JP2000218526A - 平面研磨装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 ２段階研磨を高速に行える平面研磨装置を提
供する。 【解決手段】 回転軸５１周りに回転するカルーセル５
２の１２０度等配位置にそれぞれアーム軸５３周りに回
転し、アーム軸５３に対し１８０度対称に伸びる回転ア
ーム５４を設け、回転アーム５４の両端には釣り下げ状
ウェーハヘッド５５を設け、さらに回転軸５１に対して
１２０度対称位置の内の2個所をポリシングステーショ
ンとし、残り１個所を移送ステーションとし、それぞれ
のポリシングステーションには１対の回転プラーテン５
７と１対の洗浄バス５８とをウェーハヘッド５５に対応
した位置に設け、移送ステーションにはウェーハヘッド
５５へのウェーハ５６の載せ替え機能と、好ましくはウ
ェーハの洗浄機能を備える。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】この発明は、半導体ウェーハ
等板状材のケミカルメカニカルポリシング（化学機械的
研磨）やメカニカル研磨のような平面研磨を１段階研磨
や２段階研磨で行う装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】集積回路は、典型的には、導電膜層、半
導体膜層及び絶縁膜層等を堆積及びエッチングによりパ
ターニングすることにより、ウェーハ（最も一般的には
半導体ウェーハ＝以下ウェーハ）の上に形成される。堆
積物層の堆積及びエッチングを連続して行う際は、ウェ
ーハの最も上の面、即ち最上層の露出面には次第に、凹
凸の多い立体形状が現れる。これは、最上膜層の高さ、
即ちこれらの層の最上面とウェーハの表面との間の距離
が、エッチングが一番なされなかった場所では最も大き
く、エッチングが一番なされた場所では最も小さいため
に生じるものである。

【０００３】このような表面の非平坦性が集積回路の製
造者には問題となる。エッチングのステップは、典型的
には、ウェーハの露出面にレジスト層を配設した後、レ
ジストの一部を選択的に除去して係る層にエッチングパ
ターンを与えることによりなされる。層が平坦でなけれ
ば、レジスト層をパターニングするフォトリソグラフィ
ーにおけるフォーカス合せが困難となる。従って、ウェ
ーハ表面を平坦化し、リソグラフィーのために層表面の
平坦性を復活させる必要性がある。

【０００４】ケミカルメカニカルポリシング（ＣＭＰ）
は、そのための１方法である。この平坦化の方法では、
典型的には、ウェーハをウェーハヘッドにウェーハの研
磨しようとする面が露出するように設置することが必要
である。このヘッドに支持されたウェーハは、回転する
ポリシングパッドに対して配置される。ウェーハを保持
するヘッドも回転させて、ウェーハとポリシングパッド
表面との間に更に運動を加えてもよい。更に、研磨スラ
リ（典型的には、研磨材及び少なくとも１つの化学反応
性剤とを有し、これらはウェーハの最上膜層の研磨を促
進するように選択される）をパッドに供給する。酸化物
層等研磨される材質に応じて、スラリの構成が選ばれ
る。

【０００５】ポリシングパッドの特性も同様に選ばれ、
特定のスラリの混合物と、その他の研磨のパラメータに
より、特定の研磨特性を与えることができる。ウェーハ
とパッドの相対速度やウェーハをパッドへ押圧する力を
始めとする、その他の研磨パラメータが、研磨速度や仕
上り、平坦性に影響を与える。所定の材料に対して選択
される実際のポリシングパッド、スラリ、その他のパラ
メータの組合わせは、装置におけるウェーハスループッ
トのかなりの部分を決めてしまう研磨速度と、ウェーハ
表面に望まれる仕上りとの間の兼合いをもとに決められ
る。

【０００６】スループットを速くし、かつ色々な研磨条
件に対応する装置として特開平９−１７４４２０号公報
に提案がある。その概要を説明する（詳しくは公報を参
照されたい。）図２はその分解斜視図である。

【０００７】このポリシング装置は、下部機械ベース１
を有し、この上にテーブルトップ２と、一連のポリシン
グステーション３ａ、３ｂ及び３ｃとが装着される。図
に示されるようにフェンス４がテーブルトップ２を囲
み、ばら撒かれる液体及びスラリを収容して、これをテ
ーブルトップのドレイン（図示せず）を介して排水す
る。

【０００８】ポリシングステーション３ａ、３ｂ及び３
ｃのそれぞれが、ポリシングパッド５を自身の上に配置
した回転プラーテン６を有しており、また更に、関連し
たパッドコンディショナー装置７ａ、７ｂ及び７ｃを有
しており、コンディショナー装置のそれぞれは、コンデ
ィショナーヘッド８を保持する回転アーム９と、コンデ
ィショナーヘッド８のそれぞれのための洗浄ベイズン１
０とを有している。また、ベース１は、３つのポリシン
グステーション３ａ、３ｂ及び３ｃと正方形の関係で配
置される移送ステーション１１を支持している。移送ス
テーション１１は多数の機能を有しており、これら機能
とは、個々のウェーハを搬送装置（図示せず）から受容
する機能と、場合によりこれらをリンスする機能と、研
磨中これらを保持するウェーハヘッド（詳細は後述）に
これらを渡す機能と、ウェーハをウェーハヘッドから受
容する機能と、これらを洗浄する機能と、最後にこれら
を搬送装置（図示せず）へ戻す機能とである。またこれ
は、ウェーハが搬出された後にウェーハヘッドを洗浄す
る機能も有する。

【０００９】２つの洗浄ステーション１２ａ及び１２ｂ
が、ポリシングステーション３ａ、３ｂ及び３ｃの中の
隣接し合う同士の間に配置され、第３の洗浄ステーショ
ン１２ｃが、末端のポリシングステーション３ｃと移送
ステーション１１との間に配置される。これらにより、
ウェーハがポリシングステーションからポリシングステ
ーションへそして移送ステーション１１へと通過する間
に、ウェーハをリンスする。

【００１０】回転マルチヘッドカルーセル１３は、４つ
のウェーハヘッドシステム１４ａ、１４ｂ、１４ｃ及び
１４ｄを有しており、これらは、ウェーハを受容して保
持し、そして、これらを、ポリシングステーション３
ａ、３ｂ及び３ｃのそれぞれのプラーテン６上に保持さ
れるポリシングパッド５それぞれに対して押圧すること
により、研磨がなされる。カルーセル１３は、中心ポス
ト１５上で支持され、ベース１内部に配置されたモータ
ー組立体によって、カルーセル軸の周りに回転する。

