JP2000209062A - 弾性表面波装置 - Google Patents
弾性表面波装置Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 トランスバーサル型弾性表面波フィルタは通
過帯域で群遅延特性を平坦にできるなどの利点がある
が、ＩＤＴ電極長が長くなるので、フィルタ素子のチッ
プサイズが大きくなり、小型化が困難であった。そこで
トランスバーサル型弾性表面波フィルタの急峻な周波数
特性を、従来よりも短いＩＤＴパターンの長さで実現す
る手段を提供する。 【解決手段】 圧電性基板上に導電膜で形成された櫛歯
状電極を互いに交差させた入力ＩＤＴおよび出力ＩＤＴ
を備えたトランスバーサル型弾性表面波フィルタにおい
て、前記入力ＩＤＴもしくは前記出力ＩＤＴの少なくと
もいずれか一方のＩＤＴは他方のＩＤＴの存在する側と
は反対の側に反射器を備え、前記反射器は複数の反射電
極を備え、前記反射器は位相が前記入力ＩＤＴにより励
振された弾性表面波の位相とほぼ逆相の反射波と、前記
入力ＩＤＴにより励振された弾性表面波とほぼ同相の反
射波とを発生するように複数の反射電極が配置されてい
る。
過帯域で群遅延特性を平坦にできるなどの利点がある
が、ＩＤＴ電極長が長くなるので、フィルタ素子のチッ
プサイズが大きくなり、小型化が困難であった。そこで
トランスバーサル型弾性表面波フィルタの急峻な周波数
特性を、従来よりも短いＩＤＴパターンの長さで実現す
る手段を提供する。 【解決手段】 圧電性基板上に導電膜で形成された櫛歯
状電極を互いに交差させた入力ＩＤＴおよび出力ＩＤＴ
を備えたトランスバーサル型弾性表面波フィルタにおい
て、前記入力ＩＤＴもしくは前記出力ＩＤＴの少なくと
もいずれか一方のＩＤＴは他方のＩＤＴの存在する側と
は反対の側に反射器を備え、前記反射器は複数の反射電
極を備え、前記反射器は位相が前記入力ＩＤＴにより励
振された弾性表面波の位相とほぼ逆相の反射波と、前記
入力ＩＤＴにより励振された弾性表面波とほぼ同相の反
射波とを発生するように複数の反射電極が配置されてい
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ＩＤＴのパターン
長を短くして小型化を可能とした弾性表面波装置に関す
る。
長を短くして小型化を可能とした弾性表面波装置に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】弾性表面波フィルタは、小型軽量で調整
を必要とせず、信頼性が高いといった特徴を有するた
め、携帯電話などの移動体通信に用いられている。
を必要とせず、信頼性が高いといった特徴を有するた
め、携帯電話などの移動体通信に用いられている。
【０００３】移動体通信システムの中間周波数フィルタ
の特性は通過帯域において低損失で群遅延特性および位
相特性が平坦、また通過帯域端では急峻な周波数特性が
要求されている。
の特性は通過帯域において低損失で群遅延特性および位
相特性が平坦、また通過帯域端では急峻な周波数特性が
要求されている。
【０００４】従来から、平坦な群遅延特性を得るため
に、トランスバーサル型の弾性表面波フィルタが用いら
れている。そして低損失を得るためには、入出力端にお
いてよく整合を取ることが必要となる。しかし双方向性
のＩＤＴを用いたトランスバーサル型の弾性表面波フィ
ルタの場合には、トリプル・トランジット・エコー（電
気的反射、ＴＴＥ）の増大によって、振幅リップルや群
遅延リップルが増すので特性が劣ってしまう。そこでこ
のようなトランスバーサル型の弾性表面波フィルタの電
気的反射を除くために、一方向性のＩＤＴが用いられて
いる。このような一方向性のＩＤＴとしては、例えば特
開昭５４−１７６４７号、特開昭６１−６９１７号、特
開昭５６−１０７２４号公報に記載の構成が知られてい
る。
に、トランスバーサル型の弾性表面波フィルタが用いら
れている。そして低損失を得るためには、入出力端にお
いてよく整合を取ることが必要となる。しかし双方向性
のＩＤＴを用いたトランスバーサル型の弾性表面波フィ
ルタの場合には、トリプル・トランジット・エコー（電
気的反射、ＴＴＥ）の増大によって、振幅リップルや群
遅延リップルが増すので特性が劣ってしまう。そこでこ
のようなトランスバーサル型の弾性表面波フィルタの電
気的反射を除くために、一方向性のＩＤＴが用いられて
いる。このような一方向性のＩＤＴとしては、例えば特
開昭５４−１７６４７号、特開昭６１−６９１７号、特
開昭５６−１０７２４号公報に記載の構成が知られてい
る。
【０００５】ところで、トランスバーサル型フィルタに
おいては、急峻なフィルタ特性を実現するためには、電
極パターンを長くしなければならない。周波数特性のフ
ーリエ変換によって時間軸特性が与えられるが、よく知
られているように非常に急峻な周波数特性に対する時間
軸特性の時間長は非常に長いものになってしまう。
おいては、急峻なフィルタ特性を実現するためには、電
極パターンを長くしなければならない。周波数特性のフ
ーリエ変換によって時間軸特性が与えられるが、よく知
られているように非常に急峻な周波数特性に対する時間
軸特性の時間長は非常に長いものになってしまう。
【０００６】実際には時間軸特性をフーリエ級数に展開
して誤差が許される範囲の有限項で打ち切り、このとき
の時間軸特性に対応するインパルス応答を、ＩＤＴ電極
パターンの重み付けとして与える（図５の本発明の実施
形態もこのようにした例である。）。従って、より急峻
な周波数特性を得るためには、フーリエ級数の項数をよ
り多く取って時間軸特性の時間長を長くするために、Ｉ
ＤＴの電極パターンを長くする必要があるのである。
して誤差が許される範囲の有限項で打ち切り、このとき
の時間軸特性に対応するインパルス応答を、ＩＤＴ電極
パターンの重み付けとして与える（図５の本発明の実施
形態もこのようにした例である。）。従って、より急峻
な周波数特性を得るためには、フーリエ級数の項数をよ
り多く取って時間軸特性の時間長を長くするために、Ｉ
