JP2000273156A - Semiconductor sealing epoxy resin molding material and semiconductor device using the same - Google Patents

Semiconductor sealing epoxy resin molding material and semiconductor device using the same

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JP2000273156A
JP2000273156A JP11081279A JP8127999A JP2000273156A JP 2000273156 A JP2000273156 A JP 2000273156A JP 11081279 A JP11081279 A JP 11081279A JP 8127999 A JP8127999 A JP 8127999A JP 2000273156 A JP2000273156 A JP 2000273156A
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JP
Japan
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compound
group
epoxy resin
molding material
molecule
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JP11081279A
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Japanese (ja)
Inventor
Hiroshi Nagata
永田  寛
Sumiya Miyake
澄也 三宅
Yoshiyuki Go
義幸 郷
Akiko Okubo
明子 大久保
Masahito Akiyama
仁人 秋山
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Sumitomo Bakelite Co Ltd
Original Assignee
Sumitomo Bakelite Co Ltd
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To obtain a semiconductor sealing epoxy resin molding material excellent in curability and shelf stability and to provide a high moisture resistance semiconductor device using the same. SOLUTION: A semiconductor sealing epoxy resin molding material comprises, as the essential components, (A) a compound having two or more epoxy groups in the molecule, (B) a compound having two or more phenolic hydroxyl groups in the molecule, (C) a compound to be obtained by reacting (X) a compound containing at least one epoxy group in the molecule, (Y) an organic phosphine represented by the formula (wherein at least one of R1, R2 and R3 is selected from an alkyl group and an alkoxy group and the other groups are hydrogens and may be the same or different), and (Z) a compound (a proton donator compound) having a functional group capable of donating two or more protons in the molecule, and (D) an inorganic filler.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、硬化性と保存性に
優れた半導体封止用エポキシ樹脂成形材料、並びにそれ
を用いた半導体装置に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an epoxy resin molding material for semiconductor encapsulation having excellent curability and preservability, and a semiconductor device using the same.

【0002】[0002]

【従来の技術】半導体封止用エポキシ樹脂成形材料は、
その硬化を速めるために、硬化促進剤を配合して用い
る。例えば、エポキシ樹脂の場合、アミン類、イミダゾ
ール系化合物、ジアザビシクロウンデセン(以下、DB
Uと略称する)などの含窒素複素環式化合物、第4級ア
ンモニウム塩、有機ホスフィン系化合物、ホスホニウム
塩等が、硬化促進剤としてよく使用されているが、有機
ホスフィン、中でもトリフェニルホスフィン(以下、T
PPと記す)がとりわけよく使用されている。
2. Description of the Related Art Epoxy resin molding materials for semiconductor encapsulation are:
In order to accelerate the curing, a curing accelerator is blended and used. For example, in the case of an epoxy resin, amines, imidazole compounds, diazabicycloundecene (hereinafter, DB)
U), quaternary ammonium salts, organic phosphine compounds, phosphonium salts, and the like are often used as curing accelerators. Organic phosphines, especially triphenylphosphine (hereinafter, referred to as triphenylphosphine) , T
PP) is particularly commonly used.

【0003】しかし、TPPなどのホスフィン類を用い
た場合、硬化促進剤の酸化劣化しやすい点と、半導体封
止用エポキシ樹脂成形材料の常温での保存性が低い点が
問題となっていた。これらの問題を解決する方法とし
て、特開平7−252348号公報では、モノエポキシ
化合物、一価のフェノール化合物、及び有機ホスフィン
の加熱混合物の使用が提案されているが、一価のフェノ
ール性水酸基の存在は、成形材料の架橋密度を低下さ
せ、硬化性を低下させる欠点がある。
However, when phosphines such as TPP are used, there have been problems in that the curing accelerator tends to be oxidized and deteriorated, and the storage stability of the epoxy resin molding material for semiconductor encapsulation at room temperature is low. As a method for solving these problems, Japanese Patent Application Laid-Open No. 7-252348 proposes the use of a heated mixture of a monoepoxy compound, a monovalent phenol compound, and an organic phosphine. Its presence has the disadvantage that it reduces the crosslink density of the molding material and reduces its curability.

【0004】一方、特開平10−120765号公報で
は、トリス置換オルガノホスフィン、エポキシ化合物、
及びプロトン受容体とイオン対を形成するプロトン供与
体である化合物をあらかじめ反応させ、4級ホスホニウ
ム化合物とすることにより、常温での保存性を改良して
いる。しかしながら、トリス置換オルガノホスフィンの
置換基についての言及はなく、トリス置換オルガノホス
フィンがTPPの場合には、これらの4級化合物は高温
硬化時にトリフェニルホスフィンオキサイド(以下、T
PPOと記す)化し易いという欠点があり、硬化性が低
下する恐れがある。
On the other hand, JP-A-10-120765 discloses a tris-substituted organophosphine, an epoxy compound,
By preliminarily reacting a compound which is a proton donor forming an ion pair with a proton acceptor to form a quaternary phosphonium compound, the storage stability at room temperature is improved. However, there is no mention of the substituents of the tris-substituted organophosphine, and when the tris-substituted organophosphine is TPP, these quaternary compounds will react with triphenylphosphine oxide (hereinafter referred to as Tphenyl
PPO), and the curability may decrease.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】本発明は、硬化促進剤
の前記のような問題点を克服すべく、種々検討の結果な
されたもので、硬化性と保存性に優れた半導体封止用エ
ポキシ樹脂成形材料、及びそれを用いた高耐湿性の半導
体装置を提供することを目的とする。
DISCLOSURE OF THE INVENTION The present invention has been made in order to overcome the above-mentioned problems of the curing accelerator, and has been made as a result of various studies. It is an object of the present invention to provide a resin molding material and a highly moisture-resistant semiconductor device using the same.

