JP2000269474A - 固体撮像素子及びその製造方法 - Google Patents
固体撮像素子及びその製造方法Info
- Publication number
- JP2000269474A JP2000269474A JP11072356A JP7235699A JP2000269474A JP 2000269474 A JP2000269474 A JP 2000269474A JP 11072356 A JP11072356 A JP 11072356A JP 7235699 A JP7235699 A JP 7235699A JP 2000269474 A JP2000269474 A JP 2000269474A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- microlens
- light receiving
- pattern
- solid
- light
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 18
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 15
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 claims description 26
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 8
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 8
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 abstract description 20
- 230000004927 fusion Effects 0.000 abstract description 8
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 abstract description 6
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 abstract description 3
- 238000002844 melting Methods 0.000 abstract description 2
- 230000008018 melting Effects 0.000 abstract description 2
- 238000001723 curing Methods 0.000 abstract 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 8
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 8
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 4
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 2
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 2
- 101100321670 Fagopyrum esculentum FA18 gene Proteins 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 1
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 1
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 239000002344 surface layer Substances 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14683—Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment of these devices or parts thereof
- H01L27/14685—Process for coatings or optical elements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/1462—Coatings
- H01L27/14621—Colour filter arrangements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
- H01L27/144—Devices controlled by radiation
- H01L27/146—Imager structures
- H01L27/14601—Structural or functional details thereof
- H01L27/14625—Optical elements or arrangements associated with the device
- H01L27/14627—Microlenses
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
Abstract
御性に優れ、またレンズ融着によるレンズ未形成部分の
発生を抑え、マイクロレンズ形成安定性を高めることに
より実効感度の高く、かつ、良好な色再現性が得られる
固体撮像素子及びその製造方法を提供する。 【解決手段】固体撮像素子上のマイクロレンズを、複数
の受光部の中から市松状に選択された受光部上にマイク
ロレンズを形成する第一工程、前記第一工程において選
択されなかった受光部上にマイクロレンズを形成する第
二工程により形成する。
