JP2000214264A - Anti-discharge breakdown type microstrip gas chamber using auxiliary anode wiring - Google Patents

Anti-discharge breakdown type microstrip gas chamber using auxiliary anode wiring

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達 谷森
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an anti-discharge breakdown type microstrip gas chamber using an auxiliary anode wiring capable of signal reading even in occurrence of a discharge breakdown. SOLUTION: The anti-discharge breakdown type microstrip gas chamber using an auxiliary anode wiring is provided with a first and a second terminals 202 and 203 connected to both ends of an anode strip 201 and an auxiliary anode path [the second terminal (auxiliary terminal) 203 of the anode strip-first intra-layer via 204-auxiliary node (back side strip) 205-second intra-layer via 206] connected to the first terminal 202 by way of the second terminal 203. With this constitution, if a particle beam comes in, measurement of the particle beam is possible also in the left side part of the break of wire point A by way of the second terminal (auxiliary terminal) 203 of the anode strip 201, first intra-layer via 204, auxiliary node (back side strip) 205, second intra-layer via 206 and the first terminal 202 of the anode strip 201.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、補助アノード配線
を用いた耐放電破壊型マイクロストリップガスチャンバ
ーに係り、特に、マイクロストリップガスチャンバー
(MSGC)の陽極切断対策用電極に関するものであ
る。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a discharge breakdown resistant microstrip gas chamber using an auxiliary anode wiring, and more particularly to an electrode for anodic cutting of a microstrip gas chamber (MSGC).

【0002】[0002]

【従来の技術】MSGCは、高い位置分解能と時間分解
能を持つ新しいタイプのガス増幅型粒子線検出器とし
て、1988年にA.Oedによって提案された。さら
に、本願発明者等は、この検出器を二次元化し、画像検
出器として提案している。この検出器の特徴として、高
い位置分解能の他に、ガス増幅器としては極めて不感時
間が短いことが挙げられており、高輝度の粒子線に対す
る検出器としても大きな期待が持たれている。現在、X
線を用いたテストでは、毎秒、1平方mm当たり107
カウント以上の輝度の下でも動作に支障がないことが確
かめられている。
2. Description of the Related Art In 1988, MSGC was proposed as a new type of gas-amplified particle beam detector having high position resolution and time resolution. Proposed by Oed. Further, the inventors of the present application have made this detector two-dimensional and have proposed it as an image detector. As a feature of this detector, in addition to the high positional resolution, it is mentioned that the dead time is extremely short as a gas amplifier, and there is great expectation as a detector for a particle beam with high brightness. Currently X
In the test using the wire, 10 7 per square mm per second
It has been confirmed that there is no problem in operation even at a brightness higher than the count.

【0003】この種の高利得ガス放射線検出器として
は、本願発明者等により既に提案された特願平10−8
9750号(特許第2843319号)がある。
A high-gain gas radiation detector of this type is disclosed in Japanese Patent Application No. Hei 10-8 already proposed by the present inventors.
No. 9750 (Japanese Patent No. 2843319).

【0004】図4はかかる従来のガス放射線検出器(M
SGC)の分解斜視図、図5はそのガス放射線検出器
(MSGC)のデータ収集システムの全体構成を示すブ
ロック図である。
FIG. 4 shows such a conventional gas radiation detector (M).
FIG. 5 is a block diagram showing an overall configuration of a data acquisition system of the gas radiation detector (MSGC).

【0005】図4において、2次元イメージ素子である
MSGC102は、基板1、陽極ストリップ2、陰極ス
トリップ3を備え、その陽極ストリップ2と陰極ストリ
ップ3とは交互に配置されている。
In FIG. 4, a two-dimensional image element MSGC 102 includes a substrate 1, an anode strip 2, and a cathode strip 3, and the anode strips 2 and the cathode strips 3 are alternately arranged.

【0006】また、ベース基板4、そして、そのベース
基板4上に形成されるとともに基板1の下層に位置する
バックストリップ5を有する。
[0006] Further, it has a base substrate 4 and a backstrip 5 formed on the base substrate 4 and positioned below the substrate 1.

【0007】更に、このようにして形成される素子10
2の上方には基板1より約1cmの間隔D1 を隔ててド
リフト板6が配置され、例えば、アルゴンとエタンから
なるガスが流通するチャンバーが形成される。なお、7
は増幅器である。
Further, the element 10 thus formed is
The second upper drift plate 6 is arranged at a distance D 1 of the approximately 1cm from the substrate 1, for example, a chamber of a gas consisting of argon and ethane flows are formed. Note that 7
Is an amplifier.