ＤＴの電極パターンを長くする必要があるのである。
【０００７】このように、急峻な周波数特性を有するト
ランスバーサル型弾性表面波フィルタには、ＩＤＴ電極
長が長くなるため、フィルタ素子のチップサイズが大き
くなって、小型化が困難であるという問題があった。
ランスバーサル型弾性表面波フィルタには、ＩＤＴ電極
長が長くなるため、フィルタ素子のチップサイズが大き
くなって、小型化が困難であるという問題があった。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、このような
問題点を解決するためになされたもので、フィルタの急
峻な周波数特性を、従来よりも短いＩＤＴパターンの長
さで実現できるトランスバーサル型弾性表面波フィルタ
に有用な弾性表面波装置を提供することを目的とする。
問題点を解決するためになされたもので、フィルタの急
峻な周波数特性を、従来よりも短いＩＤＴパターンの長
さで実現できるトランスバーサル型弾性表面波フィルタ
に有用な弾性表面波装置を提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明の弾性表面波装置
は、圧電性基板上に、導電膜で形成された櫛歯状電極を
互いに交差させたＩＤＴの一対を、各ＩＤＴにより励振
される弾性表面波の共通の伝搬路上に位置するよう所定
の間隔を置いて配置してなる弾性表面波装置において、
前記伝搬路上の少なくとも一方のＩＤＴの外側に隣接さ
せて、該隣接するＩＤＴにより励振される弾性表面波の
位相とほぼ逆相の反射波を形成する第１の反射器と、前
記隣接するＩＤＴにより励振される弾性表面波の位相と
ほぼ同相の反射波を形成する第２の反射器とを、前記Ｉ
ＤＴ側から順に配置してなることを特徴とする。
は、圧電性基板上に、導電膜で形成された櫛歯状電極を
互いに交差させたＩＤＴの一対を、各ＩＤＴにより励振
される弾性表面波の共通の伝搬路上に位置するよう所定
の間隔を置いて配置してなる弾性表面波装置において、
前記伝搬路上の少なくとも一方のＩＤＴの外側に隣接さ
せて、該隣接するＩＤＴにより励振される弾性表面波の
位相とほぼ逆相の反射波を形成する第１の反射器と、前
記隣接するＩＤＴにより励振される弾性表面波の位相と
ほぼ同相の反射波を形成する第２の反射器とを、前記Ｉ
ＤＴ側から順に配置してなることを特徴とする。
【００１０】本発明においては、入力ＩＤＴにより励振
された弾性表面波とほぼ同相の反射波とほぼ逆相の反射
波は、反射器の反射電極の位置を、励振波の中心周波数
に対応する波長の範囲内で位置を選ぶことによって発生
させることができる。したがって、本発明において、反
射電極に上記の機能を持たせるには、反射器を、このよ
うな逆相の反射波を発生する反射電極と同相の反射電極
を発生する反射電極で構成すればよい。
された弾性表面波とほぼ同相の反射波とほぼ逆相の反射
波は、反射器の反射電極の位置を、励振波の中心周波数
に対応する波長の範囲内で位置を選ぶことによって発生
させることができる。したがって、本発明において、反
射電極に上記の機能を持たせるには、反射器を、このよ
うな逆相の反射波を発生する反射電極と同相の反射電極
を発生する反射電極で構成すればよい。
【００１１】本発明によれば、反射器により、隣接する
ＩＤＴにより励振される弾性表面波と、ほぼ逆相の反射
波とほぼ同相の反射波とを発生させることによって、フ
ィルタの時間軸特性に複数のサイドローブを生成するこ
とができ、このため、フィルタの周波数特性を急峻にす
ることができる。従ってＩＤＴパターンの長さをあまり
長くせずに、フィルタの周波数特性を急峻にすることが
できる。
ＩＤＴにより励振される弾性表面波と、ほぼ逆相の反射
波とほぼ同相の反射波とを発生させることによって、フ
ィルタの時間軸特性に複数のサイドローブを生成するこ
とができ、このため、フィルタの周波数特性を急峻にす
ることができる。従ってＩＤＴパターンの長さをあまり
長くせずに、フィルタの周波数特性を急峻にすることが
できる。
【００１２】このように反射器を２個とした場合には、
必要最小限の簡単な構成による短い電極パターンで、フ
ィルタの周波数特性を急峻にすることができ、設計や製
造、あるいは素子の小形化等を有利に行うことができ
る。
必要最小限の簡単な構成による短い電極パターンで、フ
ィルタの周波数特性を急峻にすることができ、設計や製
造、あるいは素子の小形化等を有利に行うことができ
る。
【００１３】なお、本発明においては、前記反射器を３
個以上配置してもフィルタの周波数特性を急峻にするこ
とができる。
個以上配置してもフィルタの周波数特性を急峻にするこ
とができる。
【００１４】この場合、反射器は、隣接するＩＤＴから
奇数番目の反射器の位相が前記隣接するＩＤＴにより励
振される弾性表面波の位相とほぼ逆相の反射波を形成す
るよう配置し、隣接するＩＤＴから偶数番目の反射器の
位相が前記隣接するＩＤＴにより励振される弾性表面波
の位相とほぼ同相の反射波を形成するよう配置する。さ
らに、この場合、前記隣接するＩＤＴの励振中心位置と
該ＩＤＴと隣接する第１番目の反射器の反射中心位置と
の距離を、ほぼ ｎλ／２＋λ／８ とし、隣り合う第ｋ番目の反射器の反射中心と第ｋ＋１
番目の反射器の反射中心との距離を、ほぼ ｍk λ／２＋λ／４ （ただし、λは前記隣接するＩＤＴにより励振される弾
性表面波の中心周波数における波長、ｎ、ｍk 、ｋを自
然数である。以下、同じ。）とすることが望ましい。
奇数番目の反射器の位相が前記隣接するＩＤＴにより励
振される弾性表面波の位相とほぼ逆相の反射波を形成す
るよう配置し、隣接するＩＤＴから偶数番目の反射器の
位相が前記隣接するＩＤＴにより励振される弾性表面波
の位相とほぼ同相の反射波を形成するよう配置する。さ
らに、この場合、前記隣接するＩＤＴの励振中心位置と
該ＩＤＴと隣接する第１番目の反射器の反射中心位置と
の距離を、ほぼ ｎλ／２＋λ／８ とし、隣り合う第ｋ番目の反射器の反射中心と第ｋ＋１
番目の反射器の反射中心との距離を、ほぼ ｍk λ／２＋λ／４ （ただし、λは前記隣接するＩＤＴにより励振される弾
