JP2000212735A - Sputtering target material composed of cobalt alloy and its production - Google Patents

Sputtering target material composed of cobalt alloy and its production

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JP2000212735A
JP2000212735A JP947099A JP947099A JP2000212735A JP 2000212735 A JP2000212735 A JP 2000212735A JP 947099 A JP947099 A JP 947099A JP 947099 A JP947099 A JP 947099A JP 2000212735 A JP2000212735 A JP 2000212735A
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JP
Japan
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target material
cobalt alloy
inclusions
particles
alloy target
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JP947099A
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Japanese (ja)
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Seiji Nishi
誠治 西
Tatsuhiko Sodo
龍彦 草道
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Kobe Steel Ltd
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Kobe Steel Ltd
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Publication date
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To obtain an alloy target material in which the generation of sticking caused by inclusions in the target material called as particles is hard to occur by controlling the all maximum lengths of inclusions present therein to the length equal to or below the specified one. SOLUTION: A cobalt alloy ingot by a vacuum induction melting method is remelted by a vacuum arc melting method. This ingot is forged, rolled and thereafter machined to produce a cobalt alloy target material. By controlling the conditions of the vacuum induction melting, the conditions of the vacuum arc melting method or the like, the cobalt alloy target material in which the all maximum lengths of inclusions present therein is <=20 μm can be obtd. By this cobalt alloy target material, the generation of adhesion caused by inclusions in the target material called as particles at the time of sputtering is made rare. As the inclusions include oxides, nitrides or the like, they influence on the generation of particles, and, in the case the all maximum lengths thereof is <=20 μm, the number of particles remarkably decreases.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、コバルト合金より
なるスパッタリングターゲット材料及びその製造方法に
関する技術分野に属し、特には、磁気記録材料として用
いられるコバルト合金よりなる薄膜(以下、磁気記録用
コバルト合金薄膜)の形成に好適なコバルト合金よりな
るスパッタリングターゲット材料(以下、コバルト合金
ターゲット材料)及びその製造方法に関する技術分野に
属する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention belongs to the technical field of a sputtering target material made of a cobalt alloy and a method of manufacturing the same, and in particular, a thin film made of a cobalt alloy used as a magnetic recording material (hereinafter referred to as a cobalt alloy for magnetic recording). It belongs to the technical field related to a sputtering target material (hereinafter, a cobalt alloy target material) made of a cobalt alloy suitable for forming a thin film) and a method for producing the same.

【0002】[0002]

【従来の技術】磁気記録用コバルト合金薄膜の形成に用
いられるコバルト合金ターゲット材料は、通常、真空誘
導溶解法による溶解、鋳造、鍛造、圧延、機械加工とい
う工程を経て製造されている。
2. Description of the Related Art A cobalt alloy target material used for forming a cobalt alloy thin film for magnetic recording is usually manufactured through steps of melting, casting, forging, rolling and machining by a vacuum induction melting method.

【0003】しかし、このようにして製造される従来の
コバルト合金ターゲット材料によれば、スパッタリング
の際にパーティクルと呼ばれるターゲット材料中の介在
物による付着が発生し、あるいは更にこの付着物の剥離
が生じ、そのため、形成されるコバルト合金薄膜の品質
に支障をきたすことがある。即ち、ターゲット材料中の
介在物がターゲットから飛散し、基板上に形成されたコ
バルト合金薄膜に直接付着するということ、あるいは、
直下の介在物によって熱伝導が妨げられ、温度が上昇し
て溶融離脱した介在物直上のターゲット素片の基板への
付着、もしくはスパッタされてターゲットから飛び出し
た原子が再びターゲット表面の介在物の直上に膜状とな
って付着し、この付着物が溶融しターゲットから飛散
し、基板上に粒子状で付着するということ(即ち、いわ
ゆるパーティクル)が起こり、あるいは更にこの付着物
がコバルト合金薄膜から剥離し、この結果としてコバル
ト合金薄膜に欠陥が生成するという支障をきたすことが
ある。
[0003] However, according to the conventional cobalt alloy target material manufactured in this manner, during sputtering, adhesion by inclusions called "particles" in the target material occurs, or further, the adhesion occurs. Therefore, the quality of the formed cobalt alloy thin film may be affected. That is, inclusions in the target material scatter from the target and directly adhere to the cobalt alloy thin film formed on the substrate, or
The heat conduction is hindered by the inclusions immediately below, and the temperature rises and the target piece immediately above the inclusions melted away adheres to the substrate, or atoms sputtered out of the target are directly above the inclusions on the target surface again Adheres in the form of a film, and this adhered substance is melted and scattered from the target, and adheres to the substrate in the form of particles (ie, so-called particles), or the adhered substance is separated from the cobalt alloy thin film. However, as a result, there may be a problem that defects are generated in the cobalt alloy thin film.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】本発明は、このような
事情に着目してなされたものであって、その目的は、ス
パッタリングに際してパーティクルと呼ばれるターゲッ
ト材料中の介在物による付着の発生が起こり難いコバル
ト合金ターゲット材料及びその製造方法を提供しようと
するものである。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of such circumstances, and an object of the present invention is to prevent the occurrence of adhesion by inclusions in a target material called particles during sputtering. An object of the present invention is to provide a cobalt alloy target material and a method for manufacturing the same.

