JP2000268355A - Magnetic disk and its manufacture, and magnetic recording apparatus - Google Patents
Magnetic disk and its manufacture, and magnetic recording apparatusInfo
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、磁気ディスク及び
その製造方法ならびに磁気記録装置に関する。The present invention relates to a magnetic disk, a method for manufacturing the same, and a magnetic recording apparatus.
【０００２】[0002]
【従来の技術】磁気ディスクの記録・再生方式として
は、コンタクト・スタート・アンド・ストップ方式（Ｃ
ＳＳ方式）、すなわち、磁気ディスクの回転により浮上
する記録・再生ヘッド（フライングヘッド）を使用し、
情報の記録再生時にはフライングヘッドが磁気ディスク
と接触せず、磁気ディスクの回転が十分遅い状態でのみ
フライングヘッドと記録媒体が接触する方式が知られて
いる。2. Description of the Related Art As a recording / reproducing method of a magnetic disk, a contact start and stop method (C
SS method), that is, using a recording / reproducing head (flying head) that floats by the rotation of the magnetic disk,
There is known a method in which the flying head does not contact the magnetic disk during information recording and reproduction, and the flying head contacts the recording medium only when the rotation of the magnetic disk is sufficiently slow.
【０００３】ところで、上記の記録・再生方式の場合、
データ領域の内周部にＣＳＳ領域が形成された磁気ディ
スクが使用され、そして、記録・再生時以外（休止時）
にはＣＳＳ領域にフライングヘッドを位置させる。従っ
て、持ち運びの際にフライングヘッドによって磁気ディ
スクが衝撃を受けるという問題がある。By the way, in the case of the above-mentioned recording / reproducing method,
A magnetic disk in which a CSS area is formed on the inner periphery of the data area is used, and other than during recording / reproduction (at rest)
The flying head is located in the CSS area. Therefore, there is a problem that the magnetic disk is subjected to impact by the flying head when being carried.
【０００４】近時、上記の様な休止時の耐衝撃性の問題
を解決するため、休止時にはフライングヘッドが磁気デ
ィスクから離れるランプローディング方式が検討されて
いる。この方式の磁気記録装置は、磁気ディスクの近傍
に例えばランプ部とフラット部とディテエンション部と
が備えられたロード・アンロード機構を配置して構成さ
れる。そして、ヘッドアームは、磁気ディスクの休止時
にはディテェンション部に係留され、駆動時にはフラッ
ト部を通してランプ部の斜面を滑走し、回転磁気ディス
ク面上に運ばれる（ロード）。これにより、フライング
ヘッドは、回転磁気ディスク面上に形成された空気流動
層に軟着陸し、回転磁気ディスク面上を飛行しつつ情報
の記録・再生を行う。Recently, in order to solve the above-mentioned problem of shock resistance at rest, a ramp loading method in which a flying head is separated from a magnetic disk at rest is being studied. This type of magnetic recording apparatus is configured by arranging, for example, a load / unload mechanism provided with a ramp section, a flat section, and a detection section near a magnetic disk. When the magnetic disk is at rest, the head arm is moored at the deflection portion. When the head arm is driven, the head arm slides on the slope of the ramp portion through the flat portion and is carried on the rotating magnetic disk surface (load). As a result, the flying head makes a soft landing on the air-fluidized bed formed on the rotating magnetic disk surface, and records and reproduces information while flying on the rotating magnetic disk surface.
【０００５】ところで、ランプローディング方式の場
合、磁気ディスクの外からヘッドアーム運び込まれる
際、フライングヘッドが磁気ディスクの外周部に衝突す
る事故が考えられ、磁気ディスクの耐久性が問題とな
る。斯かる問題は、磁気記録密度の向上のため、保護層
が薄膜化された磁気ディスクにおいて顕著である。By the way, in the case of the ramp loading method, when the head arm is carried in from the outside of the magnetic disk, there is a possibility that the flying head collides with the outer peripheral portion of the magnetic disk, and the durability of the magnetic disk becomes a problem. Such a problem is remarkable in a magnetic disk in which a protective layer is made thinner in order to improve the magnetic recording density.
【０００６】更にまた、ヘッドアームが回転磁気ディス
ク面上から外に運ばれる（アンロード）の際は、ロード
時以上の強さでフライングヘッドが磁気ディスクの外周
部に衝突する事故が考えられる。これは次の様な原因に
よる場合が多い。すなわち、磁気ディスクの内外周にお
けるフライングヘッドの浮上量の安定化のため、例えば
フライングヘッド底面の形状加工などの処理により、フ
ライングヘッドに磁気ディスク平面に向かおうとする力
（負力）をかける。この場合、この負力に反してヘッド
アームがアンロードされるため、浮上量が著しく不安定
となると、フライングヘッドが磁気ディスクの外周部に
衝突する。Further, when the head arm is carried out of the rotating magnetic disk surface (unloading), it is conceivable that the flying head collides with the outer peripheral portion of the magnetic disk with a strength higher than that at the time of loading. This is often due to the following reasons. That is, in order to stabilize the flying height of the flying head on the inner and outer peripheries of the magnetic disk, a force (negative force) is applied to the flying head toward the plane of the magnetic disk by processing such as shaping the bottom surface of the flying head. In this case, since the head arm is unloaded against this negative force, if the flying height becomes extremely unstable, the flying head collides with the outer peripheral portion of the magnetic disk.
【０００７】[0007]
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記実情に
鑑みなされたものであり、その目的は、ランプローディ
ング方式の磁気記録装置に好適に使用し得る新規な構造
の磁気ディスク及びその製造方法ならびに当該磁気ディ
スクを使用したランプローディング方式の磁気記録装置
を提供することにある。SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above circumstances, and an object of the present invention is to provide a magnetic disk having a novel structure suitable for use in a ramp loading type magnetic recording apparatus and a method of manufacturing the same. Another object of the present invention is to provide a ramp loading type magnetic recording apparatus using the magnetic disk.
【０００８】[0008]
【課題を解決するための手段】本発明者らは、円盤状の
非磁性基板上に少なくとも磁性層と保護層とを順次に形
成して成る磁気記ディスクの製造検討の際、ある特定の
条件下に保護層の製膜を行うならば、円盤状の磁気記デ
ィスクの外周部における保護層の厚膜化が可能であると
の知見を得た。SUMMARY OF THE INVENTION The present inventors have studied a manufacturing method of a magnetic recording disk in which at least a magnetic layer and a protective layer are sequentially formed on a disc-shaped non-magnetic substrate, under certain conditions. It has been found that if a protective layer is formed below, it is possible to increase the thickness of the protective layer at the outer peripheral portion of the disk-shaped magnetic recording disk.
【０００９】本発明は、上記の事実に基づいて達成され
たものであり、その第１の要旨は、円盤状の非磁性基板
上に少なくとも磁性層と保護層とを順次に形成して成る
磁気記ディスクであって、その外周部に非データ領域を
形成して成り且つ当該非データ領域の保護層の厚さがそ
の内周部のデータ領域に均一厚さで形成された保護層よ
りも厚くなされていることを特徴とする磁気ディスクに
存する。The present invention has been achieved on the basis of the above facts. A first gist of the present invention is to provide a magnetic recording medium comprising at least a magnetic layer and a protective layer formed sequentially on a disc-shaped non-magnetic substrate. The non-data area of the disk, wherein a non-data area is formed on an outer peripheral portion of the disc, and a thickness of the protective layer in the non-data area is larger than that of a uniform thickness in a data area of the inner peripheral area. There is a magnetic disk characterized by what is done.
