JP2000223135A - 固体高分子電解質膜および燃料電池 - Google Patents

固体高分子電解質膜および燃料電池

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JP2000223135A
JP2000223135A JP11018311A JP1831199A JP2000223135A JP 2000223135 A JP2000223135 A JP 2000223135A JP 11018311 A JP11018311 A JP 11018311A JP 1831199 A JP1831199 A JP 1831199A JP 2000223135 A JP2000223135 A JP 2000223135A
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polymer electrolyte
solid polymer
electrolyte membrane
hydrocarbon
side chain
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JP11018311A
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Michio Akakabe
道夫 明壁
Chiaki Yamada
千秋 山田
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Aisin Seiki Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 熱による酸化を防止した耐熱性・耐久性に優
れた固体高分子電解質膜および耐久性に優れた燃料電池
を提供する。 【解決手段】 炭化フッ素系ビニルモノマーと炭化水
素系ビニルモノマーとの共重合体で形成された主鎖とス
ルホン酸基を有する炭化水素系側鎖とから構成されてい
る固体高分子電解質膜において、前記炭化水素系側鎖に
アミン系酸化防止剤、フェノール系酸化防止剤のうち少
なくとも一つを含有したことを特徴とする固体高分子電
解質膜および該固体高分子電解質膜を電極で挟持した固
体高分子電解質膜と電極の接合体をセパレータで挟持し
たことを特徴とする燃料電池。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は固体高分子電解質膜
および燃料電池に関する。
【0002】
【従来の技術】燃料電池は、一般的に多数のセルが積層
されており、該セルは、二つの電極(燃料極と酸化剤
極)で電解質を挟んだ構造をしている。
【0003】前記燃料極では水素ガスが触媒に接触する
ことにより下記の反応が生ずる。
【0004】2H → 4H +4eは、電解質中を移動し酸化剤極触媒に達し酸素と反
応して水となる。
【0005】4H +4e +O → 2HO 上記の反応により水素と酸素を使用して電気化学反応で
発電し、水以外の排出物がなくクリーンな発電装置とし
て注目されている。
【0006】大気の汚染をできる限り減らすために自動
車の排ガス対策が重要になっており、その対策の一つと
して電気自動車が使用されているが、充電設備や走行距
離などの問題で普及に至っていない。燃料電池を使用し
た自動車が最も将来性のあるクリーンな自動車であると
見られている。
【0007】前記燃料電池の中でも固体高分子電解質型
燃料電池が低温作動性や小型で高出力密度であることか
ら自動車用として最も有望である。該固体高分子電解質
型燃料電池の電解質は固体高分子電解質膜である。
【0008】一般には燃料電池用高分子電解質膜として
スルホン酸基を有するパーフルオロカーボン重合体膜
(商品名;ナフィオン、アシプレックス等)が用いら
れ、良好な発電性能と耐久性が確認されている。しか
し、実用化のためにはコストの低減およびさらに水素イ
