JPH08125124A - Semiconductor integrated circuit - Google Patents

Semiconductor integrated circuit

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JPH08125124A
JPH08125124A JP26482294A JP26482294A JPH08125124A JP H08125124 A JPH08125124 A JP H08125124A JP 26482294 A JP26482294 A JP 26482294A JP 26482294 A JP26482294 A JP 26482294A JP H08125124 A JPH08125124 A JP H08125124A
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JP
Japan
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circuit
power switch
power supply
semiconductor integrated
block
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JP26482294A
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Japanese (ja)
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Hiroyuki Kadoi
広幸 角井
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Fujitsu Ltd
Original Assignee
Fujitsu Ltd
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Publication date
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Abstract

PURPOSE: To obtain a semiconductor integrated circuit in which a power switch circuit can be turned ON/OFF only with a small number of external or internal signals by connecting feeder lines, connected with bonding terminals, through the power switch circuit with a circuit block. CONSTITUTION: A circuit block 14 and a power switch circuit 40 are connected with feeder lines VDD and VSS. The power switch control circuit 40 turns power switch circuits 21, 22 ON/OFF for circuit blocks 11-13 based on a signal delivered from the circuit block 14 or an external signal received through a pad. When the circuit blocks 11-13 are turned ON/OFF independently, power consumption can be reduced as compared with a case where the circuit blocks 11-13 are turned ON/OFF simultaneously. Consequently, the power switch circuit can be turned ON/OFF with small number of external or internal signals.

Description

【発明の詳細な説明】Detailed Description of the Invention

【0001】[0001]

【産業上の利用分野】本発明は、非動作時の消費電力を
低減した半導体集積回路に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor integrated circuit with reduced power consumption when not operating.

【0002】[0002]

【従来の技術】携帯型電子機器は、電池駆動であるた
め、その半導体集積回路の非動作時の消費電力を低減し
て電池の長寿命化を図ることが要求されている。図5
(B)は、従来の半導体集積回路1の概略を示す。半導
体集積回路1内の基本論理ゲート2は、例えば、図5
(A)に示す如くCMOSインバータであり、その一端
がpMOSトランジスタ3を介して電源供給線VDDに
接続され、他端がnMOSトランジスタ4を介して電源
供給線VSSに接続されている。動作時にはトランジス
タ3及4がオンにされ、非動作時にはトランジスタ3及
び4がオフにされて、消費電力の低減が図られている。
2. Description of the Related Art Since portable electronic equipment is driven by a battery, it is required to reduce the power consumption of the semiconductor integrated circuit when the semiconductor integrated circuit is not in operation and to extend the life of the battery. Figure 5
FIG. 1B shows an outline of the conventional semiconductor integrated circuit 1. The basic logic gate 2 in the semiconductor integrated circuit 1 is, for example, as shown in FIG.
As shown in (A), it is a CMOS inverter, one end of which is connected to the power supply line VDD through the pMOS transistor 3 and the other end of which is connected to the power supply line VSS through the nMOS transistor 4. The transistors 3 and 4 are turned on during the operation, and the transistors 3 and 4 are turned off during the non-operation to reduce the power consumption.

【0003】[0003]

【発明が解決しようとする課題】しかし、基本論理ゲー
ト2毎に電源スイッチ回路としてのトランジスタ3及び
4を設けているので、トランジスタ3及び4の数が膨大
となり、チップサイズの増大、歩留りの低下及びコスト
高などの問題が生じていた。本発明の目的は、このよう
な問題点に鑑み、電源スイッチ回路のチップ上占有面積
を低減できる半導体集積回路を提供することにある。
However, since the transistors 3 and 4 as the power supply switch circuit are provided for each of the basic logic gates 2, the number of transistors 3 and 4 becomes enormous and the chip size increases and the yield decreases. In addition, there were problems such as high cost. In view of such problems, an object of the present invention is to provide a semiconductor integrated circuit that can reduce the area occupied by a power switch circuit on a chip.

