JP2000193528A

JP2000193528A - 消光比測定方法および消光比測定装置

Info

Publication number: JP2000193528A
Application number: JP10368003A
Authority: JP
Inventors: Seigo Takahashi; 成五高橋
Original assignee: NEC Corp
Current assignee: NEC Corp
Priority date: 1998-12-24
Filing date: 1998-12-24
Publication date: 2000-07-14

Abstract

(57)【要約】【課題】十数ｄＢ以上の消光比の測定が可能で、光変調
素子が遮断状態から透過状態に遷移する直前、透過状態
から遮断状態へ遷移した直後における消光比の変化を測
定することのできる消光比測定装置を提供する。【解決手段】ＬＤ光源２，７と、温度調節回路６，８
と、ＬＤ光源２から出射されたレーザ光を測定対象であ
る光変調素子１で光変調した変調光とＬＤ光源７から出
射された探測光とを光結合する光カプラ９と、その光結
合された光を検出する光電変換器３と、該光電変換器３
で検出されるビート強度の変化を観測するためのサンプ
リングオシロスコープ４と有する。温度調節回路６，８
は、各ＬＤ光源２，７の発振波長の差が所定範囲になる
ように温度調節を行う。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、光通信分野におい
て用いられる光変調器や光ゲートなどの消光比を測定す
る方法および装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】半導体光アンプ（ＳＯＡ：Semiconducto
r Optical Amplifier）に代表される光ゲート素子、電
界吸収型素子などの変調素子（以下、光変調素子と称
す。）の消光比を測定する方法としては、動的な消光比
測定方法と静的な消光比測定方法がある。動的な消光比
測定方法では、光変調素子に変調信号（変調電圧または
変調電流）を供給した状態で、該光変調素子によって変
調された光をサンプリングオシロスコープを用いて観測
し、その観測波形から消光比変化が測定される。他方、
静的な消光比測定方法では、光変調素子に直流的な電圧
または電流を印加した状態（遮断状態）と無印加状態
（透過状態）の各状態における、光変調素子を透過する
光強度比が求められる。

【０００３】図７は、従来の動的な消光比測定系の概略
構成図である。この消光比測定系は、ＬＤ（レーザダイ
オード）光源１０２から出射された光（連続光）が光変
調素子１０１で光変調され、該変調光が光電変換器１０
３で受光されるようになっている。光変調素子１０１
は、変調信号源１０５から供給される変調信号（変調電
圧または変調電流）に応じて透過状態と遮断状態が繰り
返されるように構成されており、この光変調素子１０１
によって光源１０２から出射された光が周期的に消光さ
れる。光電変換器１０３の出力はサンプリングオシロス
コープ１０４に入力されており、このサンプリングオシ
ロスコープ１０４の画面上の観測波形から、光変調素子
１０１の消光比、さらには透過状態から遮断状態、遮断
状態から透過状態への遷移時間がリニアスケールで測定
される。図７の測定系では、サンプリングオシロスコー
プ上でリニアスケールで測定するため，観測限界は十数
ｄＢ程度になっている。

【０００４】図１０は、従来の静的な消光比測定系の概
略構成図である。この消光比測定系は、ＬＤ光源２０２
から出射された光（連続光）が光変調素子２０１を介し
て光パワーメータ２０３へ入射するようになっている。
光変調素子２０１は、可変直流電源２０４から供給され
る電圧あるいは電流に応じてその透過光強度が変化す
る。この消光比測定系では、可変直流電源２０４の出力
を変化させて、光パワーメータ２０３で測定される光変
調素子２０１の透過光強度変化をプロットすることで、
光変調素子２０１の消光比が求められる。

【０００５】図８は、図１０に示した消光比測定系の光
変調素子に半導体光アンプゲート（ＳＯＡＧ）を用いた
場合の消光比測定結果を示す。この消光比測定結果によ
れば、電流遮断状態（注入電流が０ｍＡ）で、ＳＯＡＧ
により５０ｄＢ以上の消光が得られている。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た従来の消光比測定方法には、以下のような問題があ
る。