【0005】[0005]

【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
めに、本発明に係るコバルト合金ターゲット材料(コバ
ルト合金よりなるスパッタリングターゲット材料)及び
その製造方法は、請求項1記載のコバルト合金ターゲッ
ト材料、及び、請求項2記載のコバルト合金ターゲット
材料の製造方法としており、それは次のような構成とし
たものである。
In order to achieve the above object, a cobalt alloy target material (a sputtering target material made of a cobalt alloy) and a method of manufacturing the same according to the present invention are described. , And a method of manufacturing a cobalt alloy target material according to claim 2, which has the following configuration.

【0006】即ち、請求項1記載のコバルト合金ターゲ
ット材料は、内在する介在物の最大長さが全て20μm 以
下であるコバルト合金よりなるスパッタリングターゲッ
ト材料である(第1発明)。
That is, the cobalt alloy target material according to the first aspect is a sputtering target material made of a cobalt alloy in which the maximum length of all the inclusions is 20 μm or less (first invention).

【0007】請求項2記載のコバルト合金ターゲット材
料の製造方法は、コバルト合金よりなるスパッタリング
ターゲット材料の製造方法において、該材料の製造用の
鋳塊を真空アーク溶解工程を含む溶解鋳造法により製造
することを特徴とするコバルト合金よりなるスパッタリ
ングターゲット材料の製造方法である(第2発明)。
According to a second aspect of the present invention, there is provided a method for manufacturing a sputtering target material comprising a cobalt alloy, wherein an ingot for manufacturing the material is manufactured by a melting casting method including a vacuum arc melting step. A second aspect of the present invention is a method for producing a sputtering target material comprising a cobalt alloy.

【0008】[0008]

【発明の実施の形態】本発明は例えば次のようにして実
施する。真空誘導溶解法によりコバルト合金よりなる鋳
塊を得、この鋳塊を真空アーク溶解法により再溶解す
る。これにより得られた鋳塊を鍛造し、圧延した後、機
械加工してコバルト合金ターゲット材料を製造して得
る。このとき、真空誘導溶解の条件や真空アーク溶解法
の条件等を調整すると、内在する介在物の最大長さが全
て20μm 以下であるコバルト合金ターゲット材料を得る
ことができる。即ち、本発明に係るコバルト合金ターゲ
ット材料が得られる。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS The present invention is implemented, for example, as follows. An ingot made of a cobalt alloy is obtained by a vacuum induction melting method, and the ingot is remelted by a vacuum arc melting method. The obtained ingot is forged, rolled and then machined to produce a cobalt alloy target material. At this time, by adjusting the conditions of the vacuum induction melting and the conditions of the vacuum arc melting method, it is possible to obtain a cobalt alloy target material in which the maximum lengths of the internal inclusions are all 20 μm or less. That is, the cobalt alloy target material according to the present invention is obtained.

