JP2000252571A - レーザマーキング装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】低い繰返しパルスでピークパワーを抑えたレー
ザパルス発振し浅い加工深さで視認性の良いマーキング
を行うレーザマーキング装置を提供する。 【解決手段】Ｑスイッチ15をレーザ発振光軸上に有する
レーザ発振器１と、Ｑスイッチ15を制御しレーザピーク
出力を制御する制御装置２と、レーザ発振器１から出射
されるレーザ光2Gを走査してマーキングを行うマーキン
グ制御手段６と、を備えてなるレーザマーキング装置に
おいて、制御装置２は、レーザ発振出力間隔を制御する
発振周波数ｆとその発振周波数ｆの１サイクルにおける
発振時間T2とＱスイッチ15の励振波形の波尾が予め定め
られた減衰特性で減衰する減衰時間Tdとを設定する設定
手段21を備え、この発振波形2CをＱスイッチ励起周波数
2Dで変調した波形でＱスイッチ15を励起する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、樹脂などの素材の
ごく表面のみに視認性の良いマーキングを行う、特に、
ＩＣパッケージなどの封止材として使用される樹脂に、
任意のロゴや文字などをマーキングするレーザマーキン
グ装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】図４において、従来技術のレーザマーキ
ング装置は、Ｑスイッチ15をレーザ発振光軸上に有する
レーザ発振器１と、このＱスイッチ15を制御しレーザピ
ーク出力を制御する制御装置５と、このレーザ発振器１
から出射されるレーザ光2Mを走査してマーキングを行う
マーキング制御手段６と、を備えて構成される。

【０００３】図示例では、レーザ発振器１は、ＹＡＧ(Y
₃Al₃O₁₂:イットリウム・アルミニウム・ガーネット) に
Nd³⁺イオンをドープし、Y³⁺ イオンと置換することによ
り活性イオンとした結晶で構成されるＹＡＧロッド11
と、このＹＡＧロッド11を光励起するランプ12と、この
ＹＡＧロッド11の両端面側に配置されレーザ光の共振回
路を構成する90％反射型のミラー13と、100 ％反射型の
ミラー14と、ＹＡＧロッド11とミラー13、14の光軸上に
配置されるＱスイッチ15と、から構成される。

【０００４】かかる構成により、レーザ発振器１は、光
軸上に配置されるＱスイッチ15が励起されているとき
は、点線で図示されるレーザ光の光往復路の共振回路が
このＱスイッチ15によって遮断されるので、ランプ12か
ら得られる光エネルギーはＹＡＧロッド11内に光励起エ
ネルギーとして蓄積される。

【０００５】次に、Ｑスイッチ15を開くと、ＹＡＧロッ
ド11の光軸上に点線で図示される共振回路が形成され、
ＹＡＧロッド11上の共振光に比例してＹＡＧロッド11内
に蓄積された励起エネルギーが共振光と同一位相、同一
波長の光エネルギーとしてＹＡＧロッド11内に放出さ
れ、この光が更に共振回路の共振光となり、爆発的にＹ
ＡＧロッド11内のレーザ光は増大し、90％ミラー13から
レーザ光2Mが放出される。即ち、この状態では、レーザ
発振器１はパルス発振を生じ、ピークパワーを放出する
ことができる。

【０００６】制御装置５は、レーザ発振の主パルス出力
間隔を制御する発振周波数f(=1/T1)と、その発振周波数
ｆの１サイクルにおける発振時間T2と、を設定しパルス
出力2Aを出力する設定手段51と、Ｑスイッチ15を励起す
る正弦波発振器22と、この正弦波発振器22の出力2Dをパ
ルス出力2Aでスイッチングするスイッチ素子53と、この
スイッチ素子53の出力を電力増幅しＱスイッチ15を励起
する電力増幅器25と、を備えて構成される。

【０００７】かかる構成における制御装置５の動作を図
４を併用して図５を説明する。図５において、横軸に時
間軸を、縦軸に各部に出力波形を図示する。制御装置５
の設定手段21は、レーザ発振の主パルス出力間隔を制御
する発振周波数ｆ(=1/T1) とその発振周波数ｆの１サイ
クルにおける発振時間T2とを有するパルス出力2Aを出力
する。実施例では24MHz の正弦波出力を有する正弦波発
振器22の出力2Dを上記パルス出力2Aでスイッチングする
ことによりスイッチ素子53の出力2Kを得る。このスイッ
チ素子53の出力2Kを電力増幅器25で電力増幅(2L)してＱ
スイッチ15を開閉制御する。

