JP2000208404A - Aligner and device manufacturing method - Google Patents
Aligner and device manufacturing methodInfo
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- wafer
- exposed
- stage
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Links
Landscapes
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、集積回路等の製造
に使用される露光装置およびそれを用いることができる
デバイス製造方法に関する。[0001] 1. Field of the Invention [0002] The present invention relates to an exposure apparatus used for manufacturing an integrated circuit and the like, and a device manufacturing method using the same.
【0002】[0002]
【従来の技術】従来、ウエハコータデベロッパと接続し
て使用される半導体製造装置では、半導体製造装置のイ
ンラインステーションに搬入されたウエハはプリアライ
メントの後、ステージに搬送される。2. Description of the Related Art Conventionally, in a semiconductor manufacturing apparatus used in connection with a wafer coater developer, a wafer carried into an inline station of the semiconductor manufacturing apparatus is transferred to a stage after pre-alignment.
【0003】[0003]
【発明が解決しようとする課題】しかし、プリアライメ
ント時間、搬送時間、アライメント時間、露光処理時間
等によるウエハ処理時間が発生することによって、搬入
ウエハの順番によりステージまでのウエハ搬送時間に差
が生じている。こうした状況で、ステッパチャンバ温度
とクリーンルーム温度に差がある場合、ステッパインラ
インステーションに搬入されたウエハをプリアライメン
ト後、直接ステージに搬送すると、搬入されたウエハの
順番によりステージ搬送までの時間に差があるため、露
光時のウエハ温度に差が生じ、ウエハ倍率に差が発生す
る。However, the occurrence of a wafer processing time due to the pre-alignment time, the transfer time, the alignment time, the exposure processing time, etc., causes a difference in the wafer transfer time to the stage depending on the order of the loaded wafers. ing. Under these circumstances, if there is a difference between the stepper chamber temperature and the clean room temperature, if the wafer loaded into the stepper inline station is pre-aligned and then directly transferred to the stage, there will be a difference in the time to stage transfer depending on the order of the loaded wafers. Therefore, a difference occurs in the wafer temperature at the time of exposure, and a difference occurs in the wafer magnification.
【0004】このようなウエハ温度に差がある場合に対
処するため、半導体製造装置内に温度調節機を設けて温
度を一定に制御する投影露光方法が提案されている(特
開平05−234839号公報参照)。しかし、温度調
節機を設けると、コストアップに繋がるという問題があ
る。In order to cope with such a difference in wafer temperature, a projection exposure method has been proposed in which a temperature controller is provided in a semiconductor manufacturing apparatus to control the temperature to be constant (Japanese Patent Laid-Open No. 05-234839). Gazette). However, there is a problem that providing a temperature controller leads to an increase in cost.
【0005】本発明の目的は、このような従来技術の問
題点に鑑み、露光装置およびデバイス製造方法におい
て、被露光基板間に温度差が生じることによる不都合
を、コストをかけることなく解消することにある。SUMMARY OF THE INVENTION In view of the above-mentioned problems of the prior art, it is an object of the present invention to eliminate the disadvantage caused by a temperature difference between substrates to be exposed in an exposure apparatus and a device manufacturing method without increasing costs. It is in.
【0006】[0006]
【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
本発明の露光装置は、被露光基板を保持して露光位置に
位置決めするための基板ステージと、装置内に搬入され
た被露光基板を前記基板ステージ上に供給する基板供給
手段とを備えた露光装置において、装置内に搬入されて
から経過した時間を各被露光基板について計測する時間
計測手段を具備することを特徴とする。In order to achieve this object, an exposure apparatus according to the present invention comprises a substrate stage for holding a substrate to be exposed and positioning the substrate at an exposure position, and a substrate stage to be exposed carried into the apparatus. An exposure apparatus comprising: a substrate supply unit for supplying the substrate to the substrate stage; and a time measurement unit for measuring, for each substrate to be exposed, a time elapsed since the substrate is carried into the apparatus.
【0007】また、本発明の別の露光装置は、被露光基
板を保持して露光位置に位置決めするための基板ステー
ジと、被露光基板を一時保管する基板保管手段と、装置
内に搬入された被露光基板を前記基板保管手段に一時保
管させ、そして前記基板ステージ上に供給する基板供給
手段とを備えた露光装置において、基板供給手段は、前
記基板保管手段に一時保管させている被露光基板のうち
保管時間が長いものから順に前記基板ステージ上に供給
するものであることを特徴とする。In another exposure apparatus of the present invention, a substrate stage for holding a substrate to be exposed and positioning it at an exposure position, substrate storage means for temporarily storing the substrate to be exposed, and a substrate loaded into the apparatus. A substrate supply unit for temporarily storing the substrate to be exposed in the substrate storage unit and supplying the substrate to the substrate stage, wherein the substrate supply unit temporarily stores the substrate to be exposed in the substrate storage unit. Of these, the storage time is supplied to the substrate stage in ascending order of storage time.
【0008】また、本発明のデバイス製造方法は、順次
被露光基板を露光用のチャンバ内に搬入し、基板ステー
ジ上に供給し、位置決めして、露光を行なうデバイス製
造方法において、前記チャンバ内に搬入してから経過し
た時間を各被露光基板について計測することを特徴とす
る。Further, the device manufacturing method of the present invention is directed to a device manufacturing method for sequentially carrying a substrate to be exposed into an exposure chamber, supplying the substrate on a substrate stage, positioning the substrate, and performing exposure. It is characterized in that the time elapsed since the loading is measured for each substrate to be exposed.
