and 8 for I, TDO, and TCK are provided.

【0031】図1において、ABM32は、出力ピン1
7dにつながっている出力セルである。そして、TBI
C34からABM32へアナログテストバス35a、3
5bがつながっており、また、入力端子8〜13、47
a、47bから各種制御信号(Shift−DR等)が
キャプチャアンドアップデートレジスタ44へ送られ
る。この入力端子8〜13、47a、47bからキャプ
チャアンドアップデートレジスタ44へ送られた制御信
号により、キャプチャアンドアップデートレジスタ44
が動作し、TDIからシリアルに入力されたデータがシ
フトまたは出力される。キャプチャアンドアップデート
レジスタ44から出力されたデータ、及び入力端子8〜
13、47a、47bからの制御信号(Mode1等)
がABMコントロールデコードロジック45に入力さ
れ、この入力された信号によってABM32の動作が決
定される。
In FIG. 1, ABM 32 is an output pin 1
This is the output cell connected to 7d. And TBI
Analog test bus 35a from C34 to ABM32, 3
5b are connected, and input terminals 8 to 13, 47
Various control signals (such as Shift-DR) are sent to the capture and update register 44 from a and 47b. The capture and update register 44 is controlled by a control signal sent from the input terminals 8 to 13, 47 a and 47 b to the capture and update register 44.
Operates, and the data serially input from the TDI is shifted or output. Data output from the capture and update register 44 and input terminals 8 to
Control signals from 13, 47a, 47b (Mode 1 etc.)
Is input to the ABM control decode logic 45, and the operation of the ABM 32 is determined by the input signal.

【0032】次に、図8及び図9を用いてABM32の
構成について説明する。まず、図8において、スイッチ
(SD)36は、アナログコアを電気的に切り離すもの
である。1ビットデジタイザ37は、アナログ信号を閾
値電圧(VTH)38によってデジタル信号に変換し、
デジタル信号出力端子(DPin)39に出力され、図
9での入力になる。このデジタル信号はデータレジスタ
に入力され、IEEE1149.1型デジタルバウンダ
リスキャンテストに使用される。なお、閾値電圧(VT
H)38は、物理的に電圧端子が存在する必要はない。
さらにハイレベル電圧(VH)40aがスイッチ(S
H)41aに、ローレベル電圧(VL)40bがスイッ
チ(SL)41bに、参照電圧(VG)40cがスイッ
チ(SG)41cによってアナログピンに接続される。
Next, the configuration of the ABM 32 will be described with reference to FIGS. First, in FIG. 8, a switch (SD) 36 electrically disconnects an analog core. The 1-bit digitizer 37 converts the analog signal into a digital signal by a threshold voltage (VTH) 38,
The signal is output to the digital signal output terminal (DPin) 39 and becomes the input in FIG. This digital signal is input to a data register, and is used for an IEEE 1149.1 type digital boundary scan test. Note that the threshold voltage (VT
H) 38 does not require the physical presence of a voltage terminal.
Further, a high level voltage (VH) 40a is connected to the switch (S
H) 41a, the low level voltage (VL) 40b is connected to the switch (SL) 41b, and the reference voltage (VG) 40c is connected to the analog pin by the switch (SG) 41c.

【0033】ハイレベル電圧(VH)40aとローレベ
ル電圧(VL)40bは、IEEE1149.1型デジ
タルバウンダリスキャンテスト用のデジタル信号からア
ナログ信号を作成するために用いられる。スイッチ(S
H)41aやスイッチ(SL)41bは、ハイレベル電
圧(VH)40aとローレベル電圧(VL)40bを適
正に供給できるものであれば、物理的に存在する必要は
ない。参照電圧(VG)40cは、アナログ測定のため
の参照電圧であり、規定された範囲内で電圧に変化がな
く、電流を変化させることができる定電圧源であり、時
間的に安定していなくてはならない。この集積回路がシ
ステムのグランドに接続されていることが参照電圧(V
G)40cには望ましい。また、この条件を備えていな
い場合には、ハイレベル電圧(VH)40aやローレベ
ル電圧(VL)40bが参照電圧(VG)40cの代わ
りをしてもよい。
The high-level voltage (VH) 40a and the low-level voltage (VL) 40b are used to create an analog signal from a digital signal for an IEEE 1149.1 type digital boundary scan test. Switch (S
The H) 41a and the switch (SL) 41b need not be physically present as long as they can appropriately supply the high-level voltage (VH) 40a and the low-level voltage (VL) 40b. The reference voltage (VG) 40c is a reference voltage for analog measurement. The reference voltage (VG) 40c is a constant voltage source that does not change in voltage within a specified range and can change current, and is not stable in time. must not. The fact that this integrated circuit is connected to the system ground indicates that the reference voltage (V
G) Desirable for 40c. If this condition is not satisfied, the high-level voltage (VH) 40a and the low-level voltage (VL) 40b may replace the reference voltage (VG) 40c.

【0034】アナログテスト信号スイッチSB(SB
1)42aは、アナログテストバス(AB1)35aを
アナログピンに接続し、アナログテスト信号スイッチS
B(SB2)42bは、アナログテストバス(AB2)
35bをアナログピンに接続するものである。次に、図
9において、キャプチャアンドアップデートレジスタ4
4は、IEEE規格1149.1におけるデジタルバウ
ンダリスキャンセル2a、2bのバウンダリスキャンシ
フトレジスタ3とパラレルラッチ4の機能を組み合わせ
たものであり、デジタルバウンダリスキャンセル2a、
2bがコアロジック1及び入力端子6あるいは出力端子
7と接続されていないものと考えることができる。
The analog test signal switch SB (SB
1) 42a connects an analog test bus (AB1) 35a to an analog pin, and an analog test signal switch S
B (SB2) 42b is an analog test bus (AB2)
35b is connected to an analog pin. Next, in FIG. 9, the capture and update register 4
Reference numeral 4 denotes a combination of the functions of the boundary scan shift register 3 and the parallel latch 4 of the digital boundary scan cells 2a and 2b in the IEEE standard 1149.1.
It can be considered that 2b is not connected to the core logic 1 and the input terminal 6 or the output terminal 7.

