JP2000234043A - Resin paste composition and semiconductor device prepared by using the same - Google Patents

Resin paste composition and semiconductor device prepared by using the same

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JP2000234043A
JP2000234043A JP11037171A JP3717199A JP2000234043A JP 2000234043 A JP2000234043 A JP 2000234043A JP 11037171 A JP11037171 A JP 11037171A JP 3717199 A JP3717199 A JP 3717199A JP 2000234043 A JP2000234043 A JP 2000234043A
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JP
Japan
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component
paste composition
group
resin paste
copolymer
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JP11037171A
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Japanese (ja)
Inventor
Hisayuki Naito
久幸 内藤
Moritoshi Yoshida
守利 吉田
Koichi Sawabe
浩一 沢辺
Yoji Katayama
陽二 片山
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Showa Denko Materials Co Ltd
Original Assignee
Hitachi Chemical Co Ltd
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Publication date
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  • Die Bonding (AREA)
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To obtain a paste composition which improves the reflow resistance when used as a die bonding material for a semiconductor device using a support member chiefly made from an organic material by compounding a (meth)acrylic ester compound with a specified-functional-group-containing butadiene (co)polymer, a radical initiator, and a filler. SOLUTION: The functional groups of the specified-functional-group-containing butadiene (co)polymer (B) are at least one type of groups selected from epoxy groups, carboxyl groups, acid anhydride groups, and radically polymerizable groups. It is desirable that a homopolymer of the (meth)acrylic ester compound (A) has a glass transition temperature of 100 deg.C or below, and component B has a glass transition temperature of 20 deg.C or below and is contained in an amount of 50-400 pts.wt. per 100 pts.wt. component A. It is desirable that component B has a number-average molecular weight of 800-5,000 and 1-6 functional groups in the molecule. The filler used is desirably platy aluminum oxide.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明はIC、LSI等の半
導体素子をガラス/エポキシ樹脂、ガラス/ビスマレイ
ミド・トリアジン樹脂、ポリイミド等の有機素材を主体
として構成された支持部材に接着するのに好適な樹脂ぺ
ースト組成物及びこれを用いた半導体装置に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention is suitable for bonding a semiconductor element such as an IC or an LSI to a support member mainly composed of an organic material such as glass / epoxy resin, glass / bismaleimide / triazine resin, and polyimide. The present invention relates to a resin paste composition and a semiconductor device using the same.

【0002】[0002]

【従来の技術】半導体装置の実装方式は高密度実装の点
から、従来のピン挿入方式から表面実装方式へと移行し
た。さらにパッケージの構造も高集積化に伴うピン数の
増加からBGA(ボールグリッドアレイ)、CSP(チ
ップスケールパッケージ)等の名称で表現されるエリア
端子型素子へと変化している。表面実装方式では基板へ
の実装には基板全体を赤外線等で加熱するリフローソル
ダリングが用いられ、パッケージが200℃以上の高温
に加熱されるため、パッケージ内部、特に接着剤層中ま
たは封止材中に含まれる水分の急激な気化・膨張により
パッケージクラックが発生し、半導体装置の信頼性が低
下するという問題があった。
2. Description of the Related Art The mounting method of semiconductor devices has shifted from the conventional pin insertion method to the surface mounting method in view of high-density mounting. Further, the structure of the package has been changed to an area terminal type element represented by a name such as BGA (ball grid array) or CSP (chip scale package) due to an increase in the number of pins accompanying high integration. In the surface mounting method, reflow soldering, which heats the entire board with infrared light or the like, is used for mounting on the board, and the package is heated to a high temperature of 200 ° C or more, so the inside of the package, especially in the adhesive layer or in the sealing material There has been a problem that package cracks occur due to rapid vaporization / expansion of moisture contained therein, and the reliability of the semiconductor device is reduced.

【0003】エリア端子型素子では、有機素材を主体と
して構成された支持部材に半導体素子を接着し片面のみ
の封止が行われた構造が最も一般的であるが、支持部材
の片面が露出しさらに基材が吸湿性、透湿性の高い有機
素材から構成されるためダイボンド層の吸湿が起こりや
すくリフローソルダリングによるパッケージクラックの
問題は特に深刻である。特にパッケージの薄型化の要求
から20〜100μmの厚みのポリイミドフィルムを基
材として用いたエリア端子型素子では、さらに吸湿が起
こりやすく、一方で基材が容易に変形するため水分の膨
張により容易に剥離を生じバッケージクラックが極めて
起こりやすい問題があった。
In the area terminal type element, a structure in which a semiconductor element is bonded to a support member mainly composed of an organic material and only one side is sealed is most commonly used. However, one side of the support member is exposed. Further, since the base material is made of an organic material having high hygroscopicity and moisture permeability, the die bond layer easily absorbs moisture, and the problem of package cracking due to reflow soldering is particularly serious. In particular, in the area terminal type element using a polyimide film having a thickness of 20 to 100 μm as a base material due to a demand for a thinner package, moisture absorption is more likely to occur, while the base material is easily deformed, so that it is easily expanded due to the expansion of moisture. There was a problem that peeling occurred and package cracks were extremely likely to occur.

【0004】これを解決するための方法としては、ダイ
ボンド材の弾性率を高くし変形し難くすることにより支
持部材の変形を抑え剥離を抑える手法が用いられてき
た。しかしながら一方で、ポリイミドフィルムを基材と
したエリア端子型素子においてダイボンド材の弾性率が
高い場合には、配線板への実装後の温度サイクルによる
半田ボールヘの応力が大きくなり接続信頼性が低下する
問題が有った。さらに、エリア端子型素子では配線密度
が高くワイヤーボンドパッドとダイボンディングパッド
との接近あるいはダイボンド部分への配線等の構造上の
問題からダイボンディング材に対して絶縁性が要求され
従来シリカ粉末が用いられてきた。しかしながら、シリ
カ粉末を用いた従来のぺースト組成物では吸湿処理後の
接着力の低下が大きく耐リフロー性が劣ると言った問題
があった。
As a method for solving this problem, a technique has been used in which the elasticity of the die bonding material is increased to make it difficult to deform, thereby suppressing the deformation of the supporting member and suppressing the separation. However, on the other hand, in the area terminal type element based on a polyimide film, when the elastic modulus of the die bonding material is high, the stress on the solder ball due to the temperature cycle after mounting on the wiring board is increased, and the connection reliability is reduced. There was a problem. Furthermore, in the area terminal type element, the wiring density is high, and insulation properties are required for the die bonding material due to structural problems such as the proximity of the wire bond pad and the die bonding pad or wiring to the die bond part, and conventionally silica powder is used. I have been. However, the conventional paste composition using silica powder has a problem that the adhesive strength after the moisture absorption treatment is largely reduced and the reflow resistance is inferior.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】本発明は樹脂ぺースト
組成物の有機素材を主体として構成された支持部材に対
するピール強度、特に吸湿後のピール強度を向上させ、
かつ吸湿率を低く抑えることによりこれを用いて組み立
てられた半導体装置の耐リフロー性を向上しさらに樹脂
ぺースト組成物を低弾性率化することにより実装後の温
度サイクルに対する接続信頼性を向上させることができ
る樹脂ぺースト組成物及びこれを用いた半導体装置を提
供するものである。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention improves the peel strength of a resin paste composition for a support member mainly composed of an organic material, particularly the peel strength after moisture absorption,
In addition, by suppressing the moisture absorption rate, the reflow resistance of the semiconductor device assembled using the same is improved, and the connection reliability to the temperature cycle after mounting is improved by lowering the elasticity of the resin paste composition. The present invention provides a resin paste composition which can be used and a semiconductor device using the same.

【0006】[0006]

【課題を解決するための手段】本発明は、次のものに関
する。 (1)(A)アクリル酸エステル化合物又はメタクリル
酸エステル化合物、(B)特定の官能基を持つブタジエ
ン重合体もしくは共重合体、(C)ラジカル開始剤およ
び(D)充填材を均一分散させてなり、(B)成分のブ
タジエン重合体もしくは共重合体が持つ官能基がエポキ
シ基、カルボキシル基、酸無水物基及びラジカル重合性
の基のうち少なくとも1種である樹脂ぺースト組成物。 (2)(A)成分の単独重合体のガラス転移温度が10
0℃以下であり、(B)成分のブタジエン重合体もしく
は共重合体のガラス転移温度が20℃以下であり、か
つ、その量が(A)成分100重量部に対して50〜4
00重量部である(1)記載の樹脂ぺースト組成物。
The present invention relates to the following. (1) (A) an acrylate compound or a methacrylate compound, (B) a butadiene polymer or copolymer having a specific functional group, (C) a radical initiator and (D) a filler are uniformly dispersed. Wherein the functional group of the butadiene polymer or copolymer of the component (B) is at least one of an epoxy group, a carboxyl group, an acid anhydride group and a radical polymerizable group. (2) The homopolymer of the component (A) has a glass transition temperature of 10
0 ° C. or lower, the glass transition temperature of the butadiene polymer or copolymer as the component (B) is 20 ° C. or lower, and the amount thereof is 50 to 4 with respect to 100 parts by weight of the component (A).
The resin paste composition according to (1), wherein the amount is 00 parts by weight.

【0007】(3)(B)成分のブタジエン重合体もし
くは共重合体の数平均分子量が800ないし5000で
あり分子中の官能基が1ないし6個である(1)記載の
樹脂ぺースト組成物。 (4)(D)成分の充填材成分が板状の形態を有する酸
化アルミである(1)〜(3)のいずれかに記載の樹脂
ぺースト組成物。
(3) The resin paste composition according to (1), wherein the butadiene polymer or copolymer as the component (B) has a number average molecular weight of 800 to 5000 and 1 to 6 functional groups in the molecule. . (4) The resin paste composition according to any one of (1) to (3), wherein the filler component of the component (D) is aluminum oxide having a plate shape.

【0008】(5)(1)〜(4)のいずれかに記載の
樹脂ぺースト組成物を用いて半導体素子を有機素材を主
体として構成された支持部材に接着した後、封止してな
る半導体装置。 (6)半導体素子を接着する支持部材が20〜100μ
mの厚みのポリイミドフィルムを基材とし構成された部
材を用いた(5)に記載の半導体装置。
(5) A semiconductor element is bonded to a supporting member mainly composed of an organic material using the resin paste composition according to any one of (1) to (4), and then sealed. Semiconductor device. (6) The supporting member for bonding the semiconductor element is 20 to 100 μm.
The semiconductor device according to (5), wherein a member constituted by using a polyimide film having a thickness of m as a base material is used.

【0009】[0009]

【発明の実施の形態】本発明に用いられる(A)成分の
アクリル酸エステル化合物又はメタクリル酸エステル化
合物としては、1分子中に1個以上のアクリル(メタク
リル)基を有する化合物で、下記の一般式(I)
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION The acrylate compound or methacrylate compound of the component (A) used in the present invention is a compound having one or more acryl (methacryl) groups in one molecule. Formula (I)

【化1】 〔式中、R1は水素又はメチル基を表し、R2は炭素数1
〜100、好ましくは炭素数1〜36の2価の脂肪族又
は環状構造を持つ脂肪族炭化水素基を表す〕で示される
化合物、一般式(II)
Embedded image [Wherein, R 1 represents hydrogen or a methyl group, and R 2 has 1 carbon atom.
-100, preferably an aliphatic hydrocarbon group having a divalent aliphatic or cyclic structure having 1 to 36 carbon atoms], a compound represented by the general formula (II)

【化2】 〔式中、R1及びR2はそれぞれ前記のものを表す〕で示
される化合物、一般式(III)
Embedded image [Wherein R 1 and R 2 each represent the same as above], a compound represented by the general formula (III):

【化3】 〔式中、R1は前記のものを表し、R3は水素、メチル基
又はフェノキジメチル基を表し、R4は水素、炭素数1
〜6のアルキル基、ジシクロペンテニル基、フェニル基
又はベンゾイル基を表し、nは1〜50の整数を表す〕
で示される化合物、一般式(IV)
Embedded image [Wherein, R 1 represents the same as above, R 3 represents hydrogen, a methyl group or a phenoxydimethyl group, R 4 represents hydrogen, and has 1 carbon atom.
Represents an alkyl group, a dicyclopentenyl group, a phenyl group or a benzoyl group, and n represents an integer of 1 to 50]
A compound represented by the general formula (IV)

【化4】 〔式中、R1は前記のものを表し、R5はフェニル基、ニ
トリル基、−Si(OR6)3(R6は炭素数1〜6のアル
キル基を表す)、下記の式の基
Embedded image [Wherein, R 1 represents the same as above, R 5 represents a phenyl group, a nitrile group, —Si (OR 6 ) 3 (R 6 represents an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms), and a group represented by the following formula:

【化5】 (R7、R8及びR9はそれぞれ独立に炭素数1〜6のア
ルキル基を表す)を表し、mは1、2又は3の数を表
す〕で示される化合物、一般式(V)
Embedded image Wherein R 7 , R 8 and R 9 each independently represent an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, and m represents a number of 1, 2 or 3.], a compound represented by the general formula (V)

【化6】 〔式中、R1及びR2はそれぞれ前記のものを表す〕で示
される化合物、一般式(VI)
Embedded image [Wherein R 1 and R 2 each represent the same as defined above], a compound represented by the general formula (VI):

【化7】 〔式中、R1、R3及びnはそれぞれ前記のものを表す〕
で示される化合物、一般式(VII)
Embedded image [Wherein, R 1 , R 3 and n each represent the above]
A compound represented by the general formula (VII)

【化8】 〔式中、R1は前記のものを表し、R10及びR11はそれ
ぞれ独立に水素又はメチル基を表す〕で示される化合
物、一般式(VIII)
Embedded image [Wherein, R 1 represents the same as described above, and R 10 and R 11 each independently represent hydrogen or a methyl group], a compound represented by the general formula (VIII)

【化9】 〔式中、R1、R10及びR11はそれぞれ前記のものを表
し、p及びqはそれぞれ独立に1〜20の整数を表す〕
で示される化合物、一般式(IX)
Embedded image [Wherein, R 1 , R 10 and R 11 each represent the same as above, and p and q each independently represent an integer of 1 to 20]
A compound represented by the general formula (IX)

【化10】 〔式中、R1は前記のものを表し、R12、R13、R14
びR15はそれぞれ独立に水素又はメチル基を表し、xは
1〜20の整数を表す〕で示される化合物などが挙げら
れる。
Embedded image [Wherein, R 1 represents the same as above, R 12 , R 13 , R 14 and R 15 each independently represent hydrogen or a methyl group, and x represents an integer of 1 to 20]. Is mentioned.

