JP2000243745A - Substrate preparing apparatus - Google Patents

Substrate preparing apparatus

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JP2000243745A
JP2000243745A JP4598699A JP4598699A JP2000243745A JP 2000243745 A JP2000243745 A JP 2000243745A JP 4598699 A JP4598699 A JP 4598699A JP 4598699 A JP4598699 A JP 4598699A JP 2000243745 A JP2000243745 A JP 2000243745A
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JP
Japan
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film
reaction
liquid
mtas
substrate
Prior art date
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Pending
Application number
JP4598699A
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Japanese (ja)
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Tetsuro Yamashita
哲朗 山下
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Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Original Assignee
Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
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Publication date
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a substrate preparing apparatus capable of shortening a time required for the reaction of a film formed on a substrate on a treatment agent. SOLUTION: Methoxytriacetoxysilane(MTAS) is delivered from a treatment agent supply nozzle 22. A reaction accelerating liquid (a mixture liquid of IPA, water, and a base (TMAH)) is delivered from an acceleration agent supply nozzle 32. Both the agents are simultaneously delivered to a substrate W forming a SOG(spin-on-glass) film 1, so that in a state in which the MTAS and reaction acceleration liquid are mixed with each other, they are supplied to the SOG film 1. If the MTAS as ester is mixed with the reaction acceleration agent, the MTAS is hydrolyzed with the TMAH and water, and MTHS is formed. The hydrophile MTHS interacts quickly with the hydrophilic SOG film 1. That is, the time for requiring a reaction of the MTAS on the SOG film 1 with the reaction acceleration agent can be shortened.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体基板、液晶
表示装置用ガラス基板、フォトマスク用ガラス基板、光
ディスク用基板等(以下、単に「基板」と称する)の主
面にSOG膜等の所定の膜を形成し、その膜に処理液を
供給することによって該膜と処理液との反応を行わせて
膜の末端処理等を行う基板処理装置に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor substrate, a glass substrate for a liquid crystal display, a glass substrate for a photomask, a substrate for an optical disk, etc. (hereinafter simply referred to as "substrate"). The present invention relates to a substrate processing apparatus for forming a film, and supplying a processing liquid to the film to cause a reaction between the film and the processing liquid to perform a terminal treatment of the film.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来より、基板に対しては層間絶縁や平
坦化を目的としてSOG(Spin-on-Glass)塗布が行われ
ている。SOG塗布は、回転式塗布装置によって回転中
の基板にSOG溶液を塗布することにより行われてい
た。そして、加熱処理部(ホットプレートなど)におい
て塗布処理後の基板に加熱処理を行うことにより、SO
G膜が形成されていた。
2. Description of the Related Art Conventionally, SOG (Spin-on-Glass) coating has been performed on a substrate for the purpose of interlayer insulation and flattening. SOG coating has been performed by applying a SOG solution to a rotating substrate by a rotary coating apparatus. Then, by performing a heat treatment on the substrate after the coating treatment in a heat treatment unit (such as a hot plate), the SO
A G film was formed.

【0003】図2は、基板W上に形成されたSOG膜1
の様子を説明する概念図である。基板WにSOG膜1を
形成する主たる目的は層間絶縁であるため、SOG膜1
の絶縁性は高い方が好ましい。ところが、同図に示す如
く、基板W上に形成されたSOG膜1の分子末端には多
数の水酸基(OH基)が存在しているため、この水酸基
によってSOG膜1は親水性を示すのである。従って、
SOG膜1は気中の水分を吸収し、その結果SOG膜1
の誘電率が高くなり、膜質の低下、すなわち絶縁性の低
下が生じる。また、SOG膜1が吸湿すると、その後の
ベーク時においてSOG膜1中にガスが発生し、それに
起因してSOG膜1に割れが生じて膜破壊を起こすこと
もある。
FIG. 2 shows an SOG film 1 formed on a substrate W.
It is a conceptual diagram explaining the situation of. Since the main purpose of forming the SOG film 1 on the substrate W is interlayer insulation, the SOG film 1
The higher the insulation, the better. However, as shown in the figure, since a large number of hydroxyl groups (OH groups) are present at the molecular ends of the SOG film 1 formed on the substrate W, the SOG film 1 exhibits hydrophilicity due to the hydroxyl groups. . Therefore,
The SOG film 1 absorbs moisture in the air, and as a result, the SOG film 1
Has a high dielectric constant, resulting in a decrease in film quality, that is, a decrease in insulation. Further, when the SOG film 1 absorbs moisture, gas is generated in the SOG film 1 at the time of subsequent baking, which may cause a crack in the SOG film 1 to cause film destruction.

