JPH11176818A - Substrate treating equipment and method - Google Patents

Substrate treating equipment and method

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JPH11176818A
JPH11176818A JP34132097A JP34132097A JPH11176818A JP H11176818 A JPH11176818 A JP H11176818A JP 34132097 A JP34132097 A JP 34132097A JP 34132097 A JP34132097 A JP 34132097A JP H11176818 A JPH11176818 A JP H11176818A
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JP
Japan
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substrate
precursor
processing
solvent
hmds
Prior art date
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Application number
JP34132097A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Tetsuro Yamashita
哲朗 山下
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Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Original Assignee
Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
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Publication date
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  • Formation Of Insulating Films (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide substrate treating equipment of a simple structure with a small foot print and high throughput, and a method of substrate treatment. SOLUTION: A precursor solution is spread on a substrate W from a precursor coating nozzle 25. After that, a mixed solution of xylene and HMDS is supplied from a mixing part 50 to the substrate W. Xylene prevents volatilization of alcohol-based solvent in the precursor solution. HMDS forms ammonia and promotes crosslinking reaction of the precursor. Thereby an SOG film of low density and high insulating property is formed. Thereafter, HMDS is supplied from an HMDS supplying part 32 to the substrate W, and an end portion of the precursor which has no yet reacted is treated. Since a series of treatment can be conducted with a single rotation coating treatment equipment 10, the foot print is reduced, and deterioration in the throughput accompanying substrate carrying can be prevented.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体基板や液晶
ガラス基板などの薄板状基板(以下、単に「基板」と称
する)に塗布した物質を所定の化学反応によって新たな
物質とする基板処理装置および方法に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a substrate processing apparatus for converting a substance coated on a thin substrate (hereinafter simply referred to as "substrate") such as a semiconductor substrate or a liquid crystal glass substrate into a new substance by a predetermined chemical reaction. And methods.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来より、基板に対しては層間絶縁や平
坦化を目的としてSOG(Spin-on-Glass)塗布が行われ
ている。そして、SOG塗布に際しては、SOGの前駆
体であるプリカーサを使用して処理が行われている。以
下、プリカーサを使用した従来のSOG塗布の手順につ
いて簡単に説明する。
2. Description of the Related Art Conventionally, SOG (Spin-on-Glass) coating has been performed on a substrate for the purpose of interlayer insulation and flattening. In applying SOG, a process is performed using a precursor which is a precursor of SOG. Hereinafter, a conventional SOG coating procedure using a precursor will be briefly described.

【0003】まず、アルコール系溶媒に混合されたプリ
カーサを水平姿勢に保持された基板上に塗布する。この
塗布処理は、通常、フォトレジストなどを塗布するため
の回転式塗布処理装置(スピンコータ)において行われ
る。
First, a precursor mixed with an alcohol-based solvent is applied on a substrate held in a horizontal posture. This coating process is usually performed in a rotary coating device (spin coater) for coating a photoresist or the like.

【0004】プリカーサが塗布された基板は基板搬送装
置によって回転式塗布処理装置から搬出され、エージン
グチャンバに搬入される。エージングチャンバでは、基
板の周辺にアミン類(アンモニアまたはTMAH(水酸
化テトラメチルアンモニウム)などアンモニア有機誘導
体)を触媒として供給し、基板上のプリカーサの架橋反
応を促進してSOG膜を生成する(エージング)。
[0004] The substrate on which the precursor has been applied is carried out of the rotary coating apparatus by the substrate transfer device, and is carried into the aging chamber. In the aging chamber, an amine (ammonia or an ammonia organic derivative such as TMAH (tetramethylammonium hydroxide)) is supplied as a catalyst to the periphery of the substrate to promote a crosslinking reaction of a precursor on the substrate to form an SOG film (aging). ).