【００１１】４つのウェーハヘッドシステム１４ａ、１
４ｂ、１４ｃ及び１４ｄは個々に、カルーセル支持板１
６に、カルーセル軸１７の周りに等角度の間隔で、取り
付けられている。中心ポスト１５は、カルーセル支持板
１６をその中心に支持し、カルーセルモーター（図示せ
ず）によって、カルーセル支持板１６と、ウェーハヘッ
ドシステム１４ａ、１４ｂ、１４ｃ及び１４ｄと、これ
に付随するウェーハとを、カルーセル軸１７の周りに回
転させる。

【００１２】ウェーハヘッドシステム１４ａ、１４ｂ、
１４ｃ及び１４ｄのそれぞれは、ウェーハヘッド１８を
有しており、これは、シャフトによってこれに接続され
たヘッド回転モーター１９により、自身の軸の周りに回
転する。ヘッド１８は、それ専用のヘッド回転モーター
１９（図には、カルーセルクオーターカバー２０の１つ
を取り外して示されている）による駆動を受けて回転す
ることが可能であり、また、更に、カルーセル支持板１
６に形成されたスロット２１の中を放射方向に、別個独
立して往復運動をすることが可能である。ウェーハヘッ
ド１８の底部に付いているウェーハの昇降がウェーハヘ
ッドシステム１４の中で行われる。ウェーハヘッド１８
がウェーハを受容して研磨及び洗浄のためにウェーハを
配置させるために要する垂直ストロークは、ウェーハヘ
ッド１８の中に収められている。

【００１３】実際の研磨中に、これらウェーハヘッドシ
ステムのうち３つ（例えば１４ａ、１４ｂ及び１４ｃ）
のウェーハヘッド１８が、ポリシングステーション３
ａ、３ｂ及び３ｃのそれぞれのところの上方に配置さ
れ、ポリシングステーションのそれぞれはポリシングパ
ッド５の表面がウェーハの研磨のための媒体として作用
する研磨スラリでウェットな状態になっている。ポリシ
ングの最中は、ウェーハヘッドシステム１４ａ、１４ｂ
及び１４ｃは別個独立に、カルーセル１３のそれぞれの
半径に沿って往復運動をするため、それぞれのウェーハ
ヘッド１８がそれぞれのポリシングパッド５の直径に沿
って別個独立に往復運動をする。

【００１４】使用に際しては、例えば第４のウェーハヘ
ッドシステム１４ｄは、最初は、ウェーハ移送ステーシ
ョン１１の上方に配置されている。カルーセル１３が回
転したとき、ウェーハヘッドシステム１４ａ、１４ｂ、
１４ｃ及び１４ｄをそれぞれ、ポリシングステーション
３ｂ、３ｃ、移送ステーション１１並びにポリシングス
テーション３ａの上方に配置させる。カルーセル１３に
より、ウェーハヘッドシステム１４のそれぞれが、先
ず、移送ステーション１１の上方に順に配置された後、
ポリシングステーション３の１つ以上上方に配置され、
そして、移送ステーション１１に戻される。

【００１５】ポリシングパッド５のそれぞれは、パッド
コンディショナー装置７の１つにより、連続的又は間欠
的にコンディショニング（調整）を受け、パッドコンデ
ィショナー装置のそれぞれは、コンディショナーアーム
９に取り付けられた別個独立して回転するコンディショ
ナーヘッド８を有している。摩耗コンディショニングパ
ッド又は同様のコンディショニング面を、コンディショ
ナーヘッド８の底部に有していることが必要である。ア
ーム９は、ポリシングパッド５の中心と周縁の間の往復
運動により、それぞれのポリシングパッド５全面を、コ
ンディショナーヘッド８に掃引させる。コンディショナ
ーヘッド８は、パッド５に押圧されパッドを摩耗しコン
ディショニングを行う。

【００１６】この装置によれば、様々なタイプのポリシ
ングのシーケンスに用いることが出来るとされている。
ここで、インラインプロセスと、マルチステッププロセ
スと、バッチプロセスの３つが、主要なプロセスであ
る。

【００１７】１段階の研磨をインラインプロセスで行な
う場合は、ポリシングの操作を別々のポリシングステー
ション３での３つのステップに分け、これらステップは
実質的に等価である。同じタイプのポリシングパッドと
同じスラリが、３つのポリシングステーション３ａ、３
ｂ及び３ｃで用いられる。ウェーハヘッド１８が、ウェ
ーハを順に各ポリシングステーションへ運び、それぞれ
のポリシングステーションでは、ポリシングの全体の３
分の１が行われる。

【００１８】マルチステッププロセスでは、ポリシング
プロセスを多数の異なるプロセスに分割し、典型的に
は、徐々にポリシングを進めていく。例えば、第１のポ
リシングステーション３ａでは、ウェーハをラフにポリ
シングし、第２のポリシングステーション３ｂでは、細
密なポリシングを行い、第３のポリシングステーション
３ｃでは、ウェーハのバフ仕上を行う。バフ仕上は非常
に微妙なポリシングであり、主に、緩く付いている異物
を表面から取り去るものである。ポリシングの強さは、
スラリの組成、パッド材料、その他のポリシングの因子
によって変ってくる。しかし、マルチステッププロセス
は、３つのポリシングのステップ全てが同時間行われる
とは限らないので、内在的にスループットの問題を有し
ている。そこで短い時間で済むステップを研磨条件を調
節して長くして合わせたり、終了してウェーハヘッド１
８を上昇させて待機させたりする必要がある。

【００１９】バッチプロセスでは、それぞれのポリシン
グステーションで同時に複数のウェーハを完全にポリシ
ング完了する。３つのポリシングステーション３ａ、３
ｂ及び３ｃには、同じタイプのパッドが装着され同じタ
イプのスラリが供給され、ウェーハそれぞれのポリシン
グが１つのポリシングステーションで完結する。即ち、
ポリシングされていないウェーハが３つのポリシングス
テーションに同時に与えられる。

【００２０】インラインプロセスと、マルチステッププ
ロセスと、バッチプロセスとの違いは、明確に決められ
るものではなく、これらの１つ以上の特徴を有するプロ
セスを選択してもよい。例えば２つのポリシングステー
ション３ａ及び３ｂを用いて、等価なインライン又はバ
ッチのポリシングを行い、第３のポリシングステーショ
ン３ｃでは、マルチステップの細密なポリシングやバフ
を行ってもよいとされている。

