JP2000261272A - Low pass filter and electronic apparatus using this filter - Google Patents

Low pass filter and electronic apparatus using this filter

Info

Publication number
JP2000261272A
JP2000261272A JP11061793A JP6179399A JP2000261272A JP 2000261272 A JP2000261272 A JP 2000261272A JP 11061793 A JP11061793 A JP 11061793A JP 6179399 A JP6179399 A JP 6179399A JP 2000261272 A JP2000261272 A JP 2000261272A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
low
pass filter
dielectric
inductor
capacitor
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP11061793A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Teruhisa Tsuru
輝久 鶴
Takeshi Suesada
剛 末定
Harufumi Bandai
治文 萬代
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Murata Manufacturing Co Ltd
Original Assignee
Murata Manufacturing Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Murata Manufacturing Co Ltd filed Critical Murata Manufacturing Co Ltd
Priority to JP11061793A priority Critical patent/JP2000261272A/en
Publication of JP2000261272A publication Critical patent/JP2000261272A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To obtain a low pass filter, where extents of attenuation in a low frequency area and a high frequency area can be simultaneously secured, and an electronic apparatus using this filter. SOLUTION: A low pass filter 10 is provided with a laminate 11 where dielectric layers 111 to 116 having a low dielectric constant (dielectric constant: 6) are laminated, and inductor electrodes 121 to 123, capacitor electrodes 131 and 132, and a ground electrode 14 are provided in the laminate 11. In this case, only the area between capacitor electrodes 131 and 132 and the ground electrode 14 is formed with a dielectric layer 16 of a high dielectric constant (dielectric constant: 350). External terminals Ta and Tc to which one ends of inductor electrodes 121 and 123 are connected respectively from the upper face to the lower face on the minor axis side of the laminate 11 and external terminals Tb and Td to which the ground electrode 14 are connected from the upper face to the lower face in the major axis side are provided.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、低域通過フィルタ
及びそれを用いた電子機器に関し、特に、インダクタ形
成領域の誘電率よりもコンデンサ形成領域の誘電率を高
くし、ノイズ特性を向上させた低域通過フィルタ及びそ
れを用いた電子機器に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a low-pass filter and an electronic apparatus using the same, and more particularly, to improving the noise characteristic by increasing the dielectric constant of a capacitor forming area higher than that of an inductor forming area. The present invention relates to a low-pass filter and an electronic device using the same.

【0002】[0002]

【従来の技術】電子機器の急速な普及により、電子機器
の性能の向上が強く求められている。一般的な電子回路
については、より多くの回路素子がワンチップに納めら
れるなどして小型化が進む中、電子機器の回路部分から
発生する不要なノイズ、特に数十MHz帯の低域通過フ
ィルタの小型化が強く望まれている。また、製造コスト
の引き下げ、全体的な製造工程の簡略化などの既存の課
題に対する解決がより緊急に求められている。
2. Description of the Related Art With the rapid spread of electronic devices, there is a strong demand for improvements in the performance of electronic devices. For general electronic circuits, as more and more circuit elements are housed in one chip and miniaturization progresses, unnecessary noise generated from circuit parts of electronic equipment, especially low-pass filters in the tens of MHz band There is a strong demand for miniaturization. In addition, there is a more urgent need to solve existing problems such as reduction of manufacturing costs and simplification of the overall manufacturing process.

【0003】図9は、従来の低域通過フィルタの断面図
である。低域通過フィルタ50は、インダクタ部51と
コンデンサ部52を備えている。インダクタ部51は、
磁性体層53とインダクタ電極54とを交互に積層する
ことにより形成され、磁性体層53からなる積層体内に
重畳させた複数のインダクタ電極54が設けられてい
る。また、コンデンサ部52は、誘電体層55とコンデ
ンサ電極56とを交互に積層することにより形成され、
誘電体層55からなる積層体内に複数のコンデンサ電極
56が設けられている。そして、インダクタ部51とコ
ンデンサ部52とは互いに接合されて複合体57を形成
しており、複合体57の側面にはインダクタ部51のイ
ンダクタ電極54及びコンデンサ部52のコンデンサ電
極56とを接続する外部電極58が設けられている。
FIG. 9 is a sectional view of a conventional low-pass filter. The low-pass filter 50 includes an inductor unit 51 and a capacitor unit 52. The inductor unit 51 includes:
A plurality of inductor electrodes 54 are formed by alternately laminating the magnetic layers 53 and the inductor electrodes 54, and are superimposed in a laminated body composed of the magnetic layers 53. The capacitor section 52 is formed by alternately stacking dielectric layers 55 and capacitor electrodes 56,
A plurality of capacitor electrodes 56 are provided in a laminate made of the dielectric layer 55. The inductor portion 51 and the capacitor portion 52 are joined to each other to form a composite 57, and the side surface of the composite 57 is connected to the inductor electrode 54 of the inductor portion 51 and the capacitor electrode 56 of the capacitor portion 52. An external electrode 58 is provided.

【0004】図10は、従来の別の低域通過フィルタの
断面図である。低域通過フィルタ60は、インダクタ部
61とコンデンサ部62を備えている。インダクタ部6
1は、誘電体層63とインダクタ電極64とを交互に積
層することにより形成され、誘電体層63からなる積層
体内に重畳させた複数のインダクタ電極64が設けられ
ている。また、コンデンサ部62は、誘電体層63とコ
ンデンサ電極65とを交互に積層することにより形成さ
れ、誘電体層63からなる積層体内に複数のコンデンサ
電極65が設けられている。そして、インダクタ部61
とコンデンサ部62とは互いに接合されて複合体66を
形成しており、複合体66の側面にはインダクタ部61
のインダクタ電極64及びコンデンサ部62のコンデン
サ電極65とを接続する外部電極67が設けられてい
る。なお、コンデンサ電極65で挟まれた領域の誘電体
層の誘電率と他の領域の誘電体層の誘電率とは等しい。
FIG. 10 is a sectional view of another conventional low-pass filter. The low-pass filter 60 includes an inductor section 61 and a capacitor section 62. Inductor section 6
1 is formed by alternately laminating the dielectric layers 63 and the inductor electrodes 64, and is provided with a plurality of inductor electrodes 64 that are superimposed in a laminated body composed of the dielectric layers 63. The capacitor section 62 is formed by alternately stacking the dielectric layers 63 and the capacitor electrodes 65, and a plurality of capacitor electrodes 65 are provided in a stacked body including the dielectric layers 63. Then, the inductor section 61
And the capacitor portion 62 are joined to each other to form a composite 66, and the inductor portion 61
An external electrode 67 is provided for connecting the inductor electrode 64 of FIG. Note that the dielectric constant of the dielectric layer in the region sandwiched between the capacitor electrodes 65 is equal to the dielectric constant of the dielectric layer in the other region.

