JP2000199781A - Semiconductor device tester and its calibration method - Google Patents

Semiconductor device tester and its calibration method

Info

Publication number
JP2000199781A
JP2000199781A JP11137847A JP13784799A JP2000199781A JP 2000199781 A JP2000199781 A JP 2000199781A JP 11137847 A JP11137847 A JP 11137847A JP 13784799 A JP13784799 A JP 13784799A JP 2000199781 A JP2000199781 A JP 2000199781A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
test
signal
board
terminal
semiconductor
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP11137847A
Other languages
Japanese (ja)
Other versions
JP3569154B2 (en
Inventor
Shigeru Matsumura
茂 松村
Takashi Sekizuka
高志 関塚
Hiroyuki Nagai
弘幸 永井
Hiroyuki Shiozuka
弘幸 塩塚
Hiroyuki Hama
博之 濱
Hidekazu Sekine
英一 関根
Riichi Suzuki
利一 鈴木
Noriyoshi Kozuka
紀義 小▲塚▼
Yukio Ishigaki
幸男 石垣
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Advantest Corp
Original Assignee
Advantest Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Advantest Corp filed Critical Advantest Corp
Priority to JP13784799A priority Critical patent/JP3569154B2/en
Publication of JP2000199781A publication Critical patent/JP2000199781A/en
Application granted granted Critical
Publication of JP3569154B2 publication Critical patent/JP3569154B2/en
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
  • Testing Of Short-Circuits, Discontinuities, Leakage, Or Incorrect Line Connections (AREA)
  • Tests Of Electronic Circuits (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To calibrate the output timing of test signal in a semiconductor test device, having a socket which has a first terminal capable of giving test signals to a semiconductor device and a driver outputting the test signal to the first terminal. SOLUTION: For this tester provided are a step installing a testing board having a terminal array similar to the terminal array of a semiconductor device 20 to a socket 50, a production step for producing test signals with a driver 76, a detection step for detecting the test signal having reached the testing board and a setting step for setting the output timing of the test signals, based on the test signals detected in the detection step. It is desirable that the contact terminal contacting the first terminal 12 in the testing board have the same input impedance as the contact terminal which makes contact with the first terminal 12 in the semiconductor device 20.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】この発明は、半導体デバイス
(「DUT」ともいう。例えば半導体集積回等。)をテス
トするための半導体デバイス試験装置に関し、特に、同
装置のキャリブレーション用治具、および、そのキャリ
ブレーション方法に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a semiconductor device test apparatus for testing a semiconductor device (also referred to as a "DUT"; for example, a semiconductor integrated circuit). And its calibration method.

【0002】[0002]

【発明が解決しようとする課題】図1は、従来の半導体
試験装置の断面図である。テストヘッド70は、半導体
デバイス20を試験するための試験信号を出力し、また
半導体デバイス20から出力された出力信号を受け取
る。テストヘッド70の上には、テストヘッド70と同
軸ケーブル62、64との間で信号を伝達するパフォー
マンスボード66が取り付けられている。同軸ケーブル
62が上記試験信号をパフォーマンスボード66からソ
ケットボード60に伝達し、また上記出力信号をソケッ
トボード60からパフォーマンスボード66へ伝達す
る。ソケットボード60の上にはソケット50が設けら
れており、ソケット50が有するピン52及び第1端子
12を経て試験信号が半導体デバイス20に与えられ、
また第2端子14及びピン54を経て上記出力信号が半
導体デバイス20から受け取られる。
FIG. 1 is a sectional view of a conventional semiconductor test apparatus. The test head 70 outputs a test signal for testing the semiconductor device 20 and receives an output signal output from the semiconductor device 20. A performance board 66 for transmitting a signal between the test head 70 and the coaxial cables 62 and 64 is mounted on the test head 70. A coaxial cable 62 transmits the test signal from the performance board 66 to the socket board 60, and transmits the output signal from the socket board 60 to the performance board 66. A socket 50 is provided on the socket board 60, and a test signal is supplied to the semiconductor device 20 via the pins 52 and the first terminals 12 of the socket 50,
The output signal is received from the semiconductor device 20 via the second terminal 14 and the pin 54.

【0003】テストヘッド70は、試験信号を生成する
ドライバ76(76A、76B)と、ドライバ76が生
成する試験信号に遅延を与えるドライバ遅延回路78
(78A、78B)と、出力信号を受け取るコンパレー
タ80(80A、80B)と、コンパレータ80が出力
信号を受け取ってから、前記出力信号を出力するまでの
時間に遅延を与えるコンパレータ遅延回路82(82
A、82B)とを有する。オシロスコープ等の測定機器
のプローブで各ドライバ76から出力された試験信号を
測定し、各ドライバから出力される試験信号のタイミン
グが同一となるように、ドライバ遅延回路78が与える
遅延時間を調整する。これにより、複数のドライバ76
間のスキューを相殺することができる。また、コンパレ
ータ遅延回路82が与える遅延時間を調整することによ
り、複数のコンパレータ80間のスキューを相殺するこ
とができる。
The test head 70 includes a driver 76 (76A, 76B) for generating a test signal, and a driver delay circuit 78 for delaying the test signal generated by the driver 76.
(78A, 78B), a comparator 80 (80A, 80B) that receives an output signal, and a comparator delay circuit 82 (82) that delays the time from when the comparator 80 receives the output signal to when the output signal is output.
A, 82B). A test signal output from each driver 76 is measured by a probe of a measuring device such as an oscilloscope, and the delay time given by the driver delay circuit 78 is adjusted so that the timing of the test signal output from each driver becomes the same. Thereby, the plurality of drivers 76
The skew between them can be offset. Further, the skew between the plurality of comparators 80 can be canceled by adjusting the delay time given by the comparator delay circuit 82.

【0004】図2A及び2Bはそれぞれ、半導体デバイ
ス20の上面図および正面図である。ここではTSOP
タイプの半導体デバイスを示しているが、半導体デバイ
スはQFP、BGA等のタイプであっても良い。各種形
状の半導体デバイスに対応するソケット50をそれぞれ
用意することにより、いずれの半導体デバイスをも同様
にテストすることができる。半導体デバイス20は、信
号を入力する半導体デバイス入力ピン22および信号を
出力する半導体デバイス出力ピン24を有しており、こ
れらのピンが、ソケット50の第1端子12及び第2端
子14に接触する。
FIGS. 2A and 2B are a top view and a front view, respectively, of semiconductor device 20. Here is TSOP
Although a semiconductor device of a type is shown, the semiconductor device may be of a type such as QFP or BGA. By preparing sockets 50 corresponding to semiconductor devices of various shapes, any of the semiconductor devices can be tested in the same manner. The semiconductor device 20 has a semiconductor device input pin 22 for inputting a signal and a semiconductor device output pin 24 for outputting a signal, and these pins contact the first terminal 12 and the second terminal 14 of the socket 50. .

【0005】図3は、ソケット50及びソケット50を
装着するソケットボード60を示す断面図である。ソケ
ットボード60が有するソケットガイド58に沿ってソ
ケット50が装着されると、ソケットボード60が有す
るスルーホール56にソケット50のピン52及び54
が挿入される。またソケットボード60のスルーホール
59の下側から、同軸ケーブル62,64の心線が挿入
されて半田付けされる。近年、半導体デバイス20のピ
ン数が増えたために、ソケット50の第1端子12に、
オシロスコープ等のプローブを正確に当てることが困難
となっている。そこで、半導体デバイス20をソケット
50から取り外し、プローブを直接ソケットボードに当
接させる方法が提案されている。
FIG. 3 is a sectional view showing the socket 50 and the socket board 60 on which the socket 50 is mounted. When the socket 50 is mounted along the socket guide 58 of the socket board 60, the pins 52 and 54 of the socket 50 are inserted into the through holes 56 of the socket board 60.
Is inserted. The core wires of the coaxial cables 62 and 64 are inserted and soldered from below the through hole 59 of the socket board 60. In recent years, since the number of pins of the semiconductor device 20 has increased, the first terminal 12 of the socket 50 has:
It is difficult to accurately apply a probe such as an oscilloscope. Therefore, a method has been proposed in which the semiconductor device 20 is removed from the socket 50 and the probe is directly brought into contact with the socket board.

【0006】図4は、ソケットボード60の上面図であ
る。ソケットボード60には、ソケット50のピン5
2、54を差し込むためのスルーホール56、及び同軸
ケーブルを挿入して半田付けするためのスルーホール5
9が設けられている。またソケットボード60の上面に
は、アースパターン(GND)及び電源パターン(VD
D)が設けられている。このソケットボード60に、オ
シロスコープのプローブを当てることにより、半導体試
験装置をキャリブレーションすることができる。
FIG. 4 is a top view of the socket board 60. Pin 5 of socket 50 is provided on socket board 60.
2, 54 and a through hole 5 for inserting and soldering a coaxial cable.
9 are provided. In addition, a ground pattern (GND) and a power supply pattern (VD
D) is provided. By applying an oscilloscope probe to the socket board 60, the semiconductor test apparatus can be calibrated.

【0007】図5は、ソケットボード60にプローブ4
4を当てている様子を示す。プローブ44は、信号端子
40とアース端子42とを有する。試験装置に設けられ
たソケットボード60からソケット50を取り外し、プ
ローブ44の信号端子40をソケット用のスルーホール
56に当接させ、アース端子42をソケットボード60
上のアースパターンに当接させることにより、スルーホ
ール56に与えられる信号を測定することができる。し
かしながら、アースパターンが測定しようとするスルー
ホールの近傍にない場合には、アース端子42に接続さ
れた、プローブ44のアース線を長くしなくてはならな
く、測定時の線路インピーダンスが大きくなる。近年、
半導体デバイス20の高速化に伴い、半導体デバイス2
0を高い精度で試験する必要が生じている。従って半導
体試験装置のキャリブレーションも、高い精度で行う必
要があるが、試験信号を測定する際における信号の線路
インピーダンスが大きいと、半導体試験装置を正確にキ
ャリブレーションすることができない。
FIG. 5 shows a probe 4 on a socket board 60.
4 is shown. The probe 44 has a signal terminal 40 and a ground terminal 42. The socket 50 is removed from the socket board 60 provided in the test apparatus, the signal terminal 40 of the probe 44 is brought into contact with the through hole 56 for the socket, and the ground terminal 42 is connected to the socket board 60.
By contacting the upper ground pattern, a signal applied to the through hole 56 can be measured. However, when the ground pattern is not near the through hole to be measured, the ground wire of the probe 44 connected to the ground terminal 42 must be lengthened, and the line impedance at the time of measurement increases. recent years,
With the speeding up of the semiconductor device 20, the semiconductor device 2
There is a need to test 0 with high accuracy. Therefore, it is necessary to calibrate the semiconductor test device with high accuracy. However, if the line impedance of the signal when measuring the test signal is large, the semiconductor test device cannot be calibrated accurately.

【0008】パフォーマンスボード66上には、信号配
線パターン及びアースパターンが隣接して設けられてい
るので、ソケット50、ソケットボード60、及び同軸
ケーブル62、64を取り外し、直接パフォーマンスボ
ードにプローブを当接させると、信号の線路インピーダ
ンスを下げることができる。しかしながらこの場合は、
同軸ケーブル62、64、ソケットボード60、並びに
ソケット50のインダクタンス及び浮遊容量等による影
響が試験信号に現れないので、実際の試験状態における
正確なキャリブレーションを行うことができない。
Since the signal wiring pattern and the ground pattern are provided adjacent to each other on the performance board 66, the socket 50, the socket board 60, and the coaxial cables 62 and 64 are removed, and the probe is directly brought into contact with the performance board. Then, the line impedance of the signal can be reduced. However, in this case,
Since the effects of the inductance and stray capacitance of the coaxial cables 62 and 64, the socket board 60, and the socket 50 do not appear in the test signal, accurate calibration cannot be performed in an actual test state.

【0009】図6は、半導体試験装置をキャリブレーシ
ョンするための従来の他の方法を示す。この形態におい
ては、ドライバ76と並列にコンパレータ80とプログ
ラマブルロード180が設けられている。プログラマブ
ルロード180を適切に設定することにより、ドライバ
76に所望の負荷を与えることができる。ソケット50
から半導体デバイス20を取り外し、ドライバ76から
試験信号を出力すると、試験信号はソケット50の上端
で反射されてコンパレータ80に入力される。この間の
時間(試験信号が往復する時間)t1を2で割ることに
より、ドライバ76からソケット50までの信号伝達時
間を測定することができる。
FIG. 6 shows another conventional method for calibrating a semiconductor test apparatus. In this embodiment, a comparator 80 and a programmable load 180 are provided in parallel with the driver 76. By appropriately setting the programmable load 180, a desired load can be applied to the driver 76. Socket 50
When the test signal is output from the driver 76, the test signal is reflected at the upper end of the socket 50 and input to the comparator 80. By dividing the time (time during which the test signal reciprocates) t1 by 2, the signal transmission time from the driver 76 to the socket 50 can be measured.

【0010】図7は、従来の半導体試験装置の更に他の
形態を示す。ソケット50の各ピンに対して、図に示す
ように2つの同軸ケーブルを接続させる形態が提案され
ている。この場合は、半導体デバイス20を取り外して
試験信号を生成しても、試験信号はソケット50で反射
されずに、コンパレータ90に伝送される。このため、
ドライバ76からソケット50までの試験信号送信時間
を計測することができない。
FIG. 7 shows still another embodiment of the conventional semiconductor test apparatus. A form has been proposed in which two coaxial cables are connected to each pin of the socket 50 as shown in the figure. In this case, even if the semiconductor device 20 is removed to generate a test signal, the test signal is transmitted to the comparator 90 without being reflected by the socket 50. For this reason,
The test signal transmission time from the driver 76 to the socket 50 cannot be measured.

【0011】図8は、従来のキャリブレーション方法の
フローチャートを示す。最初に、測定ポイントであるソ
ケットボード60のスルーホール56及びアースパター
ンGNDにプローブ44を接触する(S302)。次
に、タイミング測定とキャリブレーションを実行する
(S310)。すなわち、1チャネルのドライバが出力
する試験信号の波形の立ち上がり又は立下りのタイミン
グを測定し、キャリブレーションデータを取得する。ド
ライバ遅延回路78の設定値を初期状態に設定して、試
験信号を所定の振幅条件で発生する(S312)。次
に、試験信号の立ち上がり波形のタイミングを測定して
立ち上がり波形においてドライバ76をキャリブレーシ
ョンする(S314)。次に、試験信号の立下り波形の
タイミングを測定して立下り波形においてドライバ76
をキャリブレーションする(S316)。
FIG. 8 shows a flowchart of a conventional calibration method. First, the probe 44 is brought into contact with the through hole 56 of the socket board 60 and the ground pattern GND, which are measurement points (S302). Next, timing measurement and calibration are performed (S310). That is, the rising or falling timing of the waveform of the test signal output from the one-channel driver is measured, and calibration data is obtained. The setting value of the driver delay circuit 78 is set to an initial state, and a test signal is generated under a predetermined amplitude condition (S312). Next, the timing of the rising waveform of the test signal is measured, and the driver 76 is calibrated with the rising waveform (S314). Next, the timing of the falling waveform of the test signal is measured, and the driver 76
Is calibrated (S316).

【0012】図9(A)は、タイミング測定ステップ
(S310)において測定された試験信号の波形を示
す。波形Sは、基準タイミング位置tにおいて50
%のレベルとなっている。波形S及びSは、それぞ
れタイミングt及びtにおいて50%のレベルとな
っている。スルーレートは、波形の立ち上がり又は立下
りの傾斜を表す。テストヘッド70が有する複数のドラ
イバ76は、500ピコ秒/V±10%未満のスルーレ
ートで信号を出力するように調整されている。立ち上が
り波形測定ステップ(S314)において、図9(B)
に示すように、複数のドライバ76のそれぞれに対応す
るドライバ遅延回路78の遅延量を調整して基準タイミ
ング位置tへタイミングt及びtを移動させるこ
とで複数のドライバ76をキャリブレーションする。こ
の移動の結果、ドライバ遅延回路78の遅延量を増減さ
せた設定データを校正データとして得る。塵などの為に
プローブ44の信号端子40とソケットボード60のス
ルーホール56とが高抵抗状態となっている場合には、
試験信号のレベルが小さくなり、50%のレベルが検出
されなくなるため、接触不良が発生していることが容易
に判る。
FIG. 9A shows a waveform of the test signal measured in the timing measuring step (S310). The waveform S 0 has a value of 50 at the reference timing position t 0 .
% Level. Waveform S 1 and S 2 is made at each time t 1 and t 2 50% level. The slew rate represents the rising or falling slope of the waveform. The plurality of drivers 76 included in the test head 70 are adjusted to output signals at a slew rate of less than 500 picoseconds / V ± 10%. In the rising waveform measurement step (S314), FIG.
As shown in, calibrate a plurality of drivers 76 by moving the timing t 1 and t 2 to the reference timing position t 0 delay adjustment to the corresponding driver delay circuit 78 to each of the plurality of drivers 76 . As a result of this movement, setting data obtained by increasing or decreasing the delay amount of the driver delay circuit 78 is obtained as calibration data. When the signal terminal 40 of the probe 44 and the through hole 56 of the socket board 60 are in a high resistance state due to dust or the like,
Since the level of the test signal decreases and 50% of the level is not detected, it can be easily recognized that a contact failure has occurred.

