JP2000194015A - Substrate for liquid crystal panel, liquid crystal panel and electronic apparatus using the panel - Google Patents

Substrate for liquid crystal panel, liquid crystal panel and electronic apparatus using the panel

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JP2000194015A
JP2000194015A JP10373577A JP37357798A JP2000194015A JP 2000194015 A JP2000194015 A JP 2000194015A JP 10373577 A JP10373577 A JP 10373577A JP 37357798 A JP37357798 A JP 37357798A JP 2000194015 A JP2000194015 A JP 2000194015A
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liquid crystal
crystal panel
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pixel
light
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JP10373577A
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Japanese (ja)
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Hirotaka Kawada
浩孝 川田
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Original Assignee
Seiko Epson Corp
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Publication date
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To make it possible to attain the compatibility of a contrast with brightness and to improve a display grade without diminishing an aperture ratio by forming dielectric mirrors consisting of dielectric films on pixel regions. SOLUTION: Insulating films of silicon dioxide, etc., consisting of LTOs are formed between pixel electrodes 213 and common electrodes 215. The surfaces of the insulating films are planarized by a CMP method, etc., and the dielectric films consisting of tantalum petaoxide or titanium dioxide and the dielectric films consisting of silicon dioxide are alternately deposited above the same to form the dielectric mirrors 217. The pixel electrodes 213 and the common electrodes 215 are formed to a rectangular strip-like shape parallel to scanning lines. The pixel electrodes 213 are arranged at the centers of the respective pixel regions and the common electrodes 215 at the peripheral edges of the pixel regions. The electric fields parallel to the substrate are generated between the pixel electrodes 213 and the common electrodes 215 and the occurrence of disclination may be hindered. Further, high reflectivity may be obtained at the dielectric mirrors 217.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、反射型液晶パネル
を構成する反射電極側基板の構造、及びその基板を用い
て構成される液晶パネルに関し、さらにはその液晶パネ
ルを用いた電子機器に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a structure of a reflective electrode side substrate constituting a reflection type liquid crystal panel, a liquid crystal panel using the substrate, and further to an electronic apparatus using the liquid crystal panel.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来、プロジェクタ用ライトバルブ等の
用途に適した超小型高精細アクティブマトリックス液晶
パネルとして、石英基板上にポリシリコンを用いた薄膜
トランジスタ(TFT)を形成し、さらにその上方に画
素電極となる透明電極を形成して構成される透過型液晶
パネルが実用化されている。上記TFTを用いた透過型
液晶パネルでは、各画素に設けられたTFTの領域およ
び前記TFTを駆動するためのゲート電極,ソース・ド
レイン電極を構成する配線領域は、光を透過させる透過
領域とはならないので、パネルの解像度がXGA,SX
GAと上がるにつれ、開口率が小さくなるという致命的
な欠陥を有している。
2. Description of the Related Art Conventionally, a thin film transistor (TFT) using polysilicon has been formed on a quartz substrate as a microminiature high-definition active matrix liquid crystal panel suitable for use as a light valve for a projector, and a pixel electrode has been formed thereon. A transmissive liquid crystal panel configured by forming a transparent electrode as described below has been put to practical use. In a transmissive liquid crystal panel using the above-mentioned TFT, a region of the TFT provided in each pixel and a wiring region forming a gate electrode and a source / drain electrode for driving the TFT are defined as a transmission region through which light is transmitted. The resolution of the panel is XGA, SX
It has a fatal defect that the aperture ratio decreases as the GA increases.

【0003】そこで、透過型アクティブマトリックス液
晶パネルに比べて高開口率化が容易なアクティブマトリ
ックス液晶パネルとして、画素電極を反射電極とし、そ
の下方にトランジスタを構成するようにした反射型アク
ティブマトリックス液晶パネルが提案されている。
Therefore, as an active matrix liquid crystal panel having a higher aperture ratio than a transmissive active matrix liquid crystal panel, a reflection type active matrix liquid crystal panel in which a pixel electrode is a reflection electrode and a transistor is provided below the reflection electrode. Has been proposed.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】液晶を駆動する場合、
電極に交流の電位を与える必要がある。通常アクティブ
マトリクス型の液晶パネルで、スイッチング素子にトラ
ンジスタを用いる場合、素子基板に対向する基板には全
面に共通電極を設けている。そのため、液晶に交流の電
位を与えるためには、素子側の電極の電位を逆位相にす
る反転駆動を行っている。反転駆動を行う際、フリッカ
等を抑えるために走査線あるいは信号線毎に極性を反転
させるライン反転駆動や画素毎に極性を反転させるドッ
ト反転駆動を用いる。上述した反転駆動を行うとライン
毎あるいは画素毎に電極の極性が異なる。図8(a)は
従来の画素構造の表示不良を模式図であり、図8(b)
は図8(a)の断面構造を示す。図中、101は反射電
極であり、102は透明導電膜、103は対向ガラス基
板を示す。図8(a)及び図8(b)に示されるよう
に、従来型の画素構造において、例えばライン反転駆動
では、ひとつの画素に着目した場合、図2に示すような
表示不良部分105では隣接する極性の異なる画素から
の電界の影響を受ける。その結果、図8の表示不良部分
105では液晶104の向きが他の領域と異なるディス
クリネーションが発生し、明るさやコントラストが低下
する.従来の透過型の液晶パネルでは上記のディスクリ
ネーションが発生する領域をブラックストライプ等の遮
光膜を用いて覆い隠していた。
When driving a liquid crystal,
It is necessary to apply an AC potential to the electrodes. When a transistor is used as a switching element in an ordinary active matrix liquid crystal panel, a common electrode is provided on the entire surface of a substrate facing the element substrate. Therefore, in order to apply an AC potential to the liquid crystal, inversion driving is performed in which the potential of the electrode on the element side is reversed. When performing inversion driving, line inversion driving for inverting the polarity for each scanning line or signal line or dot inversion driving for inverting the polarity for each pixel is used to suppress flicker and the like. When the above-described inversion driving is performed, the polarity of the electrode differs for each line or each pixel. FIG. 8A is a schematic diagram showing a display defect of the conventional pixel structure, and FIG.
Shows the cross-sectional structure of FIG. In the figure, 101 is a reflective electrode, 102 is a transparent conductive film, and 103 is a counter glass substrate. As shown in FIGS. 8A and 8B, in a conventional pixel structure, for example, in a line inversion drive, when one pixel is focused on, a defective display portion 105 as shown in FIG. To be affected by electric fields from pixels having different polarities. As a result, disclination in which the orientation of the liquid crystal 104 is different from that of the other areas occurs in the defective display portion 105 in FIG. 8, and the brightness and contrast are reduced. In a conventional transmissive liquid crystal panel, a region where the above-described disclination occurs is covered with a light-shielding film such as a black stripe.

