JP2000231120A - アクティブマトリクス液晶表示装置とその制御方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 横方向電界駆動型の液晶表示装置において、
残像現像を抑止する。 【解決手段】 横方向電界駆動型の液晶表示装置におい
て、カラーフィルタ基板の裏面に設ける透明導電膜１１
に、対向電極１の電位に対して、１０Ｖ以上４０Ｖ以下
のＤＣ電圧を印加することを特徴とする。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、アクティブマトリ
クス液晶表示装置とその制御方法に係わり、特に、残像
を少なくした横電界駆動方式のアクティブマトリクス液
晶表示装置とその制御方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】薄膜電界効果型トランジスタ（以下ＴＦ
Ｔと記す）を画素のスイッチング素子として用いるアク
ティブマトリクス型液晶表示装置は高品位の画質を有
し、携帯型コンピュータの表示デバイスあるいは最近で
は省スペースのデスクトップコンピュータのモニターと
して幅広く用いられている。

【０００３】近年、液晶表示装置の高画質化を目的とし
て、視野角特性を向上させるために、横方向電界を利用
した表示方法が、特開平９−３２９８１３号公報におい
て提案されている。この方法は、ＴＦＴを形成する第１
の基板上に互いに平行に画素電極と対向電極を形成し、
これらの間に電圧を印加して、基板面に平行な電界を形
成することにより、液晶の異方軸（ダイレクタ）の向き
を変化させ、これによって透過光量を制御するものであ
る。この方式では、ダイレクタが基板面内で回転するの
で、非常に広い視角から見て、階調反転のない良好な画
像を得ることができる。

【０００４】この方式では、横方向に電界を印加するの
で、ＴＦＴを形成する第１の基板に対向して設けられ
る、カラーフィルターを形成した第２の基板の液晶層側
に透明電極が存在しない。従って、第２の基板の液晶層
側に形成されるカラーフィルター（以下、ＣＦと略す
る）、ブラックマトリクス（以下、ＢＭと略記する）が
電気的に遮蔽されていない。

【０００５】このため、アクティブマトリクス液晶表示
パネル内部に印加される様々な電位の影響を受けて、Ｂ
Ｍの電位が変動を受け、対向電位（共通電極）とは異な
る電位を有するようになる。このように、ＢＭと対向電
極との間のＤＣ電界は、表示領域に縦方向のＤＣ電界を
誘起する。このＤＣ電界はＩＰＳ（Ｉｎ−Ｐｌａｎｅ−
Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ）モードの焼き付きの原因となって
いた。

【０００６】このＤＣ電界を防止するために、特開平９
−２６９５０４号公報では、ＢＭ材料を低抵抗とし、こ
れを対向電極と等電位に保つ方法が提案されている。こ
の方法では、通常色層から不純物を溶出させないために
形成するオーバーコート層を、周辺において一部除去
し、ＢＭを露出させる必要がある。このため、カラーフ
ィルターの作製プロセスが複雑化するという問題点があ
る。

【０００７】一方、特開平９−２５８２０３及び特開平
９−１０５９１８号公報に、静電気をシールドする目的
でカラーフィルタの液晶層とは反対側に透明導電層を形
成する技術が開示されている。これは、カラーフィルタ
に静電気が帯電した際に、液晶層中に攪乱電界が発生
し、異常動作を引き起こすことを防止することを目的と
するものである。この場合、前記透明導電層は接地され
ており、画素に横方向電界を印加する目的で形成する対
向電極に印加する電位と同等もしくはそれより低い値に
設定されていた。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、上記
した従来技術の欠点を改良し、特に、カラーフィルター
の作製プロセスが複雑化しない方法で、残像の少ない良
好な横電界駆動型のアクティブマトリクス液晶表示装置
とその制御方法を提供するものである。