【0004】[0004]

【課題を解決するための手段及びその作用】本発明で
は、回路ブロックの周辺に、非動作時にオフにするため
の電源スイッチ回路が配置され、ボンディング用端子に
接続された電源供給線が該電源スイッチ回路を介して該
回路ブロックに接続されている。この第1発明によれ
ば、回路ブロックの消費電流は一般に回路ブロック内の
各基本回路の最大消費電流の和より小さいので、回路ブ
ロック内の各基本回路に電源スイッチ回路を備えた場合
よりも電源スイッチ回路のチップ上占有面積を低減でき
る。
According to the present invention, a power switch circuit for turning off when not in operation is arranged around a circuit block, and a power supply line connected to a bonding terminal is used for the power supply. It is connected to the circuit block via a switch circuit. According to the first aspect of the present invention, since the current consumption of the circuit block is generally smaller than the sum of the maximum current consumption of the basic circuits in the circuit block, the power supply is more than that in the case where each basic circuit in the circuit block is provided with the power switch circuit. The area occupied on the chip of the switch circuit can be reduced.

【0005】本発明の第1態様では、ボンディング用端
子に接続された電源供給線が接続され、上記電源スイッ
チ回路をオン/オフ制御するための電源スイッチ制御回
路、を有する。この第1態様によれば、少ない外部信号
又は外部信号なしで内部信号のみにより電源スイッチ回
路をオン/オフ制御することができる。
According to a first aspect of the present invention, there is provided a power supply switch control circuit for connecting the power supply line connected to the bonding terminal and controlling ON / OFF of the power supply switch circuit. According to the first aspect, the power switch circuit can be controlled to be turned on / off by only the internal signal without a small external signal or external signal.

【0006】本発明の第2態様では、上記電源スイッチ
回路は、複数の回路ブロックに対し共通に設けられてい
る。この第2態様によれば、複数の回路ブロック(半導
体チップ上の略全体の回路の場合を含む)を同時にオン
/オフ制御する必要が有る場合、複数の回路ブロックの
消費電流は一般に各回路ブロックの最大消費電流の和よ
り小さいので、回路ブロック毎に電源スイッチ回路を備
えた場合よりも電源スイッチ回路のチップ上占有面積を
低減できる。
In a second aspect of the present invention, the power switch circuit is provided commonly to a plurality of circuit blocks. According to the second aspect, when it is necessary to simultaneously control ON / OFF of a plurality of circuit blocks (including the case of almost the entire circuit on the semiconductor chip), the current consumption of the plurality of circuit blocks is generally the same as that of each circuit block. Since it is smaller than the sum of the maximum current consumption of, the area occupied on the chip of the power switch circuit can be reduced as compared with the case where the power switch circuit is provided for each circuit block.

【0007】[0007]

【実施例】以下、図面に基づいて本発明の各種実施例を
3つの形態に分けて説明する。図中には、電源スイッチ
回路にハッチングを施してその位置を明瞭にしている。 [第1形態]図1は、第1形態の半導体集積回路及びそ
の回路ブロックに対する電源スイッチ回路の各種配置を
示す。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Various embodiments of the present invention will be described below in three different forms with reference to the drawings. In the figure, the power switch circuit is hatched to clarify its position. [First Mode] FIG. 1 shows various arrangements of a power supply switch circuit for a semiconductor integrated circuit of the first mode and circuit blocks thereof.

【0008】図1(A)において、半導体集積回路10
内の回路ブロック11〜14の内、回路ブロック11〜
13の各々はその対向する両端の周部に電源スイッチ回
路21及び22が配置されている。回路ブロック11〜
14は機能的又は物理的に分割されたものであり、複数
の基本論理ゲートを含む。電源スイッチ回路21は、1
個又は複数の互いに並列接続されたトランジスタ、例え
ばpMOSトランジスタで構成され、その一端が電源供
給線VDDを介してボンディング用端子としてのパッド
31又は32に接続され、他端が図1(B)に示す如
く、一定間隔で互いに平行に配置された複数本の内部電
源供給線Vddに接続されている。同様に、電源スイッ
チ回路22は、1個又は複数の互いに並列接続されたト
ランジスタ、例えばnMOSトランジスタで構成され、
その一端が電源供給線(グランド線)VSSを介してボ
ンディング用端子としてのパッド33又は34に接続さ
れ、他端が、一定間隔で互いに平行に配置された複数本
の内部電源供給線Vssに接続されている。
In FIG. 1A, a semiconductor integrated circuit 10
Of the circuit blocks 11 to 14 inside, the circuit blocks 11 to 11
Each of the 13 has power switch circuits 21 and 22 arranged at the peripheral portions of the opposite ends thereof. Circuit block 11-
14 is functionally or physically divided and includes a plurality of basic logic gates. The power switch circuit 21 is 1
One or a plurality of transistors connected in parallel, for example, pMOS transistors, one end of which is connected to a pad 31 or 32 as a bonding terminal through a power supply line VDD, and the other end of which is shown in FIG. As shown, it is connected to a plurality of internal power supply lines Vdd arranged in parallel with each other at regular intervals. Similarly, the power switch circuit 22 includes one or a plurality of transistors connected in parallel, for example, nMOS transistors,
One end thereof is connected to a pad 33 or 34 as a bonding terminal via a power supply line (ground line) VSS, and the other end is connected to a plurality of internal power supply lines Vss arranged in parallel with each other at regular intervals. Has been done.