【0008】また、図5に示すように、マザーボード1
01には、2次元MSGC(以下、単にMSGCとい
う)102、前置増幅器・波高弁別器103,104、
前置増幅器105が搭載される。
Further, as shown in FIG.
01, a two-dimensional MSGC (hereinafter simply referred to as MSGC) 102, a preamplifier / wave height discriminator 103, 104,
A preamplifier 105 is mounted.

【0009】また、MSGC102の陽極からの出力信
号を処理する第1の信号同期化回路111、MSGC1
02の背面電極(バックストリップ)からの出力信号を
処理する第2の信号同期化回路112、第1の信号同期
化回路111に接続される第1のエンコーダ113、第
2の信号同期化回路112に接続される第2のエンコー
ダ114、入射粒子線のヒット判定回路115、大容量
記憶装置116、コンピュータ117により、データ収
集システムを構築している。
A first signal synchronizing circuit 111 for processing an output signal from the anode of the MSGC 102,
02, a second signal synchronization circuit 112 for processing an output signal from the back electrode (backstrip), a first encoder 113 connected to the first signal synchronization circuit 111, and a second signal synchronization circuit 112. , A data collection system is constructed by the second encoder 114 connected thereto, the incident particle beam hit determination circuit 115, the mass storage device 116, and the computer 117.

【0010】また、MSGC102の陰極は、前置増幅
器105−アナログ・ディジタル変換器(ADC)10
6を介して大容量記憶装置116に接続されている。
The cathode of the MSGC 102 is connected to a preamplifier 105 and an analog / digital converter (ADC) 10.
6 to a mass storage device 116.

【0011】[0011]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、MSG
Cの実用化にあたっての最大の難問の一つに、電極間の
放電による電極の破壊が挙げられる。MSGCでは、5
0μm以下の間隔の電極間に電圧をかけるため、高いガ
ス増幅率を得るために高い電圧をかけると、電極間に放
電による大電流が流れ、放電による熱で電極ストリップ
が切断されたり、その破片などが表面絶縁層に付着する
などして、電極間を導通させる障害が頻繁に起こってい
た。
SUMMARY OF THE INVENTION However, MSG
One of the biggest difficulties in putting C to practical use is the destruction of electrodes due to discharge between the electrodes. In MSGC, 5
When a high voltage is applied to obtain a high gas amplification rate because a voltage is applied between the electrodes at an interval of 0 μm or less, a large current due to discharge flows between the electrodes, and the electrode strip is cut by heat generated by the discharge, or a fragment thereof For example, a failure that causes conduction between the electrodes occurs frequently, for example, by adhering to the surface insulating layer.

【0012】その放電により、アノードストリップの一
箇所が切断された場合、その部分からアノードに沿って
読み出しパッドの反対側部分についての領域は完全に不
感領域となってしまっていた。
When one part of the anode strip is cut by the discharge, the area from the part along the anode to the part on the opposite side of the readout pad is completely insensitive.

【0013】この放電の原因の多くは、電極ストリップ
のパターンの欠陥やゴミの付着などに起因しているた
め、高度な品質管理によってこの欠陥を取り除く努力が
行なわれているが、もともと、MSGCのような大面積
にわたるパターンを欠陥なく作り出すことは、従来のI
C/LSI製造技術などにも存在しなかったため、非常
に困難であった。
Most of the causes of the discharge are caused by defects in the pattern of the electrode strip and adhesion of dust. Efforts have been made to eliminate the defects by advanced quality control. Producing a pattern over such a large area without defects is a problem with the conventional I
It was very difficult because it did not exist in the C / LSI manufacturing technology and the like.

【0014】上記したように、MSGCの放電の問題を
取り扱う場合、従来はいかに放電を起こさないようにす
るかという部分に重点が置かれていたが、発想を変え
て、たとえ放電が起こったとしても、最終的に必要な信
号が得られれば良いわけである。
As described above, when dealing with the problem of MSGC discharge, conventionally, the emphasis has been placed on how to prevent a discharge from occurring. However, it is only necessary that a necessary signal is finally obtained.