【００２１】

【発明が解決しようとする課題】上記の装置によれば１
段階研磨をインラインプロセスで使用する場合は、ポリ
シング時間がある程度長くて移送ステーションにおいて
洗浄とウェーハの乗せ替がポリシングしている間に完了
するものとし、必要なポリシング時間をＴ１、カルーセ
ルの移動時間を無視しすれば４＊Ｔ１／３（＝ポリシン
グステーションの数）毎に４枚即ちＴ１／３毎に１枚仕
上がり問題はない。

【００２２】マルチステッププロセス例えば２段階ステ
ップの場合第１段階の必要ポリシング時間をＴ３、第２
段階での必要ポリシング時間をＴ４とし、Ｔ３＞Ｔ４＞
Ｔ３／２とするとポリシングステーション３ａ，３ｂは
第１段階に割り付け、ポリシングステーション３ｃは第
２段階に割り付けることとなる。そうすればポリシング
ステーション３ｂとポリシングステーション３ｃの間の
洗浄ステーション１２ｂでの充分な洗浄が必要である。
そこでポリシングステーション３ｂからポリシングステ
ーション３ｃへの移動時間と洗浄時間を含めてＴ５と
し、最後の洗浄とウェーハの乗せ替がポリシングしてい
る間に完了するものとし、またＴ４＞Ｔ３／２であるか
ら第１段階に待機時間Ｔｘが生ずる。この時間は集中的
に設けても分散して設けてもかまわないが最初に集中し
て設けるのが良い。そうすれば４＊Ｔ４＋４＊Ｔ５を周
期として４枚毎仕上がる。従って、Ｔ４＋Ｔ５毎に１枚
仕上がる。ウェーハヘッドが一体に移動するために中間
洗浄の時間Ｔ５がウェーハヘッドの移動毎に生ずるもの
である。

【００２３】１段階研磨のバッチプロセスに使用すると
他のウェーハヘッド１８のウェーハのポリシング中にウ
ェーハの着脱ができるウェーハヘッド１８は３個中１個
なのでウェーハの着脱の為に移送ステーション１１に移
動させねばならず、また洗浄の時間も別にもたねばなら
ずインラインプロセスで使用した方が能率が良い。

【００２４】そこでこの発明は汎用型ではあるがマルチ
ステッププロセス特に２段階ステップ研磨でのインデッ
クスを向上し、しかも１段階研磨を行なっても上記の装
置に遜色ないインデックスである平面研磨装置を提供す
る。

【００２５】

【課題を解決するための手段】上記の課題を解決するた
めにこの発明は略中央に配置され上下方向に向いた回転
軸に取り付けられて前記回転軸の回転により水平面での
回転を行なうカルーセルと、回転軸に対して１２０度等
配位置に設けられたアーム軸にそれぞれ取り付けられ１
８０度対称方向に延びてアーム軸の回転により水平面で
の回転を行なう回転アームと、これら回転アームそれぞ
れの両端対称位置につりさげるように取り付けられ、下
面に研磨される板状材を吸着保持すると共に前記回転ア
ームに対して上下動及び自転自在なウェーハヘッドと、
回転軸の回りを角度３等分してその２個所それぞれに設
けたポリシングステーションと、他の１個所に設けた移
送ステーションとを備え、前記ポリシングステーション
にはそこに配置された回転アームが所定角度位置にある
ときその両ウェーハヘッドそれぞれに対応した位置に回
転プラーテンが配置されると共に前記回転アームが別の
所定角度位置にあるときその両ウェーハヘッドに対応し
た位置に洗浄バスが配置され、前記移送ステーションは
供給された板状材を受け取り前記ウェーハヘッドに引き
渡すと共に処理の終わった板状材を前記ウェーハヘッド
から受け取る機能を有することを特徴とする平面研磨装
置を提供する。上記の構成によれば特に２段階研磨を行
う際に一方のポリシングステーションで第１段階の研磨
を行い他方のポリシングステーションで第２段階の研磨
を行いその間と第２段階の研磨後に洗浄が必要であるが
研磨時間に差があれば間の洗浄は短い研磨時間のポリシ
ングステーションで行なうように出来、研磨では待機と
なる時間を洗浄に当てることが出来る。さらに、移送ス
テーションに板状材の乗せ替えの機能のみならず研磨工
程が終了した板状材を洗浄する機能も持たせ他のウェー
ハヘッドがポリシングステーションにあって研磨や洗浄
を行っている間に移送ステーションにあるウェーハヘッ
ドに対して処理済みの板状材を洗浄して取り出し、新た
な板状材を与えるようにすれば第２段階の研磨後の洗浄
時間がサイクルからなくなり高速化する。そのためには
回転アームは互いに独立に回転動作すると共に、異なる
回転アームのウェーハヘッドは独立に上下動、自転動す
ることが必要である。さらに、回転プラーテンは独立し
て回転速度設定可能として研磨条件を独立に設定できる
ようにするのが好ましい。

【００２６】

【発明の実施の形態】この発明の一実施例を図面を用い
て説明する。図１はそれを概念的に示す平面図である。
このポリシング装置は略中央に配置され上下方向に向い
た回転軸５１に取り付けられ１２０度等配方向に延びて
回転軸５１の回転により水平面での回転を行なうカルー
セル５２を備える。そしてカルーセル５２が１２０度等
配に伸びる先端付近にはそれぞれアーム軸５３ａ，ｂ，
ｃに取り付けられ１８０度対称方向に延びてアーム軸５
３ａ，ｂ，ｃの回転により水平面での回転を行なう回転
アーム５４ａ，ｂ，ｃを備える。これらアーム軸５３
ａ，ｂ，ｃはカルーセル５２の回転中心に対して同一半
径位置とされる。そしてこれら回転アーム５４ａ，ｂ，
ｃは独立に回転動作を行なう。

【００２７】回転アーム５４ａ，ｂ，ｃそれぞれの両端
にはウェーハヘッド５５ａ１，ａ２，ｂ１，ｂ２，ｃ
１，ｃ２がつりさげるように取り付けられ、下面に板状
材の例として半導体ウェーハ（以下ウェーハ）５６を吸
着保持する。そして、回転アーム５４ａ，ｂ，ｃに対し
てポリシング時、洗浄時、移動時及びウェーハの授受の
際に高さ位置を変えるために上下動自在である。さら
に、ポリシングのために自転する。そして、これらウェ
ーハヘッド５５は回転アーム５４の回転中心から同一半
径に位置する。回転軸５１とアーム軸５４とはこれらウ
ェーハヘッド５５を回転により後述するポリシングステ
ーションに配置される回転プラーテンや洗浄バスに位置
させる。

