JP2000192090A - 洗浄用組成物、洗浄方法及び洗浄装置 - Google Patents
洗浄用組成物、洗浄方法及び洗浄装置Info
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- JP2000192090A JP2000192090A JP10370708A JP37070898A JP2000192090A JP 2000192090 A JP2000192090 A JP 2000192090A JP 10370708 A JP10370708 A JP 10370708A JP 37070898 A JP37070898 A JP 37070898A JP 2000192090 A JP2000192090 A JP 2000192090A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 汚れとしての液晶材料を除去するための洗浄
に使用する非引火性、低毒性、地球温暖化への影響が小
さい洗浄用組成物を提供する。 【解決手段】 （ａ）ペルフルオロブチルメチルエーテ
ル及び／又はペルフルオロブチルエチルエーテル、
（ｂ）ｎ−ヘプタン、及び（ｃ）Ｒ1−Ｏ−（ＣＨ2ＣＨ
2Ｏ）2−Ｒ2［Ｒ1は、炭素数１〜４の分枝を有してよい
アルキル基又はアセチル基、Ｒ2は、水素又は炭素数１
〜４の分枝を有してよいアルキル基］で示されるジエチ
レングリコールエーテルを必須成分として含む洗浄用組
成物であって、（ａ）と（ｂ）の重量比（（ａ）／
（ｂ））が、８０／２０〜９７／３であり、（（ａ）＋
（ｂ））と（ｃ）の重量比（（ａ）＋（ｂ））／（ｃ）
が、３０／７０〜７０／３０である洗浄用組成物。
に使用する非引火性、低毒性、地球温暖化への影響が小
さい洗浄用組成物を提供する。 【解決手段】 （ａ）ペルフルオロブチルメチルエーテ
ル及び／又はペルフルオロブチルエチルエーテル、
（ｂ）ｎ−ヘプタン、及び（ｃ）Ｒ1−Ｏ−（ＣＨ2ＣＨ
2Ｏ）2−Ｒ2［Ｒ1は、炭素数１〜４の分枝を有してよい
アルキル基又はアセチル基、Ｒ2は、水素又は炭素数１
〜４の分枝を有してよいアルキル基］で示されるジエチ
レングリコールエーテルを必須成分として含む洗浄用組
成物であって、（ａ）と（ｂ）の重量比（（ａ）／
（ｂ））が、８０／２０〜９７／３であり、（（ａ）＋
（ｂ））と（ｃ）の重量比（（ａ）＋（ｂ））／（ｃ）
が、３０／７０〜７０／３０である洗浄用組成物。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、対象物としての汚
れを有する要素の洗浄に関し、例えば、液晶表示素子の
製造工程において生ずる汚れとしての液晶材料を除去す
るための洗浄に使用する洗浄用組成物及び洗浄方法並び
にそのような組成物を用いてそのような洗浄方法を実施
するために使用できる洗浄装置に関する。
れを有する要素の洗浄に関し、例えば、液晶表示素子の
製造工程において生ずる汚れとしての液晶材料を除去す
るための洗浄に使用する洗浄用組成物及び洗浄方法並び
にそのような組成物を用いてそのような洗浄方法を実施
するために使用できる洗浄装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】液晶表示素子（Liquid Crystal Displa
y：ＬＣＤ）は、低消費電力、省スペース、目に優しい
等の優れた特性を有するフラットパネルディスプレイと
して、時計、電卓、自動車のインパネ、パーソナル・コ
ンピューター、ビデオカメラ、テレビ等のＯＡ機器等の
ディスプレイとして広く利用されている。
y：ＬＣＤ）は、低消費電力、省スペース、目に優しい
等の優れた特性を有するフラットパネルディスプレイと
して、時計、電卓、自動車のインパネ、パーソナル・コ
ンピューター、ビデオカメラ、テレビ等のＯＡ機器等の
ディスプレイとして広く利用されている。
【０００３】ＬＣＤには、ＴＮ（Twisted Nematic）型
ＬＣＤ、ＳＴＮ（Super Twisted Nematic）型ＬＣＤ、
Ｆ・ＳＴＮ（Film Super Twisted Nematic）型ＬＣＤ、
ＦＬＣＤ（Ferroelectric Liquid crystal Display）、
ＡＭ（Active Matrix）ＬＣＤ等の種類があるが、その
製造工程は、一般に、透明電極付きガラス基板を作製す
る基板作製工程、液晶セル組み立て及び液晶材料注入等
から成る液晶セル作製工程ならびに、バックライト取り
付け等から成る液晶モジュール作製工程の三工程から成
る。
ＬＣＤ、ＳＴＮ（Super Twisted Nematic）型ＬＣＤ、
Ｆ・ＳＴＮ（Film Super Twisted Nematic）型ＬＣＤ、
ＦＬＣＤ（Ferroelectric Liquid crystal Display）、
ＡＭ（Active Matrix）ＬＣＤ等の種類があるが、その
製造工程は、一般に、透明電極付きガラス基板を作製す
る基板作製工程、液晶セル組み立て及び液晶材料注入等
から成る液晶セル作製工程ならびに、バックライト取り
付け等から成る液晶モジュール作製工程の三工程から成
る。
【０００４】上述の液晶セル作製工程において、液晶材
料が、組み立てられた液晶表示素子（又は液晶セル）に
封入されるが、この際に液晶材料がこぼれ、液晶表示素
子の外側に付着して汚すことがある。また、液晶材料が
封入された液晶表示素子を切断して大きな液晶表示素子
から多くの小さな液晶表示素子を作成することも行われ
るが、この際にも、液晶材料が洩れ、液晶表示素子の外
側に付着して汚すことがある。汚れとしての液晶材料
は、ＬＣＤの表示性能等の低下を発生させるので、洗浄
して除去することが必要である。ＬＣＤに用いられる液
晶材料は、ＬＣＤの種類、ＬＣＤの用途に応じて適宜選
択され、通常、数種類〜数十種類の化合物が混合されて
いるある種の油脂である。液晶材料は、通常、ビフェニ
ル系、フェニルシクロヘキサン系、シクロヘキシルシク
ロヘキサン系、フェニルピリミジン系等に分類され、さ
らにフッ素系、非フッ素系等にも分類される。
料が、組み立てられた液晶表示素子（又は液晶セル）に
封入されるが、この際に液晶材料がこぼれ、液晶表示素
子の外側に付着して汚すことがある。また、液晶材料が
封入された液晶表示素子を切断して大きな液晶表示素子
から多くの小さな液晶表示素子を作成することも行われ
るが、この際にも、液晶材料が洩れ、液晶表示素子の外
側に付着して汚すことがある。汚れとしての液晶材料
は、ＬＣＤの表示性能等の低下を発生させるので、洗浄
して除去することが必要である。ＬＣＤに用いられる液
晶材料は、ＬＣＤの種類、ＬＣＤの用途に応じて適宜選
択され、通常、数種類〜数十種類の化合物が混合されて
いるある種の油脂である。液晶材料は、通常、ビフェニ
ル系、フェニルシクロヘキサン系、シクロヘキシルシク
ロヘキサン系、フェニルピリミジン系等に分類され、さ
らにフッ素系、非フッ素系等にも分類される。
【０００５】液晶材料を除去するための洗浄に使用する
洗浄用組成物として、従来から、水性溶剤（例えば、中
性、酸性洗浄剤）、石油系溶剤（例えば、パラフィン
系、ナフテン系溶剤）及びハイドロクロロフルオロカー
ボン系溶剤（例えば、ジクロロモノフルオロエタン（Ｈ
ＣＦＣ−１４１ｂ）、ジクロロペンタフルオロプロパン
（ＨＣＦＣ−２２５）等）等が使用されてきた。しか
し、水性溶剤には、すすぎ洗浄が水で行われるのでその
後の乾燥工程が複雑になる、溶剤を含む水の後処理が必
要となる等の問題、石油系溶剤には、引火性、毒性、乾
燥工程が複雑になる等の問題、ハイドロフルオロカーボ
ンには、成層圏のオゾン層破壊や地球温暖化等による、
人類を含む地球上の生態系への重大な悪影響が生じ得る
等という問題が有る。従って、汚れとしての液晶材料を
有する要素の洗浄工程を簡略化でき、非引火性、低毒性
及び地球温暖化への影響が小さい洗浄用組成物が求めら
れている。
洗浄用組成物として、従来から、水性溶剤（例えば、中
性、酸性洗浄剤）、石油系溶剤（例えば、パラフィン
系、ナフテン系溶剤）及びハイドロクロロフルオロカー
ボン系溶剤（例えば、ジクロロモノフルオロエタン（Ｈ
ＣＦＣ−１４１ｂ）、ジクロロペンタフルオロプロパン
（ＨＣＦＣ−２２５）等）等が使用されてきた。しか
し、水性溶剤には、すすぎ洗浄が水で行われるのでその
後の乾燥工程が複雑になる、溶剤を含む水の後処理が必
要となる等の問題、石油系溶剤には、引火性、毒性、乾
燥工程が複雑になる等の問題、ハイドロフルオロカーボ
ンには、成層圏のオゾン層破壊や地球温暖化等による、
人類を含む地球上の生態系への重大な悪影響が生じ得る
等という問題が有る。従って、汚れとしての液晶材料を
有する要素の洗浄工程を簡略化でき、非引火性、低毒性
及び地球温暖化への影響が小さい洗浄用組成物が求めら
れている。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、一般的な洗
浄、例えば、汚れとしての液晶材料を洗浄して除去する
ために使用する非引火性で、低毒性で、地球温暖化への
影響が小さい洗浄用組成物及び洗浄方法並びにそのよう
な組成物を用いてそのような方法を実施するために使用
できる洗浄装置を提供することを目的とする。
浄、例えば、汚れとしての液晶材料を洗浄して除去する
ために使用する非引火性で、低毒性で、地球温暖化への
影響が小さい洗浄用組成物及び洗浄方法並びにそのよう
