JP2000277755A - Semiconductor device and its manufacture - Google Patents
Semiconductor device and its manufactureInfo
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、上層、中層及び下
層の３層からなり、上層の一部をその直下に位置する中
層から隔離して下層に対して変位可能に構成した可動部
とする半導体装置及びその製造方法に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a movable part comprising three layers, an upper layer, a middle layer, and a lower layer, wherein a part of the upper layer is separated from a middle layer located immediately below the movable layer so as to be displaceable with respect to the lower layer. The present invention relates to a semiconductor device and a method for manufacturing the same.
【０００２】[0002]
【従来の技術】従来、この種の可動部を有する半導体装
置の製造方法においては、例えば特開平１０−１４４９
３５号公報に示されているように、上層、中層及び下層
の３層からなり、上層の一部をその直下に位置する中層
から隔離して下層に対して変位可能に構成した可動部と
する半導体装置の製造方法において、前記中層をさらに
上下の層に比べてエッチングされ易い中間層を挟んだ３
層で構成しておき、可動部の水平方向外側に位置する上
層の一部を除去した後、前記上層の一部を除去した可動
部の水平方向外側位置から前記３層からなる中層のウェ
ットエッチングを実施することにより、前記中層の中間
層を完全に除去するとともに同中間層を挟んだ上下の層
の各一部を残して、上層の下面上及び下層の上面上に突
起をそれぞれ形成するようにしている。これによれば、
半導体の製造中における乾燥工程時、また可動部の上下
方向の振動時などに可動部が下層に接着されてしまうこ
とを回避できる。2. Description of the Related Art Conventionally, in a method of manufacturing a semiconductor device having a movable portion of this kind, for example, Japanese Unexamined Patent Application Publication No. 10-1449
As disclosed in JP-A-35-35, a movable portion is composed of an upper layer, an intermediate layer, and a lower layer, and a part of the upper layer is separated from an intermediate layer located immediately below the movable layer so as to be displaceable with respect to the lower layer. In the method for manufacturing a semiconductor device, the intermediate layer may include an intermediate layer that is more easily etched than upper and lower layers.
After removing a part of the upper layer located outside the movable part in the horizontal direction, wet etching of the middle layer consisting of the three layers from the horizontal outside position of the movable part where the part of the upper layer is removed By completely removing the intermediate layer of the intermediate layer and leaving each part of the upper and lower layers sandwiching the intermediate layer, to form projections on the lower surface of the upper layer and on the upper surface of the lower layer, respectively. I have to. According to this,
The movable portion can be prevented from being adhered to the lower layer during the drying process during the manufacture of the semiconductor, or during the vertical vibration of the movable portion.
【０００３】[0003]
【発明が解決しようとする課題】しかし、上記従来の製
造方法においては、中層をさらに細分化した３層で構成
する必要があり、半導体装置の製造効率が悪くなり、製
造コストも高くなるという問題がある。したがって、本
発明者らは前記中層を３層に細分化することなく、可動
部の下方に突起を形成して前記可動部の下層への接着を
回避する方法を考えていた。However, in the above-mentioned conventional manufacturing method, it is necessary to form the middle layer into three subdivided layers, and the manufacturing efficiency of the semiconductor device deteriorates and the manufacturing cost increases. There is. Therefore, the present inventors have considered a method of avoiding adhesion to the lower layer of the movable portion by forming a projection below the movable portion without subdividing the middle layer into three layers.
【０００４】しかし、中層を３層にすることなく単一材
料で構成して、前記従来例のように可動部の水平方向外
側の上層を除去した部分から中層のウェットエッチング
をすることにより、可動部の直下にて下層の上面上に突
起を残そうとすると、次のような課題に直面する。エッ
チング液の濃度のばらつき、中層の材質のばらつき、環
境のばらつきにより、ウェットエッチングが進み過ぎる
と、可動部の直下の中層が全て除去されてしまい、前記
突起が形成されないという事態が生じる。また、これを
避けるために、ウェットエッチングが進み過ぎないよう
に、ウェットエッチング時間を短くしたり、エッチング
液の濃度を低くすると、前記上層を除去した可動部の水
平方向外側の直下に位置する中層が残る。However, the middle layer is made of a single material without being formed into three layers, and the middle layer is wet-etched from the portion where the upper layer outside the horizontal direction of the movable portion is removed as in the above-mentioned conventional example. If a protrusion is to be left on the upper surface of the lower layer immediately below the portion, the following problem is encountered. If wet etching progresses excessively due to variations in the concentration of the etchant, variations in the material of the middle layer, and variations in the environment, the middle layer immediately below the movable portion is entirely removed, and a situation occurs in which the protrusion is not formed. In order to avoid this, if the wet etching time is shortened or the concentration of the etchant is reduced so that the wet etching does not proceed too much, the middle layer located immediately below the movable portion from which the upper layer is removed in the horizontal direction is removed. Remains.
【０００５】このように下層上に水平方向に中層が連続
して形成されていると、中層に生じる熱応力を開放させ
ることができないので、中層の熱膨張により半導体装置
に反りが発生し、半導体装置の所期の動作が得られない
ことがあるという問題がある。If the middle layer is continuously formed in the horizontal direction on the lower layer as described above, the thermal stress generated in the middle layer cannot be released. There is a problem that the intended operation of the device may not be obtained.
【０００６】[0006]
【発明の概要】本発明は、これらの問題に対処するため
になされたもので、その目的は、上層、中層及び下層の
３層からなり、上層の一部をその直下に位置する中層か
ら隔離して下層に対して変位可能に構成した可動部とす
る半導体装置の製造方法において、中層を単一材料で構
成した上で、可動部の直下に突起を確実に形成できるよ
うにするとともに、同突起を形成しても半導体装置に反
りが発生しないようにした半導体装置の製造方法を提供
することにある。SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to address these problems, and has as its object the three layers of an upper layer, a middle layer, and a lower layer, and a part of the upper layer is isolated from a middle layer located immediately below the upper layer. In the method of manufacturing a semiconductor device having a movable portion configured to be displaceable with respect to a lower layer, the middle layer is formed of a single material, and a projection can be reliably formed immediately below the movable portion. It is an object of the present invention to provide a method of manufacturing a semiconductor device in which warpage does not occur in a semiconductor device even when a projection is formed.
