KR100783647B1 - A method for skew compensation and an apparatus using the method - Google Patents

A method for skew compensation and an apparatus using the method Download PDF

Info

Publication number
KR100783647B1
KR100783647B1 KR1020060029602A KR20060029602A KR100783647B1 KR 100783647 B1 KR100783647 B1 KR 100783647B1 KR 1020060029602 A KR1020060029602 A KR 1020060029602A KR 20060029602 A KR20060029602 A KR 20060029602A KR 100783647 B1 KR100783647 B1 KR 100783647B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
test
skew
memory
center position
sample memory
Prior art date
Application number
KR1020060029602A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR20070098229A (en
Inventor
장민석
유병길
이철원
Original Assignee
주식회사 엑시콘
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 주식회사 엑시콘 filed Critical 주식회사 엑시콘
Priority to KR1020060029602A priority Critical patent/KR100783647B1/en
Publication of KR20070098229A publication Critical patent/KR20070098229A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR100783647B1 publication Critical patent/KR100783647B1/en

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C29/00Checking stores for correct operation ; Subsequent repair; Testing stores during standby or offline operation
    • G11C29/56External testing equipment for static stores, e.g. automatic test equipment [ATE]; Interfaces therefor
    • GPHYSICS
    • G11INFORMATION STORAGE
    • G11CSTATIC STORES
    • G11C29/00Checking stores for correct operation ; Subsequent repair; Testing stores during standby or offline operation
    • G11C29/56External testing equipment for static stores, e.g. automatic test equipment [ATE]; Interfaces therefor
    • G11C2029/5602Interface to device under test

Abstract

반도체 메모리 테스트 장비의 스큐 보정 방법 및 스큐 보정 기능을 갖는 반도체 메모리 테스트 장비가 개시되어 있다. 상기 방법은 샘플 메모리의 스큐를 획득하는 단계; 샘플 메모리를 테스트 장비에 실장하여 각 핀들의 테스트 유효 구간 및 센터 포지션의 위치를 검색하는 단계; 상기 각 핀들의 유효 구간내의 센터 포지션이 되는 시점을 획득하는 단계; 상기 유효 구간내의 센터 포지션이 되는 시점에 대해 상기 샘플 메모리의 스큐값을 적용하여 보정하는 단계; 및 상기 유효 구간내의 센터 포지션이 되는 시점에 대해 상기 샘플 메모리의 스큐값을 적용하여 보정되는 값에 대해 테스트 장비의 저장부에 저장하는 단계를 통해 달성된다.Disclosed are a skew correction method and a semiconductor memory test device having a skew correction function. The method includes obtaining a skew of a sample memory; Mounting the sample memory to the test equipment to retrieve the test valid interval and the position of the center position of each pin; Acquiring a time point at which a center position within an effective period of each of the pins is obtained; Correcting by applying a skew value of the sample memory to a time point at which the center position within the valid period is reached; And storing a value to be corrected by applying a skew value of the sample memory to a time point at which the center position is within the valid period, and storing the corrected value in the storage unit of the test equipment.

따라서, 메모리 테스트 시스템은 대량의 메모리를 동시에 테스트함에 있어 중요한 안정성 및 신뢰성을 확보하기 위해 보정시 외부의 측정 장비를 사용하지 않고, 샘플 메모리 디바이스 자체를 이용하여 자동으로 보정할 수 있도록 하여 신뢰성 및 안정성 그리고 정밀성을 증가시킨다. 또한 보정시 발생하는 외부장비의 의존성이 없어 개발 시간 단축 및 개발 비용의 상당 부분을 절감할 수 있도록 한다.Therefore, the memory test system can automatically calibrate using the sample memory device itself without using external measuring equipment when calibrating to ensure important stability and reliability in testing a large amount of memory at the same time. And increase precision. In addition, there is no dependence on external equipment generated during calibration, which reduces the development time and significantly reduces the development cost.

Description

스큐 보정 방법 및 스큐 보정 기능을 갖는 반도체 메모리 테스트 장비 {A method for skew compensation and an apparatus using the method}Semiconductor memory test equipment with skew compensation method and skew compensation function {A method for skew compensation and an apparatus using the method}

도 1은 오실로스코프를 활용한 테스터 보정 시스템에 관한 종래기술 도면,1 is a prior art diagram of a tester correction system utilizing an oscilloscope,

도 2는 단락보드를 활용한 테스터 보정 시스템에 관한 종래기술 도면,2 is a prior art diagram of a tester correction system using a short board;

도 3은 본 발명에 따른 테스터 보정 시스템에 관한 도면,3 is a diagram of a tester correction system according to the present invention;

도 4는 도 3의 TPG 보드에 관한 상세도면,4 is a detailed view of the TPG board of FIG.

도 5는 본 발명을 구현하기 위한 테스터 보정 시스템의 설치 형상을 보여주는 도면,5 is a view showing the installation shape of the tester correction system for implementing the present invention,

도 6은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 테스트 보정 방법에 관한 도면,6 is a diagram of a test correction method according to a preferred embodiment of the present invention;

도 7a는 샘플 메모리 스큐 측정에 관한 도면,7A is a diagram of a sample memory skew measurement,

도 7b는 TPG 보드의 유효 구간 측정에 관한 도면,7b is a diagram regarding a valid section measurement of a TPG board;

도 7c는 샘플 메모리의 스큐값을 적용한 실제 신호 처리에 관한 도면,7C is a diagram of actual signal processing applying a skew value of a sample memory;

본 발명은 메모리 테스트 장비에 관한 것으로, 좀더 상세하게는 반도체 메모리 테스트 장비의 스큐 보정 방법 및 스큐 보정 기능을 갖는 반도체 메모리 테스트 장비에 관한 것이다.The present invention relates to a memory test equipment, and more particularly to a semiconductor memory test equipment having a skew correction method and a skew correction function of the semiconductor memory test equipment.

테스트 중인 디바이스(DUT)를 성공적으로 테스트하기 위해, 각각의 전송라인을 따라 디바이스 핀에 인가된 신호는 서로에 대해 정확한 타이밍에 도착해야한다. 테스터 신호를 DUT에 전송하는 전송라인은 전형적으로 길이가 다양하고, 이것은 서로에 대해 각각 지연시간도 다양하다는 것을 의미한다.To successfully test the device under test (DUT), the signals applied to the device pins along each transmission line must arrive at the correct timing for each other. Transmission lines that transmit tester signals to the DUT typically vary in length, which means that the delay times vary with respect to each other.

따라서 신호 타이밍을 정확하게 제어하기 위하여, 각각의 채널에 대한 지연 정도가 측정되어야 하고, 타이밍 교정 공정 전에 지연을 고려한 보정이 선행되어야 한다.Therefore, in order to accurately control the signal timing, the delay degree for each channel must be measured, and the correction considering the delay must be preceded before the timing correction process.

이러한 메모리 테스트 시스템은 컴퓨터와 여러 테스트 기기의 조합으로 이루어지며, 테스트 프로그램의 명령어 집합을 실행함으로써 테스트 하드웨어를 제어한다.Such a memory test system is a combination of a computer and various test devices, and controls test hardware by executing an instruction set of a test program.

메모리 테스트 시스템은 정확하고 안정적으로 신뢰성있는 테스트 결과를 측정하기 위하여 주기적으로 테스트에 필요한 각종 파라미터를 테스트 전에 필수적으로 보정하게 된다.The memory test system periodically corrects various parameters necessary for the test before the test in order to measure the test results accurately and reliably and reliably.

보정 작업은 메모리 테스트에서 중요한 요소로서, 일반적으로 외부의 전용 파라미터 보정 장비를 구축하여 각 파라미터의 신호를 입력받아 각 신호의 유효한 구간을 결정하여 보정하는 방식을 사용한다.Correction work is an important element in memory test. In general, an external dedicated parameter correction device is built and a signal of each parameter is input to determine a valid section of each signal.

이러한 시스템의 경우 외부의 보정 장비 구축에 많은 비용이 소요되며, 보정 시 시간도 오래 걸리는 단점이 있다. 또한 시스템의 정확성 및 안정성을 확보받기 위해 일정 주기적으로 한번씩 반드시 보정 과정을 수행하여야 한다. 주기적으로 보정작업을 거쳐야 한다는 것은 테스트 시간이 오래 걸린다는 것을 의미한다.Such a system is expensive to build external calibration equipment, and takes a long time to calibrate. In addition, the calibration process must be performed at regular intervals to ensure the accuracy and stability of the system. Being calibrated periodically means that the test takes a long time.

주기적으로 보정 작업을 수행해야 하는 테스트 시스템에서 메모리 장치의 테스트 생산성은 매우 낮을 수 밖에 없다.In test systems that require periodic calibrations, the test device's test productivity is very low.

종래의 테스트 장비 보정 시스템에 관하여 도면을 참조하여 설명하기로 한다.A conventional test equipment calibration system will be described with reference to the drawings.

도 1은 오실로스코프를 활용한 테스터 보정 시스템에 관한 종래기술 도면이다. 도 1을 참조하면, 가장 끝단에서 신호를 측정할 수 있도록 별도의 보드(3)를 소켓 위에 올려놓은 상태에서 테스터(2)에서 발생된 신호를 GPIB(General purpose interface bus)와 같은 범용 인터페이스를 이용하여 오실로스코프(1)로 연결한다.1 is a prior art diagram of a tester correction system utilizing an oscilloscope. Referring to FIG. 1, a signal generated by the tester 2 is used by using a general-purpose interface such as a general purpose interface bus (GPIB) while a separate board 3 is placed on a socket so that a signal can be measured at the far end. To the oscilloscope (1).

그리고 테스터(2)에서 발생된 신호를 오실로스코프(1)를 이용해서 측정후 스큐를 조정할 수 있는데, 피시험 메모리(Device Under Test, 이하 'DUT'라 칭함) 또는 특정 핀을 기준 삼아 전체 핀에 대한 보정을 수행하게 된다. 이 방식은 측정하고자 하는 대상에 대해 모두 다 적용할 수 있으므로 정밀도가 우수하다. 반면 각 핀 별로 순차적으로 진행해야 하므로 시간이 오래 걸리고, 이를 위한 인력 낭비도 심하다.After measuring the signal generated by the tester (2) using the oscilloscope (1), the skew can be adjusted.The device under test (hereinafter referred to as 'DUT') or a specific pin is used as a reference for the entire pin. Calibration will be performed. This method is highly accurate because it can be applied to any object to be measured. On the other hand, since each pin must proceed sequentially, it takes a long time and wastes manpower for this.

도 2는 단락보드를 활용한 테스터 보정 시스템에 관한 종래기술 도면이다. 도 2를 참조하면, 소켓보드(12) 위에 전원 핀을 제외한 모든 신호가 단락된 단락 보드(11)를 올려놓고 모든 드라이버를 통해서 동일한 신호를 보내서 중첩된 신호를 기준신호로 잡고, 이 신호를 기초로 다른 신호들과 비교하여 비교 차이만큼 스큐를 조정한다.2 is a prior art diagram of a tester correction system utilizing a short board. Referring to FIG. 2, a short circuit board 11 in which all signals except for a power pin are shorted is placed on a socket board 12, and the same signal is sent through all drivers so that the overlapped signals are used as reference signals. The skew is adjusted by comparison difference compared to other signals.

상기 방식은 모든 피시험 메모리 장치에 대해서 보정이 가능하기 때문에 시간이 단축되는 효과가 있다. 그러나, 단락 보드 제작시 PCB(Printed Circuit Board) 패턴 길이나 임피던스가 맞지 않을 경우 정밀도가 떨어지는 단점이 있다.This method has an effect of shortening the time since all the memory devices under test can be calibrated. However, when the short circuit board is manufactured, if the printed circuit board (PCB) pattern length or impedance does not match, there is a disadvantage that the precision is lowered.

현재까지 개발된 테스트 시스템은 외부의 보정 장비를 별도로 구축하여야 하고, 보정 장비가 있다 하더라도 정밀도가 우수하면 시간이 오래 걸리거나, 시간이 단축되면 정밀도가 떨어지는 문제점이 혼재되어 있어, 이에 대한 보정 장치 개선이 요청되고 있다.The test system developed to date has to build external calibration equipment separately, and even if there is a calibration equipment, there is a problem that it takes a long time if the precision is excellent, or that the precision falls if the time is shortened. Is being requested.

본 발명은 이러한 문제점을 해결하기 위한 것으로, 테스트 장비의 보정 장비를 구비하지 않고도 테스트 장비의 스큐를 보정할 수 있는 반도체 메모리 테스트 장비의 스큐 보정 방법 및 스큐 보정 기능을 갖는 반도체 메모리 테스트 장비를 제공하는데 목적이 있다.The present invention is to solve this problem, to provide a skew correction method and a semiconductor memory test equipment having a skew correction function of the semiconductor memory test equipment that can correct the skew of the test equipment without having the calibration equipment of the test equipment There is a purpose.

또한, 샘플 메모리의 각 핀에 해당하는 스큐값을 테스트 장비에 저장해둠으로써, 테스트 대상을 모두 테스트 할 때마다 보정 작업을 수행할 필요가 없는 테스트 장비를 제공하는데 또 다른 목적이 있다.In addition, by storing the skew value corresponding to each pin of the sample memory in the test equipment, another object of the test equipment is to provide a test equipment that does not need to be calibrated for every test object.

이러한 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 반도체 메모리 테스트 장비의 스큐 보정 방법은 샘플 메모리의 스큐를 획득하는 단계; 샘플 메모리를 테스트 장비에 실장하여 각 핀들의 테스트 유효 구간 및 센터 포지션의 위치를 검색하는 단계; 상기 각 핀들의 유효 구간내의 센터 포지션이 되는 시점을 획득하는 단계; 상기 유효 구간내의 센터 포지션이 되는 시점에 대해 상기 샘플 메모리의 스큐값을 적용하여 보정하는 단계; 및 상기 유효 구간내의 센터 포지션이 되는 시점에 대해 상기 샘플 메모리의 스큐값을 적용하여 보정되는 값에 대해 테스트 장비의 저장부에 저장하는 단계를 포함한다.Skew correction method of the semiconductor memory test equipment according to the present invention for achieving this object comprises the steps of obtaining a skew of the sample memory; Mounting the sample memory to the test equipment to retrieve the test valid interval and the position of the center position of each pin; Acquiring a time point at which a center position within an effective period of each of the pins is obtained; Correcting by applying a skew value of the sample memory to a time point at which the center position within the valid period is reached; And storing a value corrected by applying a skew value of the sample memory to a time point at which the center position is within the valid interval, in the storage unit of the test equipment.

상기 방법은 테스트하고자 하는 핀 별로 각각 반복 수행함을 특징으로 한다.The method is characterized in that the repetition is performed for each pin to be tested.

상기 샘플 메모리의 스큐를 획득하는 단계는 샘플 메모리를 실장하기 전에 각 채널 별로 반복 실험하여 스큐값을 얻는 것을 특징으로 한다.The step of acquiring the skew of the sample memory may be performed by repeatedly experimenting with each channel before mounting the sample memory to obtain a skew value.

상기 샘플 메모리를 실장하여 각 핀들의 테스트 유효 구간 검색 및 센터 포지션의 위치를 검색하는 단계는 유효 구간 내에 센터 포지션이 위치하는 시점이 발견될 때 까지 테스트하는 채널에 대해서 소정의 간격으로 딜레이하여 검색하는 것을 특징으로 한다.The test memory section search and the position of the center position of each pin by mounting the sample memory may be performed by delaying the test channel at a predetermined interval until the time point at which the center position is located within the valid section is found. It is characterized by.

상기 유효 구간내의 센터 포지션이 되는 시점에 대해 상기 샘플 메모리의 스큐값을 적용하여 보정하는 단계에서, 유효구간 및 센터 포지션에 대한 시점에 대해 스큐값만큼 감산하여 시점을 보정하는 것을 특징으로 한다.In the step of correcting by applying a skew value of the sample memory to the time point at which the center position within the effective period, the viewpoint is corrected by subtracting the skew value from the time point for the effective section and the center position.

또한 상기의 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 스큐 보정 기능을 갖는 반도체 메모리 테스트 장비는 메모리 장치를 테스트하기 위한 전기적/물리적 신호 를 처리하는 테스트 보드; 상기 테스트 보드에 샘플 메모리를 실장하여 샘플 메모리의 각 핀들에 대한 유효 구간내의 센터 포지션이 되는 시점을 획득하고, 샘플 메모리의 스큐값 만큼 보정한 값을 저장부에 저장하여, 피시험 메모리마다 저장부에 저장된 스큐값을 적용하여 테스트하는 TPG(Timing Pattern Generator) 보드; 및 상기 TPG 보드로 샘플 메모리의 스큐값을 전달하고, 상기 TPG 보드에서 테스트되는 각 채널에 대한 정상/불량 여부를 수신하며, 테스트에 필요한 프로그램을 제공하는 컴퓨터를 포함한다.In addition, the semiconductor memory test equipment having a skew correction function according to the present invention for achieving the above object includes a test board for processing an electrical / physical signal for testing a memory device; A sample memory is mounted on the test board to obtain a time point at which the center position is within an effective period of each pin of the sample memory, and a value corrected by the skew value of the sample memory is stored in a storage unit, and stored for each memory to be tested. Timing Pattern Generator (TPG) board for testing by applying a skew value stored in the; And a computer that transmits a skew value of a sample memory to the TPG board, receives a normal / bad status for each channel tested in the TPG board, and provides a program for testing.

상기 샘플 메모리는 메모리 특성에 따라 발생하는 스큐값을 획득하기 위해 테스트 전에 측정 과정이 미리 수행된 메모리인 특징이 있다.The sample memory is characterized in that the measurement process is performed in advance before the test to obtain a skew value generated according to the memory characteristics.

상기 테스트 보드는 다수개의 메모리를 실장하기 위한 DUT(Device Under test) 보드를 적어도 하나 이상 구비한다.The test board includes at least one device under test (DUT) board for mounting a plurality of memories.

상기 TPG 보드는 테스트 패턴 신호를 발생시키는 패턴 발생부; 신호의 시퀀스를 제어하는 시퀀셜 제어부; 샘플 메모리의 각 채널에 대한 스큐 값을 저장하는 저장부; 상기 저장부에 저장된 각 채널별 스큐값만큼 보정하여 각 채널의 신호를 처리하도록 제어신호를 출력하는 제어부; 및 각 채널별로 인가되는 신호에 대한 온/오프를 전달하는 릴레이부들을 포함하며, 상기 릴레이부들은 각각 신호의 전달 및 검출을 수행하기 위한 드라이버 및 비교기를 구비하는 것을 특징으로 한다.The TPG board comprises a pattern generator for generating a test pattern signal; A sequential controller for controlling a sequence of signals; A storage unit for storing a skew value for each channel of the sample memory; A control unit outputting a control signal to process a signal of each channel by correcting the skew value for each channel stored in the storage unit; And relay unit for transmitting the on / off for the signal applied for each channel, each relay unit is characterized in that it comprises a driver and a comparator for performing the signal transmission and detection, respectively.

이하, 첨부한 도면들을 참조하여, 본 발명의 바람직한 실시예를 보다 상세하게 설명하고자 한다. 실시예의 설명에 있어서, 이해의 편의를 돕기 위하여 동일한 구성요소에 대해서는 다른 도면에 도시되어 있더라도 동일한 부호를 부여하였다.Hereinafter, with reference to the accompanying drawings, it will be described in detail a preferred embodiment of the present invention. In the description of the embodiments, the same components are designated by the same reference numerals for the convenience of understanding, even though shown in different drawings.

도 3은 본 발명에 따른 테스터 보정 시스템에 관한 도면이다. 도 3을 참조하면, 본 발명에 따른 테스터 보정 시스템은 메모리 장치를 테스트하기 위한 전기적/물리적 신호를 처리하는 테스트 보드와, 메모리 장치에 전기적인 신호를 인가하여 동작을 테스트하는 TPG(Timing Pattern Generator) 보드(200)와, 메모리 테스트 장비의 전반적인 제어를 담당하는 컴퓨터(Personal Computer, 300)와, 전원을 공급하는 전원공급부(410)와 TPG 보드의 열을 냉각시키기 위한 냉각기(405)를 구비한다.3 is a diagram of a tester correction system according to the present invention. Referring to FIG. 3, a tester correction system according to the present invention includes a test board for processing an electrical / physical signal for testing a memory device, and a timing pattern generator (TPG) for testing an operation by applying an electrical signal to the memory device. A board 200, a personal computer 300 for overall control of the memory test equipment, a power supply unit 410 for supplying power, and a cooler 405 for cooling heat of the TPG board are provided.

또한 상기 테스트 보드는 다수개의 메모리를 실장하기 위한 DUT(Device Under test) 보드(100)를 적어도 하나 이상 구비한다.In addition, the test board includes at least one device under test (DUT) board 100 for mounting a plurality of memories.

그리고 테스트를 수행하기 전에 메모리 자체적으로 갖게 되는 스큐를 미리 측정하여 샘플 메모리로 처리한다.Before the test is performed, the skew of the memory itself is measured in advance and processed into sample memory.

샘플 메모리는 각 채널 별로 반복 실험하여 정밀하다고 판단되는 것을 이용하는 것이 바람직하다.It is preferable to use a sample memory that is determined to be accurate by repeating experiments for each channel.

도 4는 도 3의 TPG 보드에 관한 상세도면이다. 도 4를 참조하면, 상기 TPG 보드(200)는 테스트 패턴 신호를 발생시키는 패턴 발생부(ALPG, 201)와, 신호의 시퀀스를 제어하는 시퀀셜 제어부(204)와, 샘플 메모리의 각 채널에 대한 스큐 값을 저장하는 EEPROM(205)과, TPG 보드(200)의 전반 적인 신호 처리에 관한 제어를 담당하는 제어부(210) 그리고 각 채널별로 인가되는 신호에 대한 온/오프를 전달하는 릴레이부들(203)로 구성된다.4 is a detailed view of the TPG board of FIG. Referring to FIG. 4, the TPG board 200 includes a pattern generator ALPG 201 for generating a test pattern signal, a sequential controller 204 for controlling a sequence of signals, and skew for each channel of a sample memory. EEPROM 205 for storing the value, the control unit 210 for controlling the overall signal processing of the TPG board 200 and the relay unit 203 for transmitting the on / off for the signal applied for each channel It consists of.

상기 릴레이부들(203)은 각각 신호의 전달 및 검출을 수행하기 위한 드라이버(DR)/비교기(CP)(202)를 더 구비한다. 디지털 신호 처리를 위한 DPS(211)와 아날 로그 신호를 처리하는 아날로그 처리부가 더 포함된다.Each of the relay units 203 further includes a driver (DR) / comparator (CP) 202 for performing signal transmission and detection. A DPS 211 for digital signal processing and an analog processing unit for processing an analog signal are further included.

상기와 같이 구현된 상태에서 PC(300)에서 커맨드가 인터페이스 보드를 통해 상기 TPG 보드(200)로 전달된다. 상기 커맨드는 상기 TPG 보드(200)내의 ALPG(201) 및 시퀀셜 제어부(204)로 인가되고, 테스트 패턴이 발생된다. 상기 테스트 패턴은 드라이버(202)에서 DUT의 스펙에 맞도록 변환되고 상기 릴레이부(203)를 통해 DUT로 전달된다. In the state implemented as described above, a command is transmitted from the PC 300 to the TPG board 200 through an interface board. The command is applied to the ALPG 201 and the sequential control unit 204 in the TPG board 200, and a test pattern is generated. The test pattern is converted to meet the specifications of the DUT in the driver 202 and transferred to the DUT through the relay unit 203.

테스트 패턴에 의해 DUT에서 발생하는 신호는 상기 릴레이부(203)를 통해 비교기(202)로 전달되고, 최종적으로 PC까지 전달되어 DUT의 정상/불량 여부를 판별할 수 있도록 한다.The signal generated from the DUT by the test pattern is transmitted to the comparator 202 through the relay unit 203 and finally transferred to the PC to determine whether the DUT is normal or defective.

상기와 같이 구성된 상태에서도 드라이버와 메모리에 인가하는 전기적 신호에 높은 전류량이 요구되므로 시간의 경과 또는 여러 요인에 의해 스큐가 변동될 가능성이 있다.Even in the above-described state, since a high amount of current is required for the electrical signals applied to the driver and the memory, there is a possibility that the skew may vary due to time or various factors.

즉, 인가/측정하고자 하는 신호가 정상이어야 하는데도, 불량으로 판정될 가능성이 있는 것이다.That is, even if the signal to be applied / measured should be normal, there is a possibility that it is determined to be defective.

본 발명은 메모리 테스트 시스템에서 장비 보정 과정을 거쳐 인가/측정하고자 하는 신호간의 스큐를 일치시켜주어 테스트의 신뢰성을 확보하기 위함이다.The present invention is to ensure the reliability of the test by matching the skew between the signal to be applied / measured through the equipment calibration process in the memory test system.

도 5는 본 발명을 구현하기 위한 테스터 보정 시스템의 설치 형상을 보여주는 도면이다. 도 5를 참조하면 테스터 보정을 위해 소켓 위에 별도의 장비가 추가되지 않는다. 다만 샘플 디바이스만이 설치되어 샘플 디바이스의 스큐만을 측정할 수 있도록 한다.5 is a view showing the installation shape of the tester correction system for implementing the present invention. Referring to FIG. 5, no additional equipment is added to the socket for calibrating the tester. Only the sample device is installed so that only the skew of the sample device can be measured.

이렇게 도 5에 도시된 형태에 따라 샘플 디바이스의 스큐가 측정된 이후의 테스터 보정 방법을 설명하면 다음과 같다.The tester correction method after the skew of the sample device is measured according to the form shown in FIG. 5 will now be described.

도 6은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 테스트 보정 방법에 관한 도면이다. 도 6을 참조하면, 샘플 디바이스 스큐 측정이 수행되면(S100), 각 핀들의 /RAS, /CAS, /WE, DQ 등에 관하여 테스트 유효 구간을 검색한다(S102). 이후 미리 측정하여 알고 있는 샘플 디바이스의 스큐 측정값을 적용하여 현 메모리 테스트 시스템의 측정된 유효 구간의 실제 센터 포지션을 결정하고(S104), TPG 보드의 EEPROM에 스큐 데이터를 저장한다(S106).6 is a diagram of a test calibration method according to a preferred embodiment of the present invention. Referring to FIG. 6, when sample device skew measurement is performed (S100), a test valid interval is searched for / RAS, / CAS, / WE, DQ, etc. of each pin (S102). Subsequently, the actual center position of the measured valid interval of the current memory test system is determined by applying the measured skew value of the known sample device in advance (S104), and the skew data is stored in the EEPROM of the TPG board (S106).

상기 방법을 타이밍 관계도(도 7)를 이용하여 상세히 설명하면 다음과 같다.The method will be described in detail with reference to the timing relationship diagram (Fig. 7).

도 7a는 샘플 메모리 스큐 측정에 관한 도면이고, 도 7b는 TPG 보드의 유효 구간 측정에 관한 도면이고, 도 7c는 샘플 메모리의 스큐값을 적용한 실제 신호 처리에 관한 도면이다.FIG. 7A is a diagram illustrating a sample memory skew measurement, FIG. 7B is a diagram illustrating a valid section measurement of a TPG board, and FIG. 7C is a diagram illustrating actual signal processing applying a skew value of the sample memory.

도 7a에서는 미리 측정하여 알고 있는 임의의 신호의 스큐 값을 보여내고 있다. 유효구간이 200∼400ps이고 기준신호와 임의의 신호간의 유효구간의 중심과는 30ps 차이가 발생한다. 즉 30ps의 스큐가 있는 셈이다.In FIG. 7A, a skew value of an arbitrary signal measured in advance is shown. The effective section is 200-400ps and a 30ps difference occurs with the center of the valid section between the reference signal and an arbitrary signal. That's 30 ps of skew.

도 7b에서는 보정하고자 하는 현 시스템의 TPG 보드에서 샘플 메모리 디바이스를 사용하여 측정한 임의의 신호 및 기준신호를 보여주고 있다. 그리고 일정 시간(예컨대, 10ps) 간격으로 딜레이시키면서 유효구간을 검색한다.7B shows arbitrary signals and reference signals measured using a sample memory device on the TPG board of the current system to be calibrated. The effective section is searched for with a delay at a predetermined time (for example, 10 ps).

도 7c에서는 도 7a로부터 미리 알고 있는 기준신호와 유효구간의 중심과의 차이를 보상하여 센터 포지션을 결정하는 것을 나타낸다.In FIG. 7C, the center position is determined by compensating for the difference between the reference signal known from FIG. 7A and the center of the effective section.

이상 본 발명에 대하여 그 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자는 하기의 특허 청구의 범위에 기재된 본 발명의 기술적 사상 및 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시켜 실시할 수 있음을 이해할 수 있을 것이다. 따라서, 본 발명의 앞으로의 실시예들의 변경은 본 발명의 기술을 벗어날 수 없을 것이다.Although the present invention has been described above with reference to its preferred embodiments, those skilled in the art will variously modify the present invention without departing from the spirit and scope of the invention as set forth in the claims below. And can be practiced with modification. Accordingly, modifications to future embodiments of the present invention will not depart from the technology of the present invention.

이상 설명한 바와 같이, 본 발명에 따른 메모리 테스트 시스템은 대량의 메모리를 동시에 테스트함에 있어 중요한 안정성 및 신뢰성을 확보하기 위해 보정시 외부의 측정 장비를 사용하지 않고, 샘플 메모리 디바이스 자체를 이용하여 자동으로 보정할 수 있도록 하여 신뢰성 및 안정성 그리고 정밀성을 증가시킨다. 또한 보정시 발생하는 외부장비의 의존성이 없어 개발 시간 단축 및 개발 비용의 상당 부분을 절감할 수 있도록 한다.As described above, the memory test system according to the present invention automatically corrects using a sample memory device itself without using external measuring equipment during calibration to ensure important stability and reliability in simultaneously testing a large amount of memory. To increase reliability, stability and precision. In addition, there is no dependence on external equipment generated during calibration, which reduces the development time and significantly reduces the development cost.

Claims (9)