【0013】図9(C)は、プローブ44のアース端子
42とソケットボード60のアースパターンGNDとが
接触不良である場合の試験信号の波形を示す。波形S
は、アース端子42とアースパターンGNDとがオープ
ンの状態であるときの波形例である。波形Sは、アー
ス端子42とアースパターンGNDとの間に高い接触抵
抗があるときの波形例である。波形S及びSは、波
形の歪や、なまりを生じている。しかし、波形S及び
においても、正常な波形Sと同じく50%のレベ
ルが測定されるので、接触不良が見過ごされてタイミン
グの校正が実施されてしまう。そのため、適正なタイミ
ング位置においてキャリブレーションできないので誤っ
た校正が実施される可能性がある。例えば、波形S
おいて、本来の正常な波形Sに対してタイミングのず
れeが生じている。また、波形Sにおいてもタイミ
ングのずれeが生じている。そのため誤ったタイミン
グでドライバ76が校正されてしまう。タイミングずれ
が生じている状態で校正が実施されると、キャリブレー
ションの精度が悪化する要因、あるいは、校正作業上に
おける信頼性が低下する要因となる。
FIG. 9C shows a waveform of a test signal when the ground terminal 42 of the probe 44 and the ground pattern GND of the socket board 60 are in poor contact. Waveform S 4
FIG. 9 is a waveform example when the ground terminal 42 and the ground pattern GND are open. Waveform S 6 is a waveform example when there is a high contact resistance between the ground terminal 42 and the earth pattern GND. Waveform S 4 and S 6 are distorted and the waveform is caused to accent. However, even in the waveform S 4 and S 6, since normal waveform S 0 Like 50% level is measured, contact failure unnoticed timing calibration from being performed. Therefore, since calibration cannot be performed at an appropriate timing position, erroneous calibration may be performed. For example, in the waveform S 6, the deviation e 2 of the timing with respect to the original normal waveform S 0 has occurred. Further, the deviation e 1 timing occurs even in the waveform S 4. Therefore, the driver 76 is calibrated at an incorrect timing. If the calibration is performed in a state where the timing shift has occurred, it may be a factor of deteriorating the accuracy of the calibration or a factor of deteriorating the reliability in the calibration work.

【0014】なお、接触不良を点検する方法として、プ
ローブ44とソケットボード60との接触点における直
流抵抗を測定する方法がある。この方法は、プローブ4
4の信号端子40とソケットボード60のスルーホール
56との接触不良に対しては、適用可能である。しか
し、プローブ44のアース端子42と接地側線路である
ソケットボード60のアースパターンGNDとの接触不
良に対しては、アースパターンGNDが回路アースであ
り、共通接続されているため、検出することが困難であ
る。
As a method of checking for a contact failure, there is a method of measuring a DC resistance at a contact point between the probe 44 and the socket board 60. This method uses probe 4
4 is applicable to poor contact between the signal terminal 40 of No. 4 and the through hole 56 of the socket board 60. However, the poor contact between the ground terminal 42 of the probe 44 and the ground pattern GND of the socket board 60, which is the ground line, can be detected because the ground pattern GND is a circuit ground and is commonly connected. Have difficulty.

【0015】そこで本発明は、上記課題の少なくとも1
つを解決することのできる半導体試験装置を提供するこ
とを目的とする。この目的は特許請求の範囲における独
立項に記載の特徴の組み合わせにより達成される。また
従属項は本発明の更なる有利な具体例を規定する。
Accordingly, the present invention provides at least one of the above objects.
It is an object of the present invention to provide a semiconductor test apparatus that can solve the above problems. This object is achieved by a combination of features described in the independent claims. The dependent claims define further advantageous embodiments of the present invention.

【0016】[0016]

【課題を解決するための手段】本発明の第1の形態によ
れば、半導体デバイスを装着することにより半導体デバ
イスへ試験信号を与えることのできる第1端子を有する
ソケットと、試験信号を第1端子へ出力するドライバと
を有する半導体試験装置における試験信号の出力タイミ
ングをキャリブレーションすべく、半導体デバイスの端
子配列と同様の端子配列を有する試験用ボードをソケッ
トに装着するステップと、ドライバにより試験信号を生
成する生成ステップと、試験用ボードに到達した試験信
号を検出する検出ステップと、検出ステップにより検出
した試験信号に基づいて試験信号の出力タイミングを設
定する設定ステップとを備えた。ここで、試験用ボード
における、第1端子に接触する接触端子が、半導体デバ
イスにおける、第1端子に接触する接触端子と同一の入
力インピーダンスを有することが好ましい。
According to a first aspect of the present invention, a socket having a first terminal capable of supplying a test signal to a semiconductor device by mounting the semiconductor device, and a socket for transmitting the test signal to the first terminal. Mounting a test board having a terminal arrangement similar to the terminal arrangement of the semiconductor device to a socket in order to calibrate an output timing of a test signal in a semiconductor test apparatus having a driver for outputting to a terminal; , A detection step of detecting a test signal that has reached the test board, and a setting step of setting the output timing of the test signal based on the test signal detected by the detection step. Here, it is preferable that the contact terminal of the test board that contacts the first terminal has the same input impedance as the contact terminal of the semiconductor device that contacts the first terminal.

【0017】本発明の第2の形態によれば、試験用ボー
ドが、第1端子に接触しかつアースに接続されたアース
ショートパターンを有し、検出ステップは、ドライバか
ら出力され試験用ボードで反射された試験信号を測定す
る。
According to a second aspect of the present invention, a test board has an earth short pattern that is in contact with a first terminal and is connected to the ground, and the detecting step is performed by a test board output from a driver. Measure the reflected test signal.

【0018】本発明の第3の形態によれば、半導体試験
装置は試験信号に遅延を与える遅延回路を更に有し、生
成ステップが、ドライバにより試験信号を出力すると共
に所定の基準信号を生成し、設定ステップは、検出ステ
ップにより検出した試験信号の、基準信号を基準とする
位相差に基づいて遅延回路が加える遅延の大きさを設定
する遅延設定ステップを有する。
According to a third aspect of the present invention, the semiconductor test apparatus further includes a delay circuit for delaying the test signal, and the generating step includes outputting the test signal by the driver and generating the predetermined reference signal. The setting step includes a delay setting step of setting a magnitude of a delay added by the delay circuit based on a phase difference of the test signal detected in the detection step with respect to the reference signal.

【0019】本発明の第4の形態によれば、試験用ボー
ドが、第1端子に接触する信号配線パターン、及び信号
配線パターンに隣接して配置されたアースパターンを有
し、検出ステップは、信号配線パターン及びアースパタ
ーンに取り付けられた電気的特性試験用プローブにより
試験信号を検出する。
According to a fourth aspect of the present invention, a test board has a signal wiring pattern contacting a first terminal, and an earth pattern arranged adjacent to the signal wiring pattern. A test signal is detected by an electrical characteristic test probe attached to the signal wiring pattern and the ground pattern.

【0020】本発明の第5の形態によれば、半導体試験
装置は複数のドライバを有し、ソケットは複数のドライ
バの各々に対応付けられた複数の第1端子を有し、試験
用ボードは複数の第1端子の各々に対応付けられた複数
の信号配線パターンを有し、検出ステップを複数の信号
配線パターンのそれぞれにおいて実行し、遅延設定ステ
ップは、複数の信号配線パターンのそれぞれにおいて測
定された位相差の大きさが同一になるように複数の遅延
回路における各遅延の大きさを設定する。
According to a fifth aspect of the present invention, a semiconductor test apparatus has a plurality of drivers, a socket has a plurality of first terminals associated with each of the plurality of drivers, and the test board has A plurality of signal wiring patterns are associated with each of the plurality of first terminals, a detecting step is performed on each of the plurality of signal wiring patterns, and a delay setting step is measured on each of the plurality of signal wiring patterns. The magnitude of each delay in the plurality of delay circuits is set so that the magnitude of the phase difference becomes the same.

【0021】本発明の第6の形態によれば、ソケット
は、半導体デバイスに接触して半導体デバイスから電気
的信号を受け取る第2端子を更に有し、半導体試験装置
は、第2端子から入力された信号を受け取るコンパレー
タを更に備え、試験用ボードは、第1端子と第2端子と
を電気的に接続するショートパターンを有するショート
ボードである。
According to a sixth aspect of the present invention, the socket further has a second terminal for contacting the semiconductor device and receiving an electric signal from the semiconductor device, and the semiconductor test apparatus receives an input from the second terminal. The test board is a short board having a short pattern for electrically connecting the first terminal and the second terminal.

【0022】本発明の第7の形態によれば、ドライバか
ら出力されショートボードを経由した試験信号をコンパ
レータで検出する。次に、出力ステップに対して所定の
時間差を有する基準タイミングと、コンパレータ検出ス
テップで試験信号を検出した時間との時間差に基づいて
得られた値を、半導体デバイスを試験するための基準時
間として設定する。半導体試験装置に複数のドライバ及
び複数のコンパレータを設け、ソケットに複数のドライ
バの各々に対応付けられた複数の第1端子、及び複数の
コンパレータの各々に対応付けられた複数の第2端子を
設け、ショートボードに複数の第1端子と複数の第2端
子とをそれぞれ接続する複数のショートパターンを設
け、検出ステップを複数の信号配線パターンのそれぞれ
において実行し、基準時間を複数のコンパレータのそれ
ぞれに対して基準時間をそれぞれ独立に設定してもよ
い。
According to the seventh aspect of the present invention, the test signal output from the driver and passed through the short board is detected by the comparator. Next, a value obtained based on a time difference between a reference timing having a predetermined time difference with respect to the output step and a time when the test signal is detected in the comparator detection step is set as a reference time for testing the semiconductor device. I do. A plurality of drivers and a plurality of comparators are provided in the semiconductor test apparatus, and a plurality of first terminals associated with each of the plurality of drivers and a plurality of second terminals associated with each of the plurality of comparators are provided in the socket. Providing a plurality of short patterns for connecting the plurality of first terminals and the plurality of second terminals to the short board, performing the detecting step on each of the plurality of signal wiring patterns, and setting the reference time to each of the plurality of comparators. On the other hand, the reference times may be set independently.

【0023】本発明の第8の形態によれば、複数のソケ
ットと、複数のソケットの各々に対応する複数のショー
トボード等の試験用ボードと、複数の試験用ボードを一
体に保持するフレームとを更に備え、フレームは、フレ
ームを半導体試験装置における所定の位置に装着したと
きに試験用ボードを所望の位置に移動させる呼び込み機
構を試験用ボードごとに有する。
According to the eighth aspect of the present invention, a plurality of sockets, a plurality of test boards such as a short board corresponding to each of the plurality of sockets, and a frame for integrally holding the plurality of test boards are provided. , And the frame has, for each test board, a call-in mechanism for moving the test board to a desired position when the frame is mounted at a predetermined position in the semiconductor test apparatus.

【0024】本発明の第9の形態によれば、半導体デバ
イスを試験するために用いる試験信号を出力するドライ
バと、半導体デバイスから電気的信号を受け取るコンパ
レータと、半導体デバイスを装着して試験信号を半導体
デバイスに与えることのできるソケットとを有する半導
体試験装置の処理タイミングをキャリブレ−ションする
キャリブレーション方法において、試験信号の波形を測
定する測定器に、試験信号又は電気的信号を提供すべく
必要な接続を行う接続ステップと、ライバが出力した試
験信号を測定器において測定する波形測定ステップと、
測定器により測定された試験信号の波形が所望の範囲内
かを判定する波形判定ステップと、測定器により測定さ
れた波形が所望の範囲を外れている場合に測定器に行っ
た接続が不良であると通知する通知ステップとを備える
ことが好ましい。波形測定ステップは、試験信号の立ち
上がり及び立下りの少なくとも一方の波形を測定するこ
とが好ましい。更に通知ステップは、波形が所望の範囲
を外れている場合に、接続ステップ、波形測定ステッ
プ、及び波形判定ステップを繰り返す再接続ステップ
と、接続ステップ、波形測定ステップ、及び波形判定ス
テップを所定の回数繰り返しても波形が所望の範囲を外
れている場合に、測定器に行った接続が不良であると通
知する不良通知ステップとを含むことが好ましい。
According to a ninth aspect of the present invention, a driver for outputting a test signal used for testing a semiconductor device, a comparator for receiving an electrical signal from the semiconductor device, and a test signal for mounting the semiconductor device and for outputting the test signal In a calibration method for calibrating a processing timing of a semiconductor test apparatus having a socket that can be provided to a semiconductor device, a test signal or an electrical signal required to be provided to a measuring instrument for measuring a waveform of a test signal is provided. A connection step of making a connection, a waveform measurement step of measuring the test signal output by the driver with a measuring instrument,
A waveform determining step of determining whether the waveform of the test signal measured by the measuring instrument is within a desired range; and a connection made to the measuring instrument when the waveform measured by the measuring instrument is out of the desired range. It is preferable to include a notifying step of notifying that there is. In the waveform measuring step, it is preferable to measure at least one of rising and falling waveforms of the test signal. Further, the notification step includes, when the waveform is out of the desired range, a reconnection step of repeating the connection step, the waveform measurement step, and the waveform determination step, and the connection step, the waveform measurement step, and the waveform determination step a predetermined number of times It is preferable to include a failure notifying step of notifying that the connection made to the measuring instrument is defective when the waveform is out of the desired range even after repetition.

【0025】本発明の第10の形態によれば、上記キャ
リブレーション方法において、測定器が半導体試験装置
の外部の測定器であり、測定器が試験信号を入力する電
気的特性試験用プローブを有し、接続ステップは、電気
的特性試験用プローブに試験信号を提供すべく必要な接
続を行うステップを有することが好ましい。
According to a tenth aspect of the present invention, in the above-described calibration method, the measuring device is a measuring device external to the semiconductor test apparatus, and the measuring device has an electrical characteristic test probe for inputting a test signal. Preferably, the connecting step includes a step of making a necessary connection for providing a test signal to the electrical characteristic test probe.

【0026】本発明の第11の形態によれば、上記キャ
リブレーション方法において、測定器が半導体試験装置
の内部の測定器であり、波形測定ステップがドライバか
ら出力されソケットで反射された試験信号をコンパレー
タから入力して測定器において測定するステップを有す
ることが好ましい。
According to an eleventh aspect of the present invention, in the above-mentioned calibration method, the measuring device is a measuring device inside the semiconductor test device, and the waveform measuring step is performed by outputting the test signal reflected from the socket output from the driver. Preferably, the method includes a step of inputting from the comparator and measuring at the measuring device.

【0027】本発明の第12の形態によれば、上記キャ
リブレーション方法において、測定器が半導体試験装置
の内部の測定器であり、波形測定ステップがコンパレー
タから入力された所定の基準信号を測定器において測定
するステップを有することが好ましい。
According to a twelfth aspect of the present invention, in the above-mentioned calibration method, the measuring device is a measuring device inside the semiconductor test apparatus, and the waveform measuring step is a step of measuring the predetermined reference signal input from the comparator by the measuring device. It is preferable to have the step of measuring at.

【0028】本発明の第13の形態によれば、上記キャ
リブレーション方法において、接続ステップは、キャリ
ブレーションのために試験信号を入力して測定器に与え
る試験用ボードを測定器に接続するステップを有するこ
とが好ましい。
According to a thirteenth aspect of the present invention, in the above-mentioned calibration method, the connecting step includes a step of connecting a test board for inputting a test signal for calibration and supplying the test signal to the measuring instrument. It is preferred to have.

【0029】本発明の第14の形態によれば、上記キャ
リブレーション方法において、測定器が半導体試験装置
の内部の測定器であり、波形測定ステップが、ドライバ
から出力され試験用ボードで反射された試験信号をコン
パレータから入力して測定器において測定するステップ
を有することが好ましい。
According to a fourteenth aspect of the present invention, in the above-mentioned calibration method, the measuring device is a measuring device inside the semiconductor test apparatus, and the waveform measuring step is output from the driver and reflected by the test board. Preferably, the method further comprises a step of inputting the test signal from the comparator and measuring the test signal in the measuring instrument.

【0030】本発明の第15の形態によれば、上記キャ
リブレーション方法において、波形判定ステップが、試
験信号の立ち上がり又は立下りの期間内における試験信
号のレベルが所望の範囲内かを判定することが好まし
い。
According to a fifteenth aspect of the present invention, in the above-mentioned calibration method, the waveform judging step judges whether the level of the test signal in a rising or falling period of the test signal is within a desired range. Is preferred.

【0031】[0031]

【発明の実施の形態】以下、発明の実施の形態を通じて
本発明を説明するが、以下の実施形態はクレームにかか
る発明を限定するものではなく、又実施形態の中で説明
されている特徴の組み合わせの全てが発明の解決手段に
必須であるとは限らない。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, the present invention will be described through embodiments of the present invention. However, the following embodiments do not limit the claimed invention and have the features described in the embodiments. Not all combinations are essential to the solution of the invention.

【0032】図10は、本実施形態における半導体試験
装置全体の断面を示す。図1と同一の構成には図1と同
一の符号を付してあるので説明を省略する。ソケットボ
ード60の上には、同軸ケーブル62、64でパフォー
マンスボードに接続された複数のソケット50が設けら
れている。また、フレーム100には複数の保持ユニッ
ト110が保持(mount)されており、各保持ユニット
の上部には開口部120が設けられている。各保持ユニ
ット110は、1つの半導体デバイス20を保持する。
テストヘッド70内には、2つの同軸ケーブル62、6
4に対する回路のみを示しているが、実際には、半導体
デバイス20が有する各ピンに対して同軸ケーブルが設
けられており、各同軸ケーブルに対して、ドライバ7
6、遅延回路78、コンパレータ80、及びコンパレー
タ用遅延回路82が設けられている。また、図では1つ
の半導体デバイス20に対応する回路のみを示している
が、実際には、各半導体デバイスに対して同様の回路が
設けられている。
FIG. 10 shows a cross section of the entire semiconductor test apparatus in this embodiment. The same components as those in FIG. 1 are denoted by the same reference numerals as those in FIG. On the socket board 60, a plurality of sockets 50 connected to the performance board by coaxial cables 62 and 64 are provided. Further, a plurality of holding units 110 are held (mounted) on the frame 100, and an opening 120 is provided at an upper portion of each holding unit. Each holding unit 110 holds one semiconductor device 20.
In the test head 70, two coaxial cables 62, 6
Although only a circuit for the semiconductor device 20 is shown, a coaxial cable is provided for each pin of the semiconductor device 20 and a driver 7 is provided for each coaxial cable.
6, a delay circuit 78, a comparator 80, and a comparator delay circuit 82 are provided. Although only a circuit corresponding to one semiconductor device 20 is shown in the figure, a similar circuit is actually provided for each semiconductor device.

