JP2000230938A - Contact probe equiped with tungsten needle and probe device - Google Patents

Contact probe equiped with tungsten needle and probe device

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JP2000230938A
JP2000230938A JP11030696A JP3069699A JP2000230938A JP 2000230938 A JP2000230938 A JP 2000230938A JP 11030696 A JP11030696 A JP 11030696A JP 3069699 A JP3069699 A JP 3069699A JP 2000230938 A JP2000230938 A JP 2000230938A
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JP
Japan
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tungsten
probe
layer
film
contact probe
Prior art date
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Application number
JP11030696A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Takeshi Aso
健 阿曽
Naoki Kato
直樹 加藤
Hideaki Yoshida
秀昭 吉田
Takafumi Iwamoto
尚文 岩元
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Materials Corp
Original Assignee
Mitsubishi Materials Corp
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Publication date
Application filed by Mitsubishi Materials Corp filed Critical Mitsubishi Materials Corp
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To make adjustable a characteristic impedance with use of a tungsten needle, and reduce external noises and signal losses at high frequencies. SOLUTION: Base parts 6b... of a plurality of tungsten needles 6... are soldered to electrodes of a printed board. Middle parts are fixed to a holding part 16 and leading end parts 6a are curved. A double-layer film 20 is applied via an adhesive from each of the base parts 6b... of the tungsten needles 6... to the holding part 16, thereby constituting a contact probe 14. The double-layer film 20 is comprised of an insulating resin film 22 and a grounded metallic film 24 of a good conductivity. The contact probe 14 constitutes a microstrip line.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ICチップ
やLSIチップ、液晶デバイス等の被検査部材の各端子
に接触させて電気的なテストを行うために用いられるコ
ンタクトプローブ及びプローブ装置に関する。
[0001] 1. Field of the Invention [0002] The present invention relates to a contact probe and a probe device used for performing an electrical test by contacting each terminal of a member to be inspected such as a semiconductor IC chip, an LSI chip, a liquid crystal device or the like.

【0002】[0002]

【従来の技術】一般に、ICチップやLSIチップ等の
半導体チップ、またはLCD(液晶表示体)等の被検査
部材の電気的なテストを行うために、コンタクトプロー
ブがプリント基板に装着されたプローブ装置が用いられ
ている。このようなプローブ装置の一例として、例えば
図7及び図8に示すようにコンタクトプローブとしてタ
ングステン製の針(以下、タングステン針という)を用
いたものがある。このプローブ装置1では、プリント基
板2は例えば略円板形状をなし、その中央部に開口部3
が形成されている。そしてプリント基板1の一方の面で
あるデバイス面4には、開口部3の外周側に例えば略9
0°間隔で4方向にコンタクトプローブ5A,5B,5
C,5Dが配設され開口部3で向かい合っている。各コ
ンタクトプローブ5A〜5Dは、複数本のタングステン
針6…が配列されてなり、その一端部である基部6bは
プリント基板2のパターン配線(図示せず)の電極には
んだ等で接続されてはんだ付け部とされ、他端である先
端部6a…はコンタクトピンとして平面視で開口部3内
に突出しており、電気的テストの際にICチップなどの
被検査部材の端子と接触させられる。しかも各コンタク
トプローブ5A〜5Dの複数のタングステン針6…は、
基部6bから先端部6aに向けて漸次互いの間隔が狭く
なるように略扇状に配設されている。
2. Description of the Related Art In general, a probe device having a contact probe mounted on a printed circuit board in order to conduct an electrical test of a semiconductor chip such as an IC chip or an LSI chip, or a member to be inspected such as an LCD (liquid crystal display). Is used. As an example of such a probe device, there is one using a tungsten needle (hereinafter, referred to as a tungsten needle) as a contact probe as shown in FIGS. 7 and 8, for example. In the probe device 1, the printed circuit board 2 has a substantially disk shape, for example, and an opening 3
Are formed. The device surface 4 which is one surface of the printed circuit board 1 has, for example, approximately 9
Contact probes 5A, 5B, 5 in four directions at 0 ° intervals
C and 5D are provided and face each other at the opening 3. A plurality of tungsten needles 6 are arranged in each of the contact probes 5A to 5D, and a base 6b as one end thereof is connected to an electrode of a pattern wiring (not shown) of the printed circuit board 2 by soldering or the like. .., Which are the other ends, protrude into the opening 3 in plan view as contact pins, and are brought into contact with terminals of a member to be inspected such as an IC chip during an electrical test. Moreover, the plurality of tungsten needles 6 of each of the contact probes 5A to 5D are
They are arranged in a substantially fan shape so that the distance between them gradually decreases from the base 6b toward the tip 6a.

【0003】また、各タングステン針6は、図8に示す
ように基部6bから先端部6aに向けてプリント基板2
のデバイス面4から次第に離間するように下方に傾斜配
置され、デバイス面4の開口部3付近に取り付けられた
樹脂からなる保持部7で所定角度の傾斜位置に固定され
ている。またプリント基板2のデバイス面4と反対側の
面であるテスターとの接続を行う接続面8には、補強用
のリング状の金属板9がネジなどで取り付けられて開口
部3の周囲に配設されている。
As shown in FIG. 8, each of the tungsten needles 6 extends from the base 6b toward the tip 6a.
Of the device surface 4 and is fixed at an inclined position at a predetermined angle by a holding portion 7 made of resin attached near the opening 3 of the device surface 4. Further, a ring-shaped metal plate 9 for reinforcement is attached to a connection surface 8 for connection with a tester on the opposite side of the device surface 4 of the printed circuit board 2 by screws or the like, and is disposed around the opening 3. Has been established.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】ところで、ICチップ
などの高集積化及び微細化に伴って処理の高速化が要求
されているが、タングステン針のコンタクトプローブで
は伝送線路が長く特性インピーダンスを調整することが
困難であり、インピーダンスの不均一点で反射雑音が生
じるという欠点がある。その場合、特性インピーダンス
の異なる伝送線路が長ければ長いほど大きな反射雑音が
生じるという問題があり、反射雑音は信号歪となり高周
波となると誤作動の原因になり易い。そのため、タング
ステン針においては伝送信号の周波数が高くなると、信
号の損失が大きくなって伝送が困難になり、高周波伝送
路としての機能を十分満足しないという欠点がある。
By the way, high-speed processing is required in accordance with high integration and miniaturization of IC chips and the like. However, a contact probe of a tungsten needle has a long transmission line and adjusts characteristic impedance. However, there is a disadvantage that reflection noise occurs at a point where the impedance is not uniform. In this case, there is a problem in that the longer the transmission lines having different characteristic impedances are, the larger the reflected noise is generated. The reflected noise becomes a signal distortion and becomes liable to cause a malfunction at a high frequency. For this reason, in the case of a tungsten needle, if the frequency of the transmission signal increases, the loss of the signal increases, making transmission difficult, and there is a disadvantage that the function as a high-frequency transmission line is not sufficiently satisfied.

【0005】本発明は、このような実情に鑑みて、タン
グステン針を用いて、特性インピーダンス調整ができて
外部からの雑音及び高周波における信号の損失を低減で
きるようにしたコンタクトプローブ及びプローブ装置を
提供することを目的とする。
In view of such circumstances, the present invention provides a contact probe and a probe device capable of adjusting characteristic impedance by using a tungsten needle to reduce external noise and signal loss at high frequencies. The purpose is to do.

【0006】[0006]

【課題を解決するための手段】本発明によるコンタクト
プローブは、複数のタングステン針に誘電体層及び金属
層を備えたフィルムが被着され、タングステン針の先端
部がフィルムから突出してなることを特徴とする。本発
明によるコンタクトプローブは、タングステン針を用い
たマイクロストリップ線路を構成する。また本発明によ
るコンタクトプローブは、複数のタングステン針のそれ
ぞれに誘電体層及び金属層が被覆されてそれぞれ同軸線
路を構成し、タングステン針の先端部が誘電体層及び金
属層から突出してなることを特徴とする。
A contact probe according to the present invention is characterized in that a film provided with a dielectric layer and a metal layer is applied to a plurality of tungsten needles, and the tips of the tungsten needles protrude from the film. And The contact probe according to the present invention constitutes a microstrip line using a tungsten needle. Further, the contact probe according to the present invention is configured such that a plurality of tungsten needles are coated with a dielectric layer and a metal layer to form respective coaxial lines, and the tip of the tungsten needle projects from the dielectric layer and the metal layer. Features.

【0007】従って本発明によれば、タングステン針を
コンタクトプローブとして用いて、金属層をグラウンド
として用いることができ、タングステン針と金属層間の
誘電体層の厚みによって特性インピーダンス調整が可能
となり外部からの雑音を軽減すると共に高周波における
信号の損失を軽減できる。これらのコンタクトプローブ
は、高周波伝送路構造とされる。
Therefore, according to the present invention, the tungsten needle can be used as a contact probe and the metal layer can be used as ground, and the characteristic impedance can be adjusted by the thickness of the dielectric layer between the tungsten needle and the metal layer. Noise can be reduced, and signal loss at high frequencies can be reduced. These contact probes have a high-frequency transmission path structure.

【0008】本発明によるプローブ装置は、パターン配
線が形成された配線用基板に、複数のタングステン針が
接続されていると共に該タングステン針の表面に誘電体
層及び金属層を備えたフィルムが被着され、タングステ
ン針の先端部がフィルムから突出してなることを特徴と
する。またフィルムはタングステン針と配線用基板の電
極とのはんだ付け部にも被着されていてもよい。はんだ
付け部は特に雑音が多いので、グラウンドを成す金属層
によってはんだ付け部の雑音を軽減するのに有効であ
る。
In a probe device according to the present invention, a plurality of tungsten needles are connected to a wiring substrate on which a pattern wiring is formed, and a film provided with a dielectric layer and a metal layer on the surface of the tungsten needles is adhered. The tip of the tungsten needle is projected from the film. The film may also be applied to a soldered portion between the tungsten needle and the electrode of the wiring substrate. Since the soldered portion is particularly noisy, it is effective to reduce the noise of the soldered portion by the ground metal layer.

【0009】また本発明によるプローブ装置は、パター
ン配線が形成された配線用基板に、複数のタングステン
針にそれぞれ誘電体層及び金属層が被覆された同軸線路
がそれぞれ接続され、該同軸線路はタングステン針の先
端部が前記誘電体層及び金属層から突出してなることを
特徴とする。
In the probe apparatus according to the present invention, a coaxial line covered with a dielectric layer and a metal layer is connected to a plurality of tungsten needles, respectively, on a wiring substrate on which a pattern wiring is formed. The tip of the needle protrudes from the dielectric layer and the metal layer.

【0010】本発明では、金属層をグラウンドとして用
いることでタングステン針の先端部近くまでインピーダ
ンスマッチングをとる設計が可能となり、高周波域での
テストを行う場合にも反射雑音による悪影響を防ぐこと
ができる。即ち、プローバと呼ばれるテスターからの伝
送線路の途中で配線用基板の配線パターンとタングステ
ン針の先端部との間の特性インピーダンスが合わないと
反射雑音が生じ、その場合、特性インピーダンスの異な
る伝送線路が長ければ長いほど大きな反射雑音が生じる
という問題がある。反射雑音は信号歪となり、高周波に
なると信号劣化の原因になりやすい。本発明では、金属
層をグラウンドとして用いることでタングステン針の先
端部近くまで配線用基板の配線パターンとの特性インピ
ーダンスのずれを抑えることができ、反射雑音による信
号の劣化を抑えることができる。
In the present invention, by using the metal layer as the ground, it is possible to design impedance matching up to the vicinity of the tip of the tungsten needle, and it is possible to prevent adverse effects due to reflected noise even when performing a test in a high frequency range. . That is, if the characteristic impedance between the wiring pattern of the wiring board and the tip of the tungsten needle does not match in the middle of the transmission line from a tester called a prober, reflected noise occurs, and in that case, transmission lines having different characteristic impedances are generated. There is a problem that as the length is longer, a larger reflected noise is generated. Reflected noise causes signal distortion, and tends to cause signal degradation at high frequencies. In the present invention, by using the metal layer as the ground, it is possible to suppress the deviation of the characteristic impedance from the wiring pattern of the wiring substrate up to the vicinity of the tip of the tungsten needle, and to suppress the deterioration of the signal due to the reflection noise.

【0011】[0011]

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を添付
図面により説明するが、上述の従来技術と同一の部分ま
たは部材には同一の符号を用いて説明する。図1乃至図
3は第一の実施の形態に関するもので、図1は実施の形
態によるプローブ装置の縦断面図、図2は図1に示すプ
ローブ装置のデバイス面を示す平面図、図3は図1及び
図2に示すプローブ装置のコンタクトプローブの部分斜
視図である。図1及び図2に示すプローブ装置12にお
いて、プリント基板2(配線用基板)は例えばガラスエ
ポキシ樹脂からなる円盤形をなしていて、プリント基板
2の一方の面はデバイス面4とされ、反対側の面はテス
ターとの接続面8とされている。プリント基板2の中央
部には例えば略四角形の開口部3が形成されている。そ
して、デバイス面4には開口部3の周囲から外周方向に
向けて図示しない配線パターンが配設されていると共に
プリント基板2の厚み方向に貫挿された導通部材を介し
て接続面8に設けられたテスターとの接続用の電極(図
示せず)に導通させられている。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings, in which the same reference numerals are used for the same parts or members as those in the above-mentioned prior art. 1 to 3 relate to the first embodiment, FIG. 1 is a longitudinal sectional view of a probe device according to the embodiment, FIG. 2 is a plan view showing a device surface of the probe device shown in FIG. 1, and FIG. FIG. 3 is a partial perspective view of a contact probe of the probe device shown in FIGS. 1 and 2. In the probe device 12 shown in FIGS. 1 and 2, the printed circuit board 2 (wiring board) has a disk shape made of, for example, glass epoxy resin, and one surface of the printed circuit board 2 is the device surface 4 and the other surface is the opposite side. Is a connecting surface 8 with the tester. A substantially rectangular opening 3 is formed in the center of the printed circuit board 2, for example. A wiring pattern (not shown) is provided on the device surface 4 from the periphery of the opening 3 toward the outer periphery, and is provided on the connection surface 8 via a conductive member inserted in the thickness direction of the printed circuit board 2. The electrode is connected to an electrode (not shown) for connection with the tester.

【0012】デバイス面4には、複数のタングステン針
6…が配列されてなるコンタクトプローブ14が例えば
互いに略直交する4方向に配設され、それぞれコンタク
トプローブ14A,14B,14C,14Dとされてい
る。例えばコンタクトプローブ14Aでは、タングステ
ン針6…の基部6b…がはんだ付け部としてデバイス面
4上の図示しない配線パターンの電極端子にはんだ等で
接続固定されており、タングステン針6はその他端に向
けて漸次デバイス面4から離間する方向(図1で下方)
に漸次傾斜して、その先端部6aが平面視で開口部3内
に突出している。タングステン針6の先端部6aは下方
に向けて例えば略L字型または略円弧状に湾曲して形成
されていて(図1及び図3参照)、オーバードライブを
かけたスクラブ時に被検査部材であるICチップのパッ
ド等の端子表面のアルミニウム酸化膜を削り取り、電気
的接触が確実に行われるようになっている。またこの先
端部6aは図3に示すようにその先端縁が円錐状に収束
してその頂部は小円の平面6a−1をなしており、その
位置やICチップのパッドなどとの接触状態を光学顕微
鏡等で識別可能になっている。
On the device surface 4, contact probes 14 in which a plurality of tungsten needles 6 are arranged are arranged, for example, in four directions substantially orthogonal to each other, and are contact probes 14A, 14B, 14C, and 14D, respectively. . For example, in the contact probe 14A, the bases 6b of the tungsten needles 6 are connected and fixed as soldering portions to electrode terminals of a wiring pattern (not shown) on the device surface 4 by soldering or the like, and the tungsten needles 6 face the other end. Direction to gradually separate from device surface 4 (downward in FIG. 1)
The tip portion 6a projects into the opening 3 in plan view. The tip portion 6a of the tungsten needle 6 is formed to be curved downward in, for example, a substantially L-shape or a substantially arc shape (see FIGS. 1 and 3), and is a member to be inspected at the time of an overdrive scrub. An aluminum oxide film on the surface of a terminal such as a pad of an IC chip is scraped off so that electrical contact can be reliably made. As shown in FIG. 3, the tip 6a has a tip edge converging in a conical shape, and the top thereof forms a small circular plane 6a-1. It can be identified with an optical microscope or the like.

【0013】そして、デバイス面4には、開口部3の周
囲に開口部3を囲うように適宜の樹脂材料からなる略四
角形筒状の第一保持枠16が略直立して形成されてお
り、この第一保持枠16の先端角部にタングステン針6
…の途中部分が当接して保持されている。タングステン
針6…が当接する第一保持枠16の先端部に第二保持枠
17が更に設けられており、第一及び第二保持枠16,
17はタングステン針6…を挟持固定する保持部18と
されている。第一及び第二保持枠16,17は例えば絶
縁性の樹脂部材で構成されている。
On the device surface 4, a substantially rectangular cylindrical first holding frame 16 made of an appropriate resin material is formed so as to surround the opening 3 so as to surround the opening 3. A tungsten needle 6 is attached to the corner of the tip of the first holding frame 16.
Are held in contact with each other. A second holding frame 17 is further provided at the tip of the first holding frame 16 with which the tungsten needles 6 abut, and the first and second holding frames 16,
Reference numeral 17 denotes a holding portion 18 for holding and fixing the tungsten needles 6. The first and second holding frames 16 and 17 are made of, for example, an insulating resin member.

【0014】しかもコンタクトプローブ14Aにおい
て、上述のような姿勢に保持されて先端部6aから基部
6bに向けて漸次互いの間隔が広がるように略扇状に配
列された多数のタングステン針6…に対して、図2及び
図3に示すように絶縁性接着剤を介して二層フィルム2
0が被着されて構成されている。この二層フィルム20
は接着剤層を介して複数のタングステン針6…に被着さ
れる例えばポリイミド樹脂等からなる絶縁性の樹脂フィ
ルム22(誘電体層)と、接地されたグラウンド層をな
す金属フィルム24(金属層)とで構成されている。こ
の二層フィルム20は配線パターンの電極とのはんだ付
け部であるタングステン針6…の基部6b…から保持枠
18までを被覆するように形成されている。従ってコン
タクトプローブ14Aはマイクロストリップ線路の高周
波電送路構造を構成する。他のコンタクトプローブ14
B,14C,14Dについても同様な構成とされてそれ
ぞれプローブ装置12に組み込まれている。
Moreover, in the contact probe 14A, a large number of tungsten needles 6 which are held in the above-described posture and are arranged in a substantially fan shape so as to gradually increase the distance from the tip 6a toward the base 6b are provided. As shown in FIGS. 2 and 3, the two-layer film 2 is interposed with an insulating adhesive.
0 is attached. This two-layer film 20
Are an insulating resin film 22 (dielectric layer) made of, for example, a polyimide resin and adhered to the plurality of tungsten needles 6 via an adhesive layer, and a metal film 24 (metal layer) forming a grounded ground layer. ). The two-layer film 20 is formed so as to cover from the bases 6b of the tungsten needles 6 to the holding frame 18 which are soldered portions to the electrodes of the wiring pattern. Therefore, the contact probe 14A forms a high-frequency transmission path structure of a microstrip line. Other contact probes 14
B, 14C, and 14D have the same configuration and are incorporated in the probe device 12, respectively.

【0015】本実施の形態によるコンタクトプローブ1
4及びプローブ装置12は上述のように構成されている
から、タングステン針6…に二層フィルム20を貼付し
たことにより、金属フィルム24をグラウンドとして用
いることができて、タングステン針6の先端付近までプ
リント基板2の配線パターンとの特性インピーダンスの
ズレを最小限に抑えることができ、反射雑音による信号
の劣化を抑えて高周波対応が可能になる。またタングス
テン針6のはんだ付け部である基部6bまで二層フィル
ム20を配設したことで、反射雑音の大きいはんだ付け
部においても反射雑音による信号の劣化を抑えて高周波
対応が可能になるという格別の効果を奏する。またタン
グステン針6と金属フィルム24間の樹脂フィルム22
の厚みによって特性インピーダンスの調整が可能とな
り、外部からの雑音及び高周波における信号の損失を軽
減できる。
Contact probe 1 according to the present embodiment
Since the probe 4 and the probe device 12 are configured as described above, the metal film 24 can be used as a ground by attaching the two-layer film 20 to the tungsten needles 6. The deviation of the characteristic impedance from the wiring pattern of the printed circuit board 2 can be minimized, and the deterioration of the signal due to the reflection noise can be suppressed, and the high frequency can be supported. In addition, since the two-layer film 20 is disposed up to the base 6b, which is the soldering portion of the tungsten needle 6, the deterioration of the signal due to the reflection noise is suppressed even in the soldering portion where the reflection noise is large, so that it is possible to cope with a high frequency. Has the effect of The resin film 22 between the tungsten needle 6 and the metal film 24
It is possible to adjust the characteristic impedance by the thickness of the substrate, thereby reducing external noise and loss of signals at high frequencies.

【0016】尚、上述の実施の形態では、タングステン
針6…に二層フィルム20を配設するに当たって、各タ
ングステン針6の基部6bをプリント基板2にはんだ付
けして先端部6aを保持部18で固定した状態で、保持
部18から基部6bまでにかけて、タングステン針6…
のプリント基板2と反対側の面に二層フィルム20を被
着させるようにしたが、これに限定されることなく図4
に示すようにタングステン針6のプリント基板2側の面
に二層フィルム20を配設することにしてもよい。この
場合、基部6bのはんだ付け部については、上述の実施
の形態と同様に二層フィルム20を被着するようにして
もよい。或いは基部6b上に二層フィルム20を被着す
るのを省略してもよい。
In the above-described embodiment, when disposing the two-layer film 20 on the tungsten needles 6, the base 6b of each tungsten needle 6 is soldered to the printed circuit board 2 and the tip 6a is held in the holding portion 18. In the state fixed with, the tungsten needles 6 from the holding portion 18 to the base 6b are provided.
The two-layer film 20 is applied to the surface opposite to the printed circuit board 2 of FIG.
As shown in the figure, a two-layer film 20 may be provided on the surface of the tungsten needle 6 on the printed circuit board 2 side. In this case, the two-layer film 20 may be applied to the soldering portion of the base 6b as in the above-described embodiment. Alternatively, attaching the two-layer film 20 on the base 6b may be omitted.

【0017】次に本発明の第二の実施の形態を図5及び
図6により説明するが、上述の第一の実施の形態と同一
または同様の部材には同一の符号を用いてその説明を省
略する。図5は第二の実施の形態によるコンタクトプロ
ーブの1本のタングステン針を含む同軸線路を示す部分
斜視図、図6は図5に示す同軸線路を備えたコンタクト
プローブを装着したプローブ装置の要部縦断面図であ
る。図5に示す第二の実施の形態によるコンタクトプロ
ーブ30において、各タングステン針6の外周面には、
絶縁体である樹脂、例えばポリイミド樹脂からなる樹脂
層34(誘電体層)が全周に亘って被覆されて例えば断
面リング状に形成され、更に樹脂層34の外周面にはC
u,Ni等の良導性の金属からなる接地されたグラウン
ド層36(金属層)が全周に亘って例えば断面リング状
に形成されており、これらは同軸線路38を構成する。
またこのコンタクトプローブ30は高周波伝送構造とさ
れる。この同軸線路38は先端部38aと基端部38b
とで樹脂層34及びグラウンド層36が切除されてタン
グステン針6がむき出しにされ、先端部38aはタング
ステン針6が略円弧状に湾曲されて略円錐状に小円の頂
面6a−1に収束する先端部6aとされ、基端部38b
はタングステン針6がプリント基板2の配線パターンの
電極にはんだ付けされる基部6b(はんだ付け部)とさ
れている。
Next, a second embodiment of the present invention will be described with reference to FIGS. 5 and 6. The same reference numerals are used for the same or similar members as those in the above-described first embodiment, and the description is given. Omitted. FIG. 5 is a partial perspective view showing a coaxial line including one tungsten needle of the contact probe according to the second embodiment, and FIG. 6 is a main part of a probe device equipped with the contact probe having the coaxial line shown in FIG. It is a longitudinal cross-sectional view. In the contact probe 30 according to the second embodiment shown in FIG.
A resin layer 34 (dielectric layer) made of a resin that is an insulator, for example, a polyimide resin is coated over the entire circumference to be formed, for example, in a ring shape in cross section.
A grounded ground layer 36 (metal layer) made of a highly conductive metal such as u, Ni or the like is formed over the entire circumference, for example, in a ring shape in cross section, and these constitute a coaxial line 38.
The contact probe 30 has a high-frequency transmission structure. The coaxial line 38 has a distal end 38a and a proximal end 38b.
Then, the resin layer 34 and the ground layer 36 are cut off, and the tungsten needle 6 is exposed. The tip 38a of the tungsten needle 6 is curved in a substantially arc shape and converges on the top surface 6a-1 of the small circle in a substantially conical shape. And a proximal end 38b.
Is a base 6b (soldering portion) at which the tungsten needle 6 is soldered to the electrode of the wiring pattern of the printed circuit board 2.

【0018】このような複数の同軸線路38は、上述の
第一の実施の形態と同様に図6に示すプローブ装置40
のプリント基板2のデバイス面4に装着されて配列さ
れ、コンタクトプローブ30を構成する。各同軸線路3
8はタングステン針6の基部6bがプリント基板2の配
線パターンの電極にはんだ付けされてはんだ付け部とさ
れ、中途部が第一保持枠16と第二保持枠17からなる
保持部18で挟持固定されている。そして、樹脂層34
及びグラウンド層36から露出する先端部6aがテスト
時にICチップのパッドなどと接触させられる。尚、第
一の実施の形態と同様に基部6bのはんだ付け部が被覆
されていてもよい。上述のように第二の実施の形態によ
るコンタクトプローブ30及びプローブ装置40によっ
ても、第一の実施の形態と同様に特性インピーダンスの
調整が容易になり、高周波における信号の損失を低減す
ることができ、外部からの雑音の影響を低減できる。し
かもコンタクトプローブ30の各同軸線路38は保持部
18を越えて先端部6aの近傍まで延びており、第一の
実施の形態よりも一層インピーダンスマッチングをとる
ことができる。
The plurality of coaxial lines 38 are connected to a probe device 40 shown in FIG. 6 as in the first embodiment.
The contact probe 30 is mounted and arranged on the device surface 4 of the printed circuit board 2. Each coaxial line 3
Reference numeral 8 denotes a soldering portion in which the base 6b of the tungsten needle 6 is soldered to an electrode of a wiring pattern of the printed circuit board 2, and a middle portion is fixed by being held by a holding portion 18 including a first holding frame 16 and a second holding frame 17. Have been. Then, the resin layer 34
The tip 6a exposed from the ground layer 36 is brought into contact with a pad of an IC chip at the time of a test. Note that the soldered portion of the base 6b may be covered as in the first embodiment. As described above, also with the contact probe 30 and the probe device 40 according to the second embodiment, the adjustment of the characteristic impedance is facilitated similarly to the first embodiment, and the signal loss at a high frequency can be reduced. In addition, the influence of external noise can be reduced. Moreover, each coaxial line 38 of the contact probe 30 extends beyond the holding portion 18 to the vicinity of the distal end portion 6a, so that impedance matching can be further improved than in the first embodiment.

【0019】次に第二の実施の形態によるコンタクトプ
ローブ30の各同軸線路38の製造方法の一例について
説明する。 まず線径が数mmのタングステンの線材を適宜の数
μm径にまで加工する。 次にこのタングステン線の表面を樹脂コーティング
して樹脂層34を構成する。 樹脂層34の表面に、無電解めっきによってAu,
Ag,Cu等の良導性金属を被覆してグラウンド層36
を構成する。 被覆されたタングステン線を樹脂層34及び金属層
36と共に所定の長さにカットしてタングステン針6と
し、先端部6aと基部6bについて樹脂層34とグラウ
ンド層36を取り除いてタングステン針6を露出させ、
その先端部6aを湾曲させると共に研磨して先端を尖ら
せる。 このようにして同軸線路38が得られる。
Next, an example of a method of manufacturing each coaxial line 38 of the contact probe 30 according to the second embodiment will be described. First, a tungsten wire having a wire diameter of several mm is processed to an appropriate diameter of several μm. Next, a resin layer is formed by coating the surface of the tungsten wire with a resin. On the surface of the resin layer 34, Au,
The ground layer 36 is formed by coating a conductive metal such as Ag or Cu.
Is configured. The coated tungsten wire is cut into a predetermined length together with the resin layer 34 and the metal layer 36 to form the tungsten needle 6, and the resin layer 34 and the ground layer 36 are removed from the tip 6a and the base 6b to expose the tungsten needle 6. ,
The tip 6a is curved and polished to sharpen the tip. Thus, the coaxial line 38 is obtained.

【0020】尚、上述の例では無電解めっきによってグ
ラウンド層36を樹脂からなる樹脂層34上に被覆する
こととしたが、グラウンド層36を厚く形成する場合に
は、無電解めっきして樹脂層34の表面に薄い金属の層
を形成して導電性を持たせ、その後に電解めっきするこ
ととしてもよい。また樹脂層34にグラウンド層36を
被覆するに際して、めっき法即ち湿式法に限定されるこ
となく、真空蒸着やスパッタリングといった乾式法によ
ってグラウンド層36を形成するようにしてもよい。ま
たタングステン針6の先端部を尖らす方法として機械的
な研磨方法に限らず化学的研磨法を用いても良い。
In the above-described example, the ground layer 36 is covered on the resin layer 34 made of resin by electroless plating. However, when the ground layer 36 is formed thick, the ground layer 36 is formed by electroless plating. It is also possible to form a thin metal layer on the surface of the substrate 34 so as to have conductivity, and then to perform electrolytic plating. When coating the ground layer 36 on the resin layer 34, the ground layer 36 may be formed by a dry method such as vacuum evaporation or sputtering without being limited to a plating method, that is, a wet method. The method of sharpening the tip of the tungsten needle 6 is not limited to a mechanical polishing method, but may be a chemical polishing method.

【0021】[0021]

【発明の効果】上述のように、本発明に係るコンタクト
プローブは、複数のタングステン針に誘電体層及び金属
層を備えたフィルムが被着され、タングステン針の先端
部がフィルムから突出してなり、また本発明によるコン
タクトプローブは、複数のタングステン針のそれぞれに
誘電体層及び金属層が被覆されてそれぞれ同軸線路を構
成し、タングステン針の先端部が誘電体層及び金属層か
ら突出してなるから、金属層をグラウンドとして用いる
ことができ、タングステン針と金属層間の誘電体層の厚
みによって特性インピーダンス調整が可能となり外部か
らの雑音を軽減すると共に高周波における信号の損失を
軽減できる。
As described above, in the contact probe according to the present invention, a film provided with a dielectric layer and a metal layer is attached to a plurality of tungsten needles, and the tips of the tungsten needles protrude from the film. Further, the contact probe according to the present invention is configured such that the dielectric layer and the metal layer are coated on each of the plurality of tungsten needles to form the respective coaxial lines, and the tips of the tungsten needles protrude from the dielectric layer and the metal layer. The metal layer can be used as the ground, and the characteristic impedance can be adjusted by the thickness of the dielectric layer between the tungsten needle and the metal layer, thereby reducing external noise and signal loss at high frequencies.

【0022】本発明によるプローブ装置は、パターン配
線が形成された配線用基板に、複数のタングステン針が
接続されていると共に該タングステン針の表面に誘電体
層及び金属層を備えたフィルムが被着され、タングステ
ン針の先端部がフィルムから露出してなり、また本発明
によるプローブ装置は、パターン配線が形成された配線
用基板に、複数のタングステン針にそれぞれ誘電体層及
び金属層が被覆された同軸線路がそれぞれ接続され、該
同軸線路はタングステン針の先端部が誘電体層及び金属
層から突出してなるから、金属層をグラウンドとして用
いることでタングステン針の先端部近くまでインピーダ
ンスマッチングをとる設計が可能となり、高周波域での
テストを行う場合にも反射雑音による悪影響を防ぐこと
ができる。
In the probe device according to the present invention, a plurality of tungsten needles are connected to a wiring substrate on which a pattern wiring is formed, and a film provided with a dielectric layer and a metal layer on the surface of the tungsten needles is adhered. The tip portion of the tungsten needle is exposed from the film, and in the probe device according to the present invention, the dielectric substrate and the metal layer are respectively coated on the plurality of tungsten needles on the wiring substrate on which the pattern wiring is formed. The coaxial lines are connected to each other, and since the tip of the tungsten needle projects from the dielectric layer and the metal layer, the coaxial line is designed to use the metal layer as the ground to perform impedance matching near the tip of the tungsten needle. This makes it possible to prevent adverse effects due to reflected noise even when performing a test in a high frequency range.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】 本発明の第一の実施の形態によるプローブ装
置の縦断面図である。
FIG. 1 is a longitudinal sectional view of a probe device according to a first embodiment of the present invention.

【図2】 図1に示すプローブ装置のデバイス面を示す
平面図である。
FIG. 2 is a plan view showing a device surface of the probe device shown in FIG.

【図3】 コンタクトプローブの部分斜視図である。FIG. 3 is a partial perspective view of a contact probe.