な組成物を用いてそのような方法を実施するために使用
できる洗浄装置を提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明の１つの要旨によ
れば、 （ａ）式（I）：Ｃ4Ｆ9−Ｏ−ＣnＨ2n+1 ［式（I）において、ｎは、１又は２である。］で示さ
れるペルフルオロブチルアルキルエーテル、 （ｂ）ｎ−ヘプタン、及び （ｃ）式（II）：Ｒ1−Ｏ−（ＣＨ2ＣＨ2Ｏ）2−Ｒ2 ［式（II）において、 Ｒ1は、炭素数１〜４の分枝を有してよいアルキル基又
はアセチル基、 Ｒ2は、水素又は炭素数１〜４の分枝を有してよいアル
キル基である。］で示されるジエチレングリコールエー
テルの３つの成分を必須成分として含む洗浄用組成物で
あって、 （ａ）と（ｂ）の重量比（（ａ）／（ｂ））が、８０／
２０〜９７／３である（（ａ）＋（ｂ））と（ｃ）の重
量比（（ａ）＋（ｂ））／（ｃ）が、３０／７０〜７０
／３０である新規な洗浄用組成物が提供され、これは、
汚れとしての液晶材料を洗浄して除去するために、好適
に用いることができる。
れば、 （ａ）式（I）：Ｃ4Ｆ9−Ｏ−ＣnＨ2n+1 ［式（I）において、ｎは、１又は２である。］で示さ
れるペルフルオロブチルアルキルエーテル、 （ｂ）ｎ−ヘプタン、及び （ｃ）式（II）：Ｒ1−Ｏ−（ＣＨ2ＣＨ2Ｏ）2−Ｒ2 ［式（II）において、 Ｒ1は、炭素数１〜４の分枝を有してよいアルキル基又
はアセチル基、 Ｒ2は、水素又は炭素数１〜４の分枝を有してよいアル
キル基である。］で示されるジエチレングリコールエー
テルの３つの成分を必須成分として含む洗浄用組成物で
あって、 （ａ）と（ｂ）の重量比（（ａ）／（ｂ））が、８０／
２０〜９７／３である（（ａ）＋（ｂ））と（ｃ）の重
量比（（ａ）＋（ｂ））／（ｃ）が、３０／７０〜７０
／３０である新規な洗浄用組成物が提供され、これは、
汚れとしての液晶材料を洗浄して除去するために、好適
に用いることができる。
【０００８】本発明の新規な洗浄用組成物は、３つの成
分を必須成分として含むことを１つの特徴とし、これら
の成分は、本発明の洗浄用組成物中における役割に応じ
て二種類に分けられる。即ち、（（ａ）＋（ｂ））と
（ｃ）の二種類であって、（（ａ）＋（ｂ））は、種々
の液晶材料について適度の洗浄力を有し、引火性が低
く、比較的低沸点ですすぎ性が高く、地球温暖化への影
響が小さいフッ素系溶剤としての役割を果たすと考え
る。一方、（ｃ）は、洗浄力が高いので、幅広い液晶材
料の洗浄に対応できる高い洗浄力を有する洗浄用組成物
を形成する役割を果たすと考える。
分を必須成分として含むことを１つの特徴とし、これら
の成分は、本発明の洗浄用組成物中における役割に応じ
て二種類に分けられる。即ち、（（ａ）＋（ｂ））と
（ｃ）の二種類であって、（（ａ）＋（ｂ））は、種々
の液晶材料について適度の洗浄力を有し、引火性が低
く、比較的低沸点ですすぎ性が高く、地球温暖化への影
響が小さいフッ素系溶剤としての役割を果たすと考え
る。一方、（ｃ）は、洗浄力が高いので、幅広い液晶材
料の洗浄に対応できる高い洗浄力を有する洗浄用組成物
を形成する役割を果たすと考える。
【０００９】なお、（ａ）のみ、（ｂ）のみ、又は
（（ａ）＋（ｂ））のみでは、幅広い液晶材料に対する
洗浄力に不足を生じ得るので好ましくない。また、
（ｃ）のみでは、粘性及び表面張力が高く、引火点も高
く、しかも沸点が高いために、乾燥が困難である。従っ
て、水を用いてすすぐことが必須となるから、さらにそ
の排水処理設備も必要となるという問題がある。さらに
また、（（ａ）＋（ｃ））のみでは、非フッ素系の液晶
材料に対する洗浄力が不足し得るので好ましくない。
（（ａ）＋（ｂ））のみでは、幅広い液晶材料に対する
洗浄力に不足を生じ得るので好ましくない。また、
（ｃ）のみでは、粘性及び表面張力が高く、引火点も高
く、しかも沸点が高いために、乾燥が困難である。従っ
て、水を用いてすすぐことが必須となるから、さらにそ
の排水処理設備も必要となるという問題がある。さらに
また、（（ａ）＋（ｃ））のみでは、非フッ素系の液晶
材料に対する洗浄力が不足し得るので好ましくない。
【００１０】ここで、本発明における「（ａ）ペルフル
オロブチルアルキルエーテル」とは、式（I）：Ｃ4Ｆ9
−Ｏ−ＣnＨ2n+1 ［式（I）において、ｎは、１又は２である。］に示す
化合物の少なくとも１種であって、非引火性で、低毒性
で、低沸点で、地球温暖化への影響が少なく、種々の液
晶材料に対して適度の洗浄力を有する。 （ａ）ペルフルオロブチルアルキルエーテルは、具体的
には、（ａ１）ペルフルオロブチルメチルエーテル（Ｃ
4Ｆ9−Ｏ−ＣＨ3）又は（ａ２）ペルフルオロブチルエ
チルエーテル（Ｃ4Ｆ9−Ｏ−Ｃ2Ｈ5）であって、これら
は、単独又は組み合わせて使用することができる。（ａ
１）の沸点は６０℃であり、（ａ２）の沸点は７８℃で
あるから、両者の沸点は共に、乾燥容易性の観点からは
高すぎず、回収容易性の観点からは低すぎない適度の沸
点である。
オロブチルアルキルエーテル」とは、式（I）：Ｃ4Ｆ9
−Ｏ−ＣnＨ2n+1 ［式（I）において、ｎは、１又は２である。］に示す
化合物の少なくとも１種であって、非引火性で、低毒性
で、低沸点で、地球温暖化への影響が少なく、種々の液
晶材料に対して適度の洗浄力を有する。 （ａ）ペルフルオロブチルアルキルエーテルは、具体的
には、（ａ１）ペルフルオロブチルメチルエーテル（Ｃ
4Ｆ9−Ｏ−ＣＨ3）又は（ａ２）ペルフルオロブチルエ
チルエーテル（Ｃ4Ｆ9−Ｏ−Ｃ2Ｈ5）であって、これら
は、単独又は組み合わせて使用することができる。（ａ
１）の沸点は６０℃であり、（ａ２）の沸点は７８℃で
あるから、両者の沸点は共に、乾燥容易性の観点からは
高すぎず、回収容易性の観点からは低すぎない適度の沸
点である。
【００１１】また、本発明において、「（ｂ）ｎ−ヘプ
タン」とは、通常含有し得る程度の異性体及び／又は不
純物を含有してよいｎ−ヘプタンであって、一般に市販
されているｎ−ヘプタンであってよく、主に脂肪族系の
液晶材料について適度の洗浄力を有する。（ｂ）の沸点
は、９８℃であるから、乾燥容易性の観点からは高すぎ
ず、非引火性及び回収容易性の観点からは低すぎない適
度の沸点といえる。（ａ）と（ｂ）の重量比（（ａ）／
（ｂ））は、８０／２０〜９７／３が好ましく、８５／
１５〜９０／１０がより好ましい。
タン」とは、通常含有し得る程度の異性体及び／又は不
純物を含有してよいｎ−ヘプタンであって、一般に市販
されているｎ−ヘプタンであってよく、主に脂肪族系の
液晶材料について適度の洗浄力を有する。（ｂ）の沸点
は、９８℃であるから、乾燥容易性の観点からは高すぎ
ず、非引火性及び回収容易性の観点からは低すぎない適
度の沸点といえる。（ａ）と（ｂ）の重量比（（ａ）／
（ｂ））は、８０／２０〜９７／３が好ましく、８５／
１５〜９０／１０がより好ましい。
【００１２】なお、（ａ）と（ｂ）は共沸することが知
られており（（ａ１）については特許出願国際公開第Ｗ
Ｏ９６／３６６８９号、（ａ２）については特許出願国
際公開第ＷＯ９６／３６６８８号参照）、後述するよう
に共沸又は共沸様組成物を形成する割合で用いるのが、
特に好ましい。具体的には、（ａ１）と（ｂ）の重量比
（（ａ１）／（ｂ））が、９０／１０で共沸組成物を形
成する（常圧、沸点５８℃）。また、（ａ２）と（ｂ）
の重量比（（ａ２）／（ｂ））が、８５／１５で共沸組
成物を形成する（常圧、沸点７２℃）。ここで、「共沸
様組成物」とは、上述の共沸組成から多少ずれていたと
しても、実質的に共沸組成物として取り扱っても本発明
の実施に際して特に問題が生じない組成物をいう。
られており（（ａ１）については特許出願国際公開第Ｗ
Ｏ９６／３６６８９号、（ａ２）については特許出願国
際公開第ＷＯ９６／３６６８８号参照）、後述するよう
に共沸又は共沸様組成物を形成する割合で用いるのが、
特に好ましい。具体的には、（ａ１）と（ｂ）の重量比
（（ａ１）／（ｂ））が、９０／１０で共沸組成物を形
成する（常圧、沸点５８℃）。また、（ａ２）と（ｂ）
の重量比（（ａ２）／（ｂ））が、８５／１５で共沸組
成物を形成する（常圧、沸点７２℃）。ここで、「共沸
様組成物」とは、上述の共沸組成から多少ずれていたと
しても、実質的に共沸組成物として取り扱っても本発明
の実施に際して特に問題が生じない組成物をいう。
【００１３】さらにまた、本発明における「（ｃ）ジエ
チレングリコールエーテル」とは、 式（II）：Ｒ1−Ｏ−（ＣＨ2ＣＨ2Ｏ）2−Ｒ2 ［式（II）において、Ｒ1は、炭素数１〜４の分枝を有
してよいアルキル基又はアセチル基、Ｒ2は、水素又は
炭素数１〜４の分枝を有してよいアルキル基である。］
に示す化合物の少なくとも１種であって、種々の液晶材
料に対して高い洗浄力を有するので、幅広い液晶材料の
洗浄に対応することができる高い洗浄力を有する洗浄用
組成物を形成できるものをいう。ここで、式（II）にお
いて、炭素数が５以上になると、洗浄力が低下するので
好ましくない。
チレングリコールエーテル」とは、 式（II）：Ｒ1−Ｏ−（ＣＨ2ＣＨ2Ｏ）2−Ｒ2 ［式（II）において、Ｒ1は、炭素数１〜４の分枝を有
してよいアルキル基又はアセチル基、Ｒ2は、水素又は
炭素数１〜４の分枝を有してよいアルキル基である。］
に示す化合物の少なくとも１種であって、種々の液晶材