【0033】本半導体試験装置は、複数の半導体デバイ
スを同時にテストすることができるので、与えられた時
間により多くの半導体デバイスを試験することができ
る。半導体試験装置をキャリブレーションする場合に
は、予め半導体デバイス20に代えて試験用ボード10
を各保持ユニット110に装着する。フレーム100を
半導体試験装置に取り付けると、試験用ボード10がソ
ケット50に装着される。次に、開口部120の上部か
ら試験用ボード10にプローブを当て、ドライバ76に
より試験信号を生成する。試験用ボード10に到達した
試験信号をオシロスコープで検出し、検出した試験信号
に基づいて遅延回路78Aの設定を変更することによ
り、試験信号の出力タイミングを設定する。
The present semiconductor test apparatus can test a plurality of semiconductor devices at the same time, so that more semiconductor devices can be tested in a given time. When calibrating the semiconductor test apparatus, the test board 10 is used instead of the semiconductor device 20 in advance.
Is attached to each holding unit 110. When the frame 100 is mounted on the semiconductor test apparatus, the test board 10 is mounted on the socket 50. Next, a probe is applied to the test board 10 from above the opening 120, and a test signal is generated by the driver 76. The test signal reaching the test board 10 is detected by an oscilloscope, and the output timing of the test signal is set by changing the setting of the delay circuit 78A based on the detected test signal.

【0034】ドライバ76は、半導体デバイス20に与
える複数の信号の各々に対して設けられている。またテ
ストヘッド70は更に、基準信号を生成する1つのドラ
イバ176と、基準信号に対して所定の遅延を与える1
つの遅延回路178とを有する。基準信号が生成される
時と、ドライバ76が試験信号を生成する時との間の時
間差は常に一定となっている。そこで、この基準信号を
オシロスコープに対してトリガとして入力する。各ドラ
イバ76から出力される試験信号の位相と基準信号の位
相との位相差を同一にすることにより、間接的に、複数
のドライバ76間の位相を揃え、ドライバ間のスキュー
を小さくすることができる。但し他の形態としては、試
験用ボード10に到達する一つの試験信号を基準信号と
して選択してオシロスコープのトリガとして入力し、選
択した試験信号の位相に他の試験信号の位相を合わせて
も良い。
The driver 76 is provided for each of a plurality of signals applied to the semiconductor device 20. The test head 70 further includes one driver 176 for generating a reference signal and one driver 176 for giving a predetermined delay to the reference signal.
And two delay circuits 178. The time difference between when the reference signal is generated and when the driver 76 generates the test signal is always constant. Therefore, this reference signal is input to the oscilloscope as a trigger. By making the phase difference between the phase of the test signal output from each driver 76 and the phase of the reference signal the same, it is possible to indirectly align the phases among the plurality of drivers 76 and reduce the skew between the drivers. it can. However, as another form, one test signal that reaches the test board 10 may be selected as a reference signal and input as a trigger of an oscilloscope, and the phase of another test signal may be matched to the phase of the selected test signal. .

【0035】図11A及び11Bは、保持ユニット11
0に装着する試験用ボード10の一例としてのプローブ
ボード10Aの上面図及び下面図である。試験用ボード
10の下面には、半導体デバイス20の端子と同様の配
置に接触端子30が設けられている。フレーム100を
半導体試験装置に取り付けると、接触端子30がソケッ
ト50の第1端子12及び第2端子14に接触する。上
面に設けられたアースパターン36及び複数の信号配線
パターン32は、下面に設けられた接触端子30と接続
されている。アースパターン36は上面の中央に伸びて
いる。アースパターン36は各信号配線パターン32に
隣接しており、最短距離は約2mm以下である。このた
め、各信号配線パターン32及びアースパターン36
に、プローブ44の信号端子40及びアース端子42を
容易に接触させることができる。また各信号配線パター
ン32とアースパターン36との最短距離は実質的に等
しいので、各信号の線路インピーダンスのばらつきが小
さく、各信号を正確に測定することができる。
FIGS. 11A and 11B show the holding unit 11.
FIG. 2 is a top view and a bottom view of a probe board 10A as an example of a test board 10 to be mounted on the probe board 10; On the lower surface of the test board 10, contact terminals 30 are provided in the same arrangement as the terminals of the semiconductor device 20. When the frame 100 is attached to the semiconductor test device, the contact terminals 30 come into contact with the first terminal 12 and the second terminal 14 of the socket 50. The ground pattern 36 and the plurality of signal wiring patterns 32 provided on the upper surface are connected to the contact terminals 30 provided on the lower surface. The ground pattern 36 extends to the center of the upper surface. The ground pattern 36 is adjacent to each signal wiring pattern 32, and the shortest distance is about 2 mm or less. Therefore, each signal wiring pattern 32 and ground pattern 36
Then, the signal terminal 40 and the ground terminal 42 of the probe 44 can be easily brought into contact. Further, since the shortest distance between each signal wiring pattern 32 and the ground pattern 36 is substantially equal, variation in line impedance of each signal is small, and each signal can be measured accurately.

【0036】キャリブレーション時におけるドライバ7
6からの出力タイミングと、実際の半導体デバイス20
を半導体試験装置に装着したときにおけるドライバ76
からの出力タイミングとの間に誤差が生じることを防ぐ
ためには、接触端子30における各信号の入力インピー
ダンスを、実際の半導体デバイス20における信号の入
力インピーダンスと実質的に同一にすることが好まし
い。入力インピーダンスを半導体デバイス20と同一に
するためには、周知のように、信号配線パターン32と
アースパターン36との間に適当なコンデンサ(キャパ
シタンス)、抵抗等を設ければよい。
Driver 7 at the time of calibration
6 and the actual semiconductor device 20
When the driver 76 is mounted on the semiconductor test apparatus,
In order to prevent an error from occurring between the output timing of the semiconductor device 20 and the output timing of the semiconductor device 20, it is preferable that the input impedance of each signal at the contact terminal 30 be substantially the same as the input impedance of the signal at the actual semiconductor device 20. In order to make the input impedance the same as that of the semiconductor device 20, an appropriate capacitor (capacitance), a resistor, and the like may be provided between the signal wiring pattern 32 and the ground pattern 36, as is well known.

【0037】図12は、プローブボード10Aの他の実
施形態を示す。プローブボード10Aは、半導体デバイ
ス20とほぼ同じ外形寸法の絶縁ブロック270の外周
の側面に、半導体デバイス20の各端子とほぼ同じ配置
に複数の接触端子30が設けられている。接触端子30
は、ソケット50の第1端子12及び第2端子14と絶
縁ブロック270の側面部又は下面部において接触でき
る。
FIG. 12 shows another embodiment of the probe board 10A. The probe board 10 </ b> A has a plurality of contact terminals 30 provided on the outer peripheral side surface of an insulating block 270 having substantially the same external dimensions as the semiconductor device 20, in substantially the same arrangement as the terminals of the semiconductor device 20. Contact terminal 30
Can contact the first terminal 12 and the second terminal 14 of the socket 50 on the side surface or the lower surface of the insulating block 270.

【0038】複数の接触端子30よりそれぞれ絶縁ブロ
ック270の上面の周辺部に延長された場所に複数の信
号配線パターン32が形成される。信号配線パターン3
2は、プローブ44の信号端子40を接触させるのに使
用される。そのため、信号配線パターン32は、信号端
子40が接触しやすいように膨らんだ形状をしている。
複数の信号配線パターン32の内側に、グランド用の端
子37より延長されてアースパターン36が形成され
る。アースパターン36は、プローブ44のアース端子
42を接触させるために使用される。なお、プローブ4
4は、保持金具262により保持される。
A plurality of signal wiring patterns 32 are formed at locations extending from the plurality of contact terminals 30 to the periphery of the upper surface of the insulating block 270, respectively. Signal wiring pattern 3
2 is used to make the signal terminal 40 of the probe 44 contact. Therefore, the signal wiring pattern 32 has a bulged shape so that the signal terminals 40 can easily contact with each other.
A ground pattern 36 is formed inside the plurality of signal wiring patterns 32 so as to extend from the ground terminal 37. The ground pattern 36 is used to contact the ground terminal 42 of the probe 44. The probe 4
4 is held by the holding fitting 262.

【0039】アースパターン36は、各信号配線パター
ン32に隣接しているので、信号配線パターン32及び
アースパターン36とプローブ44の信号端子40及び
アース端子42とは容易に接触させることができる。ア
ース端子42とアースパターン36とを短距離で接触さ
せることができるので、アース端子42を低いインピー
ダンスで接地することができる。このため、従来接地イ
ンピーダンスを介して試験信号に重畳された外部雑音が
軽減され、雑音の影響による試験信号の歪が抑圧され、
キャリブレーションの精度が改善される。また、信号配
線パターン32と信号端子40とが安定した接触を保て
るので、信号配線パターン32と信号端子40との接触
箇所から発生する雑音や、その雑音による試験信号の歪
が抑圧され、キャリブレーションの精度が改善される。
Since the ground pattern 36 is adjacent to each signal wiring pattern 32, the signal wiring pattern 32 and the ground pattern 36 can be easily brought into contact with the signal terminal 40 and the ground terminal 42 of the probe 44. Since the ground terminal 42 and the ground pattern 36 can be brought into contact with each other in a short distance, the ground terminal 42 can be grounded with low impedance. For this reason, the external noise superimposed on the test signal via the conventional ground impedance is reduced, and the distortion of the test signal due to the influence of the noise is suppressed.
The accuracy of the calibration is improved. Further, since the signal wiring pattern 32 and the signal terminal 40 can maintain stable contact, noise generated from a contact portion between the signal wiring pattern 32 and the signal terminal 40 and distortion of a test signal due to the noise are suppressed, and calibration is performed. Accuracy is improved.

【0040】図13A及び13Bは、試験用ボード10
の他の一例としてのショートボード10Bを示す。ショ
ートボード10Bの下面には、ソケット50の第1端子
12及び第2端子14に接触する接触端子30が設けら
れている。ショートボード10Bの上面には、第1端子
に接触した接触端子30と第2端子14に接触した接触
端子30とをショートする複数のショートパターン46
が設けられている。図11に示すプローブボード10A
を半導体試験装置に装着して、複数のドライバ76間の
スキューをキャリブレーションした後に、プローブボー
ド10Aを半導体試験装置から取り外し、代わりに図1
3に示すショートボード10Bを半導体試験装置に取り
付ける。
FIGS. 13A and 13B show the test board 10.
9 shows a short board 10B as another example. A contact terminal 30 that contacts the first terminal 12 and the second terminal 14 of the socket 50 is provided on the lower surface of the short board 10B. A plurality of short patterns 46 for short-circuiting the contact terminals 30 contacting the first terminals and the contact terminals 30 contacting the second terminals 14 are provided on the upper surface of the short board 10B.
Is provided. Probe board 10A shown in FIG.
Is mounted on a semiconductor test apparatus, and after calibrating the skew between the plurality of drivers 76, the probe board 10A is removed from the semiconductor test apparatus.
3 is attached to the semiconductor test device.

【0041】この状態で、複数のコンパレータ80間の
スキューをキャリブレーションする。まず、複数のドラ
イバ76Aから同時に試験信号を生成する。ドライバ7
6Aにより生成された試験信号は、ショートボード10
Bを介してコンパレータ80Bに到達する。ドライバ7
6が試験信号を生成してからコンパレータ80が試験信
号を検出するまでのおよその遅延時間は予め分かってい
る。そこで例えば、基準信号をトリガとしてオシロスコ
ープ150に取り込んだ時に、既知の遅延時間をオシロ
スコープ150によって加えて得られた時を基準タイミ
ングとして選択する。但し本発明の他の実施形態として
は、基準信号を検出した時を上記基準タイミングとして
選択しても良い。これは、上記の遅延時間としてゼロ"
0"を選択したときに相当する。
In this state, the skew between the plurality of comparators 80 is calibrated. First, test signals are simultaneously generated from the plurality of drivers 76A. Driver 7
The test signal generated by the short board 10A
The signal reaches the comparator 80B via B. Driver 7
The approximate delay time from when the test signal 6 generates the test signal to when the comparator 80 detects the test signal is known in advance. Thus, for example, when the reference signal is taken into the oscilloscope 150 as a trigger, a time obtained by adding a known delay time by the oscilloscope 150 is selected as the reference timing. However, in another embodiment of the present invention, a time when a reference signal is detected may be selected as the reference timing. This is zero as the delay time above
This corresponds to the selection of "0".

【0042】次に、基準タイミングから、各コンパレー
タ80が試験信号を検出した時までの時間差をコンパレ
ータ80毎に測定し、この時間差に基づいた値を半導体
デバイス20を試験するための基準時間として、コンパ
レータ80毎に設定する。例えば、時間差が+aであっ
た場合には、そのコンパレータ80に対応するコンパレ
ータ用遅延回路82の遅延時間をa減じ、時間差が−a
であった場合には、コンパレータ用遅延回路82による
遅延時間をa増加させる。これにより、複数のコンパレ
ータ80間のスキューをキャリブレーションすることが
できる。
Next, a time difference from the reference timing to when each of the comparators 80 detects the test signal is measured for each comparator 80, and a value based on the time difference is set as a reference time for testing the semiconductor device 20. This is set for each comparator 80. For example, if the time difference is + a, the delay time of the comparator delay circuit 82 corresponding to the comparator 80 is reduced by a, and the time difference becomes -a
If so, the delay time by the comparator delay circuit 82 is increased by a. Thereby, the skew between the plurality of comparators 80 can be calibrated.

【0043】但し他の実施形態としては、コンパレータ
用遅延回路82に代えて遅延時間を格納するメモリをコ
ンパレータ80毎に設け、上記時間差を単にメモリに格
納しておいても良い。この場合は、実際に半導体デバイ
ス20を試験した場合においてコンパレータ80が検出
した時から、上記メモリに格納した時間差を減じること
により、コンパレータ80間のスキューの影響を相殺し
た値を得ることができる。このようなメモリとしては、
半導体デジタルメモリの他、アナログメモリ、遅延時間
を設定可能な遅延回路等を用いることができる。また時
間差を減じる手段としては、数値演算による減算の他、
アナログ演算による減算、遅延回路による減算等を用い
ることができる。
However, as another embodiment, a memory for storing the delay time may be provided for each comparator 80 instead of the comparator delay circuit 82, and the time difference may be simply stored in the memory. In this case, by subtracting the time difference stored in the memory from the time when the comparator 80 detects when the semiconductor device 20 is actually tested, a value in which the influence of the skew between the comparators 80 can be obtained. As such a memory,
In addition to the semiconductor digital memory, an analog memory, a delay circuit whose delay time can be set, or the like can be used. Means for reducing the time difference include subtraction by numerical operation,
Subtraction by analog operation, subtraction by a delay circuit, and the like can be used.

【0044】図14は、半導体試験装置の他の形態を示
す。図10に示した構成と同一の構成には同一の符号を
付してあるので、それらの説明は省略する。本形態にお
いては、半導体デバイス20の出力端子に対応する同軸
ケーブル64には、コンパレータ80B及びコンパレー
タ用遅延回路82Bのみが設けられており、図10に示
すドライバ76B及びドライバ用遅延回路78Bは省略
されている。また、ドライバ76A及びコンパレータ8
0Aと並列に、ドライバ76Aに対して所望の負荷を与
えるプログラマブルロード180が設けられている。
FIG. 14 shows another embodiment of the semiconductor test apparatus. The same components as those shown in FIG. 10 are denoted by the same reference numerals, and their description will be omitted. In this embodiment, the coaxial cable 64 corresponding to the output terminal of the semiconductor device 20 is provided with only the comparator 80B and the comparator delay circuit 82B, and the driver 76B and the driver delay circuit 78B shown in FIG. 10 are omitted. ing. The driver 76A and the comparator 8
A programmable load 180 that applies a desired load to the driver 76A is provided in parallel with 0A.

【0045】まず半導体デバイス20及び試験用ボード
10をソケット50から取り外し、ドライバ用遅延回路
78A及びコンパレータ用遅延回路82Aによる遅延時
間をゼロ"0"とする。次にドライバ76Aの出力電圧を
変化させてからコンパレータ80Aが反射された電流を
検出するまでの時間、即ちドライバ76Aとソケット5
0との間を試験信号が往復する時間t1を測定する。こ
の時間t1を2で割ることにより、ドライバ76Aが試
験信号を生成してからソケット50へ試験信号が伝送さ
れるまでの時間即ち、片道の時間(t1)/2を得るこ
とができる。各ドライバ76Aについて、試験信号の伝
送時間(t1)/2を計測することにより、複数のドラ
イバ76からソケット50までの経路における各試験信
号の時間差Δdrが得られる。
First, the semiconductor device 20 and the test board 10 are removed from the socket 50, and the delay time by the driver delay circuit 78A and the comparator delay circuit 82A is set to zero "0". Next, the time from when the output voltage of the driver 76A is changed to when the comparator 80A detects the reflected current, that is, the driver 76A and the socket 5
A time t1 at which the test signal reciprocates between 0 and 0 is measured. By dividing the time t1 by 2, the time from when the driver 76A generates the test signal to when the test signal is transmitted to the socket 50, that is, the one-way time (t1) / 2 can be obtained. By measuring the transmission time (t1) / 2 of the test signal for each driver 76A, the time difference Δdr of each test signal in the path from the plurality of drivers 76 to the socket 50 can be obtained.