【0006】[0006]

【課題を解決するための手段】即ち本発明は、1分子内
にエポキシ基を2個以上有する化合物(A)、1分子内
にフェノール性水酸基を2個以上有する化合物(B)、
1分子内に少なくとも1個のエポキシ基を含有する化合
物(X)、一般式(1)で示される有機ホスフィン
(Y)、及び1分子内に2個以上のプロトンを供与しう
る官能基を有する化合物(プロトン供与化合物,Z)を
反応させることにより得られる化合物(C)、並びに、
無機充填材(D)を必須成分とすることを特徴とする半
導体封止用エポキシ樹脂成形材料、およびこの樹脂組成
物の硬化物で封止された半導体装置である。
That is, the present invention provides a compound (A) having two or more epoxy groups in one molecule, a compound (B) having two or more phenolic hydroxyl groups in one molecule,
Compound (X) containing at least one epoxy group in one molecule, organic phosphine (Y) represented by the general formula (1), and a functional group capable of donating two or more protons in one molecule A compound (C) obtained by reacting a compound (proton donating compound, Z), and
An epoxy resin molding material for semiconductor encapsulation, comprising an inorganic filler (D) as an essential component, and a semiconductor device encapsulated with a cured product of the resin composition.

【0007】[0007]

【化1】 式中、R1、R2、R3は、少なくとも一つがアルキル
基、アルコキシ基の中から選択される基であり、それ以
外の基は水素であって、互いに同一であっても異なって
いてもよい。
Embedded image In the formula, at least one of R 1 , R 2 , and R 3 is a group selected from an alkyl group and an alkoxy group, and the other groups are hydrogen. Is also good.

【0008】[0008]

【発明の実施の形態】本発明で使用される化合物(A)
は、1分子内にエポキシ基を2個以上有するものであれ
ば、特に制限されるものではなく、半導体封止用エポキ
シ樹脂成形材料で一般的に使用されているものが使用で
きる。具体的には、フェノール類とアルデヒド類のノボ
ラック樹脂をエポキシ化したもの(例えば、フェノール
ノボラック型エポキシ樹脂、オルソクレゾールノボラッ
ク型エポキシ樹脂)、ビスフェノールA、ビスフェノー
ルF、ビスフェノールS、ビスフェノールAD、アルキ
ル置換ビフェノールなどと、エピクロルヒドリンとの反
応により生成するグリシジルエーテル型エポキシ樹脂な
どがあげられる。
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Compound (A) used in the present invention
The resin is not particularly limited as long as it has two or more epoxy groups in one molecule, and a material generally used in an epoxy resin molding material for semiconductor encapsulation can be used. Specifically, phenolized novolak resins of phenols and aldehydes are epoxidized (eg, phenol novolak type epoxy resin, orthocresol novolak type epoxy resin), bisphenol A, bisphenol F, bisphenol S, bisphenol AD, alkyl-substituted biphenol And a glycidyl ether type epoxy resin formed by the reaction with epichlorohydrin.

【0009】中でも、ビフェニル骨格、ビスフェノール
骨格、スチルベン骨格等の剛直な構造を主鎖に有し、比
較的低分子であるために結晶性を示す結晶性エポキシ樹
脂は、常温では結晶化している固体であるが、融点以上
の温度域では急速に融解して低粘度の液状に変化するも
のであり、流動性が良好となるため、半導体封止用エポ
キシ樹脂成形材料用途には特に有用である。尚、その融
点は、示差走査熱量計を用いて、常温から昇温速度5℃
/分で昇温した時の、結晶融解の吸熱ピークの頂点の温
度として求められる。
Above all, a crystalline epoxy resin which has a rigid structure such as a biphenyl skeleton, a bisphenol skeleton, or a stilbene skeleton in its main chain and exhibits crystallinity due to its relatively low molecular weight is a solid crystallized at room temperature. However, in the temperature range above the melting point, it rapidly melts and changes into a low-viscosity liquid and has good fluidity, so that it is particularly useful for epoxy resin molding materials for semiconductor encapsulation. The melting point was measured using a differential scanning calorimeter at a temperature rising rate of 5 ° C. from room temperature.
It is determined as the temperature at the top of the endothermic peak of crystal melting when the temperature is raised at / min.

【0010】これらの条件を満たす結晶性エポキシ樹脂
としては、特に、一般式(2)でしめされるビフェニル
型エポキシ樹脂、および一般式(3)で示されるビスフ
ェノール型エポキシ樹脂からなる群より選ばれた1種ま
たは2種以上の混合物、又は一般式(4)で示されるス
チルベン型エポキシ樹脂と一般式(5)で示されるスチ
ルベン型エポキシ樹脂との混合物が好ましい。
The crystalline epoxy resin satisfying these conditions is selected from the group consisting of a biphenyl type epoxy resin represented by the general formula (2) and a bisphenol type epoxy resin represented by the general formula (3). Preferred is a mixture of one or more of these, or a mixture of a stilbene-type epoxy resin represented by the general formula (4) and a stilbene-type epoxy resin represented by the general formula (5).

【0011】[0011]

【化2】 Embedded image

【0012】[0012]

【化3】 Embedded image

【0013】式中、R4、R5は、水素、炭素数1〜6の
鎖状もしくは環状アルキル基、フェニル基、またはハロ
ゲンの中から選択される基または原子であり、互いに同
一であっても異なっていてもよく、例えば、メチル基、
エチル基、プロピル基、ブチル基、シクロヘキシル基、
フェニル基、塩素原子、臭素原子等が挙げられ、特にメ
チル基が好ましい。
In the formula, R 4 and R 5 are groups or atoms selected from hydrogen, a chain or cyclic alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, a phenyl group, or a halogen, and are the same as each other; May also be different, for example, a methyl group,
Ethyl group, propyl group, butyl group, cyclohexyl group,
Examples include a phenyl group, a chlorine atom and a bromine atom, and a methyl group is particularly preferable.

