JP2000206559A - 液晶表示装置 - Google Patents
液晶表示装置Info
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Abstract
電極と補助容量電極との重なり部に生じる配向異常を抑
制し、配向異常領域の画素表示エリアへのはみ出しを抑
制する。 【解決手段】 マトリクス状に配置された画素電極と、
ゲート電極、ソース電極、及びドレイン電極を有し、前
記画素電極をスイッチングするトランジスタを備え、ま
た前記画素電極と補助容量を形成する補助容量電極を、
画素電極の下層に備え、補助容量電極は補助容量を形成
すると共に、TFT側のブラックマトリクスも兼ねるこ
とを特徴とする液晶表示装置において、前記補助容量電
極のソース電極側の傾斜部の幅が、画素電極側の傾斜部
の幅に比べて大きくなるように形成した。
Description
タ(Thin Film Transistor,TF
T)をスイッチング素子とするアクティブマトリクス型
液晶表示装置に関するものである。
に急速に市場が拡大している。特に、各画素に薄膜トラ
ンジスタ(TFT)を設けたアクティブマトリクス型液
晶表示装置は、高コントラスト、高速応答など、動画の
表示に優れた特性を持ち、広く活用されている。
を示す平面図である。ゲート配線1の上にゲート絶縁膜
を形成し、この上にソース配線2、ドレン電極3、透明
な画素電極4を形成し、さらにTFTを構成している。
電極の下層に、くし形の補助容量電極5がゲート配線と
平行に配置されている。補助容量は、画素電極と補助容
量電極により形成される。
電極の重なり部で起こる液晶の配向異常に対し、配向異
常による光漏れを遮光するブラックマトリクスも兼ねて
いる。
ては、TFTはゲートに電圧が印加されている時間(オ
ン状態)は導通状態になっており、その時ソース配線の
電気的変化がドレイン電極へ伝えられ、液晶容量、及び
補助容量に電荷が蓄積されることによって、液晶層が駆
動される。すなわち、液晶容量、及び補助容量が、TF
Tの駆動すべき負荷容量となる。ゲートがオフ状態にな
ると、TFTは非導通状態となり、蓄積された電荷は、
次にゲートがオン状態になるまでの時間、保持されるこ
とになる。
いはカラーフィルタ表面の液晶分子の初期配向角、いわ
ゆるプレチルト角は、配向膜材料、液晶材料、ラビング
強度などで決定されるが、上記の従来の液晶表示装置で
は、何らかの原因でアレイ側かカラーフィルタ側、もし
くはその両方のプレチルト角が著しく低下した場合、画
素電極と補助容量電極との重なり部分に発生する液晶の
配向異常領域が、表示エリア方向(画素電極側)に増大
し、表示を行なった際に正面、もしくは斜め方向から光
漏れが起こり、表示不良となる。
画素電極と補助容量電極との重なり部分に発生する配向
異常を抑制すると共に、配向異常領域の画素表示エリア
部へのはみ出しを抑制することを目的とする。
わる液晶表示装置はマトリクス状に配置された画素電極
と、ゲート電極、ソース電極、及びドレイン電極を有
し、前記画素電極をスイッチングするトランジスタを備
え、また前記画素電極と補助容量を形成する補助容量電
極を、画素電極の下層に備え、補助容量電極は補助容量
を形成すると共に、TFT側ブラックマトリクスも兼ね
ることを特徴とする液晶表示装置において、前記補助容
量電極のソース電極側の傾斜部の幅が、画素電極側の傾
斜部の幅に比べて大きくなるように形成されたものであ
る。
は前記補助容量電極の断面形状がくさび型になってお
り、その傾斜部の幅は、ソース電極側が画素電極側に比
べて大きくなるように形成されたものである。
図である。ゲート配線1の上にゲート絶縁膜を形成し、
この上にソース配線2、ドレイン電極3、透明な画素電
極4を形成し、さらにTFTを構成している。
電極の下層に、くし形の補助容量電極5がゲート配線と
平行に配置されている。補助容量は、画素電極と補助容
量電極により形成される。
のA−A′の断面図である。補助容量電極5は画素電極
と補助容量電極の重なり部17近傍で起こる液晶の配向
異常に対し、配向異常による光漏れを遮光する、ブラッ
クマトリクスも兼ねている。
る図1のA−A′の断面図である。この実施の形態で
は、図2に示す従来の画素電極の下層に、絶縁膜12を
介して形成された補助容量電極のソース配線側の傾斜部
が、画素電極側のそれに比べて極端に大きくなるように
形成したものである。傾斜部の大きさ(平面方向の幅)
は、2μm以上であることが望ましい。
することにより電界の方向を制御することができ、補助
容量電極と画素電極の重なり部分のプレチルト角は、表
示エリア内に比べて大きくなり、補助容量電極と画素電
極の重なり部分に発生する配向異常を抑制し、配向異常
領域の表示エリア部へのはみ出しを抑制することができ
る。従って、液晶材料や配向膜材料の特性やその他の要
因で、表示エリア内のプレチルト角の低下が起こって
も、表示信頼性を維持できる。
示装置を例にとり、透明画素電極への適用について説明
したが、本発明を反射型液晶表示装置に適用した場合
は、反射画素電極周辺部での表示性能の低下を防止でき
る効果がある。
A′の断面図である。この実施の形態では、補助容量電
極の断面がくさび型になるように形成したものである。
傾斜部の幅は、表示エリア側よりソース配線側を大きく
してある。本実施の形態においても、上記実施の形態1
と同様の効果が得られる。
膜を介して形成された補助容量電極のソース配線側の傾
斜部の幅を、画素電極側のそれに比べて大きくなるよう
に形成することにより、補助容量電極と画素電極の重な
り部分に発生する配向異常領域の表示エリア部へのはみ
出し幅を小さくし、表示信頼性を向上することができ
る。
図である。
面図である。
面図である。
Claims (2)
- 【請求項1】 マトリクス状に配置された画素電極と、
ゲート電極、ソース電極、及びドレイン電極を有し、前
記画素電極をスイッチングするトランジスタを備え、ま
た前記画素電極と補助容量を形成する補助容量電極を、
画素電極の下層に備え、補助容量電極は補助容量を形成
すると共に、TFT側のブラックマトリクスも兼ねるこ
とを特徴とする液晶表示装置において、前記補助容量電
極のソース電極側の傾斜部の幅が、画素電極側の傾斜部
の幅に比べて大きくなるように形成された液晶表示装
置。 - 【請求項2】 前記補助容量電極の断面形状がくさび型
になっており、その傾斜部の幅は、ソース電極側が画素
電極側に比べて大きくなるように形成された請求項1記
載の液晶表示装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP659999A JP4142786B2 (ja) | 1999-01-13 | 1999-01-13 | 液晶表示装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP659999A JP4142786B2 (ja) | 1999-01-13 | 1999-01-13 | 液晶表示装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
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JP2000206559A true JP2000206559A (ja) | 2000-07-28 |
JP4142786B2 JP4142786B2 (ja) | 2008-09-03 |
Family
ID=11642808
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP659999A Expired - Fee Related JP4142786B2 (ja) | 1999-01-13 | 1999-01-13 | 液晶表示装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007034090A (ja) * | 2005-07-29 | 2007-02-08 | Casio Comput Co Ltd | 液晶表示装置 |
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JPH10307297A (ja) * | 1997-05-02 | 1998-11-17 | Nec Corp | アクティブマトリクス型液晶表示装置 |
-
1999
- 1999-01-13 JP JP659999A patent/JP4142786B2/ja not_active Expired - Fee Related
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JP4142786B2 (ja) | 2008-09-03 |
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