【０００８】かかる構成で発生したレーザ出力2Gは、光
軸調整ミラー61、ビームエキスパンダ62、スキャナ63、
ｆθレンズ64、ガルバノメータ65からなるマーキング制
御手段６を制御して、レーザビーム（レーザ出力）2Gを
被加工物、例えば、ＩＣパッケージなどの封止材として
使用される樹脂などの素材の表面を走査してごく表面に
任意のロゴや文字などをマーキングを行うことができ
る。

【０００９】この様な従来技術によるレーザマーキング
装置として、特開平8-141758「ビームスキャン式レーザ
マーキング方法および装置」が開示されている。図６に
おいて、この開示されたレーザマーキング方法の例によ
れば、図６の(B) に図示されるＱスイッチ制御信号を発
振周波数20kHz,OFF 発振時間80μsec で制御すると、図
６の(C) に図示される様にレーザ発振出力2Mは主パルス
P1, 副パルスP2が発生する。また、図７において、Ｑス
イッチを制御する制御信号が低い発振周波数ｆで OFFに
する発振時間T2が10μsec では、ピークパワーの高い主
パルスP1のみが発生し、図７の(A) に図示される様に加
工深さが50〜100 μm に達する深い気化蒸発部6Aが発生
する。他方、レーザ発振周波数を20kHz で発振時間T2を
50μsecあるいは80μsec に選択すると、レーザ発振出
力2Mは主パルスP1と副パルスP2が発生し、図７の(B),
(C) に図示される様に浅い気化蒸発部6Bと変色層6bある
いは浅い気化蒸発部6Cと変色層6cが発生する。レーザ発
振周波数を 5〜50kHz の範囲で発振時間T2を20〜200 μ
sec の範囲内で、素材のごく表面のみに視認性の良いマ
ーキングができることが開示されている。

【００１０】

【発明が解決しようとする課題】この様に、従来技術に
よるレーザマーキング装置は、レーザ発振器内に設置さ
れるＱスイッチの発振周波数と発振時間T2とを適切に選
択して制御することにより、浅い加工深さで視認性の良
いマーキングを行うことができる。

【００１１】一般的にＱスイッチ素子を駆動する高周波
電力はON-OFFの２値動作で駆動されるが（実際上は回路
時定数などにより数十μsec のOFF 時間特性を持つてい
るが) 、このON-OFFの２値動作で 0.1〜10kHz 程度の低
い繰り返しパルスで加工を行うと、ピークパワーの高い
レーザパルスが発振され、被加工物の深い部分にまで熱
的影響を及ぼし、樹脂の封止機能を損ねると言う問題が
ある。

【００１２】本発明は上記の点にかんがみてなされたも
のであり、その目的は前記した課題を解決して、低い繰
り返しパルスで加工を行っても、ピークパワーを抑えた
レーザパルス発振することができ、浅い加工深さで視認
性の良いマーキングを行うことができるレーザマーキン
グ装置を提供することにある。

【００１３】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明においては、Ｑスイッチ式CW励起ＹＡＧレー
ザ発振器と、このＱスイッチを制御しレーザピーク出力
を制御する制御装置と、このレーザ発振器から出射され
るレーザ光を走査してマーキングを行うマーキング制御
手段と、を備えてなるレーザマーキング装置において、
制御装置は、レーザ発振出力間隔を制御する発振周波数
と、その発振周波数の１サイクルにおける発振時間と、
Ｑスイッチの励振波形の波尾が予め定められた減衰特性
で減衰する減衰時間と、を設定する設定手段を備え、こ
の発振波形をＱスイッチ励起周波数で変調した波形でＱ
スイッチを励起するものとする。