【0010】(A)成分のアクリル酸エステル化合物又
はメタクリル酸エステル化合物としては、上記の化合物
を単独で又は2種以上を組み合わせて使用することがで
きる。
As the acrylate compound or methacrylate compound of the component (A), the above compounds can be used alone or in combination of two or more.

【0011】(A)成分のアクリル酸エステル化合物又
はメタクリル酸エステル化合物としては、硬化物の弾性
率を低くし実装後の接続信頼性を改良するために(A)
成分の単独重合体のガラス転移温度が100℃以下であ
ることが好ましい。
The acrylate compound or methacrylate compound as the component (A) is used to reduce the elastic modulus of the cured product and improve the connection reliability after mounting.
The glass transition temperature of the homopolymer of the component is preferably 100 ° C. or less.

【0012】(B)成分のブタジエン重合体もしくは共
重合体が持つ官能基としては、分子内又は側鎖にエポキ
シ基、カルボキシル基、酸無水物基及びアクリル基、メ
タクリル基、マレイミド基等のラジカル重合性の基のう
ち少なくとも1種を有するものを用いることが出来る。
The functional group contained in the butadiene polymer or copolymer as the component (B) may be, for example, a radical such as an epoxy group, a carboxyl group, an acid anhydride group, an acryl group, a methacryl group, or a maleimide group in a molecule or in a side chain. Those having at least one kind of polymerizable group can be used.

【0013】また、(B)成分のブタジエン重合体もし
くは共重合体は分子内にブタジエンに由来する2重結合
を有していてもよく、また樹脂の吸水率を増大させない
量、官能基当量で200g/モルより少ない量で水酸基
を持つものを使用しても良い。
The butadiene polymer or copolymer of the component (B) may have a double bond derived from butadiene in the molecule. Those having hydroxyl groups in an amount of less than 200 g / mol may be used.

【0014】(B)成分のブタジエン重合体もしくは共
重合体としては、硬化物の弾性率を低くし実装後の接続
信頼性を改良するためにガラス転移温度が20℃以下で
あることが好ましい。
The butadiene polymer or copolymer as the component (B) preferably has a glass transition temperature of 20 ° C. or lower in order to reduce the elastic modulus of the cured product and improve the connection reliability after mounting.

【0015】エポキシ基を有するブタジエン重合体もし
くは共重合体としてはブタジエンの2重結合を過酢酸あ
るいは空気により酸化しエポキシ化したエポキシ化ポリ
ブタジエン、エポキシ化ブタジエンニトリル共重合体あ
るいはエポキシ化ブタジエンニトリルスチレン共重合体
または、エポキシ基を有するグリシジルアクリレート、
グリシジルメタクリレート等のモノマーを共重合したブ
タジエン共重合体または、カルボキシル基あるいは酸無
水物基を有するブタジエン重合体もしくは共重合体とエ
ポキシ樹脂との反応生成物などを用いることが出来る。
The butadiene polymer or copolymer having an epoxy group may be an epoxidized polybutadiene, an epoxidized butadiene nitrile copolymer or an epoxidized butadiene nitrile styrene obtained by oxidizing a double bond of butadiene with peracetic acid or air to epoxidize it. Glycidyl acrylate having a polymer or an epoxy group,
A butadiene copolymer obtained by copolymerizing a monomer such as glycidyl methacrylate, a butadiene polymer having a carboxyl group or an acid anhydride group, or a reaction product of an epoxy resin and the like can be used.

【0016】カルボキシル基を有するブタジエン重合体
もしくは共重合体としてはカルボキシ末端ブタジエンニ
トリル共重合体(CTBN)または、上記エポキシ基を
有するブタジエン重合体もしくは共重合体と2塩基酸と
の反応生成物または、無水マレイン酸を付加させたブタ
ジエン重合体もしくは共重合体と分子内に水酸基を持つ
アクリル酸エステル化合物又はメタクリル酸エステル化
合物を反応させて得られる反応生成物等を用いることが
出来る。
As the butadiene polymer or copolymer having a carboxyl group, a carboxy-terminated butadiene nitrile copolymer (CTBN) or a reaction product of the above-mentioned butadiene polymer or copolymer having an epoxy group with a dibasic acid or For example, a reaction product obtained by reacting a butadiene polymer or copolymer to which maleic anhydride has been added with an acrylate compound or a methacrylate compound having a hydroxyl group in the molecule can be used.

【0017】酸無水物基を有するブタジエン重合体もし
くは共重合体としては無水マレイン酸を付加させたブタ
ジエン重合体もしくは共重合体等を用いることが出来
る。
As the butadiene polymer or copolymer having an acid anhydride group, a butadiene polymer or copolymer to which maleic anhydride has been added can be used.

【0018】ラジカル重合性の基を有するブタジエン重
合体もしくは共重合体としては、ビニル末端ブタジエン
ニトリル共重合体(VTBN)あるいは無水マレイン酸
を付加させたブタジエン重合体もしくは共重合体と分子
内に水酸基を持っアクリル酸エステル化合物又はメタク
リル酸エステル化合物を反応させて得られる反応生成物
等の反応生成物などを用いることが出来る。
The butadiene polymer or copolymer having a radical polymerizable group may be a vinyl-terminated butadiene nitrile copolymer (VTBN) or a butadiene polymer or copolymer to which maleic anhydride is added, and a hydroxyl group in the molecule. And a reaction product such as a reaction product obtained by reacting an acrylate compound or a methacrylate compound.

【0019】なお、上記の無水マレイン酸を付加させた
ブタジエン重合体もしくは共重合体と分子内に水酸基を
持つアクリル酸エステル化合物又はメタクリル酸エステ
ル化合物を反応させて得られる反応生成物は、分子内に
水酸基を持つアクリル酸エステル化合物又はメタクリル
酸エステル化合物として、β−ヒドロキシプロピルアク
リレート、β−ヒドロキシエチルメタクリレート、ポリ
エチレングリコールアクリレート、2−ヒドロキシ−3
−フェノキシプロピルアクリレート等を用いポリブタジ
エン中の無水マレイン酸基1モルに対してアクリル酸エ
ステル化合物又はメタクリル酸エステル化合物0.1〜
1.2モルの範囲で反応させることにより得られる。ま
たアクリル酸エステル化合物又はメタクリル酸エステル
化合物の重合を制御するために、本反応は40℃〜15
0℃の温度範囲で行われるのが好ましく、必要に応じて
任意の重合禁止剤を添加することができる。さらに均一
に反応を行わせるために必要に応じて任意の反応性希釈
剤及び溶剤を添加することができる。
The reaction product obtained by reacting the butadiene polymer or copolymer to which maleic anhydride has been added with an acrylate compound or a methacrylate compound having a hydroxyl group in the molecule is an intramolecular molecule. Β-hydroxypropyl acrylate, β-hydroxyethyl methacrylate, polyethylene glycol acrylate, 2-hydroxy-3 as an acrylate compound or a methacrylate compound having a hydroxyl group
An acrylate compound or a methacrylate compound 0.1 to 1 mol of maleic anhydride group in polybutadiene using phenoxypropyl acrylate or the like;
It is obtained by reacting in a range of 1.2 mol. In order to control the polymerization of the acrylate compound or the methacrylate compound, the reaction is carried out at 40 ° C to 15 ° C.
It is preferably carried out in a temperature range of 0 ° C., and an optional polymerization inhibitor can be added as needed. An optional reactive diluent and a solvent can be added as necessary to make the reaction more uniform.

【0020】これら官能基を有するブタジエン重合体も
しくは共重合体としては、その数平均分子量(ゲルパー
ミエーションクロマトグラフィーによる標準ポリスチレ
ン換算値、以下同じ)、が800ないし5000であり
1分子中の平均のエポキシ基、カルボキシル基、酸無水
物基およびラジカル重合性の基との合計の個数が1ない
し6個のものが好ましい。数平均分子量が800未満で
は、硬化物の架橋密度が低下する傾向があり、べースト
組成物の接着強度が低下し5000を超えると粘度が増
大し、樹脂ぺースト組成物の作業性が低下する傾向があ
る。また、1分子中の平均のエポキシ基と他の官能基と
の合計の個数が1より小さい場合硬化物の架橋密度が低
下しべースト組成物の接着強度が低下し3個を超えると
粘度が増大し、樹脂ぺースト組成物の作業性が低下し硬
化物の弾性率が高くなり温度サイクルに対する信頼性が
低下する傾向がある。
The butadiene polymer or copolymer having such a functional group has a number average molecular weight (standard polystyrene conversion value by gel permeation chromatography, the same applies hereinafter) of 800 to 5,000 and an average molecular weight per molecule. It is preferable that the total number of epoxy groups, carboxyl groups, acid anhydride groups, and radically polymerizable groups is 1 to 6. If the number average molecular weight is less than 800, the crosslinked density of the cured product tends to decrease, the adhesive strength of the base composition decreases, and if it exceeds 5,000, the viscosity increases and the workability of the resin paste composition decreases. Tend. In addition, when the average number of epoxy groups and other functional groups in one molecule is less than 1, the crosslink density of the cured product decreases, and the adhesive strength of the base composition decreases. The workability of the resin paste composition tends to decrease, the elasticity of the cured product increases, and the reliability with respect to the temperature cycle tends to decrease.

【0021】(B)成分のブタジエン重合体もしくは共
重合体は、(A)成分100重量部に対して20〜10
00重量部使用することが好ましく、50〜400重量
部使用することがより好ましい。この配合量が20重量
部未満であると有機基材に対する接着力が低下し耐リフ
ロー性が低下し400重量部を越えると、粘度が増大
し、樹脂ぺースト組成物の作業性が低下する傾向があ
る。
The butadiene polymer or copolymer as the component (B) is used in an amount of from 20 to 10 based on 100 parts by weight of the component (A).
It is preferable to use 00 parts by weight, and it is more preferable to use 50 to 400 parts by weight. When the amount is less than 20 parts by weight, the adhesive strength to the organic base material is reduced and the reflow resistance is reduced. When the amount exceeds 400 parts by weight, the viscosity increases and the workability of the resin paste composition tends to decrease. There is.

【0022】本発明に用いられる(C)のラジカル開始
剤としては特に制限はないが、ボイド等の点から過酸化
物が好ましく、また樹脂ぺースト組成物の硬化性および
粘度安定性の点から過酸化物の分解温度としては70〜
170℃が好ましい。
The radical initiator (C) used in the present invention is not particularly limited, but is preferably a peroxide in terms of voids and the like, and in view of the curability and viscosity stability of the resin paste composition. The decomposition temperature of peroxide is 70-
170 ° C. is preferred.

【0023】具体例としては、ジクミルパーオキサイ
ド、t−ブチルパーベンゾエート、1,1−ビス(t−
ブチルパーオキシ)シクロヘキサン、メチルエチルケト
ンパーオキサイド、メチルシクロヘキサンパーオキサイ
ド、メチルアセトアセテートパーオキサイド、アセチル
アセトンパーオキサイド、1,1−ビス(t−ヘキシル
パーオキシ)3,3,5−トリメチルシクロヘキサン、
1,1−ビス(t−ヘキシルパーオキシ)シクロヘキサ
ン、1,1−ビス(t−ブチルパーオキシ)3,3,5
−トリメチルシクロヘキサン、1,1−ビス(t−ブチ
ルパーオキシ)シクロヘキサン、1,1−ビス(t−ブ
チルパーオキシ)シクロドデカン、2,2−ビス(t−
ブチルパーオキシ)ブタン、n−ブチル−4,4−ビス
(t−ブチルパーオキシ)バレレート、p−メンタンハ
イドロパーオキサイド、1,1,3,3−テトラメチル
ブチルハイドロパーオキサイド、クメンハイドロパーオ
キサイド、t−ヘキシルハイドロパーオキサイド、t−
ブチルハイドロパーオキサイド、α,α−ビス(t−ブ
チルパーオキシ)ジイソプロピルベンゼン、ジクミルパ
ーオキサイド、2,5−ジメチル−2,5−ビス(t−
ブチルパーオキシ)ヘキサン、t−ブチルクミルパーオ
キサイド、ジ−t−ブチルパーオキサイド、2,5−ジ
メチル−2,5−ビス(t−ブチルパーオキシ)ヘキシ
ン−3、2,4−ジクロロベンゾイルパーオキサイド、
サクシニックアシッドパーオキサイド、m−トルオイル
・ベンゾイルパーオキサイド、ベンゾイルパーオキサイ
ド、ビス(4−t−ブチルシクロヘキシル)パーオキシ
ジカーボネート、1,1,3,3−テトラメチルブチル
パーオキシネオデカノエート、1,1,3,3−テトラ
メチルブチルパーオキシ−2−エチルヘキサノエート、
2,5−ジメチル−2,5−ビス(2−エチルヘキサノ
イルパーオキシ)ヘキサン、1−シクロヘキシル−1−
メチルエチルパーオキシ−2−エチルヘキサノエート、
t−ヘキシルパーオキシ−2−エチルヘキサノエート、
t−ブチルパーオキシ−2−エチルヘキサノエート、t
−ブチルパーオキシイソブチレート、t−ブチルパーオ
キシ−3,5,5−トリメチルヘキサノエート、t−ブ
チルパーオキシラウレート、t−ブチルパーオキシイソ
プロピルモノカーボネート、t−ブチルパーオキシ−2
−エチルヘキシルモノカーボネート、t−ヘキシルパー
オキシベンゾエート、2,5−ジメチル−2,5−ビス
(ベンゾイルパーオキシ)ヘキサン、t−ブチルパーオ
キシアセテート、t−ブチルパーオキシ−m−トルオイ
ルベンゾエート、t−ブチルパーオキシベンゾエート、
ビス(t−ブチルパーオキシ)イソフタレート、t−ブ
チルパーオキシアリルモノカーボネート、3,3′,
4,4′−テトラ(t−ブチルパーオキシカルボニル)
ベンゾフェノン、2,3−ジメチル−2,3−ジフェニ
ルブタン等がある。
As specific examples, dicumyl peroxide, t-butyl perbenzoate, 1,1-bis (t-
Butylperoxy) cyclohexane, methyl ethyl ketone peroxide, methylcyclohexane peroxide, methyl acetoacetate peroxide, acetylacetone peroxide, 1,1-bis (t-hexylperoxy) 3,3,5-trimethylcyclohexane,
1,1-bis (t-hexylperoxy) cyclohexane, 1,1-bis (t-butylperoxy) 3,3,5
-Trimethylcyclohexane, 1,1-bis (t-butylperoxy) cyclohexane, 1,1-bis (t-butylperoxy) cyclododecane, 2,2-bis (t-
(Butylperoxy) butane, n-butyl-4,4-bis (t-butylperoxy) valerate, p-menthane hydroperoxide, 1,1,3,3-tetramethylbutyl hydroperoxide, cumene hydroperoxide , T-hexyl hydroperoxide, t-
Butyl hydroperoxide, α, α-bis (t-butylperoxy) diisopropylbenzene, dicumyl peroxide, 2,5-dimethyl-2,5-bis (t-
(Butylperoxy) hexane, t-butylcumyl peroxide, di-t-butylperoxide, 2,5-dimethyl-2,5-bis (t-butylperoxy) hexyne-3,2,4-dichlorobenzoylper oxide,
Succinic acid peroxide, m-toluoylbenzoyl peroxide, benzoyl peroxide, bis (4-t-butylcyclohexyl) peroxydicarbonate, 1,1,3,3-tetramethylbutylperoxy neodecanoate, 1,1,3,3-tetramethylbutylperoxy-2-ethylhexanoate,
2,5-dimethyl-2,5-bis (2-ethylhexanoylperoxy) hexane, 1-cyclohexyl-1-
Methyl ethyl peroxy-2-ethylhexanoate,
t-hexylperoxy-2-ethylhexanoate,
t-butylperoxy-2-ethylhexanoate, t
-Butylperoxyisobutyrate, t-butylperoxy-3,5,5-trimethylhexanoate, t-butylperoxylaurate, t-butylperoxyisopropyl monocarbonate, t-butylperoxy-2
-Ethylhexyl monocarbonate, t-hexylperoxybenzoate, 2,5-dimethyl-2,5-bis (benzoylperoxy) hexane, t-butylperoxyacetate, t-butylperoxy-m-toluoylbenzoate, t -Butyl peroxybenzoate,
Bis (t-butylperoxy) isophthalate, t-butylperoxyallyl monocarbonate, 3,3 ′,
4,4'-tetra (t-butylperoxycarbonyl)
Benzophenone, 2,3-dimethyl-2,3-diphenylbutane and the like.

【0024】(C)成分の配合量は、(A)成分と
(B)成分の総量100重量部に対して0.1〜10重
量部が好ましく、0.5〜5重量部が特に好ましい。
The amount of component (C) is preferably from 0.1 to 10 parts by weight, particularly preferably from 0.5 to 5 parts by weight, per 100 parts by weight of the total of components (A) and (B).

【0025】本発明に用いられる(D)の充填材として
は特に制限はなく、各種のものが用いられるが、例えば
金、銀、銅、ニッケル、鉄、アルミニウム、ステンレ
ス、等の金属粉末、あるいは酸化ケイ素、窒化ホウ素、
ホウ酸アルミ、酸化アルミ等の絶縁性の無機粉体が挙げ
られる。
The filler (D) used in the present invention is not particularly limited, and various fillers may be used. For example, metal powders such as gold, silver, copper, nickel, iron, aluminum, stainless steel, etc. Silicon oxide, boron nitride,
Insulating inorganic powders such as aluminum borate, aluminum oxide and the like are included.

【0026】絶縁性の無機粉末として板状の形状を有す
る酸化アルミを用いることによりソ樹脂ぺースト組成物
に良好な作業性を付与しさらに上記の成分よりなる樹脂
組成物に充填剤として配合した場合、吸湿後も接着力の
低下が非常に小さく高い接着力をを有する樹脂ぺースト
組成物を提供することが出来る。
By using aluminum oxide having a plate-like shape as an insulating inorganic powder, good workability is imparted to the resin paste composition, and the resin paste is mixed with the resin composition comprising the above components as a filler. In this case, it is possible to provide a resin paste composition having a very small decrease in adhesion even after moisture absorption and having high adhesion.

【0027】充填材の配合量は特に限定されないが、樹
脂ぺースト組成物総量100重量部に対して20〜85
重量%が好ましい。この配合量が20重量部未満である
と、熱時の接着強度が低下する傾向があり、85重量部
を越えると粘度が増大し、樹脂ぺースト組成物の作業性
が低下する傾向がある。
The amount of the filler is not particularly limited, but is preferably 20 to 85 parts by weight based on 100 parts by weight of the total amount of the resin paste composition.
% By weight is preferred. If the amount is less than 20 parts by weight, the adhesive strength when heated tends to decrease, and if it exceeds 85 parts by weight, the viscosity increases and the workability of the resin paste composition tends to decrease.

【0028】本発明になる樹脂ぺースト組成物には、さ
らに必要に応じてアクリロニトリルブタジエンゴム、ス
チレンブタジエンゴム、ウレタンアクリレート等の靭性
改良材、酸化カルシウム、酸化マグネシウム等の吸湿
剤、シランカップリング剤、チタンカップリング剤、酸
無水物等の接着力向上剤、ノニオン系界面活性剤、フッ
素系界面活性剤等の濡れ向上剤、シリコーン油等の消泡
剤、無機イオン交換体等のイオントラップ剤等を適宜添
加することができる。
The resin paste composition according to the present invention may further contain, if necessary, a toughness improving material such as acrylonitrile butadiene rubber, styrene butadiene rubber, urethane acrylate, a moisture absorbent such as calcium oxide and magnesium oxide, and a silane coupling agent. , Titanium coupling agents, adhesion enhancers such as acid anhydrides, nonionic surfactants, wetting improvers such as fluorine surfactants, defoamers such as silicone oils, ion trapping agents such as inorganic ion exchangers Etc. can be appropriately added.

【0029】本発明になる樹脂ぺースト組成物を製造す
るには、(A)アクリル酸エステル化合物又はメタクリ
ル酸エステル化合物、(B)特定の官能基を持つブタジ
エン重合体もしくは共重合体、(C)ラジカル開始剤お
よび(D)充填材を必要に応じて用いられる各種添加剤
とともに、一括または分割して撹拌器、らいかい器、3
本ロール、プラネタリーミキサー等の分散・溶解装置を
適宜組み合わせ、必要に応じて加熱して混合、溶解、解
粒混練または分散して均一なペースト状とすれば良い。
To produce the resin paste composition of the present invention, (A) an acrylate compound or a methacrylate compound, (B) a butadiene polymer or copolymer having a specific functional group, (C) ) Radical initiator and (D) filler, together with various additives used as required, together or separately with a stirrer, raiser,
This roll, a dispersing / dissolving device such as a planetary mixer may be appropriately combined, and if necessary, heated, mixed, dissolved, disintegrated and kneaded or dispersed to form a uniform paste.

【0030】本発明においては、さらに上記のようにし
て製造した樹脂ぺースト組成物を用いて半導体素子と支
持部材とを接着した後、封止することにより半導体装置
とすることができる。
In the present invention, a semiconductor device can be obtained by bonding a semiconductor element and a supporting member using the resin paste composition produced as described above, and then sealing the semiconductor element and the supporting member.

【0031】本発明の樹脂ぺースト組成物を用いて半導
体素子をポリイミドフィルム配線板等の支持部材に接着
させるには、まず支持部材上に樹脂ぺースト組成物をデ
ィスペンス法、スクリーン印刷法、スタンピング法等に
より塗布した後、半導体素子を圧着し、その後オーブ
ン、ヒートブロック等の加熱装置を用いて加熱硬化する
ことにより行うことができる。さらに、ワイヤホンド工
程を経たのち、通常の方法により封止することにより完
成された半導体装置とすることができる。
In order to adhere a semiconductor element to a support member such as a polyimide film wiring board using the resin paste composition of the present invention, first, the resin paste composition is dispensed on the support member, screen printing, stamping, and the like. After application by a method or the like, the semiconductor element can be pressed and then cured by heating using a heating device such as an oven or a heat block. Further, after a wire bonding step, the semiconductor device is sealed by a usual method, whereby a completed semiconductor device can be obtained.

【0032】[0032]

【実施例】次に、実施例により本発明を詳細に説明する
が、本発明はこれによって制限されるものではない。
Next, the present invention will be described in detail with reference to examples, but the present invention is not limited thereto.

【0033】以下の例で用いたエポキシ樹脂、硬化剤は
以下のようにして作製したものを用いた。 エポキシ樹脂の調製 YDF−170(東都化成(株)商品名、ビスフェノール
F型エポキシ樹脂、エポキシ当量=170)7.5重量
部及びYL−980(油化シェルエポキシ(株)商品名、
ビスフェノールA型エポキシ樹脂、エポキシ当量=18
5)7.5重量部を80℃に加熱し、1時間撹拌を続
け、均一なエポキシ樹脂溶液を得た。 フェノール樹脂溶液の調製 H−1(明和化成(株)商品名、フェノールノボラック樹
脂、OH当量:106)1.0重量部及び希釈剤として
PP−101(東都化成(株)商品名、アルキルフェニル
グリシジルエーテル、エポキシ当量=230)2.0重
量部を100℃に加熱し、1時間撹拝を続け、均一なフ
ェノール樹脂溶液を得た。
The epoxy resin and curing agent used in the following examples were prepared as follows. Preparation of epoxy resin 7.5 parts by weight of YDF-170 (trade name of Toto Kasei Co., Ltd., bisphenol F type epoxy resin, epoxy equivalent = 170) and YL-980 (trade name of Yuka Shell Epoxy Co., Ltd.)
Bisphenol A type epoxy resin, epoxy equivalent = 18
5) 7.5 parts by weight was heated to 80 ° C., and stirring was continued for 1 hour to obtain a uniform epoxy resin solution. Preparation of Phenol Resin Solution 1.0 part by weight of H-1 (trade name of Meiwa Kasei Co., Ltd., phenol novolak resin, OH equivalent: 106) and PP-101 as a diluent (trade name of Toto Kasei Co., Ltd., alkylphenylglycidyl) 2.0 parts by weight of ether and epoxy equivalent = 230) were heated to 100 ° C. and stirred for 1 hour to obtain a uniform phenol resin solution.

【0034】 硬化剤 2P4MHZ(四国化成工業(株)商品名、イミダゾール
系硬化剤) 希釈剤 PP−101(東都化成(株)商品名、アルキルフェニル
グリシジルエーテル) エポキシ樹脂組成物 上記エポキシ樹脂、フェノール樹脂溶液、硬化剤および
希釈剤を重量比20:5:2:10の比率で乳鉢を用い
均一に混合した。
Curing agent 2P4MHZ (Shikoku Chemicals Co., Ltd., imidazole-based curing agent) Diluent PP-101 (Toto Kasei Co., Ltd., alkylphenylglycidyl ether) Epoxy resin composition Epoxy resin, phenolic resin The solution, the curing agent and the diluent were uniformly mixed in a weight ratio of 20: 5: 2: 10 using a mortar.

【0035】(1)アクリル酸エステル化合物又はメタ
クリル酸エステル化合物 2−ヒドロキシ−3−フェノキシプロピルアクリレート
(Tg;17℃) イソボルニルアクリレート(Tg:180℃) ノナンジオールジアクリレート
(1) Acrylic acid ester compound or methacrylic acid ester compound 2-hydroxy-3-phenoxypropyl acrylate (Tg: 17 ° C.) Isobornyl acrylate (Tg: 180 ° C.) Nonanediol diacrylate

【0036】(2)ブタジエン重合体もしくは共重合体 エポキシ化ポリブタジエン(数平均分子量1000、官
能基数4,Tg;<0℃)(E−1000−6.5:日
本石油化学(株)商品名) カルボキシ末端ブタジエンアクリロニトリル共重合体
(分子量3500、官能基数2.3,Tg;<0℃)
(HaycarCTBN1300×9:宇部興産(株)商品名) メタクリル化ポリブタジエン(マレイン酸付加ポリブタ
ジエンアルキルオキシメタクリレート、数平均分子量1
000、官能基数2.3、Tg;<0℃) (MM−1000−80:日本石油化学(株)商品名)
(2) Butadiene polymer or copolymer Epoxidized polybutadiene (number-average molecular weight: 1,000, number of functional groups: 4, Tg; <0 ° C.) (E-1000-6.5: trade name of Nippon Petrochemical Co., Ltd.) Carboxy-terminated butadiene acrylonitrile copolymer (molecular weight 3500, functional group 2.3, Tg; <0 ° C.)
(HaycarCTBN1300 × 9: trade name of Ube Industries, Ltd.) Methacrylated polybutadiene (maleic acid-added polybutadiene alkyloxy methacrylate, number average molecular weight 1)
000, number of functional groups 2.3, Tg; <0 ° C.) (MM-1000-80: trade name of Nippon Petrochemical Co., Ltd.)

【0037】(3)ラジカル開始剤 ジクミルパーオキサイド (4)充填剤 銀粉;TCG−1、徳力化学研究所(株)商品名 板状酸化アルミ;(YFA−O0610,YKK(株)商
品名 球状酸化珪素;S−COX30、(株)マイクロン商品名
(3) Radical initiator dicumyl peroxide (4) Filler silver powder; TCG-1, trade name of Tokurika Chemical Laboratory Co., Ltd., plate-like aluminum oxide; (YFA-O0610, trade name of YKK Corp., spherical) Silicon oxide; S-COX30, Micron Corporation

【0038】表1に示す配合割合で各材料を混合し、3
本ロールを用いて混練した後、5トール(Torr)以下で
10分問脱泡処理を行い、樹脂ぺースト組成物を得た。
この樹脂ぺースト組成物の特性(粘度、ピール強度)を
下記に示す方法で調べた。その結果を表2に示す。
Each material was mixed at the compounding ratio shown in Table 1, and 3
After kneading using this roll, defoaming treatment was performed at 5 Torr (Torr) or less for 10 minutes to obtain a resin paste composition.
The characteristics (viscosity, peel strength) of this resin paste composition were examined by the following methods. Table 2 shows the results.

【0039】(1)粘度:EHD型回転粘度計(東京計
器社製)を用いて、回転数0.5rpmで25℃における
粘度(Pa・s)を測定した。 (2)作業性:武蔵エンジニアリング製24Gのノズル
を用い基板上にディスペンスしペーストの糸引き、飛び
散り、塗布後の流れだし及び塗れ広がり性について評価
し総合的に判断した。なお、×はダイボンドが実質不可
能な状態、△は複数の特性に問題があるか又は重大な問
題があり使用が困難な状態、○はいずれかの特性に問題
があるが使用可能な状態、◎はいずれかの特性も良好で
あったことを示す。
(1) Viscosity: The viscosity (Pa · s) at 25 ° C. was measured at an rpm of 0.5 rpm using an EHD type rotational viscometer (manufactured by Tokyo Keiki Co., Ltd.). (2) Workability: A 24G nozzle manufactured by Musashi Engineering was used to dispense the paste onto the substrate, and the stringiness and scattering of the paste, the flow after application and the spreadability of the paste were evaluated and comprehensively judged. In addition, × indicates a state in which die bonding is substantially impossible, Δ indicates a state in which there is a problem with a plurality of properties or has a serious problem and is difficult to use, ○ indicates a state in which there is a problem in one of the properties but is usable, ◎ indicates that any of the characteristics was good.

【0040】(3)−1 ピール強度 樹脂ぺースト組成物をソルターレジスト(PSR−40
00−AUS5、太陽インキ(株)商品名)を塗布硬化し
たガラス/エポキシ基板(E−679、日立化成工業
(株)製)上に塗布し、この上に8mm×8mmのSiチップ
(厚さ0.4mm)を圧着し、さらにオーブンで150℃
まで30分で昇温し150℃で1時間硬化させた。これ
を85℃、85%の条件に設定された恒温恒湿槽中で4
8時間吸湿させた後自動接着力装置(日立化成工業(株)
製、内製)を用い、240℃における引き剥がし強さ
(kg/チップ)を測定した。
(3) -1 Peel strength The resin paste composition was treated with a salter resist (PSR-40).
00-AUS5, Taiyo Ink Co., Ltd.) coated and cured glass / epoxy substrate (E-679, Hitachi Chemical Co., Ltd.)
Co., Ltd.), and an 8 mm × 8 mm Si chip (0.4 mm thick) was pressed thereon, and further heated in an oven at 150 ° C.
And then cured at 150 ° C. for 1 hour. This is placed in a thermo-hygrostat set at 85 ° C. and 85% for 4 hours.
After 8 hours of moisture absorption, an automatic adhesive device (Hitachi Chemical Industries, Ltd.)
Manufactured in-house) was used to measure the peel strength (kg / chip) at 240 ° C.

【0041】(3)−2 ピール強度 ポリイミド配線基板(日立化成工業(株)製)を5mm幅の
短冊状に切り出しこれに樹脂ぺースト組成物を塗布し、
この上に8mm×10mmのSiチップ(厚さ0.4mm)を
圧着し、さらにオーブンで150℃まで30分で昇温し
150℃で1時間硬化させた。これを85℃、85%の
条件に設定された恒温恒湿槽中で48時間吸湿させた後
チップ側をヒートブロックに載せ固定し、フィルムの端
をバネばかりの端に固定して引っ張り上げ240℃にお
ける引き剥がし強さ(g/5mm幅)を測定した。
(3) -2 Peel strength A polyimide wiring board (manufactured by Hitachi Chemical Co., Ltd.) is cut into a strip having a width of 5 mm, and a resin paste composition is applied thereto.
An 8 mm × 10 mm Si chip (0.4 mm thick) was pressed onto this, and the temperature was raised to 150 ° C. in an oven for 30 minutes and cured at 150 ° C. for 1 hour. This was absorbed in a constant temperature and humidity chamber set at 85 ° C. and 85% for 48 hours, and then the chip side was placed and fixed on a heat block, and the end of the film was fixed to the end of the spring and pulled up. The peel strength (g / 5 mm width) at ° C was measured.

【0042】(4)−1 耐リフロー性 実施例及び比較例により得た樹脂ぺースト組成物を用
い、ソルターレジスト(PSR−4000−AUS5太
陽インキ(株)製)を塗布硬化したガラス/エポキシ基板
(E−679日立化成工業(株)製)とSiチップを、下
記の硬化条件により硬化し接着した。その後日立化成工
業製エポキシ封止材(商品名CEL−9200)により
封止し、半田リフロー試験用パッケージを得た。そのパ
ッケージを温度及び湿度がそれぞれ85℃、85%の条
件に設定された恒温恒湿槽中で168時間吸湿させた。
その後半田リフローを行い、パッケージの外部クラック
の発生数を超音波顕微鏡で観察した。5個のサンプルに
ついてクラックの発生したサンプル数を示す。 チップサイズ:10mm×10mm パッケージ:24mm×24mm 硬化条件:150℃まで30分で昇温、150℃で1時
間硬化
(4) -1 Reflow Resistance A glass / epoxy substrate coated and cured with a salter resist (PSR-4000-AUS5 manufactured by Taiyo Ink Co., Ltd.) using the resin paste compositions obtained in Examples and Comparative Examples. (E-679, manufactured by Hitachi Chemical Co., Ltd.) and the Si chip were cured and bonded under the following curing conditions. Thereafter, the package was sealed with an epoxy sealing material (CEL-9200, manufactured by Hitachi Chemical Co., Ltd.) to obtain a package for a solder reflow test. The package was allowed to absorb moisture for 168 hours in a thermo-hygrostat set at a temperature and humidity of 85 ° C. and 85%, respectively.
Thereafter, solder reflow was performed, and the number of occurrences of external cracks in the package was observed with an ultrasonic microscope. The number of cracked samples is shown for five samples. Chip size: 10mm x 10mm Package: 24mm x 24mm Curing conditions: Heat up to 150 ° C in 30 minutes, cure at 150 ° C for 1 hour

【0043】(4)−2 耐リフロー性 実施例及び比較例により得た樹脂ぺースト組成物を用
い、ポリイミド配線基板(日立化成工業(株)製)とSi
チップを下記の硬化条件により硬化し接着した。その後
日立化成工業製エポキシ封止材(商品名CEL−920
0)により封止し、半田リフロー試験用パッケージを得
た。そのパッケージを温度及び湿度がそれぞれ85℃、
85%の条件に設定された恒温恒湿槽中で48時間吸湿
させた。その後半田リフローを行い、パッケージの外部
クラックの発生数を超音波顕微鏡で観察した。5個のサ
ンプルについてクラックの発生したサンプル数を示す。 チップサイズ:10mm×10mm パッケージ:24mm×24mm 硬化条件:150℃まで30分で昇温、150℃で1時
間硬化
(4) -2 Reflow Resistance Using the resin paste compositions obtained in Examples and Comparative Examples, a polyimide wiring board (manufactured by Hitachi Chemical Co., Ltd.) and Si
The chip was cured and adhered under the following curing conditions. Thereafter, an epoxy encapsulant manufactured by Hitachi Chemical (CEL-920)
0) to obtain a package for a solder reflow test. The temperature and humidity of the package are 85 ° C, respectively.
Moisture was absorbed for 48 hours in a thermo-hygrostat set at 85%. Thereafter, solder reflow was performed, and the number of occurrences of external cracks in the package was observed with an ultrasonic microscope. The number of cracked samples is shown for five samples. Chip size: 10mm x 10mm Package: 24mm x 24mm Curing conditions: Heat up to 150 ° C in 30 minutes, cure at 150 ° C for 1 hour

【0044】(5)温度サイクルに対する接続信頼性 上記(4)−2で作製したポリイミド配線基板を用いた
パッケージを0.6mmtの配線基板上に実装し−25℃
/125℃で100サイクル毎に接続抵抗を測定し不良
率が50%を超えるサイクル数を求め耐温度サイクル性
を評価した。
(5) Connection Reliability to Temperature Cycle The package using the polyimide wiring board prepared in the above (4) -2 is mounted on a 0.6 mmt wiring board, and is -25 ° C.
The connection resistance was measured every 100 cycles at / 125 ° C, and the number of cycles at which the failure rate exceeded 50% was determined to evaluate the temperature cycle resistance.