【0035】このキャプチャアンドアップデートレジス
タ44への入力は、デジタル信号出力端子(DPin)
39の信号以外はオプションであるため破線で示してい
る。通常は、TDI側からTDO側へ向けて、各データ
レジスタ(デジタルバウンダリスキャンセル)を経て送
られてきた制御信号がキャプチャアンドアップデートレ
ジスタ44への入力である。1つのABM32に対して
4つのキャプチャアンドアップデートレジスタ44への
入力によるD、C、B1、B2、及び入力端子47a、
47bからのMode1、Mode2の各信号がM1信
号、M2信号としてABMコントロールデコードロジッ
ク45に入力され、これらの制御信号D、C、B1、B
2、M1、M2の組み合わせにより、上述したスイッチ
(SD)36、スイッチ(SH)41a、スイッチ(S
L)41b、スイッチ(SG)41c、スイッチ(SB
1)42a、スイッチ(SB2)42bの各スイッチの
開閉が決定する。
The input to the capture and update register 44 is a digital signal output terminal (DPin)
Since the signals other than the signal 39 are optional, they are indicated by broken lines. Normally, a control signal sent from the TDI side to the TDO side via each data register (digital boundary scan cell) is an input to the capture and update register 44. D, C, B1, B2, and input terminals 47a by input to four capture and update registers 44 for one ABM 32;
The Mode 1 and Mode 2 signals from 47b are input to the ABM control decode logic 45 as M1 and M2 signals, and these control signals D, C, B1, and B
The switch (SD) 36, the switch (SH) 41a, and the switch (S
L) 41b, switch (SG) 41c, switch (SB)
1) Open / close of each switch of the switch 42a and the switch (SB2) 42b is determined.

【0036】また、本例において、図1に示すTBIC
34の機能は、図10に示すものと共通であるが、この
TBIC34におけるアナログテスト用端子(AT1)
及び(AT2)と、アナログテストバス(AB1)35
a及び(AB2)35bとの接続、切り離しは、入力端
子8〜13、47a、47bからの入力信号によって切
り換えられる。
In this embodiment, the TBIC shown in FIG.
The function of the analog test terminal 34 (AT1) in the TBIC 34 is the same as that shown in FIG.
And (AT2) and the analog test bus (AB1) 35
The connection to and disconnection from (a) and (AB2) 35b is switched by input signals from the input terminals 8 to 13, 47a, and 47b.

【0037】以上のように本例の集積回路では、図10
に示す従来の回路と比較してテストコントロールブロッ
ク33がない構成となっており、これに伴って、図10
に示すTAPコントローラ27のTMS端子30に相当
する端子(状態遷移のための信号入力端子)もないもの
となっている。その代わりに、Shift−DR端子
9、Capture−DR端子10、Update−D
R端子11、Enable端子12、Mode1端子4
7a、Mode2端子47bを新しく付加することによ
り、これらの信号によって直接バウンダリスキャンセル
を制御して、アナログバウンダリスキャンテスト機能を
実現できる。
As described above, in the integrated circuit of this embodiment, FIG.
10 has a configuration without the test control block 33 as compared with the conventional circuit shown in FIG.
The terminal (signal input terminal for state transition) corresponding to the TMS terminal 30 of the TAP controller 27 shown in FIG. Instead, Shift-DR terminal 9, Capture-DR terminal 10, Update-D
R terminal 11, Enable terminal 12, Mode 1 terminal 4
By newly adding the Mode 7a and the Mode 2 terminal 47b, the boundary scan cell is directly controlled by these signals, and the analog boundary scan test function can be realized.

【0038】このようにテストコントロールブロック3
3を除く構成により、集積回路の構成を簡素、小型化す
ることができる。また、従来のような制御信号のデコー
ドや状態遷移動作を行うことなくアナログバウンダリス
キャンテストを行うことができ、検査の迅速化を実現で
きる。また、少数の入力端子の付加によって実現できる
ので、多数のテストパッドを必要とせず、実装密度等の
要請に対応することができる。さらに、個々の集積回路
にテストコントロールブロック33を付加する必要がな
いため、コストの削減を実現できる。
As described above, the test control block 3
With the configuration excluding 3, the configuration of the integrated circuit can be simplified and reduced in size. Further, the analog boundary scan test can be performed without performing the control signal decoding and the state transition operation as in the related art, and the inspection can be speeded up. Further, since it can be realized by adding a small number of input terminals, a large number of test pads are not required, and it is possible to respond to a demand such as mounting density. Further, since it is not necessary to add the test control block 33 to each integrated circuit, cost reduction can be realized.

【0039】図2は、以上のようなテスト用入出力端子
8〜13、16、47a、47bを有する集積回路を搭
載した半導体装置の例を示す斜視図であり、テスト用端
子付きCSPパッケージの例を示している。本例の半導
体装置において、集積回路19は絶縁基板であるインタ
ポーザ21の第1主面上に封止体20に封止された状態
で設けられている。封止体20の材質は、集積回路19
の形態によって異なり、例えば異方性導電樹脂を用いる
こともある。インタポーザ21の第1主面には、銅等の
配線パターンが形成されており、特定のリード線22の
端部にはテスト用端子23が設けられている。各テスト
用端子23は、図1に示すTCK端子8、TDI端子1
3、TDO端子16、Shift−DR端子9、Cap
ture−DR端子10、Update−DR端子1
1、Enable端子12、Mode1端子47a、M
ode2端子47b、アナログテスト用端子46a、4
6bの計11個の端子に電気的に接続されている。
FIG. 2 is a perspective view showing an example of a semiconductor device on which an integrated circuit having the test input / output terminals 8 to 13, 16, 47a, and 47b is mounted. An example is shown. In the semiconductor device of this example, the integrated circuit 19 is provided on the first main surface of the interposer 21 which is an insulating substrate in a state where the integrated circuit 19 is sealed with a sealing body 20. The material of the sealing body 20 is the integrated circuit 19
For example, an anisotropic conductive resin may be used. A wiring pattern such as copper is formed on a first main surface of the interposer 21, and a test terminal 23 is provided at an end of a specific lead wire 22. The test terminals 23 are the TCK terminal 8 and the TDI terminal 1 shown in FIG.
3, TDO terminal 16, Shift-DR terminal 9, Cap
cure-DR terminal 10, Update-DR terminal 1
1, Enable terminal 12, Mode 1 terminal 47a, M
mode2 terminal 47b, analog test terminals 46a, 4
6b are electrically connected to a total of 11 terminals.