【0009】また、本発明の別のデバイス製造方法は、
順次被露光基板を露光用のチャンバ内に搬入し、一時保
管し、基板ステージ上に供給し、そして位置決めして露
光を行なうデバイス製造方法において、一時保管してい
る被露光基板を前記基板ステージ上に供給する際には、
一時保管している被露光基板のうち保管時間が長いもの
から順に前記基板ステージ上に供給することを特徴とす
る。Another device manufacturing method of the present invention is as follows.
In a device manufacturing method for sequentially carrying a substrate to be exposed into an exposure chamber, temporarily storing the substrate, supplying the substrate to a substrate stage, and positioning and exposing, the substrate to be exposed temporarily stored on the substrate stage When supplying to
Among the temporarily stored substrates to be exposed, the substrates are supplied on the substrate stage in ascending order of storage time.
【0010】これによれば、被露光基板が装置内に搬入
されてから経過した時間を参照することにより、あるい
は各被露光基板の保管時間が一定以上となることによ
り、被露光基板間に生じる温度差がコストをかけること
なく低減される。[0010] According to this, the time between the substrates to be exposed is generated by referring to the time elapsed since the substrates to be exposed are loaded into the apparatus, or by keeping the storage time of each substrate to be exposed longer than a certain value. Temperature differences are reduced without cost.
【0011】[0011]
【発明の実施の形態】本発明の露光装置の好ましい実施
形態においては、基板供給手段は、装置内に搬入されて
から基板ステージ上に供給するまでの時間が時間計測手
段による計測に基づいて所定の時間以上を経過するよう
にして被露光基板を基板ステージ上に供給するものであ
る。また、前記所定の時間を設定する手段を有する。DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS In a preferred embodiment of the exposure apparatus of the present invention, the substrate supply means sets a predetermined time from the time of being carried into the apparatus to the time of supply onto the substrate stage based on the measurement by the time measurement means. The substrate to be exposed is supplied onto the substrate stage in such a manner that the time elapses or more. Further, there is provided a means for setting the predetermined time.
【0012】また、前記本発明の別の露光装置において
は、基板保管手段は被露光基板を複数枚収納できるキャ
リアと、これを保持して昇降するキャリアエレベータと
を有する。In another exposure apparatus according to the present invention, the substrate storage means includes a carrier capable of storing a plurality of substrates to be exposed, and a carrier elevator that holds and lifts the substrate.
【0013】また、本発明のデバイス製造方法において
は、チャンバ内に搬入してから基板ステージ上に供給す
るまでの時間が前記経過時間の計測に基づいて所定の時
間以上を経過するようにして各被露光基板を基板ステー
ジ上に供給する。Further, in the device manufacturing method of the present invention, each time from the time when the device is carried into the chamber to the time when the device is supplied onto the substrate stage is set such that a predetermined time or more elapses based on the measurement of the elapsed time. A substrate to be exposed is supplied on a substrate stage.
【0014】より具体的な形態においては、コータデベ
ロッパまたはウエハ供給装置からから露光装置内に搬入
された被露光基板としてのウエハをウエハステージに供
給するまでの時間をタイマにより一定時間以上となるよ
うに制御することによって、特別なウエハ温度調整機を
設けることなく、ウエハ搬入順番によりウエハ温度に差
が発生することを防ぎ、ウエハ倍率差が発生することを
防止する。In a more specific embodiment, the time required for supplying a wafer as a substrate to be exposed carried into the exposure apparatus from the coater developer or the wafer supply apparatus to the wafer stage is set to a predetermined time or more by a timer. Thus, without providing a special wafer temperature adjuster, it is possible to prevent a difference in wafer temperature from occurring depending on the order of loading the wafers, and to prevent a difference in wafer magnification from occurring.
【0015】また、ウエハ供給装置から搬入されたウエ
ハを、スタンドアロンモードで供給する際に使用される
ウエハキャリア等のウエハ保管ユニットに順次収納し、
保管ユニットでの滞在時間が長いウエハから順にウエハ
ステージに搬送することによって、ウエハ保管ユニット
からウエハステージに供給するためにウエハを排出する
までの時間を一定時間以上となるように制御することに
よって、特別なウエハ温度調整機を設けることなく、ウ
エハ搬入順番によりウエハ温度に差が発生することを防
ぎ、ウエハ倍率差が発生することを防止する。Further, the wafers carried in from the wafer supply device are sequentially stored in a wafer storage unit such as a wafer carrier used when the wafers are supplied in a stand-alone mode,
By transporting the wafers to the wafer stage in order from the longest staying time in the storage unit, by controlling the time until the wafer is discharged from the wafer storage unit to supply the wafer stage to a certain time or more, Without providing a special wafer temperature controller, it is possible to prevent a difference in wafer temperature from occurring depending on the order of loading the wafers, and prevent a difference in wafer magnification from occurring.
【0016】[0016]
【実施例】以下、図面を用いて本発明の実施例を説明す
る。図1は本発明の一実施例に係る半導体製造装置の概
略構成を示す。同図に示すように、この装置は、光源と
シャッタとを含む照明装置1と、回路パターンの描かれ
たレチクル2を載せるためのレチクルステージ3と、レ
チクルステージ3上のレチクル2の位置を計測するレチ
クル位置計測機構4と、焼付け用の投影光学系となる結
像レンズ5と、焼付け対象のウエハ8を載せてXY平面
内でXおよびYの2方向に移動するXYステージ6と、
XYステージ6の位置を計測するレーザ干渉計7と、ウ
エハ9を載せて露光時のピントを調節する(以下、これ
をフォーカシングと称する)ためにウエハ9を垂直方向
に移動させるウエハZステージ8と、ウエハ9のピント
位置を計測するオートフォーカスユニット10とを備え
ている。Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings. FIG. 1 shows a schematic configuration of a semiconductor manufacturing apparatus according to one embodiment of the present invention. As shown in FIG. 1, this device measures a lighting device 1 including a light source and a shutter, a reticle stage 3 on which a reticle 2 on which a circuit pattern is drawn, and a position of the reticle 2 on the reticle stage 3. A reticle position measuring mechanism 4, an imaging lens 5 serving as a projection optical system for printing, an XY stage 6 on which a wafer 8 to be printed is placed and moved in two directions of X and Y in an XY plane;
A laser interferometer 7 for measuring the position of the XY stage 6 and a wafer Z stage 8 for vertically moving the wafer 9 for mounting the wafer 9 and adjusting the focus at the time of exposure (hereinafter referred to as focusing). And an autofocus unit 10 for measuring the focus position of the wafer 9.
【0017】この半導体製造装置は、図2に示すよう
に、コータデベロッパ18と共に使用され、半導体製造
装置チャンバ11内に配置されるとともに、さらに、キ
ャリアエレベータ12、搬入ハンド13、プリアライメ
ントユニット14、送込みハンド15の各ユニットを備
える。As shown in FIG. 2, this semiconductor manufacturing apparatus is used together with a coater / developer 18 and is arranged in a semiconductor manufacturing apparatus chamber 11, and further includes a carrier elevator 12, a loading hand 13, a pre-alignment unit 14, Each unit of the sending hand 15 is provided.
【0018】キャリアエレベータ12は、キャリア台を
上下させることにより、キャリア16内のウエハを供給
位置へ駆動し、またはウエハ回収位置へ駆動する。搬入
ハンド13は、キャリア16に配置されたウエハのプリ
アライメントユニット14ヘの供給、ステージ6からの
露光済みウエハのキャリア16ヘの回収、コータデベロ
ッパ18からインラインユニット17に供給されるウエ
ハのプリアライメントユニット14ヘの搬送、露光済み
ウエハのステージ6からのインラインユニット17のO
UT(アウト)側への搬送を行なう。プリアライメント
ユニット14は、搬入ハンド13により供給されるウエ
ハをXYステージ6上のウエハチャックヘ受け渡すため
のプリアライメントを行なう。送込みハンド15は、プ
リアライメントされたウエハをステージ6に搬送する。
半導体製造装置チャンバ11の前面には、動作オペレー
ションの指示や情報入出力を行なうための入出力インタ
ーフェース19、半導体製造装置内部には入出力インタ
ーフェース19に接続された制御用コンピュータ20が
配置される。The carrier elevator 12 drives a wafer in the carrier 16 to a supply position or a wafer collection position by moving the carrier table up and down. The loading hand 13 supplies the wafer placed on the carrier 16 to the pre-alignment unit 14, collects the exposed wafer from the stage 6 to the carrier 16, and pre-aligns the wafer supplied from the coater developer 18 to the in-line unit 17. Transfer of the wafer to the unit 14 and O of the in-line unit 17 from the stage 6 of the exposed wafer
Carry to the UT (out) side. The pre-alignment unit 14 performs pre-alignment for transferring the wafer supplied by the loading hand 13 to the wafer chuck on the XY stage 6. The transfer hand 15 transfers the pre-aligned wafer to the stage 6.
An input / output interface 19 for instructing operation and inputting / outputting information is provided on the front surface of the semiconductor manufacturing apparatus chamber 11, and a control computer 20 connected to the input / output interface 19 is provided inside the semiconductor manufacturing apparatus.
【0019】図3は、この半導体製造装置とコータデベ
ロッパ18とから成る半導体製造システムにおけるステ
ージ搬入時間制御モードに関する搬入ハンド13の制御
フローチャートである。同図に示すように、制御を開始
すると、まずステップS300において、インラインユ
ニット17のウエハ搬出位置(インラインOUT)にウ
エハがあるか否かを判定する。ウエハがある場合はステ
ップS303へ進み、ウエハが無い場合はS301へ進
む。FIG. 3 is a control flowchart of the loading hand 13 relating to the stage loading time control mode in the semiconductor manufacturing system including the semiconductor manufacturing apparatus and the coater developer 18. As shown in the figure, when control is started, first, in step S300, it is determined whether or not there is a wafer at the wafer unloading position (inline OUT) of the inline unit 17. If there is a wafer, the process proceeds to step S303. If there is no wafer, the process proceeds to S301.
【0020】ステップS301では、ウエハステージ
(XYステージ6およびZステージ8)に露光済みウエ
ハがあるか否かを判定する。ウエハがある場合はステッ
プS302へ進み、ウエハが無い場合はステップS30
3へ進む。In step S301, it is determined whether or not there is an exposed wafer on the wafer stage (XY stage 6 and Z stage 8). If there is a wafer, the process proceeds to step S302. If there is no wafer, the process proceeds to step S30.
Proceed to 3.
【0021】ステップS302では、搬入ハンド13は
ステージ上の露光済みウエハをインラインOUTに搬送
し、ステップS303へ進む。In step S302, the loading hand 13 transports the exposed wafer on the stage to the in-line OUT, and proceeds to step S303.
【0022】ステップS303では、ウエハ搬入終了時
に発信されるウエハ搬入終了要求を受け付けたか否かを
判断する。ウエハ搬入終了要求を受け付けている場合は
ステップS300へ戻る。受け付けていない場合はステ
ップS304へ進む。In step S303, it is determined whether or not a wafer loading completion request transmitted at the end of wafer loading has been received. If a wafer loading end request has been received, the process returns to step S300. If not, the process proceeds to step S304.
【0023】ステップS304では、インラインユニッ
ト17のウエハ搬入位置(インラインIN)にウエハが
あるか否かを判定する。ウエハがある場合はステップS
305へ進み、ウエハが無い場合はステップS300へ
戻る。In step S304, it is determined whether or not there is a wafer at the wafer loading position (inline IN) of the inline unit 17. If there is a wafer, step S
Proceeding to 305, if there is no wafer, returning to step S300.
【0024】ステップS305では、プリアライメント
ユニット(PAユニット)14にウエハがあるか否かを
判断する。ウエハがある場合はステップS300へ戻
り、ウエハが無い場合はステップS306へ進む。In step S305, it is determined whether there is a wafer in pre-alignment unit (PA unit) 14. When there is a wafer, the process returns to step S300, and when there is no wafer, the process proceeds to step S306.
【0025】ステップS306では、インラインINか
らPAユニット14ヘの搬送処理対象ウエハの搬入時刻
をウエハ情報データとして格納する。そして、ステップ
S307において、インラインINからPAユニット1
4ヘウエハを搬送する。In step S306, the loading time of the wafer to be transported from the in-line IN to the PA unit 14 is stored as wafer information data. Then, in step S307, the PA unit 1
4 is transported to the wafer.
【0026】図4は、この半導体製造装置とコータデベ
ロッパ18とから成る半導体製造システムにおけるステ
ージ搬入時間制御モードに関する送込みハンド15の制
御フローチャートである。まず、ステップS400にお
いて、PAユニット14にプリアライメント済みのウエ
ハがあるか否かを判断する。ウエハがある場合はステッ
プS401へ進み、ウエハが無い場合はステップS40
3へ進む。FIG. 4 is a control flowchart of the transfer hand 15 relating to the stage loading time control mode in the semiconductor manufacturing system including the semiconductor manufacturing apparatus and the coater developer 18. First, in step S400, it is determined whether there is a pre-aligned wafer in PA unit 14. If there is a wafer, the process proceeds to step S401. If there is no wafer, step S40.
Proceed to 3.
【0027】ステップS401では、ウエハステージ
(XYステージ6およびZステージ8)の直近であるウ
エハステージ待機位置にウエハがあるか否かを判断す
る。ウエハがある場合はステップS403へ進み、ウエ
ハが無い場合はステップS402へ進む。In step S401, it is determined whether or not there is a wafer at a wafer stage standby position immediately adjacent to the wafer stage (XY stage 6 and Z stage 8). When there is a wafer, the process proceeds to step S403, and when there is no wafer, the process proceeds to step S402.
【0028】ステップS402では、PAユニット14
上のウエハをウエハステージ待機位置に搬送し、ステッ
プS403へ進む。In step S402, the PA unit 14
The upper wafer is transferred to the wafer stage standby position, and the process proceeds to step S403.
【0029】ステップS403では、ウエハステージに
露光済みウエハがあるか否かを判断する。ウエハがある
場合はステップS400へ戻り、ウエハが無い場合はス
テップS404へ進む。In step S403, it is determined whether there is an exposed wafer on the wafer stage. When there is a wafer, the process returns to step S400, and when there is no wafer, the process proceeds to step S404.
【0030】ステップS404では、ウエハステージ待
機位置にあるステージ搬送処理対象ウエハの装置内滞在
時間が指定時間Tより大きいか否かを判断する。大きい
場合はステップS405へ進む。小さいかまたは等しい
場合はステップS400へ戻る。In step S404, it is determined whether or not the stay time of the stage transfer processing target wafer at the wafer stage standby position in the apparatus is longer than a specified time T. If it is larger, the process proceeds to step S405. If smaller or equal, the process returns to step S400.
【0031】ステップS405では、ステージ待機位置
にあるウエハをウエハステージに搬送し、ステップS4
00へ戻る。In step S405, the wafer at the stage standby position is transferred to the wafer stage.
Return to 00.
【0032】ウエハステージに搬送されたウエハはアラ
イメント処理および露光処理を経て回収可能状態となる
(不図示)。The wafer conveyed to the wafer stage is brought into a recoverable state through an alignment process and an exposure process (not shown).
【0033】このステージ搬入時間制御モードによれ
ば、コータデベロッパ18またはウエハ供給装置からか
ら搬入されたウエハをウエハステージに供給するまでの
時間をタイマにより一定時間以上となるように制御する
ようにしたため、特別なウエハ温度調整機を設けること
なく、ウエハ搬入順番によりウエハ温度に差が発生する
ことを防ぎ、ウエハ倍率差が発生することを防止するこ
とができる。According to the stage loading time control mode, the time until the wafer loaded from the coater developer 18 or the wafer supply device is supplied to the wafer stage is controlled by a timer so as to be a predetermined time or more. Further, without providing a special wafer temperature controller, it is possible to prevent a difference in wafer temperature from occurring due to the order of loading the wafers, and to prevent a difference in wafer magnification from occurring.
【0034】また、このステージ搬入時間制御モードに
よれば、判定時間を、ウエハ処理時間、ウエハ温度差等
により任意に設定可能とすることで、状況に応じて本発
明の効果を最大限引き出すことが可能となる。According to the stage loading time control mode, the judgment time can be arbitrarily set according to the wafer processing time, the wafer temperature difference, and the like, thereby maximizing the effect of the present invention depending on the situation. Becomes possible.