料に対して高い洗浄力を有するので、幅広い液晶材料の
洗浄に対応することができる高い洗浄力を有する洗浄用
組成物を形成できるものをいう。ここで、式（II）にお
いて、炭素数が５以上になると、洗浄力が低下するので
好ましくない。
【００１４】（ｃ）ジエチレングリコールエーテルは、
具体的には、（ｃ１）ジエチレングリコールエチルエー
テル（Ｃ2Ｈ5−Ｏ−（ＣＨ2ＣＨ2Ｏ）2−Ｈ）、（ｃ
２）ジエチレングリコールジメチルエーテル（ＣＨ3−
Ｏ−（ＣＨ2ＣＨ2Ｏ）2−ＣＨ3）、（ｃ３）ジエチレン
グリコールジ−ｎ−ブチルエーテル（Ｃ4Ｈ9−Ｏ−（Ｃ
Ｈ 2ＣＨ2Ｏ）2−Ｃ4Ｈ9）、（ｃ４）ジエチレングリコ
ール−ｔｅｒｔ−ブチルメチルエーテル（（ＣＨ3）3Ｃ
−Ｏ−（ＣＨ2ＣＨ2Ｏ）2−ＣＨ3）、（ｃ５）ジエチレ
ングリコールエチルアセテート（ＣＨ3ＣＯ−Ｏ−（Ｃ
Ｈ2ＣＨ2Ｏ）2−Ｃ2Ｈ5）、（ｃ６）ジエチレングリコ
ールジエチルエーテル（Ｃ2Ｈ5−Ｏ−（ＣＨ2ＣＨ2Ｏ）
2−Ｃ2Ｈ5）、（ｃ７）ジエチレングリコールジ−ｎ−
プロピルエーテル（Ｃ3Ｈ7−Ｏ−（ＣＨ2ＣＨ2Ｏ）2−
Ｃ3Ｈ7）、及び（ｃ８）ジエチレングリコールジ−ｔｅ
ｒｔ−ブチルエーテル（（ＣＨ3）3Ｃ−Ｏ−（ＣＨ2Ｃ
Ｈ2Ｏ）2−Ｃ（ＣＨ3）3）が、好ましく、これらは、単
独又は組み合わせて使用することができる。なお、（ｃ
１）の沸点は２０２℃、（ｃ２）の沸点は、１６２℃、
（ｃ３）の沸点は２５６℃、（ｃ４）の沸点は２３１
℃、（ｃ５）の沸点は２１８℃、（ｃ６）の沸点は、１
８６〜１８７℃、（ｃ７）の沸点は２１９〜２３０℃、
（ｃ８）の沸点は８２℃（圧力は３torr）である。
具体的には、（ｃ１）ジエチレングリコールエチルエー
テル（Ｃ2Ｈ5−Ｏ−（ＣＨ2ＣＨ2Ｏ）2−Ｈ）、（ｃ
２）ジエチレングリコールジメチルエーテル（ＣＨ3−
Ｏ−（ＣＨ2ＣＨ2Ｏ）2−ＣＨ3）、（ｃ３）ジエチレン
グリコールジ−ｎ−ブチルエーテル（Ｃ4Ｈ9−Ｏ−（Ｃ
Ｈ 2ＣＨ2Ｏ）2−Ｃ4Ｈ9）、（ｃ４）ジエチレングリコ
ール−ｔｅｒｔ−ブチルメチルエーテル（（ＣＨ3）3Ｃ
−Ｏ−（ＣＨ2ＣＨ2Ｏ）2−ＣＨ3）、（ｃ５）ジエチレ
ングリコールエチルアセテート（ＣＨ3ＣＯ−Ｏ−（Ｃ
Ｈ2ＣＨ2Ｏ）2−Ｃ2Ｈ5）、（ｃ６）ジエチレングリコ
ールジエチルエーテル（Ｃ2Ｈ5−Ｏ−（ＣＨ2ＣＨ2Ｏ）
2−Ｃ2Ｈ5）、（ｃ７）ジエチレングリコールジ−ｎ−
プロピルエーテル（Ｃ3Ｈ7−Ｏ−（ＣＨ2ＣＨ2Ｏ）2−
Ｃ3Ｈ7）、及び（ｃ８）ジエチレングリコールジ−ｔｅ
ｒｔ−ブチルエーテル（（ＣＨ3）3Ｃ−Ｏ−（ＣＨ2Ｃ
Ｈ2Ｏ）2−Ｃ（ＣＨ3）3）が、好ましく、これらは、単
独又は組み合わせて使用することができる。なお、（ｃ
１）の沸点は２０２℃、（ｃ２）の沸点は、１６２℃、
（ｃ３）の沸点は２５６℃、（ｃ４）の沸点は２３１
℃、（ｃ５）の沸点は２１８℃、（ｃ６）の沸点は、１
８６〜１８７℃、（ｃ７）の沸点は２１９〜２３０℃、
（ｃ８）の沸点は８２℃（圧力は３torr）である。
【００１５】（（ａ）＋（ｂ））と（ｃ）の重量比
（（ａ）＋（ｂ））／（ｃ））は、すすぎ性の観点から
は比が大きい方が好ましいが、（ｂ）の増加は燃焼性を
増加させる点、また、幅広い液晶材料への洗浄力の観点
からは比が小さい方が好ましく、従って、重量比は、上
述のように通常３０／７０〜７０／３０であるが、４０
／６０〜６０／４０がより好ましい。
（（ａ）＋（ｂ））／（ｃ））は、すすぎ性の観点から
は比が大きい方が好ましいが、（ｂ）の増加は燃焼性を
増加させる点、また、幅広い液晶材料への洗浄力の観点
からは比が小さい方が好ましく、従って、重量比は、上
述のように通常３０／７０〜７０／３０であるが、４０
／６０〜６０／４０がより好ましい。
【００１６】また、（ａ）が（ａ１）ペルフルオロブチ
ルメチルエーテルであるとき、（ｃ）は特に、（ｃ１）
ジエチレングリコールエチルエーテル、（ｃ２）ジエチ
レングリコールジメチルエーテル、及び（ｃ５）ジエチ
レングリコールエチルアセテートから成る群から選ばれ
る少なくとも１種であることが好ましい。一方、（ａ）
が（ａ２）ペルフルオロブチルエチルエーテルであると
き、（ｃ）は特に、（ｃ３）ジエチレングリコールジ−
ｎ−ブチルエーテル、及び（ｃ４）ジエチレングリコー
ル−ｔｅｒｔ−ブチルメチルエーテルから成る群から選
ばれる少なくとも１種であるのが好ましい。
ルメチルエーテルであるとき、（ｃ）は特に、（ｃ１）
ジエチレングリコールエチルエーテル、（ｃ２）ジエチ
レングリコールジメチルエーテル、及び（ｃ５）ジエチ
レングリコールエチルアセテートから成る群から選ばれ
る少なくとも１種であることが好ましい。一方、（ａ）
が（ａ２）ペルフルオロブチルエチルエーテルであると
き、（ｃ）は特に、（ｃ３）ジエチレングリコールジ−
ｎ−ブチルエーテル、及び（ｃ４）ジエチレングリコー
ル−ｔｅｒｔ−ブチルメチルエーテルから成る群から選
ばれる少なくとも１種であるのが好ましい。
【００１７】また、本発明の別の要旨によれば、上述の
液体の洗浄用組成物中に、汚れが付着した要素を入れて
浸漬洗浄して、汚れを除去する洗浄方法を提供し、特
に、汚れとしての液晶材料が付着した液晶表示素子を洗
浄して、汚れとしての液晶材料を除去するための洗浄方
法として好適である。ここで、「浸漬洗浄」とは、汚れ
が付着した要素を液体の洗浄用組成物に投入して、汚れ
を組成物中に溶解させる洗浄方法であって、浸漬中に洗
浄を促進する手段を併用してよく、それによって種々の
方法に分類される。例えば、要素を洗浄用組成物中に浸
漬するだけの単純浸漬法、要素を洗浄用組成物中におい
て揺り動かす揺動浸漬法、洗浄用組成物を加熱する加熱
浸漬法、洗浄用組成物を沸騰させる沸騰浸漬法、要素に
超音波を照射する超音波照射法等を例示することがで
き、特に、沸騰浸漬法及び超音波照射法が好ましい。こ
れらの方法は、単独又は組み合わせて使用することがで
きる。
液体の洗浄用組成物中に、汚れが付着した要素を入れて
浸漬洗浄して、汚れを除去する洗浄方法を提供し、特
に、汚れとしての液晶材料が付着した液晶表示素子を洗
浄して、汚れとしての液晶材料を除去するための洗浄方
法として好適である。ここで、「浸漬洗浄」とは、汚れ
が付着した要素を液体の洗浄用組成物に投入して、汚れ
を組成物中に溶解させる洗浄方法であって、浸漬中に洗
浄を促進する手段を併用してよく、それによって種々の
方法に分類される。例えば、要素を洗浄用組成物中に浸
漬するだけの単純浸漬法、要素を洗浄用組成物中におい
て揺り動かす揺動浸漬法、洗浄用組成物を加熱する加熱
浸漬法、洗浄用組成物を沸騰させる沸騰浸漬法、要素に
超音波を照射する超音波照射法等を例示することがで
き、特に、沸騰浸漬法及び超音波照射法が好ましい。こ
れらの方法は、単独又は組み合わせて使用することがで
きる。
【００１８】さらに、本発明の洗浄方法の一の態様にお
いては、上述の浸漬洗浄後に、要素を取り出して、好ま
しくは十分に液を切った後、（ａ）及び（ｂ）から実質
的に構成される液体のすすぎ用組成物によってすすぎ洗
浄する。ここで、「すすぎ洗浄」とは、上述の浸漬洗浄
によって汚れが除去された要素を、低沸点の（ａ）及び
（ｂ）から実質的に構成される液体のすすぎ用組成物の
中に入れて、浸漬して微量残る汚れをすすぎ用組成物に
溶解することにより洗浄することをいう。上述の浸漬洗
浄によっても残留し得る汚れ成分及び洗浄用組成物中の
沸点が高く乾燥性が低い要素に同伴する微量の（ｃ）
を、除去することを主たる目的とする。ここで「すすぎ
洗浄」には、上述の浸漬洗浄において用いられる洗浄を
促進する手段を必要に応じて同様に用いることができ
る。
いては、上述の浸漬洗浄後に、要素を取り出して、好ま
しくは十分に液を切った後、（ａ）及び（ｂ）から実質
的に構成される液体のすすぎ用組成物によってすすぎ洗
浄する。ここで、「すすぎ洗浄」とは、上述の浸漬洗浄
によって汚れが除去された要素を、低沸点の（ａ）及び
（ｂ）から実質的に構成される液体のすすぎ用組成物の
中に入れて、浸漬して微量残る汚れをすすぎ用組成物に
溶解することにより洗浄することをいう。上述の浸漬洗
浄によっても残留し得る汚れ成分及び洗浄用組成物中の
沸点が高く乾燥性が低い要素に同伴する微量の（ｃ）
を、除去することを主たる目的とする。ここで「すすぎ
洗浄」には、上述の浸漬洗浄において用いられる洗浄を
促進する手段を必要に応じて同様に用いることができ
る。
【００１９】さらにまた、本発明の洗浄方法の別の態様
においては、上述のすすぎ洗浄後に、要素を取り出し
て、好ましくは十分に液を切った後、（ａ）及び（ｂ）
から実質的に構成される蒸気によって蒸気洗浄する。こ
こで、「蒸気洗浄」とは、すすぎ洗浄された要素を、
（ａ）及び（ｂ）から実質的に構成される蒸気を含む雰
囲気の蒸気空間内に配置して、（ａ）及び（ｂ）から実
質的に構成される蒸気が要素の表面において凝縮してそ
れが要素の表面の汚れを溶解して除去することを利用す
る洗浄方法をいう。この蒸気洗浄方法を用いることによ
って、上述の浸漬洗浄及びすすぎ洗浄によっても要素の
表面にごく微量残留し得る汚れ成分及び洗浄用組成物中
の（ｃ）を除去することができる。蒸気洗浄後に要素を
取り出すと、（ａ）及び（ｂ）は比較的沸点が低いので
自然に蒸発させることができる。また、積極的に乾燥さ
せるための乾燥手段、例えば、要素自体の加熱、加熱乾
燥空気の流通等を用いて、要素を乾燥してもよい。
においては、上述のすすぎ洗浄後に、要素を取り出し