【0046】図15は、更にソケット50からコンパレ
ータ80Bまでの信号伝送時間を簡易に求める方法を示
す。ソケット50にショートボード10Bを取り付け、
ドライバ76Aで試験信号を生成する。試験信号は、同
軸ケーブル62、ショートボード10B、及び同軸ケー
ブル64を経てコンパレータ80Bにより受け取られ
る。ドライバ76が試験信号を生成してからコンパレー
タ80Bが試験信号を受け取るまでの時間、即ちドライ
バ76とコンパレータ80Bとの間の信号伝送時間t2
を計測し、ドライバ76とソケット50との間の伝送時
間(t1)/2をt2から減じることにより、ソケット
50からコンパレータ80Bまでの信号伝送時間t3を
求めることができる。ソケット50から各コンパレータ
80Bまでの伝送時間t3を計測することにより、ソケ
ット50から各コンパレータ80Bまでの経路における
試験信号の時間差Δcpが得られる。ドライバ76A側
の経路における時間差Δdrに基づいてドライバ用遅延
回路78に設定する遅延時間を変更することにより、ド
ライバ76A間のスキューを相殺することができる。ま
た時間差Δcpに基づいてコンパレータ80B用の遅延
回路82Bに設定する遅延時間を変更することにより、
複数のコンパレータ80B間のスキューを相殺すること
ができる。
FIG. 15 shows a method for easily obtaining the signal transmission time from the socket 50 to the comparator 80B. Attach the short board 10B to the socket 50,
A test signal is generated by the driver 76A. The test signal is received by the comparator 80B via the coaxial cable 62, the short board 10B, and the coaxial cable 64. The time from when the driver 76 generates the test signal to when the comparator 80B receives the test signal, that is, the signal transmission time t2 between the driver 76 and the comparator 80B.
Is measured, and the transmission time (t1) / 2 between the driver 76 and the socket 50 is subtracted from t2, whereby the signal transmission time t3 from the socket 50 to the comparator 80B can be obtained. By measuring the transmission time t3 from the socket 50 to each comparator 80B, the time difference Δcp of the test signal in the path from the socket 50 to each comparator 80B can be obtained. By changing the delay time set in the driver delay circuit 78 based on the time difference Δdr in the path on the driver 76A side, the skew between the drivers 76A can be offset. Also, by changing the delay time set in the delay circuit 82B for the comparator 80B based on the time difference Δcp,
Skew among the plurality of comparators 80B can be canceled.

【0047】図16は、半導体試験装置の更に他の形態
を示す。本形態においては、2つの同軸ケーブルがソケ
ット50の1つの端子に接続されている。この場合、半
導体デバイス20及び試験用ボード10を取り外しても
ソケット50においてインピーダンス不整合が生じない
ので、ドライバ76からソケット50までの信号伝送時
間、及びソケット50からコンパレータ90までの信号
伝送時間を求めることができない。そこでまず、ソケッ
ト50に試験用ボード10の一例としてのアースショー
トボード10Cを取り付ける。アースショートボード1
0Cにおいては、各試験信号がアースにショートされて
いる。これによりアースショートボード10Cにおいて
インピーダンス不整合が生じるので、ドライバ76が生
成した信号がコンパレータ80に反射される。
FIG. 16 shows still another embodiment of the semiconductor test apparatus. In the present embodiment, two coaxial cables are connected to one terminal of the socket 50. In this case, since the impedance mismatch does not occur in the socket 50 even when the semiconductor device 20 and the test board 10 are removed, the signal transmission time from the driver 76 to the socket 50 and the signal transmission time from the socket 50 to the comparator 90 are obtained. Can not do. Therefore, first, an earth short board 10C as an example of the test board 10 is attached to the socket 50. Earth short board 1
At 0C, each test signal is shorted to ground. This causes an impedance mismatch in the ground short board 10C, so that the signal generated by the driver 76 is reflected to the comparator 80.

【0048】次に図16におけるアースショートボード
10Cをソケット50から取り外し、コンパレータ90
用の遅延回路92における遅延時間をゼロ"0"に設定す
る。さらにドライバ76により試験信号を生成すると、
図15の場合と同様に、試験信号が同軸ケーブル62、
64を経てコンパレータ90により受け取られる。ドラ
イバ76が試験信号を生成してからコンパレータ90が
試験信号を受け取るまでの時間、即ちドライバ76とコ
ンパレータ90との間の信号伝送時間t2を計測し、ド
ライバ76とソケット50との間の伝送時間(t1)/
2をt2から減じることにより、ソケット50からコン
パレータ90までの信号伝送時間t3を求めることがで
きる。ソケット50から各コンパレータ90までの伝送
時間t3を計測することにより、ソケット50から各コ
ンパレータ90Bまでの経路における試験信号の時間差
Δcpが得られる。ドライバ76側の経路における時間
差Δdrに基づいてドライバ用遅延回路78に設定する
遅延時間を変更することにより、ドライバ76間のスキ
ューを相殺することができる。また時間差Δcpに基づ
いてコンパレータ90用の遅延回路92に設定する遅延
時間を変更することにより、複数のコンパレータ90間
のスキューを相殺することができる。
Next, the earth short board 10C shown in FIG.
The delay time in the delay circuit 92 is set to zero “0”. Further, when a test signal is generated by the driver 76,
As in the case of FIG. 15, the test signal is supplied to the coaxial cable 62,
It is received by comparator 90 via 64. The time from when the driver 76 generates the test signal to when the comparator 90 receives the test signal, that is, the signal transmission time t2 between the driver 76 and the comparator 90 is measured, and the transmission time between the driver 76 and the socket 50 is measured. (T1) /
By subtracting 2 from t2, the signal transmission time t3 from the socket 50 to the comparator 90 can be obtained. By measuring the transmission time t3 from the socket 50 to each comparator 90, the time difference Δcp of the test signal in the path from the socket 50 to each comparator 90B is obtained. The skew between the drivers 76 can be canceled by changing the delay time set in the driver delay circuit 78 based on the time difference Δdr in the path on the driver 76 side. Further, by changing the delay time set in the delay circuit 92 for the comparator 90 based on the time difference Δcp, the skew between the plurality of comparators 90 can be canceled.

【0049】図17A及び17Bは、アースショートボ
ード10Cの構成を示す。アースショートボード10C
の下面には、ソケット50の第1端子12及び第2端子
14に接触する接触端子30が設けられている。またア
ースショートボード10Cの上面では、ソケット50の
第1端子に接触する各信号配線パターン32がアースパ
ターン36にショートされている。このため、試験信号
の線路インピーダンスは、アースショートボード10C
でアースにショートされた後に急激に小さくなる。この
インピーダンスの不整合により、ドライバ76Aで生成
された信号はアースショートボード10Cで反射され
て、コンパレータ80Aによって検出される。
FIGS. 17A and 17B show the structure of the ground short board 10C. Earth short board 10C
A contact terminal 30 that contacts the first terminal 12 and the second terminal 14 of the socket 50 is provided on the lower surface of the socket 50. On the upper surface of the ground short board 10C, each signal wiring pattern 32 that contacts the first terminal of the socket 50 is short-circuited to the ground pattern 36. For this reason, the line impedance of the test signal is
After being short-circuited to the ground, it rapidly decreases. Due to the impedance mismatch, the signal generated by the driver 76A is reflected by the ground short board 10C and detected by the comparator 80A.

【0050】図18は、半導体試験装置の更に他の構成
を示す。本実施形態では、ソケット50における1つの
端子に2つの同軸ケーブル62,64が接続されてお
り、各同軸ケーブルにそれぞれ、ドライバ、ドライバ用
遅延回路、コンパレータ、プログラマブルロード、及び
コンパレータ用遅延回路が接続されている。この場合に
は、アースショートボード10Cをソケット50に取り
付け、ドライバ76,77から順次に試験信号を生成
し、ソケット50で反射された試験信号をそれぞれコン
パレータ80及び90で検出する。これにより、ドライ
バ76からソケット50までの線路、およびドライバ7
7からソケット50までの線路における伝送遅延時間の
時間差Δdrを求めることができる。この時間差Δdr
に基づいて、複数のドライバ76間のスキュー、複数の
ドライバ77間のスキュー、複数のコンパレータ80間
のスキュー、及び複数のコンパレータ90間のスキュー
を、それぞれ遅延回路78、79、82及び83により
キャリブレーションすることができる。
FIG. 18 shows still another configuration of the semiconductor test apparatus. In this embodiment, two coaxial cables 62 and 64 are connected to one terminal of the socket 50, and a driver, a driver delay circuit, a comparator, a programmable load, and a comparator delay circuit are connected to each coaxial cable. Have been. In this case, the ground short board 10C is attached to the socket 50, test signals are sequentially generated from the drivers 76 and 77, and the test signals reflected by the socket 50 are detected by the comparators 80 and 90, respectively. Thereby, the line from the driver 76 to the socket 50 and the driver 7
The time difference Δdr of the transmission delay time in the line from 7 to the socket 50 can be obtained. This time difference Δdr
The skew between the drivers 76, the skew between the drivers 77, the skew between the comparators 80, and the skew between the comparators 90 are calibrated by the delay circuits 78, 79, 82, and 83, respectively, based on Can be

【0051】図19は、図18に示した半導体試験装置
をキャリブレーションする方法の変更例を示す。理解し
やすくするために、本図では図18に示した遅延回路7
8、79、82、83の記載を省略している。また、図
18に示した構成と同一の構成には図18と同一の符号
を付してあるので、それらの説明は省略する。本形態で
は、1つの波形成型器160から2つのドライバ76、
77に試験信号を供給することができる。また波形成型
器160とドライバ77との間には、試験信号を通過さ
せるか否かを制御するゲート162が設けられている。
本形態によれば、試験信号を生成するためのパターン発
生器や波形フォーマッタ等を各ドライバ76、77毎に
設ける必要がないので、試験装置を安価に構成すること
ができる。
FIG. 19 shows a modification of the method for calibrating the semiconductor test apparatus shown in FIG. For the sake of easy understanding, in this figure, the delay circuit 7 shown in FIG.
8, 79, 82, and 83 are omitted. Also, the same components as those shown in FIG. 18 are denoted by the same reference numerals as those in FIG. 18, and the description thereof will be omitted. In the present embodiment, two drivers 76 from one waveform shaper 160,
77 can be provided with a test signal. A gate 162 is provided between the waveform shaper 160 and the driver 77 to control whether or not to pass a test signal.
According to the present embodiment, since it is not necessary to provide a pattern generator, a waveform formatter, and the like for generating a test signal for each of the drivers 76 and 77, the test apparatus can be configured at low cost.

【0052】図20は、フレーム100の開口部12
0、保持ユニット110、及び試験用ボード10の拡大
図である。フレーム100が有する円柱部材104を保
持ユニット110に貫通させ、留め具106によって保
持ユニット110の抜けを防止する。保持ユニット11
0は、試験用ボード10又は半導体デバイス20を保持
することができる。保持ユニット110と円柱部材10
4との間には大きなクリアランスが設けられているの
で、各保時ユニット110はクリアランスの範囲内でフ
レーム100に対して自在に変位することができる。バ
ネ102は、保持ユニット110をソケット50へ押圧
する。ソケット50には、先端が円錐形の位置決め棒1
08が設けられいる。位置決め棒108は、各保持ユニ
ット110及び試験用ボード10を、それぞれの適切な
位置に呼び込む呼び込み機構として機能する。即ち、保
持ユニット110に設けられた位置決め穴に位置決め棒
108を挿入することにより保持ユニットが適切な位置
に変位する。このため、試験用ボード10又は半導体デ
バイス20の接触端子30に、ソケット50の第1端子
12及び第2端子14が正確に接触することができる。
FIG. 20 shows the opening 12 of the frame 100.
FIG. 2 is an enlarged view of a reference numeral 0, a holding unit 110, and a test board 10. The column member 104 of the frame 100 is passed through the holding unit 110, and the holding unit 106 prevents the holding unit 110 from coming off. Holding unit 11
0 can hold the test board 10 or the semiconductor device 20. Holding unit 110 and cylindrical member 10
4, a large clearance is provided, so that each time keeping unit 110 can be freely displaced with respect to the frame 100 within the range of the clearance. The spring 102 presses the holding unit 110 against the socket 50. The socket 50 has a positioning rod 1 having a conical tip.
08 is provided. The positioning rod 108 functions as a loading mechanism for loading each holding unit 110 and the test board 10 to an appropriate position. That is, when the positioning rod 108 is inserted into the positioning hole provided in the holding unit 110, the holding unit is displaced to an appropriate position. For this reason, the first terminal 12 and the second terminal 14 of the socket 50 can accurately contact the contact terminal 30 of the test board 10 or the semiconductor device 20.

【0053】図21は、フレーム100の上面図であ
る。フレーム100の両端には、フレーム100を人間
の手、又はロボットにより掴むためのハンドル140が
設けられている。各保持ユニット110は、フレーム1
00内において他の保持ユニット110から独立して自
由に変位することができる。従来は、保持ユニット11
0のそれぞれを確実にソケット50に接触させるため
に、まず各保持ユニットをソケットに装着し、その後上
部から保持ユニットを固定していた。本実施形態によれ
ば、フレーム100を半導体試験装置に装着すると、各
保持ユニット110がそれぞれ適切な位置に変位するの
で、多数の試験用ボード10または半導体デバイス20
を容易に装着し、または取り外すことができる。
FIG. 21 is a top view of the frame 100. At both ends of the frame 100, handles 140 for gripping the frame 100 with human hands or a robot are provided. Each holding unit 110 has a frame 1
Within 00, it can be freely displaced independently of the other holding units 110. Conventionally, the holding unit 11
In order to make each of the 0s surely contact the socket 50, each holding unit was first mounted on the socket, and then the holding unit was fixed from above. According to the present embodiment, when the frame 100 is mounted on the semiconductor test apparatus, each of the holding units 110 is displaced to an appropriate position.
Can be easily attached or detached.

【0054】特に、必要な種類の試験用ボード10を予
め取り付けた複数のフレーム100と、半導体デバイス
20を取り付けたフレーム100とをそれぞれ用意する
ことにより、フレーム100を交換するのみで、複数の
試験用ボード10の種類を変更し、又は半導体デバイス
20に変更することができる。
In particular, by preparing a plurality of frames 100 on which necessary types of test boards 10 are mounted in advance and a frame 100 on which the semiconductor device 20 is mounted, a plurality of tests can be performed simply by exchanging the frames 100. The type of the use board 10 can be changed or the semiconductor device 20 can be changed.

【0055】以上の実施形態においては、半導体デバイ
ス20に代えてソケット50に試験用ボード10を装着
して半導体試験装置をキャリブレーションした。上記実
施例によれば、実際に半導体デバイスを試験するときに
おける信号線路と、半導体試験装置をキャリブレーショ
ンするときの信号線路とがほぼ同じなので、それぞれの
場合における線路インピーダンスがほぼ等しくなる。従
って、実使用に近い状態で半導体試験装置をキャリブレ
ーションすることができる。しかしながら他の実施形態
としては、例えば半導体デバイス20及びソケット50
を半導体試験装置から取り外し、ソケットボード60に
直接試験用ボード10を取り付けても良い。この場合に
は、実使用状態における線路インピーダンスとキャリブ
レーション時の線路インピーダンスとが多少異なる。し
かしながら、ソケットボード60はソケット50の上側
と比較して面積が広いので、プローブ44を信号線路に
容易に当接させることができる。
In the above embodiment, the semiconductor test apparatus is calibrated by mounting the test board 10 in the socket 50 instead of the semiconductor device 20. According to the above embodiment, since the signal line when actually testing the semiconductor device and the signal line when calibrating the semiconductor test apparatus are substantially the same, the line impedance in each case is substantially equal. Therefore, the semiconductor test apparatus can be calibrated in a state close to actual use. However, other embodiments include, for example, semiconductor device 20 and socket 50.
May be removed from the semiconductor test apparatus, and the test board 10 may be directly attached to the socket board 60. In this case, the line impedance in the actual use state is slightly different from the line impedance at the time of calibration. However, since the socket board 60 has a larger area than the upper side of the socket 50, the probe 44 can be easily brought into contact with the signal line.

【0056】図22は、プローブボード10Dを取り付
けたソケットボード60の上面図である。プローブボー
ド10Dの上面には、信号配線パターン132が、相互
に所定の間隔を持って配置されている。このため、プロ
ーブ44の信号端子40を当接させたときに、信号端子
40が他の信号配線パターンにショートすることを防ぐ
ことができる。また、プローブボード10Dの上面には
アースパターン136が設けられている。アースパター
ン136は各信号配線パターン132に隣接しており、
最短距離は約2mm以下である。このため、各信号配線
パターン132及びアースパターン136に、プローブ
44の信号端子40及びアース端子42を容易に接触さ
せることができる。また各信号配線パターン132とア
ースパターン136との最短距離が実質的に等しいので
各信号の線路インピーダンスのばらつきが小さく、各信
号を正確に測定することができる。
FIG. 22 is a top view of the socket board 60 to which the probe board 10D is attached. On the upper surface of the probe board 10D, signal wiring patterns 132 are arranged at a predetermined interval from each other. For this reason, when the signal terminal 40 of the probe 44 is brought into contact, it is possible to prevent the signal terminal 40 from being short-circuited to another signal wiring pattern. An earth pattern 136 is provided on the upper surface of the probe board 10D. The ground pattern 136 is adjacent to each signal wiring pattern 132,
The shortest distance is about 2 mm or less. Therefore, the signal terminal 40 and the ground terminal 42 of the probe 44 can be easily brought into contact with each of the signal wiring patterns 132 and the ground pattern 136. Further, since the shortest distance between each signal wiring pattern 132 and the ground pattern 136 is substantially equal, variation in line impedance of each signal is small, and each signal can be accurately measured.

【0057】このような、半導体デバイス20及びソケ
ット50に代えて取り付けられる試験用ボード10を多
数用意し、それぞれを図20に示す保持ユニット110
に保持させても良い。実際の半導体試験においては、半
導体デバイス20に加えて半導体デバイス20用のソケ
ット50を保持ユニット110に装着し、更にフレーム
100に取り付ける。必要な種類の試験用ボードを取り
付けたフレーム100をそれぞれ用意することにより、
フレーム100を交換するのみで容易に多数の試験用ボ
ード10の種類を交換し、または試験用ボード10を半
導体デバイス20に交換することができる。尚、上記の
キャリブレーションでは、種々の端子を接触させる必要
があるが、これを人手ではなく、ロボットを用いて行っ
てもよい。これにより、均一な圧力を与えることができ
るだけでなく、生産性も向上しうる。更に、本実施形態
ではオシロスコープによって試験信号を検出したが、例
えば、スタンダードドライバおよびスタンダードコンパ
レータ等を用いて試験信号を検出しても良い。
A large number of test boards 10 to be mounted in place of the semiconductor device 20 and the socket 50 are prepared, and each of them is a holding unit 110 shown in FIG.
May be held. In an actual semiconductor test, in addition to the semiconductor device 20, a socket 50 for the semiconductor device 20 is mounted on the holding unit 110 and further mounted on the frame 100. By preparing each frame 100 to which the required type of test board is attached,
By simply exchanging the frame 100, the types of many test boards 10 can be easily exchanged, or the test boards 10 can be exchanged for the semiconductor devices 20. In the above-described calibration, various terminals need to be brought into contact with each other, but this may be performed not by hand but by a robot. Thereby, not only can a uniform pressure be applied, but also productivity can be improved. Further, in the present embodiment, the test signal is detected by the oscilloscope. However, the test signal may be detected by using, for example, a standard driver and a standard comparator.

【0058】以上のように本実施形態によれば、半導体
試験装置のキャリブレーションの精度を高めることがで
きる。また複数の半導体デバイスを容易に試験装置に装
着することができるので、半導体試験の生産性を向上す
ることができる。
As described above, according to the present embodiment, the accuracy of the calibration of the semiconductor test apparatus can be improved. Further, since a plurality of semiconductor devices can be easily mounted on the test apparatus, the productivity of the semiconductor test can be improved.

【0059】図23は、試験用ボード10の他の実施形
態を示す。図23において図10と同じ符号が付けられ
た構成は、図10と同様の構成を有するので説明を省略
する。試験用ボード10は、テストヘッド70上に設け
られたポゴピン204と接触するようにテストヘッド7
0上に設置される。試験用ボード10の下面に形成され
た接触端子30は、テストヘッド70のポゴピン204
の配置に合わせて形成されている。また、試験用ボード
10の上面に形成された信号配線パターン32及びアー
スパターン36は、プローブ44の信号端子40及びア
ース端子42の配置に合わせて形成されている。試験用
ボード10の信号配線パターン32及びアースパターン
36は、接触端子30と電気的に接続されている。この
ように試験用ボード10の接触端子30の配置をソケッ
トボード60、パフォーマンスボード66、又はテスト
ヘッド70の端子の配置に合わせることにより、試験用
ボード10をソケット50に装着するばかりでなく、ソ
ケットボード60、パフォーマンスボード66、あるい
はテストヘッド70に装着することができる。
FIG. 23 shows another embodiment of the test board 10. In FIG. 23, the components denoted by the same reference numerals as those in FIG. 10 have the same configurations as those in FIG. The test board 10 is connected to the pogo pins 204 provided on the test head 70 so that the test head 7
0. The contact terminals 30 formed on the lower surface of the test board 10 are connected to the pogo pins 204 of the test head 70.
Is formed in accordance with the arrangement of. The signal wiring pattern 32 and the ground pattern 36 formed on the upper surface of the test board 10 are formed in accordance with the arrangement of the signal terminal 40 and the ground terminal 42 of the probe 44. The signal wiring pattern 32 and the ground pattern 36 of the test board 10 are electrically connected to the contact terminals 30. In this manner, by arranging the contact terminals 30 of the test board 10 in accordance with the arrangement of the terminals of the socket board 60, the performance board 66, or the test head 70, not only can the test board 10 be mounted on the socket 50, but also the socket It can be mounted on the board 60, the performance board 66, or the test head 70.

【0060】テストヘッド70は、試験装置本体208
からの指示を受けて、所定のレベルの試験信号を生成
し、ポゴピン204を介して試験用ボード10に試験信
号を与える。テストヘッド70は、ピンエレクトロニク
ス206を内部に備える。ピンエレクトロニクス206
は、図示されない複数のドライバ76、ドライバ用遅延
回路78、コンパレータ80、及びコンパレータ用遅延
回路82を有する。オシロスコープ200は、あらかじ
め校正された測定器である。オシロスコープ200と試
験装置本体208とは双方向に制御可能なGPIB等の
通信手段で接続されている。したがって所望の条件で測
定が実施でき、測定結果のタイミングデータは、試験装
置本体208において校正用データ又は判定処理に使用
される。試験装置本体208は、本体遅延回路210を
有し、ピンエレクトロニクス206が有するドライバ用
遅延回路78及びコンパレータ用遅延回路82の遅延時
間の設定値を調整できる。
The test head 70 includes a test apparatus main body 208.
, A test signal of a predetermined level is generated, and the test signal is supplied to the test board 10 via the pogo pin 204. The test head 70 includes the pin electronics 206 therein. Pin electronics 206
Has a plurality of drivers 76, a driver delay circuit 78, a comparator 80, and a comparator delay circuit 82 (not shown). The oscilloscope 200 is a measuring instrument calibrated in advance. The oscilloscope 200 and the test apparatus main body 208 are connected by communication means such as GPIB that can be controlled bidirectionally. Therefore, measurement can be performed under desired conditions, and the timing data of the measurement result is used in the test apparatus main body 208 for calibration data or determination processing. The test apparatus main body 208 has a main body delay circuit 210 and can adjust set values of delay times of the driver delay circuit 78 and the comparator delay circuit 82 included in the pin electronics 206.

【0061】テストヘッド70に備えられている基準信
号端221から基準パルス信号220がオシロスコープ
200のトリガ入力端に入力される。基準パルス信号2
20によりドライバ76が試験信号を出力するタイミン
グを調整する。オシロスコープ200に接続されたプロ
ーブ44の信号端子40及びアース端子42は、試験用
ボード10の信号配線パターン32及びアースパターン
36に接触され電気的に接続される。
The reference pulse signal 220 is input to the trigger input terminal of the oscilloscope 200 from the reference signal terminal 221 provided in the test head 70. Reference pulse signal 2
20 adjusts the timing at which the driver 76 outputs the test signal. The signal terminal 40 and the ground terminal 42 of the probe 44 connected to the oscilloscope 200 are in contact with and electrically connected to the signal wiring pattern 32 and the ground pattern 36 of the test board 10.

【0062】図24は、図23に示した半導体試験装置
の接続図を示す。試験用ボード10は、ピンエレクトロ
ニクス206の出力端P1に設けられたポゴピン204
と接触端子30において接触されて電気的に接続されて
いる。試験用ボード10の信号配線パターン32におい
て複数のドライバ76が試験信号を出力するタイミング
が全ドライバで同一になるようにキャリブレーションす
る。
FIG. 24 is a connection diagram of the semiconductor test apparatus shown in FIG. The test board 10 includes a pogo pin 204 provided at the output end P1 of the pin electronics 206.
At the contact terminal 30 and are electrically connected. Calibration is performed so that the timing at which the plurality of drivers 76 output the test signals in the signal wiring pattern 32 of the test board 10 is the same for all drivers.

【0063】図25は、図23又は図24に記載の半導
体試験装置をキャリブレーションする方法を示したフロ
ーチャートである。但し、本フローチャートに示すキャ
リブレーション方法は、図23又は図24に記載の半導
体試験装置に限られず、プローブ44を測定対象に接触
することによって測定対象から得られた信号を試験装置
の外部の測定器で測定する試験装置に適用できる。従来
のキャリブレーション方法においては、プローブ44と
測定対象との接触不良を検出できない可能性があった。
そこで、本実施形態では、ドライバ76のキャリブレー
ションに先立って、プローブ44と測定対象との接触を
チェックする。
FIG. 25 is a flowchart showing a method for calibrating the semiconductor test apparatus shown in FIG. 23 or FIG. However, the calibration method shown in this flowchart is not limited to the semiconductor test device shown in FIG. 23 or FIG. 24, and a signal obtained from the measurement target by contacting the probe 44 with the measurement target is measured outside the test device. Applicable to a test device that measures with an instrument. In the conventional calibration method, there was a possibility that a contact failure between the probe 44 and the measurement target could not be detected.
Therefore, in the present embodiment, before the calibration of the driver 76, the contact between the probe 44 and the measurement target is checked.

【0064】最初に、プローブ44の信号端子40及び
アース端子42を試験用ボード10の信号配線パターン
32及びアースパターン36に接触する(S302)。
次に、プローブ44が試験用ボード10に接触している
状態で、ドライバ76から出力された試験信号の波形の
立上がり又は立下りに要する時間であるスルーレート値
をプローブ44に接続されたオシロスコープ200で測
定する(S304)。なお、プローブ44と試験用ボー
ド10との接触チェックの良否判定は、波形の立上がり
又は立下りのいずれか一方を行えばよい。次に、測定さ
れたスルーレート値が所望のスルーレート値の範囲内で
あるかを判定して分岐する(S306)。
First, the signal terminal 40 and the ground terminal 42 of the probe 44 are brought into contact with the signal wiring pattern 32 and the ground pattern 36 of the test board 10 (S302).
Next, while the probe 44 is in contact with the test board 10, the slew rate value, which is the time required for the rise or fall of the waveform of the test signal output from the driver 76, is calculated using the oscilloscope 200 connected to the probe 44. (S304). The quality of the contact check between the probe 44 and the test board 10 may be determined by either rising or falling of the waveform. Next, it is determined whether or not the measured slew rate value is within a range of a desired slew rate value, and the process branches (S306).

【0065】スルーレート判定ステップ(S306)に
おいてスルーレート値が所望の範囲から外れていると判
定された場合に、プロービングステップ(S302)、
スルーレート測定ステップ(S304)、及びスルーレ
ート判定ステップ(S306)を所定の回数繰り返す。
更に、プロービングステップ(S302)、スルーレー
ト測定ステップ(S304)、及びスルーレート判定ス
テップ(S306)を所定の回数繰り返したか判定する
(S322)。プロービングステップ(S302)、ス
ルーレート測定ステップ(S304)、及びスルーレー
ト判定ステップ(S306)を所定の回数繰り返しても
スルーレート値が所望の範囲から外れていると判定され
た場合には、プローブ44と試験用ボード10との接触
不良を半導体試験装置の外部へ通知する(S326)。
試験の作業者は、ドライバ76と試験用ボード10間の
伝送線路の接続不良部位を点検し、塵埃を除去する。
If it is determined in the slew rate determination step (S306) that the slew rate value is out of the desired range, the probing step (S302)
The slew rate measuring step (S304) and the slew rate determining step (S306) are repeated a predetermined number of times.
Further, it is determined whether the probing step (S302), the slew rate measuring step (S304), and the slew rate determining step (S306) have been repeated a predetermined number of times (S322). If it is determined that the slew rate value is out of the desired range even after repeating the probing step (S302), the slew rate measuring step (S304), and the slew rate determining step (S306) a predetermined number of times, the probe 44 A faulty contact between the test board 10 and the test board 10 is notified to the outside of the semiconductor test apparatus (S326).
The test operator inspects the connection failure portion of the transmission line between the driver 76 and the test board 10 to remove dust.

【0066】図26は、スルーレート測定ステップ(S
304)において測定された波形の立ち上がりの場合に
おける3種類のプロービング接触状態の波形を示す。第
1の波形Sは、良好な接触状態の場合であり、第2の
波形Sは、プローブ44のアース端子42と試験用ボ
ード10のアースパターン36とがオープンの場合の例
であり、第3の波形Sは、アース端子42とアースパ
ターン36との間に数百Ωの高い接触抵抗がある場合の
例である。スルーレート値は、100%のレベルに対し
て20%及び80%のレベルを閾値として、波形のレベ
ルがそれぞれの閾値に達したときの時間の差を算出して
求める。
FIG. 26 shows a slew rate measurement step (S
3 shows three types of probing contact waveforms in the case of the rising edge of the waveform measured in 304). The first waveform S 0 is a case where the contact state is good, and the second waveform S 4 is an example where the ground terminal 42 of the probe 44 and the ground pattern 36 of the test board 10 are open. third waveform S 6 is an example of a case where there is a high contact resistance of a few hundred Ω between the ground terminal 42 and the earth pattern 36. The slew rate value is obtained by calculating the difference between the times when the waveform levels reach the respective thresholds, using the 20% and 80% levels as thresholds for the 100% level.

【0067】第1の波形Sにおけるスルーレート値T
r1は、正常なスルーレート値にほぼ一致している場合
であり、良好な接触状態であることが容易に判定でき
る。次に第2の波形Sにおけるスルーレート値Tr3
は、正常なスルーレート値Tr1の数倍ものスルーレー
ト値を示す。したがって、アース端子42とアースパタ
ーン36とが接触不良であることが判定できる。また、
第3の波形Sにおけるスルーレート値Tr2において
も正常なスルーレート値Tr1の数倍ものスルーレート
値を示す。したがってこの場合も、アース端子42とア
ースパターン36とが接触不良であることが判定でき
る。
[0067] slew rate value T in the first waveform S 0
r1 is a case where it substantially matches the normal slew rate value, and it can be easily determined that the contact state is good. Then slew rate value Tr3 in the second waveform S 4
Indicates a slew rate value several times the normal slew rate value Tr1. Therefore, it can be determined that the ground terminal 42 and the ground pattern 36 are in poor contact. Also,
Shows the slew rate of several times the slew rate Tr1 also normal in the slew rate value Tr2 in the third waveform S 6. Therefore, also in this case, it can be determined that the ground terminal 42 and the ground pattern 36 are in poor contact.

【0068】更に他の実施形態として、スルーレート値
を測定する代わりに、試験信号の立ち上がり又は立下り
の期間内のある特定時刻における正常な信号のレベルに
基づいて所望の閾値の範囲を設定して、測定された信号
のレベルが所望の閾値の範囲内に収まっているか否かを
基準として接触不良を判定してもよい。例えば波形レベ
ルを測定するタイミングをTsとし、閾値の範囲を正常
な信号の100%のレベルから20%以内のレベル、す
なわち正常な信号の80%以上のレベルとした場合に、
波形Sのレベルは閾値の範囲内に収まっているが、波
形S及び波形Sは閾値の範囲から外れている。した
がって、波形Sにおいては接触状態が良好であり、波
形S及びSにおいては、接触状態が不良であると判
定できる。
As still another embodiment, instead of measuring a slew rate value, a desired threshold range is set based on the level of a normal signal at a specific time within a rising or falling period of a test signal. Thus, the contact failure may be determined based on whether or not the measured signal level falls within a desired threshold range. For example, when the timing of measuring the waveform level is Ts and the range of the threshold is a level within 20% from the level of 100% of the normal signal, that is, a level of 80% or more of the normal signal,
Although the level of the waveform S 0 is within the range of the threshold, the waveform S 6 and the waveform S 4 is deviated from the range of the threshold value. Therefore, in the waveform S 0 has a good contact state, in the waveform S 6 and S 4, can determine the contact state is defective.

【0069】図27は、キャリブレーション方法の更に
他の実施形態を示すための半導体試験装置の概要図及び
接続図を示す。図27(A)及び(B)において、図2
3及び図24と同じ符号が付けられた構成は、図23及
び図24と同様の構成を有するので説明を省略する。パ
フォーマンスボード66は、ポゴピン204と接触する
ように設置され、ポゴピン204と電気的に接続され
る。半導体デバイス20又は試験用ボード10が装着さ
れるソケット50は、パフォーマンスボード66と同軸
ケーブル64によって接続される。ソケット50は、ピ
ンエレクトロニクス206内のドライバ76が生成した
試験信号を、ポゴピン204、パフォーマンスボード6
6、及び同軸ケーブル64を通して入力して半導体デバ
イス20又は試験用ボード10に与える。図27に示す
半導体試験装置において、ポゴピン204とパフォーマ
ンスボード66との接触箇所272に接触不良が生じる
可能性がある。
FIG. 27 shows a schematic diagram and a connection diagram of a semiconductor test apparatus for showing still another embodiment of the calibration method. 27A and 27B, FIG.
Configurations denoted by the same reference numerals as in FIGS. 3 and 24 have the same configurations as in FIGS. The performance board 66 is installed so as to be in contact with the pogo pins 204, and is electrically connected to the pogo pins 204. The socket 50 on which the semiconductor device 20 or the test board 10 is mounted is connected to a performance board 66 by a coaxial cable 64. The socket 50 transmits the test signal generated by the driver 76 in the pin electronics 206 to the pogo pin 204 and the performance board 6.
6, and input through the coaxial cable 64 to the semiconductor device 20 or the test board 10. In the semiconductor test apparatus shown in FIG. 27, there is a possibility that a contact failure occurs at a contact point 272 between the pogo pin 204 and the performance board 66.

【0070】図28は、図27に示した半導体試験装置
のキャリブレーションの実施形態を示したフローチャー
トを示す。最初に、ドライバ76に接続されているコン
パレータ80を用いてドライバ76から出力されてソケ
ット50から反射されてくる反射波形を入力し、試験装
置本体208においてコンパレータ80から入力された
反射波形を測定する(S404)。次に、測定された反
射波形が所望の範囲内であるか試験装置本体208にお
いて判定し、不良と判定した場合はループ回数判定ステ
ップ(S322)へ分岐する(S406)。
FIG. 28 is a flowchart showing an embodiment of the calibration of the semiconductor test apparatus shown in FIG. First, the reflected waveform output from the driver 76 and reflected from the socket 50 is input using the comparator 80 connected to the driver 76, and the reflected waveform input from the comparator 80 is measured in the test apparatus main body 208. (S404). Next, the test apparatus main body 208 determines whether the measured reflected waveform is within a desired range, and if it is determined to be defective, the process branches to a loop count determination step (S322) (S406).

【0071】反射波形が所望の範囲から外れていると判
定された場合に、パフォーマンスボード66とポゴピン
204とを再接触し(S424)、反射波形測定ステッ
プ(S404)、及び反射波形判定ステップ(S40
6)を繰り返す。次に、再接触ステップ(S424)、
反射波形測定ステップ(S404)、及び反射波形判定
ステップ(S406)を所定の回数繰り返したか判定す
る(S322)。再接触ステップ(S424)、反射波
形測定ステップ(S404)、及び反射波形判定ステッ
プ(S406)を所定の回数繰り返しても測定した波形
が所望の範囲から外れていると判定された場合には、パ
フォーマンスボード66とポゴピン204との接触不良
を半導体試験装置の外部へ通知する(S326)。
When it is determined that the reflection waveform is out of the desired range, the performance board 66 and the pogo pin 204 are re-contacted (S424), and the reflection waveform measurement step (S404) and the reflection waveform determination step (S40)
Repeat 6). Next, a re-contact step (S424),
It is determined whether the reflection waveform measurement step (S404) and the reflection waveform determination step (S406) have been repeated a predetermined number of times (S322). If the measured waveform is determined to be out of the desired range even after repeating the re-contact step (S424), the reflected waveform measuring step (S404), and the reflected waveform determining step (S406) a predetermined number of times, the performance is determined. The contact failure between the board 66 and the pogo pins 204 is notified to the outside of the semiconductor test apparatus (S326).

【0072】図29は、反射波形測定ステップ(S40
4)において測定された反射波形の例を示す。反射波形
測定ステップ(S404)において図29(B)に示す
推移波形S10が測定される。推移波形S10は、正常
な場合の推移波形である。ドライバ76の出力と伝送線
路の長さにより反射波形の推移は決まっている。すなわ
ち、図29(A)に示すように正常な場合の推移波形S
10は、最初はレベルV4の半分のレベルV2で推移
し、伝送線路をパルスが往復する往復時間T1の経過後
にレベルV4に到達する。推移波形S10は測定された
推移波形S12と比較されるための基準として使用され
る。反射波形判定ステップ(S406)において、推移
波形S12のデータと、基準となる推移波形S10との
差分が算出され、その差分量である分布状態D10から
波形の良否が判定される。
FIG. 29 shows a reflection waveform measuring step (S40).
An example of the reflection waveform measured in 4) is shown. It is transition waveform S 10 that shown in FIG. 29 (B) is measured in reflection waveform measuring step (S404). Transition waveform S 10 is a transition waveform of the normal case. The transition of the reflected waveform is determined by the output of the driver 76 and the length of the transmission line. That is, as shown in FIG.
10 changes at a level V2 which is half of the level V4 at first, and reaches the level V4 after a lapse of a round-trip time T1 during which a pulse reciprocates in the transmission line. Is used as a basis for transition waveform S 10 is compared with the measured transition waveform S 12. In reflected waveform determination step (S406), it changes the data of the waveform S 12, the difference between the transition waveform S 10 serving as a reference is calculated, acceptability of the waveform from the distribution D 10 is the difference amount is determined.

【0073】図28及び図29に示したキャリブレーシ
ョン方法は図17、18、及び19に示したアースショ
ートボード10Cを用いて反射信号を生成するキャリブ
レーション方法においても適用可能である。また、図2
3に示した試験用ボード10をソケット50以外の場所
に装着した場合においても、試験用ボード10としてア
ースショートボード10Cを使用することにより反射信
号が生成できるので適用可能である。
The calibration method shown in FIGS. 28 and 29 is also applicable to the calibration method of generating a reflection signal using the ground short board 10C shown in FIGS. 17, 18, and 19. FIG.
Even when the test board 10 shown in FIG. 3 is mounted at a place other than the socket 50, the reflection signal can be generated by using the ground short board 10C as the test board 10, so that the present invention is applicable.

【0074】図30は、コンパレータ80に対するキャ
リブレーション方法の他の実施形態を示す。プローブ4
4が基準信号端221に接続され、基準信号端221か
ら入力された基準パルス信号220を、プローブ44を
介して試験用ボード10に与えること以外は、図23に
示す半導体試験装置と同様の構成である。コンパレータ
80のキャリブレーション方法として、基準パルス信号
220を基準タイミングとして試験用ボード10に与え
ることにより複数のコンパレータ80に基準タイミング
を入力してキャリブレーションする方法がある。このコ
ンパレータ80のキャリブレーション方法においても、
図25及び26において説明した接触不良の検出方法が
適用できる。例えば、プローブ44と試験用ボード10
との間に接触不良があった場合、コンパレータ80に
は、図26に示す波形S又はSに類似した波形の基
準パルス信号220が入力される。この場合において
も、図26における説明と同様に、例えば波形Sの1
00%のレベルに対して20%及び80%のレベルを閾
値としてそれぞれの波形が閾値のレベルに達する時間を
測定すればよい。測定された時間の差を求めることによ
り、スルーレート値を算出し、正常な状態におけるスル
ーレート値Tr1との差異を得ることができる。したが
って、ドライバ76の出力タイミングのキャリブレーシ
ョンにおけるのと同様に、コンパレータ80においても
プローブ44と試験用ボード10との接触不良の検出が
できる。
FIG. 30 shows another embodiment of the calibration method for the comparator 80. Probe 4
23 is connected to the reference signal terminal 221, and the reference pulse signal 220 input from the reference signal terminal 221 is applied to the test board 10 via the probe 44. It is. As a method of calibrating the comparator 80, there is a method in which a reference pulse signal 220 is supplied to the test board 10 as a reference timing to input the reference timing to a plurality of comparators 80 and perform calibration. In the calibration method of the comparator 80,
The method for detecting a contact failure described with reference to FIGS. 25 and 26 can be applied. For example, the probe 44 and the test board 10
If there is poor contact between, the comparator 80, the reference pulse signal 220 of similar waveform to the waveform S 4 or S 6 shown in FIG. 26 are input. In this case, as in the description of FIG. 26, for example 1 of the waveform S 0
The time required for each waveform to reach the threshold level may be measured using the 20% and 80% levels as thresholds for the 00% level. By calculating the difference between the measured times, the slew rate value can be calculated, and the difference from the slew rate value Tr1 in a normal state can be obtained. Therefore, similarly to the calibration of the output timing of the driver 76, the contact failure between the probe 44 and the test board 10 can be detected by the comparator 80.

【0075】更に他の実施形態として、図26において
述べたのと同様に、スルーレート値を測定する代わり
に、試験信号の立ち上がり又は立下りの期間内における
正常な信号のレベルから所望の閾値の範囲を設定して、
測定された信号のレベルが所望の閾値の範囲内に収まっ
ているか否かを基準として接触不良を判定してもよい。
As still another embodiment, in the same manner as described with reference to FIG. 26, instead of measuring the slew rate value, the level of the normal signal within the rising or falling period of the test signal is used to determine the desired threshold value. Set the range,
The contact failure may be determined based on whether or not the measured signal level falls within a desired threshold range.

【0076】以上、本発明を実施の形態を用いて説明し
たが、本発明の技術的範囲は上記実施の形態に記載の範
囲には限定されない。上記実施形態に、多様な変更又は
改良を加えることができることが当業者に明らかであ
る。その様な変更又は改良を加えた形態も本発明の技術
的範囲に含まれることが、添付のクレームの記載から明
らかである。
As described above, the present invention has been described using the embodiments. However, the technical scope of the present invention is not limited to the scope described in the above embodiments. It is apparent to those skilled in the art that various changes or improvements can be made to the above embodiment. It is apparent from the description of the appended claims that embodiments with such modifications or improvements are also included in the technical scope of the present invention.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】従来の半導体試験装置の断面図である。FIG. 1 is a sectional view of a conventional semiconductor test apparatus.

【図2】半導体デバイス20の上面図および正面図であ
る。
FIG. 2 is a top view and a front view of the semiconductor device 20.

【図3】ソケット50及びソケット50を装着するソケ
ットボード60を示す断面図である。
FIG. 3 is a sectional view showing a socket 50 and a socket board 60 on which the socket 50 is mounted.

【図4】ソケットボード60の上面図である。4 is a top view of the socket board 60. FIG.

【図5】ソケットボード60にプローブ44を当ててい
る様子を示す。
FIG. 5 shows a state in which a probe 44 is applied to the socket board 60.

【図6】半導体試験装置をキャリブレーションするため
の従来の他の方法を示す。
FIG. 6 shows another conventional method for calibrating a semiconductor test apparatus.

【図7】従来の半導体試験装置の更に他の形態を示す。FIG. 7 shows still another embodiment of the conventional semiconductor test apparatus.

【図8】従来のキャリブレーション方法のフローチャー
トを示す。
FIG. 8 shows a flowchart of a conventional calibration method.

【図9】タイミング測定ステップ(S310)において
測定された試験信号の波形を示す。
FIG. 9 shows a waveform of a test signal measured in a timing measurement step (S310).

【図10】本実施形態における半導体試験装置全体の断
面を示す。
FIG. 10 shows a cross section of the entire semiconductor test apparatus according to the present embodiment.

【図11】保持ユニット110に装着する試験用ボード
10の一例としてのプローブボード10Aの上面図及び
下面図である。
11A and 11B are a top view and a bottom view of a probe board 10A as an example of the test board 10 mounted on the holding unit 110.

【図12】試験用ボード10の他の例としてのショート
ボードである。
FIG. 12 is a short board as another example of the test board 10.

【図13】半導体試験装置の他の形態を示す。FIG. 13 shows another embodiment of the semiconductor test apparatus.

【図14】更にソケット50からコンパレータ80Bま
での信号伝送時間を簡易に求める方法を示す。
FIG. 14 shows a method for easily obtaining a signal transmission time from the socket 50 to the comparator 80B.

【図15】半導体試験装置の更に他の形態を示す。FIG. 15 shows still another embodiment of the semiconductor test apparatus.

【図16】アースショートボード10Cの構成を示す。FIG. 16 shows a configuration of an earth short board 10C.

【図17】半導体試験装置の更に他の構成を示す。FIG. 17 shows still another configuration of the semiconductor test apparatus.

【図18】図15に示した半導体試験装置をキャリブレ
ーションする方法の変更例を示す。
FIG. 18 shows a modified example of a method of calibrating the semiconductor test apparatus shown in FIG.

【図19】フレーム100の開口部120、保持ユニッ
ト110、及び試験用ボード10の拡大図である。
FIG. 19 is an enlarged view of the opening 120 of the frame 100, the holding unit 110, and the test board 10.

【図20】フレーム100の上面図である。20 is a top view of the frame 100. FIG.

【図21】プローブボード10Dを取り付けたソケット
ボード60の上面図である。
FIG. 21 is a top view of the socket board 60 to which the probe board 10D is attached.

【図22】半導体試験装置の更に他の形態を示す。FIG. 22 shows still another embodiment of the semiconductor test apparatus.

【図23】試験用ボード10の他の実施形態を示す。FIG. 23 shows another embodiment of the test board 10.

【図24】図23に示した半導体試験装置の接続図を示
す。
24 shows a connection diagram of the semiconductor test apparatus shown in FIG.

【図25】図23又は図24に記載の半導体試験装置を
キャリブレーションする方法を示したフローチャートで
ある。
FIG. 25 is a flowchart showing a method of calibrating the semiconductor test device shown in FIG. 23 or 24.

【図26】スルーレート測定ステップ(S304)にお
いて測定された波形を示す。
FIG. 26 shows a waveform measured in a slew rate measuring step (S304).

【図27】キャリブレーション方法の更に他の実施形態
を示すための半導体試験装置の概要図及び接続図を示
す。
FIG. 27 shows a schematic diagram and a connection diagram of a semiconductor test apparatus for showing still another embodiment of the calibration method.

【図28】図27に示した半導体試験装置のキャリブレ
ーション方法の実施形態を示したフローチャートを示
す。
FIG. 28 is a flowchart illustrating an embodiment of a calibration method of the semiconductor test apparatus illustrated in FIG. 27;

【図29】反射波測定ステップ(S404)において測
定された反射波形の例を示す。
FIG. 29 shows an example of a reflected waveform measured in a reflected wave measuring step (S404).

【図30】コンパレータ80に対するキャリブレーショ
ン方法の他の実施形態を示す。
FIG. 30 shows another embodiment of a calibration method for the comparator 80.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

10 試験用ボード 10A プローブボード 10B ショートボード 10C アースショートボード 10D プローブボード 12 第1端子 14 第2端子 20 半導体デバイス 30 接触端子 32 信号配線パターン 36 アースパターン 40 信号端子 42 アース端子 44 プローブ 46 ショートパターン 50 ソケット 52 ピン 54 ピン 56 スルーホール 58 ソケットガイド 59 スルーホール 60 ソケットボード 62 同軸ケーブル 64 同軸ケーブル 66 パフォーマンスボード 70 テストヘッド 76 ドライバ 77 ドライバ 78 遅延回路 79 遅延回路 80 コンパレータ 90 コンパレータ 82 遅延回路 83 遅延回路 100 フレーム 102 バネ 104 円柱部材 106 留め具 108 位置決め棒 110 保持ユニット 120 開口部 132 信号配線パターン 136 アースパターン 140 ハンドル 150 オシロスコープ 160 波形成型器 162 ゲート 180 プログラマブルロード 200 オシロスコープ 204 ポゴピン 206 ピンエレクトロニクス 208 試験装置本体 210 本体遅延回路 220 基準パルス信号 221 基準信号端 222 基準ドライバ S302 プロービングステップ S304 スルーレート測定ステップ S306 スルーレート判定ステップ S310 タイミング測定ステップ S312 試験信号発生ステップ S314 立ち上がり波形測定ステップ S316 立下り波形測定ステップ S322 ループ回数判定ステップ S424 再接触ステップ S326 不良通知ステップ S404 反射波形測定ステップ S406 反射波形判定ステップ S、S、S、S、S 波形 S10、S12 推移波形 t 基準タイミング位置 t、t タイミング e、e タイミングずれ D10 分布状態 V2 半分のレベル V4 レベル T1 往復の時間10 Test Board 10A Probe Board 10B Short Board 10C Ground Short Board 10D Probe Board 12 First Terminal 14 Second Terminal 20 Semiconductor Device 30 Contact Terminal 32 Signal Wiring Pattern 36 Ground Pattern 40 Signal Terminal 42 Ground Terminal 44 Probe 46 Short Pattern 50 Socket 52 pin 54 pin 56 through hole 58 socket guide 59 through hole 60 socket board 62 coaxial cable 64 coaxial cable 66 performance board 70 test head 76 driver 77 driver 78 delay circuit 79 delay circuit 80 comparator 90 comparator 82 delay circuit 83 delay circuit 100 Frame 102 Spring 104 Column member 106 Fastener 108 Positioning rod 110 Holding unit 12 Opening 132 Signal wiring pattern 136 Ground pattern 140 Handle 150 Oscilloscope 160 Waveform shaper 162 Gate 180 Programmable load 200 Oscilloscope 204 Pogo pin 206 Pin electronics 208 Test apparatus main body 210 Main body delay circuit 220 Reference pulse signal 221 Reference signal end 222 Reference driver S302 Probing Step S304 Slew rate measurement step S306 Slew rate determination step S310 Timing measurement step S312 Test signal generation step S314 Rising waveform measurement step S316 Falling waveform measurement step S322 Loop number determination step S424 Recontact step S326 Failure notification step S404 Reflection waveform measurement step S406 Reflection waveform judgment step Flops S 0, S 1, S 2 , S 4, S 6 waveform S 10, S 12 transition waveform t 0 reference timing position t 1, t 2 timing e 1, e 2 timing deviation D 10 distribution V2 half level V4 Level T1 Round trip time

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI テーマコート゛(参考) G01R 31/28 P R (72)発明者 永井 弘幸 東京都練馬区旭町1丁目32番1号 株式会 社アドバンテスト内 (72)発明者 塩塚 弘幸 東京都練馬区旭町1丁目32番1号 株式会 社アドバンテスト内 (72)発明者 濱 博之 東京都練馬区旭町1丁目32番1号 株式会 社アドバンテスト内 (72)発明者 関根 英一 東京都練馬区旭町1丁目32番1号 株式会 社アドバンテスト内 (72)発明者 鈴木 利一 東京都練馬区旭町1丁目32番1号 株式会 社アドバンテスト内 (72)発明者 小▲塚▼ 紀義 東京都練馬区旭町1丁目32番1号 株式会 社アドバンテスト内 (72)発明者 石垣 幸男 東京都練馬区旭町1丁目32番1号 株式会 社アドバンテスト内──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (51) Int.Cl. 7 Identification symbol FI Theme coat ゛ (Reference) G01R 31/28 PR (72) Inventor Hiroyuki Nagai 1-32-1 Asahimachi, Nerima-ku, Tokyo Stock Association Inside Advantest (72) Inventor Hiroyuki Shiozuka 1-32-1 Asahicho, Nerima-ku, Tokyo Co., Ltd. Inside Advantest (72) Inventor Hiroyuki Hama 1-32-1 Asahimachi, Nerima-ku, Tokyo Co., Ltd. Advantest (72) Inventor Eiichi Sekine 1-32-1 Asahicho, Nerima-ku, Tokyo Within Advantest Co., Ltd. (72) Inventor Toshikazu Suzuki 1-32-1 Asahicho, Nerima-ku, Tokyo Advantest Co., Ltd. (72) Inventor Ko ▲ zuka ▼ Kiyoshi 1-32-1 Asahicho, Nerima-ku, Tokyo Advantest Co., Ltd. (72) Inventor Yukio Ishigaki Nerima-ku, Tokyo Town 1-chome No. 32 No. 1 stock company within the Advantest