【００１４】かかる構成により、Ｑスイッチの励振波形
の波尾が予め定められた減衰特性で減衰し、励振パワー
で約20〜30％に減衰すると、レーザ発振器はレーザ光の
放出を開始し始め、ＹＡＧロッド内に蓄積された励起エ
ネルギの一部がレーザ光として放出が始まる。このレー
ザ光放出開始の初期の段階では、レーザ光の共振回路上
の光リークが少ないので、この光リークが始まってから
のＱスイッチの励振波形の減衰特性を制御することによ
って、ＹＡＧロッド内に蓄積された励起エネルギの一部
を低いパワーレベルのレーザ光として放出することがで
きる。この結果、レーザ発振出力間隔を制御する発振周
波数が低くても、ピークパワーを抑えたレーザパルス発
振をさせることができる。

【００１５】また、制御装置は、パルス発振周波数とこ
のパルス発振周波数の１サイクルにおける発振時間とパ
ルス発振波形の波尾が予め定められた減衰特性で降下す
る減衰時間とを設定する設定手段と、波形成形器と、Ｑ
スイッチを励起する正弦波発振器と、乗算器と、電力増
幅器と、を備えて構成することができる。

【００１６】かかる構成により、設定手段で設定された
矩形波パルス出力を波形成形器で波尾が予め定められた
減衰時間で減衰する波形に成形し、この成形波形と正弦
波発振器出力とを乗算器で乗算し、電力増幅器で増幅し
て、波尾が減衰特性を有する波形でＱスイッチを励起す
ることができる。また、波形成形器は、設定手段で設定
された矩形波パルス出力を遅延させる遅延回路と、セレ
クタ回路と、を備えて構成することができる。

【００１７】かかる構成により、設定手段で設定された
矩形波パルス出力と、この矩形波パルス出力を遅延回路
で遅延した出力と、の大きい方の出力をセレクタ回路で
選択することにより、波尾が予め定められた減衰時間で
減衰する波形を形成することができる。

【００１８】また、セレクタ回路は、２個の演算増幅器
と、この演算増幅器の出力回路を同一方向の極性でダイ
オードを介して接続して出力とし、この出力を演算増幅
器の負の入力端子に帰還し、演算増幅器の正の入力端子
に設定手段で設定された矩形波パルス出力および減衰時
間が設定される遅延回路出力を接続して構成することが
できる。

【００１９】

【発明の実施の形態】図１は本発明の一実施例としての
レーザマーキング装置を説明する要部構成図、図２は制
御装置の各部信号波形およびレーザパルス波形図、図３
は一実施例としての波形成形器の回路図であり、図４〜
図７に対応する同一部材には同じ符号が付してある。

【００２０】図１において、レーザマーキング装置は、
Ｑスイッチ15をレーザ発振光軸上に有するレーザ発振器
１と、このＱスイッチ15を制御しレーザピーク出力を制
御する制御装置２と、このレーザ発振器１から出射され
るレーザ光2Gを走査してマーキングを行うマーキング制
御手段６と、を備えて構成される。また、制御装置２
は、レーザ発振出力の間隔を制御する発振周波数ｆと，
その発振周波数ｆの１サイクルにおける発振時間T2と，
Ｑスイッチ15の励振波形2Fの波尾が予め定められた減衰
特性で減衰する減衰時間Tdと，を設定する設定手段21を
備え、この発振波形2CをＱスイッチ15を励起する正弦波
発振器24の出力2Dで変調した波形2Eおよびこの波形を電
力増幅器25で増幅した波形2FでＱスイッチ15を励起す
る。

【００２１】かかる構成により、制御装置２は設定手段
21の発振周波数ｆ（周期T1＝1/ｆ）および発振時間T2で
定まる矩形波パルス出力2Aを出力し、波形成形器23はこ
の矩形波パルス出力2Aを受けて波尾が予め定められた減
衰特性（減衰時間Td）で減衰する出力2Cを出力する。こ
の設定手段21の発振周波数ｆ，発振時間T2, 波尾減衰時
間Tdを設定することにより、低い繰り返しパルスで加工
を行っても、ピークパワーを抑えたレーザパルスを発振
することができ、浅い加工深さで視認性の良いマーキン
グ処理を行うことができる。

【００２２】

【実施例】図１、図２を併用して説明する。図１に図示
するレーザマーキング装置は、Ｑスイッチ15をレーザ発
振光軸上に有するレーザ発振器１と、このＱスイッチ15
を制御しレーザピーク出力を制御する制御装置２と、こ
のレーザ発振器１から出射されるレーザ光2Gを走査して
マーキングを行うマーキング制御手段６と、を備えて構
成される。また、制御装置２は、レーザ発振出力の間隔
を制御する発振周波数ｆと, その発振周波数ｆの１サイ
クルにおける発振時間T2と, Ｑスイッチ15の励振波形2F
の波尾が予め定められた減衰特性で減衰する減衰時間Td
と, を設定し矩形波パルス2Aを出力する設定手段21と、
波形成形器23と、Ｑスイッチを高周波数で励起する正弦
波発振器22（実施例では24MHz の発振周波数）と、乗算
器24と、電力増幅器25と、を備えて構成される。

【００２３】かかる構成において、制御装置２の動作を
図１を併用して図２を説明する。図２において、横軸に
時間軸を、縦軸に各部に出力波形およびレーザ光出力を
図示する。制御装置２は、設定手段21の発振周波数ｆ
（周期T1＝1/ｆ）および発振時間T2で定まる矩形波パル
ス出力2Aを出力し、この矩形波パルス出力2Aは波形成形
器23で波尾が予め定められた減衰特性（減衰時間Td）で
減衰する波形2Cに成形され、この成形された波形2Cと高
周波正弦波発振器22の出力2Dとを乗算器24で乗算して変
調された変調出力2Eを得る。この変調出力2Eは電力増幅
器25で増幅して高周波電力2F得る。この高周波電力2Fは
Ｑスイッチ15を励起する。

【００２４】このＱスイッチ15を励起する高周波電力の
励振波形2Fの波尾が、励振パワーで約20〜30％に減衰す
ると、レーザ発振器１はレーザ光2Gの放出を開始する。
即ち、レーザ発振器１の光軸上に配置されるＱスイッチ
15が充分なる電力で励起されているときは、レーザ光2G
の共振回路を形成する光往復路（ミラー13,14 に挟まれ
た点線で図示される光路）がこのＱスイッチ15によって
遮断されているが、Ｑスイッチ15の励振パワーが約20〜
30％の励振パワーに減衰すると、このＱスイッチ15によ
って遮断されていた光の一部がレーザ光の共振回路を形
成する光往復路上へと光リークが始まり、ＹＡＧロッド
11内に蓄積された励起エネルギの一部がレーザ光2Gとし
て放出される。このレーザ光2Gの放出開始の初期の段階
では、レーザ光2Gの共振回路上の光リークは少ないもの
であるので、この光リークが始まってからのＱスイッチ
15の励振波形の減衰特性を制御することによって、ＹＡ
Ｇロッド11内に蓄積された励起エネルギの一部を低いパ
ワーレベルのレーザ光2Gとして放出することができる。
この結果、レーザ光2Gの発振出力の間隔を制御する発振
周波数ｆが低くても、ピークパワーを抑えたレーザパル
ス発振させることができる。図２の2Gにかかるレーザ光
2Gの発振出力波形を太い実線で図示する。この図示例
は、レーザ発振時間T2が比較的大きいとき（例えば200
μsec ）、主パルスP1と副パルスP2が発生し、細線で図
示した高周波電力の励振波形2Fの波尾の減衰時間Tdが短
いときと較べて、ピークパワーを抑えたレーザパルスを
発振させることができる。

【００２５】一実施例では、発振周波数ｆ＝ 5〜50kHz,
発振時間Td＝数十から 200μsec,減衰時間Td＝数十から
200μsec の範囲で、加工深さが 2〜10μm 程度の良好
な加工を行うことができた。

【００２６】次に、図３により波形成形器23を説明す
る。図３の(A) において、波形成形器23は、2Aを入力端
子とし, 2Cを出力端子とする抵抗35とダイオード33から
なる第１の直列回路と、この第１の直列回路に並列に接
続されダイオード33と同一極性に配置される抵抗36とダ
イオード34からなる第２の直列回路と、この第２の直列
回路の抵抗36とダイオード34の共通点に容量37を接続し
て負のバイアス電圧(-Vc) に接続し, 抵抗36と容量37で
遅れ回路を形成して、構成される。

【００２７】かかる構成において、入力端子2A-0V 間に
入力された電圧信号は、0Vを基準とし入力端子2Aに正の
パルス電圧を印加したとき、このパルス電圧は第１の直
列回路を介して直ちに出力端子2C-0V 間に出力される。
一方、第２の直列回路は抵抗36と容量37からなる遅れ回
路を介して容量37に充電された電圧が出力されることと
なるが、第１の直列回路の出力電圧より低い間はダイオ
ード34でブロックされて出力されることはない。即ち、
この状態では、第１の直列回路を介して入力電圧が直ち
に出力端子2C-0V 間に出力される。

【００２８】次に、入力端子2Aに印加された正のパルス
電圧が0Vになったとき、第１の直列回路は直ちに0Vにな
るが、第２の直列回路は容量37に充電された電圧が出力
され、この電圧が0Vより大であるので、今度はダイオー
ド33がブロック作用をし、第１の直列回路出力0Vをブロ
ックし、容量37に充電された電圧が出力される。そして
容量37に充電された電圧は、抵抗36を介して放電され、
最終的には容量37の充電電圧はVcとなる。このバイアス
電圧Vcを適切に選ぶことにより、この容量37で遅延され
て減衰する減衰特性は比較的直線性のよい特性を得るこ
とができる。即ち、抵抗36と容量37とバイアス電圧-Vc
とが遅延回路を形成し、ダイオード33、34がセレクタ回
路を構成する。

【００２９】また、図３の(B) は図３の(A) の特性を改
善したものである。即ち、波形成形器23の負荷が高イン
ピーダンスのときは、負荷回路に流れる電流によるダイ
オード33または34の電圧降下による誤差は無いが、例え
ば、乗算器24の入力インピーダンスが低いときは、周囲
温度の変化により、僅かであるが、Ｑスイッチ15の励起
電圧の変動要因となる恐れがある。図３の(B) はかかる
特性の変動を改善したものである。

【００３０】図３の(B) において、セレクタ回路は、演
算増幅器31、32とダイオード33、34とで構成される。演
算増幅器31、32の正の入力端子(+) には、それぞれ抵抗
35あるいは遅延回路出力である容量37の充電電圧が入力
され、演算増幅器31、32の負の入力端子(-) には、セレ
クタ回路出力2Cが負帰還され、ダイオード33、34はそれ
ぞれ演算増幅器31、32の出力回路に接続されて構成され
る。

【００３１】かかる構成により、ダイオード33、34の特
性は、演算増幅器31、32の作用により、理想化ダイオー
ドとして構成でき、図３の(A) の温度による特性の影響
を除去することができる。即ち、抵抗35を介して入力さ
れた入力電圧と、抵抗36と容量37とバイアス電圧-Vc と
からなる遅延回路出力電圧と、はセレクタ回路の出力電
圧2Cとそれぞれ演算増幅器31、32で比較され、セレクタ
回路の出力電圧2Cより低い方（例えば、正のパルス電圧
印加時では遅延回路出力電圧が低い）の回路が、演算増
幅器32の負の入力端子(-) の方が正の入力端子(+) より
も大きいので、この演算増幅器32の出力が負出力とな
り、この演算増幅器32に接続されるダイオード34はブロ
ック状態となる。従って、このときの出力電圧2Cは、演
算増幅器31の入力電圧をフォローアップし、演算増幅器
31の出力電圧は入力電圧と負荷電流によるダイオード33
の順方向電圧降下分を補償する値となる。従って、セレ
クタ回路の出力電圧2Cの出力はこの場合は入力電圧と一
致する。

【００３２】また、正のパルス電圧が0Vになったとき
は、抵抗35を介した入力電圧の方が低いので、演算増幅
器31の負の入力端子(-) の方が正の入力端子(+) よりも
大きくなり、この演算増幅器31の出力が負出力となり、
この演算増幅器31に接続されるダイオード33がブロック
状態となる。従って、このときの出力電圧2Cは、演算増
幅器32の入力電圧（容量37の充電電圧）をフォローアッ
プし、演算増幅器32の出力電圧はこの充電電圧と負荷電
流によるダイオード33の順方向電圧降下分とを補償する
値となる。従って、セレクタ回路の出力電圧2Cの出力は
この場合は遅延回路の充電電圧と一致する。そして、抵
抗36と容量37とバイアス電圧-Vc とからなるこの遅延回
路の充電電圧は抵抗36を介して放電され、この放電特性
はバイアス電圧-Vc により、比較的直線性の良いところ
使用することができる。