て、好ましくは十分に液を切った後、（ａ）及び（ｂ）
から実質的に構成される蒸気によって蒸気洗浄する。こ
こで、「蒸気洗浄」とは、すすぎ洗浄された要素を、
（ａ）及び（ｂ）から実質的に構成される蒸気を含む雰
囲気の蒸気空間内に配置して、（ａ）及び（ｂ）から実
質的に構成される蒸気が要素の表面において凝縮してそ
れが要素の表面の汚れを溶解して除去することを利用す
る洗浄方法をいう。この蒸気洗浄方法を用いることによ
って、上述の浸漬洗浄及びすすぎ洗浄によっても要素の
表面にごく微量残留し得る汚れ成分及び洗浄用組成物中
の（ｃ）を除去することができる。蒸気洗浄後に要素を
取り出すと、（ａ）及び（ｂ）は比較的沸点が低いので
自然に蒸発させることができる。また、積極的に乾燥さ
せるための乾燥手段、例えば、要素自体の加熱、加熱乾
燥空気の流通等を用いて、要素を乾燥してもよい。
【００２０】さらに、本発明の他の要旨としては、上述
の液体の洗浄用組成物を加える洗浄槽、（ａ）及び
（ｂ）から実質的に構成される液体のすすぎ用組成物を
加えるすすぎ槽、及び洗浄槽の上方に位置する蒸気空間
を有する洗浄装置であって、洗浄槽は、上述の液体の洗
浄用組成物を加熱して、（ａ）及び（ｂ）から実質的に
構成される蒸気を洗浄槽の上部に位置する蒸気空間内に
蒸発せしめる加熱手段を有し、蒸気空間は、洗浄槽から
蒸発した実質的に（ａ）及び（ｂ）から構成される蒸気
を凝縮させる冷却手段をその上部に有し、凝縮物を少な
くともすすぎ槽に還流せしめ、すすぎ槽は、蒸気空間か
らすすぎ槽に凝縮物を還流することによって、すすぎ槽
に対して過剰となる量の液体をすすぎ槽から洗浄槽に送
る手段を有する洗浄装置を提供し、特に、この洗浄装置
は、汚れとしての液晶材料を有する要素、例えば、液晶
表示素子を洗浄するために用いる洗浄装置として好適で
ある。なお、蒸気空間の冷却手段は、蒸気洗浄を実施す
るために要素を配置する位置より高い位置に設ける。ま
た、蒸気洗浄後に要素を乾燥するための乾燥手段を、冷
却手段より上方に設けてもよい。別の態様においては、
洗浄装置から独立した箇所にて乾燥してもよい。
の液体の洗浄用組成物を加える洗浄槽、（ａ）及び
（ｂ）から実質的に構成される液体のすすぎ用組成物を
加えるすすぎ槽、及び洗浄槽の上方に位置する蒸気空間
を有する洗浄装置であって、洗浄槽は、上述の液体の洗
浄用組成物を加熱して、（ａ）及び（ｂ）から実質的に
構成される蒸気を洗浄槽の上部に位置する蒸気空間内に
蒸発せしめる加熱手段を有し、蒸気空間は、洗浄槽から
蒸発した実質的に（ａ）及び（ｂ）から構成される蒸気
を凝縮させる冷却手段をその上部に有し、凝縮物を少な
くともすすぎ槽に還流せしめ、すすぎ槽は、蒸気空間か
らすすぎ槽に凝縮物を還流することによって、すすぎ槽
に対して過剰となる量の液体をすすぎ槽から洗浄槽に送
る手段を有する洗浄装置を提供し、特に、この洗浄装置
は、汚れとしての液晶材料を有する要素、例えば、液晶
表示素子を洗浄するために用いる洗浄装置として好適で
ある。なお、蒸気空間の冷却手段は、蒸気洗浄を実施す
るために要素を配置する位置より高い位置に設ける。ま
た、蒸気洗浄後に要素を乾燥するための乾燥手段を、冷
却手段より上方に設けてもよい。別の態様においては、
洗浄装置から独立した箇所にて乾燥してもよい。
【００２１】本発明の洗浄装置は、上述の液体の洗浄用
組成物を加え、加熱手段を有する洗浄槽、（ａ）及び
（ｂ）から実質的に構成される液体のすすぎ用組成物を
加えるすすぎ槽、及び上部に冷却手段を有する蒸気空間
を有することを一の特徴としている。液体の洗浄用組成
物を加熱、沸騰させることで、（ａ）及び（ｂ）から実
質的に構成される組成物を洗浄槽から蒸発させ、蒸気空
間を、（ａ）及び（ｂ）から実質的に構成される蒸気の
雰囲気とし、この蒸気を後述の蒸気洗浄に使用する。な
お、液体の洗浄用組成物の沸騰によって、（ｃ）は殆ど
蒸発しないで（ａ）及び（ｂ）から実質的に構成される
組成物が蒸発するのは、この組成物の沸点が（ｃ）の沸
点と比較して十分に低いからである。蒸気空間におい
て、（ａ）及び（ｂ）から実質的に構成される組成物
は、蒸気空間の上部に設けた冷却手段によって凝縮し
て、凝縮物を少なくともすすぎ槽（場合により、すすぎ
槽及び洗浄槽）に還流する。
組成物を加え、加熱手段を有する洗浄槽、（ａ）及び
（ｂ）から実質的に構成される液体のすすぎ用組成物を
加えるすすぎ槽、及び上部に冷却手段を有する蒸気空間
を有することを一の特徴としている。液体の洗浄用組成
物を加熱、沸騰させることで、（ａ）及び（ｂ）から実
質的に構成される組成物を洗浄槽から蒸発させ、蒸気空
間を、（ａ）及び（ｂ）から実質的に構成される蒸気の
雰囲気とし、この蒸気を後述の蒸気洗浄に使用する。な
お、液体の洗浄用組成物の沸騰によって、（ｃ）は殆ど
蒸発しないで（ａ）及び（ｂ）から実質的に構成される
組成物が蒸発するのは、この組成物の沸点が（ｃ）の沸
点と比較して十分に低いからである。蒸気空間におい
て、（ａ）及び（ｂ）から実質的に構成される組成物
は、蒸気空間の上部に設けた冷却手段によって凝縮し
て、凝縮物を少なくともすすぎ槽（場合により、すすぎ
槽及び洗浄槽）に還流する。
【００２２】上述の本発明の装置は、次のようにして操
作できる。最初に、洗浄槽に所定の液体の洗浄用組成物
を入れ、それに平衡な蒸気組成を概略予想して、その蒸
気組成と同じ組成の液体のすすぎ用組成物を（ａ）及び
（ｂ）から調製して、それによりすすぎ槽を予め満たし
ておく。別法では、上述の液体洗浄用組成物を沸騰させ
ることで蒸発する（ａ）及び（ｂ）から実質的に構成さ
れる蒸気を凝縮させ、これをすすぎ槽に入れてもよい。
作できる。最初に、洗浄槽に所定の液体の洗浄用組成物
を入れ、それに平衡な蒸気組成を概略予想して、その蒸
気組成と同じ組成の液体のすすぎ用組成物を（ａ）及び
（ｂ）から調製して、それによりすすぎ槽を予め満たし
ておく。別法では、上述の液体洗浄用組成物を沸騰させ
ることで蒸発する（ａ）及び（ｂ）から実質的に構成さ
れる蒸気を凝縮させ、これをすすぎ槽に入れてもよい。
【００２３】この状態で、洗浄槽を加熱して液体の洗浄
用組成物を沸騰させると、発生する蒸気およびそれを凝
縮して得られる凝縮物の組成は、すすぎ槽に予め満たし
ておいた液体のすすぎ用組成物の組成と実質的に大差の
無い（場合によっては、実質的に同じ）ものとなる。こ
のような凝縮物がすすぎ槽に還流されるが、すすぎ槽は
予め満たされているので、還流される凝縮物の量に対応
する量だけ、すすぎ槽から洗浄槽にすすぎ用組成物が移
送されることになる。この液の移送は、すすぎ槽から洗
浄槽へのオーバーフローにより実施できる（従って、こ
の場合、すすぎ槽は常に満杯である）が、この場合、還
流された量に対応する量だけ、すすぎ槽から洗浄槽に液
が移動するので、洗浄槽およびすすぎ槽内に保持されて
いる液体の量が実質的に変わることがないという利点が
ある。
用組成物を沸騰させると、発生する蒸気およびそれを凝
縮して得られる凝縮物の組成は、すすぎ槽に予め満たし
ておいた液体のすすぎ用組成物の組成と実質的に大差の
無い（場合によっては、実質的に同じ）ものとなる。こ
のような凝縮物がすすぎ槽に還流されるが、すすぎ槽は
予め満たされているので、還流される凝縮物の量に対応
する量だけ、すすぎ槽から洗浄槽にすすぎ用組成物が移
送されることになる。この液の移送は、すすぎ槽から洗
浄槽へのオーバーフローにより実施できる（従って、こ
の場合、すすぎ槽は常に満杯である）が、この場合、還
流された量に対応する量だけ、すすぎ槽から洗浄槽に液
が移動するので、洗浄槽およびすすぎ槽内に保持されて
いる液体の量が実質的に変わることがないという利点が
ある。
【００２４】別法では、ポンプによりすすぎ槽から洗浄
槽に液を移送してもよい。この場合、すすぎ槽が満杯で
ある必要は必ずしもない。すすぎ槽に還流される凝縮物
の量に対応する量をすすぎ槽から洗浄槽に常に移送する
ことが望ましいが、一時的には、その量より大きくて
も、あるいは小さくてもよく、全体として、一方の槽に
液が溜まり過ぎないようになっていればよい。
槽に液を移送してもよい。この場合、すすぎ槽が満杯で
ある必要は必ずしもない。すすぎ槽に還流される凝縮物
の量に対応する量をすすぎ槽から洗浄槽に常に移送する
ことが望ましいが、一時的には、その量より大きくて
も、あるいは小さくてもよく、全体として、一方の槽に
液が溜まり過ぎないようになっていればよい。
【００２５】通常、洗浄槽の液体の洗浄用組成物におい
て成分（ｃ）を考慮しない場合の成分（ａ）と成分
（ｂ）の割合は、それに平衡な気相の成分（ａ）と成分
（ｂ）の割合と異なるので、すすぎ槽から洗浄槽に戻る
液の組成は、洗浄槽に存在する液体の洗浄用組成物から
（ｃ）を除いた組成と異なる。洗浄槽に元から（または
既に）存在する液体の洗浄用組成物とすすぎ槽からの液
とが混合したものが洗浄槽における新たな液体の洗浄用
組成物となり、これが加熱されて蒸気を発生し、それが
凝縮されるという、上述の過程が繰り返される。即ち、
洗浄槽での加熱→蒸気の発生→蒸気の凝縮→凝縮物のす
すぎ槽への還流→還流された凝縮物と既に存在する液体
のすすぎ用組成物とが混合することによる新たなすすぎ
用組成物の形成→すすぎ槽から洗浄槽への液の移送→移
送された液と既に存在する液体の洗浄用組成物とが混合
することによる新たな洗浄用組成物の形成→新たな洗浄
用組成物の加熱→蒸気の発生→蒸気の凝縮→・・・・を