Description
の固体撮像素子及びその製造方法に関する。
ど光電変換に寄与しない領域が各画素に存在しているた
め、画素面全体に占める受光部の受光面に対する開口率
が15〜30%程度であり入射光の利用率が十分でないと言
う問題がある。このような問題を解消し感度向上を達成
するために、半導体プロセスによる受光部以外の領域の
微細化する技術や、高エネルギーイオン注入技術を導入
して転送レジスタ部の飽和電荷量を高めることにより転
送レジスタ部の面積を小さくし受光部面積及び開口面積
を大きくする試みがなされているが、これらは固体撮像
素子の構造的に限界がある。そこで近年では図2に示す
ように受光部上部に凸状のマイクロレンズを設け、入射
した光を受光部に効率的に集光させ実効開口率を高めた
オンチップマイクロレンズを有した撮像素子が提供され
ている。
イクロレンズに加えてカラーフィルタが備えられてい
る。基板表層部に光電変換を行う受光部が複数箇所形成
されている撮像素子に、カラーフィルタ及びマイクロレ
ンズを形成する一般的な製造方法は下記の通りである。 受光部の透明樹脂による受光部の穴埋め 受光部の平坦化 カラーフィルタの形成 透明樹脂によるカラーフィルタの平坦化 マイクロレンズの形成
して説明する。図2は従来のマイクロレンズの製造方法
である。1は半導体基板、2は受光部、3は電荷転送
部、4は下部平坦化層、5はカラーフィルタ、6は遮光
膜、7は上部平坦化層である(図2(a)参照)。上部
平坦化層上にマイクロレンズ形成用レジストを塗布し、
従来のフォトリソグラフィー技術によりパターン12を
形成した後(図2(b)参照)、加熱処理を施し、パタ
ーンを変形させて受光部上に凸状のマイクロレンズ13
を形成する(図2(c)参照)。
高解像度化や小型化に伴い、マイクロレンズを高精細化
する必要がある。併せて受光素子の受光面積が小さくな
る為、マイクロレンズの集光位置を保ちながらレンズの
幅を広げレンズ間の距離をできるだけ小さくすることが
望ましい。すなわち図2(c)のマイクロレンズ間スペ
ースをできるだけ小さくすることが望ましい。
に対向する位置に入射光を集光させるマイクロレンズを
設けた固体撮像素子では、光電変換有効領域の入射光を
効率よく集光するために、マイクロレンズの幅を単位画
素ピッチにできるだけ近づけようとすると、加熱時にレ
ンズの膨張(距離の広がり)し、収縮するため、隣接す
るレンズ14が融着してくずれ、実効開口率が小さくな
り、高い実効感度が得られないという問題点があった
(図3参照)。
G、B(原色フィルタ)、または、C、M、Y(補色フ
ィルタ)の各色の透過率にはばらつきがあり、それが原
因となり良好な色再現性が得られないという問題点があ
った。
間スペースの制御性に優れ、またレンズ融着によるレン
ズ未形成部分の発生を抑え、マイクロレンズ形成安定性
を高めることにより実効感度の高く、かつ、良好な色再
現性が得られる固体撮像素子及びその製造方法の提供を
目的とする。
は、半導体基板上に複数の受光部を備え、その上に少な
くともマイクロレンズを形成する固体撮像素子の製造方
法において、複数の受光部の中から市松状に選択された
受光部上にマイクロレンズを形成する第一工程、前記第
一工程において選択されなかった受光部上にマイクロレ
ンズを形成する第二工程を少なくとも具備することを特
徴とする固体撮像素子の製造方法である。
複数の受光部を備え、その上に少なくともマイクロレン
ズを形成する固体撮像素子において、複数の受光部の中
から市松状に選択された受光部上のマイクロレンズを形
成するレジストと、他のマイクロレンズを形成するレジ
ストが異なることを特徴とする固体撮像素子である。
レンズを同時に作成した場合、各マイクロレンズはそれ
ぞれ膨張するため、隣接するレンズの融着が起こり易い
が、請求項1に係わる固体撮像素子の製造方法によれ
ば、第一工程により作成されたマイクロレンズは溶融・
硬化等により素性が変化し、第二工程においてはほとん
ど膨張しないため、例え、第一工程と第二工程の加熱条
件が同じであってもレンズの融着が起こり難い。
ば、例えば、複数の受光部の中から市松状に選択された
受光部上のマイクロレンズを形成するレジストの軟化点
と、他のマイクロレンズを形成するレジストの軟化点を
異なることすれば、他のマイクロレンズを形成する工程
(第二工程)の加熱条件が複数の受光部の中から市松状
に選択された受光部上のマイクロレンズを形成する工程
(第一工程)より高いものとなってもレンズの融着が起
こり難い。また、カラーフィルタの色配列が特定の色が
市松状に並ぶベイヤー配列、インターライン配列、フィ
ールド色差順次配列、フレームインターリーブ配列を採
用し、第一工程で用いるレジストと第二工程で用いるレ
ジストの屈折率(すなわち、集光効率)を異ならせれ
ば、各色の感度のばらつきを調整することもできる。
照にして説明する。図1は本発明の実施例である固体撮
像素子の製造工程を示した断面構造及び平面構造の模式
図である。本実施例では単位画素ピッチが5.0μmの
固体撮像素子を用いた。図1(a)は、固体撮像素子に
カラーフィルタを形成した時の固体撮像素子の断面図で
ある。1は半導体基板、2は受光素子、3は電荷転送
部、4は下部平坦化層、5はカラーフィルタ、6は遮光
膜、7は上部平坦化層であり従来の構成と同じであるた
め、同一の符号を付けて説明を省略する。
レジストを用い、公知のフォトリソグラフィー法により
マイクロレンズとなるパターン8を形成する(図1
(b)参照)。この際、パターンは複数の受光部の中か
ら市松状に選択された受光部のカラーフィルタ上に形成
する。本実施例の場合、カラーフィルタの色配列がベイ
ヤー配列を採用するため、R(赤)、B(青)の領域が
市松状に並ぶので、そのカラーフィルタ上に形成する。
次に、160℃の加熱処理にてマイクロレンズ10を形
成する(図1(c)参照)。この時のマイクロレンズ用
レジストのパターン寸法は4.5μm(パターン間スペ