【0009】これに対し、回路ブロック14及び電源ス
イッチ制御回路40には電源供給線VDD及びVSSが
直接接続されている。電源スイッチ制御回路40は、回
路ブロック14からの信号又は外部からパットを介し直
接供給される信号に基づいて、回路ブロック11〜13
の各々に対する電源スイッチ回路21及び22のオン/
オフを制御する。このオン/オフ制御は、回路ブロック
11〜13の機能に応じて、回路ブロック11〜13毎
に独立に又は同時に行われる。回路ブロック11〜13
毎に独立にオン/オフ制御する場合には、回路ブロック
11〜13を同時にオン/オフ制御する場合よりも消費
電力を低減可能である。外部信号なしで内部信号のみに
よりオン/オフ制御する場合には、外部制御信号が不要
なので効果的である。
On the other hand, the power supply lines VDD and VSS are directly connected to the circuit block 14 and the power switch control circuit 40. The power switch control circuit 40, based on a signal from the circuit block 14 or a signal directly supplied from the outside via a pad, the circuit blocks 11 to 13.
ON / OFF of the power switch circuits 21 and 22 for each of the
Control off. This on / off control is performed independently or simultaneously for each of the circuit blocks 11 to 13 according to the function of the circuit blocks 11 to 13. Circuit blocks 11-13
When the on / off control is independently performed for each, power consumption can be reduced as compared with the case where the circuit blocks 11 to 13 are simultaneously on / off controlled. When the on / off control is performed only by the internal signal without the external signal, the external control signal is unnecessary, which is effective.

【0010】回路ブロック11〜13内の不図示の各回
路にはその近くの内部電源供給線Vdd及びVssから
電源が供給される。例えば回路ブロック11が多数の2
入力ナンドゲートで構成されている場合、同時に、電源
供給線VDDからナンドゲートを通って電源供給線VS
Sへ貫通電流が流れるナンドゲートの数は、通常、回路
ブロック11内の全ナンドゲートの2割以下である。
Power is supplied to each circuit (not shown) in the circuit blocks 11 to 13 from the internal power supply lines Vdd and Vss in the vicinity thereof. For example, the circuit block 11 has a large number of 2
When the input NAND gate is used, at the same time, the power supply line VDD is passed from the power supply line VDD through the NAND gate.
The number of NAND gates through which a through current flows to S is usually 20% or less of all the NAND gates in the circuit block 11.

【0011】したがって、本第1形態によれば、従来の
ように各ナンドゲートに電源スイッチ回路を配置した場
合よりも電源スイッチ回路のチップ上占有面積を2割以
下に抑えることができる。回路ブロック11に対する電
源スイッチ回路21及び22の配置には、各種のものが
考えられ、その具体例を図1(C)〜(G)に示す。
Therefore, according to the first embodiment, the occupied area on the chip of the power supply switch circuit can be suppressed to 20% or less as compared with the conventional case where the power supply switch circuit is arranged in each NAND gate. Various arrangements of the power switch circuits 21 and 22 with respect to the circuit block 11 can be considered, and specific examples thereof are shown in FIGS.

【0012】図1(C)では、回路ブロック11の隣合
う辺に沿って電源スイッチ回路21及び22が配置され
ている。この場合、図1(D)に示す如く電源スイッチ
回路21からの延びた内部電源供給線Vddと電源スイ
ッチ回路22から延びた内部電源供給線Vssとは、異
なる配線層で互いに交差するように配置されている。図
1(E)では、電源スイッチ回路21及び22の各々が
回路ブロック11の隣合う辺に沿って配置されている。
In FIG. 1C, power supply switch circuits 21 and 22 are arranged along adjacent sides of the circuit block 11. In this case, as shown in FIG. 1D, the internal power supply line Vdd extending from the power switch circuit 21 and the internal power supply line Vss extending from the power switch circuit 22 are arranged so as to intersect with each other in different wiring layers. Has been done. In FIG. 1E, the power switch circuits 21 and 22 are arranged along the adjacent sides of the circuit block 11.

【0013】図1(F)では、電源スイッチ回路21及
び22の各々が、回路ブロック11の一辺及びこれと隣
合う2辺の一部に沿って配置されている。図1(G)で
は、図1(F)の電源スイッチ回路21及び22の両端
部が延びて電源スイッチ回路21と22とで回路ブロッ
ク11全体を囲んでいる。 [第2形態]上記第1形態では、各回路ブロック毎に電
源スイッチ回路が配置されている場合を示したが、複数
の回路ブロックに対し共通の電源スイッチ回路を配置し
てもよく、これを第2形態として図2に示す。図2で
は、電源供給線VDD及びVSSを図示省略している。
In FIG. 1F, each of the power supply switch circuits 21 and 22 is arranged along one side of the circuit block 11 and a part of two sides adjacent to the one side. In FIG. 1G, both ends of the power switch circuits 21 and 22 of FIG. 1F extend so that the power switch circuits 21 and 22 surround the entire circuit block 11. [Second Mode] In the first mode, the power switch circuit is arranged for each circuit block. However, a common power switch circuit may be arranged for a plurality of circuit blocks. A second mode is shown in FIG. In FIG. 2, the power supply lines VDD and VSS are not shown.

【0014】図2(A)では、複数の回路ブロック11
〜13に対しこれらの対向する辺に沿って電源スイッチ
回路21及び22が配置されている。回路ブロック14
及び15についても同様である。図2(B)では、回路
ブロック11及び12の一辺に沿って電源スイッチ回路
21が配置され、この辺と隣合う辺に沿って且つ回路ブ
ロック11と12の間に、電源スイッチ回路22が配置
されている。回路ブロック15は、回路ブロック14用
の内部電源供給線を延長したものが使用される。
In FIG. 2A, a plurality of circuit blocks 11 are provided.
Power supply switch circuits 21 and 22 are arranged along these opposing sides with respect to .about. Circuit block 14
The same applies to 15 and 15. In FIG. 2B, the power supply switch circuit 21 is arranged along one side of the circuit blocks 11 and 12, and the power supply switch circuit 22 is arranged along the side adjacent to this side and between the circuit blocks 11 and 12. ing. As the circuit block 15, an extension of the internal power supply line for the circuit block 14 is used.

【0015】図2(C)では、回路ブロック11〜13
のグループ及び回路ブロック14及び15のグループに
対しそれぞれ、図1(F)及び(E)と同様な形で電源
スイッチ回路21及び22が配置されている。以上の第
2形態は、特に複数の回路ブロックを同時にオン/オフ
制御する必要が有る場合、複数の回路ブロックの消費電
流は一般に各回路ブロックの最大消費電流の和より小さ
いので、第1形態のように回路ブロック毎に電源スイッ
チ回路を備えた場合よりも電源スイッチ回路のチップ上
占有面積を低減できる。
In FIG. 2C, the circuit blocks 11 to 13 are shown.
The power switch circuits 21 and 22 are arranged in the same manner as in FIGS. 1F and 1E, respectively, for the group 1 and the circuit blocks 14 and 15. In the above-described second mode, the current consumption of the plurality of circuit blocks is generally smaller than the sum of the maximum current consumption of each circuit block, especially when it is necessary to control ON / OFF of the plurality of circuit blocks at the same time. Thus, the area occupied by the power switch circuit on the chip can be reduced as compared with the case where the power switch circuit is provided for each circuit block.

【0016】[第3形態]上記第2形態では、回路ブロ
ックを複数のグループに分け、各グループに対し電源ス
イッチ回路が配置されている場合を示したが、1つの半
導体チップ内のほぼ全部の回路ブロックに対し電源スイ
ッチ回路を配置することも可能であり、これを第3形態
として図3及び図4に示す。図3及び図4では、電源供
給線VDD及びVSSを図示省略している。
[Third Mode] In the second mode, the circuit block is divided into a plurality of groups, and the power switch circuit is arranged for each group. However, almost all of the semiconductor chips in one semiconductor chip are arranged. It is also possible to dispose a power switch circuit in the circuit block, which is shown as a third form in FIGS. 3 and 4. In FIGS. 3 and 4, the power supply lines VDD and VSS are omitted.

【0017】図3(A)では、回路ブロック11〜14
を1つの回路ブロックと見なしたときの対向する辺に沿
って、電源スイッチ回路21及び22が配置されてい
る。図3(B)では、回路ブロック11〜13を1つの
回路ブロックと見なしたときに図1(C)と同様な形で
電源スイッチ回路21及び22が配置されている。図3
(C)では、回路ブロック11〜14を1つの回路ブロ
ックと見なしたときに図1(F)と同様な形で電源スイ
ッチ回路21及び22が配置されている。
In FIG. 3A, the circuit blocks 11-14 are shown.
The power switch circuits 21 and 22 are arranged along the opposite sides when the circuit is regarded as one circuit block. In FIG. 3B, when the circuit blocks 11 to 13 are regarded as one circuit block, the power switch circuits 21 and 22 are arranged in the same manner as in FIG. 1C. FIG.
In (C), when the circuit blocks 11 to 14 are regarded as one circuit block, the power supply switch circuits 21 and 22 are arranged in the same manner as in FIG. 1 (F).

【0018】図4(A)では、ボンディングパッド列の
下層に電源スイッチ回路21及び22が配置されてい
る。図4(B)では、ボンディングパッド列の外側に電
源スイッチ回路21及び22が配置されている。回路ブ
ロック15及び16には、電源供給線VDD及びVSS
が直接供給される。
In FIG. 4A, the power switch circuits 21 and 22 are arranged below the bonding pad row. In FIG. 4B, the power switch circuits 21 and 22 are arranged outside the bonding pad row. The circuit blocks 15 and 16 include power supply lines VDD and VSS.
Are supplied directly.

【0019】図4(C)では、ボンディングパッド列と
回路ブロック11〜14との間に電源スイッチ回路21
及び22が配置されている。電源スイッチ回路21及び
22の上層には、それぞれパッド31及び33に接続さ
れた幅広の電源供給線VDD及びVSSが配置され、そ
れぞれ電源スイッチ回路21及び22の一端に接続され
ている。
In FIG. 4C, the power switch circuit 21 is provided between the bonding pad row and the circuit blocks 11-14.
And 22 are arranged. Wide power supply lines VDD and VSS connected to the pads 31 and 33, respectively, are arranged on the upper layers of the power switch circuits 21 and 22, and are connected to one ends of the power switch circuits 21 and 22, respectively.

【0020】以上の第3形態は、特に半導体チップ内の
ほぼ全部の回路ブロックを同時にオン/オフ制御する必
要が有る場合に、第2形態よりも電源スイッチ回路のチ
ップ上占有面積を低減できる。
The above third mode can reduce the area occupied by the power switch circuit on the chip more than the second mode, especially when it is necessary to control on / off of almost all circuit blocks in the semiconductor chip at the same time.

【0021】[0021]

【発明の効果】以上説明した如く、本発明に係る半導体
集積回路によれば、回路ブロックの消費電流は一般に回
路ブロック内の各基本回路の最大消費電流の和より小さ
いので、回路ブロック内の各基本回路に電源スイッチ回
路を備えた場合よりも電源スイッチ回路のチップ上占有
面積を低減できるという効果を奏する。
As described above, according to the semiconductor integrated circuit of the present invention, the current consumption of the circuit block is generally smaller than the sum of the maximum current consumption of the basic circuits in the circuit block. The effect that the area occupied on the chip of the power supply switch circuit can be reduced compared to the case where the power supply switch circuit is provided in the basic circuit.

【0022】本発明の第1態様によれば、少ない外部信
号又は外部信号なしで内部信号のみにより電源スイッチ
回路をオン/オフ制御することができるという効果を奏
する。本発明の第2態様によれば、複数の回路ブロック
を同時にオン/オフ制御する必要が有る場合、複数の回
路ブロックの消費電流は一般に各回路ブロックの最大消
費電流の和より小さいので、回路ブロック毎に電源スイ
ッチ回路を備えた場合よりも電源スイッチ回路のチップ
上占有面積を低減できるという効果を奏する。
According to the first aspect of the present invention, there is an effect that the power switch circuit can be controlled to be turned on / off by only the internal signal without a small external signal or external signal. According to the second aspect of the present invention, when it is necessary to control ON / OFF of a plurality of circuit blocks at the same time, the current consumption of the plurality of circuit blocks is generally smaller than the sum of the maximum current consumption of the respective circuit blocks. The effect that the area occupied on the chip of the power supply switch circuit can be reduced compared to the case where the power supply switch circuit is provided for each.

【図面の簡単な説明】[Brief description of drawings]

【図1】本発明の第1形態の半導体集積回路及びその回
路ブロックに対する電源スイッチ回路の各種配置を示す
を示すブロック図である。
FIG. 1 is a block diagram showing various arrangements of a power supply switch circuit for a semiconductor integrated circuit of the first embodiment of the present invention and a circuit block thereof.

【図2】本発明の第2形態の半導体集積回路を示すブロ
ック図である。
FIG. 2 is a block diagram showing a semiconductor integrated circuit according to a second embodiment of the present invention.

【図3】本発明の第3形態の半導体集積回路を示すブロ
ック図である。
FIG. 3 is a block diagram showing a semiconductor integrated circuit according to a third embodiment of the present invention.

【図4】本発明の第3形態の半導体集積回路を示すブロ
ック図である。
FIG. 4 is a block diagram showing a semiconductor integrated circuit according to a third embodiment of the present invention.

【図5】従来の半導体集積回路の消費電力低減方法を示
すブロック図である。
FIG. 5 is a block diagram showing a conventional method for reducing power consumption of a semiconductor integrated circuit.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1、10 半導体集積回路 11〜16 回路ブロック 21、22 電源スイッチ回路 31〜34 パッド 40 電源スイッチ制御回路 1, 10 Semiconductor integrated circuit 11-16 Circuit block 21, 22 Power switch circuit 31-34 Pad 40 Power switch control circuit

Claims (3)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 回路ブロックの周辺に、非動作時にオフ
にするための電源スイッチ回路が配置され、ボンディン
グ用端子に接続された電源供給線が該電源スイッチ回路
を介して該回路ブロックに接続されていることを特徴と
する半導体集積回路。
1. A power switch circuit for turning off when not operating is arranged around the circuit block, and a power supply line connected to a bonding terminal is connected to the circuit block through the power switch circuit. A semiconductor integrated circuit characterized in that.
【請求項2】 ボンディング用端子に接続された電源供
給線が接続され、前記電源スイッチ回路をオン/オフ制
御するための電源スイッチ制御回路、 を有することを特徴とする請求項1記載の半導体集積回
路。
2. The semiconductor integrated circuit according to claim 1, further comprising a power switch control circuit for connecting a power supply line connected to a bonding terminal and controlling ON / OFF of the power switch circuit. circuit.
【請求項3】 前記電源スイッチ回路は、複数の回路ブ
ロックに対し共通に設けられていることを特徴とする請
求項1又は2記載の半導体集積回路。
3. The semiconductor integrated circuit according to claim 1, wherein the power switch circuit is provided commonly to a plurality of circuit blocks.
JP26482294A 1994-10-28 1994-10-28 Semiconductor integrated circuit Withdrawn JPH08125124A (en)

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JP26482294A JPH08125124A (en) 1994-10-28 1994-10-28 Semiconductor integrated circuit

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JP (1) JPH08125124A (en)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5844263A (en) * 1997-01-06 1998-12-01 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Semiconductor integrated device having independent circuit blocks and a power breaking means for selectively supplying power to the circuit blocks
KR100769492B1 (en) * 2001-05-25 2007-10-24 후지쯔 가부시끼가이샤 Semiconductor integrated circuit

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