JP2000260947A - Integrated circuit - Google Patents

Integrated circuit

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JP2000260947A
JP2000260947A JP11065553A JP6555399A JP2000260947A JP 2000260947 A JP2000260947 A JP 2000260947A JP 11065553 A JP11065553 A JP 11065553A JP 6555399 A JP6555399 A JP 6555399A JP 2000260947 A JP2000260947 A JP 2000260947A
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JP
Japan
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pad
circuit
test
power supply
channel transistor
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JP11065553A
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Japanese (ja)
Inventor
Hirotaka Shimoju
裕隆 下重
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Toshiba Corp
Toshiba Electronic Device Solutions Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
Toshiba Microelectronics Corp
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Publication date
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To easily secure a required number of pads for a chip area by using the pads commonly for power supplies and signals. SOLUTION: A pad 14 is connected to an internal power supply VDD via a P-channel transistor and at the same time is connected to a TEST circuit (TEG circuit) via a transmission gate, a low-level control signal and its inversion signal are inputted from a pad 11 to the transmission gate, and the same low- level control signal is inputted to the P-channel transistor for turning on and off the P-channel transistor and the transmission gate, respectively, thus connecting the pad 14 to the internal power supply VDD and causing the pad 14 to function as one for power supply. Also, a high-level control signal and its inversion signal are inputted from the pad 11 to the transmission gate), and the same high-level control signal is inputted to the P-channel transistor for turning off and on the P-channel transistor and the transmission gate, thus connecting the pad 14 to the internal circuit of the TEST circuit (TEG circuit) and causing the pad 14 to function as one for test signal.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、LSI等の集積回
路に係り、特に集積回路に配設されているパッドに関す
る。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an integrated circuit such as an LSI, and more particularly, to a pad provided on an integrated circuit.

【0002】[0002]

【従来の技術】図14は従来の集積回路の構成例を示し
た概略図である。LSIチップ上に複数のパッド1が並
んでおり、これらパッド1は配線75で内部電源VSS
へ、配線76で内部電源VDDへ、配線77でTEST
回路(又はTEG回路)へ接続され、各パッド1は電源
用、信号用に専用に割り当てられている。従って、電源
用、信号用に用いるパッドの数が増加すれば、その数だ
け、LSIチップ上にパッドを配設しなければならなか
った。
2. Description of the Related Art FIG. 14 is a schematic diagram showing a configuration example of a conventional integrated circuit. A plurality of pads 1 are arranged on an LSI chip.
To the internal power supply VDD with the wiring 76 and TEST with the wiring 77
Each pad 1 is connected to a circuit (or a TEG circuit), and each pad 1 is exclusively assigned to a power supply and a signal. Therefore, if the number of pads used for power supply and signal increases, the number of pads must be arranged on the LSI chip by that number.

【0003】[0003]

【発明が解決しようとする課題】上記のように従来の集
積回路上に配設されているパッドは、電源用、信号用そ
れぞれ独立しており、共用していなかった。近年、集積
回路の集積率向上が進み、チップ面積が小さくなる傾向
にあるが、パッドの縮小化がそれに追いつかないため、
チップ面積に対して必要なパッド数が確保できないとい
う問題が発生している。例えば、LSIチップに配設さ
れた複数のパッドを信号用に割り当てていくと、電源用
に割り当てるべきパッドが不足してしまうなどの事態が
発生する。
As described above, the pads provided on the conventional integrated circuit are independent for the power supply and the signal, and are not shared. In recent years, the integration ratio of integrated circuits has been improving, and the chip area has tended to be smaller. However, since the pad size cannot keep up with it,
There is a problem that the required number of pads cannot be secured for the chip area. For example, when a plurality of pads provided on an LSI chip are assigned for signals, a situation occurs in which pads to be assigned for power supply become insufficient.

【0004】本発明は、上述の如き従来の課題を解決す
るためになされたもので、その目的は、パッドを電源
用、信号用に兼用させることにより、チップ面積に対し
て必要なパッド数を容易に確保することができる集積回
路を提供することである。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above-mentioned conventional problems, and an object of the present invention is to make the number of pads necessary for a chip area by using the pads for both power supply and signal. An object of the present invention is to provide an integrated circuit that can be easily secured.

【0005】[0005]

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、請求項1の発明の特徴は、複数のパッドを有する集
積回路において、前記パッドの中の少なくとも1個以上
のパッドを内部電源か、又は内部回路のいずれか一方に
接続させる切換回路を具備し、前記パッドの中の別の1
個のパッドから制御信号を前記切換回路に入力して前記
接続の切換を行うことにある。
According to one aspect of the present invention, there is provided an integrated circuit having a plurality of pads, wherein at least one of the pads is connected to an internal power supply. Or a switching circuit connected to either one of the internal circuits, and another one of the pads.
It is another object of the present invention to switch a connection by inputting a control signal from the pads to the switching circuit.

【0006】請求項2の発明の特徴は、複数のパッドを
有する集積回路において、前記パッドの中の少なくとも
1個以上のパッドを内部電源に接続するトランジスタ
と、前記トランジスタが接続された前記パッドを内部回
路に接続するクロックドインバータと、前記パッドの中
の別の1個のパッドから入力される制御信号により前記
トランジスタをオンさせた時は前記クロックドインバー
タをオフさせ、前記トランジスタをオフさせた時は前記
クロックドインバータをオンさせる制御回路と、を具備
することにある。
According to a second aspect of the present invention, in an integrated circuit having a plurality of pads, a transistor for connecting at least one of the pads to an internal power supply and a pad connected to the transistor are connected to an internal power supply. When the transistor is turned on by a clocked inverter connected to an internal circuit and a control signal input from another one of the pads, the clocked inverter is turned off and the transistor is turned off. And a control circuit for turning on the clocked inverter.

【0007】請求項3の発明の特徴は、複数のパッドを
有する集積回路において、前記パッドの中の少なくとも
1個以上のパッドを内部電源に接続するトランジスタ
と、前記トランジスタが接続された前記パッドを内部回
路に接続する伝送ゲートと、前記パッドの中の別の1個
のパッドから入力される制御信号により前記トランジス
タをオンさせた時は前記伝送ゲートをオフさせ、前記ト
ランジスタをオフさせた時は前記伝送ゲートをオンさせ
る制御回路と、を具備することにある。
According to a third aspect of the present invention, in an integrated circuit having a plurality of pads, a transistor for connecting at least one or more of the pads to an internal power supply, and a pad to which the transistor is connected are provided. When the transistor is turned on by a transmission gate connected to an internal circuit and a control signal input from another one of the pads, the transmission gate is turned off, and when the transistor is turned off, And a control circuit for turning on the transmission gate.

【0008】[0008]

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
に基づいて説明する。図1は、本発明の集積回路の第1
の実施の形態を示した回路図である。LSIチップ上に
信号用、或いは電源用として用いられている複数のパッ
ド11、12、13、14が配設されている。パッド1
4は、Pチャネルトランジスタ15を介して内部電源
(VDD)へ接続されると共に、伝送ゲート16を介し
てTEST回路(又はTEG回路)に接続されている。
Pチャネルトランジスタ15のゲートはTEST1用に
割り当てたパッド11に接続されている。伝送ゲート1
6のNチャネルトランジスタ161のゲートはTEST
1用パッド11に接続され、Pチャネルトランジスタ1
62のゲートはインバータ17を介してTEST1用パ
ッド11に接続されている。
Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 1 shows a first embodiment of the integrated circuit of the present invention.
FIG. 2 is a circuit diagram showing an embodiment. A plurality of pads 11, 12, 13, and 14 used for a signal or a power supply are provided on an LSI chip. Pad 1
4 is connected to an internal power supply (VDD) via a P-channel transistor 15 and to a TEST circuit (or TEG circuit) via a transmission gate 16.
The gate of the P-channel transistor 15 is connected to the pad 11 allocated for TEST1. Transmission gate 1
The gate of the N-channel transistor 161 is TEST
1 for the P-channel transistor 1
The gate of 62 is connected to the TEST1 pad 11 via the inverter 17.