【0014】[0014]

【化4】 Embedded image

【0015】[0015]

【化5】 Embedded image

【0016】式中、R6〜R17は、水素原子、炭素数1
〜6の鎖状もしくは環状アルキル基、またはハロゲンの
中から選択される基または原子であり、互いに同一であ
っても異なっていてもよく、例えば、水素原子、メチル
基、エチル基、プロピル基、ブチル基、アミル基、ヘキ
シル基(各異性体を含む)、シクロヘキシル基、塩素原
子、臭素原子等が挙げられ、特に、エポキシ樹脂の溶融
粘度の低さから、メチル基、エチル基、プロピル基、又
はブチル基が好ましい。
In the formula, R 6 to R 17 are a hydrogen atom, a carbon atom of 1
~ 6 chain or cyclic alkyl groups, or groups or atoms selected from halogen, which may be the same or different, such as a hydrogen atom, a methyl group, an ethyl group, a propyl group, Butyl group, amyl group, hexyl group (including each isomer), cyclohexyl group, chlorine atom, bromine atom and the like. In particular, methyl group, ethyl group, propyl group, Or a butyl group is preferable.

【0017】一般式(4)のスチルベン型エポキシ樹脂
と一般式(5)のスチルベン型エポキシ樹脂には、いず
れも置換基の種類等により種々の構造のものがあり、1
種類の構造のものでも、2種類以上の混合物でもかまわ
ないが、一般式(4)のスチルベン型エポキシ樹脂と一
般式(5)のスチルベン型エポキシ樹脂との混合物が特
に好ましい。
The stilbene type epoxy resin of the general formula (4) and the stilbene type epoxy resin of the general formula (5) each have various structures depending on the kind of the substituent and the like.
A mixture of stilbene type epoxy resins of the general formula (4) and stilbene type epoxy resins of the general formula (5) may be used, although a mixture of two or more types may be used.

【0018】両樹脂の混合は、両方の化合物を混合する
ことにより融点が低くなればよく、混合方法については
特に限定しない。例えば、スチルベン型エポキシ樹脂の
原料であるスチルベン型フェノール類を、グリシジルエ
ーテル化する前に混合しておいたり、両方のスチルベン
型エポキシ樹脂を溶融混合する方法等があるが、いずれ
の場合においても、融点が50〜150℃となるように
調整する。
The mixing of the two resins is only required to lower the melting point by mixing both compounds, and the mixing method is not particularly limited. For example, stilbene-type phenols, which are the raw materials of the stilbene-type epoxy resin, are mixed before glycidyl etherification, or a method of melting and mixing both stilbene-type epoxy resins.In any case, Adjust so that the melting point is 50 to 150 ° C.

【0019】一般式(4)のスチルベン型エポキシ樹脂
としては、入手のし易さ、性能、原料価格の点から、5
−ターシャリブチル−4,4'−ジヒドロキシ−2,3',
5'−トリメチルスチルベン、3−ターシャリブチル−
4,4'−ジヒドロキシ−3',5,5'−トリメチルスチル
ベンのグリシジルエーテル化物が特に好ましい。
As the stilbene type epoxy resin represented by the general formula (4), from the viewpoint of availability, performance, and raw material price, 5
-Tert-butyl-4,4'-dihydroxy-2,3 ',
5'-trimethylstilbene, 3-tert-butyl-
Glycidyl etherified products of 4,4'-dihydroxy-3 ', 5,5'-trimethylstilbene are particularly preferred.

【0020】また、一般式(5)のスチルベン型エポキ
シ樹脂としては、性能、原料価格の点から、4,4'−ジ
ヒドロキシ−3,3',5,5'−テトラメチルスチルベ
ン、4,4'−ジヒドロキシ−3,3'−ジターシャリブチ
ル−6,6'−ジメチルスチルベン、4,4'−ジヒドロキ
シ−3,3'−ジターシャリブチル−5,5'−ジメチルス
チルベンのグリシジルエーテル化物が特に好ましい。
As the stilbene type epoxy resin represented by the general formula (5), 4,4′-dihydroxy-3,3 ′, 5,5′-tetramethylstilbene, 4,4 Glycidyl etherified products of '-dihydroxy-3,3'-ditert-butyl-6,6'-dimethylstilbene, 4,4'-dihydroxy-3,3'-di-tert-butyl-5,5'-dimethylstilbene are particularly preferred. preferable.

【0021】本発明で使用される化合物(B)は、1分
子内で芳香族性の環に水酸基が2個以上結合した化合物
であればよく、フェノールノボラック樹脂、クレゾール
ノボラック樹脂、フェノールアラルキル樹脂、テルペン
変性フェノール樹脂、ジシクロペンタジエン変性フェノ
ール樹脂等が例示されるが、分子内の水酸基が少ないた
めに成型品の吸水率が小さく、分子が適度の屈曲性を有
するために硬化反応における反応性も良く、また低粘度
化も可能であるということから、特にフェノールアラル
キル樹脂が好ましい。
The compound (B) used in the present invention may be a compound in which two or more hydroxyl groups are bonded to an aromatic ring in one molecule, and may be a phenol novolak resin, a cresol novolak resin, a phenol aralkyl resin, Examples include terpene-modified phenolic resins, dicyclopentadiene-modified phenolic resins, and the like.However, since the number of hydroxyl groups in the molecule is small, the water absorption of the molded product is small, and the reactivity in the curing reaction is low because the molecule has an appropriate flexibility. Phenol aralkyl resins are particularly preferred because they are good and can be reduced in viscosity.

【0022】また、本発明で使用される化合物(C)
は、潜伏性の硬化促進剤として働くもので、化合物
(C)を合成するための、1分子内に少なくとも1個の
エポキシ基を含有する化合物(X)としては、前記の1
分子内にエポキシ基を2個以上有する化合物(A)の他
に、単官能のエポキシ化合物も使用できる。単官能のエ
ポキシ化合物としては、特に限定されるものではない
が、例えば、フェニルグリシジルエーテル、ターシャリ
ーブチルグリシジルエーテル、アリルグリシジルエーテ
ル等が挙げられる。
The compound (C) used in the present invention
Is a compound which acts as a latent curing accelerator, and as a compound (X) containing at least one epoxy group in one molecule for synthesizing the compound (C),
In addition to the compound (A) having two or more epoxy groups in the molecule, a monofunctional epoxy compound can also be used. Although it does not specifically limit as a monofunctional epoxy compound, For example, phenyl glycidyl ether, tertiary butyl glycidyl ether, allyl glycidyl ether etc. are mentioned.