【００１０】本発明の第２の要旨は、円盤状の非磁性基
板上に少なくとも磁性層を形成した後に炭素が主成分で
ある保護層を形成する磁気ディスクの製造方法におい
て、上記の保護層を形成するに際し、製膜室内で真空条
件下に加熱されたフィラメント状カソードとアノードと
の間の放電により製膜原料ガスをプラズマ状態とし、そ
して、マイナス電位により上記のプラズマを基板表面に
加速衝突させて製膜する、熱フィラメント−プラズマＣ
ＶＤ装置を使用し、そして、導電性材料にて構成され且
つ非磁性基板の直径と同等以上の直径のリング状空間部
が設けられた膜厚補正板を非磁性基板と非接触かつ近接
状態で平行に配置し、非磁性基板に印加するバイアス電
圧および／または必要に応じて膜厚補正板に印加される
電圧とを調節し、非磁性基板の外周部の非データ領域に
形成される保護層の厚さを制御することを特徴とする磁
気ディスクの製造方法に存する。According to a second aspect of the present invention, there is provided a magnetic disk manufacturing method for forming a protective layer containing carbon as a main component after forming at least a magnetic layer on a disc-shaped non-magnetic substrate. In forming the film, the film forming raw material gas is brought into a plasma state by a discharge between the filament cathode and the anode heated under vacuum conditions in the film forming chamber, and the plasma is accelerated and collided with the substrate surface by a negative potential. Hot filament-plasma C
Using a VD device, a film thickness compensator made of a conductive material and provided with a ring-shaped space having a diameter equal to or greater than the diameter of the non-magnetic substrate is placed in non-contact and proximity with the non-magnetic substrate. A protective layer formed in the non-data region on the outer peripheral portion of the non-magnetic substrate by adjusting the bias voltage applied to the non-magnetic substrate and / or the voltage applied to the film thickness correction plate as necessary. And a method for manufacturing a magnetic disk characterized by controlling the thickness of the magnetic disk.
【００１１】そして、本発明の第３の要旨は、ランプロ
ーディング方式の磁気記録装置において、媒体として、
上記の第１の要旨に係る磁気ディスクを備えて成ること
を特徴とする磁気記録装置に存する。A third gist of the present invention is to provide a ramp loading type magnetic recording apparatus as a medium.
A magnetic recording apparatus includes the magnetic disk according to the first aspect.
【００１２】[0012]
【発明の実施の形態】先ず、本発明の磁気ディスクにつ
いて説明する。本発明の磁気ディスクは、基本的には、
従来公知の磁気ディスクと同じであり、円盤状の非磁性
基板上に少なくとも磁性層と保護層とを順次に形成して
成る。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS First, a magnetic disk according to the present invention will be described. The magnetic disk of the present invention is basically
This is the same as a conventionally known magnetic disk, and is formed by sequentially forming at least a magnetic layer and a protective layer on a disk-shaped non-magnetic substrate.
【００１３】本発明の磁気ディスクにおける非磁性基板
としては、Ａｌを主成分とした例えばＡｌ−Ｍｇ合金等
のＡｌ合金基板や、通常のソーダガラス、アルミノシリ
ケート系ガラス、非結晶ガラス類、シリコン、チタン、
セラミックス、各種樹脂からなる基板などの任意の非磁
性基板を使用することが出来る。中でもＡｌ合金基板や
結晶化ガラス等のガラス製基板が好ましい。As the non-magnetic substrate in the magnetic disk of the present invention, an Al alloy substrate containing Al as a main component, for example, an Al—Mg alloy, a usual soda glass, an aluminosilicate glass, an amorphous glass, silicon, Titanium,
Any non-magnetic substrate such as a substrate made of ceramics or various resins can be used. Among them, Al alloy substrates and glass substrates such as crystallized glass are preferred.
【００１４】磁気ディスクの製造工程においては、非磁
性基板の洗浄・乾燥が行われるのが通常であり、本発明
においても各層の密着性を確保する見地から、同様に洗
浄、乾燥を行うのが好ましい。In the manufacturing process of the magnetic disk, it is usual to wash and dry the non-magnetic substrate. In the present invention, it is also necessary to wash and dry the non-magnetic substrate in the same manner from the viewpoint of securing the adhesion of each layer. preferable.
【００１５】本発明においては、非磁性基板表面にＮｉ
Ｐ等の非磁性金属被覆層を形成することが好ましい。非
磁性金属被覆層の形成手法としては、無電解めっき法、
スパッタリング法、真空蒸着法、ＣＶＤ法など薄膜形成
に使用される方法を利用することが出来る。導電性の材
料から成る基板の場合であれば電解めっきを使用するこ
とも可能である。非磁性金属被覆層の膜厚は、５０ｎｍ
以上あればよいが、磁気ディスクの生産性などを考慮す
ると、好ましくは５０〜５００ｎｍが、更に好ましくは
５０〜３００ｎｍの範囲である。In the present invention, the surface of the nonmagnetic substrate is made of Ni.
It is preferable to form a nonmagnetic metal coating layer such as P. As a method of forming the nonmagnetic metal coating layer, electroless plating,
A method used for forming a thin film, such as a sputtering method, a vacuum evaporation method, and a CVD method, can be used. In the case of a substrate made of a conductive material, it is also possible to use electrolytic plating. The thickness of the nonmagnetic metal coating layer is 50 nm.
The above range is sufficient, but in consideration of the productivity of the magnetic disk, the range is preferably 50 to 500 nm, and more preferably 50 to 300 nm.
【００１６】また、非磁性金属被覆層を成膜する領域
は、基板表面全域が好ましいが、一部だけ例えばテキス
チャリングを施す領域のみでもよい。また、非磁性基板
表面または非磁性金属被覆層が形成された基板表面に同
心状テキスチャリングを施すのが好ましい。本発明にお
いて、同心状テキスチャリングとは、例えば遊離砥粒と
テキスチャーテープを使用した機械式テキスチャリン
グ、レーザー光線などを利用したテキスチャリング加
工、これらの併用加工によって、円周方向に研磨して基
板円周方向に微小溝を多数形成した状態を指称する。The area where the non-magnetic metal coating layer is formed is preferably the entire area of the substrate surface, but may be only a part of the area, for example, the area where the texturing is to be performed. It is preferable to apply concentric texturing to the surface of the nonmagnetic substrate or the surface of the substrate on which the nonmagnetic metal coating layer is formed. In the present invention, concentric texturing refers to, for example, mechanical texturing using loose abrasive grains and texture tape, texturing using a laser beam, or the like, and a combination of these processes. A state in which a large number of minute grooves are formed in the circumferential direction is referred to.
【００１７】機械的テキスチャリングで使用する遊離砥
粒としては、ダイアモンド砥粒、中でも表面がグラファ
イト化処理されているダイアモンド砥粒が好ましい。機
械的テキスチャリングにはアルミナ砥粒も広く使用され
ているが、特にテキスチャリング溝に沿って磁化容易軸
を配向させるという観点から、ダイアモンド砥粒が極め
て良い性能を発揮する。この原因は現在のところ明確に
はなっていないが、極めて再現性の良い結果が得られ
る。As the free abrasive used in mechanical texturing, diamond abrasive, in particular, diamond abrasive whose surface is subjected to a graphitization treatment is preferable. Alumina abrasive grains are also widely used for mechanical texturing, but diamond abrasive grains exhibit extremely good performance, particularly from the viewpoint of orienting the easy axis of magnetization along the texturing grooves. Although the cause is not clear at present, extremely reproducible results can be obtained.
