JP2000196473A - 送信出力回路 - Google Patents
送信出力回路Info
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- JP2000196473A JP2000196473A JP10374546A JP37454698A JP2000196473A JP 2000196473 A JP2000196473 A JP 2000196473A JP 10374546 A JP10374546 A JP 10374546A JP 37454698 A JP37454698 A JP 37454698A JP 2000196473 A JP2000196473 A JP 2000196473A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 信号出力のレベルを変化させても、サーミス
タ回路による、温度補正が安定的にかつ精度良く行うこ
とを目的とする。 【解決手段】 変調器２からの信号出力は、出力レベル
調整用ダイオードＤ３で出力レベルの調整が行われ、次
いで、出力アンプ１で増幅され、さらに、温度補正用ダ
イオードＤ２で温度補正が行われて、出力端子Ｖｏｕｔ
から出力される。このように、出力レベル調整回路と温
度補正回路とを分離した。出力レベル調整回路と温度補
正回路とを分離したことにより、温度補正回路のバイア
ス設定が固定し、出力レベルのバラツキ調整を行っても
温度補正は、安定して精度良く行うことができる。
タ回路による、温度補正が安定的にかつ精度良く行うこ
とを目的とする。 【解決手段】 変調器２からの信号出力は、出力レベル
調整用ダイオードＤ３で出力レベルの調整が行われ、次
いで、出力アンプ１で増幅され、さらに、温度補正用ダ
イオードＤ２で温度補正が行われて、出力端子Ｖｏｕｔ
から出力される。このように、出力レベル調整回路と温
度補正回路とを分離した。出力レベル調整回路と温度補
正回路とを分離したことにより、温度補正回路のバイア
ス設定が固定し、出力レベルのバラツキ調整を行っても
温度補正は、安定して精度良く行うことができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、送信出力回路に係
り、特に出力レベル調整と温度補正とを行う送信出力回
路に関する。
り、特に出力レベル調整と温度補正とを行う送信出力回
路に関する。
【０００２】
【従来の技術】有線又は無線回線の送信出力回路におい
て、送信電力のバラツキの防止又は他のチャネルへの送
信電力の漏洩等を防止するために、送信電力を制御する
必要がある。また、送信出力回路をＩＣ化した場合、温
度によって、送信電力が変動するので、温度により送信
電力を補正する必要がある。
て、送信電力のバラツキの防止又は他のチャネルへの送
信電力の漏洩等を防止するために、送信電力を制御する
必要がある。また、送信出力回路をＩＣ化した場合、温
度によって、送信電力が変動するので、温度により送信
電力を補正する必要がある。
【０００３】図３は、従来の送信出力回路の一例であ
る。送信アンプ１、変調器２、サーミスタ回路３、可変
抵抗回路４、ダイオードＤ１、抵抗Ｒ１及びコンデンサ
Ｃ１、Ｃ２から構成されている。変調器２は、音声信号
又はデータ信号を送信するために、音声信号又はデータ
信号によって、搬送波を変調する回路であり、送信アン
プ１は、該変調器２で変調された送信信号を増幅する最
終段の増幅器である。
る。送信アンプ１、変調器２、サーミスタ回路３、可変
抵抗回路４、ダイオードＤ１、抵抗Ｒ１及びコンデンサ
Ｃ１、Ｃ２から構成されている。変調器２は、音声信号
又はデータ信号を送信するために、音声信号又はデータ
信号によって、搬送波を変調する回路であり、送信アン
プ１は、該変調器２で変調された送信信号を増幅する最
終段の増幅器である。
【０００４】ダイオードＤ１は、ＰＩＮダイオードが使
用され、その順方向抵抗が、バイアスによって変化す