【0023】化合物(C)を合成するための、一般式
(1)で表される有機ホスフィン(Y)は、置換基R1
〜R3の少なくともひとつは、アルキル基、またはアル
コキシ基であるが、それ以外の基は水素原子であって、
互いに同じでも異なっていてもよい。具体的には、トリ
ス(4−メチルフェニル)ホスフィン、トリス(2,4,
6−トリメチルフェニル)ホスフィン、トリス(2,6
−ジメトキシフェニル)ホスフィン、トリス(2,4,6
−トリメトキシフェニル)ホスフィンなどが例示され
る。これらの電子供与基により、生成したホスホニウム
塩が安定化され、硬化反応時の酸化、分解反応が抑制さ
れる。置換基R1〜R3が全て水素原子であるTPPの場
合、ホスホニウム塩自体の安定性が相対的に低く、高温
時にホスフィンオキサイド化し易いため、硬化性が低下
する傾向がある。
The organic phosphine (Y) represented by the general formula (1) for synthesizing the compound (C) has a substituent R 1
At least one of R 3 is an alkyl group or an alkoxy group, but the other groups are hydrogen atoms,
They may be the same or different. Specifically, tris (4-methylphenyl) phosphine, tris (2,4,
6-trimethylphenyl) phosphine, tris (2,6
-Dimethoxyphenyl) phosphine, tris (2,4,6)
-Trimethoxyphenyl) phosphine and the like. The generated phosphonium salt is stabilized by these electron donating groups, and the oxidation and decomposition reactions during the curing reaction are suppressed. In the case of TPP in which all of the substituents R 1 to R 3 are hydrogen atoms, the stability of the phosphonium salt itself is relatively low, and phosphine oxide is easily formed at high temperatures, so that the curability tends to decrease.

【0024】化合物(C)の合成に使用されるプロトン
供与化合物(Z)は、プロトンを供与しうる官能基を1
分子内に2個以上有することが重要である。例えば、プ
ロトン供与基が1個である一価のフェノール化合物を用
いた場合、単官能であるため、フェノール化合物とエポ
キシ基の硬化時の反応において、架橋密度の低下をもた
らすことにより、硬化性が低下する。そのため、プロト
ン供与基を1分子内に2個以上有する化合物でなければ
ならない。具体的には、カテコール、レゾルシン、ヒド
ロキノンなどのジヒドロキシベンゼン類、1,6−ジヒ
ドロキシナフタレンなどのジヒドロキシナフタレン類、
ビスフェノールA、ビスフェノールFなどのビスフェノ
ール類、2,2'−ビフェノール、3,3',5,5'−テト
ラメチル−4,4'−ビフェノールなどのビフェノール
類、フェノールノボラック、クレゾールノボラックなど
のフェノール樹脂、フェノールアラルキル樹脂などのフ
ェノール性水酸基含有化合物、イソフタル酸、テレフタ
ル酸、ナフタレンジカルボン酸、ポリアクリル酸などの
カルボキシル基を有する化合物、サリチル酸、ヒドロキ
シナフトエ酸などのフェノール性水酸基とカルボキシル
基を有する化合物、1,5−ペンタンジオールなどの多
価アルコールが例示される。本発明では有機ホスフィン
がエポキシ基を求核的に攻撃開環させ、発生したアルコ
ラートアニオンが強塩基のため、弱いプロトン供与体で
あるアルコールを用いた場合でも、熱硬化性樹脂用硬化
促進剤となる化合物(C)が得られる。
The proton donating compound (Z) used for the synthesis of the compound (C) has a functional group capable of donating one proton.
It is important to have two or more in the molecule. For example, when a monovalent phenol compound having one proton donating group is used, since the monofunctional phenol compound is used, in the reaction at the time of curing the phenol compound and the epoxy group, the curability is lowered by reducing the crosslink density. descend. Therefore, the compound must have two or more proton donating groups in one molecule. Specifically, catechol, resorcin, dihydroxybenzenes such as hydroquinone, dihydroxynaphthalenes such as 1,6-dihydroxynaphthalene,
Bisphenols such as bisphenol A and bisphenol F, biphenols such as 2,2'-biphenol, 3,3 ', 5,5'-tetramethyl-4,4'-biphenol, and phenol resins such as phenol novolak and cresol novolak Phenolic hydroxyl group-containing compounds such as phenol aralkyl resins, isophthalic acid, terephthalic acid, naphthalenedicarboxylic acid, compounds having a carboxyl group such as polyacrylic acid, salicylic acid, compounds having a phenolic hydroxyl group and a carboxyl group such as hydroxynaphthoic acid, Polyhydric alcohols such as 1,5-pentanediol are exemplified. In the present invention, the organic phosphine nucleophilically attacks and opens the epoxy group, and the generated alcoholate anion is a strong base.Even when an alcohol that is a weak proton donor is used, a curing accelerator for a thermosetting resin is used. Compound (C) is obtained.