【0005】このようにして形成された低域通過フィル
タ50,60はインダクタ部品及びコンデンサ部品をそ
れぞれ別個に形成するよりも小型化が可能であり、高密
度実装に適しているとともに、製造コストの低減化、全
体的な製造工程の簡略化などにおいても優れている。
[0005] The low-pass filters 50 and 60 thus formed can be made smaller than the case where the inductor component and the capacitor component are separately formed, are suitable for high-density mounting, and have a low manufacturing cost. It is also excellent in reduction and simplification of the whole manufacturing process.

【0006】[0006]

【発明が解決しようとする課題】ところが、上記の従来
の低域通過フィルタにおいては、インダクタ部を構成す
る磁性体層の透磁率の周波数特性が200MHzを超え
ると劣化してくるため、高周波領域で減衰量を確保しよ
うとすると低周波領域にスプリアスが発生する。その結
果、低周波領域及び高周波領域の減衰量を同時に確保す
ることが困難であるという問題があった。
However, in the above-mentioned conventional low-pass filter, if the frequency characteristic of the magnetic permeability of the magnetic layer constituting the inductor part exceeds 200 MHz, it deteriorates. If an attempt is made to ensure the amount of attenuation, spurious components occur in the low frequency region. As a result, there is a problem that it is difficult to simultaneously secure the attenuation in the low frequency region and the high frequency region.

【0007】また、従来の別の低域通過フィルタにおい
ては、インダクタ部をコンデンサ部と等しい誘電率の誘
電体層からなる積層体に設けているため、大容量のコン
デンサを得るためにインダクタ部とコンデンサ部とを構
成する誘電体層の誘電率を高くすると、インダクタ部に
おいてインダクタンス成分Lとコンデンサ成分Cとによ
る自己共振回路を形成し、自己共振周波数f0(=1/
2π(L・C)1/2)以上の高周波領域ではインダクタ
がコイルとしてではなくコンデンサとして働く。その結
果、高周波領域の減衰量を確保することが困難であると
いう問題があった。
In another conventional low-pass filter, the inductor portion is provided in a laminate composed of a dielectric layer having the same dielectric constant as the capacitor portion. When the dielectric constant of the dielectric layer forming the capacitor portion is increased, a self-resonant circuit is formed by the inductance component L and the capacitor component C in the inductor portion, and the self-resonant frequency f0 (= 1 /
In a high frequency region of 2π (LC · 1/2 ) or more, the inductor works not as a coil but as a capacitor. As a result, there is a problem that it is difficult to secure the attenuation in the high frequency region.

【0008】本発明は、このような問題点を解決するた
めになされたものであり、低周波領域及び高周波領域の
減衰量を同時に確保することが可能な低域通過フィルタ
及びそれを用いた電子機器を提供することを目的とす
る。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve such a problem, and a low-pass filter capable of simultaneously securing attenuation in a low-frequency region and a high-frequency region, and an electronic device using the same. The purpose is to provide equipment.

【0009】[0009]

【課題を解決するための手段】上述する問題点を解決す
るため本発明の低域通過フィルタは、誘電体層を積層し
てなる積層体と、該積層体の内部に設けたインダクタ電
極と、前記積層体の内部に前記誘電体層を挟んで互いに
対向して設けたコンデンサ電極及びグランド電極とを備
え、前記インダクタ電極によりインダクタを形成し、前
記コンデンサ電極及び前記グランド電極によりコンデン
サを形成してなる低域通過フィルタにおいて、前記コン
デンサ電極の少なくとも1つと前記グランド電極との間
の領域の誘電体層の誘電率が、他の領域の誘電体層の誘
電率よりも高いことを特徴とする。
In order to solve the above-mentioned problems, a low-pass filter according to the present invention comprises: a laminate formed by laminating dielectric layers; an inductor electrode provided inside the laminate; A capacitor electrode and a ground electrode provided to face each other with the dielectric layer interposed therebetween in the multilayer body, an inductor is formed by the inductor electrode, and a capacitor is formed by the capacitor electrode and the ground electrode. In the low-pass filter, a dielectric layer in a region between at least one of the capacitor electrodes and the ground electrode has a higher dielectric constant than a dielectric layer in another region.

【0010】また、誘電体層を積層してなる積層体と、
該積層体の内部に設けたインダクタ電極と、前記積層体
の内部に前記誘電体層を挟んで互いに対向して設けたコ
ンデンサ電極及びグランド電極とを備え、前記インダク
タ電極によりインダクタを形成し、前記コンデンサ電極
及び前記グランド電極によりコンデンサを形成してなる
低域通過フィルタにおいて、前記コンデンサ電極の少な
くとも1つと前記グランド電極との間の領域の誘電体層
の誘電率が、他の領域の誘電体層の誘電率よりも高く、
前記コンデンサ電極の残りと前記グランド電極との間の
領域の誘電体層の誘電率が、前記他の領域の誘電体層の
誘電率と同じであることを特徴とする。
[0010] Further, a laminate formed by laminating dielectric layers,
An inductor electrode provided inside the laminate, a capacitor electrode and a ground electrode provided opposite to each other with the dielectric layer interposed inside the laminate, forming an inductor with the inductor electrode; In a low-pass filter in which a capacitor is formed by a capacitor electrode and the ground electrode, a dielectric layer in a region between at least one of the capacitor electrodes and the ground electrode has a dielectric constant in another region. Higher than the dielectric constant of
The dielectric constant of the dielectric layer in a region between the rest of the capacitor electrode and the ground electrode is the same as the dielectric constant of the dielectric layer in the other region.