オン伝導性を高くした電解質膜が期待されいる。これに
該当するものとして炭化水素系電解質膜がある。この炭
化水素系電解質膜はコストが低減できるため、放射線グ
ラフト重合を用いて製造されている。
【0009】従来技術1として、特表平8―50357
4には、放射線を照射した基材テトラフルオロエチレン
とヘキサフルオロポリプロピレンの共重合体膜にスチレ
ンモノマーをグラフト重合した後、スチレンをスルホン
化した炭化水素系の固体高分子電解質膜が開示されてい
る。
【0010】従来技術2として、特開平6―49252
には、放射線を照射した基材のポリプロピレン繊維の不
織布にスチレンスルホン酸ナトリウムモノマーをグラフ
ト重合して炭化水素系の固体高分子電解質複合体が開示
されている。
【0011】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来技
術1や2の方法では、基材の膜および不織布には熱によ
る酸化劣化防止のために酸化防止剤が含まれているが、
グラフト重合したスチレンおよびスチレンスルホン酸ナ
トリウムにはこのような酸化防止剤は含まれていない。
このため、この部分が熱により酸化劣化し、硬くなり脆
くなる耐熱性の問題があった。
【0012】本発明はこの問題点を解決したもので、熱
による酸化を防止した耐熱性・耐久性に優れた固体高分
子電解質膜および耐久性に優れた燃料電池を提供する。
【0013】
【課題を解決するための手段】上記技術的課題を解決す
るために、本発明の請求項1において講じた技術的手段
(以下、第1の技術的手段と称する。)は、炭化フッ素
系ビニルモノマーと炭化水素系ビニルモノマーとの共重
合体で形成された主鎖とスルホン酸基を有する炭化水素
系側鎖とから構成されている固体高分子電解質膜におい
て、前記炭化水素系側鎖にアミン系酸化防止剤、フェノ
ール系酸化防止剤のうち少なくとも一つを含有している
ことを特徴とする固体高分子電解質膜である。
【0014】上記第1の技術的手段による効果は、以下
のようである。
【0015】すなわち、炭化水素系側鎖に含有された酸
化防止剤が該炭化水素系側鎖の熱による酸化を防止して
いるので、固体高分子電解質膜が脆くなることを防止で
き、耐熱性・耐久性に優れた固体高分子電解質膜ができ
る。
【0016】上記技術的課題を解決するために、本発明
の請求項2において講じた技術的手段(以下、第2の技
術的手段と称する。)は、前記アミン系酸化防止剤の添
加量が前記炭化水素系側鎖100重量部に対して0.0
5〜1重量部であることを特徴とする請求項1記載の固
体高分子電解質膜である。
【0017】上記第2の技術的手段による効果は、以下
のようである。
【0018】すなわち、前記アミン系酸化防止剤の添加
量が0.05重量部より少ないと酸化防止効果が不十分
であり、前記アミン系酸化防止剤の添加量が1重量部よ
り多いと該アミン系酸化防止剤が主鎖のラジカルと反応
してしまい、グラフト重合反応が阻害され良好な電解質
膜が得られないので、前記アミン系酸化防止剤の添加量
が第2の技術的手段の範囲にあることにより水素イオン
導電性が高くかつ耐熱性・耐久性に優れた固体高分子電
解質膜が得られる効果を有する。
【0019】上記技術的課題を解決するために、本発明
の請求項3において講じた技術的手段(以下、第3の技
術的手段と称する。)は、前記フェノール系酸化防止剤
の添加量が前記炭炭化水素系側鎖100重量部に対して
0.05〜1重量部であることを特徴とする請求項1記
載の固体高分子電解質膜である。
【0020】上記第3の技術的手段による効果は、以下
のようである。
【0021】すなわち、請求項2と同様、前記フェノー
ル系酸化防止剤の添加量が0.05重量部より少ないと
酸化防止効果が不十分であり、前記フェノール系酸化防
止剤の添加量が1重量部より多いと該フェノール系酸化
防止剤が主鎖のラジカルと反応してしまい、グラフト重
合反応が阻害され良好な電解質膜が得られないので、前
記フェノール系酸化防止剤の添加量が第5の技術的手段