【００２８】回転軸５１の回りを角度３等分して例えば
手前側を移送ステーションとし、右奥側，左奥側それぞ
れをポリシングステーション（兼洗浄ステーション）と
する。移送ステーションにはウェーハヘッド５５をそれ
ぞれ配置することができる半径位置にウェーハ５６の載
置場所を４個所備えて回転自在であって回転アーム５４
がカルーセル５２の半径方向に向いた時と、半径方向に
直角に向いた時とでウェーハヘッド５５にウェーハ載置
場所が対向するようにしたウェーハステージ５０を備え
る。

【００２９】ウェーハステージ５０は以下のような種々
の機能を有する。後述する移送装置により供給されたウ
ェーハ５６を受け取りウェーハヘッド５５に引き渡す。
ウェーハ５６を受け取る際は図１において手前側（図１
に表れている位置）で受け取り、それが１枚目であれば
１８０度回転して空のウェーハ載置場所を手前に位置さ
せる。そして処理の終わったウェーハ５６をウェーハヘ
ッド５５から受け取り後述する搬送装置に引き渡す。処
理済みのウェーハ５６を搬送装置に引き渡す際は同様に
手前側で引き渡し、それが１枚目であれば１８０度回転
して２枚目のウェーハ５６を手前に位置させて搬送装置
に引き渡す。そして、必要であれば研磨工程が終了した
ウェーハ５６がここに配置されウェーハヘッド５５から
はなれた状態で洗浄したり、処理済みのウェーハ５６は
なして空になったウェーハヘッド５５を洗浄する機能を
持たせても良い。

【００３０】２個所のポリシングステーション（兼洗浄
ステーション）にはそこに配置された回転アーム５４が
カルーセル５２の半径方向に対して例えば直角な方向に
向いたときそのウェーハヘッド５５に対応した位置に回
転プラーテン５７ａ１，５７ａ２，５７ｂ１，５７ｂ２
が配置される。ケミカルメカニカルポリシングの場合は
その上にはポリシングパッド（図示せず）が配される。
回転プラーテン５７の径はウェーハ５６の径に比較して
大きく、例えばウェーハ５６の直径よりも回転プラーテ
ン５７の半径の方が若干大きくなる程度とする。そして
回転プラーテン５７の中心はウェーハヘッド５５の中心
より外側にウェーハ５４の外周を越えてずれて配置され
ていて、研磨に際してウェーハ５６は回転プラーテン５
７の内側部分に押し付けられるようになっている。

【００３１】そして、回転アーム５４がカルーセル５２
の半径方向に向いたときそのウェーハヘッド５５に対応
した位置に洗浄バス５８ａ１，５８ａ２，５８ｂ１，５
８ｂ２が配置される。洗浄バス５８ａ１，ａ２，ｂ１，
ｂ２はウェーハヘッド５５がウェーハ５６を吸着保持し
た状態で洗浄するためのものでシャワー状に水を噴き上
げるものでも良く、容器の底から水が吹き上がってオー
バーフローするようなものでも良い。

【００３２】そして、各回転プラーテン５７ａ１，ａ
２，ｂ１，ｂ２に対応してパッドコンディショナー装置
（図示せず）が待避可能に設けられ研磨中若しくは研磨
を中断して回転プラーテン５７上に配置されたポリシン
グパッド（図示せず）を整え、不要時は待避する。

【００３３】そして、各回転プラーテン５７ａ１，ａ
２，ｂ１，ｂ２に対応してスラリ供給機構（図示せず）
が設けられ、そのノズル（図示せず）は回転プラーテン
５７上方でスラリを供給すると共に不要時は待避可能と
されている。

【００３４】そして供給側のウェーハキャリア５９を乗
せるローダ（図示せず）を備えてウェーハキャリア５９
を順次上昇又は降下させてウェーハ５６取り出すウェー
ハの高さ合わせを行う。この時ウェーハ５６の表面（研
磨する面）を上にしている。そして、取り出し側のウェ
ーハキャリア６０を乗せるアンローダ（図示せず）を備
えてウェーハキャリア６０を順次上昇又は降下させて取
り出したウェーハ５６を収納するための高さ出しを行な
う。

【００３５】さらに、ウェーハキャリア５９のウェーハ
５６を移送ステーションのウェーハステージ５０に置く
搬送装置（ロボットハンド）６１を備える。この供給側
搬送装置６１はウェーハ５６を裏面から吸着して搬送中
に表裏反転させてウェーハステージ５０に載置する。そ
して、取り出し側ウェーハキャリア６０の高さ出しされ
た位置にウェーハステージ５０に置かれた処理済のウェ
ーハ５６を移送収納する搬送装置（ロボットハンド）６
２を備える。この取り出し側搬送装置６２はウェーハス
テージ５０に表面を下側にして置かれたウェーハ５６を
上から吸着保持して搬送中に表裏反転させて表面を上に
してウェーハキャリア６０に挿入する。勿論１台の搬送
装置で双方兼ねることも可能である。

【００３６】この研磨装置は各回転アーム５４ａ，ｂ，
ｃは独立に動作してそれらのウェーハヘッド５５を回転
プラーテン５７や洗浄バス５８に配置出来る。しかしな
がら移送ステーション、各ポリシングステーション（洗
浄ステーションを兼ねる）間の移動はカルーセル５２の
回転によるものであるから同時の移動となる。そして各
回転プラーテン５７も独立に回転速度を制御できる。そ
して研磨動作に際しては各ウェーハヘッド５５はウェー
ハ５６を吸着して降下し回転プラーテン５７上に配置
し、ウェーハの研磨のための媒体として作用する研磨ス
ラリでウェットな状態になっているポリシングパッド
（図示せず）の表面に押し付ける。そして、ウェーハヘ
ッド５５は自転すると共に回転アーム５４の所定角度の
往復回転動作により回転プラーテン５７上をスイング動
作する。

【００３７】この装置によれば、１段プロセスと、２段
プロセスに使用可能である。１段プロセスでは、ポリシ
ングの操作を、各ポリシングステーションで同じ条件
（時間は異なっても良い）で２回に分けて処理するよう
に用いられる。同じポリシングステーションの２つのプ
ラーテンでは同じ条件（時間も同じ）で異なるウェーハ
が研磨される。同一処理であるからポリシングステーシ
ョン間の移動に際しては洗浄は不要である。最後の洗浄
は必要であるが、この洗浄を前述のように移送ステーシ
ョンで行なえるようにすればインデックスは速くなるが
この実施例ではポリシングステーションの洗浄バス５８
ｂ１，ｂ２で行なうものとして説明する。

【００３８】この装置による１段プロセスの動作を説明
する。洗浄時間をＴ５、ポリシング時間がある程度長く
てウェーハの乗せ替が各ポリシングステーションでのポ
リシング時間に比較して短いとし、必要なポリシング時
間をＴ１とすると、各ポリシングステーションでのウェ
ーハヘッド５５の滞在時間は（Ｔ１＋Ｔ５）／２とな
る。即ちこの時間毎にカルーセルは移動する。現在ウェ
ーハヘッド５５ａ１，２は前のウェーハの処理が終わ
り、まだウェーハを保持した状態である。その他のウェ
ーハヘッド５５ｂ１，２、ｃ１，２はそれぞれウェーハ
５６を保持しているとする。また移動の時間は無視す
る。

【００３９】（１）まずウェーハヘッド５５ａ１，２の
ウェーハの乗せ替を行なう。即ちカルーセル５２と回転
アーム５４ａの回転動作により回転アーム５４ａがカル
ーセル５２の半径方向に直角な姿勢でウェーハヘッド５
５ａ１，２が移送ステーションのウェーハステージ５０
上に移動する。ウェーハステージ５０上面の４個所のウ
ェーハ載置場所の内カルーセル５２の半径方向に配置さ
れた２個所には予め未処理のウェーハが乗っており、カ
ルーセル５２の半径方向に直角な方向に配置された２個
所は空いている。そこへウェーハヘッド５５ａ１，２が
降下し処理済のウェーハ５６を置き、その後上昇し、そ
の間にウェーハステージ５０が９０度回転して未処理の
ウェーハをウェーハヘッド５５ａ１，２に対応した位置
にする。そうするとウェーハヘッド５５ａ１，２が降下
し未処理のウェーハを吸着して再度上昇する。その間取
り出し側搬送装置６２がその処理済みのウェーハ５６を
取り出し側ウェーハキャリア６０に詰める。その後ウェ
ーハステージ５０が１８０度回転して２枚目の処理済ウ
ェーハを乗せ替位置に持ってきて同様にウェーハキャリ
ア６０に詰める。そうすると供給側搬送装置６１が未処
理のウェーハ５６をウェーハステージ５０の乗せ替位置
にあるウェーハ載置場所に置き、ウェーハステージ５０
が１８０度回転して同様に２枚目のウェーハを置く。こ
のようにして双方のウェーハヘッド５５ａ１，２がウェ
ーハを保持し、ウェーハステージ５０が２枚のウェーハ
を保持して所定の時間が過ぎてカルーセル５２が動くの
を待つ。（時間Ｔ１＋Ｔ５）／２） （２）時間がくればカルーセルが回転してウェーハホル
ダ５５ａ１，２を回転プラーテン５７ａ１，２位置さ
せ、ウェーはホルダ５５ａ１，２が降下し、ウェーハ５
６を上面にポリシングパッド（図示せず）を配置して回
転している回転プラーテンに押し付けて所定時間のポリ
シングが行われる。その間ウェーハヘッド５３ａは自転
すると共に回転アーム５２の動きによりスイング動作す
る。（時間（Ｔ１＋Ｔ５）／２） （３）所定時間のポリシングが終わればウェーハヘッド
５５ａ１，２が上昇してカルーセル５２の回転動作によ
り次の回転プラーテン５７ｂ１，２上に移動して降下し
所定時間（Ｔ１−（Ｔ１＋Ｔ５）／２）＝Ｔ１／２−Ｔ
５／２のポリシングが行われる。 （４）次にウェーハヘッド５５ａ１，２が上昇して回転
アーム５４ａの９０度回転により洗浄バス５８ｂ１，２
上に位置し、降下してウェーハの洗浄が行われる。（時
間Ｔ５） 以上によりウェーハヘッド５５ａ１，２における１サイ
クルが終了し以後この動作を繰り返す。その間ウェーハ
ヘッド５５ｂ１，２、５５ｃ１，２でも同様にポリシン
グが行われるが各１／３周期ずれた動作をする。そうす
ればウェーハヘッド５５ａ１，２の１サイクルの間に他
のウェーハヘッドはそれぞれ１枚のウェーハ５４を仕上
げる。そこでこの装置によれば６枚当たり３＊（Ｔ１＋
Ｔ５）／２の時間を要する。即ち１枚当たり（Ｔ１＋Ｔ
５）／４の時間を要する。図２に示す装置がインライン
プロセスで１段階処理する場合の１枚当たりの所要時間
Ｔ１／３と比較すると（Ｔ１／３）−（（Ｔ１＋Ｔ５）
／４）＝Ｔ１／１２−Ｔ５／４よりＴ１＞３＊Ｔ５の範
囲で実施例の方が速い。

【００４０】但し、図２の装置を本実施例と同様に回転
プラーテンを４個所に増やし、それにともなってウェー
ハヘッドを５個にすればウェーハ１枚当たりの所要時間
はＴ１／４となり本実施例より少し（Ｔ５／４）速くな
ると思われる。また、図２の装置を本実施例と同様にウ
ェーハヘッドを６個とし、それに共なって回転プラーテ
ンを５個所とすれば１枚当たりの所要時間はＴ１／５と
なり本実施例より速い。

【００４１】但し上記の説明は本実施例装置は移送ステ
ーションでは洗浄の機能を備えず、洗浄作業をポリシン
グステーションで行うこととしたが、図２の装置のよう
に移送ステーションに洗浄機能を備えて、ポリシングス
テーションでの洗浄を不要とすればＴ１／４で１枚の処
理となり、図２の装置よりは常に速く、その方式で４プ
ラーテンにしたものと同じであり、５プラーテンにした
ものより遅い。

