JP2000195897A - Flux transfer device and its transfer method - Google Patents
Flux transfer device and its transfer methodInfo
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Landscapes
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Abstract
Description
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、バンプが形成され
た半導体チップを基板にボンディングするフリップチッ
プボンダに係わり、特に、バンプにフラックスを転写す
るフラックス転写装置とその転写方法に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a flip chip bonder for bonding a semiconductor chip having bumps formed thereon to a substrate, and more particularly to a flux transfer device for transferring flux to bumps and a method for transferring the same.
【0002】[0002]
【従来の技術】図6は、従来のフラックス転写装置を示
している。2. Description of the Related Art FIG. 6 shows a conventional flux transfer device.
【0003】このフラックス転写装置は、フラックスを
吐出するフラックス供給ノズル11と、この供給ノズル
11から吐出されたフラックスを溜める転写ステージ1
2が設けられる。この転写ステージ12上にフラックス
を均す2本で一対のスキージ23とを有している。この
スキージ23にはフラックスの膜厚を調整する溝23a
が設けられている。また、ボンディングツール14に
は、フラックスを転写される半導体チップ15がバンプ
15aを下向きに吸着されている。This flux transfer device includes a flux supply nozzle 11 for discharging a flux and a transfer stage 1 for storing the flux discharged from the supply nozzle 11.
2 are provided. The transfer stage 12 has a pair of squeegees 23 with two flux levels. The squeegee 23 has a groove 23a for adjusting the film thickness of the flux.
Is provided. Further, the bonding tool 14 has a semiconductor chip 15 to which the flux is to be transferred sucked down the bump 15a.
【0004】図7は、従来のフラックス転写方法を示し
ている。FIG. 7 shows a conventional flux transfer method.
【0005】図7に示すように、まず、フラックス供給
ノズル11からフラックス16が吐出され、このフラッ
クス16は転写ステージ12上に溜められる。次に、転
写ステージ12上で2本のスキージ23を同時に平行に
動かす。これより、フラックス16の膜厚がスキージ2
3の溝23aの深さに対応した厚さとされる。その後、
半導体チップ15を吸着したボンディングツール14を
転写ステージ12に向かって降ろすことにより、半導体
チップ15のバンプ15aがフラックス16の中に浸さ
れ、フラックス16がバンプ15aに転写される。上記
スキージ23の1往復で1回フラックス16がバンプ1
5aに転写される。As shown in FIG. 7, first, a flux 16 is discharged from a flux supply nozzle 11, and the flux 16 is stored on a transfer stage 12. Next, two squeegees 23 are simultaneously moved in parallel on the transfer stage 12. Thus, the thickness of the flux 16 is
The thickness corresponds to the depth of the third groove 23a. afterwards,
By lowering the bonding tool 14 having sucked the semiconductor chip 15 toward the transfer stage 12, the bump 15a of the semiconductor chip 15 is immersed in the flux 16, and the flux 16 is transferred to the bump 15a. One round trip of the squeegee 23 causes the flux 16 to be bump 1
5a.
【0006】[0006]
【発明が解決しようとする課題】ところで、フラックス
16はバンプ15aの先端部分に転写されればよい。こ
のため、転写ステージ12上のフラックス16の膜厚は
それに見合った十分な薄さでよい。しかし、半導体チッ
プ15に設けられたバンプ15aの高さは必ずしも均一
ではなく、十数μm程度のばらつきを有している。従っ
て、転写ステージ12上のフラックス16の膜厚が薄い
場合、バンプ15aに転写されるフラックス16の量が
極めて少なくなったり、転写されない場合がある。その
ため、半田接合がうまくいかず、オープン不良が多発し
てしまうことがある。また、全てのバンプ15aに十分
な量のフラックス16を転写するため、転写ステージ1
2上のフラックス16の膜厚を厚くした場合、フラック
ス16がバンプ15a以外のチップ表面等にまで塗布さ
れるおそれがある。そのため、フラックス16の洗浄の
際に洗浄が十分に行えず製品に悪影響を及ぼすことがあ
る。The flux 16 may be transferred to the tip of the bump 15a. For this reason, the film thickness of the flux 16 on the transfer stage 12 may be sufficiently thin corresponding to it. However, the height of the bumps 15a provided on the semiconductor chip 15 is not always uniform, and has a variation of about ten and several μm. Therefore, when the thickness of the flux 16 on the transfer stage 12 is small, the amount of the flux 16 transferred to the bump 15a may be extremely small or may not be transferred. As a result, the soldering may not be successful and open failures may occur frequently. In order to transfer a sufficient amount of flux 16 to all bumps 15a, the transfer stage 1
If the thickness of the flux 16 on the second layer 2 is increased, the flux 16 may be applied to the chip surface other than the bumps 15a. For this reason, when the flux 16 is washed, the washing may not be sufficiently performed, which may adversely affect the product.