【0009】テスト用兼、電源(VDD)用のパッド1
4は複数個あり、各パッド毎に内部電源(VDD)とT
EST回路(又はTEG回路)を切り換えるPチャネル
トランジスタ15と伝送ゲート16及びインバータ17
による切換回路を備えているが、テスト1用のパッド1
1は共通である。
Pad 1 for test and power supply (VDD)
4 includes a plurality of internal power supplies (VDD) and T
P-channel transistor 15 for switching EST circuit (or TEG circuit), transmission gate 16 and inverter 17
Switching circuit, but a pad 1 for test 1
1 is common.

【0010】次に本実施の形態の動作について説明す
る。通常、TEST1用パッド11はローレベルの
“0”で、Pチャネルトランジスタ15はオンになる
が、伝送ゲート16のNチャネルトランジスタ161、
Pチャネルトランジスタ162もオフのため、伝送ゲー
ト16は遮断している。これにより、パッド14はPチ
ャネルトランジスタ15を通して内部電源VDDに接続
されており、電源(VDD)用パッドとして機能してい
る。
Next, the operation of this embodiment will be described. Normally, the TEST1 pad 11 is at low level “0” and the P-channel transistor 15 is turned on, but the N-channel transistor 161,
Since the P-channel transistor 162 is also off, the transmission gate 16 is shut off. As a result, the pad 14 is connected to the internal power supply VDD through the P-channel transistor 15 and functions as a power supply (VDD) pad.

【0011】次に、TEST1用パッド11をローレベ
ルの“0”からハイレベル“1”をにすると、Pチャネ
ルトランジスタ15はオフになるが、この時、伝送ゲー
ト16のNチャネルトランジスタ161、Pチャネルト
ランジスタ162がオンになり、伝送ゲート16は導通
する。
Next, when the TEST1 pad 11 is changed from low level "0" to high level "1", the P-channel transistor 15 is turned off. At this time, the N-channel transistors 161 and P of the transmission gate 16 are turned off. The channel transistor 162 turns on and the transmission gate 16 conducts.

【0012】これにより、パッド14は伝送ゲート16
を通してTEST回路(又はTEG回路)接続され、テ
スト信号用の双方向のパッドとして機能する。
As a result, the pad 14 is connected to the transmission gate 16
Through a TEST circuit (or TEG circuit), and functions as a bidirectional pad for test signals.

【0013】これにより、出荷時などのテスト時、TE
ST1用パッド11に“1”を印加して、パッド11を
テスト信号用に切り換えることにより、上記テストを行
うことができる。
Thus, during testing such as shipping, TE
The above test can be performed by applying "1" to the ST1 pad 11 and switching the pad 11 to a test signal.

【0014】本実施の形態によれば、複数のパッド14
を電源VDD用とテスト信号用の兼用パッドとすること
により、チップ面積当たり必要なパッドの数を減らすこ
とができる。これにより、集積回路の集積率向上が進
み、チップ面積が小さくなっても、チップ面積に対して
必要なパッド数を容易に確保することができる。
According to the present embodiment, the plurality of pads 14
Are used as pads for the power supply VDD and for the test signal, the number of pads required per chip area can be reduced. Thereby, even if the integration ratio of the integrated circuit is improved and the chip area is reduced, the required number of pads for the chip area can be easily secured.

【0015】尚、パッド14が信号用に切り替わった時
に接続される回路はTEST回路(又はTEG回路)に
限ることはなく、信号を入出力する回路であれば良い。
これについては以降の実施の形態についても同様であ
る。
The circuit connected when the pad 14 is switched to a signal is not limited to the TEST circuit (or TEG circuit), but may be any circuit that inputs and outputs signals.
This is the same in the following embodiments.

【0016】図2は、本発明の集積回路の第2の実施の
形態を示した回路図である。但し、図1に示した第1の
実施の形態に対応する部分には同一符号を用いて説明す
る。LSIチップ上に信号用、或いは電源用として用い
られる複数のパッド11、12、13、20が配設され
ている。パッド20は、Nチャネルトランジスタ18を
介して内部電源(VSS)へ接続されると共に、伝送ゲ
ート16を介してTEST回路(又はTEG回路)に接
続されている。Nチャネルトランジスタ18のゲートは
インバータ17を介してTEST1用に割り当てたパッ
ド11に接続されている。伝送ゲート16のNチャネル
トランジスタ161のゲートはTEST1用パッド11
に接続され、Pチャネルトランジスタ162のゲートは
インバータ17を介してTEST1用パッド11に接続
されている。
FIG. 2 is a circuit diagram showing a second embodiment of the integrated circuit of the present invention. However, portions corresponding to the first embodiment shown in FIG. 1 will be described using the same reference numerals. A plurality of pads 11, 12, 13, and 20 used for a signal or a power supply are provided on an LSI chip. The pad 20 is connected to an internal power supply (VSS) via an N-channel transistor 18 and to a TEST circuit (or TEG circuit) via a transmission gate 16. The gate of the N-channel transistor 18 is connected via an inverter 17 to the pad 11 allocated for TEST1. The gate of the N-channel transistor 161 of the transmission gate 16 is connected to the pad 11 for TEST1.
, And the gate of the P-channel transistor 162 is connected to the TEST1 pad 11 via the inverter 17.

【0017】テスト用兼、電源(VSS)用のパッド2
0は複数個あり、各パッド毎に内部電源(VSS)とT
EST回路(又はTEG回路)を切り換えるNチャネル
トランジスタ18と伝送ゲート16及びインバータ17
による切換回路を備えているが、テスト1用のパッド1
1は共通である。
Pad 2 for test and power supply (VSS)
0 is a plural number, and the internal power supply (VSS) and T
N-channel transistor 18 for switching EST circuit (or TEG circuit), transmission gate 16 and inverter 17
Switching circuit, but a pad 1 for test 1
1 is common.

【0018】次に本実施の形態の動作について説明す
る。通常、TEST1用パッド11はローレベルの
“0”で、Nチャネルトランジスタ18はオンになる。
この時、伝送ゲート16のNチャネルトランジスタ16
1、Pチャネルトランジスタ162はオフのため、伝送
ゲート16は遮断している。これにより、パッド20は
Nチャネルトランジスタ18を通して内部電源VSSに
接続されており、電源(VSS)用パッドとして機能し
ている。
Next, the operation of this embodiment will be described. Normally, the TEST1 pad 11 is at low level "0", and the N-channel transistor 18 is turned on.
At this time, the N-channel transistor 16 of the transmission gate 16
1. Since the P-channel transistor 162 is off, the transmission gate 16 is shut off. As a result, the pad 20 is connected to the internal power supply VSS through the N-channel transistor 18 and functions as a power supply (VSS) pad.

【0019】次に、TEST1用パッド11をローレベ
ルの“0”からハイレベル“1”ににすると、Nチャネ
ルトランジスタ18はオフになる。この時、伝送ゲート
16のNチャネルトランジスタ161、Pチャネルトラ
ンジスタ162はオンになり、伝送ゲート16は導通す
る。これにより、パッド20は伝送ゲート16を通して
TEST回路(又はTEG回路)接続され、テスト信号
用の双方向のパッドとして機能する。
Next, when the TEST1 pad 11 is changed from low level "0" to high level "1", the N-channel transistor 18 is turned off. At this time, the N-channel transistor 161 and the P-channel transistor 162 of the transmission gate 16 are turned on, and the transmission gate 16 is turned on. Thus, the pad 20 is connected to the TEST circuit (or the TEG circuit) through the transmission gate 16 and functions as a test signal bidirectional pad.

【0020】それ故、出荷時などのテスト時、TEST
1用パッド11に“1”を印加して、パッド20をテス
ト信号用に切り換えて、上記テストを行うことができ
る。
Therefore, at the time of testing such as shipping, TEST
The above test can be performed by applying “1” to the 1 pad 11 and switching the pad 20 to a test signal.

【0021】本実施の形態によれば、複数のパッド20
を電源VSS用とTEST2の信号用の兼用パッドとす
ることにより、チップ面積当たり必要なパッドの数を減
らすことができる。これにより、集積回路の集積率向上
が進んで、チップ面積が小さくなっても、チップ面積に
対して必要なパッド数を容易に確保することができる。
According to the present embodiment, the plurality of pads 20
Is used as a common pad for the power supply VSS and the signal for the TEST2 signal, the number of pads required per chip area can be reduced. As a result, even if the integration ratio of the integrated circuit is improved and the chip area is reduced, the required number of pads for the chip area can be easily secured.

