JP2000277818A - ＹＳＺとＰｔとからなる積層体及びその製造方法 - Google Patents
ＹＳＺとＰｔとからなる積層体及びその製造方法Info
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Landscapes
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- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 Ｓｉ（１００）基板上に、ＹＳＺ膜及びＰｔ
膜をそれぞれ（１００）に配向させて形成された積層体
及びその製造方法を提供する。 【解決手段】 Ｓｉ（１００）基板をサーマルエッチン
グすることによって、Ｓｉ基板表面を粗くする。具体的
には、Ｓｉ基板上にＹＳＺ膜を真空蒸着法で成膜させた
ときに、ＹＳＺ膜の表面粗さＲrmsが２．５ｎｍ〜２５
ｎｍになるようにＳｉ基板を粗くする。この表面粗さを
ＹＳＺ膜上に形成すれば（１００）に配向したＰｔ膜を
容易に成膜することができる。Ｐｔ膜上にＰＺＴ焦電体
薄膜を（１００）に配向させて成膜することにより高感
度な赤外線センサーを提供することができる。
膜をそれぞれ（１００）に配向させて形成された積層体
及びその製造方法を提供する。 【解決手段】 Ｓｉ（１００）基板をサーマルエッチン
グすることによって、Ｓｉ基板表面を粗くする。具体的
には、Ｓｉ基板上にＹＳＺ膜を真空蒸着法で成膜させた
ときに、ＹＳＺ膜の表面粗さＲrmsが２．５ｎｍ〜２５
ｎｍになるようにＳｉ基板を粗くする。この表面粗さを
ＹＳＺ膜上に形成すれば（１００）に配向したＰｔ膜を
容易に成膜することができる。Ｐｔ膜上にＰＺＴ焦電体
薄膜を（１００）に配向させて成膜することにより高感
度な赤外線センサーを提供することができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、Ｓｉ基板上にＰｔ
膜を形成した赤外線センサーなどに用いられる積層体及
びその製造方法に関し、更に詳細には、Ｓｉ（１００）
基板上にイットリア安定化ジルコニア膜をバッファー層
として介在させることにより（１００）に配向したＰｔ
膜をＳｉ基板上に安定して形成させる方法及び得られた
積層体並びに赤外線センサーに関する。
膜を形成した赤外線センサーなどに用いられる積層体及
びその製造方法に関し、更に詳細には、Ｓｉ（１００）
基板上にイットリア安定化ジルコニア膜をバッファー層
として介在させることにより（１００）に配向したＰｔ
膜をＳｉ基板上に安定して形成させる方法及び得られた
積層体並びに赤外線センサーに関する。
【０００２】
【従来の技術】赤外線センサーは、人体から放出される
赤外線を検出することが可能であるため、自動ドアや警
報装置などの人体検知機に使われている。これら赤外線
センサーには種々のものが知られており、その中でも焦
電物質の焦電特性を利用した焦電型赤外線センサーは、
検出感度に波長依存性がなくセンサー部の冷却を必要と
しないために広く利用されている。焦電型赤外線センサ
ー１０は、通常、図６に示したように、Ｓｉ基板１上
に、バッファー層（下地層）としての酸化物薄膜２を介
して、電極としてのＰｔ膜３、焦電特性を有する焦電体
薄膜４、保護膜と上部電極とを兼ねた金属薄膜５が積層
された構造を有する。バッファー層（下地層）は、Ｓｉ
基板１の配向性を失うことなくＳｉ基板１と焦電体薄膜
４との反応を防止するという目的で用いられており、例
えば、イットリア安定化ジルコニア（以下、適宜「ＹＳ
Ｚ」という）やＣｅＯ２、ＭｇＯなどが使われている。
また、焦電体薄膜には、ＰｂＴｉＯ３やＰＺＴ、ＰＬ
Ｔ、ＰＬＺＴ、ＰＴＯ、ＢａＴｉＯ３などが使われてお
り、センサーとして検出感度や検出速度などの特性を最
適にするために、結晶性や結晶配向性を制御しつつ成膜
することが望まれている。
赤外線を検出することが可能であるため、自動ドアや警
報装置などの人体検知機に使われている。これら赤外線
センサーには種々のものが知られており、その中でも焦
電物質の焦電特性を利用した焦電型赤外線センサーは、
検出感度に波長依存性がなくセンサー部の冷却を必要と
しないために広く利用されている。焦電型赤外線センサ
ー１０は、通常、図６に示したように、Ｓｉ基板１上
に、バッファー層（下地層）としての酸化物薄膜２を介
して、電極としてのＰｔ膜３、焦電特性を有する焦電体
薄膜４、保護膜と上部電極とを兼ねた金属薄膜５が積層
された構造を有する。バッファー層（下地層）は、Ｓｉ
基板１の配向性を失うことなくＳｉ基板１と焦電体薄膜
４との反応を防止するという目的で用いられており、例
えば、イットリア安定化ジルコニア（以下、適宜「ＹＳ
Ｚ」という）やＣｅＯ２、ＭｇＯなどが使われている。
また、焦電体薄膜には、ＰｂＴｉＯ３やＰＺＴ、ＰＬ
Ｔ、ＰＬＺＴ、ＰＴＯ、ＢａＴｉＯ３などが使われてお
り、センサーとして検出感度や検出速度などの特性を最
適にするために、結晶性や結晶配向性を制御しつつ成膜
することが望まれている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ところで、焦電型赤外
線センサーは量子型などのほかのタイプの赤外線センサ
ーよりも検出感度が低く応答が悪いという問題があり、
現在、この問題を解決するために様々な試みがなされて
いる。検出感度を上げるための一つの手段として、ＰＺ
Ｔなどの焦電体薄膜を（１００）に配向させることが考
えられる。すなわち、ＰＺＴなどの焦電体薄膜を（１０
０）に配向させると、（１００）方向の焦電係数が最も
大きくなるので焦電体薄膜の焦電特性が向上し、その結
果、赤外線センサーの検出感度が向上する。焦電体薄膜
を（１００）に配向させるためには、焦電体薄膜を成膜
するときに下地となるＰｔ膜を（１００）に配向させる