【0040】インタポーザ21の第2主面には、例えば
半田ボール等の接続端子24が多数形成されており、図
示しない実装基板に対する接続部となっている。このよ
うな構成の半導体装置では、各テスト用端子23に図示
しない検査装置のプローブ端子を当接させて、TCK、
TDI、TDO、Shift−DR、Capture−
DR、Update−DR、Enable、Mode
1、Mode2、アナログテスト信号を供給することに
より、バウンダリスキャンテストを行う。検査装置に
は、従来例で説明したテストコントロールブロック33
に相当する機能が設けられているが、本例では、上述し
たShift−DR等のバウンダリスキャンセルに発行
する命令を状態遷移によらず直接発行できるものとなっ
ている。
A large number of connection terminals 24 such as solder balls are formed on the second main surface of the interposer 21 and serve as connection portions to a mounting board (not shown). In the semiconductor device having such a configuration, a probe terminal of an inspection device (not shown) is brought into contact with each test terminal 23, and TCK,
TDI, TDO, Shift-DR, Capture-
DR, Update-DR, Enable, Mode
1, a Mode 2 and an analog test signal are supplied to perform a boundary scan test. The inspection apparatus includes the test control block 33 described in the conventional example.
However, in this example, an instruction to be issued to the boundary scan cell such as the above-described Shift-DR can be issued directly without state transition.

【0041】以上のような構成によれば、インタポーザ
21上に設けた少数(本例では11個)のテスト用端子
によって集積回路のバウンダリスキャンテストを実現で
きるので、半導体装置の大規模化を抑制しつつ、集積回
路のテストを行うことができ、半導体装置の小型化や実
装基板への高密度実装化等に寄与できる。また、従来の
バウンダリスキャンテストでは、Shift−DR等の
バウンダリスキャンセルに発行する命令は、上述したよ
うにTMS信号等による状態遷移に応じて発行していた
ため、目的の信号を発行するのに、無駄な状態(例えば
図6に示すExit1−DR)を経過しなければなら
ず、余分な時間がかかっていたが、本例においては各制
御信号を状態遷移によらず直接発行できるので、試験時
間の短縮が達成できる。
According to the configuration described above, the boundary scan test of the integrated circuit can be realized by a small number (11 in this example) of test terminals provided on the interposer 21, thereby suppressing an increase in the size of the semiconductor device. In addition, it is possible to perform a test of the integrated circuit while contributing to miniaturization of a semiconductor device, high-density mounting on a mounting substrate, and the like. Further, in the conventional boundary scan test, an instruction issued to a boundary scan cell such as Shift-DR is issued in response to a state transition by a TMS signal or the like as described above. Although a useless state (for example, Exit1-DR shown in FIG. 6) must be passed and extra time is required, in this example, since each control signal can be issued directly regardless of the state transition, the test time Can be reduced.

【0042】図3は、本発明の第2の実施の形態による
集積回路のアナログバウンダリスキャンテストに必要な
機能要素を示す回路図である。なお、図10と共通の構
成については、同一符号を付して説明する。図示のよう
に、本例の集積回路では、図10に示した従来例の構成
からテストコントロールブロック33とTBIC34を
除いたものであり、図10に示す従来例では、テストコ
ントロールブロック33で生成していたCapture
−DR、Shift−DR、Update−DR、Mo
de1、Mode2の各信号を入力端子9、10、1
1、12、47a、47bより入力するとともに、従来
例ではTBIC34によって選択的にAB1、AB2を
入力していたアナログテストバス35a、35bを直接
入力端子として設けたものである。また、本例において
も、図10に示す従来例と同様に、TDI、TDO、T
CKの入出力端子13、16、8が設けられている。
FIG. 3 is a circuit diagram showing functional elements required for an analog boundary scan test of an integrated circuit according to the second embodiment of the present invention. Note that the same components as those in FIG. 10 are described with the same reference numerals. As shown in the figure, the integrated circuit of this example is obtained by removing the test control block 33 and the TBIC 34 from the configuration of the conventional example shown in FIG. 10, and in the conventional example shown in FIG. The Capture
-DR, Shift-DR, Update-DR, Mo
The signals of de1 and Mode2 are input to input terminals 9, 10, 1
The analog test buses 35a and 35b, which have been inputted from 1, 12, 47a and 47b and selectively inputted AB1 and AB2 by the TBIC 34 in the conventional example, are provided as direct input terminals. Also in this example, similarly to the conventional example shown in FIG.
CK input / output terminals 13, 16 and 8 are provided.

【0043】図3において、ABM32は、出力ピン1
7dにつながっている出力セルである。そして、入力端
子8〜13、47a、47bから各種制御信号(Shi
ft−DR等)がキャプチャアンドアップデートレジス
タ44へ送られるとともに、入力端子35a、35bか
らテスト用のアナログ信号がキャプチャアンドアップデ
ートレジスタ44へ送られる。この入力端子8〜13、
47a、47bからキャプチャアンドアップデートレジ
スタ44へ送られた制御信号により、キャプチャアンド
アップデートレジスタ44が動作し、TDIからシリア
ルに入力されたデータがシフトまたは出力される。キャ
プチャアンドアップデートレジスタ44から出力された
データ、及び入力端子8〜13、47a、47bからの
制御信号(Mode1等)がABMコントロールデコー
ドロジック45に入力され、この入力された信号によっ
てABM32の動作が決定される。
In FIG. 3, ABM 32 is an output pin 1
This is the output cell connected to 7d. Then, various control signals (Shi) are input from the input terminals 8 to 13, 47a and 47b.
ft-DR, etc.) are sent to the capture and update register 44, and analog signals for testing are sent to the capture and update register 44 from the input terminals 35a and 35b. These input terminals 8 to 13,
The capture and update register 44 is operated by the control signals sent from the 47a and 47b to the capture and update register 44, and the data serially input from the TDI is shifted or output. The data output from the capture and update register 44 and the control signals (such as Mode 1) from the input terminals 8 to 13, 47a and 47b are input to the ABM control decode logic 45, and the operation of the ABM 32 is determined by the input signals. Is done.