【００３３】

【発明の効果】以上述べたように本発明によれば、Ｑス
イッチを励起する励振波形の波尾に減衰特性をもたせ、
Ｑスイッチを急峻にオフさせず、徐々にオフさせること
により、レーザ光を緩和発振させ、レーザ光のピークパ
ワーを抑えたレーザパルス出力を得ることができる。こ
の結果、低い繰り返しパルスで加工を行っても、浅い加
工深さで視認性の良いマーキングを行うことができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施例としてのレーザマーキング装
置の要部構成図

【図２】制御装置の各部信号波形およびレーザパルス波
形図

【図３】一実施例としての波形成形器の回路図

【図４】従来技術によるレーザマーキング装置の要部構
成図

【図５】従来技術による制御装置の各部信号波形および
レーザパルス波形図

【図６】他の従来技術による制御信号とレーザパルス波
形図

【図７】加工特性を説明する説明図

【符号の説明】

１ レーザ発振器 11 ＹＡＧロッド 12 ランプ 13,14 ミラー 15 Ｑスイッチ ２，５ 制御装置 21,51 設定手段 22 正弦波発振器 23 波形成形器 24 乗算器 25 電力増幅器 2A 矩形波パルス出力 2C 波形成形出力 2D 正弦波発振器出力 2E 乗算器出力 2F2L 電力増幅器出力 2G,2M レーザ光 2K スイッチング出力 31,32 演算増幅器 33,34 ダイオード 35,36 抵抗 37 容量 53 スイッチ素子 ６ マーキング手段 61 光軸調整ミラー 62 ビームエキスパンダ 63 スキャナ 64 ｆθレンズ 65 ガルバノメータ ｆ 発振周波数 T1 発振周期 T2 発振時間 Td 減衰時間 -Vc バイアス電圧 P1 主パルス P2 副パルス

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】Ｑスイッチ式CW励起ＹＡＧレーザ発振器
   と、このＱスイッチを制御しレーザピーク出力を制御す
   る制御装置と、このレーザ発振器から出射されるレーザ
   光を走査してマーキングを行うマーキング制御手段と、
   を備えてなるレーザマーキング装置において、 制御装置は、レーザ発振出力間隔を制御する発振周波数
   と、その発振周波数の１サイクルにおける発振時間と、
   Ｑスイッチの励振波形の波尾が予め定められた減衰特性
   で減衰する減衰時間と、を設定する設定手段を備え、こ
   の発振波形をＱスイッチ励起周波数で変調した波形でＱ
   スイッチを励起する、 ことを特徴とするレーザマーキング装置。
2. 【請求項２】請求項１に記載のレーザマーキング装置に
   おいて、 制御装置は、パルス発振周波数と，このパルス発振周波
   数の１サイクルにおける発振時間と，パルス発振波形の
   波尾が予め定められた減衰特性で降下する減衰時間とを
   設定する設定手段と、波形成形器と、Ｑスイッチを励起
   する正弦波発振器と、乗算器と、電力増幅器と、を備
   え、 設定手段で設定された矩形波パルス出力を波形成形器で
   波尾が予め定められた減衰時間で減衰する波形に成形
   し、この成形波形と正弦波発振器出力とを乗算器で乗算
   し、電力増幅器で増幅して、Ｑスイッチを励起する、 ことを特徴とするレーザマーキング装置。
3. 【請求項３】請求項２に記載のレーザマーキング装置に
   おいて、 波形成形器は、設定手段で設定された矩形波パルス出力
   を遅延させる遅延回路と、セレクタ回路と、を備え、 設定手段で設定された矩形波パルス出力と、この矩形波
   パルス出力を遅延回路で遅延した出力と、の大きい方の
   出力をセレクタ回路で選択する、 ことを特徴とするレーザマーキング装置。
4. 【請求項４】請求項３に記載のレーザマーキング装置に
   おいて、 セレクタ回路は、２個の演算増幅器と、この演算増幅器
   の出力回路を同一方向の極性でダイオードを介して接続
   して出力とし、この出力を演算増幅器の負の入力端子に
   帰還し、演算増幅器の正の入力端子に設定手段で設定さ
   れた矩形波パルス出力および減衰時間が設定される遅延
   回路出力を接続する、 ことを特徴とするレーザマーキング装置。