JP2000264762A - 耐酸化性ＳｉＣ−Ｓｉ複合材の製造方法 - Google Patents
耐酸化性ＳｉＣ−Ｓｉ複合材の製造方法Info
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- C04B2103/0004—Compounds chosen for the nature of their cations
- C04B2103/001—Alkaline earth metal or Mg-compounds
Abstract
(57)【要約】
【課題】 電子部品やセラミックス製品などを熱処理す
る焼成炉の部材をはじめ高温用の各種耐熱部材として好
適に用いられ、特に酸素濃度が低いアクティブ酸化領域
で優れた耐久性を発揮する耐酸化性ＳｉＣ−Ｓｉ複合材
の製造方法を提供する。 【解決手段】 骨格のベースとなるＳｉＣの気孔中に溶
融したＳｉを含浸充填したＳｉＣ−Ｓｉ複合材にＣａ塩
を添加し、１〜１０kg/cm2の窒素ガス加圧下に１２５０
〜１４００℃の温度で熱処理することを特徴とする耐酸
化性ＳｉＣ−Ｓｉ複合材の製造方法。
る焼成炉の部材をはじめ高温用の各種耐熱部材として好
適に用いられ、特に酸素濃度が低いアクティブ酸化領域
で優れた耐久性を発揮する耐酸化性ＳｉＣ−Ｓｉ複合材
の製造方法を提供する。 【解決手段】 骨格のベースとなるＳｉＣの気孔中に溶
融したＳｉを含浸充填したＳｉＣ−Ｓｉ複合材にＣａ塩
を添加し、１〜１０kg/cm2の窒素ガス加圧下に１２５０
〜１４００℃の温度で熱処理することを特徴とする耐酸
化性ＳｉＣ−Ｓｉ複合材の製造方法。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は高温加熱炉、例えば
電子部品やセラミックス製品などを熱処理する焼成炉の
部材をはじめ、高温用の各種部材として用いられ、特に
酸素濃度が低いアクティブ酸化領域で優れた耐久性を発
揮する耐酸化性ＳｉＣ−Ｓｉ複合材の製造方法に関す
る。
電子部品やセラミックス製品などを熱処理する焼成炉の
部材をはじめ、高温用の各種部材として用いられ、特に
酸素濃度が低いアクティブ酸化領域で優れた耐久性を発
揮する耐酸化性ＳｉＣ−Ｓｉ複合材の製造方法に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】ＳｉＣ焼結体は、耐熱性、高温強度、耐
熱衝撃性、耐摩耗性、耐蝕性などの材質特性に優れてお
り、高温用の各種構造部材として有用されている。通
常、ＳｉＣ焼結体はＳｉＣ粉粒を原料として、成形、焼
結する方法で製造されているが、ＳｉＣは共有結合性が
強いために焼結性が低く、緻密な焼結体を得ることが困
難である。そこで、ＳｉＣ焼結体の気孔中に溶融したＳ
ｉを含浸させて充填し、高緻密化を図ったＳｉＣ−Ｓｉ
複合材が高温用の各種部材、例えば、焼成炉用の治具、
さや、棚板、吊り棒、るつぼ、均熱管などとして使用さ
れている。
熱衝撃性、耐摩耗性、耐蝕性などの材質特性に優れてお
り、高温用の各種構造部材として有用されている。通
常、ＳｉＣ焼結体はＳｉＣ粉粒を原料として、成形、焼
結する方法で製造されているが、ＳｉＣは共有結合性が
強いために焼結性が低く、緻密な焼結体を得ることが困
難である。そこで、ＳｉＣ焼結体の気孔中に溶融したＳ
ｉを含浸させて充填し、高緻密化を図ったＳｉＣ−Ｓｉ
複合材が高温用の各種部材、例えば、焼成炉用の治具、
さや、棚板、吊り棒、るつぼ、均熱管などとして使用さ
れている。
【０００３】ＳｉＣ−Ｓｉ複合材は、高温酸化性雰囲気
下では表層面のＳｉが酸化されてＳｉＯ2 に転化し、酸