連続的に繰り返すことにより、各槽の液の組成および蒸
気組成が収斂して実質的に平衡となり安定する。
て成分（ｃ）を考慮しない場合の成分（ａ）と成分
（ｂ）の割合は、それに平衡な気相の成分（ａ）と成分
（ｂ）の割合と異なるので、すすぎ槽から洗浄槽に戻る
液の組成は、洗浄槽に存在する液体の洗浄用組成物から
（ｃ）を除いた組成と異なる。洗浄槽に元から（または
既に）存在する液体の洗浄用組成物とすすぎ槽からの液
とが混合したものが洗浄槽における新たな液体の洗浄用
組成物となり、これが加熱されて蒸気を発生し、それが
凝縮されるという、上述の過程が繰り返される。即ち、
洗浄槽での加熱→蒸気の発生→蒸気の凝縮→凝縮物のす
すぎ槽への還流→還流された凝縮物と既に存在する液体
のすすぎ用組成物とが混合することによる新たなすすぎ
用組成物の形成→すすぎ槽から洗浄槽への液の移送→移
送された液と既に存在する液体の洗浄用組成物とが混合
することによる新たな洗浄用組成物の形成→新たな洗浄
用組成物の加熱→蒸気の発生→蒸気の凝縮→・・・・を
連続的に繰り返すことにより、各槽の液の組成および蒸
気組成が収斂して実質的に平衡となり安定する。
【００２６】このような操作において、洗浄槽には高沸
点の成分（ｃ）が存在するため、洗浄槽の温度は、沸騰
している場合、成分（ａ）、（ｂ）及び（ｃ）から構成
される液体組成物の沸点となり、その温度は、上述の本
発明の洗浄用組成物の場合では、常圧においては５８〜
７２℃であり、それから発生する蒸気の温度も上述の液
体組成物の沸点と同じ温度である。凝縮物の温度は、冷
却手段により変えることができるが、通常１０〜５０
℃、好ましくは１０〜２０℃であってよい。すすぎ槽に
おける液体のすすぎ用組成物の温度は、洗浄槽での液体
の沸点より低いのが好ましく、通常１０〜５０℃、好ま
しくは１０〜３０℃である。従って、冷却手段により得
られる凝縮物の温度は、すすぎ槽内に保持されるすすぎ
用組成物の量が少ない場合には、その温度に特に影響を
与えるので、通常１０〜３０℃、好ましくは１５〜２０
℃の凝縮物が得られるように冷却手段を操作する。
点の成分（ｃ）が存在するため、洗浄槽の温度は、沸騰
している場合、成分（ａ）、（ｂ）及び（ｃ）から構成
される液体組成物の沸点となり、その温度は、上述の本
発明の洗浄用組成物の場合では、常圧においては５８〜
７２℃であり、それから発生する蒸気の温度も上述の液
体組成物の沸点と同じ温度である。凝縮物の温度は、冷
却手段により変えることができるが、通常１０〜５０
℃、好ましくは１０〜２０℃であってよい。すすぎ槽に
おける液体のすすぎ用組成物の温度は、洗浄槽での液体
の沸点より低いのが好ましく、通常１０〜５０℃、好ま
しくは１０〜３０℃である。従って、冷却手段により得
られる凝縮物の温度は、すすぎ槽内に保持されるすすぎ
用組成物の量が少ない場合には、その温度に特に影響を
与えるので、通常１０〜３０℃、好ましくは１５〜２０
℃の凝縮物が得られるように冷却手段を操作する。
【００２７】このように洗浄装置を平衡状態とした後、
洗浄すべき汚れが付着した要素を、洗浄槽に入れて浸漬
洗浄する；浸漬洗浄後、要素を取り出して付着した洗浄
用組成物を十分に液切りした後、要素をすすぎ槽内に入
れてすすぎ洗浄する；すすぎ洗浄後、要素を取り出して
付着したすすぎ用組成物を十分に液切りした後、要素を
蒸気空間に移して蒸気洗浄する。要素をすすぎ洗浄する
と、その間に要素の温度はすすぎ用組成物の温度と実質
的に等しくなるが、その後、要素を蒸気空間内に移動す
ると、要素の温度が蒸気温度より低いため、要素の周囲
に蒸気が凝縮し、それによって要素の蒸気洗浄が可能と
なるという利点がある。別法では、すすぎ洗浄後に要素
を適当な方法で更に冷却した後、蒸気洗浄を実施してよ
い。蒸気洗浄の後は、必要に応じて、蒸気空間の上部に
位置する乾燥空間において、あるいは別の場所で要素の
乾燥を実施してよい。尚、蒸気洗浄において、要素の温
度が蒸気空間の温度と実質的に同じになると、要素上に
は蒸気がもはや凝縮しないので、そのような状態で要素
を取り出せば、要素の乾燥を省略することも可能であ
る。
洗浄すべき汚れが付着した要素を、洗浄槽に入れて浸漬
洗浄する；浸漬洗浄後、要素を取り出して付着した洗浄
用組成物を十分に液切りした後、要素をすすぎ槽内に入
れてすすぎ洗浄する；すすぎ洗浄後、要素を取り出して
付着したすすぎ用組成物を十分に液切りした後、要素を
蒸気空間に移して蒸気洗浄する。要素をすすぎ洗浄する
と、その間に要素の温度はすすぎ用組成物の温度と実質
的に等しくなるが、その後、要素を蒸気空間内に移動す
ると、要素の温度が蒸気温度より低いため、要素の周囲
に蒸気が凝縮し、それによって要素の蒸気洗浄が可能と
なるという利点がある。別法では、すすぎ洗浄後に要素
を適当な方法で更に冷却した後、蒸気洗浄を実施してよ
い。蒸気洗浄の後は、必要に応じて、蒸気空間の上部に
位置する乾燥空間において、あるいは別の場所で要素の
乾燥を実施してよい。尚、蒸気洗浄において、要素の温
度が蒸気空間の温度と実質的に同じになると、要素上に
は蒸気がもはや凝縮しないので、そのような状態で要素
を取り出せば、要素の乾燥を省略することも可能であ
る。
【００２８】上述のように、通常は、蒸気空間の蒸気の
組成、すすぎ槽内のすすぎ用組成物の液体の組成および
洗浄槽内の洗浄用組成物の成分（ｃ）を除いた組成は、
相互に異なるが、洗浄用組成物において、成分（ｃ）を
考慮しない場合に成分（ａ）および（ｂ）が共沸組成ま
たは共沸様組成で存在する場合、成分（ａ）および
（ｂ）は装置内の全ての箇所で実質的に同じ割合で存在
する。従って、洗浄装置を運転していても実質的な組成
変動がなく、より安定した運転が可能となるという利点
がある。例えば成分（ａ）に（ａ１）ペルフルオロブチ
ルメチルエーテルを使用し、成分（ｃ）に（ｃ３）ジエ
チレングリコールジ−ｎ−ブチルエーテルを使用して、
これらが共沸するように洗浄用組成物の組成（ａ）：
（ｂ）：（ｃ）＝４５：５：５０を用いる場合、常圧で
操作して、洗浄用組成物を沸騰させると、洗浄槽の温度
は５８℃となり、蒸気空間の温度は同様に５８℃とな
り、冷却温度を１０℃としてすすぎ槽内のすすぎ用組成
物を３０℃で操作することができる。
組成、すすぎ槽内のすすぎ用組成物の液体の組成および
洗浄槽内の洗浄用組成物の成分（ｃ）を除いた組成は、
相互に異なるが、洗浄用組成物において、成分（ｃ）を
考慮しない場合に成分（ａ）および（ｂ）が共沸組成ま
たは共沸様組成で存在する場合、成分（ａ）および
（ｂ）は装置内の全ての箇所で実質的に同じ割合で存在
する。従って、洗浄装置を運転していても実質的な組成
変動がなく、より安定した運転が可能となるという利点
がある。例えば成分（ａ）に（ａ１）ペルフルオロブチ
ルメチルエーテルを使用し、成分（ｃ）に（ｃ３）ジエ
チレングリコールジ−ｎ−ブチルエーテルを使用して、
これらが共沸するように洗浄用組成物の組成（ａ）：
（ｂ）：（ｃ）＝４５：５：５０を用いる場合、常圧で
操作して、洗浄用組成物を沸騰させると、洗浄槽の温度
は５８℃となり、蒸気空間の温度は同様に５８℃とな
り、冷却温度を１０℃としてすすぎ槽内のすすぎ用組成
物を３０℃で操作することができる。
【００２９】
【発明の実施の形態】次に、図面を参照して、本発明の
洗浄装置をより具体的に説明する。図１に、本発明の洗
浄装置の１つの具体的態様を断面図にて模式的に示す。
図示した態様において、洗浄装置２は、洗浄槽４、すす
ぎ槽６、蒸気空間８、及び乾燥空間１０を有する。洗浄
槽４の中には、上述の液体の洗浄用組成物が液相として
存する。洗浄槽４の中には加熱手段、例えば、ヒーター
１２が配置され、液体の洗浄用組成物を加熱、沸騰させ
て（ａ）及び（ｂ）から実質的に構成される組成物を蒸
気空間８に蒸発させる。これによって、蒸気空間８は、
（ａ）及び（ｂ）から実質的に構成される蒸気の雰囲気
となる。蒸気空間８の上部には冷却手段、例えば、冷却
ジャケット１４及び／又は冷却コイル１６が配置され、
蒸気は、冷却、凝縮されて、その後、凝縮物は導管１８
を介して（又は直接落下して）すすぎ槽６に還流され
る。
洗浄装置をより具体的に説明する。図１に、本発明の洗
浄装置の１つの具体的態様を断面図にて模式的に示す。
図示した態様において、洗浄装置２は、洗浄槽４、すす
ぎ槽６、蒸気空間８、及び乾燥空間１０を有する。洗浄
槽４の中には、上述の液体の洗浄用組成物が液相として
存する。洗浄槽４の中には加熱手段、例えば、ヒーター
１２が配置され、液体の洗浄用組成物を加熱、沸騰させ
て（ａ）及び（ｂ）から実質的に構成される組成物を蒸
気空間８に蒸発させる。これによって、蒸気空間８は、
（ａ）及び（ｂ）から実質的に構成される蒸気の雰囲気
となる。蒸気空間８の上部には冷却手段、例えば、冷却
ジャケット１４及び／又は冷却コイル１６が配置され、
蒸気は、冷却、凝縮されて、その後、凝縮物は導管１８
を介して（又は直接落下して）すすぎ槽６に還流され
る。
【００３０】すすぎ槽６には、上述の液体の洗浄用組成
物を構成する（ａ）及び（ｂ）から成る液体のすすぎ洗
浄用組成物を、あらかじめ満たしておく。洗浄槽４から
蒸発する（ａ）及び（ｂ）から実質的に成る蒸気が、蒸
気空間８において冷却されてすすぎ槽６に還流するの
で、すすぎ槽６の液体のすすぎ用組成物は、実質的に
（ａ）及び（ｂ）から成る状態に保たれるが、すすぎ槽