【0005】このエージングは、プリカーサの強制重合
のための処理であり、プリカーサの重合速度を早めるた
めに行う。すなわち、プリカーサが塗布された状態の基
板を放置すると、アルコール系の溶媒が揮発して、膜厚
の薄い密なSOG膜が形成されることとなる。基板にS
OG膜を形成する主たる目的は層間絶縁であるため、S
OG膜の絶縁性は高い方が好ましいが、成膜後のSOG
膜の密度が高くなるとその物質が有する誘電率となり、
絶縁性もあまり高いものとはならない。これを防ぐため
に、アルコール系溶媒が揮発する前に強制重合を行い、
粗なSOG膜を形成してその絶縁性を高めるようにして
いるのである。
This aging is a process for forcibly polymerizing the precursor, and is performed to increase the polymerization speed of the precursor. That is, when the substrate on which the precursor is applied is left, the alcohol-based solvent is volatilized, and a dense SOG film having a small thickness is formed. S on the substrate
Since the main purpose of forming an OG film is interlayer insulation, S
It is preferable that the insulation of the OG film is high.
When the density of the film increases, the dielectric constant of the substance becomes,
The insulation is not so high. To prevent this, forced polymerization is performed before the alcohol solvent evaporates,
That is, a rough SOG film is formed to enhance its insulation.

【0006】エージング後、基板搬送装置がエージング
チャンバから基板を搬出し、回転式塗布処理装置に搬入
する。回転式塗布処理装置においては、触媒の除去や未
反応のプリカーサの末端の処理などの後処理を行う。
[0006] After aging, the substrate transfer device unloads the substrate from the aging chamber and transfers it to the rotary coating apparatus. In the rotary coating apparatus, post-processing such as removal of the catalyst and processing of the end of the unreacted precursor is performed.

【0007】[0007]

【発明が解決しようとする課題】以上のようなSOG塗
布を行う従来の基板処理装置は、回転式塗布処理装置お
よびエージングチャンバを備える必要があるため、フッ
トプリント(基板処理装置が平面的に占有する面積)は
大きなものとなる。基板処理装置は温度・湿度が管理さ
れたクリーンルームに設置されることが多いため、フッ
トプリントの増大は好ましくない。
The conventional substrate processing apparatus for performing the above-described SOG coating needs to have a rotary coating apparatus and an aging chamber, and therefore has a footprint (the substrate processing apparatus occupies a plane). Area) is large. Since the substrate processing apparatus is often installed in a clean room where the temperature and humidity are controlled, it is not preferable to increase the footprint.

【0008】また、SOG塗布に際しては複数の処理部
間で基板搬送を行いつつ処理を行っているため、当該基
板搬送に伴うスループットの低下が生じることとなって
いた。
In addition, during the SOG coating, the processing is performed while the substrate is being transported between a plurality of processing units, so that the throughput accompanying the substrate transport has been reduced.

【0009】さらに、エージングを行うときには、アン
モニアなどのガスを使用するため、そのガスがエージン
グチャンバ外に漏洩するのを防止する必要がある。この
ため、センサを設けるなどのガス漏洩防止のための特別
な設備が必要となり、基板処理装置全体が複雑なものと
なっていた。
Further, when aging is performed, a gas such as ammonia is used, so it is necessary to prevent the gas from leaking out of the aging chamber. For this reason, special equipment for preventing gas leakage, such as provision of a sensor, is required, and the whole substrate processing apparatus is complicated.

【0010】本発明は、上記課題に鑑みてなされたもの
であり、簡易な構成であってフットプリントが小さく、
しかもスループットが高い基板処理装置および方法を提
供することを目的とする。
The present invention has been made in view of the above problems, and has a simple configuration, a small footprint,
Moreover, it is an object of the present invention to provide a substrate processing apparatus and method having high throughput.

【0011】[0011]

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、請求項1の発明は、基板上に塗布したプリカーサに
架橋反応を行わせることによって前記基板上にSOG膜
を形成する基板処理装置であって、(a)前記プリカーサ
を溶媒に混合したプリカーサ溶液を前記基板に塗布する
塗布手段と、(b)前記溶媒と難溶性の第1の処理液と、
前記溶媒と反応してアミン類を生成する第2の処理液と
を混合した混合溶液を前記プリカーサ溶液が塗布された
基板に供給する混合液供給手段と、を備えている。
According to a first aspect of the present invention, there is provided a substrate processing apparatus for forming an SOG film on a substrate by causing a precursor applied on the substrate to undergo a crosslinking reaction. (A) coating means for coating the substrate with a precursor solution obtained by mixing the precursor in a solvent, and (b) a first treatment liquid that is hardly soluble in the solvent.
And a mixed liquid supply means for supplying a mixed solution obtained by mixing the second processing liquid that generates amines by reacting with the solvent to the substrate coated with the precursor solution.