【0005】上記ブラックストライプ等の遮光膜を用い
ると画素領域の開口率が小さくなるため、従来の反射型
アクティブマトリックス液晶パネルでは、本来の反射型
の利点を失うことになる。さらに、開口率の向上と光漏
れによる素子の誤動作を防止するため、隣接する反射電
極の間隔が1マイクロメートル以下と小さくなっている
ので、隣接する画素の影響が強くなる。そのため、従来
の反射型アクティブマトリックス液晶パネルではコント
ラストと明るさを両立することが困難であるという課題
がある。
When a light-shielding film such as the above-mentioned black stripe is used, the aperture ratio of the pixel region becomes small, so that the conventional reflection type active matrix liquid crystal panel loses its original advantage of the reflection type. Further, in order to improve the aperture ratio and prevent malfunction of the element due to light leakage, the distance between adjacent reflective electrodes is reduced to 1 μm or less, so that the influence of adjacent pixels is increased. Therefore, there is a problem that it is difficult to achieve both the contrast and the brightness in the conventional reflective active matrix liquid crystal panel.

【0006】この発明の目的は、開口率を小さくするこ
となく、コントラストと明るさを両立させた表示品位の
高い反射型液晶パネル用の基板および液晶パネルを提供
することにある。
An object of the present invention is to provide a substrate for a reflection type liquid crystal panel and a liquid crystal panel having a high display quality and having both contrast and brightness without reducing the aperture ratio.

【0007】[0007]

【課題を解決するための手段】この発明は、上記目的を
達成するため、請求項1に係わる発明は、単結晶シリコ
ン基板上に少なくとも一対の画素電極と共通電極からな
る画素領域がマトリックス状に形成され、前記各画素電
極に対応してトランジスタが形成され、前記トランジス
タを介して前記画素電極に電圧が印加されるように構成
した液晶パネル用基板であって、前記画素電極と前記共
通電極との間に、前記基板面とほぼ平行に電界を印加
し、電界の強度に応じて前記画素領域の光透過率或いは
反射率を変化させるように配置され、前記画素領域上に
は誘電体膜からなる誘電体ミラーが形成されていること
を特徴とする。
According to the present invention, in order to achieve the above object, according to the first aspect of the present invention, a pixel region comprising at least a pair of pixel electrodes and a common electrode is formed in a matrix on a single crystal silicon substrate. A liquid crystal panel substrate formed such that a transistor is formed corresponding to each of the pixel electrodes, and a voltage is applied to the pixel electrode via the transistor. An electric field is applied substantially parallel to the substrate surface, and arranged so as to change the light transmittance or reflectivity of the pixel region according to the intensity of the electric field. Characterized in that a dielectric mirror is formed.

【0008】このため、隣接する画素からの電界による
影響を妨げることができ、ディスクリネーションの発生
を抑える効果を有する。さらに、誘電体ミラーにより高
い反射率を得ることができ、明るく、コントラストの高
い液晶パネルを作成することができる。
For this reason, the influence of the electric field from the adjacent pixels can be prevented, and the effect of suppressing the occurrence of disclination can be obtained. Furthermore, a high reflectance can be obtained by the dielectric mirror, and a bright and high-contrast liquid crystal panel can be manufactured.

【0009】請求項2に係わる発明は、請求項1記載の
画素領域において、前記画素電極に対して液晶を挟んで
両側に共通電極が配置されてなることを特徴とする。
According to a second aspect of the present invention, in the pixel region according to the first aspect, a common electrode is disposed on both sides of the liquid crystal with respect to the pixel electrode.

【0010】請求項3に係わる発明は、画素領域におい
て、前記各画素電極の同一の向かい合う一組の周縁部に
共通電極が配置されてなることを特徴とする。
According to a third aspect of the present invention, in the pixel region, a common electrode is disposed on a pair of the same peripheral edges of each of the pixel electrodes.

【0011】このため、液晶をライン反転駆動した場合
においても隣接する画素からの電界による影響を妨げる
ことができ、ディスクリネーションの発生を抑える効果
を有する。
For this reason, even when the liquid crystal is line-inverted, the influence of the electric field from the adjacent pixels can be prevented, and the effect of suppressing disclination can be obtained.

【0012】請求項4に係わる発明は、請求項1記載の
誘電体ミラーであって、前記誘電体ミラーは酸化チタン
或いは酸化タンタルの一方の誘電体膜と酸化シリコンの
積層構造からなることを特徴とする。
According to a fourth aspect of the present invention, there is provided the dielectric mirror according to the first aspect, wherein the dielectric mirror has a laminated structure of one dielectric film of titanium oxide or tantalum oxide and silicon oxide. And

【0013】請求項5に係わる発明は、請求項1記載の
誘電体ミラーであって、前記誘電体ミラーは赤色光を選
択的に反射することを特徴とする。
The invention according to claim 5 is the dielectric mirror according to claim 1, wherein the dielectric mirror selectively reflects red light.

【0014】請求項6に係わる発明は、請求項1記載の
誘電体ミラーであって、前記誘電体ミラーは緑色光を選
択的に反射することを特徴とする。
The invention according to claim 6 is the dielectric mirror according to claim 1, wherein the dielectric mirror selectively reflects green light.

【0015】請求項7に係わる発明は、請求項1記載の
誘電体ミラーであって、前記誘電体ミラーは青色光を選
択的に反射することを特徴とする。
The invention according to claim 7 is the dielectric mirror according to claim 1, wherein the dielectric mirror selectively reflects blue light.

【0016】このため、反射するべき光の波長を選択す
ることで誘電体ミラーの構造を最適化でき、高い反射率
を得ることができる効果を有する。
Therefore, the structure of the dielectric mirror can be optimized by selecting the wavelength of the light to be reflected, and there is an effect that a high reflectance can be obtained.

【0017】請求項8に係わる発明は、請求項1〜7記
載の液晶パネル用基板と、入射側の透明基板とが間隙を
有して配置されるとともに、前記液晶パネル用基板と前
記透明基板との間隙内に液晶が挟持されて構成されるこ
とを特徴とする液晶パネルを提供する。
According to an eighth aspect of the present invention, the substrate for a liquid crystal panel according to any one of the first to seventh aspects and the transparent substrate on the incident side are arranged with a gap therebetween, and the substrate for the liquid crystal panel and the transparent substrate are provided. And a liquid crystal panel characterized in that liquid crystal is sandwiched in a gap between the liquid crystal panel and the liquid crystal panel.

【0018】請求項9に係わる発明は、請求項8記載の
液晶パネルを用いた電子機器を提供する。特に、反射型
液晶パネルを表示装置として用いた、内蔵電池により電
源供給される携帯型電子機器(コンピュータ、携帯電
話、液晶テレビ、電子時計、携帯型端末機器など)に用
いると、消費電力の小さい表示装置となるので、電池寿
命を伸ばすことができる。また、反射型液晶パネルをラ
イトバルブとした投射型表示装置に用いると、液晶パネ
ルを高精細化しても高画質が得られる。
According to a ninth aspect of the present invention, there is provided an electronic apparatus using the liquid crystal panel according to the eighth aspect. In particular, when used in portable electronic devices (computers, mobile phones, liquid crystal televisions, electronic watches, portable terminal devices, and the like) using a reflective liquid crystal panel as a display device and powered by a built-in battery, power consumption is small. Since the display device is used, the battery life can be extended. Further, when the liquid crystal panel is used in a projection type display device using a reflection type liquid crystal panel as a light valve, high image quality can be obtained even if the liquid crystal panel is made high definition.