必要がある。更に、このＰｔ膜を（１００）に配向させ
て成長させるにはＹＳＺなどのバッファー層（下地層）
を（１００）に配向するように形成させなければならな
い。
線センサーは量子型などのほかのタイプの赤外線センサ
ーよりも検出感度が低く応答が悪いという問題があり、
現在、この問題を解決するために様々な試みがなされて
いる。検出感度を上げるための一つの手段として、ＰＺ
Ｔなどの焦電体薄膜を（１００）に配向させることが考
えられる。すなわち、ＰＺＴなどの焦電体薄膜を（１０
０）に配向させると、（１００）方向の焦電係数が最も
大きくなるので焦電体薄膜の焦電特性が向上し、その結
果、赤外線センサーの検出感度が向上する。焦電体薄膜
を（１００）に配向させるためには、焦電体薄膜を成膜
するときに下地となるＰｔ膜を（１００）に配向させる
必要がある。更に、このＰｔ膜を（１００）に配向させ
て成長させるにはＹＳＺなどのバッファー層（下地層）
を（１００）に配向するように形成させなければならな
い。
【０００４】Japanese Journal of Applied Physics (V
ol.27, No.8, August, 1988, pp. L1404-L1405)は、Ｙ
ＳＺ（２００）配向面をＳｉ（１００）面と格子接合さ
せることが可能であることを報告している。しかしなが
ら、（１００）に配向したＹＳＺ層をＳｉ基板上に形成
した場合であっても、このＹＳＺ（１００）面上にＰｔ
膜を形成させると、Ｐｔ膜は（１００）ではなく（１１
１）に配向して成長してしまうという問題があった。上
記Ｊ.Ｊ.Ａ.Ｐ.では、この問題及びその解決方法につい
て何ら記載も示唆もされていない。
ol.27, No.8, August, 1988, pp. L1404-L1405)は、Ｙ
ＳＺ（２００）配向面をＳｉ（１００）面と格子接合さ
せることが可能であることを報告している。しかしなが
ら、（１００）に配向したＹＳＺ層をＳｉ基板上に形成
した場合であっても、このＹＳＺ（１００）面上にＰｔ
膜を形成させると、Ｐｔ膜は（１００）ではなく（１１
１）に配向して成長してしまうという問題があった。上
記Ｊ.Ｊ.Ａ.Ｐ.では、この問題及びその解決方法につい
て何ら記載も示唆もされていない。
【０００５】本発明の目的は、Ｓｉ（１００）基板上
に、基板と同じ（１００）に配向したＹＳＺ層及びＰｔ
膜を順次積層させた積層体を提供することにある。ま
た、本発明の別の目的は、上記積層体のＰｔ膜上に（１
００）に配向した焦電体薄膜を形成させることにより高
感度の焦電型赤外線センサーを提供することにある。
に、基板と同じ（１００）に配向したＹＳＺ層及びＰｔ
膜を順次積層させた積層体を提供することにある。ま
た、本発明の別の目的は、上記積層体のＰｔ膜上に（１
００）に配向した焦電体薄膜を形成させることにより高
感度の焦電型赤外線センサーを提供することにある。
【０００６】本発明の更に別の目的は、焦電体薄膜を成
膜するときにその下地となるＰｔ膜を（１００）に配向
させて形成することができる焦電型赤外線センサー用積
層体の製造方法を提供することにある。
膜するときにその下地となるＰｔ膜を（１００）に配向
させて形成することができる焦電型赤外線センサー用積
層体の製造方法を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明の第１の態様に従
えば、Ｓｉ基板上に、イットリア安定化ジルコニア層を
介してＰｔ膜が形成された積層体において、上記Ｓｉ基
板、イットリア安定化ジルコニア層及びＰｔ膜がそれぞ
れ（１００）に配向していることを特徴とする積層体が
提供される。
えば、Ｓｉ基板上に、イットリア安定化ジルコニア層を
介してＰｔ膜が形成された積層体において、上記Ｓｉ基
板、イットリア安定化ジルコニア層及びＰｔ膜がそれぞ
れ（１００）に配向していることを特徴とする積層体が
提供される。
【０００８】本発明に従う積層体は、Ｓｉ（１００）基
板上に、Ｓｉ（１００）基板を前もってエッチングする
ことによって得られた所定の表面粗さを有するＹＳＺ
（１００）層を介して、（１００）に配向したＰｔ膜を
備えているため、このＰｔ膜上にＰＺＴなどの焦電体薄
膜を（１００）に配向させて成長させることができる。
このため、焦電特性に優れた赤外線センサーなどの種々
の素子を形成するうえで好適である。
板上に、Ｓｉ（１００）基板を前もってエッチングする
ことによって得られた所定の表面粗さを有するＹＳＺ
（１００）層を介して、（１００）に配向したＰｔ膜を
備えているため、このＰｔ膜上にＰＺＴなどの焦電体薄
膜を（１００）に配向させて成長させることができる。
このため、焦電特性に優れた赤外線センサーなどの種々
の素子を形成するうえで好適である。
【０００９】本発明において、ＹＳＺ層表面の表面粗さ
Ｒrmsは、２．５ｎｍ〜２５ｎｍであることが好まし
い。ここで、「表面粗さＲrms」の定義について、図１
を用いて説明する。図１は、ＹＳＺ層の表面をｘ−ｙ平
面として表し、ＹＳＺ層の表面と垂直な方向をｚ方向と
して表したときに、ｚ≡ｆ（ｘ，ｙ）で膜表面の凹凸を
表現した模式図である。図１において、関数ｆ（ｘ，
ｙ）は、点（ｘ，ｙ）における荒れのｚ方向の変位を表
しており、その平均を下記式（２）で定義したｆ（ｘ，
ｙ）の上付きバーで表している。ここで、表面粗さＲrm
sは次式（１）で定義される。ただし、本明細書では、
基準面積Ｓを１μｍ×１μｍとしてＲrmsの値を計算し
た。
Ｒrmsは、２．５ｎｍ〜２５ｎｍであることが好まし
い。ここで、「表面粗さＲrms」の定義について、図１
を用いて説明する。図１は、ＹＳＺ層の表面をｘ−ｙ平
面として表し、ＹＳＺ層の表面と垂直な方向をｚ方向と
して表したときに、ｚ≡ｆ（ｘ，ｙ）で膜表面の凹凸を
表現した模式図である。図１において、関数ｆ（ｘ，