【００１８】非磁性基板の表面の表面粗さ（Ｒａ）は特
に制限されないが、フライングヘッド浮上量を可能な限
り小さくすることが高密度磁気記録の実現には有効であ
り、また、非磁性基板の特徴のひとつが優れた表面平滑
性にあることから、非磁性基板表面のＲａは、好ましく
は２ｎｍ以下、更に好ましくは１ｎｍ以下、特に好まし
くは０．５ｎｍ以下とされる。ここでＲａの決定は、触
針式表面粗さ計で測定した値を意味する。このときの測
定用針としては、先端半径が０．２μｍ程度の針が使用
される。Although the surface roughness (Ra) of the surface of the non-magnetic substrate is not particularly limited, it is effective to realize a high-density magnetic recording by reducing the flying height of the flying head as much as possible. Since one of the features is excellent surface smoothness, Ra on the surface of the nonmagnetic substrate is preferably 2 nm or less, more preferably 1 nm or less, and particularly preferably 0.5 nm or less. Here, the determination of Ra means a value measured by a stylus type surface roughness meter. At this time, a needle having a tip radius of about 0.2 μm is used as a measuring needle.
【００１９】本発明においては、磁性層、特にＣｏ合金
磁性層の下地層として、Ｃｒが主成分である下地層など
を形成することが好ましい。斯かる下地層を設ける主目
的は、Ｃｏ合金磁性層の結晶の微細化およびその結晶面
の配向の制御にある。In the present invention, it is preferable to form an underlayer mainly composed of Cr or the like as an underlayer of the magnetic layer, in particular, the Co alloy magnetic layer. The main purpose of providing such an underlayer is to refine the crystal of the Co alloy magnetic layer and control the orientation of its crystal plane.
【００２０】Ｃｒが主成分である下地層の材料として
は、純Ｃｒの他、Ｃｏ層との結晶マッチング等のため、
ＣｒにＶ、Ｔｉ、Ｍｏ、Ｚｒ、Ｈｆ、Ｔａ、Ｗ、Ｇｅ、
Ｎｂ、Ｓｉ、Ｃｕ、Ｂ等の第二、第三元素を添加した合
金や、酸化Ｃｒなども含む。中でも、純Ｃｒの他、Ｔ
ｉ、Ｍｏ、Ｗ、Ｖ、Ｔａ、Ｓｉ、Ｎｂ、Ｚｒ及びＨｆの
何れかを含むＣｒ合金が好ましい。これらの第二および
第三元素の含有量は、それぞれの元素によって最適な量
が異なるが、通常１〜５０原子％、好ましくは５〜３０
原子％、更に好ましくは５〜２０原子％の範囲である。The material of the underlayer containing Cr as a main component is not only pure Cr but also a crystal matching with a Co layer.
V, Ti, Mo, Zr, Hf, Ta, W, Ge,
Alloys to which second and third elements such as Nb, Si, Cu, and B are added, and Cr oxide are also included. Among them, in addition to pure Cr, T
A Cr alloy containing any of i, Mo, W, V, Ta, Si, Nb, Zr and Hf is preferable. The content of these second and third elements varies depending on the respective elements, but is usually 1 to 50 atomic%, preferably 5 to 30 atomic%.
Atomic%, more preferably in the range of 5 to 20 atomic%.
【００２１】Ｃｒが主成分である種子層の膜厚は、この
異方性を発現させ得るに十分な厚さであればよく、通常
０．１〜５０ｎｍ、好ましくは０．３〜４０ｎｍ、更に
好ましくは０．５〜１０ｎｍである。Ｃｒが主成分であ
る下地層の成膜時は、非磁性基板の加熱を行ってもよ
い。なお、この下地層と磁性層（又は前述の被覆層）と
の間には、更に、非磁性ＣｏＣｒ等の中間層やＢ２結晶
構造の下地層を設けてもよい。The thickness of the seed layer containing Cr as a main component may be a thickness sufficient to exhibit this anisotropy, and is usually 0.1 to 50 nm, preferably 0.3 to 40 nm, and more preferably 0.3 to 40 nm. Preferably it is 0.5 to 10 nm. The nonmagnetic substrate may be heated when forming the underlayer containing Cr as a main component. Note that an intermediate layer such as non-magnetic CoCr or an underlayer having a B2 crystal structure may be further provided between the underlayer and the magnetic layer (or the above-described coating layer).
【００２２】磁性層、すなわち、強磁性金属薄膜層は、
無電解メッキ、スパッタリング、蒸着などの方法によっ
て形成される。磁性層の具体例としては、ＣｏやＣｏＮ
ｉ、ＣｏＳｍ、ＣｏＣｒＴａ、ＣｏＮｉＣｒ、ＣｏＣｒ
Ｐｔ等の磁性材料として一般に使用されるＣｏ合金磁性
材料から成る強磁性金属薄膜が挙げられる。更には、こ
れらのＣｏ合金にＮｉ、Ｃｒ、Ｐｔ、Ｔａ、Ｗ、Ｂ等の
元素やＳｉＯ2 等の化合物を加えた強磁性金属薄膜が挙
げられる。具体的には、ＣｏＣｒＰｔＴａ、ＣｏＣｒＰ
ｔＢ、ＣｏＮｉＰｔ、ＣｏＮｉＣｒＰｔＢ等の強磁性金
属薄膜が挙げられる。磁性層の膜厚は、任意であるが、
通常５〜５０ｎｍ、好ましくは１０〜３０ｎｍである。
また、必要に応じ、複数層の磁性層を構成することも出
来る。The magnetic layer, that is, the ferromagnetic metal thin film layer,
It is formed by a method such as electroless plating, sputtering, and vapor deposition. Specific examples of the magnetic layer include Co and CoN.
i, CoSm, CoCrTa, CoNiCr, CoCr
As a magnetic material such as Pt, there is a ferromagnetic metal thin film made of a Co alloy magnetic material generally used. Further, a ferromagnetic metal thin film obtained by adding an element such as Ni, Cr, Pt, Ta, W, or B or a compound such as SiO 2 to these Co alloys may be used. Specifically, CoCrPtTa, CoCrP
Ferromagnetic metal thin films such as tB, CoNiPt, and CoNiCrPtB are exemplified. The thickness of the magnetic layer is arbitrary,
It is usually 5 to 50 nm, preferably 10 to 30 nm.
Further, if necessary, a plurality of magnetic layers can be formed.
【００２３】本発明において、保護層は、通常、磁性層
の表面に設けられるが、必要に応じて他の層を介して設
けてもよい。保護層は、炭素（Ｃ）、水素化Ｃ、窒素化
Ｃ、アルモファスＣ、ＳｉＣ等の炭素質膜や、ＳｉＯ
2 、Ｚｒ2Ｏ3等の酸化物膜、ケイ素（Ｓｉ）膜、ＴｉＮ
等の窒素（Ｎ）化膜などで構成し得るが、炭素が主成分
である炭素質膜が好適である。また、保護層の表面に
は、通常、パーフルオロポリエーテル、高級脂肪酸また
はその金属塩などの潤滑層が形成され、その膜厚は通常
１〜５ｎｍである。In the present invention, the protective layer is usually provided on the surface of the magnetic layer, but may be provided via another layer if necessary. The protective layer is formed of a carbonaceous film such as carbon (C), hydrogenated C, nitrogenated C, Amorphous C, or SiC, or SiO2.
2 , oxide film such as Zr 2 O 3 , silicon (Si) film, TiN
And the like, but a carbonaceous film containing carbon as a main component is preferable. A lubricating layer such as perfluoropolyether, higher fatty acid or a metal salt thereof is usually formed on the surface of the protective layer, and its thickness is usually 1 to 5 nm.