性表面波の中心周波数における波長、ｎ、ｍk 、ｋを自
然数である。以下、同じ。）とすることが望ましい。
【００１５】なお、ｎ＝１の場合には、上記式の範囲で
ＩＤＴと反射器とが物理的に重なる場合もでてくるが、
実際の弾性表面波装置では、各ＩＤＴと各反射器が重な
らないように配置される。
ＩＤＴと反射器とが物理的に重なる場合もでてくるが、
実際の弾性表面波装置では、各ＩＤＴと各反射器が重な
らないように配置される。
【００１６】この隣接するＩＤＴの励振中心位置と反射
器の反射中心位置との距離の関係、および各反射器の反
射中心間の距離の関係は、反射器が２個の弾性表面波装
置についても適用される。
器の反射中心位置との距離の関係、および各反射器の反
射中心間の距離の関係は、反射器が２個の弾性表面波装
置についても適用される。
【００１７】本発明においては、このように構成するこ
とにより、第１反射器によって励振波とほぼ逆相の反射
波、第２の反射器によって励振波とほぼ同相の反射波
（奇数番目の反射器からはほぼ逆相の反射、偶数番目の
反射器からはほぼ同相の反射波）が生成され、弾性表面
波フィルタの時間軸特性に複数のサイドローブが生成さ
れて、弾性表面波フィルタとしての周波数特性を急峻に
することができる。
とにより、第１反射器によって励振波とほぼ逆相の反射
波、第２の反射器によって励振波とほぼ同相の反射波
（奇数番目の反射器からはほぼ逆相の反射、偶数番目の
反射器からはほぼ同相の反射波）が生成され、弾性表面
波フィルタの時間軸特性に複数のサイドローブが生成さ
れて、弾性表面波フィルタとしての周波数特性を急峻に
することができる。
【００１８】さらに、本発明の弾性表面波装置において
は、ＩＤＴの一方、または両方に重み付けをすることも
可能である。
は、ＩＤＴの一方、または両方に重み付けをすることも
可能である。
【００１９】本発明において、ＩＤＴの一方、または両
方に対する重み付けは、アポタイズ法によって行うこと
ができるが、このほか、抜き電極による方法やその他の
各種の方法を用いることができる。抜き電極による方法
は、回折の影響を少なくできる点で本発明に用いるのに
有利である。
方に対する重み付けは、アポタイズ法によって行うこと
ができるが、このほか、抜き電極による方法やその他の
各種の方法を用いることができる。抜き電極による方法
は、回折の影響を少なくできる点で本発明に用いるのに
有利である。
【００２０】本発明においてＩＤＴに重み付けをするこ
とにより、入力ＩＤＴの重み付けによる効果と前述した
とおり配置された複数の反射器による効果によって、弾
性表面波フィルタの時間軸におけるサイドローブは一層
適正化され、周波数特性が向上する。
とにより、入力ＩＤＴの重み付けによる効果と前述した
とおり配置された複数の反射器による効果によって、弾
性表面波フィルタの時間軸におけるサイドローブは一層
適正化され、周波数特性が向上する。
【００２１】本発明においては、ＩＤＴの一方、または
両方を重み付けし、重み付けしたＩＤＴパターンの片側
のサイドローブを複数の反射器で置き換えることもでき
る。このように、少なくとも一方のＩＤＴの重み付けの
片側を複数の反射器で置き換えることにより、重み付け
による周波数特性の向上を得るとともに、ＩＤＴパター
ン長の短縮も図ることができる。
両方を重み付けし、重み付けしたＩＤＴパターンの片側
のサイドローブを複数の反射器で置き換えることもでき
る。このように、少なくとも一方のＩＤＴの重み付けの
片側を複数の反射器で置き換えることにより、重み付け
による周波数特性の向上を得るとともに、ＩＤＴパター
ン長の短縮も図ることができる。
【００２２】また、反射器を配置する側のＩＤＴを他方
のＩＤＴ方向への一方向性電極とすることもできる。こ
のように、ＩＤＴを他方のＩＤＴ方向への一方向性電極
に構成することによって、弾性表面波フィルタの伝送効
率を高めるとともに、時間軸におけるサイドローブを適
正化して、周波数特性を向上させることができる。反射
器を配置した側のＩＤＴが一方向性電極であっても、他
方のＩＤＴ方向と反対の側に向かう弾性表面波は存在し
ており、このような構成を採用しても本発明による反射
器配置の効果を得ることができる。
のＩＤＴ方向への一方向性電極とすることもできる。こ
のように、ＩＤＴを他方のＩＤＴ方向への一方向性電極
に構成することによって、弾性表面波フィルタの伝送効
率を高めるとともに、時間軸におけるサイドローブを適
正化して、周波数特性を向上させることができる。反射
器を配置した側のＩＤＴが一方向性電極であっても、他
方のＩＤＴ方向と反対の側に向かう弾性表面波は存在し
ており、このような構成を採用しても本発明による反射
器配置の効果を得ることができる。
【００２３】また、反射器を構成する反射電極の数を隣
接するＩＤＴから離れるにつれて少なくするようにして
もよい。
接するＩＤＴから離れるにつれて少なくするようにして
もよい。
【００２４】ＩＤＴの重みづけのサイドローブは通常の
フィルタでは順次小さくしてすることができるが、本発
明でも同様に反射器の反射電極の数を順次減少させるこ
とができるのである。
フィルタでは順次小さくしてすることができるが、本発
明でも同様に反射器の反射電極の数を順次減少させるこ
とができるのである。
【００２５】さらに、本発明においては、時間軸特性で
サイドローブが一つしか持たない場合には、反射器を一
つだけにすることも可能である。
サイドローブが一つしか持たない場合には、反射器を一
つだけにすることも可能である。
【００２６】すなわち、この場合には、圧電性基板上
に、ＩＤＴの一対を、各ＩＤＴにより励振される弾性表
面波の共通の伝搬路上に位置するよう所定の間隔を置い
て配置してなる弾性表面波装置において、前記伝搬路上
の少なくとも一方のＩＤＴの外側に隣接させて、該隣接
するＩＤＴにより励振される弾性表面波の位相とほぼ逆
相の反射波を形成する反射器を配置することによって、
ＩＤＴのパターン長を短くすることが可能となるのであ
る。
に、ＩＤＴの一対を、各ＩＤＴにより励振される弾性表
面波の共通の伝搬路上に位置するよう所定の間隔を置い
て配置してなる弾性表面波装置において、前記伝搬路上
の少なくとも一方のＩＤＴの外側に隣接させて、該隣接
するＩＤＴにより励振される弾性表面波の位相とほぼ逆
相の反射波を形成する反射器を配置することによって、
ＩＤＴのパターン長を短くすることが可能となるのであ
る。
【００２７】このように、反射器を１個とした場合に
も、隣接するＩＤＴの励振中心位置と反射器の反射に中
心位置との距離は、ほぼ ｎλ／２＋λ／８ とすることが望ましい。
も、隣接するＩＤＴの励振中心位置と反射器の反射に中
心位置との距離は、ほぼ ｎλ／２＋λ／８ とすることが望ましい。
【００２８】上述したとおり、反射器を１個とした場合
には、フィルタとしては急峻にはならないが、ＩＤＴの
パターン長を短くする効果が得られる。
には、フィルタとしては急峻にはならないが、ＩＤＴの
パターン長を短くする効果が得られる。
【００２９】
【発明の実施の形態】本発明の実施の形態を図面に基づ
き詳細に説明する。
き詳細に説明する。
【００３０】（実施の形態１）図１は本発明の一実施形
態を模式的に示したものである。なお、以下の図の説明
においては、図１と同一部分には同一符号を付して重複
する説明は省略してある。
態を模式的に示したものである。なお、以下の図の説明
においては、図１と同一部分には同一符号を付して重複
する説明は省略してある。
【００３１】図１において、この弾性表面波装置は、圧
電基板１００上に出力ＩＤＴ１０と入力ＩＤＴ２０を形
成し、入力ＩＤＴ２０の出力ＩＤＴ１０とは反対の側に
２個の反射器３０、４０を並列配置して構成されてい
る。なお、出力ＩＤＴ１０、入力ＩＤＴ２０、反射器３
０、４０は、弾性表面波の共通の伝搬路上に配置されて
いる。なお、図２は、ＩＤＴに隣接して本発明における
反射器を配置しない、この実施形態に対応する従来の弾
性表面波フィルタを示したものである。
電基板１００上に出力ＩＤＴ１０と入力ＩＤＴ２０を形
成し、入力ＩＤＴ２０の出力ＩＤＴ１０とは反対の側に
２個の反射器３０、４０を並列配置して構成されてい
る。なお、出力ＩＤＴ１０、入力ＩＤＴ２０、反射器３
０、４０は、弾性表面波の共通の伝搬路上に配置されて
いる。なお、図２は、ＩＤＴに隣接して本発明における
反射器を配置しない、この実施形態に対応する従来の弾
性表面波フィルタを示したものである。
【００３２】図１において、入力ＩＤＴの励振中心位置
２１と第１の反射器３０の反射中心位置３１との距離
は、中心周波数における波長をλとし、ｎを自然数とし
て、 ｎλ／２＋λ／８ とされている。ここで励振源はＩＤＴの極性の異なる電
極指間に挟まれた空隙部の中心にあると定義すると、励
振中心位置としては、１波長の範囲においての励振源の
中心の位置に定めればよく、図１においては、入力ＩＤ
Ｔの中心の電極指の中心の位置を選んでもよいし、励振
波長の１／２の整数倍だけ離れた任意の位置の入力ＩＤ
Ｔ電極指の中心位置を選んでもよい。また、反射器の反
射中心位置は、反射器を構成する個々の反射体電極指の
中心位置である。
２１と第１の反射器３０の反射中心位置３１との距離
は、中心周波数における波長をλとし、ｎを自然数とし
て、 ｎλ／２＋λ／８ とされている。ここで励振源はＩＤＴの極性の異なる電
極指間に挟まれた空隙部の中心にあると定義すると、励
振中心位置としては、１波長の範囲においての励振源の
中心の位置に定めればよく、図１においては、入力ＩＤ
Ｔの中心の電極指の中心の位置を選んでもよいし、励振
波長の１／２の整数倍だけ離れた任意の位置の入力ＩＤ
Ｔ電極指の中心位置を選んでもよい。また、反射器の反
射中心位置は、反射器を構成する個々の反射体電極指の
中心位置である。
【００３３】ところで励振中心位置は必ずしも図１のよ
うにＩＤＴの電極指の中心位置にあるとは限らない。例
えば、図１０に示すように、λ／８電極２本ずつ交互に
極性を変えて配置されるスプリット（ダブル）電極を用
いてＩＤＴが構成されている場合には、励振中心位置２
１は、スプリット電極２本の中心、即ちその空隙部の中
心に位置することになる。また、図１１に示すように、
一方向性電極の一つであるλ／８−λ／８−３λ／８電
極構造（特開昭５６−１０７２４号）を用いてＩＤＴが
構成されている場合には、励振中心位置２１は、両側が
異なる極性の電極指に挟まれているλ／８電極の中心、
あるいはその位置からλ／２だけ離れた位置２１ｂ、お
よびそれらの位置からλ／２の整数倍だけ離れた任意の
位置（図示せず）となる。このとき、励振中心位置２１
ｂは、３λ／８電極上にあるがその中心位置にはない。
うにＩＤＴの電極指の中心位置にあるとは限らない。例
えば、図１０に示すように、λ／８電極２本ずつ交互に
極性を変えて配置されるスプリット（ダブル）電極を用
いてＩＤＴが構成されている場合には、励振中心位置２
１は、スプリット電極２本の中心、即ちその空隙部の中
心に位置することになる。また、図１１に示すように、
一方向性電極の一つであるλ／８−λ／８−３λ／８電
極構造（特開昭５６−１０７２４号）を用いてＩＤＴが
構成されている場合には、励振中心位置２１は、両側が
異なる極性の電極指に挟まれているλ／８電極の中心、
あるいはその位置からλ／２だけ離れた位置２１ｂ、お
よびそれらの位置からλ／２の整数倍だけ離れた任意の
位置（図示せず）となる。このとき、励振中心位置２１
ｂは、３λ／８電極上にあるがその中心位置にはない。
【００３４】図１に示した実施形態においては、第１の
反射器３０の反射中心位置３１と第２の反射器４０の反
射中心位置４１との距離は、ｍを自然数として、 ｍλ／２＋λ／４ である。
反射器３０の反射中心位置３１と第２の反射器４０の反
射中心位置４１との距離は、ｍを自然数として、 ｍλ／２＋λ／４ である。
【００３５】図１において、入力ＩＤＴ２０から左右両
方に励振された弾性表面波のうち、左方向に伝搬する励
振波５１は、出力ＩＤＴ１０で受信されて電気信号に変
換される。他方、右方向に伝搬する励振波５２の一部は
第１の反射器で反射されて左方向に伝搬する反射波５３