ｙ）は、点（ｘ，ｙ）における荒れのｚ方向の変位を表
しており、その平均を下記式（２）で定義したｆ（ｘ，
ｙ）の上付きバーで表している。ここで、表面粗さＲrm
sは次式（１）で定義される。ただし、本明細書では、
基準面積Ｓを１μｍ×１μｍとしてＲrmsの値を計算し
た。
【００１０】
【数１】
【００１１】
【数２】
【００１２】ＹＳＺ層表面の表面粗さＲrmsが２．５ｎ
ｍ未満では（１００）以外の方位が混在したＰｔ膜とな
り、２５ｎｍを超えるとＰｔ膜は（１００）に配向され
るものの、Ｐｔ膜の表面に階段状の凹凸が形成されるた
め好ましくない。
ｍ未満では（１００）以外の方位が混在したＰｔ膜とな
り、２５ｎｍを超えるとＰｔ膜は（１００）に配向され
るものの、Ｐｔ膜の表面に階段状の凹凸が形成されるた
め好ましくない。
【００１３】本発明の積層体の（１００）配向したＰｔ
膜上に、更に焦電体薄膜を成膜することにより高感度の
焦電型赤外線センサーが得られる。この場合、本発明の
積層体のＰｔ膜は（１００）に配向しているので、この
Ｐｔ膜上に成膜された焦電体薄膜も（１００）に配向さ
れる。これにより、本発明の積層体を利用して製造され
た焦電型赤外線センサーの感度は向上する。焦電体薄膜
としては、ＰｂＴｉＯ ３やＰＺＴ、ＰＬＴ、ＰＬＺＴ、
ＰＴＯ、ＢａＴｉＯ３などが好ましく、焦電係数が最も
大きいＰＺＴがより一層好ましい。
膜上に、更に焦電体薄膜を成膜することにより高感度の
焦電型赤外線センサーが得られる。この場合、本発明の
積層体のＰｔ膜は（１００）に配向しているので、この
Ｐｔ膜上に成膜された焦電体薄膜も（１００）に配向さ
れる。これにより、本発明の積層体を利用して製造され
た焦電型赤外線センサーの感度は向上する。焦電体薄膜
としては、ＰｂＴｉＯ ３やＰＺＴ、ＰＬＴ、ＰＬＺＴ、
ＰＴＯ、ＢａＴｉＯ３などが好ましく、焦電係数が最も
大きいＰＺＴがより一層好ましい。
【００１４】本発明において、ＹＳＺの組成を（ＺｒＯ
２）１−Ｘ（Ｙ２Ｏ３）Ｘで表したとき、ＹＳＺが立方
晶である必要があることから、Ｘ＝０．０７５〜０．３
０とすることが好ましい。
２）１−Ｘ（Ｙ２Ｏ３）Ｘで表したとき、ＹＳＺが立方
晶である必要があることから、Ｘ＝０．０７５〜０．３
０とすることが好ましい。
【００１５】本発明の第２の態様に従えば、Ｓｉ基板上
に、イットリア安定化ジルコニア層及びＰｔ膜が順次形
成された積層体の製造方法において、上記Ｓｉ基板の
（１００）面をエッチング処理して表面を粗くした後
に、上記イットリア安定化ジルコニア層及びＰｔ膜を積
層し、それによって（１００）に配向したＰｔ膜を形成
することができることを特徴とする積層体の製造方法が
提供される。
に、イットリア安定化ジルコニア層及びＰｔ膜が順次形
成された積層体の製造方法において、上記Ｓｉ基板の
（１００）面をエッチング処理して表面を粗くした後
に、上記イットリア安定化ジルコニア層及びＰｔ膜を積
層し、それによって（１００）に配向したＰｔ膜を形成
することができることを特徴とする積層体の製造方法が
提供される。
【００１６】本発明の積層体を製造する方法では、Ｓｉ
（１００）基板をエッチング処理することによってＳｉ
基板表面上を粗くすることができる。それゆえ、この表
面を粗くしたＳｉ基板上にＹＳＺ層を真空蒸着すること
により所定の表面粗さを有するＹＳＺ層が形成される。
また、このＹＳＺ層上にＰｔ膜を形成させる際、ＹＳＺ
層の粗い斜面上で成長するＰｔ結晶粒の成長の異方性を
利用することによって、Ｐｔ膜の配向方向を制御するこ
とができる。（１００）に配向したＰｔ膜をＹＳＺ層上
に形成させる具体的な方法として、成膜したＹＳＺ（１
００）層の表面に表面粗さＲrmsが２．５ｎｍ〜２５ｎ
ｍになるように、Ｓｉ（１００）面を粗くすればよい。
ＹＳＺ層の表面上に形成させるうねりはエッチング処理
の時間を調整することによって行われる。
（１００）基板をエッチング処理することによってＳｉ
基板表面上を粗くすることができる。それゆえ、この表
面を粗くしたＳｉ基板上にＹＳＺ層を真空蒸着すること
により所定の表面粗さを有するＹＳＺ層が形成される。
また、このＹＳＺ層上にＰｔ膜を形成させる際、ＹＳＺ
層の粗い斜面上で成長するＰｔ結晶粒の成長の異方性を
利用することによって、Ｐｔ膜の配向方向を制御するこ
とができる。（１００）に配向したＰｔ膜をＹＳＺ層上
に形成させる具体的な方法として、成膜したＹＳＺ（１
００）層の表面に表面粗さＲrmsが２．５ｎｍ〜２５ｎ
ｍになるように、Ｓｉ（１００）面を粗くすればよい。
ＹＳＺ層の表面上に形成させるうねりはエッチング処理
の時間を調整することによって行われる。
【００１７】本発明の積層体を製造する方法において、
エッチング処理として、例えば、サーマルエッチングを
利用することができる。サーマルエッチングでは、１０
−６Ｐａの減圧雰囲気下で、酸素分圧を一定にしたまま
温度を７５０℃〜８５０℃に昇温した後、１〜１０分か
けて装置内に酸素を導入して、酸素分圧を５×１０− ４
Ｐａ〜１×１０−２Ｐａに上昇させることによりＳｉ基
板表面に凹凸を形成させる。すなわち、温度７５０℃〜
８５０℃で酸素分圧が５×１０−４Ｐａ〜１×１０−２
Ｐａに到達する途中の領域では、２Ｓｉ＋Ｏ２→２Ｓｉ
Ｏ↑という反応が起こるため、基板表面のＳｉが削り取
られ、表面上に凹凸が形成される。凹凸の粗さは、この
反応によってＳｉが削り取られる領域に基板を保持して
おく時間、温度及び酸素分圧の３つの条件によって決定
される。
エッチング処理として、例えば、サーマルエッチングを
利用することができる。サーマルエッチングでは、１０
−６Ｐａの減圧雰囲気下で、酸素分圧を一定にしたまま
温度を７５０℃〜８５０℃に昇温した後、１〜１０分か
けて装置内に酸素を導入して、酸素分圧を５×１０− ４
Ｐａ〜１×１０−２Ｐａに上昇させることによりＳｉ基