ースは1.0μm)で、加熱処理後のレンズ径は4.9
μmである。その後、第二工程として、第一工程におい
て選択されなかった受光部のカラーフィルタ上に前記と
同様にパターン9を形成する(図1(d)参照)。本実
施例の場合、G(緑) のカラーフィルタ上に形成するこ
ととなる。この時のマイクロレンズ用レジストのパター
ン寸法は4.5μmで、加熱処理後のレンズ径は4.9
μmである。これによりレンズ間スペースが0.2μm
のマイクロレンズが高い生産安定性で形成でき、従来法
に比べ実効感度が約10%向上した。
子上に、第一工程として、軟化点が140℃のマイクロ
レンズ用レジストを用い、公知のフォトリソグラフィー
法によりマイクロレンズとなるパターン8を形成する。
この際、パターンは複数の受光部の中から市松状に選択
された受光部のカラーフィルタ上に形成する。本実施例
の場合、R(赤)、B(青)の領域が市松状に並ぶの
で、そのカラーフィルタ上に形成する。次に、150℃
の加熱処理にてマイクロレンズ10を形成する。この時
のマイクロレンズ用レジストのパターン寸法は4.5μ
mで、加熱処理後のレンズ径は4.9μmである。その
後、第二工程として、第一工程において選択されなかっ
た受光部のカラーフィルタ上に軟化点が150℃のマイ
クロレンズ用レジストを用い、160℃の加熱処理にて
パターン9を形成する。本実施例の場合、G(緑) のカ
ラーフィルタ上に形成することとなる。この時のマイク
ロレンズ用レジストのパターン寸法は4.5μmで、加
熱処理後のレンズ径は4.9μmである。これによりレ
ンズ間スペースが0.2μmのマイクロレンズが高い生
産安定性で形成でき、従来法に比べ実効感度が約10%
向上した。
子上に、第一工程として、屈折率が1.55のマイクロ
レンズ用レジストを用い、公知のフォトリソグラフィー
法によりマイクロレンズとなるパターン8を形成する。
この際、パターンは複数の受光部の中から市松状に選択
された受光部のカラーフィルタ上に形成する。本実施例
の場合、R(赤)、B(青)の領域が市松状に並ぶの
で、そのカラーフィルタ上に形成する。次に、160℃
の加熱処理にてマイクロレンズ10を形成する。この時
のマイクロレンズ用レジストのパターン寸法は4.5μ
mで、加熱処理後のレンズ径は4.9μmである。その
後、第二工程として、第一工程において選択されなかっ
た受光部のカラーフィルタ上に屈折率が1.57のマイ
クロレンズ用レジストを用い、160℃の加熱処理にて
パターン9を形成する。本実施例の場合、G(緑) のカ
ラーフィルタ上に形成することとなる。この時のマイク
ロレンズ用レジストのパターン寸法は4.5μmで、加
熱処理後のレンズ径は4.9μmである。これによりレ
ンズ間スペースが0.2μmのマイクロレンズが高い生
産安定性で形成でき、従来法に比べ色再現性が約10%
向上した。
上に実施例1と同一のマイクロレンズ用レジストを塗布
し、公知のフォトリソグラフィー法により全てのパター
ンを形成する。この時のパターンニング寸法は4.5μ
m(パターン間スペースは1.0μm)である。その後
加熱処理により、マイクロレンズを形成したところ、図
3のようにレンズの融着が多く、生産安定性が低かっ
た。
る固体撮像素子の製造方法によれば、第一工程により作
成されたマイクロレンズは溶融・硬化等により素性が変
化し、第二工程においてはほとんど膨張しないため、例
え、第一工程と第二工程の加熱条件が同じであってもレ
ンズの融着が起こり難い。
触し、マイクロレンズ未形成部分の発生を防ぐことがで
きるので、入射光を単位画素ピッチ近傍の幅で有効的に
集光し、実効感度を向上させることができる。
えば、複数の受光部の中から市松状に選択された受光部
上のマイクロレンズを形成するレジストの軟化点と、他
のマイクロレンズを形成するレジストの軟化点を異なら
せた場合は、他のマイクロレンズを形成する工程(第二
工程)の加熱条件が複数の受光部の中から市松状に選択
された受光部上のマイクロレンズを形成する工程(第一
工程)より高いものとなって、更に、レンズの融着が起
こり難い。
が市松状に並ぶベイヤー配列、インターライン配列、フ
ィールド色差順次配列、フレームインターリーブ配列を
採用し、第一工程で用いるレジストと第二工程で用いる
レジストの屈折率(すなわち、集光効率)を異ならせた
場合は、各色の感度のばらつきを調整することもでき
る。
した断面構造の説明図である。
造の説明図である。
Claims (2)
- 【請求項1】半導体基板上に複数の受光部を備え、その
上に少なくともマイクロレンズを形成する固体撮像素子
の製造方法において、複数の受光部の中から市松状に選
択された受光部上にマイクロレンズを形成する第一工
程、前記第一工程において選択されなかった受光部上に
マイクロレンズを形成する第二工程を少なくとも具備す
ることを特徴とする固体撮像素子の製造方法。 - 【請求項2】半導体基板上に複数の受光部を備え、その
上に少なくともマイクロレンズを形成する固体撮像素子
において、複数の受光部の中から市松状に選択された受
光部上のマイクロレンズを形成するレジストと、他のマ
イクロレンズを形成するレジストが異なることを特徴と
する固体撮像素子。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP07235699A JP3747682B2 (ja) | 1999-03-17 | 1999-03-17 | 固体撮像素子及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP07235699A JP3747682B2 (ja) | 1999-03-17 | 1999-03-17 | 固体撮像素子及びその製造方法 |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2005299684A Division JP4497076B2 (ja) | 2005-10-14 | 2005-10-14 | 固体撮像素子及びその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2000269474A true JP2000269474A (ja) | 2000-09-29 |
JP3747682B2 JP3747682B2 (ja) | 2006-02-22 |
Family
ID=13486964
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP07235699A Expired - Fee Related JP3747682B2 (ja) | 1999-03-17 | 1999-03-17 | 固体撮像素子及びその製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3747682B2 (ja) |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003035801A (ja) * | 2001-07-24 | 2003-02-07 | Toppan Printing Co Ltd | 固体撮像素子の製造方法 |
WO2006001317A1 (en) | 2004-06-23 | 2006-01-05 | Toppan Printing Co., Ltd. | Solid state imaging device, manufacturing method of the same, and substrate for solid state imaging device |
KR100658932B1 (ko) * | 2004-12-30 | 2006-12-15 | 매그나칩 반도체 유한회사 | 씨모스 이미지 센서의 마이크로렌즈 제조 방법 |
JP2009198547A (ja) * | 2008-02-19 | 2009-09-03 | Toppan Printing Co Ltd | 固体撮像素子用マイクロレンズの製造方法及び固体撮像素子用マイクロレンズ |
US7683388B2 (en) | 2005-03-01 | 2010-03-23 | Canon Kabushiki Kaisha | Image pickup device with color filter arranged for each color on interlayer lenses |
JP2012187927A (ja) * | 2009-04-27 | 2012-10-04 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | インクジェットプリンタ、印刷方法および印刷物 |
KR20120123409A (ko) * | 2010-01-25 | 2012-11-08 | 닛산 가가쿠 고교 가부시키 가이샤 | 마이크로 렌즈의 제조 방법 |
-
1999
- 1999-03-17 JP JP07235699A patent/JP3747682B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003035801A (ja) * | 2001-07-24 | 2003-02-07 | Toppan Printing Co Ltd | 固体撮像素子の製造方法 |
WO2006001317A1 (en) | 2004-06-23 | 2006-01-05 | Toppan Printing Co., Ltd. | Solid state imaging device, manufacturing method of the same, and substrate for solid state imaging device |
US7737044B2 (en) | 2004-06-23 | 2010-06-15 | Toppan Printing Co., Ltd. | Solid state imaging device, manufacturing method of the same, and substrate for solid state imaging device |
US8004028B2 (en) | 2004-06-23 | 2011-08-23 | Toppan Printing Co., Ltd. | Solid state imaging device, manufacturing method of the same, and substrate for solid state imaging device |
EP3185297A1 (en) | 2004-06-23 | 2017-06-28 | Toppan Printing Co., Ltd. | Solid state imaging device |
KR100658932B1 (ko) * | 2004-12-30 | 2006-12-15 | 매그나칩 반도체 유한회사 | 씨모스 이미지 센서의 마이크로렌즈 제조 방법 |
US7683388B2 (en) | 2005-03-01 | 2010-03-23 | Canon Kabushiki Kaisha | Image pickup device with color filter arranged for each color on interlayer lenses |
JP2009198547A (ja) * | 2008-02-19 | 2009-09-03 | Toppan Printing Co Ltd | 固体撮像素子用マイクロレンズの製造方法及び固体撮像素子用マイクロレンズ |
JP2012187927A (ja) * | 2009-04-27 | 2012-10-04 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | インクジェットプリンタ、印刷方法および印刷物 |
KR20120123409A (ko) * | 2010-01-25 | 2012-11-08 | 닛산 가가쿠 고교 가부시키 가이샤 | 마이크로 렌즈의 제조 방법 |
KR101959345B1 (ko) | 2010-01-25 | 2019-03-18 | 닛산 가가쿠 가부시키가이샤 | 마이크로 렌즈의 제조 방법 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP3747682B2 (ja) | 2006-02-22 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US7307788B2 (en) | Gapless microlens array and method of fabrication | |
KR20080038448A (ko) | 이미저를 위한 타원형의 갭이 없는 마이크로 렌즈 | |
JPH05134109A (ja) | カラーフイルタの製造方法 | |
CN102034842A (zh) | 固态成像装置及其制造方法、电子装置和透镜阵列 | |
US6582988B1 (en) | Method for forming micro lens structures | |
US7166489B2 (en) | Complementary metal oxide semiconductor image sensor and method for fabricating the same | |
JP2008052004A (ja) | レンズアレイ及び固体撮像素子の製造方法 | |
JPH09148549A (ja) | オンチップレンズ付カラー固体撮像素子 | |
JP5966395B2 (ja) | マイクロレンズ用フォトマスクおよびそれを用いるカラー固体撮像素子の製造方法 | |
US20050281942A1 (en) | Method for forming microlens of image sensor | |
JP2000269474A (ja) | 固体撮像素子及びその製造方法 | |
JP2000260968A (ja) | 固体撮像素子及びその製造方法 | |
JPH04229802A (ja) | 固体撮像装置及びその製造方法 | |
JP3672663B2 (ja) | 固体撮像装置及びその製造方法 | |
JP4497076B2 (ja) | 固体撮像素子及びその製造方法 | |
JP2009198547A (ja) | 固体撮像素子用マイクロレンズの製造方法及び固体撮像素子用マイクロレンズ | |
JP6631004B2 (ja) | カラー固体撮像素子、及びその製造方法 | |
JP2000022117A (ja) | 固体撮像装置の製造方法 | |
KR100788596B1 (ko) | 이미지 소자의 제조 방법 | |
JPH11289073A (ja) | 固体撮像装置およびその製造方法 | |
JP5027081B2 (ja) | カラー撮像デバイスおよびカラー撮像デバイスの製造方法 | |
JP4595405B2 (ja) | 固体撮像装置及びその製造方法 | |
JP6019549B2 (ja) | マイクロレンズの製造方法 | |
JP2000304906A (ja) | 固体撮像素子用マイクロレンズアレイ及びそれを用いた固体撮像素子 | |
JP2003249634A (ja) | 固体撮像素子およびその製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20040105 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20040113 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20040315 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20050816 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20051014 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20051108 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20051121 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 3747682 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091209 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091209 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101209 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111209 Year of fee payment: 6 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121209 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121209 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131209 Year of fee payment: 8 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |