JP2557685B2 - Probe card - Google Patents
Probe cardInfo
- Publication number
- JP2557685B2 JP2557685B2 JP63119579A JP11957988A JP2557685B2 JP 2557685 B2 JP2557685 B2 JP 2557685B2 JP 63119579 A JP63119579 A JP 63119579A JP 11957988 A JP11957988 A JP 11957988A JP 2557685 B2 JP2557685 B2 JP 2557685B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- probe
- wiring pattern
- probe card
- opening
- support
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Landscapes
- Measuring Leads Or Probes (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 [発明の目的] (産業上の利用分野) 本発明は、ウエハプローバ等に配置され、半導体デバ
イス等の試験測定に利用されるプローブカードに関す
る。DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION Object of the Invention (Field of Industrial Application) The present invention relates to a probe card arranged in a wafer prober or the like and used for test measurement of a semiconductor device or the like.
(従来の技術) 一般に、半導体ウエハ表面に多数形成された集積回路
は、その製造工程において電気的な試験測定が行われ
る。例えば半導体ウエハ上の集積回路と計測装置との電
気的な接続は、プローブカードと呼ばれるプローブ端子
によって行われることが多い。(Prior Art) In general, a large number of integrated circuits formed on the surface of a semiconductor wafer are electrically tested and measured in the manufacturing process. For example, electrical connection between an integrated circuit on a semiconductor wafer and a measuring device is often performed by a probe terminal called a probe card.
第2図は、従来のプローブカードの一例の構成を示す
もので、プリント基板等によって構成されている基板1
には開口部1aが設けられており、この開口部1aの周囲に
沿って支持体リング2が固着されている。この支持体リ
ング2は、下部に外周方向から内周方向に向けて傾斜さ
れた傾斜面2aを有しており、この傾斜面2aに多数の探針
3が支持体リング2の中央方向に向かって突設するよう
固定されている。また、探針3の一方の端部3aは、基板
1に形成された導電層4と電気的に接続されており、こ
の導電層4は基板1の端部に設けられている測定機器接
続用端子に接続されている。そして、探針3の他方の端
部3bを半導体ウエハ上の電極パットに接続させることに
より計測器との電気的接続が行われる。FIG. 2 shows an example of the configuration of a conventional probe card, which is a substrate 1 formed of a printed circuit board or the like.
The opening 1a is provided in the opening 1a, and the support ring 2 is fixed along the periphery of the opening 1a. The support ring 2 has an inclined surface 2a that is inclined from the outer peripheral direction toward the inner peripheral direction at the lower portion, and a large number of probes 3 are directed to the center direction of the support ring 2 on the inclined surface 2a. It is fixed so as to project. Further, one end 3a of the probe 3 is electrically connected to the conductive layer 4 formed on the substrate 1, and the conductive layer 4 is used for connecting a measuring device provided on the end of the substrate 1. It is connected to the terminal. Then, the other end 3b of the probe 3 is connected to the electrode pad on the semiconductor wafer to establish electrical connection with the measuring instrument.
ところで、近年、検査時間を短縮するために、ICテス
ターのような計測器の測定信号を高周波化して高速化す
ることが試みられている。また、測定対象となる集積回
路も高周波を使用するものが増加しており、従ってプロ
ーブカードにおいても高周波信号に対する適合性が求め
られている。By the way, in recent years, in order to shorten the inspection time, it has been attempted to increase the frequency of a measurement signal of a measuring instrument such as an IC tester to increase the speed. Further, the number of integrated circuits to be measured that use a high frequency is increasing, and therefore the probe card is also required to have compatibility with a high frequency signal.
そこで、高周波信号によるノイズの増加や信号の減衰
を防止するため、基板1に設けられた導電層4のインピ
ーダンスマッチングを充分に行う等の方策がなされてい
る。Therefore, in order to prevent noise increase and signal attenuation due to high-frequency signals, measures such as sufficient impedance matching of the conductive layer 4 provided on the substrate 1 have been taken.