【0044】一方、このような構成の集積回路を搭載し
た半導体装置は、例えば図2に示すものと同様に、イン
タポーザ21の第1主面に、図3に示すTCK端子8、
TDI端子13、TDO端子16、Shift−DR端
子9、Capture−DR端子10、Update−
DR端子11、Enable端子12、Mode1端子
47a、Mode2端子47b、アナログテストバス端
子35a、35bの計11個の端子に電気的に接続され
たテスト用端子23を設け、各テスト用端子23に図示
しない検査装置のプローブ端子を当接させて、TCK、
TDI、TDO、Shift−DR、Capture−
DR、Update−DR、Enable、Mode
1、Mode2、アナログテスト信号を供給することに
より、バウンダリスキャンテストを行う。検査装置に
は、従来例で説明したテストコントロールブロック33
及びTBIC34に相当する機能が設けられているが、
本例では、上述したShift−DR等のバウンダリス
キャンセルに発行する命令を状態遷移によらず直接発行
できるものとなっている。
On the other hand, a semiconductor device having an integrated circuit having such a structure is mounted on the first main surface of the interposer 21 in the same manner as that shown in FIG.
TDI terminal 13, TDO terminal 16, Shift-DR terminal 9, Capture-DR terminal 10, Update-
A test terminal 23 electrically connected to the DR terminal 11, the Enable terminal 12, the Mode 1 terminal 47a, the Mode 2 terminal 47b, and the analog test bus terminals 35a and 35b is provided, and each test terminal 23 is illustrated. The probe terminal of the inspection device that does not
TDI, TDO, Shift-DR, Capture-
DR, Update-DR, Enable, Mode
1, a Mode 2 and an analog test signal are supplied to perform a boundary scan test. The inspection apparatus includes the test control block 33 described in the conventional example.
And a function corresponding to the TBIC 34 are provided.
In this example, an instruction to be issued to the boundary scan cell such as the above-mentioned Shift-DR can be issued directly without depending on the state transition.

【0045】以上のように本例の集積回路においては、
図10に示す従来の回路と比較してテストコントロール
ブロック33及びTBIC34がない構成となってお
り、これに伴って、図5に示すTAPコントローラ27
のTMS端子30に相当する端子(状態遷移のための信
号入力端子)もないものとなっている。その代わりに、
Shift−DR端子9、Capture−DR端子1
0、Update−DR端子11、Enable端子1
2、Mode1端子47a、Mode2端子47bを新
しく付加するとともに、AT端子46a、46bの代わ
りにアナログテストバス端子35a、35bを設けたこ
とにより、これらの信号によって直接バウンダリスキャ
ンセルを制御して、アナログバウンダリスキャンテスト
機能を実現できる。
As described above, in the integrated circuit of this embodiment,
Compared with the conventional circuit shown in FIG. 10, the configuration is such that the test control block 33 and the TBIC 34 are not provided.
No terminal corresponding to the TMS terminal 30 (signal input terminal for state transition). Instead,
Shift-DR terminal 9, Capture-DR terminal 1
0, Update-DR terminal 11, Enable terminal 1
2. A new Mode 1 terminal 47a and a Mode 2 terminal 47b are newly added, and analog test bus terminals 35a and 35b are provided instead of the AT terminals 46a and 46b. Boundary scan test function can be realized.

【0046】このようにテストコントロールブロック3
3及びTBIC34を除く構成により、集積回路の構成
を簡素、小型化することができる。また、従来のような
制御信号のデコードや状態遷移動作を行うことなくアナ
ログバウンダリスキャンテストを行うことができ、検査
の迅速化を実現できる。また、少数の入力端子の付加に
よって実現できるので、多数のテストパッドを必要とせ
ず、実装密度等の要請に対応することができる。さら
に、個々の集積回路にテストコントロールブロック33
及びTBIC34を付加する必要がないため、コストの
削減を実現できる。
As described above, the test control block 3
3 and the configuration excluding the TBIC 34, the configuration of the integrated circuit can be simplified and reduced in size. Further, the analog boundary scan test can be performed without performing the control signal decoding and the state transition operation as in the related art, and the inspection can be speeded up. Further, since it can be realized by adding a small number of input terminals, a large number of test pads are not required, and it is possible to respond to a demand such as mounting density. Furthermore, a test control block 33 is provided for each integrated circuit.
In addition, since there is no need to add the TBIC 34, the cost can be reduced.

【0047】また、インタポーザ21上に設けた少数
(本例では11個)のテスト用端子によって集積回路の
バウンダリスキャンテストを実現できるので、半導体装
置の大規模化を抑制しつつ、集積回路のテストを行うこ
とができ、半導体装置の小型化や実装基板への高密度実
装化等に寄与できる。また、従来のバウンダリスキャン
テストでは、Shift−DR等のバウンダリスキャン
セルに発行する命令は、上述したようにTMS信号等に
よる状態遷移に応じて発行していたため、目的の信号を
発行するのに、無駄な状態(例えば図6に示すExit
1−DR)を経過しなければならず、余分な時間がかか
っていたが、本例においては各制御信号を状態遷移によ
らず直接発行できるので、試験時間の短縮が達成でき
る。
Since the boundary scan test of the integrated circuit can be realized by a small number (11 in this example) of test terminals provided on the interposer 21, the test of the integrated circuit can be performed while suppressing the increase in the size of the semiconductor device. This can contribute to downsizing of the semiconductor device, high-density mounting on a mounting substrate, and the like. Further, in the conventional boundary scan test, an instruction issued to a boundary scan cell such as Shift-DR is issued in response to a state transition by a TMS signal or the like as described above. Useless state (for example, Exit shown in FIG. 6)
1-DR), which takes extra time. However, in this example, since each control signal can be issued directly irrespective of the state transition, the test time can be reduced.

【0048】なお、以上の例は、アナログバウンダリス
キャンテスト機能を実現する例について説明したが、同
様にデジタルバウンダリスキャンテスト機能について
も、上述したインストラクションレジスタ26、TAP
コントローラ27、インストラクションデコーダ29を
除き、Shift−DR端子9、Capture−DR
端子10、Update−DR端子11、Enable
端子12を付加することで実現できる。本発明は、図7
に示すようなアナログバウンダリスキャンテスト機能と
デジタルバウンダリスキャンテスト機能が混在する集積
回路についても同様に適用し得るものである。また、以
上の例では、半導体装置のインタポーザ21に設けたテ
スト用端子23によって各制御信号を入力するようにし
たが、本発明はこれに限定されず、例えば半導体装置が
実装される配線基板に設けたテストパッドに検査装置の
端子を接触させることにより入力するようにしてもよ
い。また、配線基板に設けられた接続部(コネクタ等)
を介して入力するようにしてもよい。
In the above example, an example in which the analog boundary scan test function is implemented has been described. Similarly, the digital boundary scan test function can also be implemented in the above-described instruction register 26, TAP.
Except for the controller 27 and the instruction decoder 29, the Shift-DR terminal 9, the Capture-DR
Terminal 10, Update-DR terminal 11, Enable
This can be realized by adding the terminal 12. The present invention is shown in FIG.
The present invention can be similarly applied to an integrated circuit in which the analog boundary scan test function and the digital boundary scan test function are mixed as shown in FIG. In the above example, each control signal is input through the test terminal 23 provided on the interposer 21 of the semiconductor device. However, the present invention is not limited to this. For example, the control signal may be input to a wiring board on which the semiconductor device is mounted. The input may be made by bringing the terminal of the inspection device into contact with the provided test pad. In addition, connection parts (such as connectors) provided on the wiring board
May be input via the.

【0049】[0049]

【発明の効果】以上説明したように本発明では、バウン
ダリスキャンセルを有する集積回路を搭載した半導体装
置において、前記集積回路は、前記バウンダリスキャン
セルを制御するためのテストコントロールブロック回路
をもたず、外部から入力される信号によって前記バウン
ダリスキャンセルが直接制御されるようにした。したが
って、本発明の半導体装置では、集積回路にバウンダリ
スキャン機能を付加しつつ、出荷後は無駄となるバウン
ダリスキャン回路についてはテストコントロールブロッ
ク回路を除くことにより最小限に抑え、バウンダリスキ
ャン回路自体のコストダウンを図ることができる。
As described above, according to the present invention, in a semiconductor device mounted with an integrated circuit having a boundary scan cell, the integrated circuit does not have a test control block circuit for controlling the boundary scan cell. The boundary scan cell is directly controlled by a signal input from the outside. Therefore, in the semiconductor device of the present invention, while adding the boundary scan function to the integrated circuit, the wasteful boundary scan circuit after shipment is minimized by removing the test control block circuit, and the cost of the boundary scan circuit itself is reduced. Down can be planned.

【0050】また、集積回路内でテストコントロールブ
ロック回路によるデコード等の処理を行うことなく、外
部からの信号で直接制御することから、迅速な検査が可
能となる。さらに、バウンダリスキャン機能によるテス
トを行うことから、外部からの信号数は少数でよく、こ
の信号を入力するためのテストパッド(テスト用端子)
を半導体装置のインタポーザや実装配線基板上に設けた
場合でも、その配置スペースはそれほど大きくならな
い。したがって、半導体装置自体の小型化、コストダウ
ンを図ることができる。
In addition, since the control is directly performed by an external signal without performing processing such as decoding by the test control block circuit in the integrated circuit, quick inspection can be performed. Furthermore, since the test is performed by the boundary scan function, the number of external signals may be small, and a test pad (test terminal) for inputting the signals is required.
Is provided on an interposer of a semiconductor device or a mounting wiring board, the arrangement space is not so large. Therefore, the size and cost of the semiconductor device can be reduced.

【0051】また本発明では、半導体装置に搭載され、
バウンダリスキャンセルを有する集積回路において、前
記バウンダリスキャンセルを制御するためのテストコン
トロールブロック回路をもたず、外部から入力される信
号によって前記バウンダリスキャンセルが直接制御され
るようにした。したがって、本発明の集積回路では、集
積回路にバウンダリスキャン機能を付加しつつ、出荷後
は無駄となるバウンダリスキャン回路についてはテスト
コントロールブロック回路を除くことにより最小限に抑
え、バウンダリスキャン回路自体のコストダウンを図る
ことができる。
In the present invention, the semiconductor device is mounted on a semiconductor device.
In an integrated circuit having a boundary scan cell, a test control block circuit for controlling the boundary scan cell is not provided, and the boundary scan cell is directly controlled by an externally input signal. Therefore, in the integrated circuit of the present invention, while adding the boundary scan function to the integrated circuit, the wasteful boundary scan circuit after shipment is minimized by removing the test control block circuit, and the cost of the boundary scan circuit itself is reduced. Down can be planned.

【0052】また、集積回路内でテストコントロールブ
ロック回路によるデコード等の処理を行うことなく、外
部からの信号で直接制御することから、迅速な検査が可
能となる。さらに、バウンダリスキャン機能によるテス
トを行うことから、外部からの信号数は少数でよく、こ
の信号を入力するためのテストパッド(テスト用端子)
を半導体装置のインタポーザや実装配線基板上に設けた
場合でも、その配置スペースはそれほど大きくならな
い。したがって、半導体装置自体の小型化、コストダウ
ンを図ることができる。
Further, since the control is directly performed by an external signal without performing processing such as decoding by the test control block circuit in the integrated circuit, quick inspection can be performed. Furthermore, since the test is performed by the boundary scan function, the number of external signals may be small, and a test pad (test terminal) for inputting the signals is required.
Is provided on an interposer of a semiconductor device or a mounting wiring board, the arrangement space is not so large. Therefore, the size and cost of the semiconductor device can be reduced.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の第1の形態による集積回路のアナログ
バウンダリスキャン回路部の概略構成を示すブロック図
である。
FIG. 1 is a block diagram illustrating a schematic configuration of an analog boundary scan circuit section of an integrated circuit according to a first embodiment of the present invention.

【図2】図1に示す集積回路を搭載した半導体装置の構
成例を示す斜視図である。
FIG. 2 is a perspective view showing a configuration example of a semiconductor device on which the integrated circuit shown in FIG. 1 is mounted.

【図3】本発明の第2の形態による集積回路のアナログ
バウンダリスキャン回路部の概略構成を示すブロック図
である。
FIG. 3 is a block diagram illustrating a schematic configuration of an analog boundary scan circuit section of an integrated circuit according to a second embodiment of the present invention.

【図4】従来のデジタルバウンダリスキャン回路を搭載
した半導体装置の構成を示すブロック図である。
FIG. 4 is a block diagram illustrating a configuration of a semiconductor device equipped with a conventional digital boundary scan circuit.

【図5】図4に示すデジタルバウンダリスキャン回路の
詳細な構成を示すブロック図である。
FIG. 5 is a block diagram showing a detailed configuration of the digital boundary scan circuit shown in FIG. 4;

【図6】図4に示すデジタルバウンダリスキャン回路の
状態遷移を示すブロック図である。
FIG. 6 is a block diagram showing a state transition of the digital boundary scan circuit shown in FIG. 4;

【図7】従来のデジタルバウンダリスキャン回路とアナ
ログバウンダリスキャン回路を搭載した半導体装置の構
成を示すブロック図である。
FIG. 7 is a block diagram showing a configuration of a conventional semiconductor device equipped with a digital boundary scan circuit and an analog boundary scan circuit.

【図8】図7に示すアナログバウンダリスキャン回路の
詳細な構成を示すブロック図である。
8 is a block diagram showing a detailed configuration of the analog boundary scan circuit shown in FIG.

【図9】図7に示すアナログバウンダリスキャン回路の
詳細な構成を示すブロック図である。
9 is a block diagram showing a detailed configuration of the analog boundary scan circuit shown in FIG.

【図10】図7に示すアナログバウンダリスキャン回路
部の概略構成を示すブロック図である。
FIG. 10 is a block diagram illustrating a schematic configuration of an analog boundary scan circuit section illustrated in FIG. 7;

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1……コアロジック、8……TCK端子、9……Shi
ft−DR端子、10……Capture−DR端子、
11……Update−DR端子、12……Enabl
e端子、13……TDI端子、16……TDO端子、1
9……集積回路、20……封止体、21……インタポー
ザ、22……リード線、23……テスト用端子、32…
…ABM、35a、35b……アナログテストバス端
子、46a、46b……アナログテスト端子、47a…
…Mode1端子、47b……Mode2端子。
1 ... core logic, 8 ... TCK terminal, 9 ... Shi
ft-DR terminal, 10 ... Capture-DR terminal,
11: Update-DR terminal, 12: Enable
e terminal, 13: TDI terminal, 16: TDO terminal, 1
9 ... integrated circuit, 20 ... sealed body, 21 ... interposer, 22 ... lead wire, 23 ... test terminal, 32 ...
... ABM, 35a, 35b ... Analog test bus terminals, 46a, 46b ... Analog test terminals, 47a ...
... Mode 1 terminal, 47b... Mode 2 terminal.