【００４２】２段階ステップの場合を説明する。第１段
階のなるべく速くおこなった場合の必要ポリシング時間
をＴ３、第２段階でのなるべく速く行った場合の必要ポ
リシング時間をＴ４とするときそれぞれのポリシング時
間を２個所のポリシングステーションに割り当てる。第
１段階から第２段階に移る際に研磨条件が異なるので洗
浄時間Ｔ５が必要となる。そして第２段階終了後にも洗
浄時間Ｔ５が必要である。しかしながら、移送ステーシ
ョンに洗浄機能を備えると第２段階終了後の洗浄はそこ
で行なえるので時間の消費はなくなる。

【００４３】まず移送ステーションでは洗浄機能を備え
ずポリシングステーションに備える洗浄バスで洗浄する
タイプの場合に付いて説明する。但し、第２段階のポリ
シングを行うポリシングステーションに付属する洗浄バ
ス５８ｂ１，２は例えば吹き上げるシャワーのように前
回の洗浄作業の履歴が残らないタイプで第１段階の研磨
後の洗浄と第２段階終了後の洗浄とに共用可能なものと
する。この装置により２段階研磨を行う場合は第１段の
研磨時間Ｔ３、第１段研磨後の洗浄時間Ｔ５、第２段の
研磨時間Ｔ４、第２段研磨後の洗浄時間Ｔ５の関係にお
いて第１段研磨後の洗浄を行う洗浄バスを洗浄バス５８
ａとするか５８ｂとするか選ぶ必要がある。即ち、組み
合わせＡ：（Ｔ３）対（Ｔ５＋Ｔ４＋Ｔ５）の大きい方
と、組み合わせＢ：（Ｔ３＋Ｔ５）対（Ｔ４＋Ｔ５）の
大きい方とを比較して小さいほうの組み合わせを選ぶ。

【００４４】ケース１ （Ｔ３）≧（Ｔ４＋２＊Ｔ５）で組み合わせＡがえらば
れた場合はカルーセル５２は時間Ｔ３で移動する。そし
て第２段階に待機時間が生じる。即ち各ウェーハヘッド
５５は移送ステーションで時間Ｔ３の間にウェーハを乗
せ替え、回転プラーテン５７ａで時間Ｔ３の研磨を行
い、洗浄することなく次のポリシングステーションに移
動すると共に回転アーム５４が９０度回転して洗浄バス
５８ｂで時間Ｔ５の洗浄を行う。引き続き待機時間洗浄
を続けるか、ウェーハヘッド５５が上方にあがって待機
しても良い。その後回転アーム５４が９０度回転してウ
ェーハヘッド５５が降下し回転プラーテン５７ｂで第２
段階の研磨を時間Ｔ４行い、終わるとウェーハヘッド５
５が上昇して回転アーム５４が９０度回転３し、ウェー
ハヘッド５５が降下して洗浄が時間Ｔ５行われ１サイク
ル終わる。この間６枚のウェーハが処理される。従って
１枚当たり（３＊Ｔ３）／６＝Ｔ３／２で処理する。

【００４５】ケース２ （Ｔ３）≦（Ｔ４＋２＊Ｔ５）で組み合わせＡがえらば
れた場合 この場合は（Ｔ３＋Ｔ５）対（Ｔ４＋Ｔ５）の大きい方
より（Ｔ４＋２＊Ｔ５）が小さいから、Ｔ３＞Ｔ４であ
って、Ｔ３≦（Ｔ４＋２＊Ｔ５）≦（Ｔ３＋Ｔ５）の場
合である。（なぜならばＴ３＜Ｔ４なら Ｔ３≦（Ｔ４
＋２＊Ｔ５）≦（Ｔ４＋Ｔ５）となりありえない。） この場合はカルーセル５２は時間Ｔ４＋２＊Ｔ５で移動
する。そして第１段階に待機時間が生じる。即ち各ウェ
ーハヘッド５５は移送ステーションで時間Ｔ４＋２＊Ｔ
５の間にウェーハを乗せ替え、回転プラーテン５７ａで
時間Ｔ３の研磨を行うに先立ち上方に待機して時間調整
する。その後研磨が終われば、洗浄することなく次のポ
リシングステーションに移動すると共に回転アーム５４
が９０度回転して洗浄バス５８ｂで時間Ｔ５の洗浄を行
う。引き続きウェーハヘッド５５が上方にあがって回転
アーム５４が９０度回転してウェーハヘッド５５が降下
し回転プラーテン５７ｂで第２段階の研磨を時間Ｔ４行
い、終わるとウェーハヘッド５５が上昇して回転アーム
５４が９０度回転し、ウェーハヘッド５５が降下して洗
浄が時間Ｔ５行われ１サイクル終わる。この間６枚のウ
ェーハが処理される。従って１枚当たり（３＊（Ｔ４＋
２＊Ｔ５））／６＝Ｔ４／２＋Ｔ５で処理する。

【００４６】ケース３ （Ｔ３＋Ｔ５）≧（Ｔ４＋Ｔ５）で組み合わせＢがえら
ばれた場合は（Ｔ３）対（Ｔ５＋Ｔ４＋Ｔ５）の大きい
方より（Ｔ３＋Ｔ５）が小さいので（Ｔ４＋２＊Ｔ５）
≧（Ｔ３＋Ｔ５）≧（Ｔ４＋Ｔ５）なければならない。
従って（Ｔ４＋Ｔ５）≧Ｔ３≧Ｔ４のばあいである。こ
の場合はカルーセル５２は時間Ｔ３＋Ｔ５で移動する。
そして第２段階に待機時間が生じる。即ち各ウェーハヘ
ッド５５は移送ステーションで時間Ｔ３＋Ｔ５の間にウ
ェーハを乗せ替え、回転プラーテン５７ａで時間Ｔ３の
研磨を行い、研磨が終わればウェーハヘッド５５が上昇
して回転アーム５４が９０度回転してまた降下し洗浄バ
ス５８ａで時間Ｔ５の洗浄を行う。それが済むとウェー
ハヘッド５５ａが上昇し、次のポリシングステーション
に移動すると共に回転アーム５４が９０度回転して回転
プラーテン５７ｂ上に位置し、降下して時間Ｔ４の第２
段階の研磨を行う。次にウェーハヘッド５５が上方にあ
がって回転アーム５４が９０度回転してウェーハヘッド
５５が降下し時間Ｔ５に引き続き待機時間も洗浄を続け
る。なお待機のしかたは第２段階の研磨に入る前か第２
段階の研磨後の洗浄済みで上方で待機するように出来
る。この間６枚のウェーハが処理される。従って１枚当
たり（３＊（Ｔ３＋Ｔ５））／６＝Ｔ３／２＋Ｔ５／２
で処理する。