【0009】このような形態で本発明に係るコバルト合
金ターゲット材料の製造方法が実施され、そして本発明
に係るコバルト合金ターゲット材料が得られる。このよ
うにして得られたコバルト合金ターゲット材料は、磁気
記録用コバルト合金薄膜等のコバルト合金薄膜の形成の
ためのスパッタリングターゲット材料として使用され
る。
In such a form, the method for producing a cobalt alloy target material according to the present invention is carried out, and the cobalt alloy target material according to the present invention is obtained. The thus obtained cobalt alloy target material is used as a sputtering target material for forming a cobalt alloy thin film such as a cobalt alloy thin film for magnetic recording.

【0010】以下、本発明について主にその作用効果を
説明する。
Hereinafter, the function and effect of the present invention will be mainly described.

【0011】本発明者らは、種々の誘導溶解法により種
々の大きさの介在物を有するコバルト合金ターゲット材
料を製作し、これらをスパッタリングターゲットとして
用いてスパッタリングを行い、スパッタリング時の状況
を克明に調査した。
The present inventors have prepared cobalt alloy target materials having inclusions of various sizes by various induction melting methods, and performed sputtering using these as a sputtering target, and carefully examined the situation at the time of sputtering. investigated.

【0012】その結果、コバルト合金ターゲット材料に
内在する介在物の最大長さ(最大長さ部の長さ)が全て
20μm 以下である場合にパーティクル数が激減し、パー
ティクル(ターゲット材料中の介在物による付着)の発
生がまれであり、起こり難くなることを知見した。
As a result, the maximum length (length of the maximum length portion) of the inclusions existing in the cobalt alloy target material is all
It has been found that when the particle size is 20 μm or less, the number of particles is drastically reduced, and the generation of particles (attachment by inclusions in the target material) is rare and hard to occur.

【0013】本発明はかかる知見に基づき完成されたも
のであり、本発明に係るコバルト合金ターゲット材料
は、内在する介在物の最大長さが全て20μm 以下である
コバルト合金よりなるスパッタリングターゲット材料と
しており、従って、本発明に係るコバルト合金ターゲッ
ト材料によれば、スパッタリングに際してパーティクル
と呼ばれるターゲット材料中の介在物による付着の発生
がまれであり、起こり難い(第1発明)。
The present invention has been completed based on this finding, and the cobalt alloy target material according to the present invention is a sputtering target material composed of a cobalt alloy in which the maximum length of the inclusions is 20 μm or less. Therefore, according to the cobalt alloy target material according to the present invention, adhesion by inclusions called “particles” in the target material during sputtering is rare and hard to occur (first invention).

【0014】ここで、内在する介在物の最大長さが全て
20μm 以下であることとしているのは、最大長さ:20μ
m 超の介在物があると、この介在物に起因してデバイス
上問題となるサイズのパーティクルの発生が起こり易く
なり、パーティクル発生の抑制が不充分となるからであ
る。
Here, the maximum length of the internal inclusions is
The maximum length is 20 μm or less.
This is because if there is an inclusion exceeding m, particles having a size that causes a problem on the device due to the inclusions are likely to be generated, and the suppression of the generation of particles becomes insufficient.

【0015】内在する介在物の最大長さが全て20μm 以
下である場合には、パーティクルの発生がまれであり、
起こり難い。特に、前記介在物の最大長さが全て10μm
以下である場合には、パーティクルの発生がほとんどな
く、極めて起こり難くなるので、そのようにすることが
望ましい。
When the maximum length of the internal inclusions is less than 20 μm, particles are rarely generated,
Unlikely to happen. In particular, all of the inclusions have a maximum length of 10 μm
In the following cases, particles are hardly generated and extremely unlikely to occur.

【0016】介在物には酸化物や窒化物等があり、これ
らはいずれもパーティクルの発生に影響を及ぼし、その
最大長さが全て20μm 以下である場合にパーティクル数
が激減する。
Inclusions include oxides and nitrides, all of which affect the generation of particles. When all of the maximum lengths are 20 μm or less, the number of particles is drastically reduced.

【0017】内在する介在物の最大長さが全て20μm 以
下である本発明に係るコバルト合金ターゲット材料を製
造するに際し、溶解法として真空誘導溶解法を採用して
鋳塊を得る場合、真空誘導溶解時に介在物を吸収するフ
ラックスを添加する方法や、真空誘導溶解により得られ
る溶湯を濾過する方法を適用することが望ましい。かか
る方法を適用すると、介在物の最大長さが全て20μm 以
下であるコバルト合金ターゲット材料が得られ易くなる
からである。
In producing a cobalt alloy target material according to the present invention in which the maximum length of all the internal inclusions is 20 μm or less, a vacuum induction melting method is used to obtain an ingot by using a vacuum induction melting method as a melting method. Sometimes it is desirable to apply a method of adding a flux that absorbs inclusions or a method of filtering a molten metal obtained by vacuum induction melting. This is because applying such a method makes it easier to obtain a cobalt alloy target material in which the maximum lengths of the inclusions are all 20 μm or less.

【0018】又、一度溶解し鋳造して得られた鋳塊を真
空アーク溶解法(VAR法)により再溶解する方法を鋳
塊製造法として採用すると、介在物の最大長さが全て20
μm以下である本発明に係るコバルト合金ターゲット材
料が特に得られ易くなる。これは、真空アーク溶解前の
鋳塊に最大長さ:20μm 超の如き比較的大きな介在物が
存在していても、真空アーク溶解法による再溶解の際に
アークにより介在物が砕かれることや、介在物の浮上分
離(即ち、溶湯内で介在物が浮上し鋳塊の上部に分離さ
れること)により、最大長さ:20μm 超の介在物が極め
て少なくなり、殆どなくなるようにし得るからである。
又、これによって、酸素濃度も低くなり、10ppm 以下と
なる場合が多い。
Further, when a method of remelting the ingot obtained by once melting and casting by the vacuum arc melting method (VAR method) is adopted as the ingot manufacturing method, the maximum length of the inclusions is 20%.
The cobalt alloy target material according to the present invention having a size of μm or less is particularly easily obtained. This is because even if there is a relatively large inclusion such as a maximum length of more than 20 μm in the ingot before the vacuum arc melting, the inclusion may be broken by the arc during remelting by the vacuum arc melting method. Because the inclusions are separated by floating (ie, the inclusions float in the molten metal and are separated at the top of the ingot), the inclusions having a maximum length of more than 20 μm can be extremely reduced and can be almost eliminated. is there.
This also lowers the oxygen concentration, often to 10 ppm or less.

【0019】かかる点から、本発明に係るコバルト合金
ターゲット材料の製造方法として、コバルト合金ターゲ
ット材料の製造用の鋳塊を真空アーク溶解工程を含む溶
解鋳造法により製造することを特徴とするコバルト合金
ターゲット材料の製造方法を採用している(第2発
明)。この製造方法によれば、前記の如く、介在物の最
大長さが全て20μm 以下である本発明に係るコバルト合
金ターゲット材料が特に得られ易くなり、この点におい
て優れている。
In view of the above, as a method for producing a cobalt alloy target material according to the present invention, a cobalt alloy for producing a cobalt alloy target material is produced by a melting casting method including a vacuum arc melting step. A method for manufacturing a target material is employed (second invention). According to this manufacturing method, as described above, the cobalt alloy target material according to the present invention in which the maximum lengths of the inclusions are all 20 μm or less is particularly easily obtained, which is excellent in this point.

【0020】本発明に係るコバルト合金ターゲット材料
の製造方法は、溶解鋳造法として真空アーク溶解工程を
含むことを要件としているので、真空アーク溶解法によ
り再溶解することが必要であるが、真空アーク溶解前の
鋳塊の製造方法については特には限定されるものではな
く、真空溶解法を採用することもできるし、大気溶解法
を採用することもできる。
The method for producing a cobalt alloy target material according to the present invention requires that a melting and casting method include a vacuum arc melting step. Therefore, it is necessary to perform re-melting by a vacuum arc melting method. The method for producing the ingot before melting is not particularly limited, and a vacuum melting method or an air melting method can be used.