Claims (22)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 バウンダリスキャンセルを有する集積回
路を搭載した半導体装置において、 前記集積回路は、前記バウンダリスキャンセルを制御す
るためのテストコントロールブロック回路をもたず、外
部から入力される信号によって前記バウンダリスキャン
セルが直接制御されるようにした、ことを特徴とする半
導体装置。
1. A semiconductor device equipped with an integrated circuit having a boundary scan cell, wherein the integrated circuit does not have a test control block circuit for controlling the boundary scan cell, and the integrated circuit does not have a test control block circuit. A semiconductor device wherein boundary scan cells are directly controlled.
【請求項2】 前記バウンダリスキャンセルは、デジタ
ル回路用のデジタルバウンダリスキャンセルであり、前
記外部から入力される信号は、少なくともTDI、TD
O、TCK、Capture−DR、Shift−D
R、Update−DR、Enableの各信号を含む
ことを特徴とする請求項1記載の半導体装置。
2. The method according to claim 1, wherein the boundary scan cell is a digital boundary scan cell for a digital circuit.
O, TCK, Capture-DR, Shift-D
2. The semiconductor device according to claim 1, wherein the semiconductor device includes signals of R, Update-DR, and Enable.
【請求項3】 前記バウンダリスキャンセルは、アナロ
グ回路用のアナログバウンダリスキャンセルであり、前
記外部から入力される信号は、少なくともTDI、TD
O、TCK、Capture−DR、Shift−D
R、Update−DR、Enable、Mode1、
Mode2の各信号を含むことを特徴とする請求項1記
載の半導体装置。
3. The boundary scan cell according to claim 1, wherein said boundary scan cell is an analog boundary scan cell for an analog circuit.
O, TCK, Capture-DR, Shift-D
R, Update-DR, Enable, Mode1,
2. The semiconductor device according to claim 1, comprising each signal of Mode2.
【請求項4】 前記集積回路は、前記アナログバウンダ
リスキャンセルのアナログバスに外部入力によるアナロ
グテスト信号を選択的に供給するアナログテスト専用の
テストバスインタフェース回路を有することを特徴とす
る請求項3記載の半導体装置。
4. The integrated circuit according to claim 3, further comprising a test bus interface circuit dedicated to analog test for selectively supplying an analog test signal from an external input to an analog bus of the analog boundary scan cell. Semiconductor device.
【請求項5】 前記集積回路は、前記アナログバウンダ
リスキャンセルのアナログバスに外部入力によるアナロ
グテスト信号を選択的に供給するアナログテスト専用の
テストバスインタフェース回路をもたず、前記アナログ
テスト信号が外部から選択的に入力され、前記アナログ
バウンダリスキャンセルに直接入力されるようにしたこ
とを特徴とする請求項3記載の半導体装置。
5. The integrated circuit does not have a test bus interface circuit dedicated to analog test for selectively supplying an analog test signal by an external input to an analog bus of the analog boundary scan cell. 4. The semiconductor device according to claim 3, wherein the signal is selectively inputted from the analog signal line and directly inputted to the analog boundary scan cell.
【請求項6】 前記バウンダリスキャンセルは、デジタ
ル回路用のデジタルバウンダリスキャンセル及びアナロ
グ回路用のアナログバウンダリスキャンセルであり、前
記外部から入力される信号は、少なくともTDI、TD
O、TCK、Capture−DR、Shift−D
R、Update−DR、Enable、Mode1、
Mode2の各信号を含むことを特徴とする請求項1記
載の半導体装置。
6. The boundary scan cell according to claim 1, wherein said boundary scan cell is a digital boundary scan cell for a digital circuit and an analog boundary scan cell for an analog circuit.
O, TCK, Capture-DR, Shift-D
R, Update-DR, Enable, Mode1,
2. The semiconductor device according to claim 1, comprising each signal of Mode2.
【請求項7】 前記集積回路は、前記アナログバウンダ
リスキャンセルのアナログバスに外部入力によるアナロ
グテスト信号を選択的に供給するアナログテスト専用の
テストバスインタフェース回路を有することを特徴とす
る請求項6記載の半導体装置。
7. The analog circuit according to claim 6, wherein the integrated circuit has a test bus interface circuit dedicated to analog test for selectively supplying an analog test signal by an external input to an analog bus of the analog boundary scan cell. Semiconductor device.
【請求項8】 前記集積回路は、前記アナログバウンダ
リスキャンセルのアナログバスに外部入力によるアナロ
グテスト信号を選択的に供給するアナログテスト専用の
テストバスインタフェース回路をもたず、前記アナログ
テスト信号が外部から選択的に入力され、前記アナログ
バウンダリスキャンセルに直接入力されるようにしたこ
とを特徴とする請求項6記載の半導体装置。
8. The integrated circuit does not have a test bus interface circuit dedicated to analog test for selectively supplying an analog test signal by an external input to the analog bus of the analog boundary scan cell, and the analog test signal is supplied to an external device. 7. The semiconductor device according to claim 6, wherein the signal is selectively input to the analog boundary scan cell and directly input to the analog boundary scan cell.
【請求項9】 前記集積回路が搭載されたインタポーザ
と、前記インタポーザに形成されたテストパッドとを有
し、前記外部から入力される信号は、前記インタポーザ
上に形成されたテストパッドに検査装置の端子を接触さ
せることにより、前記検査装置から前記バウンダリスキ
ャンセルに入力されることを特徴とする請求項1記載の
半導体装置。
9. An interposer on which the integrated circuit is mounted, and a test pad formed on the interposer, wherein the signal input from the outside is supplied to a test pad formed on the interposer by a test pad of an inspection apparatus. The semiconductor device according to claim 1, wherein an input is made to the boundary scan cell from the inspection device by contacting a terminal.
【請求項10】 本半導体装置が実装される配線基板に
前記集積回路に配線パターンを介して接続されるテスト
パッドを有し、前記外部から入力される信号は、前記配
線基板に形成されたテストパッドに検査装置の端子を接
触させることにより、前記検査装置から前記バウンダリ
スキャンセルに入力されることを特徴とする請求項1記
載の半導体装置。
10. A wiring board on which the semiconductor device is mounted has a test pad connected to the integrated circuit via a wiring pattern, and the signal inputted from the outside is a test pad formed on the wiring board. 2. The semiconductor device according to claim 1, wherein an input is made from said inspection device to said boundary scan cell by bringing a terminal of the inspection device into contact with a pad.
【請求項11】 本半導体装置が実装される配線基板に
前記集積回路に配線パターンを介して接続されるととも
に、検査装置に接続される接続部を有し、前記外部から
入力される信号は、前記配線基板に設けられた接続部を
介して前記検査装置から前記バウンダリスキャンセルに
入力されることを特徴とする請求項1記載の半導体装
置。
11. A wiring board on which the semiconductor device is mounted has a connection portion connected to the integrated circuit via a wiring pattern and connected to an inspection device, and the signal input from the outside is: 2. The semiconductor device according to claim 1, wherein the signal is input from the inspection device to the boundary scan cell through a connection portion provided on the wiring board. 3.
【請求項12】 半導体装置に搭載され、バウンダリス
キャンセルを有する集積回路において、 前記バウンダリスキャンセルを制御するためのテストコ
ントロールブロック回路をもたず、外部から入力される
信号によって前記バウンダリスキャンセルが直接制御さ
れるようにした、 ことを特徴とする集積回路。