【0011】本発明の電子機器は、上述の低域通過フィ
ルタを用いたことを特徴とする。
An electronic device according to the present invention is characterized by using the above-mentioned low-pass filter.

【0012】本発明の低域通過フィルタによれば、コン
デンサを形成するコンデンサ電極の少なくとも1つとグ
ランド電極との間の誘電体の誘電率が、他の領域の誘電
体の誘電率よりも高いため、大容量のコンデンサを形成
することができる。また、インダクタを低い誘電率の誘
電体層からなる積層体の内部に形成することができる。
According to the low-pass filter of the present invention, the dielectric constant between at least one of the capacitor electrodes forming the capacitor and the ground electrode is higher than the dielectric constant of the dielectric in other regions. , A large-capacity capacitor can be formed. In addition, the inductor can be formed inside a laminate composed of a dielectric layer having a low dielectric constant.

【0013】本発明の電子機器によれば、数十MHzの
低周波領域から数GHzの高周波帯域まで十分な減衰を
得ることができる低域通過フィルタを用いるため、ノイ
ズなどの不要な帯域の信号を除去することができ、その
結果、ノイズ特性に優れた電子機器を提供することがで
きる。
According to the electronic apparatus of the present invention, since a low-pass filter capable of obtaining sufficient attenuation from a low frequency region of several tens of MHz to a high frequency band of several GHz is used, signals in unnecessary bands such as noise are used. Can be removed, and as a result, an electronic device having excellent noise characteristics can be provided.

【0014】[0014]

【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施例を説明する。図1及び図2は、本発明に係る低域通
過フィルタの第1の実施例の斜視図及び断面図である。
低域通過フィルタ10は、誘電率が6の酸化バリウム、
酸化アルミニウム、シリカを主成分とする誘電体セラミ
ックからなる誘電体層111〜116を積層してなる積
層体11を備える。
Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. 1 and 2 are a perspective view and a sectional view, respectively, of a first embodiment of a low-pass filter according to the present invention.
The low-pass filter 10 includes a barium oxide having a dielectric constant of 6,
A laminated body 11 is formed by laminating dielectric layers 111 to 116 made of a dielectric ceramic containing aluminum oxide and silica as main components.

【0015】積層体11の内部にはインダクタ電極12
1〜123、コンデンサ電極131,132及びグラン
ド電極14が設けられ、インダクタ電極121とコンデ
ンサ電極131、インダクタ電極122とコンデンサ電
極132、インダクタ電極121とインダクタ電極12
2、及びインダクタ電極122とインダクタ電極123
はそれぞれビアホール電極15で接続される。また、コ
ンデンサ電極131,132とグランド電極14とは互
いに対向している。
An inductor electrode 12 is provided inside the laminate 11.
1 to 123, capacitor electrodes 131 and 132, and a ground electrode 14. The inductor electrode 121 and the capacitor electrode 131, the inductor electrode 122 and the capacitor electrode 132, the inductor electrode 121 and the inductor electrode 12 are provided.
2, the inductor electrode 122 and the inductor electrode 123
Are connected by via-hole electrodes 15, respectively. The capacitor electrodes 131 and 132 and the ground electrode 14 face each other.

【0016】この際、コンデンサ電極131,132と
グランド電極14との間の領域のみが、誘電体層111
〜116の誘電率6よりも高い誘電率350を有する酸
化バリウム、酸化ネオジウム、酸化チタンを主成分とす
る誘電体セラミックからなる誘電体層16により形成さ
れる。
At this time, only the region between the capacitor electrodes 131 and 132 and the ground electrode 14 is
It is formed by a dielectric layer 16 made of a dielectric ceramic mainly composed of barium oxide, neodymium oxide, and titanium oxide having a dielectric constant 350 higher than the dielectric constant 6 of の 116.

【0017】積層体11の上面から下面にかけて外部端
子Ta〜Tdが設けられ、積層体11の短軸側の外部端
子Ta,Tcにはインダクタ電極121,123の一端
がそれぞれ接続され、図示していないが、積層体11の
長軸側の外部端子Tb,Tdにはグランド電極14が接
続される。
External terminals Ta to Td are provided from the upper surface to the lower surface of the multilayer body 11, and one ends of inductor electrodes 121 and 123 are connected to the external terminals Ta and Tc on the short axis side of the multilayer body 11, respectively. Although not provided, the ground electrode 14 is connected to the external terminals Tb and Td on the long axis side of the multilayer body 11.

【0018】以上のように構成することにより、積層体
11の内部において、コンデンサ電極131,132と
グランド電極14との間の領域の誘電体層16の誘電率
が、他の領域の誘電体層111〜116の誘電率よりも
高い低域通過フィルタ10が形成できる。
With the above-described configuration, the dielectric constant of the dielectric layer 16 in the region between the capacitor electrodes 131 and 132 and the ground electrode 14 within the multilayer body 11 is changed to the dielectric layer in the other region. A low-pass filter 10 having a dielectric constant higher than 111 to 116 can be formed.

【0019】そして、低域通過フィルタ10は、図3に
示すように、低い誘電率の誘電体層113〜115に設
けられたインダクタ電極121〜123で構成されるイ
ンダクタLと、高い誘電率の誘電体層16を挟んだコン
デンサ電極131,132及びグランド電極14で構成
されるコンデンサC1,C2とをπ型に接続した等価回
路となる。また、低域通過フィルタ10の大きさは、
4.5×3.2×0.9(mm)と非常に小型になる。
As shown in FIG. 3, the low-pass filter 10 includes an inductor L composed of inductor electrodes 121 to 123 provided on dielectric layers 113 to 115 having a low dielectric constant, and an inductor L having a high dielectric constant. An equivalent circuit is obtained in which the capacitors C1 and C2, which include the capacitor electrodes 131 and 132 and the ground electrode 14 with the dielectric layer 16 interposed therebetween, are connected in a π-type. The size of the low-pass filter 10 is
It is extremely small, 4.5 × 3.2 × 0.9 (mm).