となる。
方に励振された弾性表面波のうち、左方向に伝搬する励
振波５１は、出力ＩＤＴ１０で受信されて電気信号に変
換される。他方、右方向に伝搬する励振波５２の一部は
第１の反射器で反射されて左方向に伝搬する反射波５３
となる。
【００３６】この反射波５３は、弾性表面波の伝搬速度
をｖとすると、時間遅延 τ1 ＝２（ｎλ／２＋λ／８）／ｖ を伴って出力ＩＤＴ１０で受信され電気信号に変換され
る。このとき、励振中心位置２１と反射中心位置３１と
の距離がｎλ／２＋λ／８であるから、励振波５１と反
射波５３の位相差φは、反射時に位相変化π／２を生じ
ることを考慮すれば、 φ＝２（ｎλ／２＋λ／８）×２π／λ＋π／２ ＝２ｎπ＋π となり、反射波は励振波と逆相の関係になる。
をｖとすると、時間遅延 τ1 ＝２（ｎλ／２＋λ／８）／ｖ を伴って出力ＩＤＴ１０で受信され電気信号に変換され
る。このとき、励振中心位置２１と反射中心位置３１と
の距離がｎλ／２＋λ／８であるから、励振波５１と反
射波５３の位相差φは、反射時に位相変化π／２を生じ
ることを考慮すれば、 φ＝２（ｎλ／２＋λ／８）×２π／λ＋π／２ ＝２ｎπ＋π となり、反射波は励振波と逆相の関係になる。
【００３７】次に右方向に伝搬する励振波５２の一部
は、第２の反射器４０で反射されて左方向に伝搬する反
射波５４となり、時間遅延 τ2 ＝２（ｎλ／２＋λ／８＋ｍλ／２＋λ／４）／ｖ を伴って出力ＩＤＴ１０で受信され電気信号に変換され
る。
は、第２の反射器４０で反射されて左方向に伝搬する反
射波５４となり、時間遅延 τ2 ＝２（ｎλ／２＋λ／８＋ｍλ／２＋λ／４）／ｖ を伴って出力ＩＤＴ１０で受信され電気信号に変換され
る。
【００３８】このとき、反射波５３と反射波５４の位相
差ψは、 ψ＝２（ｍλ／２＋λ／４）×２π／λ ＝２ｍπ＋π となり、第２の反射波５４は第１の反射波５３と逆相の
関係になり、従って第２の反射波５４は励振波５１と同
相となる。
差ψは、 ψ＝２（ｍλ／２＋λ／４）×２π／λ ＝２ｍπ＋π となり、第２の反射波５４は第１の反射波５３と逆相の
関係になり、従って第２の反射波５４は励振波５１と同
相となる。
【００３９】図２は本実施の形態に対する比較である反
射器のない場合の弾性表面波フィルタを模式的に示すも
のである。
射器のない場合の弾性表面波フィルタを模式的に示すも
のである。
【００４０】図３は、これら第１の反射器および第２の
反射器がフィルタの時間軸特性に及ぼす効果を示したも
のである。図３では反射器がない場合には、励振波５１
によってメインローブ６１の時間応答が得られ、メイン
ローブ６１より遅い時間領域の時間応答は６２となり、
サイドローブはない。これに対して第１の反射器３０お
よび第２の反射器４０を設けると、図４の６３の第１の
サイドローブおよび６４の第２のサイドローブが形成さ
れる。ここで第１のサイドローブ６３は時間遅延τ1 を
伴っており反射器３０によるものであり、第２のサイド
ローブ６４は時間遅延τ2 を伴っており反射器３０によ
るものである。
反射器がフィルタの時間軸特性に及ぼす効果を示したも
のである。図３では反射器がない場合には、励振波５１
によってメインローブ６１の時間応答が得られ、メイン
ローブ６１より遅い時間領域の時間応答は６２となり、
サイドローブはない。これに対して第１の反射器３０お
よび第２の反射器４０を設けると、図４の６３の第１の
サイドローブおよび６４の第２のサイドローブが形成さ
れる。ここで第１のサイドローブ６３は時間遅延τ1 を
伴っており反射器３０によるものであり、第２のサイド
ローブ６４は時間遅延τ2 を伴っており反射器３０によ
るものである。
【００４１】このようにして、反射器３０および反射器
４０によって、時間軸応答にサイドローブを形成して時
間長を伸ばすことができ、その結果、急峻な周波数特性
を得ることができる。図４は本実施形態において、入力
ＩＤＴが正規型９５対、出力ＩＤＴが正規型４２対のと
きの周波数特性を点線７１で示す。これに対し、入力Ｉ
ＤＴの出力ＩＤＴ側と反対の側に、反射電極の本数が２
５本の第１の反射器および反射電極の本数が２０本の第
２の反射器を設けた場合の周波数特性を実線７２で示
す。ここで、反射器１本当たりの反射量は、約１％であ
る。
４０によって、時間軸応答にサイドローブを形成して時
間長を伸ばすことができ、その結果、急峻な周波数特性
を得ることができる。図４は本実施形態において、入力
ＩＤＴが正規型９５対、出力ＩＤＴが正規型４２対のと
きの周波数特性を点線７１で示す。これに対し、入力Ｉ
ＤＴの出力ＩＤＴ側と反対の側に、反射電極の本数が２
５本の第１の反射器および反射電極の本数が２０本の第
２の反射器を設けた場合の周波数特性を実線７２で示
す。ここで、反射器１本当たりの反射量は、約１％であ
る。
【００４２】図４において、−３ｄＢの帯域幅と−３０
ｄＢの帯域幅との比、即ち、shapefactorを用いて急峻
性を比較すると、反射器がない場合は２．２７であるの
に対し、反射器を設けた本発明の場合は１．６７と顕著
に急峻性を増していることがわかる。
ｄＢの帯域幅との比、即ち、shapefactorを用いて急峻
性を比較すると、反射器がない場合は２．２７であるの
に対し、反射器を設けた本発明の場合は１．６７と顕著
に急峻性を増していることがわかる。
【００４３】（実施の形態２）図５は本発明の構成の一
実施形態を示す模式図である。図５において、２２はア
ポダイズ法によって重み付けされた入力ＩＤＴのメイン
ローブであり、その左側にはサイドローブ２３および２
４を有している。メインローブ２２の右側にはサイドロ
ーブは存在せず、代わりに反射器３０および４０が配置
されている。そして図示されていないが、この入力ＩＤ
Ｔの左側には、出力ＩＤＴが配置されている。図６は図
５の本発明の実施の形態に対応する比較例として示すア
ポダイズ法によって重み付けされた従来のトランスバー
サル型フィルタの入力ＩＤＴを示したもので、ほぼ左右
対称に２個ずつのサイドローブ２３、２４、２５、２６
を有している。図示されていないが、この入力ＩＤＴの
左側には、出力ＩＤＴが配置されている。
実施形態を示す模式図である。図５において、２２はア
ポダイズ法によって重み付けされた入力ＩＤＴのメイン
ローブであり、その左側にはサイドローブ２３および２
４を有している。メインローブ２２の右側にはサイドロ
ーブは存在せず、代わりに反射器３０および４０が配置
されている。そして図示されていないが、この入力ＩＤ
Ｔの左側には、出力ＩＤＴが配置されている。図６は図
５の本発明の実施の形態に対応する比較例として示すア
ポダイズ法によって重み付けされた従来のトランスバー
サル型フィルタの入力ＩＤＴを示したもので、ほぼ左右
対称に２個ずつのサイドローブ２３、２４、２５、２６
を有している。図示されていないが、この入力ＩＤＴの
左側には、出力ＩＤＴが配置されている。
【００４４】図５の本発明のトランスバーサル型フィル
タの入力ＩＤＴにおいては、反射器３０、４０によっ
て、ＩＤＴ２０のサイドローブが時間軸上に形成され
る。即ち、ＩＤＴ２０から右側に伝搬する励振波は、反
射器３０で反射されて、図６のサイドローブ２５の重み
付けをほぼ形成し、また反射器４０で反射されて、図６
のサイドローブ２６の重み付けをほぼ形成することがで
きる。こうして図６の入力ＩＤＴよりも短いＩＤＴパタ
ーンで、トランスバーサル型フィルタの入力ＩＤＴを形
成することができる。
タの入力ＩＤＴにおいては、反射器３０、４０によっ
て、ＩＤＴ２０のサイドローブが時間軸上に形成され
る。即ち、ＩＤＴ２０から右側に伝搬する励振波は、反
射器３０で反射されて、図６のサイドローブ２５の重み
付けをほぼ形成し、また反射器４０で反射されて、図６
のサイドローブ２６の重み付けをほぼ形成することがで
きる。こうして図６の入力ＩＤＴよりも短いＩＤＴパタ
ーンで、トランスバーサル型フィルタの入力ＩＤＴを形
成することができる。
【００４５】こうして図５の構成の入力ＩＤＴを用い
た、トランスバーサル型フィルタによって、図６の構成
の入力ＩＤＴを用いた、トランスバーサル型フィルタと
同等の急峻性を有するフィルター特性を得ることができ
た。
た、トランスバーサル型フィルタによって、図６の構成
の入力ＩＤＴを用いた、トランスバーサル型フィルタと
同等の急峻性を有するフィルター特性を得ることができ
た。
【００４６】（実施の形態３）図７に示すように、上記
実施の形態２の図５に対し、さらに反射器４０と同相の
反射波を生ずる反射器８０を加えて反射器を３個に増や
すことによって、上記実施の形態２の図６に比べてさら
に時間軸におけるサイドローブを増し、周波数特性にお
ける急峻性をさらに改善することができる。
実施の形態２の図５に対し、さらに反射器４０と同相の
反射波を生ずる反射器８０を加えて反射器を３個に増や
すことによって、上記実施の形態２の図６に比べてさら
に時間軸におけるサイドローブを増し、周波数特性にお
ける急峻性をさらに改善することができる。
【００４７】（実施の形態４）図８は、本発明の構成の
一実施形態を示す模式図である。同図において、符号２
２は、アポダイズ法によって重み付けされた入力ＩＤＴ
２０のメインローブであり、その左側に１つのサイドロ
ーブ２３を有している。
一実施形態を示す模式図である。同図において、符号２
２は、アポダイズ法によって重み付けされた入力ＩＤＴ
２０のメインローブであり、その左側に１つのサイドロ
ーブ２３を有している。
【００４８】メインローブ２２の反対側（図で右側）に
はサイドローブは存在せず、かわりに１個の反射器３０
が、ＩＤＴ２０により励振された弾性表面波の位相とほ
ぼ逆位相の反射波を発生する位置に配置されている。
はサイドローブは存在せず、かわりに１個の反射器３０
が、ＩＤＴ２０により励振された弾性表面波の位相とほ
ぼ逆位相の反射波を発生する位置に配置されている。
【００４９】そして図示されていないが、この入力ＩＤ
Ｔの、同図の左側には、出力ＩＤＴが配置されている。
Ｔの、同図の左側には、出力ＩＤＴが配置されている。
【００５０】図８の本発明のトランスバーサル型フィル
タの入力ＩＤＴ２０において、反射器３０によってＩＤ
Ｔ２０の１つのサイドローブが時間軸上に形成される。
即ち、ＩＤＴ２０から図の右側に伝搬する励振波は、反
射波３０で反射されて、図９のサイドロ一ブ２５の重み
付けをほぼ形成することができる。こうして図９の入力
ＩＤＴよりも短いＩＤＴパターンで、トランスバーサル
型フィルタの入力ＩＤＴを形成することができる。
タの入力ＩＤＴ２０において、反射器３０によってＩＤ
Ｔ２０の１つのサイドローブが時間軸上に形成される。
即ち、ＩＤＴ２０から図の右側に伝搬する励振波は、反
射波３０で反射されて、図９のサイドロ一ブ２５の重み
付けをほぼ形成することができる。こうして図９の入力
ＩＤＴよりも短いＩＤＴパターンで、トランスバーサル
型フィルタの入力ＩＤＴを形成することができる。
【００５１】このように、図８の構成の入力ＩＤＴを用
いたトランスバーサル型フィルタによって、図９の構成
の入力ＩＤＴを用いたトランスバーサル型フィルタと同
等のフィルタ特性を得ることができた。
いたトランスバーサル型フィルタによって、図９の構成
の入力ＩＤＴを用いたトランスバーサル型フィルタと同
等のフィルタ特性を得ることができた。
【００５２】（実施の形態５）図１０は、本発明の構成
の一実施形態を示す模式図である。同図において、入力
ＩＤＴ２０は、λ／８電極を２本ずつ交互に極性を変え
て配置した所謂スプリット（ダブル）電極を用いてい
る。そして図示されていないが、この入力ＩＤＴ２０の
左側には、出力ＩＤＴが配置されており、また、反射電
極３０の右側には互いに逆相となる複数の反射電極が配
置されていてもよい。スプリット電極はＩＤＴ２０内で
の各電極指での反射が相殺されるので、リップルの少な
い周波数特性を得ることができる。
の一実施形態を示す模式図である。同図において、入力
ＩＤＴ２０は、λ／８電極を２本ずつ交互に極性を変え
て配置した所謂スプリット（ダブル）電極を用いてい
る。そして図示されていないが、この入力ＩＤＴ２０の