Claims (36)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 半導体デバイスを装着し、前記半導体デ
バイスを試験するために用いる試験信号を前記半導体デ
バイスに与えることのできる第1端子を有するソケット
と、前記試験信号を前記第1端子へ出力するドライバと
を有する半導体試験装置における前記試験信号の出力タ
イミングをキャリブレーションするキャリブレーション
方法であって、前記半導体デバイスのピン配列と同様の
ピン配列を有する試験用ボードを前記ソケットに装着す
る装着ステップと、前記ドライバにより前記試験信号を
生成する生成ステップと、前記試験用ボードに到達した
前記試験信号を検出する検出ステップと、前記検出ステ
ップにより検出した前記試験信号に基づいて前記試験信
号の出力タイミングを設定する設定ステップとを備えた
ことを特徴とするキャリブレーション方法。
1. A socket having a first terminal to which a semiconductor device is mounted and a test signal used for testing the semiconductor device can be given to the semiconductor device, and the test signal is output to the first terminal. A calibration method for calibrating the output timing of the test signal in a semiconductor test apparatus having a driver, wherein a mounting step of mounting a test board having a pin arrangement similar to the pin arrangement of the semiconductor device to the socket. A generating step of generating the test signal by the driver, a detecting step of detecting the test signal reaching the test board, and an output timing of the test signal based on the test signal detected by the detecting step. Setting step of setting Calibration method.
【請求項2】 前記試験用ボードにおける、前記第1端
子に接触するピンが、前記半導体デバイスにおける、前
記第1端子に接触するピンと同一の入力インピーダンス
を有することを特徴とする請求項1に記載のキャリブレ
ーション方法。
2. The test board according to claim 1, wherein a pin that contacts the first terminal has the same input impedance as a pin of the semiconductor device that contacts the first terminal. Calibration method.
【請求項3】 前記試験用ボードにおいて、前記第1端
子に接触する接触端子がアースパターンに接続されてお
り、 前記検出ステップは、前記ドライバから出力され前記試
験用ボードで反射された前記試験信号を測定するステッ
プを有することを特徴とする請求項1に記載のキャリブ
レーション方法。
3. In the test board, a contact terminal that contacts the first terminal is connected to a ground pattern, and the detecting step includes the step of outputting the test signal output from the driver and reflected by the test board. The calibration method according to claim 1, further comprising the step of:
【請求項4】 前記装着ステップは、前記ソケットと前
記試験用ボードとの直流抵抗を測定して接触不良を調べ
るステップを有することを特徴とする請求項1に記載の
キャリブレーション方法。
4. The calibration method according to claim 1, wherein the mounting step includes a step of measuring a DC resistance between the socket and the test board to check for a contact failure.
【請求項5】 前記半導体試験装置は前記試験用ボード
から前記試験信号を受け取るコンパレータを更に有し、 前記装着ステップが、前記ドライバから出力され前記試
験用ボードで反射された前記試験信号を前記コンパレー
タによって測定する反射波測定ステップと、 前記コンパレータにより測定された前記試験信号の波形
が所望の範囲内であるかを判定する反射波形判定ステッ
プと、 前記コンパレータにより測定された前記波形が前記所望
の範囲を外れている場合に前記ドライバの出力端から前
記試験用ボードに至るまでの伝送線路の接続不良を通知
する通知ステップとを有することを特徴とする請求項1
に記載のキャリブレーション方法。
5. The semiconductor test apparatus further comprises a comparator for receiving the test signal from the test board, wherein the mounting step includes the step of comparing the test signal output from the driver and reflected by the test board with the comparator. A reflected wave measuring step of measuring by the comparator; a reflected waveform determining step of determining whether a waveform of the test signal measured by the comparator is within a desired range; and the waveform measured by the comparator being the desired range. A notification step of notifying a connection failure of a transmission line from an output end of the driver to the test board when the connection is disconnected.
Calibration method described in 1.
【請求項6】 前記半導体試験装置は前記試験信号に遅
延を与える遅延回路を更に有し、前記生成ステップが、
前記ドライバにより前記試験信号を出力すると共に所定
の基準信号を生成するステップを有し、前記設定ステッ
プは、前記検出ステップにより検出した前記試験信号
の、前記基準信号を基準とする位相差に基づいて前記遅
延回路が加える前記遅延の大きさを設定する遅延設定ス
テップを有することを特徴とする請求項1に記載のキャ
リブレーション方法。
6. The semiconductor test apparatus further includes a delay circuit that delays the test signal, and the generation step includes:
Outputting the test signal by the driver and generating a predetermined reference signal, wherein the setting step is based on a phase difference of the test signal detected by the detection step with respect to the reference signal. 2. The calibration method according to claim 1, further comprising a delay setting step of setting a magnitude of the delay added by the delay circuit.
【請求項7】 前記試験用ボードが、前記第1端子に接
触する信号配線パターン、及び前記信号配線パターンに
隣接して配置されたアースパターンを有し、前記検出ス
テップは、前記信号配線パターン及び前記アースパター
ンに取り付けられた電気的特性試験用プローブにより前
記試験信号を検出するステップを有することを特徴とす
る請求項6に記載のキャリブレーション方法。
7. The test board has a signal wiring pattern that contacts the first terminal, and an earth pattern disposed adjacent to the signal wiring pattern, and the detecting step includes: 7. The calibration method according to claim 6, further comprising a step of detecting the test signal using an electrical characteristic test probe attached to the ground pattern.
【請求項8】 前記装着ステップは、前記電気的特性試
験用プローブと前記試験用ボードとの直流抵抗を測定し
て接触不良を調べるステップを有することを特徴とする
請求項7に記載のキャリブレーション方法。
8. The calibration according to claim 7, wherein the mounting step includes a step of measuring a DC resistance between the electrical characteristic test probe and the test board to check a contact failure. Method.
【請求項9】 前記装着ステップは、前記電気的特性試
験用プローブと前記試験用ボードとの接触不良をチェッ
クする点検ステップを有し、 前記点検ステップは、 前記電気的特性試験用プローブを前記試験用ボードに接
触させるプロ−ビングステップと、 前記電気的特性試験用プローブにより検出された前記試
験信号を外部の測定器において測定する波形測定ステッ
プと、 前記外部の測定器により測定された前記試験信号の波形
が所望の範囲内であるかを判定する波形判定ステップ
と、 前記外部の測定器により測定された前記波形が前記所望
の範囲を外れている場合に、前記電気的特性試験用プロ
ーブと前記試験用ボードとの接触不良を通知する通知ス
テップとを有することを特徴とするキャリブレーション
方法。
9. The mounting step includes an inspection step of checking a contact failure between the electrical characteristic test probe and the test board, and the inspection step includes: testing the electrical characteristic test probe by the test. A probing step of bringing the test signal into contact with a test board, a waveform measuring step of measuring the test signal detected by the electrical characteristic test probe in an external measuring instrument, and the test signal measured by the external measuring instrument. A waveform determining step of determining whether the waveform is within a desired range, and when the waveform measured by the external measuring device is out of the desired range, the electrical characteristic test probe and the A notification step of notifying a contact failure with the test board.
【請求項10】 前記ソケットは、前記半導体デバイス
に接触して前記半導体デバイスから電気的信号を受け取
る第2端子を更に有し、 前記半導体試験装置は、前記第2端子から入力された信
号を受け取るコンパレータを更に備え、 前記試験用ボードは、前記第1端子と前記第2端子とを
電気的に接続するショートパターンを有するショートボ
ードであることを特徴とする請求項1に記載のキャリブ
レーション方法。
10. The socket further has a second terminal that contacts the semiconductor device and receives an electrical signal from the semiconductor device, and the semiconductor test apparatus receives a signal input from the second terminal. The calibration method according to claim 1, further comprising a comparator, wherein the test board is a short board having a short pattern for electrically connecting the first terminal and the second terminal.
【請求項11】 前記検出ステップは、前記ドライバか
ら出力され前記ショートボードを経由した前記試験信号
を前記コンパレータで検出し、 前記生成ステップに対して所定の時間差を有する基準タ
イミングと、前記コンパレータ検出ステップで前記試験
信号を検出した時間との時間差に基づいて得られた値
を、前記半導体デバイスを試験するための基準時間とし
て前記コンパレータに対して設定する基準時間設定ステ
ップを更に備えたことを特徴とする請求項10に記載の
キャリブレーション方法。
11. The detecting step includes detecting the test signal output from the driver and passing through the short board by the comparator, a reference timing having a predetermined time difference from the generation step, and the comparator detecting step And a reference time setting step of setting a value obtained based on a time difference from a time when the test signal is detected in the comparator as a reference time for testing the semiconductor device. The calibration method according to claim 10, wherein the calibration is performed.
【請求項12】 半導体デバイスを装着することにより
前記半導体デバイスへ試験信号を与えることのできる第
1端子及び前記半導体デバイスから電気的信号を受け取
る第2端子を有するソケットと、試験信号を前記第1端
子へ出力するドライバと、前記第2端子から入力された
信号を受け取るコンパレータとを有する半導体試験装置
の処理タイミングをキャリブレーションするキャリブレ
ーション方法であって、前記第1端子と前記第2端子と
を電気的に接続するショートパターンを有するショート
ボードを前記ソケットに装着するステップと、前記ドラ
イバから前記試験信号を出力する出力ステップと、前記
ドライバから出力され前記ショートボードを経由した前
記試験信号を前記コンパレータで検出する測定ステップ
と、前記出力ステップに対して所定の時間差を有する基
準タイミングと、前記測定ステップで前記試験信号を測
定した時間との時間差に基づいて得られた値を、前記半
導体デバイスを試験するための基準時間として前記コン
パレータに対して設定するステップと、を備えたことを
特徴とするキャリブレーション方法。
12. A socket having a first terminal capable of supplying a test signal to the semiconductor device by mounting the semiconductor device, and a second terminal receiving an electrical signal from the semiconductor device; A calibration method for calibrating the processing timing of a semiconductor test device having a driver that outputs to a terminal and a comparator that receives a signal input from the second terminal, wherein the first terminal and the second terminal are connected to each other. Mounting a short board having a short pattern to be electrically connected to the socket; outputting the test signal from the driver; and outputting the test signal output from the driver via the short board to the comparator. Measuring step, and the output step. A reference timing having a predetermined time difference with respect to the pump, and a value obtained based on a time difference between the time when the test signal is measured in the measurement step and the reference time for testing the semiconductor device. A calibration method.
【請求項13】 前記半導体試験装置は複数の前記ドラ
イバ及び複数の前記コンパレータを有し、前記ソケット
は複数の前記ドライバの各々に対応付けられた複数の前
記第1端子、及び複数の前記コンパレータの各々に対応
付けられた複数の前記第2端子を有し、前記ショートボ
ードは複数の前記第1端子と複数の前記第2端子とをそ
れぞれ接続する複数の前記ショートパターンを有し、 前記基準時間設定ステップは、複数の前記コンパレータ
のそれぞれに対して前記基準時間をそれぞれ独立に設定
することを特徴とする請求項12に記載のキャリブレー
ション方法。
13. The semiconductor test apparatus has a plurality of the drivers and a plurality of the comparators, and the socket has a plurality of the first terminals respectively associated with the plurality of the drivers, and a plurality of the comparators. A plurality of the second terminals associated with each of the plurality of the second terminals, the short board includes a plurality of the short patterns respectively connecting the plurality of the first terminals and the plurality of the second terminals, and the reference time 13. The calibration method according to claim 12, wherein the setting step sets the reference time independently for each of the plurality of comparators.
【請求項14】 半導体デバイスを試験するために用い
る試験信号を出力するドライバと、前記半導体デバイス
から電気的信号を受け取るコンパレータと、前記半導体
デバイスを装着して前記試験信号を前記半導体デバイス
に与えることのできるソケットとを有する半導体試験装
置の処理タイミングをキャリブレ−ションするキャリブ
レーション方法であって、 前記試験信号の波形を測定する測定器に、前記試験信号
又は前記電気的信号を提供すべく必要な接続を行う接続
ステップと、 前記ドライバが出力した前記試験信号を前記測定器にお
いて測定する波形測定ステップと、 前記測定器により測定された前記試験信号の波形が所望
の範囲内かを判定する波形判定ステップと、 前記測定器により測定された前記波形が前記所望の範囲
を外れている場合に前記測定器に行った接続が不良であ
ると通知する通知ステップとを備えたことを特徴とする
キャリブレーション方法。
14. A driver for outputting a test signal used for testing a semiconductor device, a comparator for receiving an electric signal from the semiconductor device, and attaching the semiconductor device to apply the test signal to the semiconductor device. A calibration method for calibrating the processing timing of a semiconductor test apparatus having a socket capable of performing a test, wherein the test signal or the electrical signal is required to be provided to a measuring instrument for measuring a waveform of the test signal. A connection step of making a connection; a waveform measurement step of measuring the test signal output by the driver with the measurement device; and a waveform determination for determining whether the waveform of the test signal measured by the measurement device is within a desired range. And the step wherein the waveform measured by the measuring device is out of the desired range. Calibration method which is characterized in that the connection went to the instrument when is a notification step of notifying that the defect are.
【請求項15】 前記波形測定ステップが、前記試験
信号の立ち上がり及び立下りの少なくとも一方の波形を
測定することを特徴とする請求項14に記載のキャリブ
レーション方法。
15. The calibration method according to claim 14, wherein the waveform measuring step measures at least one of a rising edge and a falling edge of the test signal.
【請求項16】 前記通知ステップが、 前記波形が前記所望の範囲を外れている場合に、前記接
続ステップ、前記波形測定ステップ、及び前記波形判定
ステップを繰り返す再接続ステップと、 前記接続ステップ、前記波形測定ステップ、及び前記波
形判定ステップを所定の回数繰り返しても前記波形が前
記所望の範囲を外れている場合に、前記測定器に行った
接続が不良であると通知する不良通知ステップとを含む
ことを特徴とする請求項14に記載のキャリブレーショ
ン方法。
16. The re-connecting step of repeating the connecting step, the waveform measuring step, and the waveform determining step when the waveform is out of the desired range, the connecting step, A waveform measuring step, and a failure notifying step of notifying that the connection made to the measuring instrument is defective when the waveform is out of the desired range even if the waveform determining step is repeated a predetermined number of times. 15. The calibration method according to claim 14, wherein:
【請求項17】 前記測定器が前記半導体試験装置の外
部の測定器であり、 前記測定器が前記試験信号を入力する電気的特性試験用
プローブを有し、 前記接続ステップは、前記電気的特性試験用プローブに
前記試験信号を提供すべく必要な接続を行うステップを
有することを特徴とする請求項14に記載のキャリブレ
ーション方法。
17. The method according to claim 17, wherein the measuring device is a measuring device external to the semiconductor test apparatus, the measuring device includes an electrical characteristic test probe for inputting the test signal, and the connecting step includes: The method of claim 14, further comprising the step of making the necessary connections to provide a test probe with the test signal.
【請求項18】 前記測定器が前記半導体試験装置の内
部の測定器であり、 前記波形測定ステップが前記ドライバから出力され前記
ソケットで反射された前記試験信号を前記コンパレータ
から入力して前記測定器において測定するステップを有
することを特徴とする請求項14に記載のキャリブレー
ション方法。
18. The measuring device, wherein the measuring device is a measuring device inside the semiconductor test apparatus, and the waveform measuring step is performed by inputting the test signal output from the driver and reflected by the socket from the comparator from the comparator. 15. The calibration method according to claim 14, further comprising the step of:
【請求項19】 前記測定器が前記半導体試験装置の内
部の測定器であり、 前記波形測定ステップが前記コンパレータから入力され
た所定の基準信号を前記測定器において測定するステッ
プを有することを特徴とする請求項14に記載のキャリ
ブレーション方法。
19. The measuring device is a measuring device inside the semiconductor test apparatus, and the waveform measuring step includes a step of measuring a predetermined reference signal input from the comparator by the measuring device. The calibration method according to claim 14, wherein the calibration is performed.
【請求項20】 前記接続ステップは、 前記キャリブレーションのために前記試験信号を入力し
て前記測定器に与える試験用ボードを前記測定器に接続
するステップを有することを特徴とする請求項14から
19のいずれかに記載のキャリブレーション方法。
20. The method according to claim 14, wherein the connecting step includes a step of connecting a test board to which the test signal is input and supplied to the measuring device for the calibration, to the measuring device. 20. The calibration method according to any one of 19.
【請求項21】 前記測定器が前記半導体試験装置の内
部の測定器であり、 前記波形測定ステップが、 前記ドライバから出力され前記試験用ボードで反射され
た前記試験信号を前記コンパレータから入力して前記測
定器において測定するステップを有することを特徴とす
る請求項20に記載のキャリブレーション方法。
21. The measuring device, wherein the measuring device is a measuring device inside the semiconductor test apparatus, wherein the waveform measuring step comprises: receiving the test signal output from the driver and reflected by the test board from the comparator. 21. The calibration method according to claim 20, further comprising a step of measuring with the measuring device.
【請求項22】 前記波形判定ステップが、前記試験
信号の立ち上がり又は立下りの期間内における前記試験
信号のレベルが所望の範囲内かを判定することを特徴と
する請求項14から21のいずれかに記載のキャリブレ
ーション方法。
22. The method according to claim 14, wherein the waveform determining step determines whether a level of the test signal is within a desired range during a rising or falling period of the test signal. Calibration method described in 1.
【請求項23】 半導体デバイスの電気的特性を試験す
る半導体試験装置であって、 前記半導体デバイスの電気的端子に接触して前記半導体
デバイスに信号を与える第1端子を有するソケットと、
前記半導体デバイスのピン配列と同様のピン配列を有
し、前記ソケットへ装着することのできる試験用ボード
と、 試験信号を前記第1端子へ出力するドライバと、前記ド
ライバから出力され前記試験用ボードへ到達した前記試
験信号を用いて前記ドライバが前記試験信号を出力する
出力タイミングを設定する設定手段とを備えたことを特
徴とする半導体試験装置。
23. A semiconductor testing apparatus for testing electrical characteristics of a semiconductor device, comprising: a socket having a first terminal for contacting an electrical terminal of the semiconductor device and providing a signal to the semiconductor device;
A test board that has a pin arrangement similar to that of the semiconductor device and can be mounted on the socket, a driver that outputs a test signal to the first terminal, and the test board that is output from the driver And a setting unit for setting an output timing at which the driver outputs the test signal using the test signal that has arrived at the semiconductor test apparatus.
【請求項24】 前記試験用ボードは、前記第1端子に
接触する信号配線パターン、及び前記信号配線パターン
に隣接して配置されたアースパターンを有することを特
徴とする請求項23に記載の半導体試験装置。
24. The semiconductor according to claim 23, wherein the test board has a signal wiring pattern contacting the first terminal, and an earth pattern arranged adjacent to the signal wiring pattern. Testing equipment.
【請求項25】 前記試験用ボードは、前記第1端子に
接触しアースへ接続する信号配線パターンを有し、前記
設定手段は、前記出力手段から出力され前記試験用ボー
ドで反射された前記試験信号を用いて前記出力タイミン
グを設定することを特徴とする請求項23に記載の半導
体試験装置。
25. The test board has a signal wiring pattern that contacts the first terminal and connects to the ground, and the setting means outputs the test signal output from the output means and reflected by the test board. The semiconductor test apparatus according to claim 23, wherein the output timing is set using a signal.
【請求項26】 前記試験用ボードは、前記半導体デバ
イスのピンと同一の入力インピーダンスを有し前記第1
端子に接触する試験用ピンを有することを特徴とする請
求項23に記載の半導体試験装置。
26. The test board, wherein the test board has the same input impedance as a pin of the semiconductor device.
24. The semiconductor test apparatus according to claim 23, further comprising a test pin that contacts the terminal.
【請求項27】 前記試験信号に所望の遅延を与える遅
延回路を更に備え、 前記設定手段は、前記試験信号を出力すると共に所定の
基準信号を生成する生成手段を有し、前記遅延回路によ
る遅延の大きさを設定することにより前記出力タイミン
グを設定することを特徴とする請求項23に記載の半導
体試験装置。
27. A delay circuit for providing a desired delay to the test signal, wherein the setting means includes a generating means for outputting the test signal and generating a predetermined reference signal, 24. The semiconductor test apparatus according to claim 23, wherein the output timing is set by setting a magnitude of the output timing.
【請求項28】 複数の前記ドライバと、複数の前記ド
ライバに対応付けられた複数の遅延回路を更に備え、 前記ソケットは複数の前記ドライバの各々に対応付けら
れた複数の前記第1端子を有し、 前記試験用ボードは複数の前記第1端子の各々に対応付
けられた複数の前記信号配線パターンを有することを特
徴とする請求項24に記載の半導体試験装置。
28. The semiconductor device further comprising: a plurality of the drivers; and a plurality of delay circuits associated with the plurality of drivers, and the socket has a plurality of the first terminals associated with each of the plurality of drivers. 25. The semiconductor test apparatus according to claim 24, wherein the test board has a plurality of the signal wiring patterns associated with each of the plurality of first terminals.
【請求項29】 複数の前記信号配線パターンの各々と
前記アースパターンとの最短距離が実質的に同一である
ことを特徴とする請求項28に記載の半導体試験装置。
29. The semiconductor test apparatus according to claim 28, wherein the shortest distance between each of the plurality of signal wiring patterns and the ground pattern is substantially the same.
【請求項30】 前記ソケットは、前記半導体デバイス
に接触して前記半導体デバイスから電気的信号を受け取
る第2端子を更に有し、前記第1端子と前記第2端子と
を電気的に接続するショートパターンを有するショート
ボードと、前記ドライバから出力され前記ショートボー
ドを経由した前記試験信号を検出するコンパレータとを
更に備えたことを特徴とする請求項23に記載の半導体
試験装置。
30. The socket further includes a second terminal that contacts the semiconductor device and receives an electrical signal from the semiconductor device, and a short circuit that electrically connects the first terminal and the second terminal. 24. The semiconductor test apparatus according to claim 23, further comprising a short board having a pattern, and a comparator that detects the test signal output from the driver and passing through the short board.
【請求項31】 前記試験信号の出力に対して所定の時
間差を有する基準タイミングから、前記コンパレータが
前記試験信号を検出するまでの時間に基づいて得られた
値を、前記半導体デバイスを試験するための基準時間と
して前記コンパレータに対して設定する基準時間設定手
段と、 を更に備えたことを特徴とする請求項30に記載の半導
体試験装置。
31. A method for testing a value of a value obtained based on a time from a reference timing having a predetermined time difference to an output of the test signal until the comparator detects the test signal, for testing the semiconductor device. 31. The semiconductor test apparatus according to claim 30, further comprising: reference time setting means for setting the reference time for the comparator.
【請求項32】 複数の前記ドライバと、複数の前記コ
ンパレータとを更に備え、 前記ソケットは複数の前記ドライバの各々に対応付けら
れた複数の前記第1端子及び複数の前記コンパレータの
各々に対応付けられた複数の前記第2端子を有し、 前記ショートボードは複数の前記第1端子と複数の前記
第2端子とをそれぞれ接続する複数の前記ショートパタ
ーンを有し、 前記基準時間設定手段は、複数の前記コンパレータのそ
れぞれに対して前記基準時間をそれぞれ独立に設定する
ことを特徴とする請求項31に記載の半導体試験装置。
32. The semiconductor device further comprising: a plurality of the drivers; and a plurality of the comparators, wherein the socket is associated with each of the plurality of first terminals and the plurality of comparators associated with each of the plurality of drivers. A plurality of the second terminals, the short board includes a plurality of the short patterns that respectively connect the plurality of the first terminals and the plurality of the second terminals, and the reference time setting unit includes: 32. The semiconductor test apparatus according to claim 31, wherein the reference time is set independently for each of the plurality of comparators.
【請求項33】 複数の前記ソケットと、 複数の前記ソケットの各々に対応する複数の前記試験用
ボードと、 複数の前記試験用ボードを一体に保持するフレームとを
更に備え、 前記フレームは、当該フレームを前記半導体試験装置に
おける所定の位置に装着したときに前記試験用ボードを
所望の位置に移動させる呼び込み機構を、前記試験用ボ
ードごとに有することを特徴とする請求項23に記載の
半導体試験装置。
33. The apparatus further comprising: a plurality of the sockets; a plurality of the test boards corresponding to each of the plurality of the sockets; and a frame that integrally holds the plurality of the test boards. 24. The semiconductor test according to claim 23, wherein each of the test boards has a call-in mechanism for moving the test board to a desired position when a frame is mounted at a predetermined position in the semiconductor test apparatus. apparatus.
【請求項34】 半導体デバイスの電気的特性を試験す
る半導体試験装置であって、 前記半導体デバイスに接触して前記半導体デバイスに電
気的信号を与える第1端子及び前記半導体デバイスに接
触して前記半導体デバイスから電気的信号を受け取る第
2端子を有するソケットと、 試験信号を前記第1端子へ出力するドライバと、前記第
1端子と前記第2端子とを電気的に接続するショートボ
ードと、 前記第2端子から入力された信号を受け取るコンパレー
タと、前記ドライバから出力され前記ショートボードを
経由した前記試験信号を前記コンパレータで検出する手
段と、前記ドライバによる前記試験信号の出力に対して
所定の時間差を有する基準タイミングと、前記コンパレ
ータが前記試験信号を検出した時間との時間差に基づい
て得られた値を、前記半導体デバイスを試験するための
基準時間として前記コンパレータに対して設定する手段
とを備えたことを特徴とする半導体試験装置。
34. A semiconductor test apparatus for testing electrical characteristics of a semiconductor device, comprising: a first terminal that contacts the semiconductor device to apply an electrical signal to the semiconductor device; and a semiconductor terminal that contacts the semiconductor device. A socket having a second terminal for receiving an electric signal from a device; a driver for outputting a test signal to the first terminal; a short board for electrically connecting the first terminal and the second terminal; A comparator for receiving a signal input from two terminals, a means for detecting the test signal output from the driver via the short board by the comparator, and a predetermined time difference with respect to the output of the test signal by the driver. And a reference timing having the same, and a time difference obtained based on a time difference between a time when the comparator detects the test signal. Means for setting the obtained value as a reference time for testing the semiconductor device to the comparator.
【請求項35】 複数の前記ドライバと複数の前記コン
パレータを備え、 前記ソケットは複数の前記ドライバの各々に対応付けら
れた複数の前記第1端子及び複数の前記コンパレータに
対応付けられた複数の前記第2端子を有し、 前記ショートボードは複数の前記第1端子と複数の前記
第2端子とをそれぞれ接続する複数の前記信号配線パタ
ーンを有し、 前記基準時間設定手段は、複数の前記コンパレータのそ
れぞれに対して前記基準時間をそれぞれ独立に設定する
ことを特徴とする請求項34に記載の半導体試験装置。
35. A semiconductor device comprising: a plurality of said drivers; and a plurality of said comparators, wherein said socket is a plurality of said first terminals associated with each of said plurality of drivers and a plurality of said plurality of said terminals associated with said plurality of comparators. The short board has a plurality of the signal wiring patterns respectively connecting the plurality of the first terminals and the plurality of the second terminals, and the reference time setting means includes a plurality of the comparators 35. The semiconductor test apparatus according to claim 34, wherein the reference time is set independently for each of the following.
【請求項36】 複数の前記ソケットと、 複数の前記ソケットの各々に対応する複数の前記ショー
トボードと、 複数の前記ショートボードを一体に保持するフレームと
を更に備え、前記フレームは、当該フレームを所定の位
置に装着したときに前記ショートボードを所望の位置に
移動させる呼び込み機構を、前記ショートボードごとに
有することを特徴とする請求項34に記載の半導体試験
装置。
36. The apparatus further comprising: a plurality of the sockets; a plurality of the short boards corresponding to each of the plurality of the sockets; and a frame for integrally holding the plurality of the short boards. 35. The semiconductor test apparatus according to claim 34, wherein each of the short boards has a call-in mechanism for moving the short board to a desired position when the short board is mounted at a predetermined position.
JP13784799A 1998-05-19 1999-05-18 Semiconductor device test apparatus and calibration method thereof Expired - Fee Related JP3569154B2 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP13784799A JP3569154B2 (en) 1998-05-19 1999-05-18 Semiconductor device test apparatus and calibration method thereof