【0015】本発明は、上記問題点を解決するために、
放電破壊が起きても信号読み出しを可能とする補助アノ
ード配線を用いた耐放電破壊型マイクロストリップガス
チャンバーを提供することを目的とする。
The present invention has been made in order to solve the above problems.
An object of the present invention is to provide an anti-discharge breakdown type microstrip gas chamber using an auxiliary anode wiring which enables signal reading even if a discharge breakdown occurs.

【0016】[0016]

【課題を解決するための手段】本発明は、上記目的を達
成するために、 〔1〕補助アノード配線を用いた耐放電破壊型マイクロ
ストリップガスチャンバーであって、陽極ストリップの
両端に接続される第1及び第2の端子と、この第2の端
子を介して前記第1電極に接続される補助陽極経路とを
具備するようにしたものである。
According to the present invention, there is provided a discharge-resistant microstrip gas chamber using auxiliary anode wiring, which is connected to both ends of an anode strip. It has a first and a second terminal, and an auxiliary anode path connected to the first electrode via the second terminal.

【0017】〔2〕上記〔1〕記載の補助アノード配線
を用いた耐放電破壊型マイクロストリップガスチャンバ
ーであって、前記陽極ストリップの材質は、高融点の導
電体からなる。
[2] A discharge-resistant microstrip gas chamber using the auxiliary anode wiring as described in [1] above, wherein the material of the anode strip is a conductor having a high melting point.

【0018】そこで、信号読み出しをアノードストリッ
プの両端で行なうことにより、仮に一箇所だけの放電破
壊が起こったとしても、その前後からの信号の読み出し
により、不感領域は、放電破壊された一部分(典型的に
は数10μm程度)のみに抑えることができる。この大
きさは、大抵MSGCの位置分解能以下の大きさであ
り、イメージング能力にほとんど影響を与えることはな
くなる。
Therefore, by performing signal reading at both ends of the anode strip, even if discharge breakdown occurs only at one location, reading of the signal from before and after that causes the dead area to become a part of the discharge breakdown (typically). (Approximately several tens of μm). This size is usually smaller than the position resolution of MSGC, and hardly affects the imaging ability.

【0019】また、従来の放電破壊の影響として、アノ
ード・カソード間が導通してしまう場合も多くあった
が、これを防ぐため、ストリップの材質として融点の高
い物質を非常に薄く実装することで、放電発生時に付近
に飛び散る導電性物質を極力小さくし、むしろ積極的に
不具合箇所を切断する方法をとるようにした。
In addition, as a result of the conventional discharge breakdown, conduction between the anode and the cathode has often been observed. To prevent this, a very high-melting-point material is mounted as a material for the strip. In addition, a method is adopted in which the conductive material that scatters in the vicinity when a discharge occurs is reduced as much as possible, and rather, a method of actively cutting a defective portion is adopted.

【0020】[0020]

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
を参照しながら詳細に説明する。
Embodiments of the present invention will be described below in detail with reference to the drawings.

【0021】図1は本発明の実施例を示す補助アノード
配線を用いた耐放電破壊型マイクロストリップガスチャ
ンバーの要部模式図、図2は本発明の実施例を示すアノ
ード・カソードストリップの材質を示す図である。
FIG. 1 is a schematic diagram of a main part of a discharge-resistant microstrip gas chamber using an auxiliary anode wiring according to an embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a view showing a material of an anode / cathode strip according to an embodiment of the present invention. FIG.

【0022】この図において、200は基板、201は
陽極ストリップ、202は陽極ストリップの第1の端
子、203は陽極ストリップの第2の端子(補助端
子)、204は第1の層間ビア、205は補助陽極電極
(背面ストリップ)、206は第2の層間ビア、207
はボンディングワイヤ、208は導出パット、209は
陰極ストリップ、210はバックストリップである。
In this figure, 200 is a substrate, 201 is an anode strip, 202 is a first terminal of the anode strip, 203 is a second terminal (auxiliary terminal) of the anode strip, 204 is a first interlayer via, and 205 is a first interlayer via. Auxiliary anode electrode (back strip), 206 is a second interlayer via, 207
Is a bonding wire, 208 is a lead pad, 209 is a cathode strip, and 210 is a backstrip.

【0023】このように、陽極ストリップ201の両端
からの読み出しを実現するために、基板(絶縁層)20
0の下に、陽極ストリップ201と平行な位置に補助陽
極電極205を配置し、陽極ストリップ201の両端で
層間ビア204,206により接続するようにしてい
る。
As described above, in order to realize reading from both ends of the anode strip 201, the substrate (insulating layer) 20
Below 0, an auxiliary anode electrode 205 is arranged at a position parallel to the anode strip 201, and connected at both ends of the anode strip 201 by interlayer vias 204 and 206.

【0024】また、表面の陽極ストリップ201・陰極
ストリップ209の材質は、従来の1μm厚の金から
0.2μ厚の高融点の導電体、例えば、クロム・パラジ
ウムに変更し、ストリップ201,209の高融点と放
電時の低物質量を実現した。
The material of the anode strip 201 and the cathode strip 209 on the surface is changed from a conventional 1 μm thick gold to a 0.2 μ thick high melting point conductor, for example, chromium / palladium. High melting point and low amount of substance during discharge are realized.

【0025】したがって、図2に示すように、ストリッ
プ201,209は従来の金に比して、高い融点を有
し、放電をする場合は、切断しやすく金属のちらばり難
い低物質量の例えば、上層がパラジウム(Pd)層20
2B、下層がクロム(Cr)層202Aからなる材質と
した。
Therefore, as shown in FIG. 2, the strips 201 and 209 have a higher melting point than the conventional gold, and are easy to cut when discharging, for example, having a low material amount which is hard to be scattered. , The upper layer is a palladium (Pd) layer 20
2B, a lower layer made of a chromium (Cr) layer 202A.

【0026】本発明の補助アノード配線を用いた耐放電
破壊型マイクロストリップガスチャンバーの動作試験の
結果について説明する。
The results of an operation test of a discharge breakdown resistant microstrip gas chamber using the auxiliary anode wiring of the present invention will be described.

【0027】図1において、例えば、陽極ストリップ2
01のA点において、断線が生じると、従来は断線した
A点より左側は不感領域となって粒子線の計測を行うこ
とができなかったが、本発明によれば、断線したA点よ
り左側の部分においても、粒子線が入ると、陽極ストリ
ップ201の第2の端子(補助端子)203、第1の層
間ビア204、補助陽極電極(背面ストリップ)20
5、第2の層間ビア206、陽極ストリップ201の第
1の端子202を介して、粒子線の計測を行うことがで
きる。
In FIG. 1, for example, the anode strip 2
When a disconnection occurs at the point A of 01, conventionally, the left side of the disconnected point A is an insensitive area and measurement of the particle beam cannot be performed. Also, when the particle beam enters, the second terminal (auxiliary terminal) 203 of the anode strip 201, the first interlayer via 204, the auxiliary anode electrode (backside strip) 20
5. Particle beam measurement can be performed via the second interlayer via 206 and the first terminal 202 of the anode strip 201.

【0028】また、製作しているサンプル数に限りがあ
るため、本発明による効果を数値的に示すことは困難で
あるが、大体の目安として、放電破壊により不感領域と
なる部分は1/4以下に減少した。
Further, it is difficult to numerically show the effect of the present invention because the number of manufactured samples is limited. However, as a rough guide, a portion which becomes a dead area due to discharge breakdown is 1/4. Decreased to below.

【0029】図3は本発明の耐放電破壊型マイクロスト
リップガスチャンバーによる計測状態を示す図である。
この図において、白い部分はX線が検出できている領
域、黒い部分は不感領域である。
FIG. 3 is a view showing a state of measurement by a discharge-resistant microstrip gas chamber of the present invention.
In this figure, a white portion is a region where X-rays can be detected, and a black portion is a dead region.

【0030】図3における矢印を付した陽極ストリップ
ラインでは、A点とB点で断線が生じており、この場合
には、中央の一部のI部分のみが不感領域となってお
り、両側のII部分及びIII 部分は、X線が検出される領
域となっている。
In the anode strip line marked with an arrow in FIG. 3, disconnection occurs at points A and B. In this case, only a part I at the center is a dead area and both sides are insensitive. Portions II and III are regions where X-rays are detected.

【0031】このように、図3によれば、断線したA点
より右側及び断線したB点より左側の2部分において
も、粒子線が入ると、粒子線の計測を行うことができる
ことがわかる。
Thus, it can be seen from FIG. 3 that the particle beam can be measured at the two portions on the right side of the broken point A and on the left side of the broken point B when the particle beam enters.

【0032】なお、本発明は上記実施例に限定されるも
のではなく、本発明の趣旨に基づいて種々の変形が可能
であり、これらを本発明の範囲から排除するものではな
い。
It should be noted that the present invention is not limited to the above-described embodiments, and various modifications are possible based on the spirit of the present invention, and these are not excluded from the scope of the present invention.

【0033】[0033]

【発明の効果】以上、詳細に説明したように、本発明に
よれば、以下のような効果を奏することができる。
As described above, according to the present invention, the following effects can be obtained.

【0034】(A)補助アノード配線を用いることによ
り、陽極ストリップの放電破壊が起きても信号読み出し
を行うことができる。
(A) By using the auxiliary anode wiring, a signal can be read even if a discharge breakdown of the anode strip occurs.

【0035】(B)アノード・カソード配線の材質を薄
い厚さの導電体、例えばクロム・パラジウムに変更し、
ストリップの高融点と放電時の低物質量を実現すること
ができる。
(B) The material of the anode / cathode wiring is changed to a conductor having a small thickness, for example, chromium / palladium,
It is possible to realize a high melting point of the strip and a low substance amount at the time of discharge.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の実施例を示す補助アノード配線を用い
た耐放電破壊型マイクロストリップガスチャンバーの要
部模式図である。
FIG. 1 is a schematic diagram of a main part of a discharge-resistant microstrip gas chamber using an auxiliary anode wiring according to an embodiment of the present invention.

【図2】本発明の実施例を示すアノード・カソードスト
リップの材質を示す図である。
FIG. 2 is a view showing a material of an anode / cathode strip according to an embodiment of the present invention.

【図3】本発明のマイクロストリップガスチャンバーに
よるストリップの不感領域を示す図である。
FIG. 3 is a view showing a dead zone of a strip by the microstrip gas chamber of the present invention.

【図4】従来のガス放射線検出器(MSGC)の分解斜
視図である。
FIG. 4 is an exploded perspective view of a conventional gas radiation detector (MSGC).

【図5】従来のガス放射線検出器(MSGC)のデータ
収集システムの全体構成を示すブロック図である。
FIG. 5 is a block diagram showing the overall configuration of a conventional data acquisition system for a gas radiation detector (MSGC).

【符号の説明】[Explanation of symbols]

200 基板 201 陽極ストリップ 202 陽極ストリップの第1の端子 202A クロム(Cr)層(下層) 202B 導電体〔パラジウム(Pd)層(上層)〕 203 陽極ストリップの第2の端子(補助端子) 204 第1の層間ビア 205 補助陽極電極(背面ストリップ) 206 第2の層間ビア 207 ボンディングワイヤ 208 導出パット 209 陰極ストリップ 210 バックストリップ Reference Signs List 200 substrate 201 anode strip 202 first terminal of anode strip 202A chromium (Cr) layer (lower layer) 202B conductor [palladium (Pd) layer (upper layer)] 203 second terminal of anode strip (auxiliary terminal) 204 first Interlayer via 205 auxiliary anode electrode (backside strip) 206 second interlayer via 207 bonding wire 208 lead-out pad 209 cathode strip 210 backstrip

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 補助アノード配線を用いた耐放電破壊型
マイクロストリップガスチャンバーであって、(a)陽
極ストリップの両端に接続される第1及び第2の端子
と、(b)該第2の端子を介して前記第1の端子に接続
される補助陽極経路とを具備することを特徴とする補助
アノード配線を用いた耐放電破壊型マイクロストリップ
ガスチャンバー。
1. A discharge-resistant microstrip gas chamber using auxiliary anode wiring, comprising: (a) first and second terminals connected to both ends of an anode strip; and (b) said second terminal. A discharge-resistant microstrip gas chamber using an auxiliary anode wiring, comprising: an auxiliary anode path connected to the first terminal via a terminal.
【請求項2】 請求項1記載の補助アノード配線を用い
た耐放電破壊型マイクロストリップガスチャンバーであ
って、前記陽極ストリップの材質は、高融点の導電体か
らなることを特徴とする補助アノード配線を用いた耐放
電破壊型マイクロストリップガスチャンバー。
2. A discharge-resistant microstrip gas chamber using an auxiliary anode wiring according to claim 1, wherein a material of said anode strip is made of a conductor having a high melting point. A discharge-resistant microstrip gas chamber using a.
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006138772A (en) * 2004-11-12 2006-06-01 Dainippon Printing Co Ltd Method for manufacturing radiation detector
JP2008544249A (en) * 2005-06-16 2008-12-04 インテグレイテッド センサーズ、 エルエルシー Ionizing photon radiation detector using plasma panel
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