(発明が解決しようとする課題) しかしながら、上記説明の従来のプローブカードで
は、支持体リング2が単に探針3の位置決め固定の役割
しか有していないため、探針3と基板1に形成された導
電層4との電気的接続は、探針3の端部3aを導電層4に
接続することによって行われている。このため、探針3
の長さが例えば25mm〜35mm程度と長くなってしまい、各
探針3間での干渉が起こりやすく、ノイズやクロストー
ク等が発生し、測定精度が低下する等の問題が生じてい
る。さらに特開昭51-32181号、特開昭58-162045号等が
ある。しかし実用されていない。(Problems to be Solved by the Invention) However, in the conventional probe card described above, since the support ring 2 has only a role of positioning and fixing the probe 3, it is formed on the probe 3 and the substrate 1. The electrical connection with the conductive layer 4 is made by connecting the end 3a of the probe 3 to the conductive layer 4. Therefore, the probe 3
The length of the probe becomes long, for example, about 25 mm to 35 mm, interference between the probes 3 is likely to occur, noise, crosstalk, etc. occur, and the measurement accuracy deteriorates. Further, there are JP-A-51-32181 and JP-A-58-162045. However, it has not been put to practical use.
本発明は、このような従来技術の課題に対処するべく
なされたもので、高周波信号による測定時において、ノ
イズやクロストーク等の測定精度を低下させる要因を減
少させたプローブカードを提供することを目的としてい
る。The present invention has been made to address such a problem of the conventional technique, and provides a probe card in which factors that reduce measurement accuracy such as noise and crosstalk are reduced during measurement by a high frequency signal. Has an aim.
[発明の構成] (課題を解決するための手段) すなわち本発明は、開口部を有し第1の配線パターン
が印刷配線された基板の上記開口部に沿って、複数の探
針を上記開口部中央方向に突設するよう固定する如く設
けられた環状の探針支持体を固着したプローブカードで
あって、 上記探針支持体を、絶縁性セラミックスから構成する
とともに、この探針支持体に、上記第1の配線パターン
に対応し、かつ、当該支持体の上面から側面を経由して
下面に至る第2の配線パターンを印刷配線し、 上記探針支持体下面の内側に近い部分に位置するよ
う、上記第2の配線パターン上に上記探針を接続固定し
て、上記探針と上記第1の配線パターンとを上記第2の
配線パターンを介して電気的に接続するよう構成したこ
とを特徴としている。[Configuration of the Invention] (Means for Solving the Problem) That is, according to the present invention, a plurality of probes are provided in the opening along the opening of the substrate having the opening and on which the first wiring pattern is printed and printed. A probe card having an annular probe support fixedly provided so as to project in the direction of the center of the part, wherein the probe support is made of insulating ceramics, and is attached to the probe support. A second wiring pattern, which corresponds to the first wiring pattern and extends from the upper surface of the support to the lower surface through the side surface, is printed and located in a portion near the inner surface of the lower surface of the probe support. So that the probe is connected and fixed on the second wiring pattern, and the probe and the first wiring pattern are electrically connected via the second wiring pattern. Is characterized by.
また、請求項2発明は、上記探針が、タングステンか
ら構成されたことを特徴としている。The invention according to claim 2 is characterized in that the probe is made of tungsten.
(作用) 本発明のプローブカードにおいては、基板の開口部に
沿って固着された探針支持体に配線パターンを形成し、
この配線パターンに探針を固定するとともに電気的な接
続を行っている。これによって、探針の長さを従来のプ
ローブカードに比べて大幅に短くすることが可能にな
る。従って、各探針間での干渉が低減され、高周波信号
を使用した際にもノイズやクロストーク等を大幅に減少
させることができる。(Operation) In the probe card of the present invention, the wiring pattern is formed on the probe support fixed along the opening of the substrate,
The probe is fixed to this wiring pattern and electrical connection is made. This makes it possible to significantly reduce the length of the probe as compared with the conventional probe card. Therefore, interference between the probes is reduced, and noise and crosstalk can be significantly reduced even when a high frequency signal is used.
(実施例) 次に、本発明のプローブカードの実施例を図面を参照
して説明する。(Example) Next, the Example of the probe card of this invention is described with reference to drawings.
樹脂等からなるプリント基板によって構成された基板
11には、直径数センチメートル程度の円形の開口部11a
が設けられており、この開口部11aの周囲に沿って、ア
ルミナのようなセラミックス等の絶縁物からなる支持体
リング12が、その内側端部に形成された凸部12aに固着
されている。この支持体リング12は下部に外週から内週
側に向けて上り傾斜された傾斜面12bを有しており、こ
の傾斜面12bから側面12cを介して上面12dに達し、後述
する探針14の本数に応じた配線パターン13が形成されて
いる。Substrate composed of printed circuit board made of resin etc.
11 has a circular opening 11a with a diameter of several centimeters.
The support ring 12 made of an insulating material such as ceramics such as alumina is fixed to the protrusion 12a formed at the inner end of the support ring 12 along the periphery of the opening 11a. The support ring 12 has an inclined surface 12b that is inclined downward from the outer week to the inner week side at the lower portion, reaches the upper surface 12d from the inclined surface 12b through the side surface 12c, and the probe 14 described later. The wiring patterns 13 are formed according to the number of lines.