【0045】[0045]

【表1】 [Table 1]

【0046】[0046]

【表2】 [Table 2]

【0047】表2の結果から、本発明の樹脂ぺースト組
成物(実施例1ないし6)は従来のエポキシ樹脂を用い
た樹脂ぺースト組成物(比較例3)などと比較して吸湿
後のピール強度が高く、耐リフロー性が優れていた。さ
らにさらに特定の配合を用いたペースト組成物を用いた
場合(実施例1ないし5)にはポリイミド基板を用いた
パッケージにおいて、耐リフロー性の改良のみならずダ
イボンド層を低弾性率化することにより実装信頼性が約
3倍まで改善されたことがわかる。
From the results shown in Table 2, the resin paste compositions of the present invention (Examples 1 to 6) are more likely to absorb moisture than the conventional resin paste compositions using an epoxy resin (Comparative Example 3). The peel strength was high and the reflow resistance was excellent. Further, when a paste composition using a specific composition is used (Examples 1 to 5), not only the reflow resistance is improved but also the die bond layer is made to have a low elastic modulus in a package using a polyimide substrate. It can be seen that the mounting reliability has been improved up to about three times.

【0048】表2において、作業性において実施例2〜
4では、ディスペンス時に若干糸引きが発生する傾向が
あり、比較例1ではペーストの飛び散りが発生したが、
いずれの場合も、前記の装置及び条件で使用可能な範囲
であった。
[0048] In Table 2, the workability of Examples 2 to
In No. 4, there was a tendency for stringing to occur slightly during dispensing, and in Comparative Example 1, the splattering of the paste occurred.
In each case, the usable range was within the range of the above-mentioned apparatus and conditions.

【0049】[0049]

【発明の効果】本発明の樹脂ぺースト組成物は、有機素
材を主体として構成された支持部材を用いた半導体装置
のダイボンディング材として使用した場合に半田リフロ
ー時のリフロークラックの発生を低減し実装後の接続信
頼性を向上させ半導体装置としての信頼性を向上させる
ことができる。
The resin paste composition of the present invention reduces the occurrence of reflow cracks during solder reflow when used as a die bonding material for a semiconductor device using a supporting member mainly composed of an organic material. The connection reliability after mounting can be improved, and the reliability as a semiconductor device can be improved.

フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) H01L 21/52 H01L 21/52 E (72)発明者 沢辺 浩一 茨城県日立市東町四丁目13番1号 日立化 成工業株式会社山崎工場内 (72)発明者 片山 陽二 茨城県日立市東町四丁目13番1号 日立化 成工業株式会社山崎工場内 Fターム(参考) 4J002 BG04W BG05W BL01X DE147 EK036 EK046 EK056 EK086 FA117 FD017 GJ00 GQ05 4J011 PA07 PA30 PA34 PA76 4J027 AA03 AJ01 BA07 CA14 CA36 CB03 CC02 CD09 5F047 AA17 BA23 BA34 BA53 BB11 BB16 FA22 FA52 Continued on the front page (51) Int.Cl. 7 Identification FI Theme Court II (Reference) H01L 21/52 H01L 21/52 E (72) Inventor Koichi Sawabe 4-3-1-1, Higashicho, Hitachi City, Ibaraki Prefecture Hitachi Chemical (72) Inventor Yoji Katayama 4-1-1, Higashicho, Hitachi, Ibaraki Prefecture F-term (reference) 4Y002 BG04W BG05W BL01X DE147 EK036 EK046 EK056 EK086 FA117 FD017 GJ00 GQ05 4J011 PA07 PA30 PA34 PA76 4J027 AA03 AJ01 BA07 CA14 CA36 CB03 CC02 CD09 5F047 AA17 BA23 BA34 BA53 BB11 BB16 FA22 FA52

Claims (6)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 (A)アクリル酸エステル化合物又はメ
タクリル酸エステル化合物、(B)特定の官能基を持つ
ブタジエン重合体もしくは共重合体、(C)ラジカル開
始剤および(D)充填材を均一分散させてなり、(B)
成分のブタジエン重合体もしくは共重合体が持つ官能基
が、エポキシ基、カルボキシル基、酸無水物基及びラジ
カル重合性の基のうち少なくとも1種である樹脂ぺース
ト組成物。
1. Uniform dispersion of (A) an acrylate compound or a methacrylate compound, (B) a butadiene polymer or copolymer having a specific functional group, (C) a radical initiator and (D) a filler. (B)
A resin paste composition in which the functional group of the butadiene polymer or copolymer as a component is at least one of an epoxy group, a carboxyl group, an acid anhydride group, and a radically polymerizable group.
【請求項2】 (A)成分の単独重合体のガラス転移温
度が100℃以下であり、(B)成分のブタジエン重合
体もしくは共重合体のガラス転移温度が20℃以下であ
り、かつ、その量が(A)成分100重量部に対して5
0〜400重量部である請求項1記載の樹脂ぺースト組
成物。
2. The glass transition temperature of the homopolymer of the component (A) is 100 ° C. or lower, and the glass transition temperature of the butadiene polymer or copolymer of the component (B) is 20 ° C. or lower. The amount is 5 per 100 parts by weight of the component (A).
The resin paste composition according to claim 1, wherein the amount is from 0 to 400 parts by weight.
【請求項3】 (B)成分のブタジエン重合体もしくは
共重合体の数平均分子量が800ないし5000であり
分子中の官能基が1ないし6個である請求項1記載の樹
脂ぺースト組成物。
3. The resin paste composition according to claim 1, wherein the butadiene polymer or copolymer as the component (B) has a number average molecular weight of 800 to 5000 and 1 to 6 functional groups in the molecule.
【請求項4】 (D)成分の充填材成分が板状の形態を
有する酸化アルミである請求項1〜3のいずれかに記載
の樹脂ぺースト組成物。
4. The resin paste composition according to claim 1, wherein the filler component (D) is a plate-like aluminum oxide.
【請求項5】 請求項1〜4のいずれかに記載の樹脂
ぺースト組成物を用いて半導体素子を有機素材を主体と
して構成された支持部材に接着した後、封止してなる半
導体装置。
5. A semiconductor device obtained by bonding a semiconductor element to a support member mainly composed of an organic material using the resin paste composition according to claim 1, and sealing the semiconductor element.
【請求項6】 半導体素子を接着する支持部材が20〜
100μmの厚みのポリイミドフィルムを基材とし構成
された部材を用いた請求項5に記載の半導体装置。
6. A support member for adhering a semiconductor element, comprising 20 to
The semiconductor device according to claim 5, wherein a member configured using a polyimide film having a thickness of 100 μm as a base material is used.
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