【００２４】本発明の磁気ディスクの特徴は、円盤状の
非磁性基板の外周部に非データ領域を形成して成り且つ
当該非データ領域の保護層の厚さがその内周部のデータ
領域に均一厚さで形成された保護層よりも厚くなされて
いることを特徴とする。A feature of the magnetic disk of the present invention is that a non-data area is formed on the outer periphery of a disk-shaped non-magnetic substrate, and the thickness of the protective layer of the non-data area is limited to the data area on the inner periphery. It is characterized in that it is made thicker than a protective layer formed with a uniform thickness.
【００２５】すなわち、本発明の磁気ディスクにおいて
は、データ領域に形成される保護層の厚さは、従来の磁
気ディスクの場合と同様に、均一厚さで且つ可能な限り
薄くされ、具体的には、通常１〜５０ｎｍ、好ましくは
５〜１０ｎｍとされるが、円盤状の非磁性基板の外周部
には上記よりも厚い保護層を形成する。そして、保護層
が厚く形成された非磁性基板の外周部は非データ領域と
する。That is, in the magnetic disk of the present invention, the thickness of the protective layer formed in the data area is made uniform and as thin as possible, as in the case of the conventional magnetic disk. Is usually 1 to 50 nm, preferably 5 to 10 nm, but a thicker protective layer is formed on the outer periphery of the disc-shaped nonmagnetic substrate. The outer peripheral portion of the non-magnetic substrate on which the protective layer is formed thick is a non-data area.
【００２６】上記の非データ領域は、ランプローディン
グ方式の場合に遭遇するヘッドアームの衝突事故に対す
る耐久性向上部として機能する。従って、その幅は、耐
久性向上部として機能（遭遇するヘッドアームの衝突事
故が起こり得る範囲）及びデータ領域の縮小の両者のバ
ランスを考慮して適宜決定される。通常は磁気ディスク
のドーナツ幅（磁気ディスク半径から中心孔半径を引い
た値）の１〜２０％、特には５〜１５％とされる。上記
の非データ領域に形成される厚膜化された保護層の厚さ
は、特に制限されないが、上記のデータ領域に形成され
る保護層の少なくとも１．１倍以上とされる。１．１倍
未満では、耐久性向上部としての機能が十分に発揮され
ない。最大厚さは、データ領域に形成される保護層の１
０倍である。また、上記の非データ領域に形成される保
護層は、外方に向かうに従って厚くなされた斜面構造に
よって厚膜化されていてもよい。The non-data area functions as a part for improving the durability against a head arm collision accident encountered in the case of the ramp loading method. Therefore, the width is appropriately determined in consideration of a balance between both the function as a durability improving section (a range in which a collision accident of a head arm to be encountered may occur) and the reduction of the data area. Usually, it is 1 to 20%, particularly 5 to 15% of the donut width of the magnetic disk (the value obtained by subtracting the center hole radius from the magnetic disk radius). The thickness of the thickened protective layer formed in the non-data area is not particularly limited, but is at least 1.1 times the thickness of the protective layer formed in the data area. If it is less than 1.1 times, the function as the durability improving portion is not sufficiently exhibited. The maximum thickness is one of the protective layers formed in the data area.
It is 0 times. Further, the protective layer formed in the non-data area may be thickened by a slope structure that is made thicker outward.
【００２７】次に、本発明に係る磁気ディスクの製造方
法について説明する。本発明の製造方法においては、円
盤状の非磁性基板上に少なくとも磁性層を形成した後に
炭素が主成分である保護層を形成する。そして、上記の
保護層を形成するに際し、製膜室内で真空条件下に加熱
されたフィラメント状カソードとアノードとの間の放電
により製膜原料ガスをプラズマ状態とし、そして、マイ
ナス電位により上記のプラズマを基板表面に加速衝突さ
せて製膜する、熱フィラメント−プラズマＣＶＤ（Ｆ−
ｐＣＶＤ）装置を使用する。Next, a method for manufacturing a magnetic disk according to the present invention will be described. In the manufacturing method of the present invention, at least a magnetic layer is formed on a disc-shaped nonmagnetic substrate, and then a protective layer containing carbon as a main component is formed. In forming the protective layer, the film-forming raw material gas is brought into a plasma state by a discharge between the filamentary cathode and the anode heated under vacuum conditions in the film-forming chamber, and the plasma is generated by a negative potential. Filament is formed by making the film accelerate and collide with the substrate surface.
pCVD) equipment.
【００２８】図１は、本発明において好適に使用される
Ｆ−ｐＣＶＤ装置の一例の概念説明図である。図１に示
されたＦ−ｐＣＶＤ装置は、基板の両面に同時に製膜可
能な装置であり、左右対称の構成を備えているが、便宜
上、右側の構成の一部は図示を省略している。また、図
１に示されたＦ−ｐＣＶＤ装置の場合、製膜室の内壁面
は製膜室内に配置された防着部材によって構成されてい
る。FIG. 1 is a conceptual explanatory view of an example of an F-pCVD apparatus suitably used in the present invention. The F-pCVD apparatus shown in FIG. 1 is an apparatus capable of simultaneously forming a film on both surfaces of a substrate and has a symmetrical configuration, but for convenience, a part of the configuration on the right side is not shown. . Further, in the case of the F-pCVD apparatus shown in FIG. 1, the inner wall surface of the film forming chamber is constituted by a deposition-preventing member arranged in the film forming chamber.
【００２９】円筒状の製膜室（１）は、導電体で形成さ
れた真空チャンバー壁（５）によって気密可能に構成さ
れ、真空チャンバー壁（５）は、その下側中央部に配置
された接続管（６）を介し、トランスファーケース用真
空排気ユニットを備えたトランスファーケース及び製膜
室用真空排気ユニットを備えたダクト（何れも図示せ
ず）に接続されている。そして、接続管（６）の内部に
は、昇降アーム（１５）が配置され、昇降アーム（１
５）は、トランスファーケース（図示せず）の内部に配
置されたハンドリングロボット（図示せず）によって操
作される。なお、トランスファーケース用真空排気ユニ
ット及び製膜室用真空排気ユニットは、製膜運転中、常
時稼働している。The cylindrical film-forming chamber (1) is made airtight by a vacuum chamber wall (5) made of a conductor, and the vacuum chamber wall (5) is arranged at a lower central portion thereof. Via a connection pipe (6), it is connected to a transfer case equipped with a transfer case vacuum exhaust unit and a duct equipped with a film forming chamber vacuum exhaust unit (neither is shown). An elevating arm (15) is arranged inside the connection pipe (6), and the elevating arm (1) is provided.
5) is operated by a handling robot (not shown) arranged inside a transfer case (not shown). The vacuum evacuation unit for the transfer case and the vacuum evacuation unit for the film forming chamber are always operating during the film forming operation.
【００３０】カソード（２）は、真空チャンバー壁
（５）の側部から製膜室（１）内に貫通した２個のソケ
ット（７）の先端部に形成され、交流のカソード電源
（８）に接続されている。アノード（３）は、特別にロ
ート状の形状を有し且つその内周面の中央部付近でカソ
ード（２）を包囲する位置に配置される。そして、アノ
ード（３）は、ソケット（７）と同様に配置されたソケ
ット（９）を介しアノード電源（１０）（アノード
（３）側でプラス電位の電流）に接続されている。ま
た、ソケット（７）の表面は、付着した炭素膜の剥離を
防止するため、金属溶射などで表面を粗面化するのが好
ましい。The cathode (2) is formed at the tip of two sockets (7) penetrating from the side of the vacuum chamber wall (5) into the film forming chamber (1). It is connected to the. The anode (3) has a special funnel shape and is arranged at a position surrounding the cathode (2) near the center of the inner peripheral surface thereof. The anode (3) is connected to an anode power supply (10) (a positive potential current on the anode (3) side) via a socket (9) arranged in the same manner as the socket (7). The surface of the socket (7) is preferably roughened by metal spraying or the like in order to prevent the attached carbon film from peeling off.