【0035】図5は上述の半導体製造装置とコータデベ
ロッパ18とから成る半導体製造システムにおけるキャ
リアバッファ制御モードに関する搬入ハンド13の制御
フローチャートである。まず、ステップS500におい
て、インラインユニット17のウエハ搬出位置(インラ
インOUT)にウエハがあるか否かを判定する。ウエハ
がある場合はステップS503へ進み、ウエハが無い場
合はステップS501へ進む。FIG. 5 is a control flowchart of the carry-in hand 13 in the carrier buffer control mode in the semiconductor manufacturing system including the above-described semiconductor manufacturing apparatus and the coater developer 18. First, in step S500, it is determined whether or not there is a wafer at the wafer unloading position (inline OUT) of the inline unit 17. When there is a wafer, the process proceeds to step S503, and when there is no wafer, the process proceeds to step S501.
【0036】ステップS501では、ウエハステージ
(XYステージ6およびZステージ8)に露光済みウエ
ハがあるか否かを判断する。ウエハがある場合はステッ
プS502へ進み、ウエハが無い場合はステップS50
3へ進む。In step S501, it is determined whether or not there is an exposed wafer on the wafer stage (XY stage 6 and Z stage 8). If there is a wafer, the process proceeds to step S502. If there is no wafer, the process proceeds to step S50.
Proceed to 3.
【0037】ステップS502では、搬入ハンド13は
ステージ上の露光済みウエハをインラインOUTに搬送
し、ステップS503へ進む。In step S502, the loading hand 13 transports the exposed wafer on the stage to the in-line OUT, and proceeds to step S503.
【0038】ステップS503では、ウエハ搬入終了時
に発信されるウエハ搬入終了要求を受け付けたか否かを
判断する。ウエハ搬入終了要求を受け付けている場合は
ステップS507へ進む。受け付けていない場合はステ
ップS504へ進む。In step S503, it is determined whether or not a wafer loading completion request transmitted at the end of wafer loading has been received. If a wafer loading end request has been received, the process proceeds to step S507. If not, the process proceeds to step S504.
【0039】ステップS504では、インラインユニッ
ト17のウエハ搬入位置(インラインIN)にウエハが
あるか否かを判定する。ウエハがある場合はステップS
505へ進み、ウエハが無い場合はステップS507へ
進む。In step S504, it is determined whether or not there is a wafer at the wafer loading position (inline IN) of the inline unit 17. If there is a wafer, step S
The process proceeds to step S505, and if there is no wafer, the process proceeds to step S507.
【0040】ステップS505では、ウエハ保管場所と
して設置されたウエハキャリア16に空きスロットがあ
るか否かを判断する。空きスロットがある場合はステッ
プS506へ進み、空きスロットが無い場合はステップ
S507へ進む。In step S505, it is determined whether or not there is an empty slot in the wafer carrier 16 installed as a wafer storage location. When there is an empty slot, the process proceeds to step S506, and when there is no empty slot, the process proceeds to step S507.
【0041】ステップS506では、インラインINに
配置されたウエハをウエハキャリア16に搬送する。そ
してステップS504へ戻る。In step S 506, the wafer placed in the in-line IN is transferred to the wafer carrier 16. Then, the process returns to step S504.
【0042】ステップS507では、キャリア16に保
管されているウエハの中で最も長い時間保管されている
ウエハをPAユニット14に搬送する。In step S507, the wafer stored for the longest time among the wafers stored in the carrier 16 is transferred to the PA unit 14.
【0043】図6は、この半導体製造装置とコータデベ
ロッパ18とから成る半導体製造システムにおけるキャ
リアバッファ制御モードに関する送込みハンド15の制
御フローチャートである。ステップS600において、
PAユニット14にプリアライメント済みのウエハがあ
るか否かを判断する。ウエハがある場合はステップS6
01へ進み、ウエハが無い場合はステップS603へ進
む。FIG. 6 is a control flowchart of the sending hand 15 in the carrier buffer control mode in the semiconductor manufacturing system including the semiconductor manufacturing apparatus and the coater developer 18. In step S600,
It is determined whether there is a pre-aligned wafer in PA unit 14. If there is a wafer, step S6
01, and if there is no wafer, the process proceeds to step S603.
【0044】ステップS601では、ウエハステージ
(XYステージ6およびZステージ8)の直近であるウ
エハステージ待機位置にウエハがあるか否かを判断す
る。ウエハがある場合はステップS603へ進み、ウエ
ハが無い場合はステップS602へ進む。In step S601, it is determined whether or not there is a wafer at a wafer stage standby position immediately adjacent to the wafer stage (XY stage 6 and Z stage 8). If there is a wafer, the process proceeds to step S603; otherwise, the process proceeds to step S602.
【0045】ステップS602では、PAユニット14
上のウエハをウエハステージ待機位置に搬送する。そし
てステップS603へ進む。In step S602, the PA unit 14
The upper wafer is transferred to a wafer stage standby position. Then, the process proceeds to step S603.
【0046】ステップS603では、ウエハステージに
露光済みウエハがあるか否を判断する。ウエハがある場
合はステップS600へ戻り、ウエハが無い場合はステ
ップS604へ進む。In step S603, it is determined whether there is an exposed wafer on the wafer stage. When there is a wafer, the process returns to step S600, and when there is no wafer, the process proceeds to step S604.
【0047】ステップS604では、ステージ待機位置
にあるウエハをウエハステージに搬送する。そしてステ
ップS600へ戻る。In step S604, the wafer at the stage standby position is transferred to the wafer stage. Then, the process returns to step S600.
【0048】ウエハステージに搬送されたウエハはアラ
イメント処理および露光処理を経て回収可能状態となる
(不図示)。The wafer conveyed to the wafer stage is brought into a recoverable state through an alignment process and an exposure process (not shown).
【0049】このようにウエハ供給装置等から搬入され
たウエハを、スタンドアロンモードでウエハを供給する
際に使用されるウエハキャリア等のウエハ保管ユニット
に順次収納し、保管ユニットでの滞在時間が長いウエハ
から順にウエハステージに搬送することにより、ウエハ
保管ユニットからウエハステージに供給するためにウエ
ハを排出するまでの時間を一定時間以上となるように制
御することができる。したがって、特別なウエハ温度調
整機を設けることなく、ウエハ搬入順番によりウエハ温
度に差が発生することを防ぎ、ウエハ倍率差が発生する
ことを防止するすることが可能となる。The wafers thus loaded from the wafer supply device or the like are sequentially stored in a wafer storage unit such as a wafer carrier used when a wafer is supplied in a stand-alone mode, and a wafer staying in the storage unit for a long time is stored. By transferring the wafers from the wafer storage unit to the wafer stage in this order, it is possible to control the time until the wafer is discharged from the wafer storage unit to the wafer stage so as to be a predetermined time or more. Therefore, without providing a special wafer temperature controller, it is possible to prevent a difference in wafer temperature from occurring depending on the order of loading the wafers, and to prevent a difference in wafer magnification from occurring.
【0050】また、この、ウエハキャリア等のウエハ保
管ユニットに順次ウエハを収納する方式(キャリアバッ
ファ制御モード)における実施例では、保管時間をタイ
マにより判断しない方式で説明したが、タイマによる時
間管理方式(ステージ搬入時間制御モード)と、キャリ
アバッファ制御モードの双方を組み合わせて実施した場
合においても同様な効果が得られる。In the embodiment of the system in which wafers are sequentially stored in a wafer storage unit such as a wafer carrier (carrier buffer control mode), the storage time is not determined by the timer. The same effect can be obtained when both the (stage loading time control mode) and the carrier buffer control mode are implemented in combination.
【0051】<デバイス製造方法の実施例>次に上記説
明した半導体製造装置を利用したデバイス製造方法の実
施例を説明する。図7は微小デバイス(ICやLSI等
の半導体チップ、液晶パネル、CCD、薄膜磁気ヘッ
ド、マイクロマシン等)の製造のフローを示す。ステッ
プ1(回路設計)ではデバイスのパターン設計を行な
う。ステップ2(マスク製作)では設計したパターンを
形成したマスクを製作する。一方、ステップ3(ウエハ
製造)ではシリコンやガラス等の材料を用いてウエハを
製造する。ステップ4(ウエハプロセス)は前工程と呼
ばれ、上記用意したマスクとウエハを用いて、リソグラ
フィ技術によってウエハ上に実際の回路を形成する。次
のステップ5(組立て)は後工程と呼ばれ、ステップ4
によって作製されたウエハを用いて半導体チップ化する
工程であり、アッセンブリ工程(ダイシング、ボンディ
ング)、パッケージング工程(チップ封入)等の工程を
含む。ステップ6(検査)ではステップ5で作製された
半導体デバイスの動作確認テスト、耐久性テスト等の検
査を行なう。こうした工程を経て、半導体デバイスが完
成し、これが出荷(ステップ7)される。<Embodiment of Device Manufacturing Method> Next, an embodiment of a device manufacturing method using the above-described semiconductor manufacturing apparatus will be described. FIG. 7 shows a flow of manufacturing micro devices (semiconductor chips such as ICs and LSIs, liquid crystal panels, CCDs, thin-film magnetic heads, micromachines, etc.). In step 1 (circuit design), a device pattern is designed. Step 2 is a process for making a mask on the basis of the designed pattern. On the other hand, in step 3 (wafer manufacture), a wafer is manufactured using a material such as silicon or glass. Step 4 (wafer process) is called a pre-process, and an actual circuit is formed on the wafer by lithography using the prepared mask and wafer. The next step 5 (assembly) is called a post-process, and step 4
Is a process of forming a semiconductor chip using the wafer produced by the above process, and includes processes such as an assembly process (dicing and bonding) and a packaging process (chip encapsulation). In step 6 (inspection), inspections such as an operation confirmation test and a durability test of the semiconductor device manufactured in step 5 are performed. Through these steps, a semiconductor device is completed and shipped (step 7).
【0052】図8は上記ウエハプロセス(ステップ4)
の詳細なフローを示す。ステップ11(酸化)ではウエ
ハの表面を酸化させる。ステップ12(CVD)ではウ
エハ表面に絶縁膜を形成する。ステップ13(電極形
成)ではウエハ上に電極を蒸着によって形成する。ステ
ップ14(イオン打込み)ではウエハにイオンを打ち込
む。ステップ15(レジスト処理)ではウエハにレジス
トを塗布する。ステップ16(露光)では上記説明した
露光装置または露光方法によってマスクの回路パターン
をウエハの複数のショット領域に並べて焼付露光する。
ステップ17(現像)では露光したウエハを現像する。
ステップ18(エッチング)では現像したレジスト像以
外の部分を削り取る。ステップ19(レジスト剥離)で
はエッチングが済んで不要となったレジストを取り除
く。これらのステップを繰り返し行なうことによって、
ウエハ上に多重に回路パターンが形成される。FIG. 8 shows the wafer process (step 4).
The detailed flow of is shown. Step 11 (oxidation) oxidizes the wafer's surface. Step 12 (CVD) forms an insulating film on the wafer surface. Step 13 (electrode formation) forms electrodes on the wafer by vapor deposition. In step 14 (ion implantation), ions are implanted into the wafer. In step 15 (resist processing), a resist is applied to the wafer. Step 16 (exposure) uses the above-described exposure apparatus or exposure method to align and print the circuit pattern of the mask on a plurality of shot areas of the wafer.
Step 17 (development) develops the exposed wafer.
In step 18 (etching), portions other than the developed resist image are removed. In step 19 (resist stripping), unnecessary resist after etching is removed. By repeating these steps,
Multiple circuit patterns are formed on the wafer.
【0053】本実施例の生産方法を用いれば、従来は製
造が難しかった大型のデバイスを低コストに製造するこ
とができる。By using the production method of this embodiment, it is possible to produce a large-sized device, which was conventionally difficult to produce, at low cost.
【0054】[0054]
【発明の効果】以上述べたように、本発明によれば、搬
入された被露光基板を基板ステージに供給するまでの時
間を所定時間以上となるように制御することにより、特
別な温度調整機を設けることなく、被露光基板の搬入順
番による被露光基板間の温度差の発生を防止し、露光倍
率差の発生を防止することができる。また、この場合、
前記所定時間を設定する手段を設けることにより、被露
光基板の処理時間、被露光基板の温度差等に応じて任意
に前記所定時間を設定することにより、状況に応じて本
発明の効果を最大限引き出すことが可能となる。As described above, according to the present invention, by controlling the time required to supply the loaded substrate to be exposed to the substrate stage to be a predetermined time or more, a special temperature controller is provided. Without providing a substrate, it is possible to prevent the occurrence of a temperature difference between the substrates to be exposed due to the order in which the substrates to be exposed are carried in, and to prevent the occurrence of a difference in exposure magnification. Also, in this case,
By providing the means for setting the predetermined time, the processing time of the substrate to be exposed, the predetermined time is arbitrarily set according to the temperature difference of the substrate to be exposed, etc., thereby maximizing the effect of the present invention depending on the situation. It can be withdrawn.
【0055】また、基板保管手段での保管時間が長い被
露光基板から順に基板ステージに搬送するようにしたた
め、基板保管手段から基板ステージに供給するために被
露光基板を排出するまでの時間を一定時間以上となるよ
うに制御することができる。したがって、特別な温度調
整機を設けることなく、被露光基板の搬入順番による被
露光基板間の温度差の発生を防止し、露光倍率差の発生
を防止することができる。Further, since the substrate to be exposed is transported to the substrate stage in order from the substrate storage unit having a long storage time, the time required for discharging the substrate to be exposed from the substrate storage unit to supply it to the substrate stage is fixed. It can be controlled to be longer than the time. Therefore, it is possible to prevent the occurrence of a temperature difference between the substrates to be exposed due to the order of loading the substrates to be exposed and to prevent the occurrence of a difference in exposure magnification without providing a special temperature controller.
【図1】 本発明の一実施例に係る半導体製造装置の概
略図である。FIG. 1 is a schematic diagram of a semiconductor manufacturing apparatus according to one embodiment of the present invention.
【図2】 図1の半導体製造装置とコータデベロッパと
から成る半導体製造システムの概略の構成図である。FIG. 2 is a schematic configuration diagram of a semiconductor manufacturing system including the semiconductor manufacturing apparatus of FIG. 1 and a coater developer.
【図3】 図2の半導体製造システムにおけるステージ
搬入時間制御モードに関する搬入ハンドの制御のフロー
チャートである。FIG. 3 is a flowchart of control of a loading hand in a stage loading time control mode in the semiconductor manufacturing system of FIG. 2;
【図4】 図2の半導体製造システムにおけるステージ
搬入時間制御モードに関する送込みハンドの制御のフロ
ーチャートである。FIG. 4 is a flowchart of control of a sending hand in a stage loading time control mode in the semiconductor manufacturing system of FIG. 2;
【図5】 図2の半導体製造システムにおけるウエハキ
ャリアバッファ制御モードに関する搬入ハンドの制御の
フローチャートである。FIG. 5 is a flowchart of control of a loading hand in a wafer carrier buffer control mode in the semiconductor manufacturing system of FIG. 2;
【図6】 図2の半導体製造システムにおけるウエハキ
ャリアバッファ制御モードに関する送込みハンドの制御
のフローチャートである。FIG. 6 is a flowchart of control of a sending hand in a wafer carrier buffer control mode in the semiconductor manufacturing system of FIG. 2;
【図7】 本発明の露光装置を利用できるデバイス製造
方法を示すフローチャートである。FIG. 7 is a flowchart showing a device manufacturing method that can use the exposure apparatus of the present invention.
【図8】 図7中のウエハプロセスの詳細なフローチャ
ートである。FIG. 8 is a detailed flowchart of a wafer process in FIG. 7;
1:照明装置、2:レチクル、3:レチクルステージ、
4:レチクル位置計測機構、5:投影レンズ、6:XY
ステージ、7:レーザ干渉計、8:ウエハ、9:ウエハ
Zステージ、10:オートフォーカスユニット、11:
半導体製造装置チャンバ、12:キャリアエレベータ、
13:搬入ハンド、14:プリアライメントユニット、
15:送込みハンド、16:キャリア、17:インライ
ンユニット、18:コーターデペロッパ、19:入出力
インターフェース、20:制御用コンピュータ。1: lighting device, 2: reticle, 3: reticle stage,
4: reticle position measurement mechanism, 5: projection lens, 6: XY
Stage, 7: laser interferometer, 8: wafer, 9: wafer Z stage, 10: autofocus unit, 11:
Semiconductor manufacturing equipment chamber, 12: carrier elevator,
13: Loading hand, 14: Pre-alignment unit,
15: Sending hand, 16: Carrier, 17: In-line unit, 18: Coater / deperper, 19: Input / output interface, 20: Control computer.