素の拡散侵入を阻止する酸化保護膜として機能するため
強い酸化抵抗性を備えている。しかしながら、酸素濃度
が低い、例えば酸素濃度数％以下のアクティブ酸化領域
では、ＳｉＣ及びＳｉは酸化されてＣＯガス及びＳｉＯ
ガスを生成し、生成したＳｉＯガスは加熱炉内の被加熱
物や炉部材などと反応して製品を汚染したり、得率低下
を招き、また、部材の耐用寿命を低下させたりする難点
がある。
下では表層面のＳｉが酸化されてＳｉＯ2 に転化し、酸
素の拡散侵入を阻止する酸化保護膜として機能するため
強い酸化抵抗性を備えている。しかしながら、酸素濃度
が低い、例えば酸素濃度数％以下のアクティブ酸化領域
では、ＳｉＣ及びＳｉは酸化されてＣＯガス及びＳｉＯ
ガスを生成し、生成したＳｉＯガスは加熱炉内の被加熱
物や炉部材などと反応して製品を汚染したり、得率低下
を招き、また、部材の耐用寿命を低下させたりする難点
がある。
【０００４】すなわち、ＳｉＣ−Ｓｉ複合材の表面に露
出しているフリーのＳｉは非常に活性な状態となってい
るため微量な酸素と反応して容易にＳｉＯガスを発生す
る。したがって、例えば焼成炉を密閉状態にした場合に
は、焼成炉内の雰囲気は容易に酸素濃度が低い状態とな
り、ＳｉＯガスが発生し易い状態となる。
出しているフリーのＳｉは非常に活性な状態となってい
るため微量な酸素と反応して容易にＳｉＯガスを発生す
る。したがって、例えば焼成炉を密閉状態にした場合に
は、焼成炉内の雰囲気は容易に酸素濃度が低い状態とな
り、ＳｉＯガスが発生し易い状態となる。
【０００５】そこで、本出願人は、これらの難点を解消
するために、ＳｉＣ７０〜９０重量％とＳｉ３０〜１０
重量％とからなるＳｉＣ−Ｓｉ複合材の表面に露出して
存在するＳｉをＳｉ3 Ｎ4 に転化させたことを特徴とす
る耐酸化性ＳｉＣ−Ｓｉ複合材、及び骨材としてのＳｉ
Ｃ体にＳｉを溶融含浸させたＳｉＣ−Ｓｉ複合材を窒素
雰囲気中で１４００〜２１００℃の温度で熱処理する耐
酸化性ＳｉＣ−Ｓｉ複合材の製造方法を提案（特願平10
−96525 号）した。この技術によれば、酸素濃度の低い
酸化領域においてもＳｉＯガスの発生を抑制し、充分な
耐酸化性を付与することができる。
するために、ＳｉＣ７０〜９０重量％とＳｉ３０〜１０
重量％とからなるＳｉＣ−Ｓｉ複合材の表面に露出して
存在するＳｉをＳｉ3 Ｎ4 に転化させたことを特徴とす
る耐酸化性ＳｉＣ−Ｓｉ複合材、及び骨材としてのＳｉ
Ｃ体にＳｉを溶融含浸させたＳｉＣ−Ｓｉ複合材を窒素
雰囲気中で１４００〜２１００℃の温度で熱処理する耐
酸化性ＳｉＣ−Ｓｉ複合材の製造方法を提案（特願平10
−96525 号）した。この技術によれば、酸素濃度の低い
酸化領域においてもＳｉＯガスの発生を抑制し、充分な
耐酸化性を付与することができる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、ＳｉＣ
−Ｓｉ複合材を窒素雰囲気中で熱処理する際に、Ｓｉの
融点１４１０℃近くの温度に加熱すると含浸しているＳ
ｉが溶融、液状化して一部が流出する。また、冷却する
際には、溶融Ｓｉの固化時に体積膨張が生じるために複
合材表面からＳｉが吹き出して空隙が発生する。このよ
うにしてＳｉの流出及び吹き出しによりＳｉＣ−Ｓｉ複
合材の表層部に空隙が発生すると、その部分が起点とな
ってチッピング（表面での組織の一部がはじけ飛ぶ現
象）が生じ、被処理物を汚染したり、材質強度が低下す
るなどの問題が発生する。
−Ｓｉ複合材を窒素雰囲気中で熱処理する際に、Ｓｉの
融点１４１０℃近くの温度に加熱すると含浸しているＳ
ｉが溶融、液状化して一部が流出する。また、冷却する
際には、溶融Ｓｉの固化時に体積膨張が生じるために複
合材表面からＳｉが吹き出して空隙が発生する。このよ
うにしてＳｉの流出及び吹き出しによりＳｉＣ−Ｓｉ複
合材の表層部に空隙が発生すると、その部分が起点とな
ってチッピング（表面での組織の一部がはじけ飛ぶ現
象）が生じ、被処理物を汚染したり、材質強度が低下す
るなどの問題が発生する。
【０００７】そこで、本発明者らはＳｉをＳｉ3 Ｎ4 に
転化する際の熱処理温度を下げ、少なくともＳｉの融点
を下回る温度で効率よく窒化する方策について研究を行
った結果、Ｃａ塩を存在させると窒化反応が促進され、
Ｓｉの溶融が起こる以下の温度で効率よくＳｉをＳｉ3
Ｎ4 に転化できることを見出した。
転化する際の熱処理温度を下げ、少なくともＳｉの融点
を下回る温度で効率よく窒化する方策について研究を行
った結果、Ｃａ塩を存在させると窒化反応が促進され、
Ｓｉの溶融が起こる以下の温度で効率よくＳｉをＳｉ3
Ｎ4 に転化できることを見出した。
【０００８】すなわち、本発明は上記の知見に基づいて
完成したもので、その目的は電子部品やセラミックス製
品などを熱処理する焼成炉の部材をはじめ、高温用の各
種部材として好適に用いられ、特に酸素濃度が低いアク
ティブ酸化領域で優れた耐久性を発揮する耐酸化性Ｓｉ
Ｃ−Ｓｉ複合材の製造方法を提供することにある。
完成したもので、その目的は電子部品やセラミックス製
品などを熱処理する焼成炉の部材をはじめ、高温用の各
種部材として好適に用いられ、特に酸素濃度が低いアク
ティブ酸化領域で優れた耐久性を発揮する耐酸化性Ｓｉ
Ｃ−Ｓｉ複合材の製造方法を提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めの本発明による耐酸化性ＳｉＣ−Ｓｉ複合材の製造方
法は、骨格のベースとなるＳｉＣの気孔中に溶融したＳ
ｉを含浸充填したＳｉＣ−Ｓｉ複合材にＣａ塩を添加
し、１〜１０kg/cm2の窒素ガス加圧下に１２５０〜１４
００℃の温度で熱処理することを構成上の特徴とする。
めの本発明による耐酸化性ＳｉＣ−Ｓｉ複合材の製造方
法は、骨格のベースとなるＳｉＣの気孔中に溶融したＳ
ｉを含浸充填したＳｉＣ−Ｓｉ複合材にＣａ塩を添加
し、１〜１０kg/cm2の窒素ガス加圧下に１２５０〜１４
００℃の温度で熱処理することを構成上の特徴とする。
【００１０】
【発明の実施の形態】ＳｉＣ−Ｓｉ複合材は、ＳｉＣ粉
末にメチルセルロースやグリセリンなどの有機バインダ
ー及び水を加えて混練し、混練物を加圧成形や鋳込成形
などにより成形したのち加熱乾燥し、このＳｉＣ成形体
を金属Ｓｉを接触させた状態、例えばＳｉＣ成形体をＳ
ｉ粉末で被包した状態でアルゴンガスなどの不活性雰囲
気中で加熱し、Ｓｉ粉末を溶融してＳｉＣ成形体の気孔
中に浸透含浸させることにより製造される。
末にメチルセルロースやグリセリンなどの有機バインダ
ー及び水を加えて混練し、混練物を加圧成形や鋳込成形
などにより成形したのち加熱乾燥し、このＳｉＣ成形体
を金属Ｓｉを接触させた状態、例えばＳｉＣ成形体をＳ
ｉ粉末で被包した状態でアルゴンガスなどの不活性雰囲
気中で加熱し、Ｓｉ粉末を溶融してＳｉＣ成形体の気孔
中に浸透含浸させることにより製造される。
【００１１】ＳｉＣ−Ｓｉ複合材の組成は特に制限され
るものではないが、ＳｉＣが７０〜９０wt％、Ｓｉが３
０〜１０wt％の組成比が好ましい。ＳｉＣが７０wt％未
満、Ｓｉが３０wt％を超えると含浸したＳｉ量が多いた
めに耐クリープ性や耐摩耗性が低下し、またＳｉＣが９
０wt％を越え、Ｓｉが１０wt％を下回ると残存する気孔
が多くなって、強度特性や耐酸化性の低下を招くことと
なる。
るものではないが、ＳｉＣが７０〜９０wt％、Ｓｉが３
０〜１０wt％の組成比が好ましい。ＳｉＣが７０wt％未
満、Ｓｉが３０wt％を超えると含浸したＳｉ量が多いた
めに耐クリープ性や耐摩耗性が低下し、またＳｉＣが９
０wt％を越え、Ｓｉが１０wt％を下回ると残存する気孔
が多くなって、強度特性や耐酸化性の低下を招くことと
なる。
【００１２】本発明の耐酸化性ＳｉＣ−Ｓｉ複合材の製
造方法は、このＳｉＣ−Ｓｉ複合材にＣａ塩を添加し、
１〜１０kg/cm2の窒素ガス加圧下に１２５０〜１４００
℃の温度で熱処理することにより複合材表層面に存在す
るＳｉを窒化してＳｉ3 Ｎ4に転化することを特徴とす
る。
造方法は、このＳｉＣ−Ｓｉ複合材にＣａ塩を添加し、
１〜１０kg/cm2の窒素ガス加圧下に１２５０〜１４００
℃の温度で熱処理することにより複合材表層面に存在す
るＳｉを窒化してＳｉ3 Ｎ4に転化することを特徴とす
る。
【００１３】Ｃａ塩はＳｉの窒化反応を促進し、３Ｓｉ
＋２Ｎ2 →Ｓｉ3 Ｎ4 の反応を生起するための反応温度
の低下に機能する。すなわち、窒化促進剤としてＣａ塩
を添加することによりＳｉ3 Ｎ4 に転化するための窒素
ガス中における熱処理温度の低温化を図ることが可能と
なる。したがって、添加されたＣａ塩はＳｉＣ−Ｓｉ複
合材の表面に存在すれば、窒化促進剤として充分に機能
することができる。
＋２Ｎ2 →Ｓｉ3 Ｎ4 の反応を生起するための反応温度
の低下に機能する。すなわち、窒化促進剤としてＣａ塩
を添加することによりＳｉ3 Ｎ4 に転化するための窒素
ガス中における熱処理温度の低温化を図ることが可能と
なる。したがって、添加されたＣａ塩はＳｉＣ−Ｓｉ複
合材の表面に存在すれば、窒化促進剤として充分に機能
することができる。
【００１４】ＳｉＣ−Ｓｉ複合材にＣａ塩を添加する方
法は、例えば、Ｃａ塩を含む水中にＳｉＣ−Ｓｉ複合材
を浸漬する方法、あるいはＣａ塩を含む水をＳｉＣ−Ｓ
ｉ複合材の表面に塗布する方法、などにより行うことが
できる。Ｃａ塩としてはＳｉＣ−Ｓｉ複合材の表面に均
等に存在させるために、塩化カルシウム、酢酸カルシウ
ムなど水溶性の無機塩、有機塩などが好ましく用いられ
るが、水溶解度の小さい硫酸カルシウム、炭酸カルシウ
ムなどのＣａ塩も水中に分散させて水懸濁液として用い
ることができる。
法は、例えば、Ｃａ塩を含む水中にＳｉＣ−Ｓｉ複合材
を浸漬する方法、あるいはＣａ塩を含む水をＳｉＣ−Ｓ
ｉ複合材の表面に塗布する方法、などにより行うことが
できる。Ｃａ塩としてはＳｉＣ−Ｓｉ複合材の表面に均
等に存在させるために、塩化カルシウム、酢酸カルシウ
ムなど水溶性の無機塩、有機塩などが好ましく用いられ
るが、水溶解度の小さい硫酸カルシウム、炭酸カルシウ
ムなどのＣａ塩も水中に分散させて水懸濁液として用い
ることができる。
【００１５】Ｃａ塩の添加は、Ｃａ塩を含む水中に浸漬
したり、Ｃａ塩を含む水を塗布されたＳｉＣ−Ｓｉ複合
材を乾燥して、その表面にＣａ塩を付着させることによ
り行われる。なお、Ｃａ塩の添加量は少量でも窒化促進
剤としての機能を果たすので、Ｃａ塩の水溶液や懸濁液
中のＣａ塩の濃度を適宜に設定することにより所要量の
Ｃａ塩をＳｉＣ−Ｓｉ複合材の表面に存在させることが
できる。
したり、Ｃａ塩を含む水を塗布されたＳｉＣ−Ｓｉ複合
材を乾燥して、その表面にＣａ塩を付着させることによ
り行われる。なお、Ｃａ塩の添加量は少量でも窒化促進
剤としての機能を果たすので、Ｃａ塩の水溶液や懸濁液
中のＣａ塩の濃度を適宜に設定することにより所要量の
Ｃａ塩をＳｉＣ−Ｓｉ複合材の表面に存在させることが
できる。
【００１６】更に、窒化反応を窒素ガス雰囲気中１〜１
０kg/cm2の加圧下に行うことによりＳｉ3 Ｎ4 への転化
が促進され、存在するＣａ塩と相乗的に機能して窒化反
応を生起させる熱処理温度の低温化を図ることができ
る。なお、圧力が１kg/cm2未満では低温化への効果が少
なく、一方１０kg/cm2を越える圧力下で処理しても著し
い低温化への効果は認められない。
０kg/cm2の加圧下に行うことによりＳｉ3 Ｎ4 への転化
が促進され、存在するＣａ塩と相乗的に機能して窒化反
応を生起させる熱処理温度の低温化を図ることができ
る。なお、圧力が１kg/cm2未満では低温化への効果が少
なく、一方１０kg/cm2を越える圧力下で処理しても著し
い低温化への効果は認められない。
【００１７】このようにして、ＳｉＣ−Ｓｉ複合材の表
層面に存在するＳｉを窒化するための熱処理温度を低く
してもＳｉ3 Ｎ4 に転化することができ、具体的には熱
処理温度を金属Ｓｉの融点以下の温度である１２５０〜
１４００℃の温度に設定しても、効果的にＳｉをＳｉ3
Ｎ4 に転化することが可能となる。
層面に存在するＳｉを窒化するための熱処理温度を低く
してもＳｉ3 Ｎ4 に転化することができ、具体的には熱
処理温度を金属Ｓｉの融点以下の温度である１２５０〜
１４００℃の温度に設定しても、効果的にＳｉをＳｉ3
Ｎ4 に転化することが可能となる。
【００１８】
【実施例】以下、本発明の実施例を比較例と対比して具
体的に説明する。
体的に説明する。
【００１９】実施例１〜２、比較例１〜２ 平均粒子径５０μm のＳｉＣ粉末にメチルセルロース及
び水を加えて混練し、混練物を成形したのち加熱乾燥
し、このＳｉＣ成形体の上に金属Ｓｉを敷きつめ、アル
ゴンガス中２０００℃の温度に加熱して金属Ｓｉを溶融
させ、ＳｉＣが焼結する際に生じる気孔中に金属Ｓｉの
融液を含浸充填した。このようにして、ＳｉＣが８０wt
％、Ｓｉが２０wt％の組成からなる縦横３００mm、高さ
１００mmのさや形状のＳｉＣ−Ｓｉ複合材を作製した。
び水を加えて混練し、混練物を成形したのち加熱乾燥
し、このＳｉＣ成形体の上に金属Ｓｉを敷きつめ、アル
ゴンガス中２０００℃の温度に加熱して金属Ｓｉを溶融
させ、ＳｉＣが焼結する際に生じる気孔中に金属Ｓｉの
融液を含浸充填した。このようにして、ＳｉＣが８０wt
％、Ｓｉが２０wt％の組成からなる縦横３００mm、高さ
１００mmのさや形状のＳｉＣ−Ｓｉ複合材を作製した。
【００２０】このＳｉＣ−Ｓｉ複合材を、塩化カルシウ
ム水溶液（濃度５wt％）に浸漬したのち取り出して１０
０℃で加熱乾燥し、次いで窒素ガス雰囲気下で窒素ガス
圧力及び温度を変えて熱処理した。このようにして表層
面のＳｉをＳｉ3 Ｎ4 に転化したＳｉＣ−Ｓｉ複合材を
製造した。
ム水溶液（濃度５wt％）に浸漬したのち取り出して１０
０℃で加熱乾燥し、次いで窒素ガス雰囲気下で窒素ガス
圧力及び温度を変えて熱処理した。このようにして表層
面のＳｉをＳｉ3 Ｎ4 に転化したＳｉＣ−Ｓｉ複合材を
製造した。
【００２１】実施例３ 塩化カルシウム水溶液（濃度５wt％）に代えて酢酸カル
シウム水溶液（濃度５wt％）を用いたほかは、実施例１
と同一の方法により表層面のＳｉをＳｉ3 Ｎ4に転化し
たＳｉＣ−Ｓｉ複合材を製造した。
シウム水溶液（濃度５wt％）を用いたほかは、実施例１
と同一の方法により表層面のＳｉをＳｉ3 Ｎ4に転化し
たＳｉＣ−Ｓｉ複合材を製造した。
【００２２】比較例３〜４ 作製したＳｉＣ−Ｓｉ複合材をＣａ水溶液に浸漬するこ
となく、窒素ガス圧、及び温度を変えて熱処理した。
となく、窒素ガス圧、及び温度を変えて熱処理した。
【００２３】これらのＳｉＣ−Ｓｉ複合材について、下
記の方法により耐酸化性能を評価した。得られた結果
を、製造条件と対比して表１に示した。 ＳｉＣ−Ｓｉ複合材を加熱炉に入れ、２ vol％の酸素
を含む窒素ガス雰囲気中１３００℃の温度に１時間加熱
した後の表面状態を目視観察した。 ＳｉＣ−Ｓｉ複合材を加熱炉に入れ、１ vol％の酸素
を含む窒素ガス雰囲気中１２５０℃の温度に加熱して１
時間保持したのち放冷して常温に冷却するという操作を
繰り返し行って表面状況を目視観察し、異常が発生する
までの繰り返し回数を測定した。
記の方法により耐酸化性能を評価した。得られた結果
を、製造条件と対比して表１に示した。 ＳｉＣ−Ｓｉ複合材を加熱炉に入れ、２ vol％の酸素
を含む窒素ガス雰囲気中１３００℃の温度に１時間加熱
した後の表面状態を目視観察した。 ＳｉＣ−Ｓｉ複合材を加熱炉に入れ、１ vol％の酸素
を含む窒素ガス雰囲気中１２５０℃の温度に加熱して１
時間保持したのち放冷して常温に冷却するという操作を
繰り返し行って表面状況を目視観察し、異常が発生する
までの繰り返し回数を測定した。
【００２４】
【表１】 （表注） *1 ; 塩化カルシウム水溶液（濃度５wt％）に浸漬処理の有無 *2 ; 酢酸カルシウム水溶液（濃度５wt％）に浸漬処理の有無 *3 ; ○…良好、×…生成物多い *4 ; Ａ… 500回以上、Ｂ… 100回程度、Ｃ… 1〜2 回
【００２５】表１の結果から、本発明で特定した製造要
件にしたがって製造した実施例１〜３のＳｉＣ−Ｓｉ複
合材は、いずれか１つの製造要件を欠く比較例１〜３の
ＳｉＣ−Ｓｉ複合材に比べて、酸素濃度の低いアクティ
ブ酸化領域における耐酸化性に優れていることが判る。
また、Ｃａ塩を添加せず、Ｓｉの融点以上の温度である
１８００℃の温度で熱処理した比較例４は、実施例１〜
３のＳｉＣ−Ｓｉ複合材に比較してアクティブ酸化領域
に繰り返し曝された場合の酸化による劣化が大きいこと
が認められる。
件にしたがって製造した実施例１〜３のＳｉＣ−Ｓｉ複
合材は、いずれか１つの製造要件を欠く比較例１〜３の
ＳｉＣ−Ｓｉ複合材に比べて、酸素濃度の低いアクティ
ブ酸化領域における耐酸化性に優れていることが判る。
また、Ｃａ塩を添加せず、Ｓｉの融点以上の温度である
１８００℃の温度で熱処理した比較例４は、実施例１〜
３のＳｉＣ−Ｓｉ複合材に比較してアクティブ酸化領域
に繰り返し曝された場合の酸化による劣化が大きいこと
が認められる。
【００２６】
【発明の効果】以上のとおり、本発明の耐酸化性ＳｉＣ
−Ｓｉ複合材の製造方法によれば、表面に露出して存在
するＳｉを窒化してＳｉ3 Ｎ4 に転化する場合にＳｉの
融点以下の温度で熱処理するので、熱処理時にＳｉの流
出や吹き出しによるＳｉＣ−Ｓｉ複合材表層部の空隙発
生が防止され、耐酸化性に優れ、特に酸素濃度の低いア
クティブ酸化領域における耐久性に優れたＳｉＣ−Ｓｉ
複合材を製造することが可能となる。したがって、電子
部品やセラミックス製品などを熱処理する焼成炉の部材
をはじめ、高温用の各種部材として好適に用いられる耐
酸化性ＳｉＣ−Ｓｉ複合材の製造方法として極めて有用
である。
−Ｓｉ複合材の製造方法によれば、表面に露出して存在
するＳｉを窒化してＳｉ3 Ｎ4 に転化する場合にＳｉの
融点以下の温度で熱処理するので、熱処理時にＳｉの流
出や吹き出しによるＳｉＣ−Ｓｉ複合材表層部の空隙発
生が防止され、耐酸化性に優れ、特に酸素濃度の低いア
クティブ酸化領域における耐久性に優れたＳｉＣ−Ｓｉ
複合材を製造することが可能となる。したがって、電子
部品やセラミックス製品などを熱処理する焼成炉の部材
をはじめ、高温用の各種部材として好適に用いられる耐
酸化性ＳｉＣ−Ｓｉ複合材の製造方法として極めて有用
である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 倉橋 一範 東京都新宿区西新宿６丁目14番１号 東海 高熱工業株式会社内 Ｆターム(参考） 4G001 BA22 BA62 BA76 BA81 BA82 BB07 BB22 BB32 BB62 BC13 BC33 BC45 BC48 BC52 BC54 BD07
Claims (1)
- 【請求項１】 骨格のベースとなるＳｉＣの気孔中に溶
融したＳｉを含浸充填したＳｉＣ−Ｓｉ複合材にＣａ塩
を添加し、１〜１０kg/cm2の窒素ガス加圧下に１２５０
〜１４００℃の温度で熱処理することを特徴とする耐酸
化性ＳｉＣ−Ｓｉ複合材の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11066304A JP2000264762A (ja) | 1999-03-12 | 1999-03-12 | 耐酸化性ＳｉＣ−Ｓｉ複合材の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11066304A JP2000264762A (ja) | 1999-03-12 | 1999-03-12 | 耐酸化性ＳｉＣ−Ｓｉ複合材の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000264762A true JP2000264762A (ja) | 2000-09-26 |
Family
ID=13311948
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11066304A Withdrawn JP2000264762A (ja) | 1999-03-12 | 1999-03-12 | 耐酸化性ＳｉＣ−Ｓｉ複合材の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000264762A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001027345A1 (fr) * | 1999-10-13 | 2001-04-19 | Asahi Glass Company, Limited | Cible de pulverisation et son procede de preparation, et procede de formation de film |
-
1999
- 1999-03-12 JP JP11066304A patent/JP2000264762A/ja not_active Withdrawn
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001027345A1 (fr) * | 1999-10-13 | 2001-04-19 | Asahi Glass Company, Limited | Cible de pulverisation et son procede de preparation, et procede de formation de film |
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