【0012】また、請求項2の発明は、請求項1の発明
に係る基板処理装置において、(c)前記第2の処理液を
前記混合溶液が供給された基板に供給する処理液供給手
段、をさらに備えている。
Further, the invention according to claim 2 is the substrate processing apparatus according to claim 1, wherein (c) processing liquid supply means for supplying the second processing liquid to the substrate to which the mixed solution has been supplied, Is further provided.

【0013】また、請求項3の発明は、請求項1または
請求項2の発明に係る基板処理装置において、前記溶媒
をアルコール系溶媒とし、前記第1の処理液をキシレン
とし、前記第2の処理液をHMDSとし、前記アミン類
をアンモニアとしている。
According to a third aspect of the present invention, in the substrate processing apparatus according to the first or second aspect, the solvent is an alcohol-based solvent, the first processing liquid is xylene, and the second processing liquid is xylene. The treatment liquid is HMDS, and the amines are ammonia.

【0014】また、請求項4の発明は、基板上に塗布し
たプリカーサに架橋反応を行わせることによって前記基
板上にSOG膜を形成する基板処理方法であって、(a)
前記プリカーサを溶媒に混合したプリカーサ溶液を前記
基板に塗布する塗布工程と、(b)前記溶媒と難溶性の第
1の処理液と、前記溶媒と反応してアミン類を生成する
第2の処理液とを混合した混合溶液を前記プリカーサ溶
液が塗布された基板に供給する混合液供給工程と、を備
えている。
According to a fourth aspect of the present invention, there is provided a substrate processing method for forming an SOG film on a substrate by causing a precursor coated on the substrate to undergo a crosslinking reaction.
A coating step of coating the substrate with a precursor solution obtained by mixing the precursor with a solvent, and (b) a first processing liquid that is hardly soluble in the solvent and a second processing of reacting with the solvent to generate amines. And a mixed liquid supply step of supplying a mixed solution obtained by mixing the liquid and the liquid to the substrate coated with the precursor solution.

【0015】また、請求項5の発明は、請求項4の発明
に係る基板処理方法において、(c)前記第2の処理液
を前記混合溶液が供給された基板に供給する処理液供給
工程、をさらに備えている。
According to a fifth aspect of the present invention, in the substrate processing method according to the fourth aspect of the present invention, (c) a processing liquid supply step of supplying the second processing liquid to the substrate to which the mixed solution has been supplied, Is further provided.

【0016】また、請求項6の発明は、請求項4または
請求項5の発明に係る基板処理方法において、前記溶媒
をアルコール系溶媒とし、前記第1の処理液をキシレン
とし、前記第2の処理液をHMDSとし、前記アミン類
をアンモニアとしている。
According to a sixth aspect of the present invention, in the substrate processing method according to the fourth or fifth aspect, the solvent is an alcoholic solvent, the first processing liquid is xylene, and the second processing liquid is an xylene. The treatment liquid is HMDS, and the amines are ammonia.

【0017】[0017]

【発明の実施の形態】以下、図面を参照しつつ本発明の
実施の形態について詳細に説明する。
Embodiments of the present invention will be described below in detail with reference to the drawings.

【0018】図1は、本発明に係る基板処理装置の概略
構成図である。本発明に係る基板処理装置は、回転式塗
布処理装置10とそれにプリカーサやその他の処理液を
供給する機構とで構成されている。
FIG. 1 is a schematic configuration diagram of a substrate processing apparatus according to the present invention. The substrate processing apparatus according to the present invention includes a rotary coating apparatus 10 and a mechanism for supplying a precursor and other processing liquids thereto.

【0019】回転式塗布処理装置10は、スピンモータ
11と、回転軸12と、回転台13とを備えている。回
転台13は、基板Wを水平姿勢に保持するとともに、そ
の下面側中央に回転軸12を垂設しており、当該回転軸
11はスピンモータ11に接続されている。そして、ス
ピンモータ11の回転は回転軸12を介して回転台13
に伝達され、回転台13に保持された基板Wが鉛直方向
を軸として回転されることとなる。なお、回転台13の
形態としては、基板Wを吸着保持する形態または基板W
の端縁部を把持する形態のいずれであってもよい。
The rotary coating apparatus 10 includes a spin motor 11, a rotary shaft 12, and a turntable 13. The turntable 13 holds the substrate W in a horizontal position, and has a rotation shaft 12 suspended from the center of the lower surface thereof. The rotation shaft 11 is connected to the spin motor 11. The rotation of the spin motor 11 is performed via a rotation shaft 12 on a turntable 13.
And the substrate W held on the turntable 13 is rotated about the vertical direction as an axis. The form of the turntable 13 may be a form for holding the substrate W by suction or a form for holding the substrate W
Any of the forms of gripping the edge portion may be used.

【0020】回転式塗布処理装置10には、プリカーサ
をアルコール系溶媒に混合した溶液、キシレン、HMD
S(ヘキサメチルジシラザン)およびキシレンとHMD
Sとの混合溶液を供給することができる。以下、これら
を供給する機構について説明する。
In the rotary coating apparatus 10, a solution in which a precursor is mixed with an alcohol solvent, xylene, HMD
S (hexamethyldisilazane) and xylene and HMD
A mixed solution with S can be supplied. Hereinafter, a mechanism for supplying these will be described.

【0021】プリカーサをアルコール系溶媒に混合した
溶液は基板処理装置内のプリカーサタンク20に貯留さ
れている。そして、そのプリカーサ溶液は、プリカーサ
タンク20に接続されたプリカーサ供給部21によって
プリカーサ塗布ノズル25に送給され、当該プリカーサ
塗布ノズル25から水平姿勢の基板Wに塗布される。な
お、このときには基板Wを回転させた状態であっても静
止させた状態であってもよい。
A solution obtained by mixing a precursor with an alcohol-based solvent is stored in a precursor tank 20 in the substrate processing apparatus. Then, the precursor solution is supplied to a precursor application nozzle 25 by a precursor supply unit 21 connected to a precursor tank 20, and is applied from the precursor application nozzle 25 to the substrate W in a horizontal posture. At this time, the substrate W may be in a rotated state or a stationary state.

【0022】キシレンおよびHMDSについては、それ
ぞれ単独で基板Wに供給すること、またはそれらを混合
させて基板Wに供給することが可能である。キシレン
は、キシレンタンク40に貯留されており、キシレン単
独で基板Wに供給するときは、キシレン供給部42およ
び処理液吐出ノズル55を介して基板Wに供給する。ま
た、同様に、HMDSはHMDSタンク30に貯留され
ており、HMDS単独で基板Wに供給するときは、HM
DS供給部32および処理液吐出ノズル55を介して基
板Wに供給する。
It is possible to supply xylene and HMDS to the substrate W alone or to mix them and supply them to the substrate W. The xylene is stored in the xylene tank 40 and is supplied to the substrate W via the xylene supply unit 42 and the processing liquid discharge nozzle 55 when supplying xylene alone to the substrate W. Similarly, HMDS is stored in the HMDS tank 30, and when HMDS alone is supplied to the substrate W, HMDS is used.
It is supplied to the substrate W via the DS supply unit 32 and the processing liquid discharge nozzle 55.

【0023】また、キシレンおよびHMDSの混合溶液
を基板Wに供給するときには、混合部50において両処
理液を混合し、処理液吐出ノズル55から基板Wに供給
するようにしている。このときのキシレンおよびHMD
Sの混合比はそれらの流量を制御する液体マスフローコ
ントローラ41、31によって調節することが可能であ
る。
When a mixed solution of xylene and HMDS is supplied to the substrate W, the processing liquid is mixed in the mixing section 50 and supplied to the substrate W from the processing liquid discharge nozzle 55. Xylene and HMD at this time
The mixing ratio of S can be adjusted by the liquid mass flow controllers 41 and 31 that control their flow rates.

【0024】なお、本実施形態においては、キシレン、
HMDSおよびそれらの混合溶液を1つの処理液吐出ノ
ズル55から供給するようにしているが、処理液吐出ノ
ズル55を複数設け、各処理液を異なる吐出ノズルから
供給するようにしてもよい。
In this embodiment, xylene,
Although the HMDS and a mixed solution thereof are supplied from one processing liquid discharge nozzle 55, a plurality of processing liquid discharge nozzles 55 may be provided, and each processing liquid may be supplied from a different discharge nozzle.

【0025】次に、本発明に係る基板処理装置における
処理手順について説明する。図2は、図1の基板処理装
置における基板処理の様子を説明する図である。
Next, a processing procedure in the substrate processing apparatus according to the present invention will be described. FIG. 2 is a diagram illustrating a state of substrate processing in the substrate processing apparatus of FIG.

【0026】まず、回転台13によって水平姿勢に保持
された基板Wに対してプリカーサ塗布ノズル25からプ
リカーサ溶液が塗布される。この塗布処理が終了した時
点においては、図2(a)に示すように、基板Wの上面
にプリカーサ溶液層1が盛られた状態となっている。
First, a precursor solution is applied from a precursor application nozzle 25 to a substrate W held in a horizontal posture by the turntable 13. At the time when the coating process is completed, the precursor solution layer 1 is on the upper surface of the substrate W as shown in FIG.

【0027】プリカーサ塗布処理が終了した後、キシレ
ンとHMDSとの混合溶液が混合部50から処理液吐出
ノズル55を介して基板Wの上面に供給される。この時
点においては、図2(b)に示すように、プリカーサ溶
液層1の上側に混合溶液層2が形成され、エージングが
行われることとなる。
After the precursor coating process is completed, a mixed solution of xylene and HMDS is supplied from the mixing section 50 to the upper surface of the substrate W via the processing liquid discharge nozzle 55. At this point, as shown in FIG. 2B, the mixed solution layer 2 is formed above the precursor solution layer 1, and aging is performed.

【0028】ここで、混合溶液中のキシレンはアルコー
ル系溶媒に対して難溶性であるため、キシレンとアルコ
ール系溶媒とが相互に混合することはない。そして、そ
の結果、エージング中においてアルコール系溶媒が直接
空気と接触することはなくなり、アルコール系溶媒の揮
発が抑制されることとなる。換言すれば、キシレンはア
ルコール系溶媒の揮発防止層としての役割を果たす。
Here, since xylene in the mixed solution is hardly soluble in alcohol solvents, xylene and alcohol solvents do not mix with each other. As a result, the alcohol-based solvent does not come into direct contact with air during aging, and volatilization of the alcohol-based solvent is suppressed. In other words, xylene serves as a layer for preventing volatilization of the alcohol-based solvent.

【0029】一方、混合溶液中のHMDSはアルコール
系溶媒と反応してアミン類(ここでは、アンモニア)を
発生する。すなわち、図2(b)のプリカーサ溶液層1
と混合溶液層2との界面近傍においてアミン類が発生
し、そのアミン類が触媒となってプリカーサ溶液層1中
のプリカーサの架橋反応が促進され、SOG膜が形成さ
れる。
On the other hand, HMDS in the mixed solution reacts with the alcohol solvent to generate amines (here, ammonia). That is, the precursor solution layer 1 shown in FIG.
Amines are generated in the vicinity of the interface with the mixed solution layer 2 and the amines act as catalysts to accelerate the crosslinking reaction of the precursor in the precursor solution layer 1 to form an SOG film.

【0030】ここで、仮に、プリカーサ溶液層1中のア
ルコール系溶媒の揮発を抑制することなく、プリカーサ
の反応を自然重合に任せるとすれば、形成されたSOG
膜の膜厚は薄く、密度も高いものとなる。既述したよう
に、SOG膜の密度が高くなると、絶縁性があまり高い
ものとはならない。これに対して、本実施形態において
は、プリカーサ溶液層1中のアルコール系溶媒の揮発を
抑制しつつ、プリカーサの架橋反応を強制的に促進して
いる。したがって、形成されたSOG膜の膜厚は厚く、
密度も低くなり、その結果SOG膜による絶縁性を高め
ることができる。
Here, if it is assumed that the reaction of the precursor is left to natural polymerization without suppressing the volatilization of the alcohol solvent in the precursor solution layer 1, the formed SOG
The thickness of the film is small and the density is high. As described above, when the density of the SOG film increases, the insulating property does not become very high. On the other hand, in the present embodiment, the crosslinking reaction of the precursor is forcibly promoted while suppressing the volatilization of the alcohol solvent in the precursor solution layer 1. Therefore, the thickness of the formed SOG film is large,
The density also decreases, and as a result, the insulating property of the SOG film can be increased.

【0031】また、本実施形態では、装置外部からアン
モニアを供給する場合に比較して、発生するアンモニア
量は少なく、プリカーサの架橋反応に寄与しないアンモ
ニアは混合溶液層2中のHMDSによって捕獲されるた
め、回転式塗布処理装置10の外部にアンモニアが漏洩
するおそれはない。これにより、ガス漏洩防止のための
特別な設備は不要となり、基板処理装置全体の構成を簡
易なものとすることができる。
In this embodiment, the amount of ammonia generated is smaller than when ammonia is supplied from outside the apparatus, and ammonia not contributing to the crosslinking reaction of the precursor is captured by the HMDS in the mixed solution layer 2. Therefore, there is no possibility that ammonia leaks to the outside of the rotary coating apparatus 10. This eliminates the need for special equipment for preventing gas leakage, and can simplify the configuration of the entire substrate processing apparatus.

【0032】エージングが終了すると、HMDS供給部
32から処理液吐出ノズル55を介して基板WにHMD
Sが供給され、後処理が行われる。後処理では、HMD
Sによって混合溶液層2およびSOG膜中のアルコール
系溶媒が除去されるとともに、未反応のプリカーサの末
端が処理される。
When the aging is completed, the HMDS supply unit 32 applies the HMD to the substrate W through the processing liquid discharge nozzle 55.
S is supplied, and post-processing is performed. In post-processing, HMD
The alcoholic solvent in the mixed solution layer 2 and the SOG film is removed by S, and the unreacted precursor ends are treated.

【0033】そして、後処理が終了すると、キシレン供
給部42から処理液吐出ノズル55を介して基板Wにキ
シレンが供給され、リンス処理が行われる。このリンス
処理は、仕上げ用の洗浄処理である。
When the post-processing is completed, xylene is supplied from the xylene supply unit 42 to the substrate W via the processing liquid discharge nozzle 55, and a rinsing process is performed. This rinsing process is a finishing cleaning process.

【0034】以上のようにすれば、上述の効果の他、プ
リカーサ塗布処理、エージング、後処理の全てを一つの
回転式塗布処理装置10で行うことができるため、フッ
トプリントを小さくすることができる。
According to the above, in addition to the above effects, all of the precursor coating, aging and post-processing can be performed by one rotary coating apparatus 10, so that the footprint can be reduced. .

【0035】また、SOG膜を形成するに際して基板W
を搬送する必要がないため、基板搬送に伴うスループッ
トの低下を防止することができる。
In forming the SOG film, the substrate W
Since there is no need to transport the substrate, it is possible to prevent a decrease in throughput due to the substrate transport.

【0036】以上、この発明の実施形態について説明し
たが、本発明は上記の例に限定されるものではない。例
えば、キシレンの代わりにアルコール系溶媒と難溶性の
他の処理液を用いても良いし、またHMDSの代わりに
アルコール系溶媒と反応してアミン類を発生する他の処
理液を使用しても良い。
Although the embodiment of the present invention has been described above, the present invention is not limited to the above example. For example, instead of xylene, another processing solution that is hardly soluble in an alcohol solvent may be used, or in place of HMDS, another processing solution that reacts with an alcohol solvent to generate amines may be used. good.

【0037】また、上記実施形態では、回転式塗布処理
装置10において一連の処理を行わせていたが、これに
限るものではなく、回転式現像装置などノズルを備えた
装置であれば他の装置であっても実施することが可能で
ある。
In the above-described embodiment, the series of processing is performed in the rotary coating apparatus 10. However, the present invention is not limited to this, and other apparatuses having a nozzle, such as a rotary developing apparatus, may be used. It is possible to implement even if.

【0038】[0038]

【発明の効果】以上説明したように、請求項1の発明に
よれば、プリカーサを溶媒に混合したプリカーサ溶液を
基板に塗布する塗布手段と、当該溶媒と難溶性の第1の
処理液と当該溶媒と反応してアミン類を生成する第2の
処理液とを混合した混合溶液をプリカーサ溶液が塗布さ
れた基板に供給する混合液供給手段と、を備えているた
め、1つの処理部においてプリカーサの架橋反応をアミ
ン類により促進してSOG膜を形成することができ、そ
の結果、フットプリントを小さくすることができるとと
もに、スループットを高めることができる。また、架橋
反応に寄与しないアミン類は第2の処理液によって捕獲
されることとなり、アミン類漏洩防止のための特別な設
備は不要となり、装置全体の構成を簡易なものとするこ
とができる。さらに、第1の処理液によってプリカーサ
溶液中の溶媒の揮発を抑制することができるので、粗な
SOGを形成することができ、その結果SOGの絶縁性
を高めることが可能となる。
As described above, according to the first aspect of the present invention, a coating means for coating a substrate with a precursor solution obtained by mixing a precursor with a solvent, a first processing solution which is hardly soluble in the solvent, and And a mixed solution supply means for supplying a mixed solution obtained by mixing a second processing solution that generates amines by reacting with a solvent to a substrate coated with the precursor solution. Can be promoted by amines to form an SOG film. As a result, the footprint can be reduced and the throughput can be increased. Further, amines that do not contribute to the crosslinking reaction are captured by the second processing solution, so that special equipment for preventing leakage of amines is not required, and the configuration of the entire apparatus can be simplified. Furthermore, since the first processing solution can suppress the volatilization of the solvent in the precursor solution, a coarse SOG can be formed, and as a result, the insulation of the SOG can be improved.

【0039】また、請求項2および請求項3の発明によ
れば、第2の処理液を混合溶液が供給された基板に供給
する処理液供給手段、をさらに備えているため、未反応
のプリカーサの末端を処理することができる。
According to the second and third aspects of the present invention, the apparatus further comprises a processing liquid supply means for supplying the second processing liquid to the substrate to which the mixed solution has been supplied. Can be treated.

【0040】また、請求項4の発明によれば、プリカー
サを溶媒に混合したプリカーサ溶液を基板に塗布する塗
布工程と、当該溶媒と難溶性の第1の処理液と当該溶媒
と反応してアミン類を生成する第2の処理液とを混合し
た混合溶液をプリカーサ溶液が塗布された基板に供給す
る混合液供給工程と、を備えているため、請求項1の発
明と同様の効果を得ることができる。
According to the fourth aspect of the present invention, there is provided an application step of applying a precursor solution in which a precursor is mixed with a solvent to a substrate, and a step of reacting the first processing solution, which is hardly soluble with the solvent, with the solvent, to react with the solvent. And a mixed liquid supply step of supplying a mixed solution obtained by mixing the second processing liquid for producing a kind to the substrate coated with the precursor solution, thereby obtaining the same effect as the invention of claim 1. Can be.

【0041】また、請求項5および請求項6の発明によ
れば、第2の処理液を混合溶液が供給された基板に供給
する処理液供給工程、をさらに備えているため、未反応
のプリカーサの末端を処理することができる。
According to the fifth and sixth aspects of the present invention, the method further comprises a processing liquid supply step of supplying the second processing liquid to the substrate to which the mixed solution has been supplied. Can be treated.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明に係る基板処理装置の概略構成図であ
る。
FIG. 1 is a schematic configuration diagram of a substrate processing apparatus according to the present invention.