Claims (8)
めするための基板ステージと、装置内に搬入された被露
光基板を前記基板ステージ上に供給する基板供給手段と
を備えた露光装置において、装置内に搬入されてから経
過した時間を各被露光基板について計測する時間計測手
段を具備することを特徴とする露光装置。1. An exposure apparatus comprising: a substrate stage for holding a substrate to be exposed and positioning the substrate at an exposure position; and a substrate supply unit for supplying the substrate to be exposed carried into the apparatus onto the substrate stage. An exposure apparatus, comprising: a time measuring means for measuring a time elapsed since being carried into the apparatus for each substrate to be exposed.
てから前記基板ステージ上に供給するまでの時間が前記
時間計測手段による計測に基づいて所定の時間以上を経
過するようにして被露光基板を前記基板ステージ上に供
給するものであることを特徴とする請求項1に記載の露
光装置。2. The method according to claim 1, wherein the substrate supply unit is configured so that a time period from when the substrate is supplied into the apparatus to when the substrate is supplied onto the substrate stage elapses a predetermined time or more based on measurement by the time measurement unit. The exposure apparatus according to claim 1, wherein the substrate is supplied onto the substrate stage.
ことを特徴とする請求項2に記載の露光装置。3. The exposure apparatus according to claim 2, further comprising a unit for setting the predetermined time.
めするための基板ステージと、被露光基板を一時保管す
る基板保管手段と、装置内に搬入された被露光基板を前
記基板保管手段に一時保管させ、そして前記基板ステー
ジ上に供給する基板供給手段とを備えた露光装置におい
て、基板供給手段は、前記基板保管手段に一時保管させ
ている被露光基板のうち保管時間が長いものから順に前
記基板ステージ上に供給するものであることを特徴とす
る露光装置。4. A substrate stage for holding a substrate to be exposed and positioning it at an exposure position, a substrate storage unit for temporarily storing the substrate to be exposed, and a substrate storage unit loaded into the apparatus with the substrate storage unit. A substrate supply means for temporarily storing, and supplying the substrate on the substrate stage, the substrate supply means, in order from the longest storage time of the exposed substrates temporarily stored in the substrate storage means, An exposure apparatus, wherein the exposure apparatus is provided on the substrate stage.
収納できるキャリアと、これを保持して昇降するキャリ
アエレベータとを有することを特徴とする請求項4に記
載の露光装置。5. The exposure apparatus according to claim 4, wherein said substrate storage means includes a carrier capable of storing a plurality of substrates to be exposed, and a carrier elevator that holds and lifts the substrates.
搬入し、基板ステージ上に供給し、位置決めして、露光
を行なうデバイス製造方法において、前記チャンバ内に
搬入してから経過した時間を各被露光基板について計測
することを特徴とするデバイス製造方法。6. A device manufacturing method for sequentially carrying a substrate to be exposed into an exposure chamber, supplying the substrate on an exposure stage, positioning the substrate, and performing exposure, wherein a time elapsed since the substrate is carried into the chamber is measured. A device manufacturing method characterized in that measurement is performed for each substrate to be exposed.
ステージ上に供給するまでの時間が前記経過時間の計測
に基づいて所定の時間以上を経過するようにして各被露
光基板を前記基板ステージ上に供給することを特徴とす
る請求項6に記載のデバイス製造方法。7. Each of the substrates to be exposed is placed on the substrate stage in such a manner that the time from when the substrate is carried into the chamber to when it is supplied onto the substrate stage is longer than a predetermined time based on the measurement of the elapsed time. The method according to claim 6, wherein the device is supplied on top.
搬入し、一時保管し、基板ステージ上に供給し、そして
位置決めして露光を行なうデバイス製造方法において、
一時保管している被露光基板を前記基板ステージ上に供
給する際には、一時保管している被露光基板のうち保管
時間が長いものから順に前記基板ステージ上に供給する
ことを特徴とするデバイス製造方法。8. A device manufacturing method for sequentially carrying a substrate to be exposed into an exposure chamber, temporarily storing the substrate, supplying the substrate on a substrate stage, and positioning and exposing the substrate.
When supplying the temporarily stored exposed substrate onto the substrate stage, the temporarily stored exposed substrate is supplied onto the substrate stage in ascending order of storage time. Production method.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP11009260A JP2000208404A (en) | 1999-01-18 | 1999-01-18 | Aligner and device manufacturing method |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP11009260A JP2000208404A (en) | 1999-01-18 | 1999-01-18 | Aligner and device manufacturing method |
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Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2000208404A true JP2000208404A (en) | 2000-07-28 |
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ID=11715469
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JP (1) | JP2000208404A (en) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2013016595A (en) * | 2011-07-01 | 2013-01-24 | Tokyo Electron Ltd | Apparatus and method for processing substrate |
-
1999
- 1999-01-18 JP JP11009260A patent/JP2000208404A/en active Pending
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JP2013016595A (en) * | 2011-07-01 | 2013-01-24 | Tokyo Electron Ltd | Apparatus and method for processing substrate |
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