の範囲にあることにより水素イオン導電性が高くかつ耐
熱性・耐久性に優れた固体高分子電解質膜が得られる効
果を有する。
【0022】上記技術的課題を解決するために、本発明
の請求項4において講じた技術的手段(以下、第4の技
術的手段と称する。)は、前記炭化フッ素系ビニルモノ
マーと炭化水素系ビニルモノマーとの共重合体が
【0023】
【化1】
【0024】(R:フッ素原子または炭素数1〜3の
フルオロアルキル基、R:水素原子または炭素数1〜
3のアルキル基、m:1以上の整数、n:1以上の整
数)であることを特徴とする請求項1記載の固体高分子
電解質膜である。
【0025】上記第4の技術的手段による効果は、以下
のようである。
【0026】すなわち、炭化フッ素系ビニルモノマーと
炭化水素系ビニルモノマーとの共重合体はフッ素化され
た部位とフッ素化されていない部位の両方が存在するの
で、主鎖切断型ラジカルと分子間架橋型ラジカルとが同
時に生成することにより、適度にラジカルを生成させつ
つ膜の強度を保つことができ、水素イオン伝導性が高く
かつ強度が高い固体高分子電解質膜ができる。
【0027】上記技術的課題を解決するために、本発明
の請求項5において講じた技術的手段(以下、第5の技
術的手段と称する。)は、前記炭化水素系側鎖が
【0028】
【化2】
【0029】(R、R、R:水素原子または炭素
数1〜3のアルキル基、s:1以上の整数、t:0また
は1以上の整数)であることを特徴とする請求項1記載
の固体高分子電解質膜である。
【0030】上記第5の技術的手段による効果は、以下
のようである。
【0031】すなわち、上記の炭化水素系側鎖中のベン
ゼンスルホン酸は水の存在下でHを容易に解離するの
で、水素イオン伝導性が高く発電特性に優れた固体高分
子電解質膜ができる。
【0032】上記技術的課題を解決するために、本発明
の請求項6において講じた技術的手段(以下、第6の技
術的手段と称する。)は、請求項1から5のいずれかに
記載の固体高分子電解質膜を電極で挟持した固体高分子
電解質膜と電極の接合体をセパレータで挟持したことを
特徴とする燃料電池である。
【0033】上記第6の技術的手段による効果は、以下
のようである。
【0034】すなわち、耐熱性・耐久性に優れた固体高
分子電解質膜を用いているので、耐久性に優れた燃料電
池ができる。
【0035】
【発明の実施の形態】本発明は炭化水素系側鎖にアミン
系酸化防止剤またはフェノール系酸化防止剤を固定して
いるので、熱による酸化防止剤の揮散、有機溶剤、熱水
による酸化防止剤の抽出が無い。このため酸化防止剤の
効果が充分に発揮できるので、固体高分子電解質膜の熱
による酸化劣化が生じない。
【0036】説明を簡単にするため、炭化フッ素系ビニ
ルモノマーと炭化水素系ビニルモノマーとの共重合体と
してエチレンー四フッ化エチレン共重合体を用いて説明
する。該エチレンー四フッ化エチレン共重合体は化学式
(1)で表される。
【0037】
【化3】
【0038】n,mは正の整数である。
【0039】このエチレンー四フッ化エチレン共重合体
に放射線を照射するとエチレン基の一部にラジカルが生
成し、さらにそのラジカルが酸素と反応してパーオキシ
ラジカルとなる。それを化学式(2)で表した。
【0040】
【化4】
【0041】m1,m2は正の整数である。
【0042】以下の説明では、前記化学式(2)を化学
式(3)で表す。
【0043】
【化5】
【0044】これが炭化フッ素系ビニルモノマーと炭化
水素系ビニルモノマーとの共重合体で形成された主鎖で
ある。
【0045】
【化6】
【0046】反応式(4)は熱によって炭化水素系側鎖
にパーオキシラジカルが生成する反応である。一番左辺
は前記主鎖にスルホン酸基を有する炭化水素系側鎖が付
いている固体高分子電解質膜の構造を表している。ここ
では前記炭化水素系側鎖を形成するグラフト材料として
スチレンモノマーを用いたもので表している。