【0021】尚、本発明において、介在物の最大長さと
は、介在物の最大長さ部の長さのことである。例えば、
介在物の形状が球状の場合には直径、略直方体の場合に
は最大辺の長さのことである。内在する介在物の最大長
さが全て20μm 以下であるとは、材料中に内在する介在
物のいずれもが最大長さ:20μm 以下であることであ
る。
In the present invention, the maximum length of the inclusion is the length of the maximum length of the inclusion. For example,
When the shape of the inclusion is spherical, it is the diameter, and when it is a substantially rectangular parallelepiped, it is the length of the maximum side. The phrase “the maximum length of all the internal inclusions is 20 μm or less” means that any of the internal inclusions in the material has a maximum length of 20 μm or less.

【0022】本発明に係るコバルト合金ターゲット材料
でのコバルト合金組成については特には限定されるもの
ではなく、形成しようとするコバルト合金薄膜の組成に
応じて選定される。
The cobalt alloy composition of the cobalt alloy target material according to the present invention is not particularly limited, and is selected according to the composition of the cobalt alloy thin film to be formed.

【0023】[0023]

【実施例】(実施例1〜3、比較例1〜3)真空誘導溶
解法によりCo−13at%Cr−4at%Ta合金の溶解を行って
Co−13at%Cr−4at%Ta合金の鋳塊を製造した。このと
き、酸素レベルを種々変えた。この鋳塊を鍛造し、圧延
した後、機械加工してφ6インチ形状のコバルト合金タ
ーゲット材料を製作した。
EXAMPLES (Examples 1 to 3 and Comparative Examples 1 to 3) A Co-13 at% Cr-4 at% Ta alloy was melted by a vacuum induction melting method.
An ingot of a Co-13at% Cr-4at% Ta alloy was produced. At this time, the oxygen level was varied. This ingot was forged, rolled, and machined to produce a φ6 inch cobalt alloy target material.

【0024】このコバルト合金ターゲット材料を用いて
スパッタリングを行い、パーティクルの発生頻度を調査
した。一方、このコバルト合金ターゲット材料に内在す
る介在物の最大長さを調査した。
Sputtering was performed using this cobalt alloy target material, and the occurrence frequency of particles was investigated. On the other hand, the maximum length of the inclusions present in the cobalt alloy target material was investigated.

【0025】このとき、介在物の最大長さの調査につい
ては、コバルト合金ターゲット材料から顕微鏡試料を採
取し、研磨した後、光学顕微鏡を用いて観察して介在物
の大きさを測定する方法により行った。
At this time, regarding the investigation of the maximum length of the inclusions, a method of measuring a size of the inclusions by collecting a microscopic sample from a cobalt alloy target material, polishing the sample, and observing the sample with an optical microscope is used. went.

【0026】スパッタリングについては、表1に示すス
パッタリング条件により10分間行った。そして、これに
より、基板上に膜厚:3μm のコバルト合金薄膜を形成
させた。パーティクルの発生頻度の調査については、基
板上に形成されたコバルト合金薄膜の表面を光学顕微鏡
を用いて観察して大きさ(最大長さ):3μm 以上のパ
ーティクル(付着物、及び、付着物の剥離跡)の数を測
定する方法により行った。ここで、パーティクルの中で
大きさ:3μm 以上のものを測定するようにしたのは、
特に大きさ:3μm 以上のパーティクルが薄膜の性能に
重大な支障をもたらし、問題となるからである。
The sputtering was performed under the sputtering conditions shown in Table 1 for 10 minutes. Thus, a cobalt alloy thin film having a thickness of 3 μm was formed on the substrate. In order to investigate the frequency of generation of particles, the surface of the cobalt alloy thin film formed on the substrate was observed using an optical microscope, and particles having a size (maximum length): 3 μm or more (adhered matter and adhered matter) were observed. The number of peeling marks was measured. Here, the reason for measuring particles having a size of 3 μm or more is as follows.
In particular, particles having a size of 3 μm or more seriously impair the performance of the thin film and cause a problem.

【0027】尚、パーティクルの原因としては、介在物
が直接飛散する場合はもちろんのこと、これが砕けて飛
散する場合や、あるいは介在物の存在によって介在物以
外の母材部分、例えば介在物直上の素片が離脱する場
合、更には再付着物の離脱の場合が考えられ、これらの
場合には介在物の大きさに比較して小さなパーティクル
が発生する。かかるパーティクルの中、特に3μm 以上
のものが問題となる。
The causes of the particles include not only the case where the inclusions scatter directly, but also the case where the inclusions are crushed and scattered, or the base material portion other than the inclusions due to the presence of the inclusions, for example, just above the inclusions. In the case where the element is detached, the detachment of the reattachment may be considered. In these cases, particles smaller than the size of the inclusion are generated. Among such particles, those having a size of 3 μm or more are particularly problematic.

【0028】[0028]

【表1】 [Table 1]

【0029】[0029]

【表2】 [Table 2]

【0030】(実施例4)真空誘導溶解法によりCo−13
at%Cr−4at%Ta合金の溶解を行ってCo−13at%Cr−4
at%Ta合金の鋳塊を製造し、この鋳塊を真空アーク溶解
法により再溶解した。この再溶解により得られた鋳塊を
鍛造し、圧延した後、機械加工してφ6インチ形状のコ
バルト合金ターゲット材料を製作した。
Example 4 Co-13 was obtained by a vacuum induction melting method.
at% Cr-4 At% Ta alloy is melted to form Co-13at% Cr-4
An ingot of an at% Ta alloy was produced, and the ingot was melted again by a vacuum arc melting method. The ingot obtained by the remelting was forged, rolled, and machined to produce a φ6 inch-shaped cobalt alloy target material.

【0031】このコバルト合金ターゲット材料を用い
て、実施例1〜3、比較例1〜3の場合と同様の方法に
よりスパッタリングを行い、同様の方法によりパーティ
クルの発生頻度を調査した。一方、このコバルト合金タ
ーゲット材料に内在する介在物の最大長さを実施例1〜
3、比較例1〜3の場合と同様の方法により調査した。
Using this cobalt alloy target material, sputtering was performed in the same manner as in Examples 1 to 3 and Comparative Examples 1 to 3, and the occurrence frequency of particles was investigated in the same manner. On the other hand, the maximum length of the inclusions present in the cobalt alloy target material was determined in Examples 1 to 3.
3. Investigation was performed in the same manner as in Comparative Examples 1 to 3.

【0032】(調査の結果)前記実施例1〜3、比較例
1〜3、実施例4における介在物の最大長さ及びパーテ
ィクルの発生頻度の調査の結果を表2に示す。又、この
結果を介在物の最大長さとパーティクルの発生頻度〔大
きさ3μm 以上のパーティクルの数(φ4インチ基板当
たり)〕との関係にして図1に示す。
(Results of Investigation) Table 2 shows the results of investigation of the maximum length of inclusions and the frequency of particle generation in Examples 1 to 3, Comparative Examples 1 to 3, and Example 4. The results are shown in FIG. 1 as a relationship between the maximum length of inclusions and the frequency of occurrence of particles (the number of particles having a size of 3 μm or more (per φ4 inch substrate)).

【0033】表1からわかる如く、比較例1の場合は、
コバルト合金ターゲット材料に内在する介在物の最大長
さが60μm であり、パーティクルの発生頻度が極めて多
い。比較例2、3の場合は、比較例1の場合と比べると
介在物の最大長さが小さく、パーティクルの発生頻度が
少ないものの、介在物の最大長さが30μm 、25μm であ
り、パーティクルの発生頻度が多く、パーティクル発生
の抑制が充分でない。
As can be seen from Table 1, in the case of Comparative Example 1,
The maximum length of the inclusions existing in the cobalt alloy target material is 60 μm, and the frequency of generation of particles is extremely high. In the case of Comparative Examples 2 and 3, the maximum length of the inclusions was smaller and the frequency of generation of particles was less than that in the case of Comparative Example 1, but the maximum lengths of the inclusions were 30 μm and 25 μm. Frequently, particle generation is not sufficiently suppressed.