【0025】本発明における化合物(C)は、次のよう
にして調製することができる。まず、非プロトン性極性
溶媒、例えば、アセトン、テトラヒドロフラン(以下、
THFと記す)などに、化合物(X)と有機ホスフィン
(Y)を溶解させ、加熱撹拌する。次に、この溶液中
に、プロトン供与化合物(Z)を前記の溶媒に溶解して
滴下する。滴下終了後、しばらく反応を継続し、TLC
(薄層クロマトグラフィー)等により、原料化合物が完
全に消費されたことを確認する。その後、反応容器内を
減圧して溶媒を反応容器外へ除去し、目的とする化合物
(C)を得る。
The compound (C) in the present invention can be prepared as follows. First, an aprotic polar solvent, for example, acetone, tetrahydrofuran (hereinafter, referred to as
The compound (X) and the organic phosphine (Y) are dissolved in, for example, THF, and the mixture is heated and stirred. Next, the proton donating compound (Z) is dissolved in the above-mentioned solvent and added dropwise to this solution. After the completion of the dropwise addition, the reaction was continued for a while.
(Thin layer chromatography) to confirm that the raw material compounds have been completely consumed. Thereafter, the pressure inside the reaction vessel is reduced to remove the solvent to the outside of the reaction vessel to obtain the desired compound (C).

【0026】本発明に用いられる無機充填材(D)の種
類については、特に制限はなく、一般にエポキシ樹脂成
形材料に用いられているものを使用することができる。
例えば、溶融破砕シリカ粉末、溶融球状シリカ粉末、結
晶シリカ粉末、2次凝集シリカ粉末、アルミナ、チタン
ホワイト、水酸化アルミニウム、タルク、クレー、ガラ
ス繊維等が挙げられ、特に溶融球状シリカ粉末が好まし
い。形状は限りなく真球状であることが好ましく、又、
粒子の大きさの異なるものを混合することにより充填量
を多くすることができる。
The type of the inorganic filler (D) used in the present invention is not particularly limited, and those generally used for epoxy resin molding materials can be used.
For example, fused crushed silica powder, fused spherical silica powder, crystalline silica powder, secondary agglomerated silica powder, alumina, titanium white, aluminum hydroxide, talc, clay, glass fiber, etc., are preferred, and fused spherical silica powder is particularly preferred. The shape is preferably infinitely spherical, and
By mixing particles having different particle sizes, the filling amount can be increased.

【0027】この無機充填材の配合量としては、1分子
内にエポキシ基を2個以上有する化合物(A)と、1分
子内にフェノール性水酸基を2個以上有する化合物
(B)の合計量100重量部あたり、200〜2400
重量部が好ましい。200重量部未満だと、無機充填材
による補強効果が充分に発現しないおそれがあり、ま
た、2400重量部を越えると、樹脂組成物の流動性が
低下し、成形時に充填不良等が生じるおそれがあるので
好ましくない。特に、無機充填材の配合量が、化合物
(A)と化合物(B)の合計量100重量部あたり、2
50〜1400重量部であれば、樹脂組成物の硬化物の
吸湿率が低くなり、半田クラックの発生を防止すること
ができ、更に樹脂組成物の溶融時の粘度が低くなるた
め、半導体装置内部の金線変形を引き起こすおそれがな
く、より好ましい。又、無機充填材は、予め充分混合し
ておくことが好ましい。
The compounding amount of the inorganic filler is a total amount of the compound (A) having two or more epoxy groups in one molecule and the compound (B) having two or more phenolic hydroxyl groups in one molecule. 200 to 2400 per part by weight
Parts by weight are preferred. If it is less than 200 parts by weight, the reinforcing effect of the inorganic filler may not be sufficiently exhibited, and if it is more than 2400 parts by weight, the fluidity of the resin composition may be reduced and poor filling may occur during molding. Is not preferred. In particular, the compounding amount of the inorganic filler is 2 per 100 parts by weight of the total amount of the compound (A) and the compound (B).
When the amount is 50 to 1400 parts by weight, the moisture absorption of the cured product of the resin composition becomes low, and the occurrence of solder cracks can be prevented. Further, the viscosity of the resin composition at the time of melting becomes low. This is more preferable since there is no possibility of causing gold wire deformation. It is preferable that the inorganic filler is sufficiently mixed in advance.

【0028】本発明の半導体封止用エポキシ樹脂成形材
料は、(A)〜(D)成分の他、必要に応じて、γ−グ
リシドキシプロピルトリメトキシシラン等のカップリン
グ剤、カーボンブラック等の着色剤、臭素化エポキシ樹
脂、酸化アンチモン、リン化合物等の難燃剤、シリコー
ンオイル、シリコーンゴム等の低応力化成分、天然ワッ
クス、合成ワックス、高級脂肪酸及びその金属塩類、パ
ラフィン等の離型剤、酸化防止剤などの各種添加剤を配
合することができ、また、本発明の潜伏性触媒の特性を
損なわない範囲で、トリフェニルホスフィン、1,8−
ジアザビシクロ(5,4,0)ウンデセン−7、2−メチ
ルイミダゾール等の他の公知の触媒と併用しても何ら問
題はない。
The epoxy resin molding material for encapsulating a semiconductor of the present invention comprises, in addition to the components (A) to (D), if necessary, a coupling agent such as γ-glycidoxypropyltrimethoxysilane, carbon black and the like. Colorants, flame retardants such as brominated epoxy resins, antimony oxide, and phosphorus compounds; low-stress components such as silicone oil and silicone rubber; release agents such as natural waxes, synthetic waxes, higher fatty acids and their metal salts, and paraffin. And various additives such as antioxidants, and triphenylphosphine, 1,8-, as long as the properties of the latent catalyst of the present invention are not impaired.
There is no problem when used in combination with other known catalysts such as diazabicyclo (5,4,0) undecene-7 and 2-methylimidazole.

【0029】本発明の半導体封止用エポキシ樹脂成形材
料は、(A)〜(D)成分、及びその他の添加剤等を、
ミキサーを用いて常温で混合し、ロール、押出機等の混
練機で混練し、冷却後粉砕して得られる。
The epoxy resin molding material for semiconductor encapsulation of the present invention comprises the components (A) to (D), and other additives.
It is obtained by mixing at room temperature using a mixer, kneading with a kneading machine such as a roll or an extruder, cooling and pulverizing.