支持体リング12の傾斜面12bに形成されている配線パ
ターン13の内周端部近傍部には、それぞれ探針14が電気
的に接続されるとともに、開口部11aの中央方向へ下側
に傾斜して突設する如く固定支持されている。この探針
14は、例えば直径200μm〜250μm程度のW、Pd、Be-C
u合金等によって形成されたものであり、その先端14aは
下側へ向けて曲折され、先端部が例えば直径50μm程度
の小径とされている。そして、この探針14の長さはこの
ように支持体リング12上に形成された対応する配線パタ
ーンに接続固定することによって、例えば、5mm程度の
長さまで短くすることが可能となる。この接続部は傾斜
面12bの内側端に近ければ近い程探針14の長さは短く形
成できる。さらに探針14も先端の曲折部がない構造にす
ればさらに短くでき、垂直に立てればさらに短く構成で
きる。The probe 14 is electrically connected to each of the inner peripheral end portions of the wiring pattern 13 formed on the inclined surface 12b of the support ring 12 and is inclined downward toward the center of the opening 11a. It is fixedly supported so as to project. This probe
14 is, for example, W, Pd, Be-C having a diameter of about 200 μm to 250 μm
It is made of u alloy or the like, and its tip 14a is bent downward, and the tip has a small diameter of, for example, about 50 μm. By connecting and fixing the length of the probe 14 to the corresponding wiring pattern thus formed on the support ring 12, it is possible to shorten the length to, for example, about 5 mm. The closer this connecting portion is to the inner end of the inclined surface 12b, the shorter the length of the probe 14 can be formed. Further, the probe 14 can be further shortened if it has a structure without a bent portion at the tip, and can be further shortened if it is set vertically.
一方、支持体リング12の上面12d上に位置する配線パ
ターン13の端部は、基板11に形成されている導電層15に
電気的に接続されており、この導電層15は基板11の端部
に配列された測定機器接続用端子(図示せず)にそれぞ
れ接続されている。On the other hand, the end of the wiring pattern 13 located on the upper surface 12d of the support ring 12 is electrically connected to the conductive layer 15 formed on the substrate 11, and the conductive layer 15 is the end of the substrate 11. Are connected to the measuring equipment connection terminals (not shown) arranged in the above.
上記構成のこの実施例のプローブカードでは、開口12
の下部に半導体ウエハを配置し、この半導体ウエハ上に
形成された、例えば100μm×80μm程度の大きさの電
極パットに、探針14の先端部を接触させ、基板11に設け
られた接続用端子を測定器に電極的に接続して半導体ウ
エハ上に形成された集積回路の試験測定を行う。In the probe card of this embodiment having the above configuration, the opening 12
A semiconductor wafer is arranged under the semiconductor wafer, and the tip of the probe 14 is brought into contact with an electrode pad having a size of, for example, about 100 μm × 80 μm formed on the semiconductor wafer, and the connection terminal provided on the substrate 11 is connected. Is connected to a measuring device as an electrode, and a test measurement of an integrated circuit formed on a semiconductor wafer is performed.
この実施例によれば、探針を支持体リングに設けた配
線パターンに電気的に接続するとともに固定しているの
で、従来のプローブカードに比べて探針の長さを大幅に
短くすることが可能になる。例えば従来25mm〜35mmの長
さを有していたものを5mm程度の長さの探針で同様な機
能を発揮させることができる。従って、高周波信号を使
用した際における各探針間での干渉が大幅に減少し、こ
の高周波信号によるノイズやクロストーク等は、従来に
比べて大幅に減少させることができる。According to this embodiment, since the probe is electrically connected and fixed to the wiring pattern provided on the support ring, the length of the probe can be significantly shortened as compared with the conventional probe card. It will be possible. For example, a conventional probe having a length of 25 mm to 35 mm can exhibit the same function with a probe having a length of about 5 mm. Therefore, the interference between the probes when a high frequency signal is used is greatly reduced, and noise, crosstalk, etc. due to this high frequency signal can be significantly reduced as compared with the conventional case.
[発明の効果] 以上説明したように本発明のプローブカードでは、従
来に比べて高周波信号によるノイズやクロストーク等を
大幅に減少させることができるため、測定精度を大幅に
向上させることが可能となる。[Advantages of the Invention] As described above, in the probe card of the present invention, noise and crosstalk due to a high-frequency signal can be significantly reduced as compared with the related art, and thus the measurement accuracy can be significantly improved. Become.
第1図は本発明の一実施例のプローブカードの要部の構
成を示す断面図、第2図は従来のブローブカードの要部
の構成を示す断面図である。 11……基板、11a……開口部、12……支持体リング、13
……配線パターン、14……探針、15……導電層FIG. 1 is a sectional view showing the structure of the main part of a probe card according to an embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a sectional view showing the structure of the main part of a conventional probe card. 11 ... Substrate, 11a ... Opening, 12 ... Support ring, 13
...... Wiring pattern, 14 …… Probe, 15 …… Conductive layer
Claims (2)
線された基板の上記開口部に沿って、複数の探針を上記
開口部中央方向に突設するよう固定する如く設けられた
環状の探針支持体を固着したプローブカードであって、 上記探針支持体を、絶縁性のセラミックスから構成する
とともに、この探針支持体に、上記第1の配線パターン
に対応し、かつ、当該支持体の上面から側面を経由して
下面に至る第2の配線パターンを印刷配線し、 上記探針支持体下面の内側に近い部分に位置するよう、
上記第2の配線パターン上に上記探針を接続固定して、
上記探針と上記第1の配線パターンとを上記第2の配線
パターンを介して電気的に接続するよう構成したことを
特徴とするプローブカード。1. A plurality of probes are provided so as to be fixed so as to project toward the center of the opening along the opening of a substrate having an opening and on which a first wiring pattern is printed and printed. A probe card to which an annular probe support is fixed, wherein the probe support is made of insulating ceramics, and the probe support corresponds to the first wiring pattern, and A second wiring pattern, which extends from the upper surface of the support to the lower surface via the side surface, is printed and arranged so that it is located near the inner side of the lower surface of the probe support.
By connecting and fixing the probe on the second wiring pattern,
A probe card characterized in that the probe and the first wiring pattern are electrically connected via the second wiring pattern.
ことを特徴とする請求項1記載のプローブカード。2. The probe card according to claim 1, wherein the probe is made of tungsten.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63119579A JP2557685B2 (en) | 1988-05-17 | 1988-05-17 | Probe card |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63119579A JP2557685B2 (en) | 1988-05-17 | 1988-05-17 | Probe card |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01288772A JPH01288772A (en) | 1989-11-21 |
| JP2557685B2 true JP2557685B2 (en) | 1996-11-27 |
Family
ID=14764847
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP63119579A Expired - Lifetime JP2557685B2 (en) | 1988-05-17 | 1988-05-17 | Probe card |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2557685B2 (en) |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5832782B2 (en) * | 1980-12-29 | 1983-07-15 | 義栄 長谷川 | Fixed probe board |
| JPS62173733A (en) * | 1986-01-28 | 1987-07-30 | Agency Of Ind Science & Technol | Device for measuring signal at high speed |
-
1988
- 1988-05-17 JP JP63119579A patent/JP2557685B2/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH01288772A (en) | 1989-11-21 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US4780670A (en) | Active probe card for high resolution/low noise wafer level testing | |
| US5382898A (en) | High density probe card for testing electrical circuits | |
| KR100309889B1 (en) | Probe Device | |
| JP2001506752A (en) | Probe card for high-speed test | |
| JPH0517705B2 (en) | ||
| JPS6369247A (en) | Prober | |
| EP0304868A2 (en) | Multiple lead probe for integrated circuits in wafer form | |
| JP2000088920A (en) | Interface unit for inspection equipment | |
| JPS63316449A (en) | Method and apparatus for testing integrated circuit | |
| US7271014B2 (en) | Fabrication method of semiconductor integrated circuit device including inspecting using probe card | |
| JPH11248748A (en) | Probe card | |
| JPH09218222A (en) | Probe card | |
| JP2557685B2 (en) | Probe card | |
| JP2720146B2 (en) | Connection ring for wafer prober | |
| JP2657315B2 (en) | Probe card | |
| JPS612338A (en) | Inspection equipment | |
| JPH1144709A (en) | Probe card | |
| JP2847309B2 (en) | Probe device | |
| JP3249865B2 (en) | Method for manufacturing semiconductor integrated circuit device | |
| US5220278A (en) | Fixing card for use with high frequency | |
| JPH0250452A (en) | Prober | |
| JPH06308163A (en) | Probe device | |
| JPS6384133A (en) | Probe card | |
| JP2980952B2 (en) | Probe board | |
| JP2002190506A (en) | Probe card |