【００４７】ケース４ （Ｔ３＋Ｔ５）≦（Ｔ４＋Ｔ５）で組み合わせＢがえら
ばれた場合はＴ３≦Ｔ４であって、この場合はカルーセ
ル５２は時間Ｔ４＋Ｔ５で移動する。そして第１段階に
待機時間が生じる。即ち各ウェーハヘッド５５は移送ス
テーションで時間Ｔ４＋Ｔ５の間にウェーハを乗せ替
え、回転プラーテン５７ａで時間Ｔ３の研磨を行うに先
立ち上方に待機して時間調整する。その後研磨が終われ
ば、ウェーハヘッド５５が上昇して回転アーム５４が９
０度回転してまた降下し洗浄バス５８ａで時間Ｔ５の洗
浄を行う。それが済むとウェーハヘッド５５ａが上昇
し、次のポリシングステーションに移動すると共に回転
アーム５４が９０度回転して回転プラーテン５７ｂ上に
位置し、降下して時間Ｔ４の第２段階の研磨を行う。次
にウェーハヘッド５５が上方にあがって回転アーム５４
が９０度回転してウェーハヘッド５５が降下し時間Ｔ５
の洗浄を行う。この間６枚のウェーハが処理される。従
って１枚当たり（３＊（Ｔ４＋Ｔ５））／６＝Ｔ４／２
＋Ｔ５／２で処理する。

【００４８】ここで図２に示す装置が２段階研磨を行う
場合で上記ケース１（（Ｔ３）≧（Ｔ４＋２＊Ｔ５）や
ケース２のような場合（Ｔ４＜Ｔ３＜（Ｔ４＋２＊Ｔ
５）＜（Ｔ３＋Ｔ５））に近いケースとして、Ｔ３＞Ｔ
４＞Ｔ３／２のばあいは上記のようにＴ４＋Ｔ５毎に１
枚仕上がるので、この実施例のケース１のＴ３／２の方
が速い。またケース２の場合のＴ４／２＋Ｔ５もはや
い。

【００４９】同様にケース３，４のようなばあいもこの
実施例の方が速い。

【００５０】図２の装置をこの実施例と同じくポリシン
グステーション数を４個所とし、それに伴ってウェーハ
ヘッドを５個としてＴ３＞Ｔ４＞Ｔ３／２の場合は５＊
Ｔ３／２＋５＊Ｔ５毎に５枚処理できるのでＴ３／２＋
Ｔ５毎に１枚処理出来るが本実施例のほうがまだ早い。

【００５１】さらに、図２の装置をこの実施例と同じく
ウェーハヘッドを６個としそれに伴いポリシングステー
ションを５個所とした場合にＴ３＞Ｔ４＞Ｔ４／２＞Ｔ
３／３のときは最初の３個所を第１段階に割り当て、２
個所を第２段階に割り当てることとなる。そうすれば６
＊Ｔ４／２＋６＊Ｔ５毎に６枚処理出来て、Ｔ４／２＋
Ｔ５毎に１枚処理できることとなる。この実施例におい
てはケース２が近いが１枚当たりＴ４／２＋Ｔ５である
から同等の処理能力となる。

【００５２】上記実施例の説明では移送ステーションに
洗浄機能を備えないものとして説明したが図２に示す従
来装置のように移送ステーションで洗浄を行うようにす
ることも可能である。そうすれば第２段階後の洗浄を洗
浄バス５８ｂで行なわないので更に速くなる。この場合
も第１段研磨後の洗浄を行う洗浄バスを洗浄バス５８ａ
とするか５８ｂとするか選ぶ必要がある。即ち、組み合
わせＡ（Ｔ３）対（Ｔ５＋Ｔ４）の大きい方と、組み合
わせＢ（Ｔ３＋Ｔ５）対（Ｔ４）の大きい方とを比較し
て小さいほうの組み合わせを選ぶ。

【００５３】ケース５ （Ｔ３）≧（Ｔ４＋Ｔ５）で組み合わせＡがえらばれた
場合はカルーセル５２は時間Ｔ３で移動する。そして第
２段階に待機時間が生じる。即ち各ウェーハヘッド５５
は移送ステーションで時間Ｔ３の間に処理済みのウェー
ハの洗浄とウェーハの乗せ替えが行われ、回転プラーテ
ン５７ａで時間Ｔ３の研磨を行い、洗浄することなく次
のポリシングステーションに移動すると共に回転アーム
５４が９０度回転して洗浄バス５８ｂで時間Ｔ５の洗浄
を行う。引き続き待機時間洗浄を続けるか、ウェーハヘ
ッド５５が上方にあがって待機しても良い。その後回転
アーム５４が９０度回転してウェーハヘッド５５が降下
し回転プラーテン５７ｂで第２段階の研磨を時間Ｔ４行
い１サイクル終わる。この間６枚のウェーハが処理され
る。従って１枚当たり（３＊Ｔ３）／６＝Ｔ３／２で処
理する。

【００５４】ケース６ （Ｔ３）≦（Ｔ４＋Ｔ５）で組み合わせＡがえらばれた
場合 この場合はＴ３≦（Ｔ４＋Ｔ５）＜（Ｔ３＋Ｔ５）であ
って、この場合はカルーセル５２は時間Ｔ４＋Ｔ５で移
動する。そして第１段階に待機時間が生じる。即ち各ウ
ェーハヘッド５５は移送ステーションで時間Ｔ４＋Ｔ５
の間に処理済のウェーハの洗浄とウェーハを乗せ替えが
行われ、回転プラーテン５７ａで時間Ｔ３の研磨を行う
に先立ち上方に待機して時間調整する。その後研磨が終
われば、洗浄することなく次のポリシングステーション
に移動すると共に回転アーム５４が９０度回転して降下
し洗浄バス５８ｂで時間Ｔ５の洗浄を行う。引き続きウ
ェーハヘッド５５が上方にあがって回転アーム５４が９
０度回転してウェーハヘッド５５が降下し回転プラーテ
ン５７ｂで第２段階の研磨を時間Ｔ４行い１サイクル終
わる。この間６枚のウェーハが処理される。従って１枚
当たり（３＊（Ｔ４＋Ｔ５））／６＝Ｔ４／２＋Ｔ５／
２で処理する。