る。このダイオードＤ１の抵抗値に応じて、送信出力回
路の送信電力は変化する。コンデンサＣ１及びコンデン
サＣ２は、ＰＩＮダイオードＤ１に順方向のバイアスを
印加するための直流カットのためのコンデンサである。
用され、その順方向抵抗が、バイアスによって変化す
る。このダイオードＤ１の抵抗値に応じて、送信出力回
路の送信電力は変化する。コンデンサＣ１及びコンデン
サＣ２は、ＰＩＮダイオードＤ１に順方向のバイアスを
印加するための直流カットのためのコンデンサである。
【０００５】サーミスタ回路３は、温度により抵抗値が
変化する回路で、抵抗Ｒ１及び可変抵抗回路４ととも
に、ダイオードＤ１のバイアス回路を構成する。温度変
化があると、このサーミスタ回路３の抵抗値が変化し、
ダイオードＤ１のバイアスを変化させ、ダイオードＤ１
の順方向抵抗値を変化させる。可変抵抗回路４は、送信
レベルの調整のための抵抗で、可変抵抗回路４の抵抗値
が変わるとダイオードＤ１のバイアスが変化し、ダイオ
ードＤ１の順方向抵抗値が変化する。
変化する回路で、抵抗Ｒ１及び可変抵抗回路４ととも
に、ダイオードＤ１のバイアス回路を構成する。温度変
化があると、このサーミスタ回路３の抵抗値が変化し、
ダイオードＤ１のバイアスを変化させ、ダイオードＤ１
の順方向抵抗値を変化させる。可変抵抗回路４は、送信
レベルの調整のための抵抗で、可変抵抗回路４の抵抗値
が変わるとダイオードＤ１のバイアスが変化し、ダイオ
ードＤ１の順方向抵抗値が変化する。
【０００６】サーミスタ回路３、可変抵抗回路４及び抵
抗Ｒ１により、ＰＩＮダイオードＤ１のバイアスが決ま
る。可変抵抗回路４の抵抗値を変化させることにより、
ＰＩＮダイオードＤ１のバイアスを変化させて信号出力
のレベルを変化させる。また、サーミスタ回路は、温度
により抵抗が変化し、その結果、ＰＩＮダイオードＤ１
のバイアスが変化し、ＰＩＮダイオードＤ１及びその前
方の回路による温度変化に基づく送信レベルの変動を補
正する。
抗Ｒ１により、ＰＩＮダイオードＤ１のバイアスが決ま
る。可変抵抗回路４の抵抗値を変化させることにより、
ＰＩＮダイオードＤ１のバイアスを変化させて信号出力
のレベルを変化させる。また、サーミスタ回路は、温度
により抵抗が変化し、その結果、ＰＩＮダイオードＤ１
のバイアスが変化し、ＰＩＮダイオードＤ１及びその前
方の回路による温度変化に基づく送信レベルの変動を補
正する。
【０００７】このような回路により、変調器２からの信
号出力は、ＰＩＮダイオードＤ１で出力レベル調整と温
度補正がなされ、次いで、出力アンプ１で増幅されて、
出力端子Ｖｏｕｔから出力される。
号出力は、ＰＩＮダイオードＤ１で出力レベル調整と温
度補正がなされ、次いで、出力アンプ１で増幅されて、
出力端子Ｖｏｕｔから出力される。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】図３の従来の回路は、
並列に接続されたサーミスタ回路３及び可変抵抗回路４
によって、ＰＩＮダイオードＤ１のバイアスを制御し、
ＰＩＮダイオードＤ１の順方向抵抗を制御している。と
ころで、サーミスタ回路３による温度補正は、サーミス
タ回路３に並列に設けられた可変抵抗回路４によって影
響を受ける。つまり、可変抵抗回路４の抵抗値が大きけ
れば、サーミスタ回路３における温度変化に基づく抵抗
値の変化が、ダイオードＤ１のバイアス電圧の変化に大
きく寄与するが、可変抵抗回路４の抵抗値が小さいと、
サーミスタ回路３における温度変化に基づく抵抗値の変
化が、ダイオードＤ１のバイアス電圧の変化に寄与しに
くくなる。
並列に接続されたサーミスタ回路３及び可変抵抗回路４
によって、ＰＩＮダイオードＤ１のバイアスを制御し、
ＰＩＮダイオードＤ１の順方向抵抗を制御している。と
ころで、サーミスタ回路３による温度補正は、サーミス
タ回路３に並列に設けられた可変抵抗回路４によって影
響を受ける。つまり、可変抵抗回路４の抵抗値が大きけ
れば、サーミスタ回路３における温度変化に基づく抵抗
値の変化が、ダイオードＤ１のバイアス電圧の変化に大
きく寄与するが、可変抵抗回路４の抵抗値が小さいと、
サーミスタ回路３における温度変化に基づく抵抗値の変
化が、ダイオードＤ１のバイアス電圧の変化に寄与しに
くくなる。
【０００９】その結果、サーミスタ回路による、温度補
正が安定して、精度良く行うことができないという問題
がある。本発明は、上記問題に鑑みなされたものであ
り、信号出力のレベルを変化させても、サーミスタ回路
による、温度補正が安定的にかつ精度良く行うことを目
的とするものである。
正が安定して、精度良く行うことができないという問題
がある。本発明は、上記問題に鑑みなされたものであ
り、信号出力のレベルを変化させても、サーミスタ回路
による、温度補正が安定的にかつ精度良く行うことを目
的とするものである。
【００１０】
【課題を解決するための手段】請求項１に記載された発
明は、出力レベル調整と温度補正を行う送信出力回路に
おいて、出力レベル調整のための第１のダイオードＤ３
と温度補正のための第２のダイオードＤ２と、前記第１
のダイオードＤ３の第１のバイアス回路（後述する実施
の形態の抵抗Ｒ５及び可変抵抗回路６に相当）と前記第
２のダイオードＤ２の第２のバイアス回路（後述する実
施の形態の抵抗Ｒ６及びサーミスタ回路５に相当）とを
有し、第１のバイアス回路及び第２のバイアス回路によ
り、第１のダイオードＤ３及び第２のダイオードＤ２の
バイアス電圧を制御して出力レベル調整と温度補正とを
分離して行うことを特徴とする。
明は、出力レベル調整と温度補正を行う送信出力回路に
おいて、出力レベル調整のための第１のダイオードＤ３
と温度補正のための第２のダイオードＤ２と、前記第１
のダイオードＤ３の第１のバイアス回路（後述する実施
の形態の抵抗Ｒ５及び可変抵抗回路６に相当）と前記第
２のダイオードＤ２の第２のバイアス回路（後述する実
施の形態の抵抗Ｒ６及びサーミスタ回路５に相当）とを
有し、第１のバイアス回路及び第２のバイアス回路によ
り、第１のダイオードＤ３及び第２のダイオードＤ２の
バイアス電圧を制御して出力レベル調整と温度補正とを
分離して行うことを特徴とする。
【００１１】請求項１記載の発明によれば、出力レベル
調整のための第１のダイオードＤ３と温度補正のための
第２のダイオードＤ２とを設け、出力レベル調整と温度
補正とを分離して行うことにより、出力レベル調整によ
り、信号出力のレベルを変化させても、サーミスタ回路
による、温度補正が安定的にかつ精度良く行うことがで
きる。
調整のための第１のダイオードＤ３と温度補正のための
第２のダイオードＤ２とを設け、出力レベル調整と温度
補正とを分離して行うことにより、出力レベル調整によ
り、信号出力のレベルを変化させても、サーミスタ回路
による、温度補正が安定的にかつ精度良く行うことがで
きる。
【００１２】請求項２に記載された発明は、請求項１記
載の送信出力回路は、送信信号を増幅する送信アンプ１
を有し、前記第１のダイオードを該送信アンプ１の前段
に設け、前記第２のダイオードＤ２を該送信アンプ１の
後段に設けたことを特徴とする。請求項２記載の発明に
よれば、第２のダイオードＤ２を送信アンプ１の後段に
設けたことにより、出力アンプ１を含めた温度補正を行
うことができる。また、第１のダイオードＤ３と第２の
ダイオードＤ２を送信アンプの前段及び後段に設けたこ
とにより、出力レベル調整回路と温度補正回路の回路設
計を容易に行うことができる。
載の送信出力回路は、送信信号を増幅する送信アンプ１
を有し、前記第１のダイオードを該送信アンプ１の前段
に設け、前記第２のダイオードＤ２を該送信アンプ１の
後段に設けたことを特徴とする。請求項２記載の発明に
よれば、第２のダイオードＤ２を送信アンプ１の後段に
設けたことにより、出力アンプ１を含めた温度補正を行
うことができる。また、第１のダイオードＤ３と第２の
ダイオードＤ２を送信アンプの前段及び後段に設けたこ
とにより、出力レベル調整回路と温度補正回路の回路設
計を容易に行うことができる。
【００１３】請求項３に記載された発明は、請求項１又
は２記載の送信出力回路において、前記第１のバイアス
回路は、可変抵抗回路６を有し、前記第２のバイアス回
路は、サーミスタ回路５を有することを特徴とする。請
求項３記載の発明によれば、可変抵抗回路６により、任
意に送信出力を調整でき、さらに、サーミスタ回路５に
より、温度による出力レベルの変動を自動的に補正する
ことができる。
は２記載の送信出力回路において、前記第１のバイアス
回路は、可変抵抗回路６を有し、前記第２のバイアス回
路は、サーミスタ回路５を有することを特徴とする。請
求項３記載の発明によれば、可変抵抗回路６により、任
意に送信出力を調整でき、さらに、サーミスタ回路５に
より、温度による出力レベルの変動を自動的に補正する
ことができる。
【００１４】請求項４に記載された発明は、請求項１〜
３記載の第１のダイオードＤ３及び第２のダイオードＤ
２に代えて、印加されるバイアスにより電気抵抗の変化
する素子（例えば、トランジスタ、電界効果トランジス
タ等）を用いたことを特徴とする請求項１ないし３いず
れか一項記載の送信出力回路。請求項４記載の発明によ
れば、ダイオードＤ２、Ｄ３に代えて、印加されるバイ
アスにより電気抵抗の変化する素子を用いることができ
るので、出力回路に応じ、柔軟な回路設計を行うことが
できる。
３記載の第１のダイオードＤ３及び第２のダイオードＤ
２に代えて、印加されるバイアスにより電気抵抗の変化
する素子（例えば、トランジスタ、電界効果トランジス
タ等）を用いたことを特徴とする請求項１ないし３いず
れか一項記載の送信出力回路。請求項４記載の発明によ
れば、ダイオードＤ２、Ｄ３に代えて、印加されるバイ
アスにより電気抵抗の変化する素子を用いることができ
るので、出力回路に応じ、柔軟な回路設計を行うことが
できる。
【００１５】また、印加されるバイアスにより電気抵抗
の変化する素子として、増幅機能を有する素子を用いれ
ば、出力アンプ１を省くこともできる。
の変化する素子として、増幅機能を有する素子を用いれ
ば、出力アンプ１を省くこともできる。
【００１６】
【発明の実施の形態】次に、本発明の実施の形態につい
て図面と共に説明する。図１は、本発明の実施の形態を
説明するための図である。送信アンプ１、変調器２、サ
ーミスタ回路５、可変抵抗回路６、ダイオードＤ２及び
Ｄ３、抵抗Ｒ５及びＲ６、及びコンデンサＣ３〜Ｃ６か
ら構成されている。
て図面と共に説明する。図１は、本発明の実施の形態を
説明するための図である。送信アンプ１、変調器２、サ
ーミスタ回路５、可変抵抗回路６、ダイオードＤ２及び
Ｄ３、抵抗Ｒ５及びＲ６、及びコンデンサＣ３〜Ｃ６か
ら構成されている。
【００１７】送信アンプ１及び変調器２は、図３と同じ
であるので説明は省略する。ダイオードＤ２、Ｄ３は、
図３と同じくＰＩＮダイオードが使用され、その順方向
抵抗がバイアスによって変化する。このダイオードＤ
２、Ｄ３の抵抗値に応じて、送信出力回路の送信電力は
変化する。コンデンサＣ３〜Ｃ６は、ＰＩＮダイオード
Ｄ２、Ｄ３に順方向のバイアスを印加するための直流カ
ットのためのコンデンサである。
であるので説明は省略する。ダイオードＤ２、Ｄ３は、
図３と同じくＰＩＮダイオードが使用され、その順方向
抵抗がバイアスによって変化する。このダイオードＤ
２、Ｄ３の抵抗値に応じて、送信出力回路の送信電力は
変化する。コンデンサＣ３〜Ｃ６は、ＰＩＮダイオード
Ｄ２、Ｄ３に順方向のバイアスを印加するための直流カ
ットのためのコンデンサである。
【００１８】サーミスタ回路３及び可変抵抗回路４は、
図３と同じであるが、分離して設けられている。サーミ
スタ回路５及び抵抗Ｒ６により、ＰＩＮダイオードＤ２
のバイアスが決まる。サーミスタ回路５は温度により抵
抗が変化し、その結果、ＰＩＮダイオードＤ２のバイア
スが変化し、ＰＩＮダイオードＤ２及びその前方の回路
の温度変化による出力レベルの補正を行う。ＰＩＮダイ
オードＤ２は、出力アンプの出力の温度補正を補正行う
ので、ＰＩＮダイオードＤ２は、温度補正用ダイオード
といえる。
図３と同じであるが、分離して設けられている。サーミ
スタ回路５及び抵抗Ｒ６により、ＰＩＮダイオードＤ２
のバイアスが決まる。サーミスタ回路５は温度により抵
抗が変化し、その結果、ＰＩＮダイオードＤ２のバイア
スが変化し、ＰＩＮダイオードＤ２及びその前方の回路
の温度変化による出力レベルの補正を行う。ＰＩＮダイ
オードＤ２は、出力アンプの出力の温度補正を補正行う
ので、ＰＩＮダイオードＤ２は、温度補正用ダイオード
といえる。
【００１９】可変抵抗回路６及び抵抗Ｒ５により、ＰＩ
ＮダイオードＤ３のバイアスが決まる。可変抵抗回路６
の抵抗値を変化させることにより、ＰＩＮダイオードＤ
３のバイアスを変化させて信号出力のレベルを変化させ
る。ＰＩＮダイオードＤ３は、その順方向抵抗を変化さ
せ、変調器２からの信号出力のバラツキを無くすための
レベルを調整する。ＰＩＮダイオードＤ３は、出力レベ
ル調整用ダイオードといえる。
ＮダイオードＤ３のバイアスが決まる。可変抵抗回路６
の抵抗値を変化させることにより、ＰＩＮダイオードＤ
３のバイアスを変化させて信号出力のレベルを変化させ
る。ＰＩＮダイオードＤ３は、その順方向抵抗を変化さ
せ、変調器２からの信号出力のバラツキを無くすための
レベルを調整する。ＰＩＮダイオードＤ３は、出力レベ
ル調整用ダイオードといえる。
【００２０】図１に示す回路により、変調器２からの信
号出力は、出力レベル調整用ダイオードＤ３で出力レベ
ルの調整が行われ、次いで、出力アンプ１で増幅され、
さらに、温度補正用ダイオードＤ２で温度補正が行われ
て、出力端子Ｖｏｕｔから出力される。このように、本
発明の実施の形態では、出力レベル調整回路と温度補正
回路とを分離したものである。
号出力は、出力レベル調整用ダイオードＤ３で出力レベ
ルの調整が行われ、次いで、出力アンプ１で増幅され、
さらに、温度補正用ダイオードＤ２で温度補正が行われ
て、出力端子Ｖｏｕｔから出力される。このように、本
発明の実施の形態では、出力レベル調整回路と温度補正
回路とを分離したものである。
【００２１】出力レベル調整回路と温度補正回路とを分
離したことにより、温度補正回路のバイアス設定が固定
し、出力レベルのバラツキ調整を行っても温度補正は、
安定して精度良く行うことができる。なお、サーミスタ
回路として、単一のサーミスタで構成しても良いし、図
２に示ようなサーミスタに直列又は並列に可変抵抗を接
続したものでも良い。使用するダイオードに応じて、適
宜選択することにより、最適のサーミスタ回路を用いる
ことができる。
離したことにより、温度補正回路のバイアス設定が固定
し、出力レベルのバラツキ調整を行っても温度補正は、
安定して精度良く行うことができる。なお、サーミスタ
回路として、単一のサーミスタで構成しても良いし、図
２に示ようなサーミスタに直列又は並列に可変抵抗を接
続したものでも良い。使用するダイオードに応じて、適
宜選択することにより、最適のサーミスタ回路を用いる
ことができる。
【００２２】また、上記実施の形態では、印加されるバ
イアスにより電気抵抗の変化する素子としてＰＩＮダイ
オードの例を用いて説明したが、印加されるバイアスに
より電気抵抗の変化する素子は、ＰＩＮダイオードに限
定されない。他の素子（例えば、トランジスタ、電界効
果トランジスタ等）により、本発明は実施することがで
きる。
イアスにより電気抵抗の変化する素子としてＰＩＮダイ
オードの例を用いて説明したが、印加されるバイアスに
より電気抵抗の変化する素子は、ＰＩＮダイオードに限
定されない。他の素子（例えば、トランジスタ、電界効
果トランジスタ等）により、本発明は実施することがで
きる。
【００２３】また、上記実施の形態では、ダイオードが
ＰＩＮダイオードの例について説明したが、ダイオード