【0034】これに対し、実施例1〜4の場合は、最大
長さ:20μm 超の介在物は認められず、介在物の最大長
さが20μm 、15μm 、15μm 、8μm であり、パーティ
クルの発生頻度が少ない。
On the other hand, in Examples 1 to 4, no inclusions having a maximum length of more than 20 μm were observed, and the maximum lengths of the inclusions were 20 μm, 15 μm, 15 μm and 8 μm, and particles were generated. Infrequent.

【0035】図1からは、コバルト合金ターゲット材料
に内在する介在物の最大長さが小さくなるに伴ってパー
ティクルの発生頻度が少なくなり、かかる介在物の最大
長さが全て20μm 以下である場合にはパーティクルの発
生頻度は0個であり、パーティクルの発生が皆無である
ということがわかる。
FIG. 1 shows that as the maximum length of the inclusions existing in the cobalt alloy target material decreases, the frequency of generation of particles decreases, and when the maximum lengths of the inclusions are all 20 μm or less. Indicates that the frequency of occurrence of particles is 0 and that no particles are generated.

【0036】尚、以上の実施例1〜4、比較例1〜3に
おいてはコバルト合金ターゲット材料でのコバルト合金
としてCo−13at%Cr−4at%Ta合金を用い、前記の如き
結果が得られているが、このコバルト合金に代えて他の
組成のコバルト合金を用いた場合にも、同様の結果が得
られる。
In the above Examples 1 to 4 and Comparative Examples 1 to 3, the Co-13 at% Cr-4 at% Ta alloy was used as the cobalt alloy as the cobalt alloy target material, and the above results were obtained. However, similar results are obtained when a cobalt alloy of another composition is used instead of the cobalt alloy.

【0037】[0037]

【発明の効果】本発明に係るコバルト合金ターゲット材
料(コバルト合金よりなるスパッタリングターゲット材
料)によれば、スパッタリングに際してパーティクルの
発生が起こり難い。そのため、パーティクルによる性能
低下をきたすことなく、スパッタリングによりコバルト
合金薄膜を形成することができ、コバルト合金薄膜の性
能の向上がはかれるようになる。
According to the cobalt alloy target material (sputtering target material made of a cobalt alloy) according to the present invention, particles are less likely to be generated during sputtering. Therefore, it is possible to form a cobalt alloy thin film by sputtering without causing performance degradation due to particles, and to improve the performance of the cobalt alloy thin film.

【0038】本発明に係るコバルト合金ターゲット材料
の製造方法によれば、内在する介在物の最大長さが全て
20μm 以下である本発明に係るコバルト合金ターゲット
材料が得られ、かかるコバルト合金ターゲット材料を得
る上での確実性及び容易性の向上がはかれるようにな
る。
According to the method for producing a cobalt alloy target material according to the present invention, the maximum length of the internal inclusions is
The cobalt alloy target material according to the present invention having a size of 20 μm or less is obtained, and the reliability and ease of obtaining such a cobalt alloy target material are improved.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】 本発明の実施例及び比較例に係るコバルト合
金ターゲット材料に内在する介在物の最大長さとパーテ
ィクルの発生頻度との関係を示す図である。
FIG. 1 is a diagram showing the relationship between the maximum length of inclusions existing in a cobalt alloy target material and the frequency of generation of particles according to examples and comparative examples of the present invention.

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 内在する介在物の最大長さが全て20μm
以下であるコバルト合金よりなるスパッタリングターゲ
ット材料。
1. The maximum length of all internal inclusions is 20 μm.
A sputtering target material comprising the following cobalt alloy.
【請求項2】 コバルト合金よりなるスパッタリングタ
ーゲット材料の製造方法において、該材料の製造用の鋳
塊を真空アーク溶解工程を含む溶解鋳造法により製造す
ることを特徴とするコバルト合金よりなるスパッタリン
グターゲット材料の製造方法。
2. A method for producing a sputtering target material comprising a cobalt alloy, wherein the ingot for producing the material is produced by a melting casting method including a vacuum arc melting step. Manufacturing method.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002212717A (en) * 2000-12-29 2002-07-31 Solar Applied Material Technology Corp Method for producing metal sputtering target

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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP2002212717A (en) * 2000-12-29 2002-07-31 Solar Applied Material Technology Corp Method for producing metal sputtering target

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