板表面に凹凸を形成させる。すなわち、温度７５０℃〜
８５０℃で酸素分圧が５×１０−４Ｐａ〜１×１０−２
Ｐａに到達する途中の領域では、２Ｓｉ＋Ｏ２→２Ｓｉ
Ｏ↑という反応が起こるため、基板表面のＳｉが削り取
られ、表面上に凹凸が形成される。凹凸の粗さは、この
反応によってＳｉが削り取られる領域に基板を保持して
おく時間、温度及び酸素分圧の３つの条件によって決定
される。
【００１８】また、上記サーマルエッチング処理におい
て、温度を７５０℃〜８５０℃に昇温させる工程の前
に、１００℃〜３００℃の温度、例えば、約２００℃の
温度にてＳｉ基板上に厚さが５Å〜２０Å、例えば、１
５ÅになるようにＺｒを成膜させる工程を入れることが
望ましい。酸素分圧が１０−３Ｐａよりも高い領域で
は、Ｓｉ＋Ｏ２→ＳｉＯ２という反応が起こり易くな
り、Ｓｉ基板表面上にＳｉＯ ２の膜が形成されてしまう
が、このＺｒ成膜工程を入れることによりＳｉ基板上に
形成したＺｒがＳｉ表面を覆うので、Ｓｉ基板表面にＳ
ｉＯ２が形成されることを抑えることができる。
て、温度を７５０℃〜８５０℃に昇温させる工程の前
に、１００℃〜３００℃の温度、例えば、約２００℃の
温度にてＳｉ基板上に厚さが５Å〜２０Å、例えば、１
５ÅになるようにＺｒを成膜させる工程を入れることが
望ましい。酸素分圧が１０−３Ｐａよりも高い領域で
は、Ｓｉ＋Ｏ２→ＳｉＯ２という反応が起こり易くな
り、Ｓｉ基板表面上にＳｉＯ ２の膜が形成されてしまう
が、このＺｒ成膜工程を入れることによりＳｉ基板上に
形成したＺｒがＳｉ表面を覆うので、Ｓｉ基板表面にＳ
ｉＯ２が形成されることを抑えることができる。
【００１９】本発明の第３の態様に従えば、Ｓｉ基板上
に、イットリア安定化ジルコニア層、Ｐｔ膜及び焦電体
薄膜が順次形成された焦電型赤外線センサーの製造方法
であって、上記Ｓｉ基板の（１００）面をエッチング処
理して表面を粗くした後に、上記イットリア安定化ジル
コニア層及びＰｔ膜を順次積層し、それによって（１０
０）に配向したＰｔ膜上に焦電体薄膜を成膜させること
を特徴とする焦電型赤外線センサーの製造方法が提供さ
れる。
に、イットリア安定化ジルコニア層、Ｐｔ膜及び焦電体
薄膜が順次形成された焦電型赤外線センサーの製造方法
であって、上記Ｓｉ基板の（１００）面をエッチング処
理して表面を粗くした後に、上記イットリア安定化ジル
コニア層及びＰｔ膜を順次積層し、それによって（１０
０）に配向したＰｔ膜上に焦電体薄膜を成膜させること
を特徴とする焦電型赤外線センサーの製造方法が提供さ
れる。
【００２０】本発明の焦電型赤外線センサーの製造方法
によれば、Ｐｔ膜上にＰＺＴなどの焦電体薄膜を（１０
０）に配向させて成膜することができるので、Ｐｔ膜を
電極膜として用いた高感度の焦電型赤外線センサーが得
られる。
によれば、Ｐｔ膜上にＰＺＴなどの焦電体薄膜を（１０
０）に配向させて成膜することができるので、Ｐｔ膜を
電極膜として用いた高感度の焦電型赤外線センサーが得
られる。
【００２１】
【発明の実施の形態】実施例１ 図２に本発明に従う積層体の概略構成図を示す。この積
層体２０は、Ｓｉ（１００）基板１上にＹＳＺ層２’、
Ｐｔ膜３を順次積層してなる。この積層体２０の製造方
法の一例を以下に示す。
層体２０は、Ｓｉ（１００）基板１上にＹＳＺ層２’、
Ｐｔ膜３を順次積層してなる。この積層体２０の製造方
法の一例を以下に示す。
【００２２】表面が（１００）に配向したＳｉ基板を用
意し、サーマルエッチングによりＳｉ基板の（１００）
表面を粗くした。このサーマルエッチングの工程及び条
件を図３を用いて説明する。まず、真空蒸着装置内にＳ
ｉ基板を配置し、蒸着源として組成が（ＺｒＯ２）
０．９１（Ｙ２Ｏ３）０．０９で表されるＹＳＺ焼結体
を真空蒸着装置に装填して、真空蒸着装置を１０−６Ｐ
ａに減圧した。真空蒸着装置内の残留ガスの主な成分は
Ｈ２、Ｈ２Ｏ、Ｎ２であり、Ｏ２は検出下限であること
から酸素分圧は１０-7Ｐａ程度と考えられる（グラフ
中、点ａ）。次いで、この圧力下で真空蒸着装置内の温
度を室温から８００℃まで昇温させた（グラフ中、点
ｃ）。昇温直後、真空蒸着装置内の酸素分圧が１０−２
Ｐａになるように約３分かけてＯ２を導入した（グラフ
中、点ｄ）。導入されたＯ２によりＳｉ（１００）表面
がエッチングされる。
意し、サーマルエッチングによりＳｉ基板の（１００）
表面を粗くした。このサーマルエッチングの工程及び条
件を図３を用いて説明する。まず、真空蒸着装置内にＳ
ｉ基板を配置し、蒸着源として組成が（ＺｒＯ２）
０．９１（Ｙ２Ｏ３）０．０９で表されるＹＳＺ焼結体
を真空蒸着装置に装填して、真空蒸着装置を１０−６Ｐ
ａに減圧した。真空蒸着装置内の残留ガスの主な成分は
Ｈ２、Ｈ２Ｏ、Ｎ２であり、Ｏ２は検出下限であること
から酸素分圧は１０-7Ｐａ程度と考えられる（グラフ
中、点ａ）。次いで、この圧力下で真空蒸着装置内の温
度を室温から８００℃まで昇温させた（グラフ中、点
ｃ）。昇温直後、真空蒸着装置内の酸素分圧が１０−２
Ｐａになるように約３分かけてＯ２を導入した（グラフ
中、点ｄ）。導入されたＯ２によりＳｉ（１００）表面
がエッチングされる。
【００２３】Ｏ２導入終了直後に、ＹＳＺ焼結体に電子
ビーム（ＥＢ）を照射してＳｉ（１００）基板上に厚さ
２００ÅになるようにＹＳＺ層を蒸着させた。蒸着処理
を終えた後、この基板を真空蒸着装置から取り出し、Ｙ
ＳＺ層の表面を分子間力顕微鏡で観察した。Ｓｉ基板上
に形成されたＹＳＺ層の平均表面粗さを、前記式（１）
（表面粗さＲrmsを定義する式）から求めると約１０ｎ
ｍであった。
ビーム（ＥＢ）を照射してＳｉ（１００）基板上に厚さ
２００ÅになるようにＹＳＺ層を蒸着させた。蒸着処理
を終えた後、この基板を真空蒸着装置から取り出し、Ｙ
ＳＺ層の表面を分子間力顕微鏡で観察した。Ｓｉ基板上
に形成されたＹＳＺ層の平均表面粗さを、前記式（１）
（表面粗さＲrmsを定義する式）から求めると約１０ｎ
ｍであった。
【００２４】次いで、ＹＳＺ膜が形成されたＳｉ基板を
スパッタ装置内に装着した。スパッタ装置のターゲット
材料にはＰｔを、スパッタガスにはＡｒを用い、装置内
の圧力を０．４Ｐａ、基板の温度を７５０℃に調整し
て、堆積速度０．５Å／secにてＲＦスパッタリングを
行った。このスパッタリングによりＹＳＺ層上にＰｔ膜
を厚さ１０００Åで成膜した。成膜されたＰｔ膜の表面
は平滑であった。こうして図２に示したような積層体２
０を得た。
スパッタ装置内に装着した。スパッタ装置のターゲット
材料にはＰｔを、スパッタガスにはＡｒを用い、装置内
の圧力を０．４Ｐａ、基板の温度を７５０℃に調整し
て、堆積速度０．５Å／secにてＲＦスパッタリングを
行った。このスパッタリングによりＹＳＺ層上にＰｔ膜
を厚さ１０００Åで成膜した。成膜されたＰｔ膜の表面
は平滑であった。こうして図２に示したような積層体２
０を得た。
【００２５】得られた積層体２０についてＸ線回折測定
を行い、Ｐｔ膜の結晶配向性を調べた。その結果を図４
に示す。図４からわかるように、Ｐｔ（２００）示すピ
ークが顕著に現れており、Ｐｔ膜の表面は（１００）方
向に配向していることがわかる。
を行い、Ｐｔ膜の結晶配向性を調べた。その結果を図４
に示す。図４からわかるように、Ｐｔ（２００）示すピ
ークが顕著に現れており、Ｐｔ膜の表面は（１００）方
向に配向していることがわかる。
【００２６】［赤外線センサーの製造］本実施例で作製
した積層体２０を約５００℃に加熱しながら、積層体２
０のＰｔ膜の表面上に焦電体薄膜としてＰｂＴｉＯ３を
ＭＯＣＶＤ（Metal Organic Chemical Vapor Depositio
n）法により５００℃という低基板温度下にて膜厚２０
００Åで成膜した。更に上部電極としてのＰｔ膜をスパ
ッタ法により成膜して、Ｓｉ基板を裏面からウェットエ
ッチングにより３０μｍまで薄くすることにより焦電型
赤外線センサーを製造した。
した積層体２０を約５００℃に加熱しながら、積層体２
０のＰｔ膜の表面上に焦電体薄膜としてＰｂＴｉＯ３を
ＭＯＣＶＤ（Metal Organic Chemical Vapor Depositio
n）法により５００℃という低基板温度下にて膜厚２０
００Åで成膜した。更に上部電極としてのＰｔ膜をスパ
ッタ法により成膜して、Ｓｉ基板を裏面からウェットエ
ッチングにより３０μｍまで薄くすることにより焦電型
赤外線センサーを製造した。
【００２７】ＰｂＴｉＯ３膜を成膜した後、基板表面上
に積層した積層体の元素分布をＳＩＭＳ（二次イオン質
量分析）にて測定した。その結果を図５のグラフに示
す。グラフ中、深さ（μｍ）はＳｉ基板表面からＰｂＴ
ｉＯ３層方向における積層体の深さを示す。このグラフ
からわかるように、Ｐｂ及びＴｉがＰｔ膜部分（深さ
０．０５〜０．１μｍ）において低下し、Ｓｉ基板付近
（深さ０〜０．０５μｍ）においては更に低下してい
る。このことから、この積層構造により、ＰｂＴｉＯ ３
膜の成分がＳｉ基板に拡散することが防止されているこ
とがわかる。また、ＰｂＴｉＯ３膜のｃ軸（１００）配
向率は９２％と高く、しかもＰｔに対して面内配向して
いた。
に積層した積層体の元素分布をＳＩＭＳ（二次イオン質
量分析）にて測定した。その結果を図５のグラフに示
す。グラフ中、深さ（μｍ）はＳｉ基板表面からＰｂＴ
ｉＯ３層方向における積層体の深さを示す。このグラフ
からわかるように、Ｐｂ及びＴｉがＰｔ膜部分（深さ
０．０５〜０．１μｍ）において低下し、Ｓｉ基板付近
（深さ０〜０．０５μｍ）においては更に低下してい
る。このことから、この積層構造により、ＰｂＴｉＯ ３
膜の成分がＳｉ基板に拡散することが防止されているこ
とがわかる。また、ＰｂＴｉＯ３膜のｃ軸（１００）配
向率は９２％と高く、しかもＰｔに対して面内配向して
いた。
【００２８】実施例２ 酸素分圧を一定に保ったまま真空蒸着装置内の温度を室
温から２００℃まで昇温させた直後、Ｚｒ蒸着源を用い
てＺｒを１５Åの膜厚でＳｉ基板面上に蒸着させる工程
を、酸素分圧を１０−２Ｐａに増大させる工程の前に加
入した以外は、実施例１と同様の操作によりサーマルエ
ッチングを行い、積層体を作製した。Ｓｉ基板上にＺｒ
を成膜する工程を導入したことにより、昇温中のＳｉ基
板表面の酸化を防止し、サーマルエッチングを確実に実
行させることができた。すなわち、基板昇温中の温度３
００℃〜６００℃の領域では、Ｓｉ基板の表面で２Ｓｉ
＋Ｏ２→ＳｉＯ２の反応が起こりやすくなる。この実施
例に従い、昇温前にＳｉ基板上にＺｒを成膜することに
よりＳｉ基板表面上のＺｒがＳｉ基板の酸化を抑制す
る。なお、実施例１及び実施例２においては、Ｏ２によ
るサーマルエッチング直後にＹＳＺ膜を蒸着させたが、
Ｏ２分圧の上昇によりサーマルエッチング領域を通過し
て酸化領域に入ったときの時刻と、ＹＳＺ成長の開始時
刻との間の間隔が長くなると２Ｓｉ＋Ｏ２→ＳｉＯ２の
酸化反応が進行してしまう。
温から２００℃まで昇温させた直後、Ｚｒ蒸着源を用い
てＺｒを１５Åの膜厚でＳｉ基板面上に蒸着させる工程
を、酸素分圧を１０−２Ｐａに増大させる工程の前に加
入した以外は、実施例１と同様の操作によりサーマルエ
ッチングを行い、積層体を作製した。Ｓｉ基板上にＺｒ
を成膜する工程を導入したことにより、昇温中のＳｉ基
板表面の酸化を防止し、サーマルエッチングを確実に実
行させることができた。すなわち、基板昇温中の温度３
００℃〜６００℃の領域では、Ｓｉ基板の表面で２Ｓｉ
＋Ｏ２→ＳｉＯ２の反応が起こりやすくなる。この実施
例に従い、昇温前にＳｉ基板上にＺｒを成膜することに
よりＳｉ基板表面上のＺｒがＳｉ基板の酸化を抑制す
る。なお、実施例１及び実施例２においては、Ｏ２によ
るサーマルエッチング直後にＹＳＺ膜を蒸着させたが、
Ｏ２分圧の上昇によりサーマルエッチング領域を通過し
て酸化領域に入ったときの時刻と、ＹＳＺ成長の開始時
刻との間の間隔が長くなると２Ｓｉ＋Ｏ２→ＳｉＯ２の
酸化反応が進行してしまう。
【００２９】比較例１ ＹＳＺ単結晶基板を用意し、（１００）方位に鏡面研磨
した後、研磨した鏡面上にＰｔを実施例１と同様にスパ
ッタリングにより成長させた。成膜されたＰｔ膜につい
てＸ線回折測定を行った結果、ＹＳＺ単結晶上に形成さ
れたＰｔ膜は（１１１）方位に配向しており、（１０
０）方位には配向していなかった。
した後、研磨した鏡面上にＰｔを実施例１と同様にスパ
ッタリングにより成長させた。成膜されたＰｔ膜につい
てＸ線回折測定を行った結果、ＹＳＺ単結晶上に形成さ
れたＰｔ膜は（１１１）方位に配向しており、（１０
０）方位には配向していなかった。
【００３０】比較例２ 酸素分圧を１０−２Ｐａに増大させるのに要した時間を
３分から３秒に短くした以外は、実施例１と同様にサー
マルエッチングを行い、Ｓｉ基板上にＹＳＺ層を蒸着し
て積層体を作製した。そして、得られた積層体のＹＳＺ
層の表面を分子間力顕微鏡で観察した。その表面の粗さ
Ｒrmsを、前記式（１）から求めると約１．５ｎｍであ
った。次いで、この積層体をスパッタ装置内に移し、実
施例１と同様の方法でスパッタリングを行い、ＹＳＺ層
上にＰｔ膜を成膜した。ＹＳＺ層上に成膜されたＰｔ膜
についてＸ線回折測定を行った結果、（１００）方位を
示すピークは測定されず、（１１１）方位を示すピーク
が現れていた。
３分から３秒に短くした以外は、実施例１と同様にサー
マルエッチングを行い、Ｓｉ基板上にＹＳＺ層を蒸着し
て積層体を作製した。そして、得られた積層体のＹＳＺ
層の表面を分子間力顕微鏡で観察した。その表面の粗さ
Ｒrmsを、前記式（１）から求めると約１．５ｎｍであ
った。次いで、この積層体をスパッタ装置内に移し、実
施例１と同様の方法でスパッタリングを行い、ＹＳＺ層
上にＰｔ膜を成膜した。ＹＳＺ層上に成膜されたＰｔ膜
についてＸ線回折測定を行った結果、（１００）方位を
示すピークは測定されず、（１１１）方位を示すピーク
が現れていた。
【００３１】比較例３ 酸素分圧を１０−２Ｐａに増大させるのに要した時間を
３分から２０秒に短くした以外は、実施例１と同様にサ
ーマルエッチングを行い、Ｓｉ基板上にＹＳＺ層を蒸着
して積層体を作製した。そして、得られた積層体のＹＳ
Ｚ層の表面を分子間力顕微鏡で観察した。その表面の粗
さＲrmsを、前記式（１）から求めると約３ｎｍであっ
た。次いで、この積層体をスパッタ装置内に移し、実施
例１と同様の方法でスパッタリングを行い、ＹＳＺ層上
にＰｔ膜を成膜した。ＹＳＺ層上に成膜されたＰｔ膜に
ついてＸ線回折測定を行った結果、（１００）方位を示
すピークが現れた。（１１１）方位を示すピークが現れ
なかった。
３分から２０秒に短くした以外は、実施例１と同様にサ
ーマルエッチングを行い、Ｓｉ基板上にＹＳＺ層を蒸着
して積層体を作製した。そして、得られた積層体のＹＳ
Ｚ層の表面を分子間力顕微鏡で観察した。その表面の粗
さＲrmsを、前記式（１）から求めると約３ｎｍであっ
た。次いで、この積層体をスパッタ装置内に移し、実施
例１と同様の方法でスパッタリングを行い、ＹＳＺ層上
にＰｔ膜を成膜した。ＹＳＺ層上に成膜されたＰｔ膜に
ついてＸ線回折測定を行った結果、（１００）方位を示
すピークが現れた。（１１１）方位を示すピークが現れ
なかった。
【００３２】比較例４ 酸素分圧を１０−２Ｐａに上げるのに要した時間を３分
から１５分に長くした以外は、実施例１と同様にサーマ
ルエッチングを行い、Ｓｉ基板上にＹＳＺ層を蒸着して
積層体を作製した。得られた積層体のＹＳＺ層の表面を
分子間力顕微鏡で観察した結果、ＹＳＺ層の表面粗さ
は、前記式（１）から求めると５０ｎｍであった。次い
で、実施例１と同様にスパッタリングを行い、ＹＳＺ層
上にＰｔ膜を成膜した。成膜されたＰｔ膜についてＸ線
回折を行った結果、（１００）のみならず（１１１）を
含む種々の方位を示すピークが観測された。また、Ｐｔ
膜の表面には階段状の凹凸が観測された。
から１５分に長くした以外は、実施例１と同様にサーマ
ルエッチングを行い、Ｓｉ基板上にＹＳＺ層を蒸着して
積層体を作製した。得られた積層体のＹＳＺ層の表面を
分子間力顕微鏡で観察した結果、ＹＳＺ層の表面粗さ
は、前記式（１）から求めると５０ｎｍであった。次い
で、実施例１と同様にスパッタリングを行い、ＹＳＺ層
上にＰｔ膜を成膜した。成膜されたＰｔ膜についてＸ線
回折を行った結果、（１００）のみならず（１１１）を
含む種々の方位を示すピークが観測された。また、Ｐｔ
膜の表面には階段状の凹凸が観測された。
【００３３】以上、実施例１〜２及び比較例１〜４から
ＹＳＺの表面粗さＲrmsが小さすぎても大きすぎてもＰ
ｔ（１００）ができないことがわかる。比較例３からＲ
rmsの下限値を２．５ｎｍとする。一方、Ｒrmsの上限値
は、以下に示すようにして決定することができる。ま
ず、ＹＳＺ表面の凹凸の最大斜度が４５°となるｚ方向
の関数が、凹凸の周期をλで表したときに、 ｚ＝ｆ（ｘ，ｙ）＝（λ／２π）・COS(２πｘ／λ)・C
OS(２πｙ／λ) で表現できるものとすると、基準面積Ｓ＝λ２として前
記式（１）から、 Ｒrms＝λ／４π となる。このとき、Ｐｔ（１００）膜に大きな段差がで
きないようにするためには、λはＰｔ膜結晶粒の長さ程
度以下でなければならない。ここで、ＹＳＺ（１００）
単結晶基板上に実施例１と同じ条件で作成したＰｔ膜結
晶粒の長さがおよそ３００ｎｍであったことから次式が
導かれる。
ＹＳＺの表面粗さＲrmsが小さすぎても大きすぎてもＰ
ｔ（１００）ができないことがわかる。比較例３からＲ
rmsの下限値を２．５ｎｍとする。一方、Ｒrmsの上限値
は、以下に示すようにして決定することができる。ま
ず、ＹＳＺ表面の凹凸の最大斜度が４５°となるｚ方向
の関数が、凹凸の周期をλで表したときに、 ｚ＝ｆ（ｘ，ｙ）＝（λ／２π）・COS(２πｘ／λ)・C
OS(２πｙ／λ) で表現できるものとすると、基準面積Ｓ＝λ２として前
記式（１）から、 Ｒrms＝λ／４π となる。このとき、Ｐｔ（１００）膜に大きな段差がで
きないようにするためには、λはＰｔ膜結晶粒の長さ程
度以下でなければならない。ここで、ＹＳＺ（１００）
単結晶基板上に実施例１と同じ条件で作成したＰｔ膜結
晶粒の長さがおよそ３００ｎｍであったことから次式が
導かれる。
【００３４】Ｒrms＝λ／４π≦（３００ｎｍ／（４
π））＝２５ｎｍ
π））＝２５ｎｍ
【００３５】以上の考察からＰｔ（１００）ができるＲ
rmsの範囲を ２．５ｎｍ≦Ｒrms≦２５ｎｍ と決定する。この表面粗さＲrmsの上限値及び下限値は
上記実施例及び比較例１〜４と矛盾することはない。
rmsの範囲を ２．５ｎｍ≦Ｒrms≦２５ｎｍ と決定する。この表面粗さＲrmsの上限値及び下限値は
上記実施例及び比較例１〜４と矛盾することはない。
【００３６】上記実施例及び比較例においてエッチング
処理にはサーマルエッチング法を用いたが、これに限ら
ずウェットエッチングやドライエッチングなど、Ｓｉ基
板の表面に凹凸を形成させることが可能な方法であれば
任意の方法を利用することができる。また、ＹＳＺ層を
形成させる方法は真空蒸着法に限らず、スパッタ法やＣ
ＶＤ法などの方法を利用することができる。
処理にはサーマルエッチング法を用いたが、これに限ら
ずウェットエッチングやドライエッチングなど、Ｓｉ基
板の表面に凹凸を形成させることが可能な方法であれば
任意の方法を利用することができる。また、ＹＳＺ層を
形成させる方法は真空蒸着法に限らず、スパッタ法やＣ
ＶＤ法などの方法を利用することができる。
【００３７】また、上記実施例において焦電体薄膜とし
てＰｂＴｉＯ３を用いたが、これに限らず、ＰＺＴやＰ
ＬＴ、ＰＬＺＴ、ＰＴＯ、ＢａＴｉＯ３などを利用する
ことができる。
てＰｂＴｉＯ３を用いたが、これに限らず、ＰＺＴやＰ
ＬＴ、ＰＬＺＴ、ＰＴＯ、ＢａＴｉＯ３などを利用する
ことができる。
【００３８】
【発明の効果】本発明の積層体は、Ｓｉ（１００）基板
上に、（１００）にそれぞれ配向したＹＳＺ層及びＰｔ
膜が形成されているので、このＰｔ膜上に焦電体薄膜を
（１００）に配向させて成膜することができる。この積
層体を用いることにより、検出感度の高い赤外線センサ
ーを提供することができる。
上に、（１００）にそれぞれ配向したＹＳＺ層及びＰｔ
膜が形成されているので、このＰｔ膜上に焦電体薄膜を
（１００）に配向させて成膜することができる。この積
層体を用いることにより、検出感度の高い赤外線センサ
ーを提供することができる。
【００３９】また、本発明の積層体の製造方法では、Ｓ
ｉ（１００）基板上に所定の粗さのうねりをエッチング
することにより形成させたので、Ｓｉ基板上に（１０
０）に配向したＹＳＺ層及びＰｔ膜を安定して形成させ
ることができる。
ｉ（１００）基板上に所定の粗さのうねりをエッチング
することにより形成させたので、Ｓｉ基板上に（１０
０）に配向したＹＳＺ層及びＰｔ膜を安定して形成させ
ることができる。
【図１】本発明に従う積層体のＹＳＺ層の表面をｘ−ｙ
平面として表し、ＹＳＺ層の表面と垂直な方向をｚ方向
として表したときに、ｙ軸に垂直でｙ軸上の定点ｙ０を
通るようにｘ−ｙ平面を切断したときの断面構造を模式
的に示した図である。
平面として表し、ＹＳＺ層の表面と垂直な方向をｚ方向
として表したときに、ｙ軸に垂直でｙ軸上の定点ｙ０を
通るようにｘ−ｙ平面を切断したときの断面構造を模式
的に示した図である。
【図２】本発明に従う積層体の断面構造を示す図であ
る。
る。
【図３】実施例１のサーマルエッチング処理時の温度と
酸素分圧との関係を示す図である。
酸素分圧との関係を示す図である。
【図４】実施例１で作製した積層体のＸ線回折パターン
である。
である。
【図５】Ｓｉ基板上に積層した積層体の元素分布を示す
図である。
図である。
【図６】焦電型赤外線センサーの断面構造を示す図であ
る。
る。
１ Ｓｉ基板 ２ 酸化物薄膜 ２’ ＹＳＺ層 ３ Ｐｔ膜 ４ 焦電体薄膜 ５ 金属薄膜 １０ 焦電型赤外線センサー ２０ 積層体
Claims (13)
- 【請求項１】 Ｓｉ基板上に、イットリア安定化ジルコ
ニア層を介してＰｔ膜が形成された積層体において、 上記Ｓｉ基板、イットリア安定化ジルコニア層及びＰｔ
膜がそれぞれ（１００）に配向していることを特徴とす
る積層体。 - 【請求項２】 上記イットリア安定化ジルコニア層の表
面粗さＲrmsが、２．５ｎｍ〜２５ｎｍの範囲内にある
ことを特徴とする請求項１に記載の積層体。 - 【請求項３】 Ｓｉ基板の（１００）配向面を所定の粗
さに粗くした後に、該配向面上にイットリア安定化ジル
コニア及びＰｔを順次積層することにより得られたこと
を特徴とする請求項１または２に記載の積層体。 - 【請求項４】 積層された上記イットリア安定化ジルコ
ニア層の表面粗さＲrmsが２．５ｎｍ〜２５ｎｍの範囲
内に含まれるようにＳｉ基板の（１００）配向面を粗く
することを特徴とする請求項３に記載の積層体。 - 【請求項５】 上記イットリア安定化ジルコニアを（Ｚ
ｒＯ２）１−Ｘ（Ｙ２Ｏ３）Ｘで表したときに、Ｘ＝
０．０７５〜０．３であることを特徴とする請求項１〜
４のいずれか一項に記載の積層体。 - 【請求項６】 上記積層体のＰｔ膜上に、ペロブスカイ
ト構造の焦電体薄膜を積層させることによって焦電型赤
外線センサーとして用いることを特徴とする請求項１〜
５のいずれか一項に記載の積層体。 - 【請求項７】 請求項６に記載の積層体を用いて製造さ
れた焦電型赤外線センサー。 - 【請求項８】 Ｓｉ基板上に、イットリア安定化ジルコ
ニア層及びＰｔ膜が順次形成された積層体の製造方法に
おいて、 上記Ｓｉ基板の（１００）面をエッチング処理して表面
を粗くした後に、上記イットリア安定化ジルコニア層及
びＰｔ膜を積層し、それによって（１００）に配向した
Ｐｔ膜を形成することができることを特徴とする積層体
の製造方法。 - 【請求項９】 上記イットリア安定化ジルコニア層の表
面粗さＲrmsが、２．５ｎｍ〜２５ｎｍの範囲内に含ま
れるようにＳｉ基板の（１００）面をエッチング処理す
ることを特徴とする請求項８に記載の積層体の製造方
法。 - 【請求項１０】 上記エッチング処理がサーマルエッチ
ングであり、 １０−６Ｐａ未満の減圧雰囲気下で温度７５０℃〜８５
０℃にて、酸素を１〜１０分間かけて導入して酸素分圧
を５×１０−４〜１×１０−２Ｐａにすることを特徴と
する請求項８または９に記載の積層体の製造方法。 - 【請求項１１】 １００℃〜３００℃の温度にて、Ｚｒ
を膜厚５Å〜２０Åで成膜する工程を設けたことを特徴
とする請求項１０に記載の積層体の製造方法。 - 【請求項１２】 上記酸素分圧を５×１０−４〜１×１
０−２Ｐａに上昇させた直後にイットリア安定化ジルコ
ニアを成膜させることを特徴とする請求項１０または１
１に記載の積層体の製造方法。 - 【請求項１３】 Ｓｉ基板上に、イットリア安定化ジル
コニア層、Ｐｔ膜及び焦電体薄膜が順次形成された焦電
型赤外線センサーの製造方法であって、 上記Ｓｉ基板の（１００）面をエッチング処理して表面
を粗くした後に、上記イットリア安定化ジルコニア層及
びＰｔ膜を順次積層し、それによって（１００）に配向
したＰｔ膜上に焦電体薄膜を成膜させることを特徴とす
る焦電型赤外線センサーの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11079957A JP2000277818A (ja) | 1999-03-24 | 1999-03-24 | ＹＳＺとＰｔとからなる積層体及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11079957A JP2000277818A (ja) | 1999-03-24 | 1999-03-24 | ＹＳＺとＰｔとからなる積層体及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000277818A true JP2000277818A (ja) | 2000-10-06 |
Family
ID=13704798
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11079957A Pending JP2000277818A (ja) | 1999-03-24 | 1999-03-24 | ＹＳＺとＰｔとからなる積層体及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000277818A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2012176063A1 (en) | 2011-06-20 | 2012-12-27 | Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha | Manufacturing method for oxygen sensor |
| US8362584B2 (en) | 2010-06-25 | 2013-01-29 | Seiko Epson Corporation | Pyroelectric detector, pyroelectric detection device, and electronic instrument |
| US9437999B2 (en) | 2011-08-10 | 2016-09-06 | Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha | Method for manufacturing oxygen sensor |
-
1999
- 1999-03-24 JP JP11079957A patent/JP2000277818A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8362584B2 (en) | 2010-06-25 | 2013-01-29 | Seiko Epson Corporation | Pyroelectric detector, pyroelectric detection device, and electronic instrument |
| WO2012176063A1 (en) | 2011-06-20 | 2012-12-27 | Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha | Manufacturing method for oxygen sensor |
| US9134268B2 (en) | 2011-06-20 | 2015-09-15 | Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha | Manufacturing method for oxygen sensor |
| US9437999B2 (en) | 2011-08-10 | 2016-09-06 | Toyota Jidosha Kabushiki Kaisha | Method for manufacturing oxygen sensor |
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