【0030】尚、本発明のエポキシ樹脂成形材料の硬化
物で封止された半導体装置は、本発明の技術的範囲に含
まれ、優れた耐湿性を示す。
The semiconductor device sealed with the cured product of the epoxy resin molding material of the present invention is included in the technical scope of the present invention and exhibits excellent moisture resistance.

【0031】[0031]

【実施例】以下、実施例により本発明を具体的に説明す
るが、本発明はこれによって何ら限定されるものではな
い。ここでは先ず、潜伏性硬化促進剤となる化合物
(C)を合成し、次に、得られた化合物(C)を配合し
た、エポキシ樹脂組成物(成形材料)を調製して、その
特性評価のため、スパイラルフロー,硬化トルク,フロ
ー残存率を測定し、耐湿信頼性の試験を行なった。各特
性の測定方法および条件は、下記の通りとした。
EXAMPLES The present invention will be described below in detail with reference to examples, but the present invention is not limited thereto. Here, first, a compound (C) serving as a latent curing accelerator is synthesized, and then an epoxy resin composition (molding material) containing the obtained compound (C) is prepared, and its properties are evaluated. Therefore, the spiral flow, the curing torque, and the residual flow rate were measured, and the humidity resistance reliability test was performed. The measuring method and conditions of each characteristic were as follows.

【0032】1.スパイラルフロー 調製直後における樹脂組成物について、EMMI−I−
66に準じたスパイラルフロー測定用の金型を用い、金
型温度175℃、注入圧力70kg/cm2、硬化時間
2分の条件で測定した。スパイラルフロー(cm)は流
動性のパラメータであり、数値が大きい方が流動性が良
好である。
1. Spiral flow For the resin composition immediately after preparation, EMMI-I-
Using a mold for spiral flow measurement according to No. 66, the mold temperature was 175 ° C., the injection pressure was 70 kg / cm 2 , and the curing time was 2 minutes. Spiral flow (cm) is a parameter of fluidity, and the larger the numerical value, the better the fluidity.

【0033】2.硬化トルク 調製した樹脂組成物を用いて、キュラストメーター(オ
リエンテック(株)製、JSRキュラストメーターPS
型)を用い、175℃、45秒加熱後のトルクを求め
た。キュラストメーターにおけるトルク値(kgf・c
m)は硬化性のパラメータであり、値の大きい方が硬化
性が高いことを示す。
2. Curing Torque Using the prepared resin composition, a curast meter (JSR Curast Meter PS manufactured by Orientec Co., Ltd.)
), And the torque after heating at 175 ° C. for 45 seconds was determined. Torque value in curast meter (kgf · c
m) is a curability parameter, and a larger value indicates higher curability.

【0034】3.フロー残存率 30℃で1週間保存した後、スパイラルフローを測定
し、調製直後のスパイラルフローに対する百分率(%)
を求める。この値が大きいほど、保存性が良いことを示
す。
3. After storing at 30 ° C. for 1 week, the spiral flow was measured, and the percentage of the spiral flow immediately after the preparation (%)
Ask for. The larger the value, the better the preservability.

【0035】4.耐湿信頼性 調製した樹脂組成物を用いて、金型温度175℃、圧力
70kg/cm2、硬化時間2分の条件で、16pDI
P(模擬素子を搭載したモニターIC)を成形した後、
175℃、8時間で後硬化を行ない、サンプル素子を作
成した。この素子に、125℃、相対湿度100%の水
蒸気中で20Vの電圧を印可して、断線不良を生じるま
での時間を調べ、15個のサンプル素子の内、8個以上
に不良が出るまでの時間を不良時間とした。なお、測定
時間は最長で500時間とし、その時点で不良サンプル
数が8個未満であったものについては、不良時間は50
0時間以上と表示した。不良時間が長いほど、耐湿信頼
性に優れる。
4. Moisture resistance reliability Using the prepared resin composition, a mold temperature of 175 ° C., a pressure of 70 kg / cm 2 , and a curing time of 2 minutes were used to obtain 16 pDI.
After molding P (monitor IC with simulated element),
Post-curing was performed at 175 ° C. for 8 hours to prepare a sample device. A voltage of 20 V was applied to this element in water vapor at 125 ° C. and a relative humidity of 100%, and the time until a disconnection failure occurred was examined. Until a failure occurred in eight or more of the 15 sample elements. Time was taken as bad time. Note that the measurement time was 500 hours at the maximum, and when the number of defective samples was less than 8 at that time, the defective time was 50 hours.
Displayed as 0 hours or more. The longer the failure time, the better the moisture resistance reliability.

【0036】(合成例1)ガラス反応容器中に、フェニ
ルグリシジルエーテル1.51部と、トリス(4−メチ
ルフェニル)ホスフィン3.04部を入れ、100部の
アセトンに溶解させた。これに、ビスフェノールF−D
(本州化学工業(株)製)1.00部を、アセトン50部
に溶解させた溶液を、オイルバス温度80℃にて加熱、
撹拌し、還流させながら、約5時間かけて滴下し反応さ
せた。その後30分間、反応容器内を2〜3mmHgま
で減圧して溶媒を反応容器外へ除去し、目的とする化合
物を得た。これを化合物1とする。
(Synthesis Example 1) 1.51 parts of phenylglycidyl ether and 3.04 parts of tris (4-methylphenyl) phosphine were placed in a glass reaction vessel, and dissolved in 100 parts of acetone. In addition, bisphenol FD
A solution prepared by dissolving 1.00 part (produced by Honshu Chemical Industry Co., Ltd.) in 50 parts of acetone was heated at an oil bath temperature of 80 ° C.
While stirring and refluxing, the mixture was dropped and reacted over about 5 hours. Thereafter, the pressure inside the reaction vessel was reduced to 2 to 3 mmHg for 30 minutes, and the solvent was removed outside the reaction vessel to obtain the target compound. This is designated as Compound 1.