左側には、出力ＩＤＴが配置されており、また、反射電
極３０の右側には互いに逆相となる複数の反射電極が配
置されていてもよい。スプリット電極はＩＤＴ２０内で
の各電極指での反射が相殺されるので、リップルの少な
い周波数特性を得ることができる。
【００５３】（実施の形態６）図１１は、本発明の構成
の一実施形態を示す模式図である。図１１において、入
力ＩＤＴ２０は、一方向性電極のーつであるλ／８−λ
／８−３λ／８電極構造（特開昭５６−１０７２４号）
を用いている。そして図示されていないが、この入力Ｉ
ＤＴ２０の左側には、出力ＩＤＴが配置されている。な
お、反射電極３０の右側には互いに逆相となる複数の反
射電極が配置されていてもよい。このようにＩＤＴ２０
を一方向性電極とすることによって、弾性表面波の伝送
効率を高めるとともに、低損失を得るために入出力端で
整合を取る場合に、増大するトリブル・トランジット・
エコ−（電気的反射）を一方向性電極内に設けられた音
響的反射源（３λ／８電極）によって相殺することがで
き、低損失でリップルの少ないフィルタ特性を得ること
ができる。
の一実施形態を示す模式図である。図１１において、入
力ＩＤＴ２０は、一方向性電極のーつであるλ／８−λ
／８−３λ／８電極構造（特開昭５６−１０７２４号）
を用いている。そして図示されていないが、この入力Ｉ
ＤＴ２０の左側には、出力ＩＤＴが配置されている。な
お、反射電極３０の右側には互いに逆相となる複数の反
射電極が配置されていてもよい。このようにＩＤＴ２０
を一方向性電極とすることによって、弾性表面波の伝送
効率を高めるとともに、低損失を得るために入出力端で
整合を取る場合に、増大するトリブル・トランジット・
エコ−（電気的反射）を一方向性電極内に設けられた音
響的反射源（３λ／８電極）によって相殺することがで
き、低損失でリップルの少ないフィルタ特性を得ること
ができる。
【００５４】以上の実施の形態の説明では、主として入
力ＩＤＴとこれに隣り合う反射器について述べたが、弾
性表面波装置の性質から、入力ＩＤＴにかえて出力ＩＤ
Ｔにに隣り合う反射器を用いた場合も同様に本発明の効
果が得られる。
力ＩＤＴとこれに隣り合う反射器について述べたが、弾
性表面波装置の性質から、入力ＩＤＴにかえて出力ＩＤ
Ｔにに隣り合う反射器を用いた場合も同様に本発明の効
果が得られる。
【００５５】
【発明の効果】本発明によれば、トランスバーサル型弾
性表面波フィルタの片側に反射器を複数設けることによ
って、短いＩＤＴパターンによって急峻性を有するフィ
ルタ特性を実現でき、これによって平坦な群遅延特性の
得られるトランスバーサル型弾性表面波フィルタ素子の
小形化が可能である。
性表面波フィルタの片側に反射器を複数設けることによ
って、短いＩＤＴパターンによって急峻性を有するフィ
ルタ特性を実現でき、これによって平坦な群遅延特性の
得られるトランスバーサル型弾性表面波フィルタ素子の
小形化が可能である。
【図１】 本発明の弾性表面波フィルタ素子の一実施形
態のＩＤＴを示す模式的平面図である。
態のＩＤＴを示す模式的平面図である。
【図２】 図１の本発明の弾性表面波フィルタ素子の一
実施形態のＩＤＴに対する比較例の弾性表面波フィルタ
素子のＩＤＴを示す模式的平面図である。
実施形態のＩＤＴに対する比較例の弾性表面波フィルタ
素子のＩＤＴを示す模式的平面図である。
【図３】 本発明の一実施例および比較例の弾性表面波
フィルタ装置における時間軸特性を示す図である。
フィルタ装置における時間軸特性を示す図である。
【図４】 本発明の一実施例および比較例の弾性表面波
フィルタ装置の伝送特性の周波数特性を示す図である。
フィルタ装置の伝送特性の周波数特性を示す図である。
【図５】 本発明の弾性表面波フィルタ素子の一実施形
態の入力ＩＤＴを示す模式的平面図である。
態の入力ＩＤＴを示す模式的平面図である。
【図６】 図５の本発明の弾性表面波フィルタ素子の一
実施形態の入力ＩＤＴに対する比較例の弾性表面波フィ
ルタ素子の入力ＩＤＴを示す模式的平面図である。
実施形態の入力ＩＤＴに対する比較例の弾性表面波フィ
ルタ素子の入力ＩＤＴを示す模式的平面図である。
【図７】 本発明の弾性表面波フィルタ素子の他の一実
施形態の入力ＩＤＴを示す模式的平面図である。
施形態の入力ＩＤＴを示す模式的平面図である。
【図８】 本発明の弾性表面波フィルタ素子の一実施形
態の入力ＩＤＴを示す模式的平面図である。
態の入力ＩＤＴを示す模式的平面図である。
【図９】 図８に示した本発明の弾性表面波フィルタ素
子の一実施形態の入力ＩＤＴに対する比較例の弾性表面
波フィルタ素子の入力ＩＤＴを示す模式的平面図であ
る。
子の一実施形態の入力ＩＤＴに対する比較例の弾性表面
波フィルタ素子の入力ＩＤＴを示す模式的平面図であ
る。
【図１０】 本発明の弾性表面波フィルタ素子の他の一
実施形態であるスプリット電極を用いたＩＤＴを示す模
式的平面図である。
実施形態であるスプリット電極を用いたＩＤＴを示す模
式的平面図である。
【図１１】 本発明の弾性表面波フィルタ素子の他の一
実施形態である一方向性電極を用いたＩＤＴを示す模式
的平面図である。
実施形態である一方向性電極を用いたＩＤＴを示す模式
的平面図である。
１０……出力ＩＤＴ、 ２０……入力ＩＤＴ、 ２
１……励振中心位置、２２……メインローブ、 ２
３、２４、２５、２６……サイドローブ、３０、４０、
８０……反射器、 ３１、４１……反射中心位置、
５１……左方向に伝搬する励振波、 ５２……右方
向に伝搬する励振波、 ５３……第１反射器で反射さ
れた反射波、 ５４……第２反射器で反射された反射
波、６１……時間応答におけるメインローブ、 ６２
……反射器のない場合の時間応答、 ６３……第１の
反射器によるサイドローブ、 ６４……第２の反射器
によるサイドローブ、 ７１……反射器のない場合の
伝送特性、 ７２……反射器のある場合の伝送特性。
１……励振中心位置、２２……メインローブ、 ２
３、２４、２５、２６……サイドローブ、３０、４０、
８０……反射器、 ３１、４１……反射中心位置、