【０００７】動的な消光比測定方法においては、光電変
換器とサンプリングオシロスコープにより構成される系
の時間分解能が、光変調素子の透過状態から遮断状態へ
の遷移時間（または、遮断状態から透過状態への遷移時
間）と同等であるため、光変調素子が遮断状態から透過
状態に遷移する直前、透過状態から遮断状態へ遷移した
直後における消光比の変化を測定することはできない。
加えて、サンプリングオシロスコープにおける消光比の
測定はリニアスケールで行われるため、十数ｄＢ以上の
消光比を識別することはできない。このため、以下のよ
うな問題を生じる。

【０００８】光ゲート素子にＳＯＡを用いる応用例とし
て、分配選択型の空間光スイッチがある。このタイプの
光スイッチでは、各光ゲート素子によって分配される光
信号波長が完全に同一の場合に、光ゲート素子の消光比
が不十分であるとクロストークによりビートが発生し、
これにより、光信号の受信感度が劣化し、光ゲート素子
は光スイッチとしての機能を果たさなくなる。電子情報
通信学会（１９９６年）の秋季ソサエティ大会Ｂ−１０
７４（特に図２）に記載された、光ゲート素子の消光比
と受信感度劣化量の検討によれば、図９に示すように、
消光比が４０ｄＢ以下ではクロストークによる大きなビ
ートが発生する可能性がある。このことから、空間光ス
イッチを構成する光ゲート素子の場合、良好な光スイッ
チ機能を得るためには、光ゲート素子の透過と遮断の状
態遷移の直前直後においても４０ｄＢ以上の消光比が要
求されるが、サンプリングオシロスコープを用いた消光
比測定では十数ｄＢ以上の消光比を識別することができ
ないため、十分な消光比測定を行うことができない。

【０００９】上記問題に伴う時間分解能の問題として、
変調信号のリンギングの影響による消光比劣化を測定す
る場合の問題を以下に説明する。

【００１０】図１１は、前述の図７に示した動的な消光
比測定系の光変調素子にＳＯＡＧを用い、ＳＯＡＧが透
過状態から遮断状態へ遷移する間のサンプリングオシロ
スコープで測定された光出力アイパターンで、図１２
は、その測定で光変調素子に供給された変調信号の波形
である。図１２の変調信号波形には、信号の立ち下がり
の終盤にリンギング（矢印Ｃ）が生じており、このリン
ギングが生じた範囲では消光比が劣化している可能性が
あるが、図１１の光出力アイパターンからは、そのリン
ギングの影響（矢印Ｂ）を見極めることはできない。こ
のように、従来の動的な消光比測定系では、光変調素子
が透過状態から遮断状態へ遷移した直後における、リン
ギングによる消光比の変化を測定することはできない。

【００１１】一方、静的な消光比測定方法においては、
４０〜６０ｄＢという非常に高い消光比の測定を行うこ
とができる。しかし、この測定では、単に光変調素子の
透過状態と遮断状態とにおける光強度比が求められるだ
けで、変調光における消光比変化を求めるようにはなっ
ていない。そのため、光変調素子が遮断状態から透過状
態に遷移する直前、透過状態から遮断状態へ遷移した直
後における消光比の変化、例えば上述のリンギングによ
る消光比の変化などを測定することはできない。

【００１２】本発明の目的は、十数ｄＢ以上の消光比の
測定が可能で、光変調素子が遮断状態から透過状態に遷
移する直前、透過状態から遮断状態へ遷移した直後にお
ける消光比の変化を測定することのできる、消光比測定
方法および消光比測定装置を提供することにある。

【００１３】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明の消光比測定方法は、光変調素子で光変調さ
れた変調光に、該変調光との干渉が可能な探測光を加
え、これを光電変換して前記変調光と前記探測光との干
渉により生じるビートを検出し、該ビート強度の変化に
基づいて前記光変調素子の消光比の変化を測定すること
を特徴とする。

【００１４】また、本発明の消光比測定装置は、測定対
象である光変調素子で光変調された変調光と該変調光と
の干渉が可能な探測光とを光結合する光結合手段と、前
記光結合手段で光結合された光を光電変換して前記変調
光と前記探測光との干渉により生じるビートを検出する
光検出手段と、前記光検出手段で検出されるビート強度
の変化を観測するための観測手段とを有し、前記光変調
素子の消光比の変化が前記観測手段で観測されたビート
強度の変化に基づいて測定されることを特徴とする。

【００１５】（作用）光変調素子で光変調された変調光
に、該変調光との干渉が可能な探測光を加えると、干渉
により雑音（ビート）が発生する。このビートは、コヒ
ーレント光を重畳して光電変換した場合（ホモダイン=
広義のヘテロダイン式）に検出される低周波成分であ
り、光検出手段（光電変換器）の応答可能な帯域で検出
することができる。

【００１６】上記のビートは、変調光および探測光のい
ずれかの光強度が小さな場合でも大きなビート強度を得
ることができる。本発明では、探測光は連続光のまま変
調光に加えられているので、ビートは変調光の光強度変
化を反映したものとなっている。よって、ビートの強度
変化を検出することで、変調光の微小な光強度変化を検
出することができる。

【００１７】以上のように、本発明では、光検出手段
（光電変換器）の応答可能な帯域で検出することができ
るビートを測定することで、消光比の変化を測定してい
るので、従来のような観測系（光電変換器およびサンプ
リングオシロスコープ）における時間分解能の問題は生
じない。加えて、ビートを検出することによって消光比
の変化を測定する場合は、変調光を直接測定する場合に
比べて感度が改善されるため、従来測定することができ
なかった十数ｄＢ以上の消光比の測定が可能となる。

【００１８】

【発明の実施の形態】次に、本発明の実施形態について
図面を参照して説明する。

【００１９】（第１の実施形態）図１は、本発明の消光
比測定装置の第１の実施形態を示すブロック図である。
この消光比測定装置は、ＬＤ光源２から出射された光
（連続光）が測定対象である光変調素子１で光変調さ
れ、該変調光とＬＤ光源７からから出射された光（連続
光）とが光カプラ９で光結合され、この光結合された光
が光電変換器３で受光されるようになっている。

【００２０】各ＬＤ光源２，７には、それぞれレーザ発
振を安定化するための温度調節回路６，８が設けられて
いる。これら温度調節回路６，８による温度調節によっ
て、各ＬＤ光源２，７から出射されるレーザ光はほぼ同
じ波長で安定化される。

【００２１】光変調素子１は、変調信号源５から供給さ
れる変調信号（変調電圧または変調電流）に応じて透過
状態と遮断状態が繰り返されるように構成されており、
この光変調素子１によって光源２から出射されたレーザ
光が周期的に消光されて、変調光が生成される。

【００２２】光電変換器３の出力はサンプリングオシロ
スコープ４に入力されており、このサンプリングオシロ
スコープ４の画面上の観測波形から、光変調素子１の消
光比の変化、さらには透過状態から遮断状態、遮断状態
から透過状態への遷移時間がリニアスケールで測定され
る。

【００２３】上述のように構成される本形態の消光比測
定装置では、光変調素子１からの変調光とＬＤ光源７か
ら出射された連続光（以下、探測光という。）とが光カ
プラ９で光結合され、この光結合された光が光電変換器
３で受光される。ここで、各ＬＤ光源２，７から出射さ
れるレーザ光は、それぞれ温度調節回路６，８による波
長制御によってほぼ同じ波長で安定化されているので、
光カプラ９で光結合された変調光と探測光は干渉するこ
とになり、光電変換器３ではその干渉により生じるビー
ト強度が検出される。

【００２４】この光電変換器３によるビート強度の検出
では、各ＬＤ光源２，７から出射されるレーザ光、すな
わち変調光と探測光のコヒーレンシーが十分に高けれ
ば、変調光または探測光のいずれかの光強度が小さな場
合でも、大きなビート強度が得られる。よって、ビート
強度を検出することで、変調光のみを受光してその光強
度を検出する場合に検出不可能であった微小な光強度変
化を検出することができる。本形態では、このビート強
度をサンプリングオシロスコープ４で観測することで、
光変調素子１が遮断状態から透過状態に遷移する直前、
透過状態から遮断状態へ遷移した直後における消光比の
変化を測定する。

【００２５】以上説明した消光比測定装置において、ビ
ート強度を消光比に換算するには、以下のように減衰量
が既知の光減衰器を用いて測定系を校正すればよい。

【００２６】図１の測定系から光変調素子１および変調
信号源５を取り除き、光変調素子１に代えて減衰量が既
知の光減衰器を設ける。この光減衰器を透過する光と探
測光とを光カプラ９で光結合するようにしてそのビート
を観測し、サンプリングオシロスコープ４の観測波形に
おける、光減衰器の減衰量とビート強度の対応関係を求
める。この減衰量とビート強度の対応関係に基づいて、
図１の測定系で観測されたビート強度を消光比に換算す
ることができる。

【００２７】次に、本形態の消光比測定系を用いた具体
的な実施例について説明する。

【００２８】ここでは、光変調素子１として半導体光ア
ンプ（ＳＯＡ）を用い、各ＬＤ光源２，７にＤＦＲ−Ｌ
Ｄを用いる。ＬＤ光源２（ＤＦＲ−ＬＤ）の発振波長
は、温度調節回路６によって１５５２．５２０ｎｍに安
定化され、ＬＤ光源７（ＤＦＲ−ＬＤ）の発振波長は、
ビートを得るために、温度調節回路８によって１５５
２．５２０±０．０８ｎｍに安定化されている。また、
光電変換器３とサンプリングオシロスコープ４の帯域は
１０ＧＨｚまで観測可能である。ここでは、１ｎｍ＝１
２５ＧＨｚとする。

【００２９】ＳＯＡに注入される電流（変調電流）は、
５０ｎｓｅｃ周期で３０ｍＡと０ｍＡが切り替わるよう
になっており、この電流制御により、ＳＯＡでは透過状
態と遮断状態の切り替えが５０ｎｓｅｃ周期で行われ
る。この変調電流の３０ｍＡから０ｍＡへの遷移時間は
２ｎｓｅｃで、この遷移直後に前述の図１５に示したリ
ンギングが生じる。

【００３０】注入電流が３０ｍＡのときのＳＯＡの透過
光の光強度を約０ｄＢｍとし、探測光の光強度を約−５
ｄＢｍとしたときのサンプリングオシロスコープ４の観
測波形を図２に示す。図２中、矢印Ａが図１５の矢印Ｃ
で示されるリンギング部分に相当する。

【００３１】図２から分かるように、リンギング部分で
は、ビート強度が増大し、消光比の劣化が生じている。
このリンギングの影響による消光比劣化は、前述の図１
１に示したように、従来の測定系では観測できない。な
お、本観測例では、０ｍＷ（無光状態）のレベルを観測
波形上で確認するために、ＬＤ光源２に対して１０Ｇｂ
ｓの擬似ランダム信号を用いた強度変調を行っている
が、この強度変調がビートの発生に影響を及ぼすことは
ない。

【００３２】本実施例のように各ＬＤ光源２，７にＤＦ
Ｒ−ＬＤのような狭線幅光源を用いてビートの振幅を観
測する場合は、コヒーレント光通信工学（大越他著、オ
ーム社、１９８９年）の２章のヘテロダイン方式による
受信感度改善（p.p.31〜36）と同様の原理により、変調
光を直接観測する場合と比較して、最大２５ｄＢの感度
改善が可能である。

【００３３】（第２の実施形態）図３は、本発明の消光
比測定装置の第２の実施形態を示すブロック図である。
この消光比測定装置は、ＬＤ光源２から出射されたレー
ザ光（連続光）が光スプリッタ１０で２つに分岐され、
一方の光が光変調素子１で光変調され、該変調光と他方
の光（探測光）とが光カプラ９で光結合され、この光結
合された光が光電変換器３で受光されるようになってい
る。この構成によっても、上述した第１の実施形態の場
合と同様に、ビート強度をサンプリングオシロスコープ
４で観測することで、光変調素子１が遮断状態から透過
状態に遷移する直前、透過状態から遮断状態へ遷移した
直後における消光比の変化を測定することができる。

【００３４】また、本形態においても、減衰量が既知の
光減衰器を用いて校正することで、ビート強度から消光
比を算出することができる。その校正系の一例を図４に
示す。

【００３５】図４において、校正系は、図３に示した測
定系から光変調素子１および変調信号源５を取り除き、
光変調素子１に代えて減衰量が既知の光減衰器１１を設
けた構成となっている。この校正系では、光減衰器１１
を透過する光と探測光とが光カプラ９で光結合されて光
電変換器３で受光される。この状態で、サンプリングオ
シロスコープ４の観測波形における、光減衰器１１の減
衰量とビート強度の対応関係を求める。このようにして
求めた減衰量とビート強度の対応関係に基づいて、上述
の図３に示した測定系で観測されるビート強度から消光
比を算出することができる。

【００３６】以上説明した本実施形態の構成によれば、
変調光および探測光の光源は同一のＬＤ光源であるの
で、上述した第１の実施形態の場合のような、レーザ発
振を安定化させるための温度調節回路は必要なくなる。
また、ＬＤ光源も１つで済む。

【００３７】（第３の実施形態）変調光と探測光を光結
合して光電変換器でビート強度を検出する場合、検出さ
れるビート強度は、変調光と探測光の偏波状態に依存す
る。すなわち、ビート強度は、変調光と探測光の偏波面
の関数になっており、変調光と探測光の互いの偏波面を
整合させることで最大となり、その結果、消光比測定感
度も最大となる。ここでは、このビート強度の偏波依存
性を利用して消光比測定感度を高めた測定系について説
明する。

【００３８】図５は、本発明の消光比測定装置の第３の
実施形態を示すブロック図である。この消光比測定装置
は、探測光の光路中に偏波調節器１２が設けられた以外
は、上述の図３に示した第２の実施形態のものと同様の
構成になっている。

【００３９】本形態の消光比測定装置では、光スプリッ
タ１０で分岐された一方の光（探測光）は偏波調節器１
２でその偏波面方向が光変調素子１を透過した光（変調
光）の偏波面方向と平行になるように調節される。これ
により、変調光と探測光は互いの偏波面方向が平行とな
った状態で光カプラ９で光結合され、光電変換器３では
ビート強度を最大の状態で検出することが可能となる。

【００４０】以上説明した本形態の消光比測定装置にお
いても、減衰量が既知の光減衰器を用いて校正すること
で、ビート強度から消光比を算出することができる。

【００４１】なお、本実施形態では、偏波調節器１２は
探測光側に設けられているが、この偏波調節器１２を光
変調素子１の前段または後段に設けても同様の効果を得
られる。

【００４２】また、本実施形態では、図３の構成に偏波
調節器１２を設けた構成となっているが、図１の構成に
も適用できることはいうまでもない。

【００４３】本実施形態の構成において、偏波調節器１
２に代えて、ＬＤ光のコヒーレンス長と比較して十分に
長い光ファイバ遅延線を用いた構成とすることも可能で
ある。この場合は、光ファイバ遅延線を通すことによ
り、より安定した位相を得られることになり、これによ
り光干渉を安定して発生させることが可能になる。

【００４４】（第４の実施形態）図６は、本発明の消光
比測定装置の第４の実施形態を示すブロック図である。

【００４５】本形態の消光比測定装置は、偏波調節器１
２に代えて偏波スクランブラ１３が設けられた以外は、
上述の図５に示した第３の実施形態のものと同様の構成
になっている。この消光比測定装置では、偏波スクラン
ブラ１３が光スプリッタ１０で分岐された一方の光（探
測光）の偏波を高速かつランダムに変化させることによ
り、上述したビート強度の偏波依存性が平均化され、こ
れにより、安定な消光比観測が可能となる。

【００４６】以上説明した本形態の消光比測定装置にお
いても、減衰量が既知の光減衰器を用いて校正すること
で、ビート強度から消光比を算出することができる。

【００４７】なお、本実施形態では、偏波スクランブラ
１３は探測光側に設けられているが、この偏波スクラン
ブラ１３を光変調素子１の前段または後段に設けても同
様の効果を得られる。

【００４８】また、本実施形態では、図３の構成に偏波
スクランブラ１３を設けた構成となっているが、図１の
構成にも適用できることはいうまでもない。

【００４９】

【発明の効果】以上説明したように、本発明において
は、光電変換器の応答可能な帯域で検出することができ
るビートを測定することで、消光比の変化を測定してい
るので、十分な時間分解能を得ることができる。よっ
て、本発明によれば、従来のリニアスケールの測定系で
は測定困難であった十数ｄＢ以上の消光比の測定、さら
には変調信号のリンギングの影響による消光比劣化の測
定を行うことができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の消光比測定装置の第１の実施形態を示
すブロック図である。

【図２】本発明の第１の実施形態の消光比測定装置のサ
ンプリングオシロスコープの観測波形の一例を示す図で
ある。

【図３】本発明の消光比測定装置の第２の実施形態を示
すブロック図である。

【図４】図３に示した消光比測定装置の校正系の一構成
例を示すブロック図である。

【図５】本発明の消光比測定装置の第３の実施形態を示
すブロック図である。

【図６】本発明の消光比測定装置の第４の実施形態を示
すブロック図である。

【図７】従来の動的な消光比測定系の概略構成を示すブ
ロック図である。

【図８】図７に示した消光比測定系の光変調素子に半導
体光アンプゲートを用いた場合の消光比測定結果を示す
図である。

【図９】半導体光アンプの消光比と受信感度劣化の関係
を示す図である。

【図１０】従来の静的な消光比測定系の概略構成を示す
ブロック図である。

【図１１】図７に示しす動的な消光比測定系の光変調素
子にＳＯＡＧを用いた場合の光出力アイパターンの一例
を示す図である。

【図１２】図１１に示す測定で光変調素子に供給される
変調信号の波形を示す図である。

【符号の説明】

１光変調素子２，７ＬＤ光源３光電変換器４サンプリングオシロスコープ５変調信号源６，８温度調節回路９光カプラ１０光スプリッタ１１光減衰器１２偏波調節器１３偏波スクランブラ

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】光変調素子で光変調された変調光に、該
変調光との干渉が可能な探測光を加え、これを光電変換
して前記変調光と前記探測光との干渉により生じるビー
トを検出し、該ビート強度の変化に基づいて前記光変調
素子の消光比の変化を測定することを特徴とする消光比
測定方法。
【請求項２】請求項１に記載の消光比測定方法におい
て、１つのレーザダイオード光源から出射されたレーザ光を
２つに光分岐し、一方を変調光の生成に用い、他方を探
測光として用いることを特徴とする消光比測定方法。
【請求項３】請求項２に記載の消光比測定方法におい
て、レーザダイオード光源として分布帰還形のレーザダイオ
ード光源を用いることを特徴とする消光比測定方法。
【請求項４】請求項１に記載の消光比測定方法におい
て、第１のレーザダイオード光源から出射されたレーザ光を
変調光の生成に用い、第２のレーザダイオード光源から
出射されたレーザ光を探測光として用いるようにし、前
記第１および第２のレーザダイオード光源の発振波長の
差が所定範囲になるように温度調節を行うことを特徴と
する消光比測定方法。
【請求項５】請求項４に記載の消光比測定方法におい
て、第１および第２のレーザダイオード光源として分布帰還
形のレーザダイオード光源を用いることを特徴とする消
光比測定方法。
【請求項６】請求項１に記載の消光比測定方法におい
て、変調光と探測光の偏波面を整合することを特徴とする消
光比測定方法。
【請求項７】請求項１に記載の消光比測定方法におい
て、変調光および探測光の少なくとも一方の光の偏波をラン
ダムに変化させることを特徴とする消光比測定方法。
【請求項８】請求項１に記載の消光比測定方法におい
て、変調光および探測光の少なくとも一方の光を、該光のコ
ヒーレンス長より長い光ファイバに通すことを特徴とす
る消光比測定方法。
【請求項９】請求項１に記載の消光比測定方法におい
て、前記光変調素子の代わりに減衰量が既知の光減衰器を用
いてビート強度を測定し、該測定結果に基づいて前記光
減衰器の減衰量とビート強度の対応関係を求め、該対応
関係に基づいて、前記光変調素子について観測されるビ
ート強度から消光比を算出することを特徴とする消光比
測定方法。
【請求項１０】測定対象である光変調素子で光変調さ
れた変調光と該変調光との干渉が可能な探測光とを光結
合する光結合手段と、前記光結合手段で光結合された光を光電変換して前記変
調光と前記探測光との干渉により生じるビートを検出す
る光検出手段と、前記光検出手段で検出されるビート強度の変化を観測す
るための観測手段とを有し、前記光変調素子の消光比の変化が前記観測手段で観測さ
れたビート強度の変化に基づいて測定されることを特徴
とする消光比測定装置。
【請求項１１】請求項１０に記載の消光比測定装置に
おいて、レーザダイオード光源と、前記レーザダイオード光源から出射されたレーザ光を２
つに光分岐する光分岐手段とをさらに有し、前記光分岐手段にて光分岐された一方の光が光変調素子
に入射し、他方の光が探測光として光結合手段に入射す
るように構成されたことを特徴とする消光比測定装置。
【請求項１２】請求項１１に記載の消光比測定装置に
おいて、レーザダイオード光源が分布帰還形のレーザダイオード
光源であることを特徴とする消光比測定装置。
【請求項１３】請求項１０に記載の消光比測定装置に
おいて、第１および第２のレーザダイオード光源と、前記第１および第２のレーザダイオード光源の温度をそ
れぞれ調節する第１および第２の温度調節手段とをさら
に有し、前記第１のレーザダイオード光源から出射されたレーザ
光が光変調素子に入射し、前記第２のレーザダイオード
光源から出射されたレーザ光が探測光として光結合手段
に入射するように構成され、前記第１および第２の温度調節手段が、前記第１および
第２のレーザダイオード光源の発振波長の差が所定範囲
になるように温度調節を行うことを特徴とする消光比測
定装置。
【請求項１４】請求項１３に記載の消光比測定装置に
おいて、第１および第２のレーザダイオード光源が分布帰還形の
レーザダイオード光源であることを特徴とする消光比測
定装置。
【請求項１５】請求項１０に記載の消光比測定装置に
おいて、変調光および探測光の少なくとも一方の光の偏波面を調
節する偏波調節手段をさらに有することを特徴とする消
光比測定装置。
【請求項１６】請求項１０に記載の消光比測定装置に
おいて、変調光および探測光の少なくとも一方の光の偏波をラン
ダムに変化させる偏波スクランブラ手段をさらに有する
ことを特徴とする消光比測定装置。
【請求項１７】請求項１０に記載の消光比測定装置に
おいて、変調光および探測光の少なくとも一方の光路中に、その
光のコヒーレンス長より長い光ファイバを設けたことを
特徴とする消光比測定装置。