12. An integrated circuit mounted on a semiconductor device and having a boundary scan cell, wherein the integrated circuit does not include a test control block circuit for controlling the boundary scan cell, and the boundary scan cell is not controlled by an externally input signal. An integrated circuit characterized by being directly controlled.
【請求項13】 前記バウンダリスキャンセルは、デジ
タル回路用のデジタルバウンダリスキャンセルであり、
前記外部から入力される信号は、少なくともTDI、T
DO、TCK、Capture−DR、Shift−D
R、Update−DR、Enableの各信号を含む
ことを特徴とする請求項12記載の集積回路。
13. The boundary scan cell for a digital circuit, wherein the boundary scan cell is a digital boundary scan cell for a digital circuit.
The signals input from the outside are at least TDI, TDI
DO, TCK, Capture-DR, Shift-D
13. The integrated circuit according to claim 12, comprising R, Update-DR, and Enable signals.
【請求項14】 前記バウンダリスキャンセルは、アナ
ログ回路用のアナログバウンダリスキャンセルであり、
前記外部から入力される信号は、少なくともTDI、T
DO、TCK、Capture−DR、Shift−D
R、Update−DR、Enable、Mode1、
Mode2の各信号を含むことを特徴とする請求項12
記載の集積回路。
14. The semiconductor device according to claim 1, wherein the boundary scan cell is an analog boundary scan cell for an analog circuit.
The signals input from the outside are at least TDI, TDI
DO, TCK, Capture-DR, Shift-D
R, Update-DR, Enable, Mode1,
13. A mode 2 signal is included.
An integrated circuit as described.
【請求項15】 前記アナログバウンダリスキャンセル
のアナログバスに外部入力によるアナログテスト信号を
選択的に供給するアナログテスト専用のテストバスイン
タフェース回路を有することを特徴とする請求項14記
載の集積回路。
15. The integrated circuit according to claim 14, further comprising a test bus interface circuit dedicated to analog test for selectively supplying an analog test signal from an external input to the analog bus of the analog boundary scan cell.
【請求項16】 前記アナログバウンダリスキャンセル
のアナログバスに外部入力によるアナログテスト信号を
選択的に供給するアナログテスト専用のテストバスイン
タフェース回路をもたず、前記アナログテスト信号が外
部から選択的に入力され、前記アナログバウンダリスキ
ャンセルに直接入力されるようにしたことを特徴とする
請求項14記載の集積回路。
16. A test bus interface circuit dedicated to analog test for selectively supplying an analog test signal from an external input to the analog bus of the analog boundary scan cell, and the analog test signal is selectively input from the outside. 15. The integrated circuit according to claim 14, wherein the signal is directly input to the analog boundary scan cell.
【請求項17】 前記バウンダリスキャンセルは、デジ
タル回路用のデジタルバウンダリスキャンセル及びアナ
ログ回路用のアナログバウンダリスキャンセルであり、
前記外部から入力される信号は、少なくともTDI、T
DO、TCK、Capture−DR、Shift−D
R、Update−DR、Enable、Mode1、
Mode2の各信号を含むことを特徴とする請求項12
記載の集積回路。
17. The method according to claim 17, wherein the boundary scan cell is a digital boundary scan cell for a digital circuit and an analog boundary scan cell for an analog circuit.
The signals input from the outside are at least TDI, TDI
DO, TCK, Capture-DR, Shift-D
R, Update-DR, Enable, Mode1,
13. A mode 2 signal is included.
An integrated circuit as described.
【請求項18】 前記アナログバウンダリスキャンセル
のアナログバスに外部入力によるアナログテスト信号を
選択的に供給するアナログテスト専用のテストバスイン
タフェース回路を有することを特徴とする請求項17記
載の集積回路。
18. The integrated circuit according to claim 17, further comprising a test bus interface circuit dedicated to an analog test for selectively supplying an analog test signal by an external input to the analog bus of the analog boundary scan cell.
【請求項19】 前記アナログバウンダリスキャンセル
のアナログバスに外部入力によるアナログテスト信号を
選択的に供給するアナログテスト専用のテストバスイン
タフェース回路をもたず、前記アナログテスト信号が外
部から選択的に入力され、前記アナログバウンダリスキ
ャンセルに直接入力されるようにしたことを特徴とする
請求項17記載の集積回路。
19. A test bus interface circuit dedicated to analog test for selectively supplying an analog test signal from an external input to the analog bus of the analog boundary scan cell, and the analog test signal is selectively input from the outside. 18. The integrated circuit according to claim 17, wherein the signal is directly input to the analog boundary scan cell.
【請求項20】 前記半導体装置は、本集積回路が搭載
されたインタポーザと、前記インタポーザに形成された
テストパッドとを有し、前記外部から入力される信号
は、前記インタポーザ上に形成されたテストパッドに検
査装置の端子を接触させることにより、前記検査装置か
ら前記バウンダリスキャンセルに入力されることを特徴
とする請求項12記載の集積回路。
20. The semiconductor device has an interposer on which the present integrated circuit is mounted, and a test pad formed on the interposer, wherein the signal input from the outside is a test pad formed on the interposer. 13. The integrated circuit according to claim 12, wherein the boundary scan cell is input from the inspection device by bringing a terminal of the inspection device into contact with a pad.
【請求項21】 前記半導体装置が実装される配線基板
に本集積回路に配線パターンを介して接続されるテスト
パッドを有し、前記外部から入力される信号は、前記配
線基板に形成されたテストパッドに検査装置の端子を接
触させることにより、前記検査装置から前記バウンダリ
スキャンセルに入力されることを特徴とする請求項12
記載の集積回路。
21. A wiring board on which the semiconductor device is mounted has a test pad connected to the present integrated circuit via a wiring pattern, and the signal input from the outside receives a test signal formed on the wiring board. 13. An input to the boundary scan cell from the inspection device by bringing a terminal of the inspection device into contact with a pad.
An integrated circuit as described.
【請求項22】 前記半導体装置が実装される配線基板
に本集積回路に配線パターンを介して接続されるととも
に、検査装置に接続される接続部を有し、前記外部から
入力される信号は、前記配線基板に設けられた接続部を
介して前記検査装置から前記バウンダリスキャンセルに
入力されることを特徴とする請求項12記載の集積回
路。
22. A wiring board on which the semiconductor device is mounted is connected to the present integrated circuit via a wiring pattern and has a connection portion connected to an inspection device, and the signal input from the outside is: 13. The integrated circuit according to claim 12, wherein the signal is input from the inspection apparatus to the boundary scan cell through a connection portion provided on the wiring board.
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JP2006189368A (en) * 2005-01-07 2006-07-20 Oki Electric Ind Co Ltd Test system

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6691289B2 (en) 2001-07-13 2004-02-10 Samsung Electronics Co., Ltd. Semiconductor integrated circuit including circuit for selecting embedded tap cores
JP2006189368A (en) * 2005-01-07 2006-07-20 Oki Electric Ind Co Ltd Test system
JP4542910B2 (en) * 2005-01-07 2010-09-15 Okiセミコンダクタ株式会社 Test system

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