【0007】また、転写ステージ12上のフラックス1
6の膜厚が最適に調整されている場合においても、ボン
ディングツール14とステージ面との平行度に狂いがあ
ると、全てのバンプ15aに適量のフラックス16を転
写することができない。そのため、ボンディングツール
14の交換時にステージ面とボンディングツール14の
面との平行度の調整を行わなければならない。The flux 1 on the transfer stage 12
Even when the film thickness of No. 6 is optimally adjusted, if the parallelism between the bonding tool 14 and the stage surface is not correct, an appropriate amount of flux 16 cannot be transferred to all the bumps 15a. Therefore, when the bonding tool 14 is replaced, the parallelism between the stage surface and the surface of the bonding tool 14 must be adjusted.
【0008】以上のように、従来の転写方法は、半導体
チップのバンプのみに適量のフラックスを転写すること
が非常に困難な方法であった。そのため、製品の品質を
不安定なものにし、歩留まりを落としてしまうという問
題があった。As described above, in the conventional transfer method, it is very difficult to transfer an appropriate amount of flux only to the bumps of the semiconductor chip. Therefore, there has been a problem that the quality of the product becomes unstable and the yield is lowered.
【0009】本発明は上記課題を解決するためになされ
たものであり、その目的とするところは、半導体チップ
のバンプのみに適量のフラックスを転写することを可能
とし、安定した半田接合により歩留まりを向上させるこ
とができるフラックス転写装置とその転写方法を提供す
ることにある。SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above-mentioned problems, and an object of the present invention is to make it possible to transfer an appropriate amount of flux only to bumps of a semiconductor chip, and to improve yield by stable solder bonding. An object of the present invention is to provide a flux transfer device and a transfer method that can be improved.
【0010】[0010]
【課題を解決するための手段】本発明は、前記目的を達
成するために以下に示す手段を用いている。The present invention uses the following means to achieve the above object.
【0011】本発明のフラックス転写装置は、転写ステ
ージにフラックスを供給するフラックス供給部と、前記
転写ステージ上の前記フラックスが表面に付着されるロ
ーラ状の転写器と、前記転写器を前記転写ステージ上及
び半導体チップのバンプ部表面に接して駆動する駆動部
とを有する。A flux transfer device according to the present invention includes a flux supply unit for supplying a flux to a transfer stage, a roller-shaped transfer device on which the flux on the transfer stage is adhered to a surface, and a transfer device configured to transfer the transfer device to the transfer stage. And a driving unit that is driven in contact with the upper part and the surface of the bump part of the semiconductor chip.
【0012】前記転写器はその表面に凹部を有する。The transfer unit has a concave portion on the surface.
【0013】前記転写器はその表面が弾性を有する材質
である。The transfer unit is made of an elastic material.
【0014】本発明のフラックス転写方法は、転写ステ
ージにフラックスを供給する工程と、前記転写ステージ
上の前記フラックスをローラ状の転写器に塗布する工程
と、前記転写器を半導体チップのバンプ部表面に接して
移動し、このバンプ部に前記フラックスを転写する工程
とを含む。According to the flux transfer method of the present invention, there are provided a step of supplying a flux to a transfer stage, a step of applying the flux on the transfer stage to a roller-shaped transfer device, and a step of applying the transfer device to a bump portion surface of a semiconductor chip. And transferring the flux to the bumps.
【0015】前記転写器はその表面に凹部を有する。The transfer unit has a concave portion on the surface.
【0016】前記転写器はその表面が弾性を有する材質
である。The transfer unit is made of a material whose surface has elasticity.
【0017】[0017]
【発明の実施の形態】本発明の実施の形態を以下に図面
を参照して説明する。Embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.
【0018】まず、本発明のフラックス転写装置につい
て図1を参照して説明する。First, the flux transfer device of the present invention will be described with reference to FIG.
【0019】図1において、フラックス供給ノズル11
はフラックスを吐出する。転写ステージ12はこの供給
ノズル11から吐出されたフラックスを溜める。この転
写ステージ12上に転写ローラ13が設けられる。この
転写ローラ13には駆動部19が設けられ、この駆動部
19により転写ローラ13は転写ステージ12の長手方
向、及び転写ステージ12の表面を直交する方向に移動
可能とされている。この転写ローラ13はローラの軸部
13aと軸部13aを覆い表面に凹部を有するクッショ
ン部13bが設けられる。In FIG. 1, a flux supply nozzle 11
Discharges flux. The transfer stage 12 stores the flux discharged from the supply nozzle 11. A transfer roller 13 is provided on the transfer stage 12. The transfer roller 13 is provided with a drive unit 19, which allows the transfer roller 13 to move in the longitudinal direction of the transfer stage 12 and in the direction orthogonal to the surface of the transfer stage 12. The transfer roller 13 is provided with a shaft portion 13a of the roller and a cushion portion 13b which covers the shaft portion 13a and has a concave portion on the surface.
【0020】図2は、転写ローラ13を具体的に示して
いる。クッション部13bの表面には、例えばバンプ1
5aのピッチに対応した間隔で溝状の凹部17が形成さ
れている。これら凹部17の深さはバンプ15aの高さ
より浅く、バンプ15aの先端が入り込む程度とされて
いる。このクッション部13bの材質はフラックス16
に対して耐性を有するものであればよく、例えばゴム材
が適用される。FIG. 2 shows the transfer roller 13 specifically. On the surface of the cushion portion 13b, for example, a bump 1
The groove-shaped concave portions 17 are formed at intervals corresponding to the pitch of 5a. The depth of these recesses 17 is shallower than the height of the bumps 15a, so that the tips of the bumps 15a enter. The material of the cushion portion 13b is flux 16
What is necessary is just to have resistance with respect to, for example, a rubber material is applied.
【0021】また、ボンディングツール14には、フラ
ックス16が転写される半導体チップ15がバンプ15
aを下向きに吸着される。On the bonding tool 14, a semiconductor chip 15 to which a flux 16 is transferred is bumped.
a is adsorbed downward.
【0022】次に、半導体チップのバンプにフラックス
を転写する方法について図3を参照して説明する。Next, a method of transferring flux to bumps of a semiconductor chip will be described with reference to FIG.
【0023】図3に示すように、フラックス供給ノズル
11からフラックス16が吐出され、このフラックス1
6は転写ステージ12上に溜められる。次に、転写ロー
ラ13を転写ステージ12上に沿って移動することによ
り、フラックス16が転写ローラ13のクッション部1
3bに付着される。この際、フラックス16は図2に示
す凹部17内に入り込んでいる。この凹部17内のフラ
ックス16の量はバンプに転写される適量となってい
る。次に、この転写ローラ13がボンディングツール1
4の高さに上昇され、この転写ローラ13がボンディン
グツール14に吸着されている半導体チップ15のバン
プ15aの表面をに接して水平方向に移動される。これ
より、凹部17の適量のフラックス16がバンプ15a
に転写される。As shown in FIG. 3, a flux 16 is discharged from a flux supply nozzle 11 and the flux 16 is discharged.
6 is stored on the transfer stage 12. Next, by moving the transfer roller 13 along the transfer stage 12, the flux 16 is moved to the cushion portion 1 of the transfer roller 13.
3b. At this time, the flux 16 has entered the recess 17 shown in FIG. The amount of the flux 16 in the concave portion 17 is an appropriate amount to be transferred to the bump. Next, the transfer roller 13 is connected to the bonding tool 1.
4, the transfer roller 13 is moved in the horizontal direction while contacting the surface of the bump 15a of the semiconductor chip 15 which is attracted to the bonding tool 14. As a result, an appropriate amount of the flux 16 in the concave portion 17 is removed from the bump 15a.
Is transferred to
【0024】上記実施形態によれば、表面にフラックス
16が付着された転写ローラ13がバンプ15aの表面
に接して回転しながら移動することにより、フラックス
16が各バンプ15aに転写される。このため、従来の
ように、転写ステージ12上でフラックス16の膜厚を
調整する必要がない。According to the above embodiment, the transfer roller 13 having the surface on which the flux 16 is adhered moves while rotating in contact with the surface of the bump 15a, so that the flux 16 is transferred to each bump 15a. For this reason, it is not necessary to adjust the film thickness of the flux 16 on the transfer stage 12 unlike the related art.
【0025】また、転写ローラ13の表面にバンプ15
aの先端が入り込むことができ、適量のフラックス16
を収容することができる凹部17を設けている。このた
め、バンプ15aのみに適量のフラックス16を確実に
転写させることが可能であり、バンプ15a以外の部分
にフラックス16が付着する可能性を非常に低くするこ
とができる。Further, a bump 15 is formed on the surface of the transfer roller 13.
The tip of a can enter and an appropriate amount of flux 16
Is provided. Therefore, an appropriate amount of the flux 16 can be reliably transferred only to the bump 15a, and the possibility that the flux 16 adheres to a portion other than the bump 15a can be extremely reduced.
【0026】また、クッション部13bは変形可能な材
質で形成されているため、クッション部13bは相手の
形状に従って変形する。このため、図4(a)に示すよ
うに、半導体チップ15のバンプ15aの高さにばらつ
きがある場合、図4(b)に示すように、転写ローラ1
3とボンディングツール14の平行度に狂いがある場合
等においても、バンプ15aの高低差を転写ローラ13
のクッション部13bで吸収することができる。そのた
め、上記のような場合にも、図4(c)に示すように、
バンプ15aのみに適量のフラックス16を転写させる
ことができる。Since the cushion portion 13b is formed of a deformable material, the cushion portion 13b is deformed according to the shape of the other party. For this reason, as shown in FIG. 4A, when the height of the bumps 15a of the semiconductor chip 15 varies, as shown in FIG.
3 and the bonding tool 14 are not parallel, the height difference between the bumps 15a
Can be absorbed by the cushion portion 13b. Therefore, even in the case described above, as shown in FIG.
An appropriate amount of the flux 16 can be transferred only to the bump 15a.
【0027】以上より、バンプのみに適量のフラックス
を転写することが可能となるため、安定した半田接合が
実現でき、その結果、製品の品質が安定し、歩留まりを
向上させることができる。As described above, since an appropriate amount of flux can be transferred only to the bump, stable solder bonding can be realized, and as a result, the quality of the product can be stabilized and the yield can be improved.
【0028】尚、本発明は、上記実施形態に限定される
ものではない。The present invention is not limited to the above embodiment.
【0029】上記実施形態では、転写ローラ13の表面
に溝状の凹部17を設けたが、例えば、図5に示すよう
な形状の凹部18としてもよい。また、この凹部18の
平面形状は矩形に限らず円形等であってもよい。また、
クッション部13bがフラックスを十分に付着し、かつ
バンプ15aに応じて十分に変形する材質で形成されて
いる場合、クッション部13bの表面に凹部を有してい
なくてもよい。In the above embodiment, the groove-shaped concave portion 17 is provided on the surface of the transfer roller 13, but may be a concave portion 18 having a shape as shown in FIG. The planar shape of the concave portion 18 is not limited to a rectangle, but may be a circular shape or the like. Also,
When the cushion portion 13b is formed of a material that sufficiently adheres the flux and is sufficiently deformed according to the bump 15a, the surface of the cushion portion 13b may not have a concave portion.
【0030】その他、本発明は、その要旨を逸脱しない
範囲で、種々変形して実施することが可能である。In addition, the present invention can be variously modified and implemented without departing from the gist thereof.
【0031】[0031]
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、半
導体チップのバンプのみに適量のフラックスを転写する
ことを可能とし、安定した半田接合により歩留まりを向
上させることができるフラックス転写装置とその転写方
法を提供できる。As described above, according to the present invention, a flux transfer apparatus and a flux transfer apparatus capable of transferring an appropriate amount of flux only to bumps of a semiconductor chip and improving the yield by stable solder bonding are provided. A transfer method can be provided.
【図1】本発明に係わるフラックスの転写装置の斜視
図。FIG. 1 is a perspective view of a flux transfer device according to the present invention.
【図2】本発明の転写ローラの一例を示す斜視図。FIG. 2 is a perspective view illustrating an example of a transfer roller of the present invention.
【図3】本発明に係わるフラックスの転写装置の動作を
示す概略図。FIG. 3 is a schematic diagram showing the operation of the flux transfer device according to the present invention.
【図4】本発明の転写ローラとバンプの関係を示す側面
図。FIG. 4 is a side view showing a relationship between a transfer roller and a bump according to the present invention.
【図5】本発明の転写ローラの他の例を示す斜視図。FIG. 5 is a perspective view showing another example of the transfer roller of the present invention.
【図6】従来のフラックスの転写装置の斜視図。FIG. 6 is a perspective view of a conventional flux transfer device.
【図7】従来のフラックスの転写装置の動作を示す断面
図。FIG. 7 is a sectional view showing the operation of a conventional flux transfer device.
11…フラックス供給ノズル、 12…転写ステージ、 13…転写ローラ、 13a…軸部、 13b…クッション部、 14…ボンディングツール、 15…半導体チップ、 15a…バンプ、 16…フラックス、 17…凹部、 18…凹部、 19…駆動部。 11: Flux supply nozzle, 12: Transfer stage, 13: Transfer roller, 13a: Shaft, 13b: Cushion, 14: Bonding tool, 15: Semiconductor chip, 15a: Bump, 16: Flux, 17: Recess, 18 ... Recess, 19 ... Drive section.
Claims (6)
ラックス供給部と、 前記転写ステージ上の前記フラックスが表面に付着され
るローラ状の転写器と、 前記転写器を前記転写ステージ上及び半導体チップのバ
ンプ部表面に接して駆動する駆動部とを有することを特
徴とするフラックス転写装置。A flux supply unit for supplying a flux to a transfer stage; a roller-shaped transfer device on which the flux on the transfer stage is adhered to a surface; a bump on the transfer stage and a bump on a semiconductor chip; A flux transfer device comprising: a drive unit configured to drive in contact with a surface of the unit.
とを特徴とする請求項1記載のフラックス転写装置。2. The flux transfer device according to claim 1, wherein the transfer device has a concave portion on a surface thereof.
質であることを特徴とする請求項1又は2記載のフラッ
クス転写装置。3. The flux transfer device according to claim 1, wherein the surface of the transfer device is made of a material having elasticity.
程と、 前記転写ステージ上の前記フラックスをローラ状の転写
器に塗布する工程と、 前記転写器を半導体チップのバンプ部表面に接して移動
し、このバンプ部に前記フラックスを転写する工程とを
含むことを特徴とするフラックス転写方法。A step of supplying a flux to a transfer stage; a step of applying the flux on the transfer stage to a roller-shaped transfer device; and moving the transfer device in contact with a bump portion surface of a semiconductor chip; Transferring the flux to the bumps.
とを特徴とする請求項4記載のフラックス転写方法。5. The flux transfer method according to claim 4, wherein the transfer device has a concave portion on a surface thereof.
質であることを特徴とする請求項4又は5記載のフラッ
クス転写方法。6. The flux transfer method according to claim 4, wherein the surface of the transfer unit is made of a material having elasticity.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP10354367A JP2000195897A (en) | 1998-12-14 | 1998-12-14 | Flux transfer device and its transfer method |
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Publication Number | Publication Date |
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---|---|---|---|
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---|---|
JP (1) | JP2000195897A (en) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2008263039A (en) * | 2007-04-11 | 2008-10-30 | Shinko Electric Ind Co Ltd | Connection material coating apparatus and method of manufacturing semiconductor device |
US7497365B2 (en) | 2005-12-16 | 2009-03-03 | International Business Machines Corporation | Paste coater and PoP automatic mounting apparatus employing the same |
JP2013026261A (en) * | 2011-07-15 | 2013-02-04 | Sony Corp | Mounting device, coating device, mounting method, coating method and program |
-
1998
- 1998-12-14 JP JP10354367A patent/JP2000195897A/en active Pending
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