【0020】図4は、図1の低域通過フィルタの減衰特
性である。この際、低域通過フィルタ10のインダクタ
Lは約150nH、コンデンサC1,C2は約445p
Fである。
FIG. 4 shows the attenuation characteristics of the low-pass filter of FIG. At this time, the inductor L of the low-pass filter 10 is about 150 nH, and the capacitors C1 and C2 are about 445 pH.
F.

【0021】この図から、50MHzで40dB以上の
減衰が得られ、3GHz付近でも30dB近い減衰が得
られていることが解る。すなわち、低周波領域でのスプ
リアスを抑制し、数十MHzの低周波領域から数GHz
の高周波帯域まで十分な減衰が得られている。
From this figure, it can be seen that an attenuation of 40 dB or more is obtained at 50 MHz, and an attenuation of about 30 dB is obtained even at around 3 GHz. That is, the spurious in the low frequency region is suppressed, and the low frequency region of several tens MHz is reduced to several GHz.
Sufficient attenuation is obtained up to the high frequency band.

【0022】図5は、図1の低域通過フィルタの製造工
程図である。まず、図5(a)に示すように、酸化バリ
ウム、酸化アルミニウム、シリカを主成分とする誘電体
セラミックからなる6枚の誘電体層111〜116を用
意する。
FIG. 5 is a manufacturing process diagram of the low-pass filter of FIG. First, as shown in FIG. 5A, six dielectric layers 111 to 116 made of a dielectric ceramic containing barium oxide, aluminum oxide and silica as main components are prepared.

【0023】次いで、図5(b)に示すように、誘電体
層113〜115に対して、ビアホール17のパンチを
行う。同時に、誘電体層112に対して、誘電体層形成
孔18のパンチを行う。次いで、誘電体層112の誘電
体層形成孔18に酸化バリウム、酸化ネオジウム、酸化
チタンを主成分とする誘電体セラミックペーストを充填
し、高誘電率の誘電体層16を形成する。
Next, as shown in FIG. 5B, a via hole 17 is punched in the dielectric layers 113 to 115. At the same time, punching of the dielectric layer forming holes 18 is performed on the dielectric layer 112. Next, the dielectric layer forming hole 18 of the dielectric layer 112 is filled with a dielectric ceramic paste containing barium oxide, neodymium oxide, and titanium oxide as main components to form the dielectric layer 16 having a high dielectric constant.

【0024】次いで、図5(c)に示すように、誘電体
層113〜115の各ビアホール17に銅あるいは銅合
金などの導電ペーストを充填し、ビアホール電極15を
形成する。次いで、誘電体層111〜115の上面に、
銅あるいは銅合金などの導体ペーストをスクリーン印刷
し、インダクタ電極121〜123、コンデンサ電極1
31,132及びグランド電極14を形成する。
Next, as shown in FIG. 5C, a conductive paste such as copper or a copper alloy is filled in the via holes 17 of the dielectric layers 113 to 115 to form via hole electrodes 15. Next, on the upper surfaces of the dielectric layers 111 to 115,
A conductor paste such as copper or a copper alloy is screen-printed, and the inductor electrodes 121 to 123 and the capacitor electrode 1 are printed.
31 and 132 and the ground electrode 14 are formed.

【0025】次いで、図5(d)に示すように、誘電体
層111〜116を順次積層した後、上方から加圧しな
がら、還元雰囲気中にて900℃程度の温度で焼成し
て、積層体11を形成する。次いで、積層体11の側面
に、銅あるいは銅合金などの導体ペーストをスクリーン
印刷し、焼き付け、外部端子Ta〜Tdを形成すること
により低域通過フィルタ10が完成することになる。
Next, as shown in FIG. 5D, after sequentially stacking the dielectric layers 111 to 116, the layers are baked at a temperature of about 900 ° C. in a reducing atmosphere while applying pressure from above to obtain a laminate. 11 is formed. Then, a conductor paste such as copper or a copper alloy is screen-printed and baked on the side surfaces of the laminate 11 to form the external terminals Ta to Td, thereby completing the low-pass filter 10.

【0026】上述の第1の実施例の低域通過フィルタに
よれば、コンデンサを形成するコンデンサ電極の少なく
とも1つとグランド電極との間の誘電体の誘電率が、他
の領域の誘電体の誘電率よりも高いため、大容量のコン
デンサを形成することができる。また、インダクタを低
い誘電率の誘電体の内部に形成することができる。
According to the low-pass filter of the first embodiment, the dielectric constant of the dielectric between at least one of the capacitor electrodes forming the capacitor and the ground electrode is different from that of the dielectric in other regions. Therefore, a large-capacity capacitor can be formed. Also, the inductor can be formed inside a dielectric having a low dielectric constant.

【0027】したがって、低周波領域でのスプリアスを
抑制し、低周波領域及び高周波領域においてインダクタ
をコイルとして働かすことができるため、数十MHzの
低周波領域から数GHzの高周波帯域まで十分な減衰を
得ることができる。すなわち、低域通過フィルタの減衰
特性の劣化を防止できている。
Therefore, the spurious in the low frequency region can be suppressed, and the inductor can work as a coil in the low frequency region and the high frequency region. Therefore, sufficient attenuation can be provided from a low frequency region of several tens of MHz to a high frequency band of several GHz. Obtainable. That is, deterioration of the attenuation characteristic of the low-pass filter can be prevented.

【0028】また、誘電率の高い誘電体でコンデンサと
コンデンサとの間の誘電体の誘電率が低いため、コンデ
ンサ間の浮遊容量を抑えることができ、低域通過フィル
タの特性を向上させることができる。
Further, since the dielectric constant between the capacitors is low due to the high dielectric constant, the stray capacitance between the capacitors can be suppressed, and the characteristics of the low-pass filter can be improved. it can.

【0029】さらに、コンデンサ電極とグランド電極と
の間の領域の誘電体層の誘電率を所望の値にすることに
より、低域通過フィルタのコンデンサの値を制御するこ
とができ、低域通過フィルタの特性を容易に所望の特性
に制御することができる。
Further, by setting the dielectric constant of the dielectric layer in a region between the capacitor electrode and the ground electrode to a desired value, the value of the capacitor of the low-pass filter can be controlled. Can easily be controlled to desired characteristics.