【００５５】ケース７ （Ｔ３＋Ｔ５）≧（Ｔ４）で組み合わせＢがえらばれた
場合は（Ｔ３）対（Ｔ５＋Ｔ４）の大きい方より（Ｔ３
＋Ｔ５）が小さいので（Ｔ４＋Ｔ５）≧（Ｔ３＋Ｔ５）
＞（Ｔ４）でなければならない。この場合ははカルーセ
ル５２は時間Ｔ３＋Ｔ５で移動する。そして第２段階に
待機時間が生じる。即ち各ウェーハヘッド５５は移送ス
テーションで時間Ｔ３＋Ｔ５の間に処理済のウェーハの
洗浄とウェーハの乗せ替えが行われ、回転プラーテン５
７ａで時間Ｔ３の研磨を行い、研磨が終わればウェーハ
ヘッド５５が上昇して回転アーム５４が９０度回転して
また降下し洗浄バス５８ａで時間Ｔ５の洗浄を行う。そ
れが済むとウェーハヘッド５５ａが上昇し、次のポリシ
ングステーションに移動すると共に回転アーム５４が９
０度回転して回転プラーテン５７ｂ上に位置し時間調整
を行う、次に降下して時間Ｔ４の第２段階の研磨を行
う。この間６枚のウェーハが処理される。従って１枚当
たり（３＊（Ｔ３＋Ｔ５））／６＝Ｔ３／２＋Ｔ５／２
で処理する。

【００５６】ケース８ （Ｔ３＋Ｔ５）≦（Ｔ４）で組み合わせＢがえらばれた
場合はカルーセル５２は時間Ｔ４で移動する。そして第
１段階に待機時間が生じる。即ち各ウェーハヘッド５５
は移送ステーションで時間Ｔ４の間に処理済のウェーハ
の洗浄とウェーハの乗せ替えが行われ、回転プラーテン
５７ａで時間Ｔ３の研磨を行うに先立ち上方に待機して
時間調整する。その後研磨が終われば、ウェーハヘッド
５５が上昇して回転アーム５４が９０度回転してまた降
下し洗浄バス５８ａで時間Ｔ５の洗浄を行う。それが済
むとウェーハヘッド５５ａが上昇し、次のポリシングス
テーションに移動すると共に回転アーム５４が9０度回
転して回転プラーテン５７ｂ上に位置し、降下して時間
Ｔ４の第２段階の研磨を行う。この間６枚のウェーハが
処理される。従って１枚当たり３＊（Ｔ４）／６＝Ｔ４
／２で処理する。

【００４８】以上のようにこの実施例によれば１段階研
磨に適用して図２に示す従来装置に遜色なく、２段階研
磨に適用して速いインデックスとなる。

【００４９】尚、上記実施例はケミカルメカニカル研磨
装置に付いて説明したが、機械的な研磨装置であっても
同様に実施できる。

【００５０】

【発明の効果】以上説明したように、この発明の装置に
よれば汎用の平面研磨装置として１段研磨に使用して高
速に処理できると共に特に２段研磨に使用して高速に処
理できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】 この発明の一実施例を概念的に示す平面図。

【図２】 従来の平面研磨装置の斜視図。

【符号の説明】

５１ 回転軸 ５２ カルーセル ５３ａ，５３ｂ，５３ｃ アーム軸 ５４ａ，５４ｂ，５４ｃ 回転アーム ５５ａ１，５５ａ２，５５ｂ１，５５ｂ２，５５ｃ１，
５５ｃ２ ウェーハヘッド ５６ ウェーハ（板状材） ５７ａ１，５７ａ２，５７ｂ１，５７ｂ２ 回転プラー
テン ５８ａ１，５８ａ２，５８ｂ１，５８ｂ２ 洗浄バス

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】略中央に配置され上下方向に向いた回転軸
   に取り付けられて前記回転軸の回転により水平面での回
   転を行なうカルーセルと、 前記回転軸に対して１２０度等配位置に設けられたアー
   ム軸にそれぞれ取り付けられ１８０度対称方向に延びて
   前記アーム軸の回転により水平面での回転を行なう回転
   アームと、 これら回転アームそれぞれの両端対称位置につりさげる
   ように取り付けられ、下面に研磨される板状材を吸着保
   持すると共に前記回転アームに対して上下動及び自転自
   在なウェーハヘッドと、 前記回転軸の回りを角度３等分してその２個所それぞれ
   に設けたポリシングステーションと、 他の１個所に設けた移送ステーションとを備え、 前記ポリシングステーションにはそこに配置された回転
   アームが所定角度位置にあるときその両ウェーハヘッド
   それぞれに対応した位置に回転プラーテンが配置される
   と共に前記回転アームが別の所定角度位置にあるときそ
   の両ウェーハヘッドに対応した位置に洗浄バスが配置さ
   れ、 前記移送ステーションは供給された板状材を受け取り前
   記ウェーハヘッドに引き渡すと共に処理の終わった板状
   材を前記ウェーハヘッドから受け取る機能を有すること
   を特徴とする平面研磨装置。
2. 【請求項２】前記移送ステーションは研磨工程が終了し
   た前記板状材を洗浄する機能及び（または）処理済みの
   板状材をはなして空になったウェーハヘッドを洗浄する
   機能を持つ請求項１に記載の平面研磨装置。
3. 【請求項３】前記回転アームは互いに独立に回転動作す
   ると共に、前記ウェーハヘッドは各独立に上下動、自転
   動することを特徴とする請求項１又は２に記載の平面研
   磨装置。
4. 【請求項４】前記回転プラーテンは独立して回転速度設
   定可能な請求項１，２又は３に記載の平面研磨装置。
5. 【請求項５】研磨に際して前記ウェーハヘッドは板状材
   を下面に保持して前記カルーセルの回転と前記回転アー
   ムの回転とにより前記回転プラーテンの位置に移動し、
   降下して前記板状材前記回転プラーテンに押し付けて研
   磨を行い、 洗浄に際しては前記ウェーハヘッドは前記回転プラーテ
   ンから上昇し、前記回転アームの回転により同じポリシ
   ングステーションの洗浄バスの位置に移動し、降下して
   下面に保持する板状材の洗浄をおこなうか、又は前記カ
   ルーセルの回転により移動して異なるポリシングステー
   ションの洗浄バスにより洗浄することを特徴とする請求
   項１，２，３または４に記載の平面研磨装置。