JP2000223449A

JP2000223449A - 研磨方法および装置

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Publication number: JP2000223449A
Application number: JP2494499A
Authority: JP
Inventors: Kazuhiro Tajima; 和浩田島; Hideaki Kuroda; 英明黒田
Original assignee: Sony Corp
Current assignee: Sony Corp
Priority date: 1999-02-02
Filing date: 1999-02-02
Publication date: 2000-08-11

Abstract

(57)【要約】【課題】研磨後に、親水性に差がある材料が混在して研
磨後の基板面に表出する場合でも、その後の後処理でス
ラリを完全に除去する。【解決手段】研磨剤を供給しながら被研磨基板Ｗの面を
研磨パッドに押圧して少なくとも機械的に研磨し平坦化
する研磨（ＳＴ１）の後処理工程において、研磨剤の除
去能力がある薬剤の水溶液を研磨面に表出する素材に合
わせて少なくとも２種類用意し、異なる薬剤の水溶液を
用いて複数回、被研磨基板面を洗浄する（ＳＴ３および
ＳＴ４）。この洗浄ＳＴ３とＳＴ４は、基板Ｗを乾かさ
ずに連続して行うとよい。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、たとえば半導体デ
バイスが形成されたウエハ表面を研磨して平坦化した後
に研磨剤を除去するための後処理を含む、研磨方法およ
びその装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】種々の半導体デバイスのうち微細化が最
も先行した、いわゆる“プロセスドライバ”としてのＤ
ＲＡＭは、近年、デザインルールが０．２５μｍ程度の
製品で量産が始まり、つぎの０．１８μｍルールの１Ｇ
ｂ（ギガビット）ＤＲＡＭのサンプル出荷も開始されつ
つある。

【０００３】このようなＤＲＡＭの大容量化にともなっ
て、デザインルールとともにセルサイズも縮小され、ワ
ード線とノードコンタクトあるいはビットコンタクトと
の間の距離がとれなくなり、構造上で耐圧を確保する必
要から、コンタクト径そのものがシュリンクされる傾向
にある。したがって、今後はコンタクトのアスペクト比
が１０以上となることも予想され、微細コンタクトの形
成（開口および導電材料の埋め込み）が益々困難になっ
てきている。そこで、各層間絶縁膜ごとにプラグを埋め
込むことで、複数の層間絶縁膜全体ではプラグが縦に幾
つも積み上げられて一つのコンタクトをなす、いわゆる
“積み上げコンタクト”が採用されるようになってき
た。

【０００４】その一方で、微細パターン形成のためのリ
ソグラフィにおける解像度向上は、露光の焦点深度（Ｄ
ＯＦ;Depth Of Forcus）の低下をもたらしている。この
改善はレジストの性能向上を待たなければならないが、
レジストの性能向上には時間がかかるため、微細パター
ン形成面を平坦化することで対処している。

【０００５】このような理由による平坦化、および上記
プラグの形成時に、化学的機械研磨（ＣＭＰ）が頻繁に
用いられるようになってきた。ＣＭＰでは、シリカ系の
研磨剤（スラリ）を用いて研磨した後に、スラリを除去
する後処理を行う必要があるが、この後処理では、ブラ
シ洗浄に続いて希釈フッ酸洗浄を行うのが一般的であ
る。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、この従
来行われていたＣＭＰ後の後処理では、研磨後の面に疎
水性材料と親水性材料が露出するような場合、とくに疎
水性材料の上部にスラリが残存しやすかった。

【０００７】たとえば、ＤＲＡＭのプラグ材の研磨で
は、最終的な研磨後の面には酸化シリコン等の絶縁膜に
周囲を囲まれて島状にプラグ材が表出するが、このプラ
グがポリシリコンからなる場合、ポリシリコンは疎水性
であるためフッ酸洗浄がされにくい。また、フッ酸洗浄
がされた場合でも、ポリプラグ上に酸化膜がなく、あっ
たとしても極めて薄いため、酸化膜表面を軽くエッチン
グしてスラリを除去するリフトオフ効果が、層間絶縁膜
上ほど期待できない。疎水性が強いことにより、水切り
後はかえってポリプラグ上に水滴が溜まりやすく、した
がって、そのまま乾燥させたのではポリプラグ上にどう
してもスラリが残ってしまう。