【0030】また、低域通過フィルタが誘電体層を積層
してなる積層体を備えるため、誘電体層の層数を増減さ
せることにより、低域通過フィルタのインダクタを構成
するインダクタ電極、コンデンサを構成するコンデンサ
電極を増減させることができ、低域通過フィルタの特性
を容易に所望の特性にすることができる。
Further, since the low-pass filter includes a laminated body formed by laminating dielectric layers, the number of dielectric layers is increased or decreased to reduce the number of dielectric layers and the inductor electrodes and capacitors constituting the inductor of the low-pass filter. The number of constituent capacitor electrodes can be increased or decreased, and the characteristics of the low-pass filter can be easily set to desired characteristics.

【0031】さらに、この低域通過フィルタを電子機器
に用いれば、ノイズなどの不要な帯域の信号を除去する
ことができるため、ノイズ特性に優れた電子機器を提供
することができる。
Furthermore, if this low-pass filter is used in an electronic device, signals in unnecessary bands such as noise can be removed, so that an electronic device having excellent noise characteristics can be provided.

【0032】図6は、本発明に係る低域通過フィルタの
第2の実施例の断面図である。低域通過フィルタ20
は、誘電率が6の酸化バリウム、酸化アルミニウム、シ
リカを主成分とする誘電体セラミックからなる誘電体層
211〜216を積層してなる積層体21を備える。
FIG. 6 is a sectional view of a second embodiment of the low-pass filter according to the present invention. Low-pass filter 20
Has a laminated body 21 formed by laminating dielectric layers 211 to 216 made of a dielectric ceramic mainly composed of barium oxide, aluminum oxide, and silica having a dielectric constant of 6.

【0033】積層体21の内部にはインダクタ電極22
1〜225、コンデンサ電極231〜233及びグラン
ド電極24が設けられ、インダクタ電極221とコンデ
ンサ電極231、インダクタ電極222,223とコン
デンサ電極232、インダクタ電極225とコンデンサ
電極233、インダクタ電極221とインダクタ電極2
22、インダクタ電極222とインダクタ電極223、
及びインダクタ電極224とインダクタ電極225はそ
れぞれビアホール電極25で接続される。また、コンデ
ンサ電極231〜233とグランド電極24とは互いに
対向している。
An inductor electrode 22 is provided inside the laminate 21.
1 to 225, capacitor electrodes 231 to 233, and a ground electrode 24. The inductor electrode 221 and the capacitor electrode 231, the inductor electrodes 222 and 223 and the capacitor electrode 232, the inductor electrode 225 and the capacitor electrode 233, the inductor electrode 221 and the inductor electrode 2
22, an inductor electrode 222 and an inductor electrode 223,
In addition, the inductor electrode 224 and the inductor electrode 225 are connected by the via hole electrode 25, respectively. The capacitor electrodes 231 to 233 and the ground electrode 24 face each other.

【0034】この際、コンデンサ電極231,232と
グランド電極24との間の領域のみが、誘電体層211
〜216の誘電率6よりも高い誘電率350を有する酸
化バリウム、酸化ネオジウム、酸化チタンを主成分とす
る誘電体セラミックからなる誘電体層26により形成さ
れる。
At this time, only the region between the capacitor electrodes 231 and 232 and the ground electrode 24 is
The dielectric layer 26 is made of a dielectric ceramic containing barium oxide, neodymium oxide, and titanium oxide having a dielectric constant 350 higher than the dielectric constant 6 of 6216.

【0035】積層体21の上面から下面にかけて外部端
子Ta〜Tdが設けられ、積層体21の短軸側の外部端
子Ta,Tcにはインダクタ電極221,225の一端
がそれぞれ接続され、図示していないが、積層体21の
長軸側の外部端子Tb,Tdにはグランド電極24が接
続される。
External terminals Ta to Td are provided from the upper surface to the lower surface of the multilayer body 21, and one ends of inductor electrodes 221 and 225 are connected to the external terminals Ta and Tc on the short axis side of the multilayer body 21, respectively. However, the ground electrode 24 is connected to the external terminals Tb and Td on the long axis side of the laminate 21.

【0036】以上のように構成することにより、積層体
21の内部において、コンデンサ電極231,232と
グランド電極24との間の領域の誘電体層26の誘電率
が、他の領域の誘電体層211〜216の誘電率よりも
高い低域通過フィルタ20が形成できる。
With the above-described structure, the dielectric constant of the dielectric layer 26 in the region between the capacitor electrodes 231 and 232 and the ground electrode 24 inside the multilayer body 21 is reduced. A low-pass filter 20 having a higher dielectric constant than 211 to 216 can be formed.

【0037】そして、低域通過フィルタ20は、図7に
示すように、低い誘電率の誘電体層213〜215に設
けられたインダクタ電極221〜225で構成されるイ
ンダクタL1,L2と、高い誘電率の誘電体層26を挟
んだコンデンサ電極231,232及びグランド電極2
4で構成される大容量のコンデンサC1,C2と、低い
誘電率の誘電体層212を挟んだコンデンサ電極233
及びグランド電極24で構成される低容量のコンデンサ
C3とをπ型に接続した等価回路となる。
As shown in FIG. 7, the low-pass filter 20 includes inductors L1 and L2 formed of inductor electrodes 221 to 225 provided on dielectric layers 213 to 215 having a low dielectric constant, and high dielectric constants. Electrodes 231 and 232 and the ground electrode 2 sandwiching the dielectric layer 26
4 and a capacitor electrode 233 with a low dielectric constant dielectric layer 212 interposed therebetween.
And a low-capacitance capacitor C3 composed of the ground electrode 24 and an n-type capacitor.

【0038】なお、低域通過フィルタ20の製造方法
は、図5の低域通過フィルタ10の製造方法と同様であ
る。
The method for manufacturing the low-pass filter 20 is the same as the method for manufacturing the low-pass filter 10 shown in FIG.