【図4】 第一の実施の形態によるコンタクトプローブ
の変形例を示す縦断面図である。
FIG. 4 is a longitudinal sectional view showing a modification of the contact probe according to the first embodiment.

【図5】 本発明の第二の実施の形態によるコンタクト
プローブの同軸線路を示す要部斜視図である。
FIG. 5 is a perspective view of a main part showing a coaxial line of a contact probe according to a second embodiment of the present invention.

【図6】 第二の実施の形態によるコンタクトプローブ
を装着したプローブ装置の縦断面図である。
FIG. 6 is a longitudinal sectional view of a probe device equipped with a contact probe according to a second embodiment.

【図7】 タングステン針を備えたコンタクトプローブ
を装着したプローブ装置のデバイス面を示す平面図であ
る。
FIG. 7 is a plan view showing a device surface of a probe device equipped with a contact probe having a tungsten needle.

【図8】 図7に示すプローブ装置の縦断面図である。8 is a longitudinal sectional view of the probe device shown in FIG.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

2 プリント基板(配線用基板) 6 タングステン針 6a 先端部 12 プローブ装置 14,14A,14B,14C,14D,30 コンタ
クトプローブ 20 二層フィルム 22 樹脂フィルム(誘電体層) 24 金属フィルム(金属層) 34 樹脂層(誘電体層) 36 グラウンド層(金属層)
Reference Signs List 2 Printed circuit board (wiring board) 6 Tungsten needle 6a Tip 12 Probe device 14, 14A, 14B, 14C, 14D, 30 Contact probe 20 Two-layer film 22 Resin film (dielectric layer) 24 Metal film (metal layer) 34 Resin layer (dielectric layer) 36 Ground layer (metal layer)

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 吉田 秀昭 兵庫県三田市テクノパーク十二番地の六 三菱マテリアル株式会社三田工場内 (72)発明者 岩元 尚文 兵庫県三田市テクノパーク十二番地の六 三菱マテリアル株式会社三田工場内 Fターム(参考) 2G003 AA06 AA07 AE03 AG03 AH00 2G011 AA02 AB06 AB09 AC32 AE03 AE22 4M106 AA02 BA01 BA14 DD03 DD04 DD10 DD11 DD15  ──────────────────────────────────────────────────続 き Continuing on the front page (72) Inventor Hideaki Yoshida 12th Techno Park, Mita City, Hyogo Prefecture Inside the Mita Plant of Mitsubishi Materials Corporation (72) Inventor Naofumi Iwamoto 12th Techno Park, Mita City, Hyogo Prefecture Mitsubishi Materials Corporation Mita Plant F-term (reference) 2G003 AA06 AA07 AE03 AG03 AH00 2G011 AA02 AB06 AB09 AC32 AE03 AE22 4M106 AA02 BA01 BA14 DD03 DD04 DD10 DD11 DD15

Claims (4)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 複数のタングステン針に誘電体層及び金
属層を備えたフィルムが被着され、前記タングステン針
の先端部が前記フィルムから突出してなるコンタクトプ
ローブ。
1. A contact probe comprising: a film having a dielectric layer and a metal layer attached to a plurality of tungsten needles; and a tip of the tungsten needle protruding from the film.
【請求項2】 パターン配線が形成された配線用基板
に、複数のタングステン針が接続されていると共に該タ
ングステン針の表面に誘電体層及び金属層を備えたフィ
ルムが被着され、前記タングステン針の先端部が前記フ
ィルムから突出してなるプローブ装置。
2. A wiring substrate on which a pattern wiring is formed, wherein a plurality of tungsten needles are connected, and a film provided with a dielectric layer and a metal layer is applied to the surface of the tungsten needles. A probe device, wherein a tip portion of the probe protrudes from the film.
【請求項3】 複数のタングステン針のそれぞれに誘電
体層及び金属層が被覆されてそれぞれ同軸線路を構成
し、前記タングステン針の先端部が前記誘電体層及び金
属層から突出してなるコンタクトプローブ。
3. A contact probe comprising: a plurality of tungsten needles each covered with a dielectric layer and a metal layer to form coaxial lines; and a tip of the tungsten needle protruding from the dielectric layer and the metal layer.
【請求項4】 パターン配線が形成された配線用基板
に、複数のタングステン針にそれぞれ誘電体層及び金属
層が被覆された同軸線路がそれぞれ接続され、該同軸線
路はタングステン針の先端部が前記誘電体層及び金属層
から突出してなるプローブ装置。
4. A wiring substrate on which a pattern wiring is formed, a plurality of tungsten needles each connected to a coaxial line covered with a dielectric layer and a metal layer, and the coaxial line has a tip end of the tungsten needle. A probe device protruding from a dielectric layer and a metal layer.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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KR100521441B1 (en) * 2003-03-19 2005-10-12 동부아남반도체 주식회사 Test apparatus of semiconductor device and method for preventing burnt probe of the device
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