【0019】[0019]

【発明の実施の形態】以下、本発明の好適な実施例を図
面に基づいて説明する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Preferred embodiments of the present invention will be described below with reference to the drawings.

【0020】(本発明の液晶パネル基板の構造の説明)
図1は、本発明の液晶パネルの等価回路図である。マト
リクス状に形成された画素領域は、画素電極213及び
画素電極213を制御するためのスイッチング素子30
とからなり、画像信号が供給されるデータ線207aが
当該スイッチング素子30のソースに電気的接続されて
いる。データ線207aに書き込む画像信号S1、S
2、…、Snは、この順に線順次に供給しても構わない
し、相隣接する複数のデータ線207a同士に対して、
グループ毎に供給するようにしても良い。また、スイッ
チング素子30のゲート電極(走査線)205aにはパ
ルス的に走査信号G1、G2、…、Gmが、この順に線
順次で印加するように構成されている。画素電極213
は、スイッチング素子30のドレインに電気的接続され
ており、スイッチング素子30を一定期間だけそのスイ
ッチを閉じることにより、データ線207aから供給さ
れる画像信号S1、S2、…、Snを所定のタイミング
で書き込む。画素電極213を介して液晶に書き込まれ
た所定レベルの画像信号S1、S2、…、Snは、対向
電極215との間で一定期間保持される。液晶は、印加
される電圧レベルにより分子集合の配向や秩序が変化す
ることにより、光を変調し、階調表示を可能にする。こ
こで、保持された画像信号がリークするのを防ぐため
に、画素電極213と対向電極215との間に形成され
る液晶容量と並列に付加容量70を付加する。これによ
り、保持特性は更に改善され、コントラスト比の高い液
晶装置が実現できる。尚、このように付加容量70を形
成する方法として、容量を形成するための容量配線20
6cを設けてもよい。図2は、本発明を適用した反射型
液晶パネルの反射電極側基板の画素領域の実施例の断面
図を示す。
(Description of the structure of the liquid crystal panel substrate of the present invention)
FIG. 1 is an equivalent circuit diagram of the liquid crystal panel of the present invention. Pixel regions formed in a matrix form include a pixel electrode 213 and a switching element 30 for controlling the pixel electrode 213.
The data line 207a to which the image signal is supplied is electrically connected to the source of the switching element 30. Image signals S1 and S written to data line 207a
, Sn may be supplied line-sequentially in this order, and a plurality of adjacent data lines 207a may be
You may make it supply for every group. The scanning signals G1, G2,..., Gm are applied in a pulsed manner to the gate electrode (scanning line) 205a of the switching element 30 in this order. Pixel electrode 213
Are electrically connected to the drain of the switching element 30. By closing the switch of the switching element 30 for a certain period, the image signals S1, S2,... Write. The image signals S1, S2,..., Sn of a predetermined level written to the liquid crystal via the pixel electrodes 213 are held between the counter electrodes 215 for a certain period. The liquid crystal modulates light by changing the orientation and order of the molecular assembly according to the applied voltage level, thereby enabling gray scale display. Here, in order to prevent the held image signal from leaking, an additional capacitor 70 is added in parallel with the liquid crystal capacitor formed between the pixel electrode 213 and the counter electrode 215. Thereby, the holding characteristics are further improved, and a liquid crystal device having a high contrast ratio can be realized. Incidentally, as a method of forming the additional capacitance 70 as described above, the capacitance wiring 20 for forming the capacitance is used.
6c may be provided. FIG. 2 is a sectional view of an embodiment of a pixel region of a reflective electrode side substrate of a reflective liquid crystal panel to which the present invention is applied.

【0021】本発明における反射電極側基板は図2に示
されるように半導体基板201を用いている。
As shown in FIG. 2, a semiconductor substrate 201 is used as the reflective electrode side substrate in the present invention.

【0022】図2において、201は単結晶シリコンの
ようなP型半導体基板(N型半導体基板でもよい)、2
02はこの半導体基板201の表面に形成され、基板よ
り不純物濃度の高いP型ウェル領域である。ウェル領域
202は、特に限定されないが、例えば768×102
4のような画素の共通ウェル領域として形成され、図4
の液晶パネル平面図に示されるデータ線駆動回路421
や走査線駆動回路422、入力回路423、タイミング
制御回路424等の周辺回路を構成する素子が形成され
る部分のウェル領域とは分離して形成してもよい。
In FIG. 2, reference numeral 201 denotes a P-type semiconductor substrate such as single crystal silicon (an N-type semiconductor substrate may be used);
Reference numeral 02 denotes a P-type well region formed on the surface of the semiconductor substrate 201 and having a higher impurity concentration than the substrate. The well region 202 is not particularly limited.
4 is formed as a common well region of the pixel as shown in FIG.
Data line driving circuit 421 shown in the liquid crystal panel plan view of FIG.
And a well region in which elements constituting peripheral circuits such as the scan line driver circuit 422, the input circuit 423, and the timing control circuit 424 are formed.

【0023】203は半導体基板201の表面に形成さ
れた素子分離用のフィールド酸化膜(いわゆるLOCO
S)である。フィールド酸化膜203は選択熱酸化によ
って形成される。フィールド酸化膜203に開口部が形
成され、この開口部の内側中央に、シリコン基板表面の
熱酸化により形成されるゲート酸化膜214を介してポ
リシリコンまたはメタルシリサイド等からなるゲート電
極205a(走査線)が形成され、このゲート電極20
5aの両側の基板表面にはウエル領域202より高不純
物濃度のN型不純物層(以下、ドーピング層という)か
らなるソース、ドレイン領域206a,206bが形成
され、電界効果トランジスタ(以下、FETという)3
0が構成される。そして、上記ソース、ドレイン領域2
06a、206bの上方には、BPSG(Boron Phosph
orus Silica Grass)膜のような第1層間絶縁膜204
を介して一層目のアルミニウム層からなる第1の導電層
207a,207bが形成され、この第1の導電層20
7aは上記絶縁膜204に形成されたコンタクトホール
を介してソース領域206aと電気的に接続され、デー
タ信号の電圧をソース領域に供給するソース電極(デー
タ線)207aを構成する。第1の導電層207bは上
記絶縁膜204に形成されたコンタクトホールにてドレ
イン領域206bに電気的に接続され、ドレイン電極を
構成する。
Reference numeral 203 denotes a field oxide film for device isolation (so-called LOCO) formed on the surface of the semiconductor substrate 201.
S). Field oxide film 203 is formed by selective thermal oxidation. An opening is formed in the field oxide film 203, and a gate electrode 205a (scanning line) made of polysilicon or metal silicide is formed at the center of the inside of the opening via a gate oxide film 214 formed by thermal oxidation of the surface of the silicon substrate. ) Is formed, and the gate electrode 20 is formed.
On the substrate surface on both sides of 5a, source and drain regions 206a and 206b composed of N-type impurity layers (hereinafter referred to as doping layers) having a higher impurity concentration than the well region 202 are formed, and a field effect transistor (hereinafter referred to as FET) 3 is formed.
0 is configured. Then, the source and drain regions 2
Above 06a and 206b, BPSG (Boron Phosph
orus Silica Grass) First interlayer insulating film 204 such as film
The first conductive layers 207a and 207b formed of the first aluminum layer are formed through the first conductive layer 20.
Reference numeral 7a is electrically connected to the source region 206a through a contact hole formed in the insulating film 204, and forms a source electrode (data line) 207a for supplying a voltage of a data signal to the source region. The first conductive layer 207b is electrically connected to the drain region 206b through a contact hole formed in the insulating film 204, and forms a drain electrode.