【０００７】上記目的を達成するために、本発明の特徴
は、前記可動部の水平方向外側に位置する上層の一部を
除去する上層除去工程と、前記上層の一部を除去した可
動部の水平方向外側位置から中層のウェットエッチング
を行って、同可動部をその直下にて中層から隔離すると
ともに同可動部の直下に位置する中層に突起を形成する
突起形成工程と、前記突起形成工程後に前記上層の一部
を除去した可動部の水平方向外側直下に残った中層をド
ライエッチングにより除去する中層除去工程とを含むこ
とにある。[0007] In order to achieve the above object, the present invention is characterized in that an upper layer removing step of removing a part of an upper layer located outside the movable part in the horizontal direction and a movable part having a part removed from the upper part of the movable part. Performing wet etching of the middle layer from the horizontal outer position, isolating the movable portion from the middle layer immediately below, and forming a protrusion in the middle layer located immediately below the movable portion; and A middle layer removing step of removing, by dry etching, a middle layer left immediately below a horizontal portion of the movable portion from which a part of the upper layer has been removed.
【０００８】これによれば、中層を単一材料で構成する
ようにしても、突起形成工程において、ウェットエッチ
ング時間を短めに設定したり、エッチング液の濃度を低
めに設定したりすることにより、下層上に断面円弧状の
中層を残して可動部の直下に突起を確実に形成すること
ができる。そして、中層除去工程により、前記上層の一
部を除去した可動部の水平方向外側直下に残った中層が
ドライエッチングにより除去されるので、下層上の中層
が前記可動部の水平方向外側直下にて切断され、水平方
向に中層が連続して形成されることがなくなる。その結
果、中層に生じる熱応力を開放させることができるの
で、中層の熱膨張により半導体装置に反りが発生するこ
ともなくなり、半導体装置の所期の動作が確保されるよ
うになる。According to this, even when the middle layer is made of a single material, in the projection forming step, the wet etching time is set shorter or the concentration of the etching solution is set lower. The protrusion can be reliably formed immediately below the movable portion while leaving the middle layer having a circular cross section on the lower layer. And, by the middle layer removing step, the middle layer left just below the horizontal portion of the movable portion from which a part of the upper layer has been removed is removed by dry etching, so that the middle layer on the lower layer is just below the horizontal portion of the movable portion just outside the horizontal portion. It is cut and the middle layer is not formed continuously in the horizontal direction. As a result, thermal stress generated in the middle layer can be released, so that warpage does not occur in the semiconductor device due to thermal expansion of the middle layer, and expected operation of the semiconductor device can be ensured.
【０００９】また、本発明の他の特徴は、前記突起形成
工程におけるウェットエッチング終了後に、前記上層の
一部を除去した可動部の水平方向外側直下に残った中層
の厚さを測定するようにしたことにある。Another feature of the present invention is to measure the thickness of the middle layer remaining just below the horizontal portion of the movable portion from which a part of the upper layer has been removed after the completion of the wet etching in the projection forming step. I did it.
【００１０】これによれば、可動部の水平方向外側直下
におけるウェットエッチングによる中層の除去の度合い
を知ることができ、また同ウェットエッチングにより除
去される可動部の直下における中層の除去は前記可動部
の水平方向外側直下における中層の除去の度合いに比例
するので、可動部直下の中層による突起と可動部との隔
離を確実に行えるとともに、可動部直下における中層に
よる突起の欠落を確実に回避することができるようにな
る。According to this, it is possible to know the degree of removal of the middle layer by wet etching immediately below the horizontal portion of the movable portion, and to remove the middle layer immediately below the movable portion to be removed by the wet etching. Since it is proportional to the degree of removal of the middle layer just below the horizontal outside of the movable part, it is possible to reliably separate the projection from the movable part and the movable part by the middle layer immediately below the movable part, and to reliably avoid the lack of the protrusion by the middle layer immediately below the movable part. Will be able to
【００１１】また、本発明の他の特徴は、上層、中層及
び下層の３層からなり、上層の一部をその直下に位置す
る中層から隔離して下層に対して変位可能に構成した可
動部とする半導体装置において、可動部を、中層の厚み
（Ｙ）と可動部の水平方向の幅（Ｘ）との間にＹ＞Ｘ／
２という関係が成立するように形成したことにある。Another feature of the present invention is that the movable part comprises an upper layer, an intermediate layer, and a lower layer, and a part of the upper layer is separated from the intermediate layer located immediately below the movable layer so as to be displaceable with respect to the lower layer. In the semiconductor device described above, the movable portion is formed such that Y> X / Y between the thickness (Y) of the middle layer and the horizontal width (X) of the movable portion.
That is, it is formed so that the relationship of 2 is satisfied.
【００１２】これによれば、可動部直下の中層を可動部
から隔離した直後のエッチング量は中層の厚み（Ｙ）よ
り小さいため、可動部の水平方向外側直下の中層が除去
されず下層上に残存する。したがって、可動部の水平方
向外側直下の中層の厚みが測定できるため、中層を可動
部から確実に隔離することができる。According to this, the etching amount immediately after isolating the middle layer immediately below the movable portion from the movable portion is smaller than the thickness (Y) of the middle layer. Will remain. Therefore, the thickness of the middle layer immediately below the movable portion in the horizontal direction can be measured, so that the middle layer can be reliably separated from the movable portion.
【００１３】[0013]
【発明の実施の形態】以下、本発明の一実施形態を、角
速度を検出するための半導体装置を例にして説明する。
図１は半導体装置の平面図であり、図２は同装置の各部
の端面図である。なお、図１〜図６においては、基板１
０上面との間に隙間のある部材と隙間のない部材とで模
様を異ならせて示している。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS One embodiment of the present invention will be described below by taking a semiconductor device for detecting an angular velocity as an example.
FIG. 1 is a plan view of the semiconductor device, and FIG. 2 is an end view of each part of the device. 1 to 6, the substrate 1
The pattern is different between a member having a gap with respect to the upper surface and a member having no gap with the upper surface.
【００１４】この半導体装置は、後述する上層ｃ、中層
ｂ及び下層ａ（図３参照）の３層から構成されており、
下層ａからなり方形状に形成された基板１０と、基板１
０上ほぼ中央にその上面から小さな所定距離Ｙだけ隔て
て平行に配置された振動子２０とを備えている。This semiconductor device is composed of an upper layer c, an intermediate layer b, and a lower layer a (see FIG. 3) described later.
A substrate 10 made of a lower layer a and formed in a rectangular shape;
A vibrator 20 is provided substantially at the center on the top and at a small distance Y from the upper surface of the vibrator 20 in parallel.