【０００９】

【課題を解決するための手段】本発明は上記した目的を
達成するため、基本的には、以下に記載されたような技
術構成を採用するものである。即ち、本発明に係わるア
クティブマトリクス液晶表示装置の第１態様は、第１の
基板と第２の基板とが液晶層を挟んで対向して配置さ
れ、前記第１の基板に画素電極、スイッチング素子、対
向電極がマトリクス状に配置され、第２の基板の前記液
晶層側の面にブラックマトリクスが設けられ、前記画素
電極と対向電極との間に印加した電圧で前記液晶層にほ
ぼ平行な電界を発生させることにより表示を制御するア
クティブマトリクス液晶表示装置において、前記第２の
基板の液晶層側と反対側に透明導電層を形成し、前記透
明導電層の電位を、前記対向電極の電位より高くしたこ
とを特徴とするものである。

【００１０】更に、本発明の好ましい態様としては、第
２の基板の液晶層側と反対側に設けられた前記透明導電
層の電位が、前記対向電極電位を基準として、１０Ｖ以
上４０Ｖ以下とするものである。更に、本発明の好まし
い態様としては、前記透明導電層が、第２の基板上に直
接形成されたＩＴＯ膜とするものである。これにより、
十分低抵抗で透明度の高い良質の透明導電膜を得ること
ができる。

【００１１】更に、前記透明導電層が、これに電圧を供
給する部分を除いて、絶縁性のシートで覆われているこ
とが望ましい。これにより、ディスプレイを操作する際
に、画面に触れたり、何らかの導電体が前記透明導電層
と別電位の箇所を短絡させることにより、異常電流が流
れ、感電や加熱発火などの危険を引き起こしたりするこ
とが無くなる。

【００１２】更に、前記透明導電層を覆う前記絶縁シー
トが偏光板であることが望ましい。これにより、構成を
より簡単にすることが出来る。更に、前記透明導電層に
電位を供給する電圧源の電流の最大値が１ｍＡ以下に制
限されていることが望ましい。これにより、何らかの原
因で前記透明導電層と別電位の箇所を短絡した場合で
も、電流が低く制限されるため、感電や加熱発火などの
危険を引き起こしたりすることがなくなる。

【００１３】

【発明の実施の形態】本発明に係わるアクティブマトリ
クス液晶表示装置は、第１の基板と第２の基板とが液晶
層を挟んで対向して配置され、前記第１の基板に画素電
極、スイッチング素子、対向電極がマトリクス状に配置
され、第２の基板の前記液晶層側の面にブラックマトリ
クスが設けられ、前記画素電極と対向電極との間に印加
した電圧で前記液晶層にほぼ平行な電界を発生させるこ
とにより表示を制御するアクティブマトリクス液晶表示
装置において、前記第２の基板の液晶層側と反対側に透
明導電層を形成し、前記透明導電層の電位を、前記対向
電極の電位より高くしたことを特徴とするものである。

【００１４】

【実施例】以下に、本発明に係わるアクティブマトリク
ス液晶表示装置とその制御方法の具体例を図面を参照し
ながら詳細に説明する。 （第１の具体例）図１乃至図５は、本発明に係わるアク
ティブマトリクス液晶表示装置とその制御方法の具体例
の構造を示す図であって、これらの図には、第１の基板
１８と第２の基板９とが液晶層１７を挟んで対向して配
置され、前記第１の基板１８に画素電極２、スイッチン
グ素子３０、対向電極１がマトリクス状に配置され、第
２の基板９の前記液晶層１７側の面にブラックマトリク
ス１０が設けられ、前記画素電極２と対向電極１との間
に印加した電圧で前記液晶層１７にほぼ平行な電界を発
生させることにより表示を制御するアクティブマトリク
ス液晶表示装置において、前記第２の基板９の液晶層１
７側と反対側に透明導電層１１を形成し、前記透明導電
層１１の電位を、前記対向電極の電位より高くしたこと
を特徴とするアクティブマトリクス液晶表示装置が示さ
れている。

【００１５】以下に、本発明を更に詳細に説明する。ま
ず最初に、本発明の第１の具体例を、図１を用いて説明
する。図１（ａ）は、本発明の第１の具体例のアクティ
ブマトリクス液晶表示装置の１画素の平面図を表すもの
である。図１（ｂ）は、図１（ａ）のＡ−Ａ’断面を示
す。