【0047】該固体高分子電解質膜に熱が加わるとスチ
レン基の一部にラジカルが生成する。このラジカルは酸
素によりパーオキシラジカルに変化する。以下このパー
オキシラジカルをROO・で表して説明する。このRO
O・は反応式(5)〜(7)の連鎖成長反応を起こし、
R・およびRO・が増殖する。
【0048】 ROO・ + RH → ROOH + R・ ・・・(5) ROOH → RO・ + ・OH ・・・(6) R・ + O → ROO・ ・・・(7) この連鎖成長反応は反応式(8)〜(11)の連鎖停止
反応により停止する。
【0049】 R・ + R・ → R−R ・・・(8) RO・ + RO・ → ROOR ・・・(9) R・ + RO・ → ROR ・・・(10) R・ + ・OH → ROH ・・・(11) 上記の反応式(8)〜(10)の反応により架橋が多数
を形成されるので、この固体高分子電解質膜は硬くなり
脆くなる。
【0050】炭化水素系側鎖に酸化防止剤を含有させる
と上記の連鎖反応が酸化防止剤により早く停止され架橋
の生成を防止するので、固体高分子電解質膜が脆くなる
のを防止することができる。前記酸化防止剤としてフェ
ノール系酸化防止剤、アミン系酸化防止剤がある。
【0051】前記フェノール系酸化防止剤としては、ス
チレン化フェノール、2,6−ジ−t−ブチル−4−メ
チルフェノール、4,4’−チオビス(3−メチル−6
−t−ブチルフェノール)、ビス(3−メチル−4−ヒ
ドロキシ−5−t−ブチルベンジル)スルフィド、1,
1’−ビス(4−ヒドロキシフェニル)−シクロヘキサ
ン、2,5−ジ−t−ブチルヒドロキノン、2,5−ジ
−t−アミルヒドロキノン、2,2’−メチレンビス
(4−メチル−6−t−ブチルフェノール、2,2’−
メチレンビス(4−エチル−6−t−ブチルフェノー
ル、4,4’−ブチリデンビス(3−メチル−6−t−
ブチルフェノール)、4,4’−メチレンビス(2,6
−ジ−t−ブチルフェノール)、2,2−チオ〔ジエチ
ル−ビス−3(3,5−ジ−t−ブチル−4−ヒドロキ
シフェノール)プロピオネート〕、テトラキス〔メチレ
ン−3(3,5−ジ−t−ブチル−4−ヒドロキシフェ
ノール)プロピオネート〕メタン、1,3,5−トリメ
チル−2,4,6−トリス(3,5−ジ−t−ブチル−
4−ヒドロキシベンジル)ベンゼン、1,1,3−トリ
ス(2−メチル−4−ヒドロキシ−5−t−ブチルフェ
ニル)ブタン、n−オクタデシル−3−(4’−ヒドロ
キシ−3’5’−ジ−t−ブチルフェノール)プロピオ
ネート、6−(4−ヒドロキシ−3,5−ジ−t−ブチ
ルアニリノ)−2,4−ビス−オクチル−チオ−1,
3,5−トリアジンが挙げられる。
【0052】前記アミン系酸化防止剤としては、フェニ
ル−α−ナフチルアミン、フェニル−β−ナフチルアミ
ン、P−(P−トルエン・スルホニルアミド)−ジフェ
ニルアミン、4,4’−(α,α−ジメチルベンジル)
−ジフェニルアミン、4,4’−ジオクチル−ジフェニ
ルアミン、P,P’−ジオクチル−ジフェニルアミン、
アルキル化ジフェニルアミン、N,N’−ジフェニル−
P−フェニレンジアミン、N−イソプロピル−N’−フ
ェニル−P−フェニレンジアミン、N,N’−ジナフチ
ル−P−フェニレンジアミン、N−シクロヘキシル−
N’−フェニル−P−フェニレンジアミン、N−フェニ
ル−N’−(3−メタクリロイルオキシ−P−フェニレ
ンジアミン、N,N’−ビス(1−メチルヘプチル)−
P−フェニレンジアミン、N,N’−ビス(1,4−ジ
メチルペンチル)−P−フェニレンジアミン、N,N’
−ビス(1−エチル−3−メチルペンチル)−P−フェ
ニレンジアミン、N−(1,3−ジメチルブチル)−
N’−フェニル−P−フェニレンジアミンが挙げられ
る。
【0053】以下、フェノール系酸化防止剤、アミン系
酸化防止剤について、それぞれスチレン化フェノール、
N,N’−ジフェニル−P−フェニレンジアミンを用
いた場合について説明する。炭化水素系側鎖を形成する