【００１５】振動子２０は、上層ｃからなり略方形状に
形成されるとともに、所定の間隔にて配置された複数の
方形状の貫通孔２１を有しており、梁１１ａ〜１１ｄを
介してアンカ１２ａ〜１２ｄに基板１０（下層ａ）に対
して変位可能に支持されている。振動子２０（貫通孔２
１を除く上層ａ）の下方には、下層ａ上に形成された中
層ｂからなる突起３１が形成されている（図２(Ａ)参
照）。梁１１ａ〜１１ｄは、上層ｃからなり略Ｌ字状に
形成されるとともに、振動子２０と同様に基板１０上面
から前記所定距離Ｙだけ隔てて浮いている。これらの梁
１１ａ〜１１ｄの下方にも、下層ａ上に形成された中層
ｂからなる突起（図示しない）が形成されている。アン
カ１２ａ〜１２ｄは、上層ｃからなり方形状に形成され
るとともに、基板１０の上面に中層ｂを介して固着され
ており、アンカ１２ｃの上面には、振動子２０の変位に
ともなう静電容量の変化を表す静電容量信号を取り出す
ために、導電金属（例えばアルミニウム）で方形状に形
成された電極パッド１３が設けられている。The vibrator 20 is composed of an upper layer c, is formed in a substantially rectangular shape, and has a plurality of rectangular through holes 21 arranged at predetermined intervals, and is provided through beams 11a to 11d. The anchors 12a to 12d are displaceably supported with respect to the substrate 10 (lower layer a). Vibrator 20 (through hole 2
Below the upper layer a) except for the first layer 1, a projection 31 composed of an intermediate layer b formed on the lower layer a is formed (see FIG. 2A). The beams 11a to 11d are composed of the upper layer c and are formed in a substantially L-shape, and float at a predetermined distance Y from the upper surface of the substrate 10 similarly to the vibrator 20. Also below these beams 11a to 11d, projections (not shown) made of an intermediate layer b formed on the lower layer a are formed. The anchors 12a to 12d are formed in a rectangular shape composed of an upper layer c, are fixed to the upper surface of the substrate 10 via the middle layer b, and have an electrostatic capacitance associated with the displacement of the vibrator 20 on the upper surface of the anchor 12c. In order to extract a capacitance signal indicating a change in the voltage, an electrode pad 13 formed of a conductive metal (for example, aluminum) in a square shape is provided.
【００１６】振動子２０のＸ軸方向（図示左右方向）両
外側には、基板１０の上面に中層ｂを介して固着される
とともに上層ｃからなる櫛歯状電極４０ａ，４０ｂがそ
れぞれ設けられ、各櫛歯状電極４０ａ，４０ｂは、Ｘ軸
方向に延設されるとともにＹ軸方向（図示上下方向）に
等間隔に配置された複数の電極指を備えている。また、
各櫛歯状電極４０ａ，４０ｂのＸ軸方向各外側には、基
板１０の上面に中層ｂを介して固着され各櫛歯状電極４
０ａ，４０ｂに接続されるとともに上層ｃからなるパッ
ド部４１ａ，４１ｂがそれぞれ設けられ、同パッド部４
１ａ，４１ｂ上には導電金属（例えばアルミニウム）で
方形状に形成された電極パッド４２ａ，４２ｂがそれぞ
れ設けられている。On both outer sides of the vibrator 20 in the X-axis direction (left and right directions in the figure), comb-shaped electrodes 40a and 40b fixed to the upper surface of the substrate 10 via an intermediate layer b and formed of an upper layer c are provided, respectively. Each of the comb-shaped electrodes 40a and 40b includes a plurality of electrode fingers extending in the X-axis direction and arranged at equal intervals in the Y-axis direction (vertical direction in the drawing). Also,
On each outer side of the comb-shaped electrodes 40a and 40b in the X-axis direction, each comb-shaped electrode 4 is fixed on the upper surface of the substrate 10 via an intermediate layer b.
0a, 40b, and pad portions 41a, 41b made of an upper layer c are provided, respectively.
Electrode pads 42a and 42b formed in a rectangular shape with a conductive metal (for example, aluminum) are provided on 1a and 41b, respectively.
【００１７】振動子２０のＸ軸方向両側部には、振動子
２０と同様に基板１０上から所定距離Ｙだけ隔てて同振
動子２０と一体的に形成するとともに上層ｃからなる櫛
歯状電極２２ａ，２２ｂがそれぞれ設けられている。櫛
歯状電極２２ａ，２２ｂはＸ軸方向外側に延設されると
ともにＹ軸方向に等間隔に配置された複数の電極指をそ
れぞれ備えており、これらの各電極指は櫛歯状電極４０
ａ，４０ｂの各電極指間の幅方向（Ｙ軸方向）中心位置
に侵入している。櫛歯状電極２２ａ，２２ｂの下方に
は、下層ａ上に形成された中層ｂからなる突起３２が形
成されている（図２(Ｂ)参照）。この櫛歯状電極２２
ａ，２２ｂは、櫛歯状電極４０ａ，４０ｂと共に振動子
２０に対する駆動部を構成するもので、振動子２０を櫛
歯状電極４０ａ，４０ｂへの駆動用信号の印加時に静電
引力によりＸ軸方向に励振させるためのものである。On both sides of the vibrator 20 in the X-axis direction, like the vibrator 20, a comb-shaped electrode formed integrally with the vibrator 20 at a predetermined distance Y from the substrate 10 and formed of an upper layer c 22a and 22b are provided respectively. Each of the comb-shaped electrodes 22a and 22b includes a plurality of electrode fingers extending outward in the X-axis direction and arranged at equal intervals in the Y-axis direction.
a and 40b penetrate into the center position in the width direction (Y-axis direction) between the electrode fingers. Below the comb-shaped electrodes 22a and 22b, a projection 32 composed of an intermediate layer b formed on the lower layer a is formed (see FIG. 2B). This comb-shaped electrode 22
a and 22b constitute a driving unit for the vibrator 20 together with the comb-shaped electrodes 40a and 40b. When the driving signal is applied to the vibrator 20 to the comb-shaped electrodes 40a and 40b, the X-axis is formed by electrostatic attraction. It is for exciting in the direction.
【００１８】振動子２０のＹ軸方向両外側には、基板１
０の上面に中層ｂを介して固着されるとともに上層ｃか
らなる櫛歯状電極５０ａ，５０ｂがそれぞれ設けられ、
各櫛歯状電極５０ａ，５０ｂは、Ｙ軸方向に延設される
とともにＸ軸方向に等間隔に配置された複数の電極指を
備えている。また、各櫛歯状電極５０ａ，５０ｂのＹ軸
方向各外側には、基板１０の上面に中層ｂを介して固着
され各櫛歯状電極５０ａ，５０ｂに接続されるとともに
上層ｃからなるパッド部５１ａ，５１ｂがそれぞれ設け
られ、同パッド部５１ａ，５１ｂ上には導電金属（例え
ばアルミニウム）で方形状に形成された電極パッド５２
ａ，５２ｂがそれぞれ設けられている。A substrate 1 is provided on both outer sides of the vibrator 20 in the Y-axis direction.