Applications Claiming Priority (7)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP10-137082 1998-05-19
JP13708298 1998-05-19
JP17421898 1998-06-22
JP10-174218 1998-06-22
JP10-308430 1998-10-29
JP30843098 1998-10-29
JP13784799A JP3569154B2 (en) 1998-05-19 1999-05-18 Semiconductor device test apparatus and calibration method thereof

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2000199781A true JP2000199781A (en) 2000-07-18
JP3569154B2 JP3569154B2 (en) 2004-09-22

Family

ID=27472035

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP13784799A Expired - Fee Related JP3569154B2 (en) 1998-05-19 1999-05-18 Semiconductor device test apparatus and calibration method thereof

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP3569154B2 (en)

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003534553A (en) * 2000-05-19 2003-11-18 テラダイン・インコーポレーテッド Testing method and apparatus for an integrated circuit chip that outputs a timing clock
WO2005026759A1 (en) * 2003-09-09 2005-03-24 Advantest Corporation Calibration comparator circuit
KR100518546B1 (en) * 2002-12-13 2005-10-04 삼성전자주식회사 Test board for testing IC package and tester calibration method using the same
JP2005308558A (en) * 2004-04-22 2005-11-04 National Institute Of Advanced Industrial & Technology System-in-package test inspection device and test inspection method
US7043959B2 (en) 2001-06-07 2006-05-16 Advantest Corporation Method for calibrating semiconductor test instrument
US7543202B2 (en) 2005-12-19 2009-06-02 Advantest Corporation Test apparatus, adjustment apparatus, adjustment method and adjustment program
WO2009069209A1 (en) * 2007-11-29 2009-06-04 Advantest Corporation Short-circuit wiring fixture, method for measuring skew, and method for adjusting skew
WO2010109847A1 (en) * 2009-03-24 2010-09-30 株式会社アドバンテスト Testing device, calibration method, and program
JP2017223642A (en) * 2016-06-14 2017-12-21 アナログ・デヴァイシズ・グローバル Method and apparatus for learning phase error or timing delay within current transducer, and power measurement apparatus including current transducer error correction
JP2019163943A (en) * 2018-03-19 2019-09-26 東芝メモリ株式会社 Tester calibration device and tester calibration method

Cited By (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003534553A (en) * 2000-05-19 2003-11-18 テラダイン・インコーポレーテッド Testing method and apparatus for an integrated circuit chip that outputs a timing clock
US7121132B2 (en) 2001-06-07 2006-10-17 Advantest Corporation Method for calibrating semiconductor test instruments
CN100437962C (en) * 2001-06-07 2008-11-26 株式会社艾德温特斯特 Method for calibrating semiconductor test instrument
US7043959B2 (en) 2001-06-07 2006-05-16 Advantest Corporation Method for calibrating semiconductor test instrument
US7107816B2 (en) 2001-06-07 2006-09-19 Advantest Corporation Method for calibrating semiconductor test instruments
US7107817B2 (en) 2001-06-07 2006-09-19 Advantest Corporation Method for calibrating semiconductor test instruments
US7107815B2 (en) 2001-06-07 2006-09-19 Advantest Corporation Method for calibrating semiconductor test instruments
US7111490B2 (en) 2001-06-07 2006-09-26 Advantest Corporation Method for calibrating semiconductor test instruments
KR100518546B1 (en) * 2002-12-13 2005-10-04 삼성전자주식회사 Test board for testing IC package and tester calibration method using the same
KR100767739B1 (en) * 2003-09-09 2007-10-17 가부시키가이샤 아드반테스트 Comparator circuit, calibration apparatus, testing apparatus, and calibration method
US7389190B2 (en) 2003-09-09 2008-06-17 Advantest Corporation Testing apparatus for testing a device under test and comparator circuit and calibration apparatus for the testing apparatus
WO2005026759A1 (en) * 2003-09-09 2005-03-24 Advantest Corporation Calibration comparator circuit
JP2005308558A (en) * 2004-04-22 2005-11-04 National Institute Of Advanced Industrial & Technology System-in-package test inspection device and test inspection method
JP4556023B2 (en) * 2004-04-22 2010-10-06 独立行政法人産業技術総合研究所 System in package test inspection apparatus and test inspection method
US7543202B2 (en) 2005-12-19 2009-06-02 Advantest Corporation Test apparatus, adjustment apparatus, adjustment method and adjustment program
WO2009069209A1 (en) * 2007-11-29 2009-06-04 Advantest Corporation Short-circuit wiring fixture, method for measuring skew, and method for adjusting skew
WO2010109847A1 (en) * 2009-03-24 2010-09-30 株式会社アドバンテスト Testing device, calibration method, and program
US8067943B2 (en) 2009-03-24 2011-11-29 Advantest Corporation Test apparatus, calibration method, program, and recording medium
JP5274648B2 (en) * 2009-03-24 2013-08-28 株式会社アドバンテスト Test apparatus, calibration method, and program
JP2017223642A (en) * 2016-06-14 2017-12-21 アナログ・デヴァイシズ・グローバル Method and apparatus for learning phase error or timing delay within current transducer, and power measurement apparatus including current transducer error correction
JP2019163943A (en) * 2018-03-19 2019-09-26 東芝メモリ株式会社 Tester calibration device and tester calibration method
JP7037398B2 (en) 2018-03-19 2022-03-16 キオクシア株式会社 Tester calibration device and tester calibration method

Also Published As

Publication number Publication date
JP3569154B2 (en) 2004-09-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100383728B1 (en) Semiconductor device testing apparatus and its calibration method
KR100861602B1 (en) System for calibrating timing of an integrated circuit wafer tester
US6798225B2 (en) Tester channel to multiple IC terminals
US6586924B1 (en) Method for correcting timing for IC tester and IC tester having correcting function using the correcting method
JP4255284B2 (en) Single-ended channel calibration for differential operation
US6327678B1 (en) Skew adjusting method in IC testing apparatus and pseudo device for use in the method
US20060010358A1 (en) Method and apparatus for calibrating and/or deskewing communications channels
JP2016521852A (en) Calibration device
US6784684B2 (en) Testing apparatus including testing board having wirings connected to common point and method of testing semiconductor device by composing signals
EP1440328B1 (en) Method and apparatus for calibration and validation of high performance dut power supplies
KR101138296B1 (en) Tester, driver comparator chip, response measuring device, calibration method, and calibration device
JP3569154B2 (en) Semiconductor device test apparatus and calibration method thereof
US6492797B1 (en) Socket calibration method and apparatus
KR101178069B1 (en) Interconnect circuit board, skew measuring method and testing device
US7755375B2 (en) Test apparatus, probe card, and test method
JP2000314764A (en) Timing calibration method for ic testing device, and short- circuit device used for the calibration method
JP2009294101A (en) Apparatus and method of inspecting printed board
WO2020126019A1 (en) Apparatus and method for testing a device-under-test
KR100783647B1 (en) A method for skew compensation and an apparatus using the method
US20030016041A1 (en) Method and apparatus for testing semiconductor integrated circuit, and semiconductor integrated circuit manufactured thereby
KR101762383B1 (en) Method of measuring electrical length in semiconductor testing apparatus
KR100577553B1 (en) connecting unit for reliability test of semiconductor device test equipment and method for calibrating signal skew and jitter
KR20020045508A (en) Method and device for adjustment of IC tester
JPH10253715A (en) Circuit for diagnosing semiconductor tester and method for testing semiconductor
JP2002122634A (en) Timing confirmation method for semiconductor test device, and correction method and correction device for timing

Legal Events

Date Code Title Description
A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20040325

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20040406

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20040603

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20040617

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080625

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090625

Year of fee payment: 5

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100625

Year of fee payment: 6

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100625

Year of fee payment: 6

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110625

Year of fee payment: 7

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120625

Year of fee payment: 8

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120625

Year of fee payment: 8

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130625

Year of fee payment: 9

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130625

Year of fee payment: 9

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130625

Year of fee payment: 9

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees