JP2000206559A - 液晶表示装置 - Google Patents

液晶表示装置

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JP2000206559A
JP2000206559A JP11006599A JP659999A JP2000206559A JP 2000206559 A JP2000206559 A JP 2000206559A JP 11006599 A JP11006599 A JP 11006599A JP 659999 A JP659999 A JP 659999A JP 2000206559 A JP2000206559 A JP 2000206559A
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建一郎 山田
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 アクティブマトリクス型液晶表示装置の画素
電極と補助容量電極との重なり部に生じる配向異常を抑
制し、配向異常領域の画素表示エリアへのはみ出しを抑
制する。 【解決手段】 マトリクス状に配置された画素電極と、
ゲート電極、ソース電極、及びドレイン電極を有し、前
記画素電極をスイッチングするトランジスタを備え、ま
た前記画素電極と補助容量を形成する補助容量電極を、
画素電極の下層に備え、補助容量電極は補助容量を形成
すると共に、TFT側のブラックマトリクスも兼ねるこ
とを特徴とする液晶表示装置において、前記補助容量電
極のソース電極側の傾斜部の幅が、画素電極側の傾斜部
の幅に比べて大きくなるように形成した。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】この発明は、薄膜トランジス
タ(Thin Film Transistor,TF
T)をスイッチング素子とするアクティブマトリクス型
液晶表示装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】液晶表示装置は、現在ノートPCを中心
に急速に市場が拡大している。特に、各画素に薄膜トラ
ンジスタ(TFT)を設けたアクティブマトリクス型液
晶表示装置は、高コントラスト、高速応答など、動画の
表示に優れた特性を持ち、広く活用されている。
【0003】図1は液晶表示装置の画素電極部分の一例
を示す平面図である。ゲート配線1の上にゲート絶縁膜
を形成し、この上にソース配線2、ドレン電極3、透明
な画素電極4を形成し、さらにTFTを構成している。
【0004】さらに、ゲート配線と同層、あるいは画素
電極の下層に、くし形の補助容量電極5がゲート配線と
平行に配置されている。補助容量は、画素電極と補助容
量電極により形成される。
【0005】また、補助容量電極は画素電極と補助容量
電極の重なり部で起こる液晶の配向異常に対し、配向異
常による光漏れを遮光するブラックマトリクスも兼ねて
いる。
【0006】このように構成された液晶表示装置におい
ては、TFTはゲートに電圧が印加されている時間(オ
ン状態)は導通状態になっており、その時ソース配線の
電気的変化がドレイン電極へ伝えられ、液晶容量、及び
補助容量に電荷が蓄積されることによって、液晶層が駆
動される。すなわち、液晶容量、及び補助容量が、TF
Tの駆動すべき負荷容量となる。ゲートがオフ状態にな
ると、TFTは非導通状態となり、蓄積された電荷は、
次にゲートがオン状態になるまでの時間、保持されるこ
とになる。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】通常、アレイ表面ある
いはカラーフィルタ表面の液晶分子の初期配向角、いわ
ゆるプレチルト角は、配向膜材料、液晶材料、ラビング
強度などで決定されるが、上記の従来の液晶表示装置で
は、何らかの原因でアレイ側かカラーフィルタ側、もし
くはその両方のプレチルト角が著しく低下した場合、画
素電極と補助容量電極との重なり部分に発生する液晶の
配向異常領域が、表示エリア方向(画素電極側)に増大
し、表示を行なった際に正面、もしくは斜め方向から光
漏れが起こり、表示不良となる。
【0008】本発明は、上記のような問題点を解決し、
画素電極と補助容量電極との重なり部分に発生する配向
異常を抑制すると共に、配向異常領域の画素表示エリア
部へのはみ出しを抑制することを目的とする。
【0009】
【課題を解決するための手段】本発明の請求項1にかか
わる液晶表示装置はマトリクス状に配置された画素電極
と、ゲート電極、ソース電極、及びドレイン電極を有
し、前記画素電極をスイッチングするトランジスタを備
え、また前記画素電極と補助容量を形成する補助容量電
極を、画素電極の下層に備え、補助容量電極は補助容量
を形成すると共に、TFT側ブラックマトリクスも兼ね
ることを特徴とする液晶表示装置において、前記補助容
量電極のソース電極側の傾斜部の幅が、画素電極側の傾
斜部の幅に比べて大きくなるように形成されたものであ
る。
【0010】本発明の請求項2にかかわる液晶表示装置
は前記補助容量電極の断面形状がくさび型になってお
り、その傾斜部の幅は、ソース電極側が画素電極側に比
べて大きくなるように形成されたものである。
【0011】
【発明の実施の形態】実施の形態1 図1は、液晶表示装置の画素電極部分の一例を示す平面
図である。ゲート配線1の上にゲート絶縁膜を形成し、
この上にソース配線2、ドレイン電極3、透明な画素電
極4を形成し、さらにTFTを構成している。
【0012】さらに、ゲート配線と同層、あるいは画素
電極の下層に、くし形の補助容量電極5がゲート配線と
平行に配置されている。補助容量は、画素電極と補助容
量電極により形成される。
【0013】図2は、従来の液晶表示装置における図1
のA−A′の断面図である。補助容量電極5は画素電極
と補助容量電極の重なり部17近傍で起こる液晶の配向
異常に対し、配向異常による光漏れを遮光する、ブラッ
クマトリクスも兼ねている。
【0014】図3は、本発明の第1の実施の形態におけ
る図1のA−A′の断面図である。この実施の形態で
は、図2に示す従来の画素電極の下層に、絶縁膜12を
介して形成された補助容量電極のソース配線側の傾斜部
が、画素電極側のそれに比べて極端に大きくなるように
形成したものである。傾斜部の大きさ(平面方向の幅)
は、2μm以上であることが望ましい。
【0015】このようにソース配線側の傾斜部を大きく
することにより電界の方向を制御することができ、補助
容量電極と画素電極の重なり部分のプレチルト角は、表
示エリア内に比べて大きくなり、補助容量電極と画素電
極の重なり部分に発生する配向異常を抑制し、配向異常
領域の表示エリア部へのはみ出しを抑制することができ
る。従って、液晶材料や配向膜材料の特性やその他の要
因で、表示エリア内のプレチルト角の低下が起こって
も、表示信頼性を維持できる。
【0016】本実施の形態ではバックライト型の液晶表
示装置を例にとり、透明画素電極への適用について説明
したが、本発明を反射型液晶表示装置に適用した場合
は、反射画素電極周辺部での表示性能の低下を防止でき
る効果がある。
【0017】実施の形態2 図4は、本発明の第2の実施の形態における図1のA−
A′の断面図である。この実施の形態では、補助容量電
極の断面がくさび型になるように形成したものである。
傾斜部の幅は、表示エリア側よりソース配線側を大きく
してある。本実施の形態においても、上記実施の形態1
と同様の効果が得られる。
【0018】
【発明の効果】本発明によれば、画素電極の下層に絶縁
膜を介して形成された補助容量電極のソース配線側の傾
斜部の幅を、画素電極側のそれに比べて大きくなるよう
に形成することにより、補助容量電極と画素電極の重な
り部分に発生する配向異常領域の表示エリア部へのはみ
出し幅を小さくし、表示信頼性を向上することができ
る。
【図面の簡単な説明】
【図1】液晶表示装置の画素電極部分の一例を示す平面
図である。
【図2】従来例を示す図1のA−A′断面図である。
【図3】本発明の実施の形態1を示す図1のA−A′断
面図である。
【図4】本発明の実施の形態2を示す図1のA−A′断
面図である。
【符号の説明】
1 ゲート配線 2 ソース配線 3 ドレイン電極 4 透明画素電極 5 補助容量電極 11 ガラス基板 12、13 絶縁膜 14 対向透明電極 15 カラーフィルター遮光部 16 液晶層 17 画素電極−補助容量電極重なり部分

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 マトリクス状に配置された画素電極と、
    ゲート電極、ソース電極、及びドレイン電極を有し、前
    記画素電極をスイッチングするトランジスタを備え、ま
    た前記画素電極と補助容量を形成する補助容量電極を、
    画素電極の下層に備え、補助容量電極は補助容量を形成
    すると共に、TFT側のブラックマトリクスも兼ねるこ
    とを特徴とする液晶表示装置において、前記補助容量電
    極のソース電極側の傾斜部の幅が、画素電極側の傾斜部
    の幅に比べて大きくなるように形成された液晶表示装
    置。
  2. 【請求項2】 前記補助容量電極の断面形状がくさび型
    になっており、その傾斜部の幅は、ソース電極側が画素
    電極側に比べて大きくなるように形成された請求項1記
    載の液晶表示装置。
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