【0024】上記ゲート電極(走査線)205aと同一
層からなる付加容量70の上電極205bがゲート酸化
膜214上に形成される。前記付加容量の上電極205
bの下方には、ウエル領域202より高濃度のP型不純
物をドーピングした付加容量の下電極206cが形成さ
れる。上記の構成により付加容量70が形成される。ま
た、前記付加容量の下電極206cは基板電位を与える
配線層としての役割も担う。
An upper electrode 205b of the additional capacitor 70 formed of the same layer as the gate electrode (scanning line) 205a is formed on the gate oxide film 214. Upper electrode 205 of the additional capacitance
Below b, an additional capacitor lower electrode 206c doped with a P-type impurity at a higher concentration than the well region 202 is formed. The additional capacitance 70 is formed by the above configuration. Further, the lower electrode 206c of the additional capacitance also plays a role as a wiring layer for giving a substrate potential.

【0025】上記第1の導電層207a、207bの上
方には、 LTO(Low TemperatureOxide)からなる二
酸化シリコン等の絶縁膜を形成後、SOG(Spin On Gl
ass)からなる平坦化膜を塗布、エッチバックなどの平
坦化処理後、再びLTO等の絶縁膜を形成し第2層間絶
縁膜208とする。この第2層間絶縁膜208上には二
層目のアルミニウム層からなる第2の導電層209a、
209bが形成され、前記第2層間絶縁膜208に形成
したビアホールを介して第2の導電層209bは、第1
の導電層からなるドレイン電極207bと接続する。ま
た、第2の導電層209aは、画素電極間から侵入して
くる光の遮光層として機能する。図には示されないが、
周辺回路部において、第2の導電層を回路の配線として
用いることも可能である。
After an insulating film such as silicon dioxide made of LTO (Low Temperature Oxide) is formed on the first conductive layers 207a and 207b, the SOG (Spin On Gl) is formed.
After a flattening film made of ass) is applied and a flattening process such as etch back is performed, an insulating film such as LTO is formed again to form a second interlayer insulating film 208. On the second interlayer insulating film 208, a second conductive layer 209a made of a second aluminum layer,
209b is formed, and the second conductive layer 209b is connected to the first conductive layer 209b through the via hole formed in the second interlayer insulating film 208.
Is connected to the drain electrode 207b made of a conductive layer. In addition, the second conductive layer 209a functions as a light-blocking layer for light that enters from between pixel electrodes. Although not shown in the figure,
In the peripheral circuit portion, the second conductive layer can be used as a wiring of a circuit.

【0026】上記第2の導電層209a、209bの上
方には窒化シリコン等の耐湿性絶縁膜からなる絶縁膜2
10が形成される。さらにその上方にはLTOからなる
二酸化シリコン等の絶縁膜211を形成し第3層間絶縁
膜とする。前記第3層間膜の表面をCMP(化学的機械
研磨)法等により平坦化する。この第3層間絶縁膜に形
成されたビアホール、第2の導電層209bを介して、
ドレイン電極207bは画素領域にある画素電極213
に電気的に接続される。この画素電極213はアルミニ
ウム及び窒化チタンからなり、その表面での反射率を低
下させている。また、前記画素領域には前記画素電極2
13と同一層のアルミニウム及び窒化チタンからなる共
通電極215が形成される。前記共通電極215は前記
第3層間絶縁膜211に形成されたビアホールを介し
て、上記第2の導電層209aに接続される。前記第2
の導電層209bと画素電極213の接続及び前記第2
の導電層209aと共通電極215の接続は、第3層間
絶縁膜211に開口されたビアホールに接続プラグ21
2をCVD法等で埋め込み形成して行われる。
Above the second conductive layers 209a and 209b, an insulating film 2 made of a moisture-resistant insulating film such as silicon nitride is formed.
10 are formed. Further thereon, an insulating film 211 made of LTO such as silicon dioxide is formed to form a third interlayer insulating film. The surface of the third interlayer film is planarized by a CMP (Chemical Mechanical Polishing) method or the like. Via a via hole formed in the third interlayer insulating film and the second conductive layer 209b,
The drain electrode 207b is a pixel electrode 213 in the pixel region.
Is electrically connected to The pixel electrode 213 is made of aluminum and titanium nitride, and has a low reflectance on its surface. Further, the pixel electrode 2 is provided in the pixel region.
A common electrode 215 made of aluminum and titanium nitride in the same layer as that of No. 13 is formed. The common electrode 215 is connected to the second conductive layer 209a via a via hole formed in the third interlayer insulating film 211. The second
Connection between the conductive layer 209b and the pixel electrode 213 and the second
The connection between the conductive layer 209a and the common electrode 215 is performed by connecting the connection plug 21 to the via hole opened in the third interlayer insulating film 211.
2 is buried by a CVD method or the like.

【0027】上記画素電極213及び共通電極215と
の間にはLTOからなる二酸化シリコン等の絶縁膜21
6を形成する。前記絶縁膜216の表面をCMP法等に
より平坦化する。平坦化した絶縁膜216の上方に、五
酸化タンタルまたは二酸化チタンからなる誘電体膜と二
酸化シリコンからなる誘電体膜をそれぞれ50〜200
ナノメートルの膜厚として5〜10層交互に堆積させ、
誘電体ミラー217を形成する。この膜厚及び層構造を
最適に設計することにより、RGBそれぞれの波長の光
を選択的に効率良く反射させることができる。
An insulating film 21 made of LTO, such as silicon dioxide, is provided between the pixel electrode 213 and the common electrode 215.
6 is formed. The surface of the insulating film 216 is planarized by a CMP method or the like. On the planarized insulating film 216, a dielectric film made of tantalum pentoxide or titanium dioxide and a dielectric film made of silicon dioxide are respectively 50 to 200.
5 to 10 layers alternately deposited as a nanometer film thickness,
The dielectric mirror 217 is formed. By optimally designing the film thickness and the layer structure, light of each wavelength of RGB can be selectively and efficiently reflected.

【0028】図3(a)は画素領域の平面模式図であ
り、図3(b)は断面構造を示す図である。図中の縦方
向に走査線205aが平行に走っており、横方向にはデ
ータ線207aが平行に走っている。尚、走査線205
aとデータ線207aはこの図では省略されている。画
素電極213と共通電極215は走査線(ゲート電極)
205aと平行な短冊状に形成される。また、画素電極
213は各画素領域の中央に、共通電極215は画素領
域の周縁部に配置する。つまり、画素電極213に対し
て液晶を挟んで両側に共通電極215が配置されてい
る。なお、上記の配置は、液晶を駆動する際に走査線毎
に共通電極215の電位を基準としてデータ信号の極性
を反転駆動する場合であり、信号線毎に共通電極215
の電位を基準として反転駆動する際には、画素電極21
3、共通電極215ともに信号線に平行に配置すれば良
い。
FIG. 3A is a schematic plan view of a pixel region, and FIG. 3B is a diagram showing a sectional structure. The scanning line 205a runs parallel to the vertical direction in the figure, and the data line 207a runs parallel to the horizontal direction. The scanning line 205
a and the data line 207a are omitted in this figure. The pixel electrode 213 and the common electrode 215 are scanning lines (gate electrodes).
It is formed in a strip shape parallel to 205a. The pixel electrode 213 is arranged at the center of each pixel region, and the common electrode 215 is arranged at the periphery of the pixel region. That is, the common electrode 215 is disposed on both sides of the liquid crystal with respect to the pixel electrode 213. Note that the above arrangement is for the case where the polarity of the data signal is inverted with respect to the potential of the common electrode 215 for each scanning line when driving the liquid crystal.
When inversion driving is performed with reference to the potential of
3. Both the common electrode 215 may be arranged in parallel with the signal line.

【0029】本実施例によれば、画素電極213と共通
電極215との間には、基板と平行な電界が生じる。ま
た、反転駆動する際に隣接する画素からの電界の影響は
周縁部に配置される共通電極により緩和される。そのた
め、ディスクリネーションの発生を妨げることができる
利点がある。さらに、誘電体ミラーにより高い反射率を
得ることができるため、表示品位の高い反射型液晶パネ
ルを提供することができる。
According to this embodiment, an electric field parallel to the substrate is generated between the pixel electrode 213 and the common electrode 215. In addition, the influence of an electric field from an adjacent pixel during inversion driving is mitigated by the common electrode arranged at the periphery. Therefore, there is an advantage that occurrence of disclination can be prevented. Further, since a high reflectance can be obtained by the dielectric mirror, a reflective liquid crystal panel with high display quality can be provided.

【0030】(本発明の液晶パネルの構造の説明)図4
は上記の実施例を適用した液晶パネル用基板(反射電極
側基板)401の全体の平面図を示す。図5は本発明の
反射型液晶パネルの断面図を示す。
(Explanation of Structure of Liquid Crystal Panel of the Present Invention) FIG.
Shows a plan view of the entire liquid crystal panel substrate (reflective electrode side substrate) 401 to which the above embodiment is applied. FIG. 5 is a sectional view of the reflective liquid crystal panel of the present invention.

【0031】図4、図5に示されるように、反射電極側
基板401の中央部には画素領域420が設けられ、図
1の等価回路図で説明したように画素領域には走査線と
データ線がマトリックス状に配置される。画素領域42
0の周辺領域には、走査線205aに走査信号を供給す
る走査線駆動回路422、データ線207aにデータ信
号を供給するデータ線駆動回路421、パッド領域42
6を介して外部から入力される画像データを取り込む入
力回路423、これらの回路を制御するタイミング制御
回路424等の回路が配置される。反射電極側基板40
1と、ガラスからなる対向基板103とをシール材43
6(実線と一点鎖線で挟まれた領域)より接着固定し、
その間隙に液晶104を封入して液晶パネルが構成され
る。なお、点線にて挟まれた領域425は画素領域周辺
を遮光する遮光膜を示す。
As shown in FIGS. 4 and 5, a pixel area 420 is provided at the center of the reflective electrode side substrate 401, and as described with reference to the equivalent circuit diagram of FIG. The lines are arranged in a matrix. Pixel area 42
In the peripheral region of 0, a scanning line driving circuit 422 for supplying a scanning signal to the scanning line 205a, a data line driving circuit 421 for supplying a data signal to the data line 207a, and a pad region 42
6, an input circuit 423 for taking in image data input from the outside via the circuit 6, and a timing control circuit 424 for controlling these circuits. Reflective electrode side substrate 40
1 and the opposing substrate 103 made of glass
6 (the area between the solid line and the alternate long and short dash line)
The liquid crystal 104 is sealed in the gap to form a liquid crystal panel. Note that a region 425 sandwiched between dotted lines indicates a light-shielding film that shields the periphery of the pixel region.

【0032】この実施例においては、上記遮光膜425
は、図2に示されている画素電極213と同一工程で形
成される第3の導電層で構成され、電源電圧や画像信号
の中心電位あるいはLC共通電極電位等の所定電位が印
加されるように構成されている。遮光膜425に所定の
電位を印加することでフローティングや他の電位である
場合に比べて反射を少なくすることができる。426は
電源電圧を供給するために使用されるパッドもしくは端
子が形成されたパッド領域である。
In this embodiment, the light shielding film 425 is used.
Is formed of a third conductive layer formed in the same step as the pixel electrode 213 shown in FIG. 2 so that a predetermined potential such as a power supply voltage, a central potential of an image signal, or an LC common electrode potential is applied. Is configured. By applying a predetermined potential to the light-shielding film 425, reflection can be reduced as compared with the case where the potential is floating or another potential. Reference numeral 426 denotes a pad region where pads or terminals used to supply a power supply voltage are formed.

【0033】図4、5に示すように、反射側電極用基板
104に対して入射側のガラス基板103が適当な間隔
をおいて配置され、周囲をシール材形成領域436に形
成したシール材で接着された間隙内に周知の誘電率異方
性が正であるネマティック(Nematic)型液晶104な
どが充填されて液晶パネルとして構成されている。上記
ネマティック型液晶104は、基板表面に塗布した配向
膜(図示せず)をラビング処理して画素電極213及び
共通電極215に対して約30度から60度の角度をな
している。画素電極213に電圧を印加すると共通電極
215との間に、反射電極用基板401とほぼ平行な電
界が生じる。この電界に沿って上記ネマティック液晶1
04は向きを変えるため、入射光に対する反射光の偏光
軸の角度は、画素のFETを介して画素電極に印加する
電圧に応じて可変される。なお、外部から信号を入力し
たり、パッド領域426は上記シール材436の外側に
来るようにシール材を設ける位置が設定されている。
As shown in FIGS. 4 and 5, the glass substrate 103 on the incident side is arranged at an appropriate distance from the substrate 104 for the reflective electrode, and the periphery is formed of a sealing material formed in a sealing material forming area 436. A well-known nematic liquid crystal 104 having a positive dielectric anisotropy is filled in the bonded gap to form a liquid crystal panel. The nematic liquid crystal 104 forms an angle of about 30 to 60 degrees with respect to the pixel electrode 213 and the common electrode 215 by rubbing an alignment film (not shown) applied to the substrate surface. When a voltage is applied to the pixel electrode 213, an electric field substantially parallel to the reflective electrode substrate 401 is generated between the pixel electrode 213 and the common electrode 215. The nematic liquid crystal 1 is moved along the electric field.
Since the direction of the light beam 04 changes, the angle of the polarization axis of the reflected light with respect to the incident light is changed according to the voltage applied to the pixel electrode via the FET of the pixel. Note that a position where a sealing material is provided is set such that a signal is input from the outside or the pad region 426 is located outside the sealing material 436.

【0034】(本発明の液晶パネルを用いた電子機器の
説明)次に、本発明の反射型液晶パネルを表示装置とし
て用いた電子機器の例を説明する。
(Description of Electronic Apparatus Using Liquid Crystal Panel of the Present Invention) Next, an example of an electronic apparatus using the reflective liquid crystal panel of the present invention as a display device will be described.

【0035】図7は、本発明の液晶パネルを用いた電子
機器の一例であり、本発明の反射型液晶パネルをライト
バルブとして用いたプロジェクタ(投射型表示装置)の
要部を平面的に見た概略構成図である。この図7は、光
学要素750の中心を通るXZ平面における断面図であ
る。本例のプロジェクタは、システム光軸Lに沿って配
置した光源部700、インテグレータレンズ720、偏
光変換素子730から概略構成される偏光照明装置70
0、偏光照明装置700から出射されたS偏光光束をS
偏光光束反射面741により反射させる偏光ビームスプ
リッタ740、偏光ビームスプリッタ740のS偏光反
射面741から反射された光のうち、青色光(B)の成
分を分離するダイクロイックミラー742、分離された
青色光(B)を青色光を変調する反射型液晶ライトバル
ブ745B、青色光が分離された後の光束のうち赤色光
(R)の成分を反射させて分離するダイクロイックミラ
ー743、分離された赤色光(R)を変調する反射型液
晶ライトバルブ745R、ダイクロイックミラー743
を透過する残りの緑色光(G)を変調する反射型液晶ラ
イトバルブ745G、3つの反射型液晶ライトバルブ7
45R、745G、745Bにて変調された光をダイク
ロイックミラー743,742,偏光ビームスプリッタ
740にて合成し、この合成光をスクリーン760に投
写する投写レンズからなる投写光学系750から構成さ
れている。上記3つの反射型液晶ライトバルブ745
R、745G、745Bには、それぞれ前述の液晶パネ
ルが用いられている。
FIG. 7 shows an example of an electronic apparatus using the liquid crystal panel of the present invention. The main part of a projector (projection display device) using the reflective liquid crystal panel of the present invention as a light valve is viewed in plan. FIG. FIG. 7 is a cross-sectional view in the XZ plane passing through the center of the optical element 750. The projector of the present example is a polarized light illuminating device 70 that is roughly composed of a light source unit 700, an integrator lens 720, and a polarization conversion element 730 arranged along the system optical axis L.
0, the S-polarized light beam emitted from the polarized light
The polarizing beam splitter 740 that reflects the polarized light beam reflecting surface 741, the dichroic mirror 742 that separates the blue light (B) component of the light reflected from the S-polarized reflecting surface 741 of the polarizing beam splitter 740, the separated blue light (B) is a reflection type liquid crystal light valve 745B that modulates blue light, a dichroic mirror 743 that reflects and separates a red light (R) component of a light beam after blue light is separated, and a separated red light ( R) a reflective liquid crystal light valve 745R for modulating R), a dichroic mirror 743
Reflective liquid crystal light valve 745G for modulating the remaining green light (G) passing through the three reflective liquid crystal light valves 7
The light modulated by the 45R, 745G, and 745B is combined by a dichroic mirror 743, 742, and a polarization beam splitter 740, and the projection optical system 750 includes a projection lens that projects the combined light on a screen 760. The above three reflective liquid crystal light valves 745
The above-mentioned liquid crystal panels are used for R, 745G, and 745B, respectively.

【0036】光源部710から出射されたランダムな偏
光光束は、インテグレータレンズ720により複数の中
間光束に分割された後、第2のインテグレータレンズを
光入射側に有する偏光変換素子730により偏光方向が
ほぼ揃った一種類の偏光光束(S偏光光束)に変換され
てから偏光ビームスプリッタ740に至るようになって
いる。偏光変換素子730から出射されたS偏光光束
は、偏光ビームスプリッタ740のS偏光光束反射面7
41によって反射され、反射された光束のうち、青色光
(B)の光束がダイクロイックミラー742の青色光反
射層にて反射され、反射型液晶ライトバルブ745Bに
よって変調される。また、ダイクロイックミラー742
の青色光反射層を透過した光束のうち、赤色光(R)の
光束はダイクロイックミラー743の赤色光反射層にて
反射され、反射型液晶ライトバルブ745Rによって変
調される。一方、ダイクロイックミラー743の赤色光
反射層を透過した緑色光(G)の光束は反射型液晶ライ
トバルブ745Gによって変調される。このようにし
て、それぞれの反射型液晶ライトバルブ745R、74
5G、745Bによって色光の変調が成される。
The randomly polarized light beam emitted from the light source unit 710 is split into a plurality of intermediate light beams by an integrator lens 720, and the polarization direction is substantially changed by a polarization conversion element 730 having a second integrator lens on the light incident side. After being converted into one kind of uniform polarized light beam (S-polarized light beam), the light reaches the polarizing beam splitter 740. The S-polarized light beam emitted from the polarization conversion element 730 is reflected by the S-polarized light beam reflection surface 7 of the polarizing beam splitter 740.
Among the light beams reflected and reflected by 41, the light beam of blue light (B) is reflected by the blue light reflecting layer of the dichroic mirror 742, and is modulated by the reflective liquid crystal light valve 745B. Also, dichroic mirror 742
Among the light beams transmitted through the blue light reflecting layer, the light beam of red light (R) is reflected by the red light reflecting layer of the dichroic mirror 743 and is modulated by the reflective liquid crystal light valve 745R. On the other hand, the light flux of the green light (G) transmitted through the red light reflecting layer of the dichroic mirror 743 is modulated by the reflective liquid crystal light valve 745G. Thus, each of the reflective liquid crystal light valves 745R, 745R,
Modulation of color light is performed by 5G and 745B.

【0037】反射型液晶ライトバルブ745R、745
G、745Bとなる反射型液晶パネルは、誘電率異方性
が正であるネマティック型液晶(液晶分子の長軸が電圧
無印加時にパネル基板に略並行に配向された液晶)を採
用している。上記ネマティック型液晶を採用した場合、
画素電極と、同一画素内の共通電極との間で印加電圧が
液晶のしきい値電圧以下の画素(OFF画素)では、入
射した色光は液晶層により楕円偏光され、反射電極によ
り反射され、液晶層を介して、入射した色光の偏光軸と
ほぼ90度ずれた偏光軸成分の多い楕円偏光に近い状態
の光として反射・出射される。一方、液晶層に電圧印加
された画素(ON画素)では、入射した色光のまま反射
電極に至り、反射されて、入射時と同一の偏光軸のまま
反射・出射される。反射電極に印加された電圧に応じて
液晶分子の配列角度が変化するので、入射光に対する反
射光の偏光軸の角度は、画素のFETを介して反射電極
に印加する電圧に応じて可変される。
Reflection type liquid crystal light valves 745R, 745
The reflective liquid crystal panel G, 745B employs a nematic liquid crystal having a positive dielectric anisotropy (a liquid crystal in which the major axes of liquid crystal molecules are aligned substantially parallel to the panel substrate when no voltage is applied). . When the above nematic liquid crystal is adopted,
In a pixel (OFF pixel) in which the applied voltage between the pixel electrode and the common electrode in the same pixel is equal to or lower than the threshold voltage of the liquid crystal, the incident color light is elliptically polarized by the liquid crystal layer, reflected by the reflective electrode, and reflected by the liquid crystal layer. Through the layer, the light is reflected and emitted as light in a state close to elliptically polarized light having a large polarization axis component substantially shifted by 90 degrees from the polarization axis of the incident color light. On the other hand, in a pixel (ON pixel) applied with a voltage to the liquid crystal layer, the incident color light reaches the reflective electrode as it is, is reflected, and is reflected and emitted with the same polarization axis as that at the time of incidence. Since the alignment angle of the liquid crystal molecules changes according to the voltage applied to the reflective electrode, the angle of the polarization axis of the reflected light with respect to the incident light is changed according to the voltage applied to the reflective electrode via the FET of the pixel. .

【0038】これらの液晶パネルの画素から反射された
色光のうち、S偏光成分はS偏光を反射する偏光ビーム
スプリッタ740を透過せず、一方、P偏光成分は透過
する。この偏光ビームスプリッタ740を透過した光に
より画像が形成される。従って、投写される画像は、O
FF画素の反射光が投写光学系750に至りON画素の
反射光はレンズに至らないのでノーマリーホワイト表示
となる。
Of the color lights reflected from the pixels of the liquid crystal panel, the S-polarized light component does not pass through the polarization beam splitter 740 that reflects the S-polarized light, while the P-polarized light component does. An image is formed by the light transmitted through the polarizing beam splitter 740. Therefore, the projected image is O
The reflected light of the FF pixel reaches the projection optical system 750 and the reflected light of the ON pixel does not reach the lens, so that normally white display is performed.

【0039】反射型液晶パネルは、ガラス基板にTFT
アレーを形成したアクティブマトリクス型液晶パネルに
比べ、半導体技術を利用して画素が形成されるので画素
数をより多く形成でき、且つパネルサイズも小さくでき
るので、高精細な画像を投射できると共に、プロジェク
タを小型化できる。
The reflection type liquid crystal panel uses a TFT on a glass substrate.
Compared to an active matrix type liquid crystal panel having an array, the number of pixels can be formed more by using semiconductor technology, and the panel size can be made smaller, so that a high-definition image can be projected and a projector can be formed. Can be reduced in size.

【0040】図4にて説明したように、液晶パネルの周
辺回路部は遮光膜で覆われ、画素領域の周辺に形成され
る共通電極と共に同じ電位(例えばLC共通電極電位。
但し、LC共通電極電位としない場合には画素部の共通
電極と異なる電位となるので、この場合画素部の共通電
極とは分離された周辺対向電極となる。)が印加される
ので、両者間に介在する液晶にはほぼ0Vが印加され、
液晶はOFF状態と同じになる。従って、液晶パネル
は、ノーマリホワイト表示に合わせて画像領域の周辺が
全て白表示にできる。
As described with reference to FIG. 4, the peripheral circuit portion of the liquid crystal panel is covered with a light-shielding film, and has the same potential as the common electrode formed around the pixel region (for example, the LC common electrode potential).
However, if the potential is not the LC common electrode potential, the potential is different from that of the pixel unit common electrode. In this case, the peripheral common electrode is separated from the pixel unit common electrode. ) Is applied, so that almost 0 V is applied to the liquid crystal interposed between them.
The liquid crystal becomes the same as the OFF state. Therefore, in the liquid crystal panel, the periphery of the image area can be entirely displayed in white in accordance with the normally white display.

【0041】上記実施例に従うと、反射型液晶パネル7
45R、745G、745Bの各画素電極に印加された
電圧が充分に保持されるとともに、画素電極の反射率が
非常に高いため鮮明な画像が得られる。
According to the above embodiment, the reflection type liquid crystal panel 7
The voltage applied to each of the pixel electrodes 45R, 745G, and 745B is sufficiently maintained, and a clear image is obtained because the reflectance of the pixel electrodes is extremely high.

【0042】図7は、それぞれ本発明の反射型液晶パネ
ルを使った電子機器の例を示す外観図である。なお、こ
れらの電子機器では、偏光ビームスプリッタと共に用い
られるライトバルブとしてではなく、直視型の反射型液
晶パネルとして使用されるため、反射電極は完全な鏡面
である必要はなく、視野角を広げるためには、むしろ適
当な凸凹を付けた方が望ましいが、それ以外の構成要件
は、ライトバルブの場合と基本的に同じである。
FIG. 7 is an external view showing an example of an electronic apparatus using the reflection type liquid crystal panel of the present invention. In these electronic devices, the reflective electrode is not required to be a perfect mirror surface, and is not used as a light valve used with a polarizing beam splitter, but as a direct-view reflective liquid crystal panel. It is preferable to provide appropriate irregularities, but the other components are basically the same as those of the light valve.

【0043】図7(a)は携帯電話を示す斜視図であ
る。1000は携帯電話本体を示し、そのうちの100
1は本発明の反射型液晶パネルを用いた液晶表示部であ
る。
FIG. 7A is a perspective view showing a mobile phone. 1000 denotes a mobile phone body, of which 100
Reference numeral 1 denotes a liquid crystal display unit using the reflection type liquid crystal panel of the present invention.

【0044】図7(b)は、腕時計型電子機器を示す図
である。1100は時計本体を示す斜視図である。11
01は本発明の反射型液晶パネルを用いた液晶表示部で
ある。この液晶パネルは、従来の時計表示部に比べて高
精細の画素を有するので、テレビ画像表示も可能とする
ことができ、腕時計型テレビを実現できる。
FIG. 7B is a diagram showing a wristwatch-type electronic device. 1100 is a perspective view showing the watch main body. 11
Reference numeral 01 denotes a liquid crystal display unit using the reflection type liquid crystal panel of the present invention. Since this liquid crystal panel has higher definition pixels than a conventional clock display unit, it can also display television images, and can realize a wristwatch type television.

【0045】図7(c)は、ワープロ、パソコン等の携
帯型情報処理装置を示す図である。1200は情報処理
装置を示し、1202はキーボード等の入力部、120
6は本発明の反射型液晶パネルを用いた表示部、120
4は情報処理装置本体を示す。各々の電子機器は電池に
より駆動される電子機器であるので、光源ランプを持た
ない反射型液晶パネルを使えば、電池寿命を延ばすこと
が出来る。また、本発明のように、周辺回路をパネル基
板に内蔵できるので、部品点数が大幅に減り、より軽量
化・小型化できる。
FIG. 7C is a diagram showing a portable information processing device such as a word processor or a personal computer. 1200 denotes an information processing apparatus, 1202 denotes an input unit such as a keyboard, 120
Reference numeral 6 denotes a display unit using the reflective liquid crystal panel of the present invention;
Reference numeral 4 denotes an information processing apparatus main body. Since each electronic device is a battery-driven electronic device, the use of a reflective liquid crystal panel without a light source lamp can extend the battery life. Further, since the peripheral circuit can be built in the panel substrate as in the present invention, the number of components can be greatly reduced, and the weight and size can be further reduced.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本実施の形態の等価回路図である。FIG. 1 is an equivalent circuit diagram of the present embodiment.

【図2】本実施の形態による反射型液晶パネルの反射電
極側基板の1画素領域の断面図。
FIG. 2 is a cross-sectional view of one pixel region of a reflective electrode side substrate of the reflective liquid crystal panel according to the present embodiment.

【図3】(a)は本実施の形態による反射型液晶パネル
の表示原理を示す画素領域の平面図、(b)は(a)の
断面図。
3A is a plan view of a pixel region showing a display principle of the reflective liquid crystal panel according to the embodiment, and FIG. 3B is a cross-sectional view of FIG.

【図4】本実施の形態による反射型液晶パネルの反射電
極側基板のレイアウト構成例を示す平面図。
FIG. 4 is a plan view showing a layout configuration example of a reflective electrode side substrate of the reflective liquid crystal panel according to the present embodiment.

【図5】本実施の形態による反射型液晶パネル用基板を
適用した反射型液晶パネルの一例を示す断面図。
FIG. 5 is a cross-sectional view illustrating an example of a reflective liquid crystal panel to which the reflective liquid crystal panel substrate according to the present embodiment is applied.

【図6】本実施の形態による反射型液晶パネルをライト
バルブとして応用した投写型表示装置の概略構成図。
FIG. 6 is a schematic configuration diagram of a projection display device in which the reflective liquid crystal panel according to the present embodiment is applied as a light valve.

【図7】本実施の形態による反射型液晶パネルを用いた
携帯電話(a)、腕時計型テレビ(b)、パーソナルコ
ンピュータ(c)の外観図。
FIG. 7 is an external view of a mobile phone (a), a wristwatch-type television (b), and a personal computer (c) using the reflective liquid crystal panel according to the present embodiment.

【図8】(a)は従来の反射型液晶パネルの表示不良の
模式的な平面図、(b)は(a)の断面図。
8A is a schematic plan view of a display failure of a conventional reflective liquid crystal panel, and FIG. 8B is a cross-sectional view of FIG.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

101 反射電極 102 透明電極 103 対向ガラス基板 104 液晶 105 表示不良領域 DESCRIPTION OF SYMBOLS 101 Reflective electrode 102 Transparent electrode 103 Opposite glass substrate 104 Liquid crystal 105 Display failure area

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Fターム(参考) 2H091 FA14Z FD02 GA02 GA13 HA07 LA18 MA07 2H092 JA25 JA29 JA36 JA40 JA44 JA46 JB62 JB66 JB67 KA03 KA18 KB22 KB24 KB25 MA18 MA25 MA27 NA07 PA02 PA06 PA12 QA07 RA05 5C058 AA07 AA09 AB01 EA12 EA13 EA26 EA51 5F083 GA30 JA06 JA35 JA36 JA40 JA56 LA10 MA06 MA19 NA02 ZA30  ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page F term (reference) 2H091 FA14Z FD02 GA02 GA13 HA07 LA18 MA07 2H092 JA25 JA29 JA36 JA40 JA44 JA46 JB62 JB66 JB67 KA03 KA18 KB22 KB24 KB25 MA18 MA25 MA27 NA07 PA02 PA06 PA12 QA07 RA05 5C058 AA07AA12A EA26 EA51 5F083 GA30 JA06 JA35 JA36 JA40 JA56 LA10 MA06 MA19 NA02 ZA30

Claims (9)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 単結晶シリコン基板上に少なくとも一対
の画素電極と共通電極からなる画素領域がマトリックス
状に形成され、前記各画素電極に対応してトランジスタ
が形成され、前記トランジスタを介して前記画素電極に
電圧が印加されるように構成した液晶パネル用基板であ
って、前記画素電極と前記共通電極との間に、前記基板
面とほぼ平行に電界を印加し、電界の強度に応じて前記
画素領域の光透過率或いは反射率を変化させるように配
置され、前記画素領域上には誘電体膜からなる誘電体ミ
ラーが形成されていることを特徴とする液晶パネル用基
板。
1. A pixel region including at least a pair of pixel electrodes and a common electrode is formed in a matrix on a single crystal silicon substrate, and transistors are formed corresponding to the respective pixel electrodes. A liquid crystal panel substrate configured to apply a voltage to an electrode, wherein an electric field is applied between the pixel electrode and the common electrode substantially parallel to the substrate surface, and the electric field is applied in accordance with the intensity of the electric field. A substrate for a liquid crystal panel, wherein the substrate is arranged so as to change the light transmittance or the reflectance of a pixel region, and a dielectric mirror made of a dielectric film is formed on the pixel region.
【請求項2】 請求項1記載の画素領域において、前記
画素電極に対して液晶を挟んで両側に共通電極が配置さ
れてなることを特徴とする液晶パネル用基板。
2. A liquid crystal panel substrate according to claim 1, wherein a common electrode is arranged on both sides of said pixel electrode with liquid crystal interposed therebetween.
【請求項3】 請求項1記載において、前記各画素領域
の同一の向かい合う一組の周縁部に共通電極が配置され
てなることを特徴とする液晶パネル用基板。
3. The substrate for a liquid crystal panel according to claim 1, wherein a common electrode is arranged on a same pair of peripheral portions of each of the pixel regions.
【請求項4】 請求項1記載の誘電体ミラーであって、
前記誘電体ミラーは酸化チタン或いは酸化タンタルの一
方の誘電体膜と酸化シリコンの積層構造からなることを
特徴とする液晶パネル用基板。
4. The dielectric mirror according to claim 1, wherein:
A substrate for a liquid crystal panel, wherein the dielectric mirror has a laminated structure of one dielectric film of titanium oxide or tantalum oxide and silicon oxide.
【請求項5】 請求項1記載の誘電体ミラーであって、
前記誘電体ミラーは赤色光を選択的に反射することを特
徴とする液晶パネル用基板。
5. The dielectric mirror according to claim 1, wherein:
The substrate for a liquid crystal panel, wherein the dielectric mirror selectively reflects red light.
【請求項6】 請求項1記載の誘電体ミラーであって、
前記誘電体ミラーは緑色光を選択的に反射することを特
徴とする液晶パネル用基板。
6. The dielectric mirror according to claim 1, wherein:
The substrate for a liquid crystal panel, wherein the dielectric mirror selectively reflects green light.
【請求項7】 請求項1記載の誘電体ミラーであって、
前記誘電体ミラーは青色光を選択的に反射することを特
徴とする液晶パネル用基板。
7. The dielectric mirror according to claim 1, wherein:
The substrate for a liquid crystal panel, wherein the dielectric mirror selectively reflects blue light.
【請求項8】 請求項1〜7記載の液晶パネル用基板
と、入射側の透明基板とが間隙を有して配置されるとと
もに、前記液晶パネル用基板と前記透明基板との間隙内
に液晶が挟持されて構成されることを特徴とする液晶パ
ネル。
8. The liquid crystal panel substrate according to claim 1 and a transparent substrate on an incident side are arranged with a gap, and a liquid crystal is disposed in a gap between the liquid crystal panel substrate and the transparent substrate. A liquid crystal panel characterized by being sandwiched between the liquid crystal panels.
【請求項9】 請求項8に記載の液晶パネルを用いたこ
とを特徴とする電子機器。
9. An electronic apparatus using the liquid crystal panel according to claim 8.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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EP1166837A2 (en) 2000-06-28 2002-01-02 Konami Corporation Game machine, method of controlling operation of the game machine, and computer readable medium for control thereof
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