【0039】図8は、図6の低域通過フィルタの減衰特
性である。この際、低域通過フィルタ20のインダクタ
L1は約150nH、インダクタL2は約10nH、コ
ンデンサC1,C2は約445pF、コンデンサC3は
約4pFである。
FIG. 8 shows the attenuation characteristics of the low-pass filter of FIG. At this time, the inductor L1 of the low-pass filter 20 is about 150 nH, the inductor L2 is about 10 nH, the capacitors C1 and C2 are about 445 pF, and the capacitor C3 is about 4 pF.

【0040】この図から、第1の実施例の低域通過フィ
ルタ10の特性に加え、3GHz付近でも50dB以上
の減衰が得られ、50MHzから3GHzまで40dB
以上の減衰が十分に得られていることが解る。すなわ
ち、数十MHzの低周波領域から数GHzの高周波帯域
までより十分な減衰が得られている。
From this figure, in addition to the characteristics of the low-pass filter 10 of the first embodiment, an attenuation of 50 dB or more is obtained near 3 GHz, and 40 dB from 50 MHz to 3 GHz.
It can be seen that the above attenuation is sufficiently obtained. That is, more sufficient attenuation is obtained from a low frequency region of several tens of MHz to a high frequency band of several GHz.

【0041】上述の第2の実施例の低域通過フィルタに
よれば、低い誘電率の誘電体層からなる積層体の内部
に、低域通過フィルタのインダクタ及び小容量のコンデ
ンサを形成しているため、インダクタ及び小容量のコン
デンサで構成されるLC共振回路により高周波領域の減
衰量を確保することができ、その結果、高周波領域の減
衰をさらに向上させることができる。したがって、数十
MHzの低周波領域から数GHzの高周波帯域までより
十分な減衰を得ることができる。
According to the low-pass filter of the second embodiment, the inductor and the small-capacitance capacitor of the low-pass filter are formed inside the laminated body composed of the dielectric layers having the low dielectric constant. Therefore, the amount of attenuation in the high frequency region can be secured by the LC resonance circuit including the inductor and the small-capacity capacitor, and as a result, the attenuation in the high frequency region can be further improved. Therefore, more sufficient attenuation can be obtained from a low frequency region of several tens of MHz to a high frequency band of several GHz.

【0042】なお、上述の第1及び第2の実施例の低域
通過フィルタでは、誘電率の高い誘電体層が酸化バリウ
ム、酸化ネオジウム、酸化チタンを主成分とする誘電体
セラミックで構成される場合について説明したが、誘電
体層としてはこれらの材料に限定されるものではなく、
酸化マグネシウムを主成分とする誘電率が10〜20程
度の誘電体セラミック、酸化ビスマスを主成分とする誘
電率が400〜500程度の誘電体セラミックなど積層
体を構成する誘電体層よりも誘電率が高いものであれば
同様の効果が得られる。
In the low-pass filters of the first and second embodiments, the dielectric layer having a high dielectric constant is made of a dielectric ceramic containing barium oxide, neodymium oxide and titanium oxide as main components. Although the case has been described, the dielectric layer is not limited to these materials,
Dielectric ceramics having a dielectric constant of about 10 to 20 containing magnesium oxide as a main component, and dielectric ceramics containing bismuth oxide as a main component having a dielectric constant of about 400 to 500 have higher dielectric constants than dielectric layers constituting a laminate. Is higher, the same effect can be obtained.

【0043】また、誘電率の高い誘電体層が同一の誘電
体セラミックで構成される場合について説明したが、異
なる誘電体セラミックで構成されても積層体を構成する
誘電体層よりも誘電率が高いものであれば同様の効果が
得られる。
Further, the case where the dielectric layers having a high dielectric constant are formed of the same dielectric ceramic has been described. However, even if the dielectric layers are formed of different dielectric ceramics, the dielectric layers have higher dielectric constants than the dielectric layers forming the laminate. The same effect can be obtained if it is high.

【0044】[0044]

【発明の効果】請求項1の低域通過フィルタによれば、
コンデンサ電極とグランド電極との間の誘電体の誘電率
が、他の領域の誘電体の誘電率よりも高いため、大容量
のコンデンサを形成することができる。また、インダク
タを低い誘電率の誘電体層からなる積層体の内部に形成
することができる。
According to the low-pass filter of the first aspect,
Since the dielectric constant of the dielectric between the capacitor electrode and the ground electrode is higher than the dielectric constant of the dielectric in other regions, a large-capacity capacitor can be formed. In addition, the inductor can be formed inside a laminate composed of a dielectric layer having a low dielectric constant.

【0045】したがって、低周波領域でのスプリアスを
抑制し、低周波領域及び高周波領域においてインダクタ
をコイルとして働かすことができるため、数十MHzの
低周波領域から数GHzの高周波帯域まで十分な減衰を
得ることができる。
Therefore, the spurious in the low frequency region can be suppressed, and the inductor can function as a coil in the low frequency region and the high frequency region. Therefore, sufficient attenuation can be provided from the low frequency region of several tens of MHz to the high frequency band of several GHz. Obtainable.

【0046】また、誘電率の高い誘電体でコンデンサと
コンデンサとの間の誘電体の誘電率が低いため、コンデ
ンサ間の浮遊容量を抑えることができ、低域通過フィル
タの特性を向上させることができる。
In addition, since the dielectric constant between the capacitors is low due to the high dielectric constant, the stray capacitance between the capacitors can be suppressed, and the characteristics of the low-pass filter can be improved. it can.

【0047】さらに、コンデンサ電極とグランド電極と
の間の領域の誘電体層の誘電率を所望の値にすることに
より、低域通過フィルタのコンデンサの値を制御するこ
とができ、低域通過フィルタの特性を容易に所望の特性
に制御することができる。
Further, by setting the dielectric constant of the dielectric layer in the region between the capacitor electrode and the ground electrode to a desired value, the value of the capacitor of the low-pass filter can be controlled. Can easily be controlled to desired characteristics.

【0048】また、低域通過フィルタが誘電体層を積層
してなる積層体を備えるため、誘電体層の層数を増減さ
せることにより、低域通過フィルタのインダクタを構成
するインダクタ電極、コンデンサを構成するコンデンサ
電極を増減させることができ、低域通過フィルタの特性
を容易に所望の特性にすることができる。
Further, since the low-pass filter has a laminated body formed by laminating dielectric layers, the number of dielectric layers is increased or decreased to reduce the number of dielectric layers and the inductor electrodes and capacitors constituting the inductor of the low-pass filter. The number of constituent capacitor electrodes can be increased or decreased, and the characteristics of the low-pass filter can be easily set to desired characteristics.

【0049】請求項2の低域通過フィルタによれば、コ
ンデンサ電極の少なくとも1つとグランド電極との間の
誘電体の誘電率が、他の領域の誘電体の誘電率よりも高
く、コンデンサ電極の残りとグランド電極との間の誘電
体の誘電率が、他の領域の誘電体の誘電率と同じである
ため、大容量及び小容量のコンデンサを同一の積層体の
内部に形成することができる。また、インダクタを低い
誘電率の誘電体層からなる積層体の内部に形成すること
ができる。
According to the low-pass filter of the second aspect, the dielectric constant of the dielectric between at least one of the capacitor electrodes and the ground electrode is higher than the dielectric constant of the dielectric in the other region, and Since the dielectric constant of the dielectric between the rest and the ground electrode is the same as the dielectric constant of the dielectric in the other region, large-capacity and small-capacity capacitors can be formed inside the same laminate. . In addition, the inductor can be formed inside a laminate composed of a dielectric layer having a low dielectric constant.

【0050】したがって、低周波領域でのスプリアスを
抑制し、高周波領域の減衰を向上させるとともに、低周
波領域及び高周波領域においてインダクタをコイルとし
て働かすことができ、かつインダクタ及び小容量のコン
デンサで構成されるLC共振回路により高周波領域の減
衰量を確保することができるため、数十MHzの低周波
領域から数GHzの高周波帯域までより十分な減衰を得
ることができる。
Therefore, the spurious in the low frequency region is suppressed, the attenuation in the high frequency region is improved, and the inductor can function as a coil in the low frequency region and the high frequency region. Since the amount of attenuation in the high frequency region can be secured by the LC resonance circuit, more sufficient attenuation can be obtained from a low frequency region of several tens of MHz to a high frequency band of several GHz.

【0051】請求項3の電子機器によれば、数十MHz
の低周波領域から数GHzの高周波帯域まで十分な減衰
を得ることができる低域通過フィルタを用いるため、ノ
イズなどの不要な帯域の信号を除去することができ、そ
の結果、ノイズ特性に優れた電子機器を提供することが
できる。
According to the electronic device of the third aspect, several tens of MHz
Since a low-pass filter that can obtain sufficient attenuation from a low frequency region to a high frequency band of several GHz is used, signals in unnecessary bands such as noise can be removed, and as a result, excellent noise characteristics can be obtained. An electronic device can be provided.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の低域通過フィルタに係る第1の実施例
の斜視図である。
FIG. 1 is a perspective view of a low-pass filter according to a first embodiment of the present invention.

【図2】図1の低域通過フィルタのII−II線矢視断
面図である。
FIG. 2 is a cross-sectional view of the low-pass filter of FIG. 1 taken along line II-II.

【図3】図1の低域通過フィルタの等価回路図である。FIG. 3 is an equivalent circuit diagram of the low-pass filter of FIG.

【図4】図1の低域通過フィルタの減衰特性を示す図で
ある。
FIG. 4 is a diagram illustrating an attenuation characteristic of the low-pass filter of FIG. 1;

【図5】図1の低域通過フィルタの製造工程を示す図で
ある。
FIG. 5 is a diagram showing a manufacturing process of the low-pass filter of FIG. 1;

【図6】本発明の低域通過フィルタに係る第2の実施例
の断面図である。
FIG. 6 is a sectional view of a low-pass filter according to a second embodiment of the present invention.

【図7】図6の低域通過フィルタの等価回路図である。FIG. 7 is an equivalent circuit diagram of the low-pass filter of FIG.

【図8】図6の低域通過フィルタの減衰特性を示す図で
ある。
FIG. 8 is a diagram illustrating an attenuation characteristic of the low-pass filter of FIG. 6;

【図9】従来の低域通過フィルタを示す断面図である。FIG. 9 is a sectional view showing a conventional low-pass filter.

【図10】従来の別の低域通過フィルタを示す断面図で
ある。
FIG. 10 is a sectional view showing another conventional low-pass filter.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

10,20 低域通過フィルタ 11,21 積電体 111〜116 誘電体層 121〜123,221〜225 インダクタ電極 131,132,231〜233 コンデンサ電極 14,24 グランド電極 16,26 高誘電率の誘電体層 L,L1,L2 インダクタ C1〜C3 コンデンサ 10, 20 Low-pass filter 11, 21 Electric capacitor 111-116 Dielectric layer 121-123, 221-225 Inductor electrode 131, 132, 231-233 Capacitor electrode 14, 24 Ground electrode 16, 26 High permittivity dielectric Body layer L, L1, L2 Inductor C1-C3 Capacitor

フロントページの続き Fターム(参考) 4E351 AA07 BB03 BB17 BB22 BB26 BB49 CC11 CC20 CC31 CC35 DD04 DD21 DD41 EE01 GG09 5E070 AA05 AB07 CB03 CB13 CB17 CB20 DB08 EA01 5E082 AA01 AB03 BB01 BC40 DD08 EE04 EE26 EE35 FF05 FG06 FG26 FG54 FG60 GG10 MM24 5E346 AA02 AA03 AA12 AA13 AA43 BB02 BB04 CC17 CC21 CC32 DD07 DD13 EE01 FF01 FF22 FF28 GG05 GG19 GG28 HH01 HH22 5J024 AA01 BA01 DA04 DA21 DA35 EA01 EA08 KA02 Continued on the front page F-term (reference) 4E351 AA07 BB03 BB17 BB22 BB26 BB49 CC11 CC20 CC31 CC35 DD04 DD21 DD41 EE01 GG09 5E070 AA05 AB07 CB03 CB13 CB17 CB20 DB08 EA01 5E082 AA01 AB03 BB01 BC40 DG60 EG04 FG06 FG06 FG04 FG06 FG04 FG04 FG04 FG04 FG04 FG04 FG04 FG06 5E346 AA02 AA03 AA12 AA13 AA43 BB02 BB04 CC17 CC21 CC32 DD07 DD13 EE01 FF01 FF22 FF28 GG05 GG19 GG28 HH01 HH22 5J024 AA01 BA01 DA04 DA21 DA35 EA01 EA08 KA02