６に対して液体のすすぎ用組成物が過剰となるので、過
剰となった量の液体のすすぎ用組成物がすすぎ槽６から
あふれる。すすぎ槽６は洗浄槽４よりも高い位置に配置
され、これらの間は導管２６により結ばれているので、
すすぎ槽６からあふれた液体のすすぎ用組成物は、洗浄
槽４にオーバーフローするようになっている。なお、
（ａ）と（ｂ）の比が、共沸混合物を形成する様な液体
の洗浄用組成物を用いると、洗浄槽４、すすぎ槽６、及
び蒸気空間８のいずれにおいても（ａ）と（ｂ）の比は
実質的に同一となる。オーバーフローのための導管２６
に代えて、すすぎ槽６から洗浄槽４へ液体の洗浄用組成
物をポンプで送ってもよい。
物を構成する（ａ）及び（ｂ）から成る液体のすすぎ洗
浄用組成物を、あらかじめ満たしておく。洗浄槽４から
蒸発する（ａ）及び（ｂ）から実質的に成る蒸気が、蒸
気空間８において冷却されてすすぎ槽６に還流するの
で、すすぎ槽６の液体のすすぎ用組成物は、実質的に
（ａ）及び（ｂ）から成る状態に保たれるが、すすぎ槽
６に対して液体のすすぎ用組成物が過剰となるので、過
剰となった量の液体のすすぎ用組成物がすすぎ槽６から
あふれる。すすぎ槽６は洗浄槽４よりも高い位置に配置
され、これらの間は導管２６により結ばれているので、
すすぎ槽６からあふれた液体のすすぎ用組成物は、洗浄
槽４にオーバーフローするようになっている。なお、
（ａ）と（ｂ）の比が、共沸混合物を形成する様な液体
の洗浄用組成物を用いると、洗浄槽４、すすぎ槽６、及
び蒸気空間８のいずれにおいても（ａ）と（ｂ）の比は
実質的に同一となる。オーバーフローのための導管２６
に代えて、すすぎ槽６から洗浄槽４へ液体の洗浄用組成
物をポンプで送ってもよい。
【００３１】なお、洗浄槽４及びすすぎ槽６は、洗浄効
果を高める手段として、超音波照射器２０を有し、汚れ
が付着した要素に超音波を照射することによって効率的
に洗浄を行うことができる。また、液体の洗浄用組成物
及びすすぎ用組成物のごみを除去する手段として、ポン
プ２２及びフィルター２４を有し、ポンプ２２を動作さ
せて液体の洗浄用組成物及びすすぎ用組成物をフィルタ
ー２４に通すことによって、液体の洗浄用組成物及びす
すぎ用組成物の埃による汚染を防止することができ、洗
浄に万全を期することができる。
果を高める手段として、超音波照射器２０を有し、汚れ
が付着した要素に超音波を照射することによって効率的
に洗浄を行うことができる。また、液体の洗浄用組成物
及びすすぎ用組成物のごみを除去する手段として、ポン
プ２２及びフィルター２４を有し、ポンプ２２を動作さ
せて液体の洗浄用組成物及びすすぎ用組成物をフィルタ
ー２４に通すことによって、液体の洗浄用組成物及びす
すぎ用組成物の埃による汚染を防止することができ、洗
浄に万全を期することができる。
【００３２】この洗浄装置を用いる要素の洗浄は、次の
通りである。まず、汚れが付着した要素の洗浄を、洗浄
槽４において浸漬洗浄により行う。この際、あらかじめ
ヒーター１２を用いて上述の液体洗浄用組成物を沸騰さ
せて、（ａ）及び（ｂ）から実質的に構成される蒸発を
生じさせて、蒸気空間８を（ａ）及び（ｂ）から実質的
に構成される蒸気を含む雰囲気とするとともに、好まし
くは超音波照射器２０を作動させて超音波を照射しなが
ら行う。一方、ポンプ２２を動作させてフィルター２４
に液体の洗浄用組成物を通すことによって、液体の洗浄
用組成物が埃で汚染されることを防止する。
通りである。まず、汚れが付着した要素の洗浄を、洗浄
槽４において浸漬洗浄により行う。この際、あらかじめ
ヒーター１２を用いて上述の液体洗浄用組成物を沸騰さ
せて、（ａ）及び（ｂ）から実質的に構成される蒸発を
生じさせて、蒸気空間８を（ａ）及び（ｂ）から実質的
に構成される蒸気を含む雰囲気とするとともに、好まし
くは超音波照射器２０を作動させて超音波を照射しなが
ら行う。一方、ポンプ２２を動作させてフィルター２４
に液体の洗浄用組成物を通すことによって、液体の洗浄
用組成物が埃で汚染されることを防止する。
【００３３】浸漬洗浄後の要素を取り出して液を十分に
切った後、すすぎ槽６に移し、好ましくは超音波を照射
しつつ、ポンプ２２及びフィルター２４を液体のすすぎ
用組成物に作用させながら、（ａ）及び（ｂ）から実質
的に構成される液体のすすぎ用組成物に要素を入れてす
すぎ洗浄する。すすぎ槽６の液体のすすぎ用組成物は、
洗浄槽４から蒸発した（ａ）及び（ｂ）から実質的に構
成される蒸気が凝縮し、蒸気空間８からすすぎ槽６へ還
流し、過剰となった量のすすぎ用組成物は洗浄槽４へオ
ーバーフローする。すすぎ洗浄後、要素を取り出して液
を十分に切った後、蒸気空間８に移して、（ａ）及び
（ｂ）から実質的に構成される蒸気を用いて蒸気洗浄を
行う。蒸気洗浄後、要素を乾燥空間１０に移して、乾燥
する。
切った後、すすぎ槽６に移し、好ましくは超音波を照射
しつつ、ポンプ２２及びフィルター２４を液体のすすぎ
用組成物に作用させながら、（ａ）及び（ｂ）から実質
的に構成される液体のすすぎ用組成物に要素を入れてす
すぎ洗浄する。すすぎ槽６の液体のすすぎ用組成物は、
洗浄槽４から蒸発した（ａ）及び（ｂ）から実質的に構
成される蒸気が凝縮し、蒸気空間８からすすぎ槽６へ還
流し、過剰となった量のすすぎ用組成物は洗浄槽４へオ
ーバーフローする。すすぎ洗浄後、要素を取り出して液
を十分に切った後、蒸気空間８に移して、（ａ）及び
（ｂ）から実質的に構成される蒸気を用いて蒸気洗浄を
行う。蒸気洗浄後、要素を乾燥空間１０に移して、乾燥
する。
【００３４】
【実施例】以下、本発明を実施例及び比較例により具体
的かつ詳細に説明するが、これらの実施例及び比較例は
本発明の一態様にすぎず、本発明はこれらの例によって
何ら限定されるものではない。
的かつ詳細に説明するが、これらの実施例及び比較例は
本発明の一態様にすぎず、本発明はこれらの例によって
何ら限定されるものではない。
【００３５】実施例１ （１）洗浄用組成物の調製 （ａ１）ペルフルオロブチルメチルエーテル、（ｂ）ｎ
−ヘプタン、及び（ｃ１）ジエチレングリコールエチル
エーテルの重量比（（ａ１）／（ｂ）／（ｃ１））が、
４５／５／５０である洗浄用組成物を作製した。 （２）洗浄用組成物の洗浄性 洗浄用組成物の洗浄性を調べるために、この洗浄用組成
物に、一般的な二種類の液晶材料を混合することによっ
て、溶解性を調べた。即ち、洗浄用組成物を２５℃にお
いて十分に攪拌しつつ、液晶材料１（メルク・ジャパン
（株）製ＳＴＮ型ＬＣＤ用液晶組成物ＺＬＩ−２２９３
（商品名））又は液晶材料２（メルク・ジャパン（株）
製ＳＴＮ型ＬＣＤ用液晶組成物ＺＬＩ−４７９２（商品
名））を、滴下しながら徐々に加えた。液晶材料の滴下
は、洗浄用組成物と液晶材料１又は２の総和に対して液
晶材料１又は２が３０重量％となるまで行った。液晶材
料が溶解しないで、白濁、乳濁、相分離等を生じた場合
は、その時点で液晶材料の滴下を終了した。液晶材料が
３０重量％まで溶解し、洗浄用組成物と液晶材料の混合
物が透明の液体となり、均一になったものを○、液晶材
料を洗浄用組成物に３０重量％まで加える間に、二相に
分離又は乳化等を生じたものを×とした。結果は、表１
に示した。なお、液晶材料１は、非フッ素系の液晶組成
物であり、液晶材料２は、フッ素系の液晶組成物であ
る。
−ヘプタン、及び（ｃ１）ジエチレングリコールエチル
エーテルの重量比（（ａ１）／（ｂ）／（ｃ１））が、
４５／５／５０である洗浄用組成物を作製した。 （２）洗浄用組成物の洗浄性 洗浄用組成物の洗浄性を調べるために、この洗浄用組成
物に、一般的な二種類の液晶材料を混合することによっ
て、溶解性を調べた。即ち、洗浄用組成物を２５℃にお
いて十分に攪拌しつつ、液晶材料１（メルク・ジャパン
（株）製ＳＴＮ型ＬＣＤ用液晶組成物ＺＬＩ−２２９３
（商品名））又は液晶材料２（メルク・ジャパン（株）
製ＳＴＮ型ＬＣＤ用液晶組成物ＺＬＩ−４７９２（商品
名））を、滴下しながら徐々に加えた。液晶材料の滴下
は、洗浄用組成物と液晶材料１又は２の総和に対して液
晶材料１又は２が３０重量％となるまで行った。液晶材
料が溶解しないで、白濁、乳濁、相分離等を生じた場合
は、その時点で液晶材料の滴下を終了した。液晶材料が
３０重量％まで溶解し、洗浄用組成物と液晶材料の混合
物が透明の液体となり、均一になったものを○、液晶材
料を洗浄用組成物に３０重量％まで加える間に、二相に
分離又は乳化等を生じたものを×とした。結果は、表１
に示した。なお、液晶材料１は、非フッ素系の液晶組成
物であり、液晶材料２は、フッ素系の液晶組成物であ
る。
【００３６】（３）洗浄用組成物の洗浄試験 上述の洗浄用組成物の洗浄試験を、汚れとして液晶材料
１が付着したガラス基板を使用して行った。上述の洗浄
用組成物中において、液晶材料１が付着したガラス基板
を２５℃で１分間浸漬して洗浄した。次に、上述の洗浄
用組成物の成分（ａ１）と（ｂ）の重量比（即ち、（ａ
１）／（ｂ））が、９０／１０である（ａ１）と（ｂ）
から成る組成物をすすぎ用組成物として用い、このすす
ぎ用組成物中において、浸漬洗浄したガラス基板を２５
℃で１分間浸漬して洗浄した。洗浄後のガラス基板乾燥
して目視で観察したところ、ガラス基板に液晶材料１が
付着していることは認められなかった。ガラス基板から
液晶材料１が除去されていることを確認するために、洗
浄試験後のガラス基板を１００ｇの四塩化炭素に２５℃
で１分間浸漬して得た四塩化炭素溶液中の液晶材料１の