샘플 메모리의 스큐를 획득하는 단계;Obtaining a skew of the sample memory; 샘플 메모리를 테스트 장비에 실장하여 각 핀들의 테스트 유효 구간 및 센터 포지션의 위치를 검색하는 단계;Mounting the sample memory to the test equipment to retrieve the test valid interval and the position of the center position of each pin; 상기 각 핀들의 유효 구간내의 센터 포지션이 되는 시점을 획득하는 단계;Acquiring a time point at which a center position within an effective period of each of the pins is obtained; 상기 유효 구간내의 센터 포지션이 되는 시점에 대해 상기 샘플 메모리의 스큐값을 적용하여 보정하는 단계; 및Correcting by applying a skew value of the sample memory to a time point at which the center position within the valid period is reached; And 상기 유효 구간내의 센터 포지션이 되는 시점에 대해 상기 샘플 메모리의 스큐값을 적용하여 보정되는 값에 대해 테스트 장비의 저장부에 저장하는 단계를 포함하는 반도체 메모리 테스트 장비의 스큐 보정 방법.And applying a skew value of the sample memory to a time point at which the center position is within the valid period, and storing the corrected value in the storage unit of the test equipment. 제 1항에 있어서, 상기 단계들은The method of claim 1, wherein the steps 테스트하고자 하는 핀 별로 각각 수행함을 특징으로 하는 반도체 메모리 테스트 장비의 스큐 보정 방법.The skew correction method of the semiconductor memory test equipment, characterized in that performed for each pin to be tested. 제 1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 샘플 메모리의 스큐를 획득하는 단계는Acquiring a skew of the sample memory 샘플 메모리를 실장하기 전에 각 채널 별로 반복 실험하여 스큐값을 얻는 것을 특징으로 하는 반도체 메모리 테스트 장비의 스큐 보정 방법.Skew correction method of a semiconductor memory test equipment, characterized in that to obtain a skew value by repeated experiments for each channel before mounting the sample memory. 제 1항에 있어서, The method of claim 1, 상기 샘플 메모리를 실장하여 각 핀들의 테스트 유효 구간 검색 및 센터 포지션의 위치를 검색하는 단계는Mounting the sample memory to search for the test valid interval of each pin and the location of the center position is 유효 구간 내에 센터 포지션이 위치하는 시점이 발견될 때 까지 테스트하는 채널에 대해서 소정의 간격으로 딜레이하여 검색하는 것을 특징으로 하는 반도체 메모리 테스트 장비의 스큐 보정 방법.A method for correcting skew of a semiconductor memory test apparatus, characterized by delaying and searching for a channel to be tested at a predetermined interval until a time point at which a center position is located within an effective section is found. 제 1항에 있어서,The method of claim 1, 상기 유효 구간내의 센터 포지션이 되는 시점에 대해 상기 샘플 메모리의 스큐값을 적용하여 보정하는 단계에서,Correcting by applying a skew value of the sample memory to a time point at which the center position within the valid period is reached; 유효구간 및 센터 포지션에 대한 시점에 대해 스큐값만큼 감산하여 타이밍을 보정하는 것을 특징으로 하는 반도체 메모리 테스트 장비의 스큐 보정 방법.A skew correction method of a semiconductor memory test equipment, characterized in that the timing is corrected by subtracting a skew value with respect to a valid period and a point of time of a center position. 메모리 장치를 테스트하기 위한 전기적/물리적 신호를 처리하는 테스트 보드;A test board processing electrical / physical signals for testing the memory device; 상기 테스트 보드에 샘플 메모리를 실장하여 샘플 메모리의 각 핀들에 대한 유효 구간내의 센터 포지션이 되는 시점을 획득하고, 샘플 메모리의 스큐값 만큼 보정한 값을 저장부에 저장하여, 피시험 메모리마다 저장부에 저장된 스큐값을 적용하여 테스트하는 티피지(TPG:Test Pattern Generator) 보드; 및A sample memory is mounted on the test board to obtain a time point at which the center position is within an effective period of each pin of the sample memory, and a value corrected by the skew value of the sample memory is stored in a storage unit, and stored for each memory to be tested. A test pattern generator (TPG) board for testing by applying a skew value stored in the test board; And 상기 티피지 보드로 샘플 메모리의 스큐값을 전달하고, 상기 티피지 보드에서 테스트되는 각 채널에 대한 정상/불량 여부를 수신하며, 테스트에 필요한 프로그램을 제공하는 컴퓨터를 포함하는 스큐 보정 기능을 갖는 반도체 메모리 테스트 장비.A semiconductor memory test having a skew correction function comprising a computer for transmitting a skew value of a sample memory to the tipboard, receiving a normal / bad status for each channel tested on the tipboard, and providing a program for testing. equipment. 제 6항에 있어서,The method of claim 6, 상기 샘플 메모리는 메모리 특성에 따라 발생하는 스큐값을 획득하기 위해 테스트 전에 측정 과정이 미리 수행된 메모리인 것을 특징으로 하는 스큐 보정 기능을 갖는 반도체 메모리 테스트 장비.The sample memory is a semiconductor memory test equipment having a skew correction function, characterized in that the measurement process is performed in advance before the test to obtain a skew value generated according to the memory characteristics. 제 6항에 있어서,The method of claim 6, 상기 테스트 보드는The test board 다수개의 메모리를 실장하기 위한 디유티(DUT:Device Under test) 보드를 적어도 하나 이상 구비함을 특징으로 하는 스큐 보정 기능을 갖는 반도체 메모리 테스트 장비.At least one device under test (DUT) board for mounting a plurality of memories, semiconductor memory test equipment having a skew correction function characterized in that it comprises. 제 6항에 있어서,The method of claim 6, 상기 티피지 보드는The tipage board is 테스트 패턴 신호를 발생시키는 패턴 발생부;A pattern generator which generates a test pattern signal; 신호의 시퀀스를 제어하는 시퀀셜 제어부;A sequential controller for controlling a sequence of signals; 샘플 메모리의 각 채널에 대한 스큐 값을 저장하는 저장부;A storage unit for storing a skew value for each channel of the sample memory; 상기 저장부에 저장된 각 채널별 스큐값만큼 보정하여 각 채널의 신호를 처리하도록 제어신호를 출력하는 제어부; 및A control unit outputting a control signal to process a signal of each channel by correcting the skew value for each channel stored in the storage unit; And 각 채널별로 인가되는 신호에 대한 온/오프를 전달하는 릴레이부들을 포함하며,It includes a relay unit for transmitting on / off for the signal applied for each channel, 상기 릴레이부들은 각각 신호의 전달 및 검출을 수행하기 위한 드라이버 및 비교기를 구비함을 특징으로 하는 스큐 보정 기능을 갖는 반도체 메모리 테스트 장비.And each of the relay units includes a driver and a comparator for performing signal transmission and detection, respectively.
KR1020060029602A 2006-03-31 2006-03-31 A method for skew compensation and an apparatus using the method KR100783647B1 (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020060029602A KR100783647B1 (en) 2006-03-31 2006-03-31 A method for skew compensation and an apparatus using the method

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020060029602A KR100783647B1 (en) 2006-03-31 2006-03-31 A method for skew compensation and an apparatus using the method

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20070098229A KR20070098229A (en) 2007-10-05
KR100783647B1 true KR100783647B1 (en) 2007-12-07

Family

ID=38804316

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020060029602A KR100783647B1 (en) 2006-03-31 2006-03-31 A method for skew compensation and an apparatus using the method

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR100783647B1 (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102651975B1 (en) * 2023-11-10 2024-03-27 코싸인온 주식회사 Interactive dram signal analyzer and method for analyzing and calibrating dram signal using the same

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001126494A (en) * 1999-10-28 2001-05-11 Ando Electric Co Ltd Semiconductor memory test device, and its test method
JP2002350502A (en) * 2001-05-25 2002-12-04 Ando Electric Co Ltd Semiconductor testing apparatus
KR20020092680A (en) * 2001-06-05 2002-12-12 삼성전자 주식회사 A method for detecting and compensating the skew between test signals using boundary scan cell
JP2003004814A (en) * 2001-06-21 2003-01-08 Ando Electric Co Ltd Method of correcting skew and tester for semiconductor integrated circuit

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001126494A (en) * 1999-10-28 2001-05-11 Ando Electric Co Ltd Semiconductor memory test device, and its test method
JP2002350502A (en) * 2001-05-25 2002-12-04 Ando Electric Co Ltd Semiconductor testing apparatus
KR20020092680A (en) * 2001-06-05 2002-12-12 삼성전자 주식회사 A method for detecting and compensating the skew between test signals using boundary scan cell
JP2003004814A (en) * 2001-06-21 2003-01-08 Ando Electric Co Ltd Method of correcting skew and tester for semiconductor integrated circuit

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102651975B1 (en) * 2023-11-10 2024-03-27 코싸인온 주식회사 Interactive dram signal analyzer and method for analyzing and calibrating dram signal using the same
KR102660059B1 (en) * 2023-11-10 2024-04-23 코싸인온 주식회사 Method for analyzing and calibrating dram signal using interactive dram signal analyzer

Also Published As

Publication number Publication date
KR20070098229A (en) 2007-10-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7414421B2 (en) Insertable calibration device
US6479983B1 (en) Semiconductor device testing apparatus having timing hold function
US6105157A (en) Salphasic timing calibration system for an integrated circuit tester
US6556934B2 (en) Timing calibration method and semiconductor device testing apparatus having timing calibration function
EP1295139B1 (en) Arrangement for calibrating timing of an integrated circuit wafer tester and method
JP4672057B2 (en) Calibration of automatic test equipment
US6586924B1 (en) Method for correcting timing for IC tester and IC tester having correcting function using the correcting method
US6417682B1 (en) Semiconductor device testing apparatus and its calibration method
EP1440328B1 (en) Method and apparatus for calibration and validation of high performance dut power supplies
US6492797B1 (en) Socket calibration method and apparatus
US5256964A (en) Tester calibration verification device
CN112821885A (en) Relative time delay measurement calibration method and device for chips of each channel of ATE (automatic test equipment)
US20030184336A1 (en) Semiconductor integrated circuit device and testing method thereof
KR101348425B1 (en) Device for timing calibration of automatic test equipment
CN110716120B (en) Calibration method for channel delay deviation of automatic chip test equipment
KR20020016581A (en) Edge placement and jitter measurement for electronic elements
KR100783647B1 (en) A method for skew compensation and an apparatus using the method
US6882139B2 (en) Electronic component, tester device and method for calibrating a tester device
CN112684394A (en) Multi-probe time sequence calibration jig and calibration method
JP2000199781A (en) Semiconductor device tester and its calibration method
US20100018286A1 (en) Calibration apparatus, contact judging method and semiconductor testing apparatus
US6677745B2 (en) Test apparatus for parallel testing a number of electronic components and a method for calibrating the test apparatus
TWI644111B (en) Semiconductor test method and apparatus for controlling tester
TWI220934B (en) Ate calibration method
KR100959628B1 (en) Apparatus for synchronizing memory test board

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20130930

Year of fee payment: 7

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20140527

Year of fee payment: 8

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20150423

Year of fee payment: 9

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20160616

Year of fee payment: 10

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20170628

Year of fee payment: 11

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20180528

Year of fee payment: 12

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20190604

Year of fee payment: 13