【００３１】ソケット（７）及びソケット（９）は、真
空チャンバー壁（５）に対し、電気絶縁性の気密体とし
て構成されている。また、アノード（３）は、真空チャ
ンバー壁（５）の内周面に対して電気絶縁性の固定手段
（図示せず）により固定されている。斯かる固定手段と
しては、例えば、真空チャンバー壁（５）の内周面およ
びアノード（３）の外周面から突出する各取付片を絶縁
材を介して接続する手段などが挙げられる。The socket (7) and the socket (9) are configured as an electrically insulating airtight body with respect to the vacuum chamber wall (5). The anode (3) is fixed to the inner peripheral surface of the vacuum chamber wall (5) by an electrically insulating fixing means (not shown). As such fixing means, for example, means for connecting each mounting piece projecting from the inner peripheral surface of the vacuum chamber wall (5) and the outer peripheral surface of the anode (3) via an insulating material may be mentioned.
【００３２】製膜室（１）の内部には、好ましい態様と
して、円筒状の防着部材（遮蔽部材）（１１）が配置さ
れている。防着部材（１１）は、真空チャンバー壁
（５）の内周面に対して電気絶縁性の固定手段（図示せ
ず）により固定され、フロート電位に設定されている。
そして、防着部材（１１）は、例えば厚さが５０〜５０
０μｍのアルミニウム等の金属箔で構成される。また、
防着部材（１１）のアノード（３）側の周端部には、内
側に傾斜し且つアノード（３）の最大内径（先端部内
径）より小さい外径の整流部（１２）が設けられ、アノ
ード（３）の先端部と整流部（１２）との間にはガス流
路（１３）が形成されている。As a preferred embodiment, a cylindrical deposition-inhibiting member (shielding member) (11) is arranged inside the film-forming chamber (1). The deposition prevention member (11) is fixed to the inner peripheral surface of the vacuum chamber wall (5) by an electrically insulating fixing means (not shown), and is set at a float potential.
And the deposition prevention member (11) has a thickness of, for example, 50 to 50.
It is made of a metal foil such as 0 μm aluminum. Also,
A rectifying portion (12) having an outer diameter that is inclined inward and that is smaller than the maximum inner diameter (the inner diameter at the front end) of the anode (3) is provided at a peripheral end portion on the anode (3) side of the deposition preventing member (11). A gas flow path (13) is formed between the tip of the anode (3) and the rectifying section (12).
【００３３】必要に応じ不活性ガスにより適宜の濃度に
希釈された製膜原料ガスは、真空チャンバー壁（５）の
上部からガス流路（１３）の近傍に貫通した製膜原料ガ
ス供給管（１４）から供給される。The film-forming raw material gas diluted to an appropriate concentration with an inert gas, if necessary, is supplied from the upper part of the vacuum chamber wall (5) to the vicinity of the gas flow path (13) through the film-forming raw material supply pipe ( 14).
【００３４】円盤状の基板（４）は、昇降アーム（１
５）の先端に固定された支持爪（１６）によって垂直に
支持される。すなわち、基板（４）は、カソード（２）
とアノード（３）に対向した位置に保持される。そし
て、昇降アーム（１５）により、製膜室（１）内に基板
（４）が搬入された場合、接続管（６）と前記トランス
ファーケースの接続部に配置されたソフトシール（図示
せず）が昇降アーム（１５）と接することにより、製膜
室（１）と上記トランスファーケースとが実質的に遮断
される。なお、製膜室（１）内の真空状態は、引き続
き、製膜室用真空排気ユニットにより維持される。The disk-shaped substrate (4) is connected to the lifting arm (1).
It is vertically supported by a support claw (16) fixed to the tip of 5). That is, the substrate (4) is
And the anode (3). Then, when the substrate (4) is carried into the film forming chamber (1) by the elevating arm (15), a soft seal (not shown) arranged at the connection between the connection pipe (6) and the transfer case. Is in contact with the elevating arm (15), whereby the film forming chamber (1) and the transfer case are substantially shut off. In addition, the vacuum state in the film forming chamber (1) is continuously maintained by the vacuum evacuation unit for the film forming chamber.
【００３５】基板（４）の支持位置の両サイドには、膜
厚補正板（１７）が配置されるが、膜厚補正板（１７）
は、膜厚補正板の内周部（１７ａ）及び膜厚補正板の外
周部に設けられた支持アーム（１８）と共に後述する。On both sides of the support position of the substrate (4), a film thickness correction plate (17) is arranged.
Will be described later together with the inner peripheral portion (17a) of the film thickness correction plate and the support arm (18) provided on the outer peripheral portion of the film thickness correction plate.
【００３６】真空チャンバー壁（５）のアノード（３）
側近傍の内部には、真空チャンバー壁（５）の異常加熱
防止のため、冷却水循環路（１９）が設けられ、冷却水
供給管（２０）から冷却水が供給される。Anode (3) of vacuum chamber wall (5)
A cooling water circulation path (19) is provided inside the vicinity of the side to prevent abnormal heating of the vacuum chamber wall (5), and cooling water is supplied from a cooling water supply pipe (20).
【００３７】カソード電源（８）の一端はアース（２
１）に接続され、また、真空チャンバー壁（５）はアー
ス（２２）に接続されている。そして、カソード電源
（８）のアース側と基板（４）との間は、基板（４）側
でマイナス電位となる直流のイオン加速用電源（２３）
で接続されている。One end of the cathode power supply (8) is grounded (2
1) and the vacuum chamber wall (5) is connected to ground (22). Then, between the ground side of the cathode power supply (8) and the substrate (4), a DC ion acceleration power supply (23) having a negative potential on the substrate (4) side.
Connected by
【００３８】通常、カソード電源（８）には０〜２０ｖ
（０〜５０Ａ）、アノード電源（１０）には０〜２００
ｖ（０〜５０００ｍＡ）、イオン加速用電源（２３）に
は０〜１５００ｖ（０〜２００ｍＡ）が適用される。な
お、製膜運転中、カソード（２）は、常時、通電加熱さ
れている。Normally, the cathode power supply (8) has 0 to 20 V
(0-50A), 0-200 for the anode power supply (10)
v (0 to 5000 mA), and 0 to 1500 v (0 to 200 mA) are applied to the ion acceleration power supply (23). During the film formation operation, the cathode (2) is always energized and heated.
【００３９】上記の様なＦ−ｐＣＶＤ装置による連続的
な製膜方法は、次の様に、主として、製膜室（１）への
基板（４）の搬入、製膜、基板（４）の搬出から成る操
作を順次に繰り返して行われる。The continuous film forming method using the F-pCVD apparatus as described above mainly comprises the steps of loading the substrate (4) into the film forming chamber (1), forming the film, and forming the substrate (4). The operation of unloading is sequentially and repeatedly performed.
【００４０】先ず、ハンドリングロボット（図示せず）
の昇降アーム（１５）を上昇して基板（４）を製膜室
（１）内に搬入する。First, a handling robot (not shown)
Then, the substrate (4) is carried into the film forming chamber (1) by lifting the lifting arm (15).
【００４１】次いで、製膜原料ガス供給管（１４）から
製膜原料ガスを供給する。これにより、製膜原料ガスは
ガス流路（１３）を通して製膜室（１）に流れ込む。以
上の操作はガス安定化と呼ばれる。なお、この際の製膜
室（１）内の圧力は、前述の製膜室用真空排気ユニット
の能力によって決定される。Next, a film forming material gas is supplied from the film forming material gas supply pipe (14). Thereby, the film forming raw material gas flows into the film forming chamber (1) through the gas flow path (13). The above operation is called gas stabilization. At this time, the pressure in the film forming chamber (1) is determined by the capacity of the vacuum evacuation unit for the film forming chamber.
【００４２】次いで、アノード（３）及び基板（４）に
対し、夫々アノード電源（１０）及びイオン加速用電源
（２３）から所定の電位を印加する。これにより、常に
高温に加熱されたカソード（２）からアノード（３）に
向かって多量の熱電子が放出され、両電極の間でグロー
放電が開始される。そして、放電によって生じた熱電子
は、製膜原料ガスをイオン化してプラズマ状態にする。
プラズマ状態の製膜原料イオンは、基板（４）のマイナ
ス電位によって加速され、基板（４）に衝突して付着
し、炭素が主成分である膜が製膜される。なお、例えば
トルエンを使用した場合、プラズマ領域においては次の
（Ｉ）の反応が起こり、基板（４）の表面では次の（I
I）の反応が起こっていると考えられる。Next, a predetermined potential is applied to the anode (3) and the substrate (4) from the anode power supply (10) and the ion acceleration power supply (23), respectively. As a result, a large amount of thermoelectrons are emitted from the cathode (2), which is always heated to a high temperature, toward the anode (3), and a glow discharge is started between the two electrodes. Then, the thermoelectrons generated by the discharge ionize the film-forming raw material gas into a plasma state.
The film forming material ions in the plasma state are accelerated by the negative potential of the substrate (4), collide with and adhere to the substrate (4), and a film containing carbon as a main component is formed. When, for example, toluene is used, the following reaction (I) occurs in the plasma region, and the following (I) occurs on the surface of the substrate (4).
It is considered that the reaction of I) is occurring.
【００４３】[0043]
【化１】 Ｃ7Ｈ8 + ｅ- → Ｃ7Ｈ8+ + ２ｅ- ・・・（Ｉ） Ｃ7Ｈ8+ + ｅ- → Ｃ7Ｈ2 + ３Ｈ2↑ ・・・（II）Embedded image C 7 H 8 + e − → C 7 H 8 + + 2 e − (I) C 7 H 8 + + e − → C 7 H 2 + 3 H 2・ ・ ・ (II)
【００４４】次いで、製膜原料ガスの供給を停止して製
膜を終了する。その後、前述の製膜室用真空排気ユニッ
トにて製膜室（１）内に残留する原料ガスが排気されて
製膜室（１）内の圧力が原料ガスの供給前のレベルに復
帰するのを待った後、昇降アーム（１５）を降下させる
ことにより、製膜室（１）から前述のトランスファーケ
ースに基板（４）を搬出する。Next, the supply of the film forming raw material gas is stopped, and the film forming is completed. Thereafter, the material gas remaining in the film forming chamber (1) is exhausted by the aforementioned vacuum evacuation unit for the film forming chamber, and the pressure in the film forming chamber (1) returns to the level before the supply of the material gas. Then, the substrate (4) is carried out from the film forming chamber (1) to the transfer case by lowering the elevating arm (15).
【００４５】本発明の製造方法においては、前記の製膜
原料ガスとして炭素含有モノマーガスを使用する。炭素
含有モノマーの具体例としては、メタン、エタン、プロ
パン、エチレン、アセチレン、ベンゼン、トルエン等の
炭化水素、アルコール類、窒素含有炭化水素、フッ素含
有炭化水素などが挙げられる。特に、ベンゼン、トルエ
ン又はピロールが好適に使用される。また、必要に応
じ、炭素含有モノマーの濃度調節および膜質調節のため
に使用される不活性ガスとしては、Ａｒ、Ｈｅ、Ｈ2、
Ｎ2、Ｏ2等が挙げられる。In the production method of the present invention, a carbon-containing monomer gas is used as the film-forming raw material gas. Specific examples of the carbon-containing monomer include hydrocarbons such as methane, ethane, propane, ethylene, acetylene, benzene, and toluene, alcohols, nitrogen-containing hydrocarbons, and fluorine-containing hydrocarbons. In particular, benzene, toluene or pyrrole is preferably used. If necessary, the inert gas used for adjusting the concentration of the carbon-containing monomer and adjusting the film quality includes Ar, He, H 2 ,
N 2 and O 2 are exemplified.
【００４６】本発明の製造方法の特徴は、上記の様な製
膜方法により、炭素が主成分である保護層を形成するに
際し、導電性材料にて構成され且つ非磁性基板（４）の
直径と同等以上の直径のリング状空間部が設けられた膜
厚補正板（１７）を非磁性基板（４）と非接触かつ近接
状態で平行に配置し、非磁性基板（４）に印加するバイ
アス電圧および／または必要に応じて膜厚補正板（１
７）に印加される電圧とを調節し、非磁性基板（４）の
外周部の非データ領域に形成される保護層の厚さを制御
する点にある。The feature of the manufacturing method of the present invention is that when forming the protective layer containing carbon as a main component by the above-described film forming method, the diameter of the nonmagnetic substrate (4) is made of a conductive material. A film thickness correcting plate (17) provided with a ring-shaped space portion having a diameter equal to or larger than that of the non-magnetic substrate (4) is arranged in parallel with the non-magnetic substrate (4) in a non-contact and proximity state, Voltage and / or film thickness correction plate (1
7) is to control the thickness of the protective layer formed in the non-data area on the outer peripheral portion of the non-magnetic substrate (4) by adjusting the voltage applied to the non-magnetic substrate (4).
【００４７】膜厚補正板（１７）は、例えばアルミ等の
金属材料で構成される。そして、その外周部は、防着部
材（１１）の端部に電気絶縁部材（図示せず）を介して
固定され、内周部（１７ａ）は、外周部に設けられた支
持アーム（１８）に支持される。その結果、膜厚補正板
（１７）は、防着部材（１１）と同様、真空チャンバー
壁（５）の内周面に対して電気絶縁性の状態である。す
なわち、膜厚補正板（１７）は、防着部材（１１）と共
に、電気的に浮いて独立した状態（フロート電位）に維
持されている。ただし、膜厚補正板（１７）には電圧を
印加することが出来る。The film thickness correction plate (17) is made of a metal material such as aluminum. The outer peripheral portion is fixed to an end of the deposition-inhibiting member (11) via an electrical insulating member (not shown), and the inner peripheral portion (17a) is provided on a support arm (18) provided on the outer peripheral portion. Supported by As a result, the film thickness correction plate (17) is in an electrically insulating state with respect to the inner peripheral surface of the vacuum chamber wall (5), similarly to the deposition prevention member (11). That is, the film thickness correction plate (17) is maintained in an electrically floating and independent state (float potential) together with the deposition preventing member (11). However, a voltage can be applied to the film thickness correction plate (17).
【００４８】膜厚補正板（１７）のリング状空間部（内
側の空間部）の直径は、非磁性基板（４）の直径よりも
１〜１０ｍｍ大であることが好ましく、２〜５ｍｍ大で
あることが更に好ましい。また、図示した例の場合、２
枚の膜厚補正板（１７）を使用し、非磁性基板（４）に
平行に配置しているが、１枚の膜厚補正板（１７）を使
用し、そのリング状空間部の内部に非磁性基板（４）を
配置させてもよい。The diameter of the ring-shaped space (the inner space) of the film thickness correction plate (17) is preferably 1 to 10 mm larger than the diameter of the non-magnetic substrate (4), more preferably 2 to 5 mm. It is even more preferred. In the case of the illustrated example,
Although one film thickness compensating plate (17) is used and arranged in parallel with the non-magnetic substrate (4), one film thickness compensating plate (17) is used and the inside of the ring-shaped space portion is used. A non-magnetic substrate (4) may be provided.
【００４９】膜厚補正板（１７）が存在しない場合、基
板（４）の外周部と中心部は、保護層が厚く形成される
傾向があり、また、基板（４）の両面に同時に製膜する
際に左右のプラズマが互いに影響し合う領域となる。そ
こで、本発明においては、非磁性基板（４）に印加する
バイアス電圧および／または必要に応じて膜厚補正板
（１７）に印加される電圧とを調節することにより、非
磁性基板（４）の外周部の非データ領域に形成される保
護層の厚さを制御する。斯かる制御により、外方に向か
うに従って厚くなされた斜面構造の厚膜化が可能であ
る。また、同時に、膜厚補正板（１７）の内周部（１７
ａ）によって円盤状の基板（４）の中心部を覆う様にし
て基板（４）の外周部を除く全体、すなわち、データ領
域に形成される保護層の厚さを均一にする。When the film thickness correction plate (17) is not present, the protective layer tends to be thick at the outer peripheral portion and the central portion of the substrate (4), and the film is simultaneously formed on both surfaces of the substrate (4). This is an area where the left and right plasmas affect each other. Therefore, in the present invention, by adjusting the bias voltage applied to the non-magnetic substrate (4) and / or the voltage applied to the film thickness correction plate (17) as necessary, the non-magnetic substrate (4) is adjusted. The thickness of the protective layer formed in the non-data area on the outer peripheral portion is controlled. By such control, it is possible to increase the thickness of the slope structure that is made thicker outward. At the same time, the inner peripheral portion (17) of the film thickness correction plate (17)
By a), the thickness of the protective layer formed in the entire area except for the outer peripheral part of the substrate (4), that is, the protective layer formed in the data area is made uniform so as to cover the center part of the disk-shaped substrate (4).
【００５０】次に、本発明の磁気記録装置について説明
する。本発明の磁気記録装置は、ランプローディング方
式である。すなわち、磁気ディスクの近傍に例えばラン
プ部とフラット部とディテエンション部とが備えられた
ロード・アンロード機構を配置して構成される。そし
て、ヘッドアームは、磁気ディスクの休止時にはディテ
ェンション部に係留され、駆動時にはフラット部を通し
てランプ部の斜面を滑走し、回転磁気ディスク面上に運
ばれる（ロード）。これにより、フライングヘッドは、
回転磁気ディスク面上に形成された空気流動層に軟着陸
し、回転磁気ディスク面上を飛行しつつ情報の記録・再
生を行う。Next, the magnetic recording apparatus of the present invention will be described. The magnetic recording apparatus of the present invention is of a ramp loading type. That is, a load / unload mechanism provided with, for example, a ramp section, a flat section, and a detection section is arranged near the magnetic disk. When the magnetic disk is at rest, the head arm is moored at the deflection portion. When the head arm is driven, the head arm slides on the slope of the ramp portion through the flat portion and is carried on the rotating magnetic disk surface (load). This allows the flying head to
It softly lands on an air fluidized bed formed on the rotating magnetic disk surface, and records and reproduces information while flying over the rotating magnetic disk surface.
【００５１】本発明の磁気記録装置の特徴は、媒体とし
て、円盤状の非磁性基板の外周部に非データ領域を形成
して成り且つ当該非データ領域の保護層の厚さがその内
周部のデータ領域に均一厚さで形成された保護層よりも
厚くなされている前記の磁気ディスクを備えて成る点に
ある。従って、本発明の磁気記録装置によれば、ヘッド
アームのロード及びアンロードの際に起こり得る、フラ
イングヘッドの磁気ディスクの外周部への衝突に対し、
磁気ディスクの優れた耐久性によって大きな問題の発生
が防止される。The magnetic recording apparatus of the present invention is characterized in that a non-data area is formed on the outer periphery of a disk-shaped non-magnetic substrate as a medium, and the thickness of the protective layer in the non-data area is equal to the inner circumference. In the data area described above, the magnetic disk being thicker than a protective layer formed with a uniform thickness. Therefore, according to the magnetic recording apparatus of the present invention, the flying head can be prevented from colliding with the outer peripheral portion of the magnetic disk, which can occur when the head arm is loaded and unloaded.
The great durability of the magnetic disk prevents major problems from occurring.
【００５２】[0052]
【実施例】以下、実施例により本発明を更に詳細に説明
するが、本発明は、その要旨を超えない限り、以下の実
施例に限定されるものではない。EXAMPLES The present invention will be described in more detail with reference to the following Examples, but it should not be construed that the present invention is limited to the following Examples unless it exceeds the gist of the invention.
【００５３】なお、以下の例においては、保護層の製膜
の際には図１に示したＦ−ｐＣＶＤ装置を使用した。ま
た、基板として、表面平均粗さ１．５ｎｍ、直径９．５
ｃｍ（中心孔２．５ｃｍ）のＮｉ−Ｐメッキ被覆Ａｌ合
金ディスク基板を使用した。そして、基板上に表面粗さ
が１．０ｎｍになる様に機械テキスチャー加工（表面処
理）を施した。In the following example, the F-pCVD apparatus shown in FIG. 1 was used for forming the protective layer. The substrate has a surface average roughness of 1.5 nm and a diameter of 9.5.
A Ni-P plating-coated Al alloy disk substrate having a diameter of 2.5 cm (center hole: 2.5 cm) was used. Then, mechanical texture processing (surface treatment) was performed on the substrate so that the surface roughness became 1.0 nm.
【００５４】実施例１ 先ず、スパッタリング法により、基板温度２４０℃で、
Ｃｒ下地層（厚さ４０ｎｍ）、Ｃｏ合金磁性層（厚さ３
０ｎｍ）を形成した。Example 1 First, at a substrate temperature of 240 ° C. by a sputtering method,
Cr underlayer (thickness 40 nm), Co alloy magnetic layer (thickness 3
0 nm).
【００５５】次いで、図１に示すＦ−ｐＣＶＤ装置を使
用し、製膜原料ガスとしてトルエンガスを使用し、搬入
−ガス安定化−製膜−排気−搬出の一連の操作を繰り返
し、Ｃ保護層（厚さ４ｎｍ）を形成した。Then, using the F-pCVD apparatus shown in FIG. 1 and using toluene gas as a film forming raw material gas, a series of operations of carry-in, gas stabilization, film formation, exhaust, and carry-out are repeated to obtain a C protective layer. (Thickness: 4 nm).
【００５６】上記の製膜操作は、基板（４）の温度を２
００℃、トルエンの供給量を３．５ＳＣＣＭ（標準条件
における１分当たりのＣＣ数）、製膜室（１）内の圧力
を０．１Ｐａ、アノード（３）の印加電圧を７５Ｖと
し、プラズマ電流が１５００ｍＡとなる様にカソード電
源（８）を調整し、イオン加速用電源（２３）には電位
差が４００Ｖとなる様にバイアス電圧を印加し、２．５
秒間行った。In the above-mentioned film forming operation, the temperature of the substrate (4) is set to 2
The plasma current was set to 00 ° C., the supply amount of toluene was 3.5 SCCM (CC number per minute under standard conditions), the pressure in the film forming chamber (1) was 0.1 Pa, the voltage applied to the anode (3) was 75 V, and the plasma current was Is adjusted to 1500 mA, and a bias voltage is applied to the ion acceleration power supply (23) so that the potential difference becomes 400 V.
Seconds.
【００５７】次いで、Ｃ保護層の表面にパーフルオロポ
リエーテル液体潤滑剤を２ｎｍの厚さで塗布し、磁気デ
ィスクとした。Next, a 2 nm thick perfluoropolyether liquid lubricant was applied to the surface of the C protective layer to obtain a magnetic disk.
【００５８】以上の連続操作により、１万枚の磁気ディ
スクを連続的に製造した。そして、１千枚目毎に製膜後
にサンプリングした合計１０枚についてＣ保護層の厚さ
分布を測定した結果、基板（４）の外周から約０．３５
ｍｍの範囲の保護層は、その内側に均一厚さ４ｎｍで形
成された保護層に比して厚く形成されていた。具体的に
は、外方に向かうに従って厚くなされた斜面構造を有
し、厚さの最大値は８ｎｍであった。By the above continuous operation, 10,000 magnetic disks were continuously manufactured. Then, as a result of measuring the thickness distribution of the C protective layer for a total of 10 sheets sampled after the film formation for every 1,000th sheet, it was found that about 0.35
The protective layer in the range of mm was formed to be thicker than the protective layer having a uniform thickness of 4 nm on the inner side. Specifically, it had a slope structure that became thicker toward the outside, and the maximum value of the thickness was 8 nm.
【００５９】[0059]
【発明の効果】本発明によれば、ランプローディング方
式の磁気記録装置に好適に使用し得る新規な構造の磁気
ディスク及びその製造方法ならびに当該磁気ディスクを
使用したランプローディング方式の磁気記録装置が提供
され、本発明の工業的価値は大きい。According to the present invention, there is provided a magnetic disk having a novel structure which can be suitably used for a ramp loading type magnetic recording apparatus, a method of manufacturing the same, and a ramp loading type magnetic recording apparatus using the magnetic disk. Therefore, the industrial value of the present invention is great.
【図１】本発明において好適に使用されるＦ−ｐＣＶＤ
装置の一例の概念説明図FIG. 1 is an F-pCVD preferably used in the present invention.
Conceptual illustration of an example of the device
１：製膜室 ２：カソード ３：アノード ４：基板 ５：真空チャンバー壁 ６：接続管 ７：ソケット ８：カソード電源 ９：ソケット １０：アノード電源 １１：防着部材 １２：整流部 １３：ガス流路 １４：製膜原料ガス供給管 １５：昇降アーム １６：支持爪 １７：膜厚補正板 １７ａ：膜厚補正板の内周部 １８：支持アーム １９：冷却水循環路 ２０：冷却水供給管 ２１：アース ２２：アース ２３：イオン加速用電源 1: Film forming chamber 2: Cathode 3: Anode 4: Substrate 5: Vacuum chamber wall 6: Connection tube 7: Socket 8: Cathode power supply 9: Socket 10: Anode power supply 11: Deposition member 12: Rectification unit 13: Gas flow Path 14: film forming raw material gas supply pipe 15: elevating arm 16: support claw 17: film thickness correction plate 17a: inner peripheral portion of film thickness correction plate 18: support arm 19: cooling water circulation path 20: cooling water supply pipe 21: Earth 22: Earth 23: Power supply for ion acceleration
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 4K030 CA02 CA17 FA01 JA17 KA49 LA05 LA19 5D006 AA02 AA06 DA03 DA04 5D112 AA07 AA24 BC05 FA10 FB09 FB24 FB26 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page F term (reference) 4K030 CA02 CA17 FA01 JA17 KA49 LA05 LA19 5D006 AA02 AA06 DA03 DA04 5D112 AA07 AA24 BC05 FA10 FB09 FB24 FB26
Claims (3)
層と保護層とを順次に形成して成る磁気ディスクであっ
て、その外周部に非データ領域を形成して成り且つ当該
非データ領域の保護層の厚さがその内周部のデータ領域
に均一厚さで形成された保護層よりも厚くなされている
ことを特徴とする磁気ディスク。1. A magnetic disk in which at least a magnetic layer and a protective layer are sequentially formed on a disk-shaped non-magnetic substrate, wherein a non-data area is formed on an outer peripheral portion of the magnetic disk. A magnetic layer, wherein the thickness of the protective layer is greater than the thickness of the protective layer formed in the data area on the inner peripheral portion thereof.
層を形成した後に炭素が主成分である保護層を形成する
磁気ディスクの製造方法において、上記の保護層を形成
するに際し、製膜室内で真空条件下に加熱されたフィラ
メント状カソードとアノードとの間の放電により製膜原
料ガスをプラズマ状態とし、そして、マイナス電位によ
り上記のプラズマを基板表面に加速衝突させて製膜す
る、熱フィラメント−プラズマＣＶＤ装置を使用し、そ
して、導電性材料にて構成され且つ非磁性基板の直径と
同等以上の直径のリング状空間部が設けられた膜厚補正
板を非磁性基板と非接触かつ近接状態で平行に配置し、
非磁性基板に印加するバイアス電圧および／または必要
に応じて膜厚補正板に印加される電圧とを調節し、非磁
性基板の外周部の非データ領域に形成される保護層の厚
さを制御することを特徴とする磁気ディスクの製造方
法。2. A method for manufacturing a magnetic disk, comprising: forming a protective layer containing carbon as a main component after forming at least a magnetic layer on a disc-shaped nonmagnetic substrate; A hot filament is formed by forming a film-forming raw material gas into a plasma state by discharging between a filamentary cathode and an anode heated under vacuum conditions, and causing the plasma to accelerate and collide with a substrate surface at a negative potential. Using a plasma CVD apparatus, and contacting and non-contacting the film thickness compensating plate, which is made of a conductive material and has a ring-shaped space having a diameter equal to or greater than the diameter of the nonmagnetic substrate, in noncontact with the nonmagnetic substrate; Place them in parallel in a state,
Adjust the bias voltage applied to the non-magnetic substrate and / or the voltage applied to the film thickness correction plate as necessary to control the thickness of the protective layer formed in the non-data area on the outer periphery of the non-magnetic substrate A method of manufacturing a magnetic disk.
において、媒体として、請求項１に記載の磁気ディスク
を備えて成ることを特徴とする磁気記録装置。3. A magnetic recording device of a ramp loading type comprising a magnetic disk according to claim 1 as a medium.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11072084A JP2000268355A (en) | 1999-03-17 | 1999-03-17 | Magnetic disk and its manufacture, and magnetic recording apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11072084A JP2000268355A (en) | 1999-03-17 | 1999-03-17 | Magnetic disk and its manufacture, and magnetic recording apparatus |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000268355A true JP2000268355A (en) | 2000-09-29 |
Family
ID=13479194
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11072084A Pending JP2000268355A (en) | 1999-03-17 | 1999-03-17 | Magnetic disk and its manufacture, and magnetic recording apparatus |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000268355A (en) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2006351135A (en) * | 2005-06-17 | 2006-12-28 | Hoya Corp | Magnetic disk and manufacturing method for magnetic disk |
| JP2007265549A (en) * | 2006-03-29 | 2007-10-11 | Hoya Corp | Magnetic recording disk and its manufacturing method |
| US7501192B2 (en) | 2004-04-14 | 2009-03-10 | Fujitsu Limited | Recording medium including protection layer having unequal property |
-
1999
- 1999-03-17 JP JP11072084A patent/JP2000268355A/en active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7501192B2 (en) | 2004-04-14 | 2009-03-10 | Fujitsu Limited | Recording medium including protection layer having unequal property |
| JP2006351135A (en) * | 2005-06-17 | 2006-12-28 | Hoya Corp | Magnetic disk and manufacturing method for magnetic disk |
| JP2007265549A (en) * | 2006-03-29 | 2007-10-11 | Hoya Corp | Magnetic recording disk and its manufacturing method |
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