Claims (3)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 誘電体層を積層してなる積層体と、該積
層体の内部に設けたインダクタ電極と、前記積層体の内
部に前記誘電体層を挟んで互いに対向して設けたコンデ
ンサ電極及びグランド電極とを備え、前記インダクタ電
極によりインダクタを形成し、前記コンデンサ電極及び
前記グランド電極によりコンデンサを形成してなる低域
通過フィルタにおいて、 前記コンデンサ電極と前記グランド電極との間の領域の
誘電体層の誘電率が、他の領域の誘電体層の誘電率より
も高いことを特徴とする低域通過フィルタ。
1. A laminated body formed by laminating dielectric layers, an inductor electrode provided inside the laminated body, and a capacitor electrode provided inside the laminated body so as to face each other with the dielectric layer interposed therebetween. And a ground electrode, wherein the inductor electrode forms an inductor, and the capacitor electrode and the ground electrode form a capacitor. In a low-pass filter, a dielectric in a region between the capacitor electrode and the ground electrode is provided. A low-pass filter, wherein a dielectric constant of a body layer is higher than a dielectric constant of a dielectric layer in another region.
【請求項2】 誘電体層を積層してなる積層体と、該積
層体の内部に設けたインダクタ電極と、前記積層体の内
部に前記誘電体層を挟んで互いに対向して設けたコンデ
ンサ電極及びグランド電極とを備え、前記インダクタ電
極によりインダクタを形成し、前記コンデンサ電極及び
前記グランド電極によりコンデンサを形成してなる低域
通過フィルタにおいて、 前記コンデンサ電極の少なくとも1つと前記グランド電
極との間の領域の誘電体層の誘電率が、他の領域の誘電
体層の誘電率よりも高く、前記コンデンサ電極の残りと
前記グランド電極との間の領域の誘電体層の誘電率が、
前記他の領域の誘電体層の誘電率と同じであることを特
徴とする低域通過フィルタ。
2. A laminate comprising laminated dielectric layers, an inductor electrode provided inside the laminated body, and a capacitor electrode provided inside the laminated body so as to face each other with the dielectric layer interposed therebetween. A low-pass filter comprising: an inductor formed by the inductor electrode; and a capacitor formed by the capacitor electrode and the ground electrode, wherein at least one of the capacitor electrodes is connected to the ground electrode. The dielectric constant of the dielectric layer in the region is higher than the dielectric constant of the dielectric layer in the other region, and the dielectric constant of the dielectric layer in the region between the rest of the capacitor electrode and the ground electrode is
A low-pass filter having the same dielectric constant as the dielectric layer in the other region.
【請求項3】 請求項1あるいは請求項2に記載の低域
通過フィルタを用いたことを特徴とする電子機器。
3. An electronic apparatus using the low-pass filter according to claim 1.
JP11061793A 1999-03-09 1999-03-09 Low pass filter and electronic apparatus using this filter Pending JP2000261272A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP11061793A JP2000261272A (en) 1999-03-09 1999-03-09 Low pass filter and electronic apparatus using this filter

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP11061793A JP2000261272A (en) 1999-03-09 1999-03-09 Low pass filter and electronic apparatus using this filter

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2000261272A true JP2000261272A (en) 2000-09-22

Family

ID=13181344

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP11061793A Pending JP2000261272A (en) 1999-03-09 1999-03-09 Low pass filter and electronic apparatus using this filter

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2000261272A (en)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008066594A (en) * 2006-09-08 2008-03-21 Tdk Corp Multi-layer trap component
US7804755B2 (en) 2003-11-11 2010-09-28 Samsung Electronics Co., Ltd. Method for determining characteristics of signal and apparatus using the same

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7804755B2 (en) 2003-11-11 2010-09-28 Samsung Electronics Co., Ltd. Method for determining characteristics of signal and apparatus using the same
US8385173B2 (en) 2003-11-11 2013-02-26 Samsung Electronics Co., Ltd. Method for determining characteristics of signal and apparatus using the same
JP2008066594A (en) * 2006-09-08 2008-03-21 Tdk Corp Multi-layer trap component
JP4535048B2 (en) * 2006-09-08 2010-09-01 Tdk株式会社 Multilayer trap parts

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPH0653075A (en) Laminated ceramic capacitor for balanced line
CN103944525B (en) LTCC (low temperature co-fired ceramic) high-pass filter
JPH0653048A (en) Chip type lc filter
JP3858852B2 (en) 2-port isolator and communication device
US8400236B2 (en) Electronic component
JP2000261272A (en) Low pass filter and electronic apparatus using this filter
JP2003133174A (en) Method for manufacturing laminated electronic element
JP2000021640A (en) Noise filter and its manufacture
JP3459104B2 (en) Distributed constant noise filter
KR100961500B1 (en) Nose filter
JP2004119891A (en) Noise filter
JP2000252164A (en) Multilayer ceramic filter
JP2600127Y2 (en) Multilayer chip EMI removal filter
JPH0410510A (en) Laminated ceramic capacitor and manufacture thereof
JP5285951B2 (en) Bandpass filter and multilayer bandpass filter.
JP3197249B2 (en) Multilayer LC high-pass filter
JPH0410676Y2 (en)
JP2000269078A (en) Laminated electronic component
JP2001110638A (en) Laminate electronic component
JPH05267059A (en) Noise-eliminated lamination type electronic component
JPH08242136A (en) Lc composite parts
JPH1051257A (en) Lc low-pass filter
JPH06310372A (en) Electronic part
JPWO2006085465A1 (en) LC filter composite module
JP2934667B2 (en) Multilayer hybrid integrated transmission filter

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20050601

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20080715

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20080911

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20081104

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20090421