【0004】このため、従来においては、形成されたS
OG膜1の上にヘキサメチルジシラザン(以下、「HM
DS」と称する)を供給していた。化1は、HMDSの
構造式である。また、図3は、HMDSが供給されたS
OG膜1の様子を説明する概念図である。
For this reason, conventionally, the formed S
Hexamethyldisilazane (hereinafter referred to as “HM”) is formed on the OG film 1.
DS "). Formula 1 is a structural formula of HMDS. FIG. 3 shows that the HMDS is supplied to the S
FIG. 3 is a conceptual diagram illustrating a state of the OG film 1.

【0005】[0005]

【化1】 Embedded image

【0006】SOG膜1の上にHMDSを供給すると、
SOG膜1の分子末端に存在していた水酸基とHMDS
とが反応し、当該水酸基が処理されて図3に示すような
状態となる。このようになると、SOG膜1の分子末端
部分における極性が弱くなるため、疎水性が発現するこ
ととなる。従って、上述したようなSOG膜1の吸湿に
伴う問題は解消される。
When HMDS is supplied on the SOG film 1,
Hydroxyl group present at the molecular end of SOG film 1 and HMDS
Reacts with each other to treat the hydroxyl group, so that a state as shown in FIG. 3 is obtained. In such a case, the polarity at the molecular terminal portion of the SOG film 1 becomes weak, so that hydrophobicity is developed. Therefore, the problem associated with the moisture absorption of the SOG film 1 as described above is solved.

【0007】[0007]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、図3か
ら明らかなように、HMDSによってSOG膜1の末端
処理を行った場合、1つの水酸基に対して1分子のHM
DSが反応するため、末端処理後における末端部分相互
間の結合が弱く、SOG膜1の疎水性は得られるもの
の、必要な膜強度が得られない。
However, as is apparent from FIG. 3, when the terminal treatment of the SOG film 1 is performed by HMDS, one molecule of HM corresponds to one hydroxyl group.
Since the DS reacts, the bonding between the terminal portions after the terminal treatment is weak, and the hydrophobicity of the SOG film 1 can be obtained, but the necessary film strength cannot be obtained.

【0008】これを解決するべく、HMDSの代わりに
メトキシトリアセトキシシラン(以下、「MTAS」と
称する)を供給する技術がある。化2は、MTASの構
造式である。また、図4は、MTASが供給されたSO
G膜1の様子を説明する概念図である。
In order to solve this problem, there is a technique for supplying methoxytriacetoxysilane (hereinafter, referred to as “MTAS”) instead of HMDS. Formula 2 is a structural formula of MTAS. FIG. 4 also shows that the MTAS is supplied to the SO
FIG. 3 is a conceptual diagram illustrating a state of a G film 1.

【0009】[0009]

【化2】 Embedded image

【0010】SOG膜1の上にMTASを供給すると、
SOG膜1の分子末端に存在していた水酸基とMTAS
の分子とが反応し、酢酸を生成しつつ図4に示すような
状態となる。図4に示す状態になると、上記図3におけ
るのと同様にSOG膜1の分子末端部分における極性が
弱くなるため、疎水性を有するようになる。また、図4
に示すように、3つの水酸基に対して1分子のMTAS
が反応するため、末端処理後における末端部分が立体的
な結合となってその強度が向上し、ひいてはSOG膜1
の膜強度も改善される。つまり、MTASを使用すれ
ば、SOG膜1の疎水化と強度上昇とを両立させること
ができるのである。
When MTAS is supplied on the SOG film 1,
Hydroxyl group existing at the molecular end of SOG film 1 and MTAS
Are reacted with each other to generate acetic acid, and a state as shown in FIG. 4 is obtained. In the state shown in FIG. 4, the polarity at the molecular terminal portion of the SOG film 1 becomes weak as in the case of FIG. 3, and thus the SOG film 1 becomes hydrophobic. FIG.
As shown in the figure, one molecule of MTAS is used for three hydroxyl groups.
Reacts, so that the terminal portion after the terminal treatment forms a steric bond to improve the strength, and thus the SOG film 1
Is also improved. That is, if MTAS is used, it is possible to achieve both hydrophobicity of the SOG film 1 and increase in strength.

【0011】しかし、MTAS自体が疎水性であるた
め、水酸基の末端を有する親水性のSOG膜1との反応
が起こりにくく、末端処理に長時間を要するという問題
が生じていた。
However, since MTAS itself is hydrophobic, a reaction with the hydrophilic SOG film 1 having a hydroxyl group terminal hardly occurs, and there has been a problem that the terminal treatment requires a long time.

【0012】本発明は、上記課題に鑑みてなされたもの
であり、基板に形成された膜と処理液との反応に要する
時間を短時間化できる基板処理装置を提供することを目
的とする。
The present invention has been made in view of the above problems, and has as its object to provide a substrate processing apparatus capable of shortening the time required for a reaction between a film formed on a substrate and a processing liquid.

【0013】[0013]

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、請求項1の発明は、基板の主面に所定の膜を形成
し、前記膜に処理液を供給することによって前記膜と前
記処理液との反応を行わせて前記膜の処理を行う基板処
理装置であって、前記反応を促進する反応促進液と前記
処理液とを混合させた状態にて前記膜上に供給する。
In order to solve the above-mentioned problems, a first aspect of the present invention is to form a predetermined film on a main surface of a substrate and supply a processing solution to the film to form the film and the processing solution. A substrate processing apparatus for processing the film by reacting with a liquid, wherein the reaction promoting liquid for promoting the reaction and the processing liquid are mixed and supplied onto the film.

【0014】また、請求項2の発明は、請求項1の発明
に係る基板処理装置において、前記膜にSOG膜を含ま
せ、前記処理液にエステルを含ませ、前記反応促進液を
前記エステルと混和可能にするとともに、前記反応促進
液に前記エステルを加水分解させている。
According to a second aspect of the present invention, in the substrate processing apparatus according to the first aspect of the present invention, the film includes an SOG film, the processing liquid includes an ester, and the reaction accelerating liquid is mixed with the ester. In addition to being miscible, the ester is hydrolyzed in the reaction promoting liquid.

【0015】また、請求項3の発明は、請求項2の発明
に係る基板処理装置において、前記処理液をメトキシト
リアセトキシシランとし、前記反応促進液に、イソプロ
ピルアルコール、水および所定の塩基を含ませている。
According to a third aspect of the present invention, in the substrate processing apparatus according to the second aspect of the present invention, the processing solution is methoxytriacetoxysilane, and the reaction promoting solution contains isopropyl alcohol, water and a predetermined base. Not.

【0016】[0016]

【発明の実施の形態】以下、図面を参照しつつ本発明の
実施の形態について詳細に説明する。
Embodiments of the present invention will be described below in detail with reference to the drawings.

【0017】図1は、本発明に係る基板処理装置の一例
を示す図である。この基板処理装置は、基板Wの主面に
形成されたSOG膜1の後処理、すなわち水酸基の末端
処理を行う装置である。
FIG. 1 is a view showing an example of a substrate processing apparatus according to the present invention. This substrate processing apparatus is an apparatus that performs post-processing of the SOG film 1 formed on the main surface of the substrate W, that is, terminal processing of a hydroxyl group.

【0018】SOG膜1が形成された基板Wは、回転台
10によって水平姿勢に保持される。回転台10は図示
を省略するモータによって回転可能とされている。回転
台10によって保持される基板Wには、2種類の液を供
給することが可能である。すなわち、処理液供給ノズル
22からは末端処理を行う処理液たるMTASを供給す
ることができ、促進液供給ノズル32からはMTASと
SOG膜1の水酸基との反応を促進する反応促進液を供
給することができる。
The substrate W on which the SOG film 1 is formed is held in a horizontal position by the turntable 10. The turntable 10 is rotatable by a motor (not shown). Two types of liquids can be supplied to the substrate W held by the turntable 10. That is, MTAS, which is a processing liquid for performing terminal treatment, can be supplied from the processing liquid supply nozzle 22, and a reaction promoting liquid for promoting the reaction between MTAS and the hydroxyl group of the SOG film 1 is supplied from the promoting liquid supply nozzle 32. be able to.

【0019】MTASは処理液供給源20から処理液供
給制御部21を介して処理液供給ノズル22に送られ、
処理液供給ノズル22から基板W上、厳密には基板Wに
形成されたSOG膜1上に吐出される。処理液供給制御
部21は、バルブやマスフロコントローラによって構成
されており、MTASの供給の有無、供給量を制御す
る。
The MTAS is sent from a processing liquid supply source 20 to a processing liquid supply nozzle 22 via a processing liquid supply control unit 21.
The liquid is discharged from the processing liquid supply nozzle 22 onto the substrate W, more precisely, onto the SOG film 1 formed on the substrate W. The processing liquid supply control unit 21 includes a valve and a mass flow controller, and controls whether MTAS is supplied and the amount of MTAS supplied.

【0020】一方、反応促進液は促進液供給源30から
促進液供給制御部31を介して促進液供給ノズル32に
送られ、促進液供給ノズル32から基板Wに形成された
SOG膜1上に吐出される。促進液供給制御部31もバ
ルブやマスフロコントローラによって構成されており、
反応促進液の供給の有無、供給量を制御する。
On the other hand, the reaction accelerating liquid is sent from the accelerating liquid supply source 30 to the accelerating liquid supply nozzle 32 via the accelerating liquid supply control unit 31, and is transferred from the accelerating liquid supply nozzle 32 onto the SOG film 1 formed on the substrate W. Discharged. The promotion liquid supply control unit 31 is also configured by a valve and a mass flow controller,
The presence or absence of the reaction promoting liquid and the supply amount are controlled.

【0021】本実施形態における反応促進液は、イソプ
ロピルアルコール(以下、「IPA」と称する)、水お
よび水酸化テトラメチルアンモニウム(以下、「TMA
H」と称する)を体積比で100:10:1にて混合し
た混合液である。また、本実施形態においては、MTA
Sと反応促進液とを同時に基板W上に吐出するようにし
ている。MTASと反応促進液とを同時に基板W上に吐
出することにより、両液は直ちに混合され、その混合さ
れた状態にてSOG膜1上に供給することができるので
ある。
The reaction accelerating liquid in this embodiment is isopropyl alcohol (hereinafter referred to as “IPA”), water and tetramethylammonium hydroxide (hereinafter “TMA”).
H ") at a volume ratio of 100: 10: 1. In the present embodiment, the MTA
S and the reaction promoting liquid are simultaneously discharged onto the substrate W. By simultaneously discharging the MTAS and the reaction promoting liquid onto the substrate W, the two liquids are immediately mixed and can be supplied onto the SOG film 1 in a mixed state.

【0022】MTASと反応促進液とを混合させた状態
にてSOG膜1上に供給すると、以下のような反応が生
じる。まず、IPAは炭素数が3のアルコールであり、
エタノール等と比較して分子量が大きく、疎水性の液を
IPA中に溶かすことができる。従って、MTASと反
応促進液とが混合されたときには、IPAの存在によっ
て疎水性のMTASと反応促進液との分離が防止され、
両液は混和された状態となる。換言すれば、IPAはM
TASと反応促進液とを混和する役割を有しているので
ある。
When the MTAS and the reaction promoting liquid are mixed and supplied onto the SOG film 1, the following reaction occurs. First, IPA is an alcohol having 3 carbon atoms,
A hydrophobic liquid having a higher molecular weight than ethanol or the like can be dissolved in IPA. Therefore, when MTAS and the reaction promoting liquid are mixed, the separation of the hydrophobic MTAS and the reaction promoting liquid is prevented by the presence of IPA,
Both liquids are in a mixed state. In other words, IPA is M
It has a role of mixing the TAS with the reaction promoting liquid.

【0023】そして、MTASと反応促進液とが混和さ
れた状態において、アルカリであるTMAHによってM
TASの加水分解反応が進行する。すなわち、TMAH
によって水がMTASに作用して、メトキシトリヒドロ
キシシラン(MTHS)と酢酸とを生成する反応が進行
する。換言すれば、反応促進液中のTMAHおよび水
は、MTASを加水分解する役割を有しているのであ
る。
Then, in a state where MTAS and the reaction promoting liquid are mixed, MMA is added with alkali as TMAH.
The hydrolysis reaction of TAS proceeds. That is, TMAH
As a result, water acts on MTAS, and a reaction for producing methoxytrihydroxysilane (MTHS) and acetic acid proceeds. In other words, TMAH and water in the reaction promoting solution have a role of hydrolyzing MTAS.

【0024】このようにして生成されたMTHSは、化
3のような構造式を有する。
The MTHS thus produced has the following structural formula.

【0025】[0025]

【化3】 Embedded image

【0026】このMTHSと水酸基の末端を有するSO
G膜1とが反応すると、図4に示した状態となる。ここ
で、MTHSは、親水性の水酸基を3つ有するアルコー
ルであり、MTHS自体も親水性を示す。従って、MT
HSと親水性のSOG膜1との反応速度は速く、短時間
のうちにSOG膜1全域にわたって図4に示した状態に
至ることができるのである。図4に示す分子末端が疎水
性と高い強度とを兼備していることは既述したとおりで
ある。
This MTHS and SO having a hydroxyl terminal are used.
When the G film 1 reacts, the state shown in FIG. 4 is obtained. Here, MTHS is an alcohol having three hydrophilic hydroxyl groups, and MTHS itself shows hydrophilicity. Therefore, MT
The reaction speed between HS and the hydrophilic SOG film 1 is high, and the state shown in FIG. 4 can be reached over the entire SOG film 1 in a short time. As described above, the molecular terminals shown in FIG. 4 have both hydrophobicity and high strength.

【0027】このように、本実施形態の基板処理装置に
おいては、MTASと反応促進液とを混合させた状態に
てSOG膜1上に供給することにより、MTASとSO
G膜1との反応に要する時間を短時間化できるのであ
る。このことについてさらに敷衍すると以下のようなも
のとなる。
As described above, in the substrate processing apparatus of the present embodiment, the MTAS and the reaction promoting liquid are supplied onto the SOG film 1 in a mixed state, so that the MTAS and the SOA are mixed.
The time required for the reaction with the G film 1 can be shortened. This can be further expanded as follows.

【0028】既述したように、MTASを使用すれば、
SOG膜1の疎水化と強度上昇とを両立させることがで
きるのであるが、MTAS自体が疎水性であるため、水
酸基の末端を有する親水性のSOG膜1との反応が起こ
りにくいのが問題であった。MTASが疎水性を示すの
は、端部にメチル基を有するエステルであることに起因
するものである。
As described above, if MTAS is used,
Although it is possible to achieve both the hydrophobicity of the SOG film 1 and the increase in strength, the problem is that the MTAS itself is hydrophobic, so that the reaction with the hydrophilic SOG film 1 having a hydroxyl terminal is unlikely to occur. there were. MTAS exhibits hydrophobicity due to its ester having a methyl group at the end.

【0029】そこで、エステルであるMTASを水と塩
基とによって一旦加水分解して親水性のMTHSにする
ことにより、親水性のSOG膜1との反応を生じ易くさ
せているのである。この目的のために、反応促進液中に
TMAHおよび水を含ませているのである。なお、反応
促進液中のIPAは、MTASと反応促進液とを混和さ
せて、加水分解を効率よく行わせるために用いられてい
る。
Therefore, the MTAS, which is an ester, is hydrolyzed once with water and a base to form hydrophilic MTHS, so that the reaction with the hydrophilic SOG film 1 is easily caused. For this purpose, TMAH and water are included in the reaction promoting liquid. In addition, IPA in the reaction promoting solution is used for mixing MTAS and the reaction promoting solution to perform hydrolysis efficiently.

【0030】SOG膜1との反応が生じ易くなれば、そ
の反応に要する時間を短時間化でき、水酸基の末端処理
を迅速に行うことができる。つまり、反応促進液は、エ
ステルであるMTASとSOG膜1との反応を促進させ
ているのである。
If the reaction with the SOG film 1 easily occurs, the time required for the reaction can be shortened, and the terminal treatment of the hydroxyl group can be performed quickly. That is, the reaction accelerating liquid promotes the reaction between the MTAS, which is an ester, and the SOG film 1.

【0031】以上、本発明の実施の形態について説明し
たが、この発明は上記の例に限定されるものではない。
例えば、上記実施形態においては、反応促進液中に塩基
としてTMAHを含ませていたが、これに限定されるも
のではなく、アンモニアやアミン類等の他の塩基を含ま
せるようにしても良い。
Although the embodiment of the present invention has been described above, the present invention is not limited to the above-described example.
For example, in the above embodiment, TMAH was included as a base in the reaction accelerating solution. However, the present invention is not limited to this, and another base such as ammonia or amines may be included.

【0032】また、反応促進液中のIPAに代えて、M
TASと反応促進液とを混和させることができる他の混
和剤を用いるようにしてもよい。
In place of IPA in the reaction accelerating solution, M
Other admixtures that can mix the TAS and the reaction accelerating liquid may be used.

【0033】また、上記実施形態においては、反応促進
液中の体積比をIPA:水:TMAH=100:10:
1としていたが、これに限らず、他の比率としても良
い。
Further, in the above embodiment, the volume ratio of the reaction promoting solution is set to IPA: water: TMAH = 100: 10:
Although it is set to 1, it is not limited to this and may be another ratio.

【0034】換言すれば、反応促進液は、MTASを混
和させることができるとともに、MTASを加水分解で
きるような液であれば良いのである。
In other words, the reaction promoting liquid may be any liquid that can mix MTAS and hydrolyze MTAS.

【0035】また、上記実施形態においては、MTAS
と反応促進液とを同時にSOG膜1上に吐出していた
が、これに限らず、MTASと反応促進液とを別の槽に
て予め混合してからその混合された液を吐出するように
してもよい。また、SOG膜1上にまずMTASのみを
吐出して液盛りした後、そこに反応促進液を吐出して両
液を混合させるようにしても良いし、逆に、反応促進液
のみを吐出して液盛りした後、そこにMTASを吐出し
て両液を混合させるようにしても良い。つまり、両液の
吐出の態様の如何に関わらず、MTASと反応促進液と
が混合された状態にてSOG膜1上に供給することがで
きれば良いのである。
In the above embodiment, the MTAS
And the reaction promoting liquid were simultaneously discharged onto the SOG film 1. However, the present invention is not limited to this. The MTAS and the reaction promoting liquid are mixed in advance in another tank, and then the mixed liquid is discharged. You may. Alternatively, only the MTAS may be first discharged onto the SOG film 1 and the liquid may be added thereto, and then the reaction promoting liquid may be discharged to mix the two liquids. Alternatively, only the reaction promoting liquid may be discharged. After the liquid is filled, MTAS may be discharged to mix the two liquids. In other words, it is only necessary that the MTAS and the reaction accelerating liquid can be supplied onto the SOG film 1 in a mixed state, regardless of the discharge mode of the two liquids.

【0036】また、本発明に係る基板処理装置は、SO
G膜1にMTASを反応させる装置に限定されるもので
はなく、他のエステルを反応させてSOG膜1の末端処
理を行う装置であっても良い。この場合、反応促進液と
しては、使用するエステルに応じて、該エステルと混和
可能であるとともにそのエステルを加水分解することが
できるような液を調製すればよい。
Further, the substrate processing apparatus according to the present invention can
The apparatus is not limited to the apparatus that causes the MTAS to react with the G film 1, but may be an apparatus that performs terminal treatment of the SOG film 1 by reacting another ester. In this case, as the reaction promoting liquid, a liquid that is miscible with the ester and that can hydrolyze the ester may be prepared according to the ester used.

【0037】さらに、本発明に係る基板処理装置は、S
OG膜1の末端処理を行う装置に限定されるものではな
く、基板の主面に形成された他の膜(例えば、フォトレ
ジスト膜)に処理液を供給することによって該膜の処理
を行うものであって、反応促進液と処理液とを混合させ
た状態にて該膜上に供給することにより、該膜と処理液
との反応を促進させる装置であっても良い。
Further, in the substrate processing apparatus according to the present invention,
The apparatus is not limited to an apparatus that performs terminal processing of the OG film 1, but performs processing of the film by supplying a processing liquid to another film (for example, a photoresist film) formed on the main surface of the substrate. An apparatus may be used in which the reaction between the film and the processing liquid is promoted by supplying the reaction promoting liquid and the processing liquid in a mixed state onto the film.

【0038】[0038]

【発明の効果】以上説明したように、請求項1の発明に
よれば、反応を促進する反応促進液と処理液とを混合さ
せた状態にて膜上に供給しているため、基板に形成され
た膜と該処理液との反応に要する時間を短時間化するこ
とができる。
As described above, according to the first aspect of the present invention, since the reaction accelerating solution for accelerating the reaction and the processing solution are supplied onto the film in a mixed state, the reaction accelerating solution is formed on the substrate. The time required for the reaction between the treated film and the treatment liquid can be shortened.