赤外吸収スペクトルを測定した。赤外吸収スペクトルの
吸光度から四塩化炭素に溶解している液晶材料１の濃度
（単位はｐｐｍ）を算出して、結果を表１に示した。測
定結果は、実質的に液晶材料１が、ガラス基板に付着し
ていないことを意味する。なお、値が大きいほど、ガラ
ス基板に付着して残留していた液晶材料１の量が多いこ
とを示す。
１が付着したガラス基板を使用して行った。上述の洗浄
用組成物中において、液晶材料１が付着したガラス基板
を２５℃で１分間浸漬して洗浄した。次に、上述の洗浄
用組成物の成分（ａ１）と（ｂ）の重量比（即ち、（ａ
１）／（ｂ））が、９０／１０である（ａ１）と（ｂ）
から成る組成物をすすぎ用組成物として用い、このすす
ぎ用組成物中において、浸漬洗浄したガラス基板を２５
℃で１分間浸漬して洗浄した。洗浄後のガラス基板乾燥
して目視で観察したところ、ガラス基板に液晶材料１が
付着していることは認められなかった。ガラス基板から
液晶材料１が除去されていることを確認するために、洗
浄試験後のガラス基板を１００ｇの四塩化炭素に２５℃
で１分間浸漬して得た四塩化炭素溶液中の液晶材料１の
赤外吸収スペクトルを測定した。赤外吸収スペクトルの
吸光度から四塩化炭素に溶解している液晶材料１の濃度
（単位はｐｐｍ）を算出して、結果を表１に示した。測
定結果は、実質的に液晶材料１が、ガラス基板に付着し
ていないことを意味する。なお、値が大きいほど、ガラ
ス基板に付着して残留していた液晶材料１の量が多いこ
とを示す。
【００３７】
【表１】
【００３８】実施例２〜５ 表１に記載した成分を用いて表１に記載した組成の実施
例２〜５の洗浄用組成物を作製した。実施例２〜５の洗
浄用組成物の洗浄性を調べるために、実施例１の洗浄用
組成物の代わりに実施例２〜５の洗浄用組成物を用いた
以外は、実施例１に記載した方法と同様に調べた。結果
は、表１に示した。また、実施例２〜５の洗浄用組成物
の洗浄試験を、実施例１の洗浄用組成物の代わりに実施
例２〜５の洗浄用組成物を用い、実施例１のすすぎ用組
成物の代わりに実施例２〜５の洗浄用組成物の成分
（ａ）と（ｂ）の重量比、即ち、（（ａ１）又は（ａ
２））／（ｂ）が、９０／１０である（ａ）と（ｂ）か
ら成る組成物をすすぎ用組成物を用いた以外は、実施例
１に記載した方法と同様に調べた。洗浄後のガラス基板
乾燥して目視で観察したところ、いずれのガラス基板に
も液晶材料１が付着していることは認められなかった。
実施例１に記載した様にガラス基板に残留した液晶材料
１の量を調べた。結果は、表１に示した。
例２〜５の洗浄用組成物を作製した。実施例２〜５の洗
浄用組成物の洗浄性を調べるために、実施例１の洗浄用
組成物の代わりに実施例２〜５の洗浄用組成物を用いた
以外は、実施例１に記載した方法と同様に調べた。結果
は、表１に示した。また、実施例２〜５の洗浄用組成物
の洗浄試験を、実施例１の洗浄用組成物の代わりに実施
例２〜５の洗浄用組成物を用い、実施例１のすすぎ用組
成物の代わりに実施例２〜５の洗浄用組成物の成分
（ａ）と（ｂ）の重量比、即ち、（（ａ１）又は（ａ
２））／（ｂ）が、９０／１０である（ａ）と（ｂ）か
ら成る組成物をすすぎ用組成物を用いた以外は、実施例
１に記載した方法と同様に調べた。洗浄後のガラス基板
乾燥して目視で観察したところ、いずれのガラス基板に
も液晶材料１が付着していることは認められなかった。
実施例１に記載した様にガラス基板に残留した液晶材料
１の量を調べた。結果は、表１に示した。
【００３９】比較例１ 表１に記載した成分を用いて表１に記載した組成の比較
例１の洗浄用組成物を作製した。比較例１の洗浄用組成
物の洗浄性を調べるために、実施例１の洗浄用組成物の
代わりに比較例１の洗浄用組成物を用いた以外は、実施
例１と同様に調べた。結果は、表１に示した。また、比
較例１の洗浄用組成物の洗浄試験を、実施例１の洗浄用
組成物の代わりに比較例１の洗浄用組成物を用い、実施
例１のすすぎ用組成物の代わりに（ａ１）ペルフルオロ
ブチルメチルエーテルをすすぎ用組成物を用いた以外
は、実施例１に記載した方法と同様に調べた。洗浄後の
ガラス基板を乾燥して目視で観察したところ、液晶材料
１がガラス基板の表面にシミ状に残留していることを認
めた。実施例１に記載した様にガラス基板に残留した液
晶材料１の量を調べた。結果は、表１に示した。実施例
と比較して多くの量の液晶材料１がガラス基板に残留し
ていることが確認された。
例１の洗浄用組成物を作製した。比較例１の洗浄用組成
物の洗浄性を調べるために、実施例１の洗浄用組成物の
代わりに比較例１の洗浄用組成物を用いた以外は、実施
例１と同様に調べた。結果は、表１に示した。また、比
較例１の洗浄用組成物の洗浄試験を、実施例１の洗浄用
組成物の代わりに比較例１の洗浄用組成物を用い、実施
例１のすすぎ用組成物の代わりに（ａ１）ペルフルオロ
ブチルメチルエーテルをすすぎ用組成物を用いた以外
は、実施例１に記載した方法と同様に調べた。洗浄後の
ガラス基板を乾燥して目視で観察したところ、液晶材料
１がガラス基板の表面にシミ状に残留していることを認
めた。実施例１に記載した様にガラス基板に残留した液
晶材料１の量を調べた。結果は、表１に示した。実施例
と比較して多くの量の液晶材料１がガラス基板に残留し
ていることが確認された。
【００４０】比較例２ 表１に記載した成分を用いて表１に記載した組成の比較
例２の洗浄用組成物を作製した。比較例２の洗浄用組成
物の洗浄性を調べるために、実施例１の洗浄用組成物の
代わりに比較例２の洗浄用組成物を用いた以外は、実施
例１と同様に調べた。結果は、表１に示した。また、比
較例２の洗浄用組成物の洗浄試験を、実施例１の洗浄用
組成物の代わりに比較例２の洗浄用組成物を用い、実施
例１のすすぎ用組成物の代わりに（ａ１）ペルフルオロ
ブチルメチルエーテルをすすぎ用組成物を用いた以外
は、実施例１に記載した方法と同様に調べた。洗浄後の
ガラス基板乾燥して目視で観察したところ、液晶材料１
がガラス基板の表面にシミ状に残留していることは認め
られなかった。実施例１に記載した様にガラス基板に残
留した液晶材料１の量を調べた。結果は、表１に示し
た。実施例と比較して多くの量の液晶材料１がガラス基
板に残留していることが確認された。
例２の洗浄用組成物を作製した。比較例２の洗浄用組成
物の洗浄性を調べるために、実施例１の洗浄用組成物の
代わりに比較例２の洗浄用組成物を用いた以外は、実施
例１と同様に調べた。結果は、表１に示した。また、比
較例２の洗浄用組成物の洗浄試験を、実施例１の洗浄用
組成物の代わりに比較例２の洗浄用組成物を用い、実施
例１のすすぎ用組成物の代わりに（ａ１）ペルフルオロ
ブチルメチルエーテルをすすぎ用組成物を用いた以外
は、実施例１に記載した方法と同様に調べた。洗浄後の
ガラス基板乾燥して目視で観察したところ、液晶材料１
がガラス基板の表面にシミ状に残留していることは認め
られなかった。実施例１に記載した様にガラス基板に残
留した液晶材料１の量を調べた。結果は、表１に示し
た。実施例と比較して多くの量の液晶材料１がガラス基
板に残留していることが確認された。
【００４１】
【発明の効果】本発明により、非引火性、低毒性、地球
温暖化に与える影響が少ない新規な洗浄用組成物を提供
することができる。さらに、本発明の洗浄用組成物を用
いて、浸漬洗浄、すすぎ洗浄、及び／又は蒸気洗浄を用
いることによって、効率的な洗浄方法を提供することが
できる。さらにまた、本発明の洗浄用組成物を用いて、
本発明の洗浄方法を実施するために使用できる本発明の
洗浄装置を用いることで、洗浄に用いる溶剤のロスを減
少せしめ、環境問題を和らげ、溶剤の利用効率を高める
ことができる。さらに、本発明の洗浄用組成物、洗浄方
法、及び洗浄装置は、特に、汚れとしての液晶材料を除
去するための洗浄用に好適である。
温暖化に与える影響が少ない新規な洗浄用組成物を提供
することができる。さらに、本発明の洗浄用組成物を用
いて、浸漬洗浄、すすぎ洗浄、及び／又は蒸気洗浄を用
いることによって、効率的な洗浄方法を提供することが
できる。さらにまた、本発明の洗浄用組成物を用いて、
本発明の洗浄方法を実施するために使用できる本発明の
洗浄装置を用いることで、洗浄に用いる溶剤のロスを減
少せしめ、環境問題を和らげ、溶剤の利用効率を高める
ことができる。さらに、本発明の洗浄用組成物、洗浄方
法、及び洗浄装置は、特に、汚れとしての液晶材料を除
去するための洗浄用に好適である。
【図１】 本発明の洗浄装置を、断面図にて模式的に示
す。
す。
２…洗浄装置、４…洗浄槽、６…すすぎ槽、８…蒸気空
間、１０…乾燥空間、１２…ヒーター、１４…冷却ジャ
ケット、１６…冷却コイル、１８…導管、２０…超音波
照射器、２２…ポンプ、２４…フィルター、２６…導管
間、１０…乾燥空間、１２…ヒーター、１４…冷却ジャ
ケット、１６…冷却コイル、１８…導管、２０…超音波
照射器、２２…ポンプ、２４…フィルター、２６…導管
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 柴沼 俊 大阪府摂津市西一津屋１番１号 ダイキン 工業株式会社淀川製作所内 Ｆターム(参考） 4H003 BA12 DA14 DA15 DB01 DC02 DC03 ED03 ED29 FA01 FA03 FA45 FA46
Claims (15)
- 【請求項１】（ａ）式（I）：Ｃ4Ｆ9−Ｏ−ＣnＨ2n+1 ［式（I）において、ｎは、１又は２である。］で示さ