５１……左方向に伝搬する励振波、 ５２……右方
向に伝搬する励振波、 ５３……第１反射器で反射さ
れた反射波、 ５４……第２反射器で反射された反射
波、６１……時間応答におけるメインローブ、 ６２
……反射器のない場合の時間応答、 ６３……第１の
反射器によるサイドローブ、 ６４……第２の反射器
によるサイドローブ、 ７１……反射器のない場合の
伝送特性、 ７２……反射器のある場合の伝送特性。
Claims (10)
- 【請求項１】 圧電性基板上に、導電膜で形成された櫛
歯状電極を互いに交差させたＩＤＴの一対を、各ＩＤＴ
により励振される弾性表面波の共通の伝搬路上にそれぞ
れ位置するように、所定の間隔を置いて配置してなる弾
性表面波装置において、 前記伝搬路上の少なくとも一方のＩＤＴの外側に隣接さ
せて、このＩＤＴにより励振される弾性表面波の位相と
ほぼ逆相の反射波を形成する第１の反射器と、このＩＤ
Ｔにより励振される弾性表面波の位相とほぼ同相の反射
波を形成する第２の反射器とを、前記ＩＤＴ側から順に
配置してなることを特徴とする弾性表面波装置。 - 【請求項２】 圧電性基板上に、導電膜で形成された櫛
歯状電極を互いに交差させたＩＤＴの一対を、各ＩＤＴ
により励振される弾性表面波の共通の伝搬路上にそれぞ
れ位置するように、所定の間隔を置いて配置してなる弾
性表面波装置において、 前記伝搬路上の少なくとも一方のＩＤＴの外側に隣接さ
せて、このＩＤＴから奇数番目の反射器がこのＩＤＴに
より励振される弾性表面波の位相とほぼ逆相の反射波を
形成し、このＩＤＴから偶数番目の反射器の位相がこの
ＩＤＴにより励振される弾性表面波の位相とほぼ同相の
反射波を形成するよう、複数個の反射器を配置してなる
ことを特徴とする弾性表面波装置。 - 【請求項３】 前記ＩＤＴの励振中心位置とこのＩＤＴ
と隣接する第１番目の反射器の反射中心位置間の距離
を、ほぼ ｎλ／２＋λ／８ とし、互いに隣り合う第ｋ番目の反射器の反射中心と第
ｋ＋１番目の反射器の反射中心間の距離を、ほぼ ｍk λ／２＋λ／４ （ただし、λは前記ＩＤＴにより励振される弾性表面波
の中心周波数における波長、ｎ、ｍk 、ｋは自然数であ
る。以下、同じ。）としたことを特徴とする請求項２記
載の弾性表面波装置。 - 【請求項４】 前記ＩＤＴと隣接して配置される反射器
が２個であることを特徴とする請求項１ないし請求項３
のいずれか１項記載の弾性表面波装置。 - 【請求項５】 前記一対のＩＤＴのうち少なくとも一方
が重み付けされていることを特徴とする請求項１ないし
請求項４のいずれか１項記載の弾性表面波装置。 - 【請求項６】 前記一対のＩＤＴのうち少なくとも一方
が重み付けされており、重み付けされたＩＤＴの電極パ
ターンの他方のＩＤＴと反対側のサイドローブは複数の
反射器で置き換えられていることを特徴とする請求項１
ないし請求項５のいずれか１項記載の弾性表面波装置。 - 【請求項７】 前記隣接するＩＤＴが一方向性電極であ
ることを特徴とする請求項１ないし請求項６のいずれか
１項記載の弾性表面波装置。 - 【請求項８】 前記反射器を構成する反射電極の数を前
記隣接するＩＤＴから離れるにつれて少なくしたことを
特徴とする請求項１ないし請求項７のいずれか１項記載
の弾性表面波装置。 - 【請求項９】 圧電性基板上に、導電膜で形成された櫛
歯状電極を互いに交差させたＩＤＴの一対を、各ＩＤＴ
により励振される弾性表面波の共通の伝搬路上に位置す
るよう所定の間隔を置いて配置してなる弾性表面波装置
において、 前記伝搬路上の少なくとも一方のＩＤＴの外側に隣接さ
せて、このＩＤＴにより励振される弾性表面波の位相と
ほぼ逆相の反射波を形成する反射器を配置してなること
を特徴とする弾性表面波装置。 - 【請求項１０】 前記ＩＤＴの励振中心位置とこのＩＤ
Ｔと隣接する反射器の反射中心位置間との距離を、ほぼ ｎλ／２＋λ／８ としたことを特徴とする請求項９記載の弾性表面波装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11005389A JP2000209062A (ja) | 1999-01-12 | 1999-01-12 | 弾性表面波装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11005389A JP2000209062A (ja) | 1999-01-12 | 1999-01-12 | 弾性表面波装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000209062A true JP2000209062A (ja) | 2000-07-28 |
Family
ID=11609817
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11005389A Withdrawn JP2000209062A (ja) | 1999-01-12 | 1999-01-12 | 弾性表面波装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000209062A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012034082A (ja) * | 2010-07-29 | 2012-02-16 | Japan Radio Co Ltd | 表面弾性波デバイス |
-
1999
- 1999-01-12 JP JP11005389A patent/JP2000209062A/ja not_active Withdrawn
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2012034082A (ja) * | 2010-07-29 | 2012-02-16 | Japan Radio Co Ltd | 表面弾性波デバイス |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20060404 |