【００１６】第１の透明絶縁性基板１８上には、信号線
５、走査線３、これらの交差部に配置された薄膜トラン
ジスタ３０及びこれに接続された画素電極２、対向電極
配線４とこれに接続された対向電極１が配置される。画
素電極２及び対向電極１は、信号線５に平行に配置さ
れ、両者の間に電位差を与えることにより、基板にほぼ
平行な電界を印加することができる。

【００１７】第２の透明絶縁性基板９上には、バスライ
ン上及びバスラインと表示部との間を遮光するために設
けるブラックマトリクス１０、カラー表示を行うために
設ける色層１２、さらに色層１２を覆うようにしてオー
バーコート層１３が形成されている。ブラックマトリク
ス１０はカーボン粒子を含有させた樹脂で形成され、そ
の比抵抗は１０³ 〜１０⁵ Ωｃｍであった。

【００１８】両基板の液晶層１７側の面には、夫々配向
膜１４が塗布され、両基板の間には液晶層１７が配置さ
れる。液晶層１７は、画素電極２の長手方向から５度か
ら４０度をなす方向にホモジニアス配向させてある。両
基板の外側には、偏光板８が貼付されてある。両偏光板
８の偏光軸は互いに直交し、一方の偏光軸は液晶の配向
方向に平行に設定される。

【００１９】そして、画素電極２と対向電極１との間に
印加する横方向電界によって、液晶層１７をツイスト変
形させ、これにより表示を制御する。第２の透明絶縁性
基板９の液晶層１７側と反対側には、透明導電膜１１と
してＩＴＯ膜が形成されている。このＩＴＯ膜には、対
向電位１を基準として＋１０Ｖ以上＋４０Ｖ以下のＤＣ
電位が印加される電源１９に接続されている。

【００２０】前記透明導電膜１１は、これにＤＣ電位を
印加する接続部を除いて、ほとんどの領域で偏光板８に
覆われている。偏光板８は、十分厚い絶縁性フィルムな
ので、手で画面を触っても、高いＤＣ電位が印加された
透明導電膜１１に直接触れることはないので、感電する
ことはない。また、別の電位を持った導電体が画面に接
触しても、表示装置の破損が起きたり、出火したりとい
う事故にはならない。

【００２１】また、透明導電膜１１に接続するＤＣ電源
１９には、過剰電流を流さないために、電流の最大値が
１ｍＡを越えないようにリミッタ回路１９ａが設けられ
ている。ブラックマトリクス１０は、走査線３および信
号線５などと容量結合して、対向電極１の電位とは異な
る電位をとる。通常、走査線３は非選択となるほとんど
の時間において、画素のスイッチング素子として用いる
薄膜トランジスタ３０をオフさせておくため、共通電位
より−１０〜−１５Ｖ程度低い値に設定するため、この
影響を受けて、ブラックマトリクス１０の電位は対向電
極１の電位より−１〜−２Ｖ程度低い値をとる。

【００２２】対向電極１の電位を基準として、ブラック
マトリクス１０に−２Ｖの電位を印加し、第２の透明絶
縁性基板９の裏面の透明導電膜１１の電位１９を対向電
極１の電位と等しくとった場合について、等電位分布を
計算した結果を図４に示す。ここで、第１および第２の
透明絶縁性基板の厚さは０．７ｍｍとした。図４に示す
ように、液晶層１７には縦方向に０．２Ｖ程度のＤＣ電
圧がかかる。この縦方向ＤＣ電界は、ＩＰＳモード固有
の強い残像現象を引き起こす要因の一つとなっていた。

【００２３】本発明の液晶表示装置では、裏面の透明導
電膜１１に、対向電極１の電位より高いＤＣ電位を印加
する。例えば、ブラックマトリクス電位−２Ｖに対し
て、裏面の透明導電膜１１に＋２０Ｖを印加すると、ブ
ラックマトリクスが及ぼす縦方向電界と、裏面の透明導
電膜１１が及ぼす縦方向電界が打ち消しあって、図５の
ように、液晶中に縦方向電界がほとんどかからない状態
を実現することができる。これにより、残像現象を顕著
に抑制することができた。

【００２４】残像を抑制する上で最適な透明導電膜１１
の電位は、ブラックマトリクスの電位および第２の透明
絶縁性基板９の材料・厚さ及びブラックマトリクスの開
口部の大きさなどによって変化する。従って、デバイス
構造・液晶材料・配向膜材料ごとに最適値が異なる。し
かし、第２の透明絶縁性基板９として０．５〜１．５ｍ
ｍ程度の厚さのガラス基板を用いた場合、どのような設
計を行った場合でも、透明導電膜１１の電位は、＋１０
〜＋４０Ｖの範囲内に残像に対する最適値が存在するこ
とが判明した。 この範囲内で、各々の設計に対して、
実験的に最適値を求めることによって、残像の最も少な
くなる条件を見出すことができた。これは、設計に対し
て一意に定まる量であり、同一の機種では全く同一の電
位を設定することにより、残像を減ずることができた。

【００２５】以上のようにして、本発明からなる液晶表
示装置では、残像の少ない良好な表示を得ることができ
た。次に、ＴＦＴ基板の作製方法を具体的数値を用い
て、詳細に説明する。まず、第１の透明絶縁性基板１８
として、０．７ｍｍ厚のガラス基板を用い、この上に、
走査線３および対向電極配線４および対向電極１となる
金属層として、Ｃｒ膜を２５０ｎｍの膜厚で堆積し、こ
れをパタン化する。この上に、ゲート絶縁膜１６として
窒化シリコン膜を４００ｎｍ、非晶質シリコン膜を３０
０ｎｍ、ｎ型非晶質シリコン膜を３０ｎｍ連続で堆積
し、非晶質シリコン膜およびｎ型非晶質シリコン膜を島
状非晶質シリコン６の形状にパタン化する。更に、信号
線５及び画素電極２となる金属層としてＣｒ膜を２５０
ｎｍ堆積し、これをパタン化する。さらに、保護絶縁膜
１５として窒化シリコン膜を２００ｎｍ堆積し、走査線
取り出し端子及び信号線取り出し端子のところでこれを
除去する。以上の工程によりＴＦＴ基板が作製される。

【００２６】次にＣＦ基板を以下のようにして作製す
る。ＣＦとなる第２の透明絶縁性基板９として、０．７
ｍｍ厚のガラス基板を用い、この裏面に、スパッタ法に
よりＩＴＯ膜を３０ｎｍの厚さで形成し、透明導電膜１
１とする。この時、図２のように、成膜面にマスク２０
をかけて、液晶パネルとなった場合のカラーフィルター
外形部から１ｍｍ内側に入ったところから内側にのみ透
明導電膜１１を設け、その外側には透明導電膜１１を形
成しないようにした。

【００２７】しかる後に、第２の透明絶縁性基板９上
に、カーボン粒子を含有させた樹脂組成物を１．３μｍ
堆積し、ＴＦＴ側の信号線５および走査線３およびこれ
らの近傍を遮光する位置に、図１（ａ）の符号７で示し
たエッジの内側を開口するようにブラックマトリクスを
パターニングする。さらにこの上に、ＲＧＢそれぞれの
色層を１．２μｍの厚さで形成し、これをパタン化す
る。しかる後に、オーバーコート層１３としてアクリル
樹脂を膜厚１．０μｍで形成する。以上の工程によりＣ
Ｆ基板が作製される。

【００２８】上述の工程により作製されたＴＦＴ基板お
よびＣＦ基板の上に、配向膜１４を塗布し、画素電極２
の長手方向と１５度の角度をなす方向にラビング処理す
る。しかる後に、シール材塗布、スペーサ散布の後、両
者を貼り合わせ、これに液晶を注入して、封孔する。こ
こで、液晶層のセルギャップは４．５μｍとし、液晶の
屈折率異方性Δｎは０．０７０とした。

【００２９】さらに、これを挟むようにして、クロスニ
コルをなす偏光板８を貼付した。ＣＦ側偏光板の偏光軸
は、ラビング方向に平行に、また、ＴＦＴ側偏光板の偏
光軸は、これと垂直に設定した。ここで、図３に示すよ
うにカラーフィルタ側の偏光板８は、外部より透明導電
膜１１に電位を供給する一部を除いて、透明導電膜１１
を略完全に覆うように形成した。

【００３０】以上のように作製された液晶表示パネル
は、周辺の駆動ＬＳＩをＴＡＢ接続した後、これをバッ
クライト上に配置し、さらに信号処理基板に接続した。
この時、図５のように、透明導電膜１１の偏光板に覆わ
れていない領域でＴＡＢ接続を行い、これを一定のＤＣ
電圧を供給する電源１９に接続した。裏面透明導電膜１
１をＴＡＢ接続した部分は絶縁性の樹脂でコートし（図
３で、符号２６で示した）、外部に活電部分が露出し
て、短絡事故を起こすことがないようにした。

【００３１】また、電源１９には電流の最大値が１ｍＡ
となるように制限する電流リミッタ回路１９ａを設け
た。これにより、透明導電膜１１が、何らかの要因で、
外部の導体等に接触し短絡が発生した場合でも、発熱や
感電などの問題が生じないようにした。以上の設計パラ
メータを用いて、図１（ａ）のＡ−Ａ’断面で電位分布
の計算を行い、液晶層１７に縦方向電界が印加されない
ように、最適の透明導電膜１１の電位を見積もった後、
実験的に残像が最も少なくなるように最適値を求めた。
この実施例の場合は、透明導電膜１１の電位の最適値は
＋２０Ｖであった。これにより、透明導電膜１１にＤＣ
電位を供給する電源１９の電位を＋２０Ｖとした。

【００３２】このように構成することで、残像の少ない
良好な横方向電界駆動型のアクティブマトリクス液晶表
示装置を得ることができた。 （第２の具体例）次に、本発明の第２の具体例につい
て、図６を用いて説明する。図６は、本発明の第２の具
体例のアクティブマトリクス液晶表示装置の断面図を表
すものである。

【００３３】第１の具体例では、第２の透明絶縁性基板
９の裏面に直接透明導電膜１１を形成したが、第２の具
体例では、第２の透明絶縁性基板９の裏面に設ける偏光
板８の表面に透明導電膜１１を形成する。そして、透明
導電膜１１の表面を覆うために、絶縁性の保護フィルム
２７を表面に貼付し、ＤＣ電源１９に接続する周辺のご
く一部を除いて、透明導電膜１１のほぼ全領域を覆うよ
うにする。

【００３４】この保護フィルム２７は、十分厚い絶縁性
フィルムなので、手で画面を触っても、高いＤＣ電位が
印加された透明導電膜１１に直接触れることはないの
で、感電することはない。また、別の電位を持った導電
体が画面に接触しても、表示装置の破損が起きたり、出
火したりという事故にはならない。この具体例におい
て、保護フィルム２７の代わりに、第３の透明絶縁性基
板を配置してもよい。この時、第３透明絶縁性基板に覆
われていない一部の領域から透明導電膜１１にＤＣ電源
を供給する。この時、第３の透明絶縁性基板の周辺にス
ルーホールを形成し、このスルーホールを通して、透明
導電膜１１にＤＣ電位を供給することも可能である。

【００３５】次に、基板の製造方法について、説明す
る。まず、ＴＦＴ基板作製工程は、第１の具体例と全く
同じである。次に、ＣＦ基板作製工程は、第２の透明絶
縁性基板９の裏面に直接透明導電膜１１を形成しない点
を除いては、第１の具体例と全く同じである。上述の工
程により作製されたＴＦＴ基板およびＣＦ基板の上に、
配向膜１４を塗布し、画素電極２の長手方向と１５度の
角度をなす方向にラビング処理する。

【００３６】しかる後に、シール材塗布、スペーサ散布
の後、両者を貼り合わせ、これに液晶を注入して、封孔
する。ここで、液晶層のセルギャップは４．５μｍと
し、液晶の屈折率異方性Δｎは０．０７０とした。更
に、これを挟むようにして、クロスニコルをなす偏光板
を貼付した。ＣＦ側偏光板の偏光軸は、ラビング方向に
平行に、また、ＴＦＴ側偏光板の偏光軸は、これと垂直
に設定した。ここで、図６のようにカラーフィルタ側の
偏光板の表面には、２０ｎｍのＩＴＯ膜を透明導電膜と
して形成した。

【００３７】さらに、この上に、厚さ０．５ｍｍの透明
な保護フィルム２７を貼付し、周辺のごく一部を除い
て、偏光板表面の透明導電膜１１をほぼ完全に覆うよう
にした。以上のように作製された液晶表示パネルは、周
辺の駆動ＬＳＩをＴＡＢ接続した後、これをバックライ
ト上に配置し、さらに信号処理基板に接続した。この
時、偏光板表面の透明導電膜１１の保護フィルム２７に
覆われていない領域で、これを一定のＤＣ電位を供給す
る電源１９に接続した。

【００３８】また、電源１９には電流の最大値が１ｍＡ
となるように制限する電流リミッタを設けた。これによ
り、透明導電膜１１が、何らかの要因で、外部の導体等
に接触し短絡事故が発生した場合でも、発熱や感電など
の問題が生じないようにした。この具体例の場合も、透
明導電膜電位の最適値は＋２０Ｖであった。これによ
り、透明導電膜電位１１にＤＣ電位を供給する信号源１
９の電位を＋２０Ｖとした。

【００３９】この具体例の場合も、残像の少ない良好な
横方向電界駆動型のアクティブマトリクス液晶表示装置
を得ることができた。次に第２の具体例の変形例につい
て説明する。この例の場合、偏光板を貼付するところま
では、前記第２の具体例と同じである。

【００４０】次に、偏光板８を覆うようにして、導電性
を有する第３の透明絶縁性基板を配置する。この時、第
３の透明絶縁性基板の周辺には直径１ｍｍのスルーホー
ルを形成し、これを通して、透明導電膜１１にＤＣ電源
１９を接続した。以上のように作製された液晶表示パネ
ルは、周辺の駆動ＬＳＩをＴＡＢ接続した後、これをバ
ックライト上に配置し、さらに信号処理基板に接続し
た。

【００４１】また、電源１９には電流の最大値が１ｍＡ
となるように制限する電流リミッタを設けた。これによ
り、透明導電膜１１が、何らかの要因で、外部の導体等
に接触し、短絡事故が発生した場合でも、発熱や感電な
どの問題が生じないようにした。この例の場合も、透明
導電膜１１の電位の最適値は＋２０Ｖであった。これに
より、透明導電膜電位１１にＤＣ電位を供給する信号源
１９の電位を＋２０Ｖとした。

【００４２】この場合も、残像の少ない良好な横方向電
界駆動型のアクティブマトリクス液晶表示装置を得るこ
とができた。

【００４３】

【発明の効果】以上、詳述したように、本構造からなる
横方向電界駆動型のアクティブマトリクス液晶表示装置
では、ブラックマトリクス電位の変動に伴って液晶層に
発生する縦方向電界を、カラーフィルタ基板の裏面に設
ける透明導電層の電位を制御することにより、うち消す
ことができるため、残像の少ない良好な表示を広い視野
角で得ることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の具体例を示す図であり、（ａ）
は液晶パネルの一画素の平面図、（ｂ）は、（ａ）のＡ
−Ａ’における断面図である。

【図２】本発明の第１の具体例において、裏面透明導電
膜の形成方法を説明する図である。

【図３】本発明の第１の具体例において、裏面透明導電
膜へ電圧を供給する方法を説明する図である。

【図４】従来の横方向電界駆動型の液晶表示装置におい
て、 ブラックマトリクスにＤＣ電位が印加された時の
電位分布を示す図である。

【図５】本発明の横方向電界駆動型の液晶表示装置にお
いて、裏面透明導電膜に電圧を印加して、ブラックマト
リクスの電位の影響を排除した時の電位分布を示す図で
ある。