【0022】図3は、本発明の集積回路の第3の実施の
形態を示した回路図である。但し、図2に示した第2の
実施の形態に対応する部分には同一符号を用いて説明す
る。LSIチップ上に信号用、或いは電源用として用い
られている複数のパッド11、12、13、20が配設
されている。パッド20は、Nチャネルトランジスタ1
8を介して内部電源(VSS)へ接続されると共に、伝
送ゲート16を介してTEST回路(又はTEG回路)
に接続されている。Nチャネルトランジスタ18のゲー
トはTEST1用に割り当てたパッド11に接続されて
いる。伝送ゲート16のNチャネルトランジスタ161
のゲートはインバーター17を介してTEST1用パッ
ド11に接続され、Pチャネルトランジスタ162のゲ
ートはTEST1用パッド11に接続されている。
FIG. 3 is a circuit diagram showing a third embodiment of the integrated circuit of the present invention. However, portions corresponding to the second embodiment shown in FIG. 2 will be described using the same reference numerals. A plurality of pads 11, 12, 13, and 20 used for a signal or a power supply are provided on an LSI chip. Pad 20 is an N-channel transistor 1
8 and a TEST circuit (or TEG circuit) via a transmission gate 16 while being connected to an internal power supply (VSS).
It is connected to the. The gate of the N-channel transistor 18 is connected to the pad 11 allocated for TEST1. N-channel transistor 161 of transmission gate 16
Is connected to the TEST1 pad 11 via the inverter 17, and the gate of the P-channel transistor 162 is connected to the TEST1 pad 11.

【0023】テスト用兼、電源(VSS)用のパッド2
0は複数個あり、各パッド毎に内部電源(VSS)とT
EST回路(又はTEG回路)を切り換えるNチャネル
トランジスタ18と伝送ゲート16及びインバータ17
による切換回路を備えているが、テスト1用のパッド1
1は共通である。
Pad 2 for test and power supply (VSS)
0 is a plural number, and the internal power supply (VSS) and T
N-channel transistor 18 for switching EST circuit (or TEG circuit), transmission gate 16 and inverter 17
Switching circuit, but a pad 1 for test 1
1 is common.

【0024】本例では、Nチャネルトランジスタ18と
伝送ゲート16をオンオフするためのテスト1用のパッ
ド11から入力される制御信号の極性が図2に示した第
2の実施の形態のそれと反対である。即ち、テスト1用
のパッド11に“1”を印加した時、Nチャネルトラン
ジスタ18がオンで、伝送ゲート16がオフするため、
パッド20は電源(VSS)用として機能する。
In this example, the polarity of the control signal input from the test 1 pad 11 for turning on and off the N-channel transistor 18 and the transmission gate 16 is opposite to that of the second embodiment shown in FIG. is there. That is, when "1" is applied to the test 11 pad 11, the N-channel transistor 18 is turned on and the transmission gate 16 is turned off.
The pad 20 functions as a power supply (VSS).

【0025】次に、テスト1用のパッド11に“0”を
印加した時、Nチャネルトランジスタ18がオフで、伝
送ゲート16がオンするため、パッド20は双方向のテ
スト信号用として機能する。これにより、本実施の形態
は第2の実施の形態と同様の効果がある。
Next, when "0" is applied to the pad 11 for test 1, the N-channel transistor 18 is turned off and the transmission gate 16 is turned on, so that the pad 20 functions as a bidirectional test signal. Thus, the present embodiment has the same effect as the second embodiment.

【0026】図4は、本発明の集積回路の第4の実施の
形態を示した回路図である。但し、図1に示した第1の
実施の形態に対応する部分には同一符号を用いて説明す
る。LSIチップ上に信号用、或いは電源用として用い
られている複数のパッド11、12、13、14が配設
されている。パッド14は、Pチャネルトランジスタ1
5を介して内部電源(VDD)へ接続されると共に、伝
送ゲート16を介してTEST回路(又はTEG回路)
に接続されている。Pチャネルトランジスタ15のゲー
トはTEST1用に割り当てたパッド11にインバータ
ー17を介して接続されている。伝送ゲート16のNチ
ャネルトランジスタ161のゲートはインバーター17
を介してTEST1用パッド11に接続され、Pチャネ
ルトランジスタ162のゲートはTEST1用パッド1
1に接続されている。
FIG. 4 is a circuit diagram showing a fourth embodiment of the integrated circuit according to the present invention. However, portions corresponding to the first embodiment shown in FIG. 1 will be described using the same reference numerals. A plurality of pads 11, 12, 13, and 14 used for a signal or a power supply are provided on an LSI chip. Pad 14 is a P-channel transistor 1
5 and to a TEST circuit (or TEG circuit) via a transmission gate 16
It is connected to the. The gate of the P-channel transistor 15 is connected via an inverter 17 to the pad 11 assigned for TEST1. The gate of the N-channel transistor 161 of the transmission gate 16 is connected to the inverter 17.
And the gate of the P-channel transistor 162 is connected to the TEST1 pad 1
1 connected.

【0027】テスト用兼、電源(VDD)用のパッド2
0は複数個あり、各パッド毎に内部電源(VDD)とT
EST回路(又はTEG回路)を切り換えるPチャネル
トランジスタ15と伝送ゲート16及びインバータ17
による切換回路を備えているが、テスト1用のパッド1
1は共通である。
Pad 2 for test and power supply (VDD)
0 is a plurality, and the internal power supply (VDD) and T
P-channel transistor 15 for switching EST circuit (or TEG circuit), transmission gate 16 and inverter 17
Switching circuit, but a pad 1 for test 1
1 is common.

【0028】本例では、Pチャネルトランジスタ15と
伝送ゲート16をオン、オフするためのテスト1用のパ
ッド11から入力される制御信号の極性が図1に示した
第1の実施の形態のそれと反対である。即ち、テスト1
用のパッド11に“1”を印加した時、Pチャネルトラ
ンジスタ15がオンで、伝送ゲート16がオフするた
め、パッド14は電源(VDD)用として機能する。
In this example, the polarity of the control signal input from the test 1 pad 11 for turning on and off the P-channel transistor 15 and the transmission gate 16 is different from that of the first embodiment shown in FIG. The opposite. That is, test 1
When "1" is applied to the pad 11, the P-channel transistor 15 is turned on and the transmission gate 16 is turned off, so that the pad 14 functions as a power supply (VDD).

【0029】次に、テスト1用のパッド11に“0”を
印加した時、Pチャネルトランジスタ15がオフで、伝
送ゲート16がオンするため、パッド14は双方向のテ
スト信号用として機能する。これにより、本実施の形態
は第1の実施の形態と同様の効果がある。
Next, when "0" is applied to the test 1 pad 11, the P-channel transistor 15 is turned off and the transmission gate 16 is turned on, so that the pad 14 functions as a bidirectional test signal. Thus, the present embodiment has the same effect as the first embodiment.

【0030】図5は、本発明の集積回路の第5の実施の
形態を示した回路図である。但し、図1に示した第1の
実施の形態に対応する部分には同一符号を用いて説明す
る。LSIチップ上に信号用、或いは電源用として用い
られている複数のパッド11、12、13、14が配設
されている。パッド14は、Pチャネルトランジスタ1
5を介して内部電源(VDD)へ接続されると共に、ク
ロックドインバータ21を介してTEST回路(又はT
EG回路)に接続されている。Pチャネルトランジスタ
15のゲートはTEST1用に割り当てたパッド11に
接続されている。クロックドインバータ21の制御端子
はTEST1用パッド11に接続されると共に、インバ
ータ17を介してTEST1用パッド11に接続されて
いる。
FIG. 5 is a circuit diagram showing a fifth embodiment of the integrated circuit of the present invention. However, portions corresponding to the first embodiment shown in FIG. 1 will be described using the same reference numerals. A plurality of pads 11, 12, 13, and 14 used for a signal or a power supply are provided on an LSI chip. Pad 14 is a P-channel transistor 1
5 is connected to an internal power supply (VDD), and a TEST circuit (or T
EG circuit). The gate of the P-channel transistor 15 is connected to the pad 11 allocated for TEST1. The control terminal of the clocked inverter 21 is connected to the TEST1 pad 11 through the inverter 17 while being connected to the TEST1 pad 11.