れるペルフルオロブチルアルキルエーテル、 （ｂ）ｎ−ヘプタン、及び （ｃ）式（II）：Ｒ1−Ｏ−（ＣＨ2ＣＨ2Ｏ）2−Ｒ2 ［式（II）において、 Ｒ1は、炭素数１〜４の分枝を有してよいアルキル基又
はアセチル基、 Ｒ2は、水素又は炭素数１〜４の分枝を有してよいアル
キル基である。］で示されるジエチレングリコールエー
テルを必須成分として含む洗浄用組成物であって、 （ａ）と（ｂ）の重量比（即ち、（ａ）／（ｂ））が、
８０／２０〜９７／３である（（ａ）＋（ｂ））と
（ｃ）の重量比（即ち、（（ａ）＋（ｂ））／（ｃ））
が、３０／７０〜７０／３０である洗浄用組成物。 - 【請求項２】 （ｃ）が、ジエチレングリコールエチル
エーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジ
エチレングリコールジ−ｎ−ブチルエーテル、ジエチレ
ングリコール−ｔｅｒｔ−ブチルメチルエーテル、及び
ジエチレングリコールエチルアセテートから成る群から
選ばれる少なくとも１種である請求項１に記載の洗浄用
組成物。 - 【請求項３】 （ａ）がペルフルオロブチルメチルエー
テルであるとき、（ｃ）がジエチレングリコールエチル
エーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、及
びジエチレングリコールエチルアセテートから成る群か
ら選ばれる少なくとも１種であり、（ａ）がペルフルオ
ロブチルエチルエーテルであるとき、（ｃ）がジエチレ
ングリコールジ−ｎ−ブチルエーテル、及びジエチレン
グリコール−ｔｅｒｔ−ブチルメチルエーテルから成る
群から選ばれる少なくとも１種である請求項１又は２に
記載の洗浄用組成物。 - 【請求項４】 （ａ）と（ｂ）が、共沸又は共沸様組成
で含まれる請求項１〜３のいずれかに記載の洗浄用組成
物。 - 【請求項５】 汚れとしての液晶材料を除去するために
用いる請求項１〜４のいずれかに記載の洗浄用組成物。 - 【請求項６】 請求項１〜５のいずれかに記載の液体の
洗浄用組成物中に浸漬することによって、汚れが付着し
た要素を浸漬洗浄する洗浄方法。 - 【請求項７】 浸漬洗浄後に、更に、（ａ）及び（ｂ）
から実質的に構成される液体のすすぎ用組成物中に浸漬
することによって要素をすすぎ洗浄する請求項６に記載
の洗浄方法。 - 【請求項８】 すすぎ洗浄後に、更に、（ａ）及び
（ｂ）から実質的に構成される蒸気によって要素を蒸気
洗浄する請求項７に記載の洗浄方法。 - 【請求項９】 請求項１〜５のいずれかに記載の液体の
洗浄用組成物を加熱して、（ａ）及び（ｂ）から実質的
に構成される蒸気洗浄に用いる蒸気を発生させる請求項
８に記載の洗浄方法。 - 【請求項１０】 液体の洗浄用組成物中の（ｃ）を除い
た液体の組成が、実質的に共沸又は共沸様組成である請
求項９に記載の洗浄方法。 - 【請求項１１】 汚れとしての液晶材料を除去する請求
項６〜１０のいずれかに記載の洗浄方法。 - 【請求項１２】 請求項１〜５のいずれかに記載の液体
の洗浄用組成物を加える洗浄槽、（ａ）及び（ｂ）から
実質的に構成される液体のすすぎ用組成物を加えるすす
ぎ槽、及び洗浄槽の上方に位置する蒸気空間を有する洗
浄装置であって、 洗浄槽は、請求項１〜５のいずれかに記載の液体の洗浄
用組成物を加熱して、（ａ）及び（ｂ）から実質的に構
成される蒸気を洗浄槽の上部に位置する蒸気空間内に蒸
発せしめる加熱手段を有し、 蒸気空間は、洗浄槽から蒸発した実質的に（ａ）及び
（ｂ）から構成される蒸気を凝縮させる冷却手段をその
上部に有し、凝縮物を少なくともすすぎ槽に還流せし
め、 すすぎ槽は、蒸気空間からすすぎ槽に凝縮物を還流する
ことによって、すすぎ槽に対して過剰となる量の液体を
すすぎ槽から洗浄槽に送る手段を有する洗浄装置。 - 【請求項１３】 すすぎ槽に対して過剰となる量の液体
をすすぎ槽から洗浄槽に送る手段が、オーバーフロー手
段である請求項１２に記載の洗浄装置 - 【請求項１４】 汚れとしての液晶材料を除去するため
に用いる請求項１２又は１３に記載の洗浄装置。 - 【請求項１５】 請求項１２〜１４のいずれかに記載の
洗浄装置を用いて、汚れが付着した要素を洗浄槽におい
て液体の洗浄用組成物中で浸漬洗浄し、次にすすぎ槽に
おいて液体のすすぎ用組成物中ですすぎ洗浄後、蒸気空
間において冷却手段よりも下方で蒸気洗浄する洗浄方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10370708A JP2000192090A (ja) | 1998-12-25 | 1998-12-25 | 洗浄用組成物、洗浄方法及び洗浄装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10370708A JP2000192090A (ja) | 1998-12-25 | 1998-12-25 | 洗浄用組成物、洗浄方法及び洗浄装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000192090A true JP2000192090A (ja) | 2000-07-11 |
Family
ID=18497462
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10370708A Pending JP2000192090A (ja) | 1998-12-25 | 1998-12-25 | 洗浄用組成物、洗浄方法及び洗浄装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2000192090A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001016422A1 (en) * | 1999-09-01 | 2001-03-08 | Niran Technologies, Inc. | Non combustible nonaqueous compositions |
| EP1288284A1 (en) * | 2000-06-01 | 2003-03-05 | Asahi Kasei Kabushiki Kaisha | Cleaning agent, cleaning method and cleaning apparatus |
| US7053035B2 (en) | 2002-03-06 | 2006-05-30 | Asahi Glass Company, Limited | Solvent composition |
| US8338355B2 (en) | 2006-11-01 | 2012-12-25 | Central Glass Company, Limited | Azeotrope or azeotrope-like composition comprising 1,1,2,2-tetrafluoro-1-methoxyethane |
-
1998
- 1998-12-25 JP JP10370708A patent/JP2000192090A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2001016422A1 (en) * | 1999-09-01 | 2001-03-08 | Niran Technologies, Inc. | Non combustible nonaqueous compositions |
| EP1288284A1 (en) * | 2000-06-01 | 2003-03-05 | Asahi Kasei Kabushiki Kaisha | Cleaning agent, cleaning method and cleaning apparatus |
| EP1288284A4 (en) * | 2000-06-01 | 2004-11-24 | Asahi Chemical Ind | CLEANING AGENT, METHOD AND APPARATUS |
| US7531495B2 (en) | 2000-06-01 | 2009-05-12 | Asahi Kasei Kabushiki Kaisha | Cleaning agent, cleaning method and cleaning apparatus |
| US8529703B2 (en) | 2000-06-01 | 2013-09-10 | Asahi Kasei Kabushiki Kaisha | Cleaning agent, cleaning method and cleaning apparatus |
| US7053035B2 (en) | 2002-03-06 | 2006-05-30 | Asahi Glass Company, Limited | Solvent composition |
| US8338355B2 (en) | 2006-11-01 | 2012-12-25 | Central Glass Company, Limited | Azeotrope or azeotrope-like composition comprising 1,1,2,2-tetrafluoro-1-methoxyethane |
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