【0037】(合成例2〜13)さらに、合成例1と同
様にして、化合物2〜化合物13を合成した。用いた原
料化合物などの詳細は、表1および表2に示まとめて示
した。
(Synthesis Examples 2 to 13) In the same manner as in Synthesis Example 1, Compounds 2 to 13 were synthesized. Details of the used starting compounds and the like are shown in Tables 1 and 2.

【0038】[0038]

【表1】 [Table 1]

【0039】[0039]

【表2】 [Table 2]

【0040】(実施例1)下記の配合により、各成分を
先ず室温で混合し、次いで、熱ロールを用いて95℃で
8分間混練し、冷却後粉砕してエポキシ樹脂成形材料を
得た。得られた成形材料を、各特性の評価に供し、評価
結果は表3に示した通りであった。
Example 1 According to the following formulation, each component was first mixed at room temperature, then kneaded at 95 ° C. for 8 minutes using a hot roll, cooled and pulverized to obtain an epoxy resin molding material. The obtained molding material was subjected to evaluation of each property, and the evaluation results were as shown in Table 3.

【0041】 式(6)で表されるビフェニル型エポキシ樹脂を主成分とする樹脂(エポキシ 当量185、融点105℃) 51重量部 式(7)で表されるフェノールアラルキル樹脂(水酸基当量167、軟化点7 3℃) 49重量部 化合物1 1.7重量部 溶融球状シリカ 500重量部 カーボンブラック 2重量部 臭素化ビスフェノールA型エポキシ樹脂 2重量部 カルナバワックス 2重量部51 parts by weight of a resin containing a biphenyl epoxy resin represented by the formula (6) as a main component (epoxy equivalent: 185, melting point: 105 ° C.) 51 parts by weight: a phenol aralkyl resin represented by the formula (7): (Point 73 ° C) 49 parts by weight Compound 1 1.7 parts by weight Fused spherical silica 500 parts by weight Carbon black 2 parts by weight Brominated bisphenol A type epoxy resin 2 parts by weight Carnauba wax 2 parts by weight

【0042】[0042]

【化6】 Embedded image

【0043】[0043]

【化7】 Embedded image

【0044】(実施例2〜14、および比較例1〜5)
実施例1における化合物1を、化合物2〜化合物13、
他に代えた以外は、実施例1と同様の手順により、エポ
キシ樹脂成形材料を作製し、特性評価を行なった。用い
た原料化合物などの詳細、および評価結果は、表3およ
び表4にまとめて示した。尚、実施例2で用いた結晶性
エポキシ樹脂Aは、4,4'−ビス(2,3−エポキシプ
ロポキシ)−3,3',5,5'−テトラメチルスチルベン
を主成分とする樹脂60重量%と、4,4'−ビス(2,
3−エポキシプロポキシ)−5−ターシャリーブチル−
2,3',5'−トリメチルスチルベンを主成分とする樹脂
40重量%の混合物とである(融点120℃、エポキシ
当量209)。
(Examples 2 to 14, and Comparative Examples 1 to 5)
Compound 1 in Example 1 was replaced with Compound 2 to Compound 13,
An epoxy resin molding material was prepared and evaluated in the same procedure as in Example 1 except for changing the above. Details of the used starting compounds and the evaluation results are summarized in Tables 3 and 4. The crystalline epoxy resin A used in Example 2 is a resin 60 containing 4,4′-bis (2,3-epoxypropoxy) -3,3 ′, 5,5′-tetramethylstilbene as a main component. Weight% and 4,4′-bis (2,
3-epoxypropoxy) -5-tert-butyl-
40% by weight of a resin containing 2,3 ′, 5′-trimethylstilbene as a main component (melting point: 120 ° C., epoxy equivalent: 209).

【0045】[0045]

【表3】 [Table 3]

【0046】[0046]

【表4】 [Table 4]

【0047】表3および表4に示した評価結果から分か
るように、各実施例では、硬化性、保存性、耐湿信頼性
のいずれも良好で、特にフロー残存率はいずれも高水準
を保っているのに対して、比較例では、硬化性と保存性
が両立せず、満足なものが得られなかった。
As can be seen from the evaluation results shown in Tables 3 and 4, in each of the examples, the curability, the preservability, and the moisture resistance reliability were all good, and in particular, the flow residual rates were all high. On the other hand, in the comparative example, curability and preservability were not compatible, and a satisfactory product was not obtained.

【0048】[0048]

【発明の効果】1分子内に少なくとも1個のエポキシ基
を含有する化合物(X)、一般式(1)で示される有機
ホスフィン(Y)、及びプロトン供与化合物(Z)を反
応させて得られる化合物を、潜伏性硬化促進剤として用
いた、半導体封止用エポキシ樹脂成形材料は、硬化性と
保存性に優れており、この成形材料の硬化物を用いて封
止した半導体装置は、高耐湿性で信頼性に優れており、
電気・電子産業分野へのメリットは大きく有用である。
According to the present invention, the compound (X) containing at least one epoxy group in one molecule, the organic phosphine (Y) represented by the general formula (1), and the proton donating compound (Z) are obtained by reaction. The epoxy resin molding compound for semiconductor encapsulation using the compound as a latent curing accelerator has excellent curability and storability, and the semiconductor device encapsulated using the cured product of this molding material has high moisture resistance. Excellent in reliability
The benefits to the electric and electronic industries are great and useful.