は、ＰＩＮダイオードに限定されないで、どのようなダ
イオードであっても、実施することができる。
ＰＩＮダイオードの例について説明したが、ダイオード
は、ＰＩＮダイオードに限定されないで、どのようなダ
イオードであっても、実施することができる。
【００２４】
【発明の効果】上述の如く本発明によれば、次に述べる
種々の効果を実現することができる。請求項１記載の発
明によれば、出力レベル調整のための第１のダイオード
Ｄ３と温度補正のための第２のダイオードＤ２とを設
け、出力レベル調整と温度補正とを分離して行うことに
より、出力レベル調整により、信号出力のレベルを変化
させても、サーミスタ回路による、温度補正が安定的に
かつ精度良く行うことができる。
種々の効果を実現することができる。請求項１記載の発
明によれば、出力レベル調整のための第１のダイオード
Ｄ３と温度補正のための第２のダイオードＤ２とを設
け、出力レベル調整と温度補正とを分離して行うことに
より、出力レベル調整により、信号出力のレベルを変化
させても、サーミスタ回路による、温度補正が安定的に
かつ精度良く行うことができる。
【００２５】請求項２記載の発明によれば、第２のダイ
オードＤ２を送信アンプ１の後段に設けたことにより、
出力アンプ１を含めた温度補正を行うことができる。ま
た、第１のダイオードＤ３と第２のダイオードＤ２を送
信アンプの前段及び後段に設けたことにより、出力レベ
ル調整回路と温度補正回路の回路設計を容易に行うこと
ができる。
オードＤ２を送信アンプ１の後段に設けたことにより、
出力アンプ１を含めた温度補正を行うことができる。ま
た、第１のダイオードＤ３と第２のダイオードＤ２を送
信アンプの前段及び後段に設けたことにより、出力レベ
ル調整回路と温度補正回路の回路設計を容易に行うこと
ができる。
【００２６】請求項３記載の発明によれば、可変抵抗回
路６により、任意に送信出力を調整でき、さらに、サー
ミスタ回路５により、温度による出力レベルの変動を自
動的に補正することができる。請求項４記載の発明によ
れば、ダイオードＤ２、Ｄ３に代えて、印加されるバイ
アスにより電気抵抗の変化する素子を用いることができ
るので、出力回路に応じ、柔軟な回路設計を行うことが
できる。
路６により、任意に送信出力を調整でき、さらに、サー
ミスタ回路５により、温度による出力レベルの変動を自
動的に補正することができる。請求項４記載の発明によ
れば、ダイオードＤ２、Ｄ３に代えて、印加されるバイ
アスにより電気抵抗の変化する素子を用いることができ
るので、出力回路に応じ、柔軟な回路設計を行うことが
できる。
【００２７】また、印加されるバイアスにより電気抵抗
の変化する素子として、増幅機能を有する素子を用いれ
ば、出力アンプ１を省くこともできる。
の変化する素子として、増幅機能を有する素子を用いれ
ば、出力アンプ１を省くこともできる。
【図１】本発明の実施の形態を説明するための図であ
る。
る。
【図２】サーミスタ回路の例を説明するための図であ
る。
る。
【図３】従来例を説明するための図である。
１ 出力アンプ ２ 変調器 ３、５ サーミスタ回路 ４、６ 可変抵抗回路 Ｃ１〜Ｃ６ コンデンサ Ｒ１〜Ｒ６ 抵抗 Ｄ１ 出力レベル調整用及び温度補正用ＰＩＮダイオ
ード Ｄ２ 温度補正用ＰＩＮダイオード Ｄ３ 出力レベル調整用ＰＩＮダイオード
ード Ｄ２ 温度補正用ＰＩＮダイオード Ｄ３ 出力レベル調整用ＰＩＮダイオード
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 田辺 夏彦 神奈川県厚木市酒井1601 ミツミ電機株式 会社厚木事業所内 Ｆターム(参考） 5J090 AA01 AA41 CA02 CA88 CN04 FA10 FA20 FN06 HA19 HA25 HA26 HA29 HA43 HN14 HN20 KA23 SA14 TA01 5K060 BB07 CC11 CC12 HH01 HH03 JJ02 JJ06 KK06 LL02 LL22
Claims (4)
- 【請求項１】 出力レベル調整と温度補正を行う送信出
力回路において、 出力レベル調整のための第１のダイオードと温度補正の
ための第２のダイオードと、 前記第１のダイオードの第１のバイアス回路と前記第２
のダイオードの第２のバイアス回路とを有し、 第１のバイアス回路及び第２のバイアス回路により、第
１のダイオード及び第２のダイオードのバイアス電圧を
制御して出力レベル調整と温度補正とを分離して行うこ
とを特徴とする送信出力回路。 - 【請求項２】 請求項１記載の送信出力回路は、送信信
号を増幅する送信アンプを有し、 前記第１のダイオードを該送信アンプの前段に設け、前
記第２のダイオードを該送信アンプの後段に設けたこと
を特徴とする請求項１記載の送信出力回路。 - 【請求項３】 前記第１のバイアス回路は、可変抵抗回
路を有し、 前記第２のバイアス回路は、サーミスタ回路を有するこ
とを特徴とする請求項１又は２記載の送信出力回路。 - 【請求項４】 請求項１〜３記載の第１のダイオード及
び第２のダイオードに代えて、印加されるバイアスによ
り電気抵抗の変化する素子を用いたことを特徴とする請
求項１ないし３いずれか一項記載の送信出力回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10374546A JP2000196473A (ja) | 1998-12-28 | 1998-12-28 | 送信出力回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10374546A JP2000196473A (ja) | 1998-12-28 | 1998-12-28 | 送信出力回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000196473A true JP2000196473A (ja) | 2000-07-14 |
Family
ID=18504026
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10374546A Pending JP2000196473A (ja) | 1998-12-28 | 1998-12-28 | 送信出力回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000196473A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100481483B1 (ko) * | 2002-11-04 | 2005-04-08 | 엘지전자 주식회사 | 서미스터를 이용한 이동통신 단말기의 송신출력 조절장치 |
| JP2011103524A (ja) * | 2009-11-10 | 2011-05-26 | Sharp Corp | 検波回路、及び、高周波回路 |
-
1998
- 1998-12-28 JP JP10374546A patent/JP2000196473A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100481483B1 (ko) * | 2002-11-04 | 2005-04-08 | 엘지전자 주식회사 | 서미스터를 이용한 이동통신 단말기의 송신출력 조절장치 |
| JP2011103524A (ja) * | 2009-11-10 | 2011-05-26 | Sharp Corp | 検波回路、及び、高周波回路 |
| US8432213B2 (en) | 2009-11-10 | 2013-04-30 | Sharp Kabushiki Kaisha | Wave detector circuit and high-frequency circuit |
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