【0039】また、請求項2の発明によれば、反応促進
液がエステルと混和可能であるとともに該エステルを加
水分解するため、エステル加水分解によって生成された
物質がSOG膜と迅速に反応して請求項1の発明の効果
を容易に得ることができる。
According to the second aspect of the present invention, since the reaction accelerating liquid is miscible with the ester and hydrolyzes the ester, the substance produced by the ester hydrolysis reacts quickly with the SOG film. The effect of the invention of claim 1 can be easily obtained.

【0040】また、請求項3の発明によれば、反応促進
液がイソプロピルアルコール、水および所定の塩基を含
むため、水と塩基とによってメトキシトリアセトキシシ
ランが加水分解されてメトキシトリヒドロキシシランが
生成され、そのメトキシトリヒドロキシシランがSOG
膜と迅速に反応して請求項1の発明の効果を容易に得る
ことができる。また、SOG膜の疎水化と強度上昇とを
両立することができる。
According to the third aspect of the present invention, since the reaction promoting solution contains isopropyl alcohol, water and a predetermined base, methoxytriacetoxysilane is hydrolyzed by water and the base to form methoxytrihydroxysilane. And the methoxytrihydroxysilane is SOG
By reacting quickly with the film, the effect of the invention of claim 1 can be easily obtained. In addition, it is possible to make the SOG film hydrophobic and increase strength at the same time.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明に係る基板処理装置の一例を示す図であ
る。
FIG. 1 is a diagram illustrating an example of a substrate processing apparatus according to the present invention.

【図2】基板上に形成されたSOG膜の様子を説明する
概念図である。
FIG. 2 is a conceptual diagram illustrating a state of an SOG film formed on a substrate.

【図3】HMDSが供給された図2のSOG膜の様子を
説明する概念図である。
FIG. 3 is a conceptual diagram illustrating the state of the SOG film of FIG. 2 supplied with HMDS.

【図4】MTASが供給された図2のSOG膜の様子を
説明する概念図である。
FIG. 4 is a conceptual diagram illustrating a state of the SOG film of FIG. 2 supplied with MTAS.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 SOG膜 22 処理液供給ノズル 32 促進液供給ノズル W 基板 1 SOG film 22 Processing liquid supply nozzle 32 Acceleration liquid supply nozzle W Substrate

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) H01L 21/316 H01L 21/30 563 Fターム(参考) 2H025 AA13 AA14 AB14 AB16 AB20 DA19 DA35 DA40 EA01 EA04 2H096 AA25 AA28 CA02 5F045 EB19 EM10 HA11 5F046 HA07 5F058 AD05 AF04 AG10 AH01 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (51) Int.Cl. 7 Identification symbol FI Theme coat ゛ (Reference) H01L 21/316 H01L 21/30 563 F term (Reference) 2H025 AA13 AA14 AB14 AB16 AB20 DA19 DA35 DA40 EA01 EA04 2H096 AA25 AA28 CA02 5F045 EB19 EM10 HA11 5F046 HA07 5F058 AD05 AF04 AG10 AH01

Claims (3)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 基板の主面に所定の膜を形成し、前記膜
に処理液を供給することによって前記膜と前記処理液と
の反応を行わせて前記膜の処理を行う基板処理装置であ
って、 前記反応を促進する反応促進液と前記処理液とを混合さ
せた状態にて前記膜上に供給することを特徴とする基板
処理装置。
1. A substrate processing apparatus for forming a predetermined film on a main surface of a substrate and supplying a processing liquid to the film to cause a reaction between the film and the processing liquid to process the film. A substrate processing apparatus, wherein a reaction accelerating liquid for accelerating the reaction and the treatment liquid are supplied to the film in a mixed state.
【請求項2】 請求項1記載の基板処理装置において、 前記膜は、SOG膜を含み、 前記処理液は、エステルを含み、 前記反応促進液は、前記エステルと混和可能であるとと
もに前記エステルを加水分解することを特徴とする基板
処理装置。
2. The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein the film includes an SOG film, the processing liquid includes an ester, and the reaction accelerating liquid is miscible with the ester and forms the ester. A substrate processing apparatus that performs hydrolysis.
【請求項3】 請求項2記載の基板処理装置において、 前記処理液は、メトキシトリアセトキシシランであり、 前記反応促進液は、イソプロピルアルコール、水および
所定の塩基を含むことを特徴とする基板処理装置。
3. The substrate processing apparatus according to claim 2, wherein the processing liquid is methoxytriacetoxysilane, and the reaction accelerating liquid contains isopropyl alcohol, water, and a predetermined base. apparatus.
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