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) H01L 23/31 (72)発明者 大久保 明子 東京都品川区東品川2丁目5番8号 住友 ベークライト株式会社内 (72)発明者 秋山 仁人 東京都品川区東品川2丁目5番8号 住友 ベークライト株式会社内 Fターム(参考) 4J002 BG01Y CC04X CC04Y CC05X CC05Y CD05W CD06W CE00X CE00Y DE137 DE147 DJ017 DJ037 DJ047 DL007 EC046 EF116 EJ016 EJ026 EJ066 FA047 FA087 FD017 FD090 FD130 FD156 FD160 GQ05 4J036 AD07 AD08 AD10 AF06 AF07 AF08 DB05 DB06 DB12 DB22 DB25 DC41 DC46 DD07 FA03 FA05 FB07 FB08 4M109 AA01 BA01 CA21 EA03 EA06 EB03 EB04 EB06 EB07 EB08 EB09 EB12 EB13 EB16 EB19 EC01 EC03 EC14 EC20 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (51) Int.Cl. 7 Identification symbol FI Theme coat ゛ (Reference) H01L 23/31 (72) Inventor Akiko Okubo 2-5-8 Higashishinagawa, Shinagawa-ku, Tokyo Sumitomo Bakelite Co., Ltd. (72) Inventor Hitto Akiyama 2-5-8 Higashishinagawa, Shinagawa-ku, Tokyo Sumitomo Bakelite Co., Ltd. F-term (reference) 4J002 BG01Y CC04X CC04Y CC05X CC05Y CD05W CD06W CE00X CE00Y DE137 DE147 DJ017 DJ037 DJ047 DL007 EC046 EF116 EJ016 EJ026 EJ066 FA047 FA087 FD017 FD090 FD130 FD156 FD160 GQ05 4J036 AD07 AD08 AD10 AF06 AF07 AF08 DB05 DB06 DB12 DB22 DB25 DC41 DC46 DD07 FA03 FA05 FB07 FB08 4M109 AA01 BA01 CA21 EA03 EA06 EB03 EB03 EB03 EB03 EB03 EB03 EB04

Claims (6)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 1分子内にエポキシ基を2個以上有する
化合物(A)、1分子内にフェノール性水酸基を2個以
上有する化合物(B)、1分子内に少なくとも1個のエ
ポキシ基を含有する化合物(X)、一般式(1)で示さ
れる有機ホスフィン(Y)、及び1分子内に2個以上の
プロトンを供与しうる官能基を有する化合物(プロトン
供与化合物,Z)を反応させることにより得られる化合
物(C)、並びに、無機充填材(D)を必須成分とする
ことを特徴とする、半導体封止用エポキシ樹脂成形材
料。 【化1】 式中、R1、R2、R3は、少なくとも一つがアルキル
基、アルコキシ基の中から選択される基であり、それ以
外の基は水素であって、互いに同一であっても異なって
いてもよい。
1. A compound having two or more epoxy groups in one molecule (A), a compound having two or more phenolic hydroxyl groups in one molecule (B), and containing at least one epoxy group in one molecule (X), an organic phosphine (Y) represented by the general formula (1), and a compound having a functional group capable of donating two or more protons in one molecule (proton donating compound, Z). An epoxy resin molding material for encapsulating a semiconductor, characterized by comprising, as essential components, a compound (C) obtained by the method described above and an inorganic filler (D). Embedded image In the formula, at least one of R 1 , R 2 , and R 3 is a group selected from an alkyl group and an alkoxy group, and the other groups are hydrogen. Is also good.
【請求項2】 化合物(A)が、一般式(2)で示され
るビフェニル型エポキシ樹脂、および一般式(3)で示
されるビスフェノール型エポキシ樹脂からなる群より選
ばれた1種または2種以上の混合物であることを特徴と
する、請求項1記載の半導体封止用エポキシ樹脂成形材
料。 【化2】 【化3】 式中、R4、R5は、水素、炭素数1〜6の鎖状もしくは
環状アルキル基、フェニル基、またはハロゲンの中から
選択される基または原子であり、互いに同一であっても
異なっていてもよい。
2. The compound (A) is one or more selected from the group consisting of a biphenyl type epoxy resin represented by the general formula (2) and a bisphenol type epoxy resin represented by the general formula (3). The epoxy resin molding material for semiconductor encapsulation according to claim 1, characterized in that it is a mixture of: Embedded image Embedded image In the formula, R 4 and R 5 are a group or an atom selected from hydrogen, a chain or cyclic alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, a phenyl group, or a halogen. You may.
【請求項3】 化合物(A)が、一般式(4)で示され
るスチルベン型エポキシ樹脂と、一般式(5)で示され
るスチルベン型エポキシ樹脂との混合物であることを特
徴とする、請求項1記載の半導体封止用エポキシ樹脂成
形材料。 【化4】 【化5】 式中、R6〜R17は、水素原子、炭素数1〜6の鎖状も
しくは環状アルキル基、またはハロゲンの中から選択さ
れる基または原子であり、互いに同一であっても異なっ
ていてもよい。
3. The compound (A) is a mixture of a stilbene type epoxy resin represented by the general formula (4) and a stilbene type epoxy resin represented by the general formula (5). 2. The epoxy resin molding material for semiconductor encapsulation according to 1. Embedded image Embedded image In the formula, R 6 to R 17 are a hydrogen atom, a chain or cyclic alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, or a group or atom selected from halogen, and may be the same or different. Good.
【請求項4】 化合物(B)が、フェノールアラルキル
樹脂であることを特徴とする、請求項1記載の半導体封
止用エポキシ樹脂成形材料。
4. The epoxy resin molding material for semiconductor encapsulation according to claim 1, wherein the compound (B) is a phenol aralkyl resin.
【請求項5】 プロトン供与化合物(Z)が、アルコー
ル性水酸基、フェノール性水酸基、カルボキシル基から
なる群より選ばれた官能基を、1分子内に2個以上有す
る化合物であることを特徴とする、請求項1記載の半導
体封止用エポキシ樹脂成形材料。
5. The proton-donating compound (Z) is a compound having two or more functional groups in one molecule selected from the group consisting of an alcoholic hydroxyl group, a phenolic hydroxyl group, and a carboxyl group. An epoxy resin molding material for semiconductor encapsulation according to claim 1.
【請求項6】 請求項1乃至請求項5のいずかに記載さ
れた、半導体封止用エポキシ樹脂成形材料の硬化物によ
り、封止されたことを特徴とする半導体装置。
6. A semiconductor device encapsulated with a cured product of the epoxy resin molding material for semiconductor encapsulation according to any one of claims 1 to 5.
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