【図６】本発明の第２の具体例を説明する図である。

【符号の説明】

１ 対向電極 ２ 画素電極 ３ 走査線 ４ 対向電極配線 ５ 信号線 ６ 島状非晶質シリコン ７ ブラックマトリクスのエッジ ８ 偏光板 ９ 第２の透明絶縁性基板 １０ ブラックマトリクス １１ 透明導電膜 １２ 色層 １３ オーバーコート層 １４ 配向膜 １５ 保護絶縁膜 １６ ゲート絶縁膜 １７ 液晶層 １８ 第１の透明絶縁性基板 １９ 透明導電膜に印加するＤＣ電源 ２０ 透明導電膜成膜時のマスク ２１ 透明導電膜成膜領域 ２２ 信号線接続端子 ２３ 走査線接続端子 ２４ 表示領域 ２５ 裏面透明導電膜へ電圧を供給するＴＡＢ ２６ 絶縁性樹脂によるコート ２７ 保護フィルム

フロントページの続き Ｆターム(参考） 2H092 JA24 JA34 JB22 JB31 JB51 KA05 MA05 MA12 NA01 NA15 NA16 NA17 NA27 NA28 PA01 PA02 PA06 PA08 PA11 2H093 NB29 NC62 ND12 ND48 NE01 NE10 5C080 AA10 BB05 CC03 DD08 DD30 EE29 EE30 FF03 FF09 JJ06

Claims (7)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 第１の基板と第２の基板とが液晶層を挟
   んで対向して配置され、前記第１の基板に画素電極、ス
   イッチング素子、対向電極がマトリクス状に配置され、
   第２の基板の前記液晶層側の面にブラックマトリクスが
   設けられ、前記画素電極と対向電極との間に印加した電
   圧で前記液晶層にほぼ平行な電界を発生させることによ
   り表示を制御するアクティブマトリクス液晶表示装置に
   おいて、 前記第２の基板の液晶層側と反対側に透明導電層を形成
   し、前記透明導電層の電位を、前記対向電極の電位より
   高くしたことを特徴とするアクティブマトリクス液晶表
   示装置。
2. 【請求項２】 前記透明導電層の電位が、前記対向電極
   の電位を基準として、１０Ｖ以上４０Ｖ以下であること
   を特徴とする請求項１記載のアクティブマトリクス液晶
   表示装置。
3. 【請求項３】 前記透明導電層が、前記第２の基板上に
   直接形成されたＩＴＯ膜であることを特徴とする請求項
   １又は２記載のアクティブマトリクス液晶表示装置。
4. 【請求項４】 前記透明導電層が、これに電圧を供給す
   る部分を除いて、絶縁性のシートで覆われていることを
   特徴とする請求項１乃至３の何れかに記載のアクティブ
   マトリクス液晶表示装置。
5. 【請求項５】 前記透明導電層を覆う前記絶縁シートが
   偏光板であることを特徴とする請求項４記載のアクティ
   ブマトリクス液晶表示装置。
6. 【請求項６】 前記透明導電層に流れる電流の最大値が
   １ｍＡを超えないように制限したことを特徴とする請求
   項１乃至５の何れかに記載のアクティブマトリクス液晶
   表示装置。
7. 【請求項７】 第１の基板と第２の基板とが液晶層を挟
   んで対向して配置され、前記第１の基板に画素電極、ス
   イッチング素子、対向電極がマトリクス状に配置され、
   第２の基板の前記液晶層側の面にブラックマトリクスが
   設けられ、前記画素電極と対向電極との間に印加した電
   圧で前記液晶層にほぼ平行な電界を発生させることによ
   り表示を制御するアクティブマトリクス液晶表示装置の
   制御方法において、 前記第２の基板の液晶層側と反対側に透明導電層を形成
   し、この透明導電層の電位を、前記対向電極の電位より
   高くすることで残像を少なくしたことを特徴とするアク
   ティブマトリクス液晶表示装置の制御方法。