【0031】テスト用兼、電源(VDD)用のパッド1
4は複数個あり、各パッド毎に内部電源(VDD)とT
EST回路(又はTEG回路)を切り換えるPチャネル
トランジスタ15とクロックドインバータ21及びイン
バータ17による切換回路を備えているが、テスト1用
のパッド11は共通である。
Pad 1 for test and power supply (VDD)
4 includes a plurality of internal power supplies (VDD) and T
Although a switching circuit including a P-channel transistor 15 for switching an EST circuit (or a TEG circuit) and a clocked inverter 21 and an inverter 17 is provided, the pad 11 for test 1 is common.

【0032】本例は、クロックドインバータ21を用い
ているため、図1に示した第1の実施の形態と異なり、
パッド14はTEST回路(又はTEG回路)の入力専
用と電源VDDの兼用パッドになる。
In this embodiment, since the clocked inverter 21 is used, unlike the first embodiment shown in FIG.
The pad 14 serves both as a dedicated input for the TEST circuit (or the TEG circuit) and a power supply VDD.

【0033】次に本実施の形態の動作について説明す
る。通常、TEST1用パッド11はローレベルの
“0”で、Pチャネルトランジスタ15はオンになる
が、この時、クロックドインバータ21はオフして遮断
している。これにより、パッド14はPチャネルトラン
ジスタ15を通して内部電源VDDに接続されており、
電源(VDD)用の入力パッドとして機能している。
Next, the operation of this embodiment will be described. Normally, the TEST1 pad 11 is at low level "0" and the P-channel transistor 15 is turned on. At this time, the clocked inverter 21 is turned off and cut off. Thereby, the pad 14 is connected to the internal power supply VDD through the P-channel transistor 15,
It functions as an input pad for a power supply (VDD).

【0034】次に、TEST1用パッド11をローレベ
ルの“0”からハイレベル“1”をにすると、Pチャネ
ルトランジスタ15はオフになるが、クロックドインバ
ータ21はオンになり、導通する。
Next, when the TEST1 pad 11 is changed from low level "0" to high level "1", the P-channel transistor 15 is turned off, but the clocked inverter 21 is turned on and becomes conductive.

【0035】これにより、パッド14はクロックドイン
バータ21を通してTEST回路(又はTEG回路)接
続され、テスト信号の入力パッドとして機能する。
As a result, the pad 14 is connected to the TEST circuit (or TEG circuit) through the clocked inverter 21 and functions as a test signal input pad.

【0036】それ故、出荷時などのテスト時、TEST
1用パッド11に“1”を印加して、パッド11をテス
ト信号用に切り換えることにより、上記テストを行うこ
とができる。尚、クロックドインバータ21の制御端子
に矢印で入力される信号がハイレベル“1”で、その反
対側に入力される信号がローレベルの“0”時、クロッ
クドインバータ21はオンして導通し、前記入力信号が
反転している場合は、クロックドインバータ21はオフ
して遮断する。
Therefore, at the time of testing such as shipping, TEST
The above test can be performed by applying “1” to the pad 11 for one and switching the pad 11 for a test signal. When the signal input to the control terminal of the clocked inverter 21 by an arrow is at high level "1" and the signal input to the opposite side is at low level "0", the clocked inverter 21 is turned on to conduct. However, when the input signal is inverted, the clocked inverter 21 is turned off and cut off.

【0037】本実施の形態によれば、複数のパッド14
を電源VDD用とテスト信号用の兼用パッドとすること
により、チップ面積当たり必要なパッドの数を減らすこ
とができる。これにより、集積回路の集積率向上が進ん
でチップ面積が小さくなっても、チップ面積に対して必
要なパッド数を容易に確保することができる。
According to the present embodiment, the plurality of pads 14
Are used as pads for the power supply VDD and for the test signal, the number of pads required per chip area can be reduced. Thereby, even if the integration ratio of the integrated circuit is improved and the chip area is reduced, the required number of pads for the chip area can be easily secured.

【0038】又、パッド14の切換回路にクロックドイ
ンバータ21を用いているため、切換回路を高いインピ
ーダンスにすることができ、切換回路の消費電力を小さ
くすることができると共に、高電圧の入力を行うことが
できる。
Further, since the clocked inverter 21 is used for the switching circuit of the pad 14, the impedance of the switching circuit can be increased, the power consumption of the switching circuit can be reduced, and the input of the high voltage can be reduced. It can be carried out.

【0039】図6は、本発明の集積回路の第6の実施の
形態を示した回路図である。但し、図2に示した第2の
実施の形態に対応する部分には同一符号を用いて説明す
る。LSIチップ上に信号用、或いは電源用として用い
られている複数のパッド11、12、13、20が配設
されている。パッド20は、Nチャネルトランジスタ1
8を介して内部電源(VSS)へ接続されると共に、ク
ロックドインバータ21を介してTEST回路(又はT
EG回路)に接続されている。Nチャネルトランジスタ
18のゲートはインバータ17を介してTEST1用に
割り当てたパッド11に接続されている。クロックドイ
ンバータ21の制御端子はTEST1用パッド11に接
続されると共に、インバータ17を介してTEST1用
パッド11に接続されている。
FIG. 6 is a circuit diagram showing a sixth embodiment of the integrated circuit of the present invention. However, portions corresponding to the second embodiment shown in FIG. 2 will be described using the same reference numerals. A plurality of pads 11, 12, 13, and 20 used for a signal or a power supply are provided on an LSI chip. Pad 20 is an N-channel transistor 1
8 and a TEST circuit (or TEST circuit) via a clocked inverter 21.
EG circuit). The gate of the N-channel transistor 18 is connected via an inverter 17 to the pad 11 allocated for TEST1. The control terminal of the clocked inverter 21 is connected to the TEST1 pad 11 through the inverter 17 while being connected to the TEST1 pad 11.

【0040】テスト用兼、電源(VSS)用のパッド2
0は複数個あり、各パッド毎に内部電源(VSS)とT
EST回路(又はTEG回路)を切り換えるNチャネル
トランジスタ18とクロックドインバータ21及びイン
バータ17による切換回路を備えているが、テスト1用
のパッド11は共通である。
Pad 2 for test and power supply (VSS)
0 is a plural number, and the internal power supply (VSS) and T
A switching circuit including an N-channel transistor 18 for switching an EST circuit (or a TEG circuit), a clocked inverter 21 and an inverter 17 is provided, but the pad 11 for test 1 is common.

【0041】本例は、クロックドインバータ21を用い
ているため、図2に示した第2の実施の形態と異なり、
パッド20はテスト信号の入力専用と電源VSS用の兼
用パッドになる。
In this embodiment, since the clocked inverter 21 is used, unlike the second embodiment shown in FIG.
The pad 20 serves as both a dedicated pad for inputting a test signal and a pad for power supply VSS.

【0042】次に本実施の形態の動作について説明す
る。通常、TEST1用パッド11はローレベルの
“0”で、Nチャネルトランジスタ18はオンになる
が、この時、クロックドインバータ21はオフして遮断
している。これにより、パッド20はNチャネルトラン
ジスタ18を通して内部電源VSSに接続されており、
電源(VSS)用パッドとして機能する。
Next, the operation of this embodiment will be described. Normally, the TEST1 pad 11 is at low level "0" and the N-channel transistor 18 is turned on. At this time, the clocked inverter 21 is turned off and cut off. Thus, the pad 20 is connected to the internal power supply VSS through the N-channel transistor 18,
Functions as a power supply (VSS) pad.

【0043】次に、TEST1用パッド11をハイレベ
ルの“0”からローレベル“1”にすると、Nチャネル
トランジスタ18はオフになるが、クロックドインバー
タ21はオンになって導通する。
Next, when the TEST1 pad 11 is changed from high level "0" to low level "1", the N-channel transistor 18 is turned off, but the clocked inverter 21 is turned on to conduct.

【0044】これにより、パッド20はクロックドイン
バータ21を通してTEST回路(又はTEG回路)接
続され、テスト信号の入力パッドとして機能する。
Thus, the pad 20 is connected to the TEST circuit (or TEG circuit) through the clocked inverter 21 and functions as a test signal input pad.

【0045】それ故、出荷時などのテスト時、TEST
1用パッド11に“1”を印加して、パッド11をテス
ト用に切り換えることにより、上記テストを行うことが
できる。
Therefore, at the time of testing such as shipping, TEST
The above test can be performed by applying “1” to the one pad 11 and switching the pad 11 for the test.

【0046】本実施の形態によれば、複数のパッド20
を電源VSS用とテスト信号用の兼用パッドとすること
により、チップ面積当たり必要なパッドの数を減らすこ
とができる。これにより、集積回路の集積率向上が進ん
でチップ面積が小さくなっても、チップ面積に対して必
要なパッド数を容易に確保することができる。
According to the present embodiment, the plurality of pads 20
Is used as a pad for both the power supply VSS and the test signal, the number of pads required per chip area can be reduced. Thereby, even if the integration ratio of the integrated circuit is improved and the chip area is reduced, the required number of pads for the chip area can be easily secured.

【0047】又、パッド14の切換回路にクロックドイ
ンバータ21を用いているため、切換回路を高いインピ
ーダンスにすることができ、切換回路の消費電力を小さ
くすることができると共に、高電圧の入力を行うことが
できる。
Further, since the clocked inverter 21 is used for the switching circuit of the pad 14, the impedance of the switching circuit can be increased, the power consumption of the switching circuit can be reduced, and the input of the high voltage can be reduced. It can be carried out.

【0048】図7は、本発明の集積回路の第7の実施の
形態を示した回路図である。但し、図6に示した第6の
実施の形態に対応する部分には同一符号を用いて説明す
る。LSIチップ上に信号用、或いは電源用として用い
られている複数のパッド11、12、13、20が配設
されている。パッド20は、Nチャネルトランジスタ1
8を介して内部電源(VSS)へ接続されると共に、ク
ロックドインバータ21を介してTEST回路(又はT
EG回路)に接続されている。Nチャネルトランジスタ
18のゲートはTEST1用に割り当てたパッド11に
接続されている。クロックドインバータ21の制御端子
はTEST1用パッド11に接続されると共に、インバ
ータ17を介してTEST1用パッド11に接続されて
いる。
FIG. 7 is a circuit diagram showing a seventh embodiment of the integrated circuit according to the present invention. However, portions corresponding to the sixth embodiment shown in FIG. 6 will be described using the same reference numerals. A plurality of pads 11, 12, 13, and 20 used for a signal or a power supply are provided on an LSI chip. Pad 20 is an N-channel transistor 1
8 and a TEST circuit (or TEST circuit) via a clocked inverter 21.
EG circuit). The gate of the N-channel transistor 18 is connected to the pad 11 allocated for TEST1. The control terminal of the clocked inverter 21 is connected to the TEST1 pad 11 through the inverter 17 while being connected to the TEST1 pad 11.

【0049】テスト用兼、電源(VSS)用のパッド2
0は複数個あり、各パッド毎に内部電源(VSS)とT
EST回路(又はTEG回路)を切り換えるNチャネル
トランジスタ18とクロックドインバータ21及びイン
バータ17による切換回路を備えているが、テスト1用
のパッド11は共通である。
Pad 2 for test and power supply (VSS)
0 is a plural number, and the internal power supply (VSS) and T
A switching circuit including an N-channel transistor 18 for switching an EST circuit (or a TEG circuit), a clocked inverter 21 and an inverter 17 is provided, but the pad 11 for test 1 is common.

【0050】本例は、クロックドインバータ21を用い
ているため、図1に示した第1の実施の形態と異なり、
パッド20はテスト信号の入力専用と電源VSS用の兼
用パッドになる。
In this embodiment, since the clocked inverter 21 is used, unlike the first embodiment shown in FIG.
The pad 20 serves as both a dedicated pad for inputting a test signal and a pad for power supply VSS.

【0051】本実施の形態は、Nチャネルトランジスタ
18とクロックドインバータ21をオン、オフするため
のテスト1用のパッド11から入力される制御信号の極
性が図6に示した第6の実施の形態のそれと反対であ
る。即ち、テスト1用のパッド11に“1”を印加した
時、Nチャネルトランジスタ18がオンで、クロックド
インバータ21がオフするため、パッド20は電源(V
SS)用として機能し、テスト1用のパッド20に
“0”を印加した時、Nチャネルトランジスタ18がオ
フで、クロックドインバータ21がオンするため、パッ
ド20はテストの入力信号用として機能し、第6の実施
の形態と同様の効果がある。
In the present embodiment, the polarity of the control signal input from the test 1 pad 11 for turning on and off the N-channel transistor 18 and the clocked inverter 21 is the sixth embodiment shown in FIG. The opposite of that of the form. That is, when "1" is applied to the pad 11 for test 1, the N-channel transistor 18 is turned on and the clocked inverter 21 is turned off.
SS), and when "0" is applied to the test 1 pad 20, the N-channel transistor 18 is turned off and the clocked inverter 21 is turned on, so that the pad 20 functions as a test input signal. There is an effect similar to that of the sixth embodiment.

【0052】図8は、本発明の集積回路の第8の実施の
形態を示した回路図である。但し、図5に示した第5の
実施の形態に対応する部分には同一符号を用いて説明す
る。LSIチップ上に信号用、或いは電源用として用い
られている複数のパッド11、12、13、14が配設
されている。パッド14は、Pチャネルトランジスタ1
5を介して内部電源(VDD)へ接続されると共に、ク
ロックドインバータ21を介してTEST回路(又はT
EG回路)に接続されている。Pチャネルトランジスタ
15のゲートはTEST1用に割り当てたパッド11に
インバータ17を介して接続されている。クロックドイ
ンバータ21の制御端子はTEST1用パッド11に接
続されると共に、インバータ17を介してTEST1用
パッド11に接続されている。
FIG. 8 is a circuit diagram showing an integrated circuit according to an eighth embodiment of the present invention. However, parts corresponding to the fifth embodiment shown in FIG. 5 will be described using the same reference numerals. A plurality of pads 11, 12, 13, and 14 used for a signal or a power supply are provided on an LSI chip. Pad 14 is a P-channel transistor 1
5 is connected to an internal power supply (VDD), and a TEST circuit (or T
EG circuit). The gate of the P-channel transistor 15 is connected via an inverter 17 to the pad 11 assigned for TEST1. The control terminal of the clocked inverter 21 is connected to the TEST1 pad 11 through the inverter 17 while being connected to the TEST1 pad 11.

【0053】テスト用兼、電源(VDD)用のパッド1
4は複数個あり、各パッド毎に内部電源(VDD)とT
EST回路(又はTEG回路)を切り換えるPチャネル
トランジスタ15とクロックドインバータ21及びイン
バータ17による切換回路を備えているが、テスト1用
のパッド11は共通である。
Pad 1 for test and power supply (VDD)
4 includes a plurality of internal power supplies (VDD) and T
Although a switching circuit including a P-channel transistor 15 for switching an EST circuit (or a TEG circuit) and a clocked inverter 21 and an inverter 17 is provided, the pad 11 for test 1 is common.

【0054】本例は、クロックドインバータ21を用い
ているため、図5に示した第5の実施の形態と異なり、
パッド14はテスト信号の入力専用と電源VSS用の兼
用パッドになる。
In this embodiment, since the clocked inverter 21 is used, unlike the fifth embodiment shown in FIG.
The pad 14 is a pad dedicated to input of the test signal and a pad for the power supply VSS.

【0055】本実施の形態は、Pチャネルトランジスタ
15とクロックドインバータ21をオン、オフするため
のテスト1用のパッド11から入力される制御信号の極
性が図5に示した第5の実施の形態のそれと反対であ
る。即ち、テスト1用のパッド11に“1”を印加した
時、Pチャネルトランジスタ15がオンで、クロックド
インバータ21がオフするため、パッド14は電源(V
DD)用として機能する。
In the present embodiment, the polarity of the control signal input from the test 1 pad 11 for turning on and off the P-channel transistor 15 and the clocked inverter 21 is the fifth embodiment shown in FIG. The opposite of that of the form. That is, when "1" is applied to the pad 11 for test 1, the P-channel transistor 15 is turned on and the clocked inverter 21 is turned off, so that the pad 14
DD).

【0056】次に、テスト1用のパッド11に“0”を
印加した時、Pチャネルトランジスタ15がオフで、ク
ロックドインバータ21がオンするため、パッド14は
テスト用の入力信号用として機能する。これにより、本
実施の形態も第5の実施の形態と同様の効果がある。
Next, when "0" is applied to the test 1 pad 11, the P-channel transistor 15 is turned off and the clocked inverter 21 is turned on, so that the pad 14 functions as a test input signal. . Thus, the present embodiment has the same effect as the fifth embodiment.

【0057】図9は、本発明の集積回路の第9の実施の
形態を示した回路図である。但し、図5に示した第5の
実施の形態に対応する部分には同一符号を用いて説明す
る。LSIチップ上に信号用、或いは電源用として用い
られている複数のパッド11、12、13、14が配設
されている。パッド14は、Pチャネルトランジスタ1
5を介して内部電源(VDD)へ接続されると共に、ク
ロックドインバータ21の出力側を介してTEST回路
(又はTEG回路)に接続されている。Pチャネルトラ
ンジスタ15のゲートはTEST1用に割り当てたパッ
ド11に接続されている。クロックドインバータ21の
制御端子はTEST1用パッド11に接続されると共
に、インバータ17を介してTEST1用パッド11に
接続されている。
FIG. 9 is a circuit diagram showing a ninth embodiment of the integrated circuit of the present invention. However, parts corresponding to the fifth embodiment shown in FIG. 5 will be described using the same reference numerals. A plurality of pads 11, 12, 13, and 14 used for a signal or a power supply are provided on an LSI chip. Pad 14 is a P-channel transistor 1
5, and to the TEST circuit (or TEG circuit) via the output side of the clocked inverter 21. The gate of the P-channel transistor 15 is connected to the pad 11 allocated for TEST1. The control terminal of the clocked inverter 21 is connected to the TEST1 pad 11 through the inverter 17 while being connected to the TEST1 pad 11.

【0058】テスト用兼、電源(VDD)用のパッド1
4は複数個あり、各パッド毎に内部電源(VDD)とT
EST回路(又はTEG回路)を切り換えるPチャネル
トランジスタ15とクロックドインバータ21及びイン
バータ17による切換回路を備えているが、テスト1用
のパッド11は共通である。
Pad 1 for test and power supply (VDD)
4 includes a plurality of internal power supplies (VDD) and T
Although a switching circuit including a P-channel transistor 15 for switching an EST circuit (or a TEG circuit) and a clocked inverter 21 and an inverter 17 is provided, the pad 11 for test 1 is common.

【0059】本例のパッド14はクロックドインバータ
21の出力側と接続されているため、図5に示した第5
の実施の形態と異なり、パッド14はTEST回路(又
はTEG回路)の出力専用と電源VDDの兼用パッドに
なる。
Since the pad 14 of this embodiment is connected to the output side of the clocked inverter 21, the pad 14 shown in FIG.
Unlike the first embodiment, the pad 14 is a pad exclusively used for the output of the TEST circuit (or the TEG circuit) and for the power supply VDD.

【0060】次に本実施の形態の動作について説明す
る。通常、TEST1用パッド11はローレベルの
“0”で、Pチャネルトランジスタ15はオンになる
が、この時、クロックドインバータ21はオフして遮断
している。これにより、パッド14はPチャネルトラン
ジスタ15を通して内部電源VDDに接続されており、
電源(VDD)用のパッドとして機能している。
Next, the operation of this embodiment will be described. Normally, the TEST1 pad 11 is at low level "0" and the P-channel transistor 15 is turned on. At this time, the clocked inverter 21 is turned off and cut off. Thereby, the pad 14 is connected to the internal power supply VDD through the P-channel transistor 15,
It functions as a power supply (VDD) pad.

【0061】次に、TEST1用パッド11をローレベ
ルの“0”からハイレベル“1”をにすると、Pチャネ
ルトランジスタ15はオフになるが、クロックドインバ
ータ21はオンになって導通する。
Next, when the TEST1 pad 11 is changed from low level "0" to high level "1", the P-channel transistor 15 is turned off, but the clocked inverter 21 is turned on to conduct.

【0062】これにより、パッド14は入力側をTES
T回路(又はTEG回路)接続に接続するクロックドイ
ンバータ21の出力側と接続されるため、テスト信号の
出力パッドとして機能する。
As a result, the pad 14 sets the input side to TES
Since it is connected to the output side of the clocked inverter 21 connected to the T circuit (or TEG circuit) connection, it functions as a test signal output pad.

【0063】それ故、出荷時などのテスト時、TEST
1用パッド11に“1”を印加して、パッド11をテス
ト用に切り換えることにより、上記テストを行うことが
できる。
Therefore, at the time of testing such as shipping, TEST
The above test can be performed by applying “1” to the one pad 11 and switching the pad 11 for the test.

【0064】本実施の形態によれば、複数のパッド14
を電源VDD用とテスト信号用の兼用パッドとすること
により、チップ面積当たり必要なパッドの数を減らすこ
とができる。これにより、集積回路の集積率向上が進ん
でチップ面積が小さくなっても、チップ面積に対して必
要なパッド数を容易に確保することができる。
According to the present embodiment, a plurality of pads 14
Are used as pads for the power supply VDD and for the test signal, the number of pads required per chip area can be reduced. Thereby, even if the integration ratio of the integrated circuit is improved and the chip area is reduced, the required number of pads for the chip area can be easily secured.

【0065】図10は、本発明の集積回路の第10の実
施の形態を示した回路図である。但し、図6に示した第
6の実施の形態に対応する部分には同一符号を用いて説
明する。LSIチップ上に信号用、或いは電源用として
用いられている複数のパッド11、12、13、20が
配設されている。パッド20は、Nチャネルトランジス
タ18を介して内部電源(VSS)へ接続されると共
に、クロックドインバータ21の出力側を介してTES
T回路(又はTEG回路)に接続されている。Nチャネ
ルトランジスタ18のゲートはインバータ17を介して
TEST1用に割り当てたパッド11に接続されてい
る。クロックドインバータ21の制御端子はTEST1
用パッド11に接続されると共に、インバータ17を介
してTEST1用パッド11に接続されている。
FIG. 10 is a circuit diagram showing a tenth embodiment of the integrated circuit according to the present invention. However, portions corresponding to the sixth embodiment shown in FIG. 6 will be described using the same reference numerals. A plurality of pads 11, 12, 13, and 20 used for a signal or a power supply are provided on an LSI chip. The pad 20 is connected to the internal power supply (VSS) via the N-channel transistor 18 and is connected to the TES via the output side of the clocked inverter 21.
It is connected to a T circuit (or TEG circuit). The gate of the N-channel transistor 18 is connected via an inverter 17 to the pad 11 allocated for TEST1. The control terminal of the clocked inverter 21 is TEST1
And connected to the TEST1 pad 11 via the inverter 17.

【0066】テスト用兼、電源(VSS)用のパッド2
0は複数個あり、各パッド毎に内部電源(VSS)とT
EST回路(又はTEG回路)を切り換えるNチャネル
トランジスタ18とクロックドインバータ21及びイン
バータ17による切換回路を備えているが、テスト1用
のパッド11は共通である。
Pad 2 for test and power supply (VSS)
0 is a plural number, and the internal power supply (VSS) and T
A switching circuit including an N-channel transistor 18 for switching an EST circuit (or a TEG circuit), a clocked inverter 21 and an inverter 17 is provided, but the pad 11 for test 1 is common.

【0067】本例のパッド20は入力側をTEST回路
(又はTEG回路)に接続するクロックドインバータ2
1の出力側と接続されているため、図6に示した第6の
実施の形態と異なり、パッド20はTEST回路(又は
TEG回路)の出力専用と電源VDDの兼用パッドにな
る。
The pad 20 of this embodiment is a clocked inverter 2 having an input side connected to a TEST circuit (or a TEG circuit).
6 is different from the sixth embodiment shown in FIG. 6, the pad 20 is a pad exclusively used for the output of the TEST circuit (or TEG circuit) and for the power supply VDD.

【0068】本実施の形態の動作はTEST1用パッド
11に“1”を印加して、パッド20をテスト用に切り
換えた時、パッド20はTEST回路(又はTEG回
路)の出力専用パッドとなる点が第6の実施の形態と異
なるだけで、他の動作は第6の実施の形態と同様で、同
様の効果がある。
The operation of this embodiment is such that when "1" is applied to the TEST1 pad 11 and the pad 20 is switched for testing, the pad 20 becomes a dedicated output pad of the TEST circuit (or TEG circuit). Is different from the sixth embodiment, and the other operations are the same as those of the sixth embodiment, and have the same effects.

【0069】図11は、本発明の集積回路の第11の実
施の形態を示した回路図である。但し、図7に示した第
7の実施の形態に対応する部分には同一符号を用いて説
明する。LSIチップ上に信号用、或いは電源用として
用いられている複数のパッド11、12、13、20が
配設されている。パッド20は、Nチャネルトランジス
タ18を介して内部電源(VSS)へ接続されると共
に、クロックドインバータ21の出力側を介してTES
T回路(又はTEG回路)に接続されている。Nチャネ
ルトランジスタ18のゲートはTEST1用に割り当て
たパッド11に接続されている。クロックドインバータ
21の制御端子はTEST1用パッド11に接続される
と共に、インバータ17を介してTEST1用パッド1
1に接続されている。
FIG. 11 is a circuit diagram showing an eleventh embodiment of the integrated circuit of the present invention. However, portions corresponding to the seventh embodiment shown in FIG. 7 will be described using the same reference numerals. A plurality of pads 11, 12, 13, and 20 used for a signal or a power supply are provided on an LSI chip. The pad 20 is connected to the internal power supply (VSS) via the N-channel transistor 18 and is connected to the TES via the output side of the clocked inverter 21.
It is connected to a T circuit (or TEG circuit). The gate of the N-channel transistor 18 is connected to the pad 11 allocated for TEST1. The control terminal of the clocked inverter 21 is connected to the pad 11 for TEST1 and the pad 1 for TEST1 via the inverter 17.
1 connected.

【0070】テスト用兼、電源(VSS)用のパッド2
0は複数個あり、各パッド毎に内部電源(VSS)とT
EST回路(又はTEG回路)を切り換えるNチャネル
トランジスタ18とクロックドインバータ21及びイン
バータ17による切換回路を備えているが、テスト1用
のパッド11は共通である。
Pad 2 for test and power supply (VSS)
0 is a plural number, and the internal power supply (VSS) and T
A switching circuit including an N-channel transistor 18 for switching an EST circuit (or a TEG circuit), a clocked inverter 21 and an inverter 17 is provided, but the pad 11 for test 1 is common.

【0071】本例のパッド20は入力側をTEST回路
(又はTEG回路)に接続するクロックドインバータ2
1の出力側と接続されているため、図7に示した第7の
実施の形態と異なり、パッド20はTEST回路(又は
TEG回路)の出力専用と電源VDDの兼用パッドにな
る。
The pad 20 of this embodiment is a clocked inverter 2 having an input side connected to a TEST circuit (or a TEG circuit).
Unlike the seventh embodiment shown in FIG. 7, the pad 20 serves as a dedicated pad for the output of the TEST circuit (or the TEG circuit) and also serves as the power supply VDD.

【0072】本実施の形態の動作はTEST1用パッド
11に“1”を印加して、パッド20をテスト用に切り
換えた時、パッド20はTEST回路(又はTEG回
路)の出力専用パッドとなる点が第7の実施の形態と異
なるだけで、他の動作は第7の実施の形態と同様で、同
様の効果がある。
The operation of the present embodiment is such that when "1" is applied to the TEST1 pad 11 and the pad 20 is switched for testing, the pad 20 becomes a dedicated output pad of the TEST circuit (or TEG circuit). However, only the difference from the seventh embodiment is that the other operations are the same as those of the seventh embodiment and have the same effects.

【0073】図12は、本発明の集積回路の第12の実
施の形態を示した回路図である。但し、図8に示した第
8の実施の形態に対応する部分には同一符号を用いて説
明する。LSIチップ上に信号用、或いは電源用として
用いられている複数のパッド11、12、13、14が
配設されている。パッド14は、Pチャネルトランジス
タ15を介して内部電源(VDD)へ接続されると共
に、クロックドインバータ21の出力側を介してTES
T回路(又はTEG回路)に接続されている。Pチャネ
ルトランジスタ15のゲートはTEST1用に割り当て
たパッド11にインバータ17を介して接続されてい
る。クロックドインバータ21の制御端子はTEST1
用パッド11に接続されると共に、インバータ17を介
してTEST1用パッド11に接続されている。
FIG. 12 is a circuit diagram showing a twelfth embodiment of the integrated circuit of the present invention. However, portions corresponding to the eighth embodiment shown in FIG. 8 will be described using the same reference numerals. A plurality of pads 11, 12, 13, and 14 used for a signal or a power supply are provided on an LSI chip. The pad 14 is connected to an internal power supply (VDD) via a P-channel transistor 15 and TES via an output side of the clocked inverter 21.
It is connected to a T circuit (or TEG circuit). The gate of the P-channel transistor 15 is connected via an inverter 17 to the pad 11 assigned for TEST1. The control terminal of the clocked inverter 21 is TEST1
And connected to the TEST1 pad 11 via the inverter 17.

【0074】テスト用兼、電源(VDD)用のパッド1
4は複数個あり、各パッド毎に内部電源(VDD)とT
EST回路(又はTEG回路)を切り換えるPチャネル
トランジスタ15とクロックドインバータ21及びイン
バータ17による切換回路を備えているが、テスト1用
のパッド11は共通である。
Pad 1 for test and power supply (VDD)
4 includes a plurality of internal power supplies (VDD) and T
Although a switching circuit including a P-channel transistor 15 for switching an EST circuit (or a TEG circuit) and a clocked inverter 21 and an inverter 17 is provided, the pad 11 for test 1 is common.

【0075】本例は、クロックドインバータ21を用い
ているため、図5に示した第5の実施の形態と異なり、
パッド14はテスト信号の入力専用と電源VSS用の兼
用パッドになる。
Since the present embodiment uses the clocked inverter 21, it differs from the fifth embodiment shown in FIG.
The pad 14 is a pad dedicated to input of the test signal and a pad for the power supply VSS.

【0076】本例のパッド14は入力側をテスト回路
(又はTEG回路)に接続するクロックドインバータ2
1の出力側と接続されているため、図8に示した第8の
実施の形態と異なり、パッド14はTEST回路(又は
TEG回路)の出力専用と電源VDD用の兼用パッドに
なる。
The pad 14 of this embodiment is a clocked inverter 2 having an input side connected to a test circuit (or a TEG circuit).
Unlike the eighth embodiment shown in FIG. 8, the pad 14 serves as a dedicated pad for the output of the TEST circuit (or TEG circuit) and the power supply VDD, unlike the eighth embodiment shown in FIG.

【0077】本実施の形態の動作はTEST1用パッド
11に“1”を印加して、パッド14をテスト用に切り
換えた時、パッド14はTEST回路(又はTEG回
路)の出力専用パッドとなる点が第8の実施の形態と異
なるだけで、他の動作は第8の実施の形態と同様で、同
様の効果がある。
The operation of the present embodiment is such that when “1” is applied to the TEST1 pad 11 and the pad 14 is switched for testing, the pad 14 becomes a dedicated output pad of the TEST circuit (or TEG circuit). Is different from the eighth embodiment, and the other operations are the same as those of the eighth embodiment, and have the same effects.

【0078】図13は、本発明の集積回路の第13の実
施の形態を示した回路図である。本例の集積回路は図面
右から上記した第1、第2、第5、第10の実施の形態
で述べた電源(VDD又はVSS)用とテスト用の兼用
のパッド14a、14b、20a、20bの切換回路を
複合して搭載した例であるが、パッド14a、14b、
20a、20bの機能を切り換える制御信号を入力する
TEST1パッド11は全て共通である。
FIG. 13 is a circuit diagram showing a thirteenth embodiment of the integrated circuit according to the present invention. The integrated circuit of this example is a pad 14a, 14b, 20a, 20b for both power supply (VDD or VSS) and test described in the first, second, fifth, and tenth embodiments from the right side of the drawing. In this example, the pads 14a, 14b,
The TEST1 pad 11 for inputting a control signal for switching the functions of 20a and 20b is common.

【0079】次に本実施の形態の動作について説明す
る。TEST1パッド11がローレベル“0”であった
場合、全てのPチャネルトランジスタ15、Nチャネル
トランジスタ18はオンで、この時、伝送ゲート16及
びクロックドインバータ21はオフである。このため、
パッド14a、14b、20a、20bはそれぞれ内部
電源VDD、内部電源VSS、内部電源VDD、内部電
源VSSに接続され、電源用のパッドとして機能する。
Next, the operation of this embodiment will be described. When the TEST1 pad 11 is at the low level “0”, all the P-channel transistors 15 and the N-channel transistors 18 are on, and at this time, the transmission gate 16 and the clocked inverter 21 are off. For this reason,
The pads 14a, 14b, 20a, and 20b are connected to the internal power supply VDD, the internal power supply VSS, the internal power supply VDD, and the internal power supply VSS, respectively, and function as power supply pads.

【0080】次にパッド11がハイレベル“1”であっ
た場合、全てのPチャネルトランジスタ15、Nチャネ
ルトランジスタ18はオフで、この時、伝送ゲート16
及びクロックドインバータ21はオンである。
Next, when the pad 11 is at the high level "1", all the P-channel transistors 15 and the N-channel transistors 18 are turned off.
And the clocked inverter 21 is on.

【0081】このため、パッド14a、14b、20
a、20bはそれぞれTEST回路(TEG回路)に接
続される。このため、パッド14a、20aはTEST
回路(TEG回路)の双方向のテスト信号用のパッドに
なる。又、パッド14bはTEST回路(TEG回路)
の入力用のパッドになり、パッド20bはTEST回路
(TEG回路)の出力用のパッドになる。
For this reason, the pads 14a, 14b, 20
a and 20b are each connected to a TEST circuit (TEG circuit). For this reason, the pads 14a and 20a
It becomes a pad for a bidirectional test signal of the circuit (TEG circuit). The pad 14b is a TEST circuit (TEG circuit)
, And the pad 20b becomes a pad for output of the TEST circuit (TEG circuit).

【0082】本実施の形態によれば、複数のパッド14
a、14b、20a、20bを電源VDD、電源VSS
用とテスト信号用の兼用パッドとすることにより、チッ
プ面積当たり必要なパッドの数を減らすことができる。
これにより、集積回路の集積率向上が進んでチップ面積
が小さくなっても、チップ面積に対して必要なパッド数
を容易に確保することができる。
According to the present embodiment, a plurality of pads 14
a, 14b, 20a, and 20b are connected to the power supply VDD and the power supply VSS.
The number of necessary pads per chip area can be reduced by using the dual-purpose pads for test and test signals.
Thereby, even if the integration ratio of the integrated circuit is improved and the chip area is reduced, the required number of pads for the chip area can be easily secured.

【0083】[0083]

【発明の効果】以上詳細に説明したように、本発明の集
積回路によれば、パッドを電源用、信号用に兼用させる
ことにより、チップ面積に対して必要なパッド数を容易
に確保することができる。
As described above in detail, according to the integrated circuit of the present invention, the necessary number of pads for the chip area can be easily secured by using the pads for both power supply and signal. Can be.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の集積回路の第1の実施の形態を示した
回路図である。
FIG. 1 is a circuit diagram showing a first embodiment of an integrated circuit according to the present invention.

【図2】本発明の集積回路の第2の実施の形態を示した
回路図である。
FIG. 2 is a circuit diagram showing a second embodiment of the integrated circuit of the present invention.

【図3】本発明の集積回路の第2の実施の形態を示した
回路図である。
FIG. 3 is a circuit diagram showing a second embodiment of the integrated circuit of the present invention.

【図4】本発明の集積回路の第4の実施の形態を示した
回路図である。
FIG. 4 is a circuit diagram showing a fourth embodiment of the integrated circuit of the present invention.

【図5】本発明の集積回路の第5の実施の形態を示した
回路図である。
FIG. 5 is a circuit diagram showing a fifth embodiment of the integrated circuit of the present invention.

【図6】本発明の集積回路の第6の実施の形態を示した
回路図である。
FIG. 6 is a circuit diagram showing a sixth embodiment of the integrated circuit of the present invention.

【図7】本発明の集積回路の第7の実施の形態を示した
回路図である。
FIG. 7 is a circuit diagram showing a seventh embodiment of the integrated circuit of the present invention.

【図8】本発明の集積回路の第8の実施の形態を示した
回路図である。
FIG. 8 is a circuit diagram showing an integrated circuit according to an eighth embodiment of the present invention.

【図9】本発明の集積回路の第9の実施の形態を示した
回路図である。
FIG. 9 is a circuit diagram showing a ninth embodiment of the integrated circuit of the present invention.

【図10】本発明の集積回路の第10の実施の形態を示
した回路図である。
FIG. 10 is a circuit diagram showing a tenth embodiment of the integrated circuit of the present invention.

【図11】本発明の集積回路の第11の実施の形態を示
した回路図である。
FIG. 11 is a circuit diagram illustrating an integrated circuit according to an eleventh embodiment of the present invention.

【図12】本発明の集積回路の第12の実施の形態を示
した回路図である。
FIG. 12 is a circuit diagram showing a twelfth embodiment of the integrated circuit of the present invention.

【図13】本発明の集積回路の第13の実施の形態を示
した回路図である。
FIG. 13 is a circuit diagram showing a thirteenth embodiment of the integrated circuit of the present invention.

【図14】従来の集積回路の構成例を示した概略図であ
る。
FIG. 14 is a schematic diagram showing a configuration example of a conventional integrated circuit.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

11〜14、14a、14b、20、20a、20b
パッド 15、162 Pチャネルトランジスタ 16 伝送ゲート 17 インバータ 18、161 Nチャネルトランジスタ 21 クロックドインバータ
11 to 14, 14a, 14b, 20, 20a, 20b
Pad 15, 162 P-channel transistor 16 Transmission gate 17 Inverter 18, 161 N-channel transistor 21 Clocked inverter

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Fターム(参考) 5F038 BE05 BE09 DT02 DT03 DT04 EZ20 5J056 AA00 BB53 BB60 CC00 DD12 DD28 EE03 FF07  ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page F term (reference) 5F038 BE05 BE09 DT02 DT03 DT04 EZ20 5J056 AA00 BB53 BB60 CC00 DD12 DD28 EE03 FF07

Claims (3)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 複数のパッドを有する集積回路におい
て、 前記パッドの中の少なくとも1個以上のパッドを内部電
源か、又は内部回路のいずれか一方に接続させる切換回
路を具備し、 前記パッドの中の別の1個のパッドから制御信号を前記
切換回路に入力して前記接続の切換を行うことを特徴と
する集積回路。
1. An integrated circuit having a plurality of pads, comprising: a switching circuit for connecting at least one of the pads to one of an internal power supply and an internal circuit. An integrated circuit for inputting a control signal from another pad to the switching circuit to switch the connection.
【請求項2】 複数のパッドを有する集積回路におい
て、 前記パッドの中の少なくとも1個以上のパッドを内部電
源に接続するトランジスタと、 前記トランジスタが接続された前記パッドを内部回路に
接続するクロックドインバータと、 前記パッドの中の別の1個のパッドから入力される制御
信号により前記トランジスタをオンさせた時は前記クロ
ックドインバータをオフさせ、前記トランジスタをオフ
させた時は前記クロックドインバータをオンさせる制御
回路と、 を具備することを特徴とする集積回路。
2. An integrated circuit having a plurality of pads, wherein: a transistor for connecting at least one of the pads to an internal power supply; and a clocked circuit for connecting the pad to which the transistor is connected to an internal circuit. An inverter and, when the transistor is turned on by a control signal input from another one of the pads, the clocked inverter is turned off; and when the transistor is turned off, the clocked inverter is turned off. An integrated circuit, comprising: a control circuit for turning on the integrated circuit.
【請求項3】 複数のパッドを有する集積回路におい
て、 前記パッドの中の少なくとも1個以上のパッドを内部電
源に接続するトランジスタと、 前記トランジスタが接続された前記パッドを内部回路に
接続する伝送ゲートと、 前記パッドの中の別の1個のパッドから入力される制御
信号により前記トランジスタをオンさせた時は前記伝送
ゲートをオフさせ、前記トランジスタをオフさせた時は
前記伝送ゲートをオンさせる制御回路と、 を具備することを特徴とする集積回路。
3. An integrated circuit having a plurality of pads, wherein a transistor connects at least one of the pads to an internal power supply, and a transmission gate connects the pad connected to the transistor to an internal circuit. And controlling the transmission gate to be turned off when the transistor is turned on and the transmission gate to be turned on when the transistor is turned off by a control signal input from another one of the pads. An integrated circuit, comprising: a circuit;
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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US6683323B2 (en) * 2001-04-19 2004-01-27 Nec Electronics Corporation Semiconductor chip

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