【図2】図1の基板処理装置における基板処理の様子を
説明する図である。
FIG. 2 is a diagram illustrating a state of substrate processing in the substrate processing apparatus of FIG. 1;

【符号の説明】 10 回転式塗布処理装置 25 プリカーサ塗布ノズル 32 HMDS供給部 42 キシレン供給部 50 混合部 W 基板[Description of Signs] 10 rotary coating apparatus 25 precursor coating nozzle 32 HMDS supply section 42 xylene supply section 50 mixing section W substrate

Claims (6)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 基板上に塗布したプリカーサに架橋反応
を行わせることによって前記基板上にSOG膜を形成す
る基板処理装置であって、 (a) 前記プリカーサを溶媒に混合したプリカーサ溶液を
前記基板に塗布する塗布手段と、 (b) 前記溶媒と難溶性の第1の処理液と、前記溶媒と反
応してアミン類を生成する第2の処理液とを混合した混
合溶液を前記プリカーサ溶液が塗布された基板に供給す
る混合液供給手段と、を備えることを特徴とする基板処
理装置。
1. A substrate processing apparatus for forming a SOG film on a substrate by causing a crosslinking reaction on a precursor applied on the substrate to form an SOG film on the substrate, comprising: (a) mixing a precursor solution obtained by mixing the precursor with a solvent with the substrate; (B) a mixed solution obtained by mixing a first processing solution that is hardly soluble in the solvent and a second processing solution that reacts with the solvent to generate amines; A substrate processing apparatus, comprising: a mixed liquid supply unit configured to supply a coated liquid to the substrate.
【請求項2】 請求項1記載の基板処理装置において、 (c) 前記第2の処理液を前記混合溶液が供給された基板
に供給する処理液供給手段、をさらに備えることを特徴
とする基板処理装置。
2. The substrate processing apparatus according to claim 1, further comprising: (c) processing liquid supply means for supplying the second processing liquid to the substrate to which the mixed solution has been supplied. Processing equipment.
【請求項3】 請求項1または請求項2記載の基板処理
装置において、 前記溶媒はアルコール系溶媒であり、前記第1の処理液
はキシレンであり、前記第2の処理液はHMDSであ
り、前記アミン類はアンモニアであることを特徴とする
基板処理装置。
3. The substrate processing apparatus according to claim 1, wherein the solvent is an alcohol solvent, the first processing liquid is xylene, and the second processing liquid is HMDS, The substrate processing apparatus, wherein the amine is ammonia.
【請求項4】 基板上に塗布したプリカーサに架橋反応
を行わせることによって前記基板上にSOG膜を形成す
る基板処理方法であって、 (a) 前記プリカーサを溶媒に混合したプリカーサ溶液を
前記基板に塗布する塗布工程と、 (b) 前記溶媒と難溶性の第1の処理液と、前記溶媒と反
応してアミン類を生成する第2の処理液とを混合した混
合溶液を前記プリカーサ溶液が塗布された基板に供給す
る混合液供給工程と、を備えることを特徴とする基板処
理方法。
4. A substrate processing method for forming an SOG film on a substrate by causing a crosslinking reaction to a precursor applied on the substrate to form a SOG film on the substrate, comprising: (a) mixing a precursor solution obtained by mixing the precursor with a solvent with the substrate; And (b) a mixed solution obtained by mixing a first processing solution that is hardly soluble in the solvent and a second processing solution that reacts with the solvent to generate amines. And a mixed liquid supply step of supplying the mixed liquid to the coated substrate.
【請求項5】 請求項4記載の基板処理方法において、 (c) 前記第2の処理液を前記混合溶液が供給された基板
に供給する処理液供給工程、をさらに備えることを特徴
とする基板処理方法。
5. The substrate processing method according to claim 4, further comprising: (c) a processing liquid supply step of supplying the second processing liquid to the substrate to which the mixed solution has been supplied. Processing method.
【請求項6】 請求項4または請求項5記載の基板処理
方法において、 前記溶媒はアルコール系溶媒であり、前記第1の処理液
はキシレンであり、前記第2の処理液はHMDSであ
り、前記アミン類はアンモニアであることを特徴とする
基板処理方法。
6. The substrate processing method according to claim 4, wherein the solvent is an alcohol-based solvent, the first processing liquid is xylene, and the second processing liquid is HMDS. The substrate processing method, wherein the amine is ammonia.
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