【０００８】スラリ残りがあると、コンタクト不良また
は配線（ビット線等）とのショート不良を引き起こす可
能性が高くなり、信頼性および良品デバイスの収率が低
下する。

【０００９】本発明の目的は、研磨後に、親水性に差が
ある材料が混在して被研磨面に表出する場合でも、その
後の後処理でスラリを完全に除去できる研磨方法と、そ
の実施に好適な研磨装置を提供することにある。

【００１０】

【課題を解決するための手段】本発明に係る研磨方法
は、研磨剤を供給しながら被研磨基板の面を研磨パッド
に押圧して少なくとも機械的に研磨し平坦化する研磨方
法であって、研磨の後処理として行う研磨剤除去工程で
は、上記研磨剤を除去する能力がある薬剤の水溶液を研
磨後の基板面に表出する素材に合わせて少なくとも２種
類以上用意し、異なる薬剤の水溶液を用いて複数回、上
記研磨後の基板面を洗浄する。

【００１１】たとえば酸化シリコン系の絶縁膜中にシリ
コン系材料が混在して表出するような場合、好ましく
は、上記研磨剤除去工程に、過水系洗浄液（例：ＳＣ
１，ＳＣ２）で上記被研磨基板面を洗浄する過水系処理
と、水で希釈されたフッ化水素の溶液で上記被研磨基板
面を洗浄するフッ酸処理とを含み、上記フッ酸処理後に
連続して上記過水系処理を行うとよい。

【００１２】本発明に係る研磨装置は、研磨ヘッドに保
持された被研磨基板の被研磨面と研磨パッドとの間に研
磨剤を供給しながら、上記被研磨基板を上記研磨パッド
に押し当て、当該被研磨基板と研磨パッドとを相対移動
させて上記被研磨面を少なくとも機械的に研磨し平坦化
する研磨装置であって、研磨後の後処理液の供給系に、
上記研磨剤を除去する能力がある薬剤の水溶液を少なく
とも２種類、上記研磨後の基板面に供給できる研磨剤除
去溶液用の薬液供給手段と、上記薬剤の水溶液の供給量
および供給タイミングを制御する制御部とを有する。

【００１３】好ましくは、研磨後の後処理液の供給系
に、水で希釈されたフッ化水素の溶液を上記研磨後の基
板面に供給するフッ酸用の薬液供給手段と、過水系洗浄
液を上記研磨後の基板面に供給する過水系洗浄液用の薬
液供給手段とを含み、上記制御部は、上記フッ酸による
洗浄後に連続して上記過水系洗浄液による洗浄が行われ
るように上記２つの薬液供給手段を制御する。

【００１４】このような研磨方法および装置による後処
理では、たとえばフッ酸洗浄後に連続して過水系洗浄液
による洗浄を行った場合、フッ酸洗浄によって酸化膜
（層間絶縁膜）上の研磨剤が除去された後、続く過水系
洗浄液による洗浄では、たとえばポリシリコンなどの疎
水性材料の表出面が僅かにエッチングされ、または効果
的に洗浄されることから、当該疎水性材料上に残存して
いた研磨剤が剥離して過水系洗浄液内に取り込まれやす
い。したがって、その後の純水洗浄や乾燥で、完全に研
磨剤が基板上から除去される。

【００１５】

【発明の実施の形態】第１実施形態図１に、第１実施形態に係る化学的機械研磨（ＣＭＰ）
装置の概略構成を示す。このＣＭＰ装置１は、機構的に
研磨部１ａと洗浄部１ｂとに大別される。

【００１６】研磨部１ａには、回転軸３によって回転可
能に保持され、表面に研磨パッド４を着脱可能に保持す
る研磨プレート２と、回転軸５ｂによって回転可能に保
持されて研磨パッド４に対向して配置された研磨ヘッド
５と、研磨剤（スラリ）供給用のノズル６ａおよびタン
ク６ｂを備えたスラリ供給部６とを有する。研磨ヘッド
５は、たとえば、その研磨プレート２との対向面に凹状
の保持部５ａを有する。この保持部５ａに、図示しない
バッキングフィルムを介してウエハＷが保持されてい
る。

【００１７】層間絶縁膜の平坦化用のスラリとしては、
主にシリカ（ＳｉＯ₂：酸化シリコン）微粉末を水酸化
カリウム（ＫＯＨ）中に分散させたものが一般的であ
る。また、タングステン（Ｗ）膜の平坦化用スラリとし
ては、過酸化水素水（Ｈ₂Ｏ₂＋Ｈ₂Ｏ）などの酸化剤
にアルミナ（Ａｌ₂Ｏ₃）微粒子などの研磨材を添加し
たものが一般的である。研磨パッド４は、研磨時に上記
したスラリを保持するために、たとえば、表面微孔性ま
たは多孔質の発泡ウレタンからなる。

【００１８】一方、洗浄部１ｂには、研磨後のウエハＷ
を保持し回転させるための専用治具７（上下反転した状
態の研磨ヘッド５でも可）と、各種薬剤の溶液および純
水を供給するための薬液供給部１０とを有する。ここで
は、薬液供給部１０に、希釈フッ酸用のノズル１１ａと
タンク１１ｂ、スラリ除去溶液用のノズル１２ａとタン
ク１２ｂ、純水供給ライン１４に接続された純水用の流
量調整器１３ｂとノズル１３ａを備える。薬液供給部１
０および前記したスラリ供給部６に、各種薬液、純水ま
たはスラリの供給量とタイミングを制御する制御部２０
が接続されている。スラリ除去溶液としては、たとえ
ば、アンモニア（ＮＨ₃）または塩酸（ＨＣｌ）と過酸
化水素（Ｈ₂Ｏ₂）とを所定割合で混合した水溶液を用
いることができる。

【００１９】図２に、このＣＭＰ装置を用いた研磨およ
び後処理における各ステップを示す。まず、ステップＳ
Ｔ１においてＣＭＰを行う。たとえば、スラリ供給ノズ
ル６ａからスラリと純水の混合物を研磨パッド４の中心
部上に供給し、研磨ヘッド５に保持されたウエハＷを研
磨パッド４上に所定の押圧力Ｐで押し付けながら、研磨
ヘッド５および研磨プレート２を回転させる。スラリと
純水の混合物は、研磨パッド４の回転によって拡散し、
研磨パッド４とウエハＷとの間に介在することによっ
て、ウエハＷの表面を化学的機械研磨によって平坦化す
る。図示しない終点検出手段等によって、所定量研磨さ
れたことが検出されると、研磨が終了する。

【００２０】ウエハＷの研磨面は、ステップＳＴ２にお
いて、ロールブラシを用いてブラシ洗浄される。ブラシ
洗浄によって、大方のスラリは機械的に除去される。続
いて、ステップＳＴ３において、洗浄部１ｂの薬液制御
部１０が制御部２０の制御を受けて、所定流量の希釈フ
ッ酸を専用治具７上に移載されたウエハＷ上に散布す
る。このときウエハＷを治具ごと回転させたり、ノズル
１１ａを動かすなどにより、ウエハＷ表面が均一に希釈
フッ酸によって洗浄されるようにする。層間絶縁膜の平
坦化では通常、シリカ系の絶縁物がスラリ内に含有され
ていることから、希釈フッ酸洗浄によって、この絶縁物
が研磨後の面に残らないようにするとともに、層間絶縁
膜の表面を僅かにエッチングにして他のスラリ組成物が
剥離しやすいようにする。

【００２１】本実施形態では、続くステップＳＴ４にお
いて、たとえば、過酸化水素水系の溶液を用いた洗浄
（以下、過水洗浄という）を行う。これは、ウエハＷの
研磨面に親水性材料と疎水性材料が混在して表出する場
合に、希釈フッ酸洗浄を経ても疎水性材料上にはスラリ
が残りやすく、このスラリを完全に除去するための処理
である。したがって、過水洗浄は希釈フッ酸洗浄後に連
続して行うことが望ましい。

【００２２】ステップＳＴ５において、純水によるリン
ス（薬液の除去）が行われ、最後に、スピンコータ等の
機能を用いて純水を遠心力で振り切って乾燥させる。な
お、この純水リンスおよび上記した過水洗浄も、希釈フ
ッ酸洗浄と同様、図１における洗浄部１ｂの薬液制御部
１０が制御部２０の制御を受けて実施される。

【００２３】第１実施形態に係る化学的機械研磨装置お
よび方法では、過水洗浄によって疎水性材料上のスラリ
残りが防止でき、これによって、半導体装置のコンタク
ト不良および配線間のショート不良を有効に防止でき
る。したがって、良品チップのウエハからの収率を従来
より高くすることが可能となる。

【００２４】以下、上記した化学的機械研磨方法を、よ
り具体的に、ＤＲＡＭの製造過程において説明する。

【００２５】第２実施形態図３〜図１１は、ＣＯＢ(Capacitor Over Bit-line) 型
ＤＲＡＭの製造途中における断面図である。

【００２６】図３に示すように、用意したＰ型シリコン
基板に、ＮウエルおよびＰウエルの形成と素子分離絶縁
膜２０１の形成を行った後、素子分離絶縁膜２０１間の
半導体領域上にゲート絶縁膜を介在させてポリサイドか
らなるゲート電極３０１を形成する。ゲート電極３０１
および素子分離絶縁膜２０１をマスクとしてイオン注入
を行い、ウェル表面に比較的に低濃度なＬＤＤ(Lightly
Doped Drain) １０１を形成する。全面にエッチングス
トッパ用の薄い酸化シリコン膜２０２を成膜し、次い
で、ポリシリコンを堆積した後エッチバックすることに
より、ゲート電極側壁にポリシリコンで構成されるサイ
ドウォール３０２を形成する。サイドウォール３０２お
よび素子分離絶縁膜２０１を自己整合マスクとしてイオ
ン注入を行い、比較的に高濃度なソース・ドレイン領域
１０２を形成する。

【００２７】サイドウォール３０２を取り除いた後、図
４に示すように、エッチングストッパ用の窒化シリコン
膜２０３を減圧ＣＶＤにより全面に成膜する。その後、
ＮＳＧ(Nondoped natural Silicate Glass) 膜２０４を
Ｏ₃−ＴＥＯＳ法により堆積した後、ＢＰＳＧ(boro-ph
osphosillcate glass) 膜２０５を、同じくＯ₃−ＴＥ
ＯＳ法により堆積する。ＢＰＳＧ膜２０５をリフローし
て平坦化した後、ポリシリコン膜３０３を堆積し、ビッ
トコンタクトおよびノードコンタクト等を開口するため
のレジストパターンＲ１１を形成する。

【００２８】形成したレジストパターンＲ１１をマスク
として、図５に示すように、ポリシリコン膜３０３、Ｂ
ＰＳＧ膜２０５、ＮＳＧ膜２０４を順次エッチングす
る。このエッチングは、ＮＳＧ膜２０４の途中までで停
止させ、これにより予備コンタクト孔が形成される。さ
らに全面にポリシリコン膜を堆積し、エッチバックする
ことにより、この予備コンタクト孔の側壁にポリシリコ
ンで構成されるサイドウォール３０４を形成し、予備コ
ンタクト孔を小径化する。そして、サイドウォール３０
４とポリシリコン膜３０３をマスクとして下地に残るＮ
ＳＧ膜２０４をエッチングする。これにより、選択トラ
ンジスタＳＴｒの一方の不純物領域に達するビットコン
タクト孔ＢＣＨ、および他方の不純物領域に達するノー
ドコンタクト孔ＮＣＨが、リソグラフィの限界解像度以
下の径にシュリンクされて形成される。

【００２９】コンタクト孔の開口後、ポリシリコン膜３
０５を堆積してコンタクト孔ＢＣＨ，ＮＣＨを埋めた後
（図６）、ポリシリコン膜３０５および３０３、サイド
ウォール３０４をエッチバックする。これにより、図７
に示すように、上部が拡径されたポリプラグ(poly plu
g) ３０６が選択トランジスタＳＴｒの各不純物領域か
ら立設して形成される。

【００３０】この状態でＣＭＰを行う。ここでのＣＭＰ
は、図１の制御部２０がスラリ供給部６を制御してスラ
リ吐出量を２００ｓｃｃｍ／ｍｉｎとし、また、研磨ヘ
ッド５および研磨プレート２の回転数を２０ｒｐｍ、研
磨ヘッド５の押圧力Ｐを５０ｋＰａに設定して行う。所
定の時間が経過しまたは終点が検出されて研磨が終了し
たら、研磨後のウエハＷの表面を６０秒ほどブラシ洗浄
して、大半のスラリを除去する。

【００３１】ウエハＷを専用治具７に移載し、図１の制
御部２０の制御によってタンク１１ｂ内のフッ酸：純水
＝１：１００の希釈フッ酸を、専用ノズル１１ａからウ
エハＷの表面に吐出する。このとき希釈フッ酸は圧力
０．５〜２．０ｋｇ／ｃｍ² で吐出し、吐出後に専用治
具７を１００〜５００ｒｐｍで６０秒ほど回転させる。
これにより、ウエハＷ表面に露出する酸化膜が薄くエッ
チングされ、同時に、酸化膜表面に残存していたスラリ
がリフトオフ的に除去される。ポリプラグ３０６上は、
比較的疎水性が強いためフッ酸洗浄がされにくい。ま
た、フッ酸洗浄がされた場合でも、ポリプラグ上に酸化
膜がなく、あったとしても極めて薄いため、スラリに対
するリフトオフ効果が期待できない。疎水性が強いこと
により、水切り後はかえってポリプラグ上に水滴が溜ま
りやすく、したがって、そのまま乾燥させたのではポリ
プラグ上にどうしてもスラリが残ってしまう。

【００３２】そこで、フッ酸洗浄に連続して、スラリ除
去溶液による洗浄を以下の手順にしたがって行う。ま
ず、制御部２０の制御によってタンク１２ｂ内のスラリ
除去溶液を、専用ノズル１２ａからウエハＷの表面に吐
出し、上記希釈フッ酸のときと同様に６０秒ほどウエハ
を回転させる。スラリ除去溶液として、たとえば、ＮＨ
₃：Ｈ₂Ｏ₂：Ｈ₂Ｏ＝４：１：１００で調製した洗浄
液ＳＣ１、または、ＨＣｌ：Ｈ₂Ｏ₂：Ｈ₂Ｏ＝１：
１：１００で調製した洗浄液ＳＣ２を用いる。続いて、
純水供給ラインからの純水およびメガソニック純水をウ
エハＷ上にそれぞれ６０秒ほどシャワー状に吹きかけて
リンスを行い洗浄液を純水にて置換する。ウエハＷを２
０００〜３０００ｒｐｍの回転数で回転させ、振り切り
乾燥を行う。

【００３３】このスラリ除去洗浄では、上記洗浄液ＳＣ
１，ＳＣ２にシリコンの表面を軽くエッチングし、また
は洗浄する作用があり、ポリプラグ上に付着したスラリ
が洗浄液内に一部溶解し剥離される。したがって、純水
リンスまたは振り切り乾燥によってウエハＷ上のスラリ
を完全に除去することが可能である。図８に、このスラ
リ除去後の断面図を示す。

【００３４】なお、本実施形態では、ウエハ表面に露出
しているのは酸化膜が殆どでポリシリコンがごく一部で
あることから、上述のように先にフッ酸洗浄した後に、
スラリ除去洗浄を行うと、完全なるスラリ除去が達成さ
れやすい。したがって、たとえばポリシリコンなどの疎
水性材料がウエハ表面の殆どを占める場合などでは、逆
に、スラリ除去洗浄を先に行って、その後、フッ酸洗浄
を行ってもよい。

【００３５】つぎに、図９に示すように、窒化シリコン
膜などを全面に成膜し、これをポリプラグ３０６表面で
開口させた後、不純物が導入されたポリシリコン層３０
８、ＷＳｉx 層３０９を堆積する。そして、このポリサ
イド膜をエッチングしてビット線ＢＬをパターニングす
る。酸化シリコン膜２１０および窒化シリコン膜２１１
をそれぞれ薄く全面に成膜した後、ＮＳＧ膜２１２とＢ
ＰＳＧ膜２１３をそれぞれＯ₃−ＴＥＯＳ法により堆積
し、ＢＰＳＧ膜２１３をリフローして平坦化する。

【００３６】必要に応じてエッチング等により表面を軽
く削って更に平坦化した後、図１０に示すように、キャ
パシタ形成時のエッチングストッパとなる窒化シリコン
膜２１４を全面に堆積する。また、その上にポリシリコ
ン膜３１０を厚く堆積し、このポリシリコン膜３１０に
予備コンタクト孔を開口する。さらにポリシリコン膜を
堆積した後でエッチバックすることにより、予備コンタ
クト孔の側壁にポリシリコンで構成されるサイドウォー
ル３１１を形成し、予備コンタクト孔を小径化する。そ
して、形成したサイドウォール３１１とポリシリコン膜
３１０をマスクとして、下地の窒化シリコン膜２１４、
ＢＰＳＧ膜２１３、ＮＳＧ膜２１２、窒化シリコン膜２
１１および酸化シリコン膜２１０を順次エッチングして
ポリプラグ３０６の拡径部分に達しシュリンクされたノ
ードコンタクト孔を開口する。このノードコンタクト孔
を、ポリシリコン膜３１２を堆積して埋める。

【００３７】図１１において、ポリシリコン膜３１２，
３１０およびサイドウォール３１１をエッチバックし、
下方のポリプラグ３０６の拡径部分上に接続するポリプ
ラグ３１４を形成する。このエッチバックに代えて、上
記したとほぼ同様な方法によってＣＭＰとスラリ除去を
行ってもよい。なお、このとき下地が窒化シリコン膜で
あることから、フッ酸に代えてリン酸系の洗浄液を用い
る。

【００３８】その後は、シリンダ型キャパシタＣＡＰを
形成し、層間絶縁膜２１７を厚く堆積してキャパシタを
覆い、層間絶縁膜２１７の表面を平坦化する。また、Ｗ
プラグ３１９を形成した後、これに接続するＡｌ配線層
３１０を層間絶縁膜２１７上に形成すると、図１１に示
すＣＯＢ型ＤＲＡＭの基本構造が得られる。

【００３９】なお、上述したＤＲＡＭの製造では、図６
の状態から一旦図７の状態にするためエッチバックを行
ったが、図６の状態からＣＭＰで一気に図８のように平
坦化してもよい。

【００４０】

【発明の効果】本発明に係る研磨方法および装置によれ
ば、研磨後に、親水性に差がある材料が混在して被研磨
面に表出する場合でも、その後の後処理で研磨剤の除去
を完全に行うことが可能となる。このため、たとえば、
研磨を用いる半導体デバイスの製造においては、研磨剤
の残存によって引き起こされていた不良の発生率が低減
でき、信頼性および良品デバイスの収率を高めることが
できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】第１実施形態に係る化学的機械研磨（ＣＭＰ）
装置の概略構成を示す図である。

【図２】第１実施形態に係るＣＭＰにおいて研磨および
後処理の各ステップを示す図である。

【図３】第２実施形態に係るＣＯＢ型ＤＲＡＭの製造に
おいてトランジスタ形成後の断面図である。

【図４】図３に続く、予備コンタクト孔開口前の断面図
である。

【図５】図４に続く、コンタクト孔開口後の断面図であ
る。

【図６】図５に続く、ポリシリコン堆積後の断面図であ
る。

【図７】図６に続く、ポリシリコンのエッチバック後の
断面図である。

【図８】図７に続く、ＣＭＰおよび後処理後の断面図で
ある。

【図９】図８に続く、第２層目の層間絶縁膜を成膜後の
断面図である。

【図１０】図９に続く、第２層目のコンタクト孔を含む
全面にポリシリコンを堆積後の断面図である。

【図１１】図１０に続く、ＤＲＡＭの基本構成の完成後
の断面図である。

【符号の説明】

１…研磨装置、１ａ…研磨部、１ｂ…洗浄部、２…研磨
プレート、３，５ｂ…回転軸、４…研磨パッド、５…研
磨ヘッド、５ａ…ウエハの保持部、６…スラリ供給部、
６ａ，１１ａ，１２ａ，１３ａ…ノズル、６ｂ，１１
ｂ，１２ｂ…タンク、７…専用治具、１０…薬液供給
部、１３ｂ…流量調整器、１４…純水供給ライン、２０
…制御部、Ｗ…ウエハ。

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】研磨剤を供給しながら被研磨基板の面を研
磨パッドに押圧して少なくとも機械的に研磨し平坦化す
る研磨方法であって、研磨の後処理として行う研磨剤除去工程では、上記研磨
剤を除去する能力がある薬剤の水溶液を研磨後の基板面
に表出する素材に合わせて少なくとも２種類用意し、異
なる薬剤の水溶液を用いて複数回、上記研磨後の基板面
を洗浄する研磨方法。
【請求項２】上記薬剤の水溶液のうち一つは、アンモニ
ア過水または塩酸過水である請求項１に記載の研磨方
法。
【請求項３】上記研磨剤除去工程は、過水系洗浄液で上
記被研磨基板面を洗浄する過水系処理と、水で希釈され
たフッ化水素の溶液で上記被研磨基板面を洗浄するフッ
酸処理とを含み、上記フッ酸処理後に連続して上記過水系処理を行う請求
項１に記載の研磨方法。
【請求項４】上記被研磨基板は、その研磨後の面に親水
性が異なる２種以上の素材が表出する請求項１に記載の
研磨方法。
【請求項５】上記被研磨基板の研磨後の面に、親水性素
材として酸化シリコン系の絶縁膜が表出し、疎水性素材
としてシリコン系半導体材料が表出する請求項４に記載
の研磨方法。
【請求項６】上記研磨剤は、被研磨基板の表面部を主に
構成する素材を化学的にエッチング可能な物質を含み、上記研磨では、被研磨基板面を化学的、機械的に研磨す
る請求項１に記載の研磨方法。
【請求項７】研磨ヘッドに保持された被研磨基板の被研
磨面と研磨パッドとの間に研磨剤を供給しながら、上記
被研磨基板を上記研磨パッドに押し当て、当該被研磨基
板と研磨パッドとを相対移動させて上記被研磨面を少な
くとも機械的に研磨し平坦化する研磨装置であって、研磨後の後処理液の供給系に、上記研磨剤を除去する能
力がある薬剤の水溶液を少なくとも２種類、上記研磨後
の基板面に供給できる研磨剤除去溶液用の薬液供給手段
と、上記薬剤の水溶液の供給量および供給タイミングを制御
する制御部とを有する研磨装置。
【請求項８】研磨後の後処理液の供給系に、水で希釈さ
れたフッ化水素の溶液を上記研磨後の基板面に供給する
フッ酸用の薬液供給手段と、過水系洗浄液を上記研磨後の基板面に供給する過水系洗
浄液用の薬液供給手段とを含み、上記制御部は、上記フッ酸による洗浄後に連続して上記
過水系洗浄液による洗浄が行われるように上記２つの薬
液供給手段を制御する請求項７に記載の研磨装置。