材料としてはスチレンモノマーを使用した。
【0054】反応式(12)は炭化水素系側鎖の末端に
酸化防止剤のスチレン化フェノールが結合する反応を示
している。
【0055】
【化7】
【0056】主鎖である前記化学式(3)にスチレン基
がラジカル連鎖反応でn個結合した末端にスチレン化フ
ェノールが結合している。このスチレン基にスルホン酸
を結合させると固体高分子電解質膜になる。
【0057】反応式(13)〜(15)により熱により
生成したパーオキシラジカルROO・を架橋を生成する
ことなく消滅させることができる。
【0058】
【化8】
【0059】
【化9】
【0060】
【化10】
【0061】反応式(13)により炭化水素系側鎖の末
端に結合しているスチレン化フェノール基のOHはO・
ラジカルになり、前記パーオキシラジカルはROOHに
なるので架橋は形成されない。O・ラジカルを持つスチ
レン化フェノール基は直ちに反応式(14)のように変
化し、反応式(15)によりもう一つの前記パーオキシ
ラジカルを安定化する。
【0062】このようにフェノール系酸化防止剤が炭化
水素系側鎖に含有されていると、熱により生成したパー
オキシラジカルの連鎖反応を防止し架橋の生成を防止す
るので、固体高分子電解質膜が脆くなることを防止する
ことができる。
【0063】しかし、酸化防止剤の添加量が多すぎる
と、炭化水素系側鎖を形成する反応において、反応式
(16)により主鎖のラジカルを消滅させ炭化水素系側
鎖の形成を妨害するので、イオン交換基が非常に少なく
なり固体高分子電解質膜ができなくなる。
【0064】
【化11】
【0065】反応式(17)は炭化水素系側鎖の末端に
酸化防止剤のN,N’−ジフェニル−P−フェニレンジ
アミンが結合する反応を示している。
【0066】
【化12】
【0067】主鎖である前記化学式(3)にスチレン基
がラジカル連鎖反応でk個結合した末端にN,N’−ジ
フェニル−P−フェニレンジアミンが結合している。こ
のスチレン基にスルホン酸を結合させると固体高分子電
解質膜になる。
【0068】反応式(18)、(19)により熱により
生成したパーオキシラジカルROO・を架橋を生成する
ことなく消滅させることができる。
【0069】
【化13】
【0070】
【化14】
【0071】反応式(18)により炭化水素系側鎖の末
端に結合しているN,N’−ジフェニル−P−フェニレ
ンジアミン基の中央のベンゼン環がラジカル化し、前記
パーオキシラジカルはROOHになるので架橋は形成さ
れない。ラジカル化したベンゼン環を持つN,N’−ジ
フェニル−P−フェニレンジアミン基は、反応式(1
9)によりもう一つの前記パーオキシラジカルをROO
Hに変え安定化する。
【0072】このようにアミン系酸化防止剤が炭化水素
系側鎖に含有されていると、熱により生成したパーオキ
シラジカルの連鎖反応を防止し架橋の生成を防止するの
で、固体高分子電解質膜が脆くなることを防止すること
ができる。
【0073】しかし、酸化防止剤の添加量が多すぎる
と、炭化水素系側鎖を形成する反応において、反応式
(20)により主鎖のラジカルを消滅させ炭化水素系側
鎖の形成を妨害するのでイオン交換基が非常に少なくな
り固体高分子電解質膜ができなくなる。
【0074】
【化15】
【0075】以下、本発明の実施例について説明する。
以下の実施例、比較例では固体高分子電解質膜の原料と
して、炭化フッ素系ビニルモノマーと炭化水素系ビニル
モノマーとの共重合体であるエチレンー四フッ化エチレ
ン共重合体のフィルムを使用している。該フィルムの厚
さは50μmである。このエチレンー四フッ化エチレン
共重合体が製造された固体高分子電解質膜の炭化フッ素
系ビニルモノマーと炭化水素系ビニルモノマーとの共重
合体で形成された主鎖となる。
【0076】(実施例1)エチレンー四フッ化エチレン
共重合体のフィルムをアセトンで洗浄した後、放射線源
としてコバルト60を用いて5KGyのガンマ線を照射
した。得られたフィルム10cmをガラス反応管に入
れた後、スチレンモノマー100gに対してスチレン化
フェノールを0.05、0.5、1g添加したグラフト
反応液を各反応管に加え、反応管の内部を充分に窒素で
置換した。
【0077】その後、かかる反応管を60℃の恒温槽に
19時間浸漬した。反応後のフィルムをベンゼンで3回
洗浄した後、乾燥機を用いて乾燥させた。乾燥後のフィ
ルムをクロロスルホン酸30部(重量部、以下同様)と
1、1、2、2−テトラクロロエタン70部の混合液に
室温で30分間浸漬させた後、1、1、2、2−テトラ
クロロエタンで洗浄した。さらにイオン交換水でフィル
ムを洗浄し、2Nの水酸化カリウム水溶液で100℃で
30分間浸漬させ、その後1Nの硫酸溶液に100℃で
30分間浸漬させ、イオン交換水で充分に洗浄して固体
高分子電解質膜を得た。
【0078】得られた固体高分子電解質膜の耐熱耐久性
の評価を100℃に放置した後の引張強度を測定して行
った。ここでいう引張強度とは試料幅当たりの破断荷重
で、単位はkg/cmである。引張強度の試料形状はJ
IS K−6251の6号形ダンベルで、引張速度は5
0mm/minである。引張強度の測定は固体高分子電
解質膜を100℃に放置した時間が200時間ごとに行
った。耐熱耐久性評価前の引張強度の測定は製造した固
体高分子電解質膜を100℃で1時間乾燥させ水分を除
去した後に行った。
【0079】(実施例2)スチレン化フェノールの替わ
りにN,N’−ジフェニル−P−フェニレンジアミンを
用いた以外は実施例1と同じ方法で固体高分子電解質膜
を得た。すなわち、本実施例2のグラフト反応液は、ス
チレンモノマー100gに対してN,N’−ジフェニル
−P−フェニレンジアミンを0.05、0.5、1g添
加したものである。得られた固体高分子電解質膜の耐熱
耐久性の評価は実施例1と同じ方法で行った。
【0080】(比較例1)グラフト反応液に添加するス
チレン化フェノールの添加量が異なる以外は実施例1と
同じ方法で固体高分子電解質膜を得た。すなわち、本比
較例1のグラフト反応液は、スチレンモノマー100g
に対してスチレン化フェノールを添加しないものおよび
0.03、1.5g添加したものである。スチレン化フ
ェノールの添加量が1.5gのグラフト反応液を用いた
ものはエチレンー四フッ化エチレン共重合体とスチレン
モノマーが反応せず固体高分子電解質膜が得られなかっ
た。得られた固体高分子電解質膜の耐熱耐久性の評価は
実施例1と同じ方法で行った。
【0081】(比較例2)グラフト反応液に添加する
N,N’−ジフェニル−P−フェニレンジアミンの添加
量が異なる以外は実施例2と同じ方法で固体高分子電解
質膜を得た。すなわち、本比較例2のグラフト反応液
は、スチレンモノマー100gに対してN,N’−ジフ
ェニル−P−フェニレンジアミンを添加しないものおよ
び0.03、1.5g添加したものである。 N,N’
−ジフェニル−P−フェニレンジアミンの添加量が1.
5gのグラフト反応液を用いたものはエチレンー四フッ
化エチレン共重合体とスチレンモノマーが反応せず固体
高分子電解質膜が得られなかった。得られた固体高分子
電解質膜の耐熱耐久性の評価は実施例1と同じ方法で行
った。
【0082】(耐熱耐久性評価結果)図1はスチレン化
フェノールの添加量を変えた実施例1および比較例1の
耐熱耐久性評価結果である。固体高分子電解質膜の引張
強度はスチレン化フェノール添加量が0、0.03gの
比較例1では200時間放置で40%以上減少するのに
対し、該添加量が0.05、0.5、1gの実施例1で
は1000時間放置してもほとんど変化が見られなかっ
た。
【0083】図2はN,N’−ジフェニル−P−フェニ
レンジアミンの添加量を変えた実施例2および比較例2
の耐熱耐久性評価結果である。固体高分子電解質膜の引
張強度はN,N’−ジフェニル−P−フェニレンジアミ
ン添加量が0.03gの比較例2では200時間放置で
約50%減少するのに対し、該添加量が0.05、0.
5、1gの実施例2では1000時間放置してもほとん
ど変化が見られなかった。
【0084】上記の結果からわかるように、実施例の固
体高分子電解質膜は比較例に比べ耐熱耐久性に優れてい
ることがわかった。なお、本実施例では炭化フッ素系ビ
ニルモノマーと炭化水素系ビニルモノマーとの共重合体
で形成された主鎖としてエチレンー四フッ化エチレン共
重合体で形成された主鎖を用いているが、特にこれに限
定されず他の炭化フッ素系ビニルモノマーと炭化水素系
ビニルモノマーとの共重合体でも同様な効果が得られ
る。
【0085】また炭化水素系側鎖を形成するのにスチレ
ンモノマーを用いているが、他の炭化水素系モノマーを
用いて該炭化水素系側鎖を形成しても同じ効果が得られ
る。さらに酸化防止剤としてスチレン化フェノール、
N,N’−ジフェニル−P−フェニレンジアミンを用い
ているが、他のフェノール系酸化防止剤、アミン系酸化
防止剤でも同様な効果が得られる。
【0086】
【発明の効果】以上のように、本発明は、炭化フッ素系
ビニルモノマーと炭化水素系ビニルモノマーとの共重合
体で形成された主鎖とスルホン酸基を有する炭化水素系
側鎖とから構成されている固体高分子電解質膜におい
て、前記炭化水素系側鎖にアミン系酸化防止剤、フェノ
ール系酸化防止剤のうち少なくとも一つを含有したこと
を特徴とする固体高分子電解質膜および該固体高分子電
解質膜を電極で挟持した固体高分子電解質膜と電極の接
合体をセパレータで挟持したことを特徴とする燃料電池
であるので、熱による酸化を防止した耐熱性・耐久性に
優れた固体高分子電解質膜および耐久性に優れた燃料電
池を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】スチレン化フェノールの添加量を変えた実施例
1および比較例1の耐熱耐久性評価結果
【図2】N,N’−ジフェニル−P−フェニレンジアミ
ンの添加量を変えた実施例2および比較例2の耐熱耐久
性評価結果
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) H01M 8/10 H01M 8/10 // C08F 8/34 C08F 8/34 Fターム(参考) 4J002 BD131 BD151 BD171 BN031 EJ016 EJ036 EJ046 EN066 EN076 EN086 EN096 EU186 EV076 EV236 EV286 FD076 GQ00 4J100 AA02Q AA03Q AA04Q AA07Q AC22P AC26P AC27P BA03H BA43H BA56H CA04 CA31 HA55 HA61 HC01 JA15 5G301 CA30 CD01 5H026 AA06 CX05 EE19 HH05

Claims (6)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 炭化フッ素系ビニルモノマーと炭化水素
    系ビニルモノマーとの共重合体で形成された主鎖とスル
    ホン酸基を有する炭化水素系側鎖とから構成されている
    固体高分子電解質膜において、前記炭化水素系側鎖にア
    ミン系酸化防止剤、フェノール系酸化防止剤のうち少な
    くとも一つを含有していることを特徴とする固体高分子
    電解質膜。
  2. 【請求項2】 前記アミン系酸化防止剤の添加量が前記
    炭化水素系側鎖100重量部に対して0.05〜1重量
    部であることを特徴とする請求項1記載の固体高分子電
    解質膜。
  3. 【請求項3】 前記フェノール系酸化防止剤の添加量が
    前記炭炭化水素系側鎖100重量部に対して0.05〜
    1重量部であることを特徴とする請求項1記載の固体高
    分子電解質膜。
  4. 【請求項4】 前記炭化フッ素系ビニルモノマーと炭化
    水素系ビニルモノマーとの共重合体が 【化1】 (R:フッ素原子または炭素数1〜3のフルオロアル
    キル基、R:水素原子または炭素数1〜3のアルキル
    基、m:1以上の整数、n:1以上の整数)であること
    を特徴とする請求項1記載の固体高分子電解質膜。
  5. 【請求項5】 前記炭化水素系側鎖が 【化2】 (R、R、R:水素原子または炭素数1〜3のア
    ルキル基、s:1以上の整数、t:0または1以上の整
    数)であることを特徴とする請求項1記載の固体高分子
    電解質膜。
  6. 【請求項6】 請求項1から5のいずれかに記載の固体
    高分子電解質膜を電極で挟持した固体高分子電解質膜と
    電極の接合体をセパレータで挟持したことを特徴とする
    燃料電池。
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