0 are provided on the upper surface of the first electrode 0 via a middle layer b and are provided with comb-shaped electrodes 50a and 50b formed of an upper layer c, respectively.
Each of the comb-shaped electrodes 50a and 50b has a plurality of electrode fingers extending in the Y-axis direction and arranged at equal intervals in the X-axis direction. A pad portion fixed to the upper surface of the substrate 10 via the middle layer b and connected to each of the comb-teeth electrodes 50a and 50b and formed of an upper layer c is provided outside each of the comb-teeth electrodes 50a and 50b in the Y-axis direction. Electrode pads 52a are provided on the pad portions 51a and 51b, respectively, and are formed in a rectangular shape with a conductive metal (eg, aluminum) on the pad portions 51a and 51b.
a and 52b are provided respectively.
【００１９】振動子２０のＹ軸方向両側部には、振動子
２０と同様に基板１０上から所定距離Ｙだけ隔てて同振
動子２０と一体的に形成するとともに上層ｃからなる櫛
歯状電極２３ａ，２３ｂがそれぞれ設けられている。櫛
歯状電極２３ａ，２３ｂはＹ軸方向外側に延設されると
ともにＸ軸方向に等間隔に配置された複数の電極指をそ
れぞれ備えており、これらの各電極指は櫛歯状電極５０
ａ，５０ｂの各電極指間の幅方向（Ｘ軸方向）中心位置
に侵入している。櫛歯状電極２３ａ，２３ｂの下方に
も、下層ａ上に形成された中層ｂからなる突起（図示し
ない）が形成されている。この櫛歯状電極２３ａ，２３
ｂは、櫛歯状電極５０ａ，５０ｂと共に振動子２０に対
する検出部を構成するもので、振動子２０のＹ軸方向の
振動を検出するために用いられる。On both sides of the vibrator 20 in the Y-axis direction, like the vibrator 20, a comb-shaped electrode formed integrally with the vibrator 20 at a predetermined distance Y from the substrate 10 and formed of an upper layer c 23a and 23b are provided respectively. Each of the comb-shaped electrodes 23a and 23b includes a plurality of electrode fingers extending outward in the Y-axis direction and arranged at equal intervals in the X-axis direction.
a and 50b penetrate into the center position in the width direction (X-axis direction) between the electrode fingers. Protrusions (not shown) made of an intermediate layer b formed on the lower layer a are also formed below the comb-like electrodes 23a and 23b. These comb-shaped electrodes 23a, 23
“b” constitutes a detection unit for the vibrator 20 together with the comb-tooth electrodes 50a and 50b, and is used for detecting vibration of the vibrator 20 in the Y-axis direction.
【００２０】次に、上記のように構成した半導体装置の
使用にあたっては、各電極パッド１３，４２ａ，４２
ｂ，５２ａ，５２ｂを図示しない電気回路装置に接続す
る。電気回路装置は、振動子２０をその固有振動数ｆ0
でＸ軸方向に一定振幅で振動させるために、互いに逆相
の駆動用信号を電極パッド４２ａ，４２ｂにそれぞれ供
給する。また、振動子２０のＹ軸方向の振動を検出する
ために、互いに逆相の検出用信号を電極パッド５２ａ，
５２ｂに供給する。これによれば、振動子２０は、電気
回路装置からの駆動用信号によって前記駆動部に発生す
る静電引力により、一定振幅かつ固有振動数ｆ0でＸ軸
方向に振動する。Next, in using the semiconductor device configured as described above, each of the electrode pads 13, 42a, 42
b, 52a and 52b are connected to an electric circuit device (not shown). The electric circuit device sets the vibrator 20 to its natural frequency f 0.
In order to oscillate at a constant amplitude in the X-axis direction, drive signals having phases opposite to each other are supplied to the electrode pads 42a and 42b, respectively. In addition, in order to detect the vibration of the vibrator 20 in the Y-axis direction, detection signals having phases opposite to each other are supplied to the electrode pads 52a and 52a.
52b. According to this, the vibrator 20 vibrates in the X-axis direction at a constant amplitude and a natural frequency f 0 due to an electrostatic attraction generated in the drive unit by a drive signal from an electric circuit device.
【００２１】この状態で、振動子２０にＸ，Ｙ両軸に直
交するＺ軸回りの角速度が働くと、振動子２０はコリオ
リ力により前記角速度に比例した振幅でＹ軸方向にも振
動する。この振動子２０のＹ軸方向の振動に伴い、振動
子２０に接続された櫛歯状電極２３ａ，２３ｂもＹ軸方
向に振動する。これにより、櫛歯状電極２３ａ，５０ａ
における静電容量と、櫛歯状電極２３ｂ，５０ｂにおけ
る静電容量は互いに逆方向に変化する。この静電容量の
変化を表す信号が、静電容量信号として電極パッド１３
を介して電気回路装置に入力される。電気回路装置は、
この静電容量信号を用いて前記Ｚ軸回りの角速度を導出
する。In this state, when an angular velocity about the Z axis perpendicular to both the X and Y axes acts on the vibrator 20, the vibrator 20 also vibrates in the Y axis direction with an amplitude proportional to the angular velocity by Coriolis force. With the vibration of the vibrator 20 in the Y-axis direction, the comb-tooth electrodes 23a and 23b connected to the vibrator 20 also vibrate in the Y-axis direction. Thereby, the comb-shaped electrodes 23a, 50a
And the capacitances of the comb-tooth electrodes 23b and 50b change in opposite directions. A signal indicating this change in capacitance is used as a capacitance signal as the electrode pad 13.
Is input to the electric circuit device via the. The electric circuit device
The angular velocity around the Z axis is derived using the capacitance signal.
【００２２】このように動作する半導体装置において
は、振動子２０（厳密に言うと、振動子２０を構成する
ものであって貫通孔２１を除く上層ｃ）、櫛歯状電極２
２ａ，２２ｂ，２３ａ，２３ｂ及び梁１１ａ〜１１ｄが
基板１０（下層ａ）に対して変位するものであり、これ
らが本発明の可動部を構成する。In the semiconductor device operating as described above, the vibrator 20 (strictly speaking, the upper layer c which constitutes the vibrator 20 and excludes the through hole 21), the comb-shaped electrode 2
The 2a, 22b, 23a, 23b and the beams 11a to 11d are displaced with respect to the substrate 10 (lower layer a), and constitute a movable portion of the present invention.
【００２３】次に、上記のように構成した半導体装置の
製造方法について図３及び図４を用いて説明する。この
場合、図３は図１の２Ａ−２Ａ線に沿った一部分の製造
工程を示しており、図４は図１の２Ｂ−２Ｂ線に沿った
部分の製造工程を示している。Next, a method of manufacturing the semiconductor device configured as described above will be described with reference to FIGS. In this case, FIG. 3 shows a part of the manufacturing process along the line 2A-2A in FIG. 1, and FIG. 4 shows a part of the manufacturing process along the line 2B-2B in FIG.
【００２４】(１)第１工程 基板材料として単結晶シリコンからなる下層ａの上面上
に約１μｍの厚さ（＝Ｙ）のシリコン酸化膜からなる中
層ｂを介して約１０μｍの厚さの単結晶シリコンからな
る上層ｃを設けたＳＯＩ(Silicon−On-Insulator)基板
を用意し（図３(Ａ)，図４(Ａ)）、上層ｃにリン、ボロ
ン等の不純物をドーピングして同層ｃを低抵抗化する。(1) First Step On the upper surface of a lower layer a made of single crystal silicon as a substrate material, a single layer of about 10 μm thick is formed via an intermediate layer b made of a silicon oxide film of about 1 μm (= Y). An SOI (Silicon-On-Insulator) substrate provided with an upper layer c made of crystalline silicon is prepared (FIGS. 3A and 4A), and the upper layer c is doped with impurities such as phosphorus and boron to form the same layer. reduce the resistance of c.
【００２５】(２)第２工程 上層ｃの上面であって振動子２０（貫通孔２１を除
く）、櫛歯状電極２２ａ，２２ｂ，２３ａ，２３ｂ，４
０ａ，４０ｂ，５０ａ，５０ｂ、パッド部４１ａ，４１
ｂ，５１ａ，５１ｂ、梁１１ａ〜１１ｄ及びアンカ１２
ａ〜１２ｄに相当する部分をレジスト膜にてマスクす
る。そして、上層ｃをＲＩＥ（反応性イオンエッチン
グ）等でエッチングして、中層ｂ上に櫛歯状電極４０
ａ，４０ｂ，５０ａ，５０ｂ、パッド部４１ａ，４１
ｂ，５１ａ，５１ｂ及びアンカ１２ａ〜１２ｄを形成す
るとともに、振動子２０、櫛歯状電極２２ａ，２２ｂ，
２３ａ，２３ｂ及び梁１１ａ〜１１ｄに相当する部分を
残す（図３(Ｂ)，図４(Ｂ)）。(2) Second Step On the upper surface of the upper layer c, the vibrator 20 (excluding the through hole 21), the comb-shaped electrodes 22a, 22b, 23a, 23b, 4
0a, 40b, 50a, 50b, pad portions 41a, 41
b, 51a, 51b, beams 11a to 11d and anchor 12
The portions corresponding to a to 12d are masked with a resist film. Then, the upper layer c is etched by RIE (reactive ion etching) or the like, so that the comb-shaped electrode 40 is formed on the middle layer b.
a, 40b, 50a, 50b, pad portions 41a, 41
b, 51a, 51b and anchors 12a to 12d, and the vibrator 20, the comb-shaped electrodes 22a, 22b,
Parts corresponding to 23a and 23b and beams 11a to 11d are left (FIGS. 3B and 4B).
【００２６】(３)第３工程 フッ酸水溶液により上層ｃのうち前記第２工程のエッチ
ングにより除去した部分すなわち上層ｃの残っていない
部分から中層ｂのウェットエッチングを開始し、所定時
間だけウェットエッチングを行うと、フッ酸水溶液は中
層ｂをいずれの方向へも（等方的に）前記所定時間に比
例する距離ｄだけエッチングする。この距離ｄは可動部
の幅Ｘの半分より大きく、かつ中層ｂの厚さＹより小さ
い。なお、可動部の幅Ｘと中層ｂの厚さＹとの関係につ
いては後述する。したがって、上層ｃの残っていない部
分の下においては、下層ａ上面に一様な厚さ（Ｙ−ｄ）
の中層ｂを形成し、可動部の下においては、中層ｂを可
動部から隔離するとともに下層ａ上面に中層ｂからなる
断面円弧状の曲面を有する突起３１，３２を形成する。
一方、上層ｃの残っている部分であって可動部以外の部
分、例えば櫛歯状電極４０ａの下においては、その水平
方向の幅Ｘを２Ｙより大きく設定しているので、中層ｂ
の一部はエッチングされずに櫛歯状電極４０ａの下面に
密接している。(3) Third Step The wet etching of the middle layer b is started from the part of the upper layer c removed by the etching in the second step, ie, the part where the upper layer c does not remain, with the hydrofluoric acid aqueous solution, and the wet etching is performed for a predetermined time. Is performed, the hydrofluoric acid aqueous solution etches the middle layer b in any direction (isotropically) by a distance d proportional to the predetermined time. This distance d is larger than half the width X of the movable part and smaller than the thickness Y of the middle layer b. The relationship between the width X of the movable portion and the thickness Y of the middle layer b will be described later. Therefore, under the portion where the upper layer c does not remain, a uniform thickness (Y-d) is formed on the upper surface of the lower layer a.
The middle layer b is formed below the movable portion, and the middle layer b is separated from the movable portion, and the projections 31 and 32 having a curved surface with a circular arc cross section made of the middle layer b are formed on the upper surface of the lower layer a.
On the other hand, in the remaining portion of the upper layer c and other than the movable portion, for example, below the comb-shaped electrode 40a, the width X in the horizontal direction is set to be larger than 2Y.
Are in contact with the lower surface of the comb-like electrode 40a without being etched.
【００２７】そして、上記エッチングの後、上層ｃの残
っていない部分から同部分の下の中層ｂの厚さを測定
し、同測定した厚さが可動部の幅Ｘの半分より小さけれ
ば、さらにエッチングし、同測定した厚さが可動部の幅
Ｘの半分より大きければ、エッチングしないので、可動
部と突起３１，３２（中層ｂ）とを確実に隔離すること
できる。したがって、振動子２０、櫛歯状電極２２ａ，
２２ｂ，２３ａ，２３ｂ及び梁１１ａ〜１１ｄを中層ｂ
から浮かせて形成する（図３(Ｃ)，図４(Ｃ)）。Then, after the above etching, the thickness of the middle layer b under the same portion from the portion where the upper layer c does not remain is measured. If the measured thickness is smaller than half the width X of the movable portion, furthermore, Etching is performed, and if the measured thickness is larger than half the width X of the movable portion, no etching is performed, so that the movable portion and the projections 31 and 32 (the middle layer b) can be reliably separated. Therefore, the vibrator 20, the comb-shaped electrodes 22a,
22b, 23a and 23b and beams 11a to 11d
(FIG. 3 (C), FIG. 4 (C)).
【００２８】(４)第４工程 中層ｂをＲＩＥ（反応性イオンエッチング）等でドライ
エッチングする。このとき、上層ｃの残っている部分が
マスクとなるので、上層ｃの残っていない部分の直下に
位置する中層ｂのみをエッチングする。これにより、下
層ａ上の中層ｂが可動部４１，４２の水平方向外側直下
にて切断され、水平方向に中層ｂが連続して形成される
ことがなくなる。(4) Fourth Step The middle layer b is dry-etched by RIE (reactive ion etching) or the like. At this time, since the portion where the upper layer c remains serves as a mask, only the middle layer b located immediately below the portion where the upper layer c does not remain is etched. As a result, the middle layer b on the lower layer a is cut just below the movable portions 41 and 42 in the horizontal direction, and the middle layer b is not formed continuously in the horizontal direction.
【００２９】(５)第５工程 電極パッド１３，４２ａ，４２ｂ，５２ａ，５２ｂに相
当する部分に、スパッタリング法等でアルミ膜を形成
し、電極パッド１３，４２ａ，４２ｂ，５２ａ，５２ｂ
をそれぞれ形成する。(5) Fifth Step An aluminum film is formed on portions corresponding to the electrode pads 13, 42a, 42b, 52a, 52b by a sputtering method or the like, and the electrode pads 13, 42a, 42b, 52a, 52b are formed.
Are formed respectively.
【００３０】次に、上述した中層ｂの厚みＹと可動部の
幅Ｘとの関係を図５を用いて詳しく説明する。可動部の
直下においては、中層ｂを同可動部の水平方向端部から
同端部下端を中心とする半径ｒの断面円弧状分だけエッ
チングするので、中層ｂを可動部から隔離するために
は、前記半径ｒをＸ／２より大きくするようエッチング
する必要がある。したがって、図５(Ａ)に示すように、
可動部の幅ＸをＹ＜Ｘ／２となるように設定した場合、
中層ｂの厚みＹよりエッチング量すなわち前記半径ｒの
方が大きいので、可動部の水平方向外側直下の中層ｂが
除去されてなくなってしまい、可動部の水平方向外側直
下の中層ｂの厚みが測定できないため、中層ｂを可動部
から確実に隔離したことを確認することができなくなっ
てしまう。また、図５(Ｂ)に示すように、可動部の幅Ｘ
をＹ＝Ｘ／２となるように設定した場合も、可動部の水
平方向外側直下の中層ｂが除去されてなくなってしまう
ので、可動部の水平方向外側直下の中層ｂの厚みが測定
できないため、中層ｂを可動部から確実に隔離したこと
を確認することができなくなってしまう。Next, the relationship between the thickness Y of the middle layer b and the width X of the movable portion will be described in detail with reference to FIG. Immediately below the movable part, the middle layer b is etched from the horizontal end of the movable part by an arc-shaped cross section having a radius r centered on the lower end of the same end, so that the middle layer b is separated from the movable part. It is necessary to perform etching so that the radius r is larger than X / 2. Therefore, as shown in FIG.
When the width X of the movable part is set so that Y <X / 2,
Since the etching amount, that is, the radius r is greater than the thickness Y of the middle layer b, the middle layer b immediately below the movable portion in the horizontal direction is not removed, and the thickness of the middle layer b immediately below the horizontal portion of the movable portion is measured. Since it is impossible, it cannot be confirmed that the middle layer b has been reliably isolated from the movable part. In addition, as shown in FIG.
Is set such that Y = X / 2, the middle layer b immediately below the movable portion in the horizontal direction is not removed, and the thickness of the middle layer b immediately below the movable portion in the horizontal direction cannot be measured. This makes it impossible to confirm that the middle layer b has been reliably isolated from the movable portion.
【００３１】したがって、中層ｂを可動部から確実に隔
離したことを確認するため、すなわち、可動部の水平方
向外側直下の中層ｂの厚みが測定できるようにするため
には、図５(Ｃ)に示すように、可動部の幅ＸをＹ＞Ｘ／
２となるように設定する必要がある。この設定によれ
ば、中層ｂの厚みＹよりエッチング量すなわち前記半径
ｒの方が小さいので、可動部の水平方向外側直下の中層
ｂが除去されず下層ａ上に残存するので、可動部の水平
方向外側直下の中層ｂの厚みが測定できるため、中層ｂ
を可動部から確実に隔離することができる。Therefore, in order to confirm that the middle layer b has been reliably separated from the movable section, that is, to be able to measure the thickness of the middle layer b immediately below the horizontal section of the movable section, FIG. As shown in FIG.
It needs to be set to 2. According to this setting, since the etching amount, that is, the radius r is smaller than the thickness Y of the middle layer b, the middle layer b immediately below the movable portion in the horizontal direction is not removed and remains on the lower layer a. Since the thickness of the middle layer b just below the outer side in the direction can be measured, the middle layer b
Can be reliably isolated from the movable part.
【００３２】上述した製造方法によれば、中層ｂを単一
材料で構成するようにしても、前記第３工程（突起形成
工程）において、ウェットエッチング時間を短めに設定
したり、エッチング液の濃度を低くめに設定することに
より、下層ａ上に断面円弧状の中層ｂを残して可動部の
直下に突起３１，３２を確実に形成することができる。
そして、第４工程（中層除去工程）により、前記上層ｃ
の一部を除去した可動部の水平方向外側直下に残った中
層ｂがドライエッチングにより除去されるので、下層ａ
上の中層ｂが前記可動部の水平方向外側直下にて切断さ
れ、水平方向に中層ｂが連続して形成されることがなく
なる。その結果、中層ｂに生じる熱応力を開放させるこ
とができるので、中層ｂの熱膨張により半導体装置に反
りが発生することもなくなり、半導体装置の所期の動作
が確保されるようになる。According to the above-described manufacturing method, even if the middle layer b is formed of a single material, in the third step (projection forming step), the wet etching time is set short or the concentration of the etching solution is reduced. Is set lower, the projections 31 and 32 can be reliably formed immediately below the movable portion while leaving the middle layer b having an arc-shaped cross section on the lower layer a.
Then, in the fourth step (intermediate layer removing step), the upper layer c
Is removed by dry etching, so that the lower layer a is removed.
The upper middle layer b is cut just below the outer side of the movable portion in the horizontal direction, so that the middle layer b is not formed continuously in the horizontal direction. As a result, the thermal stress generated in the middle layer b can be released, so that the semiconductor device does not warp due to the thermal expansion of the middle layer b, and the expected operation of the semiconductor device can be secured.
【００３３】また、前記第３工程における測定により、
可動部の水平方向外側直下におけるウェットエッチング
による中層ｂの除去の度合いを知ることができ、また同
ウェットエッチングにより除去される可動部の直下にお
ける中層ｂの除去は前記可動部の水平方向外側直下にお
ける中層ｂの除去の度合いに比例するので、可動部直下
の中層ｂによる突起３１，３２と可動部との隔離を確実
に行えるとともに、可動部直下における中層ｂによる突
起３１，３２の欠落を確実に回避することができるよう
になる。Further, according to the measurement in the third step,
It is possible to know the degree of removal of the middle layer b by wet etching just below the horizontal portion of the movable portion, and to remove the middle layer b just below the movable portion removed by the wet etching just below the horizontal portion of the movable portion. Since it is proportional to the degree of removal of the middle layer b, the protrusions 31 and 32 by the middle layer b immediately below the movable portion can be reliably separated from the movable portion, and the lack of the protrusions 31 and 32 by the middle layer b immediately below the movable portion can be reliably achieved. Can be avoided.
【００３４】次に、上記実施形態の可動部の幅Ｘと中層
ｂの厚さＹの設定方法に関する変形例について図６を用
いて説明する。一般的に、ウェットエッチングにおいて
は、エッチング時間、エッチング液の濃度のバラツキに
より、目標とするエッチング量である目標エッチング量
ｄに対してエッチング誤差αが生ずる。このエッチング
誤差αが生じても、中層ｂを可動部から確実に隔離し、
かつ可動部直下に突起を確実に残存させるために、中層
ｂを可動部から隔離した直後のエッチング量ｄ1（図６
(Ａ)参照）と、可動部直下の突起を完全に除去する直前
のエッチング量ｄ2（図６(Ｃ)参照）との中間値を目標
エッチング量ｄ（図６(Ｂ)参照）に設定している。エッ
チング量ｄ1は可動部の幅Ｘの半分（Ｘ／２）と等しく
（ｄ1＝Ｘ／２）、エッチング量ｄ2は下記数１で表され
る。これは、突起の上端が可動部幅方向の中線上にある
からである。したがって、目標エッチング量ｄは下記数
２で表される。Next, a modified example of the method for setting the width X of the movable portion and the thickness Y of the middle layer b in the above embodiment will be described with reference to FIG. In general, in wet etching, an etching error α occurs with respect to a target etching amount d, which is a target etching amount, due to variations in etching time and concentration of an etching solution. Even if this etching error α occurs, the middle layer b is reliably isolated from the movable part,
In addition, in order to ensure that the protrusion remains just below the movable portion, the etching amount d1 immediately after the middle layer b is separated from the movable portion (FIG. 6)
(A)) and an etching amount d2 (see FIG. 6C) immediately before completely removing the protrusion immediately below the movable portion is set as a target etching amount d (see FIG. 6B). ing. The etching amount d1 is equal to half (X / 2) of the width X of the movable portion (d1 = X / 2), and the etching amount d2 is expressed by the following equation (1). This is because the upper end of the projection is on the middle line in the width direction of the movable part. Therefore, the target etching amount d is expressed by the following equation (2).
【００３５】[0035]
【数１】 (Equation 1)
【００３６】[0036]
【数２】 (Equation 2)
【００３７】また、上述した目標エッチング量ｄを用い
れば、実際のエッチング量の上限値及び下限値は、（１
＋α）ｄ及び（１−α）ｄで表される。したがって、可
動部直下に突起を確実に残存させるためには、実際のエ
ッチング量の上限値（１＋α）ｄをエッチング量ｄ2よ
り小さくするとともに、中層ｂを可動部から確実に隔離
するためには、実際のエッチング量の下限値（１−α）
ｄをエッチング量ｄ1より大きくする必要がある。した
がって、目標エッチングｄと各エッチング量ｄ2，ｄ1の
関係は下記数３及び数４のように表される。When the target etching amount d is used, the upper and lower limits of the actual etching amount are (1)
+ Α) d and (1−α) d. Therefore, in order to ensure that the protrusion remains just below the movable portion, the upper limit (1 + α) d of the actual etching amount is made smaller than the etching amount d2, and in order to reliably isolate the middle layer b from the movable portion, Lower limit of actual etching amount (1−α)
It is necessary to make d larger than the etching amount d1. Therefore, the relationship between the target etching d and the respective etching amounts d2 and d1 is expressed by the following equations (3) and (4).
【００３８】[0038]
【数３】（１＋α）ｄ＜ｄ2## EQU3 ## (1 + α) d <d2
【００３９】[0039]
【数４】（１−α）ｄ＞ｄ1 上記数３に上記数１及び数２を代入すると、同数３は下
記数５のように変形されるとともに、上記数４に上記ｄ
1及び数２を代入すると、同数４は下記数６のように変
形される。(1−α) d> d1 By substituting Equations (1) and (2) for Equation (3), Equation (3) is transformed as shown in Equation (5), and d is added to Equation (4).
By substituting 1 and Equation 2, Equation 4 is transformed into Equation 6 below.
【００４０】[0040]
【数５】 (Equation 5)
【００４１】[0041]
【数６】 (Equation 6)
【００４２】上記数５及び数６を解くと、下記数７が求
められる。By solving the above equations 5 and 6, the following equation 7 is obtained.
【００４３】[0043]
【数７】 (Equation 7)
【００４４】すなわち、可動部の幅Ｘを、エッチング誤
差αを考慮して上記数７に示す関係を満たすように設定
すれば、可動部直下の中層による突起と可動部との隔離
を確実に行えるとともに、可動部直下における中層によ
る突起の欠落を確実に回避することができるようにな
る。That is, if the width X of the movable part is set so as to satisfy the relationship shown in the above equation 7 in consideration of the etching error α, the projection can be reliably separated from the movable part by the middle layer immediately below the movable part. At the same time, it is possible to reliably avoid the protrusion of the protrusion by the middle layer just below the movable portion.
【００４５】上記変形例に係る半導体装置の製造方法に
おいては、上記実施形態と同様に半導体装置をウェット
エッチングして、可動部の水平方向外側直下の中層ｂの
エッチング厚さを測定し、この測定の結果、可動部の水
平方向外側直下の中層ｂが残っている場合のみ、上記第
４工程と同様にドライエッチングを行い、可動部の水平
方向外側直下の中層ｂが残っていない場合、上記第４工
程を実施する必要はない。これによっても、下層ａ上の
中層ｂが可動部の水平方向外側直下にて切断され、水平
方向に中層ｂが連続して形成されることがなくなる。そ
の結果、中層ｂに生じる熱応力を開放させることができ
るので、中層ｂの熱膨張により半導体装置に反りが発生
することもなくなり、半導体装置の所期の動作が確保さ
れるようになる。In the method of manufacturing a semiconductor device according to the above modification, the semiconductor device is wet-etched in the same manner as in the above embodiment, and the etching thickness of the middle layer b immediately below the movable portion in the horizontal direction is measured. As a result, dry etching is performed in the same manner as in the fourth step only when the middle layer b directly below the movable portion in the horizontal direction remains, and when the middle layer b directly below the horizontal direction in the movable portion does not remain, There is no need to perform four steps. This also prevents the middle layer b on the lower layer a from being cut immediately below the movable portion just outside the horizontal direction, so that the middle layer b is not formed continuously in the horizontal direction. As a result, the thermal stress generated in the middle layer b can be released, so that the semiconductor device does not warp due to the thermal expansion of the middle layer b, and the expected operation of the semiconductor device can be secured.
【図１】 本発明の一実施形態に係る半導体装置の概略
平面図である。FIG. 1 is a schematic plan view of a semiconductor device according to an embodiment of the present invention.
【図２】 （Ａ）は図１に示す半導体装置の２Ａ−２Ａ
線に沿った部分端面図であり、（Ｂ）は同装置の２Ｂ−
２Ｂ線に沿った端面図である。FIG. 2A is a sectional view of the semiconductor device shown in FIG.
It is a partial end view along a line, (B) is 2B- of the apparatus.
It is an end elevation along the 2B line.
【図３】 図１に示す半導体装置の２Ａ−２Ａ線に沿っ
た部分の製造工程図である。FIG. 3 is a manufacturing process view of a portion of the semiconductor device shown in FIG. 1 along the line 2A-2A.
【図４】 図１に示す半導体装置の２Ｂ−２Ｂ線に沿っ
た部分の製造工程図である。FIG. 4 is a manufacturing process diagram of a portion of the semiconductor device shown in FIG. 1 along the line 2B-2B.
【図５】 可動部の幅と中層の厚さとの関係を説明する
ための図である。FIG. 5 is a diagram for explaining a relationship between a width of a movable portion and a thickness of a middle layer.
【図６】 エッチング誤差を考慮して可動部の幅と中層
の厚さとの関係を説明するための図である。FIG. 6 is a diagram for explaining a relationship between a width of a movable portion and a thickness of an intermediate layer in consideration of an etching error.
１０…基板、１１ａ〜１１ｄ…梁、１２ａ〜１２ｄ…ア
ンカ、１３，４２ａ，４２ｂ，５２ａ，５２ｂ…電極パ
ッド、２０…振動子、２１…貫通孔、２２ａ，２２ｂ，
２３ａ，２３ｂ，４０ａ，４０ｂ，５０ａ，５０ｂ…櫛
歯状電極、３１，３２…突起、４１ａ，４１ｂ，５１
ａ，５１ｂ…パッド部、ａ…下層、ｂ…中層、ｃ…上
層。DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 ... board | substrate, 11a-11d ... beam, 12a-12d ... anchor, 13, 42a, 42b, 52a, 52b ... electrode pad, 20 ... vibrator, 21 ... through-hole, 22a, 22b,
23a, 23b, 40a, 40b, 50a, 50b ... comb-shaped electrodes, 31, 32 ... projections, 41a, 41b, 51
a, 51b: pad portion, a: lower layer, b: middle layer, c: upper layer.
Claims (3)
層の一部をその直下に位置する中層から隔離して下層に
対して変位可能に構成した可動部とする半導体装置の製
造方法において、 前記可動部の水平方向外側に位置する上層の一部を除去
する上層除去工程と、 前記上層の一部を除去した可動部の水平方向外側位置か
ら中層のウェットエッチングを行って、前記可動部をそ
の直下にて中層から隔離するとともに同可動部の直下に
位置する中層に突起を形成する突起形成工程と、 前記突起形成工程後に前記上層の一部を除去した可動部
の水平方向外側直下に残った中層をドライエッチングに
より除去する中層除去工程とを含むことを特徴とする半
導体装置の製造方法。1. A method of manufacturing a semiconductor device comprising a movable portion comprising an upper layer, a middle layer, and a lower layer, wherein a part of the upper layer is separated from a middle layer located immediately below and is configured to be displaceable with respect to the lower layer. An upper layer removing step of removing a part of an upper layer located horizontally outside the movable part; and performing wet etching of a middle layer from a horizontal outside position of the movable part from which a part of the upper layer has been removed, thereby forming the movable part. A projection forming step of forming a projection on the middle layer located immediately below the movable portion while isolating the upper portion from the middle layer immediately below the same, and a portion just below the horizontal portion of the movable portion after removing the part of the upper layer after the projection forming step. Removing the remaining middle layer by dry etching.
チング終了後に、前記上層の一部を除去した可動部の水
平方向外側直下に残った中層の厚さを測定するようにし
た前記請求項１に記載の半導体装置の製造方法。2. The method according to claim 1, wherein after the wet etching in the projection forming step is completed, the thickness of the middle layer remaining just below the horizontal portion of the movable portion from which a part of the upper layer has been removed is measured. A method for manufacturing a semiconductor device.
層の一部をその直下に位置する中層から隔離して下層に
対して変位可能に構成した可動部とする半導体装置にお
いて、 前記可動部を、前記中層の厚み（Ｙ）と前記可動部の水
平方向の幅（Ｘ）との間にＹ＞Ｘ／２という関係が成立
するように形成したことを特徴とする半導体装置。3. A semiconductor device having a movable portion comprising an upper layer, an intermediate layer, and a lower layer, wherein a part of the upper layer is separated from an intermediate layer located immediately below and is configured to be displaceable with respect to the lower layer. A semiconductor device, wherein the portion is formed such that a relationship of Y> X / 2 is established between the thickness (Y) of the